JP2018063831A - Ｌｅｄ照射装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光量分布におけるバラツキが著しく小さいＬＥＤ照射装置を提供する。【解決手段】ＬＥＤ照射装置は、複数のＬＥＤ群と、制御ドライバ８２と、光量検出部２と、算出部８３と、制御部８５と、を備える。制御ドライバ８２は、複数のＬＥＤ群のそれぞれに対し、個別に制御電流Ｉａを生成して印加する。光量検出部２は、所定方向における走査が可能であり、走査時において、複数のＬＥＤ群のそれぞれと順に対向すると共に、対向したＬＥＤ群が発する光量Ｑを検出する。算出部８３は、複数のＬＥＤ群がそれぞれ発する光量Ｑについて、所定光量Ｑｔからのオフセット値ΔＱを、光量検出部２の検出結果に基づいて個別に算出する。制御部８５は、複数のＬＥＤ群のそれぞれが発する光量が何れも所定光量Ｑｔとなる様に、制御ドライバ８２に、ＬＥＤ群ごとに生成する制御電流Ｉａを、対応するオフセット値ΔＱに基づいて校正させる。【選択図】図３

Description

本発明は、光硬化処理、レジスト改質、表面改質等の処理に用いられる紫外線等の光を照射するＬＥＤ（Light Emitting Diode）照射装置に関する。

精密部品を製造する技術分野において、光硬化処理、レジスト改質、表面改質等の様々な処理に紫外線が用いられる。紫外線を照射する光源として、従来、メタルハライドランプや高圧水銀ランプが用いられていた。近年、紫外線ＬＥＤ（ＵＶ−ＬＥＤ）が実用化され、これに伴い光源として紫外線ＬＥＤが使用されることが多くなってきている。

そして、ＬＥＤ照射装置には、処理対象に対して紫外線が均一に照射される様、処理対象の搬送方向に対して垂直な所定方向に複数のＬＥＤを並べたものが多く存在する（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１１−４０６０５号公報

しかしながら、従来のＬＥＤ照射装置では、上記所定方向における光量分布について、
平均値に対するバラツキを±１０％程度に抑えることが限界であった。このため、従来のＬＥＤ照射装置の用途は、光量分布において±１０％程度のバラツキが許容される処理（例えば、電子部品を被覆する硬化樹脂の光硬化処理等）に限定されざるを得なかった。

その一方で、ＬＥＤ照射装置は、光源としてＬＥＤを用いているため、長寿命、低消費電力、低発熱量、といった利点があり、高い精度が要求される処理へのＬＥＤ照射装置の利用が望まれている。その様な処理には、例えば、数ミクロンオーダーのパターンが形成された半導体ウェハ表面の処理が挙げられる。

そこで本発明の目的は、光量分布におけるバラツキが著しく小さいＬＥＤ照射装置を提供することである。

本発明に係るＬＥＤ照射装置は、複数のＬＥＤ群と、制御ドライバと、光量検出部と、算出部と、制御部と、を備える。複数のＬＥＤ群は、所定方向に並べられており、それぞれが少なくとも１つのＬＥＤ（Light Emitting Diode）を含んでいる。制御ドライバは、複数のＬＥＤ群のそれぞれに対し、個別に制御電流を生成して印加する。光量検出部は、所定方向における走査が可能であり、走査時において、複数のＬＥＤ群のそれぞれと順に対向すると共に、対向したＬＥＤ群が発する光量を検出する。算出部は、複数のＬＥＤ群がそれぞれ発する光量について、所定光量からのオフセット値を、光量検出部の検出結果に基づいて個別に算出する。制御部は、複数のＬＥＤ群のそれぞれが発する光量が何れも所定光量となる様に、制御ドライバに、ＬＥＤ群ごとに生成する制御電流を、対応するオフセット値に基づいて校正させる。

上記ＬＥＤ照射装置によれば、複数のＬＥＤ群のそれぞれが、所定光量を発することができる様に個別に制御されるため、簡易な制御であるにも拘らず、所定方向における光量分布の均一化が高い精度で実現される。

本発明によれば、光量分布におけるバラツキが著しく小さくなる。

第１実施形態に係るＬＥＤ照射装置を概念的に示した斜視図である。 ＬＥＤ照射装置を概念的に示した底面図である。 ＬＥＤ照射装置の構成を示したブロック図である。 ＬＥＤ照射装置における光量制御を示したブロック図である。

図１及び図２はそれぞれ、実施形態に係るＬＥＤ照射装置を概念的に示した斜視図及び底面図である。図３は、ＬＥＤ照射装置の構成を示したブロック図である。図４は、ＬＥＤ照射装置における光量制御を示したブロック図である。図１及び図２に示される様に、ＬＥＤ照射装置は、ＬＥＤ照射部１と、光量検出部２と、冷却部３と、を備える。更に図３に示される様に、ＬＥＤ照射装置は、各部に電力を供給する電力供給部８１と、制御ドライバ８２と、算出部８３と、電流検出部８４と、制御部８５と、を備える。尚、図１では、光量検出部２の図示が省略されている。

ＬＥＤ照射部１は、ハウジング１１と、当該ハウジング１１に収納されたＬＥＤ搭載基板１２と、を備える。ハウジング１１の底壁１１ａには、ＬＥＤ搭載基板１２のＬＥＤ１２２が発した光を通す矩形状の開口部１１ｂが形成されている。ＬＥＤ１２２の光が照射される照射対象は、ハウジング１１の下方位置を水平方向（図２に示される搬送方向ｄ１）に搬送され、当該下方位置を通過する際に、開口部１１ｂから出射された光に晒される。

本実施形態では、開口部１１ｂは、ＬＥＤ１２２が発した光を少なくとも透過させる透光板１１ｃにより塞がれている。透光板１１ｃは、そのクリーニングや取替えが可能又は容易になる様に、着脱可能に開口部１１ｂに取り付けられていることが好ましい。尚、ハウジング１１内には、ＬＥＤ１２２を冷却するための不活性ガスが導入されてもよい。

図２に示される様に、ＬＥＤ搭載基板１２は、配線基板１２１と、当該配線基板１２１に搭載された複数のＬＥＤ１２２と、を含んでいる。本実施形態では、ＬＥＤ１２２にはチップ型ＬＥＤが用いられており、ＬＥＤ搭載基板１２は、チップオンボードタイプのＬＥＤモジュールである。一例として、ＬＥＤ１２２は、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長を持った紫外線を発するものである。尚、ＬＥＤ１２２は、これに限定されない波長の光を発するものであってもよい。又、ＬＥＤ１２２には、砲弾型ＬＥＤが用いられてもよい。配線基板１２１の形成材料には、例えばアルミニウムや銅等、熱伝導率の高い材料が用いられる。

ハウジング１１内において、ＬＥＤ搭載基板１２は、ＬＥＤ１２２の発光面が下方に向けられると共に、底面視（図２参照）において全てのＬＥＤ１２２が開口部１１ｂ内に収まる様に配されている。

具体的には、ＬＥＤ１２２は、ハウジング１１内に配された配線基板１２１の下面（照射対象と対向する面）において、マトリクス状に配されている。より具体的には、照射対象の搬送方向ｄ１と同方向にＬＥＤ１２２を一列に並べてＬＥＤ列４ａ（特許請求の範囲に記載の「ＬＥＤ群」に相当）が形成されると共に、当該ＬＥＤ列４ａが、水平方向であって且つ搬送方向ｄ１に対して垂直な所定方向ｄ２に複数並べられている。本実施形態では、各ＬＥＤ列４ａは、５つのＬＥＤ１２２を一列に並べて形成されている。尚、各ＬＥＤ列４ａを形成するＬＥＤ１２２の個数は５つに限定されるものではない。又、ＬＥＤ搭載基板１２は、所定方向ｄ２にＬＥＤ列４ａが複数並べられたものに限らず、所定方向ｄ２にＬＥＤ１２２が１つずつ並べられたものであってもよい。この場合、所定方向ｄ２に並べられたＬＥＤ１２２の各々が、特許請求の範囲に記載の「ＬＥＤ群」に相当したものとなる。

光量検出部２は、所定方向ｄ２における走査が可能であり、走査時において、複数のＬＥＤ列４ａ（１）〜４ａ（Ｎ）（Ｎは列数）のそれぞれと順に対向する（図２参照）と共に、対向したＬＥＤ列４ａ（ｎ）（ｎは、１≦ｎ≦Ｎを満たす整数）が発する光量Ｑ（ｎ）を検出し、検出結果を実測値Ｑｃ（ｎ）として出力する（図４参照）。

具体的には、光量検出部２は、ボールネジ２１と、駆動部２２と、光量センサ２３と、導光部２４と、を備える（図２参照）。ボールネジ２１は、ネジ部２１１と、当該ネジ部２１１の延在方向においてネジ部２１１の回転に応じた移動が可能なナット部２１２と、を有する。本実施形態において、ボールネジ２１は、ハウジング１１の底壁１１ａの直下において、開口部１１ｂの縁に沿ってネジ部２１１を所定方向ｄ２に延在させた状態で配されている。又、ボールネジ２１は、底面視（図２参照）において、開口部１１ｂと重ならない様に（即ち、ＬＥＤ１２２が発した光を遮断しない様に）配されている。

駆動部２２は、ボールネジ２１のネジ部２１１を回転させる動力源である。一例として、駆動部２２にはモータが用いられる。そして、駆動部２２は、ボールネジ２１のネジ部２１１を順回転又は逆回転させることにより、ボールネジ２１のナット部２１２を、ネジ部２１１の延在方向（即ち、所定方向ｄ２）において往復移動させることができる。

光量センサ２３は、検出面２３ａを有し、当該検出面２３ａでの受光量を出力するセンサである。本実施形態では、光量センサ２３は、ＬＥＤ列４ａ（ｎ）でのＬＥＤ１２２の配列方向と同方向へ検出面２３ａを向けた状態で、ボールネジ２１のナット部２１２に設置されている。

導光部２４は、走査時においてＬＥＤ列４ａ（ｎ）に対向すると共に、対向したＬＥＤ列４ａ（ｎ）が発する光を光量センサ２３へ導くものである。本実施形態では、導光部２４は、石英ロッドであり、光量センサ２３の検出面２３ａから、ＬＥＤ列４ａ（ｎ）の上記配列方向と同方向へ延びている。より具体的には、底面視（図２参照）において、導光部２４は、開口部１１ｂの短手方向において当該開口部１１ｂを跨ぐ様に、光量センサ２３から延びている。

上記光量検出部２によれば、導光部２４には、これと対向するＬＥＤ列４ａ（ｎ）から発せられた光が入射し、導光部２４に入射した光は、導光部２４内で乱反射されて光量センサ２３へ導かれる。従って、ＬＥＤ列４ａ（ｎ）を形成しているＬＥＤ１２２が発する光の積算値が、ＬＥＤ列４ａ（ｎ）が発する光量Ｑ（ｎ）として、光量センサ２３で検出される。

そして、所定方向ｄ２における光量センサ２３の走査時において、後述する制御部８５が、光量センサ２３の位置をロータリエンコーダ等で検出し、ＬＥＤ列４ａ（ｎ）ごとに、そのＬＥＤ列４ａ（ｎ）と対向したときの光量センサ２３の位置と、その位置での光量センサ２３の検出結果（実測値Ｑｃ（ｎ））とを対応付ける。よって、上記光量検出部２によれば、１つの光量センサ２３で、ＬＥＤ列４ａ（１）〜４ａ（Ｎ）の全てについての実測値Ｑｃ（ｎ）を収集することができる。

冷却部３は、ＬＥＤ１２２の発光時におけるＬＥＤ１２２の温度上昇を防止するべく、ＬＥＤ搭載基板１２を冷却する。具体的には、ＬＥＤ１２２の発光時において、配線基板１２１とＬＥＤ１２２との接合部において熱が生じ、当該熱がＬＥＤ１２２の温度（ジャンクション温度）を上昇させる。そして、ＬＥＤ１２２の温度上昇は、ＬＥＤ１２２の発光効率を低下させる原因となる。そこで、配線基板１２１の背面（ＬＥＤ１２２の搭載面とは反対側の面）に冷却部３の冷却面（不図示）を接触させることにより、ＬＥＤ搭載基板１２が冷却され、その結果として、ＬＥＤ１２２の温度上昇が抑制される。冷却部３の冷却面は、例えばアルミニウム等、熱伝導率の高い材料から形成される。

ＬＥＤ搭載基板１２から冷却部３への熱伝導性を高めるべく、配線基板１２１の背面と冷却部３の冷却面との間には、放熱シートやシリコングリースを介在させることが好ましく、熱伝導性を著しく高めるものとしてインジウムペーストや銀ペーストを介在させることがより好ましい。

制御ドライバ８２（図４参照）は、ＬＥＤ列４ａ（１）〜４ａ（Ｎ）のそれぞれに対し、個別に制御電流Ｉａ（１）〜Ｉａ（Ｎ）を生成して印加する。具体的には、制御ドライバ８２は、制御電流Ｉａ（１）〜Ｉａ（Ｎ）をＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御で生成する。本実施形態では、制御ドライバ８２は、ＬＥＤ列４ａ（１）〜４ａ（Ｎ）の全てを制御する１つの制御ドライバで構成されている。尚、制御ドライバ８２の構成は、これに限定されるものではない。例えば、ＬＥＤ列４ａ（ｎ）ごとに、これを制御する制御ドライバ８２が設けられてもよいし、ＬＥＤ列４ａ（１）〜４ａ（Ｎ）を幾つかのグループに分け、グループごとに、これを制御する制御ドライバ８２が設けられてもよい。

制御ドライバ８２は更に、後述する制御部８５からの指令に応じて、制御電流Ｉａ（１）〜Ｉａ（Ｎ）のそれぞれのデューティ比Ｄ（１）〜Ｄ（Ｎ）を個別に調整することができ、当該デューティ比Ｄ（１）〜Ｄ（Ｎ）の調整により制御電流Ｉａ（１）〜Ｉａ（Ｎ）の実効値Ｉｂ（１）〜Ｉｂ（Ｎ）を調整することができる。制御ドライバ８２は、この様に制御電流Ｉａ（１）〜Ｉａ（Ｎ）の実効値Ｉｂ（１）〜Ｉｂ（Ｎ）を調整することにより、ＬＥＤ列４ａ（ｎ）ごとにＬＥＤ１２２の輝度を調整することができる。尚、ＬＥＤ列４ａ（１）〜４ａ（Ｎ）に対して制御ドライバ８２が個別に行う制御には、ＰＷＭ制御に限らず、アナログ制御が用いられてもよい。

算出部８３（図４参照）は、ＬＥＤ列４ａ（１）〜４ａ（Ｎ）がそれぞれ発する光量Ｑ（１）〜Ｑ（Ｎ）について、所定光量Ｑｔからのオフセット値ΔＱ（１）〜ΔＱ（Ｎ）を、光量検出部２の検出結果（実測値Ｑｃ（１）〜Ｑｃ（Ｎ））に基づいて個別に算出する。一例として、算出部８３は、オフセット値ΔＱ（ｎ）を、ΔＱ（ｎ）＝Ｑｃ（ｎ）−Ｑｔの計算式により算出する。尚、計算式には、オフセット値を規定することができる他の計算式が用いられてもよい。本実施形態では、算出部８３は、オフセット値ΔＱ（１）〜ΔＱ（Ｎ）の全てを算出する１つの算出部で構成されている。尚、算出部８３の構成は、これに限定されるものでない。例えば、オフセット値ΔＱ（ｎ）ごとに、これを算出する算出部８３が設けられてもよい。

電流検出部８４（図４参照）は、ＬＥＤ列４ａ（１）〜４ａ（Ｎ）のそれぞれについて、発光時に印加される制御電流Ｉａ（１）〜Ｉａ（Ｎ）の実効値Ｉｂ（１）〜Ｉｂ（Ｎ）を個別に検出し、検出結果を実測値Ｉｃ（１）〜Ｉｃ（Ｎ）として出力する。本実施形態では、電流検出部８４は、制御電流Ｉａ（１）〜Ｉａ（Ｎ）の全てを検出する１つの検出部で構成されている。尚、電流検出部８４の構成は、これに限定されるものではない。例えば、制御電流Ｉａ（ｎ）ごとに、これを算出する電流検出部８４が設けられてもよい。

制御部８５（図４参照）は、電流検出部８４の検出結果（実測値Ｉｃ（１）〜Ｉｃ（Ｎ））に基づいて、制御ドライバ８２をフィードバック制御する。具体的には、制御部８５は、実測値Ｉｃ（ｎ）の値と、その値のときに補正させるべきデューティ比Ｄ（ｎ）の補正後の値（補正デューティ比Ｄｃ（ｎ））と、を対応付けたテーブルデータを有している。そして、制御部８５は、電流検出部８４から得た実測値Ｉｃ（ｎ）に対応する補正デューティ比Ｄｃ（ｎ）を、テーブルデータを参照して取得する。その後、制御部８５は、制御ドライバ８２に、ＬＥＤ列４ａ（ｎ）ごとに生成する制御電流Ｉａ（ｎ）のデューティ比Ｄ（ｎ）を、補正デューティ比Ｄｃ（ｎ）に変更させる。

制御電流Ｉａ（ｎ）の実測値Ｉｃ（ｎ）の変化は、ＬＥＤ列４ａを形成しているＬＥＤ１２２の温度変化に伴って生じるものである。具体的には、ＬＥＤ１２２の温度上昇に伴い、実測値Ｉｃ（ｎ）は上昇し、その一方でＬＥＤ１２２の輝度が低下する。これとは逆に、ＬＥＤ１２２の温度低下に伴い、実測値Ｉｃ（ｎ）は低下し、その一方でＬＥＤ１２２の輝度は上昇する。そこで、上述したフィードバック制御が実行されることにより、温度変化に伴う実測値Ｉｃ（ｎ）の変化に応じて制御電流Ｉａ（ｎ）が補正され、その結果として、温度変化に伴う光量Ｑ（ｎ）の変化が精度良く抑制される。

上記フィードバック制御に加えて、制御部８５（図４参照）は、ＬＥＤ列４ａ（１）〜４ａ（Ｎ）のそれぞれが発する光量Ｑ（１）〜Ｑ（Ｎ）（具体的には、実測値Ｑｃ（１）〜Ｑｃ（Ｎ））が何れも所定光量Ｑｔとなる様に、制御ドライバ８２に、ＬＥＤ列４ａ（ｎ）ごとに生成する制御電流Ｉａ（ｎ）を、対応するオフセット値ΔＱ（ｎ）に基づいて校正させる。具体的には、制御部８５は、制御ドライバ８２に、ＬＥＤ列４ａ（ｎ）ごとに生成する制御電流Ｉａ（ｎ）のデューティ比Ｄ（ｎ）を、対応するオフセット値ΔＱ（ｎ）に基づいて校正させる。

所定光量Ｑｔからの光量Ｑ（ｎ）のずれ（オフセット）は、例えば、ＬＥＤ１２２や透光板１１ｃへの汚れの付着により光の透過率が低下することで生じるものであり、上述した温度変化とは別の要因で生じるものである。この様に温度変化とは別の要因で生じた光量Ｑ（ｎ）のずれは、上述したフィードバック制御では補正することが難しい。そこで、フィードバック制御に加えて、オフセット値ΔＱ（ｎ）に基づく制御電流Ｉａ（ｎ）の校正が実行されることにより、温度変化とは別の要因（ＬＥＤ１２２や透光板１１ｃへの汚れの付着等）で生じた光量Ｑ（ｎ）のずれに応じて制御電流Ｉａ（ｎ）が補正（校正）され、その結果として、温度変化とは別の要因で生じ得る光量Ｑ（ｎ）のずれが精度良く抑制される。

算出部８３及び制御部８５は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やマイクロコンピュータ等、様々な制御処理装置で構成される。また、算出部８３及び制御部８５の各々が行う処理は、対応する一連のプログラムをＬＥＤ照射装置に実行させることにより、実現されてもよい。そして、そのようなプログラムは、読み取り可能な状態で記憶媒体（例えば、フラッシュメモリ等）に記憶されていてもよいし、装置内の設けられた記憶部に記憶されていてもよい。

上記ＬＥＤ照射装置によれば、ＬＥＤ列４ａ（１）〜４ａ（Ｎ）のそれぞれが、所定光量Ｑｔを発することができる様に個別に制御されるため、簡易な制御であるにも拘らず、所定方向ｄ２における光量分布の均一化が高い精度で実現される。即ち、ＬＥＤ列４ａ（ｎ）を形成しているＬＥＤ１２２が発する光の積算値が、全てのＬＥＤ列４ａ（１）〜（Ｎ）で均一化される。

そして、本実施形態では、制御電流Ｉａ（１）〜Ｉａ（Ｎ）がＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御で生成されるため、ＬＥＤ１２２の調光をデジタル制御で行うことが可能となっている。従って、光量分布の均一化をより高い精度で実現することが可能となっている。

よって、上記ＬＥＤ照射装置によれば、光量分布におけるバラツキが著しく小さくなる。具体的には、上記ＬＥＤ照射装置によれば、所定方向ｄ２における光量分布のバラツキを±１％程度まで抑えることが可能となる。よって、上記ＬＥＤ照射装置は、例えば、数ミクロンオーダーのパターンが形成された半導体ウェハ表面の処理等、高い精度が要求される処理に利用することができる。

尚、上記ＬＥＤ照射装置は、フィードバック制御を行わずに、オフセット値ΔＱ（ｎ）に基づく制御電流Ｉａ（ｎ）の校正を実行するものに変形されてもよい。

上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。更に、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

１ ＬＥＤ照射部
２ 光量検出部
３ 冷却部
４ａ ＬＥＤ列
１１ ハウジング
１１ａ 底壁
１１ｂ 開口部
１１ｃ 透光板
１２ ＬＥＤ搭載基板
２１ ボールネジ
２２ 駆動部
２３ 光量センサ
２３ａ 検出面
２４ 導光部
８１ 電力供給部
８２ 制御ドライバ
８３ 算出部
８４ 電流検出部
８５ 制御部
１２１ 配線基板
１２２ ＬＥＤ
２１１ ネジ部
２１２ ナット部
ｄ１ 搬送方向
ｄ２ 所定方向
Ｄ デューティ比
Ｄｃ 補正デューティ比
Ｉａ 制御電流
Ｉｂ 実効値
Ｉｃ 実測値
Ｑ 光量
Ｑｃ 実測値
Ｑｔ 所定光量
ΔＱ オフセット値

Claims (6)

1. 所定方向に並べられており、それぞれが少なくとも１つのＬＥＤ（Light Emitting Diode）を含む複数のＬＥＤ群と、
   前記複数のＬＥＤ群のそれぞれに対し、個別に制御電流を生成して印加する制御ドライバと、
   前記所定方向における走査が可能であり、走査時において、前記複数のＬＥＤ群のそれぞれと順に対向すると共に、対向したＬＥＤ群が発する光量を検出する光量検出部と、
   前記複数のＬＥＤ群がそれぞれ発する光量について、所定光量からのオフセット値を、前記光量検出部の検出結果に基づいて個別に算出する算出部と、
   前記複数のＬＥＤ群のそれぞれが発する光量が何れも前記所定光量となる様に、前記制御ドライバに、前記ＬＥＤ群ごとに生成する前記制御電流を、対応する前記オフセット値に基づいて校正させる、制御部と、
   を備える、ＬＥＤ照射装置。
2. 前記制御ドライバは、前記制御電流をＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御で生成し、
   前記制御部は、前記制御ドライバに、前記ＬＥＤ群ごとに生成する前記制御電流のデューティ比を、対応する前記オフセット値に基づいて校正させる、請求項１に記載のＬＥＤ照射装置。
3. 前記複数のＬＥＤ群は、各々が、前記所定方向に対して垂直な方向に複数のＬＥＤが一列に並んで構成されたＬＥＤ列であり、
   前記光量検出部は、光量センサと、導光部と、を有し、当該導光部は、走査時において前記ＬＥＤ列に対向すると共に、対向したＬＥＤ列が発する光を前記光量センサへ導く、請求項１又は２に記載のＬＥＤ照射装置。
4. 前記導光部は、前記ＬＥＤ列と同方向に前記光量センサから延びた石英ロッドである、請求項３に記載のＬＥＤ照射装置。
5. 前記光量検出部は、ボールネジを更に備え、
   ボールネジは、前記所定方向に延在したネジ部と、当該ネジ部の延在方向において前記ネジ部の回転に応じた移動が可能なナット部と、を有し、当該ナット部に前記光量センサが設置されている、請求項３又は４に記載のＬＥＤ照射装置。
6. 前記複数のＬＥＤ群のそれぞれについて、発光時に印加される前記制御電流の実効値を個別に検出する電流検出部を更に備え、
   前記制御部は、前記電流検出部の検出結果に基づいて、前記制御ドライバをフィードバック制御する、請求項１〜５の何れかに記載のＬＥＤ照射装置。

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