JP2018067660A - トランス及び電力変換装置 - Google Patents

Abstract

【課題】トランスのコアの漏れ磁束を低減するとともにトランスのコアの小型化を図ることができるトランス及び電力変換装置を提供する。【解決手段】コアの一部は、磁気異方性を有する磁気異方部６０を備え、磁気異方部６０は、複数の金属繊維６２が金属繊維６２の短手方向に積層されているとともに、長手方向に連なり、積層方向における金属繊維６２間にはギャップＧが形成されている。【選択図】図５

Description

本発明は、トランス及び電力変換装置に関するものである。

スイッチング電源において、複数のスイッチング素子をフルブリッジ接続又はハーフブリッジ接続した回路では、ソフトスイッチング動作のためにトランスのコイルに直列接続されるインダクタンスが必要とされる。外付けのインダクタに対してトランスの漏れインダクタンスを代用するのが電源全体の小型化に繋がる。十分な漏れインダクタンスを確保するために、トランスの１次側コイルと２次側コイルの間に空間を設けたり、さらに、その空間に透磁率の高いフェライト等の材料を挿入したりする（特許文献１、非特許文献１参照）。

特開２０１０−１７１２２５号公報

「Electromagnetic Integration of High Power Resonant Circuits Comprising High Leakage Inductance Transformers」J.Biela,J.W.Kolar Power Electronic Systems Laboratory,ETH Zurich Zurich,Switzerland

ところで、例えば、図１０に示すように、トランス１００においてＥＥ型コア部１０１における中央磁脚１０２に１次側コイル１０３及び２次側コイル１０４を巻回するとともに漏れインダクタンスを大きくすべく１次側コイル１０３と２次側コイル１０４との間に高透磁率材料１０５を配置する。この場合には、コイルを通過する寄生磁束（漏れ磁束）φ１０も増える。それにより、コイル中の渦電流が増加し、損失が増える。そのため、コアの径を大きくする必要があり、コアの大型化を招いていた。なお、図１０はＥＥ型コア部１０１における左半分を示している。

本発明の目的は、トランスのコアの漏れ磁束を低減するとともにトランスのコアの小型化を図ることができるトランス及び電力変換装置を提供することにある。

請求項１に記載の発明では、１次側コイル、２次側コイル、及び、前記１次側コイル及び前記２次側コイルが巻回されるコアを有するトランスであって、前記コアの少なくとも一部は、磁気異方性を有する磁気異方部を備え、前記磁気異方部は、複数の金属繊維が金属繊維の短手方向に積層されているとともに、長手方向に連なり、積層方向における金属繊維間にはギャップが形成されていることを要旨とする。

請求項１に記載の発明によれば、コアの少なくとも一部に備えられた磁気異方部は、磁気異方性を有し、磁気異方部は、複数の金属繊維が金属繊維の短手方向に積層されているとともに、長手方向に連なり、積層方向における金属繊維間にはギャップが形成されている。よって、磁束が通る方向に直交する方向に磁束が漏れにくくなり、トランスのコアの漏れ磁束を低減するとともにトランスのコアの小型化を図ることができる。

請求項２に記載のように、請求項１に記載のトランスにおいて、前記磁気異方部は、前記コアの一部であって、前記コアの他部と共に磁路を形成し、前記コアの他部には、前記１次側コイルと前記２次側コイルとが巻回され、前記磁気異方部は、前記１次側コイルと前記２次側コイルとの間に配置され、前記磁気異方部と前記コアの他部とは前記長手方向において対向するとよい。

請求項２に記載の発明によれば、トランスのコイルに直列接続されるインダクタを磁気異方部で代用することができる。
請求項３に記載のように、請求項２に記載のトランスにおいて、前記磁気異方部における磁気モーメントの方向の透磁率は、磁気モーメントの方向に直交する方向の透磁率よりも大きいとよい。

請求項３に記載の発明によれば、磁気異方部における磁気モーメントの方向に直交する方向での表面から漏れ磁束が入ることを抑制することが可能となる。
請求項４に記載の発明では、請求項１〜３のいずれか１項に記載のトランスを備え、磁気異方部のインダクタンスを、前記１次側コイル又は前記２次側コイルに直列接続されるインダクタンスとする電力変換装置としている。

請求項４に記載の発明によれば、部品点数を削減することができる。

本発明によれば、トランスのコアの漏れ磁束を低減するとともにトランスのコアの小型化を図ることができる。

（ａ）は実施形態におけるトランスの概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での概略断面図、（ｃ）はトランスの概略右側面図。 （ａ）はコア本体の概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での概略断面図、（ｃ）はコア本体の概略右側面図。 （ａ）は１次側コイル内蔵基板の概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での概略断面図、（ｃ）は１次側コイル内蔵基板の概略右側面図。 （ａ）は２次側コイル内蔵基板の概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での概略断面図、（ｃ）は２次側コイル内蔵基板の概略右側面図。 （ａ）は磁気異方部の概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での概略断面図、（ｃ）は磁気異方部の概略右側面図、（ｄ）は（ｂ）のＢ部の拡大模式図。 実施形態における絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路図。 作用を説明するためのトランスの一部概略断面図。 別例を説明するためのトランスの概略断面図。 （ａ）は別例を説明するためのトランスの概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での概略断面図。 課題を説明するためのトランスの一部概略断面図。

以下、絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータに具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図６に示すように、電力変換装置としての絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１０は、共振形ＤＣ−ＤＣコンバータであって、トランス１１を備えている。トランス１１は１次側コイル（巻線）１１ａと２次側コイル（巻線）１１ｂを備えている。

トランス１１の１次側において、複数のスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がフルブリッジ接続されたブリッジ回路１２を有する。漏れインダクタンス形成用磁性部材による漏れインダクタンスＬｓが１次側コイル１１ａに直列接続されている。

ブリッジ回路１２において正極母線Ｌｐと負極母線Ｌｎとの間にスイッチング素子Ｑ１とスイッチング素子Ｑ２とが直列に接続されている。また、正極母線Ｌｐと負極母線Ｌｎとの間にスイッチング素子Ｑ３とスイッチング素子Ｑ４とが直列に接続されている。各スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４にはそれぞれダイオードＤが逆並列接続されている。スイッチング素子Ｑ１とスイッチング素子Ｑ２との間に中点には、コンデンサＣ１と漏れインダクタンスＬｓとによる直列回路の一端が接続され、当該直列回路の他端には１次側コイル１１ａの一端が接続されている。コンデンサＣ１と漏れインダクタンスＬｓとにより共振回路が構成される。スイッチング素子Ｑ３とスイッチング素子Ｑ４との間に中点には、１次側コイル１１ａの他端が接続されている。２次側コイル１１ｂにおける両端にはコンデンサＣ２が接続されている。２次側コイル１１ｂの一端にはダイオードＤ２が接続されているとともに２次側コイル１１ｂの他端にはダイオードＤ３が接続されている。ダイオードＤ２，Ｄ３のカソード及び２次側コイル１１ｂの中間タップが出力端子となっている。

このように、ブリッジ回路１２において、４つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４がフルブリッジ接続されており、ソフトスイッチング動作のためにトランスの１次側コイル１１ａに漏れインダクタンスＬｓが直列接続されている。つまり、外付けのインダクタに対してトランスの漏れインダクタンスＬｓを代用している。

以下、図６のトランス１１の具体的構造について説明する。
図１（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、トランス２０は、１次側コイル内蔵型基板３０に内蔵された１次側コイル３１、２次側コイル内蔵型基板４０に内蔵された２次側コイル４１、及び、１次側コイル３１及び２次側コイル４１が巻回されるコア５０を有する。コア５０において１次側コイル３１への通電に伴い発生する磁束を通す磁路が形成されることになる。コア５０は、コア本体（ＥＥ型コア部）５１と磁気異方部６０を有し、コア５０の一部は、磁気異方性を有する磁気異方部６０を備えている。図２（ａ），（ｂ），（ｃ）はコア本体５１を示し、図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は１次側コイル内蔵型基板３０を示し、図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は２次側コイル内蔵型基板４０を示し、図５（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は磁気異方部６０を示す。

なお、図面において、水平面を、直交するＸ，Ｙ方向で規定するとともに、上下方向をＺ方向で規定している。
図２（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、コア本体５１は、２つのＥ型コア５２，５３を組み合わせることにより構成されている。Ｅ型コア５２は、長方形の板状をなし水平方向に延設された本体部５２ａと、本体部５２ａの一方の面の中央部からＺ方向に突出する中央磁脚５２ｂと、本体部５２ａの一方の面の端部からＺ方向に突設する両側磁脚５２ｃ，５２ｄとを有する。中央磁脚５２ｂは角柱状をなし、両側磁脚５２ｃ，５２ｄは角柱状をなしている。

Ｅ型コア５３は、長方形の板状をなし水平方向に延設された本体部５３ａと、本体部５３ａの一方の面の中央部からＺ方向に突出する中央磁脚５３ｂと、本体部５３ａの一方の面の端部からＺ方向に突設する両側磁脚５３ｃ，５３ｄとを有する。中央磁脚５３ｂは角柱状をなし、両側磁脚５３ｃ，５３ｄは角柱状をなしている。

そして、Ｅ型コア５２の中央磁脚５２ｂの先端面とＥ型コア５３の中央磁脚５３ｂの先端面とが突き合わされるとともに、Ｅ型コア５２の両側磁脚５２ｃ，５２ｄの先端面とＥ型コア５３の両側磁脚５３ｃ，５３ｄの先端面とが突き合わされる。これによりコア本体５１が構成され、磁路が形成される。つまり、コア本体５１は、磁脚５２ｂ，５３ｂを有し、当該磁脚５２ｂ，５３ｂを通る磁路が形成される。

図３（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、１次側コイル内蔵型基板３０は、１次側コイル３１と、絶縁層（樹脂層）３２と、配線パターン３３，３４を有する。絶縁層３２には平面タイプの１次側コイル３１が埋め込まれている。１次側コイル３１は、金属板、具体的には例えば銅板を所望の形状に打ち抜き形成したものである。１次側コイル３１は、巻線パターンとして渦巻き状をなし、所定のターン数の平面コイルである。絶縁層３２の上面には配線パターン３３が形成されている。配線パターン３３はビアホールＶＨ１を介して１次側コイル３１の一端と電気的に接続されており、配線パターン３３はコイル３１の引き出し部となっている。絶縁層３２の下面には配線パターン３４が形成されている。配線パターン３４はビアホールＶＨ２を介して１次側コイル３１の他端と電気的に接続されており、配線パターン３４はコイル３１の引き出し部となっている。

１次側コイル内蔵型基板３０におけるコイル３１の中心部（巻線の中心）には角形の貫通孔３５が形成されている。１次側コイル内蔵型基板３０におけるコイル３１の外径側（巻線パターンの外周側）には貫通孔３６及び貫通孔３７が形成されている。そして、図１（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、貫通孔３５にはＥ型コア５２の中央磁脚５２ｂが通るとともに貫通孔３６，３７にはＥ型コア５２の両側磁脚５２ｃ，５２ｄが通る。

図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、２次側コイル内蔵型基板４０は、２次側コイル４１と、絶縁層（樹脂層）４２と、配線パターン４３，４４，４５を有する。絶縁層４２には平面タイプの２次側コイル４１が埋め込まれている。２次側コイル４１は、金属板、具体的には例えば銅板を所望の形状に打ち抜き形成したものである。２次側コイル４１は、巻線パターンとして渦巻き状をなし、所定のターン数の平面コイルである。絶縁層４２の上面には配線パターン４３が形成されている。配線パターン４３はビアホールＶＨ３を介して２次側コイル４１の一端と電気的に接続されており、配線パターン４３はコイル４１の引き出し部となっている。絶縁層４２の下面には配線パターン４４が形成されている。配線パターン４４はビアホールＶＨ４を介して２次側コイル４１の他端と電気的に接続されており、配線パターン４４はコイル４１の引き出し部となっている。絶縁層４２の下面には配線パターン４５が形成されている。配線パターン４５はビアホールＶＨ５を介して２次側コイル４１の中間タップ部分と電気的に接続されており、配線パターン４５はコイル４１の中間タップ用引き出し部となっている。

２次側コイル内蔵型基板４０におけるコイル４１の中心部（巻線の中心）には角形の貫通孔４６が形成されている。２次側コイル内蔵型基板４０におけるコイル４１の外径側（巻線パターンの外周側）には貫通孔４７及び貫通孔４８が形成されている。そして、図１（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、貫通孔４６にはＥ型コア５３の中央磁脚５３ｂが通るとともに貫通孔４７，４８にはＥ型コア５３の両側磁脚５３ｃ，５３ｄが通る。

このように、１次側コイル３１は、コア本体５１の磁脚５２ｂの周りに巻回された状態で配置される。２次側コイル４１は、コア本体５１の磁脚５３ｂの周りに巻回され、１次側コイル３１と相対向する状態で配置される。

図５（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、磁気異方部６０は板状をなすとともに四角環状をなしている。磁気異方部６０の中央部における四角形状の貫通孔６１には、図１（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、Ｅ型コア５２，５３の中央磁脚５２ｂ，５３ｂが通る。

図１（ａ），（ｂ），（ｃ）及び図５（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示すように、磁気異方部６０は、コア本体５１の磁脚５２ｂ，５３ｂの延設方向であるＺ方向における相対向する１次側コイル３１と２次側コイル４１との間に配置され、コイル３１，４１の径方向に延在する漏れインダクタンス形成用磁性部材である。磁気異方部６０は、１次側コイル３１と２次側コイル４１との間の空間に配置されている。磁気異方部６０は、コア５０の一部であり、コア５０の他部としてのコア本体５１と共に磁路を形成し、コア５０の他部としてのコア本体５１には、１次側コイル３１と２次側コイル４１とが巻回されている。

図５（ｄ）に示すように、磁気異方部６０は、複数の糸状の金属繊維６２を有する。磁気異方部６０は、コアに形成される磁路での磁束が通るＸ方向に直交するＺ方向において複数の金属繊維６２が金属繊維６２の短手方向に積層されているとともに、コアに形成される磁路での磁束が通るＸ方向において長手方向に連なり、積層方向（Ｚ方向）における金属繊維６２間にはギャップＧが形成されている。磁気異方部６０とコア本体５１（コアの他部）とは金属繊維６２の長手方向（Ｘ方向）において対向している。

磁気異方部６０は、透磁率に異方性があり、コア本体５１の磁脚５２ｂ，５３ｂの延設方向であるＺ方向の透磁率よりコイル３１，４１の径方向であるＸ方向の透磁率が高い。この磁気異方部６０による漏れインダクタンスが１次側コイル３１に直列接続される。つまり、電力変換装置としての絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１０は、トランス２０を備え、磁気異方部６０のインダクタンスを、１次側コイル３１に直列接続されるインダクタンス（漏れインダクタンスＬｓ）としている。

磁気異方部６０における磁気モーメントの方向の透磁率は、磁気モーメントの方向に直交する方向の透磁率よりも大きい。具体的には、コア本体５１（Ｅ型コア５２，５３）の比透磁率は２０００〜３０００である。例えば磁気異方部６０は、Ｘ方向での比透磁率が６０以上、Ｚ方向での比透磁率が１程度である。あるいは、磁気異方部６０は、Ｘ方向での比透磁率が４０〜１００であり、Ｚ方向での比透磁率が１である。好ましくは、磁気異方部６０は、Ｘ方向での比透磁率がＺ方向での比透磁率に比べ１０倍以上とするとよい。

次に、作用について説明する。
磁気異方部６０は、透磁率の異方性があり、縦方向（Ｚ方向）での比透磁率が低く空気の１に近く、横方向（Ｘ方向）での比透磁率が高く例えば６０以上である。よって、縦方向での透磁率が低いために寄生磁束が抑制される。

以下、詳しく説明する。
比較例である図１０においては、ＥＥ型コア部１０１における中央磁脚１０２に１次側コイル１０３及び２次側コイル１０４を巻回するとともに漏れインダクタンスを大きくすべく１次側コイル１０３と２次側コイル１０４との間に高透磁率材料１０５を配置している。この場合には、コイルを通過する寄生磁束（漏れ磁束）φ１０も増えてしまい、コイル中の渦電流が増加して損失が増える。そのため、コアの径を大きくする必要があり、コアの大型化を招いていた。

これに対し図７に示す本実施形態においては、コア本体（ＥＥ型コア部）５１における中央磁脚５２ｂ，５３ｂに１次側コイル３１及び２次側コイル４１を巻回するとともに、漏れインダクタンスを大きくすべく１次側コイル３１と２次側コイル４１との間に磁気異方部６０を配置している。この磁気異方部６０は、コアに形成される磁路での磁束φ１が通る方向の透磁率は、磁束φ１が通る方向に直交する方向の透磁率よりも大きく、図１０における寄生磁束（漏れ磁束）φ１０を規制して小さくすることができる。

よって、図７での漏れ磁束φ２を低減することができ、トランス２０の損失を低減することができる。これにより、コアの径を小さくすることができ、コアを小型化することができる。なお、図７はコア５０における左半分を示している。

また、コア構成部品である電磁鋼板は、積層方向には異方性があるが幅方向には異方性がない。これに対し、本実施形態では幅方向にも異方性がある。よって、本実施形態では、トランスのコアの漏れ磁束を低減することができ、電磁鋼板に比べて渦電流を低減することができる。また、トランスのコアの小型化を図ることができる。

上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）トランス２０の構成として、コア５０の一部は、磁気異方性を有する磁気異方部６０を備え、磁気異方部６０は、複数の金属繊維６２が金属繊維６２の短手方向に積層されているとともに、長手方向に連なり、積層方向における金属繊維６２間にはギャップＧが形成されている。よって、磁束が通る方向に直交する方向に磁束が漏れにくくなり、トランスのコアの漏れ磁束を低減するとともにトランスのコアの小型化を図ることができる。詳しくは、電磁鋼板に比べて本実施形態では渦電流が低減され、電磁鋼板は積層方向には異方性があるが幅方向には異方性がないのに対し、本実施形態では幅方向にも異方性があり、トランスのコアの漏れ磁束を低減することができ、その結果、トランスのコアの小型化を図ることができる。

（２）磁気異方部６０は、コア５０の一部であって、コア５０の他部としてのコア本体５１と共に磁路を形成し、コア５０の他部としのコア本体５１には、１次側コイル３１と２次側コイル４１とが巻回されている。磁気異方部６０は、１次側コイル３１と２次側コイル４１との間の空間に配置され、磁気異方部６０とコア本体５１（コアの他部）とは金属繊維６２の長手方向において対向する。よって、トランスのコイルに直列接続されるインダクタ（コイル）を磁気異方部で代用することができる。つまり、漏れ磁束による渦電流の低減を図ることができるとともにコイルの小型化によるコアの小型化を図ることができ、その結果、トランスのコアの漏れ磁束を低減するとともにトランスのコアの小型化を図ることができる。

（３）磁気異方部６０における磁気モーメントの方向の透磁率は、磁気モーメントの方向に直交する方向の透磁率よりも大きい。よって、磁気異方部６０における磁気モーメントの方向に直交する方向での表面から漏れ磁束φ２が入ることを抑制することが可能となる。

（４）電力変換装置としての絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１０の構成として、上記（１）〜（３）のいずれかのトランス２０を備え、磁気異方部６０のインダクタンスを、１次側コイル３１に直列接続されるインダクタンスとしている。よって、絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１０における部品点数を削減することができる。

実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ 図１においてはコア本体の磁脚５２ｂ，５３ｂの延びる方向において１次側コイル３１、２次側コイル４１を積層したが、これに代わり、図８に示すようにコア本体の磁脚５２ｂ，５３ｂの延びる方向において１次側コイル３１ａ、２次側コイル４１ａ、２次側コイル４１ｂ、１次側コイル３１ｂを積層してもよい、
○ 金属繊維６２は糸状であればよい。

○ コア本体５１は、Ｅ型コア５２とＥ型コア５３を組み合わせたＥＥ型コア部であったが、これに限ることはない。例えば、Ｅ型コアとＩ型コアを組み合わせたＥＩ型コア、Ｕ型コアとＵ型コアを組み合わせたＵＵ型コア、Ｕ型コアとＩ型コアを組み合わせたＵＩ型コア等であってもよい。

○ ブリッジ回路１２は、複数のスイッチング素子をフルブリッジ接続した回路であったが、複数のスイッチング素子をハーフブリッジ接続した回路であってもよい。
○ 磁気異方部のインダクタンスを、１次側コイルに直列接続されるインダクタンスとしたが、磁気異方部のインダクタンスを、２次側コイルに直列接続されるインダクタンスとしてもよい。要は、磁気異方部のインダクタンスを、１次側コイル又は２次側コイルに直列接続されるインダクタンスとすればよい。

○ コア本体（ＥＥ型コア部）５１と漏れインダクタンス形成用の磁気異方部６０とでコアを構成したが、これに限らない。例えば、図９（ａ），（ｂ）に示すように、ＥＥ型コア７０自体の一部または全部を、磁気異方性を有する磁気異方部としてもよい。つまり、コイル３１，４１が巻かれるコア７０が異方性を有しており、磁気異方部は、磁気モーメントの方向に直交する方向において複数の金属繊維が金属繊維の短手方向に積層されているとともに、磁気モーメントの方向において長手方向に連なり、積層方向における金属繊維間にはギャップが形成されていてもよい。

要は、コアの少なくとも一部は、磁気異方性を有する磁気異方部で構成すればよく、磁束が通る方向（図９（ｂ）でのφ５）に直交する方向に磁束が漏れにくくなり、トランスのコアの漏れ磁束を低減するとともにトランスのコアの小型化を図ることができる。

なお、図９（ｂ）におけるＢ部は図５（ｄ）に示す構成となっている。
○ ＤＣ−ＤＣコンバータに具体化したが、他の電力変換装置、例えばインバータに具体化してもよい。

○ 磁気異方部６０は、１次側コイル３１と２次側コイル４１との間の空間に配置されてなくてもよい。例えば、１次側コイル３１と２次側コイル４１との間の絶縁層の内部に配置されてもよい。

１０…絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ、２０…トランス、３１…１次側コイル、４１…２次側コイル、５０…コア、５１…コア本体、６０…磁気異方部、６２…金属繊維、７０…コア、Ｇ…ギャップ。

Claims (4)

1. １次側コイル、２次側コイル、及び、前記１次側コイル及び前記２次側コイルが巻回されるコアを有するトランスであって、
   前記コアの少なくとも一部は、磁気異方性を有する磁気異方部を備え、
   前記磁気異方部は、複数の金属繊維が金属繊維の短手方向に積層されているとともに、長手方向に連なり、積層方向における金属繊維間にはギャップが形成されていることを特徴とするトランス。
2. 前記磁気異方部は、前記コアの一部であって、前記コアの他部と共に磁路を形成し、
   前記コアの他部には、前記１次側コイルと前記２次側コイルとが巻回され、
   前記磁気異方部は、前記１次側コイルと前記２次側コイルとの間に配置され、
   前記磁気異方部と前記コアの他部とは前記長手方向において対向することを特徴とする請求項１に記載のトランス。
3. 前記磁気異方部における磁気モーメントの方向の透磁率は、磁気モーメントの方向に直交する方向の透磁率よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載のトランス。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載のトランスを備え、
   前記磁気異方部のインダクタンスを、前記１次側コイル又は前記２次側コイルに直列接続されるインダクタンスとすることを特徴とする電力変換装置。

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