JP2018032685A - Thermoelectric converter - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermoelectric converter easily-to-assemble of a board capable of maintaining the performance of the thermoelectric converter at high level while preventing a thermoelectric element from being damaged due to deformation of the board caused from heat.SOLUTION: A thermoelectric converter 1 includes: a first thermal conductive board 10; a second thermal conductive board 20; and plural thermoelectric elements 30 which are disposed between the first board 10 and the second board 20. At least first board 10 is divided into plural areas 10a, and the neighboring areas 10a are connected to each other by a buffer part 11 which elastically absorbs deformation of each area 10a due to heat in plane directions.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、熱を電力に変換し、あるいは電力を熱に変換する熱電変換器に関する。   The present invention relates to a thermoelectric converter that converts heat into electric power or converts electric power into heat.

従来、対象物を冷却または加熱するために、熱電変換器が用いられている。また、近年、工場などで生じる排熱を電力に変換するために、熱電変換器が用いられている。この種の熱電変換器は、ゼーベック効果、ペルチェ効果またはトムソン効果などの熱電効果を利用したp型熱電変換素子とn型熱電変換素子とを多数組み合わせて構成され得る。   Conventionally, thermoelectric converters are used to cool or heat an object. In recent years, thermoelectric converters are used to convert exhaust heat generated in factories and the like into electric power. This type of thermoelectric converter can be configured by combining a number of p-type thermoelectric conversion elements and n-type thermoelectric conversion elements using thermoelectric effects such as Seebeck effect, Peltier effect, or Thomson effect.

以下の特許文献1には、多数の熱電変換素子を2つの基板間に配置した熱電変換器が記載されている。また、熱膨張による基板の変形によって熱電変換素子が破損することを抑制するために、一方の基板を複数の分割基板から構成することが記載されている。   Patent Document 1 below describes a thermoelectric converter in which a large number of thermoelectric conversion elements are arranged between two substrates. Moreover, in order to suppress that a thermoelectric conversion element is damaged by the deformation | transformation of the board | substrate by thermal expansion, it describes that one board | substrate is comprised from a some division | segmentation board | substrate.

特開2016−72579号公報JP-A-2006-72579

しかし、上記特許文献1の構成では、一方の基板が複数の分割基板から構成されているため、基板の数が増加し、各分割基板をそれぞれ位置決めしつつ設置するといった煩雑な工程が必要となってしまう。さらに、組み立て時に各分割基板を位置調整するために、位置調整用のジグ等を挿入するための隙間を分割基板間に確保する必要がある。この隙間には、熱電変換素子を配置できないため、その分、熱電変換器に配置可能な熱電変換素子の数が減少し、結果、熱電変換器の性能が低下するとの問題が生じる。   However, in the configuration of Patent Document 1, since one of the substrates is composed of a plurality of divided substrates, the number of substrates increases, and a complicated process of positioning and installing each divided substrate is required. End up. Furthermore, in order to adjust the position of each divided substrate at the time of assembly, it is necessary to secure a gap for inserting a position adjusting jig or the like between the divided substrates. Since no thermoelectric conversion element can be arranged in the gap, the number of thermoelectric conversion elements that can be arranged in the thermoelectric converter is reduced correspondingly, resulting in a problem that the performance of the thermoelectric converter is lowered.

かかる課題に鑑み、本発明は、熱による基板の変形によって熱電変換素子が破損することを抑制しつつ、熱電変換器の性能を高く維持でき、且つ、基板の組み立て作業を容易に行い得る熱電変換器を提供することを目的とする。   In view of such a problem, the present invention is capable of maintaining the performance of the thermoelectric converter high while suppressing the thermoelectric conversion element from being damaged by the deformation of the substrate due to heat, and capable of easily assembling the substrate. The purpose is to provide a vessel.

本発明の主たる態様に係る熱電変換器は、熱伝導性の第1基板と、熱伝導性の第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された複数の熱電変換素子と、を備える。ここで、少なくとも前記第1基板は、複数の領域に分割され、熱による各領域の面内方向の変形を弾性的に吸収する緩衝部によって、隣り合う前記領域が互いに連結されている。   A thermoelectric converter according to a main aspect of the present invention includes a heat conductive first substrate, a heat conductive second substrate, and a plurality of thermoelectric conversions disposed between the first substrate and the second substrate. An element. Here, at least the first substrate is divided into a plurality of regions, and the adjacent regions are connected to each other by a buffer portion that elastically absorbs deformation in the in-plane direction of each region due to heat.

本態様に係る熱電変換器によれば、熱により各領域が面内方向に変形した場合、この変形が緩衝部によって吸収されるため、各領域における変形が隣の領域に伝搬して累積されることがない。このため、熱による第1基板の変形(面積増加)が顕著に大きくなることがなく、第1基板の変形により、熱電変換素子に大きな力が付与されることがない。よって、第1基板の熱膨張により熱電変換素子が破損することを抑制することができる。   According to the thermoelectric converter according to this aspect, when each region is deformed in the in-plane direction due to heat, the deformation is absorbed by the buffer portion, so that the deformation in each region is propagated to the adjacent region and accumulated. There is nothing. For this reason, the deformation | transformation (area increase) of the 1st board | substrate by a heat | fever does not become large significantly, and a big force is not provided to a thermoelectric conversion element by a deformation | transformation of a 1st board | substrate. Therefore, it can suppress that a thermoelectric conversion element is damaged by the thermal expansion of a 1st board | substrate.

また、隣り合う領域が緩衝部により連結されているため、第1基板は全ての領域が一体化された1つの部材となっている。このため、組み立て時には、第1基板全体をそのまま位置調整して設置すればよく、各領域を個別に位置調整して設置するといった煩雑な作業は必要ない。よって、第1基板の組み立て作業を容易に行うことができる。   Moreover, since the adjacent area | region is connected by the buffer part, the 1st board | substrate is one member with which all the area | regions were integrated. For this reason, at the time of assembly, it is only necessary to adjust the position of the entire first substrate as it is, and it is not necessary to perform complicated operations such as adjusting the positions of the respective regions individually. Therefore, the assembly work of the first substrate can be easily performed.

また、このように、組み立て時には第1基板全体を位置調整すればよいため、分割領域間に、位置調整用のジグ等を挿入するための大きな隙間を確保する必要がない。このため、分割領域間の隙間によって、配置可能な熱電変換素子の数が減少することがなく、よって、熱電変換器の性能を高く維持することができる。   Further, as described above, since the position of the entire first substrate may be adjusted at the time of assembly, it is not necessary to secure a large gap for inserting a position adjusting jig or the like between the divided regions. For this reason, the number of the thermoelectric conversion elements which can be arrange | positioned does not reduce by the clearance gap between division | segmentation area | regions, Therefore, the performance of a thermoelectric converter can be maintained highly.

なお、本発明において、「複数の領域に分割され」とは、隣り合う領域の端縁が、面内方向に離れつつ、緩衝部によって橋架される形態を広く含むものである。また、「緩衝部」は、第1基板に一体形成された形態の他、第1基板とは別の部材で構成される形態も広く含むものである。   In the present invention, “divided into a plurality of regions” widely includes forms in which the edges of adjacent regions are bridged by the buffer portion while being separated in the in-plane direction. In addition to the form integrally formed with the first substrate, the “buffer portion” widely includes a form constituted by a member different from the first substrate.

以上のとおり、本発明によれば、熱による基板の変形によって熱電変換素子が破損することを抑制しつつ、熱電変換器の性能を高く維持でき、且つ、基板の組み立て作業を容易に行い得る熱電変換器を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to maintain high performance of the thermoelectric converter while suppressing the thermoelectric conversion element from being damaged by the deformation of the substrate due to heat, and to easily perform the assembly work of the substrate. A transducer can be provided.

本発明の効果ないし意義は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下に示す実施の形態は、あくまでも、本発明を実施化する際の一つの例示であって、本発明は、以下の実施の形態に記載されたものに何ら制限されるものではない。   The effects and significance of the present invention will become more apparent from the following description of embodiments. However, the embodiment described below is merely an example when the present invention is implemented, and the present invention is not limited to what is described in the following embodiment.

図1(a)は、実施の形態に係る熱電変換器の構成を模式的に示す分解斜視図である。図1(b)は、実施の形態に係る熱電変換器の組立後の状態を模式的に示す斜視図である。FIG. 1A is an exploded perspective view schematically showing the configuration of the thermoelectric converter according to the embodiment. FIG.1 (b) is a perspective view which shows typically the state after the assembly of the thermoelectric converter which concerns on embodiment. 図2(a)、(b)は、実施の形態に係る熱電変換素子の設置状態を模式的に示す図である。FIGS. 2A and 2B are diagrams schematically illustrating an installation state of the thermoelectric conversion element according to the embodiment. 図3(a)、(b)は、実施例1に係る熱電変換器の構成および作用を模式的に示す断面図である。3A and 3B are cross-sectional views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter according to the first embodiment. 図4(a)、(b)は、実施例1に係る熱電変換器の構成および作用を模式的に示す平面図である。4A and 4B are plan views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter according to the first embodiment. 図5(a)、(b)は、実施例2に係る熱電変換器の構成および作用を模式的に示す断面図である。5A and 5B are cross-sectional views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter according to the second embodiment. 図6(a)、(b)は、実施例2に係る熱電変換器の構成および作用を模式的に示す平面図である。6A and 6B are plan views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter according to the second embodiment. 図7(a)、(b)は、実施例3に係る熱電変換器の構成および作用を模式的に示す断面図である。7A and 7B are cross-sectional views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter according to the third embodiment. 図8(a)、(b)は、実施例3に係る熱電変換器の構成および作用を模式的に示す平面図である。FIGS. 8A and 8B are plan views schematically illustrating the configuration and operation of the thermoelectric converter according to the third embodiment. 図9(a)、(b)は、実施例4に係る熱電変換器の構成および作用を模式的に示す断面図である。9A and 9B are cross-sectional views schematically showing the configuration and action of the thermoelectric converter according to the fourth embodiment. 図10(a)、(b)は、実施例4に係る熱電変換器の構成および作用を模式的に示す平面図である。10A and 10B are plan views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter according to the fourth embodiment. 図11(a)は、変更例1に係る熱電変換器の構成を模式的に示す断面図である。図11(b)は、変更例2に係る熱電変換器の構成を模式的に示す断面図である。FIG. 11A is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the thermoelectric converter according to the first modification. FIG. 11B is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the thermoelectric converter according to the second modification. 図12(a)は、実施例5に係る熱電変換器の構成を模式的に示す断面図である。図12(b)は、実施例5に係る熱電変換器の構成を模式的に示す平面図である。FIG. 12A is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the thermoelectric converter according to the fifth embodiment. FIG. 12B is a plan view schematically illustrating the configuration of the thermoelectric converter according to the fifth embodiment. 図13(a)は、実施例6に係る熱電変換器の構成を模式的に示す断面図である。図13(b)は、実施例6に係る熱電変換器の構成を模式的に示す平面図である。FIG. 13A is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the thermoelectric converter according to the sixth embodiment. FIG. 13B is a plan view schematically illustrating the configuration of the thermoelectric converter according to the sixth embodiment. 図14(a)は、変更例3に係る熱電変換器の構成を模式的に示す断面図である。図14(b)は、変更例4に係る熱電変換器の構成を模式的に示す平面図である。FIG. 14A is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the thermoelectric converter according to the third modification. FIG. 14B is a plan view schematically showing the configuration of the thermoelectric converter according to the fourth modification.

以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。便宜上、各図には、互いに直交するX、Y、Z軸が付記されている。Z軸方向が熱電変換器1の高さ方向であり、Z軸負方向が下方向である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. For convenience, the X, Y, and Z axes that are orthogonal to each other are appended to each drawing. The Z-axis direction is the height direction of the thermoelectric converter 1, and the Z-axis negative direction is the downward direction.

図1(a)は、熱電変換器1の構成を示す分解斜視図、図1(b)は、熱電変換器1の組立後の状態を示す斜視図である。   FIG. 1A is an exploded perspective view showing a configuration of the thermoelectric converter 1, and FIG. 1B is a perspective view showing a state after the thermoelectric converter 1 is assembled.

図1(a)に示すように、熱電変換器1は、第1基板10と、第2基板20と、熱電変換素子30と、を備える。   As shown in FIG. 1A, the thermoelectric converter 1 includes a first substrate 10, a second substrate 20, and a thermoelectric conversion element 30.

第1基板10は、平面視において略正方形の輪郭を有する。後述のように、第1基板10は、金属層となるベース基板101と、ベース基板101の下面に形成された絶縁層102とからなっている(図3(a)参照)。ベース基板101は、銅やアルミニウム等の熱伝導特性に優れた材料からなっている。絶縁層102は、たとえば、樹脂フィルムからなっている。絶縁層102の下面には、熱電変換素子30の下面と接合される複数の電極103が形成されている(図3(a)参照)。絶縁層102および電極103は、熱圧着により形成される。   The first substrate 10 has a substantially square outline in plan view. As will be described later, the first substrate 10 includes a base substrate 101 serving as a metal layer and an insulating layer 102 formed on the lower surface of the base substrate 101 (see FIG. 3A). The base substrate 101 is made of a material having excellent heat conduction characteristics such as copper and aluminum. The insulating layer 102 is made of, for example, a resin film. A plurality of electrodes 103 bonded to the lower surface of the thermoelectric conversion element 30 are formed on the lower surface of the insulating layer 102 (see FIG. 3A). The insulating layer 102 and the electrode 103 are formed by thermocompression bonding.

第1基板10は、複数の領域10aに分割されている。また、熱による各領域10aの面内方向の変形を弾性的に吸収する緩衝部11によって、隣り合う領域10aが互いに連結されている。各領域10aは、熱電変換素子30ごとに設定されている。すなわち、平面視において、1つの領域10aに1つの熱電変換素子30が含まれるように、領域10aが設定されている。領域10aと緩衝部11の構成例は、追って、実施例1〜5および変更例1、2において詳述する。   The first substrate 10 is divided into a plurality of regions 10a. Moreover, the adjacent area | region 10a is mutually connected by the buffer part 11 which absorbs the deformation | transformation of the in-plane direction of each area | region 10a by a heat | fever. Each region 10 a is set for each thermoelectric conversion element 30. That is, the region 10a is set so that one thermoelectric conversion element 30 is included in one region 10a in plan view. Configuration examples of the region 10a and the buffer portion 11 will be described in detail in Examples 1 to 5 and Modifications 1 and 2.

第2基板20は、第1基板10と同様の形状および大きさを有する。第1基板10と同様、第2基板20も、ベース基板201の上面に絶縁層202が形成された構成となっている(図3(a)参照)。ベース基板201は、銅やアルミニウム等の熱伝導特性に優れた材料からなっている。第2基板20の上面には、熱電変換素子30の下面と接合される複数の電極203が形成されている(図3(a)参照)。絶縁層202および電極203は、たとえば、熱圧着により形成される。図1(a)の状態では、熱電変換素子30の下面が、半田で電極203に接合されている。   The second substrate 20 has the same shape and size as the first substrate 10. Similar to the first substrate 10, the second substrate 20 also has a configuration in which an insulating layer 202 is formed on the upper surface of the base substrate 201 (see FIG. 3A). The base substrate 201 is made of a material having excellent heat conduction characteristics such as copper and aluminum. A plurality of electrodes 203 bonded to the lower surface of the thermoelectric conversion element 30 are formed on the upper surface of the second substrate 20 (see FIG. 3A). The insulating layer 202 and the electrode 203 are formed by, for example, thermocompression bonding. In the state of FIG. 1A, the lower surface of the thermoelectric conversion element 30 is joined to the electrode 203 with solder.

第1基板10と異なり、第2基板20は、複数の領域に分割されていない。また、第2基板20の上面に形成された電極群の中には、熱電変換素子30に電力を供給し、または、熱電変換素子30から電力を引き出すためのリード線(図示せず)が半田付けされる電極が含まれている。   Unlike the first substrate 10, the second substrate 20 is not divided into a plurality of regions. In addition, in the electrode group formed on the upper surface of the second substrate 20, a lead wire (not shown) for supplying power to the thermoelectric conversion element 30 or drawing power from the thermoelectric conversion element 30 is soldered. An attached electrode is included.

熱電変換素子30は、直方体の形状を有する。熱電変換素子30は、たとえば、熱を電力に変換する半導体からなっている。熱電変換素子30は、ゼーベック係数αと比抵抗ρと熱伝導率Kによって表される性能指数Z(=α2/ρK)が大きな材料(Bi2Te3系材料、鉛・テルル系材料、シリコン・ゲルマニウム系材料等)にドーパントを添加したものである。添加するドーパントにより、p型とn型の2種類の熱電変換素子30が構成される。p型の熱電変換素子30を構成するためのドーパントとして、たとえば、Sbが添加される。また、n型の熱電変換素子30を構成するためのドーパントとして、たとえば、Seが添加される。熱電変換素子30の上面および下面には、上述の電極群に接合される電極部が形成されている。熱電変換素子30が、ペルチェ素子等の、電力により熱を制御する素子からなっていてもよい。   The thermoelectric conversion element 30 has a rectangular parallelepiped shape. The thermoelectric conversion element 30 is made of, for example, a semiconductor that converts heat into electric power. The thermoelectric conversion element 30 is a material (Bi2Te3 material, lead / tellurium material, silicon / germanium material) having a large figure of merit Z (= α2 / ρK) represented by the Seebeck coefficient α, the specific resistance ρ, and the thermal conductivity K. Etc.) to which a dopant is added. Two types of p-type and n-type thermoelectric conversion elements 30 are constituted by the dopant to be added. As a dopant for configuring the p-type thermoelectric conversion element 30, for example, Sb is added. Further, for example, Se is added as a dopant for configuring the n-type thermoelectric conversion element 30. On the upper surface and the lower surface of the thermoelectric conversion element 30, electrode portions that are bonded to the above-described electrode group are formed. The thermoelectric conversion element 30 may be composed of an element that controls heat by electric power, such as a Peltier element.

熱電変換器1を形成する際には、熱電変換素子30の上面に半田ペーストを塗布した状態で、図1(a)のように第2基板20に第1基板10を重ねる。これにより、第1基板10下面の電極103が、半田ペーストを介して熱電変換素子30の上面に接触する。その後、第1基板10と第2基板20とをリフロー炉に流し、電極103と熱電変換素子30の上面とを、半田により接合する。これにより、図1(b)に示すように、熱電変換器1の組み立てが完了する。   When the thermoelectric converter 1 is formed, the first substrate 10 is overlaid on the second substrate 20 as shown in FIG. 1A with the solder paste applied to the upper surface of the thermoelectric conversion element 30. Thereby, the electrode 103 on the lower surface of the first substrate 10 contacts the upper surface of the thermoelectric conversion element 30 via the solder paste. Then, the 1st board | substrate 10 and the 2nd board | substrate 20 are poured into a reflow furnace, and the electrode 103 and the upper surface of the thermoelectric conversion element 30 are joined with solder. Thereby, as shown in FIG.1 (b), the assembly of the thermoelectric converter 1 is completed.

図1(b)の状態において、全ての熱電変換素子30が、第1基板10側の電極103と第2基板20側の電極203によって直列に接続される。すなわち、第1基板10と第2基板20には、全ての熱電変換素子30を直列に接続可能なパターンで、電極103と電極203が配置されている。   In the state of FIG. 1B, all the thermoelectric conversion elements 30 are connected in series by the electrode 103 on the first substrate 10 side and the electrode 203 on the second substrate 20 side. That is, the electrodes 103 and 203 are arranged on the first substrate 10 and the second substrate 20 in a pattern in which all the thermoelectric conversion elements 30 can be connected in series.

なお、第2基板20側の電極203と熱電変換素子30下面との接合と、第1基板10側の電極103と熱電変換素子30上面との接合を、同時に行ってもよい。この場合、第2基板20上の電極203に半田ペーストを塗布した後、治具により、電極203上に熱電変換素子30を配置する。その後、上記と同様、第2基板20に第1基板10を重ねて、第1基板10と第2基板20をリフロー炉に流す。これにより、半田ペーストが溶融し、半田による電極103と熱電変換素子30上面との接合とともに、半田による電極203と熱電変換素子30下面との接合が行われる。これにより、図1(b)に示すように、熱電変換器1の組み立てが完了する。   The bonding between the electrode 203 on the second substrate 20 side and the lower surface of the thermoelectric conversion element 30 and the bonding between the electrode 103 on the first substrate 10 side and the upper surface of the thermoelectric conversion element 30 may be performed simultaneously. In this case, after applying a solder paste to the electrode 203 on the second substrate 20, the thermoelectric conversion element 30 is disposed on the electrode 203 by a jig. Thereafter, similarly to the above, the first substrate 10 is overlaid on the second substrate 20, and the first substrate 10 and the second substrate 20 are allowed to flow in a reflow furnace. As a result, the solder paste is melted, and the bonding of the electrode 203 and the thermoelectric conversion element 30 with solder is performed together with the bonding of the electrode 103 and the thermoelectric conversion element 30 with solder. Thereby, as shown in FIG.1 (b), the assembly of the thermoelectric converter 1 is completed.

こうして、熱電変換器1の組み立てが完了した後、熱電変換素子30に電力を供給し、または、熱電変換素子30から電力を引き出すためのリード線が熱電変換器1に接続される。   Thus, after the assembly of the thermoelectric converter 1 is completed, electric power is supplied to the thermoelectric conversion element 30 or a lead wire for drawing electric power from the thermoelectric conversion element 30 is connected to the thermoelectric converter 1.

図2(a)、(b)は、熱電変換素子30の設置状態を模式的に示す図である。なお、図2(a)では、便宜上、第1基板10の図示が省略され、第1基板10側の電極103のみが図示されている。また、図2(b)では、電極203の配置が明瞭となるように、さらに、熱電変換素子30と電極103の図示が省略されている。   2A and 2B are diagrams schematically showing the installation state of the thermoelectric conversion element 30. FIG. In FIG. 2A, for the sake of convenience, the illustration of the first substrate 10 is omitted, and only the electrode 103 on the first substrate 10 side is illustrated. Further, in FIG. 2B, the illustration of the thermoelectric conversion element 30 and the electrode 103 is further omitted so that the arrangement of the electrode 203 becomes clear.

図2(a)、(b)に示すように、第2基板20は、熱電導特性に優れたベース基板201と、絶縁層202とからなっている。絶縁層202の上面に、電極203群が形成されている。第1基板10の下面には、電極103群が形成されている。電極103群と電極203群は、それぞれ、熱電変換素子30の上面および下面に半田で固着されている。熱電変換素子30群は、電極103群と電極203群によって直列に接続されている。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the second substrate 20 includes a base substrate 201 having excellent thermal conductivity characteristics and an insulating layer 202. A group of electrodes 203 is formed on the upper surface of the insulating layer 202. A group of electrodes 103 is formed on the lower surface of the first substrate 10. The electrode 103 group and the electrode 203 group are fixed to the upper surface and the lower surface of the thermoelectric conversion element 30 with solder, respectively. The thermoelectric conversion element 30 group is connected in series by the electrode 103 group and the electrode 203 group.

ところで、上記構成を有する熱電変換器1が発電に用いられる場合、たとえば、第1基板10の上面が熱源に接触され、第2基板20は空冷手段等によって冷却される。この場合、第1基板10は、数100℃(たとえば200℃)程度となり、第2基板20は、数10℃(たとえば20℃)程度となる。このように第1基板10の温度が高まると、第1基板10は、常温時の状態から熱膨張し、面内方向に拡張して面積が広がる。他方、第2基板20は、熱膨張せずに、常温時の面積がそのまま維持される。   When the thermoelectric converter 1 having the above configuration is used for power generation, for example, the upper surface of the first substrate 10 is brought into contact with a heat source, and the second substrate 20 is cooled by air cooling means or the like. In this case, the first substrate 10 is about several hundred degrees Celsius (for example, 200 degrees Celsius), and the second substrate 20 is about several tens of degrees Celsius (for example, 20 degrees Celsius). Thus, when the temperature of the 1st board | substrate 10 rises, the 1st board | substrate 10 will thermally expand from the state at the normal temperature, will expand in an in-plane direction, and an area will spread. On the other hand, the area of the second substrate 20 at the normal temperature is maintained as it is without thermally expanding.

このように、第1基板10と第2基板20との間に面積の差が生じると、熱電変換素子30の上面が第1基板10の面内方向に引っ張られて、熱電変換素子30の植立方向に垂直な方向の力が、熱電変換素子30に付与される。ここで、第1基板10が分割されていない場合、面積差による第1基板10と第2基板20との間の相対的な位置ずれ量は、第1基板10の中央から周辺部に向かうに伴って累積される。このため、熱膨張により熱電変換素子30に付与される力は、熱電変換器1の周辺部に向かうほど大きくなる。   As described above, when an area difference occurs between the first substrate 10 and the second substrate 20, the upper surface of the thermoelectric conversion element 30 is pulled in the in-plane direction of the first substrate 10, and the thermoelectric conversion element 30 is implanted. A force in a direction perpendicular to the vertical direction is applied to the thermoelectric conversion element 30. Here, when the first substrate 10 is not divided, the relative displacement amount between the first substrate 10 and the second substrate 20 due to the area difference is from the center of the first substrate 10 toward the peripheral portion. Accumulated with it. For this reason, the force given to the thermoelectric conversion element 30 by thermal expansion becomes larger toward the periphery of the thermoelectric converter 1.

このように、熱電変換素子30に大きな力が付与されると、この力によって、熱電変換素子30が破損し、あるいは、熱電変換素子30と電極103、203との間の半田付けが外れることが起こり得る。こうなると、熱電変換器1からの出力が得られなくなってしまう。この問題は、熱電変換器1が対象物の冷却に用いられる場合も同様に起こり得る。   As described above, when a large force is applied to the thermoelectric conversion element 30, the thermoelectric conversion element 30 may be damaged by this force, or the soldering between the thermoelectric conversion element 30 and the electrodes 103 and 203 may be released. Can happen. If it becomes like this, the output from the thermoelectric converter 1 will no longer be obtained. This problem can also occur when the thermoelectric converter 1 is used for cooling an object.

そこで、本実施の形態では、第1基板10を複数の領域10aに分割し、各領域10aを緩衝部11で連結することにより、熱膨張による面積の拡大が、隣の領域10aに伝搬しないよう構成されている。これにより、熱電変換素子30の破損等が抑制されている。以下、緩衝部11により領域10aを連結する具体的構成例について、図3(a)〜図12(b)を参照して説明する。   Therefore, in the present embodiment, the first substrate 10 is divided into a plurality of regions 10a, and each region 10a is connected by the buffer portion 11, so that the expansion of the area due to thermal expansion does not propagate to the adjacent region 10a. It is configured. Thereby, the damage of the thermoelectric conversion element 30 etc. are suppressed. Hereinafter, a specific configuration example in which the regions 10a are connected by the buffer portion 11 will be described with reference to FIGS. 3 (a) to 12 (b).

<実施例1>
図3(a)、(b)は、実施例1に係る熱電変換器1の構成および作用を模式的に示す断面図である。図3(a)、(b)は、Y−Z平面に平行な平面で熱電変換素子30の位置を切断した断面図である。図4(a)、(b)は、実施例1に係る熱電変換器1の構成および作用を模式的に示す平面図である。図4(a)、(b)は、X軸正側かつY軸負側の角付近をZ軸正側から見た平面図である。図4(a)、(b)には、熱電変換素子30の領域が破線で示されている。
<Example 1>
3A and 3B are cross-sectional views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter 1 according to the first embodiment. 3A and 3B are cross-sectional views in which the position of the thermoelectric conversion element 30 is cut along a plane parallel to the YZ plane. 4A and 4B are plan views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter 1 according to the first embodiment. 4A and 4B are plan views of the vicinity of the corners on the X-axis positive side and the Y-axis negative side as seen from the Z-axis positive side. 4A and 4B, the region of the thermoelectric conversion element 30 is indicated by a broken line.

図3(a)および図4(a)は、熱電変換器1が熱源40に設置される前の状態(常温時の状態)を示し、図3(b)および図4(b)は、熱電変換器1が熱源40に設置された後の状態(発電時の状態)を示している。図3(b)および図4(b)には、熱膨張の方向が矢印で模式的に示されている。   3 (a) and 4 (a) show the state before the thermoelectric converter 1 is installed in the heat source 40 (state at normal temperature), and FIG. 3 (b) and FIG. The state after converter 1 is installed in heat source 40 (state at the time of power generation) is shown. In FIG. 3B and FIG. 4B, the direction of thermal expansion is schematically shown by arrows.

図3(a)および図4(a)に示すように、実施例1では、第1基板10のベース基板101が、縦横に延びるスリット111によって、複数の分割領域R1に分割されている。絶縁層102は、分割されずに1枚のシートとなっている。ベース基板101の各分割領域R1は、絶縁層102で連結されている。すなわち、分割領域R1間の隙間(スリット111)を覆う絶縁層102の部分(連結部102a)によって、隣り合う分割領域R1が互いに連結されている。   As shown in FIG. 3A and FIG. 4A, in Example 1, the base substrate 101 of the first substrate 10 is divided into a plurality of divided regions R1 by slits 111 extending vertically and horizontally. The insulating layer 102 is not divided and is a single sheet. The divided regions R1 of the base substrate 101 are connected by an insulating layer 102. That is, the adjacent divided regions R1 are connected to each other by the portion (connecting portion 102a) of the insulating layer 102 that covers the gap (slit 111) between the divided regions R1.

実施例1では、分割領域R1が、図1(a)の領域10aに対応し、連結部102aが、図1(a)の緩衝部11に対応する。上記のように、絶縁層102は、樹脂フィルムで構成されている。このため、連結部102aは、可撓性を有し、外力により弾性変形可能となっている。   In the first embodiment, the divided region R1 corresponds to the region 10a in FIG. 1A, and the connecting portion 102a corresponds to the buffer portion 11 in FIG. As described above, the insulating layer 102 is made of a resin film. For this reason, the connection part 102a has flexibility and can be elastically deformed by an external force.

図3(b)に示すように、第1基板10の上面が熱源40に接触するよう熱電変換器1が設置されると、熱源40の熱により、ベース基板101の分割領域R1の温度が上昇する。これにより、分割領域R1は、熱膨張し、面内方向に拡張して、面積が広がる。他方、第2基板20は、熱膨張することなく、常温時の面積がそのまま維持される。   As shown in FIG. 3B, when the thermoelectric converter 1 is installed so that the upper surface of the first substrate 10 is in contact with the heat source 40, the temperature of the divided region R1 of the base substrate 101 is increased by the heat of the heat source 40. To do. As a result, the divided region R1 is thermally expanded and expanded in the in-plane direction, so that the area is expanded. On the other hand, the area of the second substrate 20 at the normal temperature is maintained as it is without thermal expansion.

実施例1では、隣り合う分割領域R1間に隙間(スリット111)が形成されているため、このように分割領域R1が熱膨張して面積が拡張しても、面積の拡張が隣の分割領域R1に伝搬することがない。すなわち、分割領域R1が熱膨張により面内方向に拡張した場合、図3(b)および図4(b)に示すように、分割領域R1間の隙間(スリット111)が縮まり、これに伴い連結部102aが弾性変形する。たとえば、図3(b)の状態において、連結部102aは、スリット111の幅方向に圧縮され、また、スリット111の深さ方向に撓む。こうして、各分割領域R1の面積の拡張が、スリット111と連結部102aによって吸収される。   In the first embodiment, since the gap (slit 111) is formed between the adjacent divided regions R1, even if the divided region R1 is thermally expanded in this way and the area is expanded, the expansion of the area is the adjacent divided region. There is no propagation to R1. That is, when the divided region R1 is expanded in the in-plane direction due to thermal expansion, the gap (slit 111) between the divided regions R1 is reduced as shown in FIGS. The portion 102a is elastically deformed. For example, in the state of FIG. 3B, the connecting portion 102 a is compressed in the width direction of the slit 111 and bends in the depth direction of the slit 111. Thus, the expansion of the area of each divided region R1 is absorbed by the slit 111 and the connecting portion 102a.

このように、実施例1の構成によれば、第1基板10のベース基板101が複数の分割領域R1に分割されているため、熱により各分割領域R1が面内方向に変形したとしても、各分割領域R1における変形が隣の分割領域R1に伝搬して累積されることがない。各分割領域R1における面内方向に変形は、緩衝部である連結部102aによって吸収される。よって、熱による第1基板10の変形により、熱電変換素子30に大きな力が付与されて熱電変換素子30が破損することが抑制され得る。   Thus, according to the configuration of the first embodiment, since the base substrate 101 of the first substrate 10 is divided into a plurality of divided regions R1, even if each divided region R1 is deformed in the in-plane direction due to heat, The deformation in each divided region R1 is not propagated and accumulated in the adjacent divided region R1. The deformation in the in-plane direction in each divided region R1 is absorbed by the connecting portion 102a that is a buffer portion. Therefore, it is possible to suppress the thermoelectric conversion element 30 from being damaged by applying a large force to the thermoelectric conversion element 30 due to the deformation of the first substrate 10 due to heat.

また、隣り合う分割領域R1が連結部102aにより連結されているため、第1基板10は全ての分割領域R1が一体化された1つの部材となっている。このため、組み立て時には、第1基板10全体をそのまま位置調整して設置すればよく、各分割領域R1を個別に位置調整して設置するといった煩雑な作業は必要ない。よって、第1基板10の組み立て作業を容易に行うことができる。   Further, since the adjacent divided regions R1 are connected by the connecting portion 102a, the first substrate 10 is a single member in which all the divided regions R1 are integrated. For this reason, at the time of assembly, the entire first substrate 10 may be installed with its position adjusted as it is, and a complicated operation of individually adjusting the position of each divided region R1 is not necessary. Therefore, the assembly work of the first substrate 10 can be easily performed.

また、このように、組み立て時には第1基板10全体を位置調整すればよいため、分割領域R1間の隙間を、位置調整用のジグ等を挿入するために大きく確保する必要がない。このため、分割領域R1間の隙間によって、配置可能な熱電変換素子30の数が減少することがない。よって、熱電変換器1の性能を高く維持できる。   Further, as described above, since the position of the entire first substrate 10 may be adjusted at the time of assembly, it is not necessary to secure a large gap between the divided regions R1 in order to insert a position adjusting jig or the like. For this reason, the number of thermoelectric conversion elements 30 that can be arranged is not reduced by the gap between the divided regions R1. Therefore, the performance of the thermoelectric converter 1 can be maintained high.

このように、実施例1によれば、熱による第1基板10の変形によって熱電変換素子30が破損することを抑制しつつ、熱電変換器1の性能を高く維持でき、且つ、第1基板10の組み立て作業を容易に行うことができる。   Thus, according to the first embodiment, the performance of the thermoelectric converter 1 can be maintained high while suppressing the thermoelectric conversion element 30 from being damaged due to the deformation of the first substrate 10 due to heat, and the first substrate 10. Assembling work can be easily performed.

<実施例2>
図5(a)、(b)は、実施例2に係る熱電変換器1の構成および作用を模式的に示す断面図である。図5(a)、(b)は、図3(a)、(b)と同様の方法で、熱電変換器1を切断した断面図である。図6(a)、(b)は、実施例2に係る熱電変換器1の構成および作用を模式的に示す平面図である。図6(a)、(b)は、図4(a)、(b)と同じ領域の平面図である。図5(a)および図6(a)は、熱電変換器1が熱源40に設置される前の状態(常温時の状態)を示し、図5(b)および図6(b)は、熱電変換器1が熱源40に設置された後の状態(発電時の状態)を示している。
<Example 2>
FIGS. 5A and 5B are cross-sectional views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter 1 according to the second embodiment. FIGS. 5A and 5B are cross-sectional views of the thermoelectric converter 1 cut in the same manner as in FIGS. 3A and 3B. 6A and 6B are plan views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter 1 according to the second embodiment. 6 (a) and 6 (b) are plan views of the same region as FIGS. 4 (a) and 4 (b). 5 (a) and 6 (a) show a state before the thermoelectric converter 1 is installed in the heat source 40 (state at normal temperature), and FIG. 5 (b) and FIG. 6 (b) show the thermoelectric The state after converter 1 is installed in heat source 40 (state at the time of power generation) is shown.

実施例2では、実施例1のスリット111が溝112に置き換えられている。その他の構成は、実施例1と同様である。   In the second embodiment, the slit 111 of the first embodiment is replaced with a groove 112. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

実施例2では、溝112の底面と絶縁層102の上面との間に、ベース基板101の肉薄の層が残っている。すなわち、分割領域R1間の隙間(溝112)の位置の絶縁層102の部分(連結部102a)とともに、ベース基板101の溝112の底面下側の部分(連結部112a)によって、隣り合う分割領域R1が互いに連結されている。   In Example 2, the thin layer of the base substrate 101 remains between the bottom surface of the groove 112 and the top surface of the insulating layer 102. That is, the divided regions adjacent to each other by the portion (the connecting portion 102a) of the insulating layer 102 at the position of the gap (the groove 112) between the divided regions R1 and the lower portion (the connecting portion 112a) of the bottom surface of the groove 112 of the base substrate 101. R1 are connected to each other.

実施例2では、分割領域R1が、図1(a)の領域10aに対応し、連結部102aおよび連結部112aが、図1(a)の緩衝部11に対応する。ここで、ベース基板101は、銅やアルミニウム等の材料で構成されているため、図5(a)に示すように、溝112によりベース基板101の厚みを肉薄に減少させて連結部112aを形成することにより、連結部112aは、可撓性を有し、外力により弾性変形可能となっている。   In the second embodiment, the divided region R1 corresponds to the region 10a in FIG. 1A, and the connecting portion 102a and the connecting portion 112a correspond to the buffer portion 11 in FIG. Here, since the base substrate 101 is made of a material such as copper or aluminum, as shown in FIG. 5A, the thickness of the base substrate 101 is reduced thinly by the groove 112 to form the connecting portion 112a. Thus, the connecting portion 112a has flexibility and can be elastically deformed by an external force.

実施例2においては、隣り合う分割領域R1間に隙間(溝112)が形成されているため、分割領域R1が熱膨張して面積が拡張しても、面積の拡張が隣の分割領域R1に伝搬することがない。すなわち、分割領域R1が熱膨張により面内方向に拡張した場合、図5(b)および図6(b)に示すように、分割領域R1間の隙間(溝112)が縮まり、これに伴い連結部102aおよび連結部112aが弾性変形する。たとえば、図5(b)の状態において、連結部102aおよび連結部112aは、溝112の深さ方向に撓む。こうして、各分割領域R1の面積の拡張が、溝112と連結部102aおよび連結部112aとによって吸収される。   In the second embodiment, since a gap (groove 112) is formed between the adjacent divided regions R1, even if the divided region R1 is thermally expanded and the area is expanded, the area is expanded to the adjacent divided region R1. There is no propagation. That is, when the divided region R1 is expanded in the in-plane direction due to thermal expansion, the gap (groove 112) between the divided regions R1 is reduced as shown in FIGS. The portion 102a and the connecting portion 112a are elastically deformed. For example, in the state of FIG. 5B, the connecting portion 102 a and the connecting portion 112 a are bent in the depth direction of the groove 112. Thus, the expansion of the area of each divided region R1 is absorbed by the groove 112, the connecting portion 102a, and the connecting portion 112a.

実施例2によれば、実施例1と同様の効果が奏され得る。加えて、実施例2では、隣り合う分割領域R1が、絶縁層102の一部である連結部102aとともに、ベース基板101の一部である金属性の連結部112aによって連結されているため、上記実施例1に比べて、分割領域R1がより強固に支持される。よって、第1基板10の取り扱いが容易となり、第1基板10の位置決めおよび取り付けをより簡便に行い得る。また、第1基板10の機械的強度を高めることができ、これにより、熱電変換器1全体の機械的強度を高めることができる。   According to the second embodiment, the same effect as the first embodiment can be achieved. In addition, in the second embodiment, the adjacent divided regions R1 are connected by the metallic connecting portion 112a that is a part of the base substrate 101 together with the connecting portion 102a that is a part of the insulating layer 102. Compared to the first embodiment, the divided region R1 is supported more firmly. Therefore, handling of the first substrate 10 is facilitated, and positioning and attachment of the first substrate 10 can be performed more simply. Moreover, the mechanical strength of the 1st board | substrate 10 can be raised, and, thereby, the mechanical strength of the thermoelectric converter 1 whole can be raised.

<実施例3>
図7(a)、(b)は、実施例3に係る熱電変換器1の構成および作用を模式的に示す断面図である。図7(a)、(b)は、図3(a)、(b)と同様の方法で、熱電変換器1を切断した断面図である。図8(a)、(b)は、実施例3に係る熱電変換器1の構成および作用を模式的に示す平面図である。図8(a)、(b)は、図4(a)、(b)と同じ領域の平面図である。図7(a)および図8(a)は、熱電変換器1が熱源40に設置される前の状態(常温時の状態)を示し、図7(b)および図8(b)は、熱電変換器1が熱源40に設置された後の状態(発電時の状態)を示している。
<Example 3>
7A and 7B are cross-sectional views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter 1 according to the third embodiment. 7A and 7B are cross-sectional views of the thermoelectric converter 1 cut in the same manner as in FIGS. 3A and 3B. FIGS. 8A and 8B are plan views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter 1 according to the third embodiment. FIGS. 8A and 8B are plan views of the same region as FIGS. 4A and 4B. FIGS. 7A and 8A show a state before the thermoelectric converter 1 is installed in the heat source 40 (a state at normal temperature), and FIGS. 7B and 8B show the thermoelectrics. The state after converter 1 is installed in heat source 40 (state at the time of power generation) is shown.

実施例3では、実施例1のスリット111の部分に、隣り合う分割領域R1を連結する梁部114が形成されている。図8(a)に示すように、梁部114は、隣り合う分割領域R1間の隙間(スリット111)を斜めに横切るように、ベース基板101に一体形成されている。その他の構成は、実施例1と同様である。   In the third embodiment, a beam portion 114 that connects adjacent divided regions R1 is formed in the slit 111 portion of the first embodiment. As shown in FIG. 8A, the beam portion 114 is integrally formed with the base substrate 101 so as to obliquely cross the gap (slit 111) between the adjacent divided regions R1. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

実施例3では、分割領域R1間の隙間(スリット111)を覆う絶縁層102の部分(連結部102a)とともに、梁部114によって、隣り合う分割領域R1が互いに連結されている。   In the third embodiment, the adjacent divided regions R1 are connected to each other by the beam 114 together with the portion (the connecting portion 102a) of the insulating layer 102 that covers the gap (slit 111) between the divided regions R1.

実施例3では、分割領域R1が、図1(a)の領域10aに対応し、連結部102aおよび梁部114が、図1(a)の緩衝部11に対応する。ここで、ベース基板101は、銅やアルミニウム等の材料で構成されているため、図8(a)に示すように梁部114を肉薄に形成することにより、梁部114は、可撓性を有し、外力により弾性変形可能となる。   In the third embodiment, the divided region R1 corresponds to the region 10a in FIG. 1A, and the connecting portion 102a and the beam portion 114 correspond to the buffer portion 11 in FIG. Here, since the base substrate 101 is made of a material such as copper or aluminum, the beam 114 can be made flexible by forming the beam 114 thin as shown in FIG. It can be elastically deformed by an external force.

実施例3においては、隣り合う分割領域R1間に隙間(スリット111)が形成されているため、分割領域R1が熱膨張して面積が拡張しても、面積の拡張が隣の分割領域R1に伝搬することがない。すなわち、分割領域R1が熱膨張により面内方向に拡張した場合、図7(b)および図8(b)に示すように、分割領域R1間の隙間(スリット111)が縮まり、これに伴い連結部102aおよび梁部114が弾性変形する。たとえば、図8(b)の状態において、連結部102aは、スリット111の幅方向に圧縮され、あるいは、スリット111の深さ方向に撓む。また、図8(b)の状態において、梁部114は、傾き角がより鋭角となるように弾性変形する。こうして、各分割領域R1の面積の拡張が、スリット111と連結部102aおよび梁部114とによって吸収される。   In Example 3, since the gap (slit 111) is formed between the adjacent divided regions R1, even if the divided region R1 is thermally expanded and the area is expanded, the expansion of the area is performed in the adjacent divided region R1. There is no propagation. That is, when the divided region R1 expands in the in-plane direction due to thermal expansion, the gap (slit 111) between the divided regions R1 is reduced as shown in FIGS. The portion 102a and the beam portion 114 are elastically deformed. For example, in the state of FIG. 8B, the connecting portion 102 a is compressed in the width direction of the slit 111 or bent in the depth direction of the slit 111. Further, in the state of FIG. 8B, the beam portion 114 is elastically deformed so that the inclination angle becomes an acute angle. Thus, the expansion of the area of each divided region R1 is absorbed by the slit 111, the connecting portion 102a, and the beam portion 114.

実施例3によれば、実施例1と同様の効果が奏され得る。加えて、実施例3では、隣り合う分割領域R1が、絶縁層102の一部である連結部102aとともに、ベース基板101の一部である金属性の梁部114によって連結されているため、上記実施例1に比べて、分割領域R1がより強固に支持される。よって、第1基板10の取り扱いが容易となり、第1基板10の位置決めおよび取り付けを簡便に行い得る。また、第1基板10の機械的強度を高めることができ、これにより、熱電変換器1全体の機械的強度を高めることができる。   According to the third embodiment, the same effect as the first embodiment can be achieved. In addition, in Example 3, the adjacent divided regions R1 are connected together with the connecting portion 102a that is a part of the insulating layer 102 by the metallic beam portion 114 that is a part of the base substrate 101. Compared to the first embodiment, the divided region R1 is supported more firmly. Therefore, handling of the first substrate 10 becomes easy, and positioning and attachment of the first substrate 10 can be easily performed. Moreover, the mechanical strength of the 1st board | substrate 10 can be raised, and, thereby, the mechanical strength of the thermoelectric converter 1 whole can be raised.

<実施例4>
図9(a)、(b)は、実施例4に係る熱電変換器1の構成および作用を模式的に示す断面図である。図9(a)、(b)は、図3(a)、(b)と同様の方法で、熱電変換器1を切断した断面図である。図10(a)、(b)は、実施例4に係る熱電変換器1の構成および作用を模式的に示す平面図である。図10(a)、(b)は、図4(a)、(b)と同じ領域の平面図である。図10(a)、(b)には、保護フィルム116が取り外された状態が図示されている。図9(a)および図10(a)は、熱電変換器1が熱源40に設置される前の状態(常温時の状態)を示し、図9(b)および図10(b)は、熱電変換器1が熱源40に設置された後の状態(発電時の状態)を示している。
<Example 4>
FIGS. 9A and 9B are cross-sectional views schematically showing the configuration and operation of the thermoelectric converter 1 according to the fourth embodiment. FIGS. 9A and 9B are cross-sectional views of the thermoelectric converter 1 cut in the same manner as in FIGS. 3A and 3B. FIGS. 10A and 10B are plan views schematically illustrating the configuration and operation of the thermoelectric converter 1 according to the fourth embodiment. 10 (a) and 10 (b) are plan views of the same region as FIGS. 4 (a) and 4 (b). 10A and 10B show a state where the protective film 116 has been removed. 9 (a) and 10 (a) show a state before the thermoelectric converter 1 is installed on the heat source 40 (state at normal temperature), and FIG. 9 (b) and FIG. 10 (b) show the thermoelectric The state after converter 1 is installed in heat source 40 (state at the time of power generation) is shown.

実施例4では、絶縁層102のスリット111の位置に、絶縁層102を貫通する複数の孔115が形成されている。また、スリット111とともにベース基板101の上面を覆うように、保護層を形成する保護フィルム116が付設されている。保護フィルム116は、可撓性を有しかつ熱伝導性に富む材料からなっている。絶縁層102に形成される孔115の数は、図10(a)に示された数に限定されるものではなく、適宜、変更可能である。その他の構成は、実施例1と同様である。   In Example 4, a plurality of holes 115 penetrating the insulating layer 102 are formed at the positions of the slits 111 of the insulating layer 102. A protective film 116 for forming a protective layer is attached so as to cover the upper surface of the base substrate 101 together with the slit 111. The protective film 116 is made of a material having flexibility and high thermal conductivity. The number of holes 115 formed in the insulating layer 102 is not limited to the number shown in FIG. 10A and can be changed as appropriate. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

実施例4では、絶縁層102の連結部102aに孔115が形成されているため、実施例1に比べて、連結部102aがより撓みやすくなっている。また、孔115の上方が保護フィルム116により閉塞されるため、孔115を介して熱電変換器1の内部が露出することがない。さらに、保護フィルム116は、可撓性を有する材料からなっているため、保護フィルム116のスリット111を覆う部分(連結部116a)もまた、外力により容易に撓み得る。   In the fourth embodiment, since the hole 115 is formed in the connecting portion 102a of the insulating layer 102, the connecting portion 102a is more easily bent than the first embodiment. Further, since the upper portion of the hole 115 is blocked by the protective film 116, the inside of the thermoelectric converter 1 is not exposed through the hole 115. Furthermore, since the protective film 116 is made of a flexible material, the portion (the connecting portion 116a) that covers the slit 111 of the protective film 116 can also be easily bent by an external force.

実施例4では、絶縁層102の連結部102aおよび保護フィルム116の連結部116aが、図1(a)の緩衝部11に対応する。実施例4によれば、実施例1と同様の効果が奏され得る。加えて、実施例4では、実施例1に比べて、連結部102aの可撓性が高められているため、熱膨張による分割領域R1の変位を、より柔軟に、連結部102aによって吸収できる。   In Example 4, the connection part 102a of the insulating layer 102 and the connection part 116a of the protective film 116 correspond to the buffer part 11 of FIG. According to the fourth embodiment, the same effect as the first embodiment can be achieved. In addition, in the fourth embodiment, the flexibility of the connecting portion 102a is enhanced as compared with the first embodiment. Therefore, the displacement of the divided region R1 due to thermal expansion can be absorbed more flexibly by the connecting portion 102a.

なお、実施例1〜3の構成において、さらに、保護フィルム116が付設されてもよい。   In addition, in the structure of Examples 1-3, the protective film 116 may be further attached.

<変更例>
上記実施例4のように、絶縁層102に孔115が形成される場合、図11(a)に示す変更例1のように、スリット111が絶縁樹脂等の弾性材料117で埋められてもよい。これにより、孔115が閉塞されるため、孔115を介して熱電変換器1の内部が露出することがない。
<Example of change>
When the hole 115 is formed in the insulating layer 102 as in the fourth embodiment, the slit 111 may be filled with an elastic material 117 such as an insulating resin as in the first modification shown in FIG. . Thereby, since the hole 115 is obstruct | occluded, the inside of the thermoelectric converter 1 is not exposed through the hole 115. FIG.

また、孔115は、必ずしも、絶縁層102を貫通せずともよく、図11(b)に示す変更例2のように、孔115aが、絶縁層102上面から絶縁層102の途中までで終わっていてもよい。この場合、孔115aを介して熱電変換器1の内部が露出しないため、弾性材料117は省略可能であり、同様に、保護フィルム116も省略可能である。   The hole 115 does not necessarily penetrate the insulating layer 102, and the hole 115a ends from the upper surface of the insulating layer 102 to the middle of the insulating layer 102 as in Modification 2 shown in FIG. May be. In this case, since the inside of the thermoelectric converter 1 is not exposed through the hole 115a, the elastic material 117 can be omitted, and similarly, the protective film 116 can be omitted.

ただし、絶縁層102を貫通する孔115を設けた方が、貫通しない孔115aを設けた場合に比べて、絶縁層102の連結部102aがより柔軟に撓みやすくなる。   However, when the hole 115 penetrating the insulating layer 102 is provided, the connecting portion 102a of the insulating layer 102 is more easily bent than when the hole 115a not penetrating is provided.

<実施例5>
図12(a)、(b)は、実施例5に係る熱電変換器1の構成を模式的に示す断面図および平面図である。図12(a)の断面図は、図3(a)と同様の方法で熱電変換器1を切断した場合のものである。図12(b)の平面図は、図4(a)と同じ領域のものである。
<Example 5>
12A and 12B are a cross-sectional view and a plan view schematically showing the configuration of the thermoelectric converter 1 according to the fifth embodiment. The cross-sectional view of FIG. 12A is a case where the thermoelectric converter 1 is cut by the same method as in FIG. The plan view of FIG. 12B is the same region as FIG.

実施例5では、ベース基板101の上面にV字状の2つの溝118aを形成するとともに、ベース基板101の下面に逆V字状の1つの溝118bを形成することにより、可撓性の連結部118がベース基板101に一体形成されている。こうして形成された連結部118によって、隣り合う分割領域R1が連結されている。その他の構成は、実施例1と同様である。   In the fifth embodiment, two V-shaped grooves 118 a are formed on the upper surface of the base substrate 101, and one inverted V-shaped groove 118 b is formed on the lower surface of the base substrate 101. A portion 118 is formed integrally with the base substrate 101. The adjacent divided regions R1 are connected by the connecting portion 118 formed in this way. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

実施例5では、連結部118が、図1(a)の緩衝部11に対応する。ベース基板101は、銅やアルミニウム等の材料で構成されているため、図12(a)に示すように、溝118a、118bによって連結部118を肉薄に形成することにより、連結部118は、可撓性を有し、外力により弾性変形可能となる。連結部118は、図12(b)に示す矢印方向に弾性変形可能である。   In the fifth embodiment, the connecting portion 118 corresponds to the buffer portion 11 in FIG. Since the base substrate 101 is made of a material such as copper or aluminum, the connecting portion 118 can be formed by forming the connecting portion 118 thin with the grooves 118a and 118b as shown in FIG. It has flexibility and can be elastically deformed by an external force. The connecting portion 118 can be elastically deformed in the arrow direction shown in FIG.

実施例5の構成によれば、分割領域R1が熱膨張して面積が拡張しても、面積の拡張が、連結部118によって吸収されて、隣の分割領域R1に伝搬することがない。すなわち、分割領域R1が熱膨張により面内方向に拡張した場合、分割領域R1間の間隔が縮まるように、連結部118が弾性変形する。こうして、各分割領域R1の面積の拡張が、連結部118によって吸収される。   According to the configuration of the fifth embodiment, even if the divided region R1 is thermally expanded and the area is expanded, the expansion of the area is not absorbed by the connecting portion 118 and propagated to the adjacent divided region R1. That is, when the divided region R1 is expanded in the in-plane direction due to thermal expansion, the connecting portion 118 is elastically deformed so that the interval between the divided regions R1 is reduced. Thus, the expansion of the area of each divided region R1 is absorbed by the connecting portion 118.

実施例5によれば、実施例1と同様の効果が奏され得る。加えて、実施例5では、隣り合う分割領域R1が、絶縁層102の一部である連結部102aとともに、ベース基板101の一部である金属性の連結部118によって連結されているため、上記実施例1に比べて、分割領域R1がより強固に支持される。よって、第1基板10の取り扱いが容易となり、第1基板10の位置決めおよび取り付けを簡便に行い得る。また、第1基板10の機械的強度を高めることができ、これにより、熱電変換器1全体の機械的強度を高めることができる。   According to the fifth embodiment, the same effects as in the first embodiment can be achieved. In addition, in the fifth embodiment, the adjacent divided regions R1 are connected by the metallic connecting portion 118 that is a part of the base substrate 101 together with the connecting portion 102a that is a part of the insulating layer 102. Compared to the first embodiment, the divided region R1 is supported more firmly. Therefore, handling of the first substrate 10 becomes easy, and positioning and attachment of the first substrate 10 can be easily performed. Moreover, the mechanical strength of the 1st board | substrate 10 can be raised, and, thereby, the mechanical strength of the thermoelectric converter 1 whole can be raised.

なお、実施例5の構成においても、実施例4や変更例2と同様、絶縁層102に孔115や孔115aが形成されてよい。   In the configuration of the fifth embodiment, the holes 115 and the holes 115a may be formed in the insulating layer 102 as in the fourth embodiment and the second modification.

<実施例6>
図13(a)、(b)は、実施例6に係る熱電変換器1の構成を模式的に示す断面図および平面図である。図13(a)の断面図は、図3(a)と同様の方法で熱電変換器1を切断した場合のものである。図13(b)の平面図は、図4(a)と同じ領域のものである。
<Example 6>
FIGS. 13A and 13B are a cross-sectional view and a plan view schematically showing the configuration of the thermoelectric converter 1 according to the sixth embodiment. The cross-sectional view of FIG. 13A is a case where the thermoelectric converter 1 is cut by the same method as in FIG. The plan view of FIG. 13B is the same region as FIG.

上記実施例1〜5では、第1基板10が、金属材料からなるベース基板101と絶縁層102とから構成されたが、実施例6では、第1基板10が、セラミック材料からなるベース基板121(セラミック層)と、カバー122(カバー層)とからなっている。ベース基板121の下面には、熱圧着により、電極123が設置されている。   In the first to fifth embodiments, the first substrate 10 is composed of the base substrate 101 made of a metal material and the insulating layer 102. In the sixth embodiment, the first substrate 10 is a base substrate 121 made of a ceramic material. (Ceramic layer) and a cover 122 (cover layer). An electrode 123 is disposed on the lower surface of the base substrate 121 by thermocompression bonding.

ベース基板121は、縦横に延びるスリット121aによって、複数の分割領域R2に分割されている。カバー122は、分割されずに1枚のシートとなっている。カバー122は、可撓性を有する材料(たとえば、樹脂)からなっている。カバー122は、たとえば熱圧着によりベース基板121の上面に設置される。   The base substrate 121 is divided into a plurality of divided regions R2 by slits 121a extending vertically and horizontally. The cover 122 is not divided and is a single sheet. The cover 122 is made of a flexible material (for example, resin). The cover 122 is installed on the upper surface of the base substrate 121 by, for example, thermocompression bonding.

ベース基板121の各分割領域R2は、カバー122で連結されている。すなわち、分割領域R2間の隙間(スリット121a)を覆うカバー122の部分(連結部122a)によって、隣り合う分割領域R1が互いに連結されている。   Each divided region R <b> 2 of the base substrate 121 is connected by a cover 122. In other words, the adjacent divided regions R1 are connected to each other by the portion (connecting portion 122a) of the cover 122 that covers the gap (slit 121a) between the divided regions R2.

実施例6では、分割領域R2が、図1(a)の領域10aに対応し、連結部122aが、図1(a)の緩衝部11に対応する。上記のように、カバー122は、可撓性を有する材料で構成されている。このため、連結部122aは、外力により弾性変形可能となっている。   In the sixth embodiment, the divided region R2 corresponds to the region 10a in FIG. 1A, and the connecting portion 122a corresponds to the buffer portion 11 in FIG. As described above, the cover 122 is made of a flexible material. For this reason, the connection part 122a can be elastically deformed by an external force.

実施例6においても、実施例1と同様の効果が奏され得る。実施例6では、隣り合う分割領域R2間に隙間(スリット121a)が形成されているため、分割領域R2が熱膨張して面積が拡張しても、面積の拡張が隣の分割領域R2に伝搬することがない。すなわち、分割領域R2が熱膨張により面内方向に拡張した場合、分割領域R2間の隙間(スリット121a)が縮まり、これに伴い連結部122aが弾性変形する。この場合、たとえば、連結部122aは、スリット121aの幅方向に圧縮され、また、スリット121aの深さ方向に撓む。こうして、各分割領域R2の面積の拡張が、スリット121aと連結部122aによって吸収される。   In the sixth embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. In Example 6, since the gap (slit 121a) is formed between the adjacent divided regions R2, even if the divided region R2 is thermally expanded and the area is expanded, the expansion of the area is propagated to the adjacent divided region R2. There is nothing to do. That is, when the divided region R2 expands in the in-plane direction due to thermal expansion, the gap (slit 121a) between the divided regions R2 is reduced, and the connecting portion 122a is elastically deformed accordingly. In this case, for example, the connecting portion 122a is compressed in the width direction of the slit 121a and bends in the depth direction of the slit 121a. Thus, the expansion of the area of each divided region R2 is absorbed by the slit 121a and the connecting portion 122a.

なお、図13(a)の構成例では、第2基板20が金属材料からなるベース基板201と絶縁層202とから構成されているが、第2基板20もセラミック材料からなるベース基板とカバーとから構成されてもよい。   In the configuration example of FIG. 13A, the second substrate 20 includes a base substrate 201 made of a metal material and an insulating layer 202. However, the second substrate 20 also includes a base substrate made of a ceramic material, a cover, and the like. May be configured.

<他の変更例>
上記実施の形態では、領域10a(分割領域R1、R2)が、それぞれ、1つの熱電変換素子30に対応するように設定された。しかしながら、領域10a(分割領域R1、R2)は、必ずしも、熱電変換素子30ごとに設定されなくともよく、たとえば、図14(a)に示すように、平面視において複数の熱電変換素子30を含むように、領域10a(分割領域R1、R2)が設定されてもよい。
<Other changes>
In the embodiment described above, the regions 10 a (divided regions R <b> 1 and R <b> 2) are set so as to correspond to one thermoelectric conversion element 30. However, the region 10a (divided regions R1, R2) does not necessarily have to be set for each thermoelectric conversion element 30, and includes, for example, a plurality of thermoelectric conversion elements 30 in a plan view as shown in FIG. As described above, the region 10a (the divided regions R1 and R2) may be set.

このように、領域10a(分割領域R1、R2)を広く設定することにより、第1基板10の機械的強度を高めることができる。他方、領域10a(分割領域R1、R2)が広くなるほど、各領域10aにおいて、熱膨張による面積変動が大きくなるため、熱膨張により熱電変換素子30に付与される力が大きくなり、熱電変換素子30に支障が生じやすくなる。したがって、熱電変換素子30に対する影響を抑制する観点からは、領域10a(分割領域R1、R2)は、なるべく小さい方が好ましく、上記実施の形態のように、領域10a(分割領域R1、R2)が熱電変換素子30ごとに設定されることが最も好ましい。   Thus, the mechanical strength of the 1st board | substrate 10 can be raised by setting the area | region 10a (division area | region R1, R2) widely. On the other hand, as the region 10a (divided regions R1 and R2) becomes wider, the area variation due to thermal expansion increases in each region 10a. Therefore, the force applied to the thermoelectric conversion element 30 by thermal expansion increases, and the thermoelectric conversion element 30 It becomes easy to cause trouble. Therefore, from the viewpoint of suppressing the influence on the thermoelectric conversion element 30, the region 10a (the divided regions R1, R2) is preferably as small as possible, and the region 10a (the divided regions R1, R2) is as in the above embodiment. Most preferably, it is set for each thermoelectric conversion element 30.

また、上記実施の形態では、全ての領域10aが同じサイズであったが、領域10aは必ずしも同じサイズに揃えられなくてもよい。たとえば、図14(b)に示すように、熱が集中しやすく熱膨張による面積変動がより顕著となりやすい第1基板10の中央部は、第1基板10の外周部よりも、領域10aのサイズを小さく設定してもよい。これにより、第1基板10の外周部において、第1基板10の機械的強度を高めつつ、熱膨張がより顕著となる中央部において、熱膨張による領域10aの面積変動を効果的に抑制することができる。   Moreover, in the said embodiment, although all the area | regions 10a were the same size, the area | region 10a does not necessarily need to be arrange | equalized with the same size. For example, as shown in FIG. 14B, the central portion of the first substrate 10 where heat tends to concentrate and the area variation due to thermal expansion is more prominent is the size of the region 10 a than the outer peripheral portion of the first substrate 10. May be set smaller. Thereby, in the outer peripheral portion of the first substrate 10, the mechanical strength of the first substrate 10 is increased, and the area variation of the region 10a due to the thermal expansion is effectively suppressed in the central portion where the thermal expansion becomes more remarkable. Can do.

また、上記実施の形態では、実動作時に高温となる方の基板を分割し、分割した基板を緩衝部により連結したが、実動作時に低温となる方の基板を分割し、分割した基板を緩衝部により連結してもよい。また、必ずしも一方の基板のみを分割して緩衝部により連結しなくてもよく、両方の基板を分割して緩衝部により連結してもよい。   Further, in the above embodiment, the substrate that becomes high temperature during actual operation is divided and the divided substrates are connected by the buffer unit. However, the substrate that becomes low temperature during actual operation is divided, and the divided substrate is buffered. You may connect by a part. Further, it is not always necessary to divide only one substrate and connect it by the buffering portion, and both substrates may be divided and connected by the buffering portion.

また、第1基板10は、ベース基板101と絶縁層102のみならず他の層をさらに含んでいてもよい。また、ベース基板101が、複数の層からなっていてもよく、絶縁層102が複数の層からなっていてもよい。   The first substrate 10 may further include other layers in addition to the base substrate 101 and the insulating layer 102. In addition, the base substrate 101 may be composed of a plurality of layers, and the insulating layer 102 may be composed of a plurality of layers.

この他、本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。   In addition, the embodiment of the present invention can be variously modified as appropriate within the scope of the technical idea shown in the claims.

1 … 熱電変換器
10 … 第1基板
10a … 領域
11 … 緩衝部
20 … 第2基板
30 … 熱電変換素子
101 … ベース基板(金属層)
102 … 絶縁層
102a … 連結部
111 … スリット
112 … 溝
112a … 連結部
114 … 梁部
115 … 孔
116 … 保護フィルム
117 … 弾性材料
118 … 連結部
118a、118b … 溝
121 … ベース基板(セラミック層)
121a … スリット
122 … カバー(カバー層)
122a … 連結部
R1、R2 … 分割領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Thermoelectric converter 10 ... 1st board | substrate 10a ... Area | region 11 ... Buffer part 20 ... 2nd board | substrate 30 ... Thermoelectric conversion element 101 ... Base board | substrate (metal layer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 102 ... Insulating layer 102a ... Connection part 111 ... Slit 112 ... Groove 112a ... Connection part 114 ... Beam part 115 ... Hole 116 ... Protective film 117 ... Elastic material 118 ... Connection part 118a, 118b ... Groove 121 ... Base substrate (ceramic layer)
121a ... slit 122 ... cover (cover layer)
122a ... connecting part R1, R2 ... divided region

Claims (11)

熱伝導性の第1基板と、
熱伝導性の第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置された複数の熱電変換素子と、を備え、
少なくとも前記第1基板は、複数の領域に分割され、熱による各領域の面内方向の変形を弾性的に吸収する緩衝部によって、隣り合う前記領域が互いに連結されている、
ことを特徴とする熱電変換器。
A thermally conductive first substrate;
A thermally conductive second substrate;
A plurality of thermoelectric conversion elements disposed between the first substrate and the second substrate;
At least the first substrate is divided into a plurality of regions, and the adjacent regions are connected to each other by a buffer portion that elastically absorbs deformation in the in-plane direction of each region due to heat,
A thermoelectric converter characterized by that.
請求項1に記載の熱電変換器において、
前記第1基板は、前記熱電変換素子側に配置された絶縁層と、前記絶縁層に対して前記熱電変換素子と反対側に配置された金属層とを備え、
前記絶縁層は可撓性を有し、
前記金属層は、それぞれ前記領域に対応する複数の分割領域に分割され、前記分割領域間の隙間の位置の前記絶縁層の部分によって、隣り合う前記分割領域が互いに連結されている、
ことを特徴とする熱電変換器。
The thermoelectric converter according to claim 1,
The first substrate includes an insulating layer disposed on the thermoelectric conversion element side, and a metal layer disposed on the opposite side of the thermoelectric conversion element with respect to the insulating layer,
The insulating layer is flexible;
The metal layer is divided into a plurality of divided regions each corresponding to the region, and the adjacent divided regions are connected to each other by a portion of the insulating layer at a position of a gap between the divided regions.
A thermoelectric converter characterized by that.
請求項2に記載の熱電変換器において、
前記分割領域間の隙間において隣り合う前記分割領域を弾性的に連結する連結部が、前記金属層に一体的に形成されている、
ことを特徴とする、
ことを特徴とする熱電変換器。
The thermoelectric converter according to claim 2, wherein
A connecting portion that elastically connects the divided regions adjacent to each other in the gap between the divided regions is formed integrally with the metal layer.
It is characterized by
A thermoelectric converter characterized by that.
請求項3に記載の熱電変換器において、
前記連結部は、前記金属層の厚みを肉薄に減少させて構成されている、
ことを特徴とする熱電変換器。
The thermoelectric converter according to claim 3, wherein
The connecting portion is configured by reducing the thickness of the metal layer thinly,
A thermoelectric converter characterized by that.
請求項3に記載の熱電変換器において、
前記連結部は、前記隙間を斜めに横切る複数の梁部である、
ことを特徴とする熱電変換器。
The thermoelectric converter according to claim 3, wherein
The connecting portion is a plurality of beam portions that obliquely cross the gap.
A thermoelectric converter characterized by that.
請求項2ないし5の何れか一項に記載の熱電変換器において、
前記隙間の位置の前記絶縁層の部分に孔が形成されている、
ことを特徴とする熱電変換器。
The thermoelectric converter according to any one of claims 2 to 5,
A hole is formed in the portion of the insulating layer at the position of the gap,
A thermoelectric converter characterized by that.
請求項2ないし6に記載の熱電変換器において、
前記金属層の上面を覆う保護層をさらに備える、
ことを特徴とする熱電変換器。
The thermoelectric converter according to any one of claims 2 to 6,
A protective layer covering an upper surface of the metal layer;
A thermoelectric converter characterized by that.
請求項2ないし7に記載の熱電変換器において、
前記隙間が、弾性材料によって埋められている、
ことを特徴とする熱電変換器。
The thermoelectric converter according to any one of claims 2 to 7,
The gap is filled with an elastic material,
A thermoelectric converter characterized by that.
請求項1に記載の熱電変換器において、
前記第1基板は、前記熱電変換素子側に配置されたセラミック層と、前記セラミック層に対して前記熱電変換素子と反対側に配置されたカバー層とを備え、
前記カバー層は可撓性を有し、
前記セラミック層は、それぞれ前記領域に対応する複数の分割領域に分割され、前記分割領域間の隙間の位置の前記カバー層の部分によって、隣り合う前記分割領域が互いに連結されている、
ことを特徴とする熱電変換器。
The thermoelectric converter according to claim 1,
The first substrate includes a ceramic layer disposed on the thermoelectric conversion element side, and a cover layer disposed on the opposite side of the thermoelectric conversion element with respect to the ceramic layer,
The cover layer is flexible;
The ceramic layer is divided into a plurality of divided regions corresponding to the regions, and the adjacent divided regions are connected to each other by a portion of the cover layer at a position of a gap between the divided regions.
A thermoelectric converter characterized by that.
請求項1ないし9の何れか一項に記載の熱電変換器において、
前記熱電変換素子ごとに、前記領域が設定されている、
ことを特徴とする熱電変換器。
The thermoelectric converter according to any one of claims 1 to 9,
The area is set for each thermoelectric conversion element,
A thermoelectric converter characterized by that.
請求項1ないし10の何れか一項に記載の熱電変換器において、
前記第1基板の周縁部よりも前記第1基板の中央部の方が、前記領域の面積が小さい、
ことを特徴とする熱電変換器。
The thermoelectric converter according to any one of claims 1 to 10,
The area of the region of the central portion of the first substrate is smaller than the peripheral portion of the first substrate.
A thermoelectric converter characterized by that.
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