JP2018107763A

JP2018107763A - 半導体装置及び振幅検出方法

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Publication number: JP2018107763A
Application number: JP2016255436A
Authority: JP
Inventors: 裕耳野; Yutaka Mimino; 近藤　守; Mamoru Kondo; 守近藤
Original assignee: Lapis Semiconductor Co Ltd
Current assignee: Lapis Semiconductor Co Ltd
Priority date: 2016-12-28
Filing date: 2016-12-28
Publication date: 2018-07-05
Anticipated expiration: 2036-12-28
Also published as: JP6865034B2

Abstract

【課題】製品出荷前の調整処理の手間を減らすと共に、製造バラツキ、温度変動、或いは電源電圧変動等に起因する精度低下を招くことなく、高周波信号の振幅値を検出することが可能な半導体装置及び振幅検出方法を提供する。
【解決手段】基点電圧を生成する基点電圧生成部１１１と、高周波信号を包絡線検波して得た信号を基点電圧の分だけレベルシフトした信号を包絡線信号として生成する検波部１１０と、基点電圧と所定の基準電圧との電圧差に基づき、基点電圧の電圧値が基準電圧の電圧値となるように調整すると共に包絡線信号のレベルを電圧差に対応した分だけレベルシフトする電圧調整部１１２と、電圧調整部によってレベルシフトされた包絡線信号と電圧調整部によって電圧値が調整された基点電圧との差分に、基準電圧を加算した電圧を高周波信号の振幅を表す振幅検出信号として生成する差分検出部１１３と、を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置、特に高周波信号の振幅を検出する半導体装置及び振幅検出方法に関する。

無線通信システムで用いられる受信機のフロントエンドでは、アンテナを介して受信した高周波信号の信号強度を一定に保つ自動利得制御が行われている。かかる自動利得制御は、例えば高周波信号の包絡線信号と基準電圧との比較結果に基づいて実施される。

高周波信号の包絡線信号と基準電圧との比較結果を得る回路として、高周波信号を第１のトランジスタによって検波することにより包絡線信号を得る包絡線検波回路と、基点電圧を生成する第２のトランジスタと、包絡線信号及び基点電圧を比較する比較器と、を含む高周波電力検波回路が提案されている（例えば特許文献１参照）。この高周波電力検波回路では、比較器の出力結果である包絡線信号と基点電圧との差分、つまり高周波信号の振幅を表す信号を、高周波信号の電力レベルを表す信号として出力する。

特開２００９−１０５７２６号公報

ところで、製造バラツキ、温度変動、或いは電源電圧変動等に伴い、上記した第２のトランジスタから出力された基点電圧の電圧値が変動すると、その電圧値が比較器の入力許容範囲を超えてしまう場合がある。この際、比較器が誤動作する虞があり、その結果、包絡線信号と基点電圧との差分を表す信号、つまり高周波信号の振幅値を表す振幅検出信号の精度が低下する。

また、例えばオペアンプ等で構成される比較器自体に直流オフセットが生じている場合には、この比較器に対して直流オフセットの除去、或いは、当該直流オフセットに伴い上記振幅検出信号に生じる誤差分を補正する補正表を予め作成しておく等の調整処理が必要となる。

そこで、本発明では、製品出荷前の調整処理の手間を減らすと共に、製造バラツキ、温度変動、或いは電源電圧変動等に起因する精度低下を招くことなく、高周波信号の振幅値を検出することが可能な半導体装置及び振幅検出方法を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体装置は、高周波信号の振幅を検出する半導体装置であって、基点電圧を生成する基点電圧生成部と、前記高周波信号を包絡線検波して得た信号を前記基点電圧の分だけレベルシフトした信号を包絡線信号として生成する検波部と、前記基点電圧と所定の基準電圧との電圧差に基づき、前記基点電圧の電圧値が前記基準電圧の電圧値になるように調整すると共に前記包絡線信号のレベルを前記電圧差に対応した分だけレベルシフトする電圧調整部と、前記電圧調整部によってレベルシフトされた前記包絡線信号と前記電圧調整部によって電圧値が調整された前記基点電圧との差分に、前記基準電圧を加算した電圧を前記高周波信号の振幅を表す振幅検出信号として生成する差分検出部と、を有する。

本発明に係る振幅検出方法は、高周波信号の振幅を検出する振幅検出方法であって、基点電圧を生成すると共に前記高周波信号を包絡線検波して得た信号を前記基点電圧の分だけレベルシフトした信号を前記包絡線信号として生成する第１のステップと、前記基点電圧と所定の基準電圧との電圧差に基づき、前記基点電圧の電圧値が前記基準電圧の電圧値になるように調整すると共に前記包絡線信号のレベルを前記電圧差に対応した分だけレベルシフトする第２のステップと、前記第２のステップでレベルシフトされた前記包絡線信号と前記第２のステップで電圧値が調整された前記基点電圧との差分に、前記基準電圧を加算した電圧を前記高周波信号の振幅を表す振幅検出信号として生成する第３のステップと、を有する。

本発明では、装置内部で生成した基点電圧、及び入力された高周波信号を基点電圧の分だけレベルシフトした信号に包絡線検波を施して得られた包絡線信号に対して、以下のような電圧調整を施す。すなわち、電圧調整部が、基点電圧と所定の基準電圧との電圧差に基づき、当該基点電圧の電圧値が基準電圧の電圧値となるように調整すると共に、上記した包絡線信号をこの電圧差に対応した分だけレベルシフトする。そして、差分検出部が、上記のように電圧値の調整が施された包絡線信号及び基点電圧の差分に、基準電圧を加算した電圧を、高周波信号の振幅値を表す振幅検出信号として生成する。

かかる構成によれば、製造バラツキ、温度変動、或いは電源電圧変動等に伴い、装置内部で生成された基点電圧に大幅な変動が生じても、この基点電圧の電圧値は所定の基準電圧の電圧値と等しくなるように調整される。これにより、基点電圧の電圧値を差分検出部の入力許容範囲内に収めることが可能となるので、入力許容範囲オーバに起因する差分検出部の誤動作が回避され、当該誤動作に起因する振幅検出信号の精度低下を防ぐことが可能となる。

更に、差分検出部では、振幅検出信号を生成するにあたり、包絡線信号と基点電圧との差分に基準電圧を加えることにより、高周波信号が供給されていない状態での振幅検出信号の値を、基準電圧の電圧値と等しくなるようにしている。これにより、差分検出部での直流オフセットが除去されるので、製品の製造後、この差分検出部に対する直流オフセットの除去、或いは振幅検出信号に対する直流オフセット分の補正値を表す補正表の作成等の調整工程を省くことが可能となる。

よって、本発明によれば、製品出荷前の調整処理の手間を減らすと共に、製造バラツキ、温度変動、或いは電源電圧変動等に起因する精度低下を招くことなく、高周波信号の包絡線信号と基準電圧との差分を検出することが可能となる。

受信装置１００の構成を表すブロック図である。振幅検出部１１の内部構成の一例を示す回路図である。振幅検出部１１の内部構成の他の一例を示す回路図である。

図１は、無線送信波を受信して情報データを取得する受信装置１００の構成を表すブロック図である。図１において、アンテナ１０は、無線送信波を受信して得られた高周波信号ＲＦを、定電圧型の振幅検出部１１及び可変利得アンプ１２に供給する。

振幅検出部１１は、高周波信号ＲＦを受け、当該高周波信号ＲＦの振幅値に対応した振幅検出信号ＶＤＴを生成して可変利得アンプ１２に供給する。可変利得アンプ１２は、振幅検出信号ＶＤＴにて示される電圧値に対応した利得で当該高周波信号ＲＦの振幅を増幅した信号を受信信号ＲＡとして周波数変換部１３に供給する。周波数変換部１３は、当該受信信号ＲＡの周波数帯域を、所望の受信チャネルの周波数帯域に変換した信号を中間周波信号ＩＦとして復調部１４に供給する。復調部１４は中間周波信号ＩＦに対して所定の復調処理を施すことにより情報データを取得しこれを情報データ信号ＤＡＴとして出力する。

上記した振幅検出部１１、可変利得アンプ１２、周波数変換部１３及び復調部１４は、単一の半導体ＩＣチップに形成されている。尚、振幅検出部１１、可変利得アンプ１２、周波数変換部１３及び復調部１４については複数の半導体ＩＣチップに分散して形成されていても良く、或いは、振幅検出部１１だけが単独の半導体ＩＣチップに形成されていても良い。

図２は、振幅検出部１１の内部構成の一例を示す回路図である。図２に示すように、振幅検出部１１は、検波回路１１０、基点電圧生成回路１１１、電圧調整回路１１２、及び差分検出回路１１３を有する。

検波回路１１０は、キャパシタＣ１、ｎチャネルＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のトランジスタＭ３、抵抗Ｒ１及びＲ３を含む。

抵抗Ｒ１の一端には電源電圧ＶＤＤが印加されており、その他端は抵抗Ｒ３の一端及びトランジスタＭ３のソースに接続されている。抵抗Ｒ３の他端はトランジスタＭ３のゲート及びキャパシタＣ１の一端に接続されている。カップリングコンデンサとしてのキャパシタＣ１は、その他端で高周波信号ＲＦを受け、直流成分を除去した高周波信号ＲＦをトランジスタＭ３のゲートに供給する。トランジスタＭ３のドレインはラインＬ１に接続されている。

基点電圧生成回路１１１は、ｎチャネルＭＯＳ型のトランジスタＭ４、抵抗Ｒ２及びＲ４を含む。尚、抵抗Ｒ２は、抵抗Ｒ１と同一の抵抗値を有し且つ抵抗Ｒ１と同一の絶縁材料で製造されたものである。抵抗Ｒ４は、抵抗Ｒ３と同一の抵抗値を有し且つ抵抗Ｒ３と同一の絶縁材料で製造されたものである。また、トランジスタＭ４は、トランジスタＭ３と同一のチャネル長及びチャネル幅を有し且つトランジスタＭ３と同一の半導体材料及び金属材料を用いて製造されたものである。

抵抗Ｒ２の一端には電源電圧ＶＤＤが印加されており、その他端は抵抗Ｒ４の一端及びトランジスタＭ４のソースに接続されている。抵抗Ｒ４の他端はトランジスタＭ４のゲートに接続されている。トランジスタＭ４のドレインはラインＬ２に接続されている。

上記した構成により、基点電圧生成回路１１１は、電源電圧ＶＤＤに基づき基点電圧Ｖ２を生成しこれをラインＬ２に印加する。検波回路１１０は、高周波信号ＲＦに対して包絡線検波を施す。尚、検波回路１１０における、キャパシタＣ１を除く回路構成、つまりトランジスタＭ３、抵抗Ｒ１及びＲ３は、基点電圧生成回路１１１の回路構成、つまりトランジスタＭ４、抵抗Ｒ２及びＲ４と同一である。これにより、検波回路１１０は、高周波信号ＲＦを包絡線検波して得た信号を基点電圧Ｖ２の分だけレベルシフトした信号を包絡線信号Ｖ１として生成する。

電圧調整回路１１２は、オペアンプＯＰ１、ｎチャネルＭＯＳ型のトランジスタＭ１及びＭ２を含む。オペアンプＯＰ１の非反転入力端には電圧値固定の基準電圧ＶＲＥＦが印加されており、反転入力端はラインＬ２に接続されている。また、オペアンプＯＰ１の出力端は、トランジスタＭ１及びＭ２各々のゲートに接続されている。トランジスタＭ１のソースには接地電位ＧＮＤが印加されており、そのドレインはラインＬ１に接続されている。トランジスタＭ２のソースには接地電位ＧＮＤが印加されており、そのドレインはラインＬ２に接続されている。上記した接続により、オペアンプＯＰ１は、ラインＬ２を介して反転入力端に印加された基点電圧Ｖ２と、基準電圧ＶＲＥＦとの電圧差に対応した調整電圧ＥＧを生成し、トランジスタＭ１及びＭ２各々のゲートに供給する。

上記した構成により、電圧調整回路１１２は、基点電圧Ｖ２と基準電圧ＶＲＥＦとの電圧差（ＥＧ）に基づき、基点電圧Ｖ２の電圧値が基準電圧ＶＲＥＦの電圧値になるように調整すると共に、包絡線信号Ｖ１のレベルを当該電圧差（ＥＧ）に対応した分だけレベルシフトする。これにより、基点電圧Ｖ２の電圧値が基準電圧ＶＲＥＦと等しい電圧値となるので、高周波信号ＲＦが入力されていない状態での包絡線信号Ｖ１及び基点電圧Ｖ２の電圧値が共に基準電圧ＶＲＥＦの電圧値と一致する。

差分検出回路１１３は、反転増幅回路１１３ａ及び加算回路１１３ｂを含む。

反転増幅回路１１３ａは、オペアンプＯＰ２、及び互いに同一の抵抗値を有する抵抗Ｒａ及びＲｂを含む。抵抗Ｒａの一端はラインＬ１に接続されており、その他端はオペアンプＯＰ２の反転入力端に接続されている。オペアンプＯＰ２の反転入力端及び出力端間は抵抗Ｒｂを介して接続されている。オペアンプＯＰ２の非反転入力端には基準電圧ＶＲＥＦが印加されている。かかる構成により、反転増幅回路１１３ａは、ラインＬ１を介して供給された包絡線信号Ｖ１を利得１で増幅しその位相を反転した信号を反転包絡線信号Ｖ１Ｂとして加算回路１１３ｂに供給する。

加算回路１１３ｂは、オペアンプＯＰ３と、互いに同一の抵抗値を有する抵抗Ｒｃ、Ｒｄ及びＲｅと、を含む。抵抗Ｒｃの一端には反転包絡線信号Ｖ１Ｂが供給されており、その他端はオペアンプＯＰ３の反転入力端に接続されている。抵抗Ｒｄの一端には基点電圧Ｖ２が印加されており、その他端はオペアンプＯＰ３の反転入力端に接続されている。オペアンプＯＰ３の反転入力端及び出力端間は抵抗Ｒｅを介して接続されている。オペアンプＯＰ３の非反転入力端には基準電圧ＶＲＥＦが印加されている。かかる構成により、加算回路１１３ｂは、反転包絡線信号Ｖ１Ｂに基点電圧Ｖ２及び基準電圧ＶＲＥＦを加算した電圧値を有する信号を、振幅検出信号ＶＤＴとして生成する。

よって、これら反転増幅回路１１３ａ及び加算回路１１３ｂを含む差分検出回路１１３は、包絡線信号Ｖ１と基点電圧Ｖ２との差分に基準電圧ＶＲＥＧを加えた電圧値を有する信号を、振幅検出信号ＶＤＴとして生成する。

以上、詳述したように、図２に示す振幅検出部１１では、高周波信号ＲＦが入力されていない状態では、包絡線信号Ｖ１及び基点電圧Ｖ２各々の電圧値は共に基準電圧ＶＲＥＦと等しくなる。すなわち、製造バラツキ、温度変動、或いは電源電圧変動に伴いトランジスタＭ４から出力される電圧自体が変動してしまっても、差分検出回路１１３に供給する基点電圧Ｖ２と、包絡線信号Ｖ１の振幅の基準値は、共に基準電圧ＶＲＥＦにて一定となる。

これにより、製造バラツキ、温度変動、或いは電源電圧変動に拘わらず、基点電圧Ｖ２の電圧値（ＶＲＥＦ）をオペアンプＯＰ３の入力許容範囲内に収めることができるようになる。よって、入力許容範囲オーバに起因する差分検出回路１１３の誤動作が回避されるので、当該誤動作に起因する振幅検出信号ＶＤＴの精度低下を防ぐことが可能となる。

更に、図２に示す差分検出回路１１３では、振幅検出信号ＶＤＴを生成するにあたり、包絡線信号Ｖ１と基点電圧Ｖ２との差分に基準電圧ＶＲＥＦを加えることにより、高周波信号ＲＦが供給されていない状態での振幅検出信号ＶＤＴの値を、基準電圧ＶＲＥＦの電圧値と一致させている。

これにより、差分検出回路１１３での直流オフセット分が除去されるので、製品の製造後、この差分検出回路１１３に対する直流オフセットの除去、或いは振幅検出信号ＶＤＴに対する直流オフセット分の補正を促す補正表の作成等の調整工程を省くことが可能となる。

以上のように、図２に示す振幅検出部１１によれば、製造後の調整処理の手間を減らすと共に、製造バラツキ、温度変動、或いは電源電圧変動等に起因する精度低下を招くことなく高周波信号ＲＦの振幅値を検出することが可能となる。

尚、図２に示す実施例における差分検出回路１１３では、加算回路１１３ｂの出力信号を振幅検出信号ＶＤＴとして出力しているが、検出感度を高める為に加算回路１１３ｂの出力信号を増幅した信号を振幅検出信号ＶＤＴとして出力するようにしても良い。

図３は、かかる点に鑑みて為された、振幅検出部１１の内部構成の他の一例を示す回路図である。尚、図３に示す回路では、加算回路１１３ｂの後段に、縦続接続された２つの反転増幅回路１１３ｃ及び１１３ｄを設けた点を除く他の構成は、図２に示すものと同一である。

図３において、反転増幅回路１１３ｃは、オペアンプＯＰ４、抵抗Ｒｆ及びＲｇを含む。抵抗Ｒｆの一端は加算回路１１３ｂのオペアンプＯＰ３の出力端に接続されており、当該抵抗Ｒｆの他端はオペアンプＯＰ４の反転入力端に接続されている。オペアンプＯＰ４の反転入力端及び出力端間は抵抗Ｒｇを介して接続されている。オペアンプＯＰ２の非反転入力端には基準電圧ＶＲＥＦが印加されている。尚、抵抗Ｒｇの抵抗値は抵抗Ｒｆの抵抗値よりも高い。

かかる構成により、反転増幅回路１１３ｃは、加算回路１１３ｂのオペアンプＯＰ３から出力された信号を利得１よりも大きい利得（Ｒｇ／Ｒｆ）で増幅し、その位相を反転させた位相反転増幅信号を反転増幅回路１１３ｄに供給する。

反転増幅回路１１３ｄは、オペアンプＯＰ５、抵抗Ｒｈ及びＲｉを含む。抵抗Ｒｈの一端はオペアンプＯＰ４の出力端に接続されており、当該抵抗Ｒｈの他端はオペアンプＯＰ５の反転入力端に接続されている。オペアンプＯＰ５の反転入力端及び出力端間は抵抗Ｒｉを介して接続されている。オペアンプＯＰ５の非反転入力端には基準電圧ＶＲＥＦが印加されている。尚、抵抗Ｒｉの抵抗値は抵抗Ｒｈの抵抗値よりも高い。

かかる構成により、反転増幅回路１１３ｄは、反転増幅回路１１３ｃのオペアンプＯＰ４から出力された位相反転増幅信号を利得１よりも大きい利得（Ｒｉ／Ｒｈ）で増幅し、その位相を反転させた信号を振幅検出信号ＶＤＴとして出力する。

したがって、振幅検出部１１として、図３に示すような反転増幅回路１１３ｃ及び１１３ｄを含む構成を採用すれば、図２に示す構成を採用した場合に比べて、振幅検出信号ＶＤＴの感度を高めることが可能となる。

尚、上記実施例では、振幅検出部１１を、図１に示すように無線送信波を受信する受信装置１００の高周波信号ＲＦを増幅する可変利得アンプ１２の利得を設定する為に用いているが、受信装置以外の他の機器で用いるようにしても良い。つまり、振幅検出部１１に入力される信号は、無線送信波に対応した高周波信号以外の他の高周波信号であっても良い。

要するに、振幅検出部１１としては、高周波信号（ＲＦ）の振幅を検出するにあたり、以下の検波部、基点電圧生成部、電圧調整部及び差分検出部を含むものであれば良いのである。

基点電圧生成部（１１１）は、基点電圧（Ｖ２）を生成する。検波部（１１０）は、高周波信号（ＲＦ）を包絡線検波して得た信号を基点電圧の分だけレベルシフトした信号を包絡線信号（Ｖ１）として生成する。電圧調整部（１１２）は、基点電圧（Ｖ２）と所定の基準電圧（ＶＲＥＦ）との電圧差（ＥＧ）に基づき、基点電圧の電圧値が基準電圧の電圧値となるように調整すると共に包絡線信号のレベルを当該電圧差に対応した分だけレベルシフトする。差分検出部（１１３）は、電圧調整部によってレベルシフトされた包絡線信号と電圧調整回路によって電圧値が調整された基点電圧との差分に、基準電圧を加算した電圧を、高周波信号（ＲＦ）の振幅を表す振幅検出信号（ＶＤＴ）として生成する。

１１振幅検出部
１１０検波回路
１１１基点電圧生成回路
１１２電圧調整回路
１１３差分検出回路
Ｍ１〜Ｍ４トランジスタ
ＯＰ１〜ＯＰ５オペアンプ

Claims

高周波信号の振幅を検出する半導体装置であって、
基点電圧を生成する基点電圧生成部と、
前記高周波信号を包絡線検波して得た信号を前記基点電圧の分だけレベルシフトした信号を包絡線信号として生成する検波部と、
前記基点電圧と所定の基準電圧との電圧差に基づき、前記基点電圧の電圧値が前記基準電圧の電圧値になるように調整すると共に前記包絡線信号のレベルを前記電圧差に対応した分だけレベルシフトする電圧調整部と、
前記電圧調整部によってレベルシフトされた前記包絡線信号と前記電圧調整部によって電圧値が調整された前記基点電圧との差分に、前記基準電圧を加算した電圧を前記高周波信号の振幅を表す振幅検出信号として生成する差分検出部と、を有することを特徴とする半導体装置。
前記検波部は、
前記高周波信号を自身の制御端で受け、この制御端で受けた前記高周波信号に対応した信号を前記包絡線信号として第１のラインに供給する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの前記制御端に所定電圧を印加する第１の抵抗と、を含み、
前記基点電圧生成部は、
自身の制御端の電位に基づき前記基点電圧を生成して第２のラインに印加する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの前記制御端に前記所定電圧を印加する第２の抵抗と、を含み、
前記電圧調整部は、
前記第２のラインに反転入力端が接続されており且つ前記基準電圧が非反転入力端に印加されている第１のオペアンプと、
前記第１のオペアンプの出力電圧を自身の制御端で受け、この制御端で受けた前記出力電圧に応じて前記第１のラインの電圧値を調整する第３のトランジスタと、
前記第１のオペアンプの出力電圧を自身の制御端で受け、この制御端で受けた前記出力電圧に応じて前記第２のラインの電圧値を調整する第４のトランジスタと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記差分検出部は、
前記第１のラインに供給された前記包絡線信号の位相を反転し且つ利得１で増幅した反転包絡線信号を生成する反転増幅回路と、
前記反転包絡線信号に、前記第２のラインに印加された前記第２の基点電圧及び前記基準電圧を加算した信号を前記振幅検出信号として出力する加算回路と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
前記反転増幅回路は、
前記第１のラインに一端が接続されている第３の抵抗と、
前記第３の抵抗の他端に自身の反転入力端が接続されており、自身の非反転入力端に前記基準電圧が印加されている第２のオペアンプと、
前記第２のオペアンプの出力端及び反転入力端間に接続されている第４の抵抗と、を含み、
前記加算回路は、
前記第２のオペアンプの出力端に一端が接続されている第５の抵抗と、
前記第２のラインに一端が接続されている第６の抵抗と、
前記第５及び第６の抵抗各々の他端が自身の反転入力端に接続されており、自身の非反転入力端に前記基準電圧が印加されている第３のオペアンプと、
前記第３のオペアンプの出力端及び反転入力端間に接続されている第７の抵抗と、を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
前記差分検出部は、
前記第１のラインに供給された前記包絡線信号の位相を反転し且つ利得１で増幅した反転包絡線信号を生成する第１の反転増幅回路と、
前記反転包絡線信号に、前記第２のラインに印加された前記第２の基点電圧及び前記基準電圧を加算した加算信号を出力する加算回路と、
前記加算信号の位相を反転し且つ利得１以上で増幅した増幅信号を生成する第２の反転増幅回路と、
前記増幅信号の位相を反転し且つ利得１以上で増幅した信号を前記振幅検出信号として生成する第３の反転増幅回路と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
前記第１の反転増幅回路は、
前記第１のラインに一端が接続されている第３の抵抗と、
前記第３の抵抗の他端に自身の反転入力端が接続されており、自身の非反転入力端に前記基準電圧が印加されている第２のオペアンプと、
前記第２のオペアンプの出力端及び反転入力端間に接続されている第４の抵抗と、を含み、
前記加算回路は、
前記第２のオペアンプの出力端に一端が接続されている第５の抵抗と、
前記第２のラインに一端が接続されている第６の抵抗と、
前記第５及び第６の抵抗各々の他端が自身の反転入力端に接続されており、自身の非反転入力端に前記基準電圧が印加されている第３のオペアンプと、
前記第３のオペアンプの出力端及び反転入力端間に接続されている第７の抵抗と、を含み、
前記第２の反転増幅回路は、
前記第３のオペアンプの出力端に一端が接続されている第８の抵抗と、
前記第８の抵抗の他端に自身の反転入力端が接続されており、自身の非反転入力端に前記基準電圧が印加されている第４のオペアンプと、
前記第４のオペアンプの出力端及び反転入力端間に接続されている第９の抵抗と、を含み、
前記第３の反転増幅回路は、
前記第３のオペアンプの出力端に一端が接続されている第１０の抵抗と、
前記第１０の抵抗の他端に自身の反転入力端が接続されており、自身の非反転入力端に前記基準電圧が印加されている第５のオペアンプと、
前記第５のオペアンプの出力端及び反転入力端間に接続されている第１１の抵抗と、を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
高周波信号の振幅を検出する振幅検出方法であって、
基点電圧を生成すると共に前記高周波信号を包絡線検波して得た信号を前記基点電圧の分だけレベルシフトした信号を前記包絡線信号として生成する第１のステップと、
前記基点電圧と所定の基準電圧との電圧差に基づき、前記基点電圧の電圧値が前記基準電圧の電圧値になるように調整すると共に前記包絡線信号のレベルを前記電圧差に対応した分だけレベルシフトする第２のステップと、
前記第２のステップでレベルシフトされた前記包絡線信号と前記第２のステップで電圧値が調整された前記基点電圧との差分に、前記基準電圧を加算した電圧を前記高周波信号の振幅を表す振幅検出信号として生成する第３のステップと、を有することを特徴とする振幅検出方法。