JP2018064054A - Encapsulation material, and manufacturing method of encapsulation structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、封止材、及び、封止構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to a sealing material and a method for manufacturing a sealing structure.
近年、電子機器の小型化の要求に伴い、半導体素子の表面高密度搭載に更なる改善が求められている。例えば、複数の半導体素子を多段に積層した、いわゆるスタックパッケージ型の半導体装置においては、半導体素子が集積して配置されているため、外的なノイズによる問題(電磁波障害)が生じ得る。このようなノイズの問題は、電子機器がデジタル化、高速化及び高周波数化するほど顕著となる。そこで、ノイズによる影響を抑制するために、電磁波を遮蔽する電磁波遮蔽材料が使用されており、例えば、電磁波遮蔽シートを、半導体素子を封止する封止材上に形成している(例えば、下記特許文献1参照)。 In recent years, with the demand for downsizing of electronic devices, further improvement has been demanded for high-density mounting of semiconductor elements. For example, in a so-called stack package type semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are stacked in multiple stages, since the semiconductor elements are integrated and arranged, a problem due to external noise (electromagnetic interference) may occur. Such noise problems become more prominent as electronic devices become more digital, faster, and higher in frequency. Therefore, in order to suppress the influence of noise, an electromagnetic wave shielding material that shields electromagnetic waves is used. For example, an electromagnetic wave shielding sheet is formed on a sealing material that seals a semiconductor element (for example, the following) Patent Document 1).
電磁波遮蔽シートの形成に関して、例えば、下記特許文献2に記載の半導体装置の製造方法が知られている。特許文献2に記載の半導体装置の製造方法では、上金型及び下金型を用いたトランスファー成形により半導体素子を封止材にて封止する工程において、上金型に配置されるリリースフィルム(担体フィルム)に電磁波シールド樹脂を塗布し、封止材を形成する工程時に、形成される封止材上に電磁波シールド樹脂を転写して硬化させている。 Regarding the formation of an electromagnetic wave shielding sheet, for example, a method for manufacturing a semiconductor device described in Patent Document 2 is known. In the method of manufacturing a semiconductor device described in Patent Document 2, in a process of sealing a semiconductor element with a sealing material by transfer molding using an upper mold and a lower mold, a release film ( An electromagnetic wave shielding resin is applied to the carrier film), and the electromagnetic wave shielding resin is transferred and cured on the formed sealing material in the step of forming the sealing material.
しかしながら、上記特許文献2に記載の方法では、封止材を形成する度に、毎回担体フィルムに電磁波シールド樹脂を塗布する作業が必要となるため、工程が多く、手間がかかるという問題があった。半導体装置の製造工程においては、生産効率について更なる改善が求められている。 However, the method described in Patent Document 2 requires a work of applying the electromagnetic wave shielding resin to the carrier film every time a sealing material is formed, and thus has a problem that many processes are required and labor is required. . In the manufacturing process of a semiconductor device, further improvement in production efficiency is required.
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、優れた封止性及び電磁波遮蔽性を確保しつつ、工程の簡略化及び生産効率の向上を図ることができる封止材、並びに、当該封止材を用いた封止構造体の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems. A sealing material capable of simplifying the process and improving production efficiency while ensuring excellent sealing properties and electromagnetic wave shielding properties, and An object of the present invention is to provide a manufacturing method of a sealing structure using the sealing material.
本発明に係る封止材は、金属層と、前記金属層上に配置された樹脂層と、を備え、前記樹脂層により電子部品を封止するために用いられる。 The sealing material according to the present invention includes a metal layer and a resin layer disposed on the metal layer, and is used for sealing an electronic component with the resin layer.
本発明に係る封止材によれば、封止材の金属層を用いて電磁波を遮蔽することができるため、樹脂層により電子部品を封止する際に、電磁波遮蔽層を別途形成する工程や、電磁波遮蔽材料を予め設ける必要がない。そのため、本発明に係る封止材によれば、優れた封止性及び電磁波遮蔽性を確保しつつ、電子部品を封止する際の工程簡略化、及び、生産効率の向上を図ることができる。 According to the sealing material according to the present invention, since the electromagnetic wave can be shielded using the metal layer of the sealing material, when the electronic component is sealed with the resin layer, a step of separately forming the electromagnetic wave shielding layer, There is no need to provide an electromagnetic shielding material in advance. Therefore, according to the sealing material according to the present invention, it is possible to simplify processes and improve production efficiency when sealing electronic components while ensuring excellent sealing properties and electromagnetic wave shielding properties. .
本発明に係る封止構造体の製造方法は、金属層と、前記金属層上に配置された樹脂層と、を備える封止材の前記樹脂層により電子部品を封止する封止工程を備える。 A manufacturing method of a sealing structure according to the present invention includes a sealing step of sealing an electronic component with the resin layer of a sealing material including a metal layer and a resin layer disposed on the metal layer. .
本発明に係る封止構造体の製造方法によれば、封止材の金属層を用いて電磁波を遮蔽することができるため、樹脂層により電子部品を封止する際に、電磁波遮蔽層を別途形成する工程や、電磁波遮蔽材料を予め設ける必要がない。そのため、本発明に係る封止構造体の製造方法によれば、優れた封止性及び電磁波遮蔽性を確保しつつ、電子部品を封止する際の工程簡略化、及び、生産効率の向上を図ることができる。 According to the manufacturing method of the sealing structure according to the present invention, since the electromagnetic wave can be shielded by using the metal layer of the sealing material, the electromagnetic wave shielding layer is separately provided when the electronic component is sealed by the resin layer. There is no need to provide a process for forming or an electromagnetic wave shielding material in advance. Therefore, according to the method for manufacturing a sealing structure according to the present invention, while ensuring excellent sealing properties and electromagnetic wave shielding properties, it is possible to simplify processes and improve production efficiency when sealing electronic components. Can be planned.
本発明によれば、優れた封止性及び電磁波遮蔽性を確保しつつ、工程の簡略化及び生産効率の向上を図ることができる封止材、並びに、当該封止材を用いた封止構造体の製造方法を提供することができる。例えば、本発明によれば、電磁波を遮蔽するための金属層を配置する工程の削減、及び、生産効率の向上を図ることができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the sealing material which can aim at the simplification of a process and the improvement of production efficiency, ensuring the outstanding sealing performance and electromagnetic wave shielding, and the sealing structure using the said sealing material A method of manufacturing a body can be provided. For example, according to the present invention, it is possible to reduce the step of arranging a metal layer for shielding electromagnetic waves and improve the production efficiency.
本明細書中において、「層」及び「膜」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。本明細書中において、「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「A又はB」とは、A及びBのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書中に例示する材料は、特に断らない限り、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。本明細書中において、組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。 In this specification, the terms “layer” and “film” include a structure formed in part in addition to a structure formed in the entire surface when observed as a plan view. Is done. In the present specification, numerical ranges indicated using “to” indicate ranges including the numerical values described before and after “to” as the minimum value and the maximum value, respectively. In the numerical ranges described stepwise in the present specification, the upper limit value or lower limit value of a numerical range of a certain step may be replaced with the upper limit value or lower limit value of the numerical range of another step. In the numerical range described in this specification, the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the values shown in the examples. “A or B” only needs to include either A or B, and may include both. The materials exemplified in the present specification can be used singly or in combination of two or more unless otherwise specified. In the present specification, the content of each component in the composition is the sum of the plurality of substances present in the composition unless there is a specific indication when there are a plurality of substances corresponding to each component in the composition. Means quantity.
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。各図面の寸法比率は、必ずしも実際の寸法比率とは一致していない。本発明は必ずしも以下の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The dimensional ratio in each drawing does not necessarily match the actual dimensional ratio. The present invention is not necessarily limited to the following embodiments, and modifications may be made as appropriate without departing from the spirit of the present invention.
(封止構造体)
図1は、本実施形態に係る封止構造体を示す模式断面図である。本実施形態に係る封止構造体(封止成形物、電子部品装置)100は、電子部品10と、電子部品10を封止する封止部(樹脂硬化物)20と、封止部20上に配置された金属層30と、を備える。
(Sealing structure)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a sealing structure according to the present embodiment. A sealing structure (sealed molded product, electronic component device) 100 according to the present embodiment includes an
封止構造体100は、複数の電子部品10を備えており、封止部20は、複数の電子部品10を封止している。封止構造体100の金属層30は、封止部20上の全面に配置されている。
The
電子部品10としては、例えば、半導体素子;半導体ウェハ;集積回路;半導体デバイス;SAWフィルタ等のフィルタ;センサ等の受動部品などが挙げられる。半導体ウェハを個片化することにより得られる半導体素子を用いてもよい。本実施形態に係る封止構造体(電子部品装置)は、電子部品として半導体素子又は半導体ウェハを備える半導体装置;プリント配線板等であってもよい。電子部品の厚みは、例えば、10〜2000μmであってもよく、25〜1000μmであってもよい。複数の電子部品10は、互いに同一の種類であってもよく、互いに異なる種類であってもよい。金属層30の厚みは、封止材の説明において後述する。
Examples of the
封止構造体は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、電子部品を封止する封止部の構成材料は、樹脂硬化物に代えて半硬化又は未硬化の樹脂であってもよい(例えば、後述する図3(a))。本実施形態に係る封止構造体は、封止部と金属層との間に中間層を更に備えていてもよい。 The sealing structure is not limited to the above embodiment. For example, the constituent material of the sealing portion that seals the electronic component may be a semi-cured or uncured resin instead of the cured resin (for example, FIG. 3A described later). The sealing structure according to the present embodiment may further include an intermediate layer between the sealing portion and the metal layer.
(封止材)
本実施形態に係る封止材について説明する。本実施形態に係る封止材によれば、電子部品を封止する際の工程簡略化、及び、生産効率の向上を図ることができる。本実施形態に係る封止材によれば、被封止体(電子部品)上への樹脂の均一供給ができると共に発塵を低減することができる。
(Encapsulant)
The sealing material which concerns on this embodiment is demonstrated. According to the sealing material according to the present embodiment, it is possible to simplify the process when sealing the electronic component and to improve the production efficiency. According to the sealing material according to the present embodiment, the resin can be uniformly supplied onto the object to be sealed (electronic component) and the generation of dust can be reduced.
封止材1が備える金属層30は、電磁波遮蔽が可能な金属を含む層であればよい。金属層30の構成材料としては、銅、アルミニウム、鉄等が挙げられる。金属層30の構成材料は、電磁波遮蔽性の高さ、及び、材料の入手しやすさの観点から、銅が好ましい。例えば、金属層30は、金属箔であってもよく、銅箔であってもよい。金属層30は、電磁波遮蔽の効果を損なわない範囲で金属パターンを有していてもよく、金属パターンは、パターンを有していない金属層30をパターニングすることにより得ることができる。
The
金属層30の厚みは、電磁波遮蔽性を確保しやすい観点から、0.1μm以上が好ましく、1μm以上がより好ましく、3μm以上が更に好ましい。金属層30の厚みは、封止材の取り扱い性に優れる観点から、210μm以下が好ましく、105μm以下がより好ましく、70μm以下が更に好ましい。
The thickness of the
封止材1が備える樹脂層20aの厚みは、接着性に優れる観点から、10μm以上であってもよく、20μm以上であってもよい。樹脂層20aの厚みは、封止性に更に優れる観点から、500μm以下であってもよく、250μm以下であってもよい。なお、封止構造体における硬化後の封止部20の厚みは、上記樹脂層20aの厚みと同じであってもよい。
From the viewpoint of excellent adhesiveness, the thickness of the
樹脂層20aの構成材料は、通常、電子部品の封止に用いられる樹脂であれば特に限定されない。樹脂層20aは、硬化性樹脂組成物からなる層であることが好ましい。硬化性樹脂組成物は、熱硬化性及び光硬化性のいずれであってもよい。
The constituent material of the
熱硬化性樹脂組成物としては、例えば、(A)熱硬化性成分及び(B)無機充填材を含有する樹脂組成物が挙げられる。 As a thermosetting resin composition, the resin composition containing (A) thermosetting component and (B) inorganic filler is mentioned, for example.
(A)熱硬化性成分としては、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等)、硬化剤などが挙げられる。(A)熱硬化性成分は、例えば、(a1)エポキシ樹脂及び(a2)硬化剤を含む。 Examples of the thermosetting component (A) include thermosetting resins (epoxy resins, urea resins, melamine resins, polyesters, silicone resins, polyurethanes, etc.), curing agents, and the like. (A) The thermosetting component contains, for example, (a1) an epoxy resin and (a2) a curing agent.
(a1)エポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のグリシジル基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAP型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ビスフェノールB型エポキシ樹脂、ビスフェノールBP型エポキシ樹脂、ビスフェノールC型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールG型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールPH型エポキシ樹脂、ビスフェノールTMC型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂(ヘキサンジオールビスフェノールSジグリシジルエーテル等)、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂(ビキシレノールジグリシジルエーテル等)、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂(水添ビスフェノールAグリシジルエーテル等)、これら樹脂の二塩基酸変性ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂などが挙げられる。(a1)エポキシ樹脂は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 The (a1) epoxy resin can be used without particular limitation as long as it has two or more glycidyl groups in one molecule. As epoxy resins, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AP type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, bisphenol B type epoxy resin, bisphenol BP type epoxy resin, bisphenol C type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol F type Epoxy resin, bisphenol G type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, bisphenol PH type epoxy resin, bisphenol TMC type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin (Hexanediol bisphenol S diglycidyl ether, etc.), novolac phenol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, Phthalene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, bixylenol type epoxy resins (such as bixylenol diglycidyl ether), hydrogenated bisphenol A type epoxy resins (such as hydrogenated bisphenol A glycidyl ether), dibasic acid modification of these resins Examples thereof include diglycidyl ether type epoxy resins and aliphatic epoxy resins. (A1) An epoxy resin can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
市販のエポキシ樹脂としては、DIC株式会社製の「エピクロンHP−4032D」、「EXA−4750」、「HP−4710」等、日本化薬株式会社製の「NC−7000」(ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂)等のナフタレン型エポキシ樹脂;日本化薬株式会社製の「EPPN−502H」(トリスフェノールエポキシ樹脂)等の、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物(トリスフェノール型エポキシ樹脂);DIC株式会社製の「エピクロンHP−7200H」(ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂)等のジシクロペンタジエンアラルキル型エポキシ樹脂;日本化薬株式会社製の「NC−3000H」(ビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂)等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂;DIC株式会社製の「エピクロンN660」及び「エピクロンN690」;日本化薬株式会社製の「EOCN−104S」等のノボラック型エポキシ樹脂;日産化学工業株式会社製の「TEPIC」等のトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート;DIC株式会社製の「エピクロン860」、「エピクロン900−IM」、「エピクロンEXA−4816」及び「エピクロンEXA−4822」;旭チバ株式会社製の「アラルダイトAER280」;東都化成株式会社製の「エポトートYD−134」;三菱化学株式会社製の「JER834」及び「JER872」;住友化学株式会社製の「ELA−134」;油化シェルエポキシ株式会社製の「エピコート807」、「エピコート815」、「エピコート825」、「エピコート827」、「エピコート828」、「エピコート834」、「エピコート1001」、「エピコート1004」、「エピコート1007」及び「エピコート1009」;ダウケミカル社製の「DER−330」、「DER−301」及び「DER−361」;東都化成株式会社製の「YD8125」、「YDF8170」等のビスフェノールA型エポキシ樹脂;三菱化学株式会社製の「JER806」等のビスフェノールF型エポキシ樹脂;DIC株式会社製の「エピクロンN−740」等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂;ナガセケムテックス株式会社製の「ナデコールDLC301」等の脂肪族エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of commercially available epoxy resins include “Epiclon HP-4032D”, “EXA-4750”, and “HP-4710” manufactured by DIC Corporation, and “NC-7000” (naphthalene skeleton-containing polyfunctional product) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. Epoxides of condensates of phenols and aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group, such as “EPPN-502H” (trisphenol epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. (Trisphenol type epoxy resin); Dicyclopentadiene aralkyl type epoxy resin such as “Epiclon HP-7200H” (dicyclopentadiene skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; “NC” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. -3000H "(biphenyl skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin) Biphenylaralkyl type epoxy resins; “Epiclon N660” and “Epiclon N690” manufactured by DIC Corporation; novolak type epoxy resins such as “EOCN-104S” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .; “TEPIC” manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd. "Epiclon 860", "Epicron 900-IM", "Epicron EXA-4816" and "Epicron EXA-4822" manufactured by DIC Corporation; Asahi Ciba Co., Ltd. "Araldite AER280" manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. "Epototo YD-134" manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. "JER834" and "JER872" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "ELA-134" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd .; "Epicoat 807", "Epicoat" 15 ”,“ Epicoat 825 ”,“ Epicoat 827 ”,“ Epicoat 828 ”,“ Epicoat 834 ”,“ Epicoat 1001 ”,“ Epicoat 1004 ”,“ Epicoat 1007 ”and“ Epicoat 1009 ”;“ DER ”manufactured by Dow Chemical -330 "," DER-301 "and" DER-361 "; bisphenol A type epoxy resins such as" YD8125 "and" YDF8170 "manufactured by Toto Kasei Co., Ltd .; bisphenol F such as" JER806 "manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation Type epoxy resin; phenol novolac type epoxy resin such as “Epiclon N-740” manufactured by DIC Corporation; and aliphatic epoxy resin such as “Nadecor DLC301” manufactured by Nagase ChemteX Corporation. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.
(a1)エポキシ樹脂の含有量は、優れた強度を有する硬化物が得られやすい観点から、熱硬化性樹脂の全質量を基準として、50質量%以上であることが好ましく、80質量%以上であることがより好ましく、90質量%以上であることが更に好ましい。(a1)エポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の全質量を基準として100質量%であってもよい。 (A1) The content of the epoxy resin is preferably 50% by mass or more based on the total mass of the thermosetting resin, from the viewpoint of easily obtaining a cured product having excellent strength, and is 80% by mass or more. More preferably, it is more preferably 90% by mass or more. (A1) The content of the epoxy resin may be 100% by mass based on the total mass of the thermosetting resin.
熱硬化性樹脂の含有量は、優れた流動性が得られやすい観点から、樹脂組成物の全質量(溶剤の質量を除く)を基準として、1質量%以上が好ましく、5質量%以上がより好ましい。熱硬化性樹脂の含有量は、フィルム表面の割れ及びひびの発生を抑制しやすい観点から、樹脂組成物の全質量(溶剤の質量を除く)を基準として、30質量%以下が好ましく、25質量%以下がより好ましく、20質量%以下が更に好ましい。 The content of the thermosetting resin is preferably 1% by mass or more and more preferably 5% by mass or more based on the total mass of the resin composition (excluding the mass of the solvent) from the viewpoint of easily obtaining excellent fluidity. preferable. The content of the thermosetting resin is preferably 30% by mass or less, based on the total mass of the resin composition (excluding the mass of the solvent), from the viewpoint of easily suppressing the occurrence of cracks and cracks on the film surface, and 25% by mass. % Or less is more preferable, and 20% by mass or less is still more preferable.
(a2)硬化剤は、グリシジル基と反応する官能基を1分子中に2個以上有するものであれば特に制限なく用いることができる。(a2)硬化剤としては、フェノール樹脂、酸無水物等が挙げられる。(a2)硬化剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 The (a2) curing agent can be used without particular limitation as long as it has two or more functional groups that react with a glycidyl group in one molecule. (A2) As a hardening | curing agent, a phenol resin, an acid anhydride, etc. are mentioned. (A2) A hardening | curing agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
フェノール樹脂は、1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば、特に制限はなく公知のフェノール樹脂を用いることができる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール類及び/又はナフトール類とアルデヒド類とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる樹脂、ビフェニル骨格型フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、メタキシリレン・パラキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂、キシリレン変性ナフトール樹脂等が挙げられる。フェノール類としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF等が挙げられる。ナフトール類としては、α−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等が挙げられる。アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等が挙げられる。 The phenol resin is not particularly limited as long as it has two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, and a known phenol resin can be used. Examples of phenol resins include resins obtained by condensation or co-condensation of phenols and / or naphthols and aldehydes under an acidic catalyst, biphenyl skeleton type phenol resins, paraxylylene-modified phenol resins, metaxylylene / paraxylylene-modified phenol resins. Melamine-modified phenol resin, terpene-modified phenol resin, dicyclopentadiene-modified phenol resin, cyclopentadiene-modified phenol resin, polycyclic aromatic ring-modified phenol resin, xylylene-modified naphthol resin, and the like. Examples of phenols include phenol, cresol, xylenol, resorcinol, catechol, bisphenol A, bisphenol F, and the like. Examples of naphthols include α-naphthol, β-naphthol, dihydroxynaphthalene and the like. Examples of aldehydes include formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, benzaldehyde, salicylaldehyde and the like.
市販のフェノール樹脂としては、大日本インキ化学工業株式会社製の「フェノライトLF2882」、「フェノライトLF2822」、「フェノライトTD−2090」、「フェノライトTD−2149」、「フェノライトVH−4150」及び「フェノライトVH4170」;三井化学株式会社製の「XLC−LL」及び「XLC−4L」;新日鉄住金化学株式会社製の「SN−100」、「SN−300」、「SN−395」及び「SN−400」;エア・ウォーター株式会社製の「SKレジンHE910」;旭有機材工業株式会社製の「PAPS−PN2」;明和化成株式会社製の「DL−92」等が挙げられる。 Commercially available phenol resins include “Phenolite LF2882”, “Phenolite LF2822”, “Phenolite TD-2090”, “Phenolite TD-2149”, “Phenolite VH-4150” manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. And “Phenolite VH4170”; “XLC-LL” and “XLC-4L” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc .; “SN-100”, “SN-300”, and “SN-395” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. And “SN-400”; “SK Resin HE910” manufactured by Air Water Co., Ltd .; “PAPS-PN2” manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd .; “DL-92” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., and the like.
(a2)硬化剤の含有量は、熱硬化性樹脂の硬化性に優れる観点から、樹脂組成物の全質量(有機溶剤等の溶剤を除く)を基準として、1〜20質量%であることが好ましく、2〜15質量%であることがより好ましく、3〜10質量%であることが更に好ましい。 (A2) The content of the curing agent is 1 to 20% by mass based on the total mass of the resin composition (excluding solvents such as organic solvents) from the viewpoint of excellent curability of the thermosetting resin. Preferably, it is 2-15 mass%, More preferably, it is 3-10 mass%.
(a1)エポキシ樹脂のグリシジル基の当量(エポキシ当量)と、(a2)硬化剤のグリシジル基と反応する官能基(例えばフェノール性水酸基)の当量(例えば水酸基当量)との比率((a1)エポキシ樹脂のグリシジル基の当量/(a2)硬化剤のグリシジル基と反応する官能基の当量)は、0.7〜2.0であることが好ましく、0.8〜1.8であることがより好ましく、0.9〜1.7であることが更に好ましい。これらの場合、未反応の(a1)エポキシ樹脂及び/又は未反応の(a2)硬化剤が残存しにくく、所望の硬化膜物性が得られやすい。 (A1) Ratio of epoxy resin glycidyl group equivalent (epoxy equivalent) and (a2) functional group (for example, phenolic hydroxyl group) reacting with glycidyl group of curing agent (for example, hydroxyl group equivalent) ((a1) epoxy The equivalent of the glycidyl group of the resin / (a2) the equivalent of the functional group that reacts with the glycidyl group of the curing agent) is preferably 0.7 to 2.0, more preferably 0.8 to 1.8. Preferably, it is 0.9-1.7. In these cases, unreacted (a1) epoxy resin and / or unreacted (a2) curing agent hardly remains, and desired cured film properties are easily obtained.
(A)熱硬化性成分は、(a3)硬化促進剤を含んでいてもよい。(a3)硬化促進剤としては、特に制限はない。(a3)硬化促進剤としては、アミン系の硬化促進剤及びリン系の硬化促進剤からなる群より選ばれる少なくとも一種が好ましい。特に、(a3)硬化促進剤としては、誘導体が豊富である観点、及び、所望の活性温度が得られやすい観点から、アミン系の硬化促進剤が好ましく、イミダゾール化合物、脂肪族アミン及び脂環族アミンからなる群より選ばれる少なくとも一種がより好ましく、イミダゾール化合物が更に好ましい。(a3)硬化促進剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 (A) The thermosetting component may contain (a3) a curing accelerator. (A3) There is no restriction | limiting in particular as a hardening accelerator. (A3) The curing accelerator is preferably at least one selected from the group consisting of amine-based curing accelerators and phosphorus-based curing accelerators. In particular, as the (a3) curing accelerator, an amine-based curing accelerator is preferable from the viewpoint of abundant derivatives and a viewpoint that a desired active temperature can be easily obtained, and an imidazole compound, an aliphatic amine, and an alicyclic group. At least one selected from the group consisting of amines is more preferable, and imidazole compounds are more preferable. (A3) A hardening accelerator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
(a3)硬化促進剤の含有量は、(a1)エポキシ樹脂及び(a2)硬化剤の合計量を基準として、0.01〜5質量%が好ましく、0.1〜3質量%がより好ましく、0.3〜1.5質量%が更に好ましい。(a3)硬化促進剤の含有量が0.01質量%以上である場合、充分な硬化促進効果が得られやすい。(a3)硬化促進剤の含有量が5質量%以下である場合、封止材を製造する際の工程(例えば塗工及び乾燥)中、又は、封止材の保管中に硬化が進行しにくく、樹脂層の割れ、及び、溶融粘度の上昇に伴う成形不良を防止しやすい。 The content of (a3) curing accelerator is preferably 0.01 to 5% by mass, more preferably 0.1 to 3% by mass, based on the total amount of (a1) epoxy resin and (a2) curing agent. 0.3-1.5 mass% is still more preferable. (A3) When the content of the curing accelerator is 0.01% by mass or more, a sufficient curing acceleration effect is easily obtained. (A3) When the content of the curing accelerator is 5% by mass or less, curing is unlikely to proceed during the process of manufacturing the sealing material (for example, coating and drying) or during storage of the sealing material. It is easy to prevent cracking of the resin layer and molding defects accompanying an increase in melt viscosity.
本実施形態の硬化性樹脂組成物は、25℃で液状の樹脂(例えば、液状エポキシ樹脂)を含有することが好ましい。前記液状の樹脂の含有量は、樹脂層の成膜性に優れる観点から、熱硬化性樹脂の全質量を基準として、20質量%以上が好ましく、30質量%以上がより好ましく、50質量%以上が更に好ましい。前記液状の樹脂の含有量は、フィルムのタック性が過剰に高まることを抑制しやすい観点、及び、エッジフュージョンを抑制しやすい観点から、熱硬化性樹脂の全質量を基準として、95質量%以下が好ましく、90質量%以下がより好ましく、80質量%以下が更に好ましい。液状エポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の全質量を基準として100質量%であってもよい。 The curable resin composition of this embodiment preferably contains a resin that is liquid at 25 ° C. (for example, a liquid epoxy resin). The content of the liquid resin is preferably 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, and more preferably 50% by mass or more, based on the total mass of the thermosetting resin, from the viewpoint of excellent film formability of the resin layer. Is more preferable. The content of the liquid resin is 95% by mass or less based on the total mass of the thermosetting resin, from the viewpoint of easily suppressing an excessive increase in the tackiness of the film and from the viewpoint of easily suppressing edge fusion. Is preferable, 90 mass% or less is more preferable, and 80 mass% or less is still more preferable. The content of the liquid epoxy resin may be 100% by mass based on the total mass of the thermosetting resin.
(B)無機充填材としては、従来公知の無機充填材が使用でき、特定のものに限定されない。(B)無機充填材の構成材料としては、例えば、硫酸バリウム;チタン酸バリウム;無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ等のシリカ類;タルク;クレー;炭酸マグネシウム;炭酸カルシウム;酸化アルミニウム;水酸化アルミニウム;窒化ケイ素;窒化アルミニウムなどが挙げられる。(B)無機充填材の構成材料は、表面改質等により、樹脂中の分散性の向上効果、及び、ワニス中での沈降抑制効果が得られやすい観点、並びに、比較的小さい熱膨張率を有することから所望の硬化膜特性が得られやすい観点から、シリカ類が好ましい。(B)無機充填材は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 (B) As an inorganic filler, a conventionally well-known inorganic filler can be used and it is not limited to a specific thing. (B) As a constituent material of the inorganic filler, for example, barium sulfate; barium titanate; silicas such as amorphous silica, crystalline silica, fused silica, and spherical silica; talc; clay; magnesium carbonate; calcium carbonate; Examples thereof include aluminum; aluminum hydroxide; silicon nitride; aluminum nitride. (B) The constituent material of the inorganic filler has a relatively small thermal expansion coefficient, as well as a viewpoint of easily obtaining a dispersibility improving effect in the resin and a sedimentation suppressing effect in the varnish by surface modification or the like. From the viewpoint of easily obtaining desired cured film properties, silicas are preferable. (B) An inorganic filler can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
(B)無機充填材は、表面改質されていてもよい。表面改質の手法としては、特に限定されない。処理が簡便であり、官能基の種類が豊富であり、所望の特性を付与しやすい観点から、シランカップリング剤を用いた表面改質が好ましい。 (B) The inorganic filler may be surface-modified. The method for surface modification is not particularly limited. Surface modification using a silane coupling agent is preferable from the viewpoint of simple treatment, rich types of functional groups, and easy provision of desired characteristics.
シランカップリング剤としては、アルキルシラン、アルコキシシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、アクリルシラン、メタクリルシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン、サルファーシラン、スチリルシラン、アルキルクロロシラン等が挙げられる。市販の無機充填材のうち、シランカップリング剤を用いて表面改質された無機充填材としては、株式会社アドマテックス製の「SC5500−SXE」及び「SC2500−SXJ」等が挙げられる。シランカップリング剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the silane coupling agent include alkyl silane, alkoxy silane, vinyl silane, epoxy silane, amino silane, acrylic silane, methacryl silane, mercapto silane, sulfide silane, isocyanate silane, sulfur silane, styryl silane, alkyl chloro silane, and the like. Among the commercially available inorganic fillers, examples of the inorganic filler surface-modified with a silane coupling agent include “SC5500-SXE” and “SC2500-SXJ” manufactured by Admatechs Co., Ltd. A silane coupling agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
シランカップリング剤の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、n−オクチルトリエトキシシラン、n−ドデシルメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、トリフェニルシラノール、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、n−オクチルジメチルクロロシラン、テトラエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、ビス(3−(トリエトキシシリル)プロピル)ジスルフィド、ビス(3−(トリエトキシシリル)プロピル)テトラスルフィド、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ジアリルジメチルシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、N−(1,3−ジメチルブチリデン)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノシラン(フェニルアミノシラン等)などが挙げられる。これらのシランカップリング剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 Specific examples of the silane coupling agent include methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, trimethylmethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltriphenoxysilane, ethyltrimethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, and isobutyl. Trimethoxysilane, diisobutyldimethoxysilane, isobutyltriethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-hexyltriethoxysilane, cyclohexylmethyldimethoxysilane, n-octyltriethoxysilane, n-dodecylmethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, Diphenyldimethoxysilane, triphenylsilanol, methyltrichlorosilane, dimethyldichlorosilane, trimethylchlorosilane, n Octyldimethylchlorosilane, tetraethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropylmethyldimethoxy Silane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxy Silane, bis (3- (triethoxysilyl) propyl) disulfide, bis (3- (triethoxysilyl) propyl) tetrasulfide, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxy Silane, vinyltriisopropoxysilane, allyltrimethoxysilane, diallyldimethylsilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxy Examples include silane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, N- (1,3-dimethylbutylidene) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminosilane (phenylaminosilane and the like), and the like. These silane coupling agents can be used alone or in combination of two or more.
(B)無機充填材の平均粒径は、特に制限されないが、0.01〜50μmが好ましく、0.1〜25μmがより好ましく、0.3〜10μmが更に好ましい。(B)無機充填材の平均粒径が0.01μm以上である場合、無機充填材の凝集が容易に抑制されて、無機充填材を容易に充分に分散できる。(B)無機充填材の平均粒径が50μm以下である場合、無機充填材の沈降(例えばワニス中での沈降)を容易に抑制でき、均質な樹脂層を形成しやすい。 (B) The average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 50 μm, more preferably 0.1 to 25 μm, and still more preferably 0.3 to 10 μm. (B) When the average particle diameter of an inorganic filler is 0.01 micrometer or more, aggregation of an inorganic filler is suppressed easily and an inorganic filler can be fully fully disperse | distributed easily. (B) When the average particle diameter of an inorganic filler is 50 micrometers or less, sedimentation (for example, sedimentation in a varnish) of an inorganic filler can be suppressed easily and it is easy to form a homogeneous resin layer.
(B)無機充填材の含有量は、樹脂組成物の全質量(有機溶剤等の溶剤を除く)を基準として、95質量%以下が好ましく、90質量%以下がより好ましい。これらの場合、封止構造体の低反りを実現しつつ、良好な流動性を確保でき、且つ、封止材における金属層と樹脂層との良好な接着強度を得ることができる。また、封止材の製造の際の乾燥工程において樹脂層の割れを容易に抑制可能である効果、樹脂層と金属層との密着性が向上する効果、及び、被封止体を封止しやすくなる効果を好適に得ることができる。(B)無機充填材の含有量は、被封止体と封止部との熱膨張率の差によって封止構造体の反りが大きくなることを容易に防止できる観点から、50質量%以上が好ましく、60質量%以上がより好ましく、65質量%以上が更に好ましい。これらの観点から、(B)無機充填材の含有量は、50〜95質量%が好ましく、60〜90質量%がより好ましい。 (B) The content of the inorganic filler is preferably 95% by mass or less, and more preferably 90% by mass or less, based on the total mass of the resin composition (excluding solvents such as organic solvents). In these cases, good fluidity can be secured while realizing low warpage of the sealing structure, and good adhesive strength between the metal layer and the resin layer in the sealing material can be obtained. In addition, the effect of easily suppressing the cracking of the resin layer in the drying process during the production of the sealing material, the effect of improving the adhesion between the resin layer and the metal layer, and sealing the object to be sealed The effect which becomes easy can be acquired suitably. (B) The content of the inorganic filler is 50% by mass or more from the viewpoint of easily preventing warpage of the sealing structure due to the difference in thermal expansion coefficient between the sealed body and the sealing portion. Preferably, 60 mass% or more is more preferable, and 65 mass% or more is still more preferable. From these viewpoints, the content of the (B) inorganic filler is preferably 50 to 95% by mass, and more preferably 60 to 90% by mass.
本実施形態の樹脂組成物は、必要に応じて(C)エラストマー(可とう剤)を含有してもよい。(C)エラストマーを用いることにより、封止後の反り(例えば封止構造体の反り量)、及び、封止構造体における樹脂の割れを効果的に低減することができる。 The resin composition of this embodiment may contain (C) elastomer (flexible agent) as needed. (C) By using an elastomer, warping after sealing (for example, the warping amount of the sealing structure) and cracking of the resin in the sealing structure can be effectively reduced.
(C)エラストマーとしては、例えば、シリコーン系、スチレン系、オレフィン系、ウレタン系、ポリエステル系、ポリエーテル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系等の熱可塑性エラストマー;NR(天然ゴム)、NBR(アクリロニトリル−ブタジエンゴム)、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンパウダー等のゴム粒子;メタクリル酸メチル−スチレン−ブタジエン共重合体(MBS)、メタクリル酸メチル−シリコーン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリル酸ブチル共重合体等のコア−シェル構造を有するゴム粒子が挙げられる。(C)エラストマーは、分散性及び溶解性に優れる観点から、スチレンブタジエン粒子、シリコーンパウダー、シリコーンオイル及びシリコーンオリゴマからなる群より選ばれる少なくとも一種が好ましい。(C)エラストマーは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the elastomer (C) include thermoplastic elastomers such as silicone, styrene, olefin, urethane, polyester, polyether, polyamide, and polybutadiene; NR (natural rubber), NBR (acrylonitrile-butadiene) Rubber), rubber particles such as acrylic rubber, urethane rubber and silicone powder; methyl methacrylate-styrene-butadiene copolymer (MBS), methyl methacrylate-silicone copolymer, methyl methacrylate-butyl acrylate copolymer, etc. And rubber particles having a core-shell structure. (C) The elastomer is preferably at least one selected from the group consisting of styrene butadiene particles, silicone powder, silicone oil and silicone oligomer from the viewpoint of excellent dispersibility and solubility. (C) An elastomer can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
(C)エラストマーの平均粒径に特に制限はない。(C)エラストマーの平均粒径は、電子部品間の埋め込み性(例えば、eWLB用途の埋め込み性)に優れる観点から、50μm以下であることが好ましい。(C)エラストマーの平均粒径は、分散性に優れる観点から、0.1μm以上であることが好ましい。 (C) There is no restriction | limiting in particular in the average particle diameter of an elastomer. (C) The average particle diameter of the elastomer is preferably 50 μm or less from the viewpoint of excellent embedding between electronic components (for example, embedding for eWLB use). (C) The average particle diameter of the elastomer is preferably 0.1 μm or more from the viewpoint of excellent dispersibility.
(C)エラストマーとしては市販品を用いてもよい。(C)エラストマーの市販品としては、例えば、株式会社カネカ製のKANE ACE(「KANE ACE」は登録商標)の「Bシリーズ」、「Mシリーズ」及び「FMシリーズ」(いずれも商品名);信越化学工業株式会社製の「KMPシリーズ」等が挙げられる。市販の(C)エラストマーの中には、エラストマー単体ではなく、予め液状樹脂(例えば、液状エポキシ樹脂)中に分散しているものもあるが、問題なく用いることができる。このような市販品としては、株式会社カネカ製の「MX−136」及び「MX−965」等が挙げられる。 (C) You may use a commercial item as an elastomer. (C) As a commercial product of elastomer, for example, “B series”, “M series” and “FM series” (all trade names) of KANE ACE (“KANE ACE” is a registered trademark) manufactured by Kaneka Corporation; Examples include “KMP series” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Some commercially available (C) elastomers are dispersed in advance in a liquid resin (for example, a liquid epoxy resin) instead of the elastomer alone, but can be used without any problem. Examples of such commercially available products include “MX-136” and “MX-965” manufactured by Kaneka Corporation.
本実施形態の樹脂組成物は、(D)有機溶剤を含有してもよい。(D)有機溶剤は、封止材の製造(塗工等)の際の乾燥工程で除去されずに残存したワニス由来の有機溶剤であってもよい。 The resin composition of this embodiment may contain (D) an organic solvent. (D) The organic solvent may be an organic solvent derived from the varnish that remains without being removed in the drying step during the production (such as coating) of the sealing material.
(D)有機溶剤としては、従来公知の有機溶剤を使用できる。(D)有機溶剤としては、(B)無機充填材以外の成分を溶解できる溶剤を用いることができる。(D)有機溶剤としては、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、テルペン類、ハロゲン類、エステル類、ケトン類、アルコール類、アルデヒド類等が挙げられる。 (D) As an organic solvent, a conventionally well-known organic solvent can be used. (D) As an organic solvent, the solvent which can melt | dissolve components other than (B) inorganic filler can be used. Examples of the organic solvent (D) include aliphatic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, terpenes, halogens, esters, ketones, alcohols, aldehydes and the like.
具体的な(D)有機溶剤としては、環境負荷が小さい観点、及び、(a1)エポキシ樹脂及び(a2)硬化剤を溶解しやすい観点から、エステル類、ケトン類及びアルコール類からなる群より選ばれる少なくとも一種が好ましい。その中でも、(a1)エポキシ樹脂及び(a2)硬化剤を特に溶解しやすい観点から、ケトン類が好ましい。ケトン類の中では、室温での揮発が少なく、乾燥時に除去しやすい観点から、アセトン、メチルエチルケトン及びメチルイソブチルケトンからなる群より選ばれる少なくとも一種が好ましい。 The specific (D) organic solvent is selected from the group consisting of esters, ketones and alcohols from the viewpoint of low environmental burden and from the viewpoint of easily dissolving the (a1) epoxy resin and (a2) curing agent. At least one of these is preferred. Among these, ketones are preferable from the viewpoint of easily dissolving the (a1) epoxy resin and the (a2) curing agent. Among the ketones, at least one selected from the group consisting of acetone, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone is preferable from the viewpoint of low volatility at room temperature and easy removal during drying.
(D)有機溶剤の含有量は、樹脂組成物の全質量(有機溶剤等の溶剤を含む)を基準として、0.2〜2.0質量%が好ましく、0.3〜1.0質量%がより好ましい。(D)有機溶剤の含有量が0.2質量%以上である場合、樹脂組成物(エポキシ樹脂組成物等)が脆くなり樹脂の割れ等の不具合が生じること、及び、最低溶融粘度が高くなり被封止体の埋め込み性が低下することを防止できる。(D)有機溶剤の含有量が2.0質量%以下である場合、樹脂組成物の粘着性が強くなりすぎて取扱い性が低下する不具合、及び、樹脂層の熱硬化時における有機溶剤の揮発に伴う発泡等の不具合を容易に防止できる。 (D) The content of the organic solvent is preferably 0.2 to 2.0% by mass, preferably 0.3 to 1.0% by mass based on the total mass of the resin composition (including solvents such as organic solvents). Is more preferable. (D) When the content of the organic solvent is 0.2% by mass or more, the resin composition (epoxy resin composition, etc.) becomes brittle, causing problems such as resin cracking, and the minimum melt viscosity is increased. It can prevent that the embedding property of a to-be-sealed body falls. (D) When the content of the organic solvent is 2.0% by mass or less, the adhesiveness of the resin composition becomes too strong and the handleability is deteriorated, and the volatilization of the organic solvent during thermosetting of the resin layer It is possible to easily prevent problems such as foaming.
本実施形態の樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、他の添加剤を更に含有してもよい。このような添加剤の具体例としては、顔料、染料、離型剤、酸化防止剤、表面張力調整剤等を挙げることができる。 The resin composition of the present embodiment may further contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired. Specific examples of such additives include pigments, dyes, mold release agents, antioxidants, surface tension adjusting agents and the like.
封止材1は、例えば、平板状の形態で貯蔵することができる。封止材1を円筒状等の巻芯に巻きとり、ロール状の形態として貯蔵することもできる。
The sealing
封止材1は、樹脂層20aと金属層30との間に中間層を更に備えていてもよい。封止材1は、樹脂層20aの金属層30とは反対側に、樹脂層20aの保護を目的とした保護層を更に備えていてもよい。これにより、取扱い性が向上する。また、樹脂層20aへの異物の混入を防ぐことができると共に、封止材1を重ねた場合に、金属層30の裏面に樹脂層20aが張り付く不具合を回避することができる。
The sealing
保護層としては、高分子フィルム、金属箔等を用いることができる。高分子フィルムとしては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム等のポリオレフィンフィルム;ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステルフィルム;ポリカーボネートフィルム;アセチルセルロースフィルム;テトラフルオロエチレンフィルムなどが挙げられる。金属箔としては、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられる。 As the protective layer, a polymer film, a metal foil, or the like can be used. Examples of the polymer film include a polyolefin film such as a polyethylene film, a polypropylene film, and a polyvinyl chloride film; a polyester film such as a polyethylene terephthalate film; a polycarbonate film; an acetylcellulose film; and a tetrafluoroethylene film. Examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil.
(封止材の製造方法)
封止材1の製造方法は、例えば、樹脂組成物を金属層30上に塗布して塗膜を形成する工程と、塗膜を加熱乾燥して樹脂層20aを形成する工程と、を備えていてもよい。塗布方法としては、特に限定されず、ダイコート、コンマコート等が挙げられる。加熱乾燥方法としては、熱風吹き付け等が挙げられる。
(Method for producing sealing material)
The manufacturing method of the sealing
有機溶剤等の溶剤を含有する樹脂組成物をワニスとして用いて塗膜を形成してもよい。ワニスは、例えば、(A)熱硬化性成分、(B)無機充填材、(D)有機溶剤、及び、必要に応じて用いられる任意成分を混合することで調製できる。各成分の混合方法としては、特に限定されず、ミル、ミキサ、撹拌羽根等が使用できる。(D)有機溶剤は、樹脂組成物に含まれる(A)熱硬化性成分等を溶解してワニスを調製するため、又は、ワニスを調製することを補助するために用いることが可能であり、乾燥工程で大部分を除去することができる。 The coating film may be formed using a resin composition containing a solvent such as an organic solvent as a varnish. The varnish can be prepared, for example, by mixing (A) a thermosetting component, (B) an inorganic filler, (D) an organic solvent, and optional components used as necessary. The mixing method of each component is not particularly limited, and a mill, a mixer, a stirring blade or the like can be used. (D) The organic solvent can be used to prepare the varnish by dissolving the thermosetting component (A) contained in the resin composition, or to assist in preparing the varnish, Most can be removed in the drying process.
(B)無機充填材は、必要に応じて、予め分散処理が行われていてもよい。例えば、(B)無機充填材を溶剤(例えば(D)有機溶剤)中に分散して得られるスラリーを用いてもよい。分散処理の手法としては、高速せん断力により分散を進行させるナノマイザーを用いる方法、ビーズと呼ばれる球体の媒体を用いて(B)無機充填材を粉砕する方法(ビーズミルを用いる方法)等が挙げられる。市販のシリカスラリーとしては、株式会社アドマテックス製の「SC2050−MTK」等が挙げられる。 (B) The inorganic filler may be preliminarily dispersed as required. For example, you may use the slurry obtained by disperse | distributing (B) inorganic filler in a solvent (for example, (D) organic solvent). Examples of the dispersion treatment method include a method using a nanomizer that advances dispersion by high-speed shearing force, a method (B) of pulverizing an inorganic filler using a spherical medium called beads (a method using a bead mill), and the like. Examples of commercially available silica slurries include “SC2050-MTK” manufactured by Admatechs Co., Ltd.
(封止構造体の製造方法)
本実施形態に係る封止構造体(封止成形物、電子部品装置)の製造方法は、金属層と、前記金属層上に配置された樹脂層と、を備える封止材の前記樹脂層により電子部品を封止する封止工程を備える。前記封止工程は、例えば、樹脂層を加熱して溶融させると共に、圧力を加えて電子部品を樹脂層で封止する工程であってもよい。本実施形態に係る封止構造体の製造方法は、樹脂層が電子部品に対向するように封止材を配置する工程を備えていてもよい。本実施形態に係る封止構造体の製造方法は、封止工程の後に、樹脂層を硬化させる工程を備えていてもよい。
(Method for producing sealing structure)
The manufacturing method of the sealing structure (sealed molded product, electronic component device) according to the present embodiment includes the metal layer and the resin layer of the sealing material including the resin layer disposed on the metal layer. A sealing step of sealing the electronic component; The sealing step may be, for example, a step of heating and melting the resin layer and applying pressure to seal the electronic component with the resin layer. The manufacturing method of the sealing structure which concerns on this embodiment may be equipped with the process of arrange | positioning a sealing material so that a resin layer may oppose an electronic component. The manufacturing method of the sealing structure according to the present embodiment may include a step of curing the resin layer after the sealing step.
図2及び図3は、本実施形態に係る封止構造体の製造方法を説明するための模式断面図である。以下、図2及び図3を用いて、本実施形態に係る封止構造体の製造方法について説明する。 FIG.2 and FIG.3 is a schematic cross section for demonstrating the manufacturing method of the sealing structure which concerns on this embodiment. Hereinafter, the manufacturing method of the sealing structure according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3.
本実施形態に係る封止構造体の製造方法では、まず、図2(a)に示すように、本実施形態に係る封止材1を準備する。封止材1は、金属層30と、金属層30上に配置された樹脂層20aと、を備える。封止材1は、樹脂層20aにより電子部品を封止するために用いられる。樹脂層20aは、金属層30上の少なくとも一部に設けられていればよく、金属層30の全面に設けられていてもよい。樹脂層20aは、例えばフィルム状である。樹脂層20aは、例えば、樹脂層20aをフィルム化する際のキャリアとして用いられる金属層30と一体化されている。封止材については前述したとおりである。
In the manufacturing method of the sealing structure according to the present embodiment, first, as illustrated in FIG. 2A, the sealing
次に、図2(b)に示すように、基板50と、基板50上に配置された仮固定層60とを備える積層体を準備した後、仮固定層60上に複数の電子部品10を配置する。続いて、樹脂層20aが電子部品10に対向するように封止材1を配置する。そして、樹脂層20aを加熱して溶融させると共に、圧力を加えて電子部品10を樹脂層20aで封止する。これにより、図3(a)に示すように、複数の電子部品10を封止する樹脂層20aを備える封止構造体が得られる。電子部品10を樹脂層20aで封止する方法としては、ラミネート、プレス、トランスファーモールド成形、コンプレッションモールド成形等が挙げられる。
Next, as shown in FIG. 2B, after preparing a laminate including a
封止工程における加熱温度は、樹脂層20aが溶融する温度であれば特に限定されず、例えば20〜200℃であってもよい。封止工程における圧力は、特に限定されず、電子部品のサイズ、密集度等に応じて調整することができる。前記圧力は、例えば0.01〜5MPaであってもよい。加圧時間は、特に限定されず、例えば10秒〜30分であってもよい。
The heating temperature in the sealing step is not particularly limited as long as the
次に、図3(b)に示すように、樹脂層20aを硬化させて封止部(樹脂硬化層。樹脂層20aの硬化物)20を得ることにより封止構造体100を得る。樹脂層20aは、熱硬化させてもよく、光硬化させてもよい。硬化処理は、例えば大気下又は不活性ガス下で行うことができる。熱硬化の加熱温度は、特に限定されず、例えば80〜200℃であってもよい。硬化時間は、特に限定されず、例えば10〜600分であってもよい。
Next, as shown in FIG.3 (b), the
封止構造体の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではない。 The manufacturing method of a sealing structure is not limited to the said embodiment.
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in more detail, this invention is not limited to these Examples at all.
<実施例1>
(ワニスの調製)
組成Aを有するワニス(ワニス状樹脂組成物)を以下のとおり調製した。まず、10Lのポリエチレン容器に有機溶剤:メチルエチルケトンを172g入れた。無機充填材:酸化アルミニウム粒子(住友化学株式会社製、商品名:AA−1.5、平均粒子径:1.5μm)を542g前記容器に加えた後、撹拌羽根で無機充填材を分散して分散液を得た。この分散液に、熱硬化性樹脂:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱化学株式会社製、商品名:jER806、エポキシ当量:160g/eq、25℃にて液状を示すエポキシ樹脂)を48g、熱硬化性樹脂:ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂(DIC株式会社製、商品名:EXA−4750、エポキシ当量:182g/eq、25℃にて液状を示さないエポキシ樹脂)を12g、硬化剤:フェノールノボラック樹脂(旭有機材工業株式会社製、商品名:PAPS−PN2、フェノール性水酸基当量:104g/eq、25℃にて液状を示さないフェノール樹脂)を38g加えて撹拌した。硬化剤が溶解したことを確認した後、硬化促進剤:2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業株式会社製、商品名:2P4MZ)を0.8g加えて更に1時間撹拌して混合液を得た。この混合液をナイロン製#200メッシュ(開口75μm)でろ過し、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。
<Example 1>
(Preparation of varnish)
A varnish having a composition A (varnish-like resin composition) was prepared as follows. First, 172 g of an organic solvent: methyl ethyl ketone was placed in a 10 L polyethylene container. Inorganic filler: After adding 542 g of aluminum oxide particles (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: AA-1.5, average particle size: 1.5 μm) to the container, the inorganic filler was dispersed with a stirring blade. A dispersion was obtained. In this dispersion, 48 g of thermosetting resin: bisphenol F type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name: jER806, epoxy equivalent: 160 g / eq, epoxy resin which is liquid at 25 ° C.), thermosetting Resin: 12 g of naphthalene skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin (manufactured by DIC Corporation, trade name: EXA-4750, epoxy equivalent: 182 g / eq, epoxy resin not showing liquid at 25 ° C.), curing agent: phenol novolac resin (Asahi Organic Materials Co., Ltd., trade name: PAPS-PN2, phenolic hydroxyl group equivalent: 104 g / eq, phenol resin not showing liquid at 25 ° C.) was added and stirred. After confirming that the curing agent was dissolved, 0.8 g of curing accelerator: 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name: 2P4MZ) was added, and the mixture was further stirred for 1 hour. Got. This mixed solution was filtered through nylon # 200 mesh (opening 75 μm), and the filtrate was collected to prepare a varnish-like epoxy resin composition.
(封止材の作製)
塗工機を使用して銅箔(日本電解株式会社製、商品名:YGP−35R、銅箔厚み:35μm)上に前記ワニスを塗布して塗膜を得た後に塗膜を乾燥させて、銅箔上に樹脂層を形成した。塗布及び乾燥は、下記条件で行った。乾燥後の樹脂層の厚みは150μmであった。樹脂層の銅箔とは反対側に50μm厚の保護層(ポリエチレンフィルム)を配置することにより封止材を得た。なお、下記の各測定においては、保護層を剥離した上で測定を行った。
塗工機:株式会社ヒラノテクシード製のダイコータ
塗布ヘッド方式:コンマ
塗布及び乾燥速度:5.0m/分
乾燥条件(温度/炉長):60℃/3.3m、90℃/3.3m、110℃/3.3m
(Preparation of sealing material)
Using a coating machine, the varnish was applied on a copper foil (trade name: YGP-35R, copper foil thickness: 35 μm, manufactured by Nippon Electrolytic Co., Ltd.) to obtain a coating film, and then the coating film was dried. A resin layer was formed on the copper foil. Application and drying were performed under the following conditions. The thickness of the resin layer after drying was 150 μm. A sealing material was obtained by disposing a protective layer (polyethylene film) having a thickness of 50 μm on the opposite side of the resin layer from the copper foil. In each of the following measurements, the measurement was performed after the protective layer was peeled off.
Coating machine: Die coater manufactured by Hirano Techseed Co., Ltd. Coating head method: Comma Coating and drying speed: 5.0 m / min Drying conditions (temperature / furnace length): 60 ° C./3.3 m, 90 ° C./3.3 m, 110 ° C. /3.3m
(封止構造体の作製)
封止材の樹脂層が電子部品(厚み:75μm)に接するように下記ラミネート条件で封止材を電子部品にラミネートした。次に、下記硬化条件で樹脂層を熱硬化させて封止構造体を得た。
(Preparation of sealing structure)
The sealing material was laminated to the electronic component under the following lamination conditions so that the resin layer of the sealing material was in contact with the electronic component (thickness: 75 μm). Next, the resin layer was thermally cured under the following curing conditions to obtain a sealed structure.
[ラミネート条件]
ラミネータ装置:株式会社名機製作所製、真空加圧ラミネータMVLP−500
ラミネート温度:110℃
ラミネート圧力:0.5MPa
真空引き時間:30秒
ラミネート時間:40秒
[Lamination condition]
Laminator device: manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., vacuum pressure laminator MVLP-500
Lamination temperature: 110 ° C
Lamination pressure: 0.5 MPa
Vacuuming time: 30 seconds Laminating time: 40 seconds
[硬化条件]
オーブン:エスペック株式会社製、SAFETY OVEN SPH−201
オーブン温度:140℃
時間:120分
[Curing conditions]
Oven: manufactured by ESPEC CORP., SAFETY OVEN SPH-201
Oven temperature: 140 ° C
Time: 120 minutes
(評価)
[電子部品の封止性の評価]
封止構造体の断面を観察することにより電子部品の封止性を評価した。電子部品が埋め込まれ、且つ、ボイドが観察されない場合を「〇」と評価し、電子部品が埋め込まれない場合、もしくは、埋め込み不充分でボイドが観察された場合を「×」と評価した。結果を表1に示す。
(Evaluation)
[Evaluation of sealing performance of electronic components]
The sealing performance of the electronic component was evaluated by observing the cross section of the sealing structure. The case where the electronic component was embedded and no void was observed was evaluated as “◯”, and the case where the electronic component was not embedded or insufficiently embedded was evaluated as “x”. The results are shown in Table 1.
[電磁波遮蔽性の評価]
50MHz〜20GHzの周波数領域の電磁波の減衰量により電磁波遮蔽性を評価した。電磁波の減衰量が3db以上の場合を「〇」と評価し、3db未満の場合を「×」と評価した。結果を表1に示す。
[Evaluation of electromagnetic shielding properties]
Electromagnetic wave shielding was evaluated by the amount of electromagnetic wave attenuation in the frequency range of 50 MHz to 20 GHz. The case where the attenuation of the electromagnetic wave was 3 db or more was evaluated as “◯”, and the case where it was less than 3 db was evaluated as “x”. The results are shown in Table 1.
<比較例1>
実施例1で得られた封止材の金属層を除去し、樹脂層のみとした封止材を得た。この封止材の樹脂層によって実施例1と同様の電子部品を封止して封止構造体を得た。そして、実施例1と同様に、電子部品の封止性及び電磁波遮蔽性を評価した。結果を表1に示す。
<Comparative Example 1>
The metal layer of the sealing material obtained in Example 1 was removed to obtain a sealing material having only a resin layer. An electronic component similar to that in Example 1 was sealed with the resin layer of the sealing material to obtain a sealing structure. And like Example 1, the sealing performance and electromagnetic wave shielding property of an electronic component were evaluated. The results are shown in Table 1.
<比較例2>
実施例1で用いた銅箔のみを封止材として用いた。樹脂層を有さないため、電子部品を封止することができなかったことから、電子部品の封止性を「×」と評価した。
<Comparative example 2>
Only the copper foil used in Example 1 was used as a sealing material. Since the electronic component could not be sealed because it did not have a resin layer, the sealing performance of the electronic component was evaluated as “x”.
1…封止材、10…電子部品、20…封止部、20a…樹脂層、30…金属層、50…基板、60…仮固定層、100…封止構造体。
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記樹脂層により電子部品を封止するために用いられる、封止材。 A metal layer, and a resin layer disposed on the metal layer,
The sealing material used in order to seal an electronic component with the said resin layer.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024124487A1 (en) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | 庆鼎精密电子(淮安)有限公司 | System-in-package module and preparation method therefor |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000174045A (en) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Nitto Denko Corp | Sheet for sfaling semiconductor element, semicondcutor device and manufacture thereof |
JP2014229771A (en) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 日東電工株式会社 | Method for manufacturing electronic component device, laminated sheet, and electronic component device |
JP2015026763A (en) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 信越化学工業株式会社 | Sealant with base material for semiconductor sealing use, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
US20160133579A1 (en) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000174045A (en) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Nitto Denko Corp | Sheet for sfaling semiconductor element, semicondcutor device and manufacture thereof |
JP2014229771A (en) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 日東電工株式会社 | Method for manufacturing electronic component device, laminated sheet, and electronic component device |
CN105210184A (en) * | 2013-05-23 | 2015-12-30 | 日东电工株式会社 | Electronic-component-device manufacturing method, laminated sheet, and electronic-component device |
JP2015026763A (en) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 信越化学工業株式会社 | Sealant with base material for semiconductor sealing use, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
US20160133579A1 (en) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus |
JP2016092275A (en) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 信越化学工業株式会社 | Electromagnetic wave-shielding support base-attached sealing material, sealed semiconductor element-mounted substrate, sealed semiconductor element-formed wafer, and semiconductor device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024124487A1 (en) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | 庆鼎精密电子(淮安)有限公司 | System-in-package module and preparation method therefor |
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