JP2018098387A - Substrate processing device - Google Patents

Substrate processing device Download PDF

Info

Publication number
JP2018098387A
JP2018098387A JP2016242428A JP2016242428A JP2018098387A JP 2018098387 A JP2018098387 A JP 2018098387A JP 2016242428 A JP2016242428 A JP 2016242428A JP 2016242428 A JP2016242428 A JP 2016242428A JP 2018098387 A JP2018098387 A JP 2018098387A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing unit
processing
substrate
vacuum
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016242428A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
小澤 潤
Jun Ozawa
潤 小澤
田中 澄
Kiyoshi Tanaka
澄 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2016242428A priority Critical patent/JP2018098387A/en
Publication of JP2018098387A publication Critical patent/JP2018098387A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing device which can be easily handled during maintenance or the like and in which multiple vacuum processing modules can be disposed.SOLUTION: A substrate processing device comprises: a substrate transport part 20; and a processing unit housing part 7 for housing multiple processing units U while arranging them side by side in a vertical direction, each processing unit including first and second vacuum processing modules 4A and 4B for processing a substrate and a load lock module 3. In a view of a stage inside of the processing unit housing part 7 from an upper surface side, by the side of the load lock module 7, first through-piping 51A is disposed in a region R between the substrate transport part and the first vacuum processing module 4A, and second through-piping 51B is disposed in a region R between the substrate transport part 20 and the second vacuum processing module 4B. Further, traverse piping 51 and 832 are connected to the first and second vacuum processing modules 4A and 4B in each of the processing units U and disposed so as to cross stages 70A to 70C of the processing unit housing part 7.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、基板処理装置に、ロードロックモジュールと真空処理モジュールとを備えた処理ユニットを配置する技術に関する。   The present invention relates to a technique for arranging a processing unit including a load lock module and a vacuum processing module in a substrate processing apparatus.

半導体製造プロセスにおいては、半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)に対して成膜、エッチング、アッシング、アニールなどの真空処理が行われる。真空処理を高いスループットで行うために、EFEM(Equipment Front End Module)にロードロックモジュールを介して平面視多角形状の真空搬送室を接続し、この真空搬送室の各側壁面に真空処理モジュールを接続したマルチチャンバシステムなどと呼ばれている基板処理装置が知られている。   In the semiconductor manufacturing process, vacuum processing such as film formation, etching, ashing, and annealing is performed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”). In order to perform vacuum processing at high throughput, a vacuum transfer chamber with a polygonal shape in plan view is connected to an EFEM (Equipment Front End Module) via a load lock module, and a vacuum processing module is connected to each side wall of the vacuum transfer chamber A substrate processing apparatus called a multi-chamber system is known.

一方最近では、半導体デバイスの多様化により、処理の完了までに長い時間を要する真空処理が必要となる場合がある。例えば三次元のメモリーであるNAND回路を形成する場合には、酸化層、窒化層を交互に多数回積層するために、1回の成膜処理にかなり長い時間が必要となる。このため、スループットを高めるために、基板処理装置に設けられる真空処理モジュール数を増やす技術の構築が望まれている。   On the other hand, recently, due to diversification of semiconductor devices, vacuum processing that requires a long time to complete processing may be required. For example, when forming a NAND circuit which is a three-dimensional memory, an oxide layer and a nitride layer are alternately stacked many times, so that a very long time is required for one film formation process. For this reason, in order to increase the throughput, it is desired to construct a technique for increasing the number of vacuum processing modules provided in the substrate processing apparatus.

ここで特許文献1には、基板に対する加熱処理や冷却処理などが行われる複数の処理室を垂直方向へ積層して配置するために、これらの処理室を多段に収容することが可能な処理装置フレーム(第1支持構造)を備えた基板処理装置が記載されている。   Here, in Patent Document 1, in order to arrange a plurality of processing chambers in which heat treatment, cooling processing, and the like for a substrate are stacked in a vertical direction, a processing apparatus capable of accommodating these processing chambers in multiple stages. A substrate processing apparatus having a frame (first support structure) is described.

しかしながら、基板に対する真空処理を行う基板処理装置においては、真空雰囲気と常圧雰囲気との間で内部雰囲気を自在に切り替えることが可能なロードロックモジュールと、真空処理モジュールとを組み合わせて基板の処理が行われる。この点、特許文献1に記載の技術は、処理室を単純に積層する技術が記載されているにすぎない。このため、真空処理モジュールやロードロックモジュールのうち、何をどのように積層して配置することが好ましいのか、またそのとき、処理ガスの供給や真空排気などを行う各種配管をどのように接続すればよいのか明らかでなく、基板に対する真空処理を実施可能な基板処理装置を構築することができない。   However, in a substrate processing apparatus that performs vacuum processing on a substrate, substrate processing can be performed by combining a load lock module that can freely switch an internal atmosphere between a vacuum atmosphere and a normal pressure atmosphere, and a vacuum processing module. Done. In this regard, the technique described in Patent Document 1 merely describes a technique for simply stacking the processing chambers. For this reason, it is preferable to stack and arrange the vacuum processing module and load lock module, and at that time, how to connect various pipes for processing gas supply and evacuation. It is not clear whether it is sufficient, and a substrate processing apparatus capable of performing vacuum processing on the substrate cannot be constructed.

特開2006−210767号公報:請求項1、段落0002、0017、図1Japanese Patent Laying-Open No. 2006-210767: claim 1, paragraphs 0002 and 0017, FIG.

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、メンテナンス時などにおける取り扱いが容易であり、且つ、複数の真空処理モジュールを配置することが可能な基板処理装置を提供することにある。   The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can be easily handled during maintenance and that can be provided with a plurality of vacuum processing modules. There is.

本発明の基板処理装置は、真空雰囲気下で基板を処理する複数の真空処理モジュールを備えた基板処理装置において、
常圧雰囲気下で基板を搬送する第1の基板搬送機構が設けられた基板搬送部と、
基板の処理が行われる真空容器を備え、前記基板搬送部側から見て、横方向に並べて設けられた第1の真空処理モジュール及び第2の真空処理モジュールと、これら第1、第2の真空処理モジュールの各真空容器に接続され、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で内部雰囲気を切り替え自在に構成されたロードロック室内に、前記基板搬送部と、前記各真空容器との間で基板を搬送するための第2の基板搬送機構が設けられたロードロックモジュールと、を備えた処理ユニットと、
各々、前記ロードロックモジュールが前記基板搬送部に接続された状態にて、複数の前記処理ユニットを上下方向に多段に並べて収容する処理ユニット収容部と、
前記多段に並べられた複数の処理ユニットの第1の真空処理モジュールが共通に接続され、前記処理ユニット収容部を上下方向に貫通するように配設された第1の貫通配管と、前記複数の処理ユニットの第2の真空処理モジュールが共通に接続され、前記処理ユニット収容部を上下方向に貫通するように配設された第2の貫通配管と、
前記各処理ユニット内の第1、第2の真空処理モジュールに接続され、前記処理ユニット収容部の各段を横断するように配設された横断配管と、を備え、
前記処理ユニット収容部の段内を上面側から見たとき、前記第1の貫通配管は、前記ロードロックモジュールの側方であって、前記基板搬送部と第1の真空処理モジュールとの間の領域に配設され、前記第2の貫通配管は、前記ロードロックモジュールの側方であって、前記基板搬送部と第2の真空処理モジュールとの間の領域に配設されることを特徴とする。
The substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus including a plurality of vacuum processing modules for processing a substrate in a vacuum atmosphere.
A substrate transport section provided with a first substrate transport mechanism for transporting a substrate in a normal pressure atmosphere;
A first vacuum processing module and a second vacuum processing module that are provided side by side in a horizontal direction when viewed from the substrate transport unit side, and the first and second vacuums are provided. A substrate is connected between the substrate transfer unit and each vacuum vessel in a load lock chamber that is connected to each vacuum vessel of the processing module and is configured to be able to switch an internal atmosphere between a normal pressure atmosphere and a vacuum atmosphere. A load lock module provided with a second substrate transport mechanism for transport, and a processing unit comprising:
Each of the load lock modules connected to the substrate transport unit, a processing unit storage unit that stores a plurality of the processing units arranged in multiple stages in the vertical direction,
The first vacuum processing modules of the plurality of processing units arranged in multiple stages are connected in common, and a first through pipe disposed so as to penetrate the processing unit housing portion in the vertical direction; A second through pipe connected to the second vacuum processing module of the processing unit in common, and arranged to penetrate the processing unit housing portion in the vertical direction;
A transverse pipe connected to the first and second vacuum processing modules in each processing unit and arranged to traverse each stage of the processing unit accommodating portion;
When the inside of the step of the processing unit accommodating portion is viewed from the upper surface side, the first through pipe is on the side of the load lock module, and is between the substrate transfer portion and the first vacuum processing module. The second through pipe is disposed on a side of the load lock module and in a region between the substrate transfer unit and the second vacuum processing module. To do.

本発明は、第1、第2の真空処理モジュールとロードロックモジュールとを備えた処理ユニットが複数組収容された処理ユニット収容部に設けられる配管について、当該処理ユニット収容部を上下方向に貫通するように配設された第1、第2の貫通配管と、処理ユニット収容部の各段を横断するように配設された横断配管とに分けて配置を行っている。この構成により、処理ユニット収容部内に分散して配置された各種配管へのアクセスが容易となり、メンテナンス性の良好な基板処理装置を構成することができる。   The present invention relates to piping provided in a processing unit housing portion in which a plurality of processing units including first and second vacuum processing modules and a load lock module are housed, and penetrates the processing unit housing portion in the vertical direction. The first and second through pipes arranged as described above and the transverse pipe arranged so as to cross each stage of the processing unit accommodating portion are arranged. With this configuration, it becomes easy to access various pipes that are dispersedly arranged in the processing unit accommodating portion, and a substrate processing apparatus with good maintainability can be configured.

本発明の実施の形態に係る基板処理装置の外観斜視図である。1 is an external perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 前記基板処理装置の横断平面図である。It is a cross-sectional plan view of the substrate processing apparatus. 前記基板処理装置に設けられているアウターフレームの側面図である。It is a side view of the outer frame provided in the substrate processing apparatus. 前記アウターフレームに収容された処理ユニットの平面図である。It is a top view of the processing unit accommodated in the outer frame. 前記アウターフレームの外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of the said outer frame. 前記アウターフレームに処理ユニットが組み込まれた状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state in which the processing unit was integrated in the said outer frame. 前記処理ユニットを引き出した状態を示す第1の作用図である。It is the 1st operation view showing the state where the processing unit was pulled out. 前記処理ユニットを接続した状態を示す第2の作用図である。It is the 2nd operation figure showing the state where the processing unit was connected.

以下、図1〜6を参照しながら本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成について説明する。図1の外観斜視図に示すように、本例の基板処理装置は、複数枚のウエハWを収容した搬送容器であるキャリアCからウエハWを取り出すためのEFEM101と、このEFEM101に接続され、ウエハの処理を行う処理ブロック102と、を備えている。   The configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. As shown in the external perspective view of FIG. 1, the substrate processing apparatus of this example is connected to the EFEM 101 for taking out the wafer W from the carrier C which is a transfer container containing a plurality of wafers W, and is connected to the EFEM 101. And a processing block 102 for performing the above process.

例えばEFEM101は、FOUP(Front Opening Unified Pod)であるキャリアCが、手前から見て例えば左右方向(図1中のX方向)に4個載置されるように構成された容器載置部であるロードポート11を備えている。図2に示すように、ロードポート11におけるキャリアCの載置面には、キャリアCの底面を位置決めした状態で支持する支持部10が設けられている。ロードポート11の奥手側には、キャリアCに対してウエハの受け渡しを行う受け渡し機構12を備えた搬送室13が設けられている。搬送室13の上面側には、不図示のファンフィルタユニットが設けられ、搬送室13内は例えば常圧の清浄空気雰囲気の空間となっている。搬送室13におけるロードポート11側の側壁面には、キャリアCの側面側に設けられた蓋体を脱着する脱着機構を備えると共に、ウエハWの搬入出が行われる開口部の開閉を行う開閉ドア14が設けられている。   For example, the EFEM 101 is a container mounting unit configured such that four carriers C, which are FOUPs (Front Opening Unified Pod), are mounted, for example, in the left-right direction (X direction in FIG. 1) when viewed from the front. A load port 11 is provided. As shown in FIG. 2, a support portion 10 that supports the carrier C in a state where the bottom surface of the carrier C is positioned is provided on the mounting surface of the carrier C in the load port 11. On the far side of the load port 11, a transfer chamber 13 including a transfer mechanism 12 that transfers a wafer to the carrier C is provided. A fan filter unit (not shown) is provided on the upper surface side of the transfer chamber 13, and the inside of the transfer chamber 13 is, for example, a space of clean air atmosphere at normal pressure. On the side wall surface of the transfer chamber 13 on the side of the load port 11 is provided with a detaching mechanism for detaching a lid provided on the side surface of the carrier C, and an opening / closing door for opening and closing an opening for loading and unloading the wafer W. 14 is provided.

受け渡し機構12は、ロードポート11側から見て左右方向に伸びる走行レール15に沿って移動自在な基体(図示せず)に、伸縮自在な関節アームを昇降、回転自在に設けた構成となっている。開閉ドア14によりキャリアCの蓋が取り外され、開口部が開かれると、キャリアC内に受け渡し機構12が進入してウエハWが取り出される。   The delivery mechanism 12 has a structure in which a telescopic joint arm is vertically movable and rotatable on a base body (not shown) that is movable along a traveling rail 15 that extends in the left-right direction when viewed from the load port 11 side. Yes. When the lid of the carrier C is removed by the opening / closing door 14 and the opening is opened, the transfer mechanism 12 enters the carrier C and the wafer W is taken out.

ロードポート11から見て、搬送室13の背面側には、受け渡し機構12がウエハWを保持した状態で通過するための不図示の受け渡し口が形成されている。受け渡し機構12によるウエハWの受け渡しが行われない期間中は、EFEM101と処理ブロック102との雰囲気を区画するために図示しないシャッターにより受け渡し口を閉じてもよい。   When viewed from the load port 11, a transfer port (not shown) through which the transfer mechanism 12 passes while holding the wafer W is formed on the back side of the transfer chamber 13. During the period when the wafer W is not delivered by the delivery mechanism 12, the delivery port may be closed by a shutter (not shown) to partition the atmosphere between the EFEM 101 and the processing block 102.

図2に示すように処理ブロック102は、EFEM101側から受け渡されたウエハWが搬送される基板搬送部20と、この基板搬送部20に接続された複数の処理ユニットUを収容したアウターフレーム7とを備える。これら基板搬送部20やアウターフレーム7は、例えば筐体内に収容されている(図1)。   As shown in FIG. 2, the processing block 102 includes a substrate transfer unit 20 to which the wafer W delivered from the EFEM 101 side is transferred, and an outer frame 7 that houses a plurality of processing units U connected to the substrate transfer unit 20. With. The substrate transfer unit 20 and the outer frame 7 are accommodated in, for example, a housing (FIG. 1).

図2に示すように基板搬送部20は、EFEM101から見て、前後方向に伸びる細長い基板搬送室200を備える。基板搬送室200は、後述のアウターフレーム7に多段に収容された各処理ユニットU(より詳細には処理ユニットU内のロードロックモジュール3)を基板搬送室200に対して接続することが可能な高さを有する。基板搬送室200の上面側には、不図示のファンフィルタユニットが設けられ、基板搬送室200内は例えば常圧の清浄空気雰囲気の空間となっている。   As shown in FIG. 2, the substrate transfer unit 20 includes an elongated substrate transfer chamber 200 extending in the front-rear direction when viewed from the EFEM 101. The substrate transfer chamber 200 can connect the processing units U (more specifically, the load lock module 3 in the processing unit U) accommodated in multiple stages in an outer frame 7 described later to the substrate transfer chamber 200. Has a height. A fan filter unit (not shown) is provided on the upper surface side of the substrate transfer chamber 200, and the inside of the substrate transfer chamber 200 is, for example, a space of clean air atmosphere at normal pressure.

基板搬送室200の底部には、前後方向に沿って伸びる移動路である走行レール21が設けられている。さらに基板搬送室200内には、走行レール21に案内されながら前後方向に移動自在に構成された支柱部22が設けられ、この支柱部22のEFEM101側の側面には、当該支柱部22に沿って昇降自在に構成された第1の基板搬送機構2が設けられている。   A traveling rail 21 that is a moving path extending in the front-rear direction is provided at the bottom of the substrate transfer chamber 200. Further, a support column 22 configured to be movable in the front-rear direction while being guided by the traveling rail 21 is provided in the substrate transfer chamber 200, and a side surface on the EFEM 101 side of the support column 22 extends along the support column 22. A first substrate transport mechanism 2 configured to be movable up and down is provided.

本例において、第1の基板搬送機構2は、例えば全面が開口した筐体内に、ウエハWを1枚ずつ保持する不図示のウエハ保持部を多段に設けた構造となっている。また第1の基板搬送機構2は、前記筐体を鉛直軸周りに回転させる不図示の回転駆動部を介して支柱部22に支持されている。この構成により第1の基板搬送機構2は、前記筐体の開口面をEFEM101側、及びアウターフレーム7が設けられている基板搬送室200の左右の両側面側に向けることができる。   In this example, the first substrate transport mechanism 2 has a structure in which, for example, wafer holding portions (not shown) that hold the wafers W one by one are provided in multiple stages in a housing that is open on the entire surface. The first substrate transport mechanism 2 is supported by the support column 22 via a rotation driving unit (not shown) that rotates the casing around the vertical axis. With this configuration, the first substrate transport mechanism 2 can direct the opening surface of the housing to the EFEM 101 side and the left and right side surfaces of the substrate transport chamber 200 in which the outer frame 7 is provided.

なお、多段にウエハWを収容可能な筐体によって第1の基板搬送機構2を構成することは必須の要件ではない。例えば伸縮、回転自在な1本、または複数本の関節アームを走行レール21に沿って移動自在、支柱部22に沿って昇降自在に設けてもよい。この場合には、EFEM101と基板搬送部20との間に、受け渡し対象のウエハWを一時的に載置するための棚段状のウエハ載置部を設けてもよい。   Note that it is not an essential requirement to configure the first substrate transport mechanism 2 by a housing that can accommodate the wafers W in multiple stages. For example, one or a plurality of articulated arms that can be expanded and contracted and rotated may be provided so as to be movable along the traveling rail 21 and ascendable and descendable along the column 22. In this case, a shelf-like wafer placement unit for temporarily placing the wafer W to be delivered may be provided between the EFEM 101 and the substrate transfer unit 20.

EFEM101側から見て基板搬送部20の左右側方には、処理ユニットUを収容した処理ユニット収容部であるアウターフレーム7が、複数基ずつ(本例では3基ずつ)配置されている。
以下、図3〜8を参照しながらアウターフレーム7や処理ユニットUの構成、作用の説明を行うが、これらの図には、アウターフレーム7から基板搬送部20の側壁面を見たとき、基板搬送部20へ近づく方向をX’軸の正方向、アウターフレーム7から見て右手側をY’軸の正方向、鉛直方向の上側をZ’軸の正方向とする副座標軸を併記してある。
A plurality of (three in this example) outer frames 7 are disposed on the left and right sides of the substrate transport unit 20 as viewed from the EFEM 101 side.
Hereinafter, the configuration and operation of the outer frame 7 and the processing unit U will be described with reference to FIGS. 3 to 8. In these drawings, when the side wall surface of the substrate transport unit 20 is viewed from the outer frame 7, the substrate The sub-coordinate axes in which the direction approaching the transport unit 20 is the positive direction of the X ′ axis, the right hand side when viewed from the outer frame 7 is the positive direction of the Y ′ axis, and the upper side of the vertical direction is the positive direction of the Z ′ axis are also shown. .

図3、5に示すようにアウターフレーム7は例えば骨組み構造の枠体に、上下方向に間隔を開けて例えば2枚の棚板部72を設けた棚段構造となっている。アウターフレーム7において、処理ブロック102内の床面と下段側の棚板部72との間の空間、下段側の棚板部72と上段側の棚板部72との間の空間、上段側の棚板部72の上方の空間は、各々、処理ユニットUを収容するための収容空間70A〜70Cとなっている。   As shown in FIGS. 3 and 5, the outer frame 7 has a shelf structure in which, for example, two shelf plates 72 are provided at intervals in the vertical direction on a frame body having a framework structure. In the outer frame 7, the space between the floor surface in the processing block 102 and the lower shelf part 72, the space between the lower shelf part 72 and the upper shelf part 72, and the upper part Spaces above the shelf 72 are storage spaces 70A to 70C for storing the processing unit U, respectively.

これら収容空間70A〜70C内に収容される処理ユニットUの構成について述べておく。各処理ユニットUは、ロードロックモジュール(LLM)3と、このLLM3を介して第1の基板搬送機構2との間でウエハWの受け渡しが行われる複数、例えば2つの真空処理モジュール(第1の真空処理モジュール4A、第2の真空処理モジュール4B)とを備える。   The configuration of the processing unit U accommodated in these accommodating spaces 70A to 70C will be described. Each processing unit U includes a plurality of, for example, two vacuum processing modules (first processing units) for transferring wafers W between the load lock module (LLM) 3 and the first substrate transfer mechanism 2 via the LLM 3. A vacuum processing module 4A and a second vacuum processing module 4B).

図2、4に示すように、LLM3は、平面形状が五角形のロードロック室32内に、第2の基板搬送機構33を設けた構造となっている。ロードロック室32の一側面には連結口部34が設けられ、当該連結口部34の内側にはウエハWの搬入出が行われる搬入出口31を開閉するためのゲートバルブG1が設けられている。一方、基板搬送部20の側壁面には連結部23が設けられ、LLM3側の連結口部34は当該連結部23に接続される。
なお、図示の便宜上、図2においては、LLM3の連結口部34や基板搬送部20の連結部23の記載を省略してある。
As shown in FIGS. 2 and 4, the LLM 3 has a structure in which a second substrate transport mechanism 33 is provided in a load lock chamber 32 having a pentagonal plan shape. A connection port portion 34 is provided on one side surface of the load lock chamber 32, and a gate valve G <b> 1 for opening and closing the loading / unloading port 31 through which the wafer W is loaded and unloaded is provided inside the connection port portion 34. . On the other hand, a connecting part 23 is provided on the side wall surface of the substrate transport part 20, and the connecting port part 34 on the LLM 3 side is connected to the connecting part 23.
For convenience of illustration, in FIG. 2, the description of the connection port portion 34 of the LLM 3 and the connection portion 23 of the substrate transport unit 20 is omitted.

一方、基板搬送部20との接続面から見て、ロードロック室32の背面側に位置する2つの面には、各々、ゲートバルブG2、G3により開閉自在な搬入出口35が設けられている。そして、これら搬入出口35が設けられた基板搬送部20の側壁面には、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bを構成する真空容器40が気密に接続されている。即ち、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bは、基板搬送部20側から見て、横方向に並べて設けられている。   On the other hand, when viewed from the connection surface with the substrate transport unit 20, on the two surfaces located on the back side of the load lock chamber 32, loading / unloading ports 35 that can be opened and closed by gate valves G2 and G3 are provided. And the vacuum vessel 40 which comprises 1st, 2nd vacuum processing module 4A, 4B is airtightly connected to the side wall surface of the board | substrate conveyance part 20 in which these entrance / exit 35 was provided. That is, the first and second vacuum processing modules 4A and 4B are provided side by side in the horizontal direction when viewed from the substrate transfer unit 20 side.

ロードロック室32には、不図示の排気管が接続され、当該排気管を介してロードロック室32内を真空排気することにより、常圧の大気雰囲気(常圧雰囲気)と真空雰囲気との間で内部雰囲気を切り替えることができる。
ロードロック室32内に設けられた第2の基板搬送機構33は、例えば、伸縮自在、及び鉛直軸周りに回転自在に構成された関節アームによって構成され、当該LLM3の接続位置の前方に移動してきた第1の基板搬送機構2と、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bとの間でウエハWの受け渡しを行う。
An exhaust pipe (not shown) is connected to the load lock chamber 32, and the inside of the load lock chamber 32 is evacuated through the exhaust pipe, so that an atmospheric pressure atmosphere (normal pressure atmosphere) and a vacuum atmosphere are interposed. The internal atmosphere can be switched with.
The second substrate transport mechanism 33 provided in the load lock chamber 32 is constituted by, for example, a joint arm configured to be extendable and rotatable about a vertical axis, and has moved to the front of the connection position of the LLM 3. The wafer W is transferred between the first substrate transfer mechanism 2 and the first and second vacuum processing modules 4A and 4B.

第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bを構成する真空容器40は、ウエハWに対して真空処理である例えば成膜を実施する。真空容器40には、処理対象のウエハWが載置される載置台や、真空容器40内に成膜用の処理ガスの供給を行う処理ガス供給部、真空容器40の内部をクリーニングするためのクリーニングガスの供給を行うクリーニングガス供給部、プラズマを利用した成膜を行う場合に、処理ガスをプラズマ化するためのプラズマ発生機構などが設けられている(いずれも不図示)。   The vacuum containers 40 constituting the first and second vacuum processing modules 4A and 4B perform, for example, film formation, which is vacuum processing, on the wafer W. The vacuum vessel 40 has a mounting table on which a wafer W to be processed is placed, a processing gas supply unit that supplies a processing gas for film formation into the vacuum vessel 40, and a cleaning device for cleaning the inside of the vacuum vessel 40. A cleaning gas supply unit for supplying a cleaning gas, a plasma generation mechanism for converting the processing gas into plasma when performing film formation using plasma, and the like (not shown) are provided.

以上に説明した構成を備える処理ユニットUは、図6に示すように、例えば骨組み構造の枠体として構成されたインナーフレーム6によってLLM3や第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bが下面側から支持されている。インナーフレーム6の内側(処理ユニットUの下方側)の空間には、LLM3内の第2の基板搬送機構33を駆動する駆動機構や、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bの真空容器40内に設けられた載置台と、LLM3側の第2の基板搬送機構33との間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡し機構など、各種の付帯機器が収容されているが、個別の図示、説明は省略する。   As shown in FIG. 6, the processing unit U having the above-described configuration is such that the LLM 3 and the first and second vacuum processing modules 4 </ b> A and 4 </ b> B are disposed on the lower surface side by the inner frame 6 configured as a frame of a frame structure, for example. It is supported from. In the space inside the inner frame 6 (below the processing unit U), there is a drive mechanism for driving the second substrate transport mechanism 33 in the LLM 3 and vacuum containers for the first and second vacuum processing modules 4A and 4B. Various incidental devices such as a delivery mechanism for delivering the wafer W between the mounting table provided in 40 and the second substrate transport mechanism 33 on the LLM 3 side are accommodated. The description is omitted.

そして図2、3、6などに示すように、処理ユニットUはインナーフレーム6に支持された状態にて、アウターフレーム7内の収容空間70A〜70Cに収容され、各処理ユニットUのLLM3が基板搬送部20に接続される。この結果、本例の基板処理装置では、6基のアウターフレーム7内に収容された合計18台の処理ユニットUが基板搬送部20に接続され、36台の第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bを用いてウエハWに対する成膜を行うことができる。
なお、図示の便宜上、図2、4においてはアウターフレーム7やインナーフレーム6の記載を簡略化して、枠線のみを表示してある。
2, 3, 6 and the like, the processing unit U is accommodated in the accommodating spaces 70A to 70C in the outer frame 7 while being supported by the inner frame 6, and the LLM 3 of each processing unit U is a substrate. Connected to the transport unit 20. As a result, in the substrate processing apparatus of this example, a total of 18 processing units U housed in the six outer frames 7 are connected to the substrate transport unit 20 and 36 first and second vacuum processing modules are connected. Film formation on the wafer W can be performed using 4A and 4B.
For convenience of illustration, in FIGS. 2 and 4, the outer frame 7 and the inner frame 6 are simplified and only the frame lines are displayed.

図2に示すように、基板搬送部20に向かうアウターフレーム7から見て、アウターフレーム7の例えば左手側には、各処理ユニットUの第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bに対して成膜用の各種処理ガスや、不要な処理ガスを排出するためのパージガスなどを供給するためのガスボックス81が設けられている。さらに基板搬送部20側から見てガスボックス81の後方には、LLM3や第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bに設けられた各種の駆動機器やプラズマ発生機構などに電力を供給するための電源ボックス82が設けられている。   As shown in FIG. 2, when viewed from the outer frame 7 toward the substrate transfer unit 20, for example, on the left hand side of the outer frame 7, the first and second vacuum processing modules 4 </ b> A and 4 </ b> B of each processing unit U are provided. A gas box 81 is provided for supplying various processing gases for film formation and a purge gas for discharging unnecessary processing gases. Further, behind the gas box 81 as viewed from the substrate transfer unit 20 side, power is supplied to various drive devices and plasma generation mechanisms provided in the LLM 3 and the first and second vacuum processing modules 4A and 4B. Power supply box 82 is provided.

本例の基板処理装置において、これらガスボックス81や電源ボックス82、プラズマボックス83は、各アウターフレーム7内に多段に収容された複数台の処理ユニットU(本例では3台の処理ユニットU)に共通に設けられている。そして図2に示すようにガスボックス81や電源ボックス82は、処理ブロック102内に設けられた各々のアウターフレーム7の側方に配置される。このとき図2に示すように、アウターフレーム7から見たガスボックス81、電源ボックス82の配置位置を共通化しておくとよい。これにより、ガスボックス81から第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bに供給される処理ガスなどの供給配管や、電源ボックス82からLLM3、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bに供給される電力の供給線の構成や配置経路を、全ての処理ユニットUで共通化することが可能となる。   In the substrate processing apparatus of this example, the gas box 81, the power supply box 82, and the plasma box 83 include a plurality of processing units U (three processing units U in this example) housed in multiple stages in each outer frame 7. Is provided in common. As shown in FIG. 2, the gas box 81 and the power supply box 82 are arranged on the side of each outer frame 7 provided in the processing block 102. At this time, as shown in FIG. 2, the arrangement positions of the gas box 81 and the power supply box 82 viewed from the outer frame 7 may be made common. As a result, supply piping such as processing gas supplied from the gas box 81 to the first and second vacuum processing modules 4A and 4B, and from the power supply box 82 to the LLM3, the first and second vacuum processing modules 4A and 4B. The configuration and arrangement path of the supply line of the supplied power can be shared by all the processing units U.

また図5に示すように、各アウターフレーム7の最上段の収容空間70Cの上方であって、基板搬送部20から見た手前側の右手位置には、第1、第2の真空処理モジュール4A、4B(各真空容器40)に対して、クリーニングガスであるリモートプラズマを供給するためのプラズマボックス83が設けられている。当該プラズマボックス83の配置位置についても、各アウターフレーム7にて共通化しておくことにより、プラズマボックス83から第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bに供給されるリモートプラズマの供給配管(後述のリモートプラズマ供給配管831、リモートプラズマ分岐配管832)を、全ての処理ユニットUで共通化することができる。   As shown in FIG. 5, the first and second vacuum processing modules 4 </ b> A are located above the uppermost accommodation space 70 </ b> C of each outer frame 7 and at the right-hand position on the near side as viewed from the substrate transport unit 20. 4B (each vacuum vessel 40) is provided with a plasma box 83 for supplying remote plasma as a cleaning gas. The arrangement position of the plasma box 83 is also shared by the outer frames 7, so that a remote plasma supply pipe (described later) is supplied from the plasma box 83 to the first and second vacuum processing modules 4A and 4B. The remote plasma supply pipe 831 and the remote plasma branch pipe 832) can be shared by all the processing units U.

このように、各アウターフレーム7、ガスボックス81、電源ボックス82、プラズマボックス83のレイアウト、処理ユニットU内におけるLLM3、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bのレイアウトを共通化しておくことにより、共通の構成を備えたLLM3、第1、第2の真空処理モジュール4A、4B、アウターフレーム7やインナーフレーム6を用いて基板処理装置を構成することが可能となる。   Thus, the layout of each outer frame 7, the gas box 81, the power supply box 82, and the plasma box 83 and the layout of the LLM 3, the first and second vacuum processing modules 4A and 4B in the processing unit U are made common. Thus, the substrate processing apparatus can be configured using the LLM 3, the first and second vacuum processing modules 4 </ b> A and 4 </ b> B, the outer frame 7 and the inner frame 6 having a common configuration.

この要件を満たすため、本例の基板処理装置は、図2に示すように、基板搬送部20を挟んで3基ずつ配置されたアウターフレーム7やこれに付設されたガスボックス81、電源ボックス82の配置レイアウトが、基板搬送部20を挟んで回転対称に配置された構成となっている。   In order to satisfy this requirement, as shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus of the present example includes an outer frame 7 arranged three by three with the substrate transport unit 20 interposed therebetween, a gas box 81 attached thereto, and a power supply box 82. Is arranged in a rotationally symmetrical manner across the substrate transport unit 20.

さらに図6、7などに示すように、インナーフレーム6の下面側には、当該インナーフレーム6及び処理ユニットUを下面側から支持するスライダー部61が設けられている。本例のスライダー部61は、細長い板状の部材によって構成され、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bの並び方向(Y’方向)と交差する方向(X’方向)に沿って、互いに間隔を開けて2本設けられている。   Further, as shown in FIGS. 6 and 7, a slider portion 61 that supports the inner frame 6 and the processing unit U from the lower surface side is provided on the lower surface side of the inner frame 6. The slider portion 61 of the present example is configured by an elongated plate-like member, along a direction (X ′ direction) that intersects the arrangement direction (Y ′ direction) of the first and second vacuum processing modules 4A and 4B, Two are provided at intervals.

例えば、各収容空間70A〜70Cに収容される処理ユニットUにおいて、スライダー部61の下面側には、スライダー部61の延伸方向に沿って複数組のカムフォロア(ローラーフォロアでもよい)が設けられている(不図示)。これらのカムフォロアは、アウターフレーム7側の棚板部72に、基板搬送部20の側壁面と直交する方向(図6のX’方向)に伸びるように形成された溝状の走行軌道74に沿ってインナーフレーム6を移動させる機能を果たす。これらのインナーフレーム6において、スライダー部61やカムフォロアは、処理ユニットUを移動させる移動機構に相当する。また、カムフォロア(ローラーフォロア)に替えて、スライダー部61にキャスターを設けて移動機構を構成してもよい。なお、図6以外においては走行軌道74の記載は、省略してある。
さらに、各カムフォロアとスライダー部61との間には、インナーフレーム6を昇降させるための昇降機構であるジャッキ部62が介設されている。
For example, in the processing units U accommodated in the accommodating spaces 70 </ b> A to 70 </ b> C, a plurality of sets of cam followers (or roller followers) may be provided on the lower surface side of the slider portion 61 along the extending direction of the slider portion 61. (Not shown). These cam followers follow a groove-like running track 74 formed on the shelf plate portion 72 on the outer frame 7 side so as to extend in a direction orthogonal to the side wall surface of the substrate transport unit 20 (direction X ′ in FIG. 6). The inner frame 6 is moved. In these inner frames 6, the slider portion 61 and the cam follower correspond to a moving mechanism that moves the processing unit U. Moreover, it may replace with a cam follower (roller follower) and may provide a caster in the slider part 61, and may comprise a moving mechanism. In addition, the description of the traveling track 74 is omitted except for FIG.
Furthermore, between each cam follower and the slider part 61, the jack part 62 which is an raising / lowering mechanism for raising / lowering the inner frame 6 is interposed.

上述の構成により、収容空間70A〜70Cでは走行軌道74に沿ってカムフォロアが移動することにより、各々の収容空間70A〜70C内で、インナーフレーム6に支持された処理ユニットU(LLM3及び第1、第2の真空処理モジュール4A、4B)を一体として横方向に移動させることができる。   With the above-described configuration, the cam followers move along the traveling track 74 in the accommodation spaces 70A to 70C, so that the processing units U (LLM3 and the first, first, and second) supported by the inner frame 6 in each of the accommodation spaces 70A to 70C. The second vacuum processing modules 4A, 4B) can be moved laterally as a unit.

一方で、処理ユニットUを構成するLLM3や第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bには、既述のように各種の配管が接続されているところ、これらの配管が接続された状態では、処理ユニットUを移動させることができない。
そこで本例の処理ユニットUは、既述の移動機構や昇降機構を用いた横方向の移動と昇降動作とを利用して、真空容器40内を真空排気するためのユニット側排気管41や、真空容器40に処理ガスなどを供給するためのユニット側ガス供給管42を、アウターフレーム7側に配置された装置側排気管51や装置側ガス供給管52に対して簡便に脱着することが可能な構成を備えている。
On the other hand, as described above, various pipes are connected to the LLM 3 and the first and second vacuum processing modules 4A and 4B constituting the processing unit U. In a state where these pipes are connected. The processing unit U cannot be moved.
Therefore, the processing unit U of this example uses a unit-side exhaust pipe 41 for evacuating the inside of the vacuum vessel 40 using the horizontal movement and the lifting operation using the moving mechanism and the lifting mechanism described above, The unit-side gas supply pipe 42 for supplying a processing gas or the like to the vacuum vessel 40 can be easily detached from the apparatus-side exhaust pipe 51 and the apparatus-side gas supply pipe 52 arranged on the outer frame 7 side. It has a simple configuration.

また、各種の配管が取り外され、処理ユニットUを横方向に移動させることが可能となっても、処理ユニットUの移動経路と干渉する位置に配管が配置されていると、処理ユニットUを移動させることができない。また、アウターフレーム7はできるだけコンパクトに構成することが要請されるところ、複数の処理ユニットUを収容した状態では空き領域が少なくなってしまう場合もある。このとき、処理ユニットUの移動経路と干渉せずに配管を配置することが可能な領域があったとしても十分に広い空間を確保できず、全ての配管を当該領域に集中して配置してしまうと、配管同士の隙間が狭くなって、各々の配管のメンテナンスを行えなくなってしまうおそれもある。   In addition, even if various pipes are removed and the processing unit U can be moved in the lateral direction, if the pipes are arranged at positions that interfere with the movement path of the processing unit U, the processing unit U is moved. I can't let you. In addition, when the outer frame 7 is required to be configured as compact as possible, there may be a case where an empty area is reduced in a state where a plurality of processing units U are accommodated. At this time, even if there is an area where the piping can be arranged without interfering with the moving path of the processing unit U, a sufficiently wide space cannot be secured, and all the pipes are concentrated in the area. As a result, the gap between the pipes may be narrowed, and maintenance of each pipe may not be performed.

そこで本例の基板処理装置においては、LLM3や第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bに接続される配管を種類分けして異なる領域に分散して配置することにより、処理ユニットUが横方向に移動可能な状態を確保しつつ、メンテナンス性のよい配管配置を実現している。
なお、図示の便宜上、以下に説明するユニット側排気管41、ユニット側ガス供給管42、装置側排気管51(第1の装置側排気管51A、第2の装置側排気管51B)や装置側ガス供給管52、リモートプラズマ供給配管831、リモートプラズマ分岐配管832などについては、図2、4〜8以外の図では適宜、記載を省略してある。
Therefore, in the substrate processing apparatus of this example, the processing units U are arranged horizontally by classifying the pipes connected to the LLM 3 and the first and second vacuum processing modules 4A and 4B and distributing them in different areas. While maintaining a movable state in the direction, the pipe arrangement with good maintainability is realized.
For convenience of illustration, a unit side exhaust pipe 41, a unit side gas supply pipe 42, an apparatus side exhaust pipe 51 (first apparatus side exhaust pipe 51A, second apparatus side exhaust pipe 51B) and apparatus side described below The gas supply pipe 52, the remote plasma supply pipe 831, the remote plasma branch pipe 832, etc. are omitted as appropriate in the drawings other than FIGS.

図4中に破線で囲んで示すように、アウターフレーム7の各段内(収容空間70A〜70C)を上面側から見たとき、LLM3の左右の側方であって、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bと基板搬送部20との間には、処理ユニットUの本体機器(LLM3や第1、第2の真空処理モジュール4A、4B)が配置されていない空き領域Rが存在する。そこで、本例の基板処理装置では、この空き領域を利用して処理ユニット側配管部であるユニット側排気管41、ユニット側ガス供給管42を、装置側配管部である装置側排気管51(第1の装置側排気管51A、第2の装置側排気管51B)、装置側ガス供給管52(52A、52B)に対して接続する。   4, when the inside (accommodation spaces 70A to 70C) of the outer frame 7 is viewed from the upper surface side, the left and right sides of the LLM 3 are the first and second sides. Between the vacuum processing modules 4A and 4B and the substrate transfer unit 20, there is an empty area R in which the main unit (LLM3 and the first and second vacuum processing modules 4A and 4B) of the processing unit U is not disposed. . Therefore, in the substrate processing apparatus of this example, using this empty area, the unit side exhaust pipe 41 and the unit side gas supply pipe 42 which are processing unit side piping parts are connected to the apparatus side exhaust pipe 51 ( The first apparatus side exhaust pipe 51A, the second apparatus side exhaust pipe 51B), and the apparatus side gas supply pipe 52 (52A, 52B) are connected.

図2、5、7などに示すように、アウターフレーム7における既述の空き領域Rには、当該アウターフレーム7を上下方向に貫通するように、真空排気用の第1の装置側排気管51A、第2の装置側排気管51Bが各々配設されている。第1、第2の装置側排気管51A、51Bの上端は、最上段の収容空間70C内まで延びだした後、フランジ蓋にて封止されている。これら第1、第2の装置側排気管51A、51Bは、棚板部72の前記空き領域Rに形成された開口部721を通ってアウターフレーム7を上下方向に貫通し、その下端は、例えば処理ブロック102の床面の下方側にて、工場用力の真空排気ラインに接続されている。
なお、第1、第2の装置側排気管51A、51Bは、その全体が空き領域Rの内側に配置されることは必須の要件ではない。例えばこれらの配管51A、51Bの一部が、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bの外縁よりも外側(空き領域Rの外側)にはみ出していてもよい。
As shown in FIGS. 2, 5, 7, etc., the first device-side exhaust pipe 51 </ b> A for evacuating the empty space R described above in the outer frame 7 so as to penetrate the outer frame 7 in the vertical direction. The second apparatus-side exhaust pipe 51B is provided. The upper ends of the first and second device-side exhaust pipes 51A and 51B extend into the uppermost accommodation space 70C and are then sealed with a flange lid. These first and second apparatus side exhaust pipes 51A, 51B pass through the outer frame 7 in the vertical direction through the opening 721 formed in the empty area R of the shelf 72, and the lower end thereof is, for example, On the lower side of the floor of the processing block 102, it is connected to a vacuum exhaust line for factory power.
Note that it is not an essential requirement that the first and second apparatus-side exhaust pipes 51 </ b> A and 51 </ b> B are entirely disposed inside the empty area R. For example, a part of these pipes 51A and 51B may protrude beyond the outer edge of the first and second vacuum processing modules 4A and 4B (outside the empty area R).

第1、第2の装置側排気管51A、51Bからは、収容空間70A〜70C内の所定の高さ位置にて分岐管511が分岐し、これらの分岐管511の末端は、上面へ向いて開口する開口端部を構成すると共に、当該開口端部には、フランジ状の連結部材510が設けられている。
なお、分岐管511には真空容器40内の圧力制御を行うためのバタフライ弁が設けられているが、本例では図示を省略してある。
From the first and second apparatus-side exhaust pipes 51A and 51B, branch pipes 511 branch at predetermined height positions in the accommodation spaces 70A to 70C, and the ends of these branch pipes 511 face the upper surface. An opening end portion that opens is provided, and a flange-like connecting member 510 is provided at the opening end portion.
The branch pipe 511 is provided with a butterfly valve for controlling the pressure in the vacuum vessel 40, but is not shown in this example.

一方、図4、7などに示すように、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bの下面側には、真空容器40内の真空排気を行うためのユニット側排気管41が接続されている。一端部が真空容器40に接続されたニット側排気管41は、前方側へ向けて延伸され、その他端部は、LLM3と基板搬送部20とが接続される接続位置に処理ユニットUを配置したとき、既述の空き領域R内に配置された分岐管511の開口と連通する位置に開口している。当該ユニット側排気管41の末端部にもフランジ状の連結部材410が設けられている。   On the other hand, as shown in FIGS. 4 and 7, a unit side exhaust pipe 41 for evacuating the vacuum vessel 40 is connected to the lower surfaces of the first and second vacuum processing modules 4A and 4B. Yes. The knit side exhaust pipe 41 whose one end is connected to the vacuum vessel 40 extends toward the front side, and the other end has the processing unit U disposed at a connection position where the LLM 3 and the substrate transport unit 20 are connected. At this time, the opening is opened at a position communicating with the opening of the branch pipe 511 arranged in the empty area R described above. A flange-shaped connecting member 410 is also provided at the end of the unit-side exhaust pipe 41.

ユニット側排気管41の末端部と分岐管511の末端部を接続したとき、フランジ状の連結部材510と連結部材410の対向面同士は不図示のO‐リングなどを介して気密に連結され、さらに不図示のクランプ機構を用いて、連結された状態を固定することができるようになっている。なお、クランプ機構を用いる場合に限らず、ねじなどを用いて連結部材510と連結部材410とを締結する構造としてもよい。
また、一方側の装置側排気管51(例えば第2の装置側排気管51B)から分岐した分岐管511に設けられている連結部材510には、ロードロック室32に設けられた既述の不図示の排気管の末端部に設けられたフランジ状の連結部(不図示)と連結される開口が形成されている。
When the end portion of the unit side exhaust pipe 41 and the end portion of the branch pipe 511 are connected, the opposing surfaces of the flange-like connecting member 510 and the connecting member 410 are airtightly connected via an O-ring (not shown), Furthermore, the connected state can be fixed using a clamping mechanism (not shown). In addition, it is good also as a structure which fastens the connection member 510 and the connection member 410 using a screw etc. not only when using a clamp mechanism.
In addition, the connecting member 510 provided in the branch pipe 511 branched from the one apparatus-side exhaust pipe 51 (for example, the second apparatus-side exhaust pipe 51B) has the above-described disadvantage provided in the load lock chamber 32. An opening connected to a flange-like connecting portion (not shown) provided at the end of the illustrated exhaust pipe is formed.

これらの構成によりアウターフレーム7内にて、上下方向へと多段(本例では3段)に並べられた処理ユニットUの第1の真空処理モジュール4Aに対しては、第1の装置側排気管51Aが共通に接続される。また同じく多段に並べられた処理ユニットUの第2の真空処理モジュール4Bに対しては、第2の装置側排気管51Bが共通に接続される。
本例において、第1の装置側排気管51Aは第1の貫通配管に相当し、第2の装置側排気管51Bは第2の貫通配管に相当する。
With these configurations, the first apparatus-side exhaust pipe is provided to the first vacuum processing module 4A of the processing units U arranged in multiple stages (three stages in this example) vertically in the outer frame 7. 51A are connected in common. Similarly, the second apparatus side exhaust pipe 51B is commonly connected to the second vacuum processing modules 4B of the processing units U arranged in multiple stages.
In this example, the first device-side exhaust pipe 51A corresponds to a first through pipe, and the second device-side exhaust pipe 51B corresponds to a second through pipe.

次にガス供給用の配管(装置側ガス供給管52、ユニット側ガス供給管42)の構成について説明する。なお、ガス供給用の配管の配置数は、成膜に利用されるガスの種類数やパージガスの利用の有無などに応じて変化するが、図示の便宜上、図1、5、7、8においては、1〜2本の配管のみを表示してある。
図2、5、7などに示すように、アウターフレーム7に隣接して配置されたガスボックス81からは、各収容空間70A〜70Cの高さ位置にて、ガス供給用の装置側ガス供給管52(52A、52B)が2組ずつ各収容空間70A〜70Cへ向けて延びだしている。一方の組の装置側ガス供給管52Bは、アウターフレーム7の側面に沿って真空処理モジュール4Bの手前側、且つ、LLM3の側方位置(既述の「空き領域R」の一方側)まで延びだしている。
Next, the configuration of a gas supply pipe (device-side gas supply pipe 52, unit-side gas supply pipe 42) will be described. The number of gas supply pipes varies depending on the number of types of gases used for film formation and whether or not purge gas is used, but for convenience of illustration, in FIGS. Only one or two pipes are displayed.
As shown in FIGS. 2, 5, 7, etc., from the gas box 81 disposed adjacent to the outer frame 7, gas supply device side gas supply pipes are provided at the height positions of the respective accommodation spaces 70 </ b> A to 70 </ b> C. 52 (52A, 52B) are extended toward the respective accommodation spaces 70A to 70C by two sets. One set of apparatus-side gas supply pipes 52B extends along the side surface of the outer frame 7 to the front side of the vacuum processing module 4B and to the side position of the LLM 3 (one side of the above-described “empty area R”). It is out.

また、他方の組の装置側ガス供給管52Aは、既述の装置側ガス供給管52Bとは反対向きに、基板搬送部20側へ向けて延伸された後、基板搬送部20に対向するアウターフレーム7の前面にて下方側へと延伸方向を変え、基板搬送部20とLLM3との接続部を迂回するようにガスボックス81の配置面とは反対のアウターフレーム7の側面まで引き回されている。さらに装置側ガス供給管52Aは、延伸方向を上向きに変えた後、既述の装置側ガス供給管52Bと同じ高さ位置にて、アウターフレーム7の側面に沿って第1の真空処理モジュール4Aの手前側、且つ、LLM3の側方位置(既述の「空き領域R」の他方側)まで延伸されている。   The other set of apparatus-side gas supply pipes 52A extends outward toward the substrate transfer section 20 in the opposite direction to the apparatus-side gas supply pipe 52B described above, and then is an outer surface facing the substrate transfer section 20. The drawing direction is changed to the lower side on the front surface of the frame 7 and is drawn to the side surface of the outer frame 7 opposite to the arrangement surface of the gas box 81 so as to bypass the connection portion between the substrate transport unit 20 and the LLM 3. Yes. Further, the apparatus-side gas supply pipe 52A has the first vacuum processing module 4A along the side surface of the outer frame 7 at the same height as the apparatus-side gas supply pipe 52B described above after changing the extending direction upward. And to the side position of the LLM 3 (the other side of the above-mentioned “empty area R”).

図7、8に示すように、LLM3の側方位置に配置された装置側ガス供給管52(図7、8には、装置側ガス供給管52Bの例を示してある)からは、さらに処理ユニットUが配置される方向であるアウターフレーム7(収容空間70A〜70C)の内側領域へ向けて接続管521が延伸されている。そして、各接続管521の末端部は、これらの接続管521が共通に接続されたブロック形状の連結部材520が設けられ、当該接続管521内には、各接続管521に対応する流路が形成され、上面へ向けて開口している(装置側ガス供給管52Bの開口端部)。   As shown in FIGS. 7 and 8, the apparatus side gas supply pipe 52 (an example of the apparatus side gas supply pipe 52B is shown in FIGS. 7 and 8) disposed at the side position of the LLM 3 is further processed. The connecting pipe 521 is extended toward the inner region of the outer frame 7 (accommodating spaces 70A to 70C) in which the unit U is arranged. And the terminal part of each connection pipe | tube 521 is provided with the block-shaped connection member 520 to which these connection pipe | tubes 521 are connected in common, The flow path corresponding to each connection pipe | tube 521 is in the said connection pipe | tube 521. It is formed and opens toward the upper surface (opening end portion of the apparatus-side gas supply pipe 52B).

一方、図4、7などに示すように、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bの上面側には、真空容器40に処理ガスなどを供給するための複数本のユニット側ガス供給管42が接続されている。一端部が第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bに接続された各ユニット側ガス供給管42は、前方側へ向けて延伸された後、その他端部において、ブロック形状の共通の連結部材420に接続されている。当該連結部材420内には、各ユニット側ガス供給管42に対応する流路が形成され、下面へ向けて開口している。連結部材420は、LLM3と基板搬送部20とが接続される接続位置に処理ユニットUを配置したとき、連結部材520と連結される位置に配置されている。   On the other hand, as shown in FIGS. 4 and 7, etc., a plurality of unit side gas supply pipes for supplying a processing gas and the like to the vacuum vessel 40 are provided on the upper surface side of the first and second vacuum processing modules 4A and 4B. 42 is connected. Each unit-side gas supply pipe 42 whose one end is connected to the first and second vacuum processing modules 4A and 4B is extended toward the front side, and then is connected to a common block-shaped connecting member at the other end. 420 is connected. A flow path corresponding to each unit-side gas supply pipe 42 is formed in the connection member 420 and opens toward the lower surface. The connecting member 420 is arranged at a position where the connecting member 520 is connected when the processing unit U is arranged at a connecting position where the LLM 3 and the substrate transport unit 20 are connected.

装置側ガス供給管52側の連結部材520とユニット側ガス供給管42側の連結部材420とは不図示のO‐リングなどを介して気密に連結される。さらにこれらの連結部材520、420は、ねじなどを用いて連結する構造としてもよいし、簡易に連結、取り外しすることが可能なソケット構造としてもよい。   The connecting member 520 on the apparatus side gas supply pipe 52 side and the connecting member 420 on the unit side gas supply pipe 42 side are airtightly connected via an O-ring (not shown) or the like. Further, these connecting members 520 and 420 may be connected using screws or the like, or may be a socket structure that can be easily connected and removed.

これらの構成により、装置側ガス供給管52(52A、52B)を一体として見たとき、当該装置側ガス供給管52は、アウターフレーム7の各段(収容空間70A〜70C)を横断するように配設され、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bに接続されているといえる。
本例において、装置側ガス供給管52(52A、52B)は横断配管に相当する。
With these configurations, when the apparatus-side gas supply pipe 52 (52A, 52B) is viewed as a unit, the apparatus-side gas supply pipe 52 crosses each stage (accommodating spaces 70A to 70C) of the outer frame 7. It can be said that it is disposed and connected to the first and second vacuum processing modules 4A and 4B.
In this example, the apparatus side gas supply pipe 52 (52A, 52B) corresponds to a transverse pipe.

最後に、真空容器40のクリーニングの際に、プラズマボックス83にて発生させたリモートプラズマを第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bへ供給する配管(リモートプラズマ供給配管831、リモートプラズマ分岐配管832)の構成について説明する。
図5に示すように、最上段の収容空間70Cの上方側に配置されたプラズマボックス83には、リモートプラズマ供給配管831が接続されている。当該リモートプラズマ供給配管831はアウターフレーム7の側面に沿って、基板搬送部20から見て横方向奥手側へと伸び出した後、アウターフレーム7の側面の中央位置にて延伸方向を下方側へと変化させ、最下段の収容空間70Aの高さ位置まで伸び出している。
Finally, pipes for supplying the remote plasma generated in the plasma box 83 to the first and second vacuum processing modules 4A and 4B when cleaning the vacuum vessel 40 (remote plasma supply pipe 831, remote plasma branch pipe) 832) will be described.
As shown in FIG. 5, a remote plasma supply pipe 831 is connected to the plasma box 83 disposed on the upper side of the uppermost accommodation space 70 </ b> C. The remote plasma supply pipe 831 extends along the side surface of the outer frame 7 toward the far side in the lateral direction when viewed from the substrate transfer unit 20, and then extends downward in the center position of the side surface of the outer frame 7. And is extended to the height position of the lowermost storage space 70A.

上下方向に伸びるリモートプラズマ供給配管831からは、各段(収容空間70A〜70C)に収容された第1、第2の処理モジュール4A、4Bよりもやや上方の高さ位置にて、リモートプラズマ分岐配管832が横方向に分岐している。各リモートプラズマ分岐配管832は、処理ユニットUの第1、第2の処理モジュール4A、4Bの並び方向に沿って横方向に伸び出し、第1、第2の処理モジュール4A、4B側に設けられた接続部43に接続されている(図6には収容空間70Bの例を示してある)。   From the remote plasma supply pipe 831 extending in the vertical direction, the remote plasma branch is at a height slightly above the first and second processing modules 4A and 4B accommodated in the respective stages (accommodating spaces 70A to 70C). The pipe 832 branches in the lateral direction. Each remote plasma branch pipe 832 extends in the lateral direction along the direction in which the first and second processing modules 4A and 4B of the processing unit U are arranged, and is provided on the first and second processing modules 4A and 4B side. Are connected to the connecting portion 43 (FIG. 6 shows an example of the accommodation space 70B).

リモートプラズマ分岐配管832は、ジョイント833を介して連結され途中から取り外すことができるようになっている。そこで、処理ユニットUを横方向に移動させてアウターフレーム7から引き出す際には、第1、第2の処理モジュール4A、4Bからリモートプラズマ分岐配管832の一部を取り外すことにより、処理ユニットUの移動経路との干渉を避けている。   The remote plasma branch pipe 832 is connected via a joint 833 and can be removed from the middle. Therefore, when the processing unit U is moved in the lateral direction and pulled out from the outer frame 7, a part of the remote plasma branch pipe 832 is removed from the first and second processing modules 4A and 4B. Avoiding interference with travel paths.

上述の構成を踏まえると、リモートプラズマ分岐配管832についても、アウターフレーム7の各段(収容空間70A〜70C)を横断するように配設され、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bに接続され横断配管に相当するといえる。
なお、図示の便宜上、図2においてはリモートプラズマ供給配管831、リモートプラズマ分岐配管832などの記載は省略してある。
Based on the above-described configuration, the remote plasma branch pipe 832 is also disposed so as to traverse each stage (accommodating spaces 70A to 70C) of the outer frame 7, and is connected to the first and second vacuum processing modules 4A and 4B. It can be said that it is connected and corresponds to cross piping.
For convenience of illustration, the remote plasma supply pipe 831 and the remote plasma branch pipe 832 are not shown in FIG.

この他、本例の基板処理装置には、不図示の制御部が設けられている。例えば制御部はCPU(Central Processing Unit)と記憶部とを備えたコンピュータからなり、記憶部には各処理ユニットUの第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bにて実施される成膜の内容や第1の基板搬送機構2によるウエハWの搬送順などの制御についてのステップ(命令)群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。   In addition, the substrate processing apparatus of this example is provided with a control unit (not shown). For example, the control unit includes a computer having a CPU (Central Processing Unit) and a storage unit, and the storage unit performs film formation performed by the first and second vacuum processing modules 4A and 4B of each processing unit U. A program in which a group of steps (commands) for controlling the contents and the transfer order of the wafer W by the first substrate transfer mechanism 2 is recorded. This program is stored in a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magnetic optical disk, or a memory card, and installed in the computer therefrom.

以上に説明した構成を備える基板処理装置の作用について説明する。
図3などに示すように、基板処理装置の通常の運転時において、処理ユニットUはインナーフレーム6に支持された状態で各アウターフレーム7の収容空間70A〜70C内に収容され、それぞれの処理ユニットUのLLM3は基板搬送部20に接続されている。
The operation of the substrate processing apparatus having the configuration described above will be described.
As shown in FIG. 3 and the like, during normal operation of the substrate processing apparatus, the processing unit U is accommodated in the accommodating spaces 70A to 70C of the outer frames 7 while being supported by the inner frame 6, and the respective processing units. The U LLM 3 is connected to the substrate transfer unit 20.

そして、処理対象のウエハWを収容したキャリアCがEFEM101のロードポート11に載置されると、受け渡し機構12によってキャリアCからウエハWが取り出され、第1の基板搬送機構2に搬送される。予め設定された枚数だけ処理対象のウエハWが第1の基板搬送機構2内に収容されたら、これらのウエハWに対して成膜を行う処理ユニットUが収容されている位置まで第1の基板搬送機構2を移動させる。そして、第1の基板搬送機構2を構成する筐体の開口面を処理ユニットU側に向けると共に、当該処理ユニットU内のLLM3内の第2の基板搬送機構33との間でウエハWを受け渡し可能な高さに、取り出されるウエハWの高さ位置を合わせる。   When the carrier C containing the wafer W to be processed is placed on the load port 11 of the EFEM 101, the wafer W is taken out from the carrier C by the delivery mechanism 12 and transferred to the first substrate transfer mechanism 2. When a predetermined number of wafers W to be processed are accommodated in the first substrate transport mechanism 2, the first substrate is moved to a position where a processing unit U for forming a film on these wafers W is accommodated. The transport mechanism 2 is moved. Then, the opening surface of the housing constituting the first substrate transport mechanism 2 is directed to the processing unit U side, and the wafer W is transferred to and from the second substrate transport mechanism 33 in the LLM 3 in the processing unit U. The height position of the wafer W to be taken out is adjusted to a possible height.

一方、処理ユニットU側では、ロードロック室32内が常圧雰囲気の状態にて基板搬送部20側のゲートバルブG1を開き、第2の基板搬送機構33の関節アームを延伸させて第1の基板搬送機構2内に進入させ、関節アームのフォークを、受け取るウエハWの下方側に位置させる。しかる後、第1の基板搬送機構2を少し降下させることにより、第1の基板搬送機構2内の保持部材からフォークへとウエハWを受け取る。なお、上記ウエハWの受け渡し動作に先行して、当該処理ユニットU内での成膜が終了したウエハWを第1の基板搬送機構2の空いているウエハ保持部に受け渡す動作を実施してもよい。
ウエハWを受け取った第2の基板搬送機構33は、関節アームを縮退させ、ゲートバルブG1を閉じてロードロック室32内を真空雰囲気に切り替える。
On the other hand, on the processing unit U side, the gate valve G1 on the substrate transport unit 20 side is opened while the inside of the load lock chamber 32 is in a normal pressure atmosphere, and the joint arm of the second substrate transport mechanism 33 is extended to extend the first. The substrate is moved into the substrate transfer mechanism 2 and the fork of the joint arm is positioned below the wafer W to be received. Thereafter, the first substrate transport mechanism 2 is slightly lowered to receive the wafer W from the holding member in the first substrate transport mechanism 2 to the fork. Prior to the transfer operation of the wafer W, an operation of transferring the wafer W after film formation in the processing unit U to an empty wafer holder of the first substrate transfer mechanism 2 is performed. Also good.
The second substrate transfer mechanism 33 that has received the wafer W retracts the joint arm, closes the gate valve G1, and switches the inside of the load lock chamber 32 to a vacuum atmosphere.

次いで、当該ウエハWへの成膜を行う第1、第2の真空処理モジュール4A、4B側のゲートバルブG2、G3を開き、真空容器40内にウエハWを搬入して成膜を実施する。処理ユニットUに設けられている第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bの使用方法については、例えば一方側の真空処理モジュール4A、4Bにて成膜を行っている期間中、他方側の真空処理モジュール4B、4Aにクリーニングガスを供給してクリーニングを実施してもよい。また、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bにて並行してウエハWへの成膜を行ってもよい。   Next, the gate valves G2 and G3 on the first and second vacuum processing modules 4A and 4B that perform film formation on the wafer W are opened, and the wafer W is loaded into the vacuum vessel 40 to perform film formation. Regarding the method of using the first and second vacuum processing modules 4A and 4B provided in the processing unit U, for example, during the period in which film formation is performed in the vacuum processing modules 4A and 4B on one side, Cleaning may be performed by supplying a cleaning gas to the vacuum processing modules 4B and 4A. In addition, film formation on the wafer W may be performed in parallel in the first and second vacuum processing modules 4A and 4B.

所定の処理ユニットUにウエハWを受け渡した第1の基板搬送機構2は、当該第1の基板搬送機構2内に収容されている他のウエハWに対して成膜を行う処理ユニットUの配置位置へと順次、移動してウエハWの受け渡しを行う。この動作により、基板処理装置に設けられている複数の処理ユニットUにて並行してウエハWに対する成膜を行うことができる。
そして処理ユニットUにおける成膜が終了したら、第1の基板搬送機構2を移動させて当該処理ユニットUから成膜後のウエハWを受け取る。しかる後、第1の基板搬送機構2内に、成膜後のウエハWを所定枚数だけ収容したら、第1の基板搬送機構2をEFEM101側へ移動させ、搬入時とは反対の経路にて、成膜後のウエハWを元のキャリアCに戻す。
The first substrate transfer mechanism 2 that has transferred the wafer W to the predetermined processing unit U is arranged with the processing unit U that forms a film on another wafer W accommodated in the first substrate transfer mechanism 2. The wafer W is sequentially transferred to the position and transferred. With this operation, film formation on the wafer W can be performed in parallel by the plurality of processing units U provided in the substrate processing apparatus.
When the film formation in the processing unit U is completed, the first substrate transport mechanism 2 is moved to receive the film-formed wafer W from the processing unit U. After that, when a predetermined number of wafers W after film formation are accommodated in the first substrate transport mechanism 2, the first substrate transport mechanism 2 is moved to the EFEM 101 side, and on the path opposite to the time of loading, The wafer W after film formation is returned to the original carrier C.

上述の手順に基づき、ウエハWに対する成膜が行われる基板処理装置において、例えばいずれかの処理ユニットUに設けられている第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bにて真空容器40を開放してメンテナンスを行う必要が生じた場合を考える。
この場合には、メンテナンス対象の処理ユニットUが、第1の基板搬送機構2によるウエハWの搬送先から外されるように制御部の設定を行い、LLM3のロードロック室32内を常圧状態とし、また第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bの真空容器40の真空状態を解除して開放可能な状態とする。基板処理装置は、メンテナンスの対象ではない他のアウターフレーム7内に設けられた処理ユニットUを用いて、ウエハWの処理を継続することができる。
In the substrate processing apparatus in which film formation is performed on the wafer W based on the above-described procedure, for example, the vacuum container 40 is opened by the first and second vacuum processing modules 4A and 4B provided in one of the processing units U. Then, consider the case where maintenance is required.
In this case, the control unit is set so that the maintenance target processing unit U is removed from the transfer destination of the wafer W by the first substrate transfer mechanism 2, and the inside of the load lock chamber 32 of the LLM 3 is in a normal pressure state. In addition, the vacuum state of the vacuum containers 40 of the first and second vacuum processing modules 4A and 4B is released to a state where they can be opened. The substrate processing apparatus can continue processing the wafer W by using the processing unit U provided in another outer frame 7 that is not a maintenance target.

所定の処理ユニットUがメンテナンス可能な状態となったら、当該処理ユニットUについて、作業者が真空容器40を開放する準備を行う。
例えば中段の収容空間70Bに収容された処理ユニットUにおけるメンテナンスの準備を行う場合について説明すると、初めに作業者は、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bに接続されているリモートプラズマ分岐配管832の一部を取り外す。次いで、図7に示すように、処理ユニットUが引き出される位置に、インナーフレーム6を載置する載置台91を設ける。載置台91の上面側に設けられた天板は、アウターフレーム7側の棚板部72と連続した面が形成されるように配置され、また当該天板面には棚板部72側の走行軌道74と連続する不図示の溝状の走行軌道が形成されている。
When a predetermined processing unit U is ready for maintenance, an operator prepares to open the vacuum container 40 for the processing unit U.
For example, the case of preparing for maintenance in the processing unit U housed in the middle housing space 70B will be described. First, the operator first branches the remote plasma branch connected to the first and second vacuum processing modules 4A and 4B. A part of the pipe 832 is removed. Next, as shown in FIG. 7, a mounting table 91 on which the inner frame 6 is mounted is provided at a position where the processing unit U is pulled out. The top plate provided on the upper surface side of the mounting table 91 is arranged so that a surface continuous with the shelf plate portion 72 on the outer frame 7 side is formed, and the shelf plate 72 side travels on the top plate surface. A groove-shaped traveling track (not shown) that is continuous with the track 74 is formed.

そして、ユニット側排気管41と分岐管511、ユニット側ガス供給管42と接続管521の連結を解除し、ジャッキ部62を用いてインナーフレーム6(処理ユニットU)を上昇させる。次いで、カムフォロアのロックを解除し、棚板部72及び載置台91の天板の走行軌道74に沿ってカムフォロアを移動させ、基板搬送部20から離間させる方向へとインナーフレーム6及びインナーフレーム6に支持された処理ユニットUを引き出す。   Then, the unit side exhaust pipe 41 and the branch pipe 511, the unit side gas supply pipe 42 and the connection pipe 521 are disconnected, and the inner frame 6 (processing unit U) is raised using the jack portion 62. Next, the cam follower is unlocked, the cam follower is moved along the traveling path 74 of the top plate of the shelf 72 and the mounting table 91, and the inner frame 6 and the inner frame 6 are moved away from the substrate transfer unit 20. Pull out the supported processing unit U.

このとき、アウターフレーム7を上下方向に貫通するように空き領域Rに配置された第1、第2の装置側排気管51A、51Bをアウターフレーム7側に残して、処理ユニットUは外部へと引き出される。
しかる後、作業者は不図示の踏み台などに乗って第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bの真空容器40を開放し、必要なメンテナンスを行う。
At this time, the first and second apparatus side exhaust pipes 51A and 51B arranged in the empty area R so as to penetrate the outer frame 7 in the vertical direction are left on the outer frame 7 side, and the processing unit U is moved to the outside. Pulled out.
Thereafter, the operator gets on a stepping platform (not shown) to open the vacuum containers 40 of the first and second vacuum processing modules 4A and 4B, and performs necessary maintenance.

また、最下段の収容空間70Aに収容された処理ユニットUの場合は、処理ブロック102内の床面に上を移動させる点を除いて中段の収容空間70Bに収容された処理ユニットUに対する操作と同様である。   Further, in the case of the processing unit U accommodated in the lowermost accommodation space 70A, the operation on the processing unit U accommodated in the middle accommodation space 70B except that the processing unit U is moved to the floor in the processing block 102. It is the same.

また、最上段の収容空間70Cに収容された処理ユニットUについては、当該処理ユニットUよりも上段側に処理ユニットUが配置されていない。そこで、踏み台などに乗った作業者が処理ブロック102を収容する筐体の一部、及びリモートプラズマ分岐配管832の一部を取り外すことにより、直接、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bにアクセスすることができる。   Further, with respect to the processing unit U accommodated in the uppermost accommodation space 70 </ b> C, the processing unit U is not arranged on the upper side of the processing unit U. Therefore, an operator on a step board or the like removes a part of the housing for housing the processing block 102 and a part of the remote plasma branch pipe 832, so that the first and second vacuum processing modules 4 </ b> A and 4 </ b> B are directly used. Can be accessed.

次に、収容空間70A、70Bから引き出された処理ユニットUを基板搬送部20に接続する動作について図7、8を参照しながら説明する。図7、8は、中段の収容空間70Bに収容されたが処理ユニットU及びインナーフレーム6の例を示しているが最下段の収容空間70Aに収容された処理ユニットU、インナーフレーム6についての動作も同様である。   Next, an operation of connecting the processing unit U drawn out from the accommodation spaces 70A and 70B to the substrate transport unit 20 will be described with reference to FIGS. 7 and 8 show examples of the processing unit U and the inner frame 6 accommodated in the middle accommodation space 70B, but the operation of the processing unit U and the inner frame 6 accommodated in the lowermost accommodation space 70A. Is the same.

図7に示すように基板搬送部20から離間した所定のメンテナンス位置まで引き出された処理ユニットUについて、メンテナンスが終了したら、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bの真空容器40を閉じて開放状態から復旧する。ついで、カムフォロアのロックを解除し、棚板部72の走行軌道74に沿ってカムフォロアを移動させ、基板搬送部20にLLM3を接続する位置、より詳細には、LLM3が基板搬送部20に接続される接続位置よりも上方側の切り離し位置まで、横方向にインナーフレーム6を押し戻す。
しかる後、ジャッキ部62によりインナーフレーム6を降下させ、処理ユニットUを接続位置まで移動させて、LLM3の連結口部34と連結部23の連結口部231とを嵌合させることにより、LLM3を基板搬送部20に接続する(図8)。
As shown in FIG. 7, when the maintenance is completed for the processing unit U drawn out to the predetermined maintenance position separated from the substrate transport unit 20, the vacuum containers 40 of the first and second vacuum processing modules 4A and 4B are closed. Restore from the open state. Next, the cam follower is unlocked, the cam follower is moved along the traveling track 74 of the shelf 72, and the position where the LLM 3 is connected to the substrate transport unit 20, more specifically, the LLM 3 is connected to the substrate transport unit 20. The inner frame 6 is pushed back in the lateral direction to the disconnection position above the connection position.
After that, the inner frame 6 is lowered by the jack portion 62, the processing unit U is moved to the connection position, and the connection port portion 34 of the LLM 3 and the connection port portion 231 of the connection portion 23 are fitted to each other. It connects to the board | substrate conveyance part 20 (FIG. 8).

また上記切り離し位置から接続位置までの降下動作に伴って、LLM3に設けられた連結口部34の先端部と連結部23側に設けられた不図示の連結口部231とが嵌合し、基板搬送部20にLLM3が接続される。
処理ユニットUが基板搬送部20に接続されると、処理ユニットU側に設けられたユニット側排気管41やユニット側ガス供給管42は、アウターフレーム7側に設けられた分岐管511や接続管521と切り離される前の位置に配置される。そこで、当該位置にてユニット側排気管41及び分岐管511の連結部材410、510を締結し、ユニット側ガス供給管42及びロードロック室32の排気管(不図示)と、接続管521との連結部材420、520を締結し、また取り外されていたリモートプラズマ分岐配管832を第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bに接続することにより、処理ユニットUは再稼働の準備を開始可能な状態となる。
Further, along with the lowering operation from the disconnection position to the connection position, the leading end portion of the connection port portion 34 provided in the LLM 3 and the connection port portion 231 (not shown) provided on the connection portion 23 side are fitted, and the substrate The LLM 3 is connected to the transport unit 20.
When the processing unit U is connected to the substrate transfer unit 20, the unit side exhaust pipe 41 and the unit side gas supply pipe 42 provided on the processing unit U side are connected to the branch pipe 511 and the connection pipe provided on the outer frame 7 side. It is arranged at a position before being separated from 521. Therefore, the connecting members 410 and 510 of the unit side exhaust pipe 41 and the branch pipe 511 are fastened at the positions, and the unit side gas supply pipe 42 and the exhaust pipe (not shown) of the load lock chamber 32 and the connection pipe 521 are connected. By connecting the connecting members 420 and 520 and connecting the removed remote plasma branch pipe 832 to the first and second vacuum processing modules 4A and 4B, the processing unit U can start preparation for re-operation. It becomes a state.

以上に説明した実施の形態に係る基板処理装置によれば以下の効果がある。第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bとロードロックモジュール3とを備えた処理ユニットUが複数組収容された処理ユニット収容部7に設けられる配管について、当該処理ユニット収容部7を上下方向に貫通するように配設された第1、第2の装置側排気管51A、51B(第1、第2の貫通配管)と、処理ユニット収容部7の各段(収容空間70A〜70C)を横断するように配設された装置側ガス供給管52、リモートプラズマ分岐配管832(横断配管)とに分けて配置を行っている。この構成により、処理ユニット収容部7内に分散して配置された各種配管(第1、第2の装置側排気管51A、51B、装置側ガス供給管52、リモートプラズマ分岐配管832)へのアクセスが容易となり、メンテナンス性の良好な基板処理装置を構成することができる。   The substrate processing apparatus according to the embodiment described above has the following effects. With respect to the piping provided in the processing unit housing portion 7 in which a plurality of processing units U including the first and second vacuum processing modules 4A and 4B and the load lock module 3 are housed, the processing unit housing portion 7 is moved in the vertical direction. The first and second apparatus-side exhaust pipes 51A and 51B (first and second through pipes) disposed so as to penetrate through and the respective stages of the processing unit accommodating portion 7 (accommodating spaces 70A to 70C). The apparatus side gas supply pipe 52 and the remote plasma branch pipe 832 (transverse pipe) arranged so as to cross are arranged separately. With this configuration, access to various pipes (the first and second apparatus side exhaust pipes 51A and 51B, the apparatus side gas supply pipe 52, and the remote plasma branch pipe 832) that are distributed in the processing unit accommodating portion 7 is performed. Thus, a substrate processing apparatus with good maintainability can be configured.

基板処理装置において、第1、第2の装置側排気管51A、51Bは、最も直径の大きな配管の一つである。そこで、これら第1、第2の装置側排気管51A、51Bを、LLM3の左右の側方であって、第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bと基板搬送部20との間の空き領域Rに収容することにより、アウターフレーム7の大型化を抑制することができる。   In the substrate processing apparatus, the first and second apparatus side exhaust pipes 51A and 51B are one of the pipes having the largest diameter. Therefore, the first and second apparatus-side exhaust pipes 51A and 51B are arranged on the left and right sides of the LLM 3 and between the first and second vacuum processing modules 4A and 4B and the substrate transport unit 20. By accommodating in the region R, the enlargement of the outer frame 7 can be suppressed.

ここで、図3に示すように複数の処理ユニットUを上下方向に多段に並べて収容するアウターフレーム7において、アウターフレーム7に収容される全ての処理ユニットUがインナーフレーム6に支持されていることは必須の要件ではない。例えば最上段の収容空間70Cに収容される処理ユニットUについては、アウターフレーム7に対して直接、組み付けてもよい。   Here, in the outer frame 7 that accommodates a plurality of processing units U arranged in multiple stages in the vertical direction as shown in FIG. 3, all the processing units U accommodated in the outer frame 7 are supported by the inner frame 6. Is not an essential requirement. For example, the processing unit U accommodated in the uppermost accommodation space 70 </ b> C may be assembled directly to the outer frame 7.

一方で既述のように、収容空間70Cから横方向に引き出しての真空容器40の開放メンテナンスを行わない例を示した最上段側に配置される処理ユニットUについても、インナーフレーム6により支持する手法を選択し、さらに昇降機構であるジャッキ部62や移動機構であるスライダー部61、カムフォロアなどを設けて横方向に引き出してもよいことは勿論である。例えば第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bの交換や、LLM3内の機器の補修など、より大がかりなメンテナンスが必要な場合に、載置台91上に処理ユニットUを引き出すことが必要な場合もある。   On the other hand, as already described, the inner frame 6 also supports the processing unit U arranged on the uppermost stage showing an example in which the maintenance of opening the vacuum vessel 40 that is pulled out from the accommodation space 70C in the lateral direction is not performed. It goes without saying that a technique may be selected, and a jack portion 62 that is a lifting mechanism, a slider portion 61 that is a moving mechanism, a cam follower, and the like may be provided and pulled out in the lateral direction. For example, when larger-scale maintenance is required, such as replacement of the first and second vacuum processing modules 4A and 4B and repair of the equipment in the LLM 3, it is necessary to pull out the processing unit U on the mounting table 91. There is also.

またここで、処理ユニットUを支持するインナーフレーム6には、常設の昇降機構(ジャッキ部62)や移動機構(スライダー部61、カムフォロア(ローラーフォロア)やキャスター)を設けることは必須ではない。例えば、処理ユニットUを移動させる必要が生じた場合に、インナーフレーム6の下方側にエアキャスターを挿入し、エアキャスターによってインナーフレーム6を浮上させて、基板搬送部20から離間させる処理ユニットUの横方向移動を行ってもよい。   Here, the inner frame 6 that supports the processing unit U is not necessarily provided with a permanent lifting mechanism (jack section 62) or a moving mechanism (slider section 61, cam follower (roller follower) or caster). For example, when it is necessary to move the processing unit U, an air caster is inserted below the inner frame 6, and the inner frame 6 is lifted by the air caster and separated from the substrate transport unit 20. Lateral movement may be performed.

さらには、上下方向に多段に並べて処理ユニットUを収容するアウターフレーム7における処理ユニットUの収容段数は、図5、3などに示した例の如く3段に限られるものではない。例えば2段であってもよいし、4段以上であってもよい。そして、基板搬送部20の側面に配置されるアウターフレーム7の配置基数についても、図2に示す例の如く3基ずつに限定されるものではなく、2基ずつ、若しくは4基以上ずつであってもよい。この他、例えばEEFM101に、例えば1基のアウターフレーム7を直接接続してもよい。この場合には、EFEM101が基板搬送部に相当し、受け渡し機構12が第1の基板搬送機構に相当することとなる。   Furthermore, the number of accommodating stages of the processing units U in the outer frame 7 that accommodates the processing units U arranged in multiple stages in the vertical direction is not limited to three as in the examples shown in FIGS. For example, there may be two stages, or four or more stages. Also, the arrangement number of the outer frames 7 arranged on the side surface of the substrate transport unit 20 is not limited to three as in the example shown in FIG. 2, but two, or four or more. May be. In addition, for example, one outer frame 7 may be directly connected to the EEFM 101, for example. In this case, the EFEM 101 corresponds to the substrate transport unit, and the delivery mechanism 12 corresponds to the first substrate transport mechanism.

そして、基板搬送部20の構成についても平面視したとき、細長い直線状の基板搬送室200の両側にアウターフレーム7を複数基ずつ配置した、図2に示す例に限定されない。例えば、平面形状が多角形の基板搬送部20の一面にEFEM101を接続し、他の面にアウターフレーム7を放射状に接続する構成としてもよい。   The configuration of the substrate transfer unit 20 is not limited to the example shown in FIG. 2 in which a plurality of outer frames 7 are arranged on both sides of the elongated linear substrate transfer chamber 200 when viewed in plan. For example, the EFEM 101 may be connected to one surface of the substrate transport unit 20 having a polygonal planar shape, and the outer frame 7 may be radially connected to the other surface.

この他、基板処理装置に設けられる処理ユニットUの第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bにて実施される処理の種類は、成膜に限られるものではなく、エッチングやアッシング、アニールなどであってもよいことは勿論である。   In addition, the type of processing performed in the first and second vacuum processing modules 4A and 4B of the processing unit U provided in the substrate processing apparatus is not limited to film formation, and etching, ashing, annealing, etc. Of course, it may be.

R 空き領域
U 処理ユニット
W ウエハ
2 第1の基板搬送機構
20 基板搬送部
3 ロードロックモジュール(LLM)
32 ロードロック室
33 第2の基板搬送機構
34 連結口部
4A、4B 真空処理モジュール
40 真空容器
51A 第1の装置側排気管
51B 第2の装置側排気管
52、52A、52B
装置側ガス供給管
6 インナーフレーム
7 アウターフレーム
70A〜70C
収容空間
831 リモートプラズマ供給配管
832 リモートプラズマ分岐配管
R Empty area U Processing unit W Wafer 2 First substrate transport mechanism 20 Substrate transport unit 3 Load lock module (LLM)
32 Load lock chamber 33 Second substrate transport mechanism 34 Connection port portion 4A, 4B Vacuum processing module 40 Vacuum container 51A First apparatus side exhaust pipe 51B Second apparatus side exhaust pipe 52, 52A, 52B
Device side gas supply pipe 6 Inner frame 7 Outer frames 70A to 70C
Housing space 831 Remote plasma supply piping 832 Remote plasma branch piping

Claims (6)

真空雰囲気下で基板を処理する複数の真空処理モジュールを備えた基板処理装置において、
常圧雰囲気下で基板を搬送する第1の基板搬送機構が設けられた基板搬送部と、
基板の処理が行われる真空容器を備え、前記基板搬送部側から見て、横方向に並べて設けられた第1の真空処理モジュール及び第2の真空処理モジュールと、これら第1、第2の真空処理モジュールの各真空容器に接続され、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で内部雰囲気を切り替え自在に構成されたロードロック室内に、前記基板搬送部と、前記各真空容器との間で基板を搬送するための第2の基板搬送機構が設けられたロードロックモジュールと、を備えた処理ユニットと、
各々、前記ロードロックモジュールが前記基板搬送部に接続された状態にて、複数の前記処理ユニットを上下方向に多段に並べて収容する処理ユニット収容部と、
前記多段に並べられた複数の処理ユニットの第1の真空処理モジュールが共通に接続され、前記処理ユニット収容部を上下方向に貫通するように配設された第1の貫通配管と、前記複数の処理ユニットの第2の真空処理モジュールが共通に接続され、前記処理ユニット収容部を上下方向に貫通するように配設された第2の貫通配管と、
前記各処理ユニット内の第1、第2の真空処理モジュールに接続され、前記処理ユニット収容部の各段を横断するように配設された横断配管と、を備え、
前記処理ユニット収容部の段内を上面側から見たとき、前記第1の貫通配管は、前記ロードロックモジュールの側方であって、前記基板搬送部と第1の真空処理モジュールとの間の領域に配設され、前記第2の貫通配管は、前記ロードロックモジュールの側方であって、前記基板搬送部と第2の真空処理モジュールとの間の領域に配設されることを特徴とする基板処理装置。
In a substrate processing apparatus provided with a plurality of vacuum processing modules for processing a substrate in a vacuum atmosphere,
A substrate transport section provided with a first substrate transport mechanism for transporting a substrate in a normal pressure atmosphere;
A first vacuum processing module and a second vacuum processing module that are provided side by side in a horizontal direction when viewed from the substrate transport unit side, and the first and second vacuums are provided. A substrate is connected between the substrate transfer unit and each vacuum vessel in a load lock chamber that is connected to each vacuum vessel of the processing module and is configured to be able to switch an internal atmosphere between a normal pressure atmosphere and a vacuum atmosphere. A load lock module provided with a second substrate transport mechanism for transport, and a processing unit comprising:
Each of the load lock modules connected to the substrate transport unit, a processing unit storage unit that stores a plurality of the processing units arranged in multiple stages in the vertical direction,
The first vacuum processing modules of the plurality of processing units arranged in multiple stages are connected in common, and a first through pipe disposed so as to penetrate the processing unit housing portion in the vertical direction; A second through pipe connected to the second vacuum processing module of the processing unit in common, and arranged to penetrate the processing unit housing portion in the vertical direction;
A transverse pipe connected to the first and second vacuum processing modules in each processing unit and arranged to traverse each stage of the processing unit accommodating portion;
When the inside of the step of the processing unit accommodating portion is viewed from the upper surface side, the first through pipe is on the side of the load lock module, and is between the substrate transfer portion and the first vacuum processing module. The second through pipe is disposed on a side of the load lock module and in a region between the substrate transfer unit and the second vacuum processing module. Substrate processing apparatus.
各々、前記複数の処理ユニットを収容し、横方向に並べて配置された複数の処理ユニット収容部を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。   2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a plurality of processing unit housing portions that house the plurality of processing units and are arranged side by side in the horizontal direction. 前記処理ユニット収容部に収容された処理ユニットは、前記第1、第2の貫通配管を当該処理ユニット収容部側に残して、前記ロードロックモジュールを基板搬送部から離間させる方向へと、横方向に移動可能に構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。   The processing unit accommodated in the processing unit accommodating portion is laterally moved in a direction in which the load lock module is separated from the substrate transfer portion, leaving the first and second through pipes on the processing unit accommodating portion side. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is configured to be movable. 前記横方向に移動可能に構成された処理ユニットは、当該処理ユニットと共に前記処理ユニット収容部に収容される処理ユニット支持部に支持され、前記横方向の移動に際して、前記処理ユニットは、前記処理ユニット支持部に支持された状態で移動することを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。   The processing unit configured to be movable in the lateral direction is supported by a processing unit support portion accommodated in the processing unit housing portion together with the processing unit, and the processing unit is moved to the processing unit during the lateral movement. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the substrate processing apparatus moves while being supported by the support portion. 前記処理ユニット収容部に収容された処理ユニットは、前記ロードロックモジュールが基板搬送部に接続される接続位置よりも上方側の切り離し位置へと処理ユニットを上昇移動させることにより、前記基板搬送部からロードロックモジュールを切り離すように構成したことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理装置。   The processing unit housed in the processing unit housing section moves the processing unit up to a disconnection position above a connection position where the load lock module is connected to the substrate transport section, thereby removing the processing unit from the substrate transport section. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the load lock module is separated. 一端部が前記真空処理モジュールまたはロードロックモジュールに接続され、他端部が開口した処理ユニット側の処理ユニット側配管部と、
前記処理ユニット側配管部に接続される開口端部を備えた前記処理ユニット収容部側の装置側配管部と、を備え、
前記処理ユニット側配管部の他端部、及び前記装置側配管部の開口端部には、前記切り離し位置から接続位置まで処理ユニットを降下させて基板搬送部に接続する動作に伴って互いに連結される連結部材が設けられていることと、
前記装置側配管部は、前記第1、第2の貫通配管、または前記横断配管の少なくとも一つであることと、を特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
One end part is connected to the vacuum processing module or the load lock module, and the other end part is opened on the processing unit side piping part on the processing unit side,
An apparatus-side piping section on the processing unit housing section side provided with an opening end connected to the processing unit-side piping section,
The other end of the processing unit side piping section and the opening end of the apparatus side piping section are connected to each other along with the operation of lowering the processing unit from the separation position to the connection position and connecting to the substrate transport section. A connecting member is provided,
The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the apparatus-side piping section is at least one of the first and second through pipes or the transverse pipe.
JP2016242428A 2016-12-14 2016-12-14 Substrate processing device Pending JP2018098387A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016242428A JP2018098387A (en) 2016-12-14 2016-12-14 Substrate processing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016242428A JP2018098387A (en) 2016-12-14 2016-12-14 Substrate processing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018098387A true JP2018098387A (en) 2018-06-21

Family

ID=62634728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016242428A Pending JP2018098387A (en) 2016-12-14 2016-12-14 Substrate processing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2018098387A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113707573A (en) * 2020-05-20 2021-11-26 东京毅力科创株式会社 Connection processing container, substrate processing system, and substrate processing method
WO2022065148A1 (en) * 2020-09-25 2022-03-31 株式会社Kokusai Electric Substrate treatment device, method for manufacturing semiconductor device, and program
KR20230135655A (en) 2021-03-19 2023-09-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Gas supply equipment and semiconductor manufacturing equipment

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113707573A (en) * 2020-05-20 2021-11-26 东京毅力科创株式会社 Connection processing container, substrate processing system, and substrate processing method
CN113707573B (en) * 2020-05-20 2023-12-22 东京毅力科创株式会社 Connection processing container, substrate processing system, and substrate processing method
WO2022065148A1 (en) * 2020-09-25 2022-03-31 株式会社Kokusai Electric Substrate treatment device, method for manufacturing semiconductor device, and program
TWI798831B (en) * 2020-09-25 2023-04-11 日商國際電氣股份有限公司 Substrate processing apparatus, manufacturing method and program of semiconductor device
KR20230135655A (en) 2021-03-19 2023-09-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Gas supply equipment and semiconductor manufacturing equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI821588B (en) Vertical batch furnace assembly
KR101840552B1 (en) Load lock apparatus and substrate processing system
TWI717034B (en) Side storage pod, electronic device processing systems, and methods of processing substrates
US8491248B2 (en) Loadlock designs and methods for using same
JP5503006B2 (en) Substrate processing system, transfer module, substrate processing method, and semiconductor device manufacturing method
JP5883232B2 (en) Substrate processing equipment
KR20100095371A (en) Substrate processing apparatus
WO2013069716A1 (en) Load port and efem
JP2014093489A (en) Substrate processing device
JP2011124564A (en) System and method for vacuum processing of semiconductor substrate to be processed
KR101530024B1 (en) Substrate processing module, substrate processing apparatus and substrate transfering method including the same
JP6747136B2 (en) Substrate processing equipment
JP6306813B2 (en) Modular semiconductor processing system
US20150340253A1 (en) Semiconductor processing assembly and facility
JP6014982B2 (en) Side load port, EFEM
JP2018098387A (en) Substrate processing device
JP2018093087A (en) Substrate processing apparatus
US11581198B2 (en) Processing apparatus
JP2018170347A (en) Wafer transport apparatus and wafer transport method
US11527426B2 (en) Substrate processing device
KR20210054992A (en) Substrate processing apparatus and substrate receptacle storage method
JP2004119627A (en) Semiconductor device manufacturing apparatus
JP7488442B2 (en) Transport System
KR101661217B1 (en) load port And Cluster Apparatus Including The Same
KR20050015016A (en) Semiconductor manufacturing system for high temperature thermal process

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180117