JP2018032731A - Substrate for heat sink-equipped power module, and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a power module substrate with a heat sink and a method for manufacturing a power module substrate with a heat sink.
ＬＥＤやパワーモジュール等の半導体装置においては、導電材料からなる回路層の上に半導体素子が接合された構造とされている。
風力発電、電気自動車、ハイブリッド自動車等を制御するために用いられる大電力制御用のパワー半導体素子においては、発熱量が多いことから、これを搭載する基板としては、例えばＡｌＮ（窒化アルミ）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）などからなるセラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して形成した回路層と、を備えたパワーモジュール用基板が、従来から広く用いられている。なお、パワージュール用基板としては、セラミックス基板の他方の面に金属層を形成したものも提供されている。
A semiconductor device such as an LED or a power module has a structure in which a semiconductor element is bonded on a circuit layer made of a conductive material.
In power semiconductor elements for large power control used to control wind power generation, electric vehicles, hybrid vehicles, etc., the amount of heat generated is large. Therefore, for example, AlN (aluminum nitride), Al 2. Description of the Related Art Conventionally, a power module substrate including a ceramic substrate made of 2 O 3 (alumina) or the like and a circuit layer formed by bonding a metal plate having excellent conductivity to one surface of the ceramic substrate has been widely used. It is used. In addition, as a power joule substrate, a substrate having a metal layer formed on the other surface of a ceramic substrate is also provided.
例えば、特許文献１には、セラミックス基板の一方の面及び他方の面にアルミニウム板または銅板からなる回路層及び金属層が形成されたパワーモジュール用基板が開示されている。
そして、パワーモジュール用基板の他方の面側には、ヒートシンクが接合されており、半導体素子からパワーモジュール用基板側に伝達された熱を、ヒートシンクを介して外部へ放散する構成とされている。
For example, Patent Document 1 discloses a power module substrate in which a circuit layer and a metal layer made of an aluminum plate or a copper plate are formed on one surface and the other surface of a ceramic substrate.
A heat sink is bonded to the other surface side of the power module substrate, and heat transferred from the semiconductor element to the power module substrate side is dissipated to the outside through the heat sink.
ところで、特許文献１に示すように、パワーモジュール用基板の金属層が銅板で構成されている場合には、銅は比較的変形抵抗が高いため、ヒートサイクルが負荷された際に、セラミックス基板と銅板との間に生じる熱応力によって、セラミックス基板に割れが発生しやすくなるといった問題があった。一方、金属層が変形抵抗の小さなアルミニウム板で構成されている場合には、ヒートサイクルが負荷された際に、金属層が変形することによってセラミックス基板と金属層との間に生じる熱応力を緩和することができ、セラミックス基板の割れを抑制することができる。 By the way, as shown in Patent Document 1, when the metal layer of the power module substrate is made of a copper plate, since copper has a relatively high deformation resistance, when a heat cycle is applied, the ceramic substrate and There has been a problem that cracks are likely to occur in the ceramic substrate due to thermal stress generated between the copper plate and the copper plate. On the other hand, when the metal layer is composed of an aluminum plate with low deformation resistance, the thermal stress generated between the ceramic substrate and the metal layer is reduced by the deformation of the metal layer when a heat cycle is applied. And cracking of the ceramic substrate can be suppressed.
しかしながら、最近では、パワーモジュールの小型化・薄肉化が進められるとともに、その使用環境も厳しくなってきており、半導体素子からの発熱量が大きくなり、ヒートサイクルの条件が厳しくなっている。
ここで、金属層を純度が９９ｍａｓｓ％程度の２Ｎアルミニウムで構成した場合には、変形抵抗が比較的大きくなり、厳しい条件のヒートサイクルが負荷された際に十分に変形せず、金属層の界面で応力が集中して、セラミックス基板と金属層の剥離が生じ、接合信頼性が低下するおそれがあった。一方、回路層を純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上の４Ｎアルミニウムで構成した場合には、変形抵抗が比較的小さくなり、ヒートサイクル負荷時に塑性変形したり、また繰り返し変形することで結晶粒径が微細化し、この結晶粒が微細化した領域にクラックが発生することによって、金属層の内部破断が生じ、熱抵抗が上昇するおそれがあった。
However, recently, power modules have been reduced in size and thickness, and the usage environment has become severe. The amount of heat generated from semiconductor elements has increased, and the conditions of heat cycle have become severe.
Here, when the metal layer is made of 2N aluminum having a purity of about 99 mass%, the deformation resistance becomes relatively large, and the metal layer interface does not deform sufficiently when a severe heat cycle is applied. In this case, the stress is concentrated, and the ceramic substrate and the metal layer are peeled off, which may reduce the bonding reliability. On the other hand, when the circuit layer is made of 4N aluminum having a purity of 99.99 mass% or more, the deformation resistance becomes relatively small, and the crystal grain size becomes fine due to plastic deformation or repeated deformation during a heat cycle load. Then, cracks are generated in the region where the crystal grains are miniaturized, thereby causing internal breakage of the metal layer and increasing the thermal resistance.
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、比較的条件の厳しいヒートサイクルを負荷させた場合であっても、セラミックス基板の割れや、セラミックス基板の一方の面に形成された金属層の剥離や金属層の内部破断を抑制することができ、ヒートサイクル信頼性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板およびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and even when a relatively severe heat cycle is applied, the ceramic substrate is cracked or formed on one surface of the ceramic substrate. An object of the present invention is to provide a power module substrate with a heat sink that can suppress peeling of the metal layer and internal fracture of the metal layer and has excellent heat cycle reliability, and a method for manufacturing the same.
このような課題を解決して前記目的を達成するために、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板は、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に接合された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に接合された金属層と、この金属層の前記セラミックス基板とは反対側の面に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、前記金属層が、ＳｉＣからなる多孔質体と、この多孔質体に含浸されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材とを有するＡｌ−ＳｉＣ複合材料で構成されていることを特徴としている。 In order to solve the above problems and achieve the above object, a power module substrate with a heat sink according to the present invention includes a ceramic substrate, a circuit layer bonded to one surface of the ceramic substrate, and the ceramic substrate. A power module substrate with a heat sink comprising: a metal layer bonded to the other surface; and a heat sink bonded to a surface of the metal layer opposite to the ceramic substrate, wherein the metal layer is SiC It is characterized by being comprised with the Al-SiC composite material which has the porous body which consists of, and the aluminum material which consists of the aluminum or aluminum alloy which was impregnated in this porous body.
この構成のヒートシンク付パワーモジュール用基板によれば、セラミックス基板の他方の面に形成された金属層が、ＳｉＣからなる多孔質体とこの多孔質体に含浸されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材とを有するＡｌ−ＳｉＣ複合材料で構成されているので、セラミックス基板と金属層との熱膨張係数の差が小さく、厳しい条件のヒートサイクルを負荷した場合であっても、セラミックス基板と金属層との間に大きな熱応力が作用することがなく、セラミックス基板と金属層の剥離を抑制することができる。また、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料は、ＳｉＣからなる多孔質体を有しており容易に変形しないことから、アルミニウム材の結晶粒が微細化することはなく、金属層の内部破断を抑制することができる。さらに、金属層がＡｌ−ＳｉＣ複合材料で構成されているので、セラミックス基板と金属層との線膨張係数の差が小さく、またＡｌ−ＳｉＣ複合材料はヤング率が大きいため、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の反りを低減することができ、さらにセラミックス基板の割れも抑制することができる。なお、ここでの反りは、室温時の反りだけでなく、例えば、約２８０℃のはんだ付け等の高温時の反りや、高温から室温へ冷却した場合の反りも含み、これらの反りも低減することが可能である。 According to the power module substrate with a heat sink having this configuration, the metal layer formed on the other surface of the ceramic substrate has a porous body made of SiC and an aluminum material made of aluminum or aluminum alloy impregnated in the porous body. The difference between the thermal expansion coefficients of the ceramic substrate and the metal layer is small, and even when a severe heat cycle is applied, the ceramic substrate and the metal layer A large thermal stress does not act between them, and the peeling of the ceramic substrate and the metal layer can be suppressed. Moreover, since the Al—SiC composite material has a porous body made of SiC and does not easily deform, the crystal grains of the aluminum material are not refined, and internal fracture of the metal layer can be suppressed. it can. Furthermore, since the metal layer is composed of an Al-SiC composite material, the difference in linear expansion coefficient between the ceramic substrate and the metal layer is small, and the Al-SiC composite material has a large Young's modulus, so it is for power modules with heat sinks. The warpage of the substrate can be reduced, and further the cracking of the ceramic substrate can be suppressed. The warpage here includes not only warpage at room temperature but also warpage at high temperature such as soldering at about 280 ° C. and warpage when cooled from high temperature to room temperature, and these warpages are also reduced. It is possible.
ここで、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板においては、前記セラミックス基板と前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料との間に、アルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む接合層が形成されていてもよい。
この場合、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料との間に形成された接合層によって、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料とが強固に接合されるので、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料の剥離を確実に抑制することができ、ヒートサイクル信頼性がより優れたものとなる。
Here, in the power module substrate with a heat sink of the present invention, a bonding layer containing aluminum, magnesium, and silicon may be formed between the ceramic substrate and the Al—SiC composite material.
In this case, the ceramic substrate and the Al-SiC composite material are firmly bonded by the bonding layer formed between the ceramic substrate and the Al-SiC composite material. It is possible to reliably suppress the heat cycle reliability.
上記本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板においては、前記接合層に、マグネシウム酸化物が析出していることが好ましい。
この場合、接合前のセラミックス基板と金属層であるＡｌ−ＳｉＣ複合材料との表面に形成されていた酸化被膜の酸素が、マグネシウム酸化物を形成して析出している、即ち、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料との接合時にマグネシウムの還元力によってその表面に存在していた酸化被膜が除去されているので、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料の接合強度が高くなり、セラミックス基板と金属層の剥離をより確実に抑制することができ、ヒートサイクル信頼性がさらに優れたものとなる。なお、接合層中のマグネシウム酸化物は、通常、セラミックス基板と接合層との接合界面近傍や、接合層とＡｌ−ＳｉＣ複合材料（スキン層）との界面近傍に析出している。
In the power module substrate with a heat sink of the present invention, magnesium oxide is preferably deposited on the bonding layer.
In this case, oxygen in the oxide film formed on the surface of the ceramic substrate before bonding and the Al—SiC composite material which is the metal layer is deposited by forming magnesium oxide, that is, the ceramic substrate and Al Since the oxide film existing on the surface is removed by the reducing power of magnesium at the time of bonding with the SiC composite material, the bonding strength between the ceramic substrate and the Al-SiC composite material is increased, and the ceramic substrate and the metal layer Peeling can be more reliably suppressed and the heat cycle reliability is further improved. Note that the magnesium oxide in the bonding layer is usually precipitated in the vicinity of the bonding interface between the ceramic substrate and the bonding layer and in the vicinity of the interface between the bonding layer and the Al—SiC composite material (skin layer).
また、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板においては、前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料の前記セラミックス基板側の表面に、アルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む接合部が形成されていてもよい。
この場合、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料に充填されているアルミニウム材の接合部によって、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料とが強固に接合されるので、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料の剥離を確実に抑制することができ、ヒートサイクル信頼性がより優れたものとなる。
In the power module substrate with a heat sink according to the present invention, a bonding portion containing aluminum, magnesium, and silicon may be formed on the surface of the Al—SiC composite material on the ceramic substrate side.
In this case, since the ceramic substrate and the Al-SiC composite material are firmly joined by the joint portion of the aluminum material filled in the Al-SiC composite material, the separation of the ceramic substrate and the Al-SiC composite material is ensured. It is possible to suppress the heat cycle reliability.
上記本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板においては、前記接合部に、マグネシウム酸化物が析出していることが好ましい。
この場合、接合前のセラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料との表面に形成されていた酸化被膜の酸素が、マグネシウム酸化物を形成して析出している、即ち、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料の接合時にマグネシウムの還元力によって、その表面に存在していた酸化被膜が除去されているので、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料の接合強度が高くなり、セラミックス基板と金属層の剥離をより確実に抑制することができ、ヒートサイクル信頼性がさらに優れたものとなる。なお、接合部中のマグネシウム酸化物は、通常、セラミックス基板との接合界面近傍に析出している。
In the substrate for a power module with a heat sink of the present invention, magnesium oxide is preferably deposited at the joint.
In this case, oxygen in the oxide film formed on the surface of the ceramic substrate before bonding and the Al—SiC composite material is precipitated by forming magnesium oxide, that is, the ceramic substrate and the Al—SiC composite material. Since the oxide film on the surface of the ceramic substrate and Al-SiC composite material is removed by the reducing power of magnesium during the bonding of the ceramic, the bonding strength between the ceramic substrate and the Al-SiC composite material is increased, and the ceramic substrate and the metal layer are more reliably peeled off. And the heat cycle reliability is further improved. In addition, the magnesium oxide in a junction part has normally precipitated in the joining interface vicinity with a ceramic substrate.
さらに、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板においては、前記ヒートシンクが、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材あるいは銅又は銅合金からなる銅部材で構成されていることが好ましい。
この場合、ヒートシンクが、熱伝導性に優れるアルミニウム部材あるいは銅部材で構成されているので、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の放熱特性を向上させることができる。
Furthermore, in the power module substrate with a heat sink of the present invention, the heat sink is preferably composed of an aluminum member made of aluminum or an aluminum alloy, or a copper member made of copper or a copper alloy.
In this case, since the heat sink is made of an aluminum member or a copper member having excellent thermal conductivity, the heat dissipation characteristics of the power module substrate with a heat sink can be improved.
またさらに、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板においては、前記回路層が、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、及びＳｉＣからなる多孔質体と、この多孔質体に含浸されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材とを有するＡｌ−ＳｉＣ複合材料のいずれかで構成されていることが好ましい。
この場合、回路層が、導電性に優れるアルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、及びＡｌ−ＳｉＣ複合材料のいずれかで構成されているので、回路層の導電性を確保することができる。
Furthermore, in the power module substrate with a heat sink of the present invention, the circuit layer includes a porous body made of aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, and SiC, and aluminum or aluminum impregnated in the porous body. It is preferably made of any one of Al—SiC composite materials having an aluminum material made of an alloy.
In this case, since the circuit layer is made of any one of aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, and Al—SiC composite material having excellent conductivity, the conductivity of the circuit layer can be ensured.
本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法は、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に接合された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に接合された金属層と、この金属層の前記セラミックス基板とは反対側の面に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、前記金属層は、ＳｉＣからなる多孔質体と、この多孔質体に含浸されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材とを有するＡｌ−ＳｉＣ複合材料で構成され、前記セラミックス基板と前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料とをアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材層と、このアルミニウム部材層の表裏面の少なくとも一方の面に形成されたマグネシウム層とを有する積層ろう材を介して積層して、得られた積層体を５５０℃以上５７５℃以下の温度範囲で加熱することによって、前記セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料とを接合する工程を、有し、前記積層ろう材のマグネシウム層と接触する前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料のアルミニウム材および前記積層ろう材のアルミニウム部材層のうちの少なくとも一方は、ケイ素含有量が０．１原子％以上であるＡｌ−Ｓｉ合金で構成されていることを特徴としている。 The method for manufacturing a power module substrate with a heat sink according to the present invention includes a ceramic substrate, a circuit layer bonded to one surface of the ceramic substrate, a metal layer bonded to the other surface of the ceramic substrate, and the metal And a heat sink bonded to a surface of the layer opposite to the ceramic substrate, wherein the metal layer includes a porous body made of SiC, and the porous layer. An aluminum member layer made of aluminum or an aluminum alloy, which is composed of an Al-SiC composite material having an aluminum material made of aluminum or an aluminum alloy impregnated in the body, and the aluminum substrate layer made of aluminum or an aluminum alloy. Magnesium formed on at least one of the front and back surfaces of the member layer A step of bonding the ceramic substrate and the Al-SiC composite material by heating the obtained laminated body in a temperature range of 550 ° C or higher and 575 ° C or lower. And at least one of the aluminum material of the Al—SiC composite material and the aluminum member layer of the laminated brazing material that is in contact with the magnesium layer of the laminated brazing material has a silicon content of 0.1 atomic% or more. It is characterized by comprising an Al-Si alloy.
この構成のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法では、積層ろう材のマグネシウム層とＡｌ−Ｓｉ合金とが接触しているので、５５０℃以上５７５℃以下の比較的低温での加熱によって、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料とを接合することができる。
即ち、マグネシウム層のマグネシウムがＡｌ−Ｓｉ合金層表面に存在する酸化被膜を除去するとともに、Ａｌ−Ｓｉ合金層へ拡散して、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料との間に、アルミニウムと、マグネシウムと、ケイ素と、拡散してきたマグネシウムとケイ素との反応によって形成されたＭｇ２Ｓｉとによって、液相が生成される。なお、この時に、液相に存在するマグネシウムによって、セラミックス基板やＡｌ−ＳｉＣ複合材料の表面の酸化被膜が除去される。そして、液相が凝固することによって、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料とが、アルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む接合層を介して接合される。なお、マグネシウム酸化物はこれらの酸化被膜とマグネシウムの反応によって生じる。
これによって、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料は、表面の酸化被膜が消失して、接合層との密着性が向上するので、セラミックス基板と金属層とが強固に接合したヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造することができる。また、加熱温度（接合温度）が５５０℃以上５７５℃以下と比較的低温であるので、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料のアルミニウム材が流出することによる空隙（ボイド）の発生を抑えることができ、得られたヒートシンク付パワーモジュール用基板はヒートサイクル信頼性が優れたものとなる。
In the method for manufacturing a power module substrate with a heat sink having this structure, the magnesium layer of the laminated brazing material and the Al—Si alloy are in contact with each other, so that the ceramic substrate is heated by heating at a relatively low temperature of 550 ° C. or more and 575 ° C. or less. And an Al-SiC composite material can be joined.
That is, magnesium in the magnesium layer removes the oxide film present on the surface of the Al—Si alloy layer and diffuses into the Al—Si alloy layer, so that aluminum and magnesium are interposed between the ceramic substrate and the Al—SiC composite material. A liquid phase is generated by silicon and Mg 2 Si formed by the reaction between diffused magnesium and silicon. At this time, the oxide film on the surface of the ceramic substrate or the Al—SiC composite material is removed by magnesium present in the liquid phase. Then, when the liquid phase is solidified, the ceramic substrate and the Al—SiC composite material are bonded through a bonding layer containing aluminum, magnesium, and silicon. Magnesium oxide is produced by the reaction between these oxide films and magnesium.
As a result, the ceramic substrate and the Al—SiC composite material lose the oxide film on the surface and improve the adhesion to the bonding layer. Therefore, the substrate for the power module with a heat sink in which the ceramic substrate and the metal layer are firmly bonded. Can be manufactured. In addition, since the heating temperature (joining temperature) is relatively low at 550 ° C. or more and 575 ° C. or less, generation of voids due to the flow of the aluminum material of the Al—SiC composite material can be suppressed and obtained. The power module substrate with a heat sink has excellent heat cycle reliability.
また、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板の別の製造方法は、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に接合された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に接合された金属層と、この金属層の前記セラミックス基板とは反対側の面に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、前記金属層は、ＳｉＣからなる多孔質体と、この多孔質体に含浸されたケイ素含有量が０．１原子％以上であるＡｌ−Ｓｉ合金からなるアルミニウム材とを有するＡｌ−ＳｉＣ複合材料で構成され、前記セラミックス基板および前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料のうちの少なくとも一方の表面に、厚さが０．１μｍ以上１０μｍ以下のマグネシウム層を形成し、前記セラミックス基板と前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料とを、前記マグネシウム層を介して積層し、得られた積層体を５５０℃以上５７５℃以下の温度範囲で加熱することによって、前記セラミックス基板と前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料とを接合する工程を、有することを特徴としている。 Further, another method for manufacturing a power module substrate with a heat sink according to the present invention includes a ceramic substrate, a circuit layer bonded to one surface of the ceramic substrate, and a metal layer bonded to the other surface of the ceramic substrate. And a heat sink bonded to a surface of the metal layer opposite to the ceramic substrate, and a method for manufacturing a power module substrate with a heat sink, wherein the metal layer is made of a porous body made of SiC. And an Al-SiC composite material having an aluminum material made of an Al-Si alloy having a silicon content of 0.1 atomic% or more impregnated in the porous body, the ceramic substrate and the Al-SiC composite A ceramic layer having a thickness of 0.1 μm or more and 10 μm or less formed on at least one surface of the material; And the Al—SiC composite material are laminated through the magnesium layer, and the obtained laminate is heated in a temperature range of 550 ° C. or more and 575 ° C. or less, whereby the ceramic substrate and the Al—SiC composite material are heated. It has the process of joining.
この構成のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法では、マグネシウム層とＡｌ−ＳｉＣ複合材料のＡｌ−Ｓｉ合金とが接触しているので、５５０℃以上５７５℃以下の比較的低温での加熱により、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料とを接合することができる。
即ち、マグネシウム層のマグネシウムがセラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料の表面に存在する酸化被膜を除去するとともに、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料のアルミニウム材（即ち、Ａｌ−Ｓｉ合金）へ拡散して、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料との間に、アルミニウム、とマグネシウムと、ケイ素と、拡散してきたマグネシウムとケイ素との反応によって形成されたＭｇ２Ｓｉとによって、液相が生成される。そして、液相が凝固することによって、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料とが、アルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む接合部を介して接合される。なお、マグネシウム酸化物はこれらの酸化被膜とマグネシウムの反応によって生じる。
これによって、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料は、表面の酸化被膜が消失して、接合部との密着性が向上するので、セラミックス基板と金属層とが強固に接合したヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造することができる。また、加熱温度（接合温度）が５５０℃以上５７５℃以下と比較的低温であるので、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料のアルミニウム材が流出することによる空隙（ボイド）の発生を抑えることができ、得られたヒートシンク付パワーモジュール用基板はヒートサイクル信頼性が優れたものとなる。
In the manufacturing method of the power module substrate with a heat sink having this configuration, the magnesium layer and the Al—Si alloy of the Al—SiC composite material are in contact with each other, and therefore, by heating at a relatively low temperature of 550 ° C. or more and 575 ° C. or less, The ceramic substrate and the Al—SiC composite material can be joined.
That is, the magnesium of the magnesium layer removes the oxide film present on the surface of the ceramic substrate and the Al—SiC composite material, and diffuses into the aluminum material (that is, Al—Si alloy) of the Al—SiC composite material. A liquid phase is generated between aluminum and Al—SiC composite material by aluminum, magnesium, silicon, and Mg 2 Si formed by the reaction of diffused magnesium and silicon. And when a liquid phase solidifies, a ceramic substrate and an Al-SiC composite material are joined via the junction part containing aluminum, magnesium, and silicon. Magnesium oxide is produced by the reaction between these oxide films and magnesium.
As a result, the ceramic substrate and the Al-SiC composite material lose the oxide film on the surface and improve the adhesion to the joint. Therefore, the substrate for the power module with a heat sink in which the ceramic substrate and the metal layer are firmly bonded. Can be manufactured. In addition, since the heating temperature (joining temperature) is relatively low at 550 ° C. or more and 575 ° C. or less, generation of voids due to the flow of the aluminum material of the Al—SiC composite material can be suppressed and obtained. The power module substrate with a heat sink has excellent heat cycle reliability.
本発明によれば、比較的条件の厳しいヒートサイクルを負荷させた場合であっても、セラミックス基板の割れや、セラミックス基板の一方の面に形成された金属層の剥離や金属層の内部破断を抑制することができ、ヒートサイクル信頼性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板およびその製造方法を提供することが可能となる。 According to the present invention, even when a relatively severe heat cycle is applied, cracking of the ceramic substrate, peeling of the metal layer formed on one surface of the ceramic substrate, or internal fracture of the metal layer is prevented. It is possible to provide a power module substrate with a heat sink and a method for manufacturing the same that can be suppressed and have excellent heat cycle reliability.
以下、図面を参照して、本発明のヒートシンク付きパワーモジュール用基板とその製造方法について説明する。なお、以下に示す各実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。 Hereinafter, a power module substrate with a heat sink of the present invention and a manufacturing method thereof will be described with reference to the drawings. Each embodiment described below is specifically described for better understanding of the gist of the invention, and does not limit the present invention unless otherwise specified. In addition, in the drawings used in the following description, in order to make the features of the present invention easier to understand, there is a case where a main part is shown in an enlarged manner for convenience, and the dimensional ratio of each component is the same as the actual one. Not necessarily. Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
図１に、本発明の実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板の概略断面図を示す。図１において、ヒートシンク付パワーモジュール用基板１は、パワーモジュール用基板１０とヒートシンク２０とを備える。 FIG. 1 is a schematic sectional view of a power module substrate with a heat sink according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a power module substrate 1 with a heat sink includes a power module substrate 10 and a heat sink 20.
パワーモジュール用基板１０は、セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面（図１において上面）に接合された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面（図１において下面）に接合された金属層１３とを備えている。
セラミックス基板１１は、回路層１２と金属層１３との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性および放熱性に優れたＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）等のセラミックスで構成されている。本実施形態では、ＡｌＮで構成されている。セラミックス基板１１の厚さは、０．２〜１．５ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６３５ｍｍに設定されている。
The power module substrate 10 is bonded to the ceramic substrate 11, the circuit layer 12 bonded to one surface (upper surface in FIG. 1) of the ceramic substrate 11, and the other surface (lower surface in FIG. 1) of the ceramic substrate 11. The metal layer 13 is provided.
The ceramic substrate 11 prevents electrical connection between the circuit layer 12 and the metal layer 13, and has excellent insulating properties and heat dissipation properties such as Si 3 N 4 (silicon nitride), AlN (aluminum nitride), is composed of al 2 O 3 (alumina) or the like of the ceramics. In this embodiment, it is made of AlN. The thickness of the ceramic substrate 11 is set within a range of 0.2 to 1.5 mm, and is set to 0.635 mm in the present embodiment.
回路層１２は、セラミックス基板１１の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム部材が接合されることで形成されている。アルミニウム部材としては、純度が９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（２Ｎアルミニウム）や純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（４Ｎアルミニウム）を用いることができる。本実施形態では、４Ｎアルミニウムの圧延板を用いている。回路層１２の厚さは、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では０．４ｍｍに設定されている。回路層１２とセラミックス基板１１とは、例えば、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材によって接合されている。 The circuit layer 12 is formed by joining an aluminum member made of aluminum or an aluminum alloy to one surface of the ceramic substrate 11. As the aluminum member, aluminum (2N aluminum) having a purity of 99 mass% or more and aluminum (4N aluminum) having a purity of 99.99 mass% or more can be used. In this embodiment, a 4N aluminum rolled plate is used. The thickness of the circuit layer 12 is set within a range of 0.1 mm or more and 1.0 mm or less, and is set to 0.4 mm in the present embodiment. The circuit layer 12 and the ceramic substrate 11 are joined by, for example, an Al—Si brazing material.
金属層１３は、ＳｉＣからなる多孔質体３１とこの多孔質体に含浸されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材３２とからなるＡｌ−ＳｉＣ複合材料（いわゆるＡｌＳｉＣ）３０で構成されている。アルミニウム材３２としては、純度が９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（２Ｎアルミニウム）や純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（４Ｎアルミニウム）等の純アルミニウム、Ａｌ：８０ｍａｓｓ％以上９９．９９ｍａｓｓ％以下、Ｓｉ：０．０１ｍａｓｓ％以上１３．５ｍａｓｓ％以下、Ｍｇ：０．０３％以上５．０ｍａｓｓ％以下、残部：不純物の組成を有するアルミニウム合金を用いることができる。アルミニウム合金としてはまた、ＡＤＣ１２やＡ３５６等のアルミニウム合金を用いることもができる。
Ａｌ−ＳｉＣ複合材料はスキン層を有していてもよい。このスキン層は、多孔質体となるＳｉＣにアルミニウム材を溶融して含浸させてＡｌ−ＳｉＣ複合材料を製造する際に、このアルミニウム材の一部が表面に滲み出すことによって形成される層である。スキン層の厚さは、滲み出したアルミニウム材を切削加工することによって調整される。
The metal layer 13 is composed of an Al—SiC composite material (so-called AlSiC) 30 including a porous body 31 made of SiC and an aluminum material 32 made of aluminum or an aluminum alloy impregnated in the porous body. As the aluminum material 32, pure aluminum such as aluminum (2N aluminum) having a purity of 99 mass% or more, aluminum (4N aluminum) having a purity of 99.99 mass% or more, Al: 80 mass% or more and 99.99 mass% or less, Si: 0 An aluminum alloy having a composition of 0.01 mass% or more and 13.5 mass% or less, Mg: 0.03% or more and 5.0 mass% or less, and the balance: impurities can be used. An aluminum alloy such as ADC12 or A356 can also be used as the aluminum alloy.
The Al—SiC composite material may have a skin layer. This skin layer is a layer formed when a part of this aluminum material oozes out on the surface when the porous material SiC is melted and impregnated with an aluminum material to produce an Al-SiC composite material. is there. The thickness of the skin layer is adjusted by cutting the exuded aluminum material.
金属層１３の厚さは０．１ｍｍ〜５．０ｍｍの範囲とすることができる。なお、金属層１３の厚さはスキン層が形成されている場合はそのスキン層の厚さを含んだ厚さである。また、スキン層の片面当たりの厚さは、金属層１３の厚さの０．０１倍〜０．１倍とすることが好ましい。
なお、本実施形態のパワーモジュール用基板１０において、金属層１３の面積は、セラミックス基板１１の面積と同じか、又は、小さくなるように設定されている。
The thickness of the metal layer 13 can be in the range of 0.1 mm to 5.0 mm. When the skin layer is formed, the thickness of the metal layer 13 includes the thickness of the skin layer. Further, the thickness per one side of the skin layer is preferably 0.01 to 0.1 times the thickness of the metal layer 13.
In the power module substrate 10 of the present embodiment, the area of the metal layer 13 is set to be the same as or smaller than the area of the ceramic substrate 11.
ここで、セラミックス基板１１と金属層１３との接合部分の構造について、図２と図３とを用いて説明する。図２および図３は、セラミックス基板１１と金属層１３とが接合されている部分の一例の拡大断面図である。 Here, the structure of the joint portion between the ceramic substrate 11 and the metal layer 13 will be described with reference to FIGS. 2 and 3. 2 and 3 are enlarged cross-sectional views of an example of a portion where the ceramic substrate 11 and the metal layer 13 are joined.
図２において、セラミックス基板１１と金属層１３であるＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０とは、接合層４０を介して接合されている。なお、図２の（ａ）は、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０がスキン層３３を有する場合であり、（ｂ）は、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０がスキン層３３を有しない場合である。 In FIG. 2, the ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material 30 which is the metal layer 13 are bonded via a bonding layer 40. 2A shows a case where the Al—SiC composite material 30 has the skin layer 33, and FIG. 2B shows a case where the Al—SiC composite material 30 does not have the skin layer 33.
接合層４０は、アルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む。接合層４０には、マグネシウム酸化物４１が析出している。マグネシウム酸化物４１は、セラミックス基板１１と接合層４０との接合界面近傍や、接合層４０とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０（スキン層３３）との界面近傍に析出している。なお、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０（スキン層３３）側に析出したマグネシウム酸化物４１は、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０（スキン層３３）の一部に入り込んでいる場合もある。マグネシウム酸化物４１は、通常、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）およびこれらの複合物である。
また、接合層４０にはＭｇ２Ｓｉが存在する場合もある。
The bonding layer 40 includes aluminum, magnesium, and silicon. Magnesium oxide 41 is deposited on the bonding layer 40. Magnesium oxide 41 is precipitated in the vicinity of the bonding interface between the ceramic substrate 11 and the bonding layer 40 and in the vicinity of the interface between the bonding layer 40 and the Al—SiC composite material 30 (skin layer 33). Note that the magnesium oxide 41 deposited on the Al—SiC composite material 30 (skin layer 33) side may enter part of the Al—SiC composite material 30 (skin layer 33). The magnesium oxide 41 is usually magnesium oxide (MgO), spinel (MgAl 2 O 4 ), and a composite thereof.
In addition, Mg 2 Si may be present in the bonding layer 40.
図３は、セラミックス基板１１と金属層１３であるＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０とが、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０のセラミックス基板１１側の表面に形成された接合部５０を介して接合されている。なお、図３の（ａ）は、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０がスキン層３３を有する場合であり、この場合、接合部５０は、スキン層３３の表面に形成されている。（ｂ）は、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０がスキン層３３を有しない場合であり、この場合、接合部５０は、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０のアルミニウム材３２中に形成されている。 In FIG. 3, the ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material 30 that is the metal layer 13 are bonded to each other via a bonding portion 50 formed on the surface of the Al—SiC composite material 30 on the ceramic substrate 11 side. 3A shows a case where the Al—SiC composite material 30 has a skin layer 33. In this case, the bonding portion 50 is formed on the surface of the skin layer 33. FIG. (B) is a case where the Al—SiC composite material 30 does not have the skin layer 33, and in this case, the joint portion 50 is formed in the aluminum material 32 of the Al—SiC composite material 30.
接合部５０は、アルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む。接合部５０には、マグネシウム酸化物５１が析出している。マグネシウム酸化物５１は、セラミックス基板１１との界面の近傍に析出している。マグネシウム酸化物５１は、通常、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）およびこれらの複合物である。
また、接合部５０にはＭｇ２Ｓｉが存在する場合もある。
The joint 50 includes aluminum, magnesium, and silicon. Magnesium oxide 51 is deposited at the joint 50. The magnesium oxide 51 is deposited in the vicinity of the interface with the ceramic substrate 11. The magnesium oxide 51 is usually magnesium oxide (MgO), spinel (MgAl 2 O 4 ), and a composite thereof.
In addition, Mg 2 Si may exist in the joint portion 50.
ヒートシンク２０は、パワーモジュール用基板１０側の熱を放散するためのものである。本実施形態では、ヒートシンク２０は、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されている。また、このヒートシンク２０には、冷却用の流体が流れるための流路２１が設けられている。
本実施形態においては、ヒートシンク２０は、パワーモジュール用基板１０の金属層１３にろう材を用いて直接接合されている。
The heat sink 20 is for dissipating heat on the power module substrate 10 side. In the present embodiment, the heat sink 20 is made of aluminum or an aluminum alloy. Further, the heat sink 20 is provided with a flow path 21 through which a cooling fluid flows.
In the present embodiment, the heat sink 20 is directly bonded to the metal layer 13 of the power module substrate 10 using a brazing material.
次に、上述した本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板１の製造方法について、図４〜図６を参照して説明する。 Next, a method for manufacturing the power module substrate 1 with a heat sink according to the present embodiment described above will be described with reference to FIGS.
（回路層接合工程Ｓ０１）
まず、図５に示すように、セラミックス基板１１の一方の面に、回路層１２となるアルミニウム部材６１を、ろう材６２を介して積層する。次いで、積層方向に加圧しながら加熱することによって、セラミックス基板１１に回路層１２を接合する。
(Circuit layer bonding step S01)
First, as shown in FIG. 5, an aluminum member 61 to be the circuit layer 12 is laminated on one surface of the ceramic substrate 11 via a brazing material 62. Next, the circuit layer 12 is bonded to the ceramic substrate 11 by heating while pressing in the stacking direction.
（金属層接合工程Ｓ０２）
次に、図５に示すように、回路層１２を接合したセラミックス基板１１の他方の面に、金属層１３となるＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０を、積層ろう材６３を介して積層する。
積層ろう材６３は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材層６４と、このアルミニウム部材層６４の表裏面の少なくとも一方の面に形成されたマグネシウム層６５とを有する積層ろう材を用いる。アルミニウム部材層６４の厚さは、３〜５０μｍの範囲にあることが好ましい。マグネシウム層６５の厚さは、１．０〜５．０μｍ（両面に配設される場合は、合計の厚さ）とすることが好ましい。
(Metal layer bonding step S02)
Next, as shown in FIG. 5, the Al—SiC composite material 30 to be the metal layer 13 is laminated on the other surface of the ceramic substrate 11 to which the circuit layer 12 is bonded via a laminated brazing material 63.
As the laminated brazing material 63, a laminated brazing material having an aluminum member layer 64 made of aluminum or an aluminum alloy and a magnesium layer 65 formed on at least one of the front and back surfaces of the aluminum member layer 64 is used. The thickness of the aluminum member layer 64 is preferably in the range of 3 to 50 μm. The thickness of the magnesium layer 65 is preferably 1.0 to 5.0 μm (total thickness when disposed on both sides).
積層ろう材６３のマグネシウム層６５と接触するＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０のアルミニウム材３２および積層ろう材６３のアルミニウム部材層６４のうちの少なくとも一方は、ケイ素含有量が０．１原子％以上であるＡｌ−Ｓｉ合金で構成されている。Ａｌ−Ｓｉ合金としては、Ａｌ−７．５〜１２．５ｍａｓｓ％Ｓｉ合金を用いることができる。例えば、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０のアルミニウム材３２がＡｌ−Ｓｉ合金で構成されている場合は、積層ろう材６３のアルミニウム部材層６４は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（４Ｎアルミニウム）で構成されていてもよい。但し、この場合は、積層ろう材６３のマグネシウム層６５とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０とが接触するように、積層ろう材６３とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０とを積層することが必要である。一方、積層ろう材６３のアルミニウム部材層６４がＡｌ−Ｓｉ合金で構成されている場合は、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０のアルミニウム材３２は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（４Ｎアルミニウム）で構成されていてもよい。なお、この場合は、積層ろう材６３とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０とを積層方法に制限はなく、積層ろう材６３のアルミニウム部材層６４とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０とが接触するように、積層ろう材６３とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０とを積層してもよい。 At least one of the aluminum material 32 of the Al—SiC composite material 30 and the aluminum member layer 64 of the laminated brazing material 63 that contacts the magnesium layer 65 of the laminated brazing material 63 has a silicon content of 0.1 atomic% or more. It is made of an Al—Si alloy. As the Al—Si alloy, an Al-7.5 to 12.5 mass% Si alloy can be used. For example, when the aluminum material 32 of the Al—SiC composite material 30 is made of an Al—Si alloy, the aluminum member layer 64 of the laminated brazing material 63 is made of aluminum (4N aluminum) having a purity of 99.99 mass% or more. It may be configured. However, in this case, it is necessary to laminate the laminated brazing material 63 and the Al—SiC composite material 30 so that the magnesium layer 65 of the laminated brazing material 63 and the Al—SiC composite material 30 are in contact with each other. On the other hand, when the aluminum member layer 64 of the laminated brazing material 63 is made of an Al—Si alloy, the aluminum material 32 of the Al—SiC composite material 30 is made of aluminum (4N aluminum) having a purity of 99.99 mass% or more. It may be configured. In this case, the lamination brazing material 63 and the Al—SiC composite material 30 are not limited in the lamination method, and the lamination is performed so that the aluminum member layer 64 of the lamination brazing material 63 and the Al—SiC composite material 30 are in contact with each other. The brazing material 63 and the Al—SiC composite material 30 may be laminated.
回路層１２を接合したセラミックス基板１１、積層ろう材６３、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０を積層した積層体を、積層方向に加圧しながら加熱することによって、セラミックス基板１１に金属層１３（即ち、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０）を接合する。本実施形態では、積層ろう材６３を用いて接合する場合の接合条件として、積層方向の荷重を０．１ＭＰａ以上３．５ＭＰａ以下（１ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下）の範囲内、接合温度を５５０℃以上５７５℃以下の範囲内、保持時間を１５分以上１８０分以下の範囲内とされている。なお、接合温度は、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０のアルミニウム材３２の流出を抑えるために、アルミニウム材３２の融点よりも低い温度であることが好ましい。 The ceramic substrate 11 to which the circuit layer 12 is bonded, the laminated brazing material 63, and the laminate obtained by laminating the Al—SiC composite material 30 are heated while being pressed in the laminating direction, whereby the metal layer 13 (that is, Al -Joining SiC composite material 30). In the present embodiment, as the bonding condition for joining with the stacked brazing material 63, the range of the load in the stacking direction 0.1MPa or 3.5MPa or less (1 kgf / cm 2 or more 35 kgf / cm 2 or less), joining The temperature is in the range of 550 ° C. to 575 ° C., and the holding time is in the range of 15 minutes to 180 minutes. Note that the bonding temperature is preferably lower than the melting point of the aluminum material 32 in order to suppress the outflow of the aluminum material 32 of the Al—SiC composite material 30.
アルミニウム部材層６４がＡｌ−Ｓｉ合金である積層ろう材６３を用いて接合すると、マグネシウム層６５のマグネシウムがアルミニウム部材層６４（Ａｌ−Ｓｉ合金）に拡散して、セラミックス基板１１とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０との間に、アルミニウムと、マグネシウムと、ケイ素と、拡散してきたマグネシウムとケイ素との反応によって形成されたＭｇ２Ｓｉとにより、液相が生成される。なお、この時に、液相に存在するマグネシウムによって、セラミックス基板１１やＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０の表面の酸化被膜が除去される。そして、液相が凝固することによって、図２に示すようにセラミックス基板１１とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０（金属層１３）とが、アルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む接合層４０を介して接合される。なお、マグネシウム酸化物４１はこれらの酸化被膜とマグ接ネシウムの反応によって生じる。また、接合温度が高い場合や保持時間が長い場合では、接合層４０にＭｇ２Ｓｉがほとんど観察されない場合もある。 When the aluminum brazing material 63 in which the aluminum member layer 64 is an Al—Si alloy is joined, the magnesium in the magnesium layer 65 diffuses into the aluminum member layer 64 (Al—Si alloy), and the ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material are diffused. A liquid phase is generated between the material 30 and aluminum, magnesium, silicon, and Mg 2 Si formed by the reaction between the diffused magnesium and silicon. At this time, the oxide film on the surface of the ceramic substrate 11 or the Al—SiC composite material 30 is removed by magnesium present in the liquid phase. Then, as the liquid phase solidifies, the ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material 30 (metal layer 13) are bonded via the bonding layer 40 containing aluminum, magnesium and silicon as shown in FIG. . The magnesium oxide 41 is produced by the reaction between these oxide films and magnesium. Further, when the bonding temperature is high or the holding time is long, Mg 2 Si may be hardly observed in the bonding layer 40 in some cases.
また、積層ろう材６３のマグネシウム層６５と、アルミニウム材３２がＡｌ−Ｓｉ合金で構成されているＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０とが接触している場合は、マグネシウム層６５のマグネシウムが、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０の表面に存在する酸化被膜を除去するとともに、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０のアルミニウム材３２（即ち、Ａｌ−Ｓｉ合金）へ拡散して、Ｍｇ２Ｓｉが生成する。そして、セラミックス基板１１とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０との間に、アルミニウムと、マグネシウムと、ケイ素と、拡散してきたマグネシウムとケイ素との反応によって形成されたＭｇ２Ｓｉにより液相が生成される。 When the magnesium layer 65 of the laminated brazing material 63 and the Al—SiC composite material 30 in which the aluminum material 32 is made of an Al—Si alloy are in contact, the magnesium of the magnesium layer 65 is Al—SiC. The oxide film present on the surface of the composite material 30 is removed and diffused into the aluminum material 32 (that is, the Al—Si alloy) of the Al—SiC composite material 30 to generate Mg 2 Si. A liquid phase is generated between the ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material 30 by Mg 2 Si formed by the reaction of aluminum, magnesium, silicon, and diffused magnesium and silicon.
Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０のアルミニウム材３２がＡｌ−Ｓｉ合金で構成されている場合は、積層ろう材を用いる代わりに、図６に示すように、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０の表面にマグネシウム層６７を形成し、セラミックス基板１１とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０とを、マグネシウム層６７を介して積層し、得られた積層体を５５０℃以上５７５℃以下の温度範囲で加熱することによって、セラミックス基板１１とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０とを接合してもよい。なお、マグネシウム層６７は、セラミックス基板１１およびＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０のうちの少なくとも一方の表面に形成されていればよい。 When the aluminum material 32 of the Al—SiC composite material 30 is made of an Al—Si alloy, a magnesium layer 67 is formed on the surface of the Al—SiC composite material 30 as shown in FIG. The ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material 30 are laminated via the magnesium layer 67, and the obtained laminated body is heated in a temperature range of 550 ° C. or more and 575 ° C. or less, whereby the ceramic substrate 11 And the Al—SiC composite material 30 may be joined. Note that the magnesium layer 67 only needs to be formed on at least one surface of the ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material 30.
本実施形態では、マグネシウム層６７の厚さは、０．１μｍ以上１０μｍ以下の範囲とされている。マグネシウム層６７の厚さが薄くなりすぎると、加熱によって生成するＭｇ２Ｓｉの量が少なくなり、セラミックス基板１１とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０との接合強度が低下するおそれがある。一方、マグネシウム層６７の厚さが厚くなりすぎると、加熱によって、液相が過剰に生成して、セラミックス基板１１とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０との接合性が低下するおそれがある。 In the present embodiment, the thickness of the magnesium layer 67 is in the range of 0.1 μm to 10 μm. If the thickness of the magnesium layer 67 becomes too thin, the amount of Mg 2 Si generated by heating decreases, and the bonding strength between the ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material 30 may be reduced. On the other hand, if the thickness of the magnesium layer 67 becomes too thick, an excessive liquid phase is generated by heating, and the bonding property between the ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material 30 may be lowered.
マグネシウム層６７の形成方法としては、マグネシウムターゲットを用いたスパッタ法、マグネシウム粉末のペーストを塗布して乾燥する方法や蒸着法を用いることができる。 As a method for forming the magnesium layer 67, a sputtering method using a magnesium target, a method of applying a magnesium powder paste and drying, or a vapor deposition method can be used.
本実施形態では、マグネシウム層６７を用いて接合する場合の接合条件は、積層方向の荷重を０．１ＭＰａ以上３．５ＭＰａ以下（１ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下）の範囲内、接合温度を５５０℃以上５７５℃以下の範囲内、保持時間を１５分以上２１０分以下の範囲内とされている。以下の範囲とされている。なお、接合温度は、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０のアルミニウム材３２の流出を抑えるために、アルミニウム材３２の融点よりも低い温度であることが好ましい。 In this embodiment, joining conditions for joining using magnesium layer 67 is in the range of the load in the stacking direction 0.1MPa or 3.5MPa or less (1 kgf / cm 2 or more 35 kgf / cm 2 or less), the junction temperature Is in the range of 550 ° C. or more and 575 ° C. or less, and the holding time is in the range of 15 minutes or more and 210 minutes or less. The range is as follows. Note that the bonding temperature is preferably lower than the melting point of the aluminum material 32 in order to suppress the outflow of the aluminum material 32 of the Al—SiC composite material 30.
マグネシウム層６７を用いて接合すると、マグネシウム層６７のマグネシウムがセラミックス基板１１とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０の表面に存在する酸化被膜を除去するとともに、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０のアルミニウム材３２（即ち、Ａｌ−Ｓｉ合金）へ拡散して、セラミックス基板１１とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０との間に、アルミニウムと、マグネシウムと、ケイ素と、拡散してきたマグネシウムとケイ素との反応によって形成されたＭｇ２Ｓｉとによって、液相が生成される。そして、液相が凝固することによって、図３に示すように、セラミックス基板１１とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０とが、アルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む接合部５０を介して接合される。なお、マグネシウム酸化物４１はこれらの酸化被膜とマグネシウムの反応によって生じる。また、接合温度が高い場合や保持時間が長い場合では、接合部５０にＭｇ２Ｓｉがほとんど観察されない場合もある。 When the magnesium layer 67 is used for bonding, the magnesium of the magnesium layer 67 removes the oxide film present on the surfaces of the ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material 30, and the aluminum material 32 (ie, the Al—SiC composite material 30). Mg 2 Si formed between the ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material 30 by reaction of aluminum, magnesium, silicon, and diffused magnesium and silicon. As a result, a liquid phase is generated. Then, as the liquid phase solidifies, the ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material 30 are joined via a joint 50 containing aluminum, magnesium, and silicon, as shown in FIG. The magnesium oxide 41 is generated by the reaction between these oxide films and magnesium. In addition, when the bonding temperature is high or when the holding time is long, Mg 2 Si may be hardly observed at the bonding portion 50.
以上のような工程により、本実施形態におけるパワーモジュール用基板１０が製造される。 Through the steps as described above, the power module substrate 10 in the present embodiment is manufactured.
（ヒートシンク接合工程Ｓ０３）
次に、パワーモジュール用基板１０の金属層１３と、ヒートシンク２０とろう材６６を介して積層する。次いで積層方向に加圧しながら加熱することによって、パワーモジュール用基板１０とヒートシンク２０とを接合する。
以上のようにして、図１に示すヒートシンク付パワーモジュール用基板１が製造される。
(Heat sink joining step S03)
Next, the power module substrate 10 is laminated via the metal layer 13, the heat sink 20 and the brazing material 66. Next, the power module substrate 10 and the heat sink 20 are joined by heating while pressing in the stacking direction.
As described above, the power module substrate 1 with a heat sink shown in FIG. 1 is manufactured.
以上のような構成とされた本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板１によれば、セラミックス基板１１の他方の面に形成された金属層１３が、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０で構成されているので、セラミックス基板１１と金属層１３との熱膨張係数の差が小さく、厳しい条件のヒートサイクルを負荷した場合であっても、セラミックス基板と金属層との間に大きな熱応力が作用することがなく、セラミックス基板と金属層の剥離を抑制することができる。また、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料３０は、ＳｉＣからなる多孔質体３１を有しており容易に変形しないことから、アルミニウム材３２の結晶粒が微細化することはなく、金属層１３の内部破断を抑制することができる。
さらに、金属層がＡｌ−ＳｉＣ複合材料で構成されているので、セラミックス基板と金属層との線膨張係数の差が小さく、またＡｌ−ＳｉＣ複合材料はヤング率が大きいため、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の反りを低減することができ、さらにセラミックス基板の割れも抑制することができる。なお、ここでの反りは、室温時の反りだけでなく、例えば、約２８０℃のはんだ付け等の高温時の反りや、高温から室温へ冷却した場合の反りも含み、これらの反りも低減することが可能である。
According to the power module substrate with heat sink 1 of the present embodiment configured as described above, the metal layer 13 formed on the other surface of the ceramic substrate 11 is composed of the Al—SiC composite material 30. Therefore, the difference in thermal expansion coefficient between the ceramic substrate 11 and the metal layer 13 is small, and a large thermal stress acts between the ceramic substrate and the metal layer even when a severe heat cycle is applied. There is no, and peeling of the ceramic substrate and the metal layer can be suppressed. In addition, since the Al—SiC composite material 30 has a porous body 31 made of SiC and is not easily deformed, the crystal grains of the aluminum material 32 are not refined, and the internal fracture of the metal layer 13 is prevented. Can be suppressed.
Furthermore, since the metal layer is composed of an Al-SiC composite material, the difference in linear expansion coefficient between the ceramic substrate and the metal layer is small, and the Al-SiC composite material has a large Young's modulus, so it is for power modules with heat sinks. The warpage of the substrate can be reduced, and further the cracking of the ceramic substrate can be suppressed. The warpage here includes not only warpage at room temperature but also warpage at high temperature such as soldering at about 280 ° C. and warpage when cooled from high temperature to room temperature, and these warpages are also reduced. It is possible.
また、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板１の製造方法によれば、セラミックス基板１１とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０との表面に形成されている酸化被膜を消失させることができるので、セラミックス基板１１とＡｌ−ＳｉＣ複合材料３０とが強固に接合したヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造することができる。また、加熱温度（接合温度）が５５０℃以上５７５℃以下と比較的低温であるので、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料のアルミニウム材が流出することによる空隙（ボイド）の発生を抑えることができ、得られたヒートシンク付パワーモジュール用基板はヒートサイクル信頼性が優れたものとなる。 Moreover, according to the manufacturing method of the power module substrate 1 with a heat sink according to the present embodiment, the oxide film formed on the surfaces of the ceramic substrate 11 and the Al—SiC composite material 30 can be eliminated. A power module substrate with a heat sink in which the substrate 11 and the Al—SiC composite material 30 are firmly bonded can be manufactured. In addition, since the heating temperature (joining temperature) is relatively low at 550 ° C. or more and 575 ° C. or less, generation of voids due to the flow of the aluminum material of the Al—SiC composite material can be suppressed and obtained. The power module substrate with a heat sink has excellent heat cycle reliability.
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、回路層がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム部材で構成されている構造を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、銅、銅合金、及びＳｉＣからなる多孔質体と、この多孔質体に含浸されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材とを有するＡｌ−ＳｉＣ複合材料のいずれかで構成してもよい。
なお、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料で構成した場合、セラミックス基板の一方の面及び他方の面にそれぞれ前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料からなる回路層及び金属層が形成されているので、セラミックス基板の反りの発生をさらに抑制することができる。また、回路層とセラミックス基板との間においても、熱膨張係数の差が小さく、ヒートサイクルを負荷した際のセラミックス基板と回路層の剥離や回路層の内部破断を抑制することができる。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this, It can change suitably in the range which does not deviate from the technical idea of the invention.
For example, in the present embodiment, the structure in which the circuit layer is made of an aluminum member made of aluminum or an aluminum alloy has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and is made of copper, a copper alloy, and SiC. You may comprise either the Al-SiC composite material which has the porous body which becomes, and the aluminum material which consists of the aluminum or aluminum alloy which the porous body impregnated.
In addition, when it is made of an Al—SiC composite material, the circuit layer and the metal layer made of the Al—SiC composite material are formed on one surface and the other surface of the ceramic substrate, respectively. Can be further suppressed. Also, the difference in thermal expansion coefficient between the circuit layer and the ceramic substrate is small, and peeling of the ceramic substrate from the circuit layer and internal breakage of the circuit layer when a heat cycle is applied can be suppressed.
また、本実施形態の製造方法において、回路層がアルミニウム、アルミニウム合金、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料で構成され、かつ、ろう材６２として積層ろう材６３を用いるか又はマグネシウム層６７を介して接合する場合、回路層とセラミックス基板の接合（回路層接合工程Ｓ０１）と金属層とセラミックス基板の接合（金属層接合工程Ｓ０２）を同時に行うことも可能である。 In the manufacturing method according to the present embodiment, the circuit layer is made of aluminum, an aluminum alloy, or an Al—SiC composite material, and the brazing filler metal 63 is used as the brazing filler metal 62 or bonding is performed via the magnesium layer 67. The circuit layer and the ceramic substrate (circuit layer bonding step S01) and the metal layer and the ceramic substrate (metal layer bonding step S02) can be simultaneously performed.
さらに、本実施形態では、ヒートシンクがアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム部材で構成されている構造を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、銅または銅合金からなる銅部材で構成してもよい。 Furthermore, in the present embodiment, the structure in which the heat sink is made of an aluminum member made of aluminum or an aluminum alloy has been described as an example. However, the structure is not limited to this, and a copper member made of copper or a copper alloy is used. It may be configured.
本発明の有効性を確認するために行った確認実験について説明する。 A confirmation experiment conducted to confirm the effectiveness of the present invention will be described.
［実験例１］
（実験例１−１〜１−１７及び１−２２〜１−２３）
表１に示すように、回路層形成用金属板と、セラミックス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ、ＡｌＮ及びＡｌ２Ｏ３の場合：厚さ０．６３５ｍｍ、ＳｉＮの場合：０．３２ｍｍ）と、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料（ＡｌＳｉＣ）の板材（３７ｍｍ×３７ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ（スキン層が有る場合：スキン層は両面、片面の厚さは０．１ｍｍ））と、ヒートシンクと、ろう材とを準備した。
なお、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料のアルミニウム材の融点は、ＡＤＣ１２が５７０℃、４Ｎアルミニウムが６６０℃、３Ｎアルミニウムが６５５℃、２Ｎアルミニウムが６５０℃である。
[Experimental Example 1]
(Experimental Examples 1-1 to 1-17 and 1-22 to 1-23)
As shown in Table 1, a circuit layer forming metal plate, a ceramic substrate (40 mm × 40 mm, AlN and Al 2 O 3 : thickness 0.635 mm, SiN: 0.32 mm), Al-SiC A composite material (AlSiC) plate material (37 mm × 37 mm × thickness 0.4 mm (when a skin layer is provided: the skin layer is double-sided and the thickness of one side is 0.1 mm)), a heat sink, and a brazing material were prepared. .
Note that the melting point of the aluminum material of the Al—SiC composite material is 570 ° C. for ADC12, 660 ° C. for 4N aluminum, 655 ° C. for 3N aluminum, and 650 ° C. for 2N aluminum.
回路層形成用金属板とセラミックス基板とを下記のようにして接合して、回路層が形成されたセラミックス基板を得た。
回路層形成用金属板が４Ｎ−Ａｌの場合、セラミックス基板の一方の面に、回路層形成用金属板（３７ｍｍ×３７ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ）を、ろう材（Ａｌ−７．５ｍａｓｓ％Ｓｉ、厚さ：１２μｍ）を介して積層した。次いで、積層方向に加圧しながら加熱することによって、セラミックス基板に回路層形成用金属板を接合し、回路層が形成されたセラミックス基板を得た。なお、積層方向の荷重は０．６ＭＰａ、接合温度は６４５℃、保持時間は４５分とした。
回路層形成用金属板がＯＦＣの場合、セラミックス基板の一方の面に無酸素銅からなる銅板（３７ｍｍ×３７ｍｍ×厚さ０．６ｍｍ）を、ろう材（Ａｇ−９．８ｍａｓｓ％Ｔｉ）を介して積層し、荷重０．６ＭＰａ、接合温度８３０℃、保持時間３０分の条件で接合し、回路層が形成されたセラミックス基板を得た。
回路層形成用金属板がＡｌ−ＳｉＣ複合材料の場合、セラミックス基板の一方の面に、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料（ＡｌＳｉＣ）の板材（３７ｍｍ×３７ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ（両面にスキン層あり、片面０．１ｍｍ））を積層ろう材（Ａｌ−Ｓｉ／Ｍｇ、Ａｌ−１０．５ｍａｓｓ％Ｓｉ合金層（厚さ１０μｍ）／マグネシウム層（厚さ２μｍ））を介して積層（マグネシウム層がセラミックス基板側を向くように積層）し、荷重０．６ＭＰａ、接合温度５５０℃、保持時間４０分の条件で接合し、回路層が形成されたセラミックス基板を得た。
The metal plate for circuit layer formation and the ceramic substrate were joined as follows, and the ceramic substrate in which the circuit layer was formed was obtained.
When the circuit layer forming metal plate is 4N-Al, the circuit layer forming metal plate (37 mm × 37 mm × thickness 0.4 mm) is placed on one surface of the ceramic substrate, and the brazing material (Al-7.5 mass% Si). , Thickness: 12 μm). Next, by heating while pressing in the laminating direction, the metal plate for circuit layer formation was joined to the ceramic substrate to obtain a ceramic substrate on which the circuit layer was formed. The load in the stacking direction was 0.6 MPa, the bonding temperature was 645 ° C., and the holding time was 45 minutes.
When the circuit layer forming metal plate is OFC, a copper plate (37 mm × 37 mm × thickness 0.6 mm) made of oxygen-free copper is placed on one surface of the ceramic substrate via a brazing material (Ag-9.8 mass% Ti). The ceramic substrates on which the circuit layer was formed were obtained by bonding under the conditions of a load of 0.6 MPa, a bonding temperature of 830 ° C., and a holding time of 30 minutes.
When the circuit layer forming metal plate is an Al-SiC composite material, an Al-SiC composite material (AlSiC) plate material (37 mm x 37 mm x thickness 0.4 mm (with skin layers on both sides, Laminated on one side (0.1 mm)) through a laminated brazing material (Al—Si / Mg, Al-10.5 mass% Si alloy layer (thickness 10 μm) / magnesium layer (thickness 2 μm)). The ceramic substrate on which the circuit layer was formed was obtained by bonding under the conditions of a load of 0.6 MPa, a bonding temperature of 550 ° C., and a holding time of 40 minutes.
次に、回路層が形成されたセラミックス基板の他方の面に、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料を、表１に示すろう材を、ろう材のマグネシウム層が表１に示す向きとなるように積層した。次いで、積層方向に加圧しながら加熱することによって、セラミックス基板にＡｌ−ＳｉＣ複合材料（金属層）を接合して、パワーモジュール用基板を作製した。なお、積層方向の荷重は１．５ＭＰａ、接合温度は５６０℃、保持時間は６０分とした。 Next, the Al—SiC composite material was laminated on the other surface of the ceramic substrate on which the circuit layer was formed, and the brazing material shown in Table 1 was laminated so that the magnesium layer of the brazing material was oriented as shown in Table 1. Next, by heating while pressing in the laminating direction, the Al—SiC composite material (metal layer) was joined to the ceramic substrate to produce a power module substrate. The load in the stacking direction was 1.5 MPa, the bonding temperature was 560 ° C., and the holding time was 60 minutes.
次に、ヒートシンク材質がＡ６０６３である実験例１−１〜１−１４及び１−１６〜１−１７ではパワーモジュール用基板の金属層（Ａｌ−ＳｉＣ複合材料）とヒートシンク（Ａ６０６３、５０ｍｍ×６０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍ）とを、表１に示すろう材（Ａｌ−１０．１原子％Ｓｉ合金層（厚さ１０μｍ）とマグネシウム層（厚さ２μｍ）とを積層）を、ろう材のマグネシウム層が表１に示す向きとなるように積層した。次いで、積層方向に加圧しながら加熱することによって、パワーモジュール用基板とヒートシンクとを接合して、評価用試料（ヒートシンク付パワーモジュール用基板）を作製した。
なお、積層方向の荷重は１．５ＭＰａ、接合温度は５６０℃、保持時間は６０分とした。
Next, in Experimental Examples 1-1 to 1-14 and 1-16 to 1-17 in which the heat sink material is A6063, the metal layer (Al—SiC composite material) of the power module substrate and the heat sink (A6063, 50 mm × 60 mm, A brazing material (Al-10.1 atomic% Si alloy layer (thickness 10 μm) and a magnesium layer (thickness 2 μm) laminated) shown in Table 1, and a brazing magnesium layer Were stacked in the direction shown in Table 1. Subsequently, the power module substrate and the heat sink were joined by heating while applying pressure in the laminating direction to produce an evaluation sample (power module substrate with heat sink).
The load in the stacking direction was 1.5 MPa, the bonding temperature was 560 ° C., and the holding time was 60 minutes.
ヒートシンクがＣｕである実験例１−１５では、パワーモジュール用基板の金属層（Ａｌ−ＳｉＣ複合材料）とヒートシンク（Ｃｕ）とを積層し、真空炉（１０−３Ｐａ）内に装入し、積層方向に荷重１．２ＭＰａで加圧し、５１０℃で１５０分保持して、パワーモジュール用基板とヒートシンクとを固相拡散接合して、評価用試料を作製した。 In Experimental Example 1-15 in which the heat sink is Cu, the metal layer (Al—SiC composite material) of the power module substrate and the heat sink (Cu) are stacked, and charged in a vacuum furnace (10 −3 Pa). An evaluation sample was prepared by pressurizing in the laminating direction with a load of 1.2 MPa and holding at 510 ° C. for 150 minutes, and solid-phase diffusion bonding the power module substrate and the heat sink.
（実験例１−１８〜１−２１）
表１に記載のセラミックス基板の一方の面に、表１に記載の回路層形成用金属板（３７ｍｍ×３７ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ）を、その他方の面に金属層となるＡｌ板（３７ｍｍ×３７ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ）を、それぞれＡｌ−Ｓｉろう材（Ａｌ−７．５ｍａｓｓ％Ｓｉ、厚さ１２μｍ）を介して積層し、荷重０．６ＭＰａ、接合温度６４５℃、保持時間４５分の条件で接合して、セラミックス基板の一方の面及び他方の面に回路層及び金属層を形成した。
金属層のセラミックス基板とは反対側の面に、ヒートシンクがＡ６０６３（５０ｍｍ×６０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍ）の場合はＡｌ−Ｓｉろう材（Ａｌ−１０．５ｍａｓｓ％Ｓｉ、厚さ５０μｍ）を介して積層し、荷重０．６ＭＰａ、接合温度６４５℃、保持時間４５分の条件でヒートシンクを接合して、評価用試料を作製した。
ヒートシンクがＣｕの場合、無酸素銅からなるヒートシンク（５０ｍｍ×６０ｍｍ、厚さ３．０ｍｍ）を直接積層し、荷重０．６ＭＰａ、接合温度５３０℃、保持時間４５分の条件でヒートシンクを固相拡散接合した。
(Experimental Examples 1-18 to 1-21)
The metal plate for circuit layer formation (37 mm × 37 mm × 0.4 mm thickness) described in Table 1 is formed on one surface of the ceramic substrate described in Table 1, and the Al plate (37 mm) serving as a metal layer on the other surface. × 37 mm × thickness 0.4 mm) are laminated through Al-Si brazing materials (Al-7.5 mass% Si, thickness 12 μm), respectively, load 0.6 MPa, bonding temperature 645 ° C., holding time 45 minutes. The circuit layer and the metal layer were formed on one surface and the other surface of the ceramic substrate.
When the heat sink is A6063 (50 mm x 60 mm, thickness 5.0 mm) on the surface of the metal layer opposite to the ceramic substrate, an Al-Si brazing material (Al-10.5 mass% Si, thickness 50 µm) is passed through. Then, a heat sink was bonded under the conditions of a load of 0.6 MPa, a bonding temperature of 645 ° C., and a holding time of 45 minutes, and an evaluation sample was produced.
When the heat sink is Cu, heat sink made of oxygen-free copper (50mm x 60mm, thickness 3.0mm) is directly laminated, and the heat sink is solid-phase diffused under the conditions of load 0.6MPa, bonding temperature 530 ° C, holding time 45min. Joined.
得られた評価用試料（ヒートシンク付パワーモジュール用基板）を用いて、セラミックス基板と金属層との接合界面の非破壊率、セラミックス基板の割れの有無を、下記の方法により評価した。 Using the obtained sample for evaluation (power module substrate with a heat sink), the nondestructive rate of the bonding interface between the ceramic substrate and the metal layer and the presence or absence of cracking of the ceramic substrate were evaluated by the following methods.
（セラミックス基板と金属層との接合界面の非破壊率）
超音波探傷装置（インサイト社製ＩＮＳＩＧＨＴ−３００）を用いて、セラミックス基板と金属層との接合界面の非破壊率を評価した。セラミックス基板と金属層との接合界面から金属層側に５０μｍの範囲内において、超音波探傷像を取得し、二値化処理を行うと、破壊部分は白色部で示されるので、この白色部の面積を破壊面積とした。なお、破壊部分には、セラミックス基板と金属層の剥離部分及び金属層の内部破断部分が含まれている。そして、下記の式より、非破壊率を求めた。なお、初期面積は金属層の面積（３７ｍｍ×３７ｍｍ）とした。その評価結果を、表２の「冷熱サイクル前」の欄に示す。
（非破壊率）＝｛（初期面積）−（破壊面積）｝／（初期面積）×１００
(Non-destructive rate of bonding interface between ceramic substrate and metal layer)
The nondestructive rate of the bonding interface between the ceramic substrate and the metal layer was evaluated using an ultrasonic flaw detector (INSIGHT-300 manufactured by Insight). When an ultrasonic flaw detection image is acquired and binarized in the range of 50 μm from the bonding interface between the ceramic substrate and the metal layer to the metal layer side, the destruction portion is indicated by a white portion. The area was defined as the fracture area. The broken portion includes a peeled portion between the ceramic substrate and the metal layer and an internally broken portion of the metal layer. And the nondestructive rate was calculated | required from the following formula. The initial area was the area of the metal layer (37 mm × 37 mm). The evaluation results are shown in the column of “Before cooling cycle” in Table 2.
(Non-destructive rate) = {(initial area) − (destructive area)} / (initial area) × 100
（冷熱サイクル試験後の非破壊率）
冷熱衝撃試験機エスペック社製ＴＳＢ−５１を使用し、上述の評価用試料に対して、液相（フロリナート）で、−４０℃×１０分←→１７５℃×１０分の２０００サイクルの冷熱サイクル試験を実施した。冷熱サイクル試験後のセラミックス基板と金属層との接合界面の非破壊率を上述した方法で評価した。その評価結果を、表２の「冷熱サイクル後」の欄に示す。
(Non-destructive rate after thermal cycle test)
Thermal cycle test of -40 ° C. × 10 minutes ← → 175 ° C. × 10 minutes 2000 cycles in the liquid phase (Fluorinert) using TSB-51 manufactured by Espec Corp. Carried out. The non-destructive rate of the bonding interface between the ceramic substrate and the metal layer after the thermal cycle test was evaluated by the method described above. The evaluation results are shown in the column “After cooling cycle” in Table 2.
（冷熱サイクル後のセラミックス基板の割れ）
上述の冷熱サイクル試験を実施した後の評価用試料を目視にて観察し、セラミックス基板に割れが生じていたものを「×」、生じていなかったもの場合は○と評価した。その評価結果を、表２に示す。
(Cracking of ceramic substrate after cooling cycle)
The sample for evaluation after carrying out the above-described cooling cycle test was visually observed, and “×” was given when the ceramic substrate was cracked, and “◯” was given when it was not. The evaluation results are shown in Table 2.
４Ｎ−アルミニウム板を接合して金属層とした実験例１−１８と１−２０では、冷熱サイクル後のセラミックス基板と金属層との接合界面の非破壊率が低下した。これは金属層の内部破断によるものであると考えられる。
２Ｎ−アルミニウム板を接合して金属層とした実験例１−１９と１−２１では、冷熱サイクル後のセラミックス基板と金属層との接合界面の非破壊率が低下した。これはセラミックス基板と金属層の界面の剥離によるものであると考えられる。
また、実験例１−１８〜１−２１では、４Ｎ−アルミニウム板や２Ｎ−アルミニウム板が接合されていることから、反りが大きくなり冷熱サイクル後にセラミックス基板に割れが生じた。
In Experimental Examples 1-18 and 1-20 in which a 4N-aluminum plate was bonded to form a metal layer, the non-destructive rate of the bonding interface between the ceramic substrate and the metal layer after the thermal cycle decreased. This is thought to be due to internal fracture of the metal layer.
In Experimental Examples 1-19 and 1-21 in which a 2N-aluminum plate was bonded to form a metal layer, the non-destructive rate of the bonding interface between the ceramic substrate and the metal layer after the thermal cycle was lowered. This is considered to be due to peeling of the interface between the ceramic substrate and the metal layer.
In Experimental Examples 1-18 to 1-21, since the 4N-aluminum plate and the 2N-aluminum plate were joined, warpage increased and cracks occurred in the ceramic substrate after the thermal cycle.
一方、金属層がＡｌ−ＳｉＣ複合材料で構成されている実験例１−１〜１−１７および実験例１−２２、１−２３では、冷熱サイクル後の反りが小さく、セラミックス基板に割れが生じなかった。
但し、実験例１−２２、１−２３はセラミックス基板と金属層との接合界面の非破壊率が低下した。これは、セラミックス層と金属層（Ａｌ−ＳｉＣ複合材料）の間の接合層がケイ素を実質的に含まないためであると考えられる。
これに対して、実験例１−１〜１−１７では、冷熱サイクル後のセラミックス基板と金属層との接合界面の非破壊率の低下が抑制された。これは、セラミックス層と金属層（Ａｌ−ＳｉＣ複合材料）との間にアルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む接合層が形成されているためであると考えられる。
On the other hand, in Experimental Examples 1-1 to 1-17 and Experimental Examples 1-22 and 1-23 in which the metal layer is composed of an Al—SiC composite material, the warpage after the thermal cycle is small, and the ceramic substrate is cracked. There wasn't.
However, in Experimental Examples 1-22 and 1-23, the non-destructive rate of the bonding interface between the ceramic substrate and the metal layer was lowered. This is presumably because the bonding layer between the ceramic layer and the metal layer (Al—SiC composite material) does not substantially contain silicon.
On the other hand, in Experimental Examples 1-1 to 1-17, a decrease in the non-destructive rate of the bonded interface between the ceramic substrate and the metal layer after the thermal cycle was suppressed. This is considered to be because a bonding layer containing aluminum, magnesium and silicon is formed between the ceramic layer and the metal layer (Al—SiC composite material).
図７は実験例１−１の断面ＳＥＭ像である。図７（ａ）及び図７（ａ）の一部を拡大した図７（ｂ）では、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料のスキン層との間に接合層が観察された。ＥＰＭＡによる元素分析により、接合層は、アルミニウムとマグネシウムとケイ素を含むことが確認された。また、セラミックス基板と接合層の接合界面近傍及びスキン層と接合層の接合界面近傍にはマグネシウム酸化物が析出していることが確認された。また、接合層内にＭｇ２Ｓｉが存在していることも確認された。 FIG. 7 is a cross-sectional SEM image of Experimental Example 1-1. In FIG. 7B, which is an enlarged view of part of FIGS. 7A and 7A, a bonding layer was observed between the ceramic substrate and the skin layer of the Al—SiC composite material. Elemental analysis by EPMA confirmed that the bonding layer contained aluminum, magnesium, and silicon. It was also confirmed that magnesium oxide was deposited in the vicinity of the bonding interface between the ceramic substrate and the bonding layer and in the vicinity of the bonding interface between the skin layer and the bonding layer. It was also confirmed that Mg 2 Si was present in the bonding layer.
［実験例２］
（実験例２−１〜２−１４）
表３に示すように、回路層形成用金属板（実験例１と同様）と、セラミックス基板（実験例１と同様）と、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料（ＡｌＳｉＣ）の板材（実験例１と同様）と、ヒートシンクと、ろう材とを準備した。
[Experiment 2]
(Experimental examples 2-1 to 2-14)
As shown in Table 3, a metal plate for circuit layer formation (similar to Experimental Example 1), a ceramic substrate (same as Experimental Example 1), and a plate material of Al-SiC composite material (AlSiC) (similar to Experimental Example 1) A heat sink and a brazing material were prepared.
セラミックス基板の一方の面に、回路層形成用金属板を、上記実験例１と同様にして接合した。 A circuit layer forming metal plate was bonded to one surface of the ceramic substrate in the same manner as in Experimental Example 1.
次に、表３に示すように、回路層が形成されたセラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料（金属層）の一方に、マグネシウム層を表３に記載した厚さで形成した。マグネシウム層は、蒸着法によって形成した。 Next, as shown in Table 3, a magnesium layer having a thickness described in Table 3 was formed on one of the ceramic substrate on which the circuit layer was formed and the Al—SiC composite material (metal layer). The magnesium layer was formed by a vapor deposition method.
次いで、セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料とを積層した。そして、積層方向に加圧しながら加熱することによって、セラミックス基板にＡｌ−ＳｉＣ複合材料（金属層）を接合して、パワーモジュール用基板を作製した。積層方向の荷重は１５ｋｇｆ／ｃｍ２、接合温度は５６０℃、保持時間は６０分とした。 Next, a ceramic substrate and an Al—SiC composite material were laminated. And the Al-SiC composite material (metal layer) was joined to the ceramic board | substrate by heating, pressing in a lamination direction, and the board | substrate for power modules was produced. The load in the stacking direction was 15 kgf / cm 2 , the bonding temperature was 560 ° C., and the holding time was 60 minutes.
次に、実験例１と同様にしてパワーモジュール用基板の金属層（Ａｌ−ＳｉＣ複合材料）とヒートシンクとを上記実験例１と同様にして接合して、評価用試料を作製した。 Next, in the same manner as in Experimental Example 1, the metal layer (Al—SiC composite material) of the power module substrate and the heat sink were joined in the same manner as in Experimental Example 1 to prepare an evaluation sample.
作製した評価用試料（ヒートシンク付パワーモジュール用基板）を用いて、実験例１と同様に、セラミックス基板と金属層との接合界面の非破壊率、セラミックス基板の割れについて評価した。その結果を表４に示す。 Using the produced sample for evaluation (power module substrate with a heat sink), the non-destructive rate of the bonding interface between the ceramic substrate and the metal layer and cracking of the ceramic substrate were evaluated in the same manner as in Experimental Example 1. The results are shown in Table 4.
セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料とをマグネシウム層を介して接合した実験例２−１〜２−１４においても、冷熱サイクル後の反りが小さく、セラミックス基板に割れが生じなかった。
但し、実験例２−１２、２−１４はセラミックス基板と金属層との接合界面の非破壊率が低下した。実験例２−１２は、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料のセラミックス基板側の表面に形成されている接合部がケイ素を実質的に含まないためであると考えられる。実験例２−１４は、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料のセラミックス基板側の表面に形成されている接合部がマグネシウムを実質的に含まないためであると考えられる。
これに対して、実験例２−１〜２−１１および２−１３では、冷熱サイクル後のセラミックス基板と金属層との接合界面の非破壊率の低下が抑制された。これは、Ａｌ−ＳｉＣ複合材料のセラミックス基板側の表面にアルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む接合層が形成されているためであると考えられる。
Also in Experimental Examples 2-1 to 2-14 in which the ceramic substrate and the Al—SiC composite material were joined via the magnesium layer, the warpage after the cooling and heating cycle was small, and the ceramic substrate was not cracked.
However, in Experimental Examples 2-12 and 2-14, the non-destructive rate of the bonding interface between the ceramic substrate and the metal layer was lowered. Experimental example 2-12 is considered to be because the bonding part formed on the surface of the Al—SiC composite material on the ceramic substrate side does not substantially contain silicon. Experimental Example 2-14 is considered to be because the joint formed on the surface of the Al—SiC composite material on the ceramic substrate side does not substantially contain magnesium.
On the other hand, in Experimental Examples 2-1 to 2-11 and 2-13, a decrease in the non-destructive rate at the bonding interface between the ceramic substrate and the metal layer after the thermal cycle was suppressed. This is presumably because a bonding layer containing aluminum, magnesium and silicon is formed on the surface of the Al—SiC composite material on the ceramic substrate side.
１ ヒートシンク付パワーモジュール用基板
１０ パワーモジュール用基板
１１ セラミックス基板
１２ 回路層
１３ 金属層
２０ ヒートシンク
２１ 流路
３０ Ａｌ−ＳｉＣ複合材料
３１ 多孔質体
３２ アルミニウム材
３３ スキン層
４０ 接合層
４１ マグネシウム酸化物
５０ 接合部
５１ マグネシウム酸化物
６１ アルミニウム部材
６２ ろう材
６３ 積層ろう材
６４ アルミニウム部材層
６５ マグネシウム層
６６ ろう材
６７ マグネシウム層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power module substrate with heat sink 10 Power module substrate 11 Ceramic substrate 12 Circuit layer 13 Metal layer 20 Heat sink 21 Channel 30 Al-SiC composite material 31 Porous body 32 Aluminum material 33 Skin layer 40 Bonding layer 41 Magnesium oxide 50 Joint 51 Magnesium oxide 61 Aluminum member 62 Brazing material 63 Laminated brazing material 64 Aluminum member layer 65 Magnesium layer 66 Brazing material 67 Magnesium layer
Claims (9)
前記金属層が、ＳｉＣからなる多孔質体と、この多孔質体に含浸されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材とを有するＡｌ−ＳｉＣ複合材料で構成されていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。 A ceramic substrate, a circuit layer bonded to one surface of the ceramic substrate, a metal layer bonded to the other surface of the ceramic substrate, and a surface of the metal layer opposite to the ceramic substrate. Heat sink, and a power module substrate with a heat sink,
The power with heat sink, wherein the metal layer is made of an Al-SiC composite material having a porous body made of SiC and an aluminum material made of aluminum or an aluminum alloy impregnated in the porous body. Module board.
前記金属層は、ＳｉＣからなる多孔質体と、この多孔質体に含浸されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材とを有するＡｌ−ＳｉＣ複合材料で構成され、
前記セラミックス基板と前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料とをアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材層と、このアルミニウム部材層の表裏面の少なくとも一方の面に形成されたマグネシウム層とを有する積層ろう材を介して積層して、得られた積層体を５５０℃以上５７５℃以下の温度範囲で加熱することによって、前記セラミックス基板とＡｌ−ＳｉＣ複合材料とを接合する工程を、有し、
前記積層ろう材のマグネシウム層と接触する前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料のアルミニウム材および前記積層ろう材のアルミニウム部材層のうちの少なくとも一方は、ケイ素含有量が０．１原子％以上であるＡｌ−Ｓｉ合金で構成されていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 A ceramic substrate, a circuit layer bonded to one surface of the ceramic substrate, a metal layer bonded to the other surface of the ceramic substrate, and a surface of the metal layer opposite to the ceramic substrate. A method of manufacturing a power module substrate with a heat sink comprising:
The metal layer is composed of an Al-SiC composite material having a porous body made of SiC and an aluminum material made of aluminum or an aluminum alloy impregnated in the porous body,
Through a laminated brazing material having an aluminum member layer made of aluminum or an aluminum alloy and a magnesium layer formed on at least one of the front and back surfaces of the aluminum member layer, the ceramic substrate and the Al-SiC composite material Laminating and heating the obtained laminate in a temperature range of 550 ° C. or more and 575 ° C. or less to join the ceramic substrate and the Al—SiC composite material,
At least one of the aluminum material of the Al—SiC composite material and the aluminum member layer of the laminated brazing material that is in contact with the magnesium layer of the laminated brazing material has an Al—Si content of 0.1 atomic% or more. A method for manufacturing a substrate for a power module with a heat sink, characterized by comprising an alloy.
前記金属層は、ＳｉＣからなる多孔質体と、この多孔質体に含浸されたケイ素含有量が０．１原子％以上であるＡｌ−Ｓｉ合金からなるアルミニウム材とを有するＡｌ−ＳｉＣ複合材料で構成され、
前記セラミックス基板および前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料のうちの少なくとも一方の表面に、厚さが０．１μｍ以上１０μｍ以下のマグネシウム層を形成し、前記セラミックス基板と前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料とを、前記マグネシウム層を介して積層し、得られた積層体を５５０℃以上５７５℃以下の温度範囲で加熱することによって、前記セラミックス基板と前記Ａｌ−ＳｉＣ複合材料とを接合する工程を、有することを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 A ceramic substrate, a circuit layer bonded to one surface of the ceramic substrate, a metal layer bonded to the other surface of the ceramic substrate, and a surface of the metal layer opposite to the ceramic substrate. A method of manufacturing a power module substrate with a heat sink comprising:
The metal layer is an Al—SiC composite material having a porous body made of SiC and an aluminum material made of an Al—Si alloy having a silicon content of 0.1 atomic% or more impregnated in the porous body. Configured,
A magnesium layer having a thickness of 0.1 μm or more and 10 μm or less is formed on at least one surface of the ceramic substrate and the Al—SiC composite material, and the ceramic substrate and the Al—SiC composite material are combined with the magnesium. A step of joining the ceramic substrate and the Al—SiC composite material by heating the obtained laminate in a temperature range of 550 ° C. or more and 575 ° C. or less. A method for manufacturing a power module substrate with a heat sink.
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