JP2018041404A - ストレージシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 実施形態によれば、ストレージシステムは、それぞれが、複数の不揮発性半導体メモリを具備し、ネットワークにより互いに接続される第1ストレージデバイス及び第2ストレージデバイスと、前記第1ストレージデバイス及び前記第2ストレージデバイスに接続される第1接続ユニット及び第2接続ユニットと、を具備する。前記第1接続ユニットは、前記第1ストレージデバイスの前記複数の不揮発性半導体メモリの中の第1不揮発性半導体メモリにI/O要求を送信し、前記I/O要求を受信した前記第1不揮発性半導体メモリは、当該第1不揮発性半導体メモリの状況を示す状況情報を前記第1接続ユニットに返信し、前記第1接続ユニットは、前記状況情報に応じて前記第1不揮発性半導体メモリの動作を制御する。
【選択図】図10
Description
[全体構成]
図1は、実施形態のストレージシステムの応用例の一例、例えばビッグデータ分析システムのブロック図である。LAN12に多数のクライアント端末(以下、単にクライアントと称する)10と、ストレージシステム16が接続される。ストレージシステム16は、フラッシュメモリ等を含む多数の不揮発性半導体メモリを含む。LAN12を用いずに、多数のクライアント10がストレージシステム16に直接に接続されてもよい。管理者端末14がストレージシステム16に直接に接続されているが、管理者端末14はLAN12を介してストレージシステム16に接続されてもよい。クライアント10はストレージシステム16にアクセスして、希望のデータをストレージシステム16から読み出し、あるいは処理後のデータをストレージシステム16に書込む。ストレージシステム16はインターネット18にも接続され、同じくインターネット18に接続される多数のセンサ20のセンスデータがストレージシステム16に格納される。
図2は、ストレージシステム16の一例を示す。ストレージシステム16は、ストレージ部30、多数の接続ユニット(CU:Connection Unit)32、システムマネージャ34、管理者端末インターフェース36、電源ユニット(PSU:Power Supplying Unit)38、バッテリバックアップユニット(BBU:Battery Backup Unit)42等を含むが、この構成に限定されない。
図3は、接続ユニット32の一例を示すブロック図である。接続ユニット32は、CPUなどのプロセッサ72と、第1インターフェース76と、第2インターフェース78と、メモリ74と、第3インターフェース80とを含むが、この構成に限定されない。
図4は、ストレージ部30の詳細を示す。4つのノードモジュール54を管理するルーティング回路52はFPGA(Field-Programmable Gate Array)により構成される。説明の便宜上、1つのルーティング回路52と4つのノードモジュール54を1つのFPGA82と称する。左上のFPGA082は1つのルーティング回路52と4つのノードモジュールNM(0,0)、NM(1,0)、NM(0,1)、NM(1,1)を含む。同様に、FPGA182は1つのルーティング回路52と4つのノードモジュールNM(2,0)、NM(3,0)、NM(2,1)、NM(3,1)を含む。説明の便宜上、ストレージ部30の4つのFPGAを例にとると、4つのFPGA0〜FPGA3の各FPGAアドレスは、2進数表記で(000,000)、(010,000)、(000,010)および(010,010)で表される。FPGAアドレスはルーティング時にパケットを中継するためのアドレスである。
図5は、FPGA82の一例を示すブロック図である。FPGA82は、例えば、1つのルーティング回路52と、4つのノードモジュール54以外にも、5つのパケットマネジメントユニット(PMU:Packet Management Unit)901〜905と、PCIeインターフェース92とを含むが、この構成に限定されない。
図6は、ノードモジュール54の一例を示すブロック図である。ノードモジュール54は、ノードコントローラ94と、不揮発性半導体メモリ96と、ワークメモリ98を含むが、この構成に限定されない。
図7は、実施形態のストレージシステム16において送信されるデータ・情報のパケットの一例を示す。パケットは、ヘッダ領域HAと、ペイロード領域PAと、冗長領域RAとを含むが、この構成に限定されない。
図8はルーティング回路52のパケット転送動作を説明するフローチャートである。
図10は接続ユニット32の動作例を示すフローチャートである。図11はノードモジュール54の動作例を示すフローチャートである。これらを参照して、第1実施形態の動作の一例を説明する。
=((ドライバPMU時間)xα_pmutime)>> β_pmutime
+((process_time) x α_temmc)>> β_temmc
+(リトライ回数) x α_retry
+γ_delay (1)
式(1)の各変数はNM情報に含まれるものであり、ドライバPMU時間は、ドライバから発行パケットが発行されて、応答パケットが戻ってくるまでの時間であり、接続ユニット32からノードモジュール54までのパケットルーティング時間と、ノードモジュール54でのコマンド処理時間と、ノードモジュール54から接続ユニット32までのパケットルーティング時間の合計値である。
1.000 → 1、 1.001 → 1、 1.500 → 1、 1.999 → 1
2.000 → 2、 2.999 → 3、 3.000 → 3、 のような処理が行われる。
第1実施形態ではクライアントからのコマンドを受けると、接続ユニット32はノードモジュール54の状態に関わらずノードモジュール54へ要求を送信する。これとは異なり、ノードモジュール54への要求の送信前に、ノードモジュール54の状態を確認する第2実施形態を説明する。
第1、第2実施形態では、リトライ間隔は、現在設定されているリトライ間隔と、NM情報とに基づいて計算されている。この計算によるリトライ間隔後のリトライ時には、ノードモジュールのビジー状態が解消されている筈であるが、不揮発性半導体メモリ96のアクセス速度にばらつきがあれば、リトライ時にノードモジュールのビジー状態が解消されていない場合もあり得る。このため、第3実施形態では、NM情報が各リトライの成否を示す項目も含む。Q-Learningのようにリトライの成否情報を報酬として与えても良い。接続ユニット32はNM情報をノードモジュール毎に保存し、統計処理して、ノードモジュール毎に最適なリトライ間隔を学習により決定する。
=((ドライバPMU時間)xα_pmutime)>> β_pmutime
+((process_time) x α_temmc)>> β_temmc
+(リトライ回数) x α_retry
+γ_delay
+ (1 − 2 × success(t)) )xα_success (2)
式(2)で、success(t)は前回リトライが成功であれば1、失敗であれば0である。
上述の実施形態は、ノードモジュール54からのNM情報に基づいてリトライ間隔を調整することにより、ストレージシステム16の性能を向上するが、ノードモジュール54からのレスポンス情報に基づいて接続ユニット32の接続ポートを変更することにより、ストレージシステム16の性能を向上する第4実施形態を説明する。接続ユニット32は、複数の例えば、2つの接続ポートを有し、それぞれ異なる2つのルーティング回路52に直接に接続される。
上述の実施形態は、ノードモジュール54からのNM情報に基づいてリトライ間隔を調整し、あるいはI/O要求を送信する接続ポートを切り換えることにより、ストレージシステム16の性能を向上するが、ノードモジュール54からのNM情報に基づいてバックグラウンドオペレーションの起動タイミングを調整することにより、ストレージシステム16の性能を向上する第5実施形態を説明する。
上述の実施形態を組み合わせた第6実施形態を説明する。
Claims (12)
- それぞれが、複数の不揮発性半導体メモリを具備し、ネットワークにより互いに接続される第1ストレージデバイス及び第2ストレージデバイスと、
前記第1ストレージデバイス及び前記第2ストレージデバイスに接続される第1接続ユニット及び第2接続ユニットと、を具備するストレージシステムであって、
前記第1接続ユニットは、前記第1ストレージデバイスの前記複数の不揮発性半導体メモリの中の第1不揮発性半導体メモリにI/O要求を送信し、
前記I/O要求を受信した前記第1不揮発性半導体メモリは、当該第1不揮発性半導体メモリの状況を示す状況情報を前記第1接続ユニットに返信し、
前記第1接続ユニットは、前記状況情報に応じて前記第1不揮発性半導体メモリの動作を制御するストレージシステム。 - 前記第1不揮発性半導体メモリは、前記I/O要求を保存するメモリを具備し、
前記第1不揮発性半導体メモリは、前記I/O要求が前記メモリに保存できない場合、前記状況情報を含むビジー応答を前記第1接続ユニットに返信し、
前記第1接続ユニットは、前記第1不揮発性半導体メモリから前記ビジー応答を受信すると、前記状況情報に応じたリトライ時間後に前記I/O要求を再送する請求項1記載のストレージシステム。 - 前記リトライ時間は、以前のリトライ時間と、前記状況情報とに応じて決定される請求項2記載のストレージシステム。
- 前記第1不揮発性半導体メモリは、前記I/O要求を保存する第1メモリを具備し、
前記第1不揮発性半導体メモリは、前記I/O要求が前記第1メモリに保存できない場合、前記状況情報を含むビジー応答を前記第1接続ユニットに返信し、
前記第1接続ユニットは、前記第1不揮発性半導体メモリから送信された複数のビジー応答の状況情報を保存する第2メモリを具備し、前記第2メモリに保存された前記複数のビジー応答の状況情報に応じたリトライ時間後に前記I/O要求を再送する請求項1記載のストレージシステム。 - 前記リトライ時間は、以前のリトライ時間と、前記複数のビジー応答の状況情報とに応じて決定される請求項4記載のストレージシステム。
- 前記第1ストレージデバイスは、受信した前記I/O要求を前記第2ストレージデバイスに転送することができ、
前記第2ストレージデバイスは、受信した前記I/O要求を前記第1ストレージデバイスに転送することができ、
前記第1接続ユニットは、前記第1ストレージデバイスに接続される第1ポートと、前記第2ストレージデバイスに接続される第2ポートとを具備し、
前記第1接続ユニットは、前記第1ポートを介して前記第1ストレージデバイスの前記複数の不揮発性半導体メモリの中の第1不揮発性半導体メモリにI/O要求を送信し、
前記第1不揮発性半導体メモリは、前記I/O要求を保存する第1メモリを具備し、
前記第1不揮発性半導体メモリは、前記I/O要求が前記メモリに保存できない場合、前記状況情報及び前記第1接続ユニットから前記第1不揮発性半導体メモリまでのネットワークの混雑度を示す混雑情報を含むビジー応答を前記第1接続ユニットに返信し、
前記第1接続ユニットは、前記第1不揮発性半導体メモリから前記ビジー応答を受信して、前記混雑情報が閾値以上の混雑を示す場合、前記第2ポートを介して前記第1ストレージデバイスの前記第1不揮発性半導体メモリに前記I/O要求を送信する請求項1記載のストレージシステム。 - 前記第1接続ユニットは、前記第1不揮発性半導体メモリから前記ビジー応答を受信して、前記混雑情報が閾値以上の混雑を示さない場合、前記状況情報に応じたリトライ時間後に前記I/O要求を前記第1ポートを介して再送する請求項6記載のストレージシステム。
- 前記I/O要求を保存するメモリをさらに具備し、
前記第1不揮発性半導体メモリは、前記I/O要求が前記メモリに保存できない場合、前記状況情報を含むビジー応答を前記第1接続ユニットに返信し、
前記第1接続ユニットは、前記ビジー応答を受信すると、前記状況情報に応じたタイミングで前記第1不揮発性半導体メモリのバックグラウンド処理を起動する請求項1記載のストレージシステム。 - 前記第1不揮発性半導体メモリは、前記状況情報及び前記第1接続ユニットから前記第1不揮発性半導体メモリまでのネットワークの混雑度を示す混雑情報を含む応答を前記第1接続ユニットに返信し、
前記第1接続ユニットは、前記第1不揮発性半導体メモリから前記応答を受信すると、前記状況情報及び混雑情報に応じたタイミングで前記第1不揮発性半導体メモリのバックグラウンド処理を起動する請求項8記載のストレージシステム。 - 前記第1接続ユニットは、前記第1ストレージデバイスの前記複数の不揮発性半導体メモリの中の第1不揮発性半導体メモリに送信する予定の複数のI/O要求を保存するメモリを具備し、
前記第1接続ユニットは、前記第1不揮発性半導体メモリから前記ビジー応答を受信すると、前記状況情報及び前記混雑情報及び前記メモリに保存されているI/O要求の数に応じたタイミングで前記第1不揮発性半導体メモリのバックグラウンド処理を起動する請求項9記載のストレージシステム。 - 前記第1ストレージデバイス及び前記第2ストレージデバイスの各々は、前記複数の不揮発性半導体メモリと、前記複数の不揮発性半導体メモリに接続されるルーティング回路とを具備し、
前記第1接続ユニットは、前記ルーティング回路に接続され、
前記第1ストレージデバイスの前記ルーティング回路及び前記第2ストレージデバイスの前記ルーティング回路は前記ネットワークにより互いに接続される請求項1乃至請求項10のいずれか一項記載のストレージシステム。 - それぞれが、複数の不揮発性半導体メモリを具備し、ネットワークにより互いに接続される第1ストレージデバイス及び第2ストレージデバイスと、
前記第1ストレージデバイス及び前記第2ストレージデバイスに接続される第1接続ユニット及び第2接続ユニットと、を具備するストレージシステムにおける方法であって、
前記第1接続ユニットは、前記第1ストレージデバイスの前記複数の不揮発性半導体メモリの中の第1不揮発性半導体メモリにI/O要求を送信し、
前記I/O要求が受信されると、当該第1不揮発性半導体メモリの状況を示す状況情報が前記第1接続ユニットに返信され、
前記第1接続ユニットは、前記状況情報に応じて前記第1不揮発性半導体メモリの動作を制御する方法。
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