JP2018106090A - 光伝送装置および光レベル制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光レベルの制御および情報の重畳を一つの可変光減衰器により実現すること。【解決手段】磁気光学効果型ＶＯＡ１２４は、ＬＤ素子１２１と光ファイバ１０２ａとの間に空間結合により配置され、ＬＤ素子１２１から出射され光ファイバ１０２ａへ結合する光を、入力された駆動電圧に応じて減衰させる。ＶＯＡ制御部１０４およびＶＯＡ駆動部１１２は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４によって光に重畳するための情報に基づく磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の駆動電圧を生成して磁気光学効果型ＶＯＡ１２４へ入力する。ＶＯＡ制御部１０４は、生成される駆動電圧のバイアスを制御し、駆動電圧と磁気光学効果型ＶＯＡ１２４による光の減衰量との間の特性に応じたデータに基づいて、生成される駆動電圧の振幅を制御する。【選択図】図１

Description

本発明は、光伝送装置および光レベル制御方法に関する。

従来、光通信において、たとえばＰＯＮやＷＤＭなどの技術が用いられている。ＰＯＮはＰａｓｓｉｖｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋの略である。ＷＤＭはＷａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ（波長分割多重）の略である。また、各光伝送装置の光波長をセンタ側で制御する構成が知られている（たとえば、下記非特許文献１参照。）。また、可変の減衰量によって光を減衰させることにより出力光レベル等の制御を行うＶＯＡが知られている。ＶＯＡはＶａｒｉａｂｌｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ（光可変減衰器）の略である。

Ｓｔｅｐｈａｎ Ｐａｃｈｎｉｃｋｅ，Ｓｔｅｐｈｅｎ Ｍａｙｎｅ，Ｂｅｎｏｉｔ Ｑｕｅｍｅｎｅｕｒ，Ｄａｎｉｅｌ Ｓａｙｌｅｓ，Ｈｅｎｄｒｉｋ Ｓｃｈｗｕｃｈｏｗ，Ｊｉａｎｎａｎ Ｚｈｕ，Ａｄｒｉａｎ Ｗｏｎｆｏｒ，Ｐｈｉｌｉｐｐ Ｍａｒｘ，Ｍｉｒｋｏ Ｌａｗｉｎ，Ｍａｒｋｕｓ Ｆｅｌｌｈｏｆｅｒ，Ｒｉｃｈａｒｄ Ｔｕｒｎｅｒ，Ｐｈｉｌｉｐｐ Ｎｅｕｂｅｒ，Ｍａｒｃｏ Ｄｉｅｔｒｉｃｈ，Ｍｉｋｅ Ｗａｌｅ，Ｒｉｃｈａｒｄ Ｖ．Ｐｅｎｔｙ，Ｉａｎ Ｗｈｉｔｅ，ａｎｄ Ｊｏｅｒｇ−Ｐｅｔｅｒ Ｅｌｂｅｒｓ、"Ｆｉｅｌｄ Ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｉｏｎ ｏｆ ａ Ｔｕｎａｂｌｅ ＷＤＭ−ＰＯＮ Ｓｙｓｔｅｍ ｗｉｔｈ Ｎｏｖｅｌ ＳＦＰ＋ Ｍｏｄｕｌｅｓ ａｎｄ Ｃｅｎｔｒａｌｉｚｅｄ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｃｏｎｔｒｏｌ"、ＯＦＣ２０１５ Ｍ２Ａ．６、２０１５年３月

しかしながら、上述した従来技術では、光送信器が出射する光信号のレベル制御と、光送信器が出射する光信号への情報の重畳と、を一つの可変光減衰器により実現することができないという問題がある。

１つの発明では、本発明は、光レベルの制御および情報の重畳を一つの可変光減衰器により実現することができる光伝送装置および光レベル制御方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、１つの実施態様では、光源と光ファイバとの間に空間結合により配置され、前記光源から出射され前記光ファイバへ結合する光を、入力された駆動電圧に応じて減衰させる磁気光学効果型の可変光減衰器を備える光伝送装置において、前記可変光減衰器によって前記光に重畳するための情報に基づく前記可変光減衰器の駆動電圧を生成して前記可変光減衰器へ入力し、生成する前記駆動電圧のバイアスを制御し、前記駆動電圧と前記可変光減衰器による前記光の減衰量との間の特性に応じたデータに基づいて、生成する前記駆動電圧の振幅を制御する光伝送装置および光レベル制御方法が提案される。

また、他の１つの実施態様では、光源と光ファイバとの間に空間結合により配置され、前記光源から出射され前記光ファイバへ結合する光を、入力された駆動電圧に応じて減衰させる磁気光学効果型の可変光減衰器を備える光伝送装置において、前記可変光減衰器によって前記光に重畳するための情報に基づく前記可変光減衰器の駆動電圧を生成して前記可変光減衰器へ入力し、生成する前記駆動電圧のバイアスを制御した後に、前記可変光減衰器によって減衰した前記光のレベルのモニタ結果に基づいて、生成する前記駆動電圧の振幅を制御する光伝送装置および光レベル制御方法が提案される。

本発明の一側面によれば、光レベルの制御および情報の重畳を一つの可変光減衰器により実現することができるという効果を奏する。

図１は、実施の形態１にかかる光伝送装置の一例を示す図である。 図２は、実施の形態１にかかる磁気光学効果型ＶＯＡの一例を示す図である。 図３は、実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部の一例を示す図である。 図４は、実施の形態１にかかる磁気光学効果型ＶＯＡにおける印加電圧に対する減衰量の特性の一例を示す図である。 図５は、実施の形態１にかかるＬＵＴの一例を示す図である。 図６は、実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部による処理の一例を示すフローチャートである。 図７は、実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部によるバイアス電圧および電圧振幅の設定の一例を示す図である。 図８は、実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部により設定されたバイアス電圧および電圧振幅の例を示す図である。 図９は、実施の形態２にかかるＶＯＡ制御部の一例を示す図である。 図１０は、実施の形態２にかかるＶＯＡ制御部による光レベル制御処理の一例を示すフローチャートである。

以下に図面を参照して、本発明にかかる光伝送装置および光レベル制御方法の実施の形態を詳細に説明する。

（実施の形態１）
（実施の形態１にかかる光伝送装置）
図１は、実施の形態１にかかる光伝送装置の一例を示す図である。図１に示すように、実施の形態１にかかる光伝送装置１００は、トランシーバ１０１と、ＶＯＡ制御部１０４と、を備える。トランシーバ１０１は、一例としてはＳＦＰトランシーバであるが、ＳＦＰトランシーバと異なる種類のトランシーバであってもよい。ＳＦＰはＳｍａｌｌ Ｆｏｒｍ−ｆａｃｔｏｒ Ｐｌｕｇｇａｂｌｅの略である。

トランシーバ１０１には、コネクタ１０２，１０３が接続されている。コネクタ１０２は、トランシーバ１０１から出射された光信号を伝送する光ファイバ１０２ａなどの光伝送路のコネクタである。コネクタ１０３は、トランシーバ１０１の対向装置から出射された光信号を伝送する光ファイバ１０３ａなどの光伝送路のコネクタである。コネクタ１０２，１０３は、一例としてはＳＦＰのＬＣコネクタである。

トランシーバ１０１は、ＴＯＳＡ１２０のＬＤ素子１２１が生成した光信号に監視制御信号を重畳し、監視制御信号を重畳した光信号をコネクタ１０２から光ファイバ１０２ａへ出射する。監視制御信号は任意の信号である。一例としては、監視制御信号は、光伝送装置１００の状態を、光伝送装置１００の管理を行うセンタ等へ報告するための監視信号である。または、監視制御信号は、光伝送装置１００によって制御される他の光伝送装置に対する光伝送装置１００からの指示を示す制御信号などであってもよい。

トランシーバ１０１は、駆動回路１１０と、ＴＯＳＡ１２０と、ＲＯＳＡ１３０と、を備える。ＴＯＳＡはＴｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ ＳｕｂＡｓｓｅｍｂｌｙ（送信光サブアセンブリ）の略である。ＲＯＳＡはＲｅｃｅｉｖｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ ＳｕｂＡｓｓｅｍｂｌｙ（受信光サブアセンブリ）の略である。

駆動回路１１０は、ＴＯＳＡ１２０およびＲＯＳＡ１３０を駆動する回路である。一例としては、駆動回路１１０は、たとえばＦＰＧＡなどのデジタル回路により実現することができる。ＦＰＧＡはＦｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略である。たとえば、駆動回路１１０は、ＬＤ駆動部１１１と、ＶＯＡ駆動部１１２と、ＰＤ駆動部１１４と、を備える。また、駆動回路１１０は、光モニタ部１１３を備えてもよい。ＬＤはＬａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ（レーザダイオード）の略である。ＰＤはＰｈｏｔｏ Ｄｅｔｅｃｔｏｒの略である。

ＬＤ駆動部１１１は、ＴＯＳＡ１２０のＬＤ素子１２１を駆動する。たとえば、ＬＤ駆動部１１１は、ＴＯＳＡ１２０によって主信号として送信するためのデータに基づいて、ＬＤ素子１２１の駆動信号を生成する。そして、ＬＤ駆動部１１１は、生成した駆動信号をＬＤ素子１２１へ出力する。たとえば、ＬＤ駆動部１１１とＬＤ素子１２１との間にはＤＡＣが設けられており、ＬＤ駆動部１１１が出力された駆動信号はこのＤＡＣによってデジタル信号からアナログ信号に変換されてＬＤ素子１２１に印加される。ＤＡＣはＤｉｇｉｔａｌ／Ａｎａｌｏｇ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ（デジタル／アナログ変換器）の略である。

ＶＯＡ駆動部１１２は、ＶＯＡ制御部１０４からの制御に従って、ＴＯＳＡ１２０の磁気光学効果型ＶＯＡ１２４を駆動する。たとえば、ＶＯＡ駆動部１１２は、ＶＯＡ制御部１０４から出力された駆動電圧情報に応じた駆動信号を生成する。そして、ＶＯＡ駆動部１１２は、生成した駆動信号（駆動電圧）を磁気光学効果型ＶＯＡ１２４に印加する。たとえば、ＶＯＡ駆動部１１２と磁気光学効果型ＶＯＡ１２４との間にはＤＡＣが設けられており、ＶＯＡ駆動部１１２が出力された駆動信号はこのＤＡＣによってデジタル信号からアナログ信号に変換されて磁気光学効果型ＶＯＡ１２４に印加される。

光モニタ部１１３は、ＴＯＳＡ１２０の光モニタ用ＰＤ１２７から出力された信号に基づいて、ＴＯＳＡ１２０の出力光レベルをモニタする。たとえば、光モニタ用ＰＤ１２７と光モニタ部１１３との間にはＡＤＣが設けられており、光モニタ用ＰＤ１２７から出力された信号はこのＡＤＣによってアナログ信号からデジタル信号に変換され、光モニタ部１１３によってモニタされる。ＡＤＣはＡｎａｌｏｇ／Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ（アナログ／デジタル変換器）の略である。光モニタ部１１３は、光モニタ用ＰＤ１２７から出力された信号のモニタ結果をＶＯＡ制御部１０４へ出力してもよい。

ＰＤ駆動部１１４は、ＲＯＳＡ１３０のＰＤ素子１３４を駆動し、ＰＤ素子１３４から出力された信号を受信する。たとえば、ＰＤ駆動部１１４とＰＤ素子１３４との間にはＡＤＣが設けられており、ＰＤ素子１３４から出力された信号はこのＡＤＣによってアナログ信号からデジタル信号に変換され、ＰＤ駆動部１１４によって受信される。

ＴＯＳＡ１２０は、光信号を生成して出射する光送信器である。たとえば、ＴＯＳＡ１２０は、ＬＤ素子１２１と、レンズ１２２と、光アイソレータ１２３と、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４と、レンズ１２５と、分岐部１２６と、光モニタ用ＰＤ１２７と、コネクタ１２８と、を備える。

ＬＤ素子１２１は、ＬＤ駆動部１１１から出力された駆動信号に応じた光信号を発振し、発振した光信号を主信号としてレンズ１２２へ出射する。ＬＤ素子１２１が発振する光信号の変調方式は、振幅変調、位相変調または周波数変調など各種の変調方式とすることができる。

レンズ１２２は、ＬＤ素子１２１から出射された光信号をコリメートし、コリメートした光信号を光アイソレータ１２３へ出射する。光アイソレータ１２３は、レンズ１２２から出射された光信号を磁気光学効果型ＶＯＡ１２４へ出射する。また、光アイソレータ１２３は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の側から入射した光をレンズ１２２の側へ出射しないように遮断する。

磁気光学効果型ＶＯＡ１２４は、光アイソレータ１２３から出射された光信号を、ＶＯＡ駆動部１１２から出力された駆動信号に応じて減衰させる。たとえば、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４は、光アイソレータ１２３から出射された光信号をコネクタ１２８へ向けて出射するとともに、ＶＯＡ駆動部１１２から出力された駆動信号に応じて光信号の出射方向を微小変化させる。これにより、光ファイバ１０２ａにおける光信号の結合率が変化し、駆動信号に応じて光信号の減衰量を変化させることができる。

したがって、光ファイバ１０２ａへ入射する光信号のパワー（出力光レベル）を制御することができる。また、駆動信号が監視制御信号に応じて変化することにより、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４による減衰によって光信号が変調され、光信号に監視制御信号を重畳することができる。また、この監視制御信号の変調は、たとえば主信号の変調より低い周波数によって行われる。この重畳による変調は、一例としては磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の減衰量を変化させることによる振幅変調であるが、これに限らない。たとえば、重畳による変調は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の減衰量を変化させることによる位相変調や周波数変調などであってもよい。

また、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４は、磁気光学効果型（空間結合型）のＶＯＡであるため小型であり、レンズ１２２，１２５の間に容易に配置することが可能である。磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の構成については後述する（たとえば図２参照）。

レンズ１２５は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４から出射された光信号を、コネクタ１２８およびコネクタ１０２を介して、光ファイバ１０２ａへの端部へ集光する。たとえば、レンズ１２２，１２５は、互いに焦点の位置が同じ共焦点レンズである。分岐部１２６は、レンズ１２５から出射される光信号の一部を強度分岐し、強度分岐した光信号を光モニタ用ＰＤ１２７へ出射する。

光モニタ用ＰＤ１２７は、分岐部１２６から出射された光信号を受光し、受光した光信号のパワーに応じた信号（電気信号）を光モニタ部１１３へ出力する。磁気光学効果型ＶＯＡ１２４が光信号の出射方向を微小変化させると、光ファイバ１０２ａにおける光信号の結合率とともに、光モニタ用ＰＤ１２７における光信号の結合率も変化する。このため、光モニタ用ＰＤ１２７により、光ファイバ１０２ａへ入射する光信号のパワー（出力光レベル）を示す信号を光モニタ部１１３へ出力することができる。

コネクタ１２８は、ＴＯＳＡ１２０に対してコネクタ１０２を接続可能にするコネクタであり、レンズ１２５から出射された光信号を通過させてコネクタ１０２へ出射する。コネクタ１２８からコネクタ１０２へ出射された光信号は、光ファイバ１０２ａの端部に結合し、光ファイバ１０２ａによってトランシーバ１０１の対向装置へ送信される。コネクタ１２８は、コネクタ１０２の形状に対応するコネクタであり、一例としてはＳＦＰのＬＣコネクタである。

ＲＯＳＡ１３０は、入射した光信号を受信する光受信器である。たとえば、ＲＯＳＡ１３０は、コネクタ１３１と、レンズ１３２，１３３と、ＰＤ素子１３４と、を備える。トランシーバ１０１の対向装置から光ファイバ１０３ａによってトランシーバ１０１へ向けて送信された光信号は、トランシーバ１０１に接続されたコネクタ１０３を介してコネクタ１３１へ入射する。

コネクタ１３１は、ＲＯＳＡ１３０に対してコネクタ１０３を接続可能にするコネクタであり、コネクタ１０３から出射された光信号を通過させてレンズ１３２へ出射する。コネクタ１３１は、コネクタ１０３の形状に対応するコネクタであり、一例としてはＳＦＰのＬＣコネクタである。

レンズ１３２は、コネクタ１３１から出力された光信号をコリメートし、コリメートした光信号をレンズ１３３へ出射する。レンズ１３３は、レンズ１３２から出射された光信号をＰＤ素子１３４へ集光する。たとえば、レンズ１３２，１３３は、互いに焦点の位置が同じ共焦点レンズである。ＰＤ素子１３４は、レンズ１３３によって集光された光信号を受光する。そして、ＰＤ素子１３４は、受光した光信号のパワーに応じた信号（電気信号）をＰＤ駆動部１１４へ出力する。

ＶＯＡ制御部１０４は、ＶＯＡ駆動部１１２に対して駆動電圧情報を出力することにより、ＶＯＡ制御部１０４による出力光レベルの制御およびＶＯＡ制御部１０４による監視制御信号の重畳を制御する。ＶＯＡ制御部１０４は、たとえばＦＰＧＡなどのデジタル回路により実現することができる。図１に示した例ではＶＯＡ制御部１０４がトランシーバ１０１の外部に設けられる構成について説明したが、ＶＯＡ制御部１０４はトランシーバ１０１（たとえば駆動回路１１０）に設けられてもよい。ＶＯＡ制御部１０４の構成については後述する（たとえば図３参照）。

また、光伝送装置１００は、図１に示した構成に限らず、種々の変形が可能である。たとえば、図１に示した構成において、光伝送装置１００からＲＯＳＡ１３０およびＰＤ駆動部１１４を省いた構成としてもよい。

光伝送装置１００によって送信された光信号には、主信号および監視制御信号が含まれる。光伝送装置１００から送信された光信号を受信する受信装置は、たとえば光学段または電気段の周波数フィルタを用いて、光伝送装置１００からの光信号に含まれる主信号および監視制御信号をそれぞれ抽出することができる。

（実施の形態１にかかる磁気光学効果型ＶＯＡ）
図２は、実施の形態１にかかる磁気光学効果型ＶＯＡの一例を示す図である。図２において、Ｚ軸は光の進行方向を示す軸である。Ｙ軸は、Ｚ軸と直交する方向を示す軸である。Ｘ軸は、Ｚ軸およびＹ軸と直交する方向を示す軸である。また、図２において、図１に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図２においては、図１に示した光伝送装置１００の構成のうち、レンズ１２２、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４、レンズ１２５および光ファイバ１０２ａを図示している。

磁気光学効果型ＶＯＡ１２４は、たとえば、図２に示すように、複屈折素子２０１と、可変ファラデー回転子２０２と、複屈折素子２０３と、を備える。レンズ１２２から出射された光信号は、光アイソレータ１２３（たとえば図１参照）を介して磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の複屈折素子２０１へ入射する。

複屈折素子２０１は、Ｘ軸方向の厚みが一定であり、Ｙ軸のプラス方向にいくほどＺ軸方向の厚みが大きくなるように形成されたくさび形の複屈折プリズムである。複屈折素子２０１は、入射する光信号を複屈折により第１偏光成分および第２偏光成分に分離する。第１偏光成分は、入射するコリメート光のうちの、複屈折により異常光として分離された偏光成分である。第２偏光成分は、複屈折により常光として分離された偏光成分である。

複屈折素子２０１はＹ軸のプラス方向にいくほどＺ軸方向の厚みが大きいため、第１偏光成分および第２偏光成分はＹ軸方向に分離される。複屈折素子２０１の光学軸はＸ軸と平行な方向である。複屈折素子２０１は、分離した第１偏光成分および第２偏光成分を可変ファラデー回転子２０２へ出射する。

可変ファラデー回転子２０２は、複屈折素子２０１から出射された第１偏光成分および第２偏光成分のそれぞれの偏光面を、Ｚ軸を回転軸として、ＶＯＡ駆動部１１２から出力された駆動信号に応じて回転させる。そして、可変ファラデー回転子２０２は、偏光面を回転させた第１偏光成分および第２偏光成分を複屈折素子２０３へ出射する。

複屈折素子２０３は、Ｘ軸方向の厚みが一定であり、Ｙ軸のプラス方向にいくほどＺ軸方向の厚みが小さくなるように形成されたくさび形の複屈折プリズムである。複屈折素子２０３は、可変ファラデー回転子２０２から出射された光を複屈折させる。複屈折素子２０３の光学軸は、複屈折素子２０１の光学軸に対して、Ｚ軸のマイナス側からプラス方向へ向かって時計回りに約４５度回転した方向である。複屈折素子２０３は、複屈折させた第１偏光成分および第２偏光成分をレンズ１２５へ出射する。

図２に示した構成により、ＶＯＡ駆動部１１２からの駆動信号に応じて可変ファラデー回転子２０２の回転角が変化し、レンズ１２５によって集光される光の光ファイバ１０２ａへの結合率が変化する。このため、ＶＯＡ駆動部１１２からの駆動信号に応じて光減衰量（光アッテネーション量）を調整することが可能になる。

また、ＶＯＡ駆動部１１２からの駆動信号に応じて、光モニタ用ＰＤ１２７（たとえば図１参照）における光の結合率も変化する。このため、光モニタ用ＰＤ１２７から出力される信号により、ＴＯＳＡ１２０から出射されて光ファイバ１０２ａへ入射する光のパワー（出力光レベル）をモニタすることが可能になる。

図２に示したように、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４は、ＬＤ素子１２１（光源）と光ファイバ１０２ａとの間に配置され、ＬＤ素子１２１および光ファイバ１０２ａのそれぞれに対して空間結合された磁気光学効果型の可変光減衰器である。

（実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部）
図３は、実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部の一例を示す図である。ＶＯＡ制御部１０４は、たとえば、図３に示すように、重畳変調度設定部３０１と、平均減衰量設定部３０２と、ＬＵＴ記憶部３０３と、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４と、監視制御ビット生成部３０５と、駆動電圧情報生成部３０６と、を備える。ＬＵＴはＬｏｏｋ Ｕｐ Ｔａｂｌｅ（ルックアップテーブル）の略である。

重畳変調度設定部３０１は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４による監視制御信号の重畳変調度を設定する。変調度は、たとえば信号波と搬送波の振幅の比である。変調度は、たとえば変調インデックスや重畳比と呼ばれる場合もある。重畳変調度は、たとえば、重畳先の光信号（主信号）に行う監視制御信号による変調の振幅の、重畳先の光信号（主信号）の振幅に対する比率である。たとえば、重畳先の光信号（主信号）が第１振幅で変調されており、重畳先の光信号（主信号）に対して磁気光学効果型ＶＯＡ１２４が第２振幅で監視制御信号による変調を行う場合の重畳変調度は第２振幅／第１振幅により表すことができる。監視制御信号の重畳変調度は、主信号の変調度より小さく設定される。

たとえば、重畳変調度設定部３０１は、監視制御信号の重畳変調度の目標値を決定し、決定した重畳変調度の目標値をバイアス電圧・電圧振幅設定部３０４へ通知する。重畳変調度設定部３０１による監視制御信号の重畳変調度の目標値の決定は、たとえば外部からの操作に基づいて行われる。または、重畳変調度設定部３０１による監視制御信号の重畳変調度の目標値の決定は、光伝送装置１００のメモリに記憶された所定値に基づいて行われてもよい。

平均減衰量設定部３０２は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４における平均減衰量を設定する。平均減衰量は、たとえば、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４による光の減衰量の中央値である。たとえば、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４が光信号に対する減衰量を第１減衰量と第２減衰量（第１減衰量＜第２減衰量）で切り替えることにより光信号に監視制御信号を重畳する場合の平均減衰量は（第２減衰量−第１減衰量）／２により表すことができる。

たとえば、平均減衰量設定部３０２は、監視制御信号の平均減衰量の目標値を決定し、決定した平均減衰量の目標値をバイアス電圧・電圧振幅設定部３０４へ通知する。平均減衰量設定部３０２による監視制御信号の平均減衰量の目標値の決定は、たとえば外部からの操作に基づいて行われる。または、平均減衰量設定部３０２による監視制御信号の平均減衰量の目標値の決定は、光伝送装置１００のメモリに記憶された所定値に基づいて行われてもよい。または、平均減衰量設定部３０２による監視制御信号の平均減衰量の目標値の決定は、光モニタ用ＰＤ１２７から出力された出力光レベルのモニタ結果に基づいて行われてもよい。

ＬＵＴ記憶部３０３は、重畳変調度および平均減衰量の組み合わせごとに、バイアス電圧および電圧振幅を対応付けるＬＵＴを記憶するメモリである。一例としては、ＬＵＴ記憶部３０３が記憶するＬＵＴは、重畳変調度とバイアス電圧とを対応付ける対応情報と、バイアス電圧と重畳変調度とを対応付ける対応情報と、を含む。

バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、それぞれ重畳変調度設定部３０１および平均減衰量設定部３０２から通知された重畳変調度および平均減衰量の各目標値に基づいて、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４のバイアス電圧および電圧振幅を設定する。たとえば、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、ＬＵＴ記憶部３０３に記憶されたＬＵＴを参照し、通知された重畳変調度および平均減衰量の各目標値の組み合わせに対応するバイアス電圧および電圧振幅を特定する。そして、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、特定したバイアス電圧および電圧振幅を駆動電圧情報生成部３０６へ通知する。

監視制御ビット生成部３０５は、たとえば外部からの入力に応じて、重畳信号として送信すべき監視制御信号を示す監視制御ビットを生成する。そして、監視制御ビット生成部３０５は、生成した監視制御ビットを駆動電圧情報生成部３０６へ出力する。

駆動電圧情報生成部３０６は、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４から通知されたバイアス電圧および電圧振幅と、監視制御ビット生成部３０５から出力された監視制御ビットと、に基づいて、駆動電圧情報を生成する。駆動電圧情報は、たとえば磁気光学効果型ＶＯＡ１２４へ印加する駆動電圧を示すデジタル信号である。駆動電圧情報生成部３０６は、生成した駆動電圧情報をＶＯＡ駆動部１１２（たとえば図１参照）へ出力する。

たとえば、駆動電圧情報生成部３０６は、監視制御ビットが“０”のときは電圧がバイアス電圧となり、監視制御ビットが“１”のときは電圧がバイアス電圧＋電圧振幅になる駆動信号を示す駆動電圧情報を生成する。一例として、バイアス電圧が５００［ｍＶ］であり、電圧振幅が１０［ｍＶ］であり、監視制御ビットが“１０１１０…”であるとする。この場合に、駆動電圧情報生成部３０６は、電圧が５１０［ｍＶ］、５００［ｍＶ］、５１０［ｍＶ］、５１０［ｍＶ］、５００［ｍＶ］、…の順に変化する駆動信号を示す駆動電圧情報を生成する。

または、駆動電圧情報生成部３０６は、監視制御ビットが“０”のときは電圧がバイアス電圧−電圧振幅／２となり、監視制御ビットが“１”のときは電圧がバイアス電圧＋電圧振幅／２になる駆動信号を示す駆動電圧情報を生成してもよい。一例としては、バイアス電圧が５００［ｍＶ］であり、電圧振幅が１０［ｍＶ］であり、監視制御ビットが“１０１１０…”であるとする。この場合に、駆動電圧情報生成部３０６は、電圧が５０５［ｍＶ］、４９５［ｍＶ］、５０５［ｍＶ］、５０５［ｍＶ］、４９５［ｍＶ］、…の順に変化する駆動信号を示す駆動電圧情報を生成する。

（実施の形態１にかかる磁気光学効果型ＶＯＡにおける印加電圧に対する減衰量の特性）
図４は、実施の形態１にかかる磁気光学効果型ＶＯＡにおける印加電圧に対する減衰量の特性の一例を示す図である。図４において、横軸は磁気光学効果型ＶＯＡ１２４に印加される駆動信号の電圧を示し、縦軸は磁気光学効果型ＶＯＡ１２４による光の減衰量を示す。印加電圧減衰量特性４００は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４に印加される駆動信号の電圧に対する、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４による光の減衰量の特性を示す。

たとえば、印加電圧減衰量特性４００は、ＬＤ素子１２１から所定パワーの光を出射しながら磁気光学効果型ＶＯＡ１２４へ印加する駆動信号の電圧を変化させ、光モニタ部１１３によるモニタ結果と所定パワーとを比較することにより得られる特性である。

印加電圧減衰量特性４００に示すように、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４による光の減衰量は、駆動信号の電圧が、光ファイバ１０２ａにおける光の結合率が最も高くなる電圧Ｖ１であるときに最も多くなる。そして、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４による光の減衰量は、駆動信号の電圧がＶ１から離れるほど少なくなる。

ただし、駆動信号の電圧に対して、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４による光の減衰量は非線形に変化する。このため、駆動信号の電圧によって、その電圧付近で駆動信号の電圧を変化させた場合の減衰量の変化量（駆動信号の電圧に対する減衰量の傾き）が異なる。すなわち、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４のバイアス電圧によって、駆動信号の電圧を監視制御信号に応じて一定振幅で変化させた場合の減衰量の変化量（重畳変調度）が異なる。

（実施の形態１にかかるＬＵＴ）
図５は、実施の形態１にかかるＬＵＴの一例を示す図である。図３に示したＬＵＴ記憶部３０３には、たとえば図５に示すＬＵＴ５００が記憶される。ＬＵＴ５００は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の平均減衰量［ｄＢ］と、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４のバイアス電圧［Ｖ］と、を対応付ける対応情報を含む。この対応付けは、たとえば図４に示した、印加電圧減衰量特性４００に基づいて行うことができる。この場合に、印加電圧減衰量特性４００の横軸の電圧がバイアス電圧に対応し、印加電圧減衰量特性４００の縦軸の減衰量が平均減衰量に対応する。

たとえば、図５に示すＬＵＴ５００は、平均減衰量＝７．７［ｄＢ］と、バイアス電圧＝２．０［Ｖ］と、を対応付けている。これは、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４に駆動信号として２．０［Ｖ］を印加すると磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の減衰量は７．７［ｄＢ］になることを示す。したがって、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４のバイアス電圧を２．０［Ｖ］とすると、監視制御信号に応じた駆動信号の電圧はたとえば２．０［Ｖ］を中心として変化し、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の平均減衰量は７．７［ｄＢ］になる。

また、ＬＵＴ５００は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４のバイアス電圧［Ｖ］および重畳変調度［％］の組み合わせと、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の電圧振幅［ｍＶ］と、を対応付ける。たとえば、ＬＤ素子１２１から所定パワーの光を出射しながら磁気光学効果型ＶＯＡ１２４のバイアス電圧および電圧振幅の組み合わせを変化させ、光モニタ部１１３によるモニタ結果と所定パワーとを比較することにより減衰量を測定することができる。そして、測定した減衰量と主信号の変調度とを比較することにより重畳変調度を求めることができる。これにより、バイアス電圧［Ｖ］および重畳変調度［％］の組み合わせと電圧振幅［ｍＶ］とを対応付けるＬＵＴ５００を作成することができる。

たとえば、図５に示すＬＵＴ５００は、バイアス電圧＝２．０［Ｖ］および重畳変調度＝１０［％］の組み合わせと、電圧振幅＝±５００［ｍＶ］と、を対応付けている。これは、バイアス電圧を２．０［Ｖ］とする場合に、重畳変調度が１０［％］となる電圧振幅は±５００［ｍＶ］であることを示す。

図５に示したように、ＬＵＴ５００は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の駆動信号の電圧（駆動電圧）と、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４による光の減衰量と、の間の特性（印加電圧減衰量特性４００）に応じたデータである。

（実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部による処理）
図６は、実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部による処理の一例を示すフローチャートである。実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部１０４は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４を用いて主信号に監視制御信号を重畳する場合に、たとえば図６に示す各ステップを実行する。

まず、ＶＯＡ制御部１０４は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４における平均減衰量および重畳変調度の各目標値を設定する（ステップＳ６０１）。ステップＳ６０１による平均減衰量の目標値の設定は、たとえば図３に示した平均減衰量設定部３０２により実行される。ステップＳ６０１による重畳変調度の目標値の設定は、たとえば図３に示した重畳変調度設定部３０１により実行される。

つぎに、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ６０１により設定した平均減衰量の目標値に対応するバイアス電圧を、ＬＵＴ記憶部３０３のＬＵＴ５００から読み出す（ステップＳ６０２）。ステップＳ６０２は、たとえば図３に示したバイアス電圧・電圧振幅設定部３０４により実行される。

つぎに、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ６０２により読み出したバイアス電圧と、ステップＳ６０１により設定した重畳変調度の目標値と、の組み合わせに対応する電圧振幅をＬＵＴ５００から読み出す（ステップＳ６０３）。ステップＳ６０３は、たとえば図３に示したバイアス電圧・電圧振幅設定部３０４により実行される。

つぎに、ＶＯＡ制御部１０４は、それぞれステップＳ６０２，Ｓ６０３により読み出したバイアス電圧および電圧振幅を駆動信号に設定する（ステップＳ６０４）。たとえば、ＶＯＡ制御部１０４は、読み出したバイアス電圧および電圧振幅と、重畳対象の制御監視ビットと、に基づく駆動電圧情報をＶＯＡ駆動部１１２へ出力することにより、読み出したバイアス電圧および電圧振幅を駆動信号に設定する。ステップＳ６０４は、たとえば図３に示した監視制御ビット生成部３０５により実行される。重畳対象の制御監視ビットの生成は、たとえば図３に示した監視制御ビット生成部３０５により実行される。

つぎに、ＶＯＡ制御部１０４は、主信号への監視制御信号の重畳を停止するか否かを判断する（ステップＳ６０５）。たとえば、ＶＯＡ制御部１０４は、重畳すべき監視制御信号の有無や、外部からの停止指示などに基づいてステップＳ６０５の判断を行う。重畳を停止しないと判断した場合（ステップＳ６０５：Ｎｏ）は、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ６０５によって設定した駆動信号のバイアス電圧および電圧振幅を一定時間保持し（ステップＳ６０６）、ステップＳ６０１へ戻る。なお、平均減衰量および重畳変調度の各目標値を更新しない場合は、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ６０６からステップＳ６０２へ戻ってもよい。

ステップＳ６０５において、重畳を停止すると判断した場合（ステップＳ６０５：Ｙｅｓ）は、ＶＯＡ制御部１０４は、一連の処理を終了する。このとき、たとえば、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ６０２によって最後に読み出したバイアス電圧で一定となる駆動信号を示す駆動電圧情報をＶＯＡ駆動部１１２へ出力する状態へ移行してもよい。これにより、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４によって主信号に監視制御信号を重畳せず、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４によって光信号のパワー制御を行う状態となる。

（実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部によるバイアス電圧および電圧振幅の設定）
図７は、実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部によるバイアス電圧および電圧振幅の設定の一例を示す図である。図７において、図５に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。たとえば、図６に示したステップＳ６０１において、平均減衰量の目標値が７．７［ｄＢ］に設定され、重畳変調度の目標値が１０［％］に設定されたとする。

この場合に、図６に示したステップＳ６０２において、平均減衰量＝７．７［ｄＢ］に対応するバイアス電圧＝２．０［Ｖ］がＬＵＴ５００から読み出される。また、図６に示したステップＳ６０３において、バイアス電圧＝２．０［Ｖ］および重畳変調度＝１０［％］の組み合わせに対応する電圧振幅＝±５００［ｍＶ］が読み出される。

したがって、図６に示したステップＳ６０４においては、バイアス電圧＝２．０［Ｖ］および電圧振幅＝±５００［ｍＶ］が駆動信号に設定される。これにより、たとえば、監視制御ビットの値に応じて電圧が１．５［Ｖ］または２．５［Ｖ］に変化する駆動信号が磁気光学効果型ＶＯＡ１２４へ印加される。

（実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部により設定されたバイアス電圧および電圧振幅の例）
図８は、実施の形態１にかかるＶＯＡ制御部により設定されたバイアス電圧および電圧振幅の例を示す図である。図８において、図４に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。たとえば、ＶＯＡ制御部１０４は、平均減衰量の目標値としてＡを設定した場合は、印加電圧減衰量特性４００に基づくＬＵＴ５００において平均減衰量＝Ａと対応するバイアス電圧＝ａ１を設定する。また、ＶＯＡ制御部１０４は、印加電圧減衰量特性４００に基づくＬＵＴ５００において、バイアス電圧＝ａ１と、重畳変調度の目標値と、の組み合わせに基づく電圧振幅＝ａ２を設定する。

変化量ａ３は、バイアス電圧＝ａ１かつ電圧振幅＝ａ２の駆動信号を磁気光学効果型ＶＯＡ１２４へ印加した場合における磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の減衰量の変化量（振れ幅）である。電圧振幅＝ａ２は、変化量ａ３が、重畳変調度の目標値に相当する変化量となるように、印加電圧減衰量特性４００に基づいてＬＵＴ５００に設定される。

また、ＶＯＡ制御部１０４は、平均減衰量の目標値としてＢを選択した場合は、印加電圧減衰量特性４００に基づくＬＵＴ５００において平均減衰量＝Ｂと対応するバイアス電圧＝ｂ１を設定する。また、ＶＯＡ制御部１０４は、印加電圧減衰量特性４００に基づくＬＵＴ５００において、バイアス電圧＝ｂ１と、重畳変調度の目標値と、の組み合わせに基づく電圧振幅＝ｂ２を設定する。

変化量ａ３は、バイアス電圧＝ａ１かつ電圧振幅＝ａ２の駆動信号を磁気光学効果型ＶＯＡ１２４へ印加した場合における磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の減衰量の変化量（振れ幅）である。電圧振幅＝ｂ２は、変化量ｂ３が、重畳変調度の目標値に相当する変化量となるように、印加電圧減衰量特性４００に基づいてＬＵＴ５００に設定される。

図８に示したように、平均減衰量をＡ（バイアス電圧をａ１）にする場合と、平均減衰量をＢ（バイアス電圧をｂ１）にする場合と、では駆動信号の電圧に対する磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の減衰量の傾きが異なる。このため、仮に電圧振幅が一定であると、監視制御ビットの値に応じた減衰量の変化量（重畳変調度）が、設定した平均減衰量（バイアス電圧）によって異なる。

すなわち、光信号のパワー制御のための磁気光学効果型ＶＯＡ１２４による平均減衰量に応じて、重畳信号の変調度が変わってしまい、所望の重畳変調度を得ることができない。この場合は、たとえば所望のＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ：信号対雑音比）が得られず、伝送効率の低下や受信品質の低下などの原因となる。

これに対して、ＶＯＡ制御部１０４は、駆動信号の平均減衰量（バイアス電圧）に応じた電圧振幅を駆動信号に用いることで、所望の重畳変調度を得ることができる。図８に示す例では、平均減衰量をＡ（バイアス電圧をａ１）にする場合と、平均減衰量をＢ（バイアス電圧をｂ１）にする場合と、においてほぼ同一の変化量ａ３，ｂ３が得られる。

このように、実施の形態１にかかる光伝送装置１００によれば、磁気光学効果型の可変光減衰器（磁気光学効果型ＶＯＡ１２４）が、光源（ＬＤ素子１２１）と光ファイバ（光ファイバ１０２ａ）との間に空間結合により配置されている。これにより、光送信器（ＴＯＳＡ１２０）の内部に可変光減衰器を実装することが容易になる。このため、光伝送装置１００の小型化を図ることができる。

そして、この可変光減衰器の駆動電圧（駆動信号の電圧）を、光に重畳するための情報に基づいて生成するとともに、生成する駆動電圧のバイアス（駆動信号のバイアス電圧）を制御することができる。これにより、１個の可変光減衰器を、光の平均的な減衰量（平均減衰量）を制御する光アッテネータ、および情報（監視制御信号）の光への重畳を行う重畳器として用いることができる。このため、光伝送装置１００の部品点数を減らし、部品コストの低減を図ることが可能になる。

また、生成する駆動電圧の振幅（駆動信号の電圧振幅）を制御することができる。これにより、情報の光への重畳における変調度を制御することができる。そして、可変光減衰器の駆動電圧と、可変光減衰器による光の減衰量と、の間の特性に応じたデータ（ＬＵＴ５００）に基づいて駆動電圧の振幅を制御することで、光の平均的な減衰量を制御しても、情報の光への重畳において所望の変調度を得ることができる。このため、光レベルの制御と、所望の変調度による情報の重畳と、を一つの可変光減衰器により実現することができる。すなわち、光源と光ファイバとの間という限られたスペースに配置できる磁気光学効果型の可変光減衰器一つで、光レベルの制御および情報の重畳を実現できる。

可変光減衰器の駆動電圧と可変光減衰器による光の減衰量との間の特性に応じたデータは、たとえば、駆動電圧と、可変光減衰器による情報の光への重畳における変調度と、の組み合わせと、駆動電圧の振幅と、を対応付けるデータである。この場合に、光伝送装置１００は、まず駆動電圧のバイアスを決定し、決定した駆動電圧のバイアスと、可変光減衰器による情報の光への重畳における変調度の目標値と、の組み合わせに対応する駆動電圧の振幅をそのデータに基づいて特定する。

そして、光伝送装置１００は、生成する駆動電圧のバイアスを、決定した駆動電圧のバイアスに制御し、生成する駆動電圧の振幅を、特定した駆動電圧の振幅に制御する。これにより、制御する駆動電圧のバイアスとの関係において変調度が目標値となるように、駆動電圧の振幅を制御することができる。

（実施の形態２）
実施の形態２について、実施の形態１と異なる部分について説明する。実施の形態２においては、ＬＵＴ５００を用いずに、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４によって減衰した光のレベルのモニタ結果に基づいて駆動信号の制御を行う構成について説明する。

（実施の形態２にかかるＶＯＡ制御部）
図９は、実施の形態２にかかるＶＯＡ制御部の一例を示す図である。図９において、図３に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図９に示すように、実施の形態２にかかるＶＯＡ制御部１０４は、図３に示したＬＵＴ記憶部３０３を省いた構成としてもよい。

この場合に、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、駆動電圧情報生成部３０６へ通知するバイアス電圧を変化させながら、光モニタ部１１３から出力される出力光レベルのモニタ結果に基づいて磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の平均減衰量を算出する。たとえば、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、ＬＤ素子１２１の出力パワーと、光モニタ部１１３から出力される出力光レベルのモニタ結果と、の差分に基づいて磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の平均減衰量を算出する。磁気光学効果型ＶＯＡ１２４によって監視制御信号が光信号に重畳されている状態における磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の平均減衰量の算出については後述する。

そして、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、算出した平均減衰量が、平均減衰量設定部３０２から通知された平均減衰量の目標値になると、駆動電圧情報生成部３０６へ通知するバイアス電圧を固定する。これにより、平均減衰量が目標値になる、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の駆動電圧のバイアス電圧を設定することができる。

また、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、駆動電圧情報生成部３０６へ通知する電圧振幅を変化させながら、光モニタ部１１３から出力される出力光レベルのモニタ結果に基づいて磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の重畳変調度を算出する。たとえば、ＶＯＡ制御部１０４は、ＬＤ素子１２１による主信号の変調における振幅と、光モニタ部１１３から出力される出力光レベルのモニタ結果の変化量（振幅）と、の比に基づいて重畳変調度を算出する。

そして、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、算出した重畳変調度が、重畳変調度設定部３０１から通知された重畳変調度の目標値になると、駆動電圧情報生成部３０６へ通知する電圧振幅を固定する。これにより、重畳変調度が目標値になる、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の駆動電圧の電圧振幅を設定することができる。

（監視制御信号が光信号に重畳されている状態における平均減衰量の算出）
磁気光学効果型ＶＯＡ１２４によって監視制御信号が光信号に重畳されている状態における磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の平均減衰量の算出について説明する。たとえば、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、所定期間における出力光レベルのモニタ結果を平均することにより、平均減衰量を算出することができる。これにより、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の平均減衰量を簡単な処理によって算出することができる。

または、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、ある時点における監視制御信号の値と、その時点における駆動信号のバイアス電圧と、その時点における駆動信号の電圧振幅と、を取得する。ある時点における監視制御信号の値は、たとえば監視制御ビット生成部３０５から取得することができる。ある時点における駆動信号のバイアス電圧および電圧振幅は、その時点でバイアス電圧・電圧振幅設定部３０４が設定しているバイアス電圧および電圧振幅である。

また、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４における駆動信号の電圧と減衰量との間の特性（印加電圧減衰量特性４００）を示すデータを取得する。このデータは、たとえば光伝送装置１００のメモリに記憶されている。そして、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、取得した値、バイアス電圧および電圧振幅と、取得したデータと、に基づいて、その時点における監視制御信号の重畳による磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の減衰量の変化量を示す値を算出する。

一例としては、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、取得した監視制御信号の値が“１”である場合に、印加電圧減衰量特性４００において、バイアス電圧に対応する減衰量と、バイアス電圧＋電圧振幅／２に対応する減衰量と、の差を示す値を算出する。また、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、取得した監視制御信号の値が“０”である場合に、印加電圧減衰量特性４００において、バイアス電圧に対応する減衰量と、バイアス電圧−電圧振幅／２に対応する減衰量と、の差を示す値を算出する。

そして、バイアス電圧・電圧振幅設定部３０４は、算出した値を、その時点における出力光レベルのモニタ結果から差し引ことにより、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の平均減衰量を算出する。これにより、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の平均減衰量を精度よく算出することができる。

（実施の形態２にかかるＶＯＡ制御部による光レベル制御処理）
図１０は、実施の形態２にかかるＶＯＡ制御部による光レベル制御処理の一例を示すフローチャートである。実施の形態２にかかるＶＯＡ制御部１０４は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４を用いて主信号に監視制御信号を重畳する場合に、たとえば図１０に示す各ステップを実行する。

まず、ＶＯＡ制御部１０４は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４における平均減衰量および重畳変調度の各目標値を設定する（ステップＳ１００１）。ステップＳ１００１による平均減衰量の目標値の設定は、たとえば図９に示した平均減衰量設定部３０２により実行される。ステップＳ１００１による重畳変調度の目標値の設定は、たとえば図９に示した重畳変調度設定部３０１により実行される。

つぎに、ＶＯＡ制御部１０４は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の駆動信号のバイアス電圧を変化させる（ステップＳ１００２）。たとえば、図１０に示す各ステップの開始時に、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の駆動信号のバイアス電圧は、使用が想定されるバイアス電圧のうち最も低いバイアス電圧に設定されているとする。この場合に、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ１００２において、駆動信号のバイアス電圧を所定の単位量だけ増加させる。または、図１０に示す各ステップの開始時に、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の駆動信号のバイアス電圧は、使用が想定されるバイアス電圧のうち最も高いバイアス電圧に設定されていてもよい。この場合に、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ１００２において、駆動信号のバイアス電圧を所定の単位量だけ低下させる。ステップＳ１００２は、たとえば図９に示したバイアス電圧・電圧振幅設定部３０４が駆動電圧情報生成部３０６へ通知するバイアス電圧を変化させることにより実行される。

つぎに、ＶＯＡ制御部１０４は、光モニタ部１１３から出力される出力光レベルのモニタ結果に基づいて、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の平均減衰量を算出する（ステップＳ１００３）。ステップＳ１００３による平均減衰量の算出には、上述した各算出方法を用いることができる。ステップＳ１００３は、たとえば図９に示したバイアス電圧・電圧振幅設定部３０４により実行される。

つぎに、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ１００３により算出した平均減衰量が、ステップＳ１００１により設定した平均減衰量の目標値に達したか否かを判断する（ステップＳ１００４）。たとえば、ＶＯＡ制御部１０４は、算出した平均減衰量と目標値との差分（絶対値）が閾値以上である場合は平均減衰量が目標値に達していないと判断し、その差分（絶対値）が閾値未満である場合は平均減衰量が目標値に達したと判断する。ステップＳ１００４は、たとえば図９に示したバイアス電圧・電圧振幅設定部３０４により実行される。平均減衰量が目標値に達していない場合（ステップＳ１００４：Ｎｏ）は、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ１００２へ戻る。

ステップＳ１００４において、平均減衰量が目標値に達した場合（ステップＳ１００４：Ｙｅｓ）は、ＶＯＡ制御部１０４は、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の駆動信号の電圧振幅を変化させる（ステップＳ１００５）。たとえば、図１０に示す各ステップの開始時に、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の駆動信号の電圧振幅は、使用が想定される電圧振幅のうち最も小さい電圧振幅に設定されているとする。この場合に、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ１００５において、駆動信号の電圧振幅を所定の単位量だけ大きくする。または、図１０に示す各ステップの開始時に、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の駆動信号の電圧振幅は、使用が想定される電圧振幅のうち最も大きい電圧振幅に設定されていてもよい。この場合に、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ１００５において、駆動信号の電圧振幅を所定の単位量だけ小さくする。ステップＳ１００５は、たとえば図９に示したバイアス電圧・電圧振幅設定部３０４が駆動電圧情報生成部３０６へ通知する電圧振幅を変化させることにより実行される。

つぎに、ＶＯＡ制御部１０４は、光モニタ部１１３から出力される出力光レベルのモニタ結果に基づいて、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の重畳変調度を算出する（ステップＳ１００６）。たとえば、ＶＯＡ制御部１０４は、ＬＤ素子１２１による主信号の変調における振幅と、光モニタ部１１３から出力される出力光レベルのモニタ結果の変化量（振幅）と、の比に基づいて重畳変調度を算出する。ステップＳ１００６は、たとえば図９に示したバイアス電圧・電圧振幅設定部３０４により実行される。

つぎに、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ１００６により算出した重畳変調度が、ステップＳ１００１により設定した重畳変調度の目標値に達したか否かを判断する（ステップＳ１００７）。たとえば、ＶＯＡ制御部１０４は、算出した重畳変調度と目標値との差分（絶対値）が閾値以上である場合は重畳変調度が目標値に達していないと判断し、その差分（絶対値）が閾値未満である場合は重畳変調度が目標値に達したと判断する。ステップＳ１００７は、たとえば図９に示したバイアス電圧・電圧振幅設定部３０４により実行される。重畳変調度が目標値に達していない場合（ステップＳ１００７：Ｎｏ）は、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ１００５へ戻る。

ステップＳ１００７において、重畳変調度が目標値に達した場合（ステップＳ１００７：Ｙｅｓ）は、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ１００８へ移行する。図１０に示すステップＳ１００８，Ｓ１００９は、図６に示したステップＳ６０５，Ｓ６０６と同様である。ただし、ステップＳ１００９において、ＶＯＡ制御部１０４は、ステップＳ１００９へ移行した時の駆動信号のバイアス電圧および電圧振幅を一定時間保持する。

このように、実施の形態２にかかる光伝送装置１００によれば、駆動電圧のバイアスを制御した後に、可変光減衰器（磁気光学効果型ＶＯＡ１２４）によって減衰した光のレベルのモニタ結果に基づいて駆動電圧の振幅を制御することができる。これにより、光の平均的な減衰量を制御しても、情報の光への重畳において所望の変調度を得ることができる。このため、光レベルの制御と、所望の変調度による情報の重畳と、を一つの可変光減衰器により実現することができる。

たとえば、光伝送装置１００は、可変光減衰器によって減衰した光のレベルのモニタ結果に基づいて、可変光減衰器による変調度（重畳変調度）を算出し、算出した変調度と目標値との間の比較結果に基づいて、駆動電圧の振幅を制御する。これにより、光の平均的な減衰量を制御しても、情報の光への重畳において所望の変調度を得ることができる。

また、可変光減衰器の駆動電圧と可変光減衰器による光の減衰量との間の特性に応じたデータ（たとえばＬＵＴ５００）を用いなくても駆動電圧の振幅を制御できる。このため、たとえば、可変光減衰器の駆動電圧と可変光減衰器による光の減衰量との間の特性が変化しても、情報の光への重畳において所望の変調度を得ることができる。

また、光伝送装置１００は、光のレベルのモニタ結果に基づいて、可変光減衰器による光の平均的な減衰量を算出し、算出した平均的な減衰量と目標値との間の比較結果に基づいて、生成する駆動電圧のバイアスを制御してもよい。

このとき、光伝送装置１００は、たとえば、光のレベルのモニタ結果を平均化することにより可変光減衰器による光の平均的な減衰量を算出する。これにより、光に情報を重畳している状態においても、簡単な処理によって可変光減衰器による光の平均的な減衰量を算出し、光レベルの制御を行うことができる。

または、光伝送装置１００は、ある時点における、重畳する情報の値、駆動電圧のバイアスおよび駆動電圧の振幅と、駆動電圧と可変光減衰器による光の減衰量との間の特性を示すデータと、に基づく値を算出してもよい。そして、光伝送装置１００は、算出した値を、その時点における光のレベルのモニタ結果から差し引くことにより、可変光減衰器による光の平均的な減衰量を算出してもよい。これにより、光に情報を重畳している状態においても、可変光減衰器による光の平均的な減衰量を精度よく算出し、光レベルの制御を精度よく行うことができる。

また、実施の形態１，２を組み合わせた構成としてもよい。たとえば、磁気光学効果型ＶＯＡ１２４の駆動信号のバイアス電圧については実施の形態２のように光のレベルのモニタ結果に基づいて制御し、駆動信号の電圧振幅については実施の形態１のようにＬＵＴ５００に基づいて制御する構成としてもよい。この構成においても、光伝送装置１００は、たとえば、光のレベルのモニタ結果に基づいて、可変光減衰器による光の平均的な減衰量を算出し、算出した平均的な減衰量と目標値との間の比較結果に基づいて、生成する駆動電圧のバイアスを制御してもよい。この場合の可変光減衰器による光の平均的な減衰量の算出には、実施の形態２において説明した算出方法を用いることができる。

以上説明したように、光伝送装置および光レベル制御方法によれば、光レベルの制御および情報の重畳を一つの可変光減衰器により実現することができる。

たとえば、近年、モバイルトラフィックが急増しており、それに伴い、携帯基地局と収容局を結ぶモバイルバックホールネットワーク等のアクセス領域のトラフィックも増大している。このため、アクセス領域へのＤＷＤＭ技術の適用が検討されている。ＤＷＤＭはＤｅｎｓｅ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ（高密度波長分割多重方式）の略である。

たとえばＩＴＵ−Ｔにおいては、送信用光源として波長可変光源を使用することにより、ＴＥＥと呼ばれるユーザ側の装置を共通化（少品種化）し、簡易で安価な構成を実現することが検討されている。ＩＴＵ−ＴはＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｕｎｉｏｎ−Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ｓｅｃｔｏｒ（国際電信電話諮問委員会）の略である。ＴＥＥはＴａｉｌ−Ｅｎｄ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔの略である。

各ＴＥＥの波長可変光源の波長設定は、たとえば、ＨＥＥと呼ばれるセンタ側の装置からの主信号に監視制御信号を重畳させることにより行われる。ＨＥＥはＨｅａｄ−Ｅｎｄ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔの略である。監視制御信号の重畳伝送では、主信号のフレームフォーマットに依存しない（フレームフォーマットから独立した）重畳や検出が可能な方式が要求されている。

たとえば、従来、監視制御信号の重畳方式として、電気段重畳方式および光学段重畳方式がある。電気段重畳方式は、主信号と重畳信号をＲＦカプラ等により結合し、結合した電気信号で光トランシーバを駆動する方式である。ＲＦはＲａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ（高周波）の略である。電気段重畳方式においては、ＲＦカプラ等の低価格な部品の追加で済むため、一度設計してしまえば追加コストが低くて済む。しかし、電気段重畳方式においては、重畳信号が主信号にとってノイズに相当するため、重畳によるアイパターンの劣化とは別に、主信号および重畳信号の劣化が生じやすい。

光学段重畳方式は、ＶＯＡや光変調器を用いて主信号の光学段で浅い変調をかけて重畳する方式である。光学段重畳方式は、光学段での重畳のため、アイパターン劣化以外の劣化要因がなく、主信号および重畳信号の劣化が少ない。しかし、従来の光学段重畳方式においては、重畳のための光部品（たとえばトランシーバの外部のＶＯＡ）の追加を要するため、追加コストが高くなり、またトランシーバのサイズが大きくなる。

これに対して、上述した各実施の形態によれば、磁気光学効果型のＶＯＡを用いて光学段重畳方式を実現することができる。磁気光学効果型のＶＯＡは、導波路型の変調器やＶＯＡと異なり、空間結合型のデバイスであるため、たとえば半導体レーザと光ファイバの光結合の間に配置可能である。このため、ＴＯＳＡのモジュール内に重畳のためのＶＯＡを実装することが可能となり、装置の小型化を図ることができる。

そして、この磁気光学効果型のＶＯＡは、トランシーバの光レベルを制御する光アッテネータと、監視制御信号を光に重畳する重畳器と、を兼ねる。したがって、光レベルの制御および監視制御信号の重畳を一つの可変光減衰器により実現することができる。

また、磁気光学効果型のＶＯＡは、平均減衰量によって減衰の変化率が異なるため、仮に光アッテネータとしての制御と重畳器としての制御を単純に組み合わせるだけでは、重畳器として所望の変調度を得ることができない。これに対して、上述した各実施の形態によれば、制御するＶＯＡの駆動電圧のバイアスに応じてＶＯＡの駆動電圧の振幅を制御することができる。これにより、所望の変調度での重畳が可能となる。

上述した各実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。

（付記１）光源と光ファイバとの間に空間結合により配置され、前記光源から出射され前記光ファイバへ結合する光を、入力された駆動電圧に応じて減衰させる磁気光学効果型の可変光減衰器と、
前記可変光減衰器によって前記光に重畳するための情報に基づく前記可変光減衰器の駆動電圧を生成して前記可変光減衰器へ入力する生成部と、
前記生成部によって生成される前記駆動電圧のバイアスを制御し、前記駆動電圧と前記可変光減衰器による前記光の減衰量との間の特性に応じたデータに基づいて、前記生成部によって生成される前記駆動電圧の振幅を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする光伝送装置。

（付記２）前記制御部は、前記駆動電圧のバイアスを制御することによって前記可変光減衰器による前記光の平均的な減衰量を制御し、前記駆動電圧の振幅を制御することによって前記可変光減衰器による前記情報の前記光への重畳における変調度を制御することを特徴とする付記１に記載の光伝送装置。

（付記３）前記データは、前記駆動電圧と、前記可変光減衰器による前記情報の前記光への重畳における変調度と、の組み合わせと、前記駆動電圧の振幅と、を対応付けるデータであり、
前記制御部は、前記駆動電圧のバイアスを決定し、決定した前記駆動電圧のバイアスと、前記可変光減衰器による前記情報の前記光への重畳における変調度の目標値と、の組み合わせに対応する前記駆動電圧の振幅を前記データに基づいて特定し、前記生成部によって生成される前記駆動電圧のバイアスを、決定した前記駆動電圧のバイアスに制御し、前記生成部によって生成される前記駆動電圧の振幅を、特定した前記駆動電圧の振幅に制御する、
ことを特徴とする付記１または２に記載の光伝送装置。

（付記４）前記データは、前記駆動電圧と、前記可変光減衰器による前記光の減衰量と、を対応付けるデータであり、
前記制御部は、前記可変光減衰器による前記光の平均的な減衰量の目標値に対応する前記駆動電圧を前記データに基づいて特定し、特定した前記駆動電圧に基づいて前記駆動電圧のバイアスを制御する、
ことを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の光伝送装置。

（付記５）前記制御部は、前記可変光減衰器によって減衰した前記光のレベルのモニタ結果に基づいて、前記可変光減衰器による前記光の平均的な減衰量を算出し、算出した平均的な減衰量に基づいて、前記生成部によって生成される前記駆動電圧のバイアスを制御することを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の光伝送装置。

（付記６）前記制御部は、前記モニタ結果を平均化することにより前記可変光減衰器による前記光の平均的な減衰量を算出することを特徴とする付記５に記載の光伝送装置。

（付記７）前記制御部は、ある時点における前記情報の値、前記駆動電圧のバイアスおよび前記駆動電圧の振幅と、前記駆動電圧と前記可変光減衰器による前記光の減衰量との間の特性を示すデータと、に基づく値を前記時点における前記モニタ結果から差し引くことにより前記可変光減衰器による前記光の平均的な減衰量を算出することを特徴とする付記６に記載の光伝送装置。

（付記８）前記可変光減衰器を含むＴＯＳＡ（Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ ＳｕｂＡｓｓｅｍｂｌｙ）を内蔵することを特徴とする付記１〜７のいずれか一つに記載の光伝送装置。

（付記９）光源と光ファイバとの間に空間結合により配置され、前記光源から出射され前記光ファイバへ結合する光を、入力された駆動電圧に応じて減衰させる磁気光学効果型の可変光減衰器を備える光伝送装置の光レベル制御方法であって、
前記可変光減衰器によって前記光に重畳するための情報に基づく前記可変光減衰器の駆動電圧を生成して前記可変光減衰器へ入力し、
生成する前記駆動電圧のバイアスを制御し、前記駆動電圧と前記可変光減衰器による前記光の減衰量との間の特性に応じたデータに基づいて、生成する前記駆動電圧の振幅を制御する、
ことを特徴とする光レベル制御方法。

（付記１０）光源と光ファイバとの間に空間結合により配置され、前記光源から出射され前記光ファイバへ結合する光を、入力された駆動電圧に応じて減衰させる磁気光学効果型の可変光減衰器と、
前記可変光減衰器によって前記光に重畳するための情報に基づく前記可変光減衰器の駆動電圧を生成して前記可変光減衰器へ入力する生成部と、
前記生成部によって生成される前記駆動電圧のバイアスを制御した後に、前記可変光減衰器によって減衰した前記光のレベルのモニタ結果に基づいて、前記生成部によって生成される前記駆動電圧の振幅を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする光伝送装置。

（付記１１）前記制御部は、前記モニタ結果に基づいて、前記可変光減衰器による前記情報の前記光への重畳における変調度を算出し、算出した変調度に基づいて、前記生成部によって生成される前記駆動電圧の振幅を制御することを特徴とする付記１０に記載の光伝送装置。

（付記１２）前記制御部は、前記モニタ結果に基づいて、前記可変光減衰器による前記光の平均的な減衰量を算出し、算出した平均的な減衰量に基づいて、前記生成部によって生成される前記駆動電圧のバイアスを制御することを特徴とする付記１０または１１に記載の光伝送装置。

（付記１３）前記制御部は、前記モニタ結果を平均化することにより前記可変光減衰器による前記光の平均的な減衰量を算出することを特徴とする付記１２に記載の光伝送装置。

（付記１４）前記制御部は、ある時点における前記情報の値、前記駆動電圧のバイアスおよび前記駆動電圧の振幅と、前記駆動電圧と前記可変光減衰器による前記光の減衰量との間の特性を示すデータと、に基づく値を前記時点における前記モニタ結果から差し引くことにより前記可変光減衰器による前記光の平均的な減衰量を算出することを特徴とする付記１２に記載の光伝送装置。

（付記１５）光源と光ファイバとの間に空間結合により配置され、前記光源から出射され前記光ファイバへ結合する光を、入力された駆動電圧に応じて減衰させる磁気光学効果型の可変光減衰器を備える光伝送装置の光レベル制御方法であって、
前記可変光減衰器によって前記光に重畳するための情報に基づく前記可変光減衰器の駆動電圧を生成して前記可変光減衰器へ入力し、
生成する前記駆動電圧のバイアスを制御した後に、前記可変光減衰器によって減衰した前記光のレベルのモニタ結果に基づいて、生成する前記駆動電圧の振幅を制御する、
ことを特徴とする光レベル制御方法。

１００ 光伝送装置
１０１ トランシーバ
１０２，１０３，１２８，１３１ コネクタ
１０２ａ，１０３ａ 光ファイバ
１０４ ＶＯＡ制御部
１１０ 駆動回路
１１１ ＬＤ駆動部
１１２ ＶＯＡ駆動部
１１３ 光モニタ部
１１４ ＰＤ駆動部
１２０ ＴＯＳＡ
１２１ ＬＤ素子
１２２，１２５，１３２，１３３ レンズ
１２３ 光アイソレータ
１２４ 磁気光学効果型ＶＯＡ
１２６ 分岐部
１２７ 光モニタ用ＰＤ
１３０ ＲＯＳＡ
１３４ ＰＤ素子
２０１，２０３ 複屈折素子
２０２ 可変ファラデー回転子
３０１ 重畳変調度設定部
３０２ 平均減衰量設定部
３０３ ＬＵＴ記憶部
３０４ バイアス電圧・電圧振幅設定部
３０５ 監視制御ビット生成部
３０６ 駆動電圧情報生成部
４００ 印加電圧減衰量特性
５００ ＬＵＴ

Claims (9)

1. 光源と光ファイバとの間に空間結合により配置され、前記光源から出射され前記光ファイバへ結合する光を、入力された駆動電圧に応じて減衰させる磁気光学効果型の可変光減衰器と、
   前記可変光減衰器によって前記光に重畳するための情報に基づく前記可変光減衰器の駆動電圧を生成して前記可変光減衰器へ入力する生成部と、
   前記生成部によって生成される前記駆動電圧のバイアスを制御し、前記駆動電圧と前記可変光減衰器による前記光の減衰量との間の特性に応じたデータに基づいて、前記生成部によって生成される前記駆動電圧の振幅を制御する制御部と、
   を備えることを特徴とする光伝送装置。
2. 前記データは、前記駆動電圧と、前記可変光減衰器による前記情報の前記光への重畳における変調度と、の組み合わせと、前記駆動電圧の振幅と、を対応付けるデータであり、
   前記制御部は、前記駆動電圧のバイアスを決定し、決定した前記駆動電圧のバイアスと、前記可変光減衰器による前記情報の前記光への重畳における変調度の目標値と、の組み合わせに対応する前記駆動電圧の振幅を前記データに基づいて特定し、前記生成部によって生成される前記駆動電圧のバイアスを、決定した前記駆動電圧のバイアスに制御し、前記生成部によって生成される前記駆動電圧の振幅を、特定した前記駆動電圧の振幅に制御する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の光伝送装置。
3. 光源と光ファイバとの間に空間結合により配置され、前記光源から出射され前記光ファイバへ結合する光を、入力された駆動電圧に応じて減衰させる磁気光学効果型の可変光減衰器を備える光伝送装置の光レベル制御方法であって、
   前記可変光減衰器によって前記光に重畳するための情報に基づく前記可変光減衰器の駆動電圧を生成して前記可変光減衰器へ入力し、
   生成する前記駆動電圧のバイアスを制御し、前記駆動電圧と前記可変光減衰器による前記光の減衰量との間の特性に応じたデータに基づいて、生成する前記駆動電圧の振幅を制御する、
   ことを特徴とする光レベル制御方法。
4. 光源と光ファイバとの間に空間結合により配置され、前記光源から出射され前記光ファイバへ結合する光を、入力された駆動電圧に応じて減衰させる磁気光学効果型の可変光減衰器と、
   前記可変光減衰器によって前記光に重畳するための情報に基づく前記可変光減衰器の駆動電圧を生成して前記可変光減衰器へ入力する生成部と、
   前記生成部によって生成される前記駆動電圧のバイアスを制御した後に、前記可変光減衰器によって減衰した前記光のレベルのモニタ結果に基づいて、前記生成部によって生成される前記駆動電圧の振幅を制御する制御部と、
   を備えることを特徴とする光伝送装置。
5. 前記制御部は、前記モニタ結果に基づいて、前記可変光減衰器による前記情報の前記光への重畳における変調度を算出し、算出した変調度に基づいて、前記生成部によって生成される前記駆動電圧の振幅を制御することを特徴とする請求項４に記載の光伝送装置。
6. 前記制御部は、前記モニタ結果に基づいて、前記可変光減衰器による前記光の平均的な減衰量を算出し、算出した平均的な減衰量に基づいて、前記生成部によって生成される前記駆動電圧のバイアスを制御することを特徴とする請求項４または５に記載の光伝送装置。
7. 前記制御部は、前記モニタ結果を平均化することにより前記可変光減衰器による前記光の平均的な減衰量を算出することを特徴とする請求項６に記載の光伝送装置。
8. 前記制御部は、ある時点における前記情報の値、前記駆動電圧のバイアスおよび前記駆動電圧の振幅と、前記駆動電圧と前記可変光減衰器による前記光の減衰量との間の特性を示すデータと、に基づく値を前記時点における前記モニタ結果から差し引くことにより前記可変光減衰器による前記光の平均的な減衰量を算出することを特徴とする請求項６に記載の光伝送装置。
9. 光源と光ファイバとの間に空間結合により配置され、前記光源から出射され前記光ファイバへ結合する光を、入力された駆動電圧に応じて減衰させる磁気光学効果型の可変光減衰器を備える光伝送装置の光レベル制御方法であって、
   前記可変光減衰器によって前記光に重畳するための情報に基づく前記可変光減衰器の駆動電圧を生成して前記可変光減衰器へ入力し、
   生成する前記駆動電圧のバイアスを制御した後に、前記可変光減衰器によって減衰した前記光のレベルのモニタ結果に基づいて、生成する前記駆動電圧の振幅を制御する、
   ことを特徴とする光レベル制御方法。

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