JP2018098328A - Laser irradiation device, wafer ring fixing device, and electronic part transport device - Google Patents

Laser irradiation device, wafer ring fixing device, and electronic part transport device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser irradiation device capable of peeling an electronic part from a wafer sheet without scratching or breakage of an electronic part, a wafer ring fixing device including the same, and an electronic part transfer device including the wafer ring fixing device.SOLUTION: A laser irradiation device 134 included in a wafer ring fixing device 13 included in an electronic part transport device 1 includes an optical axis directed toward an electronic part D, and a laser injection unit 135 that emits a laser beam 134a toward a surface of a wafer sheet 16 opposite to the surface to which the electronic part D is adhered. The laser injection unit 135 transmits the wafer sheet 16 with a predetermined transmittance such as 75 to 90% or the like, and emits the laser beam 134a having a wavelength that reaches the electronic part D. The wafer sheet 16 is a heat peelable pressure-sensitive adhesive sheet, which is adhesive on one side thereof.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、電子部品をウェハシートから剥離するレーザ照射装置、このレーザ照射装置を備えるウェハリング固定装置、及びこのウェハリング固定装置を備える電子部品搬送装置に関する。   The present invention relates to a laser irradiation device for peeling an electronic component from a wafer sheet, a wafer ring fixing device including the laser irradiation device, and an electronic component transporting device including the wafer ring fixing device.

電子部品は、後工程にて品質の確認及び梱包等の処理が施される。例えば、電子部品は後工程にて電気特性測定、外観検査又は光量検査によって品質が確認される。電子部品はレーザーマーキングで刻印され、品質別に分類されて各種収容体に梱包される。これら処理は搬送経路上で行われる。また、次工程の機器で使用される収容体の形式に対応すべく、または客先の要求に対応すべく、収容体を代えて梱包し直すために、電子部品は特段の処理を受けることなく、搬送経路に沿って搬送される場合もある。   The electronic components are subjected to processing such as quality confirmation and packaging in a later process. For example, the quality of an electronic component is confirmed by an electrical characteristic measurement, an appearance inspection, or a light amount inspection in a later process. Electronic components are engraved with laser marking, classified according to quality, and packed in various containers. These processes are performed on the transport path. In addition, the electronic components are not subjected to any special treatment in order to replace the container and repack it to correspond to the type of container used in the next process equipment or to meet the customer's request. In some cases, it is transported along the transport path.

電子部品は、ウェハシートにアレイ状に貼着されている。ウェハリングホルダと呼ばれる装置は、搬送経路に沿って電子部品を整列搬送させるため、電子部品をウェハシートから順番に剥がす(例えば特許文献1参照)。このウェハリングホルダはリング移動機構を備えている。このリング移動機構は、ウェハリングをシート平面に沿って平面移動させ、各電子部品を順番にピックアップ予定位置に位置させる。ウェハリングは、リングで張られたウェハシートである。例えば、リング移動機構は、ウェハリングを保持するリング保持部に取り付けられて互いに直交する2次元方向のレールを有し、モータ等の駆動源によってリング保持部を滑らせる。   Electronic components are attached to the wafer sheet in an array. An apparatus called a wafer ring holder peels electronic components in order from the wafer sheet in order to align and convey the electronic components along the conveyance path (see, for example, Patent Document 1). This wafer ring holder is provided with a ring moving mechanism. The ring moving mechanism moves the wafer ring in a plane along the sheet plane, and sequentially places the electronic components at the planned pickup positions. A wafer ring is a wafer sheet stretched by a ring. For example, the ring moving mechanism has two-dimensional rails that are attached to a ring holding unit that holds a wafer ring and orthogonal to each other, and slides the ring holding unit by a drive source such as a motor.

また、ウェハリングホルダは、突き上げピンを備える。突き上げピンは、電子部品をピックアップする予定位置に向けて配置される。突き上げピンは、ピックアップ予定位置の電子部品をウェハシート側からピン先で突き上げるように進出する。ピン先は電子部品に対して十分に細く、電子部品は一点で突き上げられる。ウェハシートは電子部品を突き上げた一点を頂点として円錐状に伸長する。即ち、電子部品は、突き上げられた一点を除き、ウェハシートから乖離する。ウェハシートからほぼ剥離された状態で、吸着ノズル等の保持手段が電子部品を保持し、ウェハリングホルダから離れることで、電子部品はウェハシートから完全に剥離して搬送経路に移る。   Further, the wafer ring holder includes push-up pins. The push-up pin is arranged toward a planned position for picking up the electronic component. The push-up pin advances so as to push up the electronic component at the planned pickup position from the wafer sheet side at the pin tip. The pin tip is sufficiently thin with respect to the electronic component, and the electronic component is pushed up at one point. The wafer sheet extends in a conical shape with the point where the electronic component is pushed up as a vertex. That is, the electronic component deviates from the wafer sheet except for one point pushed up. The holding device such as a suction nozzle holds the electronic component while being substantially peeled from the wafer sheet, and moves away from the wafer ring holder so that the electronic component is completely peeled from the wafer sheet and moved to the transport path.

特開平11−045906号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-045906

近年、電子部品の薄厚化が進展している。薄厚の電子部品を極細の突き上げピンで突き上げると、電子部品がキズつく虞があり、最悪の場合には電子部品が割れる虞がある。また、薄厚の電子部品を突き上げピンと保持手段で挟持する状態が一時的に発生する。この挟持によって電子部品に荷重がかかり、電子部品が割れてしまうこともある。対処法として、突き上げピンの進出速度を低速にせざるを得ず、また保持手段の接近速度を低速にせざるを得ず、電子部品の生産速度が低下する。この対処法を採らなければ歩留まりに問題が生じる。   In recent years, the thickness of electronic components has been reduced. If a thin electronic component is pushed up with a very fine push-up pin, the electronic component may be damaged, and in the worst case, the electronic component may be broken. In addition, a state in which a thin electronic component is sandwiched between the push-up pin and the holding means temporarily occurs. Due to this clamping, a load is applied to the electronic component, and the electronic component may be broken. As a countermeasure, the advancing speed of the push-up pin has to be reduced, and the approaching speed of the holding means has to be reduced, so that the production speed of the electronic component is lowered. If this countermeasure is not taken, there will be a problem in yield.

バンプ電極等の両面に電極が配設された電子部品がある。両面電極の電子部品を突き上げピンで突き上げると電極に突き上げピンが当たり、また突き上げピンと保持手段で両面電極の電子部品を挟持すると電極が傷ついて接触不良を生じる虞がある。そのため、両面電極の電子部品に対しても、突き上げピンの進出速度を低速にせざるを得ず、また保持手段の接近速度を低速にせざるを得ず、電子部品の生産速度が低下してしまう。やはり、この対処法と採らなければ歩留まりに問題が生じる。   There is an electronic component in which electrodes are arranged on both sides such as a bump electrode. If the electronic component of the double-sided electrode is pushed up by the push-up pin, the push-up pin hits the electrode, and if the electronic component of the double-sided electrode is held between the push-up pin and the holding means, the electrode may be damaged and contact failure may occur. For this reason, even with respect to the electronic component of the double-sided electrode, the advancing speed of the push-up pin has to be reduced, and the approaching speed of the holding means has to be reduced, so that the production rate of the electronic component is reduced. After all, if this measure is not taken, there will be a problem in yield.

本発明は、上記の問題点を解決するために提案されたもので、電子部品にキズを付けたり破損させたりすることなく、電子部品をウェハシートから剥離させることができるレーザ照射装置、これを備えるウェハリング固定装置、及びこのウェハリング固定装置を備える電子部品搬送装置を提供することを目的とする。   The present invention has been proposed to solve the above-described problems, and a laser irradiation apparatus capable of peeling an electronic component from a wafer sheet without scratching or damaging the electronic component. It is an object of the present invention to provide a wafer ring fixing device provided and an electronic component transfer device provided with the wafer ring fixing device.

本発明に係るレーザ照射装置は、電子部品を加熱剥離型粘着シートの片面に貼着して成るウェハシートから電子部品を剥離させるレーザ照射装置であって、前記電子部品に向けた光軸を有し、前記ウェハシートのうちの前記電子部品が貼着された面とは反対面に向けてレーザ光を射出するレーザ射出部を備え、前記レーザ射出部は、前記ウェハシートを所定透過率で透過し、前記電子部品に到達する波長のレーザ光を射出し、前記ウェハシートを透過した前記レーザ光が前記電子部品に照射され、当該レーザ光で前記電子部品が加熱され、前記電子部品の熱が前記ウェハシートのうちの熱せられた前記電子部品の貼着領域全体へ伝わり、前記電子部品を介して当該貼着領域が加熱され、前記電子部品が前記ウェハシートから剥離すること、を特徴とする。   The laser irradiation apparatus according to the present invention is a laser irradiation apparatus for peeling an electronic component from a wafer sheet formed by adhering an electronic component to one side of a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet, and has an optical axis directed to the electronic component. And a laser emitting unit that emits laser light toward a surface opposite to the surface of the wafer sheet on which the electronic component is adhered, and the laser emitting unit transmits the wafer sheet at a predetermined transmittance. The laser light having a wavelength reaching the electronic component is emitted, the laser light transmitted through the wafer sheet is irradiated onto the electronic component, the electronic component is heated by the laser light, and the heat of the electronic component is Transmitted to the entire sticking region of the heated electronic component of the wafer sheet, the sticking region is heated via the electronic component, and the electronic component is peeled from the wafer sheet, And butterflies.

前記レーザ射出部は、前記ウェハシートを50%以上100%以下の透過率で透過する波長のレーザを射出するようにしてもよい。   The laser emitting unit may emit a laser having a wavelength that transmits the wafer sheet with a transmittance of 50% to 100%.

平坦面を前記ウェハシートに向けて有し、前記ウェハシートのうち、少なくとも、レーザを照射する前記電子部品の貼着領域を平坦に支持するプレートと、前記レーザ射出部と前記プレートとを支持する軸合わせフレームと、を更に備え、前記プレートは、前記軸合わせフレームに対して着脱自在であり、前記レーザ光の光軸と同軸、前記レーザ光の径よりも小径、及び対応の前記電子部品の大きさに応じた孔径のレーザ照射孔を有し、前記レーザ射出部が射出するレーザ光の一部を前記ウェハシートと前記電子部品に向けて出射させるようにしてもよい。   It has a flat surface facing the wafer sheet, and at least supports a plate that supports at least a bonding region of the electronic component that irradiates a laser, and the laser emitting portion and the plate. An axis alignment frame, and the plate is detachable from the axis alignment frame, coaxial with the optical axis of the laser beam, smaller in diameter than the laser beam, and the corresponding electronic component. A laser irradiation hole having a hole diameter corresponding to the size may be provided, and a part of the laser light emitted by the laser emitting unit may be emitted toward the wafer sheet and the electronic component.

前記プレートは、レーザエネルギーを吸収し難い素材で成るようにしてもよい。前記プレートは、金、銀、銅、これらの合金、又はこれらの金属化合物を含んで成るようにしてもよい。   The plate may be made of a material that hardly absorbs laser energy. The plate may comprise gold, silver, copper, alloys thereof, or metal compounds thereof.

前記プレートは、レーザエネルギーを吸収し易く高熱伝導性の素材で成るようにしてもよい。前記プレートは、シリコン、鉄、アルミ、スズ、これらの合金、又はこれらの金属化合物を含んで成るようにしてもよい。   The plate may be made of a material having high thermal conductivity that easily absorbs laser energy. The plate may comprise silicon, iron, aluminum, tin, alloys thereof, or metal compounds thereof.

前記ウェハシートは、シート平面に沿って平行移動し、電子部品を前記レーザ射出部の光軸上に順番に位置させ、前記軸合わせフレームは、伸縮自在であり、前記ウェハシートの移動中、前記プレートが前記ウェハシートから離れるまで縮小するようにしてもよい。   The wafer sheet is translated along a sheet plane, electronic components are sequentially positioned on the optical axis of the laser emitting unit, the axis alignment frame is extendable, and the wafer sheet is moved during the movement. The plate may be reduced until it is separated from the wafer sheet.

前記プレートは、前記レーザ射出部の光軸上に位置する剥離予定の電子部品と当該電子部品の周囲の電子部品を包含する大きさを有し、前記剥離予定の電子部品のみを包含する中央プレートと、前記中央プレートの周囲を覆う環状プレートと、前記中央プレートと前記環状プレートとの間を断絶する溝と、を備えるようにしてもよい。前記プレートは、前記溝に充填される断熱材を更に備えるようにしてもよい。   The plate has a size including an electronic component to be peeled located on the optical axis of the laser emitting portion and an electronic component around the electronic component, and a central plate including only the electronic component to be peeled And an annular plate that covers the periphery of the central plate, and a groove that disconnects between the central plate and the annular plate. The plate may further include a heat insulating material filled in the groove.

前記プレートを冷却する冷却手段を更に備えるようにしてもよい。前記冷却手段は、前記プレートに貫設され、前記ウェハシートを吸引する吸引口であるようにしてもよい。前記吸引口は、レーザ光を照射する前記電子部品の周囲に並ぶ他の電子部品の下方に貫設されるようにしてもよい。   A cooling means for cooling the plate may be further provided. The cooling means may be a suction port that penetrates the plate and sucks the wafer sheet. The suction port may be provided below another electronic component that is arranged around the electronic component that emits laser light.

前記レーザ射出部は、複数のレーザを前記ウェハシート内で交差させるようにしてもよい。例えば、前記レーザ射出部の光軸上に配され、レーザを分割するビームスプリッタと、前記ビームスプリッタで分割された各レーザが、前記ウェハシート内で交差するように、当該各レーザを反射させるミラーと、を更に備えるようにしてもよい。また、例えば前記ウェハシート内の一点に対して複数の方向からレーザ光を出射する複数の前記レーザ射出部を備えるようにしてもよい。   The laser emitting unit may intersect a plurality of lasers in the wafer sheet. For example, a mirror that is arranged on the optical axis of the laser emitting portion and that reflects each laser so that the laser that divides the laser and each laser that is divided by the beam splitter intersect within the wafer sheet And may be further provided. Further, for example, a plurality of the laser emitting units that emit laser light from a plurality of directions with respect to one point in the wafer sheet may be provided.

また、本発明に係るウェハリング固定装置は、このレーザ照射装置と、前記ウェハシートが張られたリングを保持するリング保持部と、前記リング保持部を前記ウェハシートのシート平面に沿って平行移動させ、電子部品を前記レーザ射出部の光軸上に順番に位置させるリング移動手段と、を備えること、を特徴とする。   Further, the wafer ring fixing device according to the present invention includes the laser irradiation device, a ring holding unit that holds the ring on which the wafer sheet is stretched, and the ring holding unit that is translated along the sheet plane of the wafer sheet. And a ring moving means for sequentially positioning the electronic components on the optical axis of the laser emitting portion.

また、前記リング保持部は、前記レーザ射出部の光軸を横断して延設されたガラス板を有し、前記ウェハシートを前記ガラス板に沿わせて保持し、前記レーザ射出部は、前記ガラス板を透過し、前記ウェハシートを透過し、前記電子部品に到達するレーザ光を射出するようにしてもよい。このとき、前記レーザ射出部は、レーザ光を2次元方向に揺動させるガルバノスキャナを有し、前記電子部品全体をレーザ光でスキャンするようにしてもよい。   The ring holding unit includes a glass plate extending across the optical axis of the laser emitting unit, holds the wafer sheet along the glass plate, and the laser emitting unit Laser light that passes through the glass plate, passes through the wafer sheet, and reaches the electronic component may be emitted. At this time, the laser emitting unit may include a galvano scanner that swings the laser light in a two-dimensional direction, and the entire electronic component may be scanned with the laser light.

また、本発明に係る電子部品搬送装置は、このウェハリング固定装置と、前記ウェハリング固定装置から電子部品を受け取って保持する保持部と、前記保持部が受け取った電子部品を搬送する搬送経路と、前記搬送経路上に配置され、前記搬送経路を巡った電子部品を収容する収容体を保持する収容ユニットと、を備え、前記保持部は、前記電子部品と当接する先端が耐熱性及び高熱伝導性部材で成ること、を特徴とする。   An electronic component transport apparatus according to the present invention includes the wafer ring fixing device, a holding unit that receives and holds the electronic component from the wafer ring fixing device, and a transfer path that transfers the electronic component received by the holding unit. A storage unit that is disposed on the transfer path and holds a receiving body that stores electronic components that have traveled around the transfer path, and the holding portion has a tip that makes contact with the electronic component and has heat resistance and high thermal conductivity. It is characterized by comprising a sex member.

また、本発明に係る電子部品搬送装置は、このウェハリング固定装置と、前記ウェハリング固定装置から電子部品を受け取って保持する保持部と、前記保持部が受け取った電子部品を搬送する搬送経路と、前記搬送経路上に配置され、前記搬送経路を巡った電子部品を収容する収容体を保持する収容ユニットと、を備え、前記保持部は、前記レーザ射出部によって前記レーザ光が前記電子部品に照射される前又は照射途中から、前記電子部品に当接すること、を特徴とする。前記保持部は、前記電子部品と当接する先端が耐熱性及び高熱伝導性部材で成るようにしてもよい。   An electronic component transport apparatus according to the present invention includes the wafer ring fixing device, a holding unit that receives and holds the electronic component from the wafer ring fixing device, and a transfer path that transfers the electronic component received by the holding unit. An accommodation unit that is disposed on the conveyance path and holds an accommodation body that accommodates an electronic component that has traveled around the conveyance path, and the holding unit is configured such that the laser beam is applied to the electronic component by the laser emitting unit. It contacts the said electronic component before or during irradiation. The holding portion may be configured such that a tip that comes into contact with the electronic component is made of a heat-resistant and highly heat-conductive member.

前記搬送経路内の前記ウェハリング固定装置と前記収容ユニットとの間に配置され、前記搬送経路を巡る電子部品を処理する処理ユニットを更に備えるようにしてもよい。   A processing unit that is disposed between the wafer ring fixing device and the housing unit in the transport path and that processes electronic components that travel around the transport path may be further provided.

本発明によれば、ウェハシートに貼着された電子部品にレーザを照射し、電子部品を加熱するようにしたので、電子部品を介してウェハシートのうちの電子部品の貼着領域全体を間接的に加熱して、当該貼着領域全体の貼着力を喪失させることができ、レーザによって電子部品をウェハシートから剥離できるため、電子部品への物体の接触によるキズ付きや破損を阻止することができる。   According to the present invention, since the electronic component attached to the wafer sheet is irradiated with a laser to heat the electronic component, the entire attachment region of the electronic component in the wafer sheet is indirectly directed through the electronic component. Can be heated to lose the adhesion force of the entire adhesion area, and the electronic component can be peeled off from the wafer sheet by the laser, thereby preventing scratches and damage caused by contact of objects with the electronic component. it can.

電子部品搬送装置の上面図である。It is a top view of an electronic component conveying apparatus. 電子部品搬送装置の側面図である。It is a side view of an electronic component conveying apparatus. ウェハシートの一態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the one aspect | mode of a wafer sheet. ウェハリング固定装置の斜視図である。It is a perspective view of a wafer ring fixing device. ウェハリング固定装置の一態様を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the one aspect | mode of a wafer ring fixing device. シート支持プレートの一態様を示す正面図である。It is a front view which shows the one aspect | mode of a sheet | seat support plate. 各種シート支持プレートを示す各正面図である。It is each front view which shows various sheet | seat support plates. レーザ照射装置の詳細を示す側面図である。It is a side view which shows the detail of a laser irradiation apparatus. シート支持プレートでウェハシートを支持する状態を示す図である。It is a figure which shows the state which supports a wafer sheet with a sheet | seat support plate. レーザ照射装置が射出したレーザを示す図である。It is a figure which shows the laser which the laser irradiation apparatus inject | emitted. レーザエネルギーの吸収により発生した熱の移動を示す図である。It is a figure which shows the movement of the heat | fever generate | occur | produced by absorption of the laser energy. ウェハシートの貼着力喪失及び発泡を示す図である。It is a figure which shows the sticking force loss and foaming of a wafer sheet. ウェハシート上の電子部品に吸着ノズルが当接した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the suction nozzle contact | abutted to the electronic component on a wafer sheet. ウェハシートの移動中におけるレーザ照射装置の状態を示す図である。It is a figure which shows the state of the laser irradiation apparatus during the movement of a wafer sheet. シート支持プレートに照射されたレーザにより発生した熱の移動を示す図である。It is a figure which shows the movement of the heat generate | occur | produced with the laser irradiated to the sheet | seat support plate. シート支持プレートの第2の形状を示す正面図である。It is a front view which shows the 2nd shape of a sheet | seat support plate. シート支持プレートの第3の形状を示す正面図である。It is a front view which shows the 3rd shape of a sheet | seat support plate. レーザ照射装置に係る構成の第2の例を示す側面図である。It is a side view which shows the 2nd example of the structure which concerns on a laser irradiation apparatus. レーザ照射装置に係る構成の第3の例を示す側面図である。It is a side view which shows the 3rd example of a structure which concerns on a laser irradiation apparatus. ウェハリング固定装置に係る構成の第2の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the 2nd structure of the structure which concerns on a wafer ring fixing device. ウェハリング固定装置に係る構成の第3の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the 3rd structure of the structure which concerns on a wafer ring fixing device. ウェハシート上の電子部品に吸着ノズルが当接した他の状態を示す図である。It is a figure which shows the other state which the suction nozzle contact | abutted to the electronic component on a wafer sheet. ウェハシートの他の態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other aspect of a wafer sheet.

以下、本発明に係る電子部品搬送装置1の各実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。   Hereinafter, each embodiment of the electronic component conveying apparatus 1 according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
(構成)
図1及び図2に示すように、電子部品搬送装置1は、電子部品Dをウェハシート16から搬送経路1aに移し、電子部品Dに各種処理を施しながら搬送経路1aに沿って電子部品Dを移動させ、電子部品Dを搬送経路1aから他の収容体15aに戻す。
(First embodiment)
(Constitution)
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the electronic component transport apparatus 1 moves the electronic component D from the wafer sheet 16 to the transport path 1 a and applies the electronic component D along the transport path 1 a while performing various processes on the electronic component D. The electronic component D is returned to the other container 15a from the transport path 1a.

電子部品Dは、電気製品に使用される部品である。電子部品Dには半導体素子が含まれ、半導体素子はトランジスタやLEDや集積回路、その他には抵抗やコンデンサ等である。電子部品Dの種類、形状、厚み及び大きさに限定はない。但し、両面共に機械的な損傷を回避すべき電子部品Dが、この電子部品搬送装置1に好適である。両面共に機械的な損傷を回避すべき電子部品Dとしては、例えば薄厚なために耐荷重性が低い製品、両面に電極を有する製品が挙げられる。   The electronic component D is a component used for an electrical product. The electronic component D includes a semiconductor element, and the semiconductor element is a transistor, an LED, an integrated circuit, or the like, a resistor, a capacitor, or the like. There is no limitation on the type, shape, thickness and size of the electronic component D. However, the electronic component D that should avoid mechanical damage on both sides is suitable for the electronic component transport apparatus 1. Examples of the electronic component D that should avoid mechanical damage on both sides include a product having a low load resistance due to its thin thickness and a product having electrodes on both sides.

電子部品Dに対する処理内容は、検査、加工、姿勢補正、分類又はこれらの複合である。検査内容は、外観検査、電気特性検査又は光量検査等である。加工内容は、リード端子の折り曲げ、レーザーマーキング又は半田の塗布等である。姿勢補正は、電子部品Dの位置、向き又はこれらの両方の補正である。分類は、検査結果に応じた良品と良品以外、又は良品のランクごとの分類である。   The processing content for the electronic component D is inspection, processing, posture correction, classification, or a combination thereof. The inspection content is an appearance inspection, an electrical characteristic inspection, a light quantity inspection, or the like. The processing content is bending of the lead terminal, laser marking, solder application, or the like. The posture correction is correction of the position, orientation, or both of the electronic component D. The classification is classified according to the rank of the non-defective product and the non-defective product or the non-defective product according to the inspection result.

この電子部品搬送装置1は、ハンドラ12とウェハリング固定装置13と中継ユニット14と処理ユニット11と収容ユニット15とにより構成される。ハンドラ12は、円環状の搬送経路1aを形成し、また搬送経路1a上に電子部品Dの停止ポジション1bを円周等配位置で設定する。ウェハリング固定装置13は、ウェハシート16を搬送経路1aとの直交面に沿わせて保持する。即ち、ウェハリング固定装置13は縦置きされる。中継ユニット14は、1箇所の停止ポジション1bの直下に配置され、搬送経路1aとウェハリング固定装置13との間に介在し、真横位置のウェハシート16から電子部品Dをピックアップし、真上位置の搬送経路1aに電子部品Dを供給する。   The electronic component transport apparatus 1 includes a handler 12, a wafer ring fixing device 13, a relay unit 14, a processing unit 11, and a storage unit 15. The handler 12 forms an annular conveyance path 1a, and sets a stop position 1b of the electronic component D on the conveyance path 1a at equal circumferential positions. The wafer ring fixing device 13 holds the wafer sheet 16 along a plane orthogonal to the transport path 1a. That is, the wafer ring fixing device 13 is placed vertically. The relay unit 14 is disposed immediately below the one stop position 1b, is interposed between the transfer path 1a and the wafer ring fixing device 13, picks up the electronic component D from the wafer sheet 16 at the lateral position, and is positioned directly above. The electronic component D is supplied to the transport path 1a.

処理ユニット11は、各停止ポジション1bに分配される。処理ユニット11は、例えば、電子部品Dの位置ズレ、向きのズレ又は其の両方を検出するカメラユニット、電子部品Dの位置ズレ、向きのズレ又は其の両方を補正するXY移動テーブル又はXYθ移動テーブル、電子部品Dの電気特性を検査する電気テストユニット、電子部品Dの外観を検査するカメラユニット、検査の結果が良品の電子部品Dにマーキングするレーザーマーキングユニットである。   The processing unit 11 is distributed to each stop position 1b. The processing unit 11 is, for example, a camera unit that detects positional deviation, orientation deviation, or both of the electronic component D, an XY movement table or XYθ movement that corrects the positional deviation, orientation deviation, or both of the electronic component D. A table, an electrical test unit for inspecting the electrical characteristics of the electronic component D, a camera unit for inspecting the external appearance of the electronic component D, and a laser marking unit for marking the non-defective electronic component D as a result of the inspection.

収容ユニット15は、処理ユニット11の群を挟んで、中継ユニット14が配置された停止ポジション1bとは反対の停止ポジション1bに配置される。収容ユニット15は、例えばキャリアテープを走行させるテーピングユニットである。収容ユニット15としては、その他、トレイを平面移動させるトレイ移動装置、及びウェハを平面移動させるウェハリングホルダが挙げられる。   The accommodation unit 15 is disposed at a stop position 1b opposite to the stop position 1b where the relay unit 14 is disposed with the group of processing units 11 interposed therebetween. The housing unit 15 is a taping unit that travels a carrier tape, for example. Other examples of the accommodation unit 15 include a tray moving device that moves the tray in a plane, and a wafer ring holder that moves the wafer in a plane.

このような電子部品搬送装置1において、ハンドラ12は、詳細には、回転系の基台となるターレットテーブル121、ターレットテーブル121の回転動力源となるダイレクトドライブモータ122、ターレットテーブル121に取り付けられて電子部品Dを保持する吸着ノズル123、及び吸着ノズル123をウェハリング固定装置13、特定の処理ユニット11及び収容ユニット15に接離させる進退駆動装置124により構成される。特定の処理ユニット11は、例えばXY移動テーブル、XYθ移動テーブル、電気テストユニット及びレーザーマーキングユニットである。   In such an electronic component conveying apparatus 1, the handler 12 is attached to a turret table 121 that is a base of a rotating system, a direct drive motor 122 that is a rotational power source of the turret table 121, and a turret table 121. The suction nozzle 123 that holds the electronic component D and the advance / retreat drive device 124 that moves the suction nozzle 123 to and away from the wafer ring fixing device 13, the specific processing unit 11, and the storage unit 15. The specific processing unit 11 is, for example, an XY movement table, an XYθ movement table, an electrical test unit, and a laser marking unit.

ターレットテーブル121は、アームを放射状に配した星形又は円盤形状を有する。このターレットテーブル121は、円中心がダイレクトドライブモータ122の回転軸に軸支される。吸着ノズル123は、ターレットテーブル121の円中心から等距離の外周縁に、円周等配位置で複数取り付けられる。この吸着ノズル123は、ノズル先端を搬送経路1aの直下に向けており、ターレットテーブル121に設けられたスリーブに遊嵌される等により、搬送経路1aの直下に向けて移動可能となっている。この吸着ノズル123は、内部に負圧が供給され、開口したノズル先端で電子部品Dを保持する。   The turret table 121 has a star shape or a disk shape in which arms are arranged radially. The turret table 121 is pivotally supported by the rotation shaft of the direct drive motor 122 at the center of the circle. A plurality of suction nozzles 123 are attached to the outer peripheral edge equidistant from the center of the circle of the turret table 121 at equal circumferential positions. The suction nozzle 123 has a nozzle tip directly below the transport path 1a, and can be moved directly below the transport path 1a by being loosely fitted to a sleeve provided on the turret table 121. The suction nozzle 123 is supplied with a negative pressure and holds the electronic component D at the opened nozzle tip.

ダイレクトドライブモータ122は、回転軸を一定角度ずつ間欠に軸回転させ、ターレットテーブル121は、円周方向に一定の角度ずつ間欠回転する。吸着ノズル123の設置間隔は、ターレットテーブル121の1ピッチ当たりの回転角度と等しいか、この回転角度の整数倍となっている。そのため、各吸着ノズル123は、中継ユニット14及びウェハリング固定装置13の群、処理ユニット11並びに収容ユニット15が配置された各停止ポジション1bに停止する。   The direct drive motor 122 rotates the rotation shaft intermittently by a fixed angle, and the turret table 121 rotates intermittently by a fixed angle in the circumferential direction. The interval between the suction nozzles 123 is equal to the rotation angle per pitch of the turret table 121 or is an integral multiple of this rotation angle. Therefore, each suction nozzle 123 stops at each stop position 1b where the group of the relay unit 14 and the wafer ring fixing device 13, the processing unit 11, and the accommodation unit 15 are arranged.

進退駆動装置124は、搬送経路1aを挟んで処理ユニット11とは反対側に設置され、ロッドを進没させるプッシャである。進退駆動装置124は、中継ユニット14が設置された停止ポジション1b、電子部品Dを一時的に受け取る必要のある処理ユニット11が配置された停止ポジション1b、及び収容ユニット15が設置された停止ポジション1bに備え付けられる。この進退駆動装置124は、吸着ノズル123をロッドで押し出し、吸着ノズル123を中継ユニット14、処理ユニット11及び収容ユニット15へ進出させる。これにより、吸着ノズル123は搬送経路1aに供給される電子部品Dを迎えに行き、処理ユニット11との間で電子部品Dを授受し、また収容ユニット15に電子部品Dを引き渡す。   The advancing / retreating drive device 124 is a pusher that is installed on the opposite side of the processing unit 11 across the conveyance path 1a and advances and retracts the rod. The advancing / retreating drive device 124 includes a stop position 1b where the relay unit 14 is installed, a stop position 1b where the processing unit 11 that needs to temporarily receive the electronic component D is arranged, and a stop position 1b where the accommodation unit 15 is installed. It is equipped with. The advance / retreat drive device 124 pushes the suction nozzle 123 with a rod, and advances the suction nozzle 123 to the relay unit 14, the processing unit 11, and the storage unit 15. As a result, the suction nozzle 123 picks up the electronic component D supplied to the transport path 1 a, transfers the electronic component D to and from the processing unit 11, and delivers the electronic component D to the storage unit 15.

中継ユニット14は、ロータリーピックアップとも呼ばれる。この中継ユニット14は、アームを放射状に配置したロータ141と、ロータ141の放射中心を軸支するサーボモータ142と、ロータ141の各アームに取り付けられた吸着ノズル143と、搬送経路1aに向かう真上位置とウェハリング固定装置13に向かう真横位置に設置された進退駆動装置145を備える。   The relay unit 14 is also called a rotary pickup. The relay unit 14 includes a rotor 141 having arms arranged radially, a servo motor 142 that pivotally supports the radiation center of the rotor 141, a suction nozzle 143 attached to each arm of the rotor 141, and a true head toward the transport path 1a. An advancing / retreating drive device 145 is provided at an upper position and a lateral position facing the wafer ring fixing device 13.

ロータ141は、搬送経路1aとの直交面に沿ってアームを拡げる。吸着ノズル143は、ロータ141の各アーム先端に、ノズル先端をロータ141の半径方向外方に向けて取り付けられる。サーボモータ142は、ロータ141の円中心を軸支している。吸着ノズル143の設置間隔とロータ141の1ピッチ当たりの回転角度とは等しい。各吸着ノズル143の共通の停止ポジション1bのうち、1箇所の停止ポジション1bは、搬送経路1aと対面する真上となり、また他の1箇所の停止ポジション1bは、ウェハリング固定装置13と対面する真横に設定される。   The rotor 141 expands the arm along a plane orthogonal to the transport path 1a. The suction nozzle 143 is attached to the tip of each arm of the rotor 141 with the nozzle tip facing outward in the radial direction of the rotor 141. The servo motor 142 pivotally supports the center of the circle of the rotor 141. The installation interval of the suction nozzle 143 is equal to the rotation angle per pitch of the rotor 141. Of the common stop positions 1b of the suction nozzles 143, one stop position 1b is directly above the conveyance path 1a, and the other one stop position 1b faces the wafer ring fixing device 13. Set beside.

進退駆動装置145は、搬送経路1aと対面する真上の停止ポジション1bとウェハリング固定装置13と対面する真横の停止ポジション1bに設置されている。進退駆動装置145は、ロッドを進没させ、吸着ノズル143を押し出すプッシャである。吸着ノズル143は、ロータのアームに沿ったレールを介してロータ141に設置されており、レール上をスライド可能である。真横位置の進退駆動装置145は、真横位置の吸着ノズル143をロッドで押し出し、真横位置の吸着ノズル143は、ウェハリング固定装置13へ向けて電子部品Dを迎えに行く。真上位置の進退駆動装置145は、真上位置の吸着ノズル143をロッドで押し出し、真上位置の吸着ノズル143は、電子部品Dを搬送経路1aに渡しに行く。   The advancing / retreating drive device 145 is installed at a stop position 1b directly above the conveyance path 1a and a stop position 1b directly beside the wafer ring fixing device 13. The advance / retreat drive 145 is a pusher that advances and retracts the rod and pushes out the suction nozzle 143. The suction nozzle 143 is installed on the rotor 141 via a rail along the arm of the rotor, and can slide on the rail. The advancing / retreating drive device 145 in the right lateral position pushes the suction nozzle 143 in the right lateral position with a rod, and the suction nozzle 143 in the right lateral position picks up the electronic component D toward the wafer ring fixing device 13. The advancing / retreating drive device 145 at the directly above position pushes out the suction nozzle 143 at the directly above position with a rod, and the suction nozzle 143 at the directly above position passes the electronic component D to the transport path 1a.

この吸着ノズル143は、負圧が供給される内部中空の筒形状を本体とする。吸着ノズル143のノズル先端、即ちロータ141の半径方向外方の端部が開口している。ノズル先端は、最先端を頂点とし、頂点が平坦面に削り取られた略円錐体である。ウェハリング固定装置13が保持するウェハシート16に近づいた吸着ノズル143は、吸着によりノズル最先端の平坦面で電子部品Dと密着し、電子部品Dを保持する。電子部品Dと密着するノズル先端は、例えばステンレス製、超鋼材、炭素鋼、アルミナ等であり、耐熱性及び高熱伝導性を有する。ノズル先端には防錆表面処理が施されてもよい。この耐熱性及び高熱伝導性を有するノズル先端を有する吸着ノズル143は、熱を帯びた電子部品Dとの接触によって劣化し難く、また電子部品Dを冷却し易い。   The suction nozzle 143 has a hollow cylindrical shape to which a negative pressure is supplied as a main body. The nozzle tip of the suction nozzle 143, that is, the radially outer end of the rotor 141 is open. The tip of the nozzle is a substantially conical body with the apex at the tip and the apex cut off on a flat surface. The suction nozzle 143 approaching the wafer sheet 16 held by the wafer ring fixing device 13 is brought into close contact with the electronic component D on the flat surface at the tip of the nozzle by suction, and holds the electronic component D. The nozzle tip that is in close contact with the electronic component D is made of, for example, stainless steel, super steel, carbon steel, alumina, or the like, and has heat resistance and high thermal conductivity. A rust-proof surface treatment may be applied to the nozzle tip. The suction nozzle 143 having a nozzle tip having heat resistance and high thermal conductivity is hardly deteriorated by contact with the heated electronic component D, and the electronic component D is easily cooled.

ウェハリング固定装置13は、中継ユニット14の真横に縦置きして配置される。即ち、ウェハリング固定装置13は、ウェハシート16が搬送経路1aに対して垂直となるように配置される。このウェハリング固定装置13は、ウェハシート16を2次元移動させることで、中継ユニット14の真横位置に到達した吸着ノズル143に対し、搬送経路1aに移す電子部品Dを順番に対向させる。尚、ウェハリング固定装置13は、中継ユニット14の真下に、ウェハシート16が搬送経路1aと平行になるように横置きにして配置されてもよい。   The wafer ring fixing device 13 is arranged vertically next to the relay unit 14. That is, the wafer ring fixing device 13 is disposed so that the wafer sheet 16 is perpendicular to the transport path 1a. The wafer ring fixing device 13 moves the wafer sheet 16 two-dimensionally so that the electronic components D moved to the transport path 1a are sequentially opposed to the suction nozzle 143 that has reached the position just beside the relay unit 14. Note that the wafer ring fixing device 13 may be placed horizontally just below the relay unit 14 so that the wafer sheet 16 is parallel to the transport path 1a.

このウェハリング固定装置13は、ウェハリングホルダの要素としてウェハシート16の2次元移動に加え、ウェハシート16のうちの、中継ユニット14がピックアップする電子部品Dの貼着領域を加熱する。ウェハシート16の貼着領域は、加熱により電子部品Dに対する貼着力を喪失し、また望ましくは加熱により発泡して電子部品Dを浮き上がらせて中継ユニット14に電子部品Dを近づける。   The wafer ring fixing device 13 heats a bonding area of the electronic component D picked up by the relay unit 14 in the wafer sheet 16 in addition to the two-dimensional movement of the wafer sheet 16 as an element of the wafer ring holder. The adhesion area of the wafer sheet 16 loses the adhesion force to the electronic component D due to heating, and desirably foams due to heating to lift the electronic component D and bring the electronic component D closer to the relay unit 14.

ここで、ウェハシート16は、ダイシングされた電子部品Dをアレイ状に貼り付けたシートである。ウェハシート16はリングで張られ、ウェハリングと呼ばれる状態となっている。ウェハシート16は、加熱剥離型粘着シートであり、熱により貼着力が喪失し、また望ましくは熱により発泡する。図3に示すように、例えば、このウェハシート16は基材161と粘着層162の二層構造を有する。基材161は、粘着層162の支持母体となり、プラスチックフィルム、紙、布、不織布等により成り、例えばポリエステルフィルム製である。粘着層162は、接着剤163及び発泡フィラー164を含み、例えば接着剤163及び発泡フィラー164を混合したスラリーを基材161に塗布することで形成される。   Here, the wafer sheet 16 is a sheet in which the diced electronic components D are attached in an array. The wafer sheet 16 is stretched by a ring and is in a state called a wafer ring. The wafer sheet 16 is a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet, which loses its sticking force due to heat and desirably foams due to heat. As shown in FIG. 3, for example, the wafer sheet 16 has a two-layer structure of a base material 161 and an adhesive layer 162. The base material 161 serves as a support base for the adhesive layer 162 and is made of a plastic film, paper, cloth, nonwoven fabric, or the like, and is made of, for example, a polyester film. The pressure-sensitive adhesive layer 162 includes an adhesive 163 and a foam filler 164, and is formed by, for example, applying a slurry in which the adhesive 163 and the foam filler 164 are mixed to the base material 161.

接着剤163としては、ゴム系感圧接着剤、アクリル系感圧接着剤、スチレン‐共役ジエンブロック共重合体系感圧接着剤などが挙げられる。発泡フィラー164は、熱によりガス化して膨張する物質を弾性を有する殻内に充填させて成り、熱によりガス化して膨張する物質としては、イソブタン、プロパン、ペンタン等が挙げられ、弾性を有する殻としては、塩化ビニリデン‐アクリロニトル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。このウェハシート16では、熱により発泡フィラー164の体積が膨張し、電子部品Dとの接着面積が減少することで、電子部品に対する貼着力が喪失する。   Examples of the adhesive 163 include a rubber-based pressure-sensitive adhesive, an acrylic-based pressure-sensitive adhesive, and a styrene-conjugated diene block copolymer-based pressure-sensitive adhesive. The foam filler 164 is formed by filling an elastic shell with a substance that expands by gasification by heat, and examples of the substance that expands by gasification by heat include isobutane, propane, pentane, and the like. Examples thereof include vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, polysulfone and the like. In this wafer sheet 16, the volume of the foam filler 164 expands due to heat, and the adhesion area with the electronic component D decreases, so that the adhesion force to the electronic component is lost.

尚、中継ユニット14の吸着ノズル143が進出する程度によっては、発泡による電子部品Dの浮き上がり機能をウェハシート16から省いてもよい。この場合、耐熱性が低い接着剤、又は熱により発生した蒸気等のガスにより接着力を喪失する接着剤を接着層としてもよい。熱により発生した蒸気等のガスにより接着力を喪失する接着剤163としては、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリビニルピロリドンが挙げられる。   Depending on the extent to which the suction nozzle 143 of the relay unit 14 advances, the function of lifting the electronic component D by foaming may be omitted from the wafer sheet 16. In this case, an adhesive having low heat resistance, or an adhesive that loses adhesive force due to gas such as steam generated by heat may be used as the adhesive layer. Examples of the adhesive 163 that loses the adhesive force by a gas such as steam generated by heat include polyvinyl alcohol, polyester, and polyvinyl pyrrolidone.

このウェハシート16の貼着力を喪失させるウェハリング固定装置13の詳細構成を図4乃至図8に示す。図4に示すように、ウェハリング固定装置13は、ウェハシート16を垂直に立てて保持し、ウェハシート16を鉛直面と平行で互いに直交する2軸方向に移動させることで、ピックアップ予定の電子部品Dを中継ユニット14の真横位置に移動させる。このウェハリング固定装置13は、ウェハシート16が挿入されるリング保持部131と、リング保持部131をウェハシート16の拡がりに対して水平移動させるリング移動機構133とを備えている。   The detailed configuration of the wafer ring fixing device 13 for losing the adhesion force of the wafer sheet 16 is shown in FIGS. As shown in FIG. 4, the wafer ring fixing device 13 holds the wafer sheet 16 upright, and moves the wafer sheet 16 in two axial directions that are parallel to the vertical plane and orthogonal to each other. The component D is moved to a position just beside the relay unit 14. The wafer ring fixing device 13 includes a ring holding unit 131 into which the wafer sheet 16 is inserted, and a ring moving mechanism 133 that horizontally moves the ring holding unit 131 with respect to the spread of the wafer sheet 16.

リング保持部131は、ウェハシート16を張り拡げながら保持する。このリング保持部131は、鉛直方向に延在する2枚のドーナツ板131a及びエキスパンドリング131bで構成される。ドーナツ板131aとエキスパンドリング131bは同軸配置され、各開口は、ウェハシート16の電子部品貼着領域全体を包含する。2枚のドーナツ板131aは、ウェハシート16の厚み分に相当する隙間部132を設けて重ね合わせられている。ドーナツ板131aは、エキスパンドリング131bの外径より大径の内径を有し、エキスパンドリング131bが嵌め込まれる方向に移動可能となっている。   The ring holding unit 131 holds the wafer sheet 16 while stretching it. The ring holding part 131 includes two donut plates 131a and an expanding ring 131b extending in the vertical direction. The donut plate 131 a and the expand ring 131 b are coaxially arranged, and each opening includes the entire electronic component attaching region of the wafer sheet 16. The two donut plates 131 a are overlapped with a gap 132 corresponding to the thickness of the wafer sheet 16. The donut plate 131a has an inner diameter that is larger than the outer diameter of the expand ring 131b, and is movable in a direction in which the expand ring 131b is fitted.

隙間部132に挿入されたウェハシート16は、ドーナツ板131aがエキスパンドリング131bを潜る方向に移動することにより、ドーナツ板131aとエキスパンドリング131bとの合間でエキスパンドリング131bの縁面を支点としてドーナツ板131aに引きずり込まれ、張り拡げられる。ウェハシート16は、張り拡げられることで撓みが抑制され、また隣接する電子部品Dの境目であるダイシングストリートが拡がる。   The wafer sheet 16 inserted into the gap portion 132 moves in a direction in which the donut plate 131a goes under the expand ring 131b, so that the donut plate has the edge of the expand ring 131b as a fulcrum between the donut plate 131a and the expand ring 131b. It is dragged into 131a and stretched. The wafer sheet 16 is stretched to suppress bending, and a dicing street that is a boundary between adjacent electronic components D is expanded.

リング移動機構133は、リング保持部131を固定する支持板133aと、支持板133aの背面に固設されたレール133b、133cとを有する。支持板133aの中心にもリング保持部131に挿入されたウェハシート16全体を包含する穴が設けられている。レール133bは鉛直面と平行な1軸方向に延び、レール133cは鉛直面と平行でレール133bと直交する2軸目方向に延びている。支持板133aがレール133b、133cに沿って摺動すると、支持板133aに固定されたリング保持部131は、鉛直面に沿って2次元移動する。   The ring moving mechanism 133 includes a support plate 133a that fixes the ring holding portion 131, and rails 133b and 133c fixed to the back surface of the support plate 133a. A hole including the entire wafer sheet 16 inserted into the ring holding part 131 is also provided at the center of the support plate 133a. The rail 133b extends in one axial direction parallel to the vertical plane, and the rail 133c extends in the second axial direction parallel to the vertical plane and orthogonal to the rail 133b. When the support plate 133a slides along the rails 133b and 133c, the ring holding part 131 fixed to the support plate 133a moves two-dimensionally along the vertical plane.

このウェハリング固定装置13は、ウェハシート16を直接及び間接的に加熱する定点設置のレーザ照射装置134を備えている。レーザ照射装置134は、ウェハシート16と電子部品Dの両方にレーザ光134aを照射し、ピックアップ予定の電子部品Dに対する貼着力を喪失させ、電子部品Dの貼着領域を発泡させて浮上させる。このレーザ照射装置134は、ウェハリング固定装置13の中心に設置され、ピックアップ予定の電子部品Dの直下に位置する。換言すると、リング移動機構133は、ピックアップ予定の電子部品Dをレーザ照射装置134の正面に移動させる。   The wafer ring fixing device 13 includes a fixed-point laser irradiation device 134 that directly and indirectly heats the wafer sheet 16. The laser irradiation device 134 irradiates both the wafer sheet 16 and the electronic component D with the laser beam 134a, loses the adhesion force to the electronic component D to be picked up, and causes the adhesion region of the electronic component D to foam and float. The laser irradiation device 134 is installed at the center of the wafer ring fixing device 13 and is located immediately below the electronic component D to be picked up. In other words, the ring moving mechanism 133 moves the electronic component D to be picked up to the front of the laser irradiation device 134.

図5に示すように、このレーザ照射装置134は、レーザ射出ユニット135とシート支持プレート136と軸合わせフレーム137とを備えている。レーザ射出ユニット135は、炭酸ガス又はエキシマレーザ等の気体レーザ、YAGレーザ等の固体レーザ、若しくは半導体レーザ等である。レーザ射出ユニット135は、所定波長のレーザ光134aを照射する。所定波長は、所定の透過率でウェハシート16を透過し、電子部品Dに到達する波長である。所定の透過率は、ウェハシート16を透過させて電子部品Dにレーザエネルギーを与えることを目的とするものであり、50%以上100%以下であることが望ましい。   As shown in FIG. 5, the laser irradiation device 134 includes a laser emission unit 135, a sheet support plate 136, and an axis alignment frame 137. The laser emission unit 135 is a gas laser such as a carbon dioxide gas or an excimer laser, a solid-state laser such as a YAG laser, or a semiconductor laser. The laser emission unit 135 irradiates a laser beam 134a having a predetermined wavelength. The predetermined wavelength is a wavelength that passes through the wafer sheet 16 with a predetermined transmittance and reaches the electronic component D. The predetermined transmittance is for the purpose of transmitting the laser energy to the electronic component D through the wafer sheet 16, and is preferably 50% or more and 100% or less.

透過率が100%未満の場合は、透過率によって効果の程度はあるがウェハシート16の直接加熱が併用できる。以下、レーザ光134aによる加熱対象をウェハシート16と電子部品Dの両方とする場合を例示するが、レーザ光134aがウェハシート16を完全に透過して電子部品Dのみがレーザ光134aにより加熱される場合も本発明の態様の一つである。   When the transmittance is less than 100%, direct heating of the wafer sheet 16 can be used in combination, although the degree of effect depends on the transmittance. Hereinafter, a case where both the wafer sheet 16 and the electronic component D are heated by the laser beam 134a will be exemplified. However, the laser beam 134a is completely transmitted through the wafer sheet 16 and only the electronic component D is heated by the laser beam 134a. This is also an aspect of the present invention.

このレーザ射出ユニット135は、所定の透過率の達成のため、ウェハシート16の素材に対応して必要があれば波長変換器を備えてもよい。ウェハシート16の基材161がポリエステルフィルムの場合、ウェハシート16を75%以上90%以下の透過率で透過する波長330nm以上のレーザ光134aを射出するレーザ射出ユニット135が採用できる。例えば、ウェハシート16の基材161がポリエステルフィルムの場合、レーザ射出ユニット135は、例えば波長920nm前後のレーザ光134aを射出する半導体レーザが採用できる。   The laser emission unit 135 may include a wavelength converter, if necessary, corresponding to the material of the wafer sheet 16 in order to achieve a predetermined transmittance. When the substrate 161 of the wafer sheet 16 is a polyester film, a laser emission unit 135 that emits a laser beam 134a having a wavelength of 330 nm or more that transmits the wafer sheet 16 with a transmittance of 75% or more and 90% or less can be employed. For example, when the substrate 161 of the wafer sheet 16 is a polyester film, the laser emitting unit 135 can employ a semiconductor laser that emits a laser beam 134a having a wavelength of around 920 nm, for example.

シート支持プレート136は、電子部品Dの貼着面とは反対からウェハシート16を支え、ピックアップ予定の電子部品Dを含む領域からウェハシート16の撓みを除去し、ウェハシート16の平坦化を補強する。このシート支持プレート136は、ウェハシート16側が平坦の板状部材である。   The sheet support plate 136 supports the wafer sheet 16 from the side opposite to the attachment surface of the electronic component D, removes the deflection of the wafer sheet 16 from the region including the electronic component D to be picked up, and reinforces the flattening of the wafer sheet 16. To do. The sheet support plate 136 is a plate-like member having a flat wafer sheet 16 side.

図6に示すように、シート支持プレート136は、中心を除く領域に、板状部材を貫通する吸引口136bを備える。吸引口136bには、負圧を発生させるチューブ等の空気圧回路が接続される。この吸引口136bは、ウェハシート16をシート支持プレート136に吸着してシートの平坦化を更に確実にする。   As shown in FIG. 6, the sheet support plate 136 includes a suction port 136b penetrating the plate-like member in a region excluding the center. A pneumatic circuit such as a tube that generates negative pressure is connected to the suction port 136b. The suction port 136b attracts the wafer sheet 16 to the sheet support plate 136 to further ensure the flattening of the sheet.

また、この吸引口136bは、シート支持プレート136内に空気を通過させてシート支持プレート136が加熱されるのを抑制する冷却手段となる。望ましくは、この吸引口136bは、ピックアップ予定ではない電子部品Dの下方に位置するように形成される。この吸引口136bは、ウェハシート16を空気が通気する程度の負圧を発生させ、ピックアップ予定でない周囲の電子部品D、及びピックアップ予定ではない電子部品Dが貼着されたウェハシート16の領域が加熱されるのを抑制する冷却手段ともなる。   In addition, the suction port 136b serves as a cooling unit that prevents air from passing through the sheet support plate 136 and prevents the sheet support plate 136 from being heated. Desirably, the suction port 136b is formed below the electronic component D that is not scheduled to be picked up. The suction port 136b generates a negative pressure that allows air to flow through the wafer sheet 16, and the surrounding electronic component D that is not scheduled to be picked up and the region of the wafer sheet 16 to which the electronic component D that is not scheduled to be picked up are attached. It also serves as a cooling means for suppressing heating.

また、図6に示すように、シート支持プレート136の中心にはレーザ照射孔136aが貫設されている。レーザ照射孔136aの径は、ピックアップ予定の電子部品Dよりも小さい。また、レーザ照射孔136aの径は、レーザ径よりも小径であることが望ましい。レーザ径よりも小径なレーザ照射孔136aを有するシート支持プレート136は、レーザ光134aの径をピックアップ予定の電子部品Dの範囲内に絞る。   As shown in FIG. 6, a laser irradiation hole 136 a is formed through the center of the sheet support plate 136. The diameter of the laser irradiation hole 136a is smaller than the electronic component D to be picked up. The diameter of the laser irradiation hole 136a is preferably smaller than the laser diameter. The sheet support plate 136 having the laser irradiation hole 136a smaller in diameter than the laser diameter narrows the diameter of the laser beam 134a within the range of the electronic component D to be picked up.

レーザ照射孔136aをレーザ径よりも小径とする場合、シート支持プレート136にもレーザエネルギーが照射されるため、シート支持プレート136は、レーザエネルギーを吸収しにくい素材で構成されると良い。レーザエネルギーを吸収しにくい素材としては、金、銀、銅、これらの合金、又はこれらの金属化合物が挙げられる。   When the laser irradiation hole 136a has a smaller diameter than the laser diameter, the sheet support plate 136 is also irradiated with laser energy. Therefore, the sheet support plate 136 is preferably made of a material that hardly absorbs laser energy. Examples of the material that hardly absorbs laser energy include gold, silver, copper, alloys thereof, and metal compounds thereof.

図7に示すように、シート支持プレート136は、電子部品Dの大きさに応じて各種用意される。各シート支持プレート136はレーザ照射孔136aの径が異なり、対応の電子部品Dに収まるレーザ照射孔136aを有する。レーザ照射装置134には、電子部品Dの大きさに応じたレーザ照射孔136aを有するシート支持プレート136に付け換えられる。   As shown in FIG. 7, various types of sheet support plates 136 are prepared according to the size of the electronic component D. Each sheet support plate 136 has a laser irradiation hole 136a that has a different diameter of the laser irradiation hole 136a and fits in the corresponding electronic component D. The laser irradiation device 134 is replaced with a sheet support plate 136 having a laser irradiation hole 136a corresponding to the size of the electronic component D.

このレーザ射出ユニット135とシート支持プレート136は、軸合わせフレーム137によって繋ぎ合せられる。軸合わせフレーム137は、レーザ光134a、レーザ照射孔136a、及び中継ユニット14が備える真横位置の吸着ノズル143が同軸となるように、レーザ射出ユニット135とシート支持プレート136を位置合わせする。   The laser emission unit 135 and the sheet support plate 136 are connected by an axis alignment frame 137. The axis alignment frame 137 aligns the laser emission unit 135 and the sheet support plate 136 so that the laser beam 134a, the laser irradiation hole 136a, and the suction nozzle 143 in the lateral position provided in the relay unit 14 are coaxial.

この軸合わせフレーム137は、両端開口の筒体であり、中継ユニット14側の端部にシート支持プレート136を着脱自在に固定し、ウェハシート16の電子部品Dが貼着されている面とは反対面にシート支持プレート136の平坦面を密着させる。シート支持プレート136は、軸合わせフレーム137に例えばボルト留めされ、ボルトを緩めることで着脱自在となっている。また、軸合わせフレーム137は、シート支持プレート136とは反対の端部にレーザ射出ユニット135を固定する。   The axial alignment frame 137 is a cylindrical body having both ends open. The sheet support plate 136 is detachably fixed to the end portion on the relay unit 14 side, and the surface on which the electronic component D of the wafer sheet 16 is attached. The flat surface of the sheet support plate 136 is brought into close contact with the opposite surface. The seat support plate 136 is bolted to the axis alignment frame 137, for example, and is detachable by loosening the bolt. The axis alignment frame 137 fixes the laser emission unit 135 to the end opposite to the sheet support plate 136.

図8に示すように、軸合わせフレーム137は、伸縮可能な二重筒構造を有する。シート支持プレート136は、軸合わせフレーム137の内殻筒137aの端部に取り付けられる。内殻筒137aの側周面には、内殻筒137aの軸に沿って歯を並べたラック137cが設置されている。外殻筒137bには軸に沿って長溝孔137dが貫設され、ラック137cは、長溝孔137dから軸合わせフレーム137の外に突出する。また、軸合わせフレーム137は、外殻筒137bの外側に筒軸に沿って延びるリードスクリュー137eを有する。この軸合わせフレーム137は、ステッピングモータ137fを有し、リードスクリュー137eは、外殻筒137bの外に配設されたステッピングモータ137fの回転軸である。内殻筒137aに配置されたラック137cは、リードスクリュー137eと噛合している。   As shown in FIG. 8, the axis alignment frame 137 has a double-cylinder structure that can be expanded and contracted. The sheet support plate 136 is attached to the end of the inner shell cylinder 137 a of the axis alignment frame 137. A rack 137c in which teeth are arranged along the axis of the inner shell cylinder 137a is installed on the side peripheral surface of the inner shell cylinder 137a. A long groove hole 137d extends through the outer cylinder 137b along the axis, and the rack 137c protrudes outside the axis alignment frame 137 from the long groove hole 137d. The axis alignment frame 137 has a lead screw 137e extending along the cylinder axis outside the outer shell cylinder 137b. The axis alignment frame 137 has a stepping motor 137f, and the lead screw 137e is a rotating shaft of the stepping motor 137f disposed outside the outer shell cylinder 137b. A rack 137c disposed in the inner shell cylinder 137a meshes with the lead screw 137e.

ステッピングモータ137fが駆動し、リードスクリュー137eが回転すると、ラック137cはリードスクリュー137eに沿って移動し、内殻筒137aも外殻筒137bに対して進出し、又は埋没する。ステッピングモータ137fは正転及び逆転が可能であり、一方向へ回転すると、軸合わせフレーム137は伸長し、逆方向へ回転すると、軸合わせフレーム137は縮小する。   When the stepping motor 137f is driven and the lead screw 137e rotates, the rack 137c moves along the lead screw 137e, and the inner shell 137a also advances or is buried with respect to the outer shell 137b. The stepping motor 137f can rotate forward and backward, and when rotated in one direction, the axis alignment frame 137 expands, and when rotated in the opposite direction, the axis alignment frame 137 contracts.

シート支持プレート136は、軸合わせフレーム137の伸長により、ウェハシート16に接触する。ウェハシート16への接触により、シート支持プレート136は、ウェハシート16を平坦化して支える。伸長の程度は、シート支持プレート136がウェハシート16を持ち上げてウェハシート16に張力が生じる程度が望ましい。即ち、ウェハリング固定装置13が備える一対のドーナツ板131aの中間を越えてシート支持プレート136を進出させることが望ましい。また、シート支持プレート136は、軸合わせフレーム137の縮小により、ウェハシート16から離れる。   The sheet support plate 136 comes into contact with the wafer sheet 16 due to the extension of the axis alignment frame 137. By contact with the wafer sheet 16, the sheet support plate 136 supports the wafer sheet 16 by flattening it. The degree of extension is desirably such that the sheet support plate 136 lifts the wafer sheet 16 and tension is generated in the wafer sheet 16. That is, it is desirable to advance the sheet support plate 136 beyond the middle of the pair of donut plates 131a provided in the wafer ring fixing device 13. Further, the sheet support plate 136 is separated from the wafer sheet 16 due to the reduction of the axis alignment frame 137.

尚、軸合わせフレーム137を伸縮させる機構としては、これに限らず、例えばリードスクリュー137eに代えてボールネジとし、ラック137cに代えてボールネジに螺合したナットであってもよい。また、内殻筒137にリニアモータ又はピエゾ素子を接続し、内殻筒137を直動させるようにしてもよい。   The mechanism for expanding and contracting the axis alignment frame 137 is not limited to this. For example, a ball screw may be used instead of the lead screw 137e, and a nut screwed to the ball screw may be used instead of the rack 137c. Further, a linear motor or a piezo element may be connected to the inner shell cylinder 137 so that the inner shell cylinder 137 moves directly.

(動作)
ウェハリング固定装置13の詳細な動作とともに、この電子部品搬送装置1の動作を説明する。図9に示すように、レーザ射出ユニット135には、電子部品搬送装置1で搬送する電子部品Dの平面に内包される径のレーザ照射孔136aを有するシート支持プレート136が予め装着される。
(Operation)
The detailed operation of the wafer ring fixing device 13 and the operation of the electronic component transport device 1 will be described. As shown in FIG. 9, a sheet support plate 136 having a laser irradiation hole 136 a having a diameter included in the plane of the electronic component D transported by the electronic component transport apparatus 1 is mounted in the laser emission unit 135 in advance.

ウェハリング固定装置13のリング移動機構133は、ピックアップ対象の電子部品Dをピックアップ予定位置に移動させる。ピックアップ予定位置は、中継ユニット14の真横の停止ポジション1b、シート支持プレート136のレーザ照射孔136a及びレーザ射出ユニット135が射出するレーザの光軸が並ぶ直線上の一点である。例えば、予めウェハシート16上で外観検査等がなされ、外観検査等に応じて電子部品Dのランク分けがなされており、ピックアップ対象のランクに属する電子部品Dの群から順番にピックアップ予定位置に運ばれる。   The ring moving mechanism 133 of the wafer ring fixing device 13 moves the electronic component D to be picked up to the scheduled pickup position. The scheduled pickup position is a point on a straight line in which the stop position 1b directly beside the relay unit 14, the laser irradiation hole 136a of the sheet support plate 136, and the optical axis of the laser emitted by the laser emission unit 135 are arranged. For example, an appearance inspection or the like is performed on the wafer sheet 16 in advance, and the electronic components D are ranked according to the appearance inspection or the like, and are sequentially transported from the group of electronic components D belonging to the rank to be picked up to the pickup expected position. It is.

軸合わせフレーム137は、伸長してシート支持プレート136の平坦面を、ウェハシート16の電子部品Dが貼着された側とは反対面に載せ、更にシート支持プレート136をウェハシート16ごと持ち上げる。ウェハシート16は、シート支持プレート136に載ることで、少なくともシート支持プレート136と重複する領域が平坦化され、ばたつきや緩みが解消される。また、シート支持プレート136がウェハシート16を持ち上げることで、ウェハシート16に張力が生じ、ウェハシート16のばたつきや弛みが更に解消される。   The axis alignment frame 137 extends to place the flat surface of the sheet support plate 136 on the surface opposite to the side where the electronic component D of the wafer sheet 16 is attached, and further lifts the sheet support plate 136 together with the wafer sheet 16. By placing the wafer sheet 16 on the sheet support plate 136, at least an area overlapping with the sheet support plate 136 is flattened, and flapping and loosening are eliminated. Further, when the sheet support plate 136 lifts the wafer sheet 16, tension is generated in the wafer sheet 16, and fluttering and loosening of the wafer sheet 16 are further eliminated.

シート支持プレート136がウェハシート16を載せた際、吸引口136bは負圧を発生させ、シート支持プレート136に載ったウェハシート16を吸引する。ウェハシート16は吸引によりシート支持プレート136の平坦面に吸い寄せられ、平坦化が維持され、撓みやばたつきが更に解消される。   When the sheet support plate 136 places the wafer sheet 16, the suction port 136 b generates a negative pressure and sucks the wafer sheet 16 placed on the sheet support plate 136. The wafer sheet 16 is attracted to the flat surface of the sheet support plate 136 by suction, the flattening is maintained, and the bending and flapping are further eliminated.

尚、シート支持プレート136は、ピックアップ予定の電子部品と其の周囲の電子部品Dを含む領域を含む大きさとすることができる。これにより、ピックアップ予定の電子部品Dの貼着領域の外側から平坦化できるので、平坦化領域が広く、ピックアップ予定の電子部品Dの貼着領域の沈み込みや撓みを更に抑制できる。もちろん、ピックアップ予定の電子部品Dが貼着された領域の沈み込みや撓みが抑制されればよく、シート支持プレート136の大きさは少なくともピックアップ予定の電子部品Dを包含するものであればよい。   In addition, the sheet | seat support plate 136 can be made into the magnitude | size containing the area | region containing the electronic component to be picked up and the electronic component D of the circumference | surroundings. Thereby, since it can planarize from the outer side of the sticking area | region of the electronic component D planned to be picked up, the flattening area is wide, and the sinking and bending of the sticking area of the electronic component D scheduled to be picked up can be further suppressed. Of course, it is only necessary to suppress the sinking or bending of the region where the electronic component D to be picked up is adhered, and the size of the sheet support plate 136 may be at least as long as it includes the electronic component D to be picked up.

図10に示すように、電子部品Dがピックアップ予定位置にある状態で、レーザ射出ユニット135はレーザ光134aを照射する。レーザ光134aは、レーザ径よりも小さいレーザ照射孔136aで絞られて、ピックアップ予定の電子部品Dの平面に内包される径でレーザ照射装置134から射出される。即ち、レーザ径は特段変更する必要がなく、レーザ径変更のためのレンズを各種用意しておかなくとも良いため、レーザ照射装置134のコストを下げつつ、各種電子部品に対応することが可能となる。   As shown in FIG. 10, the laser emission unit 135 irradiates a laser beam 134a in a state in which the electronic component D is at the planned pickup position. The laser beam 134a is narrowed by a laser irradiation hole 136a smaller than the laser diameter, and is emitted from the laser irradiation device 134 with a diameter included in the plane of the electronic component D to be picked up. That is, there is no need to change the laser diameter, and it is not necessary to prepare various lenses for changing the laser diameter. Therefore, it is possible to cope with various electronic components while reducing the cost of the laser irradiation device 134. Become.

レーザ光134aの外周側リング状領域134bは、シート支持プレート136に照射される。シート支持プレート136は、レーザエネルギーを吸収しにくい金、銀又は銅等の素材により構成されるため、レーザ光134aにより加熱されにくい。そのため、シート支持プレート136がピックアップ予定ではない電子部品Dの直下にも及ぶ幅広であっても、ピックアップ予定ではない電子部品Dの貼着領域をシート支持プレート136を介して加熱することを抑制できる。そのため、ピックアップ予定ではない電子部品Dがウェハシート16から剥離し、ウェハシート16上で動いてしまったり、ウェハシート16から脱落してしまったりすることが抑制される。   The outer peripheral ring-shaped region 134b of the laser beam 134a is irradiated to the sheet support plate 136. Since the sheet support plate 136 is made of a material such as gold, silver, or copper that hardly absorbs laser energy, it is difficult to be heated by the laser beam 134a. Therefore, even if the sheet support plate 136 is wide enough to extend directly under the electronic component D that is not scheduled to be picked up, it is possible to suppress heating of the attachment region of the electronic component D that is not planned to be picked up via the sheet support plate 136. . Therefore, the electronic component D that is not scheduled to be picked up is prevented from peeling off from the wafer sheet 16 and moving on the wafer sheet 16 or falling off the wafer sheet 16.

レーザ照射孔136aから射出したレーザ光134aは、一部がウェハシート16に照射され、他の一部がウェハシート16を透過して電子部品Dに照射される。図11に示すように、ウェハシート16で吸収されたレーザエネルギーにより、レーザ光134aが照射されたウェハシート16内の領域R1が直接加熱される。レーザ径は電子部品Dよりも小さく絞られるので、レーザ光134aが照射された領域R1は、ピックアップ予定の電子部品Dが貼着された全領域の一部である。   A part of the laser beam 134 a emitted from the laser irradiation hole 136 a is irradiated to the wafer sheet 16, and the other part is transmitted through the wafer sheet 16 and irradiated to the electronic component D. As shown in FIG. 11, the region R1 in the wafer sheet 16 irradiated with the laser beam 134a is directly heated by the laser energy absorbed by the wafer sheet 16. Since the laser diameter is narrower than that of the electronic component D, the region R1 irradiated with the laser beam 134a is a part of the entire region where the electronic component D to be picked up is attached.

一方、電子部品Dで吸収されたレーザエネルギーにより、レーザ光134aが照射された電子部品Dの領域R2が直接加熱される。電子部品Dの領域R2で発生した熱は、電子部品Dのパッケージやバンプ等の熱伝導媒体を通じて電子部品Dの全体に伝熱する。電子部品Dの全体に拡がった熱は、ウェハシート16に更に伝熱する。そのため、レーザ光134aで直接加熱された領域R1の周辺領域R3を含め、ウェハシート16のうちの、ピックアップ予定の電子部品Dの貼着領域の全体が、電子部品Dを介して間接的に加熱されて加熱領域となる。   On the other hand, the region R2 of the electronic component D irradiated with the laser beam 134a is directly heated by the laser energy absorbed by the electronic component D. The heat generated in the region R2 of the electronic component D is transferred to the entire electronic component D through a heat conductive medium such as a package or bump of the electronic component D. The heat spread over the entire electronic component D is further transferred to the wafer sheet 16. Therefore, the entire attachment region of the electronic component D to be picked up in the wafer sheet 16 including the peripheral region R3 of the region R1 directly heated by the laser beam 134a is indirectly heated through the electronic component D. It becomes a heating area.

一方、吸引口136bは、ピックアップ予定ではない電子部品Dの下方に位置している。この吸引口136bは、ピックアップ予定でない電子部品D及びその電子部品Dが貼着されたウェハシート16の領域に、負圧による空気の流れが作りだす。そのため、ピックアップ予定でない電子部品D及びその電子部品Dが貼着されたウェハシート16の範囲に、シート支持プレート136、レーザ光134aを吸収したウェハシート16の領域、又はレーザ光134aが照射された電子部品Dから熱が伝えられても、空気の流れによる冷却効果で、これらの温度上昇が抑制されている。   On the other hand, the suction port 136b is located below the electronic component D that is not scheduled to be picked up. This suction port 136b creates a flow of air due to negative pressure in the area of the electronic component D that is not scheduled to be picked up and the wafer sheet 16 to which the electronic component D is attached. Therefore, the range of the electronic component D that is not scheduled to be picked up and the wafer sheet 16 to which the electronic component D is attached is irradiated with the sheet support plate 136, the region of the wafer sheet 16 that has absorbed the laser beam 134a, or the laser beam 134a. Even if heat is transmitted from the electronic component D, the temperature rise is suppressed by the cooling effect by the air flow.

即ち、ピックアップ予定でない電子部品Dの下方に配置された吸引口136bは、ピックアップ予定でない電子部品D及びその電子部品Dが貼着されたウェハシート16の領域に対する冷却手段となって、ピックアップ予定でない電子部品Dの剥離を阻止している。   That is, the suction port 136b disposed below the electronic component D that is not scheduled to be picked up serves as a cooling means for the electronic component D that is not scheduled to be picked up and the region of the wafer sheet 16 to which the electronic component D is attached, and is not scheduled to be picked up. The peeling of the electronic component D is prevented.

図12に示すように、レーザ光134aにより直接加熱され、更に電子部品Dを介して伝熱された加熱領域では、発泡フィラー164内の充填物が熱によりガス化し、発泡フィラー164が膨張する。これにより、ピックアップ予定の電子部品Dの貼着領域全体で、電子部品Dとの接着面積の減少が生じ、電子部品Dの貼着領域全体で貼着力が喪失する。また、ピックアップ予定の電子部品Dの貼着領域全体は、発泡フィラー164の膨張により中継ユニット14側へ浮き上がる。   As shown in FIG. 12, in the heating region that is directly heated by the laser beam 134a and further transferred through the electronic component D, the filler in the foam filler 164 is gasified by heat, and the foam filler 164 expands. Thereby, a reduction in the adhesion area with the electronic component D occurs in the entire attachment region of the electronic component D to be picked up, and the attachment force is lost in the entire attachment region of the electronic component D. In addition, the entire attachment region of the electronic component D to be picked up is lifted to the relay unit 14 side due to the expansion of the foam filler 164.

図13に示すように、中継ユニット14の真横位置にある吸着ノズル143は、進退駆動装置145により電子部品Dと当接するまで進出する。吸着ノズル143のノズル先端は、耐熱性及び高熱伝導性を有するため、熱を帯びた電子部品Dによって劣化せず、また電子部品Dとの当接時点から電子部品Dを冷却する。そのため、電子部品Dの熱劣化が抑制される。また、電子部品Dの電気特性をテストする際、熱によるテスト結果の誤差を抑制することができる。   As shown in FIG. 13, the suction nozzle 143 located just beside the relay unit 14 advances until it contacts the electronic component D by the advance / retreat drive device 145. Since the nozzle tip of the suction nozzle 143 has heat resistance and high thermal conductivity, it is not deteriorated by the heated electronic component D, and the electronic component D is cooled from the point of contact with the electronic component D. Therefore, the thermal deterioration of the electronic component D is suppressed. In addition, when testing the electrical characteristics of the electronic component D, errors in the test result due to heat can be suppressed.

尚、レーザ照射による電子部品Dの熱劣化を防止するため、レーザ出力は予め調整されることが望ましい。又は、支持プレート136のレーザ照射孔136aを更に小さくして、電子部品Dに照射されるレーザエネルギーを抑制することで、レーザ照射による電子部品Dの熱劣化を防止するようにしてもよい。   In order to prevent thermal degradation of the electronic component D due to laser irradiation, it is desirable to adjust the laser output in advance. Or you may make it prevent the thermal deterioration of the electronic component D by laser irradiation by making the laser irradiation hole 136a of the support plate 136 still smaller, and suppressing the laser energy irradiated to the electronic component D. FIG.

中継ユニット14の真横位置にある吸着ノズル143は、負圧により電子部品Dを吸着したまま、中継ユニット14の真上位置に移動して、搬送経路1aに対面する。このとき、図14に示すように、ウェハリング固定装置13では、リング移動機構133により次のピックアップ予定の電子部品Dがピックアップ予定位置に移動する。ウェハシート16が移動する間、レーザ照射装置134は軸合わせフレーム137を縮小させ、シート支持プレート136をウェハシート16から離間させる。   The suction nozzle 143 at a position just beside the relay unit 14 moves to a position directly above the relay unit 14 while sucking the electronic component D by the negative pressure, and faces the transport path 1a. At this time, as shown in FIG. 14, in the wafer ring fixing device 13, the electronic component D scheduled for the next pickup is moved to the planned pickup position by the ring moving mechanism 133. While the wafer sheet 16 moves, the laser irradiation device 134 reduces the alignment frame 137 and moves the sheet support plate 136 away from the wafer sheet 16.

これにより、ウェハシート16の移動中、ウェハシート16とシート支持プレート136とは離間しているので、熱くなったシート支持プレート136からウェハシート16へ伝熱され難く、ウェハシート16の移動中に粘着層162の貼着力を喪失させてしまうことがない。そのため、ピックアップ予定ではない電子部品Dがシート支持プレート136の直上を一時的に通過しても、ピックアップ予定ではない電子部品Dがウェハシート16から剥がれ、ウェハシート16上を動き、またウェハシート16から脱落してしまうことが抑制される。   As a result, since the wafer sheet 16 and the sheet support plate 136 are separated during the movement of the wafer sheet 16, it is difficult for heat to be transferred from the heated sheet support plate 136 to the wafer sheet 16, and during the movement of the wafer sheet 16. The adhesive force of the adhesive layer 162 is not lost. For this reason, even if an electronic component D that is not scheduled to be picked up passes immediately above the sheet support plate 136, the electronic component D that is not scheduled to be picked up peels off from the wafer sheet 16, moves on the wafer sheet 16, and the wafer sheet 16 Is prevented from falling off.

更に、シート支持プレート136の吸引口136bは、空気が流動して空冷管となり、シート支持プレート136の冷却手段としても作用する。そのため、シート支持プレート136からの輻射熱を減少させ、移動中のウェハシート16がシート支持プレート136によって加熱されてしまうことを更に抑制することができる。   Further, the suction port 136b of the sheet support plate 136 functions as a cooling means for the sheet support plate 136 by air flowing into an air cooling tube. Therefore, radiant heat from the sheet support plate 136 can be reduced, and the moving wafer sheet 16 can be further suppressed from being heated by the sheet support plate 136.

中継ユニット14の真横位置で電子部品Dを保持した吸着ノズル143は、真上位置に移動する。中継ユニット14の真上位置では、進退駆動装置145により吸着ノズル143を搬送経路1aに近づける。ハンドラ12は、中継ユニット14の直上に吸着ノズル123を到達させて、中継ユニット14から電子部品Dを受け取る。   The suction nozzle 143 that holds the electronic component D at a position directly beside the relay unit 14 moves to a position immediately above. At the position directly above the relay unit 14, the advancing / retreating drive device 145 brings the suction nozzle 143 closer to the transport path 1 a. The handler 12 causes the suction nozzle 123 to reach immediately above the relay unit 14 and receives the electronic component D from the relay unit 14.

ハンドラ12は、電子部品Dを保持したまま吸着ノズル123を搬送経路1aに沿って間欠的に移動させ、各停止ポジション1bの処理ユニット11に電子部品を位置させる。各処理ユニット11は、直上に到達した電子部品Dに処理を施す。各処理ユニット11を巡った吸着ノズル123は、最後に収容ユニット15の直上に移動し、電子部品Dを収容ユニット15に渡す。収容ユニット15は吸着ノズル123から渡された電子部品Dを収容する。   The handler 12 intermittently moves the suction nozzle 123 along the transport path 1a while holding the electronic component D, and positions the electronic component in the processing unit 11 at each stop position 1b. Each processing unit 11 performs processing on the electronic component D that has reached directly above. The suction nozzle 123 around each processing unit 11 finally moves directly above the accommodation unit 15 and delivers the electronic component D to the accommodation unit 15. The housing unit 15 houses the electronic component D passed from the suction nozzle 123.

(効果)
このように、この電子部品搬送装置1が備えるレーザ照射装置134は、電子部品Dに向けた光軸を有し、電子部品Dが貼着された面とは反対面からウェハシート16に向けてレーザ光134aを射出するレーザ射出部を備える。このレーザ射出部は、ウェハシート16を透過し、電子部品Dに到達する波長のレーザ光134aを射出する。
(effect)
As described above, the laser irradiation device 134 provided in the electronic component conveying apparatus 1 has an optical axis directed to the electronic component D, and faces the wafer sheet 16 from the surface opposite to the surface on which the electronic component D is attached. A laser emitting unit that emits the laser beam 134a is provided. The laser emitting unit emits a laser beam 134 a having a wavelength that passes through the wafer sheet 16 and reaches the electronic component D.

ウェハシート16は、加熱剥離型粘着シートであり、片面に貼着して成る。ウェハシート16を透過したレーザ光134aは電子部品Dに照射し、当該レーザ光134aで電子部品Dが加熱され、電子部品Dの熱がウェハシート16のうちの熱せられた電子部品Dの貼着領域全体へ伝わり、電子部品Dを介して当該貼着領域が加熱され、電子部品DがウェハシートDから剥離する。   The wafer sheet 16 is a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet, and is bonded to one side. The laser beam 134a that has passed through the wafer sheet 16 is applied to the electronic component D, the electronic component D is heated by the laser beam 134a, and the heat of the electronic component D is adhered to the heated electronic component D in the wafer sheet 16. It is transmitted to the entire area, the sticking area is heated via the electronic component D, and the electronic component D is peeled from the wafer sheet D.

これにより、電子部品Dの貼着領域全体の貼着力を喪失させることができ、レーザ光134aによって電子部品Dをウェハシート16から剥離することができる。従って、電子部品Dへの突き上げピンのような物体の接触によるキズ付きや破損を阻止することができる。   Thereby, the sticking force of the whole sticking area | region of the electronic component D can be lost, and the electronic component D can be peeled from the wafer sheet 16 with the laser beam 134a. Therefore, it is possible to prevent scratches and breakage due to contact of an object such as a push-up pin to the electronic component D.

尚、レーザ光134aのウェハシート16に対する透過率は50%以上100%以下が望ましく、例えば75以上90%以下等のように100%未満であれば、ウェハシート16の直接加熱も併用される。即ち、ウェハシート16と電子部品Dが加熱され、電子部品Dの貼着領域に対する直接加熱と、電子部品Dを介した電子部品Dの貼着領域全体への伝熱により、電子部品Dは剥離する。   Note that the transmittance of the laser beam 134a to the wafer sheet 16 is desirably 50% or more and 100% or less. For example, if the transmittance is less than 100%, such as 75 or more and 90% or less, direct heating of the wafer sheet 16 is also used. That is, the wafer sheet 16 and the electronic component D are heated, and the electronic component D is peeled off by direct heating to the bonding region of the electronic component D and heat transfer to the entire bonding region of the electronic component D via the electronic component D. To do.

また、このレーザ照射装置134は、シート支持プレート136と軸合わせフレーム137を備える。シート支持プレート136は、平坦面をウェハシート16に向けて有し、ウェハシート16のうち、少なくとも、レーザを照射する電子部品Dの貼着領域を平坦に支持する。軸合わせフレーム137は、レーザ射出ユニット135とシート支持プレート136とを同軸に支持する。このシート支持プレート136は、軸合わせフレーム137に対して着脱自在であり、レーザ光134aの光軸と同軸、レーザ134aの径よりも小径、及び対応の電子部品Dの大きさに応じた孔径のレーザ照射孔136aを有する。そして、レーザ照射孔136aは、レーザ射出ユニット135が射出するレーザ134aの一部をウェハシート16と電子部品Dに向けて出射させる。   The laser irradiation device 134 includes a sheet support plate 136 and an axis alignment frame 137. The sheet support plate 136 has a flat surface facing the wafer sheet 16, and supports at least a bonding region of at least the electronic component D to be irradiated with the laser in the wafer sheet 16. The axis alignment frame 137 supports the laser emission unit 135 and the sheet support plate 136 coaxially. The sheet support plate 136 is detachable with respect to the axis alignment frame 137, is coaxial with the optical axis of the laser beam 134a, has a diameter smaller than the diameter of the laser 134a, and a hole diameter corresponding to the size of the corresponding electronic component D. A laser irradiation hole 136a is provided. The laser irradiation hole 136 a allows a part of the laser 134 a emitted from the laser emission unit 135 to be emitted toward the wafer sheet 16 and the electronic component D.

これにより、レーザ射出ユニット135のレーザ径を電子部品Dに合わせて変更するために各種のレンズを用意しておく必要はなく、レーザ照射装置134のコストを下げつつ、各種電子部品に対応することが可能となる。尚、レーザ光134aを照射する電子部品Dの貼着領域を平坦化しない場合は、シート支持プレート136をウェハシート16に接触させる必要はない。一方、平坦化する場合、シート支持プレート136でウェハシート16を持ち上げるようにすることで、更なる平坦化効果を得られる。   Accordingly, it is not necessary to prepare various lenses for changing the laser diameter of the laser emitting unit 135 according to the electronic component D, and it is possible to cope with various electronic components while reducing the cost of the laser irradiation device 134. Is possible. In addition, when the attachment area | region of the electronic component D irradiated with the laser beam 134a is not planarized, it is not necessary to make the sheet | seat support plate 136 contact the wafer sheet 16. FIG. On the other hand, in the case of flattening, a further flattening effect can be obtained by lifting the wafer sheet 16 with the sheet support plate 136.

また、シート支持プレート136は、レーザエネルギーを吸収し難い素材で成るようにした。例えばシート支持プレート136は、金、銀、銅、金の合金や銀の合金や銅の合金といったこれらの合金、又は金の金属化合物や銀の金属化合物や銅の金属化合物といったこれらの金属化合物を含み成るようにした。これにより、レーザ光134aの外周領域が照射されるシート支持プレート136の加熱が抑制される。   The sheet support plate 136 is made of a material that hardly absorbs laser energy. For example, the sheet support plate 136 is made of an alloy such as gold, silver, copper, a gold alloy, a silver alloy, or a copper alloy, or a metal compound such as a gold metal compound, a silver metal compound, or a copper metal compound. Included. Thereby, heating of the sheet support plate 136 irradiated with the outer peripheral region of the laser beam 134a is suppressed.

また、ウェハリング固定装置13は、リング保持部131をウェハシート16のシート平面に沿って平行移動させ、電子部品Dをレーザ射出部の光軸上に順番に位置させるリング移動機構133を備えており、軸合わせフレーム137は、伸縮自在であり、リング移動機構133によるウェハシート16の移動中、シート支持プレート136がウェハシート16から離れるまで縮小するようにした。これにより、レーザ光134aの外周リング状領域134bが照射されることで加熱されたシート支持プレート136が平行移動中のウェハシート16に伝熱することはなく、ウェハシート16の移動中に電子部品Dが剥離してしまうことを抑制できる。   Further, the wafer ring fixing device 13 includes a ring moving mechanism 133 that translates the ring holding part 131 along the sheet plane of the wafer sheet 16 and sequentially positions the electronic components D on the optical axis of the laser emitting part. The axis alignment frame 137 is extendable and contracted until the sheet support plate 136 moves away from the wafer sheet 16 during the movement of the wafer sheet 16 by the ring moving mechanism 133. As a result, the sheet support plate 136 heated by irradiating the outer peripheral ring-shaped region 134b of the laser beam 134a does not transfer heat to the wafer sheet 16 being translated, and the electronic component is being moved while the wafer sheet 16 is moving. It can suppress that D peels.

また、シート支持プレート136を冷却する冷却手段を更に備えるようにした。本実施形態では、冷却手段は、シート支持プレート136に貫設され、ウェハシート16を吸引する吸引口136bである。これにより、レーザ光134aの外周リング状領域134bが照射されることで加熱されたシート支持プレート136を速やかに冷却することができ、シート支持プレート136が平行移動中のウェハシート16に伝熱することはなく、ピックアップ予定ではない電子部品Dが剥離することを抑制できる。尚、冷却手段としては、吸引口136bに限られず、シート支持プレート136に向けて空気を噴出するブロアや、シート支持プレート136に固定される放熱フィンであってもよい。   Further, a cooling means for cooling the sheet support plate 136 is further provided. In the present embodiment, the cooling means is a suction port 136 b that penetrates the sheet support plate 136 and sucks the wafer sheet 16. Thereby, the sheet support plate 136 heated by irradiating the outer peripheral ring-shaped region 134b of the laser beam 134a can be quickly cooled, and the sheet support plate 136 conducts heat to the wafer sheet 16 that is moving in parallel. This can prevent the electronic component D that is not scheduled to be picked up from being peeled off. The cooling means is not limited to the suction port 136b, and may be a blower that blows air toward the sheet support plate 136 or a heat radiating fin fixed to the sheet support plate 136.

また、この吸引口136bを、ピックアップ予定でない電子部品Dの下方に位置させておくようにした。これにより、シート支持プレート136をウェハシート16に当接させてレーザ光134aを照射している間、ピックアップ予定でない電子部品Dと、その電子部品Dが貼着されているウェハシート16の領域に、負圧による空気の流れを作り出される。従って、この電子部品Dとウェハシート16の領域の温度上昇を抑制でき、ピックアップ予定でない電子部品Dがウェハシート16から剥離してしまう可能性を更に抑制できる。   The suction port 136b is positioned below the electronic component D that is not scheduled to be picked up. Thus, while the sheet support plate 136 is brought into contact with the wafer sheet 16 and the laser beam 134a is irradiated, the electronic component D that is not scheduled to be picked up and the region of the wafer sheet 16 to which the electronic component D is adhered are placed. Created air flow due to negative pressure. Therefore, it is possible to suppress the temperature increase in the area of the electronic component D and the wafer sheet 16 and further suppress the possibility that the electronic component D that is not scheduled to be picked up is peeled from the wafer sheet 16.

また、この電子部品搬送装置1は、ウェハリング固定装置13から電子部品Dをピックアップする吸着ノズル143のノズル先端を耐熱性及び高熱伝導性部材で成るようにした。これにより、ノズル先端が熱により劣化することを抑制でき、また加熱された電子部品Dを速やかに冷却できる。尚、ハンドラ12及び中継ユニット14の吸着ノズル143は保持手段の一例であり、静電吸着方式、ベルヌーイチャック方式、又は電子部品Dを機械的に挟持するチャック機構を配してもよい。   In addition, the electronic component conveying apparatus 1 is configured such that the nozzle tip of the suction nozzle 143 that picks up the electronic component D from the wafer ring fixing device 13 is made of a heat-resistant and highly heat-conductive member. Thereby, it can suppress that a nozzle front-end | tip deteriorates with a heat | fever, and the heated electronic component D can be cooled rapidly. The handler 12 and the suction nozzle 143 of the relay unit 14 are examples of holding means, and an electrostatic chucking method, a Bernoulli chuck method, or a chuck mechanism that mechanically clamps the electronic component D may be provided.

(第2の実施形態)
次に、本発明に係る電子部品搬送装置1の第2の実施形態について詳細に説明する。第1の実施形態と同一構成及び同一機能については同一符号を付して詳細な説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the electronic component transport apparatus 1 according to the present invention will be described in detail. The same configurations and functions as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

シート支持プレート136は、レーザエネルギーを吸収し易く高熱伝導性の素材で構成される。レーザエネルギーを吸収し易く高熱伝導性の素材としては、シリコン、鉄、アルミ、スズ、又は鉄の合金、アルミの合金若しくはスズの合金といったこれらの合金、又は鉄の金属化合物、アルミの金属化合物若しくはスズの金属化合物といったこれらの金属化合物が挙げられる。   The sheet support plate 136 is made of a material having high thermal conductivity that easily absorbs laser energy. As a material that easily absorbs laser energy and has high thermal conductivity, silicon, iron, aluminum, tin, an alloy of iron, an alloy of aluminum, an alloy of tin, an iron metal compound, an aluminum metal compound, or These metal compounds, such as a metal compound of tin, can be mentioned.

図15に示すように、レーザ光134aの外周側リング状領域134bが当たったシート支持プレート136の領域R4は、レーザエネルギーにより加熱される。シート支持プレート136は平坦面でウェハシート16と接しており、シート支持プレート136の熱がウェハシート16に伝熱する。即ち、この電子部品搬送装置1が備えるレーザ照射装置134は、レーザ光134aでウェハシート16を直接加熱し、またレーザ光134aで熱せられた電子部品Dを介してウェハシート16を加熱し、更にレーザで熱せられたシート支持プレート136を介してウェハシート16を加熱する。   As shown in FIG. 15, the region R4 of the sheet support plate 136 where the outer peripheral ring-shaped region 134b of the laser beam 134a hits is heated by laser energy. The sheet support plate 136 is in contact with the wafer sheet 16 on a flat surface, and the heat of the sheet support plate 136 is transferred to the wafer sheet 16. That is, the laser irradiation device 134 provided in the electronic component transport apparatus 1 directly heats the wafer sheet 16 with the laser beam 134a, heats the wafer sheet 16 through the electronic component D heated with the laser beam 134a, The wafer sheet 16 is heated through the sheet support plate 136 heated by the laser.

レーザ射出ユニット135は太めの径のレーザを射出し、シート支持プレート136には小さめの径のレーザ照射孔136aを形成しておくことが望ましい。これにより、ピックアップ予定の電子部品Dが貼着された全領域は、中心付近の領域R1がレーザ光134aにより直接加熱され、電子部品Dが貼着された残りの全領域R3は、電子部品D及びシート支持プレート136によって両側から加熱され、ピックアップ予定の電子部品Dが貼着された全領域には効率良く熱が伝わり、電子部品Dの剥離性が向上する。   The laser emission unit 135 emits a laser having a larger diameter, and it is desirable to form a laser irradiation hole 136a having a smaller diameter in the sheet support plate 136. As a result, the entire region where the electronic component D to be picked up is adhered is heated directly by the laser beam 134a in the region R1 near the center, and the remaining region R3 where the electronic component D is adhered is the electronic component D. In addition, heat is efficiently transmitted to the entire area where the electronic component D to be picked up is attached by being heated from both sides by the sheet support plate 136, and the peelability of the electronic component D is improved.

このように、シート支持プレート136は、レーザエネルギーを吸収し易く高熱伝導性の素材で成るようにした。シート支持プレート136は、例えばシリコン、鉄、アルミ又はスズを含んで成る。これにより、レーザ光134aによるウェハシート16の直接加熱、レーザ光134aで熱せられた電子部品Dを介するウェハシート16の加熱、及びレーザ光134aで熱せられたシート支持プレート136を介するウェハシート16の加熱が併用され、電子部品Dの貼着領域全体が速やかに加熱され、電子部品Dのウェハシート16からの剥離性が良好となる。このため、電子部品Dのピックアップミスを防止するとともに、貼着力を喪失させるまでの加熱時間を短縮でき、電子部品Dの搬送速度が向上する。   In this way, the sheet support plate 136 is made of a material having high thermal conductivity that easily absorbs laser energy. The sheet support plate 136 includes, for example, silicon, iron, aluminum, or tin. As a result, the wafer sheet 16 is directly heated by the laser beam 134a, the wafer sheet 16 is heated via the electronic component D heated by the laser beam 134a, and the wafer sheet 16 is heated via the sheet support plate 136 heated by the laser beam 134a. Heating is used in combination, and the entire pasting region of the electronic component D is quickly heated, and the peelability of the electronic component D from the wafer sheet 16 is improved. For this reason, while preventing the pick-up mistake of the electronic component D, the heating time until it loses sticking power can be shortened, and the conveyance speed of the electronic component D improves.

(第3の実施形態)
次に、本発明に係る電子部品搬送装置1の第3の実施形態について詳細に説明する。第1及び第2の実施形態と同一構成及び同一機能については同一符号を付して詳細な説明を省略する。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the electronic component transport apparatus 1 according to the present invention will be described in detail. The same configurations and functions as those in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図16は、シート支持プレート136の正面図である。図16に示すように、シート支持プレート136は、中央プレート136cと環状プレート136dと結合部136eとにより構成される。中央プレート136cと環状プレート136dと結合部136eは、一体成型されていてもよい。   FIG. 16 is a front view of the sheet support plate 136. As shown in FIG. 16, the sheet support plate 136 includes a central plate 136c, an annular plate 136d, and a coupling portion 136e. The central plate 136c, the annular plate 136d, and the coupling portion 136e may be integrally molded.

中央プレート136cは、例えば円盤状を有し、ピックアップ予定の電子部品Dの直下に位置し、電子部品Dと同一、又はピックアップ予定の電子部品Dの周囲に並ぶ電子部品Dに及ばない程度の広さを有し、レーザ照射孔136aが形成されている。環状プレート136dは、例えば円環状を有し、中央プレート136cの周囲を囲み、中央プレート136cから距離を取って配置されており、吸引口136bが形成される。即ち、シート支持プレート136は、中央プレート136cと環状プレート136dの間に溝136fを有している。結合部136eは、溝136fに架橋され、中央プレート136cと環状プレート136dとを一体的に繋ぐ。   The center plate 136c has, for example, a disk shape, is located immediately below the electronic component D to be picked up, and is wide enough not to reach the electronic component D that is the same as the electronic component D or is arranged around the electronic component D to be picked up. The laser irradiation hole 136a is formed. The annular plate 136d has, for example, an annular shape, surrounds the periphery of the central plate 136c, and is arranged at a distance from the central plate 136c, thereby forming a suction port 136b. That is, the sheet support plate 136 has a groove 136f between the center plate 136c and the annular plate 136d. The coupling portion 136e is bridged with the groove 136f and integrally connects the central plate 136c and the annular plate 136d.

このシート支持プレート136によると、レーザ光134aは中央プレート136cに当たり、中央プレート136cは加熱される。但し、中央プレート136cと環状プレート136dとは溝136fによって断絶しており、中央プレート136cの熱が環状プレート136dに伝熱し難い。そのため、環状プレート136dの直上に位置するシート領域は、シート支持プレート136によって加熱され難く、ピックアップ予定ではない電子部品Dがウェハシート16から剥離することを抑制できる。   According to this sheet support plate 136, the laser beam 134a hits the center plate 136c, and the center plate 136c is heated. However, the central plate 136c and the annular plate 136d are disconnected by the groove 136f, and the heat of the central plate 136c is difficult to transfer to the annular plate 136d. Therefore, the sheet region located immediately above the annular plate 136d is difficult to be heated by the sheet support plate 136, and the electronic component D that is not scheduled to be picked up can be prevented from peeling from the wafer sheet 16.

尚、中央プレート136cの領域から環状プレート136dの領域に熱が伝わり難ければよく、中央プレート136cの領域と環状プレート136dの領域とを繋ぐ領域の伝熱面積が小さければよい。そのため、溝136fは、シート支持プレート136の表裏を貫通する他、シート支持プレート136の表裏の一方が有底であり、また、シート支持プレート136の表裏両方向から中心に未達で掘り込まれてシート支持プレート136を絞った態様となっていてもよい。   Note that it is only necessary that heat is not easily transmitted from the region of the central plate 136c to the region of the annular plate 136d, and the heat transfer area of the region connecting the region of the central plate 136c and the region of the annular plate 136d is small. Therefore, the groove 136f penetrates through the front and back of the sheet support plate 136, and one of the front and back of the sheet support plate 136 has a bottom, and is not dug into the center from both front and back directions of the sheet support plate 136. The sheet support plate 136 may be narrowed.

この中央プレート136cと環状プレート136dと結合部136eとから成るシート支持プレート136は、シート支持プレート136を介してウェハシート16を加熱する場合に特に有用となる。この場合、中央プレート136cは、レーザエネルギーを吸収し易く高熱伝導性の素材を含んで構成される。レーザエネルギーを吸収し易く高熱伝導性の素材としては、シリコン、鉄、アルミ、スズ、又は鉄の合金、アルミの合金若しくはスズの合金といったこれらの合金、又は鉄の金属化合物、アルミの金属化合物若しくはスズの金属化合物といったこれらの金属化合物が挙げられる。結合部136e及び環状プレート136dは、熱伝導性の低いウレタン等の断熱材で構成されてもよい。また、結合部136e及び環状プレート136dは、熱伝導性が低く、且つ機械剛性が容易に確保できるガラス繊維シート積層材又はジルコニア等で構成されてもよい。   The sheet support plate 136 including the central plate 136c, the annular plate 136d, and the coupling portion 136e is particularly useful when the wafer sheet 16 is heated via the sheet support plate 136. In this case, the center plate 136c is configured to include a material having high thermal conductivity that easily absorbs laser energy. As a material that easily absorbs laser energy and has high thermal conductivity, silicon, iron, aluminum, tin, an alloy of iron, an alloy of aluminum, an alloy of tin, an iron metal compound, an aluminum metal compound, or These metal compounds, such as a metal compound of tin, can be mentioned. The coupling portion 136e and the annular plate 136d may be made of a heat insulating material such as urethane having low thermal conductivity. Further, the coupling portion 136e and the annular plate 136d may be made of a glass fiber sheet laminated material, zirconia, or the like that has low thermal conductivity and can easily secure mechanical rigidity.

これにより、ピックアップ予定の電子部品Dと重なる中央プレート136cはレーザ光134aにより効率よく加熱されて、ピックアップ予定の電子部品Dが貼着された領域に伝熱し易く、ピックアップ予定ではない電子部品Dと重なる環状プレート136dは、中央プレート136cから伝熱され難いために、ピックアップ予定ではない電子部品Dを剥離させ難くなる。   As a result, the central plate 136c that overlaps the electronic component D to be picked up is efficiently heated by the laser beam 134a, and heat is easily transferred to the region where the electronic component D to be picked up is attached. Since the overlapping annular plates 136d are difficult to transfer heat from the center plate 136c, it is difficult to peel off the electronic component D that is not scheduled to be picked up.

このように、シート支持プレート136を、レーザ射出部の光軸上に位置する剥離予定の電子部品Dと当該電子部品Dの周囲の電子部品Dを包含する大きさとする場合、剥離予定の電子部品Dのみを包含する中央プレート136cと、中央プレート136cの周囲を覆う環状プレート136dと、中央プレート136cと環状プレート136dとの間を断絶する溝136fとを備えるようにした。これにより、剥離予定ではない電子部品Dをウェハシート16を介して載置した環状プレート136dには、レーザの外周領域が照射された中央プレート136cの熱が伝熱されにくく、ピックアップ予定ではない電子部品Dが剥離することを抑制できる。   In this way, when the sheet support plate 136 is sized to include the electronic component D to be peeled located on the optical axis of the laser emitting portion and the electronic component D around the electronic component D, the electronic component to be peeled off A central plate 136c including only D, an annular plate 136d covering the periphery of the central plate 136c, and a groove 136f for breaking between the central plate 136c and the annular plate 136d are provided. As a result, the annular plate 136d on which the electronic component D that is not scheduled to be peeled is placed via the wafer sheet 16 is difficult to transfer the heat of the central plate 136c irradiated with the outer peripheral region of the laser, and the electronic that is not scheduled to be picked up. The part D can be prevented from peeling off.

また、図17に示すように、シート支持プレート136の溝136fに熱伝導性の低い樹脂136gを充填し、中央プレート136cから環状プレート136dへの伝熱を抑制するようにしてもよい。中央プレート136cの熱が樹脂136gで断熱され、環状プレート136dが加熱され難くなり、ピックアップ予定ではない電子部品Dを剥離させ難くなる。   Further, as shown in FIG. 17, the groove 136f of the sheet support plate 136 may be filled with a resin 136g having low thermal conductivity to suppress heat transfer from the central plate 136c to the annular plate 136d. The heat of the center plate 136c is insulated by the resin 136g, the annular plate 136d is hardly heated, and the electronic component D that is not scheduled to be picked up is difficult to peel off.

(第4の実施形態)
次に、本発明に係る電子部品搬送装置1の第4の実施形態について詳細に説明する。第1乃至第3の実施形態と同一構成及び同一機能については同一符号を付して詳細な説明を省略する。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the electronic component transport apparatus 1 according to the present invention will be described in detail. The same configurations and functions as those in the first to third embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図18に示すように、レーザ照射装置134は、レーザ射出ユニット135の光軸上にビームスプリッタ135aを有する。レーザ射出ユニット135から照射されたレーザ光134aは、ビームスプリッタ135aで2以上に分割される。更に、レーザ照射装置134は、ビームスプリッタ135aで分割されたレーザ光134aの光路上にミラー135bを備え、ピックアップ予定の電子部品Dの直下であってウェハシート16の内部で全レーザ光134aを一点Pで交差させる。   As shown in FIG. 18, the laser irradiation device 134 has a beam splitter 135 a on the optical axis of the laser emission unit 135. The laser beam 134a emitted from the laser emission unit 135 is divided into two or more by the beam splitter 135a. Further, the laser irradiation device 134 is provided with a mirror 135b on the optical path of the laser beam 134a divided by the beam splitter 135a, and a single point of all the laser beams 134a within the wafer sheet 16 just below the electronic component D to be picked up. Cross at P.

シート支持プレート136のレーザ照射孔136aは、全レーザ光134aが通過可能な径を有する。又は、各レーザ光134aが通過するレーザ照射孔136aを各レーザ光134aの光路に合わせて各々形成するようにしてもよい。   The laser irradiation hole 136a of the sheet support plate 136 has a diameter through which all the laser light 134a can pass. Alternatively, the laser irradiation holes 136a through which the respective laser beams 134a pass may be formed in accordance with the optical paths of the respective laser beams 134a.

このレーザ照射装置134によれば、電子部品Dにレーザエネルギーを与えるために、ウェハシート16に対する透過率が高いレーザ光134aを照射しても、ウェハシート16には高いレーザエネルギーが与えられ、ウェハシート16は効率良く加熱される。   According to the laser irradiation device 134, in order to give laser energy to the electronic component D, even if the laser beam 134a having a high transmittance with respect to the wafer sheet 16 is irradiated, the wafer sheet 16 is given high laser energy, The sheet 16 is efficiently heated.

更に、電子部品Dへのレーザ光134aの照射領域は複数に分散するため、各照射領域に付与されるレーザエネルギーも分散し、レーザ照射装置134の出力を上げても、照射領域のレーザ照射による損傷の虞を低減することができる。一方で、レーザ照射装置134の出力を上げれば、各レーザ光134aの交点では、その強い出力の恩恵を受け、ウェハシート16を効率よく加熱できる。   Further, since the irradiation region of the laser beam 134a to the electronic component D is dispersed in a plurality, the laser energy applied to each irradiation region is also dispersed, and even if the output of the laser irradiation device 134 is increased, the irradiation of the irradiation region is caused by laser irradiation. The risk of damage can be reduced. On the other hand, if the output of the laser irradiation device 134 is increased, the wafer sheet 16 can be efficiently heated by receiving the benefit of the strong output at the intersection of the laser beams 134a.

更に、電子部品Dの中心から周囲にレーザ照射領域が散るため、電子部品Dの縁側への伝熱距離が縮まり、電子部品全体を短時間で加熱することができる。従って、電子部品Dをウェハシート16から剥離させるためのレーザ照射時間が短縮し、電子部品Dの搬送速度が向上する。   Further, since the laser irradiation region is scattered from the center of the electronic component D to the periphery, the heat transfer distance to the edge side of the electronic component D is reduced, and the entire electronic component can be heated in a short time. Therefore, the laser irradiation time for peeling the electronic component D from the wafer sheet 16 is shortened, and the conveying speed of the electronic component D is improved.

尚、このレーザ照射装置134は、ウェハシート16内の一点Pで複数のレーザ光134aを交差させればよい。そのため、1つのレーザ射出ユニット135から出射した1本のレーザ光134aを複数のレーザ光134aに分割する構成に限らない。   The laser irradiation device 134 may cross the plurality of laser beams 134a at one point P in the wafer sheet 16. Therefore, the configuration is not limited to the configuration in which one laser beam 134a emitted from one laser emitting unit 135 is divided into a plurality of laser beams 134a.

即ち、図19に示すように、レーザ照射装置134は、2機等のように複数のレーザ射出ユニット135を備えるようにしてもよい。各レーザ射出ユニット135は、各レーザ射出ユニット135が出射した各レーザ光134aの光路がウェハシート16内の一点Pで交差するように光軸を向けて配置される。これによっても、電子部品Dへのレーザ光134aの照射領域は複数に分散するため、レーザ照射装置134の出力を上げても、照射領域のレーザ照射による損傷の虞を低減することができる。一方で、レーザ照射装置134の出力を上げれば、各レーザ光134aの交点では、その強い出力の恩恵を受け、ウェハシート16を効率よく加熱できる。また、電子部品Dの中心から周囲にレーザ照射領域が散るため、電子部品Dの縁側への伝熱距離が縮まり、電子部品全体を短時間で加熱することができる。   That is, as shown in FIG. 19, the laser irradiation device 134 may include a plurality of laser emission units 135 such as two machines. Each laser emission unit 135 is disposed with its optical axis oriented such that the optical path of each laser beam 134 a emitted from each laser emission unit 135 intersects at one point P in the wafer sheet 16. Also by this, the irradiation area of the laser beam 134a to the electronic component D is dispersed into a plurality, so even if the output of the laser irradiation device 134 is increased, the possibility of damage to the irradiation area due to laser irradiation can be reduced. On the other hand, if the output of the laser irradiation device 134 is increased, the wafer sheet 16 can be efficiently heated by receiving the benefit of the strong output at the intersection of the laser beams 134a. Further, since the laser irradiation region is scattered from the center of the electronic component D to the periphery, the heat transfer distance to the edge side of the electronic component D is reduced, and the entire electronic component can be heated in a short time.

(第5の実施形態)
本発明に係る電子部品搬送装置1の第5の実施形態について詳細に説明する。第1乃至第4の実施形態と同一構成及び同一機能については同一符号を付して詳細な説明を省略する。
(Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the electronic component transport apparatus 1 according to the present invention will be described in detail. The same configurations and functions as those in the first to fourth embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図20に示すように、ウェハリング固定装置13のリング保持部131は、2枚のドーナツ板131a及びガラス板131cで構成される。このガラス板131cは、平坦面を有し、厚さ1.1mm以上3mm以下程度が望ましく、化学強化ガラスや無アルカリガラス等である。エキスパンドリング131bを備えておらず、ドーナツ板131aの間にガラス板131cが挟み込まれている。ウェハシート16は、このガラス板131cのうち、レーザ照射装置1と向い合う面とは反対側の面に支持される。ウェハリング固定装置13が横置きの場合、ウェハシート16が支持される面はガラス板131cの上である。レーザ照射装置134は、このガラス板131cを透過する波長のレーザ光134aを射出する。   As shown in FIG. 20, the ring holding part 131 of the wafer ring fixing device 13 includes two donut plates 131a and a glass plate 131c. The glass plate 131c has a flat surface, and preferably has a thickness of about 1.1 mm to 3 mm, and is made of chemically tempered glass or alkali-free glass. The expansion ring 131b is not provided, and the glass plate 131c is sandwiched between the donut plates 131a. The wafer sheet 16 is supported on the surface of the glass plate 131c opposite to the surface facing the laser irradiation apparatus 1. When the wafer ring fixing device 13 is placed horizontally, the surface on which the wafer sheet 16 is supported is on the glass plate 131c. The laser irradiation device 134 emits laser light 134a having a wavelength that passes through the glass plate 131c.

尚、ガラス板131cは、着脱自在であり、ウェハリング側に備えてもよい。即ち、ガラス板131cが嵌め込まれたウェハリング又はガラス板131cが貼り付けられたウェハリングにウェハシート16を貼り付け、ドーナツ板131aの間に挿入するようにしてもよい。   The glass plate 131c is detachable and may be provided on the wafer ring side. In other words, the wafer sheet 16 may be attached to a wafer ring fitted with the glass plate 131c or a wafer ring attached with the glass plate 131c, and inserted between the donut plates 131a.

従来は、突き上げピンによりピックアップ予定の電子部品Dとその周辺の電子部品Dが盛り上がったウェハシート16に載り、電子部品Dが傾いて衝突するのを防ぐ必要があった。そのため、隣接する電子部品Dの境目であるダイシングストリートを広げるべく、エキスパンドリング131bが用いられていた。しかしながら、このレーザ照射装置1では、ピックアップ予定の電子部品Dの貼着領域のみを加熱し、この貼着領域のみを膨出させることができるため、エキスパンドリング131bを不要とできる。   Conventionally, the electronic component D to be picked up and the peripheral electronic component D are placed on the raised wafer sheet 16 by the push-up pins, and it is necessary to prevent the electronic component D from colliding with an inclination. For this reason, the expanding ring 131b has been used to widen the dicing street that is the boundary between the adjacent electronic components D. However, in this laser irradiation apparatus 1, since only the sticking area of the electronic component D to be picked up can be heated and only this sticking area can be expanded, the expanding ring 131b can be dispensed with.

また、このガラス板131cに沿ったウェハシート16は、平坦化されて沈み込みや撓みが解消されている。そのため、エキスパンドリング131bによりウェハシート16を引っ張る必要はない。そうすると、エキスパンドリング131bによりウェハシート16の各領域で生じていた不均一な張力が電子部品Dの向きや位置を動かしてしまうといった事態は起こらず、電子部品Dの精度の高いピックアップが可能となる。   Further, the wafer sheet 16 along the glass plate 131c is flattened to eliminate sinking and bending. Therefore, it is not necessary to pull the wafer sheet 16 by the expanding ring 131b. Then, a situation in which the uneven tension generated in each region of the wafer sheet 16 by the expanding ring 131b moves the direction and position of the electronic component D does not occur, and the electronic component D can be picked up with high accuracy. .

更に、ウェハシート16が加熱されてもガラス板131cに沿っているために、熱による変形や伸びが抑制され、またウェハシート16を熱伝導により冷却でき、この点でも電子部品Dの精度の高いピックアップが可能となる。   Further, even if the wafer sheet 16 is heated, it is along the glass plate 131c, so that deformation and elongation due to heat are suppressed, and the wafer sheet 16 can be cooled by heat conduction. In this respect, the electronic component D is highly accurate. Pickup becomes possible.

尚、シート支持プレート136についてもウェハシート16の平坦化機能を有する。シート支持プレート136にレーザ光134aを電子部品Dに応じて絞る機能を存続させる場合は、シート支持プレート136とガラス板131cを併用してもよい。一方、シート支持プレート136の目的をウェハシート16の平坦化機能のみとする場合には、シート支持プレート136を排除するようにしてもよい。   The sheet support plate 136 also has a flattening function for the wafer sheet 16. When the sheet support plate 136 has the function of narrowing the laser beam 134a according to the electronic component D, the sheet support plate 136 and the glass plate 131c may be used in combination. On the other hand, when the purpose of the sheet support plate 136 is only the flattening function of the wafer sheet 16, the sheet support plate 136 may be excluded.

(第6の実施形態)
本発明に係る電子部品搬送装置1の第6の実施形態について詳細に説明する。第5の実施形態と同一構成及び同一機能については同一符号を付して詳細な説明を省略する。
(Sixth embodiment)
A sixth embodiment of the electronic component transport apparatus 1 according to the present invention will be described in detail. The same configurations and functions as those of the fifth embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図21に示すように、リング保持部131は、2枚のドーナツ板131a及びガラス板131cで構成され、レーザ照射装置134は、レーザ射出ユニット135とガルバノスキャナ138を備えている。ガルバノスキャナ138は、1対のミラー138xと138yとを備えている。   As shown in FIG. 21, the ring holding unit 131 includes two donut plates 131 a and a glass plate 131 c, and the laser irradiation device 134 includes a laser emission unit 135 and a galvano scanner 138. The galvano scanner 138 includes a pair of mirrors 138x and 138y.

ミラー138xは、レーザ射出ユニット135が射出するレーザ光134aの光路上に介在し、レーザ光134aをX軸方向に揺動させる。ミラー138yは、ミラー138xが反射させたレーザ光134aの光路上に介在し、レーザ光134aをY軸方向に揺動させる。X軸方向は、電子部品Dが載る平面上の1軸方向であり、Y軸方向は、電子部品Dが載る平面上でX軸と直交する軸方向である。   The mirror 138x is interposed on the optical path of the laser beam 134a emitted from the laser emitting unit 135, and swings the laser beam 134a in the X-axis direction. The mirror 138y is interposed on the optical path of the laser beam 134a reflected by the mirror 138x, and swings the laser beam 134a in the Y-axis direction. The X-axis direction is a uniaxial direction on the plane on which the electronic component D is placed, and the Y-axis direction is an axial direction orthogonal to the X-axis on the plane on which the electronic component D is placed.

ミラー138xは、モータ138aの回転軸に固定されており、反射面が回転軸と平行であり、X軸と平行である。ミラー138yはモータ138bの回転軸に固定されており、反射面が回転軸と平行であり、Y軸と平行である。モータ138a及び138bが駆動することで、ミラー138x及び138yが揺動し、レーザ光134aもX軸方向及びY軸方向に揺動する。   The mirror 138x is fixed to the rotation axis of the motor 138a, and the reflection surface is parallel to the rotation axis and parallel to the X axis. The mirror 138y is fixed to the rotation axis of the motor 138b, and the reflection surface is parallel to the rotation axis and parallel to the Y axis. When the motors 138a and 138b are driven, the mirrors 138x and 138y are swung, and the laser beam 134a is also swung in the X-axis direction and the Y-axis direction.

レーザ光134aの揺動範囲は、レーザ光134aが電子部品Dに達したとき、電子部品Dに収まる範囲である。レーザ照射装置134は、電子部品Dをレーザ134aでスキャンする。尚、レーザ光134aの径は、レーザ134aのスキャンによっても電子部品Dからはみ出ることがないように十分に小さい。   The oscillation range of the laser beam 134a is a range that can be accommodated in the electronic component D when the laser beam 134a reaches the electronic component D. The laser irradiation device 134 scans the electronic component D with the laser 134a. The diameter of the laser beam 134a is sufficiently small so as not to protrude from the electronic component D even when the laser 134a is scanned.

このレーザ照射装置134によるレーザ光134aの照射によれば、電子部品Dへのレーザ光134aの照射領域は分散する。従って、各照射領域に付与されるレーザエネルギーも分散し、レーザ照射装置134の出力を上げても、照射領域のレーザ照射による損傷の虞を低減することができる。一方で、ウェハシート16も加熱する場合、ウェハシート16内の1点ではなく、ウェハシート16のうちの、電子部品Dの貼着領域全体にレーザ光134aを照射できるため、電子部品Dの貼着領域全体が貼着力を喪失し、電子部品Dを剥離させることができる。   When the laser beam 134a is irradiated by the laser irradiation device 134, the irradiation region of the laser beam 134a on the electronic component D is dispersed. Therefore, even if the laser energy applied to each irradiation region is dispersed and the output of the laser irradiation device 134 is increased, the possibility of damage to the irradiation region due to laser irradiation can be reduced. On the other hand, when the wafer sheet 16 is also heated, the laser beam 134a can be irradiated to the entire attachment region of the electronic component D in the wafer sheet 16 instead of one point in the wafer sheet 16, so that the electronic component D is attached. The entire attachment region loses the adhesion force, and the electronic component D can be peeled off.

(第7の実施形態)
本発明に係る電子部品搬送装置1の第7の実施形態について詳細に説明する。第1乃至6の実施形態と同一構成及び同一機能については同一符号を付して詳細な説明を省略する。
(Seventh embodiment)
A seventh embodiment of the electronic component transport apparatus 1 according to the present invention will be described in detail. The same configurations and functions as those of the first to sixth embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図22に示すように、ウェハシート16から電子部品Dをピックアップする吸着ノズル143は、電子部品Dの剥離前、即ちレーザ光134aの照射前又は照射中に、電子部品Dと当接するまで進出し、シート支持プレート136と共に電子部品Dを挟持する。尚、吸着ノズル143が電子部品Dにかける荷重は小さい方がよく、少なくとも発泡フィラー164の膨張による電子部品Dの浮き上がりを許容できる程度がよい。   As shown in FIG. 22, the suction nozzle 143 that picks up the electronic component D from the wafer sheet 16 advances until it comes into contact with the electronic component D before the electronic component D is peeled off, that is, before or during irradiation with the laser beam 134a. The electronic component D is sandwiched together with the sheet support plate 136. It should be noted that the load applied to the electronic component D by the suction nozzle 143 is preferably small, and at least the degree to which the electronic component D can be lifted by the expansion of the foam filler 164 is good.

ウェハリング固定装置13が縦置きされた場合、また、電子部品Dを地面側に向けてウェハシート16を保持するようにウェハリング固定装置13が逆さまに配置された場合、ピックアップ予定の電子部品Dの貼着領域が貼着力を失うと、電子部品Dがウェハシート16から脱落し易い。そのため、レーザ光134aを照射する前又は照射途中に吸着ノズル123を予め進出させ、吸着ノズル123とシート支持プレート136で挟持する構成が特に有用であり、これにより、貼着力が失われた電子部品Dが落下してピックアップミスが生じることを防止できる。   When the wafer ring fixing device 13 is placed vertically, or when the wafer ring fixing device 13 is placed upside down so as to hold the wafer sheet 16 with the electronic component D facing the ground side, the electronic component D to be picked up If the pasting area of the past loses the pasting force, the electronic component D tends to fall off the wafer sheet 16. For this reason, a configuration in which the suction nozzle 123 is advanced in advance before or during irradiation with the laser beam 134a and is sandwiched between the suction nozzle 123 and the sheet support plate 136 is particularly useful. It is possible to prevent D from falling and causing a pickup error.

また、耐熱性及び高熱伝導性を有するノズル先端は、レーザ光134aにより加熱されている電子部品Dから過剰な熱を吸熱し、電子部品Dの過剰な温度上昇を阻止する。即ち、電子部品Dをウェハシート16の貼着力が喪失する温度以上、耐熱温度未満に安定させる。そのため、レーザ光134aの射出中に電子部品Dに当接した吸着ノズル143は、電子部品Dの熱劣化を抑制する。   Further, the nozzle tip having heat resistance and high thermal conductivity absorbs excessive heat from the electronic component D heated by the laser beam 134a and prevents an excessive temperature rise of the electronic component D. That is, the electronic component D is stabilized at a temperature higher than the temperature at which the adhesion of the wafer sheet 16 is lost and lower than the heat resistant temperature. Therefore, the suction nozzle 143 that is in contact with the electronic component D during the emission of the laser beam 134a suppresses thermal deterioration of the electronic component D.

また、この吸着ノズル143は、電子部品Dの過剰な温度上昇を規制する温度上昇規制手段ともなるため、レーザ光134aの出力を上げることができる。そのため、電子部品Dを素早く加熱して素早く剥離でき、電子部品Dの剥離がボトルネックとならずに電子部品Dの搬送速度を向上させることができる。   Further, the suction nozzle 143 also serves as a temperature rise restricting means for restricting an excessive temperature rise of the electronic component D, so that the output of the laser beam 134a can be increased. Therefore, the electronic component D can be quickly heated and peeled quickly, and the peeling of the electronic component D does not become a bottleneck, and the conveyance speed of the electronic component D can be improved.

(他の実施形態)
以上のように本発明の各実施形態を説明したが、レーザ光134aを電子部品Dに照射できればよく、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。そして、これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
(Other embodiments)
As described above, the embodiments of the present invention have been described. However, it is only necessary to irradiate the electronic component D with the laser beam 134a, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

例えば、本実施形態では、円環状の搬送経路1aを例に挙げたが、電子部品Dの搬送機構としては、直線搬送方式であってもよく、また複数のターレットテーブル121で一の搬送経路1aを構成するようにしてもよい。また、各種の処理ユニット11は、上記した種類に限られず、置き換え、数の変更、及び配置順序の変更も可能である。   For example, in the present embodiment, the annular transport path 1a is taken as an example. However, the transport mechanism for the electronic component D may be a linear transport system, and one transport path 1a with a plurality of turret tables 121. You may make it comprise. Further, the various processing units 11 are not limited to the types described above, and replacement, number change, and arrangement order can be changed.

ウェハリング固定装置13は、電子部品Dを天井側に向けたウェハシート16を搬送経路1aと水平に沿わせて保持するように横置きにされてもよい。この場合、ウェハリング固定装置13は、中継ユニット14の直下に配置され、中継ユニット14の真下を向いた吸着ノズル143が電子部品Dをピックアップする。また、ウェハリングホルダ固定装置13は、電子部品Dを地面側に向けたウェハシート16を搬送経路1aと水平に沿わせて保持するように逆さまにされてもよい。   The wafer ring fixing device 13 may be placed horizontally so as to hold the wafer sheet 16 with the electronic component D facing the ceiling side along the conveyance path 1a. In this case, the wafer ring fixing device 13 is disposed immediately below the relay unit 14, and the suction nozzle 143 facing directly below the relay unit 14 picks up the electronic component D. Further, the wafer ring holder fixing device 13 may be turned upside down so as to hold the wafer sheet 16 with the electronic component D facing the ground side along the transport path 1a.

ウェハリング固定装置13が縦置きされた場合、また、電子部品Dを地面側に向けてウェハシート16を保持するようにウェハリング固定装置13が逆さまに配置された場合、ピックアップ予定でない電子部品Dの貼着領域が貼着力を失うと、電子部品Dがウェハシート16から脱落し易い。そのため、シート支持プレート136を離す構成、吸引口136b等のシート支持プレート136の冷却手段、及びレーザ光134aを吸収し難いシート支持プレート136の素材選択、又はシート支持プレート136の中央プレート136cと環状プレート136dへの分割等のピックアップ予定でない電子部品Dの貼着領域に熱を伝えない構成が特に有用である。   When the wafer ring fixing device 13 is placed vertically, or when the wafer ring fixing device 13 is placed upside down so as to hold the wafer sheet 16 with the electronic component D facing the ground, the electronic component D that is not scheduled to be picked up If the pasting area of the past loses the pasting force, the electronic component D tends to fall off the wafer sheet 16. Therefore, the structure for separating the sheet support plate 136, the cooling means for the sheet support plate 136 such as the suction port 136b, and the material selection for the sheet support plate 136 that does not easily absorb the laser beam 134a, or the center plate 136c of the sheet support plate 136 are annular. A configuration that does not transmit heat to the attachment region of the electronic component D that is not scheduled to be picked up, such as division into the plate 136d, is particularly useful.

一方、ウェハリング固定装置13が横置きされた場合、ウェハシート13が撓んで沈み込み易く、シート支持プレート136でウェハシート16を張り上げて支持する構成及び吸引口136bでウェハシート16を吸い付ける構成等のウェハシート16を平坦化する構成が特に有用である。   On the other hand, when the wafer ring fixing device 13 is placed horizontally, the wafer sheet 13 is easily bent and sinks, and a configuration in which the wafer sheet 16 is lifted and supported by the sheet support plate 136 and a configuration in which the wafer sheet 16 is sucked by the suction port 136b. A configuration in which the wafer sheet 16 is flattened is particularly useful.

ウェハリング固定装置13を搬送経路1aに近づけ、ハンドラ12の吸着ノズル123でウェハリング固定装置13の電子部品Dをピックアップ可能であれば、中継ユニット14を排除することができる。中継ユニット14を排除する場合、ハンドラ12の吸着ノズル123のノズル先端は、例えばステンレス製であり、耐熱性及び高熱伝導性を有するようにすればよい。   If the wafer ring fixing device 13 is brought close to the transport path 1a and the electronic component D of the wafer ring fixing device 13 can be picked up by the suction nozzle 123 of the handler 12, the relay unit 14 can be eliminated. When the relay unit 14 is excluded, the nozzle tip of the suction nozzle 123 of the handler 12 may be made of, for example, stainless steel and have heat resistance and high thermal conductivity.

また、レーザ径が可変であれば、レーザ照射孔136aをレーザ径よりも小さくする必要はなく、また電子部品Dに合わせたレーザ照射孔136aを形成した各種シート支持プレート136を用意し、レーザ照射装置134に着脱自在とする必要もない。   Further, if the laser diameter is variable, it is not necessary to make the laser irradiation hole 136a smaller than the laser diameter, and various sheet support plates 136 in which the laser irradiation holes 136a corresponding to the electronic component D are formed are prepared and laser irradiation is performed. There is no need to make the device 134 detachable.

また、このレーザ照射装置134では、レーザ光134a、レーザ照射孔136a、及び中継ユニット14が備える真横位置の吸着ノズル143が同軸なればよい。レーザ射出ユニット135は、光源部と光ファイバ等の導光部とから成るようにしてもよく、導光部の射出口とレーザ照射孔136aと吸着ノズル143が同軸となればよい。即ち、軸合わせフレーム134は、少なくともレーザ照射孔136aとレーザ照射ユニット135の射出口とを同軸とすればよい。   Further, in this laser irradiation device 134, the laser beam 134a, the laser irradiation hole 136a, and the suction nozzle 143 in the lateral position provided in the relay unit 14 may be coaxial. The laser emission unit 135 may be composed of a light source part and a light guide part such as an optical fiber, and the light emission part emission port, the laser irradiation hole 136a, and the suction nozzle 143 may be coaxial. That is, the axis alignment frame 134 may be configured such that at least the laser irradiation hole 136a and the emission port of the laser irradiation unit 135 are coaxial.

更に、図23に示すように、ウェハシート16には粘着層162にレーザを吸収し易い金属粉末165を混入させてもよい。金属粉末165でレーザエネルギーが吸収されて、ウェハシート16が効率よく加熱される。   Further, as shown in FIG. 23, the wafer sheet 16 may be mixed with a metal powder 165 that easily absorbs laser in the adhesive layer 162. The laser energy is absorbed by the metal powder 165, and the wafer sheet 16 is efficiently heated.

1 電子部品搬送装置
1a 搬送経路
1b 停止ポジション
11 処理ユニット
12 ハンドラ
121 ターレットテーブル
122 ダイレクトドライブモータ
123 吸着ノズル
124 進退駆動装置
13 ウェハリング固定装置
131 リング保持部
131a ドーナツ板
131b エキスパンドリング
132 隙間部
133 リング移動機構
133a 支持板
133b レール
133c レール
134 レーザ照射装置
134a レーザ
134b 外周側リング状領域
135 レーザ射出ユニット
135a ビームスプリッタ
135b ミラー
136 シート支持プレート
136a レーザ照射孔
136b 吸引口
136c 中央プレート
136d 環状プレート
136e 結合部
136f 溝
136g 樹脂
137 軸合わせフレーム
137a 内殻筒
137b 外殻筒
137c ラック
137d 長溝孔
137e リードスクリュー
137f ステッピングモータ
138 ガルバノスキャン
138a モータ
138b モータ
138x ミラー
138y ミラー
14 中継ユニット
141 ロータ
142 サーボモータ
143 吸着ノズル
145 進退駆動装置
15 収容ユニット
16 ウェハシート
161 基材
162 粘着層
163 接着剤
164 発泡フィラー
165 金属粉末
D 電子部品
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electronic component conveyance apparatus 1a Conveyance path | route 1b Stop position 11 Processing unit 12 Handler 121 Turret table 122 Direct drive motor 123 Adsorption nozzle 124 Advance / retreat drive apparatus 13 Wafer ring fixing apparatus 131 Ring holding part 131a Donut board 131b Expand ring 132 Gap part 133 Ring Moving mechanism 133a Support plate 133b Rail 133c Rail 134 Laser irradiation device 134a Laser 134b Outer ring side region 135 Laser emission unit 135a Beam splitter 135b Mirror 136 Sheet support plate 136a Laser irradiation hole 136b Suction port 136c Central plate 136d Annular plate 136e Joint part 136f Groove 136g Resin 137 Axis alignment frame 137a Inner shell cylinder 137b Outer shell cylinder 137c 137d Long slot 137e Lead screw 137f Stepping motor 138 Galvano scan 138a Motor 138b Motor 138x Mirror 138y Mirror 14 Relay unit 141 Rotor 142 Servo motor 143 Adsorption nozzle 145 Advance / retreat drive device 15 Housing unit 16 Wafer sheet 161 Base material 162 Adhesive layer 163 Adhesive 164 Foam filler 165 Metal powder D Electronic component

Claims (23)

前記電子部品を加熱剥離型粘着シートの片面に貼着して成るウェハシートから電子部品を剥離させるレーザ照射装置であって、
前記電子部品に向けた光軸を有し、前記ウェハシートのうちの前記電子部品が貼着された面とは反対面に向けてレーザ光を射出するレーザ射出部を備え、
前記レーザ射出部は、前記ウェハシートを所定透過率で透過し、前記電子部品に到達する波長のレーザ光を射出し、
前記ウェハシートを透過した前記レーザ光が前記電子部品に照射され、当該レーザ光で前記電子部品が加熱され、前記電子部品の熱が前記ウェハシートのうちの熱せられた前記電子部品の貼着領域全体へ伝わり、前記電子部品を介して当該貼着領域が加熱され、前記電子部品が前記ウェハシートから剥離すること、
を特徴とするレーザ照射装置。
A laser irradiation device for peeling an electronic component from a wafer sheet formed by adhering the electronic component to one side of a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet,
An optical axis directed to the electronic component; and a laser emitting unit that emits laser light toward a surface opposite to the surface of the wafer sheet to which the electronic component is attached,
The laser emitting unit emits laser light having a wavelength that passes through the wafer sheet at a predetermined transmittance and reaches the electronic component,
The electronic component is irradiated with the laser light transmitted through the wafer sheet, the electronic component is heated by the laser light, and the heat of the electronic component is heated in the wafer sheet. Transmitted to the whole, the adhesion region is heated through the electronic component, the electronic component is peeled from the wafer sheet,
The laser irradiation apparatus characterized by this.
前記レーザ射出部は、前記ウェハシートを50%以上100%以下の透過率で透過する波長のレーザ光を射出すること、
を特徴とする請求項1記載のレーザ照射装置。
The laser emitting unit emits laser light having a wavelength that transmits the wafer sheet at a transmittance of 50% or more and 100% or less;
The laser irradiation apparatus according to claim 1.
平坦面を前記ウェハシートに向けて有し、前記ウェハシートのうち、少なくとも、レーザ光を照射する前記電子部品の貼着領域を平坦に支持するプレートと、
前記レーザ射出部と前記プレートとを支持する軸合わせフレームと、
を更に備え、
前記プレートは、前記軸合わせフレームに対して着脱自在であり、前記レーザ光の光軸と同軸、前記レーザ光の径よりも小径、及び対応の前記電子部品の大きさに応じた孔径のレーザ照射孔を有し、前記レーザ射出部が射出するレーザ光の一部を前記ウェハシートと前記電子部品に向けて出射させること、
を特徴とする請求項1又は2記載のレーザ照射装置。
A plate that has a flat surface facing the wafer sheet, and at least a plate that supports at least a bonding region of the electronic component that emits laser light among the wafer sheet;
An axis alignment frame that supports the laser emitting portion and the plate;
Further comprising
The plate is attachable to and detachable from the axis alignment frame, is coaxial with the optical axis of the laser beam, has a diameter smaller than the diameter of the laser beam, and has a hole diameter corresponding to the size of the corresponding electronic component. Having a hole and emitting a part of the laser light emitted by the laser emitting unit toward the wafer sheet and the electronic component;
The laser irradiation apparatus according to claim 1 or 2.
前記プレートは、レーザエネルギーを吸収し難い素材で成ること、
を特徴とする請求項3記載のレーザ照射装置。
The plate is made of a material that hardly absorbs laser energy;
The laser irradiation apparatus according to claim 3.
前記プレートは、金、銀、銅、これらの合金、又はこれらの金属化合物を含んで成ること、
を特徴とする請求項4記載のレーザ照射装置。
The plate comprises gold, silver, copper, alloys thereof, or metal compounds thereof;
The laser irradiation apparatus according to claim 4.
前記プレートは、レーザエネルギーを吸収し易く高熱伝導性の素材で成ること、
を特徴とする請求項3記載のレーザ照射装置。
The plate is made of a material with high thermal conductivity that is easy to absorb laser energy;
The laser irradiation apparatus according to claim 3.
前記プレートは、シリコン、鉄、アルミ、スズ、これらの合金、又はこれらの金属化合物を含んで成ること、
を特徴とする請求項6記載のレーザ照射装置。
The plate comprises silicon, iron, aluminum, tin, alloys thereof, or metal compounds thereof;
The laser irradiation apparatus according to claim 6.
前記ウェハシートは、シート平面に沿って平行移動し、電子部品を前記レーザ射出部の光軸上に順番に位置させ、
前記軸合わせフレームは、伸縮自在であり、前記ウェハシートの移動中、前記プレートが前記ウェハシートから離れるまで縮小すること、
を特徴とする請求項3乃至7の何れかに記載のレーザ照射装置。
The wafer sheet is translated along a sheet plane, and electronic components are sequentially positioned on the optical axis of the laser emitting unit,
The axis alignment frame is extendable and contracted during movement of the wafer sheet until the plate is separated from the wafer sheet;
The laser irradiation apparatus according to any one of claims 3 to 7.
前記プレートは、
前記レーザ射出部の光軸上に位置する剥離予定の電子部品と当該電子部品の周囲の電子部品を包含する大きさを有し、
前記剥離予定の電子部品のみを包含する中央プレートと、
前記中央プレートの周囲を覆う環状プレートと、
前記中央プレートと前記環状プレートとの間を断絶する溝と、
を備えること、
を特徴とする請求項3乃至8の何れかに記載のレーザ照射装置。
The plate is
The size including the electronic component to be peeled and the electronic component around the electronic component located on the optical axis of the laser emitting portion,
A central plate containing only the electronic components to be peeled;
An annular plate covering the periphery of the central plate;
A groove for breaking between the central plate and the annular plate;
Providing
The laser irradiation apparatus according to claim 3, wherein:
前記プレートは、前記溝に充填される断熱材を更に備えること、
を特徴とする請求項9記載のレーザ照射装置。
The plate further comprises a heat insulating material filling the groove;
The laser irradiation apparatus according to claim 9.
前記プレートを冷却する冷却手段を更に備えること、
を特徴とする請求項3乃至10の何れかに記載のレーザ照射装置。
Further comprising cooling means for cooling the plate;
The laser irradiation apparatus according to claim 3, wherein:
前記冷却手段は、前記プレートに貫設され、前記ウェハシートを吸引する吸引口であること、
を特徴とする請求項11記載のレーザ照射装置。
The cooling means is a suction port penetrating the plate and sucking the wafer sheet;
The laser irradiation apparatus according to claim 11.
前記吸引口は、レーザ光を照射する前記電子部品の周囲に並ぶ他の電子部品の下方に貫設されること、
を特徴とする請求項12記載のレーザ照射装置。
The suction port is provided below the other electronic components arranged around the electronic component that emits laser light;
The laser irradiation apparatus according to claim 12.
前記レーザ射出部は、複数のレーザ光を前記ウェハシート内で交差させること、
を特徴とする請求項1乃至13の何れかに記載のレーザ照射装置。
The laser emitting section intersecting a plurality of laser beams in the wafer sheet;
The laser irradiation apparatus according to claim 1, wherein:
前記レーザ射出部の光軸上に配され、レーザ光を分割するビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタで分割された各レーザ光が、前記ウェハシート内で交差するように、当該各レーザ光を反射させるミラーと、
を更に備えること、
を特徴とする請求項14記載のレーザ照射装置。
A beam splitter arranged on the optical axis of the laser emitting portion and for dividing the laser light;
A mirror that reflects each laser beam so that each laser beam divided by the beam splitter intersects in the wafer sheet;
Further comprising,
The laser irradiation apparatus according to claim 14.
前記ウェハシート内の一点に対して複数の方向からレーザ光を出射する複数の前記レーザ射出部を備えること、
を特徴とする請求項14記載のレーザ照射装置。
Comprising a plurality of the laser emitting portions for emitting laser light from a plurality of directions with respect to one point in the wafer sheet;
The laser irradiation apparatus according to claim 14.
前記請求項1乃至16の何れかに記載のレーザ照射装置と、
前記ウェハシートが張られたリングを保持するリング保持部と、
前記リング保持部を前記ウェハシートのシート平面に沿って平行移動させ、電子部品を前記レーザ射出部の光軸上に順番に位置させるリング移動手段と、
を備えること、
を特徴とするウェハリング固定装置。
The laser irradiation apparatus according to any one of claims 1 to 16,
A ring holding portion for holding a ring on which the wafer sheet is stretched;
Ring moving means for translating the ring holding portion along the sheet plane of the wafer sheet and sequentially positioning electronic components on the optical axis of the laser emitting portion;
Providing
A wafer ring fixing device.
前記リング保持部は、前記レーザ射出部の光軸を横断して延設されたガラス板を有し、前記ウェハシートを前記ガラス板に沿わせて保持し、
前記レーザ射出部は、前記ガラス板を透過し、前記ウェハシートを透過し、前記電子部品に到達するレーザ光を射出すること、
を特徴とする請求項17記載のウェハリング固定装置。
The ring holding portion has a glass plate extending across the optical axis of the laser emitting portion, and holds the wafer sheet along the glass plate,
The laser emitting unit is configured to emit laser light that passes through the glass plate, passes through the wafer sheet, and reaches the electronic component;
The wafer ring fixing device according to claim 17.
前記レーザ射出部は、レーザ光を2次元方向に揺動させるガルバノスキャナを有し、前記電子部品全体をレーザ光でスキャンすること、
を特徴とする請求項18記載のウェハリング固定装置。
The laser emitting unit includes a galvano scanner that swings laser light in a two-dimensional direction, and scans the entire electronic component with laser light;
The wafer ring fixing device according to claim 18.
請求項17乃至19の何れかに記載のウェハリング固定装置と、
前記ウェハリング固定装置から電子部品を受け取って保持する保持部と、
前記保持部が受け取った電子部品を搬送する搬送経路と、
前記搬送経路上に配置され、前記搬送経路を巡った電子部品を収容する収容体を保持する収容ユニットと、
を備え、
前記保持部は、前記電子部品と当接する先端が耐熱性及び高熱伝導性部材で成ること、
を特徴とする電子部品搬送装置。
A wafer ring fixing device according to any one of claims 17 to 19,
A holding unit for receiving and holding an electronic component from the wafer ring fixing device;
A transport path for transporting the electronic component received by the holding unit;
An accommodation unit that is disposed on the conveyance path and holds a container that accommodates electronic components that travel around the conveyance path;
With
The holding part is made of a heat-resistant and highly heat-conductive member at the tip that comes into contact with the electronic component,
An electronic component conveying device characterized by the above.
請求項17乃至19の何れかに記載のウェハリング固定装置と、
前記ウェハリング固定装置から電子部品を受け取って保持する保持部と、
前記保持部が受け取った電子部品を搬送する搬送経路と、
前記搬送経路上に配置され、前記搬送経路を巡った電子部品を収容する収容体を保持する収容ユニットと、
を備え、
前記保持部は、前記レーザ射出部によって前記レーザ光が前記電子部品に照射される前又は照射途中から、前記電子部品に当接すること、
を特徴とする電子部品搬送装置。
A wafer ring fixing device according to any one of claims 17 to 19,
A holding unit for receiving and holding an electronic component from the wafer ring fixing device;
A transport path for transporting the electronic component received by the holding unit;
An accommodation unit that is disposed on the conveyance path and holds a container that accommodates electronic components that travel around the conveyance path;
With
The holding unit abuts on the electronic component before or during irradiation of the electronic component with the laser beam by the laser emitting unit,
An electronic component conveying device characterized by the above.
前記保持部は、前記電子部品と当接する先端が耐熱性及び高熱伝導性部材で成ること、
を特徴とする請求項21記載の電子部品搬送装置。
The holding part is made of a heat-resistant and highly heat-conductive member at the tip that comes into contact with the electronic component,
The electronic component carrying device according to claim 21.
前記搬送経路内の前記ウェハリング固定装置と前記収容ユニットとの間に配置され、前記搬送経路を巡る電子部品を処理する処理ユニットを更に備えること、
を特徴とする請求項20乃至22の何れかに記載の電子部品搬送装置。
Further comprising a processing unit disposed between the wafer ring fixing device and the housing unit in the transport path and processing electronic components that travel around the transport path;
The electronic component carrying apparatus according to any one of claims 20 to 22.
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