JP2018049861A - Semiconductor device and method of manufacturing the same - Google Patents
Semiconductor device and method of manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018049861A JP2018049861A JP2016182594A JP2016182594A JP2018049861A JP 2018049861 A JP2018049861 A JP 2018049861A JP 2016182594 A JP2016182594 A JP 2016182594A JP 2016182594 A JP2016182594 A JP 2016182594A JP 2018049861 A JP2018049861 A JP 2018049861A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- housing
- inflow port
- side wall
- fixing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 50
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 23
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 21
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APGROBRHKCQTIA-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Si].[Fe] Chemical compound [Mg].[Si].[Fe] APGROBRHKCQTIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum-silicon-copper-magnesium Chemical compound 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device.
パワー半導体素子を含む半導体モジュールの信頼性を保つために、半導体モジュールを冷却装置に搭載することにより、パワー半導体素子を効率的、安定的に冷却することができる。 In order to maintain the reliability of the semiconductor module including the power semiconductor element, the power semiconductor element can be efficiently and stably cooled by mounting the semiconductor module on the cooling device.
冷却装置は、例えば、流入口に取り付けられた配管部から冷媒を導入して、冷却装置内部に配置した複数の放熱フィンの間を冷媒が流通し、流出口に取り付けられた配管部から冷媒が排出するように冷媒が巡回する。半導体モジュールから発する熱は冷却装置内を循環する冷媒を介して放熱されることで、パワー半導体素子が冷却される。 The cooling device, for example, introduces a refrigerant from a piping part attached to the inlet, circulates the refrigerant between a plurality of heat dissipating fins arranged inside the cooling device, and receives the refrigerant from the piping part attached to the outlet. The refrigerant circulates to be discharged. The heat generated from the semiconductor module is dissipated through the refrigerant circulating in the cooling device, thereby cooling the power semiconductor element.
しかし、冷却装置は、半導体モジュールが搭載される上蓋と、放熱フィンと、放熱フィンが収納されて流路を構成する筐体部とから構成され、さらに、流入口と流出口とに配管部がそれぞれ接合されて、複数の物品から構成されることになる。 However, the cooling device is composed of an upper lid on which a semiconductor module is mounted, a heat radiation fin, and a housing part that houses the heat radiation fin and forms a flow path, and further, a piping part is provided between the inlet and the outlet. Each of them is joined to be composed of a plurality of articles.
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、構成の点数を削減して製造コストの削減を図る半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device that reduce the number of components and reduce the manufacturing cost.
本発明の一観点によれば、半導体素子を有する半導体モジュールと、おもて面及び前記おもて面に対向する裏面を有し、前記半導体モジュールが前記おもて面に搭載された蓋、及び、前記蓋の裏面にロウ材で接合された収納部を有する冷却装置と、を含む半導体装置が提供される。前記収納部は、底面を有する筐体状であり、前記蓋と前記底面の間に冷媒の流路を有し、前記流路の一端に流入口が設けられ、前記流路の他端に流出口が設けられた筐体部と、前記筐体部を外部の被設置領域に固定するため、前記流入口の周囲に設けられた第1固定部及び前記流出口の周囲に設けられた第2固定部と、を備える。さらに、前記筐体部、前記第1固定部及び前記第2固定部が、前記ロウ材の液相線温度以上の液相線温度を有する材料を含む、鋳造法により一体成形された鋳造品である。 According to one aspect of the present invention, a semiconductor module having a semiconductor element, a front surface and a back surface facing the front surface, the lid on which the semiconductor module is mounted on the front surface, And a cooling device having a storage portion joined to the back surface of the lid with a brazing material. The storage portion has a housing shape having a bottom surface, has a refrigerant flow path between the lid and the bottom surface, has an inlet at one end of the flow path, and flows into the other end of the flow path. A housing part provided with an outlet, and a first fixing part provided around the inflow port and a second provided around the outflow port in order to fix the housing part to an external installation region. A fixing part. Further, the casing part, the first fixing part, and the second fixing part are a cast product integrally formed by a casting method including a material having a liquidus temperature higher than the liquidus temperature of the brazing material. is there.
また、上記半導体装置の製造方法が提供される。 A method for manufacturing the semiconductor device is also provided.
開示の技術によれば、半導体装置の製造コストの削減を図ることができる。 According to the disclosed technology, it is possible to reduce the manufacturing cost of the semiconductor device.
以下、実施の形態について図面を用いて説明する。
まず、半導体装置及び半導体装置の製造について、図1並びに図2を用いて説明する。
図1は、実施の形態の半導体装置の製造工程を説明するための図である。
Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.
First, a semiconductor device and manufacturing of the semiconductor device will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a diagram for explaining a manufacturing process of the semiconductor device of the embodiment.
図2は、実施の形態の半導体装置の側面図である。
半導体装置1は、図1及び図2に示されるように、半導体モジュール2と、半導体モジュール2が図示を省略するはんだを介して搭載された冷却装置3とを有する。
FIG. 2 is a side view of the semiconductor device according to the embodiment.
As shown in FIGS. 1 and 2, the
半導体モジュール2は、パワー半導体素子21a,21bと、積層基板22とを有している。
パワー半導体素子21a,21bは、例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、FWD(Free Wheeling Diode)等である。パワー半導体素子21a,21bは、2つに限らず、必要に応じた数が設けられる。
The
The
積層基板22は、絶縁板22aと、絶縁板22aのおもて面に形成された回路板22bと、絶縁板22aの裏面に形成された金属板22cとを有している。
絶縁板22aは、電気的に絶縁性を有する材料により構成されている。このような材料として、例えば、酸化アルミニウム、窒化ケイ素等により構成されている。
The
The
回路板22bは、導電性に優れた銅等の金属等により構成されており、複数の回路パターン(図示を省略)を有している。
金属板22cは、絶縁板22aの裏面全面に配置されており、熱伝導率が高いアルミニウム、鉄、銀、銅、または、これらを含む合金等により構成されている。
The
The
半導体モジュール2は、パワー半導体素子21a,21b及び積層基板22を収容するケース、パワー半導体素子21a,21bを回路パターンに接続する配線や、パワー半導体素子21a,21b、回路板22b及び配線を封止する封止材を含んでよい。半導体モジュール2は、トランスファ成形法により封止されてもよい。
The
冷却装置3は、半導体モジュール2が搭載されており、上蓋32と、下部収納部33とを有している。冷却装置3は、さらに、放熱フィン部31を有してもよい。なお、図2では、冷却装置3の各構成の図示は省略している。
The
以下、冷却装置3の各構成及び冷却装置3について、図3〜図6(並びに図1)を用いて説明する。
図3は、実施の形態の放熱フィン部の斜視図である。
Hereinafter, each structure of the
FIG. 3 is a perspective view of the radiation fin portion of the embodiment.
図4は、実施の形態の上蓋の斜視図である。
図5は、実施の形態の下部収納部の斜視図(おもて面側)である。
図6は、実施の形態の下部収納部の斜視図(裏面側)である。
FIG. 4 is a perspective view of the upper lid of the embodiment.
FIG. 5 is a perspective view (front surface side) of the lower storage portion of the embodiment.
FIG. 6 is a perspective view (back side) of the lower storage portion of the embodiment.
放熱フィン部31は、図3に示されるように、複数のフィンを平行に具備している。放熱フィン部31は押出加工またはプレス加工によって形成される。放熱フィン部31は、熱伝導性に優れたアルミニウム等により構成されている。
As shown in FIG. 3, the heat dissipating
上蓋32は、図4に示されるように、おもて面32fとおもて面32fに対向する裏面32bを有する矩形状の板である。上蓋32は四隅にねじ孔321a〜321dがそれぞれ形成されている。上蓋32は、プレス加工によって形成される。上蓋32は、熱伝導性に優れたアルミニウム等により構成されている。
As shown in FIG. 4, the
下部収納部33は、溶融したアルミニウム系の合金を鋳型に流し込んで冷却した後、鋳型から取り出すことで得られる鋳造(ダイカスト(die casting))により形成される。なお、ダイカスト材であるアルミニウム合金は、その熱伝導率は、150W/(mK)以上、その液相線温度が600℃以上の特性を有している。熱伝導率は、150W/(mK)以上、200W/(mK)以下、液相線温度は、600℃以上、660℃以下のアルミニウム合金が鋳造性の観点から好ましい。このような合金として、例えば、AC4D(アルミニウム−シリコン−銅−マグネシウム合金)、日本軽金属株式会社製のDX17(アルミニウム−7シリコン−マグネシウム−鉄合金)、DX26(アルミニウム−2ニッケル−鉄合金)が挙げられる。
The
このようにして形成される下部収納部33は、図5及び図6に示されるように、底面331bを有する筐体状の箱形の容器である。下部収納部33は筐体部331、第1固定部334a,334b及び第2固定部334c,334dを備える。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
図示する例では筐体部331は略直方体の形状である。筐体部331は、一端に流入口332aが、流路331pを間に挟んだ反対側の他端に流出口332bが設けられている。流入口332a及び流出口332bはそれぞれ筐体部331の底面331bに設けられてよい。上蓋32と筐体部331の底面331bとの間には冷媒が流れ得る流路331pが設けられる。流入口332a及び流出口332bには冷媒の循環系を接続でき、流入口332a、流路331p及び流出口332bの経路で冷媒が循環し得る。
In the illustrated example, the
第1固定部334a,334b及び第2固定部334c,334dは外部の被設置領域に固定され得る。筐体部331及び第1固定部334a,334b及び第2固定部334c,334dは一体成形されている。
The
流入口332aと流出口332bとは、筐体部331の長手方向の中心線(図5の一点鎖線)上に対向してそれぞれ形成されている。また、流入口332aの周囲には第1厚肉部333aが、流出口332bの周囲には第2厚肉部333bがそれぞれ形成されている。第1厚肉部333a及び第2厚肉部333bは筐体部331の底面331から上蓋32に向かって階段(テラス)状になるように形成される。第1厚肉部333a及び第2厚肉部333bは筐体部331の底面331bよりも厚く形成されている。流入口332a及び流出口332bはそれぞれテラスに開口している。
The
流入口332aの(短手方向の)両側には第1固定部334a,334bが筐体部331に一体的に形成されており、筐体部331と第1固定部334a,334bとの繋ぎ目には窪み335a,335bが構成されている。流入口332aの当該両側は筐体部331の側壁が第1固定部334a,334b(曲線a1,a2)に沿って角度を有して形成されており、当該側壁の高さは第1固定部334a,334bと同様の厚さである。
First fixing
流出口332bの(短手方向の)両側にも第2固定部334c,334dが筐体部331に一体的に形成されており、筐体部331と第2固定部334c,334dとの繋ぎ目には窪み335c,335dが構成されている。流出口332bの当該両側は筐体部331の側壁が第2固定部334a,334b(曲線a3,a4)に沿って角度を有して形成されており、当該側壁の高さは固定部334c,334dと同様の厚さである。
Second fixing
第1固定部334a,334bは、中実な中実部334as,334bsを含む。第2固定部334c,334dは、中実な中実部334cs,334dsを含む。中実部334as,334bs及び中実部334cs,334dsは、第1厚肉部333a及び第2厚肉部333bより厚く、鍛造法により筐体部331と一体成形される。第1固定部334a,334b及び第2固定部334c,334dは、中実部334as,334bs及び中実部334cs,334dsに加えて、それぞれおもて面から裏面へ貫通する孔を有してよい。これらの貫通孔は上蓋32のねじ孔321a〜321dとそれぞれ同軸に設けられてよい。
The
第1固定部334a,334bの中実部334as,334bsは、流入口332aを間に挟んで対向する、第1側壁334aw及び第2側壁334bwを含む。第1側壁334aw及び第2側壁334bwは、第1厚肉部333aから上蓋32に向かって形成されている。第1側壁334aw及び第2側壁334bwは、平行でなく、曲線a1,a2で示すように角度を有しており、両者の間隔は第2固定部334c,334dから離れるにつれて小さくなっている。
The solid portions 334as and 334bs of the
同様に、第2固定部334c,334dの中実部334cs,334dsは、流入口332bを間に挟んで対向する、第3側壁334cw及び第4側壁334dwを含む。第3側壁334cw及び第4側壁334dwは、第2厚肉部333bから上蓋32に向かって形成されている。第3側壁334cw及び第4側壁334dwは、平行でなく曲線a3,a4で示すように角度を有しており、両者の間隔は第1固定部334a,334bから離れるにつれて小さくなっている。
Similarly, the solid portions 334cs and 334ds of the
なお、下部収納部33の裏面336は、図6に示されるように、筐体部331と固定部334a〜334dとが平面的に形成されており、平らになっている。
また、このような下部収納部33の底面331bの最小肉厚は1mm程度であり、第1厚肉部333a及び第2厚肉部333bの厚さは、4mm程度である。さらに、下部収納部33の流入口332a及び流出口332bの両側を包囲する側壁(第1側壁334aw、第2側壁334bw、第3側壁334cw及び第4側壁334dw)の高さは、10mm程度である。
As shown in FIG. 6, the
Further, the minimum thickness of the
次に、冷却装置3の組み立て構成について図7〜図9(並びに図1)を用いて説明する。
図7は、実施の形態の放熱フィン部が収納された筐体部の斜視図(おもて面側)である。
Next, the assembly structure of the
FIG. 7 is a perspective view (front surface side) of a housing portion in which the heat dissipating fin portions of the embodiment are housed.
図8は、実施の形態の冷却装置の斜視図である。
図9は、実施の形態の下部収納部と下部収納部にロウ付けされた上蓋との要部断面図である。
FIG. 8 is a perspective view of the cooling device according to the embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view of the main part of the lower storage portion and the upper lid brazed to the lower storage portion of the embodiment.
まず、下部収納部33の筐体部331内に、例えば、金、銀、銅、アルミニウム等のロウ材を塗り、図7に示されるように、筐体部331内に放熱フィン部31を配置する。ロウ材として好ましくはアルミニウム及びシリコンを主要成分とするアルミニウムろうが用いられる。アルミニウムろうは、銅、マグネシウムや亜鉛等の添加成分を含んでよい。
First, for example, a brazing material such as gold, silver, copper, or aluminum is applied to the
なお、流入口332aと流出口332bは、このようにして配置された放熱フィン部31を挟んで各フィンの一方側と他方側の筐体部331の底面331bに、放熱フィン部31の中心線(図7中破線)上に形成されている。このため、流入口332aから筐体部331内に流入された冷媒は、放熱フィン部31の各フィンの間を流通して、流出口332bから流出する。このようにして筐体部331内には、上蓋32と筐体部331の底面331bとの間に、放熱フィン部31を含む冷媒の流路331pが設けられる。
The
次いで、このような下部収納部33に対して、図8に示されるように、裏面32bにロウ材が塗られた上蓋32を筐体部331の開口に配置する。上蓋32として、ロウ材を予め層状に接合したクラッド材を用いてもよい。なお、この際、上蓋32のねじ孔321a〜321dと、固定部334a〜334dとがそれぞれ位置合わせされている。
Next, as shown in FIG. 8, the
そして、575℃以上、600℃未満のロウ付け温度で、上蓋32を下部収納部33側に押圧してロウ付けを行う。これにより、上蓋32が放熱フィン部31の上端部と、筐体部331の縁と、固定部334a〜334dとにそれぞれロウ付けされ、また、放熱フィン部31の下端部が筐体部331の底面331bにロウ付けされる。
Then, brazing is performed by pressing the
この際、下部収納部33の液相線温度はロウ材の液相線温度よりも高い600℃以上であるために、ロウ付けにより下部収納部33が溶けることなく、放熱フィン部31と、上蓋32と、下部収納部33とを一体的に確実にロウ付けすることができる。
At this time, since the liquidus temperature of the
なお、下部収納部33の筐体部331の縁は、図9に示されるように、外側に沿った形状をなしている。このため、上蓋32を下部収納部33の筐体部331の縁に確実にロウ付けすることができるようになる。
In addition, the edge of the housing | casing
このような冷却装置3の上蓋32上にはんだを介して、半導体モジュール2が設置されることで半導体装置1が構成される。
なお、冷却装置3に対して、流入口332aに冷媒を流入して、流出口332bから流出した冷媒を循環させるポンプと循環する冷媒の熱を外部に放熱する放熱装置(ラジエータ)とが備えられてもよい。
The
The
半導体装置1では、半導体モジュール2のパワー半導体素子21a,21bが動作するに伴って発生した熱は、積層基板22を経由して冷却装置3に伝導する。冷却装置3では、上蓋32を経由して放熱フィン部31に伝導した熱が放熱フィン部31で冷媒に伝導して、冷媒が循環することで外部に放熱される。
In the
また、冷却装置3の断面図について、図10を用いて説明する。
図10は、実施の形態の冷却装置の断面図である。
なお、図10は、図8の冷却装置3の一点鎖線Y−Yにおける断面図である。
A cross-sectional view of the
FIG. 10 is a cross-sectional view of the cooling device according to the embodiment.
10 is a cross-sectional view taken along one-dot chain line YY of the
冷却装置3では、下部収納部33の筐体部331に収納された放熱フィン部31は、その下端部が筐体部331の底面331bに、その上端部が上蓋32の裏面32bにそれぞれロウ付けされている。
In the
冷却装置3の上蓋32上に配置された半導体モジュール2が発熱すると、上蓋32は熱応力が発生して反りが発生する。しかしながら、放熱フィン部31の上端と下端とが上蓋32と筐体部331の底面とにそれぞれロウ付けされていることから、上蓋32の反りが抑制される。これにより、冷却装置3が破損してしまうことが防止されて、冷却装置3の信頼性の低下を抑制することができる。
When the
次に、冷却装置3において、配管部が接合された下部収納部について、図11を用いて説明する。
図11は、実施の形態の配管部が接合された下部収納部の斜視図(裏面側)である。
Next, in the
FIG. 11 is a perspective view (back side) of the lower storage portion to which the piping portion of the embodiment is joined.
下部収納部33aは、上記の筐体部331の流入口332aと流出口332bとに裏面336側から配管部337a,337bがそれぞれ一体的に設けられたものであり、他の構成は、下部収納部33と同様の構成をなしている。
The
このような下部収納部33aでは、下部収納部33の形成で利用した鋳型に対して新たに配管部337a,337bに対する型が形成されている鋳型が利用される。このような鋳型に対して、下部収納部33の場合と同様にダイカストを行うことで、筐体部331と、固定部334a〜334dと、配管部337a,337bとが一体的に形成された下部収納部33aが形成される。
In such a
ここで、参考例としての冷却装置について、図12及び図13を用いて説明する。
図12は、参考例の半導体装置の製造工程を説明するための図である。
図13は、参考例の半導体装置の斜視図である。
Here, a cooling device as a reference example will be described with reference to FIGS.
FIG. 12 is a diagram for explaining a manufacturing process of the semiconductor device of the reference example.
FIG. 13 is a perspective view of a semiconductor device of a reference example.
参考例の半導体装置(図示を省略)は、図12及び図13に示されるように、実施の形態と同様の半導体モジュール2と、半導体モジュール2が図示を省略するはんだを介して搭載された冷却装置4とを有する。
As shown in FIGS. 12 and 13, the semiconductor device of the reference example (not shown) has the
半導体モジュール2は、図2で説明したように、パワー半導体素子21a,21bと、積層基板22とを有する。このため、パワー半導体素子21a,21bと積層基板22との詳細な説明は省略する。
As described with reference to FIG. 2, the
冷却装置4は、半導体モジュール2が搭載されるものであり、放熱フィン部41と、上蓋42と、筐体部43と、配管部44a,44bと、フランジ(図示を省略)と、固定部45a〜45dとを有している。
The cooling device 4 is mounted with the
以下、冷却装置4の各構成及び冷却装置4について、図14〜図16(並びに図12及び図13)を用いて説明する。
なお、放熱フィン部41は、上記で説明した放熱フィン部31と同様の構成をなしているために、説明を省略する。
Hereinafter, each structure of the cooling device 4 and the cooling device 4 will be described with reference to FIGS. 14 to 16 (and FIGS. 12 and 13).
In addition, since the
図14は、参考例の上蓋の斜視図である。
図15は、参考例の筐体部の斜視図(おもて面側)である。
図16は、参考例の配管部の斜視図である。
FIG. 14 is a perspective view of the upper lid of the reference example.
FIG. 15 is a perspective view (front surface side) of the housing portion of the reference example.
FIG. 16 is a perspective view of a piping portion of a reference example.
上蓋42は、図14に示されるように、矩形状をなしており、四隅にねじ孔421a〜421dがそれぞれ形成されている。上蓋42は、プレス加工によって形成される。上蓋42は、熱伝導性に優れたアルミニウム等により構成されている。
As shown in FIG. 14, the
筐体部43は、図15に示されるように、例えば、上面視で八角形の容器型の形状をなしており、対向する一対の側壁には冷媒の流入口431a及び冷媒の流出口431bがそれぞれ形成されている。筐体部43は、プレス加工によって形成される。筐体部43は、熱伝導性に優れたアルミニウム等により構成されている。
As shown in FIG. 15, the
配管部44a,44bは、図16に示されるように、例えば、円筒状をなしており、後述するように、筐体部43の流入口431aと流出口431bとに接合される端部にはフランジ(図示を省略)が形成されている。配管部44a,44bは、金型に配管形状の素材をセット後、型締めし、高圧の液体を充填しながら素材の両端を軸方向に圧縮して中空成形を行うバルジ加工によって形成する。または、配管部44a,44bは、切削加工によっても形成することも可能である。配管部44a,44bは、熱伝導性に優れたアルミニウム等により構成されている。
As shown in FIG. 16, the
固定部45a〜45dは、後述する図17に示されるように、ねじが嵌合するねじ孔を有している。固定部45a〜45dは、構成材料を強圧して所定の金型の孔から押し出す押出加工により形成する。または、固定部45a〜45dは、切削加工によっても形成することが可能である。
The fixing
次に、冷却装置4の組み立てについて図17(並びに図12及び図13)を用いて説明する。
図17は、参考例の放熱フィン部が収納され、配管部が接続され、固定部がセットされた筐体部の斜視図(おもて面側)である。
Next, assembly of the cooling device 4 will be described with reference to FIG. 17 (and FIGS. 12 and 13).
FIG. 17 is a perspective view (front surface side) of a housing part in which the heat dissipating fin part of the reference example is accommodated, the pipe part is connected, and the fixing part is set.
まず、筐体部43内にロウを塗り、図17に示されるように、放熱フィン部41を配置する。
そして、筐体部43の流入口431aと流出口431bとに、配管部44a,44bをそれぞれ接合する。
First, a wax is applied in the
And piping
なお、配管部44a,44bを筐体部43に先に接合した後に、筐体部43内に放熱フィン部41を配置しても構わない。
このように放熱フィン部41が配置され、配管部44a,44bが接合された筐体部43に対して、固定部45a〜45dを所定位置にセットする。
In addition, after joining the
Thus, with respect to the housing | casing
上蓋42のねじ孔421a〜421d付近と、筐体部43及び放熱フィン部41と接合する箇所にロウを塗布し、上蓋42を筐体部43の開口に配置する。なお、この際、上蓋42のねじ孔421a〜421dと、固定部45a〜45dとがそれぞれ位置合わせされている。
Wax is applied to the vicinity of the screw holes 421 a to 421 d of the
そして、575℃〜600℃の温度下で、上蓋42を筐体部43側に押圧する。これにより、上蓋42が放熱フィン部41の上端と筐体部43の縁とにそれぞれロウ付けされ、また、放熱フィン部41の下端が筐体部43の底面にロウ付けされる。
And the
これにより、図13に示した冷却装置4が得られる。
このような冷却装置4は、上蓋42及び放熱フィン部41以外の構成が、筐体部43と、配管部44a,44bと、固定部45a〜45dとの3つに分かれていることになる。
Thereby, the cooling device 4 shown in FIG. 13 is obtained.
In such a cooling device 4, the configuration other than the
一方、冷却装置3の下部収納部33(並びに下部収納部33a)は、筐体部331と固定部334a〜334dと(配管部337a〜337dと)が一体となっており、構成の点数の増加が抑制されている。
On the other hand, the lower storage portion 33 (and the
また、冷却装置4の筐体部43では、流入口431a及び流出口431bに、配管部44a,44bをそれぞれ接合する際の寸法公差をできる限り小さくすることが要求される。この寸法公差が大きい場合には、筐体部43と、配管部44a,44bとの気密性確保が難しくなる。寸法公差を小さくするためのシール材等を新たに要し、構成の点数が増加してしまう。
Moreover, in the housing | casing
一方、冷却装置3の下部収納部33aは、筐体部331の流入口332a及び流出口332bに対して配管部337a,337bが鋳造により一体的に接合されているために、高い寸法精度を実現することができる。
On the other hand, the
次に、冷却装置3の冷却性能に関して行ったシミュレーション結果について、図18を用いて説明する。
図18は、実施の形態の熱伝導率に対する半導体モジュールのジャンクション温度を示すグラフである。
Next, the simulation result performed regarding the cooling performance of the
FIG. 18 is a graph showing the junction temperature of the semiconductor module with respect to the thermal conductivity of the embodiment.
なお、図18の横軸は熱伝導率(W/(mK))を、縦軸は、半導体モジュール2のジャンクション温度(℃)をそれぞれ表している。
また、図18のグラフは、半導体装置1において、上記冷却装置3の下部収納部33のダイカスト材を異ならせた場合の半導体モジュール2のジャンクション温度のシミュレーション結果を表している。
18, the horizontal axis represents the thermal conductivity (W / (mK)), and the vertical axis represents the junction temperature (° C.) of the
18 represents a simulation result of the junction temperature of the
A点(黒丸)は、参考例であって、熱伝導率が96W/(mK)、液相線温度が580℃のアルミニウム合金(ADC12)をダイカスト材としている場合を表している。B点(白丸)は、熱伝導率が170W/(mK)、液相線温度が610℃のアルミニウム合金(実施の形態のDX17)、C点(白丸)は、熱伝導率が190W/(mK)、液相線温度が655℃のアルミニウム合金(実施の形態のDX26)をダイカスト材としている場合をそれぞれ表している。 Point A (black circle) is a reference example, and represents a case where an aluminum alloy (ADC12) having a thermal conductivity of 96 W / (mK) and a liquidus temperature of 580 ° C. is used as a die-cast material. Point B (white circle) is an aluminum alloy (DX17 in the embodiment) having a thermal conductivity of 170 W / (mK) and a liquidus temperature of 610 ° C., and point C (white circle) has a thermal conductivity of 190 W / (mK). ), An aluminum alloy having a liquidus temperature of 655 ° C. (DX26 of the embodiment) is shown as a die-cast material.
また、冷却装置3に用いる冷媒として、60℃のエチレングリコール系の希釈LLC(Long Life Coolant)を設定し、流量を2リットル/分としている。
このグラフによれば、参考例のA点では、ジャンクション温度が155℃を超えていることが分かる。一方、B点及びC点では、A点よりもジャンクション温度が100℃以上も低下して、より冷却していることが分かる。これは、B点及びC点の下部収納部33は、A点の下部収納部33よりも熱伝導率が高いために、放熱率がA点の場合よりも高いことが考えられる。
Further, as a refrigerant used in the
According to this graph, it can be seen that the junction temperature exceeds 155 ° C. at point A of the reference example. On the other hand, at the points B and C, it can be seen that the junction temperature is lower by 100 ° C. or more than the point A, and the cooling is further performed. This is probably because the
さらに、既述の通り、B点及びC点の下部収納部33のダイカスト材の液相線温度は600℃を超えており、ロウ付け温度(575℃〜600℃)よりも高い。このため、ダイカストにより一体成形された下部収納部33に対して放熱フィン部31と上蓋32とをロウ付けしても、下部収納部33は溶融することなく、冷却装置3を得ることができる。
Furthermore, as described above, the liquidus temperature of the die-cast material in the
一方、A点の下部収納部33のダイカスト材の液相線温度は600℃未満であり、ロウ付け温度程度である。このため、ダイカストにより一体成形された下部収納部33に対して放熱フィン部31と上蓋32とをロウ付けすると、下部収納部33が溶融してしまうおそれがあり、冷却装置3を適切に得ることができない場合が生じる。
On the other hand, the liquidus temperature of the die-cast material of the
上記の半導体装置1は、パワー半導体素子21a,21bを備える半導体モジュール2と、おもて面及びおもて面に対向する裏面を有し、半導体モジュール2がおもて面に搭載された上蓋32、及び、上蓋32の裏面にロウ材で接合された下部収納部33を有する冷却装置3とを有している。下部収納部33は、底面331bを有する筐体状であり、上蓋32と底面331bの間に冷媒の流路331pを有し、流路331pの一端に流入口332aが設けられ、流路331pの他端に流出口332bが設けられた筐体部331と、筐体部331を外部の被設置領域に固定するため、流入口332aの周囲に設けられた第1固定部334a,334b及び流出口332bの周囲に設けられた第2固定部334c,334dと、を備える。筐体部331、第1固定部334a,334b及び第2固定部334c,334dが、ロウ材の液相線温度以上の液相線温度を有する材料を含む、鋳造法により一体成形された鋳造品である。
The
このような半導体装置1の冷却装置3では、筐体部331と、固定部334a〜334dとが液相線温度がロウ付け温度以上の材料を用いた鋳造法により一体成形された下部収納部33と、上蓋32と、放熱フィン部31とがロウ付けにより一体成形されている。さらに、当該材料の熱伝導率が150W/(mK)以上である。
In such a
このような冷却装置3は、構成の点数を減らして、製造コストの削減を図ることができると共に、放熱性の低下を抑制することができる。下部収納部33aでは、さらに、筐体部331と固定部334a〜334dとに加えて、筐体部331の流入口332aと流出口332bとに配管部337a,337bを同様の鋳造法により一体成形されている。このために、構成の点数を減らして、製造コストの削減を図ることができると共に、放熱性の低下を抑制することができ、高い寸法精度及び位置精度を実現することができる。また、下部収納部33,33aは、鋳造加工で用いられる鋳型に応じて配管部337a,337bと流入口332a及び流出口332bとの配管形状・配置位置を個別最適に形成でき、設計自由度が向上する。
Such a
また、下部収納部33,33aには、第1厚肉部333a及び第2厚肉部333bが、筐体部331の底面331bよりも厚く形成されている。さらに、流入口332a及び流出口332bの両側は、中実な中実部334as,334bs及び中実部334cs,334dsと、第1側壁334aw、第2側壁334bw、第3側壁334cw及び第4側壁334dwとを含む第1固定部334a,334b及び第2固定部334c,334dで囲まれている。収納部33,33aが鋳造法により成形されるので、第1厚肉部333a、第2厚肉部333b、中実部334as,334bs及び中実部334cs,334dsを、工数を増やさずに形成できる。
In the
このような構造により、流入口332aや流出口332bに機械的な大きな力が加えられても、冷却装置3が座屈し難い。さらに、第1側壁334aw、第2側壁334bw、第3側壁334cw及び第4側壁334dwの高さは固定部334a〜334dと同様の厚さであり、当該側壁は、図5中曲線a1〜a4に沿った角度を有してよい。これにより、冷却装置3の流入口332aと流出口332bとに圧力がかかっても下部収納部33が座屈してしまうことを防止することができる。
With such a structure, the
1 半導体装置
2 半導体モジュール
3 冷却装置
21a,21b パワー半導体素子
22 積層基板
22a 絶縁板
22b 回路板
22c 金属板
31 放熱フィン部
32 上蓋
33,33a 下部収納部
321a〜321d ねじ孔
331 筐体部
331b 底面
331p 流路
332a 流入口
332b 流出口
333a 第1厚肉部
333b 第2厚肉部
334a,334b 第1固定部
334as,334bs,334cs,334ds 中実部
334aw 第1側壁
334bw 第2側壁
334c,334d 第2固定部
334cw 第3側壁
334dw 第4側壁
335a〜335d 窪み
336 裏面
337a〜337d 配管部
DESCRIPTION OF
Claims (14)
おもて面及び前記おもて面に対向する裏面を有し、前記半導体モジュールが前記おもて面に搭載された蓋、及び、前記蓋の裏面にロウ材で接合された収納部を有する冷却装置と、
を含み、
前記収納部は、
底面を有する筐体状であり、前記蓋と前記底面の間に冷媒の流路を有し、前記流路の一端に流入口が設けられ、前記流路の他端に流出口が設けられた筐体部と、
前記筐体部を外部の被設置領域に固定するため、前記流入口の周囲に設けられた第1固定部及び前記流出口の周囲に設けられた第2固定部と、を備え、
前記筐体部、前記第1固定部及び前記第2固定部が、前記ロウ材の液相線温度以上の液相線温度を有する材料を含む、鋳造法により一体成形された鋳造品である、
半導体装置。 A semiconductor module having a semiconductor element;
A front surface and a rear surface facing the front surface; the lid on which the semiconductor module is mounted on the front surface; and a storage portion joined to the rear surface of the lid with a brazing material. A cooling device;
Including
The storage section is
The casing has a bottom surface, and has a refrigerant flow path between the lid and the bottom surface, an inlet is provided at one end of the flow path, and an outlet is provided at the other end of the flow path. A housing part;
A first fixing part provided around the inflow port and a second fixing part provided around the outflow port in order to fix the housing part to an external installation area;
The casing part, the first fixing part, and the second fixing part include a material having a liquidus temperature equal to or higher than the liquidus temperature of the brazing material, and are a cast product integrally formed by a casting method.
Semiconductor device.
前記材料の熱伝導率は150W/(mK)以上である、
請求項1に記載の半導体装置。 The liquidus temperature of the material is 600 ° C. or higher,
The thermal conductivity of the material is 150 W / (mK) or more.
The semiconductor device according to claim 1.
請求項2に記載の半導体装置。 The material is an aluminum alloy;
The semiconductor device according to claim 2.
請求項1に記載の半導体装置。 The liquidus temperature of the brazing material is 575 ° C. or more and less than 600 ° C.,
The semiconductor device according to claim 1.
請求項1に記載の半導体装置。 The inflow port and the outflow port are respectively formed on the bottom surface of the housing portion.
The semiconductor device according to claim 1.
前記第1固定部は中実で、前記第1厚肉部より厚い中実部を備え、前記第2固定部は中実で、前記第2厚肉部より厚い中実部を備える、
請求項5に記載の半導体装置。 The housing includes a step-like first thick part and a second thick part formed from the bottom surface toward the lid, and the first thick part is formed around the inflow port. 2 thick parts are provided around the outlet,
The first fixing part is solid and includes a solid part thicker than the first thick part; the second fixing part is solid and includes a solid part thicker than the second thick part;
The semiconductor device according to claim 5.
請求項6記載の半導体装置。 The solid part of the first fixed part includes a first side wall and a second side wall that are formed facing the lid from the first thick part, with the inflow port interposed therebetween, The distance between the first side wall and the second side wall decreases as the distance from the second fixing portion increases.
The semiconductor device according to claim 6.
請求項6に記載の半導体装置。 The inflow port and the outflow port are respectively disposed opposite to each other on a center line passing through the center of the housing portion.
The semiconductor device according to claim 6.
前記流入口の周囲の前記筐体部の側壁が前記固定部に沿って形成されている、
請求項8に記載の半導体装置。 The fixing part is disposed on both sides of the inflow port at right angles to the center line;
The side wall of the housing part around the inflow port is formed along the fixed part,
The semiconductor device according to claim 8.
前記流出口の周囲の前記筐体部の側壁が前記固定部に沿って形成されている、
請求項8に記載の半導体装置。 The fixing portion is disposed on both sides of the outlet and perpendicular to the center line;
The side wall of the housing part around the outlet is formed along the fixed part.
The semiconductor device according to claim 8.
請求項1または5に記載の半導体装置。 As for the said accommodating part, the piping part is integrally formed by the said casting method in the said inflow port and the said outflow port, respectively.
6. The semiconductor device according to claim 1 or 5.
請求項8に記載の半導体装置。 A radiating fin portion having a plurality of fins parallel to a direction in which the refrigerant flowing in from the inflow port flows between the inflow port and the outflow port is accommodated in the housing unit. ing,
The semiconductor device according to claim 8.
請求項12に記載の半導体装置。 The lower end portion of the radiating fin portion is brazed to the bottom surface of the housing portion, and the upper end portion of the radiating fin portion is brazed to the back surface of the lid,
The semiconductor device according to claim 12.
蓋を用意する工程と、
筐体状をなし、冷媒の流入口と前記冷媒の流出口とが形成された筐体部と、前記筐体部を外部の被設置領域に固定する固定部とが、鋳造法により一体成形された収納部を用意する工程と、
前記筐体部を前記蓋で覆ってロウ材で接合することにより一体成形して冷却装置を形成する工程と、
前記冷却装置に前記半導体モジュールを搭載する工程と、を有し、
前記筐体部及び前記固定部が前記ロウ材の液相線温度以上の液相線温度を有する材料を含む半導体装置の製造方法。 Preparing a semiconductor module having a semiconductor element;
Preparing a lid;
A casing portion having a casing shape, in which a refrigerant inlet and a refrigerant outlet are formed, and a fixing portion that fixes the casing portion to an external installation area are integrally formed by a casting method. Preparing a storage section,
Forming the cooling device integrally by covering the casing with the lid and joining with a brazing material;
Mounting the semiconductor module on the cooling device, and
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the housing part and the fixing part include a material having a liquidus temperature equal to or higher than a liquidus temperature of the brazing material.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016182594A JP6870253B2 (en) | 2016-09-20 | 2016-09-20 | Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016182594A JP6870253B2 (en) | 2016-09-20 | 2016-09-20 | Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018049861A true JP2018049861A (en) | 2018-03-29 |
JP6870253B2 JP6870253B2 (en) | 2021-05-12 |
Family
ID=61766503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016182594A Active JP6870253B2 (en) | 2016-09-20 | 2016-09-20 | Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6870253B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019216778A1 (en) | 2018-11-22 | 2020-05-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module, vehicle and manufacturing process |
CN111386010A (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 日本电产株式会社 | Cooling device |
JPWO2021256083A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119501A (en) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Toyota Motor Corp | Cooler |
JP2012160722A (en) * | 2011-01-14 | 2012-08-23 | Nippon Light Metal Co Ltd | Method of manufacturing liquid-cooled integrated substrate, and liquid-cooled integrated substrate |
JP2013175526A (en) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | Cooler and cooling device |
JP2013239666A (en) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | T Rad Co Ltd | Heat sink |
JP2014187163A (en) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Mitsubishi Materials Corp | Aluminum heat exchanger, heat sink-equipped power module board, and method for manufacturing aluminum heat exchanger |
WO2015179306A1 (en) * | 2014-05-23 | 2015-11-26 | Tesla Motors, Inc. | Heatsink with internal cavity for liquid cooling |
-
2016
- 2016-09-20 JP JP2016182594A patent/JP6870253B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119501A (en) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Toyota Motor Corp | Cooler |
JP2012160722A (en) * | 2011-01-14 | 2012-08-23 | Nippon Light Metal Co Ltd | Method of manufacturing liquid-cooled integrated substrate, and liquid-cooled integrated substrate |
JP2013175526A (en) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | Cooler and cooling device |
JP2013239666A (en) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | T Rad Co Ltd | Heat sink |
JP2014187163A (en) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Mitsubishi Materials Corp | Aluminum heat exchanger, heat sink-equipped power module board, and method for manufacturing aluminum heat exchanger |
WO2015179306A1 (en) * | 2014-05-23 | 2015-11-26 | Tesla Motors, Inc. | Heatsink with internal cavity for liquid cooling |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019216778A1 (en) | 2018-11-22 | 2020-05-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module, vehicle and manufacturing process |
US11129310B2 (en) | 2018-11-22 | 2021-09-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module, vehicle and manufacturing method |
CN111386010A (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 日本电产株式会社 | Cooling device |
US11523540B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-12-06 | Nidec Corporation | Cooling device |
JPWO2021256083A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | ||
JP7424489B2 (en) | 2020-06-17 | 2024-01-30 | 富士電機株式会社 | Cooling equipment and semiconductor modules |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6870253B2 (en) | 2021-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2014045766A1 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
JP6384609B2 (en) | Power semiconductor module and cooler | |
US9263367B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6409690B2 (en) | Cooling module | |
JP5343574B2 (en) | Brazing method of heat sink | |
JP2007335663A (en) | Semiconductor module | |
US9263365B2 (en) | Electronic component and electronic component cooling method | |
JP2003101277A (en) | Structural body for cooling heating element and manufacturing method thereof | |
JP2020072106A (en) | Semiconductor device | |
JP6554406B2 (en) | Liquid-cooled cooler | |
JP6870253B2 (en) | Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices | |
JP4600199B2 (en) | Cooler and power module | |
JP2017017133A (en) | Liquid-cooled type cooling device | |
JP2005175163A (en) | Cooling structure of semiconductor module | |
JP2006222461A (en) | Heat dissipation structure | |
CN113056817A (en) | Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips | |
JP7047929B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5267238B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
JP7366077B2 (en) | power converter | |
JP2017017862A (en) | Electric power converter | |
JP4935783B2 (en) | Semiconductor device and composite semiconductor device | |
JP2015185835A (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
JP7126423B2 (en) | Coolers, their base plates and semiconductor devices | |
JP7030535B2 (en) | Power semiconductor device | |
JP2022019040A (en) | Electric power conversion device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190809 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20191212 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20191212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6870253 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |