JP2018046212A - Manufacturing method of template having multilevel structure - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a template having a multilevel structure, which does not require a drawing device including an alignment function for formation of a step structure of more than one steps, and capable of forming a fine multilevel structure with high location accuracy.SOLUTION: A manufacturing method of a template having a multilevel structure includes a step of preparing a substrate having a mask pattern on the principal surface thereof, a step of etching the principal surface of the substrate exposed from the mask pattern, a step of forming a first ALD film on the first etching bottom face of the substrate formed by the etching step, on the first etching lateral face in contact with the first etching bottom face, and on the mask pattern, a step of etching back the first ALD film, a step of etching the first etching bottom face exposed by the etching back step, and a step of removing the first ALD film, in order.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、多段構造体を有するテンプレートの製造方法に関するものである。より詳しくは、２段以上の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレートの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a template having a multistage structure. More specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a template having a multi-step structure composed of two or more step structures on the main surface.

半導体用デバイス製造等において微細なパターンを転写形成する技術として、ナノインプリントリソグラフィが知られている。
上記のナノインプリントリソグラフィは、表面に微細な凹凸形状の転写パターンを形成したテンプレート（モールド、スタンパ、金型とも呼ばれる）を、半導体ウェハなどの被転写基板の上に形成された樹脂に密着させ、前記樹脂の表面側の形状を、前記テンプレートの転写パターンの凹凸形状に成形した後に前記テンプレートを離型し、次いで、ドライエッチング等により余分な樹脂部分（残膜部分）を除去することで、前記被転写基板の上の樹脂に前記テンプレートの転写パターンの凹凸形状（より詳しくは、凹凸反転形状）を転写する技術である（例えば、特許文献１、２）。 Nanoimprint lithography is known as a technique for transferring and forming a fine pattern in semiconductor device manufacturing and the like.
In the nanoimprint lithography described above, a template (also referred to as a mold, a stamper, or a mold) on which a fine concavo-convex shape transfer pattern is formed is closely attached to a resin formed on a substrate to be transferred such as a semiconductor wafer, The shape on the surface side of the resin is formed into a concavo-convex shape of the transfer pattern of the template, and then the template is released, and then the excess resin portion (residual film portion) is removed by dry etching or the like. This is a technique for transferring the concave / convex shape (more specifically, the concave / convex inverted shape) of the template transfer pattern to the resin on the transfer substrate (for example, Patent Documents 1 and 2).

上記のナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレート（以降、インプリント用テンプレート、若しくは、単にテンプレートと呼ぶ）に形成される凹凸形状の転写パターンは、従来、断面矩形状のラインパターンやピラーパターン、すなわち、１段の段差構造から構成される構造体であった。
一方、転写パターンとして２段以上の段差構造から構成される多段構造体を形成したテンプレートを用いれば、複雑な３次元形状を、より少ない工程で得ることができる。
それゆえ、半導体用デバイス製造のみならず、例えば、光学素子、配線回路、記録デバイス、ディスプレイパネル、医療検査用チップ、マイクロ流路などの製造分野において、多段構造体を有するテンプレートの提供が望まれている。 Conventionally, a concavo-convex shaped transfer pattern formed on a template used in the above-described nanoimprint lithography (hereinafter referred to as an imprint template or simply referred to as a template) has been a line pattern or pillar pattern having a rectangular cross section, that is, one step. It was the structure comprised from these level | step difference structures.
On the other hand, if a template in which a multi-stage structure composed of two or more steps is used as a transfer pattern, a complicated three-dimensional shape can be obtained with fewer steps.
Therefore, it is desired to provide a template having a multistage structure not only in the manufacture of semiconductor devices but also in the manufacturing field of optical elements, wiring circuits, recording devices, display panels, medical inspection chips, microchannels, and the like. ing.

上記のような多段構造体を有するテンプレートを製造する方法として、まず、従来同様の断面矩形状（すなわち、段差が１段）の構造体を形成し、次いで、その上に形成したレジストに電子線描画装置等を用いてアライメント描画することにより、所望の多段構造体を形成する方法（例えば、特許文献３の図１）や、電子線描画装置を用いたアライメント描画及びハーフエッチングの手法により、石英基板の上に形成した導電性のハードマスク層を段差構造とし、このハードマスク層をエッチングマスクに用いて石英基板をエッチングする方法（例えば、特許文献３の図４）が提案されている。   As a method of manufacturing a template having a multistage structure as described above, first, a structure having a rectangular cross section (that is, one step) as in the prior art is formed, and then an electron beam is applied to the resist formed thereon. Quartz is produced by a method of forming a desired multistage structure by performing alignment drawing using a drawing apparatus or the like (for example, FIG. 1 of Patent Document 3), or by alignment drawing and half-etching using an electron beam drawing apparatus. A method has been proposed in which a conductive hard mask layer formed on a substrate has a step structure, and a quartz substrate is etched using the hard mask layer as an etching mask (for example, FIG. 4 of Patent Document 3).

特表２００４−５０４７１８号公報JP-T-2004-504718 特開２００２−９３７４８号公報JP 2002-93748 A 特開２０１２−２３２４２号公報JP 2012-23242 A 特許第４５２３６６１号公報Japanese Patent No. 4523661

しかしながら、上記のようなアライメント描画により所望の多段構造体を形成する方法においては、電子線描画装置等のアライメント精度によって、下段に対する上段の位置精度が決定づけられる。それゆえ、高精度なアライメント機能を備えた高額な描画装置が必要となり、生産コストの上昇を引き起こしていた。   However, in the method of forming a desired multistage structure by alignment drawing as described above, the position accuracy of the upper stage relative to the lower stage is determined by the alignment accuracy of the electron beam drawing apparatus or the like. Therefore, an expensive drawing apparatus having a high-precision alignment function is required, which causes an increase in production cost.

また、上記のようなテンプレートは、通常、合成石英から構成されるため、電子線を用いたアライメント描画では、何ら対策を施さない場合は、帯電により電子線が歪められてしまい、求められる位置精度を満たすことも困難になるという問題があった。   In addition, since the template as described above is usually made of synthetic quartz, in the case of alignment drawing using an electron beam, if no measures are taken, the electron beam is distorted by charging, and the required positional accuracy. There was a problem that it became difficult to satisfy.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、２段以上の段差構造の形成に、アライメント機能を備えた描画装置を要することなく、高い位置精度で、微細な多段構造体を形成することが可能な、多段構造体を有するテンプレートの製造方法を提供することを、主たる目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a fine multi-stage structure is formed with high positional accuracy without requiring a drawing apparatus having an alignment function for forming a two-step or more step structure. It is a main object to provide a method for manufacturing a template having a multistage structure.

本発明の請求項１に係る発明は、２段以上の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレートの製造方法であって、マスクパターンが光透過性基板の主面に形成されているマスクパターン付き光透過性基板を準備するマスクパターン付き光透過性基板準備工程と、前記マスクパターンから露出する前記光透過性基板の主面をエッチングする第１の光透過性基板エッチング工程と、前記第１の光透過性基板エッチング工程により形成された、前記光透過性基板の第１のエッチング底面の上、該第１のエッチング底面に接する第１のエッチング側面の上、並びに前記マスクパターンの上に、第１のＡＬＤ膜を形成する第１のＡＬＤ膜形成工程と、前記第１のＡＬＤ膜をエッチバックして、前記第１のエッチング側面の上に形成した第１のＡＬＤ膜を残しながら、前記第１のエッチング底面の上に形成した第１のＡＬＤ膜を除去して、前記第１のエッチング底面を露出させる第１のＡＬＤ膜エッチバック工程と、前記露出した第１のエッチング底面をエッチングする、第２の光透過性基板エッチング工程と、前記第１のＡＬＤ膜を除去する、ＡＬＤ膜除去工程と、を順に備えることを特徴とする、多段構造体を有するテンプレートの製造方法である。   The invention according to claim 1 of the present invention is a method for manufacturing a template having a multi-step structure composed of two or more step structures on the main surface, wherein the mask pattern is formed on the main surface of the light-transmitting substrate. A light-transmitting substrate with a mask pattern for preparing a light-transmitting substrate with a mask pattern, and a first light-transmitting substrate etching step for etching a main surface of the light-transmitting substrate exposed from the mask pattern; , Formed on the first light-transmitting substrate etching step, on the first etching bottom surface of the light-transmitting substrate, on the first etching side surface in contact with the first etching bottom surface, and on the mask pattern A first ALD film forming step for forming a first ALD film, and etching back the first ALD film to form the first ALD film on the first etching side surface; A first ALD film etchback step for removing the first ALD film formed on the first etching bottom surface while leaving the first ALD film, and exposing the first etching bottom surface; A multistage structure comprising: a second light-transmitting substrate etching step that etches the first etching bottom surface, and an ALD film removal step that removes the first ALD film. It is a manufacturing method of the template which has.

また、本発明の請求項２に係る発明は、前記第２の光透過性基板エッチング工程の後であって前記ＡＬＤ膜除去工程の前に、ｎを２以上の自然数とした場合に、第ｎの光透過性基板エッチング工程により形成された前記光透過性基板の第ｎのエッチング底面の上及び該第ｎのエッチング底面に接する第ｎのエッチング側面の上、前記第（ｎ−１）のエッチング側面の上に形成した第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の上、並びに、前記マスクパターンの上に第ｎのＡＬＤ膜を形成する、第ｎのＡＬＤ膜形成工程と、前記第ｎのＡＬＤ膜をエッチバックして、前記第ｎのエッチング側面の上及び前記第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の上に形成した第ｎのＡＬＤ膜を残しながら、前記第ｎのエッチング底面の上に形成した第ｎのＡＬＤ膜を除去して、前記第ｎのエッチング底面を露出させる、第ｎのＡＬＤ膜エッチバック工程と、前記露出した前記光透過性基板の第ｎのエッチング底面をエッチングする、第（ｎ＋１）の光透過性基板エッチング工程と、を順に備えることを特徴とする、請求項１に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法である。   In the invention according to claim 2 of the present invention, when n is a natural number of 2 or more after the second light transmitting substrate etching step and before the ALD film removing step, the n th The (n-1) th etching on the nth etching bottom surface of the light transmitting substrate formed by the light transmitting substrate etching step and on the nth etching side surface in contact with the nth etching bottom surface. An nth ALD film forming step of forming an nth ALD film on the (n-1) th ALD film formed on the side surface and on the mask pattern; and the nth ALD film Is formed on the nth etching bottom surface while leaving the nth ALD film formed on the nth etching side surface and on the (n-1) th ALD film. The n-th ALD film is removed and the n-th energy is removed. An n-th ALD film etch-back step for exposing the bottom surface of the chipping and an (n + 1) -th light-transmissive substrate etching step for etching the n-th etching bottom surface of the exposed light-transmissive substrate. The method for producing a template having a multistage structure according to claim 1.

また、本発明の請求項３に係る発明は、前記第ｎのＡＬＤ膜形成工程において形成する第ｎのＡＬＤ膜の厚みを、第（ｎ−１）のＡＬＤ膜形成工程において形成する第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の厚みとは異なる厚みに変化させることを特徴とする、請求項２に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法である。   In the invention according to claim 3 of the present invention, the thickness of the nth ALD film formed in the nth ALD film formation step is the nth (n−1) th ALD film formation step. The method for producing a template having a multistage structure according to claim 2, wherein the thickness is changed to a thickness different from the thickness of the ALD film of -1).

また、本発明の請求項４に係る発明は、前記第ｎの光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さを、第（ｎ−１）の光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さとは異なる深さに変化させることを特徴とする、請求項２または請求項３に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法である。   According to a fourth aspect of the present invention, the etching depth in the nth light transmissive substrate etching step is different from the etching depth in the (n-1) th light transmissive substrate etching step. The method for producing a template having a multistage structure according to claim 2 or 3, wherein the template is changed to a depth.

また、本発明の請求項５に係る発明は、前記マスクパターンが、開口部と該開口部の周囲を覆うマスク部から構成され、前記多段構造体が、階段状のホール形態を有する多段構造体であることを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法である。   In the invention according to claim 5 of the present invention, the mask pattern is composed of an opening and a mask part covering the periphery of the opening, and the multistage structure has a stepped hole shape. The method for producing a template having a multistage structure according to any one of claims 1 to 4, wherein the template has a multistage structure.

また、本発明の請求項６に係る発明は、前記マスクパターンが、マスク部と該マスク部を囲む露出部から構成され、前記多段構造体が、階段状のピラー形態を有する多段構造体であることを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法である。   In the invention according to claim 6 of the present invention, the mask pattern is composed of a mask portion and an exposed portion surrounding the mask portion, and the multi-stage structure is a multi-stage structure having a stepped pillar shape. The method for manufacturing a template having a multistage structure according to any one of claims 1 to 4, wherein the template has a multistage structure.

本発明によれば、２段以上の段差構造の形成に、アライメント機能を備えた描画装置を要することなく、高い位置精度で、２段以上の段差構造から構成される微細な多段構造体を、テンプレートの主面に形成することができる。   According to the present invention, a fine multi-stage structure composed of two or more step structures can be formed with high positional accuracy without the need for a drawing apparatus having an alignment function to form a two or more step structure. It can be formed on the main surface of the template.

本発明に係る多段構造体を有するインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートThe flowchart which shows an example of the manufacturing method of the template for imprint which has a multistage structure concerning this invention 本発明に係る多段構造体を有するインプリント用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を示す概略工程図Schematic process drawing which shows an example of 1st Embodiment of the manufacturing method of the template for imprint which has a multistage structure which concerns on this invention 図２に続く、本発明に係る多段構造体を有するインプリント用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を示す概略工程図FIG. 2 is a schematic process chart showing an example of the first embodiment of the method for producing an imprint template having a multistage structure according to the present invention, following FIG. 本発明に係る多段構造体を有するインプリント用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を示す概略工程図Schematic process drawing which shows an example of 2nd Embodiment of the manufacturing method of the template for imprint which has a multistage structure which concerns on this invention 図４に続く、本発明に係る多段構造体を有するインプリント用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を示す概略工程図Schematic process drawing showing an example of the second embodiment of the method for producing an imprint template having a multistage structure according to the present invention, following FIG.

以下、図面を参考にして、本発明に係る多段構造体を有するテンプレートの製造方法について説明する。
なお、従来のナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートの製造方法と共通する事項については、従来と同様な技術を用いることができるため、詳細説明は省略する。 Hereinafter, a method for producing a template having a multistage structure according to the present invention will be described with reference to the drawings.
In addition, about the matter which is common with the manufacturing method of the template used for the conventional nanoimprint lithography, since the technique similar to the past can be used, detailed description is abbreviate | omitted.

（第１の実施形態）
図１は、本発明に係る多段構造体を有するテンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。また、図２〜図３は、本発明に係る多段構造体を有するテンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を示す概略工程図である。
この第１の実施形態は、本発明に係る製造方法において、形成する多段構造体が、階段状のホール形態を有する多段構造体となる、製造方法に関するものである。
なお、上記の「階段状のホール形態」とは、ホール（孔）の断面の輪郭が、ピラミッドを上下反転させたような輪郭であって、その側面が階段状になっている形態を指す。
ホール（孔）の最上面（最外周）の平面形態は、四角形の他に、三角形や五角形等の多角形、さらにはＴ字型やＬ字型等の複雑な多角形、丸型や楕円形等のように曲線を含む形態とすることができる。
以下、工程順に各工程について説明する。 (First embodiment)
FIG. 1 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing a template having a multistage structure according to the present invention. 2 to 3 are schematic process diagrams showing an example of a first embodiment of a method for manufacturing a template having a multistage structure according to the present invention.
This 1st Embodiment is related with the manufacturing method with which the multistage structure to form turns into the multistage structure which has a step-shaped hole form in the manufacturing method which concerns on this invention.
In addition, said "step-shaped hole form" refers to the form where the outline of the cross section of the hole (hole) is an outline in which a pyramid is turned upside down and its side surface is stepped.
The plane form of the uppermost surface (outermost circumference) of the hole (hole) is not only a quadrangle, but also a polygon such as a triangle and a pentagon, a complex polygon such as a T-shape and an L-shape, a round shape and an oval shape. It can be set as the form containing a curve like this.
Hereinafter, each process is demonstrated in order of a process.

＜マスクパターン付き光透過性基板準備工程＞
本実施形態により、２段以上の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレート（図３（ｊ）に示すテンプレート１０）を製造するには、まず、図２（ａ）に示すように、マスクパターン１２が光透過性基板１１の主面に形成されているマスクパターン付き光透過性基板を準備する（図１に示す工程Ｓ１）。
ここで、図２（ａ）に示すように、本実施形態において、マスクパターン１２は、開口部１３と開口部１３の周囲を覆うマスク部から構成されるものである。 <Light transmissive substrate preparation process with mask pattern>
In order to manufacture a template (template 10 shown in FIG. 3 (j)) having a multi-step structure composed of two or more steps in the main surface according to this embodiment, first, as shown in FIG. 2 (a). In this manner, a light transmissive substrate with a mask pattern in which the mask pattern 12 is formed on the main surface of the light transmissive substrate 11 is prepared (step S1 shown in FIG. 1).
Here, as shown in FIG. 2A, in the present embodiment, the mask pattern 12 includes an opening 13 and a mask portion that covers the periphery of the opening 13.

＜光透過性基板＞
この光透過性基板１１は、従来のナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートを構成する基板であれば用いることができるが、中でも、合成石英から構成されるものであることが好ましい。合成石英は、ナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートの材料として実績があり、微細な加工や洗浄等において優れているからである。 <Light transmissive substrate>
The light transmissive substrate 11 can be used as long as it is a substrate that constitutes a template used in conventional nanoimprint lithography, and among these, it is preferable that the substrate be made of synthetic quartz. This is because synthetic quartz has a track record as a template material used in nanoimprint lithography and is excellent in fine processing and cleaning.

＜マスクパターン＞
マスクパターン１２を構成する材料としては、後述する光透過性基板１１のエッチング（図１に示す工程Ｓ２等、図２（ｂ）等）、及び、ＡＬＤ膜のエッチバック（図１に示す工程Ｓ４、図２（ｄ）等）において、エッチングマスクとして作用を奏するものであれば用いることができる。
なお、「エッチングマスクとして作用を奏する」とは、上記のエッチングやエッチバックの工程で「消失しない」ことも含む概念である。例えば、マスクパターン１２は、上記のエッチング等の工程で、その膜厚が薄くなっても、残存していれば良い。 <Mask pattern>
As a material constituting the mask pattern 12, etching of a light-transmitting substrate 11 described later (step S2 shown in FIG. 1, etc., FIG. 2B, etc.) and etch back of an ALD film (step S4 shown in FIG. 1) are performed. 2 (d) etc., any material can be used as long as it acts as an etching mask.
Note that “acting as an etching mask” is a concept including “does not disappear” in the above-described etching and etchback steps. For example, the mask pattern 12 only needs to remain even if the thickness of the mask pattern 12 is reduced in the above-described etching process.

光透過性基板１１が合成石英から構成される場合、マスクパターン１２を構成する材料としては、各種金属やその酸化膜、窒化膜等を挙げることができる。例えば、クロム（Ｃｒ）を好適に挙げることができる。クロム（Ｃｒ）はフォトマスクやインプリント用テンプレートの製造で、合成石英のエッチングマスク等の材料として実績があるからである。
マスクパターン１２の形成には、例えばスパッタ法を好適に用いることができる。 When the light transmissive substrate 11 is made of synthetic quartz, examples of the material constituting the mask pattern 12 include various metals, oxide films, nitride films, and the like. For example, chromium (Cr) can be preferably cited. This is because chromium (Cr) has a proven record as a material for etching masks of synthetic quartz in the manufacture of photomasks and imprint templates.
For the formation of the mask pattern 12, for example, a sputtering method can be suitably used.

＜第１の光透過性基板エッチング工程＞
次に、図２（ｂ）に示すように、マスクパターン１２の開口部１３から露出する光透過性基板１１の主面をエッチングする（図１に示す工程Ｓ２）。
光透過性基板１１が合成石英から構成される場合、このエッチングには、例えば、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いることができる。
このエッチング（第１の光透過性基板エッチング）により、光透過性基板１１には、第1のエッチング底面１４、及び、第1のエッチング側面１５が形成される。
図２（ｂ）において、第1のエッチング底面１４の深さ（光透過性基板１１の主面からの距離）はＨ11である。 <First Optically Transparent Substrate Etching Step>
Next, as shown in FIG. 2B, the main surface of the light transmissive substrate 11 exposed from the opening 13 of the mask pattern 12 is etched (step S2 shown in FIG. 1).
When the light transmissive substrate 11 is made of synthetic quartz, for example, dry etching using a fluorine-based gas can be used for this etching.
By this etching (first light-transmitting substrate etching), a first etching bottom surface 14 and a first etching side surface 15 are formed on the light-transmitting substrate 11.
In FIG. 2 (b), (distance from the main surface of the light-transmitting substrate 11) a first etch depth bottom 14 is H 11.

＜第１のＡＬＤ膜形成工程＞
次に、図２（ｃ）に示すように、光透過性基板１１の第１のエッチング底面１４の上、該第１のエッチング底面１４に接する第１のエッチング側面１５の上、並びに、マスクパターン１２の上に、第１のＡＬＤ膜１６を形成する（図１に示す工程Ｓ３）。 <First ALD film forming step>
Next, as shown in FIG. 2C, on the first etching bottom surface 14 of the light transmissive substrate 11, on the first etching side surface 15 in contact with the first etching bottom surface 14, and the mask pattern. A first ALD film 16 is formed on the substrate 12 (step S3 shown in FIG. 1).

＜ＡＬＤ膜＞
上記のＡＬＤ膜（第１のＡＬＤ膜１６）は、原子層堆積法（ＡＬＤ法：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）を用いて形成された膜である。
ここで、原子層堆積法（ＡＬＤ法：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）は、金属あるいはシリコンを含む原料ガスと酸素やフッ素等を含む反応ガスの２種類のガスを交互に用いて、基板上に原子層単位で薄膜（原子層堆積膜）を形成する技術であり、金属あるいはシリコンを含むガスの供給、余剰ガスの排除、酸素等を含むガスの供給、余剰ガスの排除、の４工程を１サイクルとして、これを複数回繰り返して所望の厚さの膜を形成する成膜技術である（例えば、特許文献４）。 <ALD film>
The ALD film (first ALD film 16) is a film formed using an atomic layer deposition method (ALD method: Atomic Layer Deposition method).
Here, the atomic layer deposition method (ALD method: Atomic Layer Deposition method) uses an atomic layer on a substrate by alternately using a source gas containing metal or silicon and a reactive gas containing oxygen, fluorine, or the like. This is a technology for forming a thin film (atomic layer deposition film) in units of four cycles of supplying gas containing metal or silicon, eliminating excess gas, supplying gas containing oxygen, etc., and eliminating excess gas. This is a film forming technique in which a film having a desired thickness is formed by repeating this multiple times (for example, Patent Document 4).

原子層堆積法は、上記のように、原子層単位で薄膜（原子層堆積膜、ＡＬＤ膜）を形成することができるため、高い膜厚制御性、膜厚均一性を有している。
それゆえ、図２（ｃ）において、光透過性基板１１の第１のエッチング底面１４の上、該第１のエッチング底面１４に接する第１のエッチング側面１５の上、並びに、マスクパターン１２の上に形成される第１のＡＬＤ膜１６の膜厚は、いずれも同じ厚み（Ｗ11）になる。 Since the atomic layer deposition method can form a thin film (atomic layer deposition film, ALD film) in units of atomic layers as described above, it has high film thickness controllability and film thickness uniformity.
Therefore, in FIG. 2C, on the first etching bottom surface 14 of the light transmissive substrate 11, on the first etching side surface 15 in contact with the first etching bottom surface 14, and on the mask pattern 12. The thicknesses of the first ALD films 16 formed at the same thickness are the same (W 11 ).

第１のＡＬＤ膜１６を構成する材料としては、光透過性基板１１のエッチング（図１に示す工程Ｓ５、図２（ｅ）等）において、エッチングマスクとして作用を奏するものであれば用いることができる。
光透過性基板１１が合成石英から構成される場合、第１のＡＬＤ膜１６を構成する材料としては、上記のＡＬＤ法に用いることができる各種金属やその酸化膜、窒化膜等を挙げることができる。例えば、窒化タンタル（ＴａＮ）を好適に挙げることができる。 As a material constituting the first ALD film 16, any material can be used as long as it can function as an etching mask in the etching of the light-transmitting substrate 11 (step S5 shown in FIG. 1, FIG. 2E, etc.). it can.
When the light transmissive substrate 11 is made of synthetic quartz, examples of the material constituting the first ALD film 16 include various metals that can be used in the ALD method, oxide films thereof, and nitride films. it can. For example, tantalum nitride (TaN) can be preferably cited.

＜第１のＡＬＤ膜エッチバック工程＞
次に、図２（ｄ）に示すように、第１のＡＬＤ膜１６をエッチバックして、第１のエッチング側面１５の上に形成した第１のＡＬＤ膜１６を残しながら、第１のエッチング底面１４の上に形成した第１のＡＬＤ膜１６を除去して、第１のエッチング底面１４を露出させる（図１に示す工程Ｓ４）。
例えば、図２（ｃ）、（ｄ）に示す例においては、このエッチバックは、エッチング深さ方向においてＷ11に相当する深さをエッチングすればよい。第１のＡＬＤ膜１６を構成する材料として、ＴａＮを用いた場合、このエッチング（エッチバック）には、例えば、塩素ガスによるドライエッチングを用いることができる。 <First ALD film etch-back process>
Next, as shown in FIG. 2D, the first ALD film 16 is etched back to leave the first ALD film 16 formed on the first etching side surface 15 while the first etching is performed. The first ALD film 16 formed on the bottom surface 14 is removed to expose the first etching bottom surface 14 (step S4 shown in FIG. 1).
For example, in the example shown in FIGS. 2C and 2D, this etch back may be performed by etching a depth corresponding to W 11 in the etching depth direction. When TaN is used as the material constituting the first ALD film 16, for example, dry etching with chlorine gas can be used for this etching (etch back).

＜第２の光透過性基板エッチング工程＞
次に、図２（ｅ）に示すように、露出した第１のエッチング底面１４を、さらにエッチングする（図１に示す工程Ｓ５）。
上記のように、光透過性基板１１が合成石英から構成される場合、このエッチングには、例えば、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いることができる。そして、マスクパターン１２や第１のＡＬＤ膜１６が金属系の材料から構成されている場合、マスクパターン１２や第１のＡＬＤ膜１６は、エッチングマスクとして十分作用する。
このエッチング（第２の光透過性基板エッチング）により、光透過性基板１１には、第２のエッチング底面１７、及び、第２のエッチング側面１８が形成される。
図２（ｅ）において、第２のエッチング底面１７の深さ（第１のエッチング底面１４からの距離）はＨ12である。 <Second Optically Transparent Substrate Etching Step>
Next, as shown in FIG. 2E, the exposed first etching bottom surface 14 is further etched (step S5 shown in FIG. 1).
As described above, when the light-transmitting substrate 11 is made of synthetic quartz, for example, dry etching using a fluorine-based gas can be used for this etching. When the mask pattern 12 and the first ALD film 16 are made of a metal material, the mask pattern 12 and the first ALD film 16 sufficiently function as an etching mask.
By this etching (second light transmitting substrate etching), a second etching bottom surface 17 and a second etching side surface 18 are formed on the light transmitting substrate 11.
In FIG. 2 (e), the depth of the second etching bottom surface 17 (the distance from the first etching bottom surface 14) is H 12.

＜第２のＡＬＤ膜形成工程＞
次に、図３（ｆ）に示すように、光透過性基板１１の第２のエッチング底面１７の上、第２のエッチング底面１７に接する第２のエッチング側面１８の上、第１のエッチング側面１５の上に形成した第１のＡＬＤ膜１６の上（膜面の上）、並びに、マスクパターン１２の上に第２のＡＬＤ膜１９を形成する（図１に示す工程Ｓ３）。 <Second ALD film forming step>
Next, as shown in FIG. 3 (f), the second etching bottom surface 17 of the light transmissive substrate 11, the second etching side surface 18 in contact with the second etching bottom surface 17, and the first etching side surface. The second ALD film 19 is formed on the first ALD film 16 (on the film surface) formed on the mask 15 and on the mask pattern 12 (step S3 shown in FIG. 1).

原子層堆積法（ＡＬＤ法）は、上記のように、原子層単位で薄膜（原子層堆積膜、ＡＬＤ膜）を形成することができるため、高い膜厚制御性、膜厚均一性を有している。
それゆえ、図３（ｆ）において、光透過性基板１１の第２のエッチング底面１７の上、第２のエッチング底面１７に接する第２のエッチング側面１８の上、第１のエッチング側面１５の上に形成した第１のＡＬＤ膜１６の上（側面の上）、並びに、マスクパターン１２の上に形成される第２のＡＬＤ膜１９の膜厚は、いずれも同じ厚み（Ｗ12）になる。 As described above, the atomic layer deposition method (ALD method) can form a thin film (atomic layer deposition film, ALD film) in units of atomic layers, and thus has high film thickness controllability and film thickness uniformity. ing.
Therefore, in FIG. 3 (f), on the second etching bottom surface 17 of the light transmissive substrate 11, on the second etching side surface 18 in contact with the second etching bottom surface 17, on the first etching side surface 15. The film thicknesses of the second ALD film 19 formed on the first ALD film 16 (on the side surface) and the mask pattern 12 are the same (W 12 ).

第２のＡＬＤ膜１９を構成する材料としては、第１のＡＬＤ膜１６と同様に、光透過性基板１１のエッチング（図１に示す工程Ｓ５、図３（ｇ）等）において、エッチングマスクとして作用を奏するものであれば用いることができる。
第２のＡＬＤ膜１９を構成する材料は、第１のＡＬＤ膜１６と異なるものであっても良いが、同じ材料である方が、共通するエッチングガス、エッチング装置を使用でき、プロセスを複雑にしない点で有益である。
第２のＡＬＤ膜１９を構成する材料は、例えば、窒化タンタル（ＴａＮ）を好適に挙げることができる。 As a material constituting the second ALD film 19, as in the first ALD film 16, as an etching mask in the etching of the light-transmitting substrate 11 (step S5 shown in FIG. 1, FIG. 3G, etc.). Any device that exhibits an effect can be used.
The material constituting the second ALD film 19 may be different from that of the first ALD film 16, but if the same material is used, a common etching gas and etching apparatus can be used, which complicates the process. It is beneficial in that it does not.
As a material constituting the second ALD film 19, for example, tantalum nitride (TaN) can be preferably cited.

＜第２のＡＬＤ膜エッチバック工程＞
次に、図３（ｇ）に示すように、第２のＡＬＤ膜１９をエッチバックして、第２のエッチング側面１８の上、及び、第１のＡＬＤ膜１６の上（膜面の上）に形成した第２のＡＬＤ膜１９を残しながら、第２のエッチング底面１７の上に形成した第２のＡＬＤ膜１９を除去して、第２のエッチング底面１７を露出させる（図１に示す工程Ｓ４）。
例えば、図３（ｆ）、（ｇ）に示す例においては、このエッチバックは、エッチング深さ方向においてＷ12に相当する深さをエッチングすればよい。第２のＡＬＤ膜１９を構成する材料として、ＴａＮを用いた場合、このエッチング（エッチバック）には、例えば、塩素ガスによるドライエッチングを用いることができる。 <Second ALD film etch-back process>
Next, as shown in FIG. 3G, the second ALD film 19 is etched back, and the second etching side surface 18 and the first ALD film 16 (on the film surface). The second ALD film 19 formed on the second etching bottom surface 17 is removed while leaving the second ALD film 19 formed in FIG. 1 to expose the second etching bottom surface 17 (step shown in FIG. 1). S4).
For example, in the example shown in FIGS. 3F and 3G, this etch back may be performed by etching a depth corresponding to W 12 in the etching depth direction. When TaN is used as the material constituting the second ALD film 19, for example, dry etching with chlorine gas can be used for this etching (etch back).

＜第３の光透過性基板エッチング工程＞
次に、図３（ｈ）に示すように、露出した第２のエッチング底面１７を、さらにエッチングする（図１に示す工程Ｓ５）。
上記のように、光透過性基板１１が合成石英から構成される場合、このエッチングには、例えば、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いることができる。そして、マスクパターン１２、第１のＡＬＤ膜１６、第２のＡＬＤ膜１９が金属系の材料から構成されている場合、マスクパターン１２、第１のＡＬＤ膜１６、第２のＡＬＤ膜１９は、エッチングマスクとして十分作用する。
このエッチング（第３の光透過性基板エッチング）により、光透過性基板１１には、第３のエッチング底面２０、及び、第３のエッチング側面２１が形成される。 <Third optically transparent substrate etching process>
Next, as shown in FIG. 3H, the exposed second etching bottom surface 17 is further etched (step S5 shown in FIG. 1).
As described above, when the light-transmitting substrate 11 is made of synthetic quartz, for example, dry etching using a fluorine-based gas can be used for this etching. When the mask pattern 12, the first ALD film 16, and the second ALD film 19 are made of a metal material, the mask pattern 12, the first ALD film 16, and the second ALD film 19 are It works well as an etching mask.
By this etching (third light transmitting substrate etching), a third etching bottom surface 20 and a third etching side surface 21 are formed on the light transmitting substrate 11.

＜ＡＬＤ膜除去工程＞
次に、図３（ｉ）に示すように、形成したＡＬＤ膜全てを除去する（図１に示す工程Ｓ６）。より具体的には、第１のＡＬＤ膜１６、及び、第２のＡＬＤ膜１９を除去する。
第１のＡＬＤ膜１６、及び、第２のＡＬＤ膜１９を構成する材料として、ＴａＮを用いた場合、この除去工程には、例えば、塩素ガスによるドライエッチングを用いることができる。
この除去工程（ＡＬＤ膜除去工程）により、多段構造体を構成する第１のエッチング底面１４、第１のエッチング側面１５、第２のエッチング底面１７、第２のエッチング側面１８が露出する。 <ALD film removal process>
Next, as shown in FIG. 3I, all of the formed ALD film is removed (step S6 shown in FIG. 1). More specifically, the first ALD film 16 and the second ALD film 19 are removed.
When TaN is used as the material constituting the first ALD film 16 and the second ALD film 19, for example, dry etching using chlorine gas can be used for this removal step.
By this removing step (ALD film removing step), the first etching bottom surface 14, the first etching side surface 15, the second etching bottom surface 17, and the second etching side surface 18 constituting the multistage structure are exposed.

＜マスクパターン除去工程＞
最後に、図３（ｊ）に示すように、マスクパターン１２を除去する（図１に示す工程Ｓ７）。マスクパターン１２を構成する材料として、Ｃｒを用いた場合、この除去工程には、例えば、酸素と塩素の混合ガスによるドライエッチングを用いることができる。 <Mask pattern removal process>
Finally, as shown in FIG. 3J, the mask pattern 12 is removed (step S7 shown in FIG. 1). When Cr is used as the material constituting the mask pattern 12, for example, dry etching using a mixed gas of oxygen and chlorine can be used for this removal step.

なお、図１や図３に示す例では、ＡＬＤ膜除去工程（図１に示す工程Ｓ６、図３（ｉ））と、マスクパターン除去工程（図１に示す工程Ｓ７、図３（ｊ））を別の工程とする形態を例示したが、本実施形態においては、ＡＬＤ膜除去工程（図１に示す工程Ｓ６、図３（ｉ））と、マスクパターン除去工程（図１に示す工程Ｓ７、図３（ｊ））を、同じ一の工程で行っても良い。
例えば、酸性の液体を用いたウェットエッチングにより、第１のＡＬＤ膜１６、第２のＡＬＤ膜１９、及び、マスクパターン１２を同じ一の工程で除去しても良い。 In the example shown in FIGS. 1 and 3, the ALD film removal step (step S6 shown in FIG. 1, FIG. 3 (i)) and the mask pattern removal step (step S7 shown in FIG. 1, FIG. 3 (j)). In this embodiment, the ALD film removal step (step S6 shown in FIG. 1, FIG. 3 (i)) and the mask pattern removal step (step S7 shown in FIG. FIG. 3 (j)) may be performed in the same step.
For example, the first ALD film 16, the second ALD film 19, and the mask pattern 12 may be removed by the same one process by wet etching using an acidic liquid.

以上の工程を経ることにより、図３（ｊ）に示すテンプレート１０を得ることができる。ここで、図３（ｊ）に示すテンプレート１０は、３段の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレートであって、前記多段構造体が、階段状のホール形態を有する多段構造体である。
なお、上記の「階段状のホール形態」とは、ホール（孔）の断面の輪郭が、ピラミッドを上下（天地）反転させたような輪郭であって、その側面が階段状になっている形態を指す。 The template 10 shown in FIG. 3J can be obtained through the above steps. Here, the template 10 shown in FIG. 3 (j) is a template having a multi-step structure composed of a three-step step structure on the main surface, and the multi-step structure has a multi-step structure of steps. It is a structure.
In addition, the above-mentioned “stair-like hole form” is a form in which the outline of the cross section of the hole (hole) is such that the pyramid is inverted upside down (top and bottom), and the side surface is stepped. Point to.

ここで、上記のように、原子層堆積法（ＡＬＤ法）は、原子層単位で薄膜（原子層堆積膜、ＡＬＤ膜）を形成することができるため、高い膜厚制御性、膜厚均一性を有している。
それゆえ、図３（ｊ）に示すテンプレート１０が有する多段構造体は、その断面が極めて左右対称性の良い多段構造体となり、多段構造体の下段の段差構造の平面中心位置は、上段の段差構造の平面中心位置と一致することになる。
すなわち、本実施形態によれば、２段以上の段差構造の形成に、アライメント機能を備えた描画装置を要することなく、高い位置精度で、２段以上の段差構造から構成される微細な多段構造体を、テンプレートの主面に形成することができる。 Here, as described above, since the atomic layer deposition method (ALD method) can form a thin film (atomic layer deposition film, ALD film) in units of atomic layers, high film thickness controllability and film thickness uniformity. have.
Therefore, the multi-stage structure included in the template 10 shown in FIG. 3J is a multi-stage structure having a highly symmetrical cross section, and the plane center position of the lower step structure of the multi-stage structure is the upper step. This coincides with the plane center position of the structure.
That is, according to the present embodiment, a fine multi-stage structure composed of two or more step structures with high positional accuracy without requiring a drawing apparatus having an alignment function to form a two or more step structure. The body can be formed on the main surface of the template.

＜ｎ段の段差構造から構成される多段構造体を有するテンプレートの製造方法＞
上記の図２〜図３に示す例においては、３段の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレートであって、前記多段構造体が、光透過性基板１１の主面とは反対側の裏面に向かって凸型のホール状の形態を有する多段構造体であるテンプレート（図３（ｊ）に示すテンプレート１０）を製造する方法について説明したが、本実施形態においては、図１に示す工程Ｓ３〜Ｓ５を繰り返すことで、より多段の多段構造体を有するテンプレートを製造することができる。 <Manufacturing Method of Template Having Multi-Stage Structure Consisting of n-Stage Step Structure>
In the example shown in FIG. 2 to FIG. 3, a template having a multi-stage structure composed of a three-step structure on the main surface, the multi-stage structure being formed on the main surface of the light transmissive substrate 11. Has described a method of manufacturing a template (template 10 shown in FIG. 3 (j)) that is a multistage structure having a convex hole shape toward the back surface on the opposite side. In the present embodiment, FIG. By repeating steps S3 to S5 shown in FIG. 1, a template having more multistage structures can be manufactured.

より詳しくは、図１に示す第２の光透過性基板エッチング工程（Ｓ５）の後であってＡＬＤ膜除去工程（Ｓ６）の前に、ｎを２以上の自然数とした場合に、第ｎの光透過性基板エッチング工程により形成された光透過性基板の第ｎのエッチング底面の上及び該第ｎのエッチング底面に接する第ｎのエッチング側面の上、前記第（ｎ−１）のエッチング側面の上に形成した第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の上、並びに、前記マスクパターンの上に第ｎのＡＬＤ膜を形成する、第ｎのＡＬＤ膜形成工程と、前記第ｎのＡＬＤ膜をエッチバックして、前記第ｎのエッチング側面の上及び前記第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の上に形成した第ｎのＡＬＤ膜を残しながら、前記第ｎのエッチング底面の上に形成した第ｎのＡＬＤ膜を除去して、前記第ｎのエッチング底面を露出させる、第ｎのＡＬＤ膜エッチバック工程と、前記露出した前記光透過性基板の第ｎのエッチング底面をエッチングする、第（ｎ＋１）の光透過性基板エッチング工程と、を順に備えることで、ｎ段の段差構造から構成される多段構造体を有するテンプレートを製造することができる。   More specifically, when n is a natural number of 2 or more after the second light transmitting substrate etching step (S5) shown in FIG. 1 and before the ALD film removal step (S6), the nth On the nth etching side surface of the light transmitting substrate formed by the light transmitting substrate etching step, on the nth etching side surface in contact with the nth etching bottom surface, and on the (n-1) th etching side surface. An nth ALD film forming step of forming an nth ALD film on the (n-1) th ALD film formed on the mask pattern and the mask pattern; and etching the nth ALD film Back, leaving the nth ALD film formed on the nth etching side surface and on the (n-1) th ALD film, while forming the nth etching surface on the nth etching bottom surface. The ALD film is removed and the nth etching is performed An n-th ALD film etch-back step for exposing the surface, and an (n + 1) light-transmitting substrate etching step for etching the n-th etching bottom surface of the exposed light-transmitting substrate. Thus, it is possible to manufacture a template having a multi-stage structure including an n-step structure.

＜各段の幅＞
また、本実施形態においては、第ｎのＡＬＤ膜形成工程において形成する第ｎのＡＬＤ膜の厚みを、第（ｎ−１）のＡＬＤ膜形成工程において形成する第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の厚みとは異なる厚みに変化させることもできる。
より具体的には、図２（ｃ）に示す第1のＡＬＤ膜１６の厚みＷ11と、図３（ｆ）に示す第２のＡＬＤ膜１９の厚みＷ12を、異なる厚みとすることができる。
これにより、図３（ｊ）に示すテンプレート１０において、多段構造体の各段の幅（Ｗ11、Ｗ12）の大きさを異なるものとすることができる。 <Width of each step>
In the present embodiment, the thickness of the nth ALD film formed in the nth ALD film forming step is the same as the (n−1) th ALD film formed in the (n−1) th ALD film forming step. It is also possible to change the thickness to a thickness different from the thickness.
More specifically, the thickness W 11 of the first ALD film 16 shown in FIG. 2C and the thickness W 12 of the second ALD film 19 shown in FIG. it can.
Thereby, in the template 10 shown in FIG. 3J, the widths (W 11 , W 12 ) of the respective steps of the multi-stage structure can be made different.

なお、本実施形態においては、第ｎのＡＬＤ膜形成工程において形成する第ｎのＡＬＤ膜の厚みを、第（ｎ−１）のＡＬＤ膜形成工程において形成する第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の厚みと同じ厚みとすることもできる。
より具体的には、図２（ｃ）に示す第1のＡＬＤ膜１６の厚みＷ11と、図３（ｆ）に示す第２のＡＬＤ膜１９の厚みＷ12を、同じ厚みとすることができる。
これにより、図３（ｊ）に示すテンプレート１０において、多段構造体の各段の幅（Ｗ11、Ｗ12）の大きさを同じものとすることができる。 In the present embodiment, the thickness of the nth ALD film formed in the nth ALD film forming step is the same as the (n−1) th ALD film formed in the (n−1) th ALD film forming step. It can also be set to the same thickness as the thickness.
More specifically, the thickness W 11 of the first ALD film 16 shown in FIG. 2C and the thickness W 12 of the second ALD film 19 shown in FIG. it can.
Thereby, in the template 10 shown in FIG. 3J, the widths (W 11 , W 12 ) of the steps of the multi-stage structure can be made the same.

＜各段の深さ＞
また、本実施形態においては、第ｎの光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さを、第（ｎ−１）の光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さとは異なる深さに変化させることもできる。
より具体的には、図２（ｂ）に示す深さＨ11と、図２（ｅ）に示す深さＨ12を、異なる厚みとすることができる。
これにより、図３（ｊ）に示すテンプレート１０において、多段構造体の各段の深さ（Ｈ11、Ｈ12）の大きさを異なるものとすることができる。 <Depth of each step>
In this embodiment, the depth etched in the nth light transmissive substrate etching step is changed to a depth different from the depth etched in the (n−1) th light transmissive substrate etching step. You can also.
More specifically, the depth H 11 shown in FIG. 2B and the depth H 12 shown in FIG.
Thereby, in the template 10 shown in FIG. 3J, the depth (H 11 , H 12 ) of each step of the multi-stage structure can be made different.

なお、本実施形態においては、第ｎの光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さを、第（ｎ−１）の光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さと同じ深さとすることもできる。
より具体的には、図２（ｂ）に示す深さＨ11と、図２（ｅ）に示す深さＨ12を、同じ深さとすることができる。
これにより、図３（ｊ）に示すテンプレート１０において、多段構造体の各段の深さ（Ｈ11、Ｈ12）の大きさを同じものとすることができる。 In the present embodiment, the depth etched in the nth light transmissive substrate etching step may be the same as the depth etched in the (n−1) th light transmissive substrate etching step.
More specifically, the depth H 11 shown in FIG. 2B and the depth H 12 shown in FIG. 2E can be the same depth.
Thereby, in the template 10 shown in FIG. 3 (j), the depths (H 11 , H 12 ) of each step of the multi-stage structure can be made the same.

（第２の実施形態）
次に、本発明に係る多段構造体を有するテンプレートの製造方法の第２の実施形態について説明する。
上記の第１の実施形態においては、形成する多段構造体が、階段状のホール形態を有する多段構造体であった。
一方、この第２の実施形態においては、形成する多段構造体が、階段状のピラー形態を有する多段構造体である。
なお、上記の「階段状のピラー形態」とは、ピラー（柱）の断面の輪郭が、ピラミッドのような輪郭であって、その側面が階段状になっている形態を指す。
ピラー（柱）の最上面の平面形態は、四角形の他に、三角形や五角形等の多角形、さらにはＴ字型やＬ字型等の複雑な多角形、丸型や楕円形等のように曲線を含む形態とすることができる。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of a method for manufacturing a template having a multistage structure according to the present invention will be described.
In the first embodiment, the multistage structure to be formed is a multistage structure having a stepped hole configuration.
On the other hand, in the second embodiment, the multistage structure to be formed is a multistage structure having a stepped pillar form.
In addition, said "step-shaped pillar form" refers to the form where the outline of the cross section of a pillar (column) is an outline like a pyramid, and its side is stepped.
The planar form of the top surface of the pillar (pillar) is not only a quadrangle, but also a polygon such as a triangle or a pentagon, a complex polygon such as a T-shape or L-shape, a round shape or an oval shape. It can be a form including a curve.

図４〜図５は、本発明に係る多段構造体を有するテンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を示す概略工程図である。
なお、本実施形態においても、製造工程のフローは図１に沿ったものである。
以下、工程順に各工程について説明する。 4 to 5 are schematic process diagrams showing an example of a second embodiment of a method for manufacturing a template having a multistage structure according to the present invention.
Also in this embodiment, the flow of the manufacturing process is in accordance with FIG.
Hereinafter, each process is demonstrated in order of a process.

＜マスクパターン付き光透過性基板準備工程＞
本実施形態により、２段以上の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレート（図５（ｊ）に示すテンプレート５０）を製造するには、まず、図４（ａ）に示すように、マスクパターン５２が光透過性基板５１の主面に形成されているマスクパターン付き光透過性基板を準備する（図１に示す工程Ｓ１）。
ここで、図４（ａ）に示すように、本実施形態において、マスクパターン５２は、マスク部と該マスク部を囲む露出部５３から構成されている。 <Light transmissive substrate preparation process with mask pattern>
In order to manufacture a template (template 50 shown in FIG. 5 (j)) having a multi-step structure composed of two or more steps in the main surface according to this embodiment, first, as shown in FIG. 4 (a). Thus, a light transmissive substrate with a mask pattern in which the mask pattern 52 is formed on the main surface of the light transmissive substrate 51 is prepared (step S1 shown in FIG. 1).
Here, as shown in FIG. 4A, in this embodiment, the mask pattern 52 includes a mask portion and an exposed portion 53 surrounding the mask portion.

＜光透過性基板＞
この光透過性基板５１は、従来のナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートを構成する基板であれば用いることができるが、中でも、合成石英から構成されるものであることが好ましい。合成石英は、ナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートの材料として実績があり、微細な加工や洗浄等において優れているからである。 <Light transmissive substrate>
The light-transmitting substrate 51 can be used as long as it is a substrate that forms a template used in conventional nanoimprint lithography, and among these, it is preferable that the light-transmitting substrate 51 is made of synthetic quartz. This is because synthetic quartz has a track record as a template material used in nanoimprint lithography and is excellent in fine processing and cleaning.

＜マスクパターン＞
マスクパターン５２を構成する材料としては、後述する光透過性基板５１のエッチング（図１に示す工程Ｓ２等、図４（ｂ）等）、及び、ＡＬＤ膜のエッチバック（図１に示す工程Ｓ４、図４（ｄ）等）において、エッチングマスクとして作用を奏するものであれば用いることができる。 <Mask pattern>
As a material constituting the mask pattern 52, etching of a light-transmitting substrate 51 described later (step S2 shown in FIG. 1, etc., FIG. 4B, etc.) and etch back of an ALD film (step S4 shown in FIG. 1). 4 (d) and the like, any material can be used as long as it acts as an etching mask.

光透過性基板５１が合成石英から構成される場合、マスクパターン５２を構成する材料としては、各種金属やその酸化膜、窒化膜等を挙げることができる。例えば、クロム（Ｃｒ）を好適に挙げることができる。クロム（Ｃｒ）はフォトマスクやインプリント用テンプレートの製造で、合成石英のエッチングマスク等の材料として実績があるからである。
マスクパターン５２の形成には、例えばスパッタ法を好適に用いることができる。 When the light transmissive substrate 51 is made of synthetic quartz, examples of the material constituting the mask pattern 52 include various metals, oxide films thereof, nitride films, and the like. For example, chromium (Cr) can be preferably cited. This is because chromium (Cr) has a proven record as a material for etching masks of synthetic quartz in the manufacture of photomasks and imprint templates.
For the formation of the mask pattern 52, for example, a sputtering method can be suitably used.

＜第１の光透過性基板エッチング工程＞
次に、図４（ｂ）に示すように、マスクパターン５２の露出部５３から露出する光透過性基板５１の主面をエッチングする（図１に示す工程Ｓ２）。
光透過性基板５１が合成石英から構成される場合、このエッチングには、例えば、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いることができる。
このエッチング（第１の光透過性基板エッチング）により、光透過性基板５１には、第1のエッチング底面５４、及び、第1のエッチング側面５５が形成される。
図４（ｂ）において、第1のエッチング底面５４の深さ（光透過性基板１１の主面からの距離）はＨ51である。 <First Optically Transparent Substrate Etching Step>
Next, as shown in FIG. 4B, the main surface of the light transmissive substrate 51 exposed from the exposed portion 53 of the mask pattern 52 is etched (step S2 shown in FIG. 1).
When the light transmissive substrate 51 is made of synthetic quartz, for example, dry etching using a fluorine-based gas can be used for this etching.
By this etching (first light-transmitting substrate etching), the light-transmitting substrate 51 is formed with the first etching bottom surface 54 and the first etching side surface 55.
In FIG. 4 (b), (distance from the main surface of the light-transmitting substrate 11) a first etch depth bottom 54 is H 51.

＜第１のＡＬＤ膜形成工程＞
次に、図４（ｃ）に示すように、光透過性基板５１の第１のエッチング底面５４の上、該第１のエッチング底面５４に接する第１のエッチング側面５５の上、並びに、マスクパターン５２の上に、第１のＡＬＤ膜５６を形成する（図１に示す工程Ｓ３）。 <First ALD film forming step>
Next, as shown in FIG. 4C, on the first etching bottom surface 54 of the light transmissive substrate 51, on the first etching side surface 55 in contact with the first etching bottom surface 54, and a mask pattern. A first ALD film 56 is formed on 52 (step S3 shown in FIG. 1).

原子層堆積法（ＡＬＤ法）は、原子層単位で薄膜（原子層堆積膜、ＡＬＤ膜）を形成することができるため、高い膜厚制御性、膜厚均一性を有している。
それゆえ、図４（ｃ）において、光透過性基板５１の第１のエッチング底面５４の上、該第１のエッチング底面５４に接する第１のエッチング側面５５の上、並びに、マスクパターン５２の上に形成される第１のＡＬＤ膜５６の膜厚は、いずれも同じ厚み（Ｗ51）になる。 The atomic layer deposition method (ALD method) can form a thin film (atomic layer deposition film, ALD film) in units of atomic layers, and thus has high film thickness controllability and film thickness uniformity.
Therefore, in FIG. 4C, on the first etching bottom surface 54 of the light transmitting substrate 51, on the first etching side surface 55 in contact with the first etching bottom surface 54, and on the mask pattern 52. The first ALD films 56 formed in the same thickness have the same thickness (W 51 ).

第１のＡＬＤ膜５６を構成する材料としては、光透過性基板５１のエッチング（図１に示す工程Ｓ５、図４（ｅ）等）において、エッチングマスクとして作用を奏するものであれば用いることができる。
光透過性基板５１が合成石英から構成される場合、第１のＡＬＤ膜５６を構成する材料としては、上記のＡＬＤ法に用いることができる各種金属やその酸化膜、窒化膜等を挙げることができる。例えば、窒化タンタル（ＴａＮ）を好適に挙げることができる。 As a material constituting the first ALD film 56, any material can be used as long as it acts as an etching mask in the etching of the light transmissive substrate 51 (step S5 shown in FIG. 1, FIG. 4E, etc.). it can.
When the light transmissive substrate 51 is made of synthetic quartz, examples of the material constituting the first ALD film 56 include various metals that can be used in the ALD method, oxide films, nitride films, and the like thereof. it can. For example, tantalum nitride (TaN) can be preferably cited.

＜第１のＡＬＤ膜エッチバック工程＞
次に、図４（ｄ）に示すように、第１のＡＬＤ膜５６をエッチバックして、第１のエッチング側面５５の上に形成した第１のＡＬＤ膜５６を残しながら、第１のエッチング底面５４の上に形成した第１のＡＬＤ膜５６を除去して、第１のエッチング底面５４を露出させる（図１に示す工程Ｓ４）。
例えば、図４（ｃ）、（ｄ）に示す例においては、このエッチバックは、エッチング深さ方向においてＷ51に相当する深さをエッチングすればよい。第１のＡＬＤ膜５６を構成する材料として、ＴａＮを用いた場合、このエッチング（エッチバック）には、例えば、塩素ガスによるドライエッチングを用いることができる。 <First ALD film etch-back process>
Next, as shown in FIG. 4D, the first ALD film 56 is etched back, and the first ALD film 56 formed on the first etching side surface 55 is left, and the first etching is performed. The first ALD film 56 formed on the bottom surface 54 is removed to expose the first etching bottom surface 54 (step S4 shown in FIG. 1).
For example, in the example shown in FIGS. 4C and 4D, this etch-back may be performed by etching a depth corresponding to W 51 in the etching depth direction. When TaN is used as the material constituting the first ALD film 56, for example, dry etching with chlorine gas can be used for this etching (etch back).

＜第２の光透過性基板エッチング工程＞
次に、図４（ｅ）に示すように、露出した第１のエッチング底面５４を、さらにエッチングする（図１に示す工程Ｓ５）。
上記のように、光透過性基板５１が合成石英から構成される場合、このエッチングには、例えば、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いることができる。そして、マスクパターン５２や第１のＡＬＤ膜５６が金属系の材料から構成されている場合、マスクパターン５２や第１のＡＬＤ膜５６は、エッチングマスクとして十分作用する。
このエッチング（第２の光透過性基板エッチング）により、光透過性基板５１には、第２のエッチング底面５７、及び、第２のエッチング側面５８が形成される。
図４（ｅ）において、第２のエッチング底面５７の深さ（第１のエッチング底面５４からの距離）はＨ52である。 <Second Optically Transparent Substrate Etching Step>
Next, as shown in FIG. 4E, the exposed first etching bottom surface 54 is further etched (step S5 shown in FIG. 1).
As described above, when the light-transmitting substrate 51 is made of synthetic quartz, for example, dry etching using a fluorine-based gas can be used for this etching. When the mask pattern 52 and the first ALD film 56 are made of a metal material, the mask pattern 52 and the first ALD film 56 sufficiently function as an etching mask.
By this etching (second light transmitting substrate etching), a second etching bottom surface 57 and a second etching side surface 58 are formed on the light transmitting substrate 51.
In FIG. 4 (e), the depth of the second etching bottom surface 57 (the distance from the first etching bottom surface 54) is H 52.

＜第２のＡＬＤ膜形成工程＞
次に、図５（ｆ）に示すように、光透過性基板５１の第２のエッチング底面５７の上、第２のエッチング底面５７に接する第２のエッチング側面５８の上、第１のエッチング側面５５の上に形成した第１のＡＬＤ膜５６の上（膜面の上）、並びに、マスクパターン５２の上に第２のＡＬＤ膜５９を形成する（図１に示す工程Ｓ３）。 <Second ALD film forming step>
Next, as shown in FIG. 5 (f), on the second etching bottom surface 57 of the light transmissive substrate 51, on the second etching side surface 58 in contact with the second etching bottom surface 57, and on the first etching side surface. A second ALD film 59 is formed on the first ALD film 56 formed on the surface 55 (on the film surface) and on the mask pattern 52 (step S3 shown in FIG. 1).

原子層堆積法（ＡＬＤ法）は、上記のように、原子層単位で薄膜（原子層堆積膜、ＡＬＤ膜）を形成することができるため、高い膜厚制御性、膜厚均一性を有している。
それゆえ、図５（ｆ）において、光透過性基板５１の第２のエッチング底面５７の上、第２のエッチング底面５７に接する第２のエッチング側面５８の上、第１のエッチング側面５５の上に形成した第１のＡＬＤ膜５６の上（膜面の上）、並びに、マスクパターン５２の上に形成される第２のＡＬＤ膜５９の膜厚は、いずれも同じ厚み（Ｗ52）になる。 As described above, the atomic layer deposition method (ALD method) can form a thin film (atomic layer deposition film, ALD film) in units of atomic layers, and thus has high film thickness controllability and film thickness uniformity. ing.
Therefore, in FIG. 5 (f), on the second etching bottom surface 57 of the light-transmitting substrate 51, on the second etching side surface 58 in contact with the second etching bottom surface 57, on the first etching side surface 55. The film thicknesses of the second ALD film 59 formed on the first ALD film 56 (on the film surface) formed on the mask pattern 52 and on the mask pattern 52 are the same (W 52 ). .

第２のＡＬＤ膜５９を構成する材料としては、第１のＡＬＤ膜５６と同様に、光透過性基板５１のエッチング（図１に示す工程Ｓ５、図５（ｇ）等）において、エッチングマスクとして作用を奏するものであれば用いることができる。
第２のＡＬＤ膜５９を構成する材料は、第１のＡＬＤ膜５６と異なるものであっても良いが、同じ材料である方が、共通するエッチングガス、エッチング装置を使用でき、プロセスを複雑にしない点で有益である。
第２のＡＬＤ膜５９を構成する材料は、例えば、窒化タンタル（ＴａＮ）を好適に挙げることができる。 As a material constituting the second ALD film 59, as in the first ALD film 56, as an etching mask in the etching of the light transmissive substrate 51 (step S5 shown in FIG. 1, FIG. 5G, etc.). Any device that exhibits an effect can be used.
The material constituting the second ALD film 59 may be different from that of the first ALD film 56. However, if the same material is used, a common etching gas and etching apparatus can be used, which complicates the process. It is beneficial in that it does not.
A material constituting the second ALD film 59 is preferably tantalum nitride (TaN), for example.

＜第２のＡＬＤ膜エッチバック工程＞
次に、図５（ｇ）に示すように、第２のＡＬＤ膜５９をエッチバックして、第２のエッチング側面５８の上、及び、第１のＡＬＤ膜５６の上（膜面の上）に形成した第２のＡＬＤ膜５９を残しながら、第２のエッチング底面５７の上に形成した第２のＡＬＤ膜５９を除去して、第２のエッチング底面５７を露出させる（図１に示す工程Ｓ４）。
例えば、図５（ｆ）、（ｇ）に示す例においては、このエッチバックは、エッチング深さ方向においてＷ52に相当する深さをエッチングすればよい。第２のＡＬＤ膜５９を構成する材料として、ＴａＮを用いた場合、このエッチング（エッチバック）には、例えば、塩素ガスによるドライエッチングを用いることができる。 <Second ALD film etch-back process>
Next, as shown in FIG. 5 (g), the second ALD film 59 is etched back, on the second etching side surface 58 and on the first ALD film 56 (on the film surface). The second ALD film 59 formed on the second etching bottom surface 57 is removed while leaving the second ALD film 59 formed in FIG. 1 to expose the second etching bottom surface 57 (step shown in FIG. 1). S4).
For example, in the example shown in FIGS. 5F and 5G, this etch back may be performed by etching a depth corresponding to W 52 in the etching depth direction. When TaN is used as the material constituting the second ALD film 59, for example, dry etching using chlorine gas can be used for this etching (etch back).

＜第３の光透過性基板エッチング工程＞
次に、図５（ｈ）に示すように、露出した第２のエッチング底面５７を、さらにエッチングする（図１に示す工程Ｓ５）。
上記のように、光透過性基板５１が合成石英から構成される場合、このエッチングには、例えば、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いることができる。そして、マスクパターン５２、第１のＡＬＤ膜５６、第２のＡＬＤ膜５９が金属系の材料から構成されている場合、マスクパターン５２、第１のＡＬＤ膜５６、第２のＡＬＤ膜５９は、エッチングマスクとして十分作用する。
このエッチング（第３の光透過性基板エッチング）により、光透過性基板５１には、第３のエッチング底面６０、及び、第３のエッチング側面６１が形成される。 <Third optically transparent substrate etching process>
Next, as shown in FIG. 5H, the exposed second etching bottom surface 57 is further etched (step S5 shown in FIG. 1).
As described above, when the light-transmitting substrate 51 is made of synthetic quartz, for example, dry etching using a fluorine-based gas can be used for this etching. When the mask pattern 52, the first ALD film 56, and the second ALD film 59 are made of a metal material, the mask pattern 52, the first ALD film 56, and the second ALD film 59 are It works well as an etching mask.
By this etching (third light transmissive substrate etching), a third etching bottom surface 60 and a third etching side surface 61 are formed on the light transmissive substrate 51.

＜ＡＬＤ膜除去工程＞
次に、図５（ｉ）に示すように、形成したＡＬＤ膜全てを除去する（図１に示す工程Ｓ６）。より具体的には、第１のＡＬＤ膜５６、及び、第２のＡＬＤ膜５９を除去する。
第１のＡＬＤ膜５６、及び、第２のＡＬＤ膜５９を構成する材料として、ＴａＮを用いた場合、この除去工程には、例えば、塩素ガスによるドライエッチングを用いることができる。
この除去工程（ＡＬＤ膜除去工程）により、多段構造体を構成する第１のエッチング底面５４、第１のエッチング側面５５、第２のエッチング底面５７、第２のエッチング側面５８が露出する。 <ALD film removal process>
Next, as shown in FIG. 5I, all of the formed ALD film is removed (step S6 shown in FIG. 1). More specifically, the first ALD film 56 and the second ALD film 59 are removed.
In the case where TaN is used as the material constituting the first ALD film 56 and the second ALD film 59, for example, dry etching using chlorine gas can be used for this removal step.
By this removing step (ALD film removing step), the first etching bottom surface 54, the first etching side surface 55, the second etching bottom surface 57, and the second etching side surface 58 constituting the multistage structure are exposed.

＜マスクパターン除去工程＞
最後に、図５（ｊ）に示すように、マスクパターン５２を除去する（図１に示す工程Ｓ７）。マスクパターン５２を構成する材料として、Ｃｒを用いた場合、この除去工程には、例えば、酸素と塩素の混合ガスによるドライエッチングを用いることができる。 <Mask pattern removal process>
Finally, as shown in FIG. 5J, the mask pattern 52 is removed (step S7 shown in FIG. 1). When Cr is used as the material constituting the mask pattern 52, for example, dry etching using a mixed gas of oxygen and chlorine can be used for this removal step.

なお、図１や図５に示す例では、ＡＬＤ膜除去工程（図１に示す工程Ｓ６、図５（ｉ））と、マスクパターン除去工程（図１に示す工程Ｓ７、図５（ｊ））を別の工程とする形態を例示したが、本実施形態においては、ＡＬＤ膜除去工程（図１に示す工程Ｓ６、図５（ｉ））と、マスクパターン除去工程（図１に示す工程Ｓ７、図５（ｊ））を、同じ一の工程で行っても良い。
例えば、酸性の液体を用いたウェットエッチングにより、第１のＡＬＤ膜５６、第２のＡＬＤ膜５９、及び、マスクパターン５２を同じ一の工程で除去しても良い。 In the example shown in FIGS. 1 and 5, the ALD film removal step (step S6 shown in FIG. 1, FIG. 5 (i)) and the mask pattern removal step (step S7 shown in FIG. 1, FIG. 5 (j)). In this embodiment, the ALD film removal step (step S6 shown in FIG. 1, FIG. 5 (i)) and the mask pattern removal step (step S7 shown in FIG. FIG. 5J may be performed in the same single process.
For example, the first ALD film 56, the second ALD film 59, and the mask pattern 52 may be removed in the same step by wet etching using an acidic liquid.

以上の工程を経ることにより、図５（ｊ）に示すテンプレート５０を得ることができる。ここで、図５（ｊ）に示すテンプレート５０は、３段の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレートであって、前記多段構造体が、階段状のピラー形態を有する多段構造体である。
なお、上記の「階段状のピラー形態」とは、ピラー（柱）の輪郭が、ピラミッドのような輪郭であって、その側面が階段状になっている形態を指す。 Through the above steps, the template 50 shown in FIG. 5J can be obtained. Here, the template 50 shown in FIG. 5 (j) is a template having a multi-step structure composed of a three-step structure on the main surface, and the multi-step structure has a multi-step pillar shape. It is a structure.
In addition, said "step-shaped pillar form" refers to the form where the outline of a pillar (pillar) is an outline like a pyramid, and the side surface is stepped.

ここで、上記のように、原子層堆積法（ＡＬＤ法）は、原子層単位で薄膜（原子層堆積膜、ＡＬＤ膜）を形成することができるため、高い膜厚制御性、膜厚均一性を有している。
それゆえ、図５（ｊ）に示すテンプレート５０が有する多段構造体は、その断面が極めて左右対称性の良い多段構造体となり、多段構造体の下段の段差構造の平面中心位置は、上段の段差構造の平面中心位置と一致することになる。
すなわち、本実施形態によれば、２段以上の段差構造の形成に、アライメント機能を備えた描画装置を要することなく、高い位置精度で、２段以上の段差構造から構成される微細な多段構造体を、テンプレートの主面に形成することができる。 Here, as described above, since the atomic layer deposition method (ALD method) can form a thin film (atomic layer deposition film, ALD film) in units of atomic layers, high film thickness controllability and film thickness uniformity. have.
Therefore, the multistage structure included in the template 50 shown in FIG. 5 (j) is a multistage structure whose cross section has extremely good left-right symmetry, and the planar center position of the lower step structure of the multistage structure is the upper step. This coincides with the plane center position of the structure.
That is, according to the present embodiment, a fine multi-stage structure composed of two or more step structures with high positional accuracy without requiring a drawing apparatus having an alignment function to form a two or more step structure. The body can be formed on the main surface of the template.

＜ｎ段の段差構造から構成される多段構造体を有するテンプレートの製造方法＞
上記の図４〜図５に示す例においては、３段の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレートであって、前記多段構造体が、光透過性基板５１の主面側に向かって凸型のピラー状の形態を有する多段構造体であるテンプレート（図５（ｊ）に示すテンプレート５０）を製造する方法について説明したが、本実施形態においては、図１に示す工程Ｓ３〜Ｓ５を繰り返すことで、より多段の多段構造体を有するテンプレートを製造することができる。 <Manufacturing Method of Template Having Multi-Stage Structure Consisting of n-Stage Step Structure>
In the example shown in FIG. 4 to FIG. 5 described above, the template has a multi-stage structure formed of a three-step structure on the main surface, and the multi-stage structure is on the main surface side of the light transmissive substrate 51. The method of manufacturing the template (template 50 shown in FIG. 5J) that is a multi-stage structure having a convex pillar shape toward the surface has been described, but in this embodiment, step S3 shown in FIG. By repeating S5, it is possible to manufacture a template having more multistage structures.

より詳しくは、図１に示す第２の光透過性基板エッチング工程（Ｓ５）の後であってＡＬＤ膜除去工程（Ｓ６）の前に、ｎを２以上の自然数とした場合に、第ｎの光透過性基板エッチング工程により形成された光透過性基板の第ｎのエッチング底面の上及び該第ｎのエッチング底面に接する第ｎのエッチング側面の上、前記第（ｎ−１）のエッチング側面の上に形成した第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の上、並びに、前記マスクパターンの上に第ｎのＡＬＤ膜を形成する、第ｎのＡＬＤ膜形成工程と、前記第ｎのＡＬＤ膜をエッチバックして、前記第ｎのエッチング側面の上及び前記第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の上に形成した第ｎのＡＬＤ膜を残しながら、前記第ｎのエッチング底面の上に形成した第ｎのＡＬＤ膜を除去して、前記第ｎのエッチング底面を露出させる、第ｎのＡＬＤ膜エッチバック工程と、前記露出した前記光透過性基板の第ｎのエッチング底面をエッチングする、第（ｎ＋１）の光透過性基板エッチング工程と、を順に備えることで、ｎ段の段差構造から構成される多段構造体を有するテンプレートを製造することができる。   More specifically, when n is a natural number of 2 or more after the second light transmitting substrate etching step (S5) shown in FIG. 1 and before the ALD film removal step (S6), the nth On the nth etching side surface of the light transmitting substrate formed by the light transmitting substrate etching step, on the nth etching side surface in contact with the nth etching bottom surface, and on the (n-1) th etching side surface. An nth ALD film forming step of forming an nth ALD film on the (n-1) th ALD film formed on the mask pattern and the mask pattern; and etching the nth ALD film Back, leaving the nth ALD film formed on the nth etching side surface and on the (n-1) th ALD film, while forming the nth etching surface on the nth etching bottom surface. The ALD film is removed and the nth etching is performed An n-th ALD film etch-back step for exposing the surface, and an (n + 1) light-transmitting substrate etching step for etching the n-th etching bottom surface of the exposed light-transmitting substrate. Thus, it is possible to manufacture a template having a multi-stage structure including an n-step structure.

＜各段の幅＞
また、本実施形態においては、第ｎのＡＬＤ膜形成工程において形成する第ｎのＡＬＤ膜の厚みを、第（ｎ−１）のＡＬＤ膜形成工程において形成する第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の厚みとは異なる厚みに変化させることもできる。
より具体的には、図４（ｃ）に示す第1のＡＬＤ膜５６の厚みＷ51と、図５（ｆ）に示す第２のＡＬＤ膜５９の厚みＷ52を、異なる厚みとすることができる。
これにより、図５（ｊ）に示すテンプレート５０において、多段構造体の各段の幅（Ｗ51、Ｗ52）の大きさを異なるものとすることができる。 <Width of each step>
In the present embodiment, the thickness of the nth ALD film formed in the nth ALD film forming step is the same as the (n−1) th ALD film formed in the (n−1) th ALD film forming step. It is also possible to change the thickness to a thickness different from the thickness.
More specifically, the thickness W 51 of the first ALD film 56 shown in FIG. 4C and the thickness W 52 of the second ALD film 59 shown in FIG. it can.
Thereby, in the template 50 shown in FIG. 5 (j), the width (W 51 , W 52 ) of each step of the multi-stage structure can be made different.

なお、本実施形態においては、第ｎのＡＬＤ膜形成工程において形成する第ｎのＡＬＤ膜の厚みを、第（ｎ−１）のＡＬＤ膜形成工程において形成する第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の厚みと同じ厚みとすることもできる。
より具体的には、図４（ｃ）に示す第1のＡＬＤ膜５６の厚みＷ51と、図５（ｆ）に示す第２のＡＬＤ膜５９の厚みＷ52を、同じ厚みとすることができる。
これにより、図５（ｊ）に示すテンプレート５０において、多段構造体の各段の幅（Ｗ51、Ｗ52）の大きさを同じものとすることができる。 In the present embodiment, the thickness of the nth ALD film formed in the nth ALD film forming step is the same as the (n−1) th ALD film formed in the (n−1) th ALD film forming step. It can also be set to the same thickness as the thickness.
More specifically, the thickness W 51 of the first ALD film 56 shown in FIG. 4C and the thickness W 52 of the second ALD film 59 shown in FIG. it can.
Thereby, in the template 50 shown in FIG. 5 (j), the widths (W 51 , W 52 ) of the respective steps of the multi-stage structure can be made the same.

＜各段の深さ＞
また、本実施形態においては、第ｎの光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さを、第（ｎ−１）の光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さとは異なる深さに変化させることもできる。
より具体的には、図４（ｂ）に示す深さＨ51と、図４（ｅ）に示す深さＨ52を、異なる厚みとすることができる。
これにより、図５（ｊ）に示すテンプレート５０において、多段構造体の各段の深さ（Ｈ51、Ｈ52）の大きさを異なるものとすることができる。 <Depth of each step>
In this embodiment, the depth etched in the nth light transmissive substrate etching step is changed to a depth different from the depth etched in the (n−1) th light transmissive substrate etching step. You can also.
More specifically, the depth H 51 shown in FIG. 4B and the depth H 52 shown in FIG.
Thereby, in the template 50 shown in FIG. 5 (j), the depths (H 51 , H 52 ) of each step of the multi-stage structure can be made different.

なお、本実施形態においては、第ｎの光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さを、第（ｎ−１）の光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さと同じ深さとすることもできる。
より具体的には、図４（ｂ）に示す深さＨ51と、図４（ｅ）に示す深さＨ52を、同じ深さとすることができる。
これにより、図５（ｊ）に示すテンプレート５０において、多段構造体の各段の深さ（Ｈ51、Ｈ52）の大きさを同じものとすることができる。 In the present embodiment, the depth etched in the nth light transmissive substrate etching step may be the same as the depth etched in the (n−1) th light transmissive substrate etching step.
More specifically, the depth H 51 shown in FIG. 4B and the depth H 52 shown in FIG. 4E can be made the same depth.
Thereby, in the template 50 shown in FIG. 5 (j), the depth (H 51 , H 52 ) of each step of the multi-stage structure can be made the same.

以上、本発明に係る多段構造体を有するテンプレートの製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   The method for manufacturing a template having a multistage structure according to the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and exhibits the same function and effect regardless of the case. Are included in the technical scope.

１０Ａ、５０Ａ マスクパターン付き光透過性基板
１０、５０ テンプレート
１１、５１ 光透過性基板
１２、５２ マスクパターン
１３ 開口部
１４、５４ 第１のエッチング底面
１５、５５ 第１のエッチング側面
１６、５６ 第１のＡＬＤ膜
１７、５７ 第２のエッチング底面
１８、５８ 第２のエッチング側面
１９、５９ 第２のＡＬＤ膜
２０、６０ 第３のエッチング底面
２１、６１ 第３のエッチング側面
５３ 露出部 10A, 50A Light transmissive substrate with mask pattern 10, 50 Template 11, 51 Light transmissive substrate 12, 52 Mask pattern 13 Opening 14, 54 First etching bottom surface 15, 55 First etching side surface 16, 56 First ALD film 17, 57 Second etching bottom surface 18, 58 Second etching side surface 19, 59 Second ALD film 20, 60 Third etching bottom surface 21, 61 Third etching side surface 53 Exposed portion

Claims (6)

２段以上の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレートの製造方法であって、
マスクパターンが光透過性基板の主面に形成されているマスクパターン付き光透過性基板を準備するマスクパターン付き光透過性基板準備工程と、
前記マスクパターンから露出する前記光透過性基板の主面をエッチングする第１の光透過性基板エッチング工程と、
前記第１の光透過性基板エッチング工程により形成された、前記光透過性基板の第１のエッチング底面の上、該第１のエッチング底面に接する第１のエッチング側面の上、並びに前記マスクパターンの上に、第１のＡＬＤ膜を形成する第１のＡＬＤ膜形成工程と、
前記第１のＡＬＤ膜をエッチバックして、前記第１のエッチング側面の上に形成した第１のＡＬＤ膜を残しながら、前記第１のエッチング底面の上に形成した第１のＡＬＤ膜を除去して、前記第１のエッチング底面を露出させる第１のＡＬＤ膜エッチバック工程と、
前記露出した第１のエッチング底面をエッチングする、第２の光透過性基板エッチング工程と、
前記第１のＡＬＤ膜を除去する、ＡＬＤ膜除去工程と、
を順に備えることを特徴とする、多段構造体を有するテンプレートの製造方法。 A method for producing a template having a multi-stage structure composed of two or more step structures on its main surface,
A light-transmitting substrate with mask pattern for preparing a light-transmitting substrate with a mask pattern in which a mask pattern is formed on the main surface of the light-transmitting substrate;
A first light transmissive substrate etching step of etching a main surface of the light transmissive substrate exposed from the mask pattern;
The first light transmissive substrate is formed by the first light transmissive substrate etching step, on the first etching bottom surface of the light transmissive substrate, on the first etching side surface in contact with the first etching bottom surface, and on the mask pattern. A first ALD film forming step of forming a first ALD film;
The first ALD film is etched back to remove the first ALD film formed on the first etching bottom surface while leaving the first ALD film formed on the first etching side surface. Then, a first ALD film etchback step for exposing the first etching bottom surface;
A second light-transmitting substrate etching step for etching the exposed first etching bottom surface;
An ALD film removing step of removing the first ALD film;
In order, The manufacturing method of the template which has a multistage structure characterized by the above-mentioned. 前記第２の光透過性基板エッチング工程の後であって前記ＡＬＤ膜除去工程の前に、
ｎを２以上の自然数とした場合に、
第ｎの光透過性基板エッチング工程により形成された前記光透過性基板の第ｎのエッチング底面の上及び該第ｎのエッチング底面に接する第ｎのエッチング側面の上、前記第（ｎ−１）のエッチング側面の上に形成した第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の上、並びに、前記マスクパターンの上に第ｎのＡＬＤ膜を形成する、第ｎのＡＬＤ膜形成工程と、
前記第ｎのＡＬＤ膜をエッチバックして、前記第ｎのエッチング側面の上及び前記第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の上に形成した第ｎのＡＬＤ膜を残しながら、前記第ｎのエッチング底面の上に形成した第ｎのＡＬＤ膜を除去して、前記第ｎのエッチング底面を露出させる、第ｎのＡＬＤ膜エッチバック工程と、
前記露出した前記光透過性基板の第ｎのエッチング底面をエッチングする、第（ｎ＋１）の光透過性基板エッチング工程と、
を順に備えることを特徴とする、請求項１に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法。 After the second light transmissive substrate etching step and before the ALD film removing step,
When n is a natural number of 2 or more,
On the nth etching bottom surface of the light transmitting substrate formed by the nth light transmitting substrate etching step and on the nth etching side surface in contact with the nth etching bottom surface, the (n-1) th. An n-th ALD film forming step of forming an n-th ALD film on the (n-1) -th ALD film formed on the etching side surface and on the mask pattern;
The nth ALD film is etched back, leaving the nth ALD film formed on the nth etching side surface and on the (n-1) th ALD film, while the nth etching is performed. Removing the nth ALD film formed on the bottom surface to expose the nth etching bottom surface; and an nth ALD film etchback step;
Etching the n-th etching bottom surface of the exposed light-transmitting substrate; (n + 1) -th light-transmitting substrate etching step;
These are provided in order, The manufacturing method of the template which has a multistage structure of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 前記第ｎのＡＬＤ膜形成工程において形成する第ｎのＡＬＤ膜の厚みを、
第（ｎ−１）のＡＬＤ膜形成工程において形成する第（ｎ−１）のＡＬＤ膜の厚みとは異なる厚みに変化させることを特徴とする、
請求項２に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法。 The thickness of the nth ALD film formed in the nth ALD film forming step is as follows:
The thickness is changed to a thickness different from the thickness of the (n-1) th ALD film formed in the (n-1) th ALD film forming step.
The manufacturing method of the template which has a multistage structure of Claim 2. 前記第ｎの光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さを、
第（ｎ−１）の光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さとは異なる深さに変化させることを特徴とする、
請求項２または請求項３に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法。 The depth of etching in the nth light transmissive substrate etching step is as follows:
In the (n-1) light transmissive substrate etching step, the depth is changed to a depth different from the etching depth.
The manufacturing method of the template which has a multistage structure of Claim 2 or Claim 3. 前記マスクパターンが、開口部と該開口部の周囲を覆うマスク部から構成され、
前記多段構造体が、階段状のホール形態を有する多段構造体であることを特徴とする、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法。 The mask pattern is composed of an opening and a mask covering the periphery of the opening,
The multi-stage structure is a multi-stage structure having a stepped hole shape,
The manufacturing method of the template which has a multistage structure of any one of Claims 1 thru | or 4. 前記マスクパターンが、マスク部と該マスク部を囲む露出部から構成され、
前記多段構造体が、階段状のピラー形態を有する多段構造体であることを特徴とする、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法。 The mask pattern is composed of a mask portion and an exposed portion surrounding the mask portion,
The multistage structure is a multistage structure having a step-like pillar shape,
The manufacturing method of the template which has a multistage structure of any one of Claims 1 thru | or 4.
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