JP2018049923A

JP2018049923A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: JP2018049923A
Application number: JP2016184215A
Authority: JP
Inventors: 励武明; Rei Takeaki; 弘晃石井; Hiroaki Ishii
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2016-09-21
Filing date: 2016-09-21
Publication date: 2018-03-29

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus in which a processing solution is suppressed from reaching a device pattern area on a substrate surface so that substrate processing can be properly performed.SOLUTION: A bubble supply part 80 for supplying bubbles 81 to an inner wall surface of an upper cup 11 is disposed to the upper cup 11. The bubble supply part 80 is disposed at a position where bubbles are supplied into a region in the vicinity of a position where a processing solution is ejected to a semiconductor wafer W from processing solution discharge nozzles 42, 43, 44 at the inner wall surface of the upper cup 11. The bubble supply part 80 supplies bubbles to a tilted collision surface where a processing solution scattered from the semiconductor wafer W collides.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

この発明は、回転する基板に対して処理液を供給することによりこの基板を処理する基板処理装置に関し、特に、半導体ウエハのような、外形が略円形の形状を有する基板の周縁部に対して処理を実行する場合に好適な基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid to a rotating substrate, and particularly to a peripheral portion of a substrate having a substantially circular shape, such as a semiconductor wafer. The present invention relates to a substrate processing apparatus suitable for executing processing.

このような基板の表面に形成されるデバイスパターンは、基板の周縁から一定距離だけ離隔した内側領域に形成される。一方、デバイスパターンを形成するための成膜工程においては、基板の表面全域に対して成膜が実行されることになる。このため、基板の周縁領域に形成された膜は不要であるばかりではなく、この膜が後段の処理工程で基板から離脱してデバイスパターン領域に付着した場合等においては、基板の処理品質が低下する。また、この膜が後段の処理工程の障害となることもある。 The device pattern formed on the surface of the substrate is formed in an inner region that is separated from the peripheral edge of the substrate by a certain distance. On the other hand, in the film forming process for forming the device pattern, the film is formed on the entire surface of the substrate. For this reason, the film formed in the peripheral region of the substrate is not only unnecessary, but the processing quality of the substrate is deteriorated when this film is detached from the substrate in the subsequent processing step and adheres to the device pattern region. To do. In addition, this film may become an obstacle to subsequent processing steps.

このため、ベベルとも呼称される基板におけるデバイスパターンの外側の周縁部に対してエッチング液等を供給することにより、周縁部に形成された膜を除去する基板処理装置も採用されている（特許文献１および特許文献２参照）。 For this reason, a substrate processing apparatus that removes a film formed on the peripheral portion by supplying an etching solution or the like to the peripheral portion on the outer side of the device pattern on the substrate, which is also called a bevel, has been adopted (Patent Document). 1 and Patent Document 2).

このような基板処理装置においては、基板をスピンチャックにより保持した状態で基板の中心を回転中心として回転させる。そして、基板の周縁部の上方に処理液吐出ノズルを配置し、この処理液吐出ノズルから連続して回転する基板の周縁部に処理液を供給する。これにより、基板の周縁部に形成された膜がエッチングされ、除去される。 In such a substrate processing apparatus, the substrate is rotated about the center of the substrate while the substrate is held by a spin chuck. Then, a processing liquid discharge nozzle is disposed above the peripheral edge of the substrate, and the processing liquid is supplied from the processing liquid discharge nozzle to the peripheral edge of the substrate that rotates continuously. Thereby, the film formed on the peripheral edge of the substrate is etched and removed.

特開２０１１−０６６１９４号公報JP 2011-066194 A 特開２００９−０７０９４６号公報JP 2009-070946 A

特許文献１または特許文献２に記載された基板処理装置においては、スピンチャックにより保持されて回転する基板の周縁部に連続して処理液を吐出する構成であることから、処理液吐出ノズルより基板の周縁部に吐出された処理液は、基板の回転に伴って、基板の周縁部上面における供給位置から、基板の外側に飛散する。このため、スピンチャックに保持されて回転する基板の外周部には、基板より飛散する処理液を捕獲するためのカップが配設されている。 In the substrate processing apparatus described in Patent Document 1 or Patent Document 2, since the processing liquid is continuously discharged to the peripheral portion of the substrate held and rotated by the spin chuck, the substrate is discharged from the processing liquid discharge nozzle. The processing liquid discharged to the peripheral edge of the substrate scatters to the outside of the substrate from the supply position on the upper surface of the peripheral edge of the substrate as the substrate rotates. For this reason, a cup for capturing the processing liquid scattered from the substrate is disposed on the outer peripheral portion of the substrate held and rotated by the spin chuck.

ところで、このような基板処理装置においては、基板の回転に伴って、カップ内に基板の回転方向と同一方向に周回する空気の流れが発生している。このため、基板から飛散し、カップにより捕獲される処理液がカップとの衝突時に飛散し、この処理液の一部が空気の流れに乗って基板の表面に到達する場合がある。この処理液が基板の表面におけるデバイスパターン領域に付着した場合においては、デバイスパターンに欠陥が生じるという問題が発生する。 By the way, in such a substrate processing apparatus, with the rotation of the substrate, an air flow that circulates in the same direction as the rotation direction of the substrate is generated in the cup. For this reason, the processing liquid scattered from the substrate and captured by the cup may be scattered at the time of collision with the cup, and a part of the processing liquid may ride on the air flow and reach the surface of the substrate. When this processing liquid adheres to the device pattern region on the surface of the substrate, there arises a problem that a defect occurs in the device pattern.

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、処理液が基板表面のデバイスパターン領域に到達することを抑制し、基板の処理を適正に実行することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and provides a substrate processing apparatus capable of suppressing the processing liquid from reaching the device pattern region on the surface of the substrate and appropriately processing the substrate. The purpose is to do.

請求項１に記載の発明は、基板の主面を略水平とした状態で保持するとともに、前記基板を当該基板の中心を回転中心として回転させるスピンチャックと、前記スピンチャックに保持されて回転する基板に処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、前記スピンチャックに保持されて回転する基板の外周部に配設され、前記基板より飛散する処理液を捕獲するカップと、を備えた基板処理装置において、前記カップの内壁面に泡を供給する泡供給部を備えたことを特徴とする。 According to the first aspect of the present invention, the main surface of the substrate is held in a substantially horizontal state, and the spin chuck that rotates the substrate with the center of the substrate as the center of rotation, and the spin chuck holds and rotates. A substrate processing apparatus comprising: a processing liquid discharge nozzle that discharges a processing liquid to a substrate; and a cup that is disposed on an outer peripheral portion of the rotating substrate held by the spin chuck and captures the processing liquid scattered from the substrate. And a bubble supply unit for supplying bubbles to the inner wall surface of the cup.

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記基板は、その外形が略円形の形状を有し、前記処理液吐出ノズルは、前記スピンチャックに保持されて回転する基板の周縁部に処理液を吐出する。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the substrate has a substantially circular outer shape, and the processing liquid discharge nozzle is held by the spin chuck and rotates. The processing liquid is discharged to the peripheral edge of the substrate.

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記泡供給部は、少なくとも、前記処理液吐出ノズルから基板に対して吐出された処理液が、当該基板から飛散して前記カップに衝突する位置に対して泡を供給する。 According to a third aspect of the present invention, in the invention according to the second aspect, the bubble supply unit is configured such that at least the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle to the substrate is scattered from the substrate. Supply foam to the position where it hits the cup.

請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記処理液吐出ノズルによる基板への処理液の供給位置よりも基板の回転方向の上流側の位置において、前記スピンチャックに保持されて回転する基板の周縁部に気体を吐出する気体吐出ノズルをさらに備え、前記泡供給部は、少なくとも、前記気体吐出ノズルから基板に対して吐出された気体により、処理液が前記基板から飛散して前記カップに当接する位置に対して泡を供給する。 According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the spin chuck is held at a position upstream of the processing liquid supply position to the substrate by the processing liquid discharge nozzle in the rotation direction of the substrate. And a gas discharge nozzle that discharges gas to the periphery of the rotating substrate, and the bubble supply unit scatters the processing liquid from the substrate by at least the gas discharged from the gas discharge nozzle to the substrate. Then, bubbles are supplied to a position where the cup comes into contact with the cup.

請求項５に記載の発明は、請求項２から請求項４のいずれかに記載の発明において、前記カップは、前記基板より飛散する処理液が衝突する衝突面を備え、前記衝突面は、上部が前記スピンチャックに保持されて回転する基板に近接し、下部が前記スピンチャックに保持されて回転する基板から離隔する傾斜面から構成されるとともに、前記泡供給部は、前記衝突面に向けて泡を供給する。 According to a fifth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the second to fourth aspects, the cup includes a collision surface on which a processing liquid scattered from the substrate collides, and the collision surface is an upper portion. Is formed of an inclined surface that is close to the rotating substrate held by the spin chuck and the lower part is separated from the rotating substrate held by the spin chuck, and the bubble supply unit is directed toward the collision surface. Supply foam.

請求項６に記載の発明は、外形が略円形の形状を有する基板の主面を略水平とした状態で保持するとともに、前記基板を当該基板の中心を回転中心として回転させるスピンチャックと、前記スピンチャックに保持されて回転する基板の周縁部に処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、前記スピンチャックに保持されて回転する基板の外周部に配設され、前記基板より飛散する処理液を捕獲するカップと、を備えた基板処理装置において、前記スピンチャックに保持されて回転する基板の周縁部に泡を吐出する泡吐出ノズルを備えたことを特徴とする。 The invention according to claim 6 is a spin chuck that holds the main surface of the substrate having a substantially circular outer shape in a substantially horizontal state, and rotates the substrate about the center of the substrate, A processing liquid discharge nozzle that discharges the processing liquid to the peripheral edge of the rotating substrate held by the spin chuck, and a processing liquid that is disposed on the outer peripheral portion of the rotating substrate held by the spin chuck and scatters from the substrate. A substrate processing apparatus comprising a cup for capturing, comprising a bubble discharge nozzle for discharging bubbles to a peripheral portion of a substrate held and rotated by the spin chuck.

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記泡吐出ノズルは、前記処理液吐出ノズルによる基板への処理液の供給位置よりも基板の回転方向の上流側の位置に泡を吐出する。 The invention according to claim 7 is the invention according to claim 6, wherein the bubble discharge nozzle is located at a position upstream of the processing liquid supply position to the substrate by the processing liquid discharge nozzle in the rotation direction of the substrate. Discharge the foam.

請求項８に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記泡吐出ノズルは、前記処理液吐出ノズルによる基板への処理液の供給位置よりも、前記スピンチャックに保持されて回転する基板の半径方向において回転中心側の位置に泡を吐出する。 According to an eighth aspect of the present invention, in the invention of the sixth aspect, the bubble discharge nozzle rotates while being held by the spin chuck rather than a processing liquid supply position to the substrate by the processing liquid discharge nozzle. Bubbles are discharged to a position on the rotation center side in the radial direction of the substrate.

請求項９に記載の発明は、請求項７または請求項８に記載の発明において、前記泡吐出ノズルによる基板への泡の供給位置よりも基板の回転方向の上流側の位置において、前記スピンチャックに保持されて回転する基板の周縁部に気体を吐出する気体吐出ノズルをさらに備える。 A ninth aspect of the present invention is the spin chuck according to the seventh or eighth aspect, wherein the spin chuck is located at a position upstream of the position of supplying bubbles to the substrate by the bubble discharge nozzle in the rotation direction of the substrate. And a gas discharge nozzle that discharges gas to the periphery of the substrate held and rotated.

請求項１０に記載の発明は、請求項１から請求項９のいずれかに記載の発明において、純水と界面活性剤との混合液を貯留する貯留部と、前記貯留部から前記泡供給部または前記泡吐出ノズルに対して前記貯留部に貯留された純水と界面活性剤との混合液を圧送する圧送部と、を備える。 The invention according to claim 10 is the invention according to any one of claims 1 to 9, wherein the storage part stores a mixed liquid of pure water and a surfactant, and the foam supply part extends from the storage part. Alternatively, a pumping unit that pumps a liquid mixture of pure water and a surfactant stored in the storage unit with respect to the foam discharge nozzle is provided.

請求項１に記載の発明によれば、カップの内壁面に供給された泡の作用で処理液を捕獲することにより、処理液が基板表面のデバイスパターン領域に到達することを抑制することができ、基板の処理を適正に実行することが可能となる。 According to the first aspect of the present invention, it is possible to suppress the processing liquid from reaching the device pattern region on the substrate surface by capturing the processing liquid by the action of bubbles supplied to the inner wall surface of the cup. Thus, it is possible to properly execute the processing of the substrate.

請求項２および請求項３に記載の発明によれば、回転する基板の端縁から飛散する処理液が、基板の周縁部より内側のデバイスパターン領域に到達することを抑制することができ、基板の周縁部の処理を適正に実行することが可能となる。 According to invention of Claim 2 and Claim 3, it can suppress that the process liquid which scatters from the edge of the board | substrate to rotate reaches | attains the device pattern area | region inside a peripheral part of a board | substrate, It is possible to properly execute the processing of the peripheral portion.

請求項４および請求項５に記載の発明によれば、気体吐出ノズルからの気体で基板の周縁部に残存する処理液を除去することにより、基板の周縁部に残存する処理液と処理液吐出ノズルより吐出される処理液とが衝突して液跳ねが生じ、この処理液が基板表面のデバイスパターン領域に到達することを抑制することが可能となる。 According to the fourth and fifth aspects of the present invention, the processing liquid remaining on the peripheral portion of the substrate and the processing liquid discharge are removed by removing the processing liquid remaining on the peripheral portion of the substrate with the gas from the gas discharge nozzle. It is possible to prevent the treatment liquid ejected from the nozzle from colliding and causing liquid splash and reaching the device pattern region on the substrate surface.

請求項６から請求項８に記載の発明によれば、基板の周縁部に供給された泡の作用により、基板の周縁部に残存する処理液と処理液吐出ノズルより吐出される処理液とが衝突して生じる液跳ねを捕獲することができる。これにより、この処理液が基板表面のデバイスパターン領域に到達することを抑制することが可能となる According to the invention described in claims 6 to 8, the processing liquid remaining on the peripheral edge of the substrate and the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle are caused by the action of bubbles supplied to the peripheral edge of the substrate. It is possible to capture the liquid splash generated by the collision. Thereby, it becomes possible to suppress that this processing liquid reaches the device pattern region on the substrate surface.

請求項９に記載の発明によれば、気体吐出ノズルからの気体で基板の周縁部に残存する処理液を除去することにより、基板の周縁部に残存する処理液と処理液吐出ノズルより吐出される処理液とが衝突して液跳ねが生じ、この処理液が基板表面のデバイスパターン領域に到達することを抑制することが可能となる。 According to the ninth aspect of the present invention, the processing liquid remaining on the peripheral portion of the substrate is removed by the gas from the gas discharge nozzle and discharged from the processing liquid discharge nozzle from the processing liquid remaining on the peripheral portion of the substrate. It is possible to prevent the processing liquid from colliding with the processing liquid and causing the processing liquid to reach the device pattern region on the substrate surface.

請求項１０に記載の発明によれば、貯留槽に貯留された純水と界面活性剤との混合液を泡供給部または泡吐出ノズルに圧送することにより、泡を効果的に作成することが可能となる。 According to invention of Claim 10, a foam can be created effectively by pumping the liquid mixture of the pure water and surfactant which were stored by the storage tank to a foam supply part or a foam discharge nozzle. It becomes possible.

この発明に係る基板処理装置を模式的に示す正面概要図である。1 is a schematic front view schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention. この発明に係る基板処理装置の要部を示す平面概要図である。It is a plane schematic diagram which shows the principal part of the substrate processing apparatus which concerns on this invention. この発明に係る基板処理装置の要部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the principal part of the substrate processing apparatus which concerns on this invention. 処理液吐出ノズル４２、４３、４４から半導体ウエハＷの周縁部に処理液を供給する状態を示す模式図である。4 is a schematic diagram showing a state in which processing liquid is supplied from the processing liquid discharge nozzles 42, 43, and 44 to the peripheral edge of the semiconductor wafer W. FIG. 上カップ１１およびそこに付設された泡供給部８０と半導体ウエハＷとの配置を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the arrangement of an upper cup 11 and a bubble supply unit 80 attached thereto and a semiconductor wafer W. 上カップ１１およびそこに付設された泡供給部８０と半導体ウエハＷとの配置を示す部分的な縦断面図である。FIG. 3 is a partial longitudinal sectional view showing the arrangement of an upper cup 11 and a bubble supply unit 80 attached thereto and a semiconductor wafer W. 泡供給部８０への純水と界面活性剤との混合液の供給機構を示す概要図である。3 is a schematic diagram showing a supply mechanism of a mixed liquid of pure water and a surfactant to a foam supply unit 80. FIG. この発明の第２実施形態に係る上カップ１１およびそこに付設された泡供給部８０と半導体ウエハＷとの配置を示す平面図である。It is a top view which shows arrangement | positioning with the upper cup 11 which concerns on 2nd Embodiment of this invention, the bubble supply part 80 attached to it, and the semiconductor wafer W. FIG. この発明の第３実施形態に係る上カップ１１およびそこに付設された泡供給部８０と半導体ウエハＷとの配置を示す平面図である。It is a top view which shows arrangement | positioning with the upper cup 11 which concerns on 3rd Embodiment of this invention, the bubble supply part 80 attached to it, and the semiconductor wafer W. FIG. 上カップ１１と半導体ウエハＷとの配置を示す部分的な縦断面図である。3 is a partial longitudinal sectional view showing the arrangement of an upper cup 11 and a semiconductor wafer W. FIG. この発明の第４実施形態に係る基板処理装置を模式的に示す正面概要図である。It is a front schematic diagram which shows typically the substrate processing apparatus which concerns on 4th Embodiment of this invention. この発明の第４実施形態に係る基板処理装置の要部を示す平面概要図である。It is a plane schematic diagram which shows the principal part of the substrate processing apparatus which concerns on 4th Embodiment of this invention. この発明の第４実施形態に係る基板処理装置の要部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the principal part of the substrate processing apparatus which concerns on 4th Embodiment of this invention. ノズルヘッド３１が半導体ウエハＷの周縁部付近への泡、窒素ガスまたは処理液の供給位置に配置されたときの、ノズルヘッド３１と半導体ウエハＷ等との配置関係を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing an arrangement relationship between the nozzle head 31 and the semiconductor wafer W when the nozzle head 31 is arranged at a position where bubbles, nitrogen gas or processing liquid is supplied near the periphery of the semiconductor wafer W. この発明の第５実施形態に係る基板処理装置におけるノズルヘッド３１が半導体ウエハＷの周縁部付近への泡、窒素ガスまたは処理液の供給位置に配置されたときの、ノズルヘッド３１と半導体ウエハＷ等との配置関係を示す平面図である。The nozzle head 31 and the semiconductor wafer W when the nozzle head 31 in the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention is arranged at the position where bubbles, nitrogen gas or processing liquid is supplied near the periphery of the semiconductor wafer W. It is a top view which shows the arrangement | positioning relationship with these.

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係る基板処理装置を模式的に示す正面概要図である。また、図２は、この発明に係る基板処理装置の要部を示す平面概要図である。さらに、図３は、この発明に係る基板処理装置の要部を示す斜視図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic front view schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a schematic plan view showing the main part of the substrate processing apparatus according to the present invention. Further, FIG. 3 is a perspective view showing a main part of the substrate processing apparatus according to the present invention.

この基板処理装置は、外形が略円形の形状を有する基板としての半導体ウエハＷの周縁部に対して処理を実行するものである。この基板処理装置は、半導体ウエハＷの主面を略水平とし、半導体ウエハＷの下面を吸着保持した状態で、この半導体ウエハＷを半導体ウエハＷの中心を回転中心として回転させるスピンチャック１３を備える。このスピンチャック１３は、軸１４を介して、ケーシング１６内に配設されたモータ等の回転駆動機構１５と接続されている。 This substrate processing apparatus performs processing on a peripheral portion of a semiconductor wafer W as a substrate having a substantially circular outer shape. The substrate processing apparatus includes a spin chuck 13 that rotates the semiconductor wafer W about the center of the semiconductor wafer W while the main surface of the semiconductor wafer W is substantially horizontal and the lower surface of the semiconductor wafer W is sucked and held. . The spin chuck 13 is connected to a rotation drive mechanism 15 such as a motor disposed in the casing 16 via a shaft 14.

スピンチャック１３に保持されて回転する半導体ウエハＷの外周部には、半導体ウエハＷより飛散する処理液を捕獲するためのカップ１０が配設されている。このカップ１０は、上カップ１１と下カップ１２とから構成されている。上カップ１１は、図示を省略した昇降機構により、下カップ１２に対して昇降可能となっている。この上カップ１１は、半導体ウエハＷに対して処理液を供給するときには、その上部がスピンチャック１３に吸着保持された半導体ウエハＷの上面より上方となる高さ位置に配置され、半導体ウエハＷの搬入搬出時には、その上部がスピンチャック１３に吸着保持された半導体ウエハＷの正面より下方となる高さ位置に配置される。 A cup 10 for capturing the processing liquid scattered from the semiconductor wafer W is disposed on the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W held and rotated by the spin chuck 13. The cup 10 includes an upper cup 11 and a lower cup 12. The upper cup 11 can be moved up and down with respect to the lower cup 12 by an elevator mechanism (not shown). When the processing liquid is supplied to the semiconductor wafer W, the upper cup 11 is disposed at a height position where the upper portion is above the upper surface of the semiconductor wafer W held by the spin chuck 13. At the time of loading / unloading, the upper portion is disposed at a height position below the front surface of the semiconductor wafer W held by suction by the spin chuck 13.

スピンチャック１３に吸着保持された半導体ウエハＷの下方における半導体ウエハＷの周縁部と対向する位置には、ヒータ１７が配設されている。このヒータ１７は、半導体ウエハＷの処理効率を向上させるために半導体ウエハＷの周縁部を加熱するためのものである。このヒータは、半導体ウエハＷの搬入搬出時には、図示を省略した昇降機構により、搬送機構と緩衝しない位置まで下降する。 A heater 17 is disposed at a position facing the periphery of the semiconductor wafer W below the semiconductor wafer W attracted and held by the spin chuck 13. The heater 17 is for heating the peripheral portion of the semiconductor wafer W in order to improve the processing efficiency of the semiconductor wafer W. When the semiconductor wafer W is loaded / unloaded, the heater is lowered to a position where it is not buffered by the lift mechanism (not shown).

この基板処理装置は、第１窒素ガス吐出ノズル４１と、複数の処理液吐出ノズル４２、４３、４４（図２および図３参照）を備えたノズルヘッド３１を備える。このノズルヘッド３１は、支持部２２を中心として揺動可能なアーム２１の先端に支持されている。このアーム２１は、モータ２３の駆動により、図２において実線で示す半導体ウエハＷの周縁部付近への窒素ガスまたは処理液の供給位置と、図２において仮想線で示す待機位置との間を揺動可能となっている。 The substrate processing apparatus includes a nozzle head 31 including a first nitrogen gas discharge nozzle 41 and a plurality of processing liquid discharge nozzles 42, 43, and 44 (see FIGS. 2 and 3). The nozzle head 31 is supported at the tip of an arm 21 that can swing around a support portion 22. The arm 21 swings between the supply position of the nitrogen gas or the processing liquid near the periphery of the semiconductor wafer W shown by the solid line in FIG. 2 and the standby position shown by the phantom line in FIG. It is possible to move.

第１窒素ガス吐出ノズル４１は、図１に示す開閉弁６８を介して、不活性ガスとしての窒素ガスの供給源６４と接続されている。また、処理液吐出ノズル４２は、図１に示す開閉弁６７を介して、処理液であるＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水との混合水溶液）の供給源６３と接続されている。また、処理液吐出ノズル４３は、図１に示す開閉弁６６を介して、処理液である純水（ＤＩＷ）の供給源６２と接続されている。さらに、処理液吐出ノズル４４は、図１に示す開閉弁６５を介して、処理液であるＨＦと純水の混合液の供給源６１と接続されている。 The first nitrogen gas discharge nozzle 41 is connected to a supply source 64 of nitrogen gas as an inert gas via an on-off valve 68 shown in FIG. Further, the treatment liquid discharge nozzle 42 is connected to a supply source 63 of SC1 (mixed aqueous solution of ammonia water and hydrogen peroxide solution) which is a treatment liquid, via an on-off valve 67 shown in FIG. Further, the processing liquid discharge nozzle 43 is connected to a supply source 62 of pure water (DIW) as a processing liquid via an on-off valve 66 shown in FIG. Further, the processing liquid discharge nozzle 44 is connected to a supply source 61 of a mixed liquid of HF and pure water as a processing liquid via an on-off valve 65 shown in FIG.

図４は、処理液吐出ノズル４２、４３、４４から半導体ウエハＷの周縁部に処理液を供給する状態を示す模式図である。 FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a state in which the processing liquid is supplied from the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 to the peripheral edge of the semiconductor wafer W.

この図に示すように、処理液吐出ノズル４２、４３、４４に形成された処理液流通路の下端部は、スピンチャック１３に吸着保持されて回転する半導体ウエハＷの周縁部方向を向くように偏向する構成を有する。このため、処理液吐出ノズル４２、４３、４４自体を鉛直方向に配置した場合においても、これらの処理液吐出ノズル４２、４３、４４から吐出される処理液に対して、半導体ウエハＷの周縁方向に向けた斜め方向を向く流れを形成することが可能となる。 As shown in this figure, the lower ends of the processing liquid flow passages formed in the processing liquid discharge nozzles 42, 43, and 44 are directed toward the peripheral edge of the semiconductor wafer W rotating by being sucked and held by the spin chuck 13. It has a configuration to deflect. For this reason, even when the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 themselves are arranged in the vertical direction, the peripheral direction of the semiconductor wafer W with respect to the processing liquid discharged from these processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 It is possible to form a flow directed in an oblique direction toward the.

再度、図１から図３を参照して、この基板処理装置は、第２窒素ガス吐出ノズル４５（図２および図３参照）を備えたノズルヘッド３３を備える。このノズルヘッド３３は、支持部２５を中心として揺動可能なアーム２４の先端に支持されている。このアーム２４は、モータ２６の駆動により、図２において実線で示す半導体ウエハＷの周縁部付近への窒素ガスの供給位置と、図２において仮想線で示す待機位置との間を揺動可能となっている。第２窒素ガス吐出ノズル４５は、図１に示す開閉弁５６を介して、不活性ガスとしての窒素ガスの供給源５４と接続されている。 1 to 3 again, the substrate processing apparatus includes a nozzle head 33 including a second nitrogen gas discharge nozzle 45 (see FIGS. 2 and 3). The nozzle head 33 is supported at the tip of the arm 24 that can swing around the support portion 25. The arm 24 can swing between the supply position of the nitrogen gas to the vicinity of the peripheral edge of the semiconductor wafer W shown by the solid line in FIG. 2 and the standby position shown by the phantom line in FIG. 2 by driving the motor 26. It has become. The second nitrogen gas discharge nozzle 45 is connected to a supply source 54 of nitrogen gas as an inert gas via the on-off valve 56 shown in FIG.

また、この基板処理装置は、窒素ガス吐出部３２を備える。この窒素ガス吐出部３２は、支持部２８を中心として揺動可能なアーム２７の先端に支持されている。このアーム２７は、モータ２９の駆動により、図２において実線で示す半導体ウエハＷの回転中心付近への窒素ガスの供給位置と、図２において仮想線で示す待機位置との間を揺動可能となっている。この窒素ガス吐出部３２は、円筒状部材の下端部に遮蔽板を付設した構成を有し、スピンチャック１３により吸着保持されて回転する半導体ウエハＷの回転中心付近からその表面に沿って周縁部に至る窒素ガスの流れを形成する構成を有する。図１に示すように、窒素ガス吐出部３２は、開閉弁５３を介して、不活性ガスとしての窒素ガスの供給源５１と接続されている。 The substrate processing apparatus also includes a nitrogen gas discharge unit 32. The nitrogen gas discharge portion 32 is supported at the tip of an arm 27 that can swing around the support portion 28. The arm 27 can swing between a nitrogen gas supply position near the rotation center of the semiconductor wafer W indicated by a solid line in FIG. 2 and a standby position indicated by an imaginary line in FIG. It has become. The nitrogen gas discharge unit 32 has a configuration in which a shielding plate is attached to the lower end portion of the cylindrical member, and a peripheral portion from the vicinity of the rotation center of the semiconductor wafer W rotating by being sucked and held by the spin chuck 13 along the surface thereof. To form a flow of nitrogen gas to As shown in FIG. 1, the nitrogen gas discharge unit 32 is connected to a supply source 51 of nitrogen gas as an inert gas via an on-off valve 53.

この基板処理装置においては、ベベルとも呼称される半導体ウエハＷにおけるデバイスパターンの外側の周縁部に対して、処理液吐出ノズル４２、４３、４４から処理液を供給することにより、周縁部に形成された膜をエッチングして除去する構成を有する。すなわち、この基板処理装置においては、半導体ウエハＷをスピンチャック１３により保持した状態で半導体ウエハＷの中心を回転中心として回転させる。そして、半導体ウエハＷの周縁部の上方に処理液吐出ノズル４２、４３、４４のいずれかを配置し、この処理液吐出ノズル４２、４３、４４から連続して回転する半導体ウエハＷの周縁部に処理液を供給する。これにより、半導体ウエハＷの周縁部に形成された膜がエッチングされ、除去されることになる。 In this substrate processing apparatus, the processing liquid is supplied from the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 to the outer peripheral portion of the device pattern in the semiconductor wafer W, which is also called a bevel, to form the peripheral portion. The film is removed by etching. That is, in this substrate processing apparatus, the semiconductor wafer W is rotated around the center of the semiconductor wafer W while being held by the spin chuck 13. Then, any one of the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 is arranged above the peripheral edge of the semiconductor wafer W, and the peripheral edge of the semiconductor wafer W that rotates continuously from the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 is provided. Supply processing solution. As a result, the film formed on the peripheral edge of the semiconductor wafer W is etched and removed.

このとき、処理液吐出ノズル４２、４３、４４から半導体ウエハＷの周縁部に処理液が供給された後、半導体ウエハＷの周縁部に供給された処理液が半導体ウエハＷの周縁部に残留している状態で、さらに、この周縁部が処理液吐出ノズル４２、４３、４４と対向する位置まで移動して処理液を供給された場合には、処理液吐出ノズル４２、４３、４４から新たに吐出された処理液が、半導体ウエハＷの周縁部に残留している処理液に当たって液跳ねを生ずる。この液跳ねにより生じた処理液の液滴が半導体ウエハＷの表面におけるデバイスパターン領域に付着した場合においては、デバイスパターンに欠陥が生じるという問題が発生する。 At this time, after the processing liquid is supplied from the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 to the peripheral edge of the semiconductor wafer W, the processing liquid supplied to the peripheral edge of the semiconductor wafer W remains on the peripheral edge of the semiconductor wafer W. If the processing liquid is supplied by moving the peripheral edge to a position facing the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44, the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 newly The discharged processing liquid strikes the processing liquid remaining on the peripheral edge of the semiconductor wafer W and causes liquid splashing. When the droplets of the processing liquid generated by the liquid splash adhere to the device pattern region on the surface of the semiconductor wafer W, there arises a problem that a defect occurs in the device pattern.

このため、この基板処理装置においては、処理液吐出ノズル４２、４３、４４から半導体ウエハＷの表面に処理液を供給する前に、半導体ウエハＷの周縁部に残存する処理液を、第１窒素ガス吐出ノズル４１および第２窒素ガス吐出ノズル４５により除去する構成を採用している。 For this reason, in this substrate processing apparatus, before supplying the processing liquid from the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 to the surface of the semiconductor wafer W, the processing liquid remaining on the peripheral edge of the semiconductor wafer W is transferred to the first nitrogen. A configuration in which the gas is removed by the gas discharge nozzle 41 and the second nitrogen gas discharge nozzle 45 is adopted.

このとき、半導体ウエハＷの周縁部に残存する処理液を速やかに除去するためには、半導体ウエハＷの周縁部に対して大流量の窒素ガスを供給すれば良い。しかしながら、大流量の窒素ガスが半導体ウエハＷの周縁部に残存する処理液と衝突した場合においては、処理液に液跳ねを生じ、この液跳ねにより生じた処理液の液滴が半導体ウエハＷの表面におけるデバイスパターン領域に付着する可能性がある。一方、半導体ウエハＷの周縁部に供給する窒素ガスの流量を小さなものとした場合には、半導体ウエハＷの周縁部に残留する処理液を十分に除去し得ない。 At this time, in order to quickly remove the processing liquid remaining on the peripheral edge of the semiconductor wafer W, a large flow of nitrogen gas may be supplied to the peripheral edge of the semiconductor wafer W. However, when a large flow rate of nitrogen gas collides with the processing liquid remaining on the peripheral edge of the semiconductor wafer W, the processing liquid splashes, and the droplets of the processing liquid generated by the liquid splash are generated on the semiconductor wafer W. There is a possibility of adhering to the device pattern area on the surface. On the other hand, when the flow rate of the nitrogen gas supplied to the peripheral edge of the semiconductor wafer W is small, the processing liquid remaining on the peripheral edge of the semiconductor wafer W cannot be sufficiently removed.

このため、この基板処理装置においては、第２窒素ガス吐出ノズル４５から半導体ウエハＷの周縁部に小流量または流速の小さい窒素ガスを供給して半導体ウエハＷの周縁部から処理液をある程度除去した後、第１窒素ガス吐出ノズル４１から半導体ウエハＷの周縁部に大流量または流速の大きい窒素ガスを供給することにより、半導体ウエハＷの周縁部に残存する処理液を完全に除去する構成を採用している。 For this reason, in this substrate processing apparatus, nitrogen gas having a small flow rate or low flow velocity is supplied from the second nitrogen gas discharge nozzle 45 to the peripheral portion of the semiconductor wafer W to remove the processing liquid from the peripheral portion of the semiconductor wafer W to some extent. Thereafter, a configuration in which the processing liquid remaining on the peripheral portion of the semiconductor wafer W is completely removed by supplying nitrogen gas having a large flow rate or high flow velocity to the peripheral portion of the semiconductor wafer W from the first nitrogen gas discharge nozzle 41 is adopted. doing.

なお、このように半導体ウエハＷの周縁部の処理液を窒素ガスにより除去する構成を採用するときには、処理液が半導体ウエハＷの周縁部から内側に移動することを防止する必要がある。このため、半導体ウエハＷの周縁部に対する処理液吐出ノズル４２、４３、４４からの処理液の吐出位置より半導体ウエハＷの中心側の位置に対して窒素ガスを供給する必要がある。 When adopting a configuration in which the processing liquid at the peripheral edge of the semiconductor wafer W is removed with nitrogen gas in this way, it is necessary to prevent the processing liquid from moving inward from the peripheral edge of the semiconductor wafer W. For this reason, it is necessary to supply nitrogen gas to a position on the center side of the semiconductor wafer W from the processing liquid discharge position from the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 to the peripheral portion of the semiconductor wafer W.

すなわち、図２に示すように、第１窒素ガス吐出ノズル４１は、処理液吐出ノズル４２、４３、４４よりも、スピンチャック１３に吸着保持されて回転する半導体ウエハＷの回転中心に近い位置に配置されている。これは、第２窒素ガス吐出ノズル４５についても同様である。 That is, as shown in FIG. 2, the first nitrogen gas discharge nozzle 41 is closer to the rotation center of the semiconductor wafer W rotated by being sucked and held by the spin chuck 13 than the processing liquid discharge nozzles 42, 43, and 44. Has been placed. The same applies to the second nitrogen gas discharge nozzle 45.

さらに、この基板処理装置においては、窒素ガス吐出部３２により、スピンチャック１３により吸着保持されて回転する半導体ウエハＷの回転中心付近からその表面に沿って周縁部に至る窒素ガスの流れを形成する構成を採用している。このため、この窒素ガス吐出部３２から吐出される窒素ガスにより、液跳ねにより生じた処理液の液滴が半導体ウエハＷの表面におけるデバイスパターン領域に付着する可能性をさらに低下させることが可能となる。 Further, in this substrate processing apparatus, the nitrogen gas discharge section 32 forms a flow of nitrogen gas from the vicinity of the rotation center of the semiconductor wafer W rotating by being sucked and held by the spin chuck 13 to the peripheral edge along the surface thereof. The configuration is adopted. For this reason, it is possible to further reduce the possibility that the droplets of the treatment liquid generated by the liquid splash adhere to the device pattern region on the surface of the semiconductor wafer W by the nitrogen gas discharged from the nitrogen gas discharge unit 32. Become.

次に、この発明の特徴部分であるカップ１０における上カップ１１の構成について説明する。図５は、上カップ１１およびそこに付設された泡供給部８０と半導体ウエハＷとの配置を示す平面図である。また、図６は、上カップ１１およびそこに付設された泡供給部８０と半導体ウエハＷとの配置を示す部分的な縦断面図である。なお、図６においては、図５における泡供給部８０が付設された領域の縦断面を示している。 Next, the configuration of the upper cup 11 in the cup 10 which is a characteristic part of the present invention will be described. FIG. 5 is a plan view showing the arrangement of the upper cup 11, the bubble supply unit 80 attached thereto, and the semiconductor wafer W. FIG. 6 is a partial longitudinal sectional view showing the arrangement of the upper cup 11, the bubble supply unit 80 attached thereto, and the semiconductor wafer W. In addition, in FIG. 6, the longitudinal cross-section of the area | region where the bubble supply part 80 in FIG. 5 was attached is shown.

上述したように、カップ１０を構成する上カップ１１は、スピンチャック１３に保持されて回転する半導体ウエハＷの外周部に配設され、半導体ウエハＷより飛散する処理液を捕獲するためのものである。この上カップ１１は、半導体ウエハＷを囲む形状を有する。この上カップ１１には、上カップ１１の内壁面に泡８１を供給するための泡供給部８０が配設されている。この泡供給部８０は、図５に示すように上カップ１１の内壁面における処理液吐出ノズル４２、４３、４４から半導体ウエハＷに処理液が吐出される位置の近傍の領域に泡を供給する位置に配設されている。 As described above, the upper cup 11 constituting the cup 10 is disposed on the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W that is held by the spin chuck 13 and rotates, and is for capturing the processing liquid scattered from the semiconductor wafer W. is there. The upper cup 11 has a shape surrounding the semiconductor wafer W. The upper cup 11 is provided with a foam supply unit 80 for supplying the foam 81 to the inner wall surface of the upper cup 11. As shown in FIG. 5, the bubble supply unit 80 supplies bubbles to a region in the vicinity of the position where the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 on the inner wall surface of the upper cup 11 to the semiconductor wafer W. Arranged in position.

また、上カップ１１は、上端の水平方向を向く水平部と、この水平部に接続する傾斜部と、この傾斜部から下方向に延びる垂直部とから構成されている。そして、傾斜部は、上部がスピンチャック１３に保持されて回転する半導体ウエハＷに近接し、下部がこの半導体ウエハＷから離隔する傾斜面から構成される。この傾斜部は、半導体ウエハＷから飛散する処理液が衝突する、この発明に係る衝突面を構成する。そして、泡供給部８０は、この傾斜した衝突面に対して泡を供給する。 The upper cup 11 includes a horizontal portion facing the horizontal direction at the upper end, an inclined portion connected to the horizontal portion, and a vertical portion extending downward from the inclined portion. The inclined portion is composed of an inclined surface whose upper portion is close to the rotating semiconductor wafer W held by the spin chuck 13 and whose lower portion is separated from the semiconductor wafer W. The inclined portion constitutes a collision surface according to the present invention on which the processing liquid scattered from the semiconductor wafer W collides. And the bubble supply part 80 supplies a bubble with respect to this inclined collision surface.

図７は、泡供給部８０への純水と界面活性剤との混合液の供給機構を示す概要図である。 FIG. 7 is a schematic view showing a mechanism for supplying a mixed liquid of pure water and a surfactant to the foam supply unit 80.

この基板処理装置は、純水と界面活性剤との混合液を貯留する貯留部８５と、この貯留部８５から泡供給部８０に対して純水と界面活性剤との混合液を送液するための管路８６と、この管路８６に配設され純水と界面活性剤の混合液を圧送するためのポンプ８７とを備える。 This substrate processing apparatus sends a liquid mixture of pure water and a surfactant from the storage part 85 to the foam supply part 80 from a storage part 85 that stores a liquid mixture of pure water and a surfactant. And a pump 87 disposed in the pipe 86 for pumping a mixture of pure water and a surfactant.

なお、泡供給部８０としては、純水と界面活性剤の混合液を泡状にした上で扇状に吐出するノズルが使用される。この泡供給部を構成するノズルとしては、例えば、株式会社いけうち製の「山型分布ノズル（発泡機構付）ＡＷＶＶ」を使用することができる。 In addition, as the bubble supply part 80, the nozzle which discharges fan-shaped after making the liquid mixture of a pure water and surfactant into a bubble shape is used. As a nozzle constituting this bubble supply unit, for example, “mountain distribution nozzle (with foaming mechanism) AWVV” manufactured by Ikeuchi Co., Ltd. can be used.

スピンチャック１３に吸着保持されて回転する半導体ウエハＷの周縁部に向けて処理液吐出ノズル４２、４３、４４から処理液を吐出したときには、半導体ウエハＷに供給された処理液は遠心力により半導体ウエハＷの外側に向けて飛散する。このため、泡供給部８０は、半導体ウエハＷから飛散した処理液が上カップ１１と衝突する領域に泡８１を供給することにより、処理液が飛散して半導体ウエハＷの表面に到達することを防止している。 When the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 toward the peripheral edge of the semiconductor wafer W rotated by being sucked and held by the spin chuck 13, the processing liquid supplied to the semiconductor wafer W is a semiconductor by centrifugal force. It scatters toward the outside of the wafer W. For this reason, the bubble supply unit 80 supplies the bubbles 81 to the region where the processing liquid scattered from the semiconductor wafer W collides with the upper cup 11, so that the processing liquid is scattered and reaches the surface of the semiconductor wafer W. It is preventing.

この泡８１は、少なくとも、処理液吐出ノズル４２、４３、４４から半導体ウエハＷに対して吐出された処理液が、半導体ウエハＷから飛散して上カップ１１に衝突する位置に対して供給される必要がある。このため、泡供給部８０から上カップ１１に供給される泡８１は、半導体ウエハＷの回転中心と処理液吐出ノズル４２、４３、４４による半導体ウエハＷへの処理液の供給位置とを結ぶ直線の延長上の位置より半導体ウエハＷの回転方向の上流側の位置まで広がるとともに、その位置から半導体ウエハＷの回転方向の下流方向に所定の距離だけ離隔した位置まで広がることが好ましい。 This bubble 81 is supplied to at least a position where the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 to the semiconductor wafer W scatters from the semiconductor wafer W and collides with the upper cup 11. There is a need. Therefore, the bubble 81 supplied from the bubble supply unit 80 to the upper cup 11 is a straight line connecting the rotation center of the semiconductor wafer W and the supply position of the processing liquid to the semiconductor wafer W by the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44. It is preferable that it extends from a position on the extension of the semiconductor wafer W to a position upstream of the rotation direction of the semiconductor wafer W and to a position separated from that position by a predetermined distance in the downstream direction of the rotation direction of the semiconductor wafer W.

このとき、処理液吐出ノズル４２、４３、４４から半導体ウエハＷの周縁部に吐出された処理液は、スピンチャック１３に吸着保持されて回転する半導体ウエハＷの遠心力により外側に飛散するだけではなく、半導体ウエハＷの回転中心を中心とする円の接線方向に向けて飛散することになる。このため、泡供給部８０から上カップ１１に供給される泡８１は、処理液吐出ノズル４２、４３、４４による半導体ウエハＷへの処理液の供給位置から、半導体ウエハＷの回転中心と処理液吐出ノズル４２、４３、４４による半導体ウエハＷへの処理液の供給位置とを結ぶ直線が半導体ウエハＷの周縁と交差する位置における半導体ウエハＷの接線方向の位置より半導体ウエハＷの回転方向の下流方向まで広がることが好ましい。 At this time, the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 to the peripheral portion of the semiconductor wafer W is only scattered outside by the centrifugal force of the rotating semiconductor wafer W held by the spin chuck 13. Instead, the semiconductor wafer W is scattered toward the tangential direction of the circle around the rotation center. For this reason, the bubbles 81 supplied from the bubble supply unit 80 to the upper cup 11 are moved from the position where the processing liquid is supplied to the semiconductor wafer W by the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44, and the rotation center of the semiconductor wafer W and the processing liquid. Downstream of the rotation direction of the semiconductor wafer W from the position in the tangential direction of the semiconductor wafer W at the position where the straight line connecting the processing liquid supply position to the semiconductor wafer W by the discharge nozzles 42, 43, 44 intersects the periphery of the semiconductor wafer W It is preferable to extend in the direction.

そして、上述した実施形態においては、処理液吐出ノズル４２、４３、４４による半導体ウエハＷへの処理液の供給位置よりも半導体ウエハＷの回転方向の上流側の位置において、半導体ウエハＷの周縁部に気体を吐出する第１窒素ガス吐出ノズル４１をさらに備えている。これにより、この第１窒素ガス吐出ノズル４１から吐出される窒素ガスの作用により、先に処理液吐出ノズル４２、４３、４４により半導体ウエハＷの周縁部に吐出され半導体ウエハＷ上に残存する処理液が除去され、半導体ウエハＷの外側に飛散する。このため、この実施形態においては、泡供給部８０は、少なくとも、第１窒素ガス吐出ノズル４１半導体ウエハＷに対して吐出された窒素ガスにより、処理液が半導体ウエハＷから飛散して上カップ１１に当接する位置に対して泡を供給する必要がある。このため、泡供給部８０から上カップ１１に供給される泡８１は、半導体ウエハＷの回転中心と第１窒素ガス吐出ノズル４１による半導体ウエハＷへの窒素ガスの供給位置とを結ぶ直線の延長上の位置より半導体ウエハＷの回転方向の上流側まで広がることが好ましい。 In the above-described embodiment, the peripheral portion of the semiconductor wafer W at a position upstream of the processing liquid supply position to the semiconductor wafer W by the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 in the rotation direction of the semiconductor wafer W. A first nitrogen gas discharge nozzle 41 for discharging gas is further provided. As a result, the process of remaining on the semiconductor wafer W by being discharged to the peripheral portion of the semiconductor wafer W by the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 by the action of the nitrogen gas discharged from the first nitrogen gas discharge nozzle 41. The liquid is removed and splashes outside the semiconductor wafer W. For this reason, in this embodiment, the bubble supply unit 80 is configured so that the processing liquid scatters from the semiconductor wafer W by at least the nitrogen gas discharged to the first nitrogen gas discharge nozzle 41 semiconductor wafer W and the upper cup 11 It is necessary to supply foam to the position where it abuts. Therefore, the bubble 81 supplied from the bubble supply unit 80 to the upper cup 11 is an extension of a straight line connecting the rotation center of the semiconductor wafer W and the supply position of the nitrogen gas to the semiconductor wafer W by the first nitrogen gas discharge nozzle 41. It is preferable to spread from the upper position to the upstream side in the rotation direction of the semiconductor wafer W.

以上の点を総合的に勘案した場合、泡供給部８０から上カップ１１に供給される泡８１は、図５においてその範囲を矢印で示すように、少なくとも、図５において符号Ｓで示す半導体ウエハＷの回転中心と第１窒素ガス吐出ノズル４１による半導体ウエハＷへの窒素ガスの供給位置とを結ぶ直線の延長上の位置より半導体ウエハＷの回転方向の上流側から、図５において符号Ｅで示す半導体ウエハＷの回転中心と処理液吐出ノズル４４による半導体ウエハＷへの処理液の供給位置とを結ぶ直線が半導体ウエハＷの周縁と交差する位置における半導体ウエハＷの接線方向の位置より半導体ウエハＷの回転方向の下流側にわたって広がるように供給されることが好ましい。すなわち、泡供給部８０から上カップ１１に供給される泡８１は、図５に示す矢印の領域より広い範囲にわたって広がるように供給されることが好ましい。 Considering the above points comprehensively, the bubble 81 supplied from the bubble supply unit 80 to the upper cup 11 is at least a semiconductor wafer indicated by symbol S in FIG. 5 as indicated by an arrow in FIG. 5 from the upstream side in the rotation direction of the semiconductor wafer W from the position on the extension of the straight line connecting the rotation center of W and the supply position of the nitrogen gas to the semiconductor wafer W by the first nitrogen gas discharge nozzle 41. The semiconductor wafer from the position in the tangential direction of the semiconductor wafer W at the position where the straight line connecting the rotation center of the semiconductor wafer W and the supply position of the processing liquid to the semiconductor wafer W by the processing liquid discharge nozzle 44 intersects the periphery of the semiconductor wafer W It is preferable to be supplied so as to spread over the downstream side in the rotation direction of W. That is, it is preferable that the foam 81 supplied from the foam supply unit 80 to the upper cup 11 is supplied so as to spread over a wider range than the area of the arrow shown in FIG.

以上のような構成を有する基板処理装置により半導体ウエハＷの周縁部に対してエッチング処理を実行する場合においては、半導体ウエハＷをスピンチャック１３により吸着保持した状態で、ノズルヘッド３１、ノズルヘッド３３および窒素ガス吐出部３２を図２において実線で示す位置に配置する。しかる後、上カップ１１が図１および図６に示す位置まで上昇する。また、泡供給部８０から上カップ１１に内壁面に泡８１を供給する。 When the etching process is performed on the peripheral portion of the semiconductor wafer W by the substrate processing apparatus having the above-described configuration, the nozzle head 31 and the nozzle head 33 are held with the semiconductor wafer W being sucked and held by the spin chuck 13. And the nitrogen gas discharge part 32 is arrange | positioned in the position shown as a continuous line in FIG. Thereafter, the upper cup 11 is raised to the position shown in FIGS. Further, the foam 81 is supplied from the foam supply unit 80 to the upper cup 11 on the inner wall surface.

この状態において、半導体ウエハＷをスピンチャック１３とともに回転させる。そして、処理液吐出ノズル４２より半導体ウエハＷの周縁部に、最初に、ＳＣ１を供給する。半導体ウエハＷに供給されたＳＣ１は、半導体ウエハＷの端縁より飛散し、上カップ１１における傾斜した衝突面と衝突する。この衝突面には、泡供給部８０より泡８１が供給されている。このため、半導体ウエハＷの端円より飛散したＳＣ１は、泡の作用で捕獲される。このため、ＳＣ１が半導体ウエハＷ表面のデバイスパターン領域に到達することを抑制することが可能となる。 In this state, the semiconductor wafer W is rotated together with the spin chuck 13. Then, SC1 is first supplied from the processing liquid discharge nozzle 42 to the peripheral edge of the semiconductor wafer W. The SC 1 supplied to the semiconductor wafer W is scattered from the edge of the semiconductor wafer W and collides with the inclined collision surface in the upper cup 11. Bubbles 81 are supplied from the bubble supply unit 80 to the collision surface. For this reason, SC1 scattered from the end circle of the semiconductor wafer W is captured by the action of bubbles. For this reason, it is possible to suppress SC1 from reaching the device pattern region on the surface of the semiconductor wafer W.

また、このとき、半導体ウエハＷの端縁に残存するＳＣ１は、第２窒素ガス吐出ノズル４５から半導体ウエハＷの周縁部に供給された小流量または流速の小さい窒素ガスによりある程度除去された後、第１窒素ガス吐出ノズル４１から半導体ウエハＷの周縁部に供給された大流量または流速の大きい窒素ガスにより完全に除去される。これにより、処理液吐出ノズル４２から供給されたＳＣ１が半導体ウエハＷの周縁部残留している状態で、さらに、ＳＣ１が供給されて生ずる液跳ねの発生を防止することが可能となる。 At this time, the SC1 remaining on the edge of the semiconductor wafer W is removed to some extent by nitrogen gas supplied from the second nitrogen gas discharge nozzle 45 to the peripheral portion of the semiconductor wafer W to a certain extent, The first nitrogen gas discharge nozzle 41 is completely removed by a large flow rate or a large flow rate of nitrogen gas supplied to the periphery of the semiconductor wafer W. As a result, it is possible to further prevent the occurrence of liquid splash that occurs when SC1 is supplied while SC1 supplied from the processing liquid discharge nozzle 42 remains in the periphery of the semiconductor wafer W.

このようにしてＳＣ１による処理を実行した後に、同様の処理を他の処理液についても実行する。すなわち、引き続き、処理液吐出ノズル４３から半導体ウエハＷの周縁部に純水を供給して洗浄処理を行い、次に、処理液吐出ノズル４４から半導体ウエハＷの周縁部にＨＦと純水の混合液を供給してエッチング処理を行い、さらに、処理液吐出ノズル４３から半導体ウエハＷの周縁部に再度純水を供給して洗浄処理を行う。これらの処理液により処理を実行するときにも、ＳＣ１の場合と同様、泡供給部８０から供給された泡８１の作用により各処理液が半導体ウエハＷ表面のデバイスパターン領域に到達することを抑制することが可能となる。 After the processing by SC1 is executed in this way, the same processing is executed for other processing liquids. That is, the cleaning process is performed by supplying pure water from the processing liquid discharge nozzle 43 to the peripheral edge of the semiconductor wafer W, and then the HF and pure water are mixed from the processing liquid discharge nozzle 44 to the peripheral edge of the semiconductor wafer W. An etching process is performed by supplying a liquid, and a cleaning process is performed by supplying pure water from the processing liquid discharge nozzle 43 to the peripheral edge of the semiconductor wafer W again. Even when processing is performed with these processing liquids, each processing liquid is prevented from reaching the device pattern region on the surface of the semiconductor wafer W by the action of the bubbles 81 supplied from the bubble supply unit 80, as in the case of SC1. It becomes possible to do.

なお、これらの処理時においては、常に、窒素ガス吐出部３２から窒素ガスを供給することにより、スピンチャック１３により吸着保持されて回転する半導体ウエハＷの回転中心付近からその表面に沿って周縁部に至る窒素ガスの流れを形成する。これにより、処理液の液滴が半導体ウエハＷの表面におけるデバイスパターン領域に付着する可能性をさらに低下させることが可能となる。 In these processes, the peripheral portion along the surface from the vicinity of the rotation center of the semiconductor wafer W rotating by being sucked and held by the spin chuck 13 is always supplied by supplying nitrogen gas from the nitrogen gas discharge unit 32. To form a flow of nitrogen gas. Thereby, it is possible to further reduce the possibility that the droplets of the processing liquid adhere to the device pattern region on the surface of the semiconductor wafer W.

なお、上述した実施形態においては、半導体ウエハＷの周縁部を処理する基板処理装置にこの発明を適用した場合について説明したが、この発明を、半導体ウエハＷの中央部に処理液を供給して、半導体ウエハＷの表面全域を処理する基板処理装置に適用してもよい。また、この発明を、略円形の形状を有する半導体ウエハＷを処理する基板処理装置ではなく、例えば、矩形状の形状を有する液晶表示用ガラス基板等のその他の基板を処理する基板処理装置に適用してもよい。 In the embodiment described above, the case where the present invention is applied to the substrate processing apparatus for processing the peripheral portion of the semiconductor wafer W has been described. However, the present invention is applied by supplying a processing liquid to the central portion of the semiconductor wafer W. The present invention may be applied to a substrate processing apparatus that processes the entire surface of the semiconductor wafer W. The present invention is not applied to a substrate processing apparatus that processes a semiconductor wafer W having a substantially circular shape, but is applied to a substrate processing apparatus that processes other substrates such as a glass substrate for liquid crystal display having a rectangular shape. May be.

次にこの発明の他の実施形態について説明する。図８は、この発明の第２実施形態に係る上カップ１１およびそこに付設された泡供給部８０と半導体ウエハＷとの配置を示す平面図である。 Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is a plan view showing the arrangement of the upper cup 11 according to the second embodiment of the present invention, the bubble supply unit 80 attached thereto, and the semiconductor wafer W. As shown in FIG.

上述した第１実施形態においては、単一の泡供給部８０を、処理液吐出ノズル４２、４３、４４による半導体ウエハＷへの処理液の供給位置付近に配設している。これに対して、この第２実施形態においては、上カップ１１の内周面に対して、等間隔に６個の泡供給部を配設した構成を有する。このような構成を採用した場合においては、処理液が半導体ウエハＷのどの領域から外側に飛散した場合においても、この処理液を泡により確実に捕獲することが可能となる。 In the first embodiment described above, the single bubble supply unit 80 is disposed in the vicinity of the supply position of the processing liquid to the semiconductor wafer W by the processing liquid discharge nozzles 42, 43 and 44. On the other hand, in this 2nd Embodiment, it has the structure which arrange | positioned six foam supply parts at equal intervals with respect to the internal peripheral surface of the upper cup 11. As shown in FIG. When such a configuration is adopted, even when the processing liquid scatters from any region of the semiconductor wafer W, the processing liquid can be reliably captured by bubbles.

次にこの発明の他の実施形態について説明する。図９は、この発明の第３実施形態に係る上カップ１１およびそこに付設された泡供給部８０と半導体ウエハＷとの配置を示す平面図である。また、図１０は、上カップ１１と半導体ウエハＷとの配置を示す部分的な縦断面図である。なお、図１０（ａ）は、図９におけるＡ−Ａ縦断面を示し、図１０（ｂ）は、図９におけるＢ−Ｂ断面を示している。 Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 9 is a plan view showing the arrangement of the upper cup 11 according to the third embodiment of the present invention, the bubble supply unit 80 attached thereto, and the semiconductor wafer W. As shown in FIG. FIG. 10 is a partial longitudinal sectional view showing the arrangement of the upper cup 11 and the semiconductor wafer W. Note that FIG. 10A shows a vertical cross section along line AA in FIG. 9, and FIG. 10B shows a cross section along line BB in FIG.

上述したように、カップ１０を構成する上カップ１１は、スピンチャック１３に保持されて回転する半導体ウエハＷの外周部に配設され、半導体ウエハＷより飛散する処理液を捕獲するためのものである。そして、この第３実施形態に係る上カップ１１は、半導体ウエハＷ側の端縁から下方に延びる円筒状の壁部１０１を備えている。この壁部１０１は、上カップ１１における半導体ウエハＷの外周部の一部の領域には設けられておらず、その領域は開口部１００となっている。この領域は、処理液吐出ノズル４２、４３、４４から半導体ウエハＷに処理液が吐出される位置の近傍の領域である。そして、泡供給部８０は、この開口部１００付近に配設されている。 As described above, the upper cup 11 constituting the cup 10 is disposed on the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W that is held by the spin chuck 13 and rotates, and is for capturing the processing liquid scattered from the semiconductor wafer W. is there. The upper cup 11 according to the third embodiment includes a cylindrical wall portion 101 that extends downward from the edge on the semiconductor wafer W side. The wall portion 101 is not provided in a partial region of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W in the upper cup 11, and the region is an opening 100. This region is a region in the vicinity of the position where the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 onto the semiconductor wafer W. And the bubble supply part 80 is arrange | positioned by this opening part 100 vicinity.

この第３実施形態に係る上カップ１１を使用した場合においては、第１実施形態に係る上カップ１１と同様、半導体ウエハＷの端円より飛散した処理液は、泡供給部８０から供給された泡の作用で捕獲される。このため、処理液が半導体ウエハＷ基板表面のデバイスパターン領域に到達することを抑制することが可能となる。また、半導体ウエハＷから飛散した処理液の一部が、上カップ１１と直接衝突し、あるいは、半導体ウエハＷの回転方向と同一方向に周回する空気の流れに乗って浮遊した場合においても、この処理液は、図１０(ａ)に示すように、半導体ウエハＷの表面より上方において半導体ウエハＷより飛散したＳＣ１が上カップ１１における衝突面と衝突する衝突位置と半導体ウエハＷとの間に配設された壁部１０１により捕獲される。 When the upper cup 11 according to the third embodiment is used, the processing liquid splashed from the end circle of the semiconductor wafer W is supplied from the bubble supply unit 80 as in the upper cup 11 according to the first embodiment. Captured by the action of bubbles. For this reason, it becomes possible to suppress that the processing liquid reaches the device pattern region on the surface of the semiconductor wafer W substrate. Further, even when a part of the processing liquid splashed from the semiconductor wafer W directly collides with the upper cup 11 or floats on the flow of air circulating in the same direction as the rotation direction of the semiconductor wafer W, As shown in FIG. 10A, the processing liquid is disposed between the semiconductor wafer W and the collision position where the SC 1 scattered from the semiconductor wafer W above the surface of the semiconductor wafer W collides with the collision surface of the upper cup 11. It is captured by the wall portion 101 provided.

次に、この発明のさらに他の実施形態について説明する。図１１は、この発明の第４実施形態に係る基板処理装置を模式的に示す正面概要図である。また、図１２は、この発明の第４実施形態に係る基板処理装置の要部を示す平面概要図である。さらに、図１３は、この発明の第４実施形態に係る基板処理装置の要部を示す斜視図である。なお、図１から図３に示す第１実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。 Next, still another embodiment of the present invention will be described. FIG. 11 is a schematic front view schematically showing a substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 12 is a schematic plan view showing the main part of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. Further, FIG. 13 is a perspective view showing the main part of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. In addition, about the member similar to 1st Embodiment shown in FIGS. 1-3, the same code | symbol is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.

上述した第１乃至第３実施形態においては、泡供給部８０から上カップ１１の内壁に泡を供給する構成を採用している。これに対して、この第４実施形態に係る基板処理装置においては、スピンチャック１３に保持されて回転する半導体ウエハＷの周縁部に泡を吐出する泡吐出ノズル４０を備えている。 In 1st thru | or 3rd embodiment mentioned above, the structure which supplies a bubble to the inner wall of the upper cup 11 from the bubble supply part 80 is employ | adopted. On the other hand, the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment includes a bubble discharge nozzle 40 that discharges bubbles to the periphery of the semiconductor wafer W that is held by the spin chuck 13 and rotates.

すなわち、この第４実施形態に係る基板処理装置は、図１２および図１３に示すように、第１窒素ガス吐出ノズル４１と、泡吐出ノズル４０と、複数の処理液吐出ノズル４２、４３、４４を備えたノズルヘッド３１を備える。このノズルヘッド３１は、支持部２２を中心として揺動可能なアーム２１の先端に支持されている。このアーム２１は、モータ２３の駆動により、図１２において実線で示す半導体ウエハＷの周縁部付近への泡、窒素ガスまたは処理液の供給位置と、図１２において仮想線で示す待機位置との間を揺動可能となっている。 That is, the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment has a first nitrogen gas discharge nozzle 41, a foam discharge nozzle 40, and a plurality of processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 as shown in FIGS. The nozzle head 31 provided with is provided. The nozzle head 31 is supported at the tip of an arm 21 that can swing around a support portion 22. This arm 21 is driven between the position where bubbles, nitrogen gas or processing liquid is supplied to the vicinity of the periphery of the semiconductor wafer W indicated by the solid line in FIG. 12 and the standby position indicated by the phantom line in FIG. Can be swung.

泡吐出ノズル４０は、図１１に示す開閉弁６９を介して、泡の供給源６０と接続されている。この泡の供給源６０は、図７と同様、純水と界面活性剤との混合液を貯留する貯留部８５と、この貯留部８５から泡供給部８０に対して純水と界面活性剤との混合液を送液するための管路８６と、この管路８６に配設され純水と界面活性剤の混合液を圧送するためのポンプ８７とを備える。 The foam discharge nozzle 40 is connected to a foam supply source 60 via an on-off valve 69 shown in FIG. As in FIG. 7, the foam supply source 60 includes a storage unit 85 that stores a mixed liquid of pure water and a surfactant, and pure water and a surfactant from the storage unit 85 to the foam supply unit 80. A pipe 86 for feeding the mixed liquid and a pump 87 disposed in the pipe 86 for pumping the pure water / surfactant mixed liquid.

図１４は、ノズルヘッド３１が半導体ウエハＷの周縁部付近への泡、窒素ガスまたは処理液の供給位置に配置されたときの、ノズルヘッド３１と半導体ウエハＷ等との配置関係を示す平面図である。 FIG. 14 is a plan view showing the positional relationship between the nozzle head 31 and the semiconductor wafer W and the like when the nozzle head 31 is disposed at the supply position of bubbles, nitrogen gas or processing liquid near the periphery of the semiconductor wafer W. It is.

この第４実施形態に係る基板処理装置においては、処理液吐出ノズル４２、４３、４４により半導体ウエハＷの周縁部に処理液を吐出する前に、半導体ウエハＷの周縁部に泡を吐出することにより、半導体ウエハＷの周縁部での液跳ねを防止するとともに、半導体ウエハＷの端縁から飛散した処理液が上カップ１１と衝突したときの液跳ねをも防止するものである。 In the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment, bubbles are discharged to the peripheral portion of the semiconductor wafer W before the processing liquid is discharged to the peripheral portion of the semiconductor wafer W by the processing liquid discharge nozzles 42, 43 and 44. Thus, the liquid splash at the peripheral edge of the semiconductor wafer W is prevented, and the liquid splash when the processing liquid splashed from the edge of the semiconductor wafer W collides with the upper cup 11 is also prevented.

このため、図１４に示すように、泡吐出ノズル４０は、処理液吐出ノズル４２、４３、４４よりも半導体ウエハＷの回転方向の上流側の位置に配設されており、処理液吐出ノズル４２、４３、４４による半導体ウエハＷへの処理液の供給位置よりも半導体ウエハＷの回転方向の上流側の位置に泡を吐出する構成となっている。なお、この泡吐出ノズル４０は、第１窒素ガス吐出ノズル４１から吐出される窒素ガスにより泡が除去されることを防止するために、半導体ウエハＷの回転方向に対して、第１窒素ガス吐出ノズル４１と処理液吐出ノズル４２、４３、４４との間の位置に配置されている。 For this reason, as shown in FIG. 14, the foam discharge nozzle 40 is disposed at a position upstream of the process liquid discharge nozzles 42, 43, 44 in the rotation direction of the semiconductor wafer W, and the process liquid discharge nozzle 42. , 43, and 44, the bubbles are discharged to a position upstream of the supply position of the processing liquid to the semiconductor wafer W in the rotation direction of the semiconductor wafer W. The bubble discharge nozzle 40 discharges the first nitrogen gas with respect to the rotation direction of the semiconductor wafer W in order to prevent the bubbles from being removed by the nitrogen gas discharged from the first nitrogen gas discharge nozzle 41. It is arranged at a position between the nozzle 41 and the treatment liquid discharge nozzles 42, 43, 44.

さらに、上述したように、第１窒素ガス吐出ノズル４１は、処理液吐出ノズル４２、４３、４４よりも、スピンチャック１３に吸着保持されて回転する半導体ウエハＷの回転中心に近い位置に配置されている。これに対して、泡吐出ノズル４０は、処理液吐出ノズル４２、４３、４４による半導体ウエハＷへの処理液の供給位置よりも、半導体ウエハＷの半径方向において回転中心側の位置で、かつ、第１窒素ガス吐出ノズル４１による半導体ウエハＷへの窒素ガスの供給位置よりも、半導体ウエハＷの半径方向において回転中心とは逆側の位置に配置されている。このように、泡吐出ノズル４０により、処理液吐出ノズル４２、４３、４４による半導体ウエハＷへの処理液の供給位置よりも半導体ウエハＷの半径方向において回転中心側の位置に泡を吐出し得る構成を採用することにより、半導体ウエハＷに対する処理液の供給領域全域に予め泡を供給しておくことが可能となる。 Furthermore, as described above, the first nitrogen gas discharge nozzle 41 is disposed closer to the rotation center of the semiconductor wafer W rotated by being sucked and held by the spin chuck 13 than the treatment liquid discharge nozzles 42, 43, and 44. ing. On the other hand, the foam discharge nozzle 40 is located at a position closer to the rotation center in the radial direction of the semiconductor wafer W than the supply position of the processing liquid to the semiconductor wafer W by the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44, and The first nitrogen gas discharge nozzle 41 is disposed at a position on the opposite side of the rotation center in the radial direction of the semiconductor wafer W from the supply position of the nitrogen gas to the semiconductor wafer W. As described above, the bubbles can be discharged to the position on the rotation center side in the radial direction of the semiconductor wafer W from the processing liquid supply position to the semiconductor wafer W by the processing liquid discharge nozzles 42, 43, 44 by the bubble discharge nozzle 40. By adopting the configuration, it is possible to supply bubbles in advance to the entire area where the processing liquid is supplied to the semiconductor wafer W.

この第４実施形態に係る基板処理装置により半導体ウエハＷの周縁部に対してエッチング処理を実行する場合においては、半導体ウエハＷをスピンチャック１３により吸着保持した状態で、ノズルヘッド３１、ノズルヘッド３３および窒素ガス吐出部３２を図１２において実線で示す位置に配置する。 When the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment performs an etching process on the peripheral portion of the semiconductor wafer W, the nozzle head 31 and the nozzle head 33 are held with the semiconductor wafer W being sucked and held by the spin chuck 13. And the nitrogen gas discharge part 32 is arrange | positioned in the position shown as a continuous line in FIG.

この状態において、半導体ウエハＷをスピンチャック１３とともに回転させる。そして、泡吐出ノズル４０により半導体ウエハＷの周縁部に対して泡を供給するとともに、処理液吐出ノズル４２より半導体ウエハＷの周縁部に、最初に、ＳＣ１を供給する。半導体ウエハＷに供給されたＳＣ１は、先に供給された泡の作用により半導体ウエハＷにおいて液跳ねを生ずることはない。また、半導体ウエハＷの端縁より泡とともに飛散したＳＣ１は、上カップ１１における傾斜した衝突面と衝突する。このときにも、泡の作用により、半導体ウエハＷの端円より飛散したＳＣ１は、上カップ１１により捕獲される。このため、ＳＣ１が半導体ウエハＷ表面のデバイスパターン領域に到達することを抑制することが可能となる。 In this state, the semiconductor wafer W is rotated together with the spin chuck 13. Then, bubbles are supplied from the bubble discharge nozzle 40 to the peripheral edge of the semiconductor wafer W, and SC1 is first supplied from the processing liquid discharge nozzle 42 to the peripheral edge of the semiconductor wafer W. The SC1 supplied to the semiconductor wafer W does not cause liquid splashing in the semiconductor wafer W due to the action of the previously supplied bubbles. In addition, the SC 1 scattered together with bubbles from the edge of the semiconductor wafer W collides with the inclined collision surface in the upper cup 11. Also at this time, the SC 1 scattered from the end circle of the semiconductor wafer W by the action of bubbles is captured by the upper cup 11. For this reason, it is possible to suppress SC1 from reaching the device pattern region on the surface of the semiconductor wafer W.

このようにしてＳＣ１による処理を実行した後に、同様の処理を他の処理液についても実行する。すなわち、引き続き、処理液吐出ノズル４３から半導体ウエハＷの周縁部に純水を供給して洗浄処理を行い、次に、処理液吐出ノズル４４から半導体ウエハＷの周縁部にＨＦと純水の混合液を供給してエッチング処理を行い、さらに、処理液吐出ノズル４３から半導体ウエハＷの周縁部に再度純水を供給して洗浄処理を行う。これらの処理液により処理を実行するときにも、ＳＣ１の場合と同様、泡吐出ノズル４０から供給された泡の作用により、各処理液が半導体ウエハＷ表面のデバイスパターン領域に到達することを抑制することが可能となる。 After the processing by SC1 is executed in this way, the same processing is executed for other processing liquids. That is, the cleaning process is performed by supplying pure water from the processing liquid discharge nozzle 43 to the peripheral edge of the semiconductor wafer W, and then the HF and pure water are mixed from the processing liquid discharge nozzle 44 to the peripheral edge of the semiconductor wafer W. An etching process is performed by supplying a liquid, and a cleaning process is performed by supplying pure water from the processing liquid discharge nozzle 43 to the peripheral edge of the semiconductor wafer W again. Even when processing is performed with these processing liquids, each processing liquid is prevented from reaching the device pattern region on the surface of the semiconductor wafer W by the action of the bubbles supplied from the bubble discharge nozzle 40, as in the case of SC1. It becomes possible to do.

図１５は、この発明の第５実施形態に係る基板処理装置におけるノズルヘッド３１が半導体ウエハＷの周縁部付近への泡、窒素ガスまたは処理液の供給位置に配置されたときの、ノズルヘッド３１と半導体ウエハＷ等との配置関係を示す平面図である。 FIG. 15 shows the nozzle head 31 when the nozzle head 31 in the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention is disposed at the supply position of bubbles, nitrogen gas or processing liquid near the periphery of the semiconductor wafer W. 2 is a plan view showing a positional relationship between the semiconductor wafer W and the like.

この第５実施形態においては、上述した泡吐出ノズル４０とともに、第１乃至第３実施形態と同様の泡供給部８０を上カップ１１に配設した構成を有する。このような構成を採用した場合においては、処理液が半導体ウエハＷ表面のデバイスパターン領域に到達することを、さらに確実に抑制することが可能となる。 The fifth embodiment has a configuration in which a foam supply unit 80 similar to that of the first to third embodiments is disposed in the upper cup 11 together with the foam discharge nozzle 40 described above. When such a configuration is adopted, it is possible to more reliably suppress the processing liquid from reaching the device pattern region on the surface of the semiconductor wafer W.

１０カップ
１１上カップ
１２下カップ
１３スピンチャック
１５回転駆動機構
３１ノズルヘッド
３２窒素ガス吐出部
３３ノズルヘッド
１０泡吐出ノズル
４１第１窒素ガス吐出ノズル
４２処理液吐出ノズル
４３処理液吐出ノズル
４４処理液吐出ノズル
４５第２窒素ガス吐出ノズル
６０泡の供給源
６１ＨＦと純水の混合液の供給源
６２純水の供給源
６３ＳＣ１の供給源
６４窒素ガスの供給源
８０泡供給部
８１泡
１００開口部
１０１壁部
Ｗ半導体ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Cup 11 Upper cup 12 Lower cup 13 Spin chuck 15 Rotation drive mechanism 31 Nozzle head 32 Nitrogen gas discharge part 33 Nozzle head 10 Foam discharge nozzle 41 1st nitrogen gas discharge nozzle 42 Processing liquid discharge nozzle 43 Processing liquid discharge nozzle 44 Processing liquid Discharge nozzle 45 Second nitrogen gas discharge nozzle 60 Supply source of bubbles 61 Supply source of mixed liquid of HF and pure water 62 Supply source of pure water 63 Supply source of SC1 64 Supply source of nitrogen gas 80 Bubble supply unit 81 Bubble 100 Opening Part 101 Wall part W Semiconductor wafer

Claims

A spin chuck that holds the main surface of the substrate in a substantially horizontal state and rotates the substrate around the center of the substrate,
A processing liquid discharge nozzle that discharges the processing liquid onto the rotating substrate held by the spin chuck; and
A cup that is disposed on an outer peripheral portion of the substrate held and rotated by the spin chuck and captures a processing liquid scattered from the substrate;
In a substrate processing apparatus comprising:
A substrate processing apparatus comprising a bubble supply unit for supplying bubbles to the inner wall surface of the cup.

The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate has a substantially circular outer shape,
The substrate processing apparatus, wherein the processing liquid discharge nozzle discharges a processing liquid to a peripheral portion of a substrate held and rotated by the spin chuck.

The substrate processing apparatus according to claim 2,
The said bubble supply part is a substrate processing apparatus which supplies a bubble with respect to the position where the process liquid discharged with respect to the board | substrate from the said process liquid discharge nozzle scatters from the said board | substrate and collides with the said cup.

The substrate processing apparatus according to claim 3,
A gas discharge nozzle for discharging gas to a peripheral portion of the substrate held and rotated by the spin chuck at a position upstream of the processing liquid supply position to the substrate by the processing liquid discharge nozzle; Prepared,
The bubble supply unit is a substrate processing apparatus that supplies bubbles to a position where the processing liquid is scattered from the substrate and contacts the cup by at least gas discharged from the gas discharge nozzle to the substrate.

In the substrate processing apparatus in any one of Claims 2-4,
The cup includes a collision surface on which a processing liquid scattered from the substrate collides,
The collision surface is composed of an inclined surface whose upper part is close to the rotating substrate held by the spin chuck and whose lower part is separated from the rotating substrate held by the spin chuck, and
The said bubble supply part is a substrate processing apparatus which supplies a bubble toward the said collision surface.

A spin chuck that holds the main surface of the substrate having a substantially circular outer shape in a substantially horizontal state, and rotates the substrate around the center of the substrate;
A processing liquid discharge nozzle that discharges the processing liquid to the peripheral edge of the substrate held and rotated by the spin chuck;
A cup that is disposed on an outer peripheral portion of the substrate held and rotated by the spin chuck and captures a processing liquid scattered from the substrate;
In a substrate processing apparatus comprising:
A substrate processing apparatus comprising a bubble discharge nozzle for discharging bubbles to a peripheral portion of a substrate held and rotated by the spin chuck.

The substrate processing apparatus according to claim 6,
The said foam discharge nozzle is a substrate processing apparatus which discharges a bubble to the position of the upstream of the rotation direction of a board | substrate rather than the supply position of the process liquid to the board | substrate by the said process liquid discharge nozzle.

The substrate processing apparatus according to claim 6,
The bubble discharge nozzle discharges bubbles to a position closer to the rotation center in the radial direction of the substrate held and rotated by the spin chuck than the processing liquid supply position to the substrate by the processing liquid discharge nozzle. .

In the substrate processing apparatus of Claim 7 or Claim 8,
A substrate further comprising a gas discharge nozzle that discharges gas to a peripheral portion of the substrate held and rotated by the spin chuck at a position upstream of the bubble supply position to the substrate by the bubble discharge nozzle. Processing equipment.

In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-9,
A reservoir for storing a mixture of pure water and a surfactant;
A pumping unit that pumps a mixture of pure water and a surfactant stored in the storage unit from the storage unit to the foam supply unit or the foam discharge nozzle;
A substrate processing apparatus comprising: