JP2018093088A - Tray for semiconductor integrated circuit and manufacturing method thereof - Google Patents

Tray for semiconductor integrated circuit and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP2018093088A
JP2018093088A JP2016236104A JP2016236104A JP2018093088A JP 2018093088 A JP2018093088 A JP 2018093088A JP 2016236104 A JP2016236104 A JP 2016236104A JP 2016236104 A JP2016236104 A JP 2016236104A JP 2018093088 A JP2018093088 A JP 2018093088A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor integrated
integrated circuit
tray
walls
pocket
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016236104A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6400066B2 (en
Inventor
成彬 朴
Sung-Bin Park
成彬 朴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHINON CORP
Original Assignee
SHINON CORP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHINON CORP filed Critical SHINON CORP
Priority to JP2016236104A priority Critical patent/JP6400066B2/en
Publication of JP2018093088A publication Critical patent/JP2018093088A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6400066B2 publication Critical patent/JP6400066B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

PURPOSE: To prevent a semiconductor integrated circuit, housed in the pocket of a tray for semiconductor integrated circuit, from sticking to the tray for semiconductor integrated circuit, due to static electricity.SOLUTION: In a tray 1 for semiconductor integrated circuit including multiple pockets 4 for housing a semiconductor integrated circuit, one or more than one meandering walls 7 are formed on the front side of the tray 1 for semiconductor integrated circuit, and the top surface of the one or more than one meandering walls 7 is a support face for supporting the semiconductor integrated circuit that must be housed, respectively, in the multiple pockets 4.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、IC等の半導体集積回路(半導体チップ)を収容するための半導体集積回路用トレー及びこれの製造方法に関し、詳しくは、積み重ねられた複数の半導体集積回路用トレーに収容された半導体集積回路が該トレーの支持面や上段のトレーの裏側面に貼り付いてしまうことを防ぐことのできる半導体集積回路用トレー及びこれの製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit tray for housing a semiconductor integrated circuit (semiconductor chip) such as an IC, and a method for manufacturing the same. The present invention relates to a semiconductor integrated circuit tray capable of preventing a circuit from sticking to a support surface of the tray or a back side surface of an upper tray, and a method of manufacturing the same.

昨今の半導体チップ(PKG)は小型化し、ますます薄くなっているので、複数の半導体集積回路用トレーが積み重ねられているときに、半導体集積回路用トレーに形成された凹状のポケットに収容されている半導体チップ(PKG)が対面する上段の半導体集積回路用トレーの裏側面に貼りついてしまうことがあった。また、半導体チップを載せたトレーの搬送作業において、積み重ねられた複数のトレーが裏返しにされ、検査するために裏返しにされた半導体チップをトレーから取り出そうとする際に、静電気の影響で半導体チップがトレーの主面の収容部に貼り付いていることがあった(特許文献1を参照)。   Since recent semiconductor chips (PKG) are becoming smaller and thinner, when a plurality of semiconductor integrated circuit trays are stacked, they are accommodated in concave pockets formed in the semiconductor integrated circuit trays. In some cases, the semiconductor chip (PKG) on the upper side of the semiconductor integrated circuit is stuck to the back side of the upper semiconductor integrated circuit tray. In addition, when transporting a tray on which semiconductor chips are placed, a plurality of stacked trays are turned upside down. In some cases, the tray is attached to the accommodating portion of the main surface of the tray (see Patent Document 1).

特許第4299721号公報Japanese Patent No. 4299721

半導体集積回路用トレーと、これに収容される半導体集積回路(PKG)との接触面積を小さくすることによって、静電気の発生を抑えることができる。しかし、特許文献1の明細書の段落0026に「突起1fが半導体チップ2の主面に接触して半導体チップ2を押さえ付けてしまうようだと半導体チップ2にクラックが生じる場合がある」と記載されているように、半導体集積回路と接触する支持面の面積を極端に小さくすると、半導体集積回路に過度な圧力が加わることで、半導体集積回路が破損してしまう恐れがある。   Generation of static electricity can be suppressed by reducing the contact area between the semiconductor integrated circuit tray and the semiconductor integrated circuit (PKG) accommodated in the tray. However, paragraph 0026 of the specification of Patent Document 1 states that “if the protrusion 1 f comes into contact with the main surface of the semiconductor chip 2 and presses the semiconductor chip 2, the semiconductor chip 2 may crack.” As described above, if the area of the support surface in contact with the semiconductor integrated circuit is extremely small, the semiconductor integrated circuit may be damaged by applying excessive pressure to the semiconductor integrated circuit.

半導体集積回路用トレーのポケットに収容された半導体集積回路が、該半導体集積回路を支えるための支持面や、積み重ねられた複数の半導体集積回路用トレーの上段のトレーの裏側面に貼り付いてしまうことを防ぐことができるとよい。   The semiconductor integrated circuit accommodated in the pocket of the semiconductor integrated circuit tray sticks to the support surface for supporting the semiconductor integrated circuit or the back side surface of the upper tray of the plurality of stacked semiconductor integrated circuit trays. It should be possible to prevent this.

本発明の一実施例においては、半導体集積回路を収容するための複数のポケットを備える半導体集積回路用トレーであって、各ポケット内に、1つ又は複数の蛇行する壁が形成されており、該1つ又は複数の蛇行する壁の天面が、上記複数のポケットの各々に収容されるべき半導体集積回路を支えるための支持面となっていることを特徴とする半導体集積回路用トレーを提供する。   In one embodiment of the present invention, a tray for a semiconductor integrated circuit having a plurality of pockets for housing a semiconductor integrated circuit, wherein one or a plurality of meandering walls are formed in each pocket, Provided is a tray for a semiconductor integrated circuit, wherein the top surface of the one or more meandering walls serves as a support surface for supporting the semiconductor integrated circuit to be accommodated in each of the plurality of pockets. To do.

また一実施例においては、各ポケットの裏側面に1つ又は複数の蛇行する壁が形成されており、該裏側面の1つ又は複数の蛇行する壁の天面(壁の根元とは反対側)が、該半導体集積回路用トレーが積み重ねられたとした場合における下段の半導体集積回路用トレーのポケットに収容されている半導体集積回路と接触し得る位置にあることを特徴とする。   In one embodiment, one or more meandering walls are formed on the back side of each pocket, and the top side of the one or more meandering walls on the back side (opposite to the base of the wall). ) Is in a position where it can come into contact with the semiconductor integrated circuit accommodated in the pocket of the lower semiconductor integrated circuit tray when the semiconductor integrated circuit tray is stacked.

また一実施例においては、半導体集積回路を収容するための複数のポケットを備える半導体集積回路用トレーであって、各ポケット内に、互いに離間して配置された複数の壁が形成されており、該互いに離間して配置された複数の壁の天面が、上記複数のポケットの各々に収容されるべき半導体集積回路を支えるための支持面となっていることを特徴とする。   Further, in one embodiment, a tray for a semiconductor integrated circuit including a plurality of pockets for housing a semiconductor integrated circuit, and a plurality of walls that are spaced apart from each other are formed in each pocket, The top surfaces of the plurality of walls arranged apart from each other serve as support surfaces for supporting the semiconductor integrated circuit to be accommodated in each of the plurality of pockets.

他の実施例においては、半導体集積回路を収容するための複数のポケットを備える半導体集積回路用トレーの製造方法において、各ポケット内に1つ又は複数の蛇行する壁を形成するステップであって、該1つ又は複数の蛇行する壁の天面が、上記複数のポケットの各々に収容されるべき半導体集積回路を支えるための支持面となる、各ポケット内に1つ又は複数の蛇行する壁を形成するステップを含む、半導体集積回路用トレーの製造方法を提示する。   In another embodiment, in a method of manufacturing a tray for a semiconductor integrated circuit comprising a plurality of pockets for housing a semiconductor integrated circuit, the step of forming one or more meandering walls in each pocket comprising: One or more meandering walls in each pocket, wherein the top surface of the one or more meandering walls is a support surface for supporting a semiconductor integrated circuit to be accommodated in each of the plurality of pockets. A method of manufacturing a tray for a semiconductor integrated circuit including a forming step is presented.

また他の実施例においては、各ポケットの裏側面に1つ又は複数の蛇行する壁を形成するステップであって、該裏側面の1つ又は複数の蛇行する壁の天面が、該半導体集積回路用トレーが積み重ねられたとした場合における下段の半導体集積回路用トレーのポケットに収容されている半導体集積回路と接触し得る位置にある、各ポケットの裏側面に1つ又は複数の蛇行する壁を形成するステップを更に含む。   In another embodiment, forming one or more serpentine walls on the back side of each pocket, wherein the top surface of the one or more serpentine walls of the back side is the semiconductor integrated One or a plurality of meandering walls on the back side surface of each pocket at a position where it can come into contact with the semiconductor integrated circuit accommodated in the pocket of the lower semiconductor integrated circuit tray when the circuit tray is stacked. The method further includes forming.

また他の実施例においては、各ポケット内に1つ又は複数の蛇行する壁を形成するステップ及び各ポケットの裏側面に1つ又は複数の蛇行する壁を形成するステップのうちの少なくとも一方が、エンドミルを用いて一定の深さだけ切削加工した型を使って上記1つ又は複数の蛇行する壁を型成形することを含む。   In yet another embodiment, at least one of forming one or more serpentine walls in each pocket and forming one or more serpentine walls on the back side of each pocket comprises: Molding the one or more serpentine walls using a die that has been machined to a certain depth using an end mill.

本発明に係る半導体集積回路用トレーを示す図。The figure which shows the tray for semiconductor integrated circuits which concerns on this invention. トレーの表と裏に切削加工された溝の位置を示す図。The figure which shows the position of the groove | channel cut by the front and back of a tray. (a)ポケットの一部を拡大して示す図。(b)ポケット内の壁を型成形するための型を切削加工する際にエンドミルを動かす順路の一実施例を示す図。(A) The figure which expands and shows a part of pocket. (B) The figure which shows one Example of the normal route which moves an end mill when cutting the type | mold for shape | molding the wall in a pocket. ポケットの裏側面の一部を拡大して示す写真。An enlarged photo showing a part of the back side of the pocket. 結束バンドで束ねられた複数の半導体集積回路用トレーを示す図。The figure which shows the several tray for semiconductor integrated circuits bundled with the binding band. 互いに離間して配置された複数の壁を表側面に有する一例を示す模式図。The schematic diagram which shows an example which has the some wall arrange | positioned mutually spaced apart on the front side.

本発明の半導体集積回路用トレーについて添付の図面を参照しつつ説明する。   A tray for a semiconductor integrated circuit according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明の半導体集積回路用トレー1(以下、単に「トレー1」という)の平面図である。表側面2に、縦横の仕切り枠3で区切られた半導体集積回路の複数の複数のポケット4を備えており、各ポケット4内に、1つ又は複数の壁が形成されている。そして該1つ又は複数の壁の天面が、各ポケット4に収容されるべき半導体集積回路(図示せず)を支える支持面となっている。   FIG. 1 is a plan view of a tray 1 for semiconductor integrated circuit (hereinafter simply referred to as “tray 1”) of the present invention. The front side surface 2 is provided with a plurality of pockets 4 of a semiconductor integrated circuit partitioned by vertical and horizontal partition frames 3, and one or a plurality of walls are formed in each pocket 4. The top surface of the one or more walls serves as a support surface for supporting a semiconductor integrated circuit (not shown) to be accommodated in each pocket 4.

図1(b)は、該トレー1に設けられる一実施例のポケット4とその周囲を拡大して示す斜視図である。一実施例においては、ポケットに収容される半導体集積回路を安定よく支えるために、支持面5の天面が面一に形成されているとよい。   FIG. 1B is an enlarged perspective view showing the pocket 4 and its periphery provided in the tray 1 according to one embodiment. In one embodiment, the top surface of the support surface 5 is preferably formed flush with the other in order to stably support the semiconductor integrated circuit accommodated in the pocket.

図2は、トレー1の表側面2に形成される壁7と、裏側面6に形成される壁8の位置を示す。一実施例においては、四角形のポケット4の全周囲(図2で黒く塗られた箇所)に亘って壁7を形成する。図2に示される実施例においては、各ポケット4の裏側面6の4箇所に、1つ又は複数の壁8が形成される。他の実施例においては、トレー1の裏側面6の4箇所よりも少ない箇所に1つ又は複数の壁8が形成される場合もあれば、4箇所よりも多い箇所に1つ又は複数の壁8が形成される場合もある。   FIG. 2 shows the positions of the wall 7 formed on the front side surface 2 of the tray 1 and the wall 8 formed on the back side surface 6. In one embodiment, the wall 7 is formed around the entire circumference of the rectangular pocket 4 (the portion painted black in FIG. 2). In the embodiment shown in FIG. 2, one or more walls 8 are formed at four locations on the back side 6 of each pocket 4. In other embodiments, one or more walls 8 may be formed in fewer than four locations on the back side 6 of the tray 1 or one or more walls in more than four locations. 8 may be formed.

壁を形成する方法として、型に切削加工された溝を使って壁7を型成形することができる。一実施例においては、曲率半径R=0.15(mm)のエンドミルを使用して、0.02mmの深さの溝を型に切削加工する。他の実施例においては、0.02mmよりも深い溝を型に切削加工する場合もあれば、0.02mmよりも浅い溝を型に切削加工する場合もある。   As a method of forming the wall, the wall 7 can be molded using a groove cut into the mold. In one embodiment, a 0.02 mm deep groove is cut into a mold using an end mill with a radius of curvature R = 0.15 (mm). In other embodiments, a groove deeper than 0.02 mm may be cut into a mold, and a groove shallower than 0.02 mm may be cut into a mold.

一実施例においては、トレー1が積み重ねられた状態において(図5を参照)、下段のトレー1の各ポケット4に収容される半導体集積回路の四隅と接触し得るトレー1の裏側面6の位置に、蛇行する壁8が形成されている。他の実施例においては、各ポケット4に収容される半導体集積回路の寸法や形状に応じて、トレー1の裏側面6に形成される壁8の寸法や配置が変化し得る。   In one embodiment, when the trays 1 are stacked (see FIG. 5), the position of the back side surface 6 of the tray 1 that can come into contact with the four corners of the semiconductor integrated circuit housed in each pocket 4 of the lower tray 1. In addition, a meandering wall 8 is formed. In another embodiment, the size and arrangement of the wall 8 formed on the back side surface 6 of the tray 1 can be changed according to the size and shape of the semiconductor integrated circuit accommodated in each pocket 4.

図3(a)は、図2において符号Aで示されている一点鎖線の枠内を拡大して示す写真であり、トレー1の表側面2に形成された蛇行する壁7を示している。   FIG. 3A is an enlarged photograph showing the inside of a one-dot chain line frame indicated by reference numeral A in FIG. 2 and shows a meandering wall 7 formed on the front side surface 2 of the tray 1.

図3(a)に示される一実施例においてはまた、各ポケット4の四隅の位置において、互いに離間して配置された複数の壁7aが形成されている。換言すると、複数の壁7aを互いに分離するように格子状の溝が形成されているとも言える。すなわち、各ポケット4の四隅の位置の格子状の溝に空気が通流し易くなっているため、静電気が特に生じにくい構造となっている。こうして、各ポケット4に収容される半導体集積回路が支持面5に貼り付いてしまうのを防ぐことができる。本発明の他の実施例においては、各ポケット4の周囲に亘って、互いに離間して配置された複数の壁が形成されている(図6を参照)。   In one embodiment shown in FIG. 3 (a), a plurality of walls 7a that are spaced apart from each other are formed at the four corners of each pocket 4. In other words, it can be said that the lattice-like grooves are formed so as to separate the plurality of walls 7a from each other. That is, since air is easy to flow through the lattice-shaped grooves at the four corners of each pocket 4, static electricity is hardly generated. In this way, it is possible to prevent the semiconductor integrated circuit housed in each pocket 4 from sticking to the support surface 5. In another embodiment of the present invention, a plurality of walls arranged apart from each other are formed around each pocket 4 (see FIG. 6).

図3(b)は、各ポケット4の四隅の壁を型成形するための型を切削加工するときにエンドミルを連続的に動かす順路の一実施例を示している。この実施例においては、図3(b)中の矢印で示される順路に沿ってエンドミルを動かして、一定の深さの溝を型に切削加工する。一実施例においては、この型に上方からプラスチック等を型成形して裏返すと、図3(a)の写真に示される壁が得られる。   FIG. 3B shows an example of a route for continuously moving the end mill when cutting a mold for molding the four corner walls of each pocket 4. In this embodiment, the end mill is moved along a route indicated by an arrow in FIG. 3B to cut a groove having a certain depth into a die. In one embodiment, when a plastic or the like is molded into the mold from above and turned upside down, the wall shown in the photograph of FIG. 3A is obtained.

すなわち、図3(b)に示される一実施例においては、エンドミルを使って一定の深さだけ型に切削加工された溝7’を使って、1つ又は複数の蛇行する壁7を形成することができる。また、エンドミルを使って一定の深さだけ型に切削加工した溝7a’を使って、互いに離間して配置された複数の壁7aを形成することができる。型成形される蛇行する壁7の蛇行ピッチ間隔、及び互いに離間して配置された複数の壁7aの間隔は、小さいことが好ましく、また一定の間隔であることが好ましい。   That is, in one embodiment shown in FIG. 3 (b), one or more meandering walls 7 are formed using a groove 7 'cut into a mold to a certain depth using an end mill. be able to. In addition, it is possible to form a plurality of walls 7a that are spaced apart from each other by using grooves 7a 'cut into a mold by a certain depth using an end mill. The meandering pitch interval of the meandering walls 7 to be molded and the interval between the plurality of walls 7a arranged apart from each other are preferably small and preferably constant.

他の実施例においては、放電加工を用いて、蛇行する壁7や、互いに離間して配置された複数の壁7aの型を切削加工する場合もある。更に他の実施例においては、型を使うことなく、蛇行する壁7や、互いに離間して配置された複数の壁7aをトレー1に直接的に形成する場合もある。或いは、シボ加工(エッチング)を用いて半導体集積回路用トレーに凹凸を形成することもできるが、極めて微細なマスキング領域がある場合には高度なマスキング技術が要求されることがある。   In another embodiment, there is a case in which a die of a meandering wall 7 or a plurality of walls 7a arranged apart from each other is cut by electric discharge machining. In still another embodiment, the meandering wall 7 and a plurality of walls 7a arranged apart from each other may be directly formed on the tray 1 without using a mold. Alternatively, the unevenness can be formed on the semiconductor integrated circuit tray by using embossing (etching), but when there is a very fine masking region, a high level masking technique may be required.

図4は、図2において符号Bで示されている、ポケット4の裏側面6の一点鎖線の枠内を拡大して示す写真である。トレー1のポケット4の裏側面6の1つ又は複数の箇所(図2で黒く塗られた箇所)に、蛇行する壁8が形成され得る。他の実施例においては、蛇行する壁8の代わりに、図6に示されるような互いに離間して配置された複数の(蛇行しない)壁がトレー1の裏側面6に形成される場合もある。   FIG. 4 is an enlarged photograph showing the inside of the one-dot chain line frame indicated by the symbol B in FIG. A meandering wall 8 may be formed at one or more locations on the back side surface 6 of the pocket 4 of the tray 1 (the locations painted black in FIG. 2). In another embodiment, instead of the meandering wall 8, a plurality of (non-meandering) walls spaced apart from each other as shown in FIG. .

以上のように、本発明のトレー1は、該トレー1のポケット内に収容される複数の半導体集積回路が、該トレー1のポケット4内の支持面5に貼り付いてしまうことや、上段のトレー1の裏側面に貼り付いてしまうことを防ぐことができ、ひいては半導体集積回路の出荷先等における作業効率を高めることに寄与する。   As described above, according to the tray 1 of the present invention, a plurality of semiconductor integrated circuits accommodated in the pockets of the tray 1 may stick to the support surface 5 in the pockets 4 of the tray 1, It is possible to prevent sticking to the back side surface of the tray 1 and, in turn, contribute to improving work efficiency at the shipping destination of the semiconductor integrated circuit.

また、半導体集積回路を支えるための支持面が蛇行する壁の天面であることによって或いは互いに離間して配置された複数の壁の天面であることによって、ポケットに収容される半導体集積回路が比較的広い面積と密接するため、複数のトレー1が積み重ねられた場合にも半導体集積回路の局所に圧力が加わり過ぎることがない。よって、半導体集積回路が破損してしまうことを防ぐこともできる。   In addition, since the support surface for supporting the semiconductor integrated circuit is the top surface of the meandering wall or the top surfaces of the plurality of walls arranged apart from each other, the semiconductor integrated circuit accommodated in the pocket is provided. In close contact with a relatively large area, even when a plurality of trays 1 are stacked, pressure is not excessively applied locally to the semiconductor integrated circuit. Therefore, the semiconductor integrated circuit can be prevented from being damaged.

1…半導体集積回路用トレー
2…表側面
3…仕切り枠
4…ポケット
5…支持面
6…裏側面
7…(蛇行する)壁
7a…(互いに離間して配置された複数の)壁
8…(各ポケットの裏側面に形成される)壁
9…半導体集積回路用トレー
10…空のトレー
11…結束バンド
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor integrated circuit tray 2 ... Front side surface 3 ... Partition frame 4 ... Pocket 5 ... Support surface 6 ... Back side surface 7 ... (Meandering) wall 7a ... (Plurally spaced apart) Wall 8 ... ( Walls formed on the back side of each pocket 9 ... Tray for semiconductor integrated circuit 10 ... Empty tray 11 ... Bundling band

Claims (6)

半導体集積回路を収容するための複数のポケットを備える半導体集積回路用トレーであって、
各ポケット内に、1つ又は複数の蛇行する壁が形成されており、該1つ又は複数の蛇行する壁の天面が、上記複数のポケットの各々に収容されるべき半導体集積回路を支えるための支持面となっていることを特徴とする半導体集積回路用トレー。
A semiconductor integrated circuit tray comprising a plurality of pockets for housing a semiconductor integrated circuit,
In each pocket, one or more meandering walls are formed, and the top surface of the one or more meandering walls supports the semiconductor integrated circuit to be accommodated in each of the plurality of pockets. A tray for a semiconductor integrated circuit, characterized by being a support surface for the semiconductor integrated circuit.
各ポケットの裏側面に1つ又は複数の蛇行する壁が形成されており、該裏側面の1つ又は複数の蛇行する壁の天面が、該半導体集積回路用トレーが積み重ねられたとした場合における下段の半導体集積回路用トレーのポケットに収容されている半導体集積回路と接触し得る位置にあることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路用トレー。   In the case where one or a plurality of meandering walls are formed on the back side surface of each pocket, and the top surface of the one or more meandering walls on the back side surface is stacked with the semiconductor integrated circuit tray. 2. The tray for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the tray for the semiconductor integrated circuit is in a position where it can come into contact with the semiconductor integrated circuit accommodated in the pocket of the tray for the semiconductor integrated circuit at the lower stage. 半導体集積回路を収容するための複数のポケットを備える半導体集積回路用トレーであって、
各ポケット内に、互いに離間して配置された複数の壁が形成されており、該互いに離間して配置された複数の壁の天面が、上記複数のポケットの各々に収容されるべき半導体集積回路を支えるための支持面となっていることを特徴とする半導体集積回路用トレー。
A semiconductor integrated circuit tray comprising a plurality of pockets for housing a semiconductor integrated circuit,
A plurality of walls that are spaced apart from each other are formed in each pocket, and the top surfaces of the plurality of walls that are spaced apart from each other are to be accommodated in each of the plurality of pockets. A tray for a semiconductor integrated circuit, which is a support surface for supporting a circuit.
半導体集積回路を収容するための複数のポケットを備える半導体集積回路用トレーの製造方法において、
各ポケット内に1つ又は複数の蛇行する壁を形成するステップであって、該1つ又は複数の蛇行する壁の天面が、上記複数のポケットの各々に収容されるべき半導体集積回路を支えるための支持面となる、各ポケット内に1つ又は複数の蛇行する壁を形成するステップを含む、半導体集積回路用トレーの製造方法。
In a method of manufacturing a tray for a semiconductor integrated circuit including a plurality of pockets for housing a semiconductor integrated circuit,
Forming one or more serpentine walls in each pocket, the top surface of the one or more serpentine walls supporting a semiconductor integrated circuit to be accommodated in each of the plurality of pockets; A method of manufacturing a tray for a semiconductor integrated circuit, comprising the step of forming one or more serpentine walls in each pocket to serve as a support surface for.
各ポケットの裏側面に1つ又は複数の蛇行する壁を形成するステップであって、該裏側面の1つ又は複数の蛇行する壁の天面が、該半導体集積回路用トレーが積み重ねられたとした場合における下段の半導体集積回路用トレーのポケットに収容されている半導体集積回路と接触し得る位置にある、各ポケットの裏側面に1つ又は複数の蛇行する壁を形成するステップを更に含む、請求項4に記載の半導体集積回路用トレーの製造方法。   Forming one or more serpentine walls on the back side of each pocket, wherein the top surface of the one or more serpentine walls of the back side is stacked with the semiconductor integrated circuit tray And forming one or more serpentine walls on the back side of each pocket in a position that can contact the semiconductor integrated circuit contained in the pocket of the lower semiconductor integrated circuit tray. Item 5. A method for manufacturing a tray for a semiconductor integrated circuit according to Item 4. 各ポケット内に1つ又は複数の蛇行する壁を形成するステップ及び各ポケットの裏側面に1つ又は複数の蛇行する壁を形成するステップのうちの少なくとも一方が、エンドミルを用いて一定の深さだけ切削加工した型を使って上記1つ又は複数の蛇行する壁を型成形することを含む、請求項5に記載の半導体集積回路用トレーの製造方法。   At least one of the step of forming one or more serpentine walls in each pocket and the step of forming one or more serpentine walls on the back side of each pocket has a constant depth using an end mill. 6. The method of manufacturing a tray for a semiconductor integrated circuit according to claim 5, comprising molding the one or more meandering walls by using a die cut only.
JP2016236104A 2016-12-05 2016-12-05 Tray for semiconductor integrated circuit and manufacturing method thereof Expired - Fee Related JP6400066B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016236104A JP6400066B2 (en) 2016-12-05 2016-12-05 Tray for semiconductor integrated circuit and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016236104A JP6400066B2 (en) 2016-12-05 2016-12-05 Tray for semiconductor integrated circuit and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018093088A true JP2018093088A (en) 2018-06-14
JP6400066B2 JP6400066B2 (en) 2018-10-03

Family

ID=62566312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016236104A Expired - Fee Related JP6400066B2 (en) 2016-12-05 2016-12-05 Tray for semiconductor integrated circuit and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6400066B2 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0632384A (en) * 1992-02-28 1994-02-08 Rh Murphy Co Inc Tray for integrated circuit
JP2001122380A (en) * 1999-10-28 2001-05-08 Hitachi Ltd Manufacturing method for semiconductor device and tray used for the method
JP4299721B2 (en) * 2003-12-09 2009-07-22 株式会社ルネサステクノロジ Method for transporting semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0632384A (en) * 1992-02-28 1994-02-08 Rh Murphy Co Inc Tray for integrated circuit
JP2001122380A (en) * 1999-10-28 2001-05-08 Hitachi Ltd Manufacturing method for semiconductor device and tray used for the method
JP4299721B2 (en) * 2003-12-09 2009-07-22 株式会社ルネサステクノロジ Method for transporting semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP6400066B2 (en) 2018-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110017735A (en) Semiconductor chip tray
CN103038872B (en) For the peelable mixing Trayconcept of electronic device
US20110089079A1 (en) Chip Carrying Tray
US8263994B2 (en) LED package
JP6400066B2 (en) Tray for semiconductor integrated circuit and manufacturing method thereof
JP2007109763A (en) Semiconductor chip housing tray and semiconductor chip conveying method
JP2008254772A (en) Carrier tape and manufacturing method therefor
JP2008091696A (en) Semiconductor chip tray
KR20110025390A (en) Chuck table for processing semiconductor packages
KR101632828B1 (en) The chip tray device for semiconductor
TWI685457B (en) Tray for semiconductor integrated circuit parts and manufacturing method thereof
CN105789106B (en) Clamping device and semiconductor processing equipment
JP2001278238A (en) Electronic parts housing tray
CN106169438B (en) Semiconductor chip tray
KR200191128Y1 (en) Heat sink
JP2007109764A (en) Semiconductor chip housing tray and semiconductor chip conveying method
JP2006347570A (en) Accommodation tray of panel-shaped article
JP2016058525A (en) Semiconductor chip tray
JP2009166876A (en) Electronic component storage tape
JP2005212797A (en) Tray for transferring semiconductor chip
KR101634263B1 (en) tray for semi-conductor chip
JP6282662B2 (en) Suction head and sheet handling device
JP2005212797A5 (en)
JP2006273405A (en) Storage tray for semiconductor device
JPH11220015A (en) Tray for semiconductor device chip and method for storing and conveying semiconductor device chip

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180705

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20180705

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20180713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180731

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180809

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180828

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180904

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6400066

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees