JP2018093102A - アイソレーションアンプ - Google Patents

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Abstract

【課題】増幅器を用いずに、入力信号と出力信号のリニアリティを改善する。【解決手段】電流Iinは、電流I1と電流I2に分かれる。電流I1が発光ダイオードD1を流れると、発光ダイオードD1が発光し、フォトトランジスタQ1の電流路が導通する。このとき、発光ダイオードD2に電流Ioutが流れ、発光ダイオードD2が発光する。発光ダイオードD2が発光すると、フォトトランジスタQ2の電流路が導通し、電流I2が流れる。例えば、電流Ioutが過度に大きいとき、発光ダイオードD2の発光強度も過度に大きい。このとき、フォトトランジスタQ2に大きな電流I2が流れる。このため、発光ダイオードD1に流れる電流I1が減少する。これにより、発光ダイオードD1の発光強度が小さくなるため、電流Ioutは減少する。このように、フォトカプラP2が負帰還回路として機能するため、電流Iinと電流Ioutのリニアリティが向上する。【選択図】図1

Description

本発明は、入力端と出力端が電気的に絶縁されたアイソレーションアンプに関する。
フォトカプラは、入力端と出力端が電気的に絶縁されているにも関わらず、入力端と出力端の間で信号を伝達することができる。しかし、フォトカプラは通常入力信号と出力信号が比例の関係になく、例えば入力信号が直線的に変化する場合であっても出力信号は直線的に変化しない。これは、フォトカプラをスイッチング素子として用いる場合には問題とならない。しかし、フォトカプラ単独では、入力信号と出力信号の高いリニアリティが要求される用途に用いることができない。
そこで、特許文献1は、2つのフォトカプラと負帰還増幅器とを用いて入力信号と出力信号のリニアリティを改善した絶縁増幅器(アイソレーションアンプ)を開示する。この絶縁増幅器において、第1のフォトカプラは、入力端子から入力される入力電流に応じた電流を出力する。第2のフォトカプラは、出力端子から出力される出力電流に応じた電流を出力する。負帰還増幅器は、第1のフォトカプラの出力電流に応じた電圧が正入力端に入力され、第2のフォトカプラの出力電流に応じた電圧が負入力端に入力され、それらの電圧が等しくなるような出力電流を出力端から出力する。負帰還増幅器の出力端は出力端子に接続されており、負帰還増幅器の出力端から出力される出力電流が出力端子から出力される。2つのフォトカプラの特性が相似であれば、この絶縁増幅器の入力電流と出力電流は比例関係となる。
特開昭49−9955号公報
特許文献1に記載の絶縁増幅器は、増幅器を含んでいる。
本発明の目的は、増幅器を用いることなく、入力信号と出力信号のリニアリティを改善することができるアイソレーションアンプを提供することである。
上記目的を達成するために、本発明のアイソレーションアンプは、
流れる電流に応じて発光する発光素子と、当該発光素子から生じる光の強度に応じた大きさの電流を流す受光素子とを含む第1および第2の光結合素子を有し、
前記第1の光結合素子に含まれる発光素子と、前記第2の光結合素子に含まれる受光素子とが並列に接続されており、
前記第1の光結合素子に含まれる受光素子と、前記第2の光結合素子に含まれる発光素子とが直列に接続されており、
前記並列に接続された発光素子と受光素子から成る回路に電流が入力されるとき、前記直列に接続された発光素子と受光素子から成る回路に流れる電流または当該電流に応じた電圧を出力する、
ことを特徴とする。
本発明によれば、増幅器を用いることなく、入力信号と出力信号のリニアリティを改善することができる。
本発明の実施形態に係るアイソレーションアンプの構成の一例を示す図である。 図1のアイソレーションアンプの変形例であるアイソレーションアンプの構成を示す図である。
以下、本発明の実施形態に係るアイソレーションアンプについて図面を参照しながら詳細に説明する。なお、実施形態を説明する図1と図2において、共通の構成要素には同一の符号を付し、繰り返しの説明を省略する。
図1は、本発明の実施形態に係るアイソレーションアンプ1の構成の一例を示す。
アイソレーションアンプ1は、第1の光結合素子であるフォトカプラP1と、第2の光結合素子であるフォトカプラP2と、抵抗R1と、抵抗R2とを有する。
フォトカプラP1は、発光素子である発光ダイオードD1と、受光素子であるフォトトランジスタQ1とを含む。同様に、フォトカプラP2は、発光素子である発光ダイオードD2と、受光素子であるフォトトランジスタQ2とを含む。フォトカプラP1とフォトカプラP2の特性は同一が望ましいが、相似でもよい。ただし、相似の場合は増幅器が必要となる。
入力端子Vinは、抵抗R1の一端に接続されている。
抵抗R1は、一端が入力端子Vinに接続されており、他端が発光ダイオードD1のアノードとフォトトランジスタQ2のコレクタに接続されている。
発光ダイオードD1は、アノードが抵抗R1の他端に接続されており、カソードが接地されている。フォトトランジスタQ2は、コレクタが抵抗R1の他端に接続されており、エミッタが接地されている。すなわち、発光ダイオードD1とフォトトランジスタQ2は、並列に接続されている。
発光ダイオードD2は、アノードに電源電圧Vccが印加され、カソードがフォトトランジスタQ1のコレクタに接続されている。フォトトランジスタQ1は、コレクタが発光ダイオードD2のカソードに接続されており、エミッタが抵抗D2の一端に接続されている。すなわち、発光ダイオードD2とフォトトランジスタQ1は、直列に接続されている。
抵抗R2は、一端がフォトトランジスタQ1のエミッタに接続されており、他端が接地されている。
出力端子Voutは、フォトトランジスタQ1のエミッタと抵抗R2の一端との接続部分に接続されている。
次に、アイソレーションアンプ1の動作について説明する。
入力端子Vinに電圧が印加されると、電流Iinが、抵抗R1を介して、発光ダイオードD1とフォトトランジスタQ2が並列に接続された回路に流れる。
電流Iinは、電流I1と電流I2に分かれる。電流I1は発光ダイオードD1を流れる。電流I1が発光ダイオードD1を流れると、発光ダイオードD1が発光し、フォトトランジスタQ1の電流路が導通する。このとき、発光ダイオードD2とフォトトランジスタQ1が直列に接続された回路に電流Ioutが流れる。電流Ioutが流れると、抵抗R2に電圧が生じ、その電圧が出力端子Voutから出力される。また、電流Ioutが流れると、発光ダイオードD2が発光してフォトトランジスタQ2の電流路が導通し、電流I2が流れる。
フォトカプラP2は負帰還回路として機能する。
電流Ioutが過度に大きいとき、発光ダイオードD2の発光強度も過度に大きい。このとき、フォトトランジスタQ2に大きな電流I2が流れる。このため、発光ダイオードD1に流れる電流I1が減少する。これにより、発光ダイオードD1の発光強度が小さくなるため、電流Ioutは減少する。
逆に、電流Ioutが過度に小さいとき、発光ダイオードD2の発光強度も過度に小さい。このとき、フォトトランジスタQ2に小さな電流I2が流れる。このため、発光ダイオードD1に流れる電流I1が増加する。これにより、発光ダイオードD1の発光強度が大きくなるため、電流Ioutは増加する。
このように、フォトカプラP2が負帰還回路として機能するため、入力端子Vinに印加される電圧と出力端子Voutから出力される電圧(電流Iinと電流Iout)とのリニアリティが向上する。
図2は、図1のアイソレーションアンプ1の変形例であるアイソレーションアンプ2の構成を示す。
アイソレーションアンプ2は、直列に接続されている発光ダイオードD2とフォトトランジスタQ1の接続順が逆である点がアイソレーションアンプ1と異なる。すなわち、フォトトランジスタQ1は、コレクタに電源電圧Vccが印加され、エミッタが発光ダイオードD2のアノードに接続されている。発光ダイオードD2は、アノードがフォトトランジスタQ1のエミッタに接続されており、カソードが抵抗R2の一端と出力端子Voutに接続されている。
これ以外の点および動作は、アイソレーションアンプ2とアイソレーションアンプ1とで同一である。
なお、上述した実施形態では、光結合素子の一例として発光ダイオードとフォトトランジスタを含むフォトカプラを示したが、これに限らず、流れる電流に応じて発光する発光素子と、その発光素子から生じる光の強度に応じた大きさの電流を流す受光素子とを含む光結合素子であれば、本発明に係る光結合素子として使用することができる。
また、上述した実施形態では、入力端子Vinに電圧が印加され、抵抗R1を介して電流Iinが流れる構成の例を示したが、抵抗R1がなく、外部の電流源から入力端子に電流Iinが入力される構成としてもよい。
また、上述した実施形態では、電流Ioutが抵抗R2を流れると、抵抗R2に電圧が生じ、その電圧が出力端子Voutから出力される構成の例を示したが、抵抗R2がなく、出力端子から外部の負荷に対して電流Ioutが出力される構成としてもよい。
以上説明したように、本発明によれば、増幅器を用いることなく、入力信号と出力信号のリニアリティを改善することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、製造上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、請求項に記載されている発明や発明の実施形態に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれる。
1,2…アイソレーションアンプ、P1…フォトカプラ、D1…フォトカプラP1の発光ダイオード、Q1…フォトカプラP1のフォトトランジスタ、P2…フォトカプラ、D2…フォトカプラP2の発光ダイオード、Q2…フォトカプラP2のフォトトランジスタ、R1,R2…抵抗

Claims (1)

  1. 流れる電流に応じて発光する発光素子と、当該発光素子から生じる光の強度に応じた大きさの電流を流す受光素子とを含む第1および第2の光結合素子を有し、
    前記第1の光結合素子に含まれる発光素子と、前記第2の光結合素子に含まれる受光素子とが並列に接続されており、
    前記第1の光結合素子に含まれる受光素子と、前記第2の光結合素子に含まれる発光素子とが直列に接続されており、
    前記並列に接続された発光素子と受光素子から成る回路に電流が入力されるとき、前記直列に接続された発光素子と受光素子から成る回路に流れる電流または当該電流に応じた電圧を出力する、
    ことを特徴とするアイソレーションアンプ。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6074807A (ja) * 1983-09-30 1985-04-27 Toshiba Corp 変換回路
US4588896A (en) * 1983-11-18 1986-05-13 Eastman Kodak Company Bistable circuits having a monolithic device formed with light emitting diodes and detectors
JPS63164605A (ja) * 1986-12-26 1988-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 信号伝達回路
JPH07131319A (ja) * 1993-11-08 1995-05-19 Oki Electric Ind Co Ltd フォトカプラ回路及びその装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS499955A (ja) 1972-05-23 1974-01-29
JPS5390848A (en) * 1977-01-21 1978-08-10 Hitachi Ltd Insulation amplifier
US6411912B1 (en) * 1999-07-09 2002-06-25 Alcatel Voltage level bus translator and safety interlock system for battery modules
JP3741935B2 (ja) * 2000-05-11 2006-02-01 シャープ株式会社 光結合素子
JP5933415B2 (ja) * 2012-10-29 2016-06-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN104579190A (zh) * 2013-10-23 2015-04-29 西安造新电子信息科技有限公司 单电源隔离放大器
CN105141266A (zh) * 2015-07-31 2015-12-09 华中科技大学 一种模拟信号光电隔离放大器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6074807A (ja) * 1983-09-30 1985-04-27 Toshiba Corp 変換回路
US4588896A (en) * 1983-11-18 1986-05-13 Eastman Kodak Company Bistable circuits having a monolithic device formed with light emitting diodes and detectors
JPS63164605A (ja) * 1986-12-26 1988-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 信号伝達回路
JPH07131319A (ja) * 1993-11-08 1995-05-19 Oki Electric Ind Co Ltd フォトカプラ回路及びその装置

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