JP2018041768A - Manufacturing method of sealing structure, sealing material, and cured product - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a sealing structure capable of obtaining a sealing structure having a smooth surface excellent in smoothness and having a laser marking property without using an additive which is a laser marking material.SOLUTION: The manufacturing method of a sealing structure includes a sealing step of sealing an electronic component 10 with a resin layer 20a of a sealing material 1 including a metal layer 30 and the resin layer 20a. The metal layer 30 has a surface having a surface roughness (Ra) of 10 μm or less. The resin layer 20a is disposed on a surface opposite to the surface of the metal layer 30.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、封止構造体の製造方法、封止材及び硬化物に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a sealing structure, a sealing material, and a cured product.

電子機器の軽薄短小化に伴って、半導体装置の小型化及び薄型化が進んでいる。半導体素子とほぼ同じ大きさの半導体装置を用いる形態、又は、半導体装置の上に半導体装置を積む実装形態(パッケージ・オン・パッケージ)が盛んに行われており、今後、半導体装置の小型化及び薄型化が一段と進むと予想される。   As electronic devices become lighter, thinner, and smaller, semiconductor devices are becoming smaller and thinner. A form of using a semiconductor device that is almost the same size as a semiconductor element or a mounting form (package-on-package) in which a semiconductor device is stacked on the semiconductor device has been actively performed. Thinning is expected to progress further.

半導体素子の微細化が進展し、端子数が増加してくると、半導体素子上にすべての外部接続端子(外部接続用の端子)を設けることが難しくなる。例えば、無理に外部接続端子を設けた場合、端子間のピッチが狭くなると共に端子高さが低くなり、半導体装置を実装した後の接続信頼性の確保が難しくなる。そこで、半導体装置の小型化及び薄型化を実現するために、新たな実装方法が多々提案されている。   As miniaturization of semiconductor elements progresses and the number of terminals increases, it becomes difficult to provide all external connection terminals (external connection terminals) on the semiconductor elements. For example, when the external connection terminals are forcibly provided, the pitch between the terminals is reduced and the height of the terminals is reduced, and it is difficult to ensure connection reliability after the semiconductor device is mounted. Therefore, many new mounting methods have been proposed in order to realize miniaturization and thinning of semiconductor devices.

例えば、半導体ウェハを個片化して作製された半導体素子を、適度な間隔を有するように再配置した後、固形又は液状の封止樹脂を用いて半導体素子を封止し、半導体素子を封止する樹脂上に外部接続端子を更に設けることができる実装方法、及び、これを用いて作製される半導体装置が提案されている(例えば下記特許文献1〜3参照)。   For example, after rearranging a semiconductor element manufactured by dividing a semiconductor wafer into pieces with an appropriate interval, the semiconductor element is sealed using a solid or liquid sealing resin, and the semiconductor element is sealed There have been proposed a mounting method in which an external connection terminal can be further provided on a resin to be used, and a semiconductor device manufactured using the same (for example, see Patent Documents 1 to 3 below).

通常、半導体素子等の電子部品の封止は、半導体装置等の電子部品装置を製造する際の終盤の工程で行われることが多い。この場合の実装方法では、電子部品を封止して作製された封止成形物に対して、外部接続端子を配置するための配線、及び、外部接続端子を形成する工程が実施される。   Usually, sealing of electronic components such as semiconductor elements is often performed in the final stage of manufacturing an electronic component device such as a semiconductor device. In the mounting method in this case, the process for forming the wiring for arranging the external connection terminal and the external connection terminal is performed on the sealed molded product produced by sealing the electronic component.

特許第3616615号公報Japanese Patent No. 3616615 特開2001−244372号公報JP 2001-244372 A 特開2001−127095号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-127095

上記特許文献1〜3等の従来の実装方法では、半導体素子等の電子部品を封止した後に硬化した場合、樹脂部分のみが熱硬化収縮を起こし、熱硬化収縮を起こさない無機充填材が表面に露出し、表面に凹凸が発生する場合がある。封止構造体の表面が凹凸を有する場合、レーザーマーキング後の表面外観が悪くなることが予想される。さらに、パッケージをパッケージの上に積み重ねるPOPのようなパッケージ構造を精度良く作製することも困難になる。以上のような不具合を解消するためには、封止後の封止構造体の表面の研磨が必須プロセスとなる。また、封止構造体の表面にレーザーマーキング性を付与する目的で、封止材中に顔料や染料のような、封止には本来不要な材料を含ませる必要がある。例えば、導電性粒子であるカーボンブラックのような顔料を添加した場合、導電性粒子が加わることで、封止材の絶縁性が保たれなくなる可能性があり、信頼性の低下等の不具合の発生が予想される。また、有機化合物からなるような染料を添加した場合、熱による分解が発生し、使用環境によっては、レーザーマーキング性を発現できなくなるといった不具合を引き起こす可能性がある。そのため、新たな封止材の開発が求められている。   In the conventional mounting methods such as Patent Documents 1 to 3 described above, when an electronic component such as a semiconductor element is cured and then cured, only the resin portion undergoes thermosetting shrinkage, and the inorganic filler that does not cause thermosetting shrinkage is the surface. The surface may be exposed and unevenness may occur on the surface. When the surface of the sealing structure has irregularities, it is expected that the surface appearance after laser marking is deteriorated. Furthermore, it is difficult to accurately produce a package structure such as a POP in which packages are stacked on the package. In order to eliminate the above problems, polishing the surface of the sealing structure after sealing is an essential process. In addition, for the purpose of imparting laser marking properties to the surface of the sealing structure, it is necessary to include an originally unnecessary material for sealing, such as a pigment or a dye, in the sealing material. For example, when a pigment such as carbon black, which is a conductive particle, is added, the insulating property of the encapsulant may not be maintained due to the addition of the conductive particle, resulting in problems such as a decrease in reliability. Is expected. In addition, when a dye such as an organic compound is added, decomposition due to heat occurs, and depending on the use environment, there is a possibility of causing a problem that the laser marking property cannot be exhibited. Therefore, development of a new sealing material is demanded.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、平滑性に優れた平滑面を有すると共に、レーザーマーキング材料である添加剤を用いることなくレーザーマーキング性を有する封止構造体を得ることが可能な封止構造体の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、前記封止構造体の製造方法に用いることが可能な封止材、及び、当該封止材の樹脂層の硬化物を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to obtain a sealing structure having a smooth surface excellent in smoothness and having laser marking properties without using an additive which is a laser marking material. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a sealed structure. Moreover, this invention aims at providing the sealing material which can be used for the manufacturing method of the said sealing structure, and the hardened | cured material of the resin layer of the said sealing material.

本発明に係る封止構造体の製造方法は、金属層及び樹脂層を備える封止材の前記樹脂層により第1の電子部品を封止する封止工程を備え、前記金属層が、表面粗さ(Ra)が10μm以下である表面を有し、前記樹脂層が、前記金属層の前記表面とは反対側の面に配置されている。   A manufacturing method of a sealing structure according to the present invention includes a sealing step of sealing a first electronic component with the resin layer of a sealing material including a metal layer and a resin layer, and the metal layer has a rough surface. (Ra) has a surface of 10 μm or less, and the resin layer is disposed on the surface of the metal layer opposite to the surface.

本発明に係る封止構造体の製造方法によれば、封止材の金属層が平滑性を付与すると共にレーザーマーキング材料として適用可能なため、平滑性に優れた平滑面を有すると共に、レーザーマーキング材料である添加剤(顔料、染料等)を用いることなくレーザーマーキング性を有する封止構造体を得ることができる。このような封止構造体の製造方法によれば、平滑性を付与するために封止後の研磨プロセスを行う必要がなく、また、レーザーマーキング材料を樹脂層に添加することなくレーザーマーキング性を付与することができる。   According to the manufacturing method of the sealing structure according to the present invention, since the metal layer of the sealing material imparts smoothness and can be applied as a laser marking material, it has a smooth surface excellent in smoothness and laser marking. A sealing structure having laser marking properties can be obtained without using additives (pigments, dyes, etc.) that are materials. According to such a manufacturing method of a sealing structure, there is no need to perform a polishing process after sealing in order to impart smoothness, and laser marking properties can be achieved without adding a laser marking material to the resin layer. Can be granted.

ところで、従来の実装方法では、複数の電子部品を封止して得られる封止構造体をダイシングして複数の電子部品装置を得る場合がある。そのため、再配置される電子部品が多いほど、一度の工程で作製可能な電子部品装置を増やすことができる。そこで、封止構造体を大きくする検討が行われている。現状は、例えば、配線形成に半導体製造装置が使用されるため、封止構造体はウェハ形状に成形されており、ウェハ形状の大径化が進む傾向がある。さらに、更なる大判化が可能であり且つ半導体製造装置よりも安価なプリント配線板製造装置等の使用が可能となるように、封止構造体のパネル化も検討されている。   By the way, in the conventional mounting method, a plurality of electronic component devices may be obtained by dicing a sealing structure obtained by sealing a plurality of electronic components. Therefore, the more electronic components that are rearranged, the more electronic component devices that can be manufactured in a single process. In view of this, studies have been conducted to enlarge the sealing structure. At present, for example, since a semiconductor manufacturing apparatus is used for wiring formation, the sealing structure is formed into a wafer shape, and the diameter of the wafer shape tends to increase. Furthermore, the use of a sealing structure body as a panel is also being studied so that a printed wiring board manufacturing apparatus or the like that can be further enlarged and is cheaper than a semiconductor manufacturing apparatus can be used.

電子部品の封止には、液状又は固形の樹脂を金型で成形するモールド成形が行われる場合がある。ペレット状の樹脂を溶融させ、金型内に樹脂を流し込むことで封止するトランスファーモールド成形が使用される場合がある。しかしながら、トランスファーモールド成形では、溶融させた樹脂を流し込んで成形するため、大面積を封止しようとする場合、未充填部が発生する可能性がある。そこで、近年、予め金型又は被封止体(電子部品)に樹脂を供給してから成形を行うコンプレッションモールド成形が使用され始めている。コンプレッションモールド成形では、樹脂を金型又は被封止体に直接供給するため、大面積の封止でも未充填部が発生しにくい利点がある。   For the sealing of the electronic component, there is a case where mold forming is performed by molding a liquid or solid resin with a mold. Transfer molding may be used in which the pellet-shaped resin is melted and sealed by pouring the resin into a mold. However, since transfer molding is performed by pouring molten resin, when filling a large area, an unfilled portion may occur. Therefore, in recent years, compression molding has started to be performed in which molding is performed after a resin is previously supplied to a mold or an object to be sealed (electronic component). In compression molding, since resin is directly supplied to a mold or an object to be sealed, there is an advantage that an unfilled portion is less likely to occur even when sealing a large area.

コンプレッションモールド成形では、トランスファーモールド成形と同様に、液状又は固形の樹脂が用いられる。しかしながら、被封止体が大型化した場合、液状の樹脂では、液流れ等が発生し被封止体上への均一供給が困難となる。また、樹脂を被封止体上に均一に供給する必要があるため、固形の樹脂としては、従来のペレット状の樹脂ではなく、顆粒又は粉体の樹脂が使用される場合がある。しかしながら、顆粒又は粉体の樹脂を金型又は被封止体上に均一に供給することは難しい。また、顆粒又は粉体である樹脂は、発塵源となり、装置又はクリーンルームが汚染されることが懸念される。   In compression molding, liquid or solid resin is used as in transfer molding. However, when the object to be sealed is enlarged, a liquid flow or the like is generated with a liquid resin, and it becomes difficult to uniformly supply the object to be sealed. Moreover, since it is necessary to supply resin uniformly on a to-be-sealed body, granule or powder resin may be used as solid resin instead of the conventional pellet-shaped resin. However, it is difficult to uniformly supply a granule or powder resin onto a mold or an object to be sealed. Moreover, resin which is a granule or powder becomes a dust generation source, and there is a concern that the apparatus or the clean room is contaminated.

また、モールド成形では、樹脂を金型内で成形するため、封止構造体を大型化するには、金型の大型化が必須となる。しかしながら、金型の大型化には、高い金型精度が求められることから技術面での難易度が上がると共に、金型の製造コストが大幅に増加するという課題がある。   Also, in molding, since the resin is molded in the mold, it is essential to increase the size of the mold in order to increase the size of the sealing structure. However, increasing the size of the mold requires a high mold accuracy, which raises the technical difficulty level and significantly increases the mold manufacturing cost.

一方、本発明に係る封止構造体の製造方法では、金属層の一方面に配置された樹脂層を備える封止材の前記樹脂層を用いて電子部品を封止することにより、被封止体(電子部品)上への樹脂の均一供給ができると共に発塵を低減することができる。また、本発明に係る封止構造体の製造方法では、モールド成形のみならず、金型を必要としないラミネート及びプレスによる封止成形を行うことができる。   On the other hand, in the manufacturing method of the sealing structure according to the present invention, the electronic component is sealed using the resin layer of the sealing material including the resin layer disposed on the one surface of the metal layer. Resin can be uniformly supplied onto the body (electronic component) and dust generation can be reduced. Moreover, in the manufacturing method of the sealing structure which concerns on this invention, the sealing molding by the lamination which does not require a metal mold | die as well as mold shaping | molding, and a press can be performed.

前記第1の電子部品は、複数であってもよい。   A plurality of the first electronic components may be provided.

本発明に係る封止構造体の製造方法は、前記封止工程の後に、前記金属層をレーザーマーキングする工程を更に備えていてもよい。   The manufacturing method of the sealing structure according to the present invention may further include a step of laser marking the metal layer after the sealing step.

本発明に係る封止構造体の製造方法は、前記封止工程の後に、前記金属層の前記樹脂層とは反対側に第2の電子部品を配置する工程を更に備えてもよい。   The manufacturing method of the sealing structure according to the present invention may further include a step of arranging a second electronic component on the opposite side of the metal layer from the resin layer after the sealing step.

本発明に係る封止構造体の製造方法は、前記封止工程の後に、前記第1の電子部品、前記樹脂層及び前記金属層を備える構造体をダイシングする工程を更に備えてもよい。   The manufacturing method of the sealing structure according to the present invention may further include a step of dicing the structure including the first electronic component, the resin layer, and the metal layer after the sealing step.

本発明に係る封止材は、表面粗さ(Ra)が10μm以下である表面を有する金属層と、前記金属層の前記表面とは反対側の面に配置された樹脂層と、を備え、前記樹脂層により電子部品を封止するために用いられる。   The sealing material according to the present invention includes a metal layer having a surface with a surface roughness (Ra) of 10 μm or less, and a resin layer disposed on a surface opposite to the surface of the metal layer, The resin layer is used to seal electronic components.

本発明に係る封止材によれば、封止材の金属層が平滑性を付与すると共にレーザーマーキング材料として適用可能なため、平滑性に優れた平滑面を有すると共に、レーザーマーキング材料である添加剤(顔料、染料等)を用いることなくレーザーマーキング性を有する封止構造体を得ることができる。このような封止材によれば、平滑性を付与するために封止後の研磨プロセスを行う必要がなく、また、レーザーマーキング材料を樹脂層に添加することなくレーザーマーキング性を付与することができる。   According to the encapsulant according to the present invention, the metal layer of the encapsulant imparts smoothness and can be applied as a laser marking material, so that it has a smooth surface excellent in smoothness and is an addition of a laser marking material A sealing structure having laser marking properties can be obtained without using an agent (pigment, dye, etc.). According to such a sealing material, it is not necessary to perform a polishing process after sealing in order to impart smoothness, and laser marking properties can be imparted without adding a laser marking material to the resin layer. it can.

本発明に係る封止構造体の製造方法及び封止材において、前記樹脂層における無機充填材の含有量は、55質量%以上であることが好ましい。ところで、上述のとおり、従来の実装方法では、半導体素子等の電子部品を封止した後に硬化した場合、樹脂部分のみが熱硬化収縮を起こし、熱硬化収縮を起こさない無機充填材が表面に露出し、表面に凹凸が発生する場合があるが、当該現象は、無機充填材の含有量が55質量%以上である場合に特に顕著になる。一方、本発明に係る封止構造体の製造方法及び封止材によれば、封止材の金属層が平滑性を付与するため、無機充填材の含有量が55質量%以上である場合であっても、平滑性に優れた平滑面を有する封止構造体を得ることができる。   In the method for manufacturing a sealing structure and the sealing material according to the present invention, the content of the inorganic filler in the resin layer is preferably 55% by mass or more. By the way, as described above, in the conventional mounting method, when an electronic component such as a semiconductor element is sealed and cured, only the resin portion undergoes thermosetting shrinkage, and the inorganic filler that does not cause thermosetting shrinkage is exposed on the surface. Although the surface may be uneven, this phenomenon is particularly remarkable when the content of the inorganic filler is 55% by mass or more. On the other hand, according to the manufacturing method and the sealing material of the sealing structure according to the present invention, since the metal layer of the sealing material imparts smoothness, the content of the inorganic filler is 55% by mass or more. Even if it exists, the sealing structure which has the smooth surface excellent in smoothness can be obtained.

本発明に係る硬化物は、本発明に係る封止材の前記樹脂層の硬化物である。   The cured product according to the present invention is a cured product of the resin layer of the sealing material according to the present invention.

本発明によれば、平滑性に優れた平滑面を有すると共に、レーザーマーキング材料である添加剤を用いることなくレーザーマーキング性を有する封止構造体を得ることが可能な封止構造体の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、前記封止構造体の製造方法に用いることが可能な封止材、及び、当該封止材の樹脂層の硬化物を提供することができる。さらに、本発明によれば、前記封止構造体の製造方法により得ることが可能な封止構造体を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is a manufacturing method of the sealing structure which has a smooth surface excellent in smoothness, and can obtain the sealing structure which has laser marking property, without using the additive which is a laser marking material. Can be provided. Moreover, according to this invention, the hardened | cured material of the sealing material which can be used for the manufacturing method of the said sealing structure, and the resin layer of the said sealing material can be provided. Furthermore, according to this invention, the sealing structure which can be obtained with the manufacturing method of the said sealing structure can be provided.

本発明によれば、電子部品の封止への封止材の応用を提供することができる。本発明によれば、封止構造体の製造への封止材の応用を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the application of the sealing material to sealing of an electronic component can be provided. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the application of the sealing material to manufacture of a sealing structure can be provided.

封止構造体の実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section showing an embodiment of a sealing structure. 封止構造体の実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section showing an embodiment of a sealing structure. 封止構造体の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。It is a schematic cross section for demonstrating one Embodiment of the manufacturing method of a sealing structure. 封止構造体の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。It is a schematic cross section for demonstrating one Embodiment of the manufacturing method of a sealing structure. 封止構造体の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。It is a schematic cross section for demonstrating one Embodiment of the manufacturing method of a sealing structure. 封止構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図である。It is a schematic cross section for demonstrating other embodiment of the manufacturing method of a sealing structure.

本明細書中において、「層」及び「膜」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。本明細書中において、「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「A又はB」とは、A及びBのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書中に例示する材料は、特に断らない限り、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。本明細書中において、組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。   In this specification, the terms “layer” and “film” include a structure formed in part in addition to a structure formed in the entire surface when observed as a plan view. Is done. In the present specification, numerical ranges indicated using “to” indicate ranges including the numerical values described before and after “to” as the minimum value and the maximum value, respectively. In the numerical ranges described stepwise in the present specification, the upper limit value or lower limit value of a numerical range of a certain step may be replaced with the upper limit value or lower limit value of the numerical range of another step. In the numerical range described in this specification, the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the values shown in the examples. “A or B” only needs to include either A or B, and may include both. The materials exemplified in the present specification can be used singly or in combination of two or more unless otherwise specified. In the present specification, the content of each component in the composition is the sum of the plurality of substances present in the composition unless there is a specific indication when there are a plurality of substances corresponding to each component in the composition. Means quantity.

本明細書において、表面粗さ(Ra、算術平均粗さ)は、例えば、表面粗さ測定装置(ブルカー・エイエックス株式会社製、商品名:wyko NT9100)を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズ、測定範囲121μm×92μmの条件で測定を行い、無作為に選んだ10点の平均値として求めることができる。   In the present specification, the surface roughness (Ra, arithmetic average roughness) is, for example, a VSI contact mode, 50 times using a surface roughness measuring device (Bruker AEX, trade name: wyko NT9100). Measurement is performed under the conditions of a lens and a measurement range of 121 μm × 92 μm, and an average value of 10 points selected at random can be obtained.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。各図面の寸法比率は、必ずしも実際の寸法比率とは一致していない。本発明は必ずしも以下の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The dimensional ratio in each drawing does not necessarily match the actual dimensional ratio. The present invention is not necessarily limited to the following embodiments, and modifications may be made as appropriate without departing from the spirit of the present invention.

<封止構造体>
図1及び図2は、本実施形態に係る封止構造体を示す模式断面図である。本実施形態に係る封止構造体(封止成形物、電子部品装置)100a,100b,100c,100d,100eは、電子部品(第1の電子部品。第1層目の電子部品)10と、電子部品10を封止する封止部(樹脂硬化物)20と、封止部20上に配置された金属層30,30aと、を備える。金属層30は、パターニングされていない金属層であり、金属層30aは、所定のパターン形状を有する金属パターンである。
<Sealing structure>
FIG.1 and FIG.2 is a schematic cross section which shows the sealing structure which concerns on this embodiment. Sealed structures (sealed molded products, electronic component devices) 100a, 100b, 100c, 100d, and 100e according to the present embodiment include an electronic component (first electronic component, first layer electronic component) 10, and A sealing part (cured resin product) 20 that seals the electronic component 10 and metal layers 30 and 30 a disposed on the sealing part 20 are provided. The metal layer 30 is an unpatterned metal layer, and the metal layer 30a is a metal pattern having a predetermined pattern shape.

封止構造体100aは、複数の電子部品10を備えており、封止部20は、複数の電子部品10を封止している。封止構造体100aの金属層30は、封止部20上の全面に配置されている。封止構造体100bは、封止構造体100aの金属層30がパターニングされて得られる金属パターンを金属層30aとして備える構造を有している。封止構造体100bの金属層30aは、封止部20の一部の上に配置されている。封止構造体100cは、封止構造体100bの金属層30aの封止部20とは反対側に電子部品(第2の電子部品。第2層目の電子部品)40を更に備える構造を有している。封止構造体100dは、封止構造体100cを電子部品10毎にダイシングして得られる構造を有しており、単一の電子部品10及び電子部品40を備えている。封止構造体100eは、電子部品40を備えていない点で封止構造体100dと異なる構造を有している。   The sealing structure 100 a includes a plurality of electronic components 10, and the sealing unit 20 seals the plurality of electronic components 10. The metal layer 30 of the sealing structure 100 a is disposed on the entire surface of the sealing unit 20. The sealing structure 100b has a structure including, as the metal layer 30a, a metal pattern obtained by patterning the metal layer 30 of the sealing structure 100a. The metal layer 30a of the sealing structure 100b is disposed on a part of the sealing portion 20. The sealing structure 100c has a structure further including an electronic component (second electronic component, second-layer electronic component) 40 on the opposite side of the sealing layer 20 of the metal layer 30a of the sealing structure 100b. doing. The sealing structure 100 d has a structure obtained by dicing the sealing structure 100 c for each electronic component 10, and includes a single electronic component 10 and an electronic component 40. The sealing structure 100e has a structure different from the sealing structure 100d in that the electronic component 40 is not provided.

電子部品10及び電子部品40としては、例えば、半導体素子;半導体ウェハ;集積回路;半導体デバイス;SAWフィルタ等のフィルタ;センサ等の受動部品などが挙げられる。半導体ウェハを個片化することにより得られる半導体素子を用いてもよい。本実施形態に係る封止構造体(電子部品装置)は、電子部品として半導体素子又は半導体ウェハを備える半導体装置;プリント配線板等であってもよい。電子部品の厚さは、例えば、1〜1000μmであってもよく、100〜800μmであってもよい。   Examples of the electronic component 10 and the electronic component 40 include a semiconductor element; a semiconductor wafer; an integrated circuit; a semiconductor device; a filter such as a SAW filter; and a passive component such as a sensor. A semiconductor element obtained by separating a semiconductor wafer may be used. The sealing structure (electronic component device) according to the present embodiment may be a semiconductor device including a semiconductor element or a semiconductor wafer as an electronic component; a printed wiring board or the like. The thickness of the electronic component may be, for example, 1 to 1000 μm, or 100 to 800 μm.

金属パターンは、配線パターンであってもよい。金属パターンは、接続端子(外部接続端子、電子部品接続用の端子等)であってもよく、前記接続端子を支持するためのパターンであってもよい。金属層の厚さは、封止材の説明において後述する。   The metal pattern may be a wiring pattern. The metal pattern may be a connection terminal (external connection terminal, electronic component connection terminal, etc.), or a pattern for supporting the connection terminal. The thickness of the metal layer will be described later in the description of the sealing material.

複数の電子部品10は、互いに同一の種類であってもよく、互いに異なる種類であってもよい。複数の電子部品40は、互いに同一の種類であってもよく、互いに異なる種類であってもよい。電子部品10と電子部品40とは、互いに同一の種類であってもよく、互いに異なる種類であってもよい。   The plurality of electronic components 10 may be of the same type or different types. The plurality of electronic components 40 may be of the same type or different types. The electronic component 10 and the electronic component 40 may be of the same type or different types.

封止構造体は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、電子部品を封止する封止部の構成材料は、樹脂硬化物に代えて半硬化又は未硬化の樹脂であってもよい(例えば、後述する図4(a))。   The sealing structure is not limited to the above embodiment. For example, the constituent material of the sealing part that seals the electronic component may be a semi-cured or uncured resin instead of the cured resin (for example, FIG. 4A described later).

本実施形態に係る封止構造体は、封止部と金属層との間に中間層を更に備えていてもよい。本実施形態に係る封止構造体は、電子部品10の封止部20とは反対側に、樹脂層、金属層等を更に備えていてもよい。本実施形態に係る封止構造体は、電子部品40を封止する封止部、当該封止部上に配置された金属層(パターニングされていない金属層、又は、金属パターン)等を更に備えてもよい。電子部品40を備える封止構造体上に電子部品を更に備えていてもよい。   The sealing structure according to the present embodiment may further include an intermediate layer between the sealing portion and the metal layer. The sealing structure according to the present embodiment may further include a resin layer, a metal layer, or the like on the side opposite to the sealing portion 20 of the electronic component 10. The sealing structure according to the present embodiment further includes a sealing portion that seals the electronic component 40, a metal layer (an unpatterned metal layer or a metal pattern) disposed on the sealing portion, and the like. May be. An electronic component may be further provided on the sealing structure including the electronic component 40.

<封止構造体の製造方法>
本実施形態に係る封止構造体(封止成形物、電子部品装置)の製造方法は、金属層及び樹脂層を備える封止材の前記樹脂層により電子部品(第1の電子部品)を封止する封止工程を備える。金属層は、表面粗さ(Ra)が10μm以下である表面(平滑面)を有している。樹脂層は、金属層の前記平滑面とは反対側の面に配置されている。前記封止工程は、例えば、樹脂層を加熱して溶融させると共に、圧力を加えて電子部品を樹脂層で封止する工程であってもよい。
<Method for producing sealing structure>
In the manufacturing method of the sealing structure (sealed molded product, electronic component device) according to the present embodiment, the electronic component (first electronic component) is sealed by the resin layer of the sealing material including the metal layer and the resin layer. A sealing step for stopping. The metal layer has a surface (smooth surface) having a surface roughness (Ra) of 10 μm or less. The resin layer is disposed on the surface of the metal layer opposite to the smooth surface. The sealing step may be, for example, a step of heating and melting the resin layer and applying pressure to seal the electronic component with the resin layer.

本実施形態に係る封止構造体の製造方法は、封止工程の前に、樹脂層が電子部品に対向するように封止材を配置する工程を備えていてもよい。本実施形態に係る封止構造体の製造方法は、封止工程の後に、樹脂層を硬化させる工程を備えていてもよい。本実施形態に係る封止構造体の製造方法は、封止工程の後に、金属層をレーザーマーキングするレーザーマーキング工程を備えていてもよい。本実施形態に係る封止構造体の製造方法は、封止工程の後に、金属層をパターニングして金属パターンを得るパターニング工程を備えていてもよい。レーザーマーキング工程は、パターニング工程の前後のいずれで行ってもよい。本実施形態に係る封止構造体の製造方法は、封止工程の後に、金属層の樹脂層とは反対側に電子部品(第2の電子部品)を配置する工程を備えていてもよい。本実施形態に係る封止構造体の製造方法は、封止工程の後に、電子部品(第1の電子部品)、樹脂層及び金属層を備える封止構造体(構造体)をダイシングする工程を備えていてもよい。複数の電子部品を備える構造体を電子部品毎にダイシングすることにより、複数の封止構造体を得ることができる。   The manufacturing method of the sealing structure which concerns on this embodiment may be provided with the process of arrange | positioning a sealing material so that a resin layer may oppose an electronic component before a sealing process. The manufacturing method of the sealing structure according to the present embodiment may include a step of curing the resin layer after the sealing step. The manufacturing method of the sealing structure which concerns on this embodiment may be equipped with the laser marking process which laser-marks a metal layer after a sealing process. The manufacturing method of the sealing structure which concerns on this embodiment may be equipped with the patterning process of patterning a metal layer and obtaining a metal pattern after a sealing process. The laser marking process may be performed before or after the patterning process. The manufacturing method of the sealing structure according to the present embodiment may include a step of arranging an electronic component (second electronic component) on the side opposite to the resin layer of the metal layer after the sealing step. The manufacturing method of the sealing structure according to the present embodiment includes a step of dicing the sealing structure (structure) including the electronic component (first electronic component), the resin layer, and the metal layer after the sealing step. You may have. A plurality of sealing structures can be obtained by dicing a structure including a plurality of electronic components for each electronic component.

図3〜5は、本実施形態に係る封止構造体の製造方法を説明するための模式断面図である。以下、図3〜5を用いて、本実施形態に係る封止構造体の製造方法について説明する。   3 to 5 are schematic cross-sectional views for explaining the manufacturing method of the sealing structure according to this embodiment. Hereinafter, the manufacturing method of the sealing structure which concerns on this embodiment is demonstrated using FIGS.

本実施形態に係る封止構造体の製造方法では、まず、図3(a)に示すように、本実施形態に係る封止材1を準備する。封止材1は、金属層30と、金属層30上に配置された樹脂層20aと、を備える。封止材1は、樹脂層20aにより電子部品を封止するために用いられる。樹脂層20aは、金属層30上の少なくとも一部に設けられていればよく、金属層30の全面に設けられていてもよい。樹脂層20aは、例えばフィルム状である。樹脂層20aは、例えば、樹脂層20aをフィルム化する際のキャリアとして用いられる金属層30と一体化されている。封止材については更に後述する。   In the manufacturing method of the sealing structure according to the present embodiment, first, as illustrated in FIG. 3A, the sealing material 1 according to the present embodiment is prepared. The sealing material 1 includes a metal layer 30 and a resin layer 20 a disposed on the metal layer 30. The sealing material 1 is used for sealing an electronic component with the resin layer 20a. The resin layer 20 a only needs to be provided on at least a part of the metal layer 30, and may be provided on the entire surface of the metal layer 30. The resin layer 20a has a film shape, for example. The resin layer 20a is integrated with, for example, a metal layer 30 used as a carrier when forming the resin layer 20a into a film. The sealing material will be further described later.

次に、図3(b)に示すように、基板50と、基板50上に配置された仮固定層60とを備える積層体を準備した後、仮固定層60上に複数の電子部品10を配置する。続いて、樹脂層20aが電子部品10に対向するように封止材1を配置する。そして、樹脂層20aを加熱して溶融させると共に、圧力を加えて電子部品10を樹脂層20aで封止する。これにより、図4(a)に示すように、複数の電子部品10を封止する樹脂層20aを備える封止構造体が得られる。電子部品10を樹脂層20aで封止する方法としては、ラミネート、プレス、トランスファーモールド成形、コンプレッションモールド成形等が挙げられる。   Next, as shown in FIG. 3B, after preparing a laminate including a substrate 50 and a temporary fixing layer 60 disposed on the substrate 50, a plurality of electronic components 10 are mounted on the temporary fixing layer 60. Deploy. Subsequently, the sealing material 1 is disposed so that the resin layer 20 a faces the electronic component 10. The resin layer 20a is heated and melted, and pressure is applied to seal the electronic component 10 with the resin layer 20a. Thereby, as shown to Fig.4 (a), a sealing structure provided with the resin layer 20a which seals the some electronic component 10 is obtained. Examples of the method for sealing the electronic component 10 with the resin layer 20a include laminating, pressing, transfer molding, compression molding, and the like.

封止工程における加熱温度は、樹脂層20aが溶融する温度であれば特に限定されず、例えば40〜200℃であってもよい。封止工程における圧力は、特に限定されず、電子部品のサイズ、密集度等に応じて調整することができる。前記圧力は、例えば0.01〜10MPaであってもよい。加圧時間は、特に限定されず、例えば5〜600秒であってもよい。   The heating temperature in the sealing step is not particularly limited as long as the resin layer 20a is melted, and may be, for example, 40 to 200 ° C. The pressure in a sealing process is not specifically limited, It can adjust according to the size of an electronic component, a density, etc. The pressure may be, for example, 0.01 to 10 MPa. The pressurization time is not particularly limited, and may be, for example, 5 to 600 seconds.

次に、図4(b)に示すように、樹脂層20aを硬化させて封止部(樹脂硬化層。樹脂層20aの硬化物)20を得ることにより封止構造体100aを得る。樹脂層20aは、熱硬化させてもよく、光硬化させてもよい。硬化処理は、例えば大気下又は不活性ガス下で行うことができる。熱硬化の加熱温度は、特に限定されず、例えば60〜300℃であってもよい。硬化時間は、特に限定されず、例えば10〜600分であってもよい。   Next, as shown in FIG. 4B, the sealing layer 100a is obtained by curing the resin layer 20a to obtain a sealing portion (resin cured layer, cured product of the resin layer 20a) 20. The resin layer 20a may be heat-cured or photocured. The curing treatment can be performed, for example, in the atmosphere or under an inert gas. The heating temperature for thermosetting is not particularly limited, and may be, for example, 60 to 300 ° C. The curing time is not particularly limited, and may be, for example, 10 to 600 minutes.

次に、必要に応じて、金属層30をレーザーマーキングすることによりレーザーマーキング性(視認性)を得ることができる。   Next, if necessary, laser marking (visibility) can be obtained by laser marking the metal layer 30.

次に、封止構造体100aの金属層30をパターニングして、図4(c)に示すように、金属層(金属パターン)30aを得ることにより封止構造体100bを得る。パターニング方法としては、特に限定されず、ウェットエッチング法、ドライエッチング法等が挙げられる。   Next, the metal layer 30 of the sealing structure 100a is patterned to obtain the metal layer (metal pattern) 30a as shown in FIG. 4C, thereby obtaining the sealing structure 100b. The patterning method is not particularly limited, and examples thereof include a wet etching method and a dry etching method.

次に、図5(a)に示すように、金属層30aの封止部20とは反対側に電子部品40を配置することにより封止構造体100cを得る。電子部品40を配置する前に、金属層30aに対してめっき処理等を行ってもよい。   Next, as illustrated in FIG. 5A, the sealing structure 100 c is obtained by disposing the electronic component 40 on the opposite side of the metal layer 30 a from the sealing portion 20. Before the electronic component 40 is arranged, the metal layer 30a may be subjected to a plating process or the like.

次に、図5(b)に示すように、電子部品10、封止部(樹脂硬化層)20、金属層30a及び電子部品40を備える封止構造体(構造体)100cをダイシングする。例えば、封止構造体100cの封止部20にダイシングブレード70によって切り込み部70aを形成することにより電子部品10毎に個片化して封止構造体100dを得ることができる。   Next, as shown in FIG. 5B, the sealing structure (structure) 100c including the electronic component 10, the sealing portion (resin cured layer) 20, the metal layer 30a, and the electronic component 40 is diced. For example, by forming the cut portion 70a with the dicing blade 70 in the sealing portion 20 of the sealing structure 100c, the electronic structure 10 can be separated into individual pieces to obtain the sealing structure 100d.

その後、封止材1の樹脂層20aにより封止構造体100dの電子部品40を封止してもよい。本実施形態では、電子部品の封止、金属層(金属パターン等)の形成、電子部品の積層等を繰り返し行うことができる。   Thereafter, the electronic component 40 of the sealing structure 100 d may be sealed with the resin layer 20 a of the sealing material 1. In this embodiment, it is possible to repeatedly perform sealing of electronic components, formation of a metal layer (metal pattern or the like), lamination of electronic components, and the like.

封止構造体の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、本実施形態に係る封止構造体の製造方法は、封止工程の前に、金属層として金属パターンを得る工程を備えていてもよい。具体的には、金属層30をパターニングする工程は、電子部品10を封止する前に行ってもよい。換言すれば、金属層30として金属パターン(配線パターン等)を備える封止材を用いて電子部品10を封止してもよい。   The manufacturing method of a sealing structure is not limited to the said embodiment. For example, the manufacturing method of the sealing structure according to the present embodiment may include a step of obtaining a metal pattern as a metal layer before the sealing step. Specifically, the step of patterning the metal layer 30 may be performed before the electronic component 10 is sealed. In other words, the electronic component 10 may be sealed using a sealing material having a metal pattern (such as a wiring pattern) as the metal layer 30.

封止構造体のダイシングは、電子部品40を配置する工程、又は、金属層30をパターニングする工程の前に行ってもよい。例えば、図6に示すように、電子部品10、封止部(樹脂硬化層)20及び金属層30aを備える封止構造体(構造体)の封止部20にダイシングブレード70によって切り込み部70aを形成することにより電子部品10毎に個片化して封止構造体100eを得ることができる。   Dicing of the sealing structure may be performed before the step of arranging the electronic component 40 or the step of patterning the metal layer 30. For example, as illustrated in FIG. 6, a cut portion 70 a is formed by a dicing blade 70 in a sealing portion 20 of a sealing structure (structure) including an electronic component 10, a sealing portion (resin cured layer) 20, and a metal layer 30 a. By forming, it can divide into every electronic component 10, and can obtain the sealing structure 100e.

上記実施形態では、複数の電子部品を樹脂層で封止した後に電子部品毎にダイシングして封止構造体を得ているが、単一の電子部品を樹脂層で封止して封止構造体を得てもよい。電子部品として半導体ウェハを用いる場合、半導体ウェハを樹脂層で封止して封止部を形成した後に、封止部と共に半導体ウェハを個片化することにより、封止部により封止された半導体素子を備える封止構造体を得てもよい。   In the above embodiment, a plurality of electronic components are sealed with a resin layer and then dicing is performed for each electronic component to obtain a sealing structure, but a single electronic component is sealed with a resin layer to provide a sealing structure. You may get a body. When a semiconductor wafer is used as an electronic component, after the semiconductor wafer is sealed with a resin layer to form a sealing portion, the semiconductor wafer sealed with the sealing portion by separating the semiconductor wafer together with the sealing portion You may obtain the sealing structure provided with an element.

<封止材及び硬化物>
本実施形態に係る封止材及び硬化物について説明する。本実施形態に係る封止材は、表面粗さ(Ra)が10μm以下である表面(平滑面)を有する金属層と、金属層の前記平滑面とは反対側の面に配置された樹脂層と、を備える。本実施形態に係る封止材は、樹脂層により電子部品を封止するために用いられる。本実施形態に係る硬化物は、本実施形態に係る封止材の樹脂層の硬化物であり、封止材の樹脂層を硬化してなる。
<Encapsulant and cured product>
The sealing material and hardened | cured material which concern on this embodiment are demonstrated. The sealing material according to the present embodiment includes a metal layer having a surface (smooth surface) having a surface roughness (Ra) of 10 μm or less, and a resin layer disposed on the surface of the metal layer opposite to the smooth surface. And comprising. The sealing material which concerns on this embodiment is used in order to seal an electronic component with a resin layer. The hardened | cured material which concerns on this embodiment is a hardened | cured material of the resin layer of the sealing material which concerns on this embodiment, and hardens | cures the resin layer of a sealing material.

本実施形態に係る封止材によれば、金属層が平滑性を有することから、電子部品を封止した後の表面研磨プロセスを不要とすることができる。また、金属層をレーザーマーキング層として適用可能であることから、顔料や染料のような、封止には本来必要ない余計な添加剤の樹脂層への添加を不要とすることができる。また、本実施形態に係る封止材によれば、被封止体(電子部品)上への樹脂の均一供給ができると共に発塵を低減することができる。   According to the sealing material according to the present embodiment, since the metal layer has smoothness, the surface polishing process after sealing the electronic component can be made unnecessary. In addition, since the metal layer can be applied as a laser marking layer, it is possible to eliminate the need for adding unnecessary additives such as pigments and dyes that are not essential for sealing to the resin layer. Moreover, according to the sealing material which concerns on this embodiment, while being able to supply the resin uniformly on a to-be-sealed body (electronic component), dust generation can be reduced.

金属層30としては、金属箔を用いることができる。金属箔の金属としては、銅、アルミニウム等を例示することができる。市販の金属箔としては、福田金属箔粉工業株式会社製、商品名:CFT9L−UR−18、CFT9L−UR−35;日本電解株式会社製、商品名:YGP−12、YGP−18、YGP−35R等が挙げられる。   As the metal layer 30, a metal foil can be used. Examples of the metal of the metal foil include copper and aluminum. As a commercially available metal foil, Fukuda Metal Foil Powder Industry Co., Ltd., trade names: CFT9L-UR-18, CFT9L-UR-35; Nihon Electrolysis Co., Ltd., trade names: YGP-12, YGP-18, YGP- 35R etc. are mentioned.

金属層30の厚さは、樹脂層形成後の取り扱い性に優れる観点から、2μm以上が好ましく、5μm以上がより好ましく、10μm以上が更に好ましい。金属層30の厚さは、ロール状での保管を容易に行える観点から、200μm以下が好ましく、100μm以下がより好ましく、50μm以下が更に好ましい。   The thickness of the metal layer 30 is preferably 2 μm or more, more preferably 5 μm or more, and even more preferably 10 μm or more from the viewpoint of excellent handling properties after the resin layer is formed. The thickness of the metal layer 30 is preferably 200 μm or less, more preferably 100 μm or less, and even more preferably 50 μm or less, from the viewpoint of easy storage in a roll shape.

金属層30の平滑面(S面:Shinney面)の表面粗さ(Ra)は、優れた表面平滑性を確保する観点から、10μm以下である。金属層30の表面粗さ(Ra)は、更に優れた表面平滑性を確保する観点から、5μm以下が好ましく、3μm以下がより好ましく、1μm以下が更に好ましく、1μm未満が特に好ましい。   The surface roughness (Ra) of the smooth surface (S surface: Shinney surface) of the metal layer 30 is 10 μm or less from the viewpoint of ensuring excellent surface smoothness. The surface roughness (Ra) of the metal layer 30 is preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less, still more preferably 1 μm or less, and particularly preferably less than 1 μm, from the viewpoint of ensuring further excellent surface smoothness.

封止材1が備える樹脂層20aの厚さは、金属層30における平滑面とは反対側の面(樹脂層と接する面)の凹凸を埋め込むことで優れた平滑性を得る観点から、10μm以上であってもよく、20μm以上であってもよい。樹脂層20aの厚さは、厚さ方向の乾燥性を均一にできる観点から、500μm以下であってもよく、250μm以下であってもよい。なお、封止構造体における硬化後の封止部20の厚さは、上記樹脂層20aの厚さと同じであってもよい。   The thickness of the resin layer 20a included in the sealing material 1 is 10 μm or more from the viewpoint of obtaining excellent smoothness by embedding unevenness on the surface opposite to the smooth surface (surface in contact with the resin layer) in the metal layer 30. It may be 20 μm or more. The thickness of the resin layer 20a may be 500 μm or less or may be 250 μm or less from the viewpoint that the drying property in the thickness direction can be made uniform. In addition, the thickness of the sealing part 20 after hardening in the sealing structure may be the same as the thickness of the resin layer 20a.

樹脂層20aの構成材料は、電子部品の封止に通常用いられる樹脂であれば特に限定されない。樹脂層20aは、硬化性樹脂組成物からなる層であることが好ましい。硬化性樹脂組成物は、熱硬化性及び光硬化性のいずれであってもよい。   The constituent material of the resin layer 20a is not particularly limited as long as it is a resin usually used for sealing electronic components. The resin layer 20a is preferably a layer made of a curable resin composition. The curable resin composition may be either thermosetting or photocurable.

熱硬化性樹脂組成物としては、例えば、(A)熱硬化性成分及び(B)無機充填材を含有する樹脂組成物が挙げられる。   As a thermosetting resin composition, the resin composition containing (A) thermosetting component and (B) inorganic filler is mentioned, for example.

熱硬化性成分としては、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シアネート樹脂、熱硬化性ポリイミド、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン等)、硬化剤などが挙げられる。(A)熱硬化性成分は、例えば、(a1)エポキシ樹脂及び(a2)硬化剤を含む。   Thermosetting components include thermosetting resins (epoxy resins, phenoxy resins, cyanate resins, thermosetting polyimides, melamine resins, urea resins, unsaturated polyesters, alkyd resins, phenol resins, polyurethanes, etc.), curing agents, etc. Can be mentioned. (A) The thermosetting component contains, for example, (a1) an epoxy resin and (a2) a curing agent.

(a1)エポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のグリシジル基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAP型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ビスフェノールB型エポキシ樹脂、ビスフェノールBP型エポキシ樹脂、ビスフェノールC型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールG型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールPH型エポキシ樹脂、ビスフェノールTMC型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂(ヘキサンジオールビスフェノールSジグリシジルエーテル等)、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂(ビキシレノールジグリシジルエーテル等)、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂(水添ビスフェノールAグリシジルエーテル等)、これら樹脂の二塩基酸変性ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂などが挙げられる。(a1)エポキシ樹脂は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   The (a1) epoxy resin can be used without particular limitation as long as it has two or more glycidyl groups in one molecule. As epoxy resins, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AP type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, bisphenol B type epoxy resin, bisphenol BP type epoxy resin, bisphenol C type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol F type Epoxy resin, bisphenol G type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, bisphenol PH type epoxy resin, bisphenol TMC type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin (Hexanediol bisphenol S diglycidyl ether, etc.), novolac phenol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, Phthalene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, bixylenol type epoxy resins (such as bixylenol diglycidyl ether), hydrogenated bisphenol A type epoxy resins (such as hydrogenated bisphenol A glycidyl ether), dibasic acid modification of these resins Examples thereof include diglycidyl ether type epoxy resins and aliphatic epoxy resins. (A1) An epoxy resin can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

市販のエポキシ樹脂としては、DIC株式会社製の「HP−4710」、「エピクロンHP−4032」、「EXA−4750」等のナフタレン型エポキシ樹脂;日本化薬株式会社製の「NC−7000」(ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂)等のナフタレン型エポキシ樹脂;日本化薬株式会社製の「EPPN−502H」(トリスフェノールエポキシ樹脂)等の、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物(トリスフェノール型エポキシ樹脂);DIC株式会社製の「エピクロンHP−7200H」(ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂)等のジシクロペンタジエンアラルキル型エポキシ樹脂;日本化薬株式会社製の「NC−3000H」(ビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂)等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂;DIC株式会社製の「エピクロンN660」及び「エピクロンN690」;日本化薬株式会社製の「EOCN−104S」等のノボラック型エポキシ樹脂;日産化学工業株式会社製の「TEPIC」等のトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート;DIC株式会社製の「エピクロン860」、「エピクロン900−IM」、「エピクロンEXA−4816」及び「エピクロンEXA−4822」;旭チバ株式会社製の「アラルダイトAER280」;東都化成株式会社製の「エポトートYD−134」;三菱化学株式会社製の「JER834」及び「JER872」;住友化学株式会社製の「ELA−134」;油化シェルエポキシ株式会社製の「エピコート807」、「エピコート815」、「エピコート825」、「エピコート827」、「エピコート828」、「エピコート834」、「エピコート1001」、「エピコート1004」、「エピコート1007」及び「エピコート1009」;ダウケミカル社製の「DER−330」、「DER−301」及び「DER−361」;東都化成株式会社製の「YD8125」、「YDF8170」等のビスフェノールA型エポキシ樹脂;三菱化学株式会社製の「JER806」等のビスフェノールF型エポキシ樹脂;DIC株式会社製の「エピクロンN−740」等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂;ナガセケムテックス株式会社製の「ナデコールDLC301」等の脂肪族エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Commercially available epoxy resins include naphthalene type epoxy resins such as “HP-4710”, “Epiclon HP-4032”, and “EXA-4750” manufactured by DIC Corporation; “NC-7000” (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) Naphthalene skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin) and other naphthalene type epoxy resins; Nippon Kayaku Co., Ltd. "EPPN-502H" (trisphenol epoxy resin) and other phenols and aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group Condensate epoxidized product (Trisphenol type epoxy resin); Dicyclopentadiene aralkyl type epoxy resin such as “Epicron HP-7200H” (dicyclopentadiene skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; Nippon Kayaku Co., Ltd. “NC-3000H” manufactured by company (containing biphenyl skeleton) Biphenyl aralkyl epoxy resins such as functional solid epoxy resins; “Epicron N660” and “Epicron N690” manufactured by DIC Corporation; Novolac epoxy resins such as “EOCN-104S” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .; Nissan Chemical Industries Tris (2,3-epoxypropyl) isocyanurate such as “TEPIC” manufactured by Corporation; “Epicron 860”, “Epicron 900-IM”, “Epicron EXA-4816” and “Epicron EXA-4822” manufactured by DIC Corporation "Araldite AER280" manufactured by Asahi Ciba Co., Ltd .; "Epototo YD-134" manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd .; "JER834" and "JER872" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "ELA-134" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. "Epicor made by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd." "807", "Epicoat 815", "Epicoat 825", "Epicoat 827", "Epicoat 828", "Epicoat 834", "Epicoat 1001", "Epicoat 1004", "Epicoat 1007" and "Epicoat 1009"; Dow Chemical “DER-330”, “DER-301”, and “DER-361” manufactured by Tosei Kasei Co., Ltd .; bisphenol A type epoxy resins such as “YD8125” and “YDF8170” manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd .; “JER806” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation Bisphenol F type epoxy resin such as “Epiclon N-740” manufactured by DIC Corporation; aliphatic epoxy resin such as “Nadecor DLC301” manufactured by Nagase ChemteX Corporation. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.

(a1)エポキシ樹脂の含有量は、電子部品の埋め込み性に優れる観点から、樹脂組成物の全質量(有機溶剤等の溶剤を除く)を基準として、10〜50質量%であることが好ましく、10〜40質量%であることがより好ましく、10〜35質量%であることが更に好ましい。   (A1) The content of the epoxy resin is preferably 10 to 50% by mass based on the total mass of the resin composition (excluding solvents such as organic solvents) from the viewpoint of excellent embedding of electronic components, More preferably, it is 10-40 mass%, and it is still more preferable that it is 10-35 mass%.

(a2)硬化剤は、グリシジル基と反応する官能基を1分子中に2個以上有するものであれば特に制限なく用いることができる。(a2)硬化剤としては、フェノール樹脂、酸無水物等が挙げられる。(a2)硬化剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   The (a2) curing agent can be used without particular limitation as long as it has two or more functional groups that react with a glycidyl group in one molecule. (A2) As a hardening | curing agent, a phenol resin, an acid anhydride, etc. are mentioned. (A2) A hardening | curing agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

フェノール樹脂は、1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば、特に制限はなく公知のフェノール樹脂を用いることができる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール類及び/又はナフトール類とアルデヒド類とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる樹脂、ビフェニル骨格型フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、メタキシリレン・パラキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂、キシリレン変性ナフトール樹脂等が挙げられる。フェノール類としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF等が挙げられる。ナフトール類としては、α−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等が挙げられる。アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等が挙げられる。   The phenol resin is not particularly limited as long as it has two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, and a known phenol resin can be used. Examples of phenol resins include resins obtained by condensation or co-condensation of phenols and / or naphthols and aldehydes under an acidic catalyst, biphenyl skeleton type phenol resins, paraxylylene-modified phenol resins, metaxylylene / paraxylylene-modified phenol resins. Melamine-modified phenol resin, terpene-modified phenol resin, dicyclopentadiene-modified phenol resin, cyclopentadiene-modified phenol resin, polycyclic aromatic ring-modified phenol resin, xylylene-modified naphthol resin, and the like. Examples of phenols include phenol, cresol, xylenol, resorcinol, catechol, bisphenol A, bisphenol F, and the like. Examples of naphthols include α-naphthol, β-naphthol, dihydroxynaphthalene and the like. Examples of aldehydes include formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, benzaldehyde, salicylaldehyde and the like.

市販のフェノール樹脂としては、大日本インキ化学工業株式会社製の「フェノライトLF2882」、「フェノライトLF2822」、「フェノライトTD−2090」、「フェノライトTD−2149」、「フェノライトVH−4150」及び「フェノライトVH4170」;三井化学株式会社製の「XLC−LL」及び「XLC−4L」;新日鉄住金化学株式会社製の「SN−100」、「SN−300」、「SN−395」及び「SN−400」;エア・ウォーター株式会社製の「SKレジンHE910」;旭有機材工業株式会社製の「PAPS−PN2」;明和化成株式会社製の「DL−92」等が挙げられる。   Commercially available phenol resins include “Phenolite LF2882”, “Phenolite LF2822”, “Phenolite TD-2090”, “Phenolite TD-2149”, “Phenolite VH-4150” manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. And “Phenolite VH4170”; “XLC-LL” and “XLC-4L” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc .; “SN-100”, “SN-300”, and “SN-395” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. And “SN-400”; “SK Resin HE910” manufactured by Air Water Co., Ltd .; “PAPS-PN2” manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd .; “DL-92” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., and the like.

(a2)硬化剤の含有量は、熱硬化性樹脂の硬化性に優れる観点から、樹脂組成物の全質量(有機溶剤等の溶剤を除く)を基準として、5〜50質量%であることが好ましく、10〜50質量%であることがより好ましく、10〜40質量%であることが更に好ましく、10〜35質量%であることが特に好ましい。   (A2) The content of the curing agent is 5 to 50% by mass based on the total mass of the resin composition (excluding solvents such as organic solvents) from the viewpoint of excellent curability of the thermosetting resin. Preferably, it is 10-50 mass%, More preferably, it is 10-40 mass%, It is still more preferable that it is 10-35 mass%.

(a1)エポキシ樹脂のグリシジル基の当量(エポキシ当量)と、(a2)硬化剤のグリシジル基と反応する官能基(例えばフェノール性水酸基)の当量(例えば水酸基当量)との比率((a1)エポキシ樹脂のグリシジル基の当量/(a2)硬化剤のグリシジル基と反応する官能基の当量)は、0.7〜2.0であることが好ましく、0.8〜1.8であることがより好ましく、0.9〜1.7であることが更に好ましい。これらの場合、未反応の(a1)エポキシ樹脂及び/又は未反応の(a2)硬化剤が残存しにくく、所望の硬化膜物性が得られやすい。   (A1) Ratio of epoxy resin glycidyl group equivalent (epoxy equivalent) and (a2) functional group (for example, phenolic hydroxyl group) reacting with glycidyl group of curing agent (for example, hydroxyl group equivalent) ((a1) epoxy The equivalent of the glycidyl group of the resin / (a2) the equivalent of the functional group that reacts with the glycidyl group of the curing agent) is preferably 0.7 to 2.0, more preferably 0.8 to 1.8. Preferably, it is 0.9-1.7. In these cases, unreacted (a1) epoxy resin and / or unreacted (a2) curing agent hardly remains, and desired cured film properties are easily obtained.

(A)熱硬化性成分は、(a3)硬化促進剤を含んでいてもよい。(a3)硬化促進剤としては、特に制限はない。(a3)硬化促進剤としては、アミン系の硬化促進剤及びリン系の硬化促進剤からなる群より選ばれる少なくとも一種が好ましい。特に、(a3)硬化促進剤としては、誘導体が豊富である観点、及び、所望の活性温度が得られやすい観点から、アミン系の硬化促進剤が好ましく、イミダゾール化合物、脂肪族アミン及び脂環族アミンからなる群より選ばれる少なくとも一種がより好ましく、イミダゾール化合物が更に好ましい。(a3)硬化促進剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   (A) The thermosetting component may contain (a3) a curing accelerator. (A3) There is no restriction | limiting in particular as a hardening accelerator. (A3) The curing accelerator is preferably at least one selected from the group consisting of amine-based curing accelerators and phosphorus-based curing accelerators. In particular, as the (a3) curing accelerator, an amine-based curing accelerator is preferable from the viewpoint of abundant derivatives and a viewpoint that a desired active temperature can be easily obtained, and an imidazole compound, an aliphatic amine, and an alicyclic group. At least one selected from the group consisting of amines is more preferable, and imidazole compounds are more preferable. (A3) A hardening accelerator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

(a3)硬化促進剤の含有量は、(a1)エポキシ樹脂及び(a2)硬化剤の合計量を基準として、0.01〜5質量%が好ましく、0.1〜3質量%がより好ましく、0.3〜1.5質量%が更に好ましい。(a3)硬化促進剤の含有量が0.01質量%以上である場合、充分な硬化促進効果が得られやすい。(a3)硬化促進剤の含有量が5質量%以下である場合、封止材を製造する際の工程(例えば塗工及び乾燥)中、又は、封止材の保管中に硬化が進行しにくく、樹脂層の割れ、及び、溶融粘度の上昇に伴う成形不良を防止しやすい。   The content of (a3) curing accelerator is preferably 0.01 to 5% by mass, more preferably 0.1 to 3% by mass, based on the total amount of (a1) epoxy resin and (a2) curing agent. 0.3-1.5 mass% is still more preferable. (A3) When the content of the curing accelerator is 0.01% by mass or more, a sufficient curing acceleration effect is easily obtained. (A3) When the content of the curing accelerator is 5% by mass or less, curing is unlikely to proceed during the process of manufacturing the sealing material (for example, coating and drying) or during storage of the sealing material. It is easy to prevent cracking of the resin layer and molding defects accompanying an increase in melt viscosity.

本実施形態の硬化性樹脂組成物は、25℃で液状の樹脂を含有することが好ましい。前記液状の樹脂の含有量は、塗工時に溶剤を乾燥しやすくなる観点、及び、液状樹脂が溶剤の代わりとなるため、フィルムに柔軟性を付与しやすい観点から、樹脂組成物の全質量(有機溶剤等の溶剤を除く)を基準として、5〜50質量%が好ましく、10〜50質量%がより好ましく、10〜40質量%が更に好ましく、10〜35質量%が特に好ましい。   The curable resin composition of the present embodiment preferably contains a resin that is liquid at 25 ° C. The content of the liquid resin is that the total mass of the resin composition (from the viewpoint of easily drying the solvent during coating and from the viewpoint of easily imparting flexibility to the film, since the liquid resin substitutes for the solvent) 5 to 50% by mass is preferable, 10 to 50% by mass is more preferable, 10 to 40% by mass is further preferable, and 10 to 35% by mass is particularly preferable.

(B)無機充填材としては、従来公知の無機充填材が使用でき、特定のものに限定されない。(B)無機充填材の構成材料としては、例えば、硫酸バリウム;チタン酸バリウム;無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ等のシリカ類;タルク;クレー;炭酸マグネシウム;炭酸カルシウム;酸化アルミニウム;水酸化アルミニウム;窒化ケイ素;窒化アルミニウムなどが挙げられる。(B)無機充填材の構成材料は、表面改質等により、樹脂中の分散性の向上効果、及び、ワニス中での沈降抑制効果が得られやすい観点、並びに、比較的小さい熱膨張率を有することから所望の硬化膜特性が得られやすい観点から、シリカ類が好ましい。(B)無機充填材は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   (B) As an inorganic filler, a conventionally well-known inorganic filler can be used and it is not limited to a specific thing. (B) As a constituent material of the inorganic filler, for example, barium sulfate; barium titanate; silicas such as amorphous silica, crystalline silica, fused silica, and spherical silica; talc; clay; magnesium carbonate; calcium carbonate; Examples thereof include aluminum; aluminum hydroxide; silicon nitride; aluminum nitride. (B) The constituent material of the inorganic filler has a relatively small thermal expansion coefficient, as well as a viewpoint of easily obtaining a dispersibility improving effect in the resin and a sedimentation suppressing effect in the varnish by surface modification or the like. From the viewpoint of easily obtaining desired cured film properties, silicas are preferable. (B) An inorganic filler can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

(B)無機充填材は、表面改質されていてもよい。表面改質の手法としては、特に限定されない。処理が簡便であり、官能基の種類が豊富であり、所望の特性を付与しやすい観点から、シランカップリング剤を用いた表面改質が好ましい。   (B) The inorganic filler may be surface-modified. The method for surface modification is not particularly limited. Surface modification using a silane coupling agent is preferable from the viewpoint of simple treatment, rich types of functional groups, and easy provision of desired characteristics.

シランカップリング剤としては、アルキルシラン、アルコキシシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、アクリルシラン、メタクリルシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン、サルファーシラン、スチリルシラン、アルキルクロロシラン等が挙げられる。市販の無機充填材のうち、シランカップリング剤を用いて表面改質された無機充填材としては、株式会社アドマテックス製の「SC5500−SXE」及び「SC2500−SXJ」等が挙げられる。シランカップリング剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the silane coupling agent include alkyl silane, alkoxy silane, vinyl silane, epoxy silane, amino silane, acrylic silane, methacryl silane, mercapto silane, sulfide silane, isocyanate silane, sulfur silane, styryl silane, alkyl chloro silane, and the like. Among the commercially available inorganic fillers, examples of the inorganic filler surface-modified with a silane coupling agent include “SC5500-SXE” and “SC2500-SXJ” manufactured by Admatechs Co., Ltd. A silane coupling agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

シランカップリング剤の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、n−オクチルトリエトキシシラン、n−ドデシルメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、トリフェニルシラノール、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、n−オクチルジメチルクロロシラン、テトラエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、ビス(3−(トリエトキシシリル)プロピル)ジスルフィド、ビス(3−(トリエトキシシリル)プロピル)テトラスルフィド、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ジアリルジメチルシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、N−(1,3−ジメチルブチリデン)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノシラン(フェニルアミノシラン等)などが挙げられる。これらのシランカップリング剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Specific examples of the silane coupling agent include methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, trimethylmethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltriphenoxysilane, ethyltrimethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, and isobutyl. Trimethoxysilane, diisobutyldimethoxysilane, isobutyltriethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-hexyltriethoxysilane, cyclohexylmethyldimethoxysilane, n-octyltriethoxysilane, n-dodecylmethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, Diphenyldimethoxysilane, triphenylsilanol, methyltrichlorosilane, dimethyldichlorosilane, trimethylchlorosilane, n Octyldimethylchlorosilane, tetraethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropylmethyldimethoxy Silane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxy Silane, bis (3- (triethoxysilyl) propyl) disulfide, bis (3- (triethoxysilyl) propyl) tetrasulfide, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxy Silane, vinyltriisopropoxysilane, allyltrimethoxysilane, diallyldimethylsilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxy Examples include silane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, N- (1,3-dimethylbutylidene) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminosilane (phenylaminosilane and the like), and the like. These silane coupling agents can be used alone or in combination of two or more.

(B)無機充填材の平均粒径は、特に制限されないが、0.01〜50μmが好ましく、0.1〜25μmがより好ましく、0.3〜10μmが更に好ましい。(B)無機充填材の平均粒径が0.01μm以上である場合、無機充填材の凝集が容易に抑制されて、無機充填材を容易に充分に分散できる。(B)無機充填材の平均粒径が50μm以下である場合、無機充填材の沈降(例えばワニス中での沈降)を容易に抑制でき、均質な樹脂層を形成しやすい。   (B) The average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 50 μm, more preferably 0.1 to 25 μm, and still more preferably 0.3 to 10 μm. (B) When the average particle diameter of an inorganic filler is 0.01 micrometer or more, aggregation of an inorganic filler is suppressed easily and an inorganic filler can be fully fully disperse | distributed easily. (B) When the average particle diameter of an inorganic filler is 50 micrometers or less, sedimentation (for example, sedimentation in a varnish) of an inorganic filler can be suppressed easily and it is easy to form a homogeneous resin layer.

(B)無機充填材の含有量は、樹脂組成物の全質量(有機溶剤等の溶剤を除く)を基準として、88質量%以下が好ましく、85質量%以下がより好ましく、80質量%以下が更に好ましい。これらの場合、封止構造体の低反りを実現しつつ、良好な流動性を確保でき、且つ、封止材における金属層と樹脂層との良好な接着強度を得ることができる。また、封止材の製造の際の乾燥工程において樹脂層の割れを容易に抑制可能である効果、樹脂層と金属層との密着性が向上する効果、及び、被封止体を封止しやすくなる効果を好適に得ることができる。(B)無機充填材の含有量は、被封止体と封止部との熱膨張率の差によって封止構造体の反りが大きくなることを容易に防止できる観点から、55質量%以上が好ましく、62質量%以上がより好ましく、68質量%以上が更に好ましい。これらの観点から、(B)無機充填材の含有量は、55〜88質量%が好ましく、62〜85質量%がより好ましく、68〜80質量%が更に好ましい。   (B) The content of the inorganic filler is preferably 88% by mass or less, more preferably 85% by mass or less, and more preferably 80% by mass or less based on the total mass of the resin composition (excluding solvents such as organic solvents). Further preferred. In these cases, good fluidity can be secured while realizing low warpage of the sealing structure, and good adhesive strength between the metal layer and the resin layer in the sealing material can be obtained. In addition, the effect of easily suppressing the cracking of the resin layer in the drying process during the production of the sealing material, the effect of improving the adhesion between the resin layer and the metal layer, and sealing the object to be sealed The effect which becomes easy can be acquired suitably. (B) The content of the inorganic filler is 55% by mass or more from the viewpoint of easily preventing the warpage of the sealing structure due to the difference in thermal expansion coefficient between the sealed body and the sealing portion. Preferably, 62 mass% or more is more preferable, and 68 mass% or more is still more preferable. From these viewpoints, the content of the (B) inorganic filler is preferably 55 to 88% by mass, more preferably 62 to 85% by mass, and still more preferably 68 to 80% by mass.

本実施形態の樹脂組成物は、必要に応じて(C)エラストマー(可とう剤)を含有してもよい。(C)エラストマーを用いることにより、封止後の反り(例えば封止構造体の反り量)、及び、封止構造体における樹脂の割れを効果的に低減することができる。   The resin composition of this embodiment may contain (C) elastomer (flexible agent) as needed. (C) By using an elastomer, warping after sealing (for example, the warping amount of the sealing structure) and cracking of the resin in the sealing structure can be effectively reduced.

(C)エラストマーとしては、例えば、シリコーン系、スチレン系、オレフィン系、ウレタン系、ポリエステル系、ポリエーテル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系等の熱可塑性エラストマー;NR(天然ゴム)、NBR(アクリロニトリル−ブタジエンゴム)、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンパウダー等のゴム粒子;メタクリル酸メチル−スチレン−ブタジエン共重合体(MBS)、メタクリル酸メチル−シリコーン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリル酸ブチル共重合体等のコア−シェル構造を有するゴム粒子が挙げられる。(C)エラストマーは、分散性及び溶解性に優れる観点から、スチレンブタジエン粒子、シリコーンパウダー、シリコーンオイル及びシリコーンオリゴマからなる群より選ばれる少なくとも一種が好ましい。(C)エラストマーは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the elastomer (C) include thermoplastic elastomers such as silicone, styrene, olefin, urethane, polyester, polyether, polyamide, and polybutadiene; NR (natural rubber), NBR (acrylonitrile-butadiene) Rubber), rubber particles such as acrylic rubber, urethane rubber and silicone powder; methyl methacrylate-styrene-butadiene copolymer (MBS), methyl methacrylate-silicone copolymer, methyl methacrylate-butyl acrylate copolymer, etc. And rubber particles having a core-shell structure. (C) The elastomer is preferably at least one selected from the group consisting of styrene butadiene particles, silicone powder, silicone oil and silicone oligomer from the viewpoint of excellent dispersibility and solubility. (C) An elastomer can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

(C)エラストマーの平均粒径に特に制限はない。(C)エラストマーの平均粒径は、電子部品間の埋め込み性(例えば、eWLB用途の埋め込み性)に優れる観点から、50μm以下であることが好ましい。(C)エラストマーの平均粒径は、分散性に優れる観点から、0.1μm以上であることが好ましい。   (C) There is no restriction | limiting in particular in the average particle diameter of an elastomer. (C) The average particle diameter of the elastomer is preferably 50 μm or less from the viewpoint of excellent embedding between electronic components (for example, embedding for eWLB use). (C) The average particle diameter of the elastomer is preferably 0.1 μm or more from the viewpoint of excellent dispersibility.

(C)エラストマーとしては市販品を用いてもよい。(C)エラストマーの市販品としては、例えば、株式会社カネカ製のKANE ACE(「KANE ACE」は登録商標)の「Bシリーズ」、「Mシリーズ」及び「FMシリーズ」(いずれも商品名);信越化学工業株式会社製の「KMPシリーズ」等が挙げられる。市販の(C)エラストマーの中には、エラストマー単体ではなく、予め液状樹脂(例えば、液状エポキシ樹脂)中に分散しているものもあるが、問題なく用いることができる。このような市販品としては、株式会社カネカ製の「MX−136」及び「MX−965」等が挙げられる。   (C) You may use a commercial item as an elastomer. (C) As a commercial product of elastomer, for example, “B series”, “M series” and “FM series” (all trade names) of KANE ACE (“KANE ACE” is a registered trademark) manufactured by Kaneka Corporation; Examples include “KMP series” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Some commercially available (C) elastomers are dispersed in advance in a liquid resin (for example, a liquid epoxy resin) instead of the elastomer alone, but can be used without any problem. Examples of such commercially available products include “MX-136” and “MX-965” manufactured by Kaneka Corporation.

本実施形態の樹脂組成物は、(D)有機溶剤を含有してもよい。(D)有機溶剤は、封止材の製造(塗工等)の際の乾燥工程で除去されずに残存したワニス由来の有機溶剤であってもよい。   The resin composition of this embodiment may contain (D) an organic solvent. (D) The organic solvent may be an organic solvent derived from the varnish that remains without being removed in the drying step during the production (such as coating) of the sealing material.

(D)有機溶剤としては、従来公知の有機溶剤を使用できる。(D)有機溶剤としては、(B)無機充填材以外の成分を溶解できる溶剤を用いることができる。(D)有機溶剤としては、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、テルペン類、ハロゲン類、エステル類、ケトン類、アルコール類、アルデヒド類等が挙げられる。   (D) As an organic solvent, a conventionally well-known organic solvent can be used. (D) As an organic solvent, the solvent which can melt | dissolve components other than (B) inorganic filler can be used. Examples of the organic solvent (D) include aliphatic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, terpenes, halogens, esters, ketones, alcohols, aldehydes and the like.

具体的な(D)有機溶剤としては、環境負荷が小さい観点、及び、(a1)エポキシ樹脂及び(a2)硬化剤を溶解しやすい観点から、エステル類、ケトン類及びアルコール類からなる群より選ばれる少なくとも一種が好ましい。その中でも、(a1)エポキシ樹脂及び(a2)硬化剤を特に溶解しやすい観点から、ケトン類が好ましい。ケトン類の中では、室温での揮発が少なく、乾燥時に除去しやすい観点から、アセトン、メチルエチルケトン及びメチルイソブチルケトンからなる群より選ばれる少なくとも一種が好ましい。   The specific (D) organic solvent is selected from the group consisting of esters, ketones and alcohols from the viewpoint of low environmental burden and from the viewpoint of easily dissolving the (a1) epoxy resin and (a2) curing agent. At least one of these is preferred. Among these, ketones are preferable from the viewpoint of easily dissolving the (a1) epoxy resin and the (a2) curing agent. Among the ketones, at least one selected from the group consisting of acetone, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone is preferable from the viewpoint of low volatility at room temperature and easy removal during drying.

(D)有機溶剤の含有量は、樹脂組成物(有機溶剤等の溶剤を含む)の全質量に対して、0.2〜1.5質量%が好ましく、0.3〜1質量%がより好ましい。(D)有機溶剤の含有量が0.2質量%以上である場合、エポキシ樹脂組成物が脆くなり樹脂の割れ等の不具合が生じること、及び、最低溶融粘度が高くなり被封止体の埋め込み性が低下することを防止できる。(D)有機溶剤の含有量が1.5質量%以下である場合、樹脂組成物の粘着性が強くなりすぎて取扱い性が低下する不具合、及び、樹脂層の熱硬化時における有機溶剤の揮発に伴う発泡等の不具合を容易に防止できる。   (D) The content of the organic solvent is preferably 0.2 to 1.5% by mass and more preferably 0.3 to 1% by mass with respect to the total mass of the resin composition (including solvents such as organic solvents). preferable. (D) When the content of the organic solvent is 0.2% by mass or more, the epoxy resin composition becomes brittle and defects such as cracking of the resin occur, and the minimum melt viscosity becomes high and the sealed object is embedded. It can prevent that property falls. (D) When the content of the organic solvent is 1.5% by mass or less, the adhesiveness of the resin composition becomes too strong and the handling property is lowered, and the volatilization of the organic solvent at the time of thermosetting the resin layer It is possible to easily prevent problems such as foaming.

本実施形態の樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、他の添加剤を更に含有してもよい。このような添加剤の具体例としては、顔料、染料、離型剤、酸化防止剤、表面張力調整剤等を挙げることができる。   The resin composition of the present embodiment may further contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired. Specific examples of such additives include pigments, dyes, mold release agents, antioxidants, surface tension adjusting agents and the like.

封止材1は、例えば、平板状の形態で貯蔵することができる。封止材1を円筒状等の巻芯に巻きとり、ロール状の形態として貯蔵することもできる。   The sealing material 1 can be stored in a flat plate form, for example. The sealing material 1 can be wound around a cylindrical core or the like and stored in a roll form.

封止材1は、樹脂層20aと金属層30との間に中間層を更に備えていてもよい。封止材1は、樹脂層20aの金属層30とは反対側に、樹脂層20aの保護を目的とした保護層を更に備えていてもよい。これにより、取扱い性が向上する。また、樹脂層20aへの異物の混入を防ぐことができると共に、巻き取りした場合に、金属層30の裏面に樹脂層20aが張り付く不具合を回避することができる。   The sealing material 1 may further include an intermediate layer between the resin layer 20 a and the metal layer 30. The sealing material 1 may further include a protective layer for the purpose of protecting the resin layer 20a on the opposite side of the resin layer 20a from the metal layer 30. Thereby, the handleability is improved. In addition, foreign matters can be prevented from being mixed into the resin layer 20a, and a problem that the resin layer 20a sticks to the back surface of the metal layer 30 when it is wound can be avoided.

保護層としては、高分子フィルム、金属箔等を用いることができる。高分子フィルムとしては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム等のポリオレフィンフィルム;ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステルフィルム;ポリカーボネートフィルム;アセチルセルロースフィルム;テトラフルオロエチレンフィルムなどが挙げられる。金属箔としては、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられる。   As the protective layer, a polymer film, a metal foil, or the like can be used. Examples of the polymer film include a polyolefin film such as a polyethylene film, a polypropylene film, and a polyvinyl chloride film; a polyester film such as a polyethylene terephthalate film; a polycarbonate film; an acetylcellulose film; and a tetrafluoroethylene film. Examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil.

<封止材の製造方法>
封止材1の製造方法は、例えば、樹脂組成物を金属層30上に塗布して塗膜を形成する工程と、塗膜を加熱乾燥して樹脂層20aを形成する工程を備えていてもよい。塗布方法としては、特に限定されず、ダイコート、コンマコート等が挙げられる。加熱乾燥方法としては、熱風吹き付け等が挙げられる。
<Method for producing sealing material>
Even if the manufacturing method of the sealing material 1 is equipped with the process of apply | coating a resin composition on the metal layer 30, and forming the coating film, and the process of heat-drying a coating film and forming the resin layer 20a, for example. Good. The application method is not particularly limited, and examples thereof include die coating and comma coating. Examples of the heat drying method include hot air blowing.

有機溶剤等の溶剤を含有する樹脂組成物をワニスとして用いて塗膜を形成してもよい。ワニスは、例えば、(A)熱硬化性成分、(B)無機充填材、(D)有機溶剤、及び、必要に応じて用いられる任意成分を混合することで調製できる。各成分の混合方法としては、特に限定されず、ミル、ミキサ、撹拌羽根等が使用できる。(D)有機溶剤は、樹脂組成物に含まれる(A)熱硬化性成分等を溶解してワニスを調製するため、又は、ワニスを調製することを補助するために用いることが可能であり、乾燥工程で大部分を除去することができる。   The coating film may be formed using a resin composition containing a solvent such as an organic solvent as a varnish. The varnish can be prepared, for example, by mixing (A) a thermosetting component, (B) an inorganic filler, (D) an organic solvent, and optional components used as necessary. The mixing method of each component is not particularly limited, and a mill, a mixer, a stirring blade or the like can be used. (D) The organic solvent can be used to prepare the varnish by dissolving the thermosetting component (A) contained in the resin composition, or to assist in preparing the varnish, Most can be removed in the drying process.

(B)無機充填材は、必要に応じて、予め分散処理が行われてもよい。例えば、(B)無機充填材を溶剤(例えば(D)有機溶剤)中に分散して得られるスラリーを用いてもよい。分散処理の手法としては、高速せん断力により分散を進行させるナノマイザーを用いる方法、ビーズと呼ばれる球体の媒体を用いて(B)無機充填材を粉砕する方法(ビーズミルを用いる方法)等が挙げられる。市販のシリカスラリーとしては、株式会社アドマテックス製の「SC2050−MTK」等が挙げられる。   (B) The inorganic filler may be preliminarily dispersed as necessary. For example, you may use the slurry obtained by disperse | distributing (B) inorganic filler in a solvent (for example, (D) organic solvent). Examples of the dispersion treatment method include a method using a nanomizer that advances dispersion by high-speed shearing force, a method (B) of pulverizing an inorganic filler using a spherical medium called beads (a method using a bead mill), and the like. Examples of commercially available silica slurries include “SC2050-MTK” manufactured by Admatechs Co., Ltd.

以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in more detail, this invention is not limited to these Examples at all.

<ワニスの含有成分>
樹脂組成物(ワニス)の成分として下記成分を用いた。
<Contained components of varnish>
The following component was used as a component of the resin composition (varnish).

(エポキシ樹脂)
a11:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱化学株式会社製、商品名:JER806、エポキシ当量:160)(25℃で液状である成分)
a12:ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂(DIC株式会社製、商品名:EXA−4750、エポキシ当量:182)(25℃で液状ではない成分)
a13:ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂(DIC株式会社製、商品名:HP−4710、エポキシ当量:170)(25℃で液状ではない成分)
(Epoxy resin)
a11: Bisphenol F type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name: JER806, epoxy equivalent: 160) (component that is liquid at 25 ° C.)
a12: Polyfunctional solid epoxy resin containing naphthalene skeleton (manufactured by DIC Corporation, trade name: EXA-4750, epoxy equivalent: 182) (component not liquid at 25 ° C.)
a13: Naphthalene skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin (manufactured by DIC Corporation, trade name: HP-4710, epoxy equivalent: 170) (component not liquid at 25 ° C.)

(エラストマー含有エポキシ樹脂)
a14:ブタジエンエラストマー粒子含有ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂(株式会社カネカ製、商品名:MX−136、液状エポキシ樹脂の含有量:75質量%、エラストマー粒子の含有量:25質量%、エラストマー粒子の平均粒径:0.1μm)(25℃で液状の樹脂を含む成分)
a15:シリコーンエラストマー粒子含有液状エポキシ樹脂(ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂及びビスフェノールA型液状エポキシ樹脂の混合物。株式会社カネカ製、商品名:MX−965、液状エポキシ樹脂の含有量:75質量%、エラストマー粒子の含有量:25質量%)(25℃で液状の樹脂を含む成分)
(Elastomer-containing epoxy resin)
a14: butadiene elastomer particle-containing bisphenol F type liquid epoxy resin (manufactured by Kaneka Corporation, trade name: MX-136, liquid epoxy resin content: 75 mass%, elastomer particle content: 25 mass%, average of elastomer particles Particle size: 0.1 μm) (component containing resin that is liquid at 25 ° C.)
a15: Liquid epoxy resin containing silicone elastomer particles (mixture of bisphenol F type liquid epoxy resin and bisphenol A type liquid epoxy resin. Made by Kaneka Corporation, trade name: MX-965, content of liquid epoxy resin: 75% by mass, elastomer Particle content: 25% by mass) (component containing resin in liquid form at 25 ° C.)

(硬化剤)
a21:フェノールノボラック(旭有機材工業株式会社製、商品名:PAPS−PN2、フェノール性水酸基当量:104)(25℃で液状ではない成分)
a22:ナフタレンジオールノボラック(新日鉄住金化学株式会社製、商品名:SN−395)(25℃で液状ではない成分)
a23:フェノールノボラック(明和化成株式会社製、商品名:DL−92、フェノール性水酸基当量:103)(25℃で液状ではない成分)
(Curing agent)
a21: Phenol novolak (Asahi Organic Materials Co., Ltd., trade name: PAPS-PN2, phenolic hydroxyl group equivalent: 104) (component not liquid at 25 ° C.)
a22: Naphthalene all-novolak (manufactured by NS
a23: Phenol novolak (Maywa Kasei Co., Ltd., trade name: DL-92, phenolic hydroxyl group equivalent: 103) (component not liquid at 25 ° C.)

(硬化促進剤)
a3:イミダゾール(四国化成工業株式会社製、商品名:2P4MZ)(25℃で液状ではない成分)
(Curing accelerator)
a3: Imidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name: 2P4MZ) (component that is not liquid at 25 ° C.)

(無機充填材)
B1:シリカ粒子(株式会社アドマテックス製、商品名:SC2500−SXJ、フェニルアミノシラン処理、平均粒径:0.5μm)
B2:酸化アルミニウム粒子(住友化学株式会社製、商品名:AA−1.5、平均粒径:1.5μm)
(Inorganic filler)
B1: Silica particles (manufactured by Admatechs Co., Ltd., trade name: SC2500-SXJ, phenylaminosilane treatment, average particle size: 0.5 μm)
B2: Aluminum oxide particles (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: AA-1.5, average particle size: 1.5 μm)

(有機溶剤)
D:メチルエチルケトン
(Organic solvent)
D: Methyl ethyl ketone

<ワニスの調製>
表1に示す組成を有するワニス(ワニス状樹脂組成物)を下記のとおり調製した。
<Preparation of varnish>
A varnish (varnish-like resin composition) having the composition shown in Table 1 was prepared as follows.

10Lのポリエチレン製の容器に成分Dを100g入れた。次に、容器に成分B1を750.8g加えた後、撹拌羽根で成分B1を分散して分散液を得た。この分散液に、成分a11を90.1g、成分a13を31g、成分a14を24g、成分a15を9g、成分a21を93.1g加えた後に撹拌した。成分a21が溶解したことを確認した後、成分a3を1.9g加え、更に1時間撹拌した。得られた混合物をナイロン製#200メッシュ(開口径:75μm)でろ過した。ろ液を採取してワニスAを得た。   100 g of component D was placed in a 10 L polyethylene container. Next, after adding 750.8g of component B1 to the container, the component B1 was disperse | distributed with the stirring blade, and the dispersion liquid was obtained. To this dispersion, 90.1 g of component a11, 31 g of component a13, 24 g of component a14, 9 g of component a15 and 93.1 g of component a21 were added and stirred. After confirming that component a21 was dissolved, 1.9 g of component a3 was added, and the mixture was further stirred for 1 hour. The obtained mixture was filtered through nylon # 200 mesh (opening diameter: 75 μm). The filtrate was collected to obtain varnish A.

無機充填材として689.6gの成分B2を用い、エポキシ樹脂として130.5gの成分a11、37.1gの成分a12及び17.1gの成分a13を用い、硬化剤として123.5gの成分a22を用い、硬化促進剤として2.3gの成分a3を用い、エラストマー含有エポキシ樹脂を用いなかったこと以外はワニスAと同様にして、表1に示す組成を有するワニスBを調製した。   689.6 g of component B2 is used as the inorganic filler, 130.5 g of component a11, 37.1 g of component a12 and 17.1 g of component a13 are used as the epoxy resin, and 123.5 g of component a22 is used as the curing agent. Varnish B having the composition shown in Table 1 was prepared in the same manner as Varnish A except that 2.3 g of component a3 was used as a curing accelerator and no elastomer-containing epoxy resin was used.

無機充填材として802.2gの成分B2を用い、エポキシ樹脂として96.1gの成分a11及び24gの成分a13を用い、硬化剤として76.1gの成分a23を用い、硬化促進剤として1.5gの成分a3を用い、エラストマー含有エポキシ樹脂を用いなかったこと以外はワニスAと同様にして、表1に示す組成を有するワニスCを調製した。   802.2 g of component B2 is used as the inorganic filler, 96.1 g of component a11 and 24 g of component a13 are used as the epoxy resin, 76.1 g of component a23 is used as the curing agent, and 1.5 g of curing accelerator is used. Varnish C having the composition shown in Table 1 was prepared in the same manner as varnish A except that component a3 was used and the elastomer-containing epoxy resin was not used.

<実施例1〜3>
(封止材Aの作製)
塗工機を使用して銅箔(日本電解株式会社製、商品名:YGP−35R、銅箔厚さ:35μm)上に前記ワニスA〜Cを塗布して塗膜を得た後に塗膜を乾燥させて、銅箔上に樹脂層を形成した。塗布及び乾燥は、下記条件で行った。乾燥後の樹脂層の厚さは200μmであった。樹脂層の銅箔とは反対側に50μm厚の保護層(ポリエチレンテレフタレートフィルム)を配置することにより封止材Aを得た。なお、下記の各測定においては、保護層を剥離した上で測定を行った。
塗工機:株式会社ヒラノテクシード製のダイコータ
塗布ヘッド方式:ダイ
塗布及び乾燥速度:1m/分
乾燥条件(温度/炉長):60℃/3.3m、90℃/3.3m、110℃/3.3m
<Examples 1-3>
(Preparation of sealing material A)
The coating film was obtained after applying the varnish A to C on a copper foil (trade name: YGP-35R, copper foil thickness: 35 μm) using a coating machine to obtain a coating film. It was made to dry and the resin layer was formed on copper foil. Application and drying were performed under the following conditions. The thickness of the resin layer after drying was 200 μm. Sealing material A was obtained by disposing a 50 μm thick protective layer (polyethylene terephthalate film) on the opposite side of the resin layer from the copper foil. In each of the following measurements, the measurement was performed after the protective layer was peeled off.
Coating machine: Die coater manufactured by Hirano Techseed Co., Ltd. Coating head method: Die coating and drying speed: 1 m / min Drying conditions (temperature / furnace length): 60 ° C./3.3 m, 90 ° C./3.3 m, 110 ° C./3 .3m

(封止材Bの作製)
塗布及び乾燥速度を5m/分に変更したこと以外は、封止材Aの作製と同様にして封止材Bを作製した。乾燥後の樹脂層の厚さは20μmであった。
(Preparation of encapsulant B)
A sealing material B was prepared in the same manner as the sealing material A except that the coating and drying speed was changed to 5 m / min. The thickness of the resin layer after drying was 20 μm.

(評価)
(1)表面粗さ(Ra)
封止材Aの樹脂層が50mm角サイズのMCL(厚さ:500μm)に接するように下記ラミネート条件で封止材AをMCLにラミネートした。次に、下記硬化条件で樹脂層を熱硬化して樹脂硬化体を得た。続いて、表面粗さ測定装置(ブルカー・エイエックス株式会社製、商品名:wyko NT9100)を用いて、樹脂硬化体の表面(銅箔)の表面粗さ(Ra)を測定した。測定結果を表1に示す。
(Evaluation)
(1) Surface roughness (Ra)
The sealing material A was laminated on the MCL under the following lamination conditions so that the resin layer of the sealing material A was in contact with the 50 mm square size MCL (thickness: 500 μm). Next, the resin layer was thermally cured under the following curing conditions to obtain a cured resin body. Subsequently, the surface roughness (Ra) of the surface (copper foil) of the cured resin body was measured using a surface roughness measuring device (Bruker Ax Co., Ltd., trade name: wyko NT9100). The measurement results are shown in Table 1.

[ラミネート条件]
ラミネータ装置:株式会社名機製作所製、真空加圧ラミネータMVLP−500
ラミネート温度:90℃
ラミネート圧力:0.5MPa
真空引き時間:30秒
ラミネート時間:40秒
[Lamination condition]
Laminator device: manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., vacuum pressure laminator MVLP-500
Lamination temperature: 90 ° C
Lamination pressure: 0.5 MPa
Vacuuming time: 30 seconds Laminating time: 40 seconds

[硬化条件]
オーブン:エスペック株式会社製、SAFETY OVEN SPH−201
オーブン温度:140℃
時間:120分
[Curing conditions]
Oven: manufactured by ESPEC CORP., SAFETY OVEN SPH-201
Oven temperature: 140 ° C
Time: 120 minutes

(2)レーザーマーキング性
封止材Aの樹脂層が50mm角サイズのMCL(厚さ:500μm)に接するように下記ラミネート条件で封止材AをMCLにラミネートした。次に、下記硬化条件で樹脂層を熱硬化して樹脂硬化体を得た。続いて、レーザーマーキング装置(キーエンス株式会社製、商品名:YAGレーザマーカMD−H)を用いて、前記樹脂硬化体上の銅箔にレーザーマーキングを施した。目視にてマーキング後の文字を識別できる場合を「〇」と評価し、目視にてマーキング後の文字を識別できない場合を「×」と評価した。測定結果を表1に示す。
(2) Laser Marking Properties Sealing material A was laminated to MCL under the following laminating conditions so that the resin layer of sealing material A was in contact with 50 mm square size MCL (thickness: 500 μm). Next, the resin layer was thermally cured under the following curing conditions to obtain a cured resin body. Subsequently, laser marking was performed on the copper foil on the cured resin body using a laser marking device (trade name: YAG laser marker MD-H, manufactured by Keyence Corporation). The case where the characters after marking could be identified visually was evaluated as “◯”, and the case where the characters after marking could not be identified visually was evaluated as “x”. The measurement results are shown in Table 1.

[ラミネート条件]
ラミネータ装置:株式会社名機製作所製、真空加圧ラミネータMVLP−500
ラミネート温度:90℃
ラミネート圧力:0.5MPa
真空引き時間:30秒
ラミネート時間:40秒
[Lamination condition]
Laminator device: manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., vacuum pressure laminator MVLP-500
Lamination temperature: 90 ° C
Lamination pressure: 0.5 MPa
Vacuuming time: 30 seconds Laminating time: 40 seconds

[硬化条件]
オーブン:エスペック株式会社製、SAFETY OVEN SPH−201
オーブン温度:140℃
時間:120分
[Curing conditions]
Oven: manufactured by ESPEC CORP., SAFETY OVEN SPH-201
Oven temperature: 140 ° C
Time: 120 minutes

(3)銅箔と硬化後の樹脂層との密着性
封止材Bの樹脂層がシリコンウェハ(厚さ:775μm)に接するように下記ラミネート条件で封止材Bをシリコンウェハにラミネートした。次に、前記シリコンウェハをSUS板に固定した後、下記硬化条件で樹脂層を熱硬化させた。続いて、銅箔の表面に幅5mmのマイラーテープを5cm以上の長さになるように3本貼り付け、銅箔の一部をエッチング除去した。次いで、下記条件で銅箔と硬化後の樹脂層との間の接着強度を測定した。銅箔と硬化後の樹脂層との接着強度が良好である場合、配線を形成するプロセス中に配線が封止構造体から剥離することを容易に防止できる。測定結果を表1に示す。
(3) Adhesiveness between copper foil and cured resin layer The encapsulant B was laminated to the silicon wafer under the following laminating conditions so that the resin layer of the encapsulant B was in contact with the silicon wafer (thickness: 775 μm). Next, after fixing the silicon wafer to the SUS plate, the resin layer was thermally cured under the following curing conditions. Subsequently, three Mylar tapes having a width of 5 mm were attached to the surface of the copper foil so as to have a length of 5 cm or more, and a part of the copper foil was removed by etching. Next, the adhesive strength between the copper foil and the cured resin layer was measured under the following conditions. When the adhesive strength between the copper foil and the cured resin layer is good, the wiring can be easily prevented from peeling off from the sealing structure during the process of forming the wiring. The measurement results are shown in Table 1.

[ラミネート条件]
ラミネータ装置:株式会社名機製作所製、真空加圧ラミネータMVLP−500
ラミネート温度:110℃
ラミネート圧力:0.5MPa
真空引き時間:30秒
ラミネート時間:40秒
[Lamination condition]
Laminator device: manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., vacuum pressure laminator MVLP-500
Lamination temperature: 110 ° C
Lamination pressure: 0.5 MPa
Vacuuming time: 30 seconds Laminating time: 40 seconds

[硬化条件]
オーブン:エスペック株式会社製、SAFETY OVEN SPH−201
オーブン温度:140℃
時間:60分
[Curing conditions]
Oven: manufactured by ESPEC CORP., SAFETY OVEN SPH-201
Oven temperature: 140 ° C
Time: 60 minutes

[接着強度の測定条件]
接着強度測定装置:株式会社島津製作所製、EZTest/CE
引っ張り速度:5cm/分
[Measurement conditions for adhesive strength]
Adhesive strength measuring device: EZTest / CE, manufactured by Shimadzu Corporation
Pulling speed: 5cm / min

<比較例1〜3>
(封止材Cの作製)
銅箔をPETフィルム(本州電材株式会社製、商品名:38RL−07NS、PETフィルム厚さ:38μm)に変更したこと以外は、封止材Aの作製と同様にして封止材Cを作製した。乾燥後の樹脂層の厚さは200μmであった。なお、下記の各測定においては、保護層を剥離した上で測定を行った。
<Comparative Examples 1-3>
(Preparation of sealing material C)
A sealing material C was prepared in the same manner as the sealing material A except that the copper foil was changed to a PET film (Honshu Denshi Co., Ltd., trade name: 38RL-07NS, PET film thickness: 38 μm). . The thickness of the resin layer after drying was 200 μm. In each of the following measurements, the measurement was performed after the protective layer was peeled off.

(封止材Dの作製)
塗布及び乾燥速度を5m/分に変更したこと以外は、封止材Cの作製と同様にして封止材Dを作製した。乾燥後の樹脂層の厚さは20μmであった。
(Preparation of sealing material D)
A sealing material D was prepared in the same manner as the sealing material C except that the coating and drying speed was changed to 5 m / min. The thickness of the resin layer after drying was 20 μm.

(評価)
封止材Aに代えて封止材Cを用いたこと、及び、樹脂層を熱硬化して樹脂硬化体を得ると共にPETフィルムを剥離した後に樹脂硬化体の表面(硬化後の樹脂層)の表面粗さ(Ra)を測定したこと以外は実施例と同様にして表面粗さ(Ra)を測定した。また、封止材Aに代えて封止材Dを用いたこと、及び、樹脂層を熱硬化して樹脂硬化体を得ると共にPETフィルムを剥離した後に樹脂硬化体の表面(硬化後の樹脂層)にレーザーマーキングを施したこと以外は実施例と同様にしてレーザーマーキング性を評価した。測定結果を表1に示す。
(Evaluation)
The sealing material C was used in place of the sealing material A, and the resin layer was thermally cured to obtain a cured resin body and the surface of the cured resin body (resin layer after curing) after peeling the PET film. The surface roughness (Ra) was measured in the same manner as in Example except that the surface roughness (Ra) was measured. Also, the sealing material D was used in place of the sealing material A, and the resin layer was thermally cured to obtain a cured resin body, and after the PET film was peeled off, the surface of the cured resin body (resin layer after curing) The laser marking property was evaluated in the same manner as in the example except that laser marking was applied to. The measurement results are shown in Table 1.

Figure 2018041768
Figure 2018041768

表1中、各成分の含有量は、樹脂組成物の全質量(溶剤を除く)を基準とした含有量を示す。成分B4の含有量(質量%)は、シリカスラリー中のシリカ粒子の含有量(質量%)を示す。液状樹脂の割合(質量%)は、樹脂組成物の全質量(溶剤を除く)に占める液状樹脂の割合(質量%)を示す。無機充填材の割合(質量%)は、樹脂組成物の全質量(溶剤を除く)に占める無機充填材の割合(質量%)を示す。   In Table 1, the content of each component indicates the content based on the total mass (excluding the solvent) of the resin composition. Content (mass%) of component B4 shows content (mass%) of the silica particle in a silica slurry. The ratio (mass%) of the liquid resin indicates the ratio (mass%) of the liquid resin in the total mass (excluding the solvent) of the resin composition. The ratio (mass%) of the inorganic filler indicates the ratio (mass%) of the inorganic filler to the total mass (excluding the solvent) of the resin composition.

1…封止材、10,40…電子部品、20…封止部、20a…樹脂層、30,30a…金属層、50…基板、60…仮固定層、70…ダイシングブレード、70a…切り込み部、100a,100b,100c,100d,100e…封止構造体。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sealing material 10, 40 ... Electronic component, 20 ... Sealing part, 20a ... Resin layer, 30, 30a ... Metal layer, 50 ... Board | substrate, 60 ... Temporary fixing layer, 70 ... Dicing blade, 70a ... Notch part , 100a, 100b, 100c, 100d, 100e ... sealing structure.

Claims (9)

金属層及び樹脂層を備える封止材の前記樹脂層により第1の電子部品を封止する封止工程を備え、
前記金属層が、表面粗さ(Ra)が10μm以下である表面を有し、
前記樹脂層が、前記金属層の前記表面とは反対側の面に配置されている、封止構造体の製造方法。
A sealing step of sealing the first electronic component with the resin layer of the sealing material including a metal layer and a resin layer;
The metal layer has a surface having a surface roughness (Ra) of 10 μm or less;
The manufacturing method of the sealing structure by which the said resin layer is arrange | positioned at the surface on the opposite side to the said surface of the said metal layer.
前記樹脂層における無機充填材の含有量が55質量%以上である、請求項1に記載の封止構造体の製造方法。   The manufacturing method of the sealing structure of Claim 1 whose content of the inorganic filler in the said resin layer is 55 mass% or more. 前記第1の電子部品が複数である、請求項1又は2に記載の封止構造体の製造方法。   The manufacturing method of the sealing structure of Claim 1 or 2 with which the said 1st electronic component is plurality. 前記封止工程の後に、前記金属層をレーザーマーキングする工程を更に備える、請求項1〜3のいずれか一項に記載の封止構造体の製造方法。   The manufacturing method of the sealing structure as described in any one of Claims 1-3 further equipped with the process of carrying out the laser marking of the said metal layer after the said sealing process. 前記封止工程の後に、前記金属層の前記樹脂層とは反対側に第2の電子部品を配置する工程を更に備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の封止構造体の製造方法。   The sealing structure according to any one of claims 1 to 4, further comprising a step of arranging a second electronic component on the opposite side of the metal layer from the resin layer after the sealing step. Production method. 前記封止工程の後に、前記第1の電子部品、前記樹脂層及び前記金属層を備える構造体をダイシングする工程を更に備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の封止構造体の製造方法。   The sealing structure according to any one of claims 1 to 5, further comprising a step of dicing the structure including the first electronic component, the resin layer, and the metal layer after the sealing step. Manufacturing method. 表面粗さ(Ra)が10μm以下である表面を有する金属層と、
前記金属層の前記表面とは反対側の面に配置された樹脂層と、を備え、
前記樹脂層により電子部品を封止するために用いられる、封止材。
A metal layer having a surface with a surface roughness (Ra) of 10 μm or less;
A resin layer disposed on a surface opposite to the surface of the metal layer,
The sealing material used in order to seal an electronic component with the said resin layer.
前記樹脂層における無機充填材の含有量が55質量%以上である、請求項7に記載の封止材。   The sealing material according to claim 7, wherein the content of the inorganic filler in the resin layer is 55% by mass or more. 請求項7又は8に記載の封止材の前記樹脂層の硬化物。   Hardened | cured material of the said resin layer of the sealing material of Claim 7 or 8.
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