JP2018085662A - Electronic equipment - Google Patents

Electronic equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2018085662A
JP2018085662A JP2016228448A JP2016228448A JP2018085662A JP 2018085662 A JP2018085662 A JP 2018085662A JP 2016228448 A JP2016228448 A JP 2016228448A JP 2016228448 A JP2016228448 A JP 2016228448A JP 2018085662 A JP2018085662 A JP 2018085662A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phase
external device
data
latch
tuning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016228448A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
昭太郎 柳井
Shotaro Yanai
昭太郎 柳井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2016228448A priority Critical patent/JP2018085662A/en
Publication of JP2018085662A publication Critical patent/JP2018085662A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Synchronisation In Digital Transmission Systems (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To tune phase shift caused by a temperature change between a clock of a host device and data from an external device within a limited time.SOLUTION: After starting electronic equipment, when an external device is connected to an external device first, all phase patterns that can be acquired are acquired and tuned, and the temperature of the external device is acquired at predetermined time intervals when an operation to generate data recording to the external device is performed, and phase patterns before and after a predetermined phase are acquired as many as possible within a pause time period in which recording to the external device is not performed last time, and a latch phase is selected from among the phase patterns when the temperature change after a latch phase has been corrected last time becomes equal to or more than a threshold value.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は電子機器に関する。   The present invention relates to an electronic device.

近年、デジタル電子機器が扱うデータ量が益々増加しており、それに伴いデータを保存するための外部デバイスとのデータ通信の更なる高速化が必要とされている。ホスト側の機器から外部デバイスに対して供給したクロックに同期して外部デバイスが出力したデータをホスト側の機器が取り込む場合、外部デバイス外部デバイスが出力したクロックとデータの位相ずれがあるとデータの有効タイミングでラッチできない可能性がある。データ通信の高速化が進むと、従来は問題とならなかったわずかな遅延で通信エラーとなることが懸念される。   In recent years, the amount of data handled by digital electronic devices has been increasing, and accordingly, further speeding-up of data communication with external devices for storing data is required. When the host device captures the data output from the external device in synchronization with the clock supplied to the external device from the host device, the data output will be detected if there is a phase shift between the clock output from the external device and the data. There is a possibility that it cannot be latched at the valid timing. As the speed of data communication increases, there is a concern that a communication error may occur with a slight delay that was not a problem in the past.

静止画や動画データをSDカードに保存する撮像装置を例にすると、SDカードへの書き込み時にホストである撮像装置からSDカードに対してデータとCRC信号を送信した後のSDカード側からのレスポンス応答出力が遅く、クロックとの位相ずれが大きくなりホスト側でラッチできず、カードへの書き込みに失敗する可能性が高まる。また、カードからのデータ出力タイミングは、使用するカードの種類や温度条件によって異なるため、条件によっては書き込みエラーの可能性はより高くなる。   Taking an example of an imaging device that stores still images and moving image data on an SD card, the response from the SD card side after transmitting data and a CRC signal from the imaging device as a host to the SD card when writing to the SD card. The response output is slow, the phase shift from the clock becomes large, the host side cannot latch, and the possibility of failure in writing to the card increases. In addition, since the data output timing from the card differs depending on the type of card to be used and the temperature condition, the possibility of a write error becomes higher depending on the condition.

この問題に対して、特許文献1では、外部デバイスからのデータ位相を解析し、ラッチタイミングを補正する手段が開示されている。外部デバイスに所定のキャリブレーションデータを出力させたデータに対して、位相設定を変更しながら予め保存してあるキャリブレーションデータの期待値と一致するかを判定し、期待値と一致した時点での位相設定をチューニング結果として使用する。   With respect to this problem, Patent Document 1 discloses means for analyzing a data phase from an external device and correcting latch timing. For data that has been output predetermined calibration data to an external device, determine whether it matches the expected value of the calibration data stored in advance while changing the phase setting. Use the phase setting as the tuning result.

特開2011−135531号公報JP 2011-135551 A

しかしながら、チューニングは外部デバイスから所定のキャリブレーションデータを読み込む必要があるため、外部デバイスに対して書き込みを行っている間は行うことができない。また、撮像装置による動画撮影中などカード温度が上昇するような状況ではリアルタイムのチューニングが必要となる。その場合、機器内部のバッファメモリにデータが所定量蓄積されるまでの、SDカードに記録を行っていない時間でしかチューニングを行うことでできない。この時間はカード記録が高速になればなるほど短くなる。   However, since tuning needs to read predetermined calibration data from an external device, it cannot be performed while writing to the external device. Also, real-time tuning is required in situations where the card temperature rises, such as during video recording by the imaging device. In that case, tuning can be performed only during the time when recording is not performed on the SD card until a predetermined amount of data is accumulated in the buffer memory inside the device. This time becomes shorter as card recording becomes faster.

上述の特許文献に開示された従来技術によるチューニングは、期待値と一致するまで位相設定が決定しないため、位相のずれ量が大きい場合はチューニングに時間がかかってしまい温度変化による位相ずれをリアルタイムにチューニングできず、高速書き込みを行うことができない。   In the tuning according to the prior art disclosed in the above-mentioned patent document, the phase setting is not determined until it matches the expected value, so if the amount of phase deviation is large, it takes time to tune and the phase deviation due to temperature change is detected in real time. Tuning is not possible and high-speed writing cannot be performed.

そこで、本発明の目的は、ホスト機器のクロックと外部デバイスからのデータの、温度変化によって発生する位相ずれを限られた時間の中でチューニングし、高速書き込みを可能にする方法を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for tuning a phase shift caused by a temperature change between a clock of a host device and data from an external device within a limited time, and enabling high-speed writing. is there.

上記目的を達成するために、本発明は、外部デバイスから所定のキャリブレーションデータを受信し、前記外部デバイスへの書き込みを行わない期間に、前記受信データに対してデータラッチの位相を所定量遅延させる遅延手段と、前記遅延手段で遅延させる遅延量を変更することで取得した複数の位相パターンそれぞれについてラッチ可否を判定し、ラッチ可の位相の一つをデータラッチ位相として設定することでクロックとデータのタイミングずれをチューニングする手段と、前記外部デバイス部の温度を取得する手段とを有する電子機器であって、前記電子機器の起動後、最初に前記外部デバイスが接続された時に、取得可能な全ての位相パターンを取得してチューニングを行い、前記外部デバイスへのデータ記録発生する操作が行われたら、所定時間間隔で前記外部デバイス部の温度を取得し、前回ラッチ位相の補正を実施した時からの温度変化が閾値以上になった時、前回外部デバイスへの記録を行わない休止時間に、所定の位相を中心とした前後の位相パターンを前記期間内に可能な数だけ取得し、その中からラッチ位相を選択することを特徴とする。   In order to achieve the above object, the present invention receives predetermined calibration data from an external device and delays a phase of a data latch by a predetermined amount with respect to the received data during a period when writing to the external device is not performed. And determining whether or not to latch each of a plurality of phase patterns acquired by changing the delay amount delayed by the delay means, and setting one of the latchable phases as a data latch phase An electronic apparatus having means for tuning a timing difference of data and means for acquiring the temperature of the external device unit, which can be acquired when the external device is first connected after the electronic apparatus is activated All phase patterns are acquired and tuned, and data recording to the external device is performed. Once the temperature of the external device unit is acquired at a predetermined time interval and the temperature change from when the previous latch phase correction was performed is equal to or greater than the threshold, the pause time during which recording to the external device is not performed the previous time, As many phase patterns as possible before and after a predetermined phase are acquired within the period, and a latch phase is selected therefrom.

本発明によれば、温度変化に伴う外部デバイスからのデータの位相ずれを短い時間でチューニングし、外部デバイスへの高速書き込みを行うことが可能になる。   According to the present invention, it is possible to tune the phase shift of data from an external device accompanying a temperature change in a short time and perform high-speed writing to the external device.

撮像装置の処理動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the processing operation of an imaging device. 撮像装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of an imaging device. 位相調整部の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of a phase adjustment part. 全位相取得によるチューニングを示す図である。It is a figure which shows the tuning by all the phase acquisition. 動画記録時のデータ記録サイクルを示す図である。It is a figure which shows the data recording cycle at the time of moving image recording. 温度変化による位相ずれチューニングを示す図である。It is a figure which shows the phase shift tuning by a temperature change. 温度に応じたチューニング開始位置変更有無の差異を示す図である。It is a figure which shows the difference in the tuning start position change presence or absence according to temperature.

以下に、本発明の好ましい実施の形態を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。
[実施例]
図2は、本発明の第1の実施形態に係るタッチパネル機能付表示装置を備えたレンズユニット交換式撮像装置100の構成を示すブロック図である。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[Example]
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of the lens unit exchangeable imaging apparatus 100 including the display device with a touch panel function according to the first embodiment of the present invention.

121は撮像素子であり、レンズ210、絞り211、レンズマウント102及び202、シャッター144を介して不図示の被写体の光学像が結像し、その光学像を電気信号に変換する。122はA/D変換部であり、撮像素子121のアナログ信号出力をデジタル信号に変換する。A/D変換部122でA/D変換されたデジタル信号は、メモリ制御部124及びシステム制御部120により制御され、メモリ127に格納される。   An image sensor 121 forms an optical image of a subject (not shown) via a lens 210, an aperture 211, lens mounts 102 and 202, and a shutter 144, and converts the optical image into an electrical signal. Reference numeral 122 denotes an A / D converter that converts an analog signal output of the image sensor 121 into a digital signal. The digital signal A / D converted by the A / D converter 122 is controlled by the memory controller 124 and the system controller 120 and stored in the memory 127.

123は画像処理部であり、A/D変換部122でA/D変換されたデジタル信号のデータ或いはメモリ制御部124からのデータに対して所定の画素補間処理や色変換処理を行う。画像処理部123は、適応離散コサイン変換(ADCT)等により画像データを圧縮伸長する圧縮・伸長回路も備える。メモリ127に格納された画像を読み込んで圧縮処理或いは伸長処理を行い、処理を終えたデータをメモリ127に書き込むことも可能である。   An image processing unit 123 performs predetermined pixel interpolation processing and color conversion processing on the digital signal data A / D converted by the A / D conversion unit 122 or the data from the memory control unit 124. The image processing unit 123 also includes a compression / decompression circuit that compresses and decompresses image data by adaptive discrete cosine transform (ADCT) or the like. It is also possible to read an image stored in the memory 127, perform compression processing or decompression processing, and write the processed data to the memory 127.

また、画像演算部129では、撮像画像のコントラスト値を算出し、コントラスト値から撮影画像の合焦状態を測定することができる。メモリ127に格納された画像データと現在の撮像画像の相関値を算出し、最も相関の高い領域を探索することが可能である。124はメモリ制御部であり、A/D変換部122、画像処理部123、表示装置110、外部着脱メモリ部130とメモリ127間のデータの送受を制御する。A/D変換部122のデータが画像処理部123、メモリ制御部124を介して、或いはA/D変換部122のデータが直接メモリ制御部124を介して、メモリ127に書き込まれる。   In addition, the image calculation unit 129 can calculate the contrast value of the captured image and measure the in-focus state of the captured image from the contrast value. It is possible to calculate the correlation value between the image data stored in the memory 127 and the current captured image and search for the region with the highest correlation. A memory control unit 124 controls transmission / reception of data between the A / D conversion unit 122, the image processing unit 123, the display device 110, the external removable memory unit 130, and the memory 127. The data of the A / D conversion unit 122 is written into the memory 127 via the image processing unit 123 and the memory control unit 124, or the data of the A / D conversion unit 122 is directly written via the memory control unit 124.

137は位相調整部であり、外部着脱メモリ130からデータを読み込む際、クロックに対してデータを適切なタイミングで取り込むようにデータラッチ位相の調整を行う。110はタッチパネル機能付の液晶ディスプレイ型表示装置であり、液晶パネル表示部125、バックライト照明部126及びタッチパネル部151により構成される。   Reference numeral 137 denotes a phase adjustment unit that adjusts the data latch phase so that data is read at an appropriate timing with respect to the clock when reading data from the external removable memory 130. Reference numeral 110 denotes a liquid crystal display type display device with a touch panel function, which includes a liquid crystal panel display unit 125, a backlight illumination unit 126, and a touch panel unit 151.

125は液晶パネル表示部であり、システム制御部120の指示により、メモリ127の画像表示データ用領域に格納されたメニュー画面、又は外部着脱メモリ部130に格納された画像ファイルを表示することが可能である。また、撮像素子から得られた撮像データを逐次リアルタイムにスルー画像表示することで、「ライブビュー」撮影を行うことができる。ライブビュー撮影中は、AF対象の被写体の位置を操作者が認識できるよう、表示装置110に対して、AF領域を示すAF枠を画像に重畳して表示することができる。   A liquid crystal panel display unit 125 can display a menu screen stored in the image display data area of the memory 127 or an image file stored in the external removable memory unit 130 according to an instruction from the system control unit 120. It is. Further, “live view” shooting can be performed by sequentially displaying through-images of imaging data obtained from the imaging device in real time. During live view shooting, an AF frame indicating an AF area can be superimposed on the image and displayed on the display device 110 so that the operator can recognize the position of the subject to be AF.

126はバックライト照明であり、液晶パネル表示部125に対して背面照射する。バックライト照明の光源素子としては、LED、有機EL、蛍光管等がある。システム制御部120の指示により、照明を任意に点灯或いは消灯することが可能である。151はタッチパネル部であり、タッチ検出方式としては、抵抗膜方式や静電容量方式等がある。このタッチパネル部151により、操作者がタッチした位置に合焦させるタッチAFなど、直感的な機器の操作が可能になる。   Reference numeral 126 denotes backlight illumination that irradiates the liquid crystal panel display unit 125 with the back surface. Examples of the light source element for backlight illumination include an LED, an organic EL, and a fluorescent tube. The illumination can be arbitrarily turned on or off according to an instruction from the system control unit 120. Reference numeral 151 denotes a touch panel unit, and examples of the touch detection method include a resistance film method and a capacitance method. The touch panel unit 151 enables intuitive device operations such as touch AF for focusing on a position touched by the operator.

120は撮像装置100全体を制御するシステム制御部である。127は撮影した静止画像及び動画像、再生用表示のための画像のデータを格納するためのメモリであり、所定枚数の静止画像や動画像を格納するのに十分な記憶量を備える。なお、メモリ127はシステム制御部120のプログラムスタック領域、ステータス記憶領域、演算用領域、ワーク用領域、画像表示データ用領域が確保されている。各種の演算は、メモリ127の演算用領域を利用し、システム制御部120により実行される。   A system control unit 120 controls the entire imaging apparatus 100. Reference numeral 127 denotes a memory for storing captured still images and moving images, and image data for playback display, and has a sufficient storage capacity for storing a predetermined number of still images and moving images. In the memory 127, a program stack area, a status storage area, a calculation area, a work area, and an image display data area of the system control unit 120 are secured. Various calculations are executed by the system control unit 120 using the calculation area of the memory 127.

128は電気的に消去・記録可能な不揮発性メモリであり、例えばフラッシュメモリやEEPROM等が用いられる。不揮発性メモリ128には、撮影状態の保存や、撮像装置100を制御するプログラムが格納されている。   Reference numeral 128 denotes an electrically erasable / recordable nonvolatile memory such as a flash memory or an EEPROM. The nonvolatile memory 128 stores a program for saving the shooting state and controlling the imaging device 100.

130はコンパクトフラッシュ(登録商標)やSDカードといった記録媒体に画像ファイル記録や読出を行うための外部着脱メモリ部である。131は電源部であり、電池、電池検出回路、DC-DCコンバータ、通電するブロックを切り替えるスイッチ回路等により構成されており、電池の装着の有無、電池の種類、電池残量の検出を行う。また、検出結果及びシステム制御部120の指示に基づいてDC-DCコンバータを制御し、必要な電圧を必要な期間、各ブロック部へ供給する。   Reference numeral 130 denotes an external detachable memory unit for recording and reading image files on a recording medium such as a compact flash (registered trademark) or an SD card. A power supply unit 131 includes a battery, a battery detection circuit, a DC-DC converter, a switch circuit that switches a block to be energized, and the like, and detects whether or not a battery is installed, the type of battery, and the remaining battery level. Further, the DC-DC converter is controlled based on the detection result and the instruction of the system control unit 120, and a necessary voltage is supplied to each block unit for a necessary period.

141はシャッター制御部であり、測光部142からの測光情報に基づいて、絞り211を制御するレンズ制御部203と連携しながら、シャッター144を制御する。142はAE(自動露出)処理を行うための測光部である。レンズ210に入射した光線を、絞り211、レンズマウント202及び102、そして不図示の測光用レンズを介して、測光部142に入射させることにより、光学像として結像された画像の露出状態を測定することができる。   Reference numeral 141 denotes a shutter control unit that controls the shutter 144 in cooperation with the lens control unit 203 that controls the diaphragm 211 based on photometric information from the photometric unit 142. A photometric unit 142 performs AE (automatic exposure) processing. The light beam incident on the lens 210 is incident on the photometry unit 142 through the aperture 211, the lens mounts 202 and 102, and the photometric lens (not shown), thereby measuring the exposure state of the image formed as an optical image. can do.

143はAF処理を行うための測距部である。レンズ210に入射した光線を、絞り211、レンズマウント202及び102、そして不図示の測距用ミラーを介して、測距部143に入射させることにより、光学像として結像された画像の合焦状態を測定することができる。尚、ライブビュー撮影中は、画像演算部129より出力された画像データから求められたコントラスト値に応じて、撮影画像の合焦状態を測定することも可能である。   A distance measuring unit 143 performs AF processing. Focusing of an image formed as an optical image by causing the light beam incident on the lens 210 to enter the distance measuring unit 143 via the aperture 211, the lens mounts 202 and 102, and a distance measuring mirror (not shown). The state can be measured. During live view shooting, it is possible to measure the in-focus state of the shot image according to the contrast value obtained from the image data output from the image calculation unit 129.

140はカメラ制御部であり、シャッター制御部141、測光部142、測距部143との送受通信によりカメラとしての一連の動作を制御する。また、カメラ制御部140は、レンズユニット200を制御することも可能である。   Reference numeral 140 denotes a camera control unit that controls a series of operations as a camera by transmission and reception communication with the shutter control unit 141, the photometry unit 142, and the distance measurement unit 143. The camera control unit 140 can also control the lens unit 200.

132、133はモード切替スイッチ及び、操作部であり、システム制御部120に各種の動作指示を入力するための操作手段である。モード切替スイッチ132は、システム制御部120の動作モードを静止画記録モード、動画記録モード、再生モード等のいずれかに切り替える。静止画記録モードに含まれるモードとして、オート撮影モード、マニュアルモード、撮影シーン別の撮影設定となる各種シーンモード、プログラムAEモード、撮像素子121から得られた撮像データをリアルタイムにスルー画像表示するライブビューモード等がある。操作部133の各操作部材は、表示装置110に表示される種々の機能アイコンを選択操作することなどにより、場面ごとに適宜機能が割り当てられ、各種機能ボタンとして作用する。   Reference numerals 132 and 133 denote a mode changeover switch and an operation unit, which are operation means for inputting various operation instructions to the system control unit 120. The mode switch 132 switches the operation mode of the system control unit 120 to any one of a still image recording mode, a moving image recording mode, a reproduction mode, and the like. As a mode included in the still image recording mode, an auto shooting mode, a manual mode, various scene modes that are shooting settings for each shooting scene, a program AE mode, and a live display that displays a through image in real time of imaging data obtained from the image sensor 121. View mode etc. Each operation member of the operation unit 133 is appropriately assigned a function for each scene by selecting and operating various function icons displayed on the display device 110, and functions as various function buttons.

134はレリーズスイッチであり、レリーズボタンの半押し(SW1)及び全押し(SW2)で各々ONとなるスイッチである。半押し状態ではAF処理、AE処理、AWB(オートホワイトバランス)処理、EF(フラッシュ調光)処理等の動作開始を指示する。全押し状態では、撮像素子121から読み出した信号をA/D変換部122、メモリ制御部124を介してメモリ127に画像データを書き込む撮像処理、画像処理部123やメモリ制御部124での演算を用いた現像処理を行う。   A release switch 134 is a switch that is turned on when the release button is half-pressed (SW1) and fully pressed (SW2). In the half-pressed state, the start of operations such as AF processing, AE processing, AWB (auto white balance) processing, and EF (flash dimming) processing is instructed. In the fully-pressed state, the image reading process for writing the signal read from the image sensor 121 to the memory 127 via the A / D converter 122 and the memory controller 124, and the calculation in the image processor 123 and the memory controller 124 are performed. The used development processing is performed.

さらに、メモリ127から画像データを読み出し、画像処理部123で圧縮を行い、外部着脱メモリ部130に装着された不図示の記録媒体に画像データを書き込む記録処理という一連の処理の動作開始を指示する。135は電源スイッチであり、撮像装置100の電源オン、電源オフの各モードを切り替え設定することができる。また、撮像装置100に接続されたレンズユニット200、記録媒体等の各種付属装置の電源オン、電源オフの設定も合わせて切り替え設定することができる。   Further, the image data is read from the memory 127, compressed by the image processing unit 123, and instructed to start a series of processing operations such as recording processing for writing the image data to a recording medium (not shown) attached to the external removable memory unit 130. . Reference numeral 135 denotes a power switch that can switch and set the power-on and power-off modes of the imaging apparatus 100. In addition, the lens unit 200 connected to the imaging device 100 and various accessory devices such as a recording medium can be switched and set together.

136はタイマーであり、時計機能、カレンダー機能、タイマーカウンター機能、アラーム機能があり、スリープモードへの移行時間や、アラーム通知等のシステム管理に用いられる。102及び202はレンズマウントであり、撮像装置100をレンズユニット200と接続するためのインターフェースである。101及び201は撮像装置100をレンズユニット200と電気的に接続するコネクタであり、カメラ制御部140により制御される。   A timer 136 has a clock function, a calendar function, a timer counter function, and an alarm function, and is used for system management such as a transition time to the sleep mode and alarm notification. Reference numerals 102 and 202 denote lens mounts, which are interfaces for connecting the imaging apparatus 100 to the lens unit 200. Reference numerals 101 and 201 denote connectors that electrically connect the imaging apparatus 100 to the lens unit 200, and are controlled by the camera control unit 140.

200は交換レンズタイプのレンズユニットであり、不図示の被写体の光学像をレンズ210から、絞り211、レンズマウント202及び102、シャッター144を介して導き、撮像素子121上に結像することができる。203はレンズユニット200全体を制御するレンズ制御部である。レンズ制御部203は、動作用の定数、変数、プログラム等を記憶するメモリやレンズユニット200固有の番号等の識別情報、管理情報、開放絞り値や最小絞り値、焦点距離等の機能情報、現在や過去の各設定値等を保持する不揮発メモリの機能も備える。   An interchangeable lens type lens unit 200 guides an optical image of a subject (not shown) from a lens 210 through an aperture 211, lens mounts 202 and 102, and a shutter 144, and forms an image on the image sensor 121. . A lens control unit 203 controls the entire lens unit 200. The lens control unit 203 is a memory for storing operation constants, variables, programs, etc., identification information such as numbers unique to the lens unit 200, management information, function information such as an open aperture value, minimum aperture value, focal length, And a function of a nonvolatile memory for holding past setting values and the like.

レンズ制御部203は、測定距部143或いは画像処理部123より測定された画像の合焦状態に応じて、レンズ210のフォーカシングを制御し、撮像素子121に入射する被写体像の結像位置を変更することでAF動作を行うことが可能である。また、レンズ制御部203は絞り211の制御や、レンズ210のズーミングを制御する機能も兼ね備える。   The lens control unit 203 controls the focusing of the lens 210 according to the focus state of the image measured by the measurement distance unit 143 or the image processing unit 123, and changes the imaging position of the subject image incident on the image sensor 121. By doing so, it is possible to perform the AF operation. The lens control unit 203 also has a function of controlling the diaphragm 211 and zooming of the lens 210.

次に、位相調整部137の構成について説明する。図3は位相調整部のブロック図である。301は分周器であり、クロック生成部からラッチ位相調整部に入力されるPLLクロックを分周してSDクロックを生成する。302及び305はフリップフロップであり、302はSDクロックをPLLクロックで1周期分だけ遅延させる。305はセレクタ303出力のクロック信号に遅延回路304で所定の遅延を付けた信号によってSDデータ信号をラッチする。303はセレクタであり、SDクロックとフリップフロップ303出力のどちらかを出力する。   Next, the configuration of the phase adjustment unit 137 will be described. FIG. 3 is a block diagram of the phase adjustment unit. A frequency divider 301 divides the PLL clock input from the clock generation unit to the latch phase adjustment unit to generate an SD clock. Reference numerals 302 and 305 denote flip-flops, and 302 delays the SD clock by one period with the PLL clock. Reference numeral 305 latches the SD data signal by a signal obtained by adding a predetermined delay to the clock signal output from the selector 303 by the delay circuit 304. A selector 303 outputs either the SD clock or the flip-flop 303 output.

どちらを出力するかはシステム制御部120からの指示によって選択される。304は遅延回路である。SDクロックの1周期より短い所定時間だけ遅延させる遅延素子が複数搭載されており、これによってセレクタ303の出力信号に所定の遅延を付ける。遅延量は信号を通す遅延素子の段数を変更することで任意に設定可能である。本実施例では、遅延回路の最大段数を100として説明を行う。   Which is output is selected by an instruction from the system control unit 120. Reference numeral 304 denotes a delay circuit. A plurality of delay elements that are delayed by a predetermined time shorter than one cycle of the SD clock are mounted, thereby adding a predetermined delay to the output signal of the selector 303. The amount of delay can be arbitrarily set by changing the number of stages of delay elements through which signals pass. In the present embodiment, description will be made assuming that the maximum number of stages of the delay circuit is 100.

システム制御部120からの指示によってSDカード130から所定のテストパターン信号を受信し、その受信データをセレクタ303と遅延回路304の設定を変えた様々な遅延量でラッチした時のデータ化けの有無を判定し、ラッチ可能な位相の中から最適なラッチ位相を選定し、設定することによってチューニングを行う。   The presence or absence of garbled data when a predetermined test pattern signal is received from the SD card 130 according to an instruction from the system control unit 120 and the received data is latched with various delay amounts obtained by changing the settings of the selector 303 and the delay circuit 304. Judgment is performed, and tuning is performed by selecting and setting the optimum latch phase from among the latchable phases.

以下、図1のフローチャートを参照して、本発明の第1の実施例による、撮像装置100におけるSDカード130のラッチタイミングチューニング手法について説明する。ステップS101では、撮像装置100の電源オン後にSDカード130が装着されたかを判定する。SDカード130が装着されたことを検出したらステップS102に進む。   A latch timing tuning method for the SD card 130 in the imaging apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to the flowchart of FIG. In step S <b> 101, it is determined whether the SD card 130 is inserted after the imaging apparatus 100 is powered on. If it is detected that the SD card 130 is inserted, the process proceeds to step S102.

ステップS102では、SDカード130のマウントを行った後、ラッチ位相のチューニングを行う。ここでは、取得可能な全ての位相パターンを取得し、その中から最適なラッチ位相を設定する。このような全位相取得によるチューニングを、以後「フルチューニング」と呼称する。図4に、クロック信号とSDデータ信号、及び取得される全位相パターンの関係を表す。位相パターンはセレクタからの2通りの出力に対してそれぞれ遅延回路100段分、合計200個の位相パターンを取得する。実線で囲んだ401、403、405、407で示すエリアがラッチ可能のエリアである。   In step S102, after the SD card 130 is mounted, the latch phase is tuned. Here, all the obtainable phase patterns are obtained, and an optimum latch phase is set from them. Such tuning by acquiring all phases is hereinafter referred to as “full tuning”. FIG. 4 shows the relationship between the clock signal, the SD data signal, and all acquired phase patterns. For the phase pattern, a total of 200 phase patterns are obtained for 100 stages of delay circuits for each of the two outputs from the selector. Areas indicated by 401, 403, 405, and 407 surrounded by solid lines are latchable areas.

データが安定している箇所であり、このエリアでラッチすればデータ化けが発生しない。破線で囲んだ402、404、406で示すエリアがラッチ不可となるエリアである。データの切替りの部分であり、このエリアでラッチするとデータ化けしてしまう可能性がある。図4に示す例の場合、ラッチ可能エリアの中で最も広いエリア403の中央の位相408が最適なラッチ位相として設定される。この時のSDカード130部の温度Toを温度センサ139にて取得しておく。また、フルチューニングにかかった時間も記録しておく。   This is a place where data is stable, and if it is latched in this area, data corruption will not occur. Areas indicated by 402, 404, and 406 surrounded by broken lines are areas that cannot be latched. This is a data switching part, and if it is latched in this area, there is a possibility that data will be garbled. In the example shown in FIG. 4, the center phase 408 of the widest area 403 in the latchable areas is set as the optimum latch phase. The temperature To 139 of the SD card 130 at this time is acquired by the temperature sensor 139. Also record the time taken for full tuning.

ステップS103では、撮像装置100が動画記録を開始する。ステップS104では、符号レート、SDカード130への記録速度、記録単位から、動画撮影時においてSDカード130への記録を行わない時間を算出する。符号レートは撮像装置100が動画のコーデックを行う速度であり、ユーザーによって設定された解像度、フレームレートに応じて決定される。記録速度は、コーデックされた動画データをSDカード130に書き込む速度であり、SDカード130のSPEED CLASSに応じて設定される。   In step S103, the imaging apparatus 100 starts moving image recording. In step S104, the time during which recording on the SD card 130 is not performed during moving image shooting is calculated from the code rate, the recording speed on the SD card 130, and the recording unit. The code rate is a speed at which the imaging apparatus 100 performs the codec of the moving image, and is determined according to the resolution and the frame rate set by the user. The recording speed is a speed at which the coded moving image data is written to the SD card 130, and is set according to the SPEED CLASS of the SD card 130.

記録単位は、SDカード130に書き込む最小のデータサイズであり、システム制御部120によって設定される。このサイズ分だけコーデックされた動画ファイルがメモリ127に蓄積された時にSDカード130への書き込みを開始する。ここで、図5を用いて動画撮影時のSDカード130記録サイクルを説明する。符号レート=12.5MB/s、記録速度=15MB/s、記録単位=6MBとしている。図中t1で示す480msecの期間は動画撮影が開始され12.5MB/sで動画データを符号化し、バメモリ127にデータを蓄積する期間である。   The recording unit is the minimum data size written to the SD card 130 and is set by the system control unit 120. When the moving image file coded by this size is stored in the memory 127, writing to the SD card 130 is started. Here, the recording cycle of the SD card 130 during moving image shooting will be described with reference to FIG. The code rate is 12.5 MB / s, the recording speed is 15 MB / s, and the recording unit is 6 MB. A period of 480 msec indicated by t1 in the figure is a period in which moving image shooting is started, moving image data is encoded at 12.5 MB / s, and the data is stored in the memory 127.

データがメモリ127に記録単位である6MB溜まった時点でデータのSDカード130への記録が開始される。t2で示す400msecの期間は、SDカード130への書き込みと符号化が同時に行われている期間である。記録速度と符号レートの差である2.5MB/sで動画データのメモリ蓄積量は減少していく。SDカード130へ6MB分のデータ記録が完了すると、SDカード130への記録を休止し、符号化のみが行われる状態となる。その期間がt3で示す80msecの期間である。t2の期間で減少した分、メモリ127にデータを蓄積する期間である。   When 6 MB, which is a recording unit, is stored in the memory 127, recording of the data on the SD card 130 is started. A period of 400 msec indicated by t2 is a period in which writing to the SD card 130 and encoding are performed simultaneously. The amount of moving image data stored in memory decreases at 2.5 MB / s, which is the difference between the recording speed and the code rate. When 6 MB of data has been recorded on the SD card 130, recording on the SD card 130 is stopped and only encoding is performed. The period is a period of 80 msec indicated by t3. This is a period in which data is accumulated in the memory 127 by the amount decreased in the period t2.

t3の期間で再びバッファメモリの蓄積量が6MBとなるため、再びSDカードへの記録を開始し、完了すると記録を休止してバッファメモリ蓄積量が6MBになるのを待つ。後は、動画撮影が終了するまでt2とt3の期間を繰り返す。このように、t3の期間がSDカード130への記録を行わない期間であり、動画撮影中におけるチューニング可能な時間となる。ステップS104では、このt3の時間を算出する。   Since the accumulated amount of the buffer memory becomes 6 MB again in the period of t3, the recording to the SD card is started again. When the recording is completed, the recording is paused and the buffer memory is accumulated until the accumulated amount becomes 6 MB. Thereafter, the period of t2 and t3 is repeated until the moving image shooting is completed. As described above, the period t3 is a period in which recording to the SD card 130 is not performed, and is a tunable time during moving image shooting. In step S104, the time t3 is calculated.

ステップS105では、ステップS102で記録したフルチューニングに実行時間と、全位相パターン数、及びステップS104で算出したSDカード130記録休止時間からSDカード130記録休止時間内に取得可能な位相パターン数を下記式によって算出する。
p1=p0×(tc1/tc0)
In step S105, the execution time for the full tuning recorded in step S102, the total number of phase patterns, and the number of phase patterns that can be acquired within the SD card 130 recording pause time from the SD card 130 recording pause time calculated in step S104 are as follows. Calculated by the formula.
p1 = p0 × (tc1 / tc0)

P1はSDカード130記録休止時間に取得する位相パターン数を表し、P0はステップS102でのフルチューニングにおいて取得した全位相パターン数を表す。tc0はステップS102でのフルチューニングに要した総時間、つまり全位相パターン取得および位相の選定、設定に要した時間を表し、tc1はステップS104で算出したチューニング可能時間を表す。   P1 represents the number of phase patterns acquired during the recording pause time of the SD card 130, and P0 represents the total number of phase patterns acquired in the full tuning in step S102. tc0 represents the total time required for the full tuning in step S102, that is, the time required for acquisition and selection and setting of all phase patterns, and tc1 represents the tunable time calculated in step S104.

ここで、ステップS102でフルチューニングにおいて全200の位相パターンを200msecで取得し、その中からラッチ位相の選定と設定までに50msecの計250msecをフルチューニングに要したとする。その場合、ステップS104で算出したSDカード130記録休止時間を80msecとすると、80msec間に取得位相パターン数は64個と算出される。   Here, it is assumed that in step S102, all 200 phase patterns are acquired in 200 msec in full tuning, and a total of 250 msec, which is 50 msec, is required for full tuning from that time to selection and setting of the latch phase. In this case, if the recording pause time of the SD card 130 calculated in step S104 is 80 msec, the number of acquired phase patterns is calculated to be 64 in 80 msec.

ステップS106では、温度計139によってSDカード130部の温度を取得する。ステップS107では、ステップS106で取得した温度TnとステップS102で取得した温度Toの差を算出し、動画撮影による温度上昇によってフルチューニング時からの温度上昇量が所定の閾値以上となったかを判定する。閾値以上であればステップS108に進み、閾値以下であれば、所定時間後に再度温度取得し、温度変化量が閾値以上かの判定を行う。   In step S106, the temperature of the SD card 130 unit is acquired by the thermometer 139. In step S107, the difference between the temperature Tn acquired in step S106 and the temperature To acquired in step S102 is calculated, and it is determined whether or not the temperature increase amount after full tuning has reached a predetermined threshold or more due to the temperature increase due to moving image shooting. . If it is equal to or greater than the threshold value, the process proceeds to step S108.

ステップS108からは、ステップS107で温度上昇が所定以上となったため、温度によって生じるSDクロックに対するデータタイミングのずれを補正するため、ステップS104で算出したチューニング可能時間にてラッチ位相チューニングを行う。   From step S108, since the temperature rise has become more than a predetermined value in step S107, latch phase tuning is performed during the tunable time calculated in step S104 in order to correct the data timing shift with respect to the SD clock caused by the temperature.

ステップS108では、SDカード130記録休止時間になったらステップS105で算出した数だけ、現在設定されているラッチ位相前後の位相パターンの取得を行う。ステップS109では、ステップS108で取得した位相パターンの中に、ラッチ不可エリアが存在するかを判定する。ラッチ不可エリアがある場合はステップS110に進み、ラッチ不可エリアがない場合はステップS111に進む。   In step S108, when the SD card 130 recording pause time is reached, the number of phase patterns before and after the currently set latch phase is acquired by the number calculated in step S105. In step S109, it is determined whether or not an unlatched area exists in the phase pattern acquired in step S108. If there is an area that cannot be latched, the process proceeds to step S110, and if there is no area that cannot be latched, the process proceeds to step S111.

ステップS110では、ステップS108で取得した位相パターン内にラッチ不可エリアがあるため、ラッチ不可エリアに対してマージンを確保するためにラッチ不可エリアから最も遠い位相にラッチ位相を変更する。ステップS111では、ステップS108で取得した位相パターン内にNGエリアがないため、ラッチ位相の補正は不要と判定し、ラッチ位相の変更は行わずにチューニングを終了する。   In step S110, since there is a non-latching area in the phase pattern acquired in step S108, the latch phase is changed to a phase farthest from the non-latching area in order to secure a margin for the non-latching area. In step S111, since there is no NG area in the phase pattern acquired in step S108, it is determined that the correction of the latch phase is unnecessary, and the tuning is finished without changing the latch phase.

図6を用いて、ステップS108〜ステップS110におけるチューニング制御を詳細に説明する。図6はSDクロックと温度変化前と後のSDデータ信号、及び位相パターンの関係を表す。408は、ステップS102でのフルチューニングによって設定されたステップS110にて変更前のラッチ位相である。601で示す範囲内の実線で描いた位相はステップS108でSDカード130記録休止内に取得した位相パターンである。408を中心として、ステップS105で算出した数だけ位相パターンをしている。601で示す範囲外の点線で描いた位相はステップS108では取得されない。   The tuning control in steps S108 to S110 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 6 shows the relationship between the SD clock, the SD data signal before and after the temperature change, and the phase pattern. Reference numeral 408 denotes a latch phase before the change in step S110 set by the full tuning in step S102. The phase drawn with a solid line within the range indicated by 601 is the phase pattern acquired within the recording pause of the SD card 130 in step S108. Centering on 408, as many phase patterns as the number calculated in step S105 are applied. A phase drawn with a dotted line outside the range indicated by 601 is not acquired in step S108.

602、604はラッチ可能エリア、603はラッチ不可エリアを表す。601の範囲の現ラッチ位相408の近くにラッチ不可エリア603が存在している。そのため、取得した位相パターン範囲601におけるラッチ不可エリアとは逆方向の最大位相である605に示す位相にラッチ位相を設定する。   Reference numerals 602 and 604 denote latchable areas, and 603 denotes an unlatching area. A non-latching area 603 exists near the current latch phase 408 in the range 601. Therefore, the latch phase is set to the phase indicated by 605 which is the maximum phase in the opposite direction to the non-latched area in the acquired phase pattern range 601.

このように、温度変化による位相ずれをリアルタイムにチューニングする必要がある状況において、温度上昇前にフルチューニングを行い、そこで設定されたラッチ位相を中心に、可能な範囲で位相パターン取得を行い、その中でラッチ不可エリアに対してマージンのある方向にラッチ位相を変更する。こうすることで、フルチューニングを行う時間がない状況でも温度変化に対してタイミングマージンを確保する方向にラッチ位相を補正し、高速書き込みを行うことが可能となる。   In this way, in a situation where the phase shift due to temperature change needs to be tuned in real time, full tuning is performed before the temperature rises, and the phase pattern is acquired as much as possible around the set latch phase. Among them, the latch phase is changed in a direction having a margin with respect to the unlatched area. In this way, even when there is no time for full tuning, it is possible to correct the latch phase in a direction that secures a timing margin against a temperature change and to perform high-speed writing.

なお、使用するSDカード130の種類によって、ラッチ可能エリアとラッチ不可エリアの範囲が異なる。そこで、ステップS102でのフルチューニング時にラッチ可能エリアとラッチ不可エリアの範囲を記録しておき、その範囲の広さに応じてステップS107におけるチューニング実行の有無を判定する温度変化量の閾値を変更しても良い。ラッチ可能エリアが広いSDカード130は元々タイミングマージンが大きく、それほど頻繁にチューニングを行う必要がないため、温度変化の閾値を大きくし、ラッチ可能エリアが狭いSDカード130は反対にタイミングマージンが少なく、頻繁にチューニングを行う必要があるため、温度変化の閾値を小さくする。   Note that the range of the latchable area and the non-latching area is different depending on the type of the SD card 130 to be used. Therefore, the range of the latchable area and the non-latching area is recorded at the time of the full tuning in step S102, and the temperature change amount threshold value for determining whether or not the tuning is performed in step S107 is changed according to the range. May be. Since the SD card 130 with a wide latchable area originally has a large timing margin and does not need to be tuned so frequently, the temperature change threshold is increased, and the SD card 130 with a narrow latchable area has a small timing margin. Since tuning needs to be performed frequently, the temperature change threshold value is reduced.

こうすることでSDカード130の特性に合わせたタイミングでチューニングを行うことが可能になる。また、予め温度変化量に応じたSDカード130のデータ位相ずれ量のデータを持たせておき、ステップS108にて位相パターンを取得する時の開始位置を、前回のチューニング位置ではなく、温度変化分だけずらした位相としてもよい。そうすることで、より取得可能な位相数が限られる短時間でのチューニングにおいてマージンを確保することが可能である。詳細を図7にて説明する。701はSDカード130の記録休止期間に取得する位相パターン範囲である。   This makes it possible to perform tuning at a timing that matches the characteristics of the SD card 130. Further, the data phase shift amount data of the SD card 130 corresponding to the temperature change amount is previously stored, and the start position when acquiring the phase pattern in step S108 is not the previous tuning position but the temperature change amount. It is good also as a phase shifted only. By doing so, it is possible to secure a margin in the tuning in a short time when the number of phases that can be acquired is limited. Details will be described with reference to FIG. Reference numeral 701 denotes a phase pattern range acquired during the recording pause period of the SD card 130.

702は温度変化量による位相ずれ量データを使用しない場合のチューニング開始位相、つまり前回のチューニングで設定された位相である。この場合、位相取得した範囲内にラッチ不可エリア704はないため、ラッチ位相は702から変更されないが、702の位置にラッチ不可エリア704が近く、マージンが少ない。次に703は、温度変化量に応じた位相ずれ量だけ702からずらした位相である。この場合も位相取得した範囲内にラッチ不可エリア704はないため、ラッチ位相は703から変更されないが、702の位置よりラッチ可能エリア704に対してマージンを確保できている。   Reference numeral 702 denotes a tuning start phase when phase shift amount data based on a temperature change amount is not used, that is, a phase set in the previous tuning. In this case, since there is no non-latching area 704 within the phase acquired range, the latch phase is not changed from 702, but the non-latching area 704 is close to the position 702 and the margin is small. Next, reference numeral 703 denotes a phase shifted from 702 by a phase shift amount corresponding to the temperature change amount. Also in this case, since there is no unlatched area 704 within the phase acquired range, the latch phase is not changed from 703, but a margin can be secured for the latchable area 704 from the position 702.

このように、温度上昇量に応じたよる位相ずれ量を考慮した位相を中心にチューニングを行うことで、より短時間でのチューニングにおいてマージンの確保が可能になる。この時の温度変化量による位相ずれ量のデータについては、適当な値を固定値として持たせても良いし、動画記録終了時にフルチューニングを行い、その際にステップS102でのフルチューニング時からの温度変化量と設定された最適ラッチ位相の変化量を元に予測させても良い。   Thus, by performing tuning around the phase considering the amount of phase shift depending on the amount of temperature rise, it is possible to secure a margin in tuning in a shorter time. As for the data of the phase shift amount due to the temperature change amount at this time, an appropriate value may be given as a fixed value, or full tuning is performed at the end of moving image recording, and at that time, from the time of full tuning in step S102 You may make it predict based on the variation | change_quantity of the temperature change amount, and the optimal latching phase set.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

121 撮像素子
210 レンズ
211 絞り
102及び202 レンズマウント
144 シャッター
122 A/D変換部
144 メモリ制御部
120 システム制御部
127 メモリ
121 Image sensor 210 Lens 211 Apertures 102 and 202 Lens mount 144 Shutter 122 A / D converter 144 Memory controller 120 System controller 127 Memory

Claims (7)

外部デバイスから所定のキャリブレーションデータを受信し、前記外部デバイスへの書き込みを行わない期間に、前記受信データに対してデータラッチの位相を所定量遅延させる遅延手段と、
前記遅延手段で遅延させる遅延量を変更することで取得した複数の位相パターンそれぞれについてラッチ可否を判定し、ラッチ可の位相の一つをデータラッチ位相として設定することでクロックとデータのタイミングずれをチューニングする手段と、
前記外部デバイスの温度を取得する手段とを有し、
起動後に最初に前記外部デバイスが接続された時に、取得可能な全ての位相パターンを取得してチューニングを行い、前記外部デバイスへのデータ記録発生する操作が行われたら、所定時間間隔で前記外部デバイスの温度を取得し、前回ラッチ位相の補正を実施した時からの温度変化が閾値以上になった時、前記外部デバイスへの記録を行わない休止時間に、所定の位相を中心とした前後の位相パターンを前記期間内に可能な数だけ取得し、その中からラッチ位相を選択することを特徴とする電子機器。
A delay means for receiving predetermined calibration data from an external device and delaying a phase of a data latch by a predetermined amount with respect to the received data in a period in which writing to the external device is not performed;
It is determined whether or not to latch each of a plurality of phase patterns acquired by changing the delay amount delayed by the delay means, and one of the latchable phases is set as a data latch phase, so that the timing deviation between the clock and the data is reduced. Means to tune,
Means for obtaining the temperature of the external device,
When the external device is connected for the first time after startup, all the obtainable phase patterns are acquired and tuned, and when an operation for generating data recording to the external device is performed, the external device is set at a predetermined time interval. When the temperature change from when the previous latch phase correction was performed is equal to or greater than a threshold value, the phase before and after the predetermined phase is centered during the pause time when recording to the external device is not performed. An electronic apparatus characterized by acquiring as many patterns as possible within the period, and selecting a latch phase from the patterns.
前記外部デバイスへの記録休止時間に取得した位相パターンの中にラッチ不可の位相領域が含まれてない場合はラッチ位相の変更は行わず、ラッチ不可の位相領域が含まれていた場合は、前記ラッチ位相不可領域から最も遠い位相をラッチ位相として設定することを特徴とする請求項1に記載の電子機器。   If the phase pattern that is not latchable is not included in the phase pattern acquired during the recording pause time to the external device, the latch phase is not changed, and if the phase area that is not latchable is included, The electronic device according to claim 1, wherein a phase farthest from the latch phase impossible region is set as a latch phase. 前記外部デバイスへの記録休止時間に取得する前記位相パターンの数は、前記全ての位相パターンを取得して行うチューニングにおける、取得位相数とチューニング実行時間、及び前記外部デバイスへの記録休止時間から算出することを特徴とする請求項1に記載の電子機器。   The number of phase patterns acquired during the recording pause time to the external device is calculated from the number of acquired phases and the tuning execution time and the recording pause time to the external device in the tuning performed by acquiring all the phase patterns. The electronic device according to claim 1, wherein: 前記全ての位相パターンを取得して行うチューニング時に、ラッチ可位相領域とラッチ不可位相領域の範囲を記録しておき、それぞれの範囲の大きさに応じて、前記温度変化の閾値を変更することを特徴とする請求項1に記載の電子機器。   During tuning performed by acquiring all the phase patterns, the ranges of the latchable phase region and the non-latching phase region are recorded, and the temperature change threshold is changed according to the size of each range. The electronic device according to claim 1. 前記温度変化発生時のチューニング時には、現在設定されている位相を中心とした前後の位相パターンを前記期間内に可能な数だけ取得し、その中からラッチ位相を選択することを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。   During tuning when the temperature change occurs, the number of phase patterns before and after the currently set phase is acquired as many as possible within the period, and a latch phase is selected from the obtained number. The electronic device according to claim 1. 温度変化量に対する前記外部デバイスからのデータ出力タイミングのデータを有し、
前記温度変化発生時のチューニング時に位相取得の中心とする位相は、温度変化量から前記タイミングデータによって算出された量だけ、現在設定されている位相からずらした位相であることを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
Having data output timing data from the external device with respect to the temperature change amount;
The phase as the center of phase acquisition at the time of tuning when the temperature change occurs is a phase shifted from the currently set phase by an amount calculated from the temperature change amount by the timing data. The electronic device according to claim 1.
前記外部デバイスへのデータ記録が発生する操作が終了したら前記全ての位相パターンを取得して行うチューニングを行い、その時の温度情報と位相補正量から温度変化量に対する位相ずれ量を算出し、
前記温度変化発生時のチューニング時に位相取得の中心とする位相は、前記温度変化量に対する位相ずれ量から算出された量だけ、現在設定されている位相からずらした位相であることを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
When the operation to generate data recording to the external device is completed, perform the tuning to obtain all the phase patterns, calculate the phase shift amount with respect to the temperature change amount from the temperature information and the phase correction amount at that time,
The phase as the center of phase acquisition at the time of tuning when the temperature change occurs is a phase shifted from the currently set phase by an amount calculated from the phase shift amount with respect to the temperature change amount. The electronic device according to claim 1.
JP2016228448A 2016-11-25 2016-11-25 Electronic equipment Pending JP2018085662A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016228448A JP2018085662A (en) 2016-11-25 2016-11-25 Electronic equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016228448A JP2018085662A (en) 2016-11-25 2016-11-25 Electronic equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018085662A true JP2018085662A (en) 2018-05-31

Family

ID=62237702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016228448A Pending JP2018085662A (en) 2016-11-25 2016-11-25 Electronic equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2018085662A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2022176358A1 (en) * 2021-02-16 2022-08-25

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2022176358A1 (en) * 2021-02-16 2022-08-25
WO2022176358A1 (en) * 2021-02-16 2022-08-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 Host device, slave device, and data transfer system
JP7320707B2 (en) 2021-02-16 2023-08-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 Host device, slave device and data transfer system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102761688B (en) Image capture apparatus and control method thereof
JP5276308B2 (en) Imaging apparatus and control method thereof
CN102547112B (en) Image pickup apparatus and control method thereof
CN102739939B (en) Image pickup apparatus, and control method thereof
US10511784B2 (en) Imaging apparatus and control method therefor, and external device
JP5709629B2 (en) Imaging apparatus and control method
CN102761689A (en) Image pickup apparatus, lens apparatus and control method thereof
JP2015119206A (en) Image processing system, control method of the same and program
JP2007101907A (en) Autofocus controller, image forming apparatus using same and autofocus control method
US8045015B2 (en) Image pickup apparatus, white balance control method thereof, and storage medium
CN101483717B (en) Digital photographing apparatus and method for controlling the same
JP5917040B2 (en) Image processing apparatus and image processing method
JP2018085662A (en) Electronic equipment
JP2012114655A (en) Object tracking camera system
JP2021078046A (en) Imaging apparatus and control method thereof, and program
US8049792B2 (en) Image capture apparatus
JP2016208648A (en) Electronic apparatus, control method, and program
US7868943B2 (en) Image pickup apparatus and interchangeable lens
US9066020B2 (en) Image capture apparatus and method for controlling the same
JP2012029055A (en) Imaging device, control method of the same, program, and storage medium
JP6669404B2 (en) Imaging device, control method thereof, and control program
JP2016110000A (en) Imaging device
JP2011059707A (en) Imaging apparatus, control method, and user interface display device
JP2005176062A (en) Imaging device and imaging method
JP2018074216A (en) Electronic apparatus