JP2018101700A

JP2018101700A - Semiconductor device, power supply unit, amplifier, heater, exhaust control emission device, automobile, information system and manufacturing method for semiconductor device

Info

Publication number: JP2018101700A
Application number: JP2016246985A
Authority: JP
Inventors: 理人西森; Michihito Nishimori; 陽一鎌田; Yoichi Kamata
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2016-12-20
Filing date: 2016-12-20
Publication date: 2018-06-28
Anticipated expiration: 2036-12-20
Also published as: JP6885053B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device, used for electric power, capable of achieving high reliability.SOLUTION: On a substrate, there are provided a semiconductor layer formed from a semiconductor, and a gate electrode 31, a source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer. The gate electrode, the source electrode and the drain electrode are formed into an interdigital shape. A central portion 310a between peripheral portions is formed to be larger in a width of part of a gate finger section than peripheral portions 310b, 310c of the gate finger section 31a of the gate electrode in the lengthwise direction.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、半導体装置、電源装置、増幅器、加熱装置、排気浄化装置、自動車、情報システム及び半導体装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device, a power supply device, an amplifier, a heating device, an exhaust gas purification device, an automobile, an information system, and a semiconductor device manufacturing method.

窒化物半導体は、高い飽和電子速度及びワイドバンドギャップ等の特徴を利用し、高耐圧及び高出力の半導体デバイスへの適用が検討されている。例えば、窒化物半導体であるＧａＮのバンドギャップは３．４ｅＶであり、Ｓｉのバンドギャップ（１．１ｅＶ）及びＧａＡｓのバンドギャップ（１．４ｅＶ）よりも大きく、高い破壊電界強度を有する。そのため、ＧａＮ等の窒化物半導体は、高電圧動作かつ高出力を得る電源用の半導体デバイスの材料として極めて有望である。 Nitride semiconductors have been studied for application to high breakdown voltage and high output semiconductor devices utilizing characteristics such as high saturation electron velocity and wide band gap. For example, the band gap of GaN that is a nitride semiconductor is 3.4 eV, which is larger than the band gap of Si (1.1 eV) and the band gap of GaAs (1.4 eV), and has a high breakdown electric field strength. Therefore, a nitride semiconductor such as GaN is extremely promising as a material for a semiconductor device for power supply that obtains high voltage operation and high output.

窒化物半導体を用いた半導体デバイスとしては、電界効果トランジスタ、特に高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor：ＨＥＭＴ）についての報告が数多くなされている。例えば、ＧａＮ系のＨＥＭＴ（ＧａＮ−ＨＥＭＴ）では、ＧａＮを電子走行層として、ＡｌＧａＮを電子供給層として用いたＡｌＧａＮ／ＧａＮからなるＨＥＭＴが注目されている。ＡｌＧａＮ／ＧａＮからなるＨＥＭＴでは、ＧａＮとＡｌＧａＮとの格子定数差に起因した歪みがＡｌＧａＮに生じる。これにより発生したピエゾ分極及びＡｌＧａＮの自発分極差により、高濃度の２ＤＥＧ（Two-Dimensional Electron Gas：２次元電子ガス）が得られる。そのため、高効率のスイッチ素子、電気自動車用等の高耐圧電力デバイスとして期待されている。 As semiconductor devices using nitride semiconductors, many reports have been made on field effect transistors, particularly high electron mobility transistors (HEMTs). For example, in a GaN-based HEMT (GaN-HEMT), an HEMT made of AlGaN / GaN using GaN as an electron transit layer and AlGaN as an electron supply layer has attracted attention. In the HEMT composed of AlGaN / GaN, strain caused by the difference in lattice constant between GaN and AlGaN occurs in AlGaN. High-density 2DEG (Two-Dimensional Electron Gas) is obtained by the piezoelectric polarization generated thereby and the spontaneous polarization difference of AlGaN. Therefore, it is expected as a high-efficiency power device for high-efficiency switching elements, electric vehicles and the like.

また、半導体装置において、オン電流を増やすため、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を櫛歯状に形成したマルチフィンガー型の構造の半導体装置が開示されている。 In addition, a semiconductor device having a multi-finger structure in which a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode are formed in a comb shape to increase an on-current in the semiconductor device is disclosed.

特開２００２−３５９２５６号公報JP 2002-359256 A 特開２０１０−２３２５０３号公報JP 2010-232503 A

ところで、上記のＧａＮ−ＨＥＭＴを電力用に用いた場合、高電圧が印加されるとともに、大電流が流れるため、ＧａＮ−ＨＥＭＴの温度が高くなり、ＧａＮ−ＨＥＭＴが形成されている領域において温度が高い領域と低い領域とが生じる場合がある。このようなＧａＮ−ＨＥＭＴの温度が高い領域では、電流が流れにくくなり、また、温度が高いため破壊等される場合があり、半導体装置としての信頼性の低下を招く。 By the way, when the GaN-HEMT is used for electric power, a high voltage is applied and a large current flows. Therefore, the temperature of the GaN-HEMT is increased, and the temperature is increased in the region where the GaN-HEMT is formed. High regions and low regions may occur. In such a region where the temperature of the GaN-HEMT is high, it is difficult for current to flow, and since the temperature is high, the semiconductor device may be broken, resulting in a decrease in reliability as a semiconductor device.

このため、電力用の半導体装置において、信頼性の高い半導体装置が求められている。 For this reason, a highly reliable semiconductor device is required among power semiconductor devices.

本実施の形態の一観点によれば、基板の上に、半導体により形成された半導体層と、前記半導体層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、前記ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極は、櫛歯状に形成されており、前記ゲート電極のゲートフィンガー部の長手方向の周辺部分よりも、前記周辺部分の間の部分は、前記ゲートフィンガー部の幅が広く形成されていることを特徴とする。 According to one aspect of this embodiment, a semiconductor layer formed of a semiconductor on a substrate, and a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode formed on the semiconductor layer, and the gate The electrode, the source electrode, and the drain electrode are formed in a comb-teeth shape, and the width of the gate finger portion is greater than the peripheral portion in the longitudinal direction of the gate finger portion of the gate electrode. It is widely formed.

開示の半導体装置によれば、電力用の半導体装置の信頼性を向上させることができる。 According to the disclosed semiconductor device, the reliability of the power semiconductor device can be improved.

半導体装置の平面図Plan view of semiconductor device 半導体装置の要部断面図Cross-sectional view of the main part of the semiconductor device 半導体装置の熱分布の説明図Illustration of heat distribution in semiconductor devices 第１の実施の形態における半導体装置の平面図The top view of the semiconductor device in a 1st embodiment 第１の実施の形態における半導体装置の要部断面図Sectional drawing of the principal part of the semiconductor device in 1st Embodiment 第１の実施の形態における半導体装置のゲートフィンガー部の説明図Explanatory drawing of the gate finger part of the semiconductor device in 1st Embodiment ゲートフィンガー部におけるゲート長Ｌｇとドレイン電流Ｉｄとの相関図Correlation diagram between gate length Lg and drain current Id in the gate finger portion 図１に示される半導体装置のゲート長Ｌｇ及び温度の説明図Explanatory diagram of gate length Lg and temperature of the semiconductor device shown in FIG. 第１の実施の形態における半導体装置のゲート長Ｌｇ及び温度の説明図Explanatory drawing of gate length Lg and temperature of the semiconductor device in 1st Embodiment 第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の説明図（１）Explanatory drawing (1) of the manufacturing method of the semiconductor device in 1st Embodiment 第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の説明図（２）Explanatory drawing (2) of the manufacturing method of the semiconductor device in 1st Embodiment 第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の説明図（３）Explanatory drawing (3) of the manufacturing method of the semiconductor device in 1st Embodiment 第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の説明図（４）Explanatory drawing (4) of the manufacturing method of the semiconductor device in 1st Embodiment 第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の説明図（５）Explanatory drawing (5) of the manufacturing method of the semiconductor device in 1st Embodiment 第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の説明図（６）Explanatory drawing (6) of the manufacturing method of the semiconductor device in 1st Embodiment 第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の説明図（７）Explanatory drawing (7) of the manufacturing method of the semiconductor device in 1st Embodiment 第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の説明図（８）Explanatory drawing (8) of the manufacturing method of the semiconductor device in 1st Embodiment 第１の実施の形態における半導体装置の変形例１の説明図（１）Explanatory drawing (1) of the modification 1 of the semiconductor device in 1st Embodiment. 第１の実施の形態における半導体装置の変形例１の説明図（２）Explanatory drawing (2) of the modification 1 of the semiconductor device in 1st Embodiment 第１の実施の形態における半導体装置の変形例２の説明図Explanatory drawing of the modification 2 of the semiconductor device in 1st Embodiment. 第１の実施の形態における半導体装置の変形例３の説明図Explanatory drawing of the modification 3 of the semiconductor device in 1st Embodiment. 第２の実施の形態における半導体装置の要部平面図The principal part top view of the semiconductor device in 2nd Embodiment 第２の実施の形態における半導体装置の説明図Explanatory drawing of the semiconductor device in 2nd Embodiment 第３の実施の形態におけるディスクリートパッケージされた半導体デバイスの説明図Explanatory drawing of a discretely packaged semiconductor device according to the third embodiment 第３の実施の形態における電源装置の回路図Circuit diagram of power supply device according to third embodiment 第３の実施の形態における高周波増幅器の構造図Structure diagram of high-frequency amplifier according to third embodiment 第４の実施の形態におけるマイクロ波加熱装置の構造図Structure diagram of microwave heating apparatus in fourth embodiment 第５の実施の形態における排気浄化装置の構造図Structure diagram of exhaust emission control device in fifth embodiment 第５の実施の形態における自動車の説明図Explanatory drawing of the automobile in the fifth embodiment 第５の実施の形態における情報システムの説明図Explanatory drawing of the information system in 5th Embodiment

実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。また、発明を説明するための便宜上、図面の一部は実際よりも誇張されて表されている場合がある。 The form for implementing is demonstrated below. In addition, about the same member etc., the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted. For the convenience of describing the present invention, some of the drawings may be exaggerated from the actual case.

〔第１の実施の形態〕
最初に、窒化物半導体を用いた半導体装置であるＧａＮ−ＨＥＭＴにおいて、動作させた際に温度分布が生じ、半導体装置としての信頼性が低下することについて、図１及び図２に基づき説明する。図１は、この半導体装置を平面視した平面図であり、図２は、図１における一点鎖線１Ａ−１Ｂにおいて切断した断面図である。また、本願において、「平面視」とは、半導体装置において、後述するゲート電極、ソース電極及びドレイン電極が形成されている面に対し、法線方向より見た視野を示すものとする。 [First Embodiment]
First, the GaN-HEMT, which is a semiconductor device using a nitride semiconductor, will be described with reference to FIGS. 1 and 2 for the fact that a temperature distribution is generated when the semiconductor device is operated and the reliability of the semiconductor device is lowered. FIG. 1 is a plan view of the semiconductor device as viewed in plan, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 1A-1B in FIG. In the present application, “plan view” refers to a field of view of a semiconductor device as viewed from the normal direction with respect to a surface on which a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode described later are formed.

この半導体装置は、図２に示されるように、基板９１０の上に、窒化物半導体により形成されたバッファ層９１１、電子走行層９２１、電子供給層９２２が積層して形成されている。基板９１０は、ＳｉＣ等の半導体基板により形成されており、バッファ層９１１は、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ等により形成されている。電子走行層９２１は、ＧａＮ等により形成されており、電子供給層９２２は、ＡｌＧａＮ等により形成されている。これにより、電子走行層９２１において、電子走行層９２１と電子供給層９２２との界面近傍には、２ＤＥＧ９２１ａが生成される。 As shown in FIG. 2, the semiconductor device is formed by stacking a buffer layer 911, an electron transit layer 921, and an electron supply layer 922 made of a nitride semiconductor on a substrate 910. The substrate 910 is formed of a semiconductor substrate such as SiC, and the buffer layer 911 is formed of AlN, AlGaN, GaN, or the like. The electron transit layer 921 is made of GaN or the like, and the electron supply layer 922 is made of AlGaN or the like. As a result, in the electron transit layer 921, 2DEG 921a is generated in the vicinity of the interface between the electron transit layer 921 and the electron supply layer 922.

電子供給層９２２の上には、ゲート電極９３１、ソース電極９３２及びドレイン電極９３３が形成されている。この半導体装置は、図１に示されるように、ゲート電極９３１、ソース電極９３２、ドレイン電極９３３は、櫛歯状の電極構造になっており、ソース電極９３２の櫛歯の間に、ドレイン電極９３３の櫛歯が入り込んでいる。また、ソース電極９３２の櫛歯とドレイン電極９３３の櫛歯との間には、ゲート電極９３１の櫛歯が形成されている。 On the electron supply layer 922, a gate electrode 931, a source electrode 932, and a drain electrode 933 are formed. In this semiconductor device, as shown in FIG. 1, the gate electrode 931, the source electrode 932, and the drain electrode 933 have a comb-like electrode structure, and the drain electrode 933 is between the comb teeth of the source electrode 932. Of the comb teeth. Further, the comb teeth of the gate electrode 931 are formed between the comb teeth of the source electrode 932 and the comb teeth of the drain electrode 933.

ところで、このような構造の半導体装置を動作させた場合には、図３に示されるように、半導体装置の中央部分９５０ａの温度が、周辺部分９５０ｂ、９５０ｃよりも高くなるような温度分布が生じる。具体的には、中央部分９５０ａの温度は、２００℃近い高い温度となり、周辺部分９５０ｂ、９５０ｃに向かって温度が低くなる。これは、半導体装置を動作させると中央部分９５０ａも周辺部分９５０ｂ、９５０ｃも同様に発熱するが、周辺部分９５０ｂ、９５０ｃよりも中央部分９５０ａが放熱されにくいからである。即ち、周辺部分９５０ｂ、９５０ｃが発熱すると、周辺部分９５０ｂ、９５０ｃの周囲の半導体装置の外に向かって放熱されるが、中央部分９５０ａでは、中央部分９５０ａの周囲となる周辺部分９５０ｂ、９５０ｃも発熱しているため放熱されにくい。このため、中央部分９５０ａに熱が溜まり、中央部分９５０ａの温度が高く、周辺部分９５０ｂ、９５０ｃの温度が低くなるような温度分布が生じる。 By the way, when the semiconductor device having such a structure is operated, as shown in FIG. 3, a temperature distribution is generated such that the temperature of the central portion 950a of the semiconductor device is higher than that of the peripheral portions 950b and 950c. . Specifically, the temperature of the central portion 950a is a high temperature close to 200 ° C., and the temperature decreases toward the peripheral portions 950b and 950c. This is because when the semiconductor device is operated, the central portion 950a and the peripheral portions 950b and 950c generate heat similarly, but the central portion 950a is less likely to dissipate heat than the peripheral portions 950b and 950c. That is, when the peripheral portions 950b and 950c generate heat, heat is radiated toward the outside of the semiconductor device around the peripheral portions 950b and 950c. However, in the central portion 950a, the peripheral portions 950b and 950c that surround the central portion 950a also generate heat. Therefore, it is difficult to dissipate heat. Therefore, heat is accumulated in the central portion 950a, and a temperature distribution is generated such that the temperature of the central portion 950a is high and the temperatures of the peripheral portions 950b and 950c are low.

このように、半導体装置において温度分布が生じていると、温度の高い中央部分９５０ａにおいて流れるドレイン電流は、温度の低い周辺部分９５０ｂ、９５０ｃにおいて流れるドレイン電流よりも低くなる。また、半導体装置の温度の高い領域では、電極部分の抵抗が高くなる等の劣化が生じ、半導体装置としての寿命が短くなり、信頼性の低下を招く。このため、半導体装置を動作させた際には、できるだけ温度分布が均一となるものの方が、寿命が長く、信頼性が高い。 As described above, when the temperature distribution is generated in the semiconductor device, the drain current flowing in the central portion 950a having a high temperature is lower than the drain current flowing in the peripheral portions 950b and 950c having a low temperature. Further, in a region where the temperature of the semiconductor device is high, deterioration such as an increase in resistance of the electrode portion occurs, the life as a semiconductor device is shortened, and reliability is lowered. For this reason, when the semiconductor device is operated, a device having a uniform temperature distribution as much as possible has a longer life and higher reliability.

（半導体装置）
次に、第１の実施の形態における半導体装置について図４から図６に基づき説明する。図４は、本実施の形態における半導体装置を平面視した平面図であり、図５は、図４における一点鎖線４Ａ−４Ｂにおいて切断した断面図である。図６は、本実施の形態における半導体装置のゲート電極のゲートフィンガー部の説明図である。 (Semiconductor device)
Next, the semiconductor device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 4 is a plan view of the semiconductor device according to the present embodiment as viewed in plan, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the dashed-dotted line 4A-4B in FIG. FIG. 6 is an explanatory diagram of the gate finger portion of the gate electrode of the semiconductor device according to the present embodiment.

本実施の形態における半導体装置は、窒化物半導体を用いたＧａＮ−ＨＥＭＴであり、図５に示されるように、基板１０の上に、窒化物半導体により形成された不図示の核形成層、バッファ層１１、電子走行層２１、電子供給層２２が積層されている。基板１０は、ＳｉＣ等の半導体基板により形成されており、バッファ層１１は、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ等により形成されている。電子走行層２１は、ＧａＮ等により形成されており、電子供給層２２は、ＡｌＧａＮ等により形成されている。これにより、電子走行層２１において、電子走行層２１と電子供給層２２との界面近傍には、２ＤＥＧ２１ａが生成される。また、図示はしないが、電子走行層２１と電子供給層２２との間には、ｉ−ＡｌＧａＮ等によりスペーサ層を形成してもよく、電子供給層２２の上には、ｎ−ＧａＮ等によりキャップ層を形成してもよい。また、電子供給層２２は、ＩｎＡｌＮ等により形成してもよい。尚、本願においては、電子走行層２１を第１の半導体層と、電子供給層２２を第２の半導体層と記載する場合がある。 The semiconductor device in the present embodiment is a GaN-HEMT using a nitride semiconductor, and as shown in FIG. 5, a nucleation layer (not shown) and buffer formed on the substrate 10 by a nitride semiconductor. The layer 11, the electron transit layer 21, and the electron supply layer 22 are laminated. The substrate 10 is formed of a semiconductor substrate such as SiC, and the buffer layer 11 is formed of AlN, AlGaN, GaN, or the like. The electron transit layer 21 is made of GaN or the like, and the electron supply layer 22 is made of AlGaN or the like. Thereby, in the electron transit layer 21, 2DEG 21 a is generated in the vicinity of the interface between the electron transit layer 21 and the electron supply layer 22. Although not shown, a spacer layer may be formed of i-AlGaN or the like between the electron transit layer 21 and the electron supply layer 22, and the electron supply layer 22 may be formed of n-GaN or the like. A cap layer may be formed. Further, the electron supply layer 22 may be formed of InAlN or the like. In the present application, the electron transit layer 21 may be referred to as a first semiconductor layer, and the electron supply layer 22 may be referred to as a second semiconductor layer.

電子供給層２２の上には、ゲート電極３１、ソース電極３２及びドレイン電極３３が形成されている。具体的には、図４に示されるように、ゲート電極３１、ソース電極３２、ドレイン電極３３は、櫛歯状の電極構造になっており、ソース電極３２の櫛歯の間に、ドレイン電極３３の櫛歯が入り込んでいる。また、ソース電極３２の櫛歯とドレイン電極３３の櫛歯との間に、ゲート電極３１の櫛歯が形成されている。本願においては、ゲート電極３１、ソース電極３２及びドレイン電極３３における櫛歯の部分をフィンガー部、または、櫛歯部と記載し、この櫛歯状の構造をフィンガー構造と記載する場合がある。従って、ゲート電極３１の櫛歯の部分がゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａとなり、ソース電極３２の櫛歯の部分がソース電極３２のソースフィンガー部３２ａとなり、ドレイン電極３３の櫛歯の部分がドレイン電極３３のドレインフィンガー部３３ａとなる。よって、図５の断面図は、各々の電極のフィンガー部における断面図、即ち、ゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａ、ソース電極３２のソースフィンガー部３２ａ、ドレイン電極３３のドレインフィンガー部３３ａにおける断面図である。 On the electron supply layer 22, a gate electrode 31, a source electrode 32, and a drain electrode 33 are formed. Specifically, as shown in FIG. 4, the gate electrode 31, the source electrode 32, and the drain electrode 33 have a comb-like electrode structure, and the drain electrode 33 is interposed between the comb teeth of the source electrode 32. Of the comb teeth. Further, the comb teeth of the gate electrode 31 are formed between the comb teeth of the source electrode 32 and the comb teeth of the drain electrode 33. In this application, the comb-tooth part in the gate electrode 31, the source electrode 32, and the drain electrode 33 may be described as a finger part or a comb-tooth part, and this comb-like structure may be described as a finger structure. Therefore, the comb-tooth portion of the gate electrode 31 becomes the gate finger portion 31a of the gate electrode 31, the comb-tooth portion of the source electrode 32 becomes the source finger portion 32a of the source electrode 32, and the comb-tooth portion of the drain electrode 33 becomes the drain electrode. It becomes the drain finger portion 33 a of the electrode 33. Therefore, the cross-sectional view of FIG. 5 is a cross-sectional view at the finger portion of each electrode, that is, a cross-sectional view at the gate finger portion 31a of the gate electrode 31, the source finger portion 32a of the source electrode 32, and the drain finger portion 33a of the drain electrode 33. It is.

尚、ゲート電極３１は、複数のゲートフィンガー部３１ａとゲート配線部３１ｂにより形成されており、ゲートフィンガー部３１ａの長手方向の一方の端がゲート配線部３１ｂに接続されており、他方の端が先端部となる。また、ソース電極３２は、複数のソースフィンガー部３２ａとソース配線部３２ｂにより形成されており、ソースフィンガー部３２ａの長手方向の一方の端がソース配線部３２ｂに接続されており、他方の端が先端部となる。また、ドレイン電極３３は、ドレインフィンガー部３３ａとドレイン配線部３３ｂにより形成されており、ドレインフィンガー部３３ａの長手方向の一方の端がドレイン配線部３３ｂに接続されており、他方の端が先端部となる。 The gate electrode 31 is formed by a plurality of gate finger portions 31a and a gate wiring portion 31b. One end of the gate finger portion 31a in the longitudinal direction is connected to the gate wiring portion 31b, and the other end is It becomes the tip. The source electrode 32 is formed by a plurality of source finger portions 32a and a source wiring portion 32b. One end of the source finger portion 32a in the longitudinal direction is connected to the source wiring portion 32b, and the other end is It becomes the tip. The drain electrode 33 is formed by a drain finger portion 33a and a drain wiring portion 33b. One end of the drain finger portion 33a in the longitudinal direction is connected to the drain wiring portion 33b, and the other end is a tip portion. It becomes.

本実施の形態は、図６に示すように、ゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａにおけるゲート長Ｌｇが、ゲートフィンガー部３１ａの長手方向の中央部分３１０ａの方が、周辺部分３１０ｂ、３１０ｃよりも広く形成されている。尚、本願においては、ゲートフィンガー部３１ａにおけるゲート長Ｌｇとは、ゲートフィンガー部３１ａの短手方向における幅である。従って、本実施の形態における半導体装置においては、ゲートフィンガー部３１ａの短手方向における幅が、ゲートフィンガー部３１ａの長手方向の中央部分３１０ａの方が、周辺部分３１０ｂ、３１０ｃよりも広く形成されている。 In the present embodiment, as shown in FIG. 6, the gate length Lg of the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 is wider at the central portion 310a in the longitudinal direction of the gate finger portion 31a than at the peripheral portions 310b and 310c. Is formed. In addition, in this application, the gate length Lg in the gate finger part 31a is the width | variety in the transversal direction of the gate finger part 31a. Therefore, in the semiconductor device according to the present embodiment, the width of the gate finger portion 31a in the short direction is formed so that the central portion 310a in the longitudinal direction of the gate finger portion 31a is wider than the peripheral portions 310b and 310c. Yes.

図７に示すように、半導体装置においては、ゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａにおけるゲート長Ｌｇが広くなるとドレイン電流Ｉｄは低下し、ゲート長Ｌｇが狭くなるとドレイン電流Ｉｄは増加する。従って、本実施の形態では、中央部分３１０ａにおけるゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａのゲート長Ｌｇ１ａを、周辺部分３１０ｂ、３１０ｃにおけるゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａのゲート長Ｌｇ１ｂ、Ｌｇ１ｃよりも広くしている。これにより、周辺部分３１０ｂ、３１０ｃよりも放熱されにくい中央部分３１０ａに流れるドレイン電流Ｉｄを減らし、発熱を減らすことにより、中央部分３１０ａにおける温度の上昇を抑制することができる。 As shown in FIG. 7, in the semiconductor device, the drain current Id decreases as the gate length Lg in the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 increases, and the drain current Id increases as the gate length Lg decreases. Therefore, in the present embodiment, the gate length Lg1a of the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 in the central portion 310a is made wider than the gate lengths Lg1b and Lg1c of the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 in the peripheral portions 310b and 310c. ing. As a result, the drain current Id flowing through the central portion 310a that is less likely to dissipate heat than the peripheral portions 310b and 310c is reduced, and heat generation is reduced, thereby suppressing an increase in temperature at the central portion 310a.

具体的には、図１に示す構造の半導体装置では、図８（ａ）に示すように、ゲート電極９３１のフィンガー部におけるゲート長Ｌｇは一定である。このため、中央部分９３１ａにおいて流れるドレイン電流Ｉｄも、周辺部分９５０ｂ、９５０ｃにおいて流れるドレイン電流Ｉｄも略同じであり、図８（ｂ）に示すように、放熱されにくい中央部分９５０ａの温度が、周辺部分９５０ｂ、９５０ｃよりも高くなる。これに対し、本実施の形態における半導体装置では、図９（ａ）に示すように、ゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａにおけるゲート長Ｌｇは、中央部分３１０ａが周辺部分３１０ｂ、３１０ｃよりも広く形成されている。これにより、周辺部分３１０ｂ、３１０ｃよりも中央部分３１０ａを流れるドレイン電流Ｉｄを減らすことができ、流れるドレイン電流Ｉｄが減ると発熱も減るため、放熱されにくい中央部分３１０ａにおける温度上昇を抑制することができる。これにより、図９（ｂ）に示すように、ゲートフィンガー部３１ａの中央部分３１０ａの温度と周辺部分３１０ｂ、３１０ｃの温度とを略均一にすることができ、半導体装置の信頼性を高めることができる。尚、ゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａにおけるゲート長Ｌｇは、例えば、０．１μｍ以上であれば、ゲートしきい値電圧等には殆ど影響がない。 Specifically, in the semiconductor device having the structure shown in FIG. 1, as shown in FIG. 8A, the gate length Lg in the finger portion of the gate electrode 931 is constant. For this reason, the drain current Id flowing in the central portion 931a and the drain current Id flowing in the peripheral portions 950b and 950c are substantially the same. As shown in FIG. It becomes higher than the parts 950b and 950c. On the other hand, in the semiconductor device according to the present embodiment, as shown in FIG. 9A, the gate length Lg of the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 is formed so that the central portion 310a is wider than the peripheral portions 310b and 310c. Has been. As a result, the drain current Id flowing through the central portion 310a can be reduced more than the peripheral portions 310b and 310c, and heat generation is reduced when the flowing drain current Id is reduced. it can. As a result, as shown in FIG. 9B, the temperature of the central portion 310a of the gate finger portion 31a and the temperature of the peripheral portions 310b and 310c can be made substantially uniform, and the reliability of the semiconductor device can be improved. it can. In addition, if the gate length Lg in the gate finger part 31a of the gate electrode 31 is 0.1 μm or more, for example, the gate threshold voltage or the like is hardly affected.

本実施の形態における半導体装置においては、ゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａの中央部分３１０ａにおけるゲート長Ｌｇ１ａは０．６μｍ、周辺部分３１０ｂ、３１０ｃにおけるゲート長Ｌｇ１ｂは０．５μｍとなるように形成されている。これは、ゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａの中央部分におけるゲート長と、周辺部分におけるゲート長が略同じである場合、発熱した際の温度差は２０％程度であることによる。ドレイン電流Ｉｄと発熱量は比例し、ドレイン電流Ｉｄは、ゲート電極のフィンガー部におけるゲート長Ｌｇに反比例する。このように、高温となるゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａの中央部分３１０ａにおけるゲート長Ｌｇ１ａを周辺部分３１０ｂ、３１０ｃにおけるゲート長Ｌｇ１ｂ、Ｌｇ１ｃの２０％程度広くすることにより、温度分布を略均一にすることができる。 In the semiconductor device according to the present embodiment, the gate length Lg1a in the central portion 310a of the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 is 0.6 μm, and the gate length Lg1b in the peripheral portions 310b and 310c is 0.5 μm. ing. This is because when the gate length in the central portion of the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 and the gate length in the peripheral portion are substantially the same, the temperature difference when heat is generated is about 20%. The drain current Id is proportional to the amount of heat generation, and the drain current Id is inversely proportional to the gate length Lg at the finger portion of the gate electrode. As described above, the gate length Lg1a in the central portion 310a of the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 that becomes high temperature is increased by about 20% of the gate lengths Lg1b and Lg1c in the peripheral portions 310b and 310c, thereby making the temperature distribution substantially uniform. can do.

本実施の形態においては、図６に示すように、ゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａのゲート長Ｌｇは、中央部分３１０ａから周辺部分３１０ｂ、３１０ｃに向かって徐々に狭くなっている。即ち、ゲートフィンガー部３１ａの平面視した形状は、中央部分３１０ａがソースフィンガー部３２ａ及びドレインフィンガー部３３ａ側に向かって凸となり、周辺部分３１０ｂ、３１０ｃに近づくにつれて徐々にゲート長Ｌｇが狭くなる曲線形状になっている。 In the present embodiment, as shown in FIG. 6, the gate length Lg of the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 gradually decreases from the central portion 310a toward the peripheral portions 310b and 310c. That is, the shape of the gate finger portion 31a in a plan view is such that the central portion 310a is convex toward the source finger portion 32a and the drain finger portion 33a, and the gate length Lg gradually decreases as the peripheral portions 310b and 310c are approached. It has a shape.

尚、本実施の形態における半導体装置は、図４に示されるように、ゲートフィンガー部３１ａの長手方向の長さＬｆは約４００μｍ、ソースフィンガー部３２ａの幅Ｗｓｆは約８０μｍ、ドレインフィンガー部３３ａの幅Ｗｄｆは約３０μｍである。また、ゲートフィンガー部３１ａとソースフィンガー部３２ａの間隔Ｄｇｓは約２μｍ、ゲートフィンガー部３１ａとドレインフィンガー部３３ａの間隔Ｄｇｄは約５μｍである。また、半導体装置において、温度分布は完全に均一でなくとも略均一であれば所望の効果を得ることができる。発明者の知見によれば、ゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａの中央部分３１０ａにおけるゲート長Ｌｇ１ａは、周辺部分３１０ｂ、３１０ｃにおけるゲート長Ｌｇ１ｂ及びＬｇ１ｃの１０％以上、３０％以下が好ましい。この範囲であれば、半導体装置における温度分布を略均一にすることができるからである。 In the semiconductor device of the present embodiment, as shown in FIG. 4, the longitudinal length Lf of the gate finger portion 31a is about 400 μm, the width Wsf of the source finger portion 32a is about 80 μm, and the drain finger portion 33a The width Wdf is about 30 μm. The distance Dgs between the gate finger part 31a and the source finger part 32a is about 2 μm, and the distance Dgd between the gate finger part 31a and the drain finger part 33a is about 5 μm. Further, in the semiconductor device, a desired effect can be obtained if the temperature distribution is not completely uniform but is substantially uniform. According to the knowledge of the inventors, the gate length Lg1a in the central portion 310a of the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 is preferably 10% or more and 30% or less of the gate lengths Lg1b and Lg1c in the peripheral portions 310b and 310c. This is because within this range, the temperature distribution in the semiconductor device can be made substantially uniform.

また、ドレイン電流Ｉｄを変える方法としては、ゲート電極が形成される領域のゲートリセスの深さを変える方法も考えられる。しかしながら、この方法では、ゲート電極のフィンガー部の伸びる方向においてゲートリセスの深さを変えるため、複数回のエッチングを行う必要があり、製造工程が増え、また、ゲートリセスの深さを高い精度で形成する必要があり、製造が困難である。本実施の形態における半導体装置は、ゲート電極のゲートフィンガー部を所望の形状で形成すればよいため、容易に、低コストで製造することができる。 Further, as a method of changing the drain current Id, a method of changing the depth of the gate recess in the region where the gate electrode is formed can be considered. However, in this method, since the depth of the gate recess is changed in the direction in which the finger portion of the gate electrode extends, it is necessary to perform etching a plurality of times, increasing the number of manufacturing steps, and forming the depth of the gate recess with high accuracy. It is necessary and difficult to manufacture. The semiconductor device in this embodiment mode can be easily manufactured at low cost because the gate finger portion of the gate electrode is formed in a desired shape.

（半導体装置の製造方法）
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について、図１０から図１７に基づき説明する。尚、基板１０の上に形成される窒化物半導体は、ＭＯＶＰＥ（Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy）によるエピタキシャル成長により形成されている。窒化物半導体をＭＯＶＰＥにより成長する際には、Ａｌの原料ガスにはＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）が用いられ、Ｇａの原料ガスにはＴＭＧ（トリメチルガリウム）が用いられ、Ｎの原料ガスにはＮＨ_３（アンモニア）が用いられる。 (Method for manufacturing semiconductor device)
Next, a method for manufacturing a semiconductor device in the present embodiment will be described with reference to FIGS. The nitride semiconductor formed on the substrate 10 is formed by epitaxial growth by MOVPE (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy). When growing a nitride semiconductor by MOVPE, TMA (trimethylaluminum) is used as the Al source gas, TMG (trimethylgallium) is used as the Ga source gas, and NH ₃ is used as the N source gas. (Ammonia) is used.

最初に、図１０及び図１１に示すように、基板１０の上に、ＭＯＶＰＥにより、不図示の核形成層、バッファ層１１、電子走行層２１、電子供給層２２を順次積層して形成し、更に、素子分離領域２５を形成する。尚、図１０及び図１１は、この工程における断面図であり、図１０は、図４における一点鎖線４Ａ−４Ｂに対応する部分の断面図であり、図１１は、図４における一点鎖線４Ｃ−４Ｄに対応する部分の断面図である。 First, as shown in FIGS. 10 and 11, a nucleation layer (not shown), a buffer layer 11, an electron transit layer 21, and an electron supply layer 22 are sequentially stacked on the substrate 10 by MOVPE. Further, an element isolation region 25 is formed. 10 and 11 are cross-sectional views in this step, FIG. 10 is a cross-sectional view of a portion corresponding to the one-dot chain line 4A-4B in FIG. 4, and FIG. 11 is a one-dot chain line 4C- in FIG. It is sectional drawing of the part corresponding to 4D.

基板１０には、ＳｉＣ基板が用いられており、不図示の核形成層は、膜厚が１ｎｍから３００ｎｍ、例えば、約１６０ｎｍのＡｌＮ膜により形成されている。バッファ層１１は、膜厚が１ｎｍから１０００ｎｍ、例えば、約６００ｎｍのＡｌＧａＮ膜により形成されている。電子走行層２１は、膜厚が約３．０μｍのｉ−ＧａＮ膜により形成されている。電子供給層２２は、膜厚が約３０ｎｍのｎ−ＡｌＧａＮにより形成されており、ｎ型となる不純物元素としてＳｉが、不純物濃度が５×１０^１８ｃｍ^−３となるようにドープされている。これにより、電子走行層２１と電子供給層２２との界面近傍における電子走行層２１には、２ＤＥＧ２１ａが生成される。尚、図示はしないが、電子走行層２１と電子供給層２２との間には、膜厚が約５ｎｍのｉ−ＡｌＧａＮによりスペーサ層を形成してもよく、電子供給層２２の上には、膜厚が約１０ｎｍのｎ−ＧａＮによりキャップ層を形成してもよい。キャップ層にはｎ型となる不純物元素としてＳｉが、不純物濃度が約５×１０^１８ｃｍ^−３となるようにドープされている。 The substrate 10 is a SiC substrate, and a nucleation layer (not shown) is formed of an AlN film having a thickness of 1 nm to 300 nm, for example, about 160 nm. The buffer layer 11 is formed of an AlGaN film having a thickness of 1 nm to 1000 nm, for example, about 600 nm. The electron transit layer 21 is formed of an i-GaN film having a thickness of about 3.0 μm. The electron supply layer 22 is formed of n-AlGaN having a film thickness of about 30 nm, and Si is doped so as to have an impurity concentration of 5 × 10 ¹⁸ cm ⁻³ as an n-type impurity element. As a result, 2DEG 21 a is generated in the electron transit layer 21 in the vicinity of the interface between the electron transit layer 21 and the electron supply layer 22. Although not shown, a spacer layer may be formed of i-AlGaN having a film thickness of about 5 nm between the electron transit layer 21 and the electron supply layer 22. The cap layer may be formed of n-GaN having a thickness of about 10 nm. The cap layer is doped with Si as an n-type impurity element so that the impurity concentration is about 5 × 10 ¹⁸ cm ⁻³ .

この後、電子供給層２２の上にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、素子分離領域２５が形成される領域に開口を有する不図示のレジストパターンを形成した後、Ａｒのイオン注入を行う。このように、電子供給層２２及び電子走行層２１の一部の深さまでアルゴン（Ａｒ）等のイオンをイオン注入し、半絶縁化させて不活性領域を形成することにより、素子分離領域２５を形成する。この後、不図示のレジストパターンは有機溶剤等により除去される。 Thereafter, after applying a photoresist on the electron supply layer 22 and performing exposure and development by an exposure apparatus, a resist pattern (not shown) having an opening in a region where the element isolation region 25 is formed is formed. Ar ion implantation is performed. In this manner, ions such as argon (Ar) are ion-implanted to a partial depth of the electron supply layer 22 and the electron transit layer 21 to form a non-insulating region by semi-insulating the element isolation region 25. Form. Thereafter, the resist pattern (not shown) is removed with an organic solvent or the like.

次に、図１２及び図１３に示すように、電子供給層２２等の上に、ゲート電極３１、ソース電極３２及びドレイン電極３３を形成する。尚、図１２及び図１３は、この工程における断面図であり、図１２は、図４における一点鎖線４Ａ−４Ｂに対応する部分の断面図であり、図１３は、図４における一点鎖線４Ｃ−４Ｄに対応する部分の断面図である。 Next, as shown in FIGS. 12 and 13, a gate electrode 31, a source electrode 32, and a drain electrode 33 are formed on the electron supply layer 22 and the like. 12 and 13 are cross-sectional views in this step, FIG. 12 is a cross-sectional view of a portion corresponding to the one-dot chain line 4A-4B in FIG. 4, and FIG. 13 is one-dot chain line 4C- in FIG. It is sectional drawing of the part corresponding to 4D.

具体的には、電子供給層２２の表面に塗布し、露光装置による露光、現像を行なうことにより、ソース電極３２、ドレイン電極３３が形成される領域に開口を有する不図示のレジストパターンを形成する。この後、真空蒸着によりＴｉ／Ａｌからなる金属積層膜を成膜し、有機溶剤等に浸漬させることにより、レジストパターンの上に成膜された金属積層膜をレジストパターンとともにリフトオフにより除去する。これにより、残存する金属積層膜によりソース電極３２及びドレイン電極３３が形成される。この際成膜されるＴｉ／Ａｌからなる金属積層膜は、Ｔｉ膜が約１００ｎｍ、Ａｌ膜が約３００ｎｍを積層形成したものである。この後、約６００℃の温度でＲＴＡ（Rapid thermal anneal）を行なうことにより、ソース電極３２及びドレイン電極３３をオーミックコンタクトさせる。 Specifically, a resist pattern (not shown) having openings in regions where the source electrode 32 and the drain electrode 33 are formed is formed by applying to the surface of the electron supply layer 22 and performing exposure and development with an exposure apparatus. . Thereafter, a metal laminated film made of Ti / Al is formed by vacuum deposition, and immersed in an organic solvent or the like, thereby removing the metal laminated film formed on the resist pattern together with the resist pattern by lift-off. Thereby, the source electrode 32 and the drain electrode 33 are formed by the remaining metal laminated film. In this case, the Ti / Al metal laminated film formed is formed by laminating a Ti film of about 100 nm and an Al film of about 300 nm. Thereafter, RTA (Rapid Thermal Anneal) is performed at a temperature of about 600 ° C. to make ohmic contact between the source electrode 32 and the drain electrode 33.

この後、電子供給層２２等の上に、フォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行なうことにより、ゲート電極３１が形成される領域に開口部を有する不図示のレジストパターンを形成する。この後、真空蒸着によりＮｉ／Ａｕからなる金属積層膜を成膜した後、有機溶剤等に浸漬させることにより、レジストパターンの上に成膜された金属積層膜をレジストパターンとともにリフトオフにより除去する。これにより、残存する金属積層膜によりゲート電極３１が形成される。この際成膜されるＮｉ／Ａｕからなる金属積層膜は、Ｎｉ膜が約５０ｎｍ、Ａｕ膜が約３００ｎｍを積層形成したものである。 Thereafter, a photoresist is applied on the electron supply layer 22 and the like, and exposure and development are performed by an exposure apparatus, thereby forming a resist pattern (not shown) having an opening in a region where the gate electrode 31 is formed. . Thereafter, a metal laminated film made of Ni / Au is formed by vacuum deposition, and then immersed in an organic solvent or the like, thereby removing the metal laminated film formed on the resist pattern by lift-off together with the resist pattern. Thereby, the gate electrode 31 is formed by the remaining metal laminated film. The metal laminated film made of Ni / Au formed at this time is formed by laminating a Ni film of about 50 nm and an Au film of about 300 nm.

次に、図１４及び図１５に示すように、電子供給層２２、ゲート電極３１、ソース電極３２、ドレイン電極３３の上に、絶縁層４０を形成する。具体的には、電子供給層２２、ゲート電極３１、ソース電極３２、ドレイン電極３３の上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により、厚さ約１００ｎｍのＳｉＮ（窒化シリコン）を成膜することにより絶縁層４０を形成する。絶縁層４０としては、ＳｉＮ以外にはＳｉＯ_２（酸化シリコン）を用いてもよい。尚、図１４及び図１５は、この工程における断面図であり、図１４は、図４における一点鎖線４Ａ−４Ｂに対応する部分の断面図であり、図１５は、図４における一点鎖線４Ｃ−４Ｄに対応する部分の断面図である。 Next, as shown in FIGS. 14 and 15, the insulating layer 40 is formed on the electron supply layer 22, the gate electrode 31, the source electrode 32, and the drain electrode 33. Specifically, an insulating layer is formed by depositing SiN (silicon nitride) having a thickness of about 100 nm on the electron supply layer 22, the gate electrode 31, the source electrode 32, and the drain electrode 33 by CVD (Chemical Vapor Deposition). Layer 40 is formed. As the insulating layer 40, SiO ₂ (silicon oxide) may be used in addition to SiN. 14 and 15 are cross-sectional views in this step, FIG. 14 is a cross-sectional view of a portion corresponding to the dashed-dotted line 4A-4B in FIG. 4, and FIG. 15 is a dashed-dotted line 4C- in FIG. It is sectional drawing of the part corresponding to 4D.

次に、図１６及び図１７に示すように、ゲート電極３１の一部、ソース電極３２及びドレイン電極３３の上に、ゲート配線層３１ｃ、ソース配線層３２ｃ、ドレイン配線層３３ｃを形成する。尚、図１６及び図１７は、この工程における断面図であり、図１６は、図４における一点鎖線４Ａ−４Ｂに対応する部分の断面図であり、図１７は、図４における一点鎖線４Ｃ−４Ｄに対応する部分の断面図である。 Next, as shown in FIGS. 16 and 17, a gate wiring layer 31c, a source wiring layer 32c, and a drain wiring layer 33c are formed on a part of the gate electrode 31, the source electrode 32, and the drain electrode 33. 16 and 17 are cross-sectional views in this step, FIG. 16 is a cross-sectional view of a portion corresponding to the dashed-dotted line 4A-4B in FIG. 4, and FIG. 17 is a dashed-dotted line 4C- in FIG. It is sectional drawing of the part corresponding to 4D.

具体的には、絶縁層４０の上に、フォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行なうことにより、ゲート配線層３１ｃ、ソース配線層３２ｃ、ドレイン配線層３３ｃが形成される領域に、開口部を有する不図示のレジストパターンを形成する。この後、エッチングガスとしてＣＦ_４を用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等のドライエッチングを行う。これにより、レジストパターンの形成されていない領域における絶縁層４０をゲート電極３１、ソース電極３２及びドレイン電極３３の表面が露出するまで除去する。この後、不図示のレジストパターンを有機溶剤等により除去し、絶縁層４０の開口部が形成されているゲート電極３１、ソース電極３２、ドレイン電極３３の上に、Ａｕメッキにより、ゲート配線層３１ｃ、ソース配線層３２ｃ、ドレイン配線層３３ｃを形成する。 Specifically, a photoresist is applied on the insulating layer 40, and exposure and development are performed by an exposure apparatus, whereby a region where the gate wiring layer 31c, the source wiring layer 32c, and the drain wiring layer 33c are formed is formed. A resist pattern (not shown) having an opening is formed. Thereafter, dry etching such as RIE (Reactive Ion Etching) using CF ₄ as an etching gas is performed. Thereby, the insulating layer 40 in the region where the resist pattern is not formed is removed until the surfaces of the gate electrode 31, the source electrode 32, and the drain electrode 33 are exposed. Thereafter, the resist pattern (not shown) is removed with an organic solvent or the like, and the gate wiring layer 31c is formed on the gate electrode 31, the source electrode 32, and the drain electrode 33 in which the openings of the insulating layer 40 are formed by Au plating. Then, the source wiring layer 32c and the drain wiring layer 33c are formed.

本実施の形態においては、一例として窒化物半導体を用いた半導体装置の場合について説明したが、ＧａＡｓ等の化合物半導体を用いた半導体装置や、Ｓｉを用いた半導体装置についても適用可能である。尚、窒化物半導体を用いた半導体装置の場合、高電圧で大電流が流れるため高温になりやすいため、本実施の形態を適用した場合に、特に顕著な効果を得ることができるものと考えられる。 In this embodiment, the case of a semiconductor device using a nitride semiconductor has been described as an example. However, the present invention can also be applied to a semiconductor device using a compound semiconductor such as GaAs or a semiconductor device using Si. Note that in the case of a semiconductor device using a nitride semiconductor, a large current flows at a high voltage and the temperature tends to be high. Therefore, it is considered that a particularly remarkable effect can be obtained when this embodiment is applied. .

尚、上記においては、ゲート電極３１の中央部分３１０ａが最も高温になる場合について説明した。しかしながら、図１８（ａ）に示すように、ゲート電極９３１のゲートフィンガー部の中央部分９５０ａよりも、ゲート電極９３１のゲートフィンガー部の先端部となる周辺部分９５０ｃ側に近い部分が最も高温となる場合がある。この場合には、図１８（ｂ）及び図１９に示されるように、ゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａの先端部となる周辺部分３１０ｃ側に近い部分３１０ｄのゲート長Ｌｇが最も広くなり、周辺部分３１０ｂ、３１０ｂに向かって徐々に狭くなるように形成する。これにより、図１８（ｃ）に示すように、ゲート電極３１のゲートフィンガー部３１ａにおける温度分布を均一にすることができる。 In the above description, the case where the central portion 310a of the gate electrode 31 has the highest temperature has been described. However, as shown in FIG. 18A, the portion closer to the peripheral portion 950c side, which is the tip of the gate finger portion of the gate electrode 931, is hotter than the central portion 950a of the gate finger portion of the gate electrode 931. There is a case. In this case, as shown in FIG. 18B and FIG. 19, the gate length Lg of the portion 310d close to the peripheral portion 310c side, which is the tip of the gate finger portion 31a of the gate electrode 31, is the largest, It forms so that it may become narrow gradually toward the parts 310b and 310b. Thereby, as shown in FIG.18 (c), the temperature distribution in the gate finger part 31a of the gate electrode 31 can be made uniform.

また、本実施の形態における半導体装置は、図２０に示されるように、ゲート電極３１におけるゲートフィンガー部３１ａとドレイン電極３３のドレインフィンガー部３３ａとの間隔Ｄｇｄが一定となるように形成したものであってもよい。尚、ゲート電極３１におけるゲートフィンガー部３１ａの中央部分３１０ａは、ソース電極３２のソースフィンガー部３２ａ側に向かって凸となるように形成される。半導体装置における耐圧は、ゲート電極３１におけるゲートフィンガー部３１ａとドレイン電極３３のドレインフィンガー部３３ａとの間隔Ｄｇｄが狭くなると低くなる。これは、ドレイン電極３３には、高い電圧が印加されるため、ゲート電極３１とドレイン電極３３との間の電位差が大きいからである。このため、ゲート電極３１におけるゲートフィンガー部３１ａとドレイン電極３３のドレインフィンガー部３３ａとの間隔Ｄｇｄを一定にすることにより、所望の耐圧を確保している。 Further, as shown in FIG. 20, the semiconductor device according to the present embodiment is formed such that the distance Dgd between the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 and the drain finger portion 33a of the drain electrode 33 is constant. There may be. In addition, the center part 310a of the gate finger part 31a in the gate electrode 31 is formed so as to protrude toward the source finger part 32a side of the source electrode 32. The breakdown voltage in the semiconductor device decreases as the distance Dgd between the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 and the drain finger portion 33a of the drain electrode 33 decreases. This is because a high voltage is applied to the drain electrode 33, so that the potential difference between the gate electrode 31 and the drain electrode 33 is large. For this reason, a desired breakdown voltage is ensured by keeping the distance Dgd between the gate finger portion 31 a of the gate electrode 31 and the drain finger portion 33 a of the drain electrode 33 constant.

更に、ゲート電極３１とソース電極３２との間の電位差は、あまり大きくはないものの、ゲート電極３１におけるゲートフィンガー部３１ａとソース電極３２のソースフィンガー部３２ａとの間の耐圧を考慮した構造のものであってもよい。具体的には、図２１に示されるように、更に、ゲート電極３１におけるゲートフィンガー部３１ａとソース電極３２のソースフィンガー部３２ａとの間隔Ｄｇｓが一定となるように形成したものであってもよい。この場合には、例えば、ゲートフィンガー部３１ａは、中央部分３１０ａにおいてゲート長Ｌｇが広く、周辺部分３１０ｂ、３１０ｃに向かって狭くなるように形成される。ドレインフィンガー部３３ａのゲートフィンガー部３１ａ側は、ゲートフィンガー部３１ａとドレインフィンガー部３３ａとの間隔Ｄｇｄが一定となるように、ゲートフィンガー部３１ａの凸の形状に対応した凹の形状となるように形成される。また、ソースフィンガー部３２ａのゲートフィンガー部３１ａ側は、ゲートフィンガー部３１ａとソースフィンガー部３２ａとの間隔Ｄｇｓが一定となるように、ゲートフィンガー部３１ａの凸の形状に対応した凹の形状となるように形成される。 Further, although the potential difference between the gate electrode 31 and the source electrode 32 is not so large, a structure in which the breakdown voltage between the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 and the source finger portion 32a of the source electrode 32 is taken into consideration. It may be. Specifically, as shown in FIG. 21, the gate electrode 31 may be formed such that the distance Dgs between the gate finger portion 31a of the gate electrode 31 and the source finger portion 32a of the source electrode 32 is constant. . In this case, for example, the gate finger portion 31a is formed so that the gate length Lg is wide at the central portion 310a and narrows toward the peripheral portions 310b and 310c. The gate finger portion 31a side of the drain finger portion 33a has a concave shape corresponding to the convex shape of the gate finger portion 31a so that the distance Dgd between the gate finger portion 31a and the drain finger portion 33a is constant. It is formed. Further, the gate finger portion 31a side of the source finger portion 32a has a concave shape corresponding to the convex shape of the gate finger portion 31a so that the distance Dgs between the gate finger portion 31a and the source finger portion 32a is constant. Formed as follows.

〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、図２２に示されるように、ゲート電極３１のゲートフィンガー部１３１ａにおけるゲート長Ｌｇが、中央部分３１１ａから周辺部分３１１ｂ、３１１ｃに向かって、段階的に狭くなっている構造のものである。このように、ゲート長Ｌｇが段階的に変化していても、ゲート電極３１のゲートフィンガー部１３１ａにおける温度分布を略均一にすることができる。図２３は、ゲート電極３１のゲートフィンガー部１３１ａにおける位置とゲート長Ｌｇとの関係を示す。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described. In the present embodiment, as shown in FIG. 22, the gate length Lg of the gate finger portion 131a of the gate electrode 31 is gradually reduced from the central portion 311a toward the peripheral portions 311b and 311c. Is. Thus, even if the gate length Lg changes stepwise, the temperature distribution in the gate finger portion 131a of the gate electrode 31 can be made substantially uniform. FIG. 23 shows the relationship between the position of the gate electrode 31 in the gate finger portion 131a and the gate length Lg.

具体的には、ゲート電極３１のゲートフィンガー部１３１ａにおける中央部分３１１ａのゲート長Ｌｇ２ａは約０．６μｍとなるように形成されており、中央部分３１１ａの長手方向における長さＬｆ２ａは約１００μｍとなるように形成されている。ゲート電極３１のゲートフィンガー部１３１ａにおける周辺部分３１１ｂ及び３１１ｃのゲート長Ｌｇ２ｂは約０．５μｍとなるように形成されている。また、この周辺部分３１１ｂ及び３１１ｃの長手方向における長さＬｆ２ｂ及びＬｆ２ｃは約７５μｍとなるように形成されている。ゲート電極３１のゲートフィンガー部１３１ａにおける中央部分３１１ａと周辺部分３１１ｂ及び３１１ｃとの間の中間部分３１１ｄ及び３１１ｅにおけるゲート長Ｌｇ２ｃは約０．５５μｍとなるように形成されている。また、この中間部分３１１ｄ及び３１１ｅの長手方向における長さＬｆ２ｄ及びＬｆ２ｅは約７５μｍとなるように形成されている。 Specifically, the gate length Lg2a of the central portion 311a in the gate finger portion 131a of the gate electrode 31 is formed to be about 0.6 μm, and the length Lf2a in the longitudinal direction of the central portion 311a is about 100 μm. It is formed as follows. The gate length Lg2b of the peripheral portions 311b and 311c in the gate finger portion 131a of the gate electrode 31 is formed to be about 0.5 μm. Further, the lengths Lf2b and Lf2c in the longitudinal direction of the peripheral portions 311b and 311c are formed to be about 75 μm. The gate length Lg2c in the intermediate portions 311d and 311e between the central portion 311a and the peripheral portions 311b and 311c in the gate finger portion 131a of the gate electrode 31 is formed to be about 0.55 μm. Further, the lengths Lf2d and Lf2e in the longitudinal direction of the intermediate portions 311d and 311e are formed to be about 75 μm.

尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。 The contents other than the above are the same as in the first embodiment.

〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、半導体デバイス、電源装置及び高周波増幅器である。 [Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described. The present embodiment is a semiconductor device, a power supply device, and a high-frequency amplifier.

本実施の形態における半導体デバイスは、第１又は第２の実施の形態におけるいずれかの半導体装置をディスクリートパッケージしたものであり、このようにディスクリートパッケージされた半導体デバイスについて、図２４に基づき説明する。尚、図２４は、ディスクリートパッケージされた半導体装置の内部を模式的に示すものであり、電極の配置等については、第１又は第２の実施の形態に示されているものとは、異なっている。 The semiconductor device in the present embodiment is a discrete package of any of the semiconductor devices in the first or second embodiment. The semiconductor device thus discretely packaged will be described with reference to FIG. FIG. 24 schematically shows the inside of a discrete packaged semiconductor device. The arrangement of electrodes and the like are different from those shown in the first or second embodiment. Yes.

最初に、第１又は第２の実施の形態において製造された半導体装置をダイシング等により切断することにより、ＧａＮ系の半導体材料のＨＥＭＴの半導体チップ４１０を形成する。この半導体チップ４１０をリードフレーム４２０上に、ハンダ等のダイアタッチ剤４３０により固定する。尚、この半導体チップ４１０は、第１又は第２の実施の形態における半導体装置に相当するものである。 First, the semiconductor device manufactured in the first or second embodiment is cut by dicing or the like to form a HEMT semiconductor chip 410 made of a GaN-based semiconductor material. The semiconductor chip 410 is fixed on the lead frame 420 with a die attach agent 430 such as solder. The semiconductor chip 410 corresponds to the semiconductor device in the first or second embodiment.

次に、ゲート電極４１１をゲートリード４２１にボンディングワイヤ４３１により接続し、ソース電極４１２をソースリード４２２にボンディングワイヤ４３２により接続し、ドレイン電極４１３をドレインリード４２３にボンディングワイヤ４３３により接続する。尚、ボンディングワイヤ４３１、４３２、４３３はＡｌ等の金属材料により形成されている。また、本実施の形態においては、ゲート電極４１１はゲート電極パッドであり、第１又は第２の実施の形態における半導体装置のゲート電極３１と接続されている。また、ソース電極４１２はソース電極パッドであり、第１又は第２の実施の形態における半導体装置のソース電極３２と接続されている。また、ドレイン電極４１３はドレイン電極パッドであり、第１又は第２の実施の形態における半導体装置のドレイン電極３３と接続されている。 Next, the gate electrode 411 is connected to the gate lead 421 by a bonding wire 431, the source electrode 412 is connected to the source lead 422 by a bonding wire 432, and the drain electrode 413 is connected to the drain lead 423 by a bonding wire 433. The bonding wires 431, 432, and 433 are made of a metal material such as Al. In the present embodiment, the gate electrode 411 is a gate electrode pad, and is connected to the gate electrode 31 of the semiconductor device in the first or second embodiment. The source electrode 412 is a source electrode pad, and is connected to the source electrode 32 of the semiconductor device in the first or second embodiment. The drain electrode 413 is a drain electrode pad, and is connected to the drain electrode 33 of the semiconductor device in the first or second embodiment.

次に、トランスファーモールド法によりモールド樹脂４４０による樹脂封止を行なう。このようにして、ＧａＮ系の半導体材料を用いたＨＥＭＴのディスクリートパッケージされている半導体デバイスを作製することができる。 Next, resin sealing with a mold resin 440 is performed by a transfer molding method. In this way, a HEMT discrete packaged semiconductor device using a GaN-based semiconductor material can be manufactured.

次に、本実施の形態における電源装置及び高周波増幅器について説明する。本実施の形態における電源装置及び高周波増幅器は、第１又は第２の実施の形態におけるいずれかの半導体装置を用いた電源装置及び高周波増幅器である。 Next, a power supply device and a high frequency amplifier in the present embodiment will be described. The power supply device and the high-frequency amplifier in the present embodiment are a power supply device and a high-frequency amplifier that use any one of the semiconductor devices in the first or second embodiment.

最初に、図２５に基づき、本実施の形態における電源装置について説明する。本実施の形態における電源装置４６０は、高圧の一次側回路４６１、低圧の二次側回路４６２及び一次側回路４６１と二次側回路４６２との間に配設されるトランス４６３を備えている。一次側回路４６１は、交流電源４６４、いわゆるブリッジ整流回路４６５、複数のスイッチング素子（図２５に示す例では４つ）４６６及び一つのスイッチング素子４６７等を備えている。二次側回路４６２は、複数のスイッチング素子（図２５に示す例では３つ）４６８を備えている。図２５に示す例では、第１又は第２の実施の形態における半導体装置を一次側回路４６１のスイッチング素子４６６及び４６７として用いられている。尚、一次側回路４６１のスイッチング素子４６６及び４６７は、ノーマリーオフの半導体装置であることが好ましい。また、二次側回路４６２において用いられているスイッチング素子４６８はシリコンにより形成される通常のＭＩＳＦＥＴ（metal insulator semiconductor field effect transistor）を用いている。 First, the power supply device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. The power supply device 460 in this embodiment includes a high-voltage primary circuit 461, a low-voltage secondary circuit 462, and a transformer 463 disposed between the primary circuit 461 and the secondary circuit 462. The primary circuit 461 includes an AC power supply 464, a so-called bridge rectifier circuit 465, a plurality of switching elements (four in the example shown in FIG. 25) 466, a switching element 467, and the like. The secondary side circuit 462 includes a plurality of switching elements (three in the example shown in FIG. 25) 468. In the example shown in FIG. 25, the semiconductor device in the first or second embodiment is used as the switching elements 466 and 467 of the primary circuit 461. Note that the switching elements 466 and 467 of the primary circuit 461 are preferably normally-off semiconductor devices. The switching element 468 used in the secondary circuit 462 uses a normal MISFET (metal insulator semiconductor field effect transistor) formed of silicon.

次に、図２６に基づき、本実施の形態における高周波増幅器について説明する。本実施の形態における高周波増幅器４７０は、例えば、携帯電話の基地局用パワーアンプに適用してもよい。この高周波増幅器４７０は、トランジスタ４７１、入力整合回路４７２、出力整合回路４７３、抵抗４７４を有している。トランジスタ４７１には、第１又は第２の実施の形態における半導体装置が用いられている。トランジスタ４７１のゲートには入力整合回路が接続されており、ドレインには出力整合回路４７３及び抵抗４７４が接続されており、ソースは接地されている。入力整合回路４７２には、発振器４７５からの信号が入力しており、入力整合回路４７２においてインピーダンスの調整がされた後、トランジスタ４７１のゲートに入力し、トランジスタ４７１のドレインより出力整合回路４７３に出力される。この後、出力整合回路４７３においてインピーダンスの調整がされた後、アンテナ４７６等に出力される。 Next, the high frequency amplifier according to the present embodiment will be described with reference to FIG. The high frequency amplifier 470 in the present embodiment may be applied to, for example, a power amplifier for a base station of a mobile phone. The high frequency amplifier 470 includes a transistor 471, an input matching circuit 472, an output matching circuit 473, and a resistor 474. The semiconductor device in the first or second embodiment is used for the transistor 471. An input matching circuit is connected to the gate of the transistor 471, an output matching circuit 473 and a resistor 474 are connected to the drain, and the source is grounded. A signal from the oscillator 475 is input to the input matching circuit 472. After the impedance is adjusted in the input matching circuit 472, the signal is input to the gate of the transistor 471 and output from the drain of the transistor 471 to the output matching circuit 473. Is done. Thereafter, the impedance is adjusted in the output matching circuit 473 and then output to the antenna 476 and the like.

〔第４の実施の形態〕
第４の実施の形態におけるマイクロ波加熱装置について、図２７に基づき説明する。本実施の形態におけるマイクロ波加熱装置は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生器５１０、加熱室５２０、制御部５３０等を有している。本実施の形態におけるマイクロ波加熱装置により加熱される対象となる被加熱物５４０は、加熱室５２０内に入れられている。 [Fourth Embodiment]
A microwave heating apparatus according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. The microwave heating apparatus in this embodiment includes a microwave generator 510 that generates microwaves, a heating chamber 520, a control unit 530, and the like. An object to be heated 540 to be heated by the microwave heating apparatus in this embodiment is placed in a heating chamber 520.

マイクロ波発生器５１０は、加熱室５２０に接続されており、マイクロ波発生器５１０において発生させたマイクロ波を加熱室５２０内に供給することにより、加熱室５２０内に入れられている被加熱物５４０を加熱することができる。マイクロ波発生器５１０には、第１又は第２の実施の形態における半導体装置により形成されており、制御部５３０における制御により、発生させるマイクロ波の周波数やパワーを変化させることができる。 The microwave generator 510 is connected to the heating chamber 520, and supplies the microwave generated in the microwave generator 510 into the heating chamber 520, whereby the object to be heated placed in the heating chamber 520 is supplied. 540 can be heated. The microwave generator 510 is formed of the semiconductor device according to the first or second embodiment, and the frequency and power of the generated microwave can be changed by the control of the control unit 530.

〔第５の実施の形態〕
次に、第５の実施の形態について説明する。 [Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment will be described.

最初に、第５の実施の形態における排気浄化装置について図２８に基づき説明する。 First, the exhaust emission control device in the fifth embodiment will be described with reference to FIG.

本実施の形態における排気浄化装置６００は、微粒子捕集部６１０、酸化触媒部６１１、筐体部６２０、マイクロ波発生器６３０、入射パワーセンサ６４１、反射パワーセンサ６４２、制御部６５０等を有している。 Exhaust gas purification apparatus 600 in the present embodiment includes a particulate collection unit 610, an oxidation catalyst unit 611, a housing unit 620, a microwave generator 630, an incident power sensor 641, a reflected power sensor 642, a control unit 650, and the like. ing.

微粒子捕集部６１０は、本実施の形態において被加熱物となるものであり、ＤＰＦ等により形成されている。ＤＰＦは、例えば、隣り合う通気口が交互に閉じられたハニカム構造により形成されており、排気は入口の通気口とは異なる通気口より排出される。酸化触媒部６１１は、ＤＯＣ（Diesel Oxidation Catalyst）等の酸化触媒により形成されている。 The particulate collection unit 610 is to be heated in the present embodiment, and is formed of DPF or the like. The DPF is formed of, for example, a honeycomb structure in which adjacent vents are alternately closed, and the exhaust is discharged from a vent different from the vent of the inlet. The oxidation catalyst unit 611 is formed of an oxidation catalyst such as DOC (Diesel Oxidation Catalyst).

筐体部６２０は、ステンレス等の金属材料により形成されており、酸化触媒部６１１及び微粒子捕集部６１０の周囲を覆う筐体本体部６２０ａ、筐体本体部６２０ａに接続されている吸入口６２０ｂ及び排出口６２０ｃを有している。本実施の形態における排気浄化装置は、エンジン等からの排気ガス等の排気が、破線矢印Ａに示される方向より吸入口６２０ｂから筐体部６２０内に入り、筐体本体部６２０ａ内に設置されている酸化触媒部６１１及び微粒子捕集部６１０を通ることにより浄化される。この後、酸化触媒部６１１及び微粒子捕集部６１０において浄化された排気は、排出口６２０ｃより破線矢印Ｂに示される方向に排出される。 The casing 620 is made of a metal material such as stainless steel, and covers the periphery of the oxidation catalyst 611 and the particulate collection unit 610. The casing body 620a and the suction port 620b connected to the casing body 620a. And a discharge port 620c. In the exhaust emission control device according to the present embodiment, exhaust gas such as exhaust gas from an engine or the like enters the housing portion 620 through the suction port 620b from the direction indicated by the dashed arrow A, and is installed in the housing body portion 620a. Purified by passing through the oxidation catalyst unit 611 and the particulate collection unit 610. Thereafter, the exhaust gas purified by the oxidation catalyst unit 611 and the particulate collection unit 610 is exhausted in the direction indicated by the dashed arrow B from the exhaust port 620c.

尚、筐体部６２０内では、吸入口６２０ｂより排出口６２０ｃに向かって、酸化触媒部６１１、微粒子捕集部６１０の順に配置されている。酸化触媒部６１１では、吸入口６２０ｂより入った排気ガスに含まれる成分を酸化するものであり、例えば、排気ガスに含まれているＮＯをより酸化力の強いＮＯ_２にする。微粒子捕集部６１０では、ＰＭ等の微粒子が捕集されるが、捕集されたＰＭ等の微粒子を燃焼させて除去する際に、酸化触媒部６１１において生成されたＮＯ_２が用いられる。微粒子捕集部６１０において捕集されるＰＭ等の微粒子は、すす等でありＣ（炭素）を多く含んでいる。微粒子捕集部６１０において捕集されたＰＭ等の微粒子を燃焼させて除去する際に、ＮＯ_２を流すことによりＣとＮＯ_２とが化学反応しＣＯ_２が生成される。これにより、微粒子捕集部６１０において捕集されたＰＭ等の微粒子を効率よく除去することができる。 In addition, in the housing | casing part 620, it arrange | positions in order of the oxidation catalyst part 611 and the particulate collection part 610 toward the discharge port 620c from the suction inlet 620b. The oxidation catalyst unit 611 oxidizes components contained in the exhaust gas entering from the suction port 620b. For example, NO contained in the exhaust gas is changed to NO ₂ having a stronger oxidizing power. The particulate collection unit 610 collects particulates such as PM, but NO ₂ generated in the oxidation catalyst unit 611 is used when the collected particulates such as PM are burned and removed. The particulates such as PM collected in the particulate collection unit 610 are soot and contain a large amount of C (carbon). When the particulates such as PM collected in the particulate collection unit 610 are burned and removed, C ₂ and NO ₂ are chemically reacted with each other by flowing NO ₂ to generate CO ₂ . Thereby, particulates, such as PM collected in particulate collection part 610, can be removed efficiently.

マイクロ波発生器６３０は、筐体部６２０に接続されており、例えば、１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚのマイクロ波を周波数を可変させて発生させることができる。また、マイクロ波発生器６３０において発生させたマイクロ波を微粒子捕集部６１０に照射することにより、微粒子捕集部６１０において捕集されたＰＭ等の微粒子を燃焼させて除去することができる。本実施の形態においては、マイクロ波発生器６３０には、第１又は第２の実施の形態における半導体装置が用いられている。第１又は第２の実施の形態における半導体装置は、放熱特性が良好であるため、このような高温の環境下においても、良好に動作させることができる。 The microwave generator 630 is connected to the housing portion 620, and can generate, for example, microwaves of 1 GHz to 10 GHz with varying frequencies. Further, by irradiating the particulate collection unit 610 with the microwave generated by the microwave generator 630, particulates such as PM collected in the particulate collection unit 610 can be burned and removed. In the present embodiment, the microwave generator 630 uses the semiconductor device in the first or second embodiment. Since the semiconductor device in the first or second embodiment has good heat dissipation characteristics, it can be operated well even in such a high temperature environment.

入射パワーセンサ６４１及び反射パワーセンサ６４２は、筐体部６２０とマイクロ波発生器６３０との間に設けられている。入射パワーセンサ６４１は、マイクロ波発生器６３０から筐体部６２０内に入射する入射波のパワーを測定し、反射パワーセンサ６４２は、筐体部６２０内に入射したマイクロ波のうち筐体部６２０より戻ってくる反射波のパワーを測定する。制御部６５０は、主に、マイクロ波発生器６３０においてマイクロ波を発生させ、微粒子捕集部６１０を加熱する制御を行う。 The incident power sensor 641 and the reflected power sensor 642 are provided between the housing portion 620 and the microwave generator 630. The incident power sensor 641 measures the power of the incident wave that enters the housing unit 620 from the microwave generator 630, and the reflected power sensor 642 includes the housing unit 620 among the microwaves that enter the housing unit 620. Measure the power of the reflected wave returning. The control unit 650 mainly controls the microwave generator 630 to generate microwaves and heat the particulate collection unit 610.

図２９は、本実施の形態における自動車６６０であり、本実施の形態における排気浄化装置６００が取り付けられている。本実施の形態における自動車６６０では、自動車６６０において発生した排気ガスを排気浄化装置６００により浄化することができる。 FIG. 29 shows an automobile 660 according to the present embodiment, to which an exhaust purification device 600 according to the present embodiment is attached. In automobile 660 in the present embodiment, exhaust gas generated in automobile 660 can be purified by exhaust purification device 600.

図３０は、本実施の形態における情報システムを示すものである。本実施の形態における情報システムでは、複数の無線基地局６７０と複数の無線基地局６７０に接続されたデータセンタ６７１とを有している。自動車６６０には、無線機６６１が搭載されており、無線基地局６７０のいずれかと無線による情報通信を行うことが可能である。本実施の形態においては、自動車６６０に取り付けられている排気浄化装置６００の微粒子捕集部６１０に堆積しているすすの量を排気浄化装置６００において検知する。排気浄化装置６００において検知された微粒子捕集部６１０に堆積しているすすの量は、自動車６６０に搭載されている無線機６６１を介し、無線基地局６７０に送信され、データセンタ６７１に集められる。データセンタ６７１では、堆積しているすすの量に基づき、後に堆積するであろうすすの量を予測し、最適ルートを探す。これにより得られた最適ルートは、無線基地局６７０より、自動車６６０に送信される。第１又は第２の実施の形態における半導体装置は、自動車６６０に取り付けられている排気浄化装置６００に用いられているが、無線基地局６７０にも用いることが可能である。 FIG. 30 shows an information system in the present embodiment. The information system in the present embodiment includes a plurality of radio base stations 670 and a data center 671 connected to the plurality of radio base stations 670. The automobile 660 is equipped with a wireless device 661 and can perform information communication with any of the wireless base stations 670 by wireless. In the present embodiment, the exhaust purification apparatus 600 detects the amount of soot accumulated in the particulate collection unit 610 of the exhaust purification apparatus 600 attached to the automobile 660. The amount of soot accumulated in the particulate collection unit 610 detected by the exhaust gas purification apparatus 600 is transmitted to the radio base station 670 via the radio device 661 mounted on the automobile 660 and collected in the data center 671. . The data center 671 predicts the amount of soot that will be deposited later, based on the amount of soot that has accumulated, and searches for the optimum route. The optimal route obtained in this way is transmitted from the radio base station 670 to the automobile 660. The semiconductor device in the first or second embodiment is used in the exhaust purification device 600 attached to the automobile 660, but can also be used in the radio base station 670.

尚、第１又は第２の実施の形態における半導体装置は、上記以外にも、レーダ、飛行機、船舶、飛行場、海港等に用いることが可能である。 In addition to the above, the semiconductor device in the first or second embodiment can be used for a radar, an airplane, a ship, an airfield, a seaport, and the like.

以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。 Although the embodiment has been described in detail above, it is not limited to the specific embodiment, and various modifications and changes can be made within the scope described in the claims.

上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
基板の上に、半導体により形成された半導体層と、
前記半導体層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
前記ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極は、櫛歯状に形成されており、
前記ゲート電極のゲートフィンガー部の長手方向の周辺部分よりも、前記周辺部分の間の部分は、前記ゲートフィンガー部の幅が広く形成されていることを特徴とする半導体装置。
（付記２）
前記周辺部分の間の部分は、前記ゲート電極のゲートフィンガー部の長手方向における中央部分であることを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
（付記３）
前記ゲートフィンガー部における短手方向の幅は、中央部分から周辺部分に向かって連続的に変化していることを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置。
（付記４）
前記ゲートフィンガー部における短手方向の幅は、中央部分から周辺部分に向かって段階的に変化していることを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置。
（付記５）
前記ドレイン電極のドレインフィンガー部と前記ゲートフィンガー部との間隔は、一定であることを特徴とする付記１から４のいずれかに記載の半導体装置。
（付記６）
前記ソース電極のソースフィンガー部と前記ゲートフィンガー部との間隔は、一定であることを特徴とする付記１から５のいずれかに記載の半導体装置。
（付記７）
前記半導体層は、窒化物半導体により形成されていることを特徴とする付記１から６のいずれかに記載の半導体装置。
（付記８）
前記半導体層は、前記基板の上に形成された第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の上に形成された第２の半導体層と、
により形成されており、
前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第２の半導体層の上に形成されていることを特徴とする付記１から６のいずれかに記載の半導体装置。
（付記９）
第１の半導体層は、ＧａＮを含む材料により形成されており、
第２の半導体層は、ＡｌＧａＮまたはＩｎＡｌＮを含む材料により形成されていることを特徴とする付記８に記載の半導体装置。
（付記１０）
付記１から９のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
（付記１１）
付記１から９のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
（付記１２）
付記１から９のいずれかに記載の半導体装置を有するマイクロ波発生器と、
被加熱物が設置される加熱室と、
を有することを特徴とする加熱装置。
（付記１３）
付記１から９のいずれかに記載の半導体装置を有するマイクロ波発生器と、
微粒子捕集部が入れられている筐体と、
を有することを特徴とする排気浄化装置。
（付記１４）
付記１３に記載の排気浄化装置を有する自動車。
（付記１５）
付記１４に記載する自動車と、
前記自動車と無線による情報通信を行う無線基地局と、
を有することを特徴とする情報システム。
（付記１６）
基板の上に、半導体により半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有し、
前記ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極は、櫛歯状に形成されており、
前記ゲート電極のゲートフィンガー部の長手方向の周辺部分よりも、前記周辺部分の間の部分は、前記ゲートフィンガー部の幅が広く形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In addition to the above description, the following additional notes are disclosed.
(Appendix 1)
A semiconductor layer formed of a semiconductor on the substrate;
A gate electrode, a source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer;
Have
The gate electrode, the source electrode, and the drain electrode are formed in a comb shape,
The semiconductor device according to claim 1, wherein a width between the peripheral portions of the gate electrode is larger than a peripheral portion in the longitudinal direction of the gate finger portion of the gate electrode.
(Appendix 2)
The semiconductor device according to appendix 1, wherein a portion between the peripheral portions is a central portion in a longitudinal direction of a gate finger portion of the gate electrode.
(Appendix 3)
3. The semiconductor device according to appendix 1 or 2, wherein a width in the lateral direction of the gate finger portion continuously changes from a central portion toward a peripheral portion.
(Appendix 4)
3. The semiconductor device according to appendix 1 or 2, wherein a width in a short direction of the gate finger portion changes stepwise from a central portion toward a peripheral portion.
(Appendix 5)
The semiconductor device according to any one of appendices 1 to 4, wherein a distance between a drain finger portion of the drain electrode and the gate finger portion is constant.
(Appendix 6)
6. The semiconductor device according to any one of appendices 1 to 5, wherein a distance between the source finger portion of the source electrode and the gate finger portion is constant.
(Appendix 7)
7. The semiconductor device according to any one of appendices 1 to 6, wherein the semiconductor layer is formed of a nitride semiconductor.
(Appendix 8)
The semiconductor layer includes a first semiconductor layer formed on the substrate;
A second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer;
Formed by
The semiconductor device according to any one of appendices 1 to 6, wherein the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode are formed on the second semiconductor layer.
(Appendix 9)
The first semiconductor layer is made of a material containing GaN,
The semiconductor device according to appendix 8, wherein the second semiconductor layer is formed of a material containing AlGaN or InAlN.
(Appendix 10)
A power supply device comprising the semiconductor device according to any one of appendices 1 to 9.
(Appendix 11)
An amplifier comprising the semiconductor device according to any one of appendices 1 to 9.
(Appendix 12)
A microwave generator having the semiconductor device according to any one of appendices 1 to 9,
A heating chamber in which an object to be heated is installed;
A heating device comprising:
(Appendix 13)
A microwave generator having the semiconductor device according to any one of appendices 1 to 9,
A housing in which a particulate collection unit is placed;
An exhaust emission control device comprising:
(Appendix 14)
An automobile having the exhaust emission control device according to attachment 13.
(Appendix 15)
The automobile described in Appendix 14,
A wireless base station for wirelessly communicating information with the vehicle;
An information system comprising:
(Appendix 16)
Forming a semiconductor layer with a semiconductor on a substrate;
Forming a gate electrode, a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer;
Have
The gate electrode, the source electrode, and the drain electrode are formed in a comb shape,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein a portion between the peripheral portions is formed wider than a peripheral portion in the longitudinal direction of the gate finger portion of the gate electrode.

１０基板
１１バッファ層
２１電子走行層
２１ａ２ＤＥＧ
２２電子供給層
３１ゲート電極
３１ａゲートフィンガー部
３１ｂゲート配線部
３２ソース電極
３２ａソースフィンガー部
３２ｂソース配線部
３３ドレイン電極
３３ａドレインフィンガー部
３３ｂドレイン配線部
３１０ａ中央部分
３１０ｂ周辺部分
３１０ｃ周辺部分 10 Substrate 11 Buffer layer 21 Electron travel layer 21a 2DEG
22 Electron supply layer 31 Gate electrode 31a Gate finger part 31b Gate wiring part 32 Source electrode 32a Source finger part 32b Source wiring part 33 Drain electrode 33a Drain finger part 33b Drain wiring part 310a Central part 310b Peripheral part 310c Peripheral part

Claims

A semiconductor layer formed of a semiconductor on the substrate;
A gate electrode, a source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer;
Have
The gate electrode, the source electrode, and the drain electrode are formed in a comb shape,
The semiconductor device according to claim 1, wherein a width between the peripheral portions of the gate electrode is larger than a peripheral portion in the longitudinal direction of the gate finger portion of the gate electrode.

2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a portion between the peripheral portions is a central portion in a longitudinal direction of a gate finger portion of the gate electrode.

3. The semiconductor device according to claim 1, wherein a width in a short direction of the gate finger portion continuously changes from a central portion toward a peripheral portion.

3. The semiconductor device according to claim 1, wherein a width in a short direction of the gate finger portion changes stepwise from a central portion toward a peripheral portion.

5. The semiconductor device according to claim 1, wherein a distance between a drain finger portion of the drain electrode and the gate finger portion is constant.

6. The semiconductor device according to claim 1, wherein a distance between the source finger portion of the source electrode and the gate finger portion is constant.

The semiconductor layer includes a first semiconductor layer formed on the substrate;
A second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer;
Formed by
The semiconductor device according to claim 1, wherein the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode are formed on the second semiconductor layer.

A power supply device comprising the semiconductor device according to claim 1.

An amplifier comprising the semiconductor device according to claim 1.

A microwave generator having the semiconductor device according to claim 1;
A heating chamber in which an object to be heated is installed;
A heating device comprising:

A microwave generator having the semiconductor device according to claim 1;
A housing in which a particulate collection unit is placed;
An exhaust emission control device comprising:

An automobile having the exhaust emission control device according to claim 11.

An automobile according to claim 12;
A wireless base station for wirelessly communicating information with the vehicle;
An information system comprising:

Forming a semiconductor layer with a semiconductor on a substrate;
Forming a gate electrode, a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer;
Have
The gate electrode, the source electrode, and the drain electrode are formed in a comb shape,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein a width between the peripheral portions of the gate electrode is wider than a peripheral portion in the longitudinal direction of the gate finger portion of the gate electrode.