JP2018043890A - シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器 - Google Patents

シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器 Download PDF

Info

Publication number
JP2018043890A
JP2018043890A JP2016177638A JP2016177638A JP2018043890A JP 2018043890 A JP2018043890 A JP 2018043890A JP 2016177638 A JP2016177638 A JP 2016177638A JP 2016177638 A JP2016177638 A JP 2016177638A JP 2018043890 A JP2018043890 A JP 2018043890A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
quartz crucible
crucible
sheet
single crystal
graphite sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016177638A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6642349B2 (ja
Inventor
横山 隆
Takashi Yokoyama
隆 横山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Corp
Original Assignee
Sumco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumco Corp filed Critical Sumco Corp
Priority to JP2016177638A priority Critical patent/JP6642349B2/ja
Publication of JP2018043890A publication Critical patent/JP2018043890A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6642349B2 publication Critical patent/JP6642349B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

【課題】シリコン単結晶中の酸素濃度のバッチ間のばらつきを小さくする。【解決手段】支持ルツボ12内に黒鉛シート21を介して石英ルツボ11を収容すると共に、石英ルツボ11内のシリコン融液2からシリコン単結晶3を引き上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、黒鉛シート21は、石英ルツボ11の直胴部11aと接する第1の領域S1と、石英ルツボ11の底部11bと接する第2の領域S2とを有し、第2の領域S2の熱伝導率は第1の領域S1の熱伝導率よりも低い。【選択図】図2

Description

本発明は、チョクラルスキー法(以下、CZ法という)によるシリコン単結晶の製造方法に関し、特に、シリコン融液を保持する石英ルツボとこの石英ルツボを収容する黒鉛ルツボとの間に設けられて両者の保護するための黒鉛シートを用いたシリコン単結晶の製造方法の改良に関する。また本発明は、そのようなシリコン単結晶の製造方法に用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器に関する。
半導体デバイスの基板材料となるシリコン単結晶の多くはCZ法により製造されている。CZ法では石英ルツボ内に収容されたシリコン融液に種結晶を浸漬し、種結晶及び石英ルツボを回転させながら種結晶を徐々に上昇させることにより、種結晶の下端に単結晶を成長させる。CZ法によれば大きな直径のシリコン単結晶インゴットを高い歩留りで製造することが可能である。
CZ法においてシリコン融液を支持するために使用されるルツボは、内側を石英ルツボとし、外側を支持ルツボとする二重構造であり、石英ルツボは支持ルツボに収容された状態で単結晶引き上げ装置内に設置されて使用される。例えば、特許文献1には、炭素繊維強化炭素複合素材(カーボンコンポジット)製の支持ルツボが記載されている。
石英ルツボはガラス製であり割れや欠けが生じやすいので、支持ルツボに収容する際の取扱いには十分な注意が必要である。また石英ルツボから発生するSiOガス等がカーボン製の支持ルツボと反応して支持ルツボのSiC化や減肉等が発生するという問題もある。
このような問題に対処するため、石英ルツボと支持ルツボとの間に両者を保護するための部材として黒鉛シートを介在させることが行われている(例えば、特許文献1参照)。カーボンコンポジット製の成型体である支持ルツボは高価であるためその消耗をできるだけ抑えることが好ましいが、黒鉛シートを介在させた場合には石英ルツボとの反応による支持ルツボの消耗を抑えてその寿命を延ばすことができる。また、支持ルツボに石英ルツボを設置する際に石英ルツボに対する衝撃を緩衝することができ、また支持ルツボから石英ルツボを取り出しやすくすることもできる。
特開2013−245155号公報 特開2009−215162号公報
黒鉛シートを採用した従来のシリコン単結晶の製造方法では、均一な厚さを有する1枚の黒鉛シートをカーボンコンポジット製の支持ルツボの内面全体に敷設した後に石英ルツボを収容し、石英ルツボと支持ルツボとの組み合わせからなる二重構造のルツボ(二重ルツボ)を用いてシリコン単結晶の引き上げ工程を行っていた。
しかしながら、従来のシリコン単結晶の製造方法では、結晶引き上げ条件を変えていないにもかかわらず、シリコン単結晶中の酸素濃度がバッチ間で大きくばらつくという問題がある。特に、結晶引き上げ工程の前半側においてその傾向が大きく、また何回も使用して消耗した支持ルツボを新品に交換したときの交換前後のバッチ間で酸素濃度のばらつきが大きくなる傾向が見られる。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、シリコン単結晶中の酸素濃度のバッチ間のばらつきを小さくすることが可能なシリコン単結晶の製造方法及びこれに用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器を提供することにある。
本願発明者らは、シリコン単結晶中の酸素濃度のバッチ間のばらつきが大きくなる原因について鋭意研究を重ねた結果、結晶引き上げ工程中の石英ルツボの底部の温度を低くすることで酸素濃度の安定化が図れることを見出した。
本発明はこのような技術的知見に基づくものであり、本発明によるシリコン単結晶の製造方法は、支持ルツボ内に黒鉛シートを介して石英ルツボを収容すると共に、前記石英ルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、前記黒鉛シートは、前記石英ルツボの直胴部と接する第1の領域と、前記石英ルツボの底部と接する第2の領域とを有し、前記第2の領域の熱伝導率は前記第1の領域の熱伝導率よりも低いことを特徴とする。
また、本発明による黒鉛シートは、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造においてシリコン融液を支持する石英ルツボと前記石英ルツボを収容する支持ルツボとの間に設けられるものであって、前記石英ルツボの直胴部と接する第1の領域の熱伝導率が前記石英ルツボの底部と接する第2の領域の熱伝導率よりも低いことを特徴とする。
さらに、本発明による石英ルツボ支持容器は、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造に用いられ、シリコン融液を支持する石英ルツボを収容する支持ルツボと、前記石英ルツボと前記支持ルツボとの間に設けられる黒鉛シートとを備え、前記黒鉛シートは、前記石英ルツボの直胴部と接する第1の領域と、前記石英ルツボの底部と接する第2の領域とを有し、前記第2の領域の熱伝導率は前記第1の領域の熱伝導率よりも低いことを特徴とする。
本発明によれば、黒鉛シートを用いて石英ルツボ及び支持ルツボを相互に保護することができる。特に、石英ルツボの外面のほぼ全面が黒鉛シートを介して支持ルツボの内面に接するので、黒鉛シートによって石英ルツボ全体を確実に保護することができる。また長時間の使用により消耗して支持ルツボの形状(肉厚)が変化したとしても、支持ルツボをすぐに交換することなく、黒鉛シートを介して石英ルツボ及び支持ルツボとの密着性を高めることができる。さらに、石英ルツボの直胴部と接する第2の領域の熱伝導率が石英ルツボの底部と接する第1の領域の熱伝導率よりも低いので、石英ルツボの底部の高温化を抑えることができ、これによりシリコン単結晶中の酸素濃度のバッチ間のばらつきを小さくすることができる。石英ルツボの底部の高温化を抑制することでシリコン単結晶中の酸素濃度のバッチ間のばらつきが低減される理由は明らかではないが、石英ルツボの底部が高温化するとシリコン融液の自然対流が活発化して外乱の影響を受けやすく、底部の高温化を抑制した場合にはそのような外乱の影響を抑えることができるからではないかと考えられる。
本発明において、前記黒鉛シートの前記第2の領域の厚さは、前記黒鉛シートの前記第1の領域の厚さよりも厚いことが好ましい。これによれば、黒鉛シートの第1及び第2の領域の熱伝導率を容易に異ならせることができる。
本発明において、前記黒鉛シートは、第1及び第2のシート部材を含み、前記第1のシート部材は、前記石英ルツボの直胴部を覆っており、前記第2のシート部材は、前記石英ルツボの底部を覆っていることが好ましい。このように、黒鉛シートを複数枚のシート部材で構成することで第1及び第2の領域の熱伝導率を容易に異ならせることができる。
本発明において、前記第1及び第2のシート部材は、所定の厚さを有するベースシートを1枚又は2枚以上重ねてなるものであり、前記第2のシート部材を構成する前記ベースシートの枚数は、前記第1のシート部材を構成する前記ベースシートの枚数よりも多いことが好ましい。これによれば、市販の均一な厚さの黒鉛シートを加工して第1及び第2のシート部材を簡単に作製することができる。
本発明において、前記黒鉛シートは、第1及び第2のシート部材を含み、前記第1のシート部材は、前記石英ルツボの直胴部と底部の両方と接しており、前記第2のシート部材は、前記第1のシート部材を介して前記石英ルツボの底部と接していることもまた好ましい。このように、第2のシート部材が石英ルツボと直接接しない構成であっても、黒鉛シートの第1及び第2の領域の熱伝導率を容易に異ならせることができる。
本発明によれば、シリコン単結晶中の酸素濃度のバッチ間のばらつきを小さくすることが可能なシリコン単結晶の製造方法及びこれに用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器を提供することができる。
図1は、本発明の実施の形態によるシリコン単結晶の製造方法を説明するための図であって、単結晶製造装置の構成を示す略側面断面図である。 図2は、石英ルツボ11、支持ルツボ12及び黒鉛シート21の組み合わせを分解して示す略側面断面図である。 図3(a)及び(b)は、黒鉛シート21の構成の一例を示す略断面図である。 図4(a)及び(b)は、黒鉛シート21の構成の他の例を示す略断面図である。 図5(a)及び(b)は、黒鉛シート21の構成のさらに他の例を示す略断面図である。 図6は、黒鉛シートのサンプル1〜4の伝熱解析結果を示す棒グラフである。 図7は、黒鉛シートのサンプル1〜3を使用した場合におけるシリコン単結晶中の酸素濃度Oiの標準偏差を示す棒グラフである。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態によるシリコン単結晶の製造方法を説明するための図であって、単結晶製造装置の構成を示す略側面断面図である。
図1に示すように、単結晶製造装置1は、水冷式のチャンバー10と、チャンバー10内においてシリコン融液2を保持する石英ルツボ11と、石英ルツボ11を支持する支持ルツボ12と、支持ルツボ12を支持する回転シャフト13と、回転シャフト13を回転及び昇降駆動するシャフト駆動機構14と、支持ルツボ12の周囲に配置されたヒータ15と、ヒータ15の外側であってチャンバー10の内面に沿って配置された断熱材16と、シリコン融液2の上方に配置された熱遮蔽体17と、石英ルツボ11の上方であって回転シャフト13と同軸上に配置された結晶引き上げワイヤー18と、チャンバー10の上方に配置されたワイヤー巻き取り機構19とを備えている。
チャンバー10は、メインチャンバー10aと、メインチャンバー10aの上部開口に連結された細長い円筒状のプルチャンバー10bとで構成されており、石英ルツボ11、支持ルツボ12、ヒータ15及び熱遮蔽体17はメインチャンバー10a内に設けられている。プルチャンバー10bにはチャンバー10内にアルゴンガス等の不活性ガス(パージガス)やドーパントガスを導入するためのガス導入口10cが設けられており、メインチャンバー10aの下部にはチャンバー10内の雰囲気ガスを排気するためのガス排気口10dが設けられている。また、メインチャンバー10aの上部には覗き窓10eが設けられており、シリコン単結晶3の育成状況を覗き窓10eから観察可能である。
石英ルツボ11は、有底円筒状の石英ガラス製の容器である。支持ルツボ12は、有底円筒状のカーボンコンポジット製の容器であり、加熱によって軟化した石英ルツボ11の形状が維持されるように石英ルツボ11の外表面に密着して石英ルツボ11を支持する。石英ルツボ11及び支持ルツボ12はチャンバー10内においてシリコン融液を支持する二重構造のルツボ20を構成している。
石英ルツボ11と支持ルツボ12との間には黒鉛シート21が設けられている。黒鉛シート21は、石英ルツボ11の割れや欠けを防止すると共に支持ルツボ12の内面との密着性を高めるための緩衝材として機能する。また、黒鉛シート21は、支持ルツボ12の消耗を抑える保護シートとしても機能する。石英ルツボ11が支持ルツボ12の内面に直接接触していると、支持ルツボ12が石英ルツボ11と反応して徐々に減肉していき、支持ルツボ12の寿命が短くなるが、両者の間に黒鉛シート21を介在させている場合には支持ルツボ12の代わりに黒鉛シート21が石英ルツボ11と反応するので、支持ルツボ12の消耗を抑えてその寿命を延ばすことができる。
このように、本実施形態においては黒鉛シート21もルツボ20の構成要素の一つである。また、黒鉛シート21は支持ルツボ12と共に石英ルツボ11を支持する石英ルツボ支持容器23を構成するものである。支持ルツボ12が繰り返し使用されるのに対し、黒鉛シート21は毎バッチごとに交換され、石英ルツボ11と同様に新品が使用される。たとえ石英ルツボ11との間に黒鉛シート21を介在させたとしても、支持ルツボ12は長時間の使用により消耗してその内面形状は徐々に変化するが、適切な厚さの黒鉛シート21を介して石英ルツボ11を収容することにより、石英ルツボ11と支持ルツボ12との黒鉛シート21を介した密着性を高めることができる。
支持ルツボ12は回転シャフト13の上端部に固定されており、回転シャフト13の下端部はチャンバー10の底部を貫通してチャンバー10の外側に設けられたシャフト駆動機構14に接続されている。支持ルツボ12、回転シャフト13及びシャフト駆動機構14は石英ルツボ11の回転機構及び昇降機構を構成している。
ヒータ15は、石英ルツボ11内に充填されたシリコン原料を融解してシリコン融液2を生成すると共に、シリコン融液2を加熱してその溶融状態を維持するために用いられる。ヒータ15は単一の部材で構成されていてもよく、独立に出力制御が可能な複数の部材の組み合わせであってもよい。ヒータ15は例えば抵抗加熱式ヒータであり、支持ルツボ12内の石英ルツボ11を取り囲むように設けられている。さらにヒータ15の外側には断熱材16がヒータ15を取り囲むように設けられており、これによりチャンバー10内の保温性が高められている。
熱遮蔽体17は、シリコン融液2の温度変動を抑制して結晶成長界面近傍に適切なホットゾーンを形成するとともに、ヒータ15及び石英ルツボ11からの輻射熱によるシリコン単結晶3の加熱を防止するために設けられている。熱遮蔽体17は略円筒状の黒鉛製の部材であり、シリコン単結晶3の引き上げ経路を除いたシリコン融液2の上方の領域を覆うように設けられている。
熱遮蔽体17の下端部の開口17aの直径はシリコン単結晶3の直径よりも大きく、これによりシリコン単結晶3の引き上げ経路が確保されている。また熱遮蔽体17の下端部の外径は石英ルツボ11の口径よりも小さく、熱遮蔽体17の下端部は石英ルツボ11の内側に位置するので、石英ルツボ11のリム上端を熱遮蔽体17の下端よりも上方まで上昇させても熱遮蔽体17が石英ルツボ11と干渉することはない。
図2は、石英ルツボ11、支持ルツボ12及び黒鉛シート21の組み合わせからなるルツボ20を分解して示す略側面断面図である。
図2に示すように、シリコン融液2を支持するルツボ20は、石英ルツボ11と、石英ルツボ11が収容される支持ルツボ12と、石英ルツボ11と支持ルツボ12との間に設けられた黒鉛シート21とで構成されている。
石英ルツボ11は、シリコン融液2を支持するための石英ガラス製の容器であって、略円筒状の直胴部11aと、緩やかな湾曲形状を有する底部11bと、直胴部11aと底部11bとをつなぐコーナー部11cとを有している。
支持ルツボ12は、石英ルツボ11を支持するためのカーボンコンポジット製の容器であって、石英ルツボ11の直胴部11aを支持する直胴部12aと、石英ルツボ11の底部11bを支持する底部12bと、石英ルツボ11のコーナー部11cを支持するコーナー部12cとを有している。支持ルツボ12の内面は石英ルツボ11の外面とほぼ同一の立体形状を有している。支持ルツボ12のコーナー部11cは消耗が激しい部位であるため、他の部位よりも肉厚であることが好ましい。支持ルツボ12の底部12bは直胴部12aと同じ肉厚であってもよく、直胴部12aより厚くてもよい。
本実施形態において、支持ルツボ12の底部には円形の開口12hが設けられており、この開口12hが回転シャフト13の台座13bの凸部13aと組み合わされることにより、支持ルツボ12を台座13b上の定位置に容易に設置することができ、回転シャフト13の中心軸に対する正確な位置決めが可能となる。台座13bは黒鉛性であり、カーボンコンポジットに比べて密度が高く、熱伝導率も高いことから、台座13bの凸部13aを通じて石英ルツボ11の底部11bが特に高温化しやすい。しかし、本実施形態においては、支持ルツボ12の底部12bに敷かれる黒鉛シート21の厚さを直胴部12aに敷かれる黒鉛シート21の厚さよりも厚くしているので、石英ルツボ11の底部11bの高温化を抑えることができる。
本実施形態において、黒鉛シート21は膨張黒鉛シートであり、支持ルツボ12の直胴部12aの内面に敷設されて石英ルツボ11の直胴部11aの外面を覆う第1のシート部材21aと、支持ルツボ12の底部12bからコーナー部12cまでの内面に敷設されて石英ルツボ11の底部11bからコーナー部11cまでの外面を覆う第2のシート部材21bとの組み合わせからなる。すなわち、石英ルツボ11の直胴部11aと接する黒鉛シート21の第1の領域S1は第1のシート部材21aからなり、石英ルツボ11の底部11bと接する黒鉛シート21の第2の領域S2は第2のシート部材21bからなる。
第1のシート部材21aは、支持ルツボ12の直胴部12aの高さとほぼ同じ幅を有する1枚の帯状のシートを直胴部12aの内周面に沿って敷設したものである。第2のシート部材21bは、支持ルツボ12の底部12bに仕込んだときに底部12b及びコーナー部12cの湾曲形状とほぼ同一の立体形状となるように複数の切り込みが設けられたものである。したがって、第2のシート部材21bに皺を発生させることなく支持ルツボ12の底部12b及びコーナー部12cのほぼ全面を覆うことができる。
本実施形態において、第2のシート部材21bの厚さT2は第1のシート部材21aの厚さT1よりも厚く、これにより第2のシート部材21bの断熱性は第1のシート部材21aの断熱性よりも高くなっている。したがって、石英ルツボ11の底部11bの高温化を抑えることができる。
図3(a)及び(b)は、黒鉛シート21の構成の一例を示す略断面図である。
図3(a)及び(b)に示すように、黒鉛シート21を構成する第1及び第2のシート部材21a,21bは共に1枚のベースシートを用いて構成されており、第2のシート部材21bを構成するベースシート22b(第2のベースシート)の厚さT2は、第1のシート部材21aを構成するベースシート22a(第1のベースシート)の厚さT1よりも厚い。
図4(a)及び(b)は、黒鉛シート21の構成の他の例を示す略断面図である。
図4(a)及び(b)に示すように、黒鉛シート21を構成する第1及び第2のシート部材21a,21bは、ベースシートを積層することによって互いの厚さが異なるように構成されたものである。具体的には、第1のシート部材21aは、厚さT1のベースシート22aを1枚だけ用いて構成されており、第2のシート部材21bは、厚さT1のベースシート22aを3枚重ねて構成されている。
このように、第1及び第2のシート部材21a,21bは、1枚のシートの厚さを変えたものであってもよく、同じ厚さのシートを重ねることによって互いの厚さを変えるようにしたものであってもよい。
支持ルツボ12は高温下での繰り返しの使用によって徐々に消耗して減肉するため、断熱性も徐々に低下し、これにより石英ルツボ11の底部11bの高温化も徐々に進行する。石英ルツボ11の底部11bが高温化するとシリコン融液2の対流が活発化し、石英ルツボ11から溶け出す酸素の量が増加してシリコン融液2中の酸素濃度が増加し、シリコン単結晶3に多くの酸素が取り込まれることでシリコン単結晶3中の酸素濃度が増加する。また、シリコン融液の対流が活発化すると外乱の影響を受けやすくなり、シリコン単結晶3中の酸素濃度のバッチ間のばらつきが生じやすくなる。特に、長時間の使用により減肉された支持ルツボ12を新品に交換すると、交換前後のバッチ間でシリコン単結晶3中の酸素濃度のばらつきが大きくなる傾向がある。
しかし、本実施形態においては黒鉛シート21を高さ方向に2分割し、石英ルツボ11の底部11bを覆うように底部11bと接する黒鉛シート21の下部領域(第2の領域)S2の厚さを、石英ルツボ11の直胴部11aを覆うように直胴部11aと接する黒鉛シート21の上部領域(第1の領域)S1の厚さよりも厚くしているので、石英ルツボ11の底部11bの高温化を抑えることができ、シリコン単結晶3中の酸素濃度のバッチ間のばらつきを抑えることができる。
図5(a)及び(b)は、黒鉛シート21の構成のさらに他の例を示す略断面図である。
図5(a)及び(b)に示すように、この黒鉛シート21は、第1のシート部材21aが石英ルツボ11の底部11bから直胴部11aまでのほぼ全面を覆うように成形及び配置されており、第2のシート部材21bが石英ルツボ11の底部11b及びコーナー部11cの少なくとも一部を覆うように成形及び配置されたものである。特に、図5(a)に示す黒鉛シート21では、第2のシート部材21bが第1のシート部材21aの内側に位置しており、図5(b)に示す黒鉛シート21では、第2のシート部材21bが第1のシート部材21aの外側に位置している。そのため、図5(b)に示す黒鉛シート21では、第1のシート部材21aが石英ルツボ11の直胴部11aと底部11bの両方と接しており、第2のシート部材21bが第1のシート部材21aを介して石英ルツボ11の底部11bと接している。
このように、本実施形態による黒鉛シート21は、第1及び第2のシート部材21a,21bの組み合わせにより、石英ルツボ11の底部11bと接する黒鉛シート21の下部領域(第2の領域S2)の厚さを、石英ルツボ11の直胴部11aと接する黒鉛シート21の上部領域(第1の領域S1)の厚さよりも厚くしているので、石英ルツボ11の底部11bの高温化を抑えることができ、シリコン単結晶3中の酸素濃度のバッチ間のばらつきを抑えることができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態においては、黒鉛シート21を高さ方向に2分割し、第1のシート部材21aと第2のシート部材21bとの組み合わせからなる場合を例に挙げたが、本発明はこのような場合に限定されず、例えば黒鉛シート21を高さ方向に3分割したものであってもよく、分割数や分割方法は特に限定されない。また本発明においては黒鉛シート21を高さ方向に分割することなく単一のシートで構成し、石英ルツボ11の底部11bを覆う下部領域(第2の領域)の厚さが直胴部11aを覆う上部領域(第1の領域)の厚さよりも厚くなるように構成することも可能である。
黒鉛シート21の第1及び第2のシート部材21a,21bの厚さが石英ルツボ11の底部中心の温度に与える影響を考察するため伝熱解析を行った。黒鉛シート21のサンプルを表1に示す。
サンプル1(No.1)では、支持ルツボ12の底部12bからコーナー部12cまでの領域に1枚のベースシートからなる第2のシート部材21bを敷設し、支持ルツボ12の直胴部12aに1枚のベースシートからなる第1のシート部材21aを敷設した。第1のシート部材のベースシートと第2のシート部材のベースシートは、材質(熱伝導率)と厚み(0.5mm)が同じであり、平面形状だけが異なる。
サンプル2(No.2)では第1及び第2のシート部材21a、21bを構成するベースシートの枚数をそれぞれ1枚及び2枚とし、サンプル3(No.3)では1枚及び3枚とし、サンプル4(No.4)では2枚ずつとした。ベースシートの厚さは、0.5mmとした。このような黒鉛シート21を介して支持ルツボ12内に収容された石英ルツボ11の底部中心の温度を計算により求めた。
図6は、黒鉛シートのサンプル1〜4の伝熱解析結果を示す棒グラフであって、縦軸はサンプル1(No.1)の温度を基準(100)としたときの石英ルツボ11の底部中心の温度の相対値(温度比率)を示している。
図6から明らかなように、サンプル2(No.2)では第2のシート部材21bを構成するベースシートの枚数を2枚に増やしたことにより底部中心の温度がサンプル1(No.1)よりも低下し、サンプル3(No.3)ではベースシートの枚数をさらに3枚に増やしたことにより底部中心の温度がサンプル2(No.2)よりもさらに低下した。サンプル4(No.4)では、サンプル1(No.1)よりも底部中心の温度が低下したが、サンプル2よりも高くなった。これは、第2のシート部材21bのみならず第1のシート部材21aを構成するベースシートの枚数も2枚としたことで、直胴部の熱伝導率が低下し、直胴部側での熱不足を補うためヒータ15のパワーを大きくしたことが原因である。
次に、シリコン単結晶3中の酸素濃度のバッチ間のばらつきについて考察するため、黒鉛シート21の条件が異なる点以外は同一の引き上げ条件下で製造された7本分のシリコン単結晶を用意した。黒鉛シート21の条件としては上記サンプル1〜3(No.1〜3)を採用した。
次に、サンプル1〜3の各々において7本のシリコン単結晶の酸素濃度を測定し、その標準偏差を算出した。シリコン単結晶中の酸素濃度は、結晶トップ側で高く、結晶ボトム側に向かって徐々に低くなる傾向があるため、複数本のシリコン単結晶インゴット間の酸素濃度を比較する場合には、結晶成長方向における酸素濃度の測定位置をバッチ間で揃える必要がある。この評価試験では、結晶トップから500mmの位置で酸素濃度の測定を行った。なお酸素濃度は、ASTM F−121(1979)に規格されたフーリエ変換赤外分光光度法(FT−IR)による測定値である。
図7は、黒鉛シートのサンプル1〜3を使用した場合におけるシリコン単結晶中の酸素濃度Oiの標準偏差を示す棒グラフである。
図7から明らかなように、サンプル1(No.1)では酸素濃度Oiの標準偏差が約0.58×1017(atoms/cm)であるのに対し、サンプル2(No.2)では約0.29×1017(atoms/cm)となり、サンプル3(No.3)では約0.27×1017(atoms/cm)となり、石英ルツボ11の底部中心の温度の低下に合わせて酸素濃度Oiの標準偏差も低下する結果となった。
以上の結果から、石英ルツボ11の底部11bをカバーする黒鉛シート21の第2のシート部材21bの厚さが直胴部11aをカバーする第1のシート部材21aの厚さよりも厚い場合には、シリコン単結晶中の酸素濃度のバッチ間のばらつきを低減できることが分かった。また第2のシート部材21bのベースシート枚数を1枚から2枚に増やした場合には酸素濃度のバッチ間のばらつきの抑制効果が非常に大きいが、2枚から3枚に増やしても2枚に増やした場合ほど大きな効果は見られなかった。
1 単結晶製造装置
2 シリコン融液
3 シリコン単結晶
10 チャンバー
10a メインチャンバー
10b プルチャンバー
10c ガス導入口
10d ガス排気口
10e 覗き窓
11 石英ルツボ
11a 石英ルツボの直胴部
11b 石英ルツボの底部
11c 石英ルツボのコーナー部
12 支持ルツボ
12a 支持ルツボの直胴部
12b 支持ルツボの底部
12c 支持ルツボのコーナー部
12h 支持ルツボの開口
13 回転シャフト
13a 回転シャフトの凸部
13b 回転シャフトの台座
14 シャフト駆動機構
15 ヒータ
16 断熱材
17 熱遮蔽体
17a 熱遮蔽体の開口
18 引き上げワイヤー
19 ワイヤー巻き取り機構
21 黒鉛シート
21a 第1のシート部材
21b 第2のシート部材
22a ベースシート
22b ベースシート
23 石英ルツボ支持容器

Claims (7)

  1. 支持ルツボ内に黒鉛シートを介して石英ルツボを収容すると共に、前記石英ルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
    前記黒鉛シートは、前記石英ルツボの直胴部と接する第1の領域と、前記石英ルツボの底部と接する第2の領域とを有し、前記第2の領域の熱伝導率は前記第1の領域の熱伝導率よりも低いことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
  2. 前記黒鉛シートの前記第2の領域の厚さは、前記黒鉛シートの前記第1の領域の厚さよりも厚い、請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
  3. 前記黒鉛シートは、第1及び第2のシート部材を含み、
    前記第1のシート部材は、前記石英ルツボの直胴部と接し、
    前記第2のシート部材は、前記石英ルツボの底部と接している、請求項1又は2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
  4. 前記第1及び第2のシート部材は、所定の厚さを有するベースシートを1枚又は2枚以上重ねてなるものであり、
    前記第2のシート部材を構成する前記ベースシートの枚数は、前記第1のシート部材を構成する前記ベースシートの枚数よりも多い、請求項3に記載のシリコン単結晶の製造方法。
  5. 前記黒鉛シートは、第1及び第2のシート部材を含み、
    前記第1のシート部材は、前記石英ルツボの直胴部と底部の両方と接しており、
    前記第2のシート部材は、前記第1のシート部材を介して前記石英ルツボの底部と接している、請求項1又は2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
  6. チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造においてシリコン融液を支持する石英ルツボと前記石英ルツボを収容する支持ルツボとの間に設けられる黒鉛シートであって、
    前記石英ルツボの直胴部と接する第1の領域の熱伝導率が前記石英ルツボの底部と接する第2の領域の熱伝導率よりも低いことを特徴とする黒鉛シート。
  7. チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造に用いられ、シリコン融液を支持する石英ルツボを収容する支持ルツボと、
    前記石英ルツボと前記支持ルツボとの間に設けられる黒鉛シートとを備え、
    前記黒鉛シートは、前記石英ルツボの直胴部と接する第1の領域と、前記石英ルツボの底部と接する第2の領域とを有し、前記第2の領域の熱伝導率は前記第1の領域の熱伝導率よりも低いことを特徴とする石英ルツボ支持容器。
JP2016177638A 2016-09-12 2016-09-12 シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器 Active JP6642349B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016177638A JP6642349B2 (ja) 2016-09-12 2016-09-12 シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016177638A JP6642349B2 (ja) 2016-09-12 2016-09-12 シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018043890A true JP2018043890A (ja) 2018-03-22
JP6642349B2 JP6642349B2 (ja) 2020-02-05

Family

ID=61694209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016177638A Active JP6642349B2 (ja) 2016-09-12 2016-09-12 シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6642349B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019154754A (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 株式会社三洋物産 遊技機
CN112301417A (zh) * 2019-07-31 2021-02-02 爱思开矽得荣株式会社 锭生长装置用坩埚
KR20210084616A (ko) 2018-11-28 2021-07-07 가부시키가이샤 사무코 열 전도율 추정 방법, 열 전도율 추정 장치, 반도체 결정 제품의 제조 방법, 열 전도율 연산 장치, 열 전도율 연산 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독가능 기록 매체 및, 열 전도율 연산 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019154754A (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 株式会社三洋物産 遊技機
KR20210084616A (ko) 2018-11-28 2021-07-07 가부시키가이샤 사무코 열 전도율 추정 방법, 열 전도율 추정 장치, 반도체 결정 제품의 제조 방법, 열 전도율 연산 장치, 열 전도율 연산 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독가능 기록 매체 및, 열 전도율 연산 방법
DE112019005929T5 (de) 2018-11-28 2021-08-05 Sumco Corporation Wärmeleitfähigkeitsschätzungsverfahren, Wärmeleitfähigkeitsschätzungsvorrichtung, Produktionsverfahren für ein Halbleiterkristallprodukt, Wärmeleitfähigkeitsberechnungsvorrichtung, Wärmeleitfähigkeitsberechnungsprogramm und Wärmeleitfähigkeitsberechnungsverfahren
CN112301417A (zh) * 2019-07-31 2021-02-02 爱思开矽得荣株式会社 锭生长装置用坩埚
US11608567B2 (en) 2019-07-31 2023-03-21 Sk Siltron Co., Ltd. Crucible for ingot grower

Also Published As

Publication number Publication date
JP6642349B2 (ja) 2020-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111088524B (zh) 一种大尺寸碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置
KR101635693B1 (ko) 단결정의 제조 장치에 사용되는 종결정 보유 지지축 및 단결정의 제조 방법
JP6642349B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器
KR20150060690A (ko) 실리콘 단결정 육성장치 및 실리콘 단결정 육성방법
JP6118425B2 (ja) 単結晶インゴット製造装置及び方法
CN101040068A (zh) 单结晶制造装置
TW201606147A (zh) β-GaO系單晶基板
KR102253607B1 (ko) 열 차폐 부재, 단결정 인상 장치 및 단결정 실리콘 잉곳 제조 방법
KR20110094025A (ko) 단결정 제조용 상부히터, 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법
JP6015397B2 (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法及びその製造装置
KR101842487B1 (ko) 도가니 및 단결정 육성 장치 및 단결정 육성 방법
JP2017065969A (ja) 炭化珪素単結晶インゴット製造用の黒鉛坩堝及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
JP2017154926A (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造装置及び製造方法
KR101675903B1 (ko) 반도체 단결정의 제조 장치 및 제조 방법
JP5392040B2 (ja) 単結晶製造装置及び単結晶製造方法
EP2644755B1 (en) Single crystal pulling device and low heat conductive member to be used in single crystal pulling device
JP5378779B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
KR101725603B1 (ko) 잉곳 성장장치
TW202217083A (zh) 具有用於覆蓋矽進料之蓋構件之晶體提拉系統及用於在坩鍋總成內生長矽熔體之方法
TWI832759B (zh) 矽單晶的育成方法、矽晶圓的製造方法及單晶提拉裝置
JP2020037499A (ja) 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置及び単結晶の製造方法
JP2013256424A (ja) サファイア単結晶育成装置
JP2022092450A (ja) 単結晶製造装置
JP2019156708A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
KR20130020488A (ko) 잉곳 제조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180913

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190510

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190528

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190717

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191216

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6642349

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250