JP2018031603A - 界面分析用試料の作製方法および界面の分析方法 - Google Patents
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Abstract
Description
最初に本願発明の実施の形態を列記して説明する。本願の界面分析用試料の作製方法は、表面粗さがRaで10nm以下である主面を有するガリウム砒素(GaAs)基板を準備する工程と、蒸着またはスパッタリングにより、ガリウム砒素基板の上記主面上に接触するように二酸化珪素(SiO2)層を形成する工程と、蒸着またはスパッタリングにより、二酸化珪素層の、ガリウム砒素基板側とは反対側の主面上に接触するように厚み2nm以上50nm以下の金属層を形成する工程と、金属層の、二酸化珪素層側とは反対側の主面上に接触するように樹脂層を形成することにより、ガリウム砒素基板と、二酸化珪素層と、金属層と、樹脂層とを含む第1の積層体を得る工程と、第1の積層体からガリウム砒素基板を除去することにより、二酸化珪素層と、金属層と、樹脂層とを含む第2の積層体を得る工程と、第2の積層体から二酸化珪素層を除去することにより、金属層と樹脂層とが互いに接触して積層された界面分析用試料を得る工程と、を含む。
次に、本願の界面分析用試料の作製方法の一実施の形態を、図1〜図5を参照しつつ説明する。以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
次に、上述の手順にて作製された界面分析用試料1の、互いに接触して積層された金属層10と樹脂層20との界面の近傍を分析する方法について説明する。まず、上述の界面分析用試料1の作製方法によって作製された界面分析用試料1を準備する。次に、界面分析用試料1の化学状態を、硬X線光電子分光分析法(HAXPES)により分析する。
以下の手順により、互いに接触して積層されたアルミニウム層とフッ素樹脂層とを有する界面分析用試料1Aを作製した。作製された界面分析用試料のうち、代表として界面分析用試料1Aの走査透過電子顕微鏡による断面写真を図8に示す。図8を参照して、界面分析用試料1Aは、平均厚みが15nmのアルミニウム層10aと、そのアルミニウム層10a上に接触して積層されたフッ素樹脂層20aとを備えている。なおフッ素樹脂層20aを形成するフッ素樹脂として、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体(FEP:Fluorinated Ethylene Propylene)を用いた。
表面粗さがRaで5nmである主面40Aを有するガリウム砒素基板40を準備した。その主面40A上に、プラズマ化学蒸着(プラズマCVD:Plasma Chemical Vapor Deposition)により厚み50nmの二酸化珪素層30を形成し、ガリウム砒素基板40−二酸化珪素層30の積層体を作製した。プラズマ化学蒸着は、SiO2厚膜形成用プラズマCVD装置(住友精密工業株式会社製、型名MPX−CVD)で行った。蒸着源としてはオルトケイ酸テトラエチル(TEOS:Tetraethyl orthosilicate)を用いた。プラズマ化学蒸着時の上部電極温度と下部電極温度の温度はいずれも200℃であった。
ステップAで得られたガリウム砒素基板40−二酸化珪素層30の積層体において、二酸化珪素層30の、ガリウム砒素基板40側とは反対側の主面30A上に、抵抗加熱式の真空蒸着にて厚み15nmのアルミニウム(Al)層10aを形成した。真空蒸着は、抵抗加熱蒸着装置(株式会社サンバック製、型名L−045E)にて、Al Grains(株式会社高純度化学研究所製、純度:99.99%、粒形2〜5mm)を蒸着源として実施した。真空蒸着時の平均蒸着速度は0.5nm/min〜4nm/min、基板加熱条件は室温であった。
ステップBで得られたガリウム砒素基板40−二酸化珪素層30−アルミニウム層10aを備える積層体を準備した。アルミニウム層10aの、二酸化珪素層30側とは反対側の主面10A上に、成膜後の厚みが40μmになる付着量の四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体(FEP)粉体塗料(ダイキン工業株式会社製、品名「NC−1500」)を塗布した。四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体粉体塗料は酸化を防ぐためにシリカゲルで湿気除却するように袋で保管し、塗布直前に開封して塗布した。得られた積層体を、加熱照射炉(窒素下(酸素濃度5ppm以下))内で、表面温度340℃±5℃の状態で10分間加熱し粉体塗料を溶解した。その直後、上記積層体の表面温度を310℃±5に下げてその温度を10分間保持した。その後、上記表面温度を200℃以下まで徐冷し、積層体を加熱照射炉から取り出した。このようにしてガリウム砒素基板40−二酸化珪素層30−アルミニウム層10a−フッ素樹脂層20aを備える第1の積層体2を作製した。
ステップCで得られたガリウム砒素基板40−二酸化珪素層30−アルミニウム層10a−フッ素樹脂層20aを備える第1の積層体2を、ガリウム砒素基板40が上になるように配置した。その状態で、作業者の手の力でガリウム砒素基板40を、第1の積層体2から剥離させることにより除去した。二酸化珪素層30−アルミニウム層10a−フッ素樹脂層20aの積層構造は維持したまま、第1の積層体2からガリウム砒素基板40を容易に剥離することができた。
ステップDで得られた、二酸化珪素層30−アルミニウム層10a−フッ素樹脂層20aからなる第2の積層体3を準備した。走査型X線光電子分光分析装置(ULVAC−PHI,INC.製、PHI Quantera SXM(TM))を用いて、加速電圧が3kVまたは4kV、エッチング領域が3×3mmの条件下でアルゴン(Ar)イオンビームスパッタを行うことにより二酸化珪素層30をエッチングし、第2の積層体3から二酸化珪素層30を除去した。二酸化珪素層30を除去することにより、アルミニウム層10aとフッ素樹脂層20aとを備える積層体を得た。このようにして、アルミニウム層10aとフッ素樹脂層20aとが互いに接触して積層された界面分析用試料1Aを作製した。
ステップCにおいて、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体(FEP)粉体塗料の塗布層に電子線を照射した以外は実施例1と同様にして、アルミニウム層10aとフッ素樹脂層20aとが互いに接触して積層された界面分析用試料1Bを作製した。以下に実施例2において実施したステップCの内容を示す。
ステップBで得られたガリウム砒素基板40−二酸化珪素層30−アルミニウム層10aの積層体を準備した。アルミニウム層10aの、二酸化珪素層30側とは反対側の主面10A上に、成膜後の厚みが40μmになるように付着量の四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体(FEP)粉体塗料(ダイキン工業株式会社製、品名「NC−1500」)を塗布した。四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体粉体塗料は、酸化を防ぐためにシリカゲルで湿気除却するように袋で保管し、塗布直前に開封して塗布した。得られた積層体を、加熱照射炉(窒素下(酸素濃度5ppm以下))内で、表面温度340±5℃の状態で10分間加熱し粉体塗料を溶解した。その直後、上記積層体の表面温度を310℃に下げて、310℃、酸素濃度5ppm以下の窒素雰囲気下、照射量300kGyの条件で塗膜に対し電子線を照射した。その後、上記表面温度を200℃以下まで徐冷し、積層体を加熱照射炉から取り出した。このようにしてガリウム砒素基板40−二酸化珪素層30−アルミニウム層10a−フッ素樹脂層20aを備える第1の積層体2を作製した。
実施例1に記載の方法に従って、互いに接触して積層されたアルミニウム層10aとフッ素樹脂層20aとを備えた界面分析用試料1Aを作製した。また実施例2に記載の方法に従って、互いに接触して積層されたアルミニウム層10aとフッ素樹脂層20aとを備えた界面分析用試料1Bをそれぞれ作製した。界面分析用試料1Aはフッ素樹脂層20aの形成時に電子線を照射せずに作製した試料である。また界面分析用試料1Bはフッ素樹脂層20aの形成時に電子線を照射して作製した試料である。
X線エネルギー:8keV
パスエネルギー:200eV
測定時間:200ms/1点あたり
測定間隔:50meV
測定スペクトル:C(炭素)1s、F(フッ素)1sまたはN(窒素)1s(1sは1s軌道の電子のスペクトルを意味する)
上記界面分析用試料1Aおよび界面分析用試料1Bを準備した。硬X線光電子分光分析法により、界面分析用試料1Aおよび界面分析用試料1Bのフッ素樹脂層20aに含まれる炭素成分の化学状態をそれぞれ分析した。界面分析用試料1A(電子線の照射なし)のC(炭素)1sスペクトルを図9に示す。界面分析用試料1B(電子線の照射あり)のC 1sスペクトルを図10に示す。参照として、フッ素樹脂のみを単独で軟X線光電子分光分析により分析して得られたスペクトルを図11に示す。図9〜図11において、破線60の位置(約291eV)に出現するピークは、フッ素樹脂(四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体)の−CF2CF2−基に対応するピークである。
分析例1とは別のロットの上記界面分析用試料1Aおよび界面分析用試料1Bを準備した。硬X線光電子分光分析法により、その界面分析用試料1Aおよび界面分析用試料1Bのフッ素樹脂層20aに含まれる炭素成分の化学状態をそれぞれ分析した。結果を図12および図13に示す。図10のスペクトルにおいて287ev付近に見られたピーク100は、図13のスペクトルにおいては見られなかった。これは、電離線を照射したにも関わらず、アルミニウム層10aとフッ素樹脂層20aとの界面近傍においてAl−O−C結合が充分に形成されなかったためと考えられる。このように、本実施の形態の界面の分析方法は、ロットが異なる界面分析用試料1をそれぞれ分析し、ロット間ばらつきの度合いや架橋の進行度などを調べるのに利用することもできる。
上記界面分析用試料1A(電子線の照射なし)を準備した。取り出し角度80°または取り出し角度30°の条件で、硬X線光電子分光分析法によりその界面分析用試料1Aのフッ素樹脂層20aに含まれる炭素成分の化学状態を分析した。取り出し角度80°にて測定されたC 1sスペクトルの一例を図14に示す。図14に示すC 1sスペクトルは、アルミニウム層10aとフッ素樹脂層20aとの界面よりもフッ素樹脂層20a側の、フッ素樹脂層20aの深部の情報を表している。また取り出し角度30°にて測定されたC 1sスペクトルの一例を図15に示す。図15に示すスペクトルは、フッ素樹脂層20a内の、アルミニウム層10aとフッ素樹脂層20aとの界面の近傍の情報を表している。
上記界面分析用試料1Aおよび界面分析用試料1Bを準備した。取り出し角度80°または取り出し角度30°の条件で、硬X線光電子分光分析法により、それらの試料のフッ素樹脂層20aに含まれる炭素(C)成分およびフッ素(F)成分の化学状態をそれぞれ分析した。分析の結果、得られたスペクトルを図16〜図23に示す。
上記界面分析用試料1Aおよび界面分析用試料1Bを準備した。取り出し角度80°の条件で、硬X線光電子分光分析法によりそれらの試料のフッ素樹脂層20aに含まれる炭素成分の化学状態をそれぞれ分析した。分析の結果、得られたスペクトルを図24および図25に示す。参照として、フッ素樹脂のみを単独で軟X線光電子分光分析により分析して得られた、図11に示すスペクトルと比較した。
以下の手順により、互いに接触して積層された銅層とポリイミド樹脂層とを有する界面分析用試料1Cを作製した。作製された銅層10b−ポリイミド樹脂層20bの積層体20aの走査透過電子顕微鏡による断面写真を図26に示す。図26を参照して、界面分析用試料1Cは、平均厚みが15nmの銅層10bと、その銅層10b上に接触して積層されたポリイミド樹脂層20bとを備えている。
表面粗さがRaで5nmである主面を有するガリウム砒素基板40を準備した。その主面40A上に、高周波(RF:Radio Frequency)スパッタ(条件:300W、0.1Pa、Ar:20sccm)により厚み20nmの二酸化珪素層30を形成した。高周波スパッタは、全自動スパッタ装置(株式会社アルバック製、型名J−sputter)にて実施した。
ステップAで得られたガリウム砒素基板40−二酸化珪素層30の積層体において、二酸化珪素層30の、ガリウム砒素基板40側とは反対側の主面30A上に、直流(DC:Direct Current)スパッタ(条件:100W、0.1Pa、Ar:20sccm)により厚み15nmの銅層10bを形成した。直流スパッタは、全自動スパッタ装置(株式会社アルバック製、型名J−sputter)にて実施した。
(C−1)ポリイミド前駆体塗工液の調製
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル94.3gをN−メチル−2−ピロリドン803gに溶解させた後、ピロメリット酸二無水物102.7gを加えることにより溶液を調製した。次いで、窒素雰囲気下、25℃で上記溶液を1時間撹拌した。その後60℃に昇温し、上記溶液20時間撹拌した。上記溶液を冷却後、密着添加剤2gを加え、さらに1時間撹拌して、ポリイミド前駆体塗工液を得た。
ステップBで得られたガリウム砒素基板40−二酸化珪素層30−銅層10bを備える積層体において、銅層10bの、二酸化珪素層30側とは反対側の主面10Aにドクターブレードを用いて上記ポリイミド前駆体塗工液を塗布し塗膜を形成した。その後、窒素雰囲気下において120℃で60分間塗膜を予備乾燥した。次いで、300℃で60分間塗膜を熱処理することによりポリイミド酸をイミド化し、平均厚み10μmのポリイミド樹脂層20bを形成した。このようにして、ガリウム砒素基板40−二酸化珪素層30−銅層10b−ポリイミド樹脂層20bを備える第1の積層体2を作製した。
ステップC−2で得られたガリウム砒素基板40−二酸化珪素層30−銅層10b−ポリイミド樹脂層20bを備える第1の積層体2を、ガリウム砒素基板40が上になるように配置した。その状態で、作業者の手の力でガリウム砒素基板40を、第1の積層体2から剥離させることにより除去した。二酸化珪素層30−銅層10b−ポリイミド樹脂層20bの積層構造は維持したまま、第1の積層体2からガリウム砒素基板40を容易に剥離することができた。
ステップDで得られた、二酸化珪素層30−銅層10b−ポリイミド樹脂層20bからなる第2の積層体3を準備した。多目的ドライエッチング装置(サムコ株式会社製、型番RIE−200NL)を用いてフルオロホルム(CHF3)ドライエッチング法により二酸化珪素をエッチングし、第2の積層体3から二酸化珪素層30を除去した。このようにして銅層10bとポリイミド樹脂層20bが互いに接触して積層された界面分析用試料1Cを作製した。
(分析例6)互いに接触して積層された銅層10bとポリイミド樹脂層20bとを備えた界面分析用試料1Cの分析
実施例3に記載の方法に従って、銅層10bとポリイミド樹脂層20bとを備えた界面分析用試料1Cを作製した。大型放射光施設において、硬X線光電子分光分析法によりその界面分析用試料1Cのポリイミド樹脂層20bに含まれる窒素成分を分析した。硬X線は銅層10b側から照射した。取り出し角度θは80°または30°とした。図27および図28に分析により得られたN(窒素)1sスペクトルを示す。図27は取り出し角度80°での分析結果を示すN 1sスペクトルである。図28は取り出し角度30°での分析結果を示すN 1sスペクトルである。窒素はポリイミド層20bのみに含まれる元素である。したがって、図27および図28に示すスペクトルから、ポリイミド層20bの化学状態に関する情報が得られていることがわかる。図27に示すスペクトルは、銅層10bとポリイミド樹脂層20bとの界面よりポリイミド樹脂層20b側の、ポリイミド樹脂層20bの深部の化学状態を示すスペクトルである。また図28は、ポリイミド樹脂層20b内の、上記界面の近傍の化学状態を示すスペクトルである。
1A,1C 界面分析用試料
2 第1の積層体
3 第2の積層体
10 金属層
10A 主面
10a アルミニウム層
10b 銅層
20 樹脂層
20a フッ素樹脂層
20b ポリイミド樹脂層
30 二酸化珪素層
30A 主面
40 ガリウム砒素基板
40A 主面
50 検出器
52 X線源
60,62,64,66,68,74,76,78 破線
70 領域
100 ピーク
Claims (7)
- 表面粗さがRaで10nm以下である主面を有するガリウム砒素基板を準備する工程と、
蒸着またはスパッタリングにより、前記ガリウム砒素基板の前記主面上に接触するように二酸化珪素層を形成する工程と、
蒸着またはスパッタリングにより、前記二酸化珪素層の、前記ガリウム砒素基板側とは反対側の主面上に接触するように厚み2nm以上50nm以下の金属層を形成する工程と、
前記金属層の、前記二酸化珪素層側とは反対側の主面上に接触するように樹脂層を形成することにより、前記ガリウム砒素基板と、前記二酸化珪素層と、前記金属層と、前記樹脂層とを含む第1の積層体を得る工程と、
前記第1の積層体から前記ガリウム砒素基板を除去することにより、前記二酸化珪素層と、前記金属層と、前記樹脂層とを含む第2の積層体を得る工程と、
前記第2の積層体から前記二酸化珪素層を除去することにより、前記金属層と前記樹脂層とが互いに接触して積層された界面分析用試料を得る工程と、
を含む界面分析用試料の作製方法。 - 前記第2の積層体を得る工程では、前記第1の積層体から前記ガリウム砒素基板を剥離することによって前記ガリウム砒素基板を除去する、請求項1に記載の界面分析用試料の作製方法。
- 前記第2の積層体を得る工程では、前記ガリウム砒素基板が作業者の手によって剥離される、請求項2に記載の界面分析用試料の作製方法。
- 前記二酸化珪素層の厚みは2nm以上100nm以下である、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の界面分析用試料の作製方法。
- 前記金属層はアルミニウム層であり、前記樹脂層はフッ素樹脂層である、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の界面分析用試料の作製方法。
- 前記金属層は銅層であり、前記樹脂層はポリイミド樹脂層である、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の界面分析用試料の作製方法。
- 請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の界面分析用試料の作製方法によって作製された前記界面分析用試料を準備する工程と、
前記界面分析用試料の、互いに接触して積層された前記金属層と前記樹脂層との界面の近傍の状態を、硬X線光電子分光分析法により分析する工程と、
を含む、界面の分析方法。
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