JP2018028586A - Display device, electronic apparatus, and electronic control system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一態様は、表示装置、電子機器、及び、電子制御システムに関する。 One embodiment of the present invention relates to a display device, an electronic device, and an electronic control system.
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、又は、製造方法に関する。又は、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法に関する。 Note that one embodiment of the present invention is not limited to the above technical field. The technical field of one embodiment of the invention disclosed in this specification and the like relates to an object, a method, or a manufacturing method. Or this invention relates to a process, a machine, a manufacture, or a composition (composition of matter). In particular, one embodiment of the present invention relates to a semiconductor device, a display device, a light-emitting device, a power storage device, a memory device, a driving method thereof, or a manufacturing method thereof.
なお、本明細書等において、半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる素子、回路、又は装置等を指す。一例としては、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子は半導体装置である。また別の一例としては、半導体素子を有する回路は、半導体装置である。また別の一例としては、半導体素子を有する回路を備えた装置は、半導体装置である。 Note that in this specification and the like, a semiconductor device refers to an element, a circuit, a device, or the like that can function by utilizing semiconductor characteristics. As an example, a semiconductor device such as a transistor or a diode is a semiconductor device. As another example, the circuit including a semiconductor element is a semiconductor device. As another example, a device including a circuit including a semiconductor element is a semiconductor device.
スマートフォン、タブレット、電子ブック等のモバイル機器が普及している。モバイル機器は、屋外環境や室内環境など利用する環境の明るさに適した表示をすることが求められている。さらに電子ブック、タブレットなどで、電子書籍を読む場合、長時間使用できることが求められている。 Mobile devices such as smartphones, tablets, and electronic books are widespread. Mobile devices are required to display suitable for the brightness of the environment used such as the outdoor environment and indoor environment. Furthermore, when reading an electronic book with an electronic book, a tablet, etc., it is required that it can be used for a long time.
自然光や室内照明光など、十分な明るさの外光がある環境では反射光を利用した表示を行い、十分な明るさを得られない環境では発光素子を利用した表示を行うことで、低電力化を実現する表示装置が提案されている。 Low power consumption is achieved by displaying using reflected light in environments where there is sufficient external light, such as natural light or indoor lighting, and using light emitting elements in environments where sufficient brightness cannot be obtained. There has been proposed a display device that realizes the realization.
例えば特許文献1では、1つの画素に、液晶素子を制御する画素回路と、発光素子を制御する画素回路とが設けられている、ハイブリッド(複合型)表示装置が開示されている。
For example,
例えば特許文献2では、モバイル機器の消費電力を削減するために、デコーダ回路により特定の領域の表示を選択的に更新することが開示されている。
For example,
トランジスタに適用可能な半導体材料として酸化物半導体が注目されている。例えば、金属酸化物として酸化亜鉛、又はIn−Ga−Zn系酸化物半導体を用いてトランジスタを作製する技術が特許文献3に開示されている。半導体層に、金属酸化物を有するトランジスタをOSトランジスタという。 An oxide semiconductor has attracted attention as a semiconductor material applicable to a transistor. For example, Patent Document 3 discloses a technique for manufacturing a transistor using zinc oxide or an In—Ga—Zn-based oxide semiconductor as a metal oxide. A transistor including a metal oxide in a semiconductor layer is referred to as an OS transistor.
OSトランジスタはオフ電流が非常に小さい。そのことを利用して、静止画像を表示する際のリフレッシュ頻度を少なくし、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイの消費電力を低減する技術が特許文献4に開示されている。なお、本明細書において、上述の表示装置の消費電力を減らす技術を、アイドリングストップ駆動と呼称する。 The OS transistor has a very small off-state current. A technique for reducing the power consumption of a liquid crystal display or an organic EL display by utilizing this fact and reducing the frequency of refresh when displaying a still image is disclosed in Patent Document 4. In the present specification, the technique for reducing the power consumption of the display device described above is referred to as idling stop driving.
外光を利用して表示を行う方法として、反射型液晶表示装置がある。反射型液晶表示装置ではバックライトを必要としないため低消費電力であるが、明るい外光が得られる場所でないと良好な表示を行えない。EL(Electroluminescence)素子は自発光素子であるため、発光表示装置は暗い場所で良好な表示ができる一方、明るい場所では、外光に対して輝度が固定されるため、視認性が低下してしまう課題がある。 As a method for performing display using external light, there is a reflective liquid crystal display device. A reflective liquid crystal display device does not require a backlight and thus consumes low power. However, good display cannot be achieved unless the place is where bright outside light can be obtained. Since the EL (Electroluminescence) element is a self-luminous element, the light-emitting display device can perform good display in a dark place. On the other hand, the brightness is fixed with respect to outside light in a bright place. There are challenges.
明るい外光が得られる場所でスマートフォン、タブレット、電子ブック、及びパーソナルコンピュータなどが使用されることが多くなってきた。その中でも、スマートフォン、タブレットなど、明るい外光が得られる場所で使用されるモバイル機器は、視認性を上げるために高輝度で表示される。そのため電力を消費しやすい。したがって、長時間の使用に耐えられるようにバッテリの容量を大きくする必要がある。ただしバッテリの容量を大きくすると、モバイル機器が重くなる課題がある。 Smartphones, tablets, electronic books, personal computers, and the like are often used in places where bright external light can be obtained. Among them, a mobile device used in a place where bright external light can be obtained, such as a smartphone and a tablet, is displayed with high luminance in order to improve visibility. Therefore, it is easy to consume electric power. Therefore, it is necessary to increase the capacity of the battery so that it can be used for a long time. However, when the capacity of the battery is increased, there is a problem that the mobile device becomes heavy.
スマートフォン、タブレット、及び電子ブックなどで長時間の使用をするとき、消費電力を小さくする必要がある。消費電力を制御する代表的な方法としてパワーゲーティングやクロックゲーティングなどの制御方法がある。表示装置の場合は、表示の更新回数を減らすなどの方法が提案されている。しかしながら表示の更新間隔が長くなると、データを保持するスイッチトランジスタで電荷のリークが発生する。電荷のリークによって保持されているデータが劣化しちらつきが発生することで、視認性が低下する課題がある。 When using a smartphone, a tablet, an electronic book, or the like for a long time, it is necessary to reduce power consumption. As typical methods for controlling power consumption, there are control methods such as power gating and clock gating. In the case of a display device, methods such as reducing the number of display updates have been proposed. However, when the display update interval becomes longer, charge leakage occurs in the switch transistor that holds data. There is a problem in that the visibility is lowered because data held by charge leakage deteriorates and flickers.
また、表示の制御はプログラムにより管理され、制御回路、ディスプレイアダプタにより表示が制御される。スマートフォン、タブレット、電子ブック、及びパーソナルコンピュータなど使用する環境に応じて、表示の方法を適宜切り替えるために、プログラムの実行ステップ数と、プログラムを保持するメモリ領域が大きくなる課題がある。また、プログラムの実行ステップ数の増大は、表示の更新に対して応答性が低下する課題がある。またメモリ領域の増大は、回路規模の増大と電力を多く消費する課題がある。 The display control is managed by a program, and the display is controlled by a control circuit and a display adapter. There is a problem that the number of program execution steps and the memory area for holding the program become large in order to switch the display method as appropriate according to the environment used, such as a smartphone, a tablet, an electronic book, and a personal computer. Further, an increase in the number of execution steps of the program has a problem that the responsiveness decreases with respect to display update. In addition, the increase in the memory area has a problem of increasing the circuit scale and consuming a large amount of power.
上記問題に鑑み、本発明の一態様は、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、表示の視認性を向上させる表示装置を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、消費電力を低減させる電子機器を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、プログラムによって表示の更新制御をすることで表示の応答性を向上する電子機器を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、プログラムによって表示の更新制御をすることで消費電力を低減させる電子機器を提供することを課題の一とする。 In view of the above problems, an object of one embodiment of the present invention is to provide a display device with a novel structure. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a display device that improves display visibility. Another object of one embodiment of the present invention is to provide an electronic device that reduces power consumption. Another object of one embodiment of the present invention is to provide an electronic device that improves display responsiveness by performing display update control using a program. Another object of one embodiment of the present invention is to provide an electronic device that reduces power consumption by performing display update control using a program.
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。 Note that the description of these problems does not disturb the existence of other problems. Note that one embodiment of the present invention does not have to solve all of these problems. Issues other than these will be apparent from the description of the specification, drawings, claims, etc., and other issues can be extracted from the descriptions of the specification, drawings, claims, etc. It is.
なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、及び/又は他の課題のうち、少なくとも一つの課題を解決するものである。 Note that the problems of one embodiment of the present invention are not limited to the problems listed above. The problems listed above do not disturb the existence of other problems. Other issues are issues not mentioned in this section, which are described in the following description. Problems not mentioned in this item can be derived from descriptions of the specification or drawings by those skilled in the art, and can be appropriately extracted from these descriptions. Note that one embodiment of the present invention solves at least one of the above-described description and / or other problems.
本発明の一態様は、制御部と、ディスプレイアダプタと、表示部と、を有する電子機器であって、制御部は、メモリと、無線通信モジュールと、GPSモジュールと、CPUとを有し、ディスプレイアダプタは、第1のディスプレイコントローラと、第2のディスプレイコントローラと、第1のドライバー回路と、第2のドライバー回路と、選択回路とを有し、表示部が、第1の表示領域と、第2の表示領域と、を有し、制御部は、ディスプレイアダプタと、電気的に接続され、ディスプレイアダプタは、表示部と、電気的に接続され、制御部は、無線通信モジュールと、GPSモジュールと、メモリと、CPUとが、電気的に接続され、制御部は、無線通信モジュールによって表示情報を取得する機能を有し、制御部は、GPSモジュールによって位置情報を取得する機能を有し、制御部は、第1の表示領域と、第2の表示領域を選択して表示するためのフラグを付与する機能を有し、制御部は、フラグが付与された第1の表示データを生成する機能を有し、制御部は、第1の表示データを、ディスプレイアダプタに与える機能を有し、選択回路は、フラグにより、第1又は第2のディスプレイコントローラを選択する機能を有し、ディスプレイアダプタは、第1の表示データを表示部に与える機能を有する電子機器である。 One embodiment of the present invention is an electronic device including a control unit, a display adapter, and a display unit. The control unit includes a memory, a wireless communication module, a GPS module, and a CPU. The adapter includes a first display controller, a second display controller, a first driver circuit, a second driver circuit, and a selection circuit. The display unit includes a first display area, a first display area, The display unit is electrically connected to the display adapter, the display adapter is electrically connected to the display unit, and the control unit includes a wireless communication module and a GPS module. The memory and the CPU are electrically connected, the control unit has a function of acquiring display information by the wireless communication module, and the control unit is a GPS module. Therefore, it has a function of acquiring position information, and the control unit has a function of assigning a flag for selecting and displaying the first display area and the second display area. The control unit has a function of generating the first display data provided, the control unit has a function of supplying the first display data to the display adapter, and the selection circuit uses the flag to display the first or second display. The display adapter is an electronic device having a function of selecting a controller, and a function of giving first display data to the display unit.
上記各構成において、制御部の有する前記メモリは、プログラムを記憶し、プログラムは、位置情報と、表示情報と、を用いて、CPUにて演算処理することで第1の表示データを生成する機能を有し、プログラムは、フラグに、複数の条件を与える機能を有し、フラグは、第1のフラグ条件として、選択回路に第1のディスプレイコントローラを選択させる機能を与え、フラグは、第2のフラグ条件として、選択回路に第2のディスプレイコントローラを選択させる機能を与え、フラグは、第3のフラグ条件として、選択回路に第1及び第2のディスプレイコントローラと、を同時に選択させる機能を与え、プログラムは、第1の表示データを、CPUを介してディスプレイアダプタに与える機能を有することを特徴とする電子制御システムが好ましい。 In each of the above configurations, the memory included in the control unit stores a program, and the program uses the position information and the display information to generate first display data by performing arithmetic processing on the CPU. The program has a function of giving a plurality of conditions to the flag. The flag gives a function of causing the selection circuit to select the first display controller as the first flag condition. As a flag condition, a function for causing the selection circuit to select the second display controller is given, and as a third flag condition, a flag is given as a function for causing the selection circuit to select the first and second display controllers simultaneously. The program has a function of giving the first display data to the display adapter via the CPU. It is preferred.
上記各構成において、ディスプレイアダプタが有する選択回路は、フラグの条件によりディスプレイコントローラを選択してドライバー回路を駆動する機能を有し、選択回路は、第1のフラグ条件により、第1のディスプレイコントローラを選択し、第1の表示領域の表示を更新する機能を有し、選択回路は、第2のフラグ条件により、第2のディスプレイコントローラを選択し、第1の表示領域の表示を更新する機能を有し、選択回路は、第3のフラグ条件により、第1及び第2のディスプレイコントローラと、を選択し、第1及び第2の表示領域の表示を同時に更新する機能を有する電子機器が好ましい。 In each of the above configurations, the selection circuit included in the display adapter has a function of selecting the display controller based on the flag condition and driving the driver circuit. The selection circuit selects the first display controller based on the first flag condition. A function of selecting and updating the display of the first display area, and the selection circuit has a function of selecting the second display controller according to the second flag condition and updating the display of the first display area. And an electronic device having a function of selecting the first and second display controllers according to the third flag condition and simultaneously updating the display of the first and second display areas.
上記各構成において、表示部は、複数の画素を有し、画素は、液晶素子を有する画素回路と、発光素子を有する画素回路を有し、液晶素子によって、第1の表示領域を表示する機能を有し、発光素子によって、第2の表示領域を表示する機能を有し、画素は、第2の表示領域を囲むように、第1の表示領域が配置されていることを特徴とする電子機器が好ましい。 In each of the above structures, the display portion includes a plurality of pixels, and each pixel includes a pixel circuit including a liquid crystal element and a pixel circuit including a light emitting element, and the first display region is displayed by the liquid crystal element. And has a function of displaying a second display area by a light-emitting element, and the pixel has the first display area arranged so as to surround the second display area. Equipment is preferred.
上記各構成において、プログラムは、ソースコード、エディタ、コンパイラ、デバッガ、又はシミュレータのいずれかのソフトウェア開発の環境を有し、プログラムは、表示領域の条件パラメータに、表示領域を選択するフラグを与える機能を有し、プログラムは、フラグをCPUを介して前記ディスプレイアダプタに与えることで、第1の表示領域及び第2の表示領域の表示を更新する機能を有する電子制御システムが好ましい。 In each of the above configurations, the program has a software development environment of source code, editor, compiler, debugger, or simulator, and the program gives a flag for selecting the display area to the condition parameter of the display area And an electronic control system having a function of updating the display of the first display area and the second display area by giving a flag to the display adapter via the CPU.
上記各構成の電子機器が有するトランジスタにおいて、トランジスタは、半導体層に金属酸化物を有することを特徴とする電子機器が好ましい。 Among the transistors included in the electronic devices having the above structures, the transistor is preferably an electronic device including a metal oxide in a semiconductor layer.
上記各構成において、半導体層に金属酸化物を有するトランジスタは、バックゲートを有することを特徴とする電子機器が好ましい。 In each of the above structures, the transistor including a metal oxide in a semiconductor layer preferably includes an electronic device having a back gate.
本発明の一態様は、新規な構成の表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様は、表示の視認性を向上させる表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様は、消費電力を低減させる電子機器を提供することができる。又は、本発明の一態様は、プログラムによって表示の更新制御をすることで表示の応答性を向上する電子機器を提供することができる。又は、本発明の一態様は、プログラムによって表示の更新制御をすることで消費電力を低減させる電子機器を提供することができる。 One embodiment of the present invention can provide a display device having a novel structure. Alternatively, according to one embodiment of the present invention, a display device that can improve display visibility can be provided. Alternatively, according to one embodiment of the present invention, an electronic device that reduces power consumption can be provided. Alternatively, one embodiment of the present invention can provide an electronic device that improves display responsiveness by performing display update control using a program. Alternatively, according to one embodiment of the present invention, an electronic device that reduces power consumption by performing display update control using a program can be provided.
なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び/又は他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。したがって本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。 Note that the effects of one embodiment of the present invention are not limited to the effects listed above. The effects listed above do not preclude the existence of other effects. The other effects are effects not mentioned in this item described in the following description. Effects not mentioned in this item can be derived from the description of the specification or drawings by those skilled in the art, and can be appropriately extracted from these descriptions. Note that one embodiment of the present invention has at least one of the above effects and / or other effects. Therefore, one embodiment of the present invention may not have the above-described effects depending on circumstances.
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. However, the embodiments can be implemented in many different modes, and it is easily understood by those skilled in the art that the modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope thereof. . Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the following embodiments.
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。 In the drawings, the size, the layer thickness, or the region is exaggerated for simplicity in some cases. Therefore, it is not necessarily limited to the scale. The drawings schematically show an ideal example, and are not limited to the shapes or values shown in the drawings.
また、本明細書にて用いる「第1」、「第2」、「第3」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。 In addition, the ordinal numbers “first”, “second”, and “third” used in the present specification are attached to avoid confusion between components, and are not limited numerically. Appendices.
また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。 In addition, in this specification, terms indicating arrangement such as “above” and “below” are used for convenience to describe the positional relationship between components with reference to the drawings. Moreover, the positional relationship between components changes suitably according to the direction which draws each structure. Therefore, the present invention is not limited to the words and phrases described in the specification, and can be appropriately rephrased depending on the situation.
また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレイン領域又はドレイン電極)とソース(ソース端子、ソース領域又はソース電極)の間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。 In this specification and the like, a transistor is an element having at least three terminals including a gate, a drain, and a source. A channel region is provided between the drain (drain terminal, drain region or drain electrode) and the source (source terminal, source region or source electrode), and a current flows through the drain, channel region, and source. It is something that can be done. Note that in this specification and the like, a channel region refers to a region through which a current mainly flows.
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。 In addition, the functions of the source and drain may be switched when transistors having different polarities are employed or when the direction of current changes during circuit operation. Therefore, in this specification and the like, the terms source and drain can be used interchangeably.
また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。 In addition, in this specification and the like, “electrically connected” includes a case of being connected via “thing having some electric action”. Here, the “thing having some electric action” is not particularly limited as long as it can exchange electric signals between connection targets. For example, “thing having some electric action” includes electrodes, wiring, switching elements such as transistors, resistance elements, inductors, capacitors, and other elements having various functions.
また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−10°以上10°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。 Further, in this specification and the like, “parallel” means a state in which two straight lines are arranged at an angle of −10 ° to 10 °. Therefore, the case of −5 ° to 5 ° is also included. “Vertical” refers to a state in which two straight lines are arranged at an angle of 80 ° to 100 °. Therefore, the case of 85 ° to 95 ° is also included.
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。 In this specification and the like, the terms “film” and “layer” can be interchanged with each other. For example, the term “conductive layer” may be changed to the term “conductive film”. Alternatively, for example, the term “insulating film” may be changed to the term “insulating layer”.
また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態(非導通状態、遮断状態、ともいう)にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、nチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも低い状態、pチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも高い状態をいう。例えば、nチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。 In this specification and the like, unless otherwise specified, off-state current refers to drain current when a transistor is off (also referred to as a non-conduction state or a cutoff state). The off state is a state where the voltage Vgs between the gate and the source is lower than the threshold voltage Vth in the n-channel transistor, and the voltage Vgs between the gate and the source in the p-channel transistor unless otherwise specified. Is higher than the threshold voltage Vth. For example, the off-state current of an n-channel transistor sometimes refers to a drain current when the voltage Vgs between the gate and the source is lower than the threshold voltage Vth.
トランジスタのオフ電流は、Vgsに依存する場合がある。したがって、トランジスタのオフ電流がI以下である、とは、トランジスタのオフ電流がI以下となるVgsの値が存在することを言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、所定のVgsにおけるオフ状態、所定の範囲内のVgsにおけるオフ状態、又は、十分に低減されたオフ電流が得られるVgsにおけるオフ状態、等におけるオフ電流を指す場合がある。 The off-state current of the transistor may depend on Vgs. Therefore, the off-state current of the transistor being I or less sometimes means that there is a value of Vgs at which the off-state current of the transistor is I or less. The off-state current of a transistor may refer to an off-state current in an off state at a predetermined Vgs, an off state in a Vgs within a predetermined range, or an off state in Vgs at which a sufficiently reduced off current is obtained.
一例として、しきい値電圧Vthが0.5Vであり、Vgsが0.5Vにおけるドレイン電流が1×10−9Aであり、Vgsが0.1Vにおけるドレイン電流が1×10−13Aであり、Vgsが−0.5Vにおけるドレイン電流が1×10−19Aであり、Vgsが−0.8Vにおけるドレイン電流が1×10−22Aであるようなnチャネル型トランジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Vgsが−0.5Vにおいて、又は、Vgsが−0.5V乃至−0.8Vの範囲において、1×10−19A以下であるから、当該トランジスタのオフ電流は1×10−19A以下である、と言う場合がある。当該トランジスタのドレイン電流が1×10−22A以下となるVgsが存在するため、当該トランジスタのオフ電流は1×10−22A以下である、と言う場合がある。 As an example, when the threshold voltage Vth is 0.5 V, the drain current when Vgs is 0.5 V is 1 × 10 −9 A, and the drain current when Vgs is 0.1 V is 1 × 10 −13 A. Assume that the n-channel transistor has a drain current of 1 × 10 −19 A when Vgs is −0.5 V and a drain current of 1 × 10 −22 A when Vgs is −0.8 V. Since the drain current of the transistor is 1 × 10 −19 A or less when Vgs is −0.5 V or Vgs is in the range of −0.5 V to −0.8 V, the off-state current of the transistor is 1 It may be said that it is below x10 <-19> A. Since there is Vgs at which the drain current of the transistor is 1 × 10 −22 A or less, the off-state current of the transistor may be 1 × 10 −22 A or less.
また、本明細書等では、チャネル幅Wを有するトランジスタのオフ電流を、チャネル幅Wあたりを流れる電流値で表す場合がある。また、所定のチャネル幅(例えば1μm)あたりを流れる電流値で表す場合がある。後者の場合、オフ電流の単位は、電流/長さの次元を持つ単位(例えば、A/μm)で表される場合がある。 In this specification and the like, the off-state current of a transistor having a channel width W may be represented by a current value flowing around the channel width W. In some cases, the current value flows around a predetermined channel width (for example, 1 μm). In the latter case, the unit of off-current may be represented by a unit having a current / length dimension (for example, A / μm).
トランジスタのオフ電流は、温度に依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、室温、60℃、85℃、95℃、又は125℃におけるオフ電流を表す場合がある。又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度(例えば、5℃乃至35℃のいずれか一の温度)におけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がI以下である、とは、室温、60℃、85℃、95℃、125℃、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証される温度、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度(例えば、5℃乃至35℃のいずれか一の温度)、におけるトランジスタのオフ電流がI以下となるVgsの値が存在することを指す場合がある。 The off-state current of a transistor may depend on temperature. In this specification, off-state current may represent off-state current at room temperature, 60 ° C., 85 ° C., 95 ° C., or 125 ° C. unless otherwise specified. Alternatively, at a temperature at which reliability of the semiconductor device including the transistor is guaranteed or a temperature at which the semiconductor device including the transistor is used (for example, any one temperature of 5 ° C. to 35 ° C.). May represent off-state current. The off-state current of a transistor is I or less means that room temperature, 60 ° C., 85 ° C., 95 ° C., 125 ° C., a temperature at which the reliability of the semiconductor device including the transistor is guaranteed, or the transistor is included. There may be a case where there is a value of Vgs at which the off-state current of the transistor is equal to or lower than I at a temperature (for example, any one of 5 ° C. to 35 ° C.) at which the semiconductor device or the like is used.
トランジスタのオフ電流は、ドレインとソースの間の電圧Vdsに依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Vdsが0.1V、0.8V、1V、1.2V、1.8V、2.5V、3V、3.3V、10V、12V、16V、又は20Vにおけるオフ電流を表す場合がある。又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるVds、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるVdsにおけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がI以下である、とは、Vdsが0.1V、0.8V、1V、1.2V、1.8V、2.5V、3V、3.3V、10V、12V、16V、20V、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証されるVds、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるVds、におけるトランジスタのオフ電流がI以下となるVgsの値が存在することを指す場合がある。 The off-state current of the transistor may depend on the voltage Vds between the drain and the source. In this specification, the off-state current is Vds of 0.1V, 0.8V, 1V, 1.2V, 1.8V, 2.5V, 3V, 3.3V, 10V, 12V, 16V unless otherwise specified. Or an off-current at 20V. Alternatively, Vds in which reliability of a semiconductor device or the like including the transistor is guaranteed, or an off-current in Vds used in the semiconductor device or the like including the transistor may be represented. The off-state current of the transistor is equal to or less than I. Vds is 0.1V, 0.8V, 1V, 1.2V, 1.8V, 2.5V, 3V, 3.3V, 10V, 12V, 16V, 20V There is a value of Vgs at which the off-state current of the transistor in Vds at which the reliability of the semiconductor device including the transistor is guaranteed or Vds used in the semiconductor device including the transistor is equal to or less than I. May be pointed to.
上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。 In the description of the off-state current, the drain may be read as the source. That is, the off-state current sometimes refers to a current that flows through the source when the transistor is off.
また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、例えば、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。 In this specification and the like, the term “leakage current” may be used in the same meaning as off-state current. In this specification and the like, off-state current may refer to current that flows between a source and a drain when a transistor is off, for example.
なお、電圧とは2点間における電位差のことをいい、電位とはある一点における静電場の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー(電気的な位置エネルギー)のことをいう。ただし、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位(例えば接地電位)との電位差のことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多い。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし、電圧を電位と読み替えてもよいこととする。 The voltage refers to a potential difference between two points, and the potential refers to electrostatic energy (electric potential energy) possessed by a unit charge in an electrostatic field at a certain point. However, generally, a potential difference between a potential at a certain point and a reference potential (for example, ground potential) is simply referred to as a potential or a voltage, and the potential and the voltage are often used as synonyms. Therefore, in this specification, unless otherwise specified, the potential may be read as a voltage, or the voltage may be read as a potential.
(実施の形態1)
本実施の形態では、2つの表示領域を有する表示装置において、表示領域を選択するパラメータを与えることで表示領域を切り替える機能を有する電子制御システムについて、図1乃至図3を用いて説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment, an electronic control system having a function of switching display areas by giving a parameter for selecting a display area in a display device having two display areas will be described with reference to FIGS.
図1に、電子機器10のブロック図を示す。電子機器10は制御部100と、ディスプレイアダプタ110と、表示装置200と、を有している。制御部100は、CPU101と、メモリ102と、無線通信モジュール103と、GPSモジュール104と、タッチパネルコントローラ105と、撮像モジュール106とを有している。
FIG. 1 shows a block diagram of the
ディスプレイアダプタ110は、第1のディスプレイコントローラ111と、第2のディスプレイコントローラ112と、第1のドライバー111Aと、第2のドライバー112Aと、選択回路113と、を有している。
The
表示装置200は、第1の表示領域121と、第2の表示領域122と、タッチパネル123とを有している。
The
CPU101は、メモリ102と、無線通信モジュール103と、GPSモジュール104と、タッチパネルコントローラ105と、撮像モジュール106と電気的に接続されている。さらに、CPU101は、ディスプレイアダプタ110とも電気的に接続されている。
The
ディスプレイアダプタ110は、選択回路113と、第1のディスプレイコントローラ111と、第2のディスプレイコントローラ112とが電気的に接続している。第1のディスプレイコントローラ111は、第1のドライバー111Aを介して、表示装置200の有する第1の表示領域121と電気的に接続されている。第2のディスプレイコントローラ112は、第2のドライバー112Aを介して、表示装置200の有する第2の表示領域122と電気的に接続されている。
In the
表示装置200の有しているタッチパネル123は、制御部100の有するタッチパネルコントローラ105を介して、CPU101と電気的に接続されている。
A
表示装置200は二つの表示領域を有し、第1の表示領域121は発光素子により表示を行う複数の画素を有し、第2の表示領域122は液晶素子により表示を行う複数の画素を有している。第2の表示領域122の画素は、画素電極に反射率の高い金属膜を有し、画素電極で外光を反射させることで階調を制御して表示する。画素が有する液晶素子が反射光を用いて表示される構造を反射型液晶構造とする。
The
発光素子は、画素電極、対向電極、及びこれらに挟まれている有機化合物層を有する発光素子である。画素電極は、陽極又は陰極のいずれか一方であり、対向電極は、陽極又は陰極のいずれか他方である。有機化合物層は、発光層を含んでいる。 The light-emitting element is a light-emitting element having a pixel electrode, a counter electrode, and an organic compound layer sandwiched between them. The pixel electrode is either an anode or a cathode, and the counter electrode is either the anode or the cathode. The organic compound layer includes a light emitting layer.
画素回路の詳細な説明は図6にて行うが、第2の表示領域122を表示する画素回路は、トランジスタ303、容量素子304、及び液晶素子301を有する。階調データは電圧で画素回路が有する容量素子304に書き込まれる。容量素子304には階調信号が電荷として保持されることで電圧を生成する。生成された電圧が液晶素子に与えられることで階調が制御されている。
The pixel circuit is described in detail with reference to FIGS. 6A and 6B, and the pixel circuit that displays the
しかしながら、容量素子304に保持された電荷は、トランジスタ303のオフ電流や、液晶素子の抵抗性によるリーク(以降、リークと記す)などにより、液晶素子に与える電圧が変動することで階調も変動する。表示が更新される間隔内で容量素子304の電圧が変動すると階調も変動し、フリッカと呼ばれるちらつきが発生する。
However, the charge held in the
なお、リークを小さくする方法として、オフ電流が著しく小さいトランジスタを用いることができる。オフ電流が著しく小さいトランジスタとして、シリコンよりも広いバンドギャップを有する半導体でなるトランジスタを用いることができる。シリコンよりも広いバンドギャップを有する半導体としては化合物半導体があり、例えば、金属酸化物などがある。 Note that as a method for reducing leakage, a transistor with extremely low off-state current can be used. As a transistor with extremely small off-state current, a transistor formed using a semiconductor having a wider band gap than silicon can be used. As a semiconductor having a wider band gap than silicon, there is a compound semiconductor, such as a metal oxide.
例えば、半導体層に金属酸化物を有するトランジスタを用いることで、トランジスタ303のオフ電流を小さくすることができ、先述のアイドリングストップ駆動が可能になる。なお、酸化物半導体の一例については、実施の形態6にて詳細に説明する。
For example, when a transistor including a metal oxide is used for a semiconductor layer, the off-state current of the
例えば、チャネルが形成される半導体層に結晶性シリコンを用いたトランジスタ(「結晶性Siトランジスタ」ともいう。)は、OSトランジスタよりも比較的高い移動度を得やすい。一方で、結晶性Siトランジスタは、OSトランジスタのように極めて少ないオフ電流の実現が困難である。よって、半導体層に用いる半導体材料は、目的や用途に応じて適宜使い分けることが肝要である。 For example, a transistor in which crystalline silicon is used for a semiconductor layer in which a channel is formed (also referred to as a “crystalline Si transistor”) can easily obtain relatively higher mobility than an OS transistor. On the other hand, a crystalline Si transistor is difficult to realize an extremely small off-state current like an OS transistor. Therefore, it is important that the semiconductor material used for the semiconductor layer is properly used depending on the purpose and application.
容量素子304に保持される電荷のリークなどによる電圧の変動が小さければ、階調の変動量も小さいため、視認性の影響を小さく抑えられる。したがって、表示が更新される間隔が短い場合は、リークなどによる電圧の変動は小さく抑えられるので表示の品質は保たれる。しかし、消費電力を小さくするために表示の更新間隔を長くしたときは、リークによる電圧の変動量が大きくなり、フリッカなどが発生する。
If the change in voltage due to leakage of charge held in the
フリッカの発生は、容量素子304に保持される電荷のリークに起因する電圧の変動を抑えることで改善することができる。トランジスタのオフ電流は、OSトランジスタを用いることで低減することができる。しかしながら、液晶素子の抵抗性によるリークなど、その他のリークに対しては改善が必要になる。
The occurrence of flicker can be improved by suppressing voltage fluctuation caused by leakage of charge held in the
制御部100が有するCPU101は、GPSモジュール104から位置情報を受け取る機能を有し、また、無線通信モジュール103から表示情報を受け取る機能を有し、また、撮像モジュール106から取得した撮像情報として受け取る機能を有し、タッチパネルコントローラ105から表示部への接触情報をタッチ座標として受け取る機能を有している。
The
メモリ102は、表示を制御するプログラムを記憶している。プログラムはCPU101を介して、無線通信モジュール103、GPSモジュール104、タッチパネルコントローラ105、及び撮像モジュール106などから、情報を収集し、表示装置200の第1の表示データを生成する機能を有している。よって、プログラムはCPU101を介してディスプレイアダプタ110に、第1の表示データを与える機能を有している。さらに、第1の表示領域121又は第2の表示領域122を選択して表示するフラグを付与する機能を有している。
The
ディスプレイアダプタ110は、第1の表示データに与えられたフラグの情報により選択回路113が切り替わり、第1のディスプレイコントローラ111又は第2のディスプレイコントローラ112が選択される機能を有している。フラグの情報によって選択された、第1のディスプレイコントローラ111又は第2のディスプレイコントローラ112は、ドライバーを制御して表示を更新することができる。フラグの情報は、第1の表示領域121を更新するステータスと、第2の表示領域122を更新するステータスと、第1の表示領域121及び第2の表示領域122を更新するステータスを有していてもよい。
The
図2(A)は、図1の表示装置200が有する第1の表示領域121及び第2の表示領域122に表示をした例を示す。第1の表示を200Aとし、第2の表示を200Bとして示す。表示装置200で示す例は、GPSモジュール104からは利用者の位置情報を取得し、無線通信モジュール103からは位置情報に応じた2次元、もしくは3次元の地図情報を取得し、地図情報を表示した中に、利用者の現在位置を表示するアプリケーションの一つである。さらに、アプリケーションは地図情報上に、乱数などにより発生させた仮想のオブジェクトをアイテムとして表示することができる。例に示したアプリケーションは、表示された地図上にランダムに発生するアイテムを、利用者がアイテムの位置まで実際に移動して集めるゲームとして説明を進める。
FIG. 2A illustrates an example in which display is performed in the
第1の表示200Aは、3つの表示範囲を有している。表示部の区切られた表示範囲のことを、表示部品として説明する。表示部品141は、無線通信のためのアンテナ強度、時刻、バッテリの残量等を表示している。
The
表示部品143は、利用者の名前、利用者のゲームレベル、さらに利用者が表示されたオブジェクトをアイテムとして獲得するための表示ボタン163、ゲームの設定や獲得アイテムに関する表示ボタン164が表示されている。
The
表示部品141及び表示部品143は、アプリケーションの実行中の変化は少ない。よって、表示の内容に変更があった場合に、表示を更新することが望ましい。したがって、表示部品141及び表示部品143は、第2の表示領域122が有する液晶素子によって表示することが望ましい。
The
さらに、本実施例で示したようなアプリケーションを実行する場合は、明るい外光を得られる環境であることが多い。そのため、第2の表示領域122の反射型表示素子は、外光を利用した表示が有効に機能する。よって、消費電力を小さくすることができ、明るい外光下においても十分な視認性を得ることができる。
Furthermore, when executing an application as shown in the present embodiment, it is often an environment where bright outside light can be obtained. Therefore, the reflective display element in the
表示部品142は、地図情報と、位置情報とから、第1の表示データを生成する。地図情報には、利用者の現在位置を示す記号162と、乱数により発生したオブジェクトが示すアイテム161とが、地図情報に追加され表示されている。利用者は、表示されている地図情報と、記号162を確認しながら実際に移動し、表示されているアイテム161の位置へ移動をすることでアイテム161をゲームの中のアイテムとして集めることができる。
The
アイテム161の位置と、GPSモジュール104の位置が示す利用者の現在位置が表示上重なった場合、表示ボタン163をタッチすることで、アイテム161を、アプリケーションのデータベースにアイテムデータとしてメモリに保持することができる。
When the position of the
さらにゲーム性を向上させるために、表示されたオブジェクトの位置と、GPSモジュール104の位置が重なった場合に、撮像モジュール106を起動して撮像をすることで、表示部品142に撮像データを表示することができる機能を有している。アイテム161を取得するために、対象をクリックするか、フリックの長さで取得するように設定することができる。アイテム161の種類に応じて、設定を変えてもよい。利用者の動作は、タッチパネル123にて検出し、タッチパネルコントローラ105を介してCPUで処理される。
In order to further improve the game performance, when the position of the displayed object overlaps with the position of the
撮像データにオブジェクトを追加する処理をCPU101が行うことで、地図上でアイテム161を取得するゲームから、あたかも、道路や木の茂などにアイテム161が存在しているように合成した第1の表示データを作成することができる。撮像データに合成されるオブジェクトは、アイテム161とは異なる表示内容であってもよい。
The
表示部品142は、表示の更新が利用者の実際の移動や行動に対して高い応答性が求められる。そのため第1の表示領域121が有するEL素子によって表示するのが望ましい。
The
第2の表示200Bは、表示部品142をさらに3つの表示範囲に分けて表示している。表示部品151は、表示部品142を縮小して表示することができる。表示スケールについては、アプリケーションによって決めてもよいし、利用者が決めてもよい。またタッチパネルを用いて、ピンチインもしくはピンチアウトによって、縮小、拡大の表示スケールを決めてもよい。また、表示部品142は、表示部品151と同じ機能を有してもよい。
In the
表示部品152は、獲得したアイテムを表示した例である。一例として、表示部品152は、獲得したアイテムの数だけ表示領域172がアレイ状に表示されている。最大6つのアイテムを表示した例である。
The
しかし、ゲーム性を向上させるために、獲得アイテムに上限を設けることは好ましくない。しかし、表示部品152の領域が、取得済のアイテムを表示するための十分な領域を確保が難しい場合がある。したがって、アイテムの表示スケールを小さくするか、もしくは、表示部品152の領域でフリック動作することで表示の内容をスクロールし、順次更新させてもよい。フリック動作は、タッチパネル123によって検出されタッチパネルコントローラ105を介して、CPU101に情報が与えられ、タッチ動作とタッチの種類を検出することができる。
However, it is not preferable to set an upper limit on the acquired items in order to improve game characteristics. However, it may be difficult for the area of the
表示部品153は、設定項目の表示領域171が複数の項目にとして表示されている。したがって、表示部品152及び表示部品153は、表示の更新に高い応答性は求められない。よって、表示部品141及び表示部品143と同じように、第2の表示領域122が有する液晶素子によって表示することが望ましい。
In the
図2(B)は、図2(A)で示した表示を、プログラムで管理する方法について説明する。プログラムでは、表示部の画面設計を行うときに、表示領域を様々なパラメータで管理する機能を有している。図2(B)は、一例として管理したい表示領域を表示部品として設定する方法を示す。 FIG. 2B explains a method for managing the display shown in FIG. The program has a function of managing the display area with various parameters when designing the screen of the display unit. FIG. 2B shows a method of setting a display area to be managed as a display component as an example.
表示部品を設定するには、表示部品の起点になる位置情報と、表示部品の表示範囲を示す範囲情報とを、CPU101を介してディスプレイアダプタ110に与えることができる。図2(B)に示したプログラムの例では、表示部品の起点になる位置情報をLocationとして与えることができる。Locationには、表示部の第1のパラメータx座標と、第2のパラメータy座標と、座標を表す2つのパラメータを与えることで管理することができる。
In order to set a display component, position information that is a starting point of the display component and range information that indicates a display range of the display component can be given to the
さらに、表示部品の範囲情報をSizeとして与えることができる。Sizeには、Locationで与えられた座標(x、y)を起点としてx方向の幅の大きさと、y方向の幅の大きさとを与えることができる。LocationとSizeのパラメータによって、表示部品の位置情報と、範囲情報を指定することができる。 Further, the range information of the display component can be given as Size. Size can be given a width in the x direction and a width in the y direction starting from the coordinates (x, y) given by Location. The position information and range information of the display component can be specified by the parameters of Location and Size.
図2(A)の第1の表示200Aと、第2の表示200Bの表示部品を、図2(C)のプログラムで管理することができる。表示部の第1の表示領域121、もしくは第2の表示領域121のいずれかで表示する電子機器であれば、CPU101を介してディスプレイアダプタ110にLocationとSizeのパラメータを与えることで、指定された表示部品を選択的に更新することができる。図2(C)の座標(x、y)は、例としてFull−HD(1920×1080)の左上を原点に、x軸、y軸を構成した場合の座標とサイズである。したがって、x、yは、Sizeで指定された最大範囲に従い、正の数で設定される座標と、Sizeで表すことができる。
The display components of the
本実施の形態では、表示の視認性と、消費電力の低減とを最適化した表示部は、第1の表示領域121と、第2の表示領域122とを有している。そのため第1の表示200Aから第2の表示200Bに表示を移行するときに、第2の表示部品142は、表示部品151、表示部品152、及び表示部品153に分割され、さらに第1の表示領域121から、第2の表示領域122に表示を移行することができる。
In this embodiment, the display unit that optimizes display visibility and power consumption reduction includes a
プログラムは、第1の表示領域121から、第2の表示領域122に表示領域を移行するために、Locationの位置情報に、第3のパラメータを付与することができる。第3のパラメータは複数のステータスを有することができる。
The program can add a third parameter to the location information of the location in order to move the display area from the
図2(B)に、ステータスの一例を示す。第1のステータスは、第1の表示領域121を選択し、ディスプレイアダプタ110が有する選択回路113が、第1の表示領域121の表示を更新させる機能を有している。第2のステータスは選択回路113が第2の表示領域122の表示を更新させる機能を有している。第3のステータスは、第1の表示領域121と、第2の表示領域122と、両方の表示を更新させる機能を有している。
FIG. 2B shows an example of the status. The first status has a function of selecting the
したがって、第1の表示領域121と、第2の表示領域122の表示領域を選択する第3のパラメータを付与することで、プログラムは、表示部を選択的に更新することができ、利用者の周辺環境、バッテリの残量などに応じて表示を変更することができる。
Therefore, by assigning the third parameter for selecting the display area of the
プログラムは、表示領域を指定する第3のパラメータを有しており、プログラム開発時のソースコードでは、表示部品ごとに第3のパラメータを付与することができる。ソースコードは、コンパイラによって、CPU101が解釈できる機械語のプログラム(アセンブラ言語)に変換され、プログラムはメモリ102に記憶され、CPU101を介して第3のパラメータを含む第1の表示データを、ディスプレイアダプタ110に与えることができる。ディスプレイアダプタ110は、第3のパラメータによって選択回路を切り替えて、表示領域を更新することができる。
The program has a third parameter for designating a display area. In the source code at the time of program development, the third parameter can be assigned for each display component. The source code is converted into a machine language program (assembler language) that can be interpreted by the
Locationの位置情報に、第3のパラメータを付与する例を示したが、第3のパラメータが付与されるのは、Locationの位置情報に限定されない。Sizeの範囲情報に付与されてもよいし、その他のパラメータでもよい。もしくは独立したパラメータでもよい。 Although an example in which the third parameter is added to the location information of the location has been shown, the third parameter is not limited to the location information of the location. It may be given to the size range information or may be another parameter. Alternatively, independent parameters may be used.
図3(A)は、図2の(A)の第1の表示200Aと、第2の表示200Bの表示が切り替わることを状態遷移図で示した。表示部品143の表示領域に設けた表示ボタン164と、ボタン表示173をタッチもしくは、フリックすることで、表示が交互に切り替わることができる。
FIG. 3A is a state transition diagram showing that the display of the
図3(B)は図3(A)の詳細なフローチャートを示す。表示部品141、143、152、及び153は、第2の表示領域122によって表示され、表示部品142及び151は第1の表示領域121によって表示される。
FIG. 3B shows a detailed flowchart of FIG. The
ステップF01は、図3(A)におけるクリック又はフリックを表示ボタン164もしくは、173の範囲でタッチパネル123が検出したことを示す。よって、第1の表示200Aを表示していたときは、第2の表示200Bに移行し、第2の表示200Bを表示していたときは、第1の表示200Aに移行することができる。
Step F01 indicates that the
ステップF02は、第2の表示領域122に表示する、無線通信モジュール103、GPSモジュール104、タッチパネルコントローラ105、撮像モジュール106等から、CPU101はレジスタを読むことができる。
In step F02, the
ステップF03は、プログラムによって、無線通信のためのアンテナ強度、現時刻、バッテリの残量等のパラメータが、ステップF02で読み込んだ各レジスタの値と比較して更新されていないか、検出をすることができる。 In step F03, it is detected by a program whether parameters such as antenna strength, current time, and remaining battery capacity for wireless communication have been updated in comparison with the values of the registers read in step F02. Can do.
ステップF04は、パラメータの変化を検出した場合に、第2の表示領域122の表示を新しい情報に更新することができる。
Step F04 can update the display of the
ステップF05は、無線通信モジュール103、GPSモジュール104などから、表示部品142又は表示部品151に表示するためのデータを取得することができる。
In step F05, data to be displayed on the
ステップF06は、無線通信モジュール103、GPSモジュール104から取得したデータから、地図情報に利用者の位置情報、オブジェクト情報などを加えて第1の表示データを作成することができる。
In step F06, the first display data can be created from the data acquired from the
ステップF07は、地図情報に、利用者の位置情報、オブジェクト情報などを加えて第1の表示データを第1の表示領域121に表示することができる。
In step F07, the first display data can be displayed in the
ステップF08は、F02からF07の処理の期間に、クリック又はフリックを表示ボタン164又は173の範囲でタッチパネル123が検出したかを判断することができる。クリック又はフリックを検出しているならば、ステップF01に戻り、第1の表示200Aと第2の表示200Bを切り替えることができる。ただしタッチパネルの検出結果は、リアルタイムに割り込みを処理してもよい。その場合は、ステップF08の判断をスキップしてもよい。
In step F08, it is possible to determine whether the
ステップF09は、第2の表示領域122を更新する期間をタイマー監視している。タイマー監視の機能は、CPU101が有しており、プログラムでは前回のステップF09からF02へ移行したときの時間t1を保持することができる。プログラムがステップF09を実行したときの時間t0と差分を検出し、t0−t1>bであるならば、t1にt0を代入し、ステップF02に戻り、処理を繰り返す。t0−t1<bであるならば、ステップF10に移行する。
In step F09, a period during which the
タイマー監視の期間は、16msより大きく、1秒よりも小さい期間に設定するのが望ましい。ただし、表示の更新間隔は長ければ、表示の更新に消費する電力を小さくできるので1秒より大きくしてもよい。タイマー監視の期間は、利用者が設定することができる。 The timer monitoring period is preferably set to a period greater than 16 ms and less than 1 second. However, if the display update interval is long, the power consumed for display update can be reduced, so it may be longer than 1 second. The timer monitoring period can be set by the user.
ステップF10は、第1の表示領域121を更新する期間をタイマー監視している。プログラムでは前回のステップF10からF05へ移行したときの時間t2を保持することができる。プログラムがステップF10を実行したときの時間t0と差分を検出し、t0−t2>aであるならば、t2にt0を代入し、ステップF05に戻り、処理を繰り返す。t0−t2<aであるならば、t0−t2>aになるまで、処理を待機することができる。もしくは待機せずに、ステップF01に戻ってもよい。
In step F10, a period during which the
ステップF10の、タイマー監視期間は、第1の表示領域121の表示内容の応答性によって変えてもよい。そしてステップF05に戻り、処理を繰り返す。利用者が、速い動きをする場合は、監視期間を短く設定し、遅い動きの場合は、監視期間を長くしてもよい。利用者によって複数の検出期間を設定できるようにしてもよい。利用者の動きに応じて、消費する電力を小さくすることができるので望ましい。利用者の移動速度は、GPSモジュール104によって検出することができる。
The timer monitoring period of step F10 may be changed according to the responsiveness of the display content of the
プログラムから、第3のパラメータを付与することで、第1の表示領域121と、第2の表示領域122を、利用者の環境に応じて視認性を上げることができる。また、利用者の動作に応じて表示領域の更新期間を変えることで、利用者の位置が正しく第1の表示データに反映させることができる。また、表示部品の表示範囲を選択的、かつ更新周期を最適化することで、消費する電力を小さくすることができる。
By adding the third parameter from the program, the visibility of the
以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み合わせて用いることができる。 The structures and methods described in this embodiment can be combined as appropriate with any of the structures and methods described in the other embodiments.
(実施の形態2)
本実施の形態では、反射型表示素子と発光型表示素子とを用いた表示装置の構成例について説明する。なお、本実施の形態では、反射型表示素子として液晶素子を用い、発光型表示素子としてEL材料を用いた発光素子を用いる場合を例に挙げて、表示装置の構成例について説明する。
(Embodiment 2)
In this embodiment, a structural example of a display device using a reflective display element and a light-emitting display element will be described. Note that in this embodiment, a structure example of a display device is described using a case where a liquid crystal element is used as a reflective display element and a light-emitting element using an EL material is used as a light-emitting display element.
図4(A)に、本発明の一態様に係る表示装置200の断面の構造を一例として示す。図4(A)に示す表示装置200は、発光素子203と、液晶素子204と、発光素子203への電流の供給を制御する機能を有するトランジスタ205と、液晶素子204への電圧の供給を制御する機能を有するトランジスタ206とを有する。そして、発光素子203と、液晶素子204と、トランジスタ205と、トランジスタ206とは、基板201と基板202の間に位置する。
FIG. 4A illustrates an example of a cross-sectional structure of the
また、表示装置200において液晶素子204は、画素電極207と、共通電極208と、液晶層209とを有する。画素電極207は、トランジスタ206に電気的に接続されている。そして、画素電極207と共通電極208の間に印加される電圧にしたがって液晶層209の配向が制御される。なお、図4(A)では、画素電極207が可視光を反射する機能を有し、共通電極208が可視光を透過する機能を有する場合を例示しており、基板202側から入射した光が白抜きの矢印で示すように画素電極207において反射し、再び基板202側から放射される。
In the
また、発光素子203は、トランジスタ205に電気的に接続されている。発光素子203から発せられる光は、基板202側に放射される。なお、図4(A)では、画素電極207が可視光を反射する機能を有し、共通電極208が可視光を透過する機能を有する場合を例示しているため、発光素子203から発せられる光は、白抜きの矢印で示すように画素電極207と重ならない領域を通過し、共通電極208が位置する領域を通過して、基板202側から放射される。
The
そして、図4(A)に示す表示装置200では、トランジスタ205とトランジスタ206とが同一の層210に位置しており、トランジスタ205とトランジスタ206とが含まれる層210は、液晶素子204と発光素子203の間の領域を有する。なお、少なくとも、トランジスタ205が有する半導体層と、トランジスタ206が有する半導体層とが同一の絶縁表面上に位置している場合、トランジスタ205とトランジスタ206とが同一の層210に含まれていると言える。
4A, the
上記構成により、トランジスタ205とトランジスタ206とを共通の作製工程で作製することができる。
With the above structure, the
次いで、図4(B)に、本発明の一態様に係る表示装置200の別の構成について、断面の構造を一例として示す。図4(B)に示す表示装置200は、トランジスタ205とトランジスタ206とが異なる層に含まれている点において、図4(A)に示す表示装置200と構成が異なる。
Next, FIG. 4B illustrates an example of a cross-sectional structure of another structure of the
具体的に、図4(B)に示す表示装置200では、トランジスタ205が含まれる層210aと、トランジスタ206が含まれる層210bとを有し、層210aと層210bとは、液晶素子204と発光素子203の間の領域を有する。そして、図4(B)に示す表示装置200では、層210aが層210bよりも発光素子203側に近い。なお、少なくとも、トランジスタ205が有する半導体層と、トランジスタ206が有する半導体層とが異なる絶縁表面上に位置している場合、トランジスタ205とトランジスタ206とが異なる層に含まれていると言える。
Specifically, the
上記構成により、トランジスタ205と、トランジスタ205に電気的に接続される各種配線とを、トランジスタ206と、トランジスタ206に電気的に接続される各種配線とを、部分的に重ねることができるため、画素のサイズを小さく抑え、表示装置200の高精細化を実現することができる。
With the above structure, the
次いで、図5(A)に、本発明の一態様に係る表示装置200の別の構成について、断面の構造を一例として示す。図5(A)に示す表示装置200は、トランジスタ205とトランジスタ206とが異なる層含まれている点において、図4(A)に示す表示装置200と構成が異なる。そして、図5(A)に示す表示装置200は、トランジスタ205が含まれる層210aが、発光素子203よりも基板201側に近い点において、図4(B)に示す表示装置200と構成が異なる。
Next, FIG. 5A illustrates a cross-sectional structure as an example of another structure of the
具体的に、図5(A)に示す表示装置200では、トランジスタ205が含まれる層210aと、トランジスタ206が含まれる層210bとを有する。そして、層210aは、発光素子203と基板201との間の領域を有する。また、層210bは、液晶素子204と発光素子203の間の領域を有する。
Specifically, the
上記構成により、トランジスタ205と、トランジスタ205に電気的に接続される各種配線とを、トランジスタ206と、トランジスタ206に電気的に接続される各種配線とを、図4(B)の場合よりもより多く重ねることができるため、画素のサイズを小さく抑え、表示装置200の高精細化を実現することができる。
With the above structure, the
次いで、図5(B)に、本発明の一態様に係る表示装置200の別の構成について、断面の構造を一例として示す。図5(B)に示す表示装置200は、トランジスタ205とトランジスタ206とが同一の層に含まれている点では、図4(A)に示す表示装置200と構成は同じである。ただし、図5(B)に示す表示装置200は、トランジスタ205とトランジスタ206とが含まれている層が、発光素子203よりも基板201側に近い点において、図4(A)に示す表示装置200と構成が異なる。
Next, FIG. 5B illustrates an example of a cross-sectional structure of another structure of the
具体的に、図5(B)に示す表示装置200では、トランジスタ205とトランジスタ206とが含まれる層210を有する。そして、層210は、発光素子203と基板201との間の領域を有する。また、液晶素子204は、発光素子203よりも基板202側に近い。
Specifically, the
上記構成により、トランジスタ205とトランジスタ206とを共通の作製工程で作製することができる。また、液晶素子204とトランジスタ206の電気的な接続を行う配線と、発光素子203とトランジスタ205の電気的な接続を行う配線とが、層210に対して同一の側に設ければよい。具体的には、上記配線を、液晶素子204とトランジスタ206の電気的な接続を行う配線を、トランジスタ206の半導体層上に形成でき、なおかつ、発光素子203とトランジスタ205の電気的な接続を行う配線を、トランジスタ205の半導体層上に形成することができる。よって、図4(A)に示す表示装置200の場合に比べて作成工程を簡素化することができる。
With the above structure, the
なお、図4及び図5では、2つの液晶素子204に対して1つの発光素子203が対応している断面構造を例示しているが、本発明の一態様に係る表示装置は、1つの液晶素子204に対して1つの発光素子203が対応している断面構造を有していても良いし、1つの液晶素子204に対して複数の発光素子203が対応している断面構造を有していても良い。
Note that FIGS. 4 and 5 illustrate cross-sectional structures in which one light-emitting
また、図4及び図5では、液晶素子204が有する画素電極207が、可視光を反射する機能を有する場合を例示しているが、画素電極207は可視光を透過する機能を有していても良い。この場合、バックライトやフロントライトなどの光源を表示装置200に設けても良いし、液晶素子204を用いて画像を表示する際に発光素子203を光源として用いても良い。
4 and 5 illustrate the case where the
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.
(実施の形態3)
本実施の形態では、反射型表示素子と発光型表示素子とを用いた表示装置が有する、画素の構成例について説明する。なお、本実施の形態では、反射型表示素子として液晶素子を用い、発光型表示素子としてEL材料を用いた発光素子を用いる場合を例に挙げて、本発明の一態様に係る画素300の構成例について説明する。
(Embodiment 3)
In this embodiment, a structural example of a pixel included in a display device using a reflective display element and a light-emitting display element will be described. Note that in this embodiment, the structure of the
図6(A)に示す画素300は、画素350と画素351とを有する。そして、画素350は液晶素子301を有し、画素351は発光素子302を有する。
A
具体的に、画素350は、液晶素子301と、液晶素子301に印加する電圧を制御する機能を有するトランジスタ303と、容量素子304とを有する。そして、トランジスタ303は、ゲートが配線GLに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線SLに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が液晶素子301の画素電極に電気的に接続されている。また、液晶素子301の共通電極は、所定の電位が供給される配線又は電極に電気的に接続されている。また、容量素子304は、一方の電極が、液晶素子301の画素電極に電気的に接続され、他方の電極が、所定の電位が供給される配線又は電極に電気的に接続されている。
Specifically, the
また、具体的に、画素351は、発光素子302と、発光素子302に供給する電流を制御する機能を有するトランジスタ305と、トランジスタ305のゲートへの電位の供給を制御する機能を有するトランジスタ306と、容量素子307とを有する。そして、トランジスタ306は、ゲートが配線GEに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線DLに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方がトランジスタ305のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ305は、ソース又はドレインの一方が配線ALに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が発光素子302に電気的に接続されている。容量素子307は、一方の電極が配線ALに電気的に接続され、他方の電極がトランジスタ305のゲートに電気的に接続されている。
Specifically, the
図6(A)に示す画素300では、液晶素子301に対応した画像信号を配線SLに供給し、発光素子302に対応した画像信号を配線DLに供給することで、液晶素子301によって表示される階調と、発光素子302によって表示される階調とを個別に制御することができる。
In the
なお、図6(A)では、液晶素子301を有する画素350と、発光素子302を有する画素351とを一つずつ有する画素300の構成例を示したが、画素300が複数の画素350を有していても良いし、或いは画素300が複数の画素351を有していても良い。
Note that FIG. 6A illustrates a configuration example of the
図6(B)に、画素300が一の画素351と、4つの画素351を有している場合の、画素300の構成例を示す。
FIG. 6B illustrates a configuration example of the
具体的に図6(B)に示す画素300は、液晶素子301を有する画素351と、発光素子302をそれぞれ有する画素351a乃至画素351dとを有する。
Specifically, a
図6(B)に示す画素350の構成については、図6(A)に示す画素350の構成を参照することができる。
The structure of the
また、図6(B)に示す画素351a乃至画素351dは、図6(A)に示す画素351と同様に、発光素子302と、発光素子302に供給する電流を制御する機能を有するトランジスタ305と、トランジスタ305のゲートへの電位の供給を制御する機能を有するトランジスタ306と、容量素子307とをそれぞれ有する。そして、画素351a乃至画素351dがそれぞれ有する発光素子302から発せられる光が、異なる領域の波長を有することで、表示装置においてカラーの画像を表示することが可能になる。
6B includes a light-emitting
また、図6(B)に示す画素351a乃至画素351dでは、画素351aの有するトランジスタ306のゲートと、画素351cの有するトランジスタ306のゲートとが、配線GEbに電気的に接続されている。また、画素351bの有するトランジスタ306のゲートと、画素351dの有するトランジスタ306のゲートとが、配線GEaに電気的に接続されている。
In the
また、図6(B)に示す画素351a乃至画素351dでは、画素351aの有するトランジスタ306のソース又はドレインの一方と、画素351bの有するトランジスタ306のソース又はドレインの一方とが、配線DLaに電気的に接続されている。また、画素351cの有するトランジスタ306のソース又はドレインの一方と、画素351dの有するトランジスタ306のソース又はドレインの一方とが、配線DLbに電気的に接続されている。
6B, one of a source and a drain of the
また、図6(B)に示す画素351a乃至画素351dでは、全てのトランジスタ305のソース又はドレインの一方が、配線ALに電気的に接続されている。
In addition, in the
上述したように、図6(B)に示す画素351a乃至画素351bでは、画素351aと画素351cが配線GEbを共有し、画素351bと画素351dが配線GEaを共有しているが、画素351a乃至画素351bの全てが一の配線GEを共有していても良い。この場合、画素351a乃至画素351bは、互いに異なる4つの配線DLに電気的に接続されるようにすることが望ましい。
As described above, in the
次いで、図7(A)に、図6(A)とは異なる画素300の構成例を示す。図7(A)に示す画素300は、画素351が有するトランジスタ305がバックゲートを有する点において、図6(A)に示す画素300と構成が異なる。
Next, FIG. 7A illustrates a configuration example of the
具体的に、図7(A)に示す画素300では、トランジスタ305のバックゲートがゲート(フロントゲート)に電気的に接続されている。図7(A)に示す画素300は、上記構成を有することにより、トランジスタ305の閾値電圧がシフトするのを抑えることができ、トランジスタ305の信頼性を高めることができる。また、図7(A)に示す画素300は、上記構成を有することにより、トランジスタ305のサイズを小さく抑えつつ、トランジスタ305のオン電流を高めることができる。
Specifically, in the
なお、本発明の一態様に係る表示装置では、画素300が、図7(A)に示す画素350を複数有していても良いし、或いは図7(A)に示す画素351を複数有していても良い。具体的には、図6(B)に示した画素300と同様に、図7(A)に示す1つの画素350と、4つの画素351とを有していても良い。その場合、各種配線と4つの画素351との接続関係は、図6(B)に示した画素300を参照することができる。
Note that in the display device according to one embodiment of the present invention, the
次いで、図7(B)に、図6(A)とは異なる画素300の構成例を示す。図7(B)に示す画素300は、画素351が有するトランジスタ305がバックゲートを有する点において、図6(A)に示す画素300と構成が異なる。そして、図7(B)に示す画素300では、トランジスタ305のバックゲートがゲートではなく発光素子302に電気的に接続されている点において、図7(A)に示す画素300と構成が異なる。
Next, FIG. 7B illustrates a configuration example of the
図7(B)に示す画素300は、上記構成を有することにより、トランジスタ305の閾値電圧がシフトするのを抑えることができ、トランジスタ305の信頼性を高めることができる。
With the above structure, the
なお、本発明の一態様に係る表示装置では、画素300が、図7(B)に示す画素350を複数有していても良いし、或いは図7(B)に示す画素351を複数有していても良い。具体的には、図6(B)に示した画素300と同様に、図7(B)に示す1つの画素350と、4つの画素351とを有していても良い。その場合、各種配線と4つの画素351との接続関係は、図6(B)に示した画素300を参照することができる。
Note that in the display device according to one embodiment of the present invention, the
次いで、図8に、図6(A)とは異なる画素300の構成例を示す。図8に示す画素300は、画素350と画素351とを有し、画素351の構成が図6(A)とは異なる。
Next, FIG. 8 illustrates a configuration example of the
具体的に、図8に示す画素351は、発光素子302と、発光素子302に供給する電流を制御する機能を有するトランジスタ305と、トランジスタ305のゲートへの電位の供給を制御する機能を有するトランジスタ306と、発光素子302の画素電極に所定の電位を供給する機能を有するトランジスタ308と、容量素子307とを有する。また、トランジスタ305と、トランジスタ306と、トランジスタ308とは、それぞれバックゲートを有する。
Specifically, a
そして、トランジスタ306は、ゲート(フロントゲート)が配線MLに電気的に接続され、バックゲートが配線GEに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線DLに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方がトランジスタ305のゲート及びフロントゲートに電気的に接続されている。トランジスタ305は、ソース又はドレインの一方が配線ALに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が発光素子302に電気的に接続されている。
トランジスタ308は、ゲート(フロントゲート)が配線MLに電気的に接続され、バックゲートが配線GEに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線MLに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が発光素子302に電気的に接続されている。容量素子307は、一方の電極が配線ALに電気的に接続され、他方の電極がトランジスタ305のゲートに電気的に接続されている。
The
In the
なお、図8では、液晶素子301を有する画素350と、発光素子302を有する画素351とを一つずつ有する画素300の構成例を示したが、画素300が複数の画素350を有していても良いし、或いは画素300が複数の画素351を有していても良い。
Note that although FIG. 8 illustrates a configuration example of the
図9に、画素300が一の画素351と、4つの画素351を有している場合の、画素300の構成例を示す。
FIG. 9 illustrates a configuration example of the
具体的に図9に示す画素300は、液晶素子301を有する画素351と、発光素子302をそれぞれ有する画素351a乃至画素351bとを有する。
Specifically, a
図9に示す画素350の構成については、図8に示す画素350の構成を参照することができる。
For the structure of the
また、図9に示す画素351a乃至画素351dは、図8に示す画素351と同様に、発光素子302と、発光素子302に供給する電流を制御する機能を有するトランジスタ305と、トランジスタ305のゲートへの電位の供給を制御する機能を有するトランジスタ306と、発光素子302の画素電極に所定の電位を供給する機能を有するトランジスタ308と、容量素子307とをそれぞれ有する。そして、画素351a乃至画素351dがそれぞれ有する発光素子302から発せられる光が、異なる領域の波長を有することで、表示装置においてカラーの画像を表示することが可能になる。
9A to 9D, similarly to the
また、図9に示す画素351a乃至画素351dでは、画素351aの有するトランジスタ306のゲートと、画素351bの有するトランジスタ306のゲートとが、配線MLaに電気的に接続されている。また、画素351cの有するトランジスタ306のゲートと、画素351dの有するトランジスタ306のゲートとが、配線MLbに電気的に接続されている。
In the
また、図9に示す画素351a乃至画素351dでは、画素351aの有するトランジスタ306のバックゲートと、画素351cの有するトランジスタ306のバックゲートとが、配線GEbに電気的に接続されている。また、画素351bの有するトランジスタ306のバックゲートと、画素351dの有するトランジスタ306のバックゲートとが、配線GEaに電気的に接続されている。
In the
また、図9に示す画素351a乃至画素351dでは、画素351aの有するトランジスタ306のソース又はドレインの一方と、画素351bの有するトランジスタ306のソース又はドレインの一方とが、配線DLaに電気的に接続されている。また、画素351cの有するトランジスタ306のソース又はドレインの一方と、画素351dの有するトランジスタ306のソース又はドレインの一方とが、配線DLbに電気的に接続されている。
In the
また、図9に示す画素351a乃至画素351dでは、画素351aの有するトランジスタ308のバックゲートと、画素351cの有するトランジスタ308のバックゲートとが、配線GEbに電気的に接続されている。また、画素351bの有するトランジスタ308のバックゲートと、画素351dの有するトランジスタ308のバックゲートとが、配線GEaに電気的に接続されている。
In the
また、図9に示す画素351a乃至画素351dでは、画素351aの有するトランジスタ308のゲートとソース又はドレインの一方とが配線MLaに電気的に接続され、画素351bの有するトランジスタ308のゲートとソース又はドレインの一方とが、配線MLaに電気的に接続されている。また、画素351cの有するトランジスタ308のゲートとソース又はドレインの一方とが配線MLbに電気的に接続され、画素351bの有するトランジスタ308のゲートとソース又はドレインの一方とが、配線MLbに電気的に接続されている。
In the
また、図9に示す画素351a乃至画素351dでは、全てのトランジスタ305のソース又はドレインの一方が、配線ALに電気的に接続されている。
In the
上述したように、図9に示す画素351a乃至画素351dでは、画素351aと画素351cが配線GEbを共有し、画素351bと画素351dが配線GEaを共有しているが、画素351a乃至画素351bの全てが一の配線GEを共有していても良い。この場合、画素351a乃至画素351bは、互いに異なる4つの配線DLに電気的に接続されるようにすることが望ましい。
As described above, in the
なお、画素350に、オフ電流が低いトランジスタを用いることで、表示画面を書き換える必要がない場合(すなわち静止画を表示する場合)、一時的に駆動回路を停止することができる。アイドリングストップ駆動によって、表示装置200の消費電力を低減することができる。
Note that by using a transistor with low off-state current for the
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.
(実施の形態4)
本実施の形態では、図5(A)に示した表示装置200を例に挙げて、反射型表示素子と発光型表示素子とを用いた表示装置200の具体的な構成例について説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, the
図10に、表示装置200の断面構造の一例を示す。
FIG. 10 shows an example of a cross-sectional structure of the
図10に示す表示装置200は、基板250と基板251の間に、第1の表示領域121と、第2の表示領域122とが積層された構成を有する。具体的に図10では、第1の表示領域121と、第2の表示領域122とが接着層252により接着されている。
A
そして、図10では、第1の表示領域121の画素が有する発光素子302、トランジスタ305、及び容量素子307と、第1の表示領域121の駆動回路が有するトランジスタ309とを図示している。また、図10では、第2の表示領域122の画素が有する液晶素子301と、トランジスタ303と、容量素子304と、第2の表示領域122の駆動回路が有するトランジスタ310とを図示している。
10 illustrates the light-emitting
トランジスタ305は、バックゲートとしての機能を有する導電層311と、導電層311上の絶縁層312と、絶縁層312上において導電層311と重なる半導体層313と、半導体層313上の絶縁層316と、絶縁層316上に位置し、ゲートとしての機能を有する導電層317と、導電層317上に位置する絶縁層318のさらに上に位置し、半導体層313と電気的に接続されている導電層314及び導電層315と、を有する。
The
また、導電層315は、導電層319と電気的に接続され、導電層319は導電層320に電気的に接続されている。導電層319は導電層317と同一の層に形成されており、導電層320は導電層311と同一の層に形成されている。
In addition, the
また、導電層311及び導電層320と同一の層に、トランジスタ306(図示せず)のバックゲートとしての機能を有する導電層321が位置している。導電層321上には絶縁層312が位置し、絶縁層312上には導電層321と重なる領域を有する半導体層322が位置する。半導体層322にはトランジスタ306(図示せず)のチャネル形成領域が含まれる。半導体層322上には絶縁層318が位置し、絶縁層318上には導電層323が位置する。導電層323は半導体層322に電気的に接続されており、導電層323はトランジスタ306(図示せず)のソース電極又はドレインとしての機能を有する。
In addition, a
トランジスタ309は、トランジスタ305と同様の構成を有するので、詳細な説明は割愛する。
Since the
トランジスタ305、導電層323、トランジスタ309上には、絶縁層324が位置し、絶縁層324上には絶縁層325が位置する。絶縁層325上には導電層326及び導電層327が位置する。導電層326は導電層314と電気的に接続されており、導電層327は導電層327と電気的に接続されている。導電層326及び導電層327上には絶縁層328が位置し、絶縁層328上には導電層329が位置する。導電層329は導電層326に電気的に接続されており、発光素子302の画素電極としての機能を有する。
An insulating
導電層327と絶縁層328と導電層329とが重なる領域が、容量素子307として機能する。
A region where the
導電層329上には絶縁層330が位置し、絶縁層330上にはEL層331が位置し、EL層331上には対向電極としての機能を有する導電層332が位置する。導電層329とEL層331と導電層332とは、絶縁層330の開口部において電気的に接続されており、導電層329とEL層331と導電層332とが電気的に接続された領域が発光素子302として機能する。発光素子302は、導電層332側から破線の矢印で示す方向に光を放射する、トップエミッション構造を有する。
The insulating
導電層329と導電層332とは、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。導電層329と導電層332の間に、発光素子302の閾値電圧より高い電圧を印加すると、EL層331に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はEL層331において再結合し、EL層331に含まれる発光物質が発光する。
One of the
なお、半導体層313、322に酸化物半導体を用いる場合、表示装置の信頼性を高めるには、絶縁層318は酸素を含む絶縁材料を用いることが望ましく、絶縁層324には水又は水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが望ましい。
Note that in the case where an oxide semiconductor is used for the semiconductor layers 313 and 322, in order to increase the reliability of the display device, the insulating
絶縁層325又は絶縁層330として有機材料を用いる場合、絶縁層325又は絶縁層330が表示装置の端部に露出していると、絶縁層325又は絶縁層330を介して発光素子302等に表示装置の外部から水分等の不純物が侵入する恐れがある。不純物の侵入により、発光素子302が劣化すると、表示装置の劣化につながる。そのため、図10に示すように、絶縁層325及び絶縁層330が、表示装置の端部に位置しないことが好ましい。
In the case where an organic material is used for the insulating
発光素子302は、接着層333を介して着色層334と重なる。スペーサ335は、接着層333を介して遮光層336と重なる。図10では、導電層332と遮光層336との間に隙間がある場合を示しているが、これらが接していてもよい。
The light-emitting
着色層334は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、又は黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。
The
なお、本発明の一態様は、カラーフィルタ方式に限られず、塗り分け方式、色変換方式、又は量子ドット方式等を適用してもよい。 Note that one embodiment of the present invention is not limited to the color filter method, and a color separation method, a color conversion method, a quantum dot method, or the like may be applied.
第2の表示領域122において、トランジスタ303は、バックゲートとしての機能を有する導電層340と、導電層340上の絶縁層341と、絶縁層341上において導電層340と重なる半導体層342と、半導体層342上の絶縁層343と、絶縁層343上に位置し、ゲートとしての機能を有する導電層344と、導電層344上に位置する絶縁層345のさらに上に位置し、半導体層342と電気的に接続されている導電層346及び導電層347と、を有する。
In the
また、導電層340と同一の層に導電層348が位置する。導電層348上には絶縁層341が位置し、絶縁層341上には導電層348と重なる領域に導電層347が位置する。導電層347と絶縁層341と導電層348とが重なる領域が、容量素子304として機能する。
In addition, the
トランジスタ310は、トランジスタ303と同様の構成を有するので、詳細な説明は割愛する。
Since the
トランジスタ303、容量素子304、トランジスタ310上には、絶縁層360が位置し、絶縁層330上には導電層349が位置する。導電層349は導電層347と電気的に接続されており、液晶素子301の画素電極としての機能を有する。導電層349上には配向膜364が位置する。
An insulating
基板251には、共通電極としての機能を有する導電層361が位置する。具体的に、図10では、基板251上に接着層362を介して絶縁層363が接着されており、絶縁層363上に導電層361が位置する。そして、導電層361上には配向膜365が位置し、配向膜364と配向膜365の間には液晶層366が位置する。
A
図10では、導電層349が可視光を反射する機能を有し、導電層361が可視光を透過する機能を有することで、破線の矢印で示すように基板251側から入射した光を、導電層349において反射させ、基板251側から放射させることができる。
In FIG. 10, the
可視光を透過する導電性材料としては、例えば、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、錫(Sn)の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物(ITSO)、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などが挙げられる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。 As the conductive material that transmits visible light, for example, a material containing one kind selected from indium (In), zinc (Zn), and tin (Sn) may be used. Specifically, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide, indium oxide containing tungsten oxide, indium zinc oxide containing tungsten oxide, indium oxide containing titanium oxide, Indium tin oxide containing titanium oxide, indium tin oxide containing silicon oxide (ITSO), zinc oxide, zinc oxide containing gallium, and the like can be given. Note that a film containing graphene can also be used. The film containing graphene can be formed, for example, by reducing a film containing graphene oxide formed in a film shape.
可視光を反射する導電性材料としては、例えば、アルミニウム、銀、又はこれらの金属材料を含む合金等が挙げられる。そのほか、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料又は合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金(Al−Ni−La)等のアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金(Ag−Pd−Cu、APCとも記す)、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。 Examples of the conductive material that reflects visible light include aluminum, silver, and alloys containing these metal materials. In addition, a metal material such as gold, platinum, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, or palladium, or an alloy containing these metal materials can be used. In addition, lanthanum, neodymium, germanium, or the like may be added to the metal material or alloy. Alloys containing aluminum such as aluminum and titanium alloys, aluminum and nickel alloys, aluminum and neodymium alloys, aluminum, nickel, and lanthanum alloys (Al-Ni-La), silver and copper alloys, An alloy containing silver such as an alloy of silver, palladium, and copper (also referred to as Ag-Pd-Cu, APC), an alloy of silver and magnesium, or the like may be used.
なお、図10では、バックゲートを有するトップゲート方のトランジスタを用いた表示装置の構成について説明したが、本発明の一態様に係る表示装置はバックゲートを有さないトランジスタを用いていても良いし、バックゲート型のトランジスタを用いていても良い。 Note that although FIG. 10 illustrates the structure of a display device using a top-gate transistor having a back gate, the display device according to one embodiment of the present invention may use a transistor without a back gate. In addition, a back gate transistor may be used.
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。 There is no particular limitation on the crystallinity of a semiconductor material used for the transistor, and any of an amorphous semiconductor and a semiconductor having crystallinity (a microcrystalline semiconductor, a polycrystalline semiconductor, a single crystal semiconductor, or a semiconductor partially including a crystal region) is used. May be used. It is preferable to use a crystalline semiconductor because deterioration of transistor characteristics can be suppressed.
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、酸化物半導体を用いることができる。代表的には、インジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。 As a semiconductor material used for the transistor, an oxide semiconductor can be used. Typically, an oxide semiconductor containing indium can be used.
特にシリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。 In particular, it is preferable to use a semiconductor material having a wider band gap and lower carrier density than silicon because current in the off-state of the transistor can be reduced.
半導体層は、例えば少なくともインジウム、亜鉛及びM(アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジム又はハフニウム等の金属)を含むIn−M−Zn系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。 The semiconductor layer is represented by an In-M-Zn-based oxide containing at least indium, zinc, and M (metal such as aluminum, titanium, gallium, germanium, yttrium, zirconium, lanthanum, cerium, tin, neodymium, or hafnium). It is preferable to include a film. In addition, in order to reduce variation in electrical characteristics of the transistor including the oxide semiconductor, a stabilizer is preferably included together with the transistor.
スタビライザーとしては、上記Mで記載の金属を含め、例えば、ガリウム、スズ、ハフニウム、アルミニウム、又はジルコニウム等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。 Examples of the stabilizer include gallium, tin, hafnium, aluminum, zirconium, and the like, including the metals described in M above. Other stabilizers include lanthanoids such as lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium.
半導体層を構成する酸化物半導体として、例えば、In−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、In−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物を用いることができる。 As an oxide semiconductor included in the semiconductor layer, for example, an In—Ga—Zn-based oxide, an In—Al—Zn-based oxide, an In—Sn—Zn-based oxide, an In—Hf—Zn-based oxide, an In— La-Zn oxide, In-Ce-Zn oxide, In-Pr-Zn oxide, In-Nd-Zn oxide, In-Sm-Zn oxide, In-Eu-Zn oxide In-Gd-Zn-based oxide, In-Tb-Zn-based oxide, In-Dy-Zn-based oxide, In-Ho-Zn-based oxide, In-Er-Zn-based oxide, In-Tm -Zn oxide, In-Yb-Zn oxide, In-Lu-Zn oxide, In-Sn-Ga-Zn oxide, In-Hf-Ga-Zn oxide, In-Al- Ga-Zn-based oxide, In-Sn-Al-Zn-based oxide, In-Sn-Hf-Zn-based Product, can be used In-Hf-Al-Zn-based oxide.
なお、ここで、In−Ga−Zn系酸化物とは、InとGaとZnを主成分として有する酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn以外の金属元素が入っていてもよい。 Note that here, an In—Ga—Zn-based oxide means an oxide containing In, Ga, and Zn as its main components, and there is no limitation on the ratio of In, Ga, and Zn. Moreover, metal elements other than In, Ga, and Zn may be contained.
なお、本実施の形態では、反射型表示素子として液晶素子を用いた表示装置の構成を例示したが、反射型表示素子として、液晶素子のほかに、シャッター方式のMEMS(Micro Electro Mechanical System)素子、光干渉方式のMEMS素子、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体(登録商標)方式等を適用した表示素子などを用いることができる。 Note that in this embodiment mode, the structure of a display device using a liquid crystal element as a reflective display element is illustrated, but as a reflective display element, in addition to a liquid crystal element, a shutter-type MEMS (Micro Electro Mechanical System) element is used. An optical interference type MEMS device, a microcapsule method, an electrophoresis method, an electrowetting method, an electronic powder fluid (registered trademark) method, or the like can be used.
また、発光型表示素子として、例えばOLED(Organic Light Emitting Diode)、LED(Light Emitting Diode)、QLED(Quantum−dot Light Emitting Diode)などの自発光性の発光素子を用いることができる。 In addition, as the light-emitting display element, for example, a self-luminous light-emitting element such as an OLED (Organic Light Emitting Diode), an LED (Light Emitting Diode), or a QLED (Quantum-Dot Light Emitting Diode) can be used.
液晶素子としては、例えば垂直配向(VA:Vertical Alignment)モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、MVA(Multi−Domain Vertical Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(Advanced Super View)モードなどを用いることができる。 As the liquid crystal element, for example, a liquid crystal element to which a vertical alignment (VA: Vertical Alignment) mode is applied can be used. As the vertical alignment mode, an MVA (Multi-Domain Vertical Alignment) mode, a PVA (Patterned Vertical Alignment) mode, an ASV (Advanced Super View) mode, or the like can be used.
また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばVAモードのほかに、TN(Twisted Nematic)モード、IPS(In−Plane−Switching)モード、FFS(Fringe Field Switching)モード、ASM(Axially Symmetric aligned Micro−cell)モード、OCB(Optically Compensated Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal)モード等が適用された液晶素子を用いることができる。 As the liquid crystal element, liquid crystal elements to which various modes are applied can be used. For example, in addition to the VA mode, a TN (Twisted Nematic) mode, an IPS (In-Plane-Switching) mode, an FFS (Fringe Field Switching) mode, an ASM (Axially Symmetrical Aligned Micro-cell) mode Further, a liquid crystal element to which an FLC (Ferroelectric Liquid Crystal) mode, an AFLC (Antiferroelectric Liquid Crystal) mode, or the like is applied can be used.
なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC:Polymer Dispersed Liquid Crystal)、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。 As the liquid crystal used in the liquid crystal element, a thermotropic liquid crystal, a low molecular liquid crystal, a polymer liquid crystal, a polymer dispersed liquid crystal (PDLC), a ferroelectric liquid crystal, an antiferroelectric liquid crystal, or the like is used. Can do. These liquid crystal materials exhibit a cholesteric phase, a smectic phase, a cubic phase, a chiral nematic phase, an isotropic phase, and the like depending on conditions.
また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、又はネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。 Further, as the liquid crystal material, either a positive type liquid crystal or a negative type liquid crystal may be used, and an optimal liquid crystal material may be used according to an applied mode or design.
また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。 An alignment film can be provided to control the alignment of the liquid crystal. Note that in the case of employing a horizontal electric field mode, liquid crystal exhibiting a blue phase for which an alignment film is unnecessary may be used. The blue phase is one of the liquid crystal phases. When the temperature of the cholesteric liquid crystal is increased, the blue phase appears immediately before the transition from the cholesteric phase to the isotropic phase. Since the blue phase appears only in a narrow temperature range, a liquid crystal composition mixed with several percent by weight or more of a chiral agent is used for the liquid crystal layer in order to improve the temperature range. A liquid crystal composition containing a liquid crystal exhibiting a blue phase and a chiral agent has a short response speed and is optically isotropic. In addition, a liquid crystal composition including a liquid crystal exhibiting a blue phase and a chiral agent does not require alignment treatment and has a small viewing angle dependency. Further, since it is not necessary to provide an alignment film, a rubbing process is not required, so that electrostatic breakdown caused by the rubbing process can be prevented, and defects or breakage of the liquid crystal display device during the manufacturing process can be reduced. .
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.
(実施の形態5)
次いで、図11(A)に、本発明の一態様に係る表示装置200の、外観の一例を示す。図11(A)に示す表示装置200は、基板500上に画素部501と、反射型表示素子を有する画素用の走査線駆動回路502と、発光型表示素子を有する画素用の走査線駆動回路503と、を有する。また、IC504は反射型表示素子を有する画素用の信号線駆動回路を有し、配線506を介して画素部501に電気的に接続されている。また、IC505は発光型表示素子を有する画素用の信号線駆動回路を有し、配線506を介して画素部501に電気的に接続されている。
(Embodiment 5)
Next, FIG. 11A illustrates an example of an appearance of the
また、FPC508はIC504に電気的に接続されており、FPC509はIC505に電気的に接続されている。FPC510は配線511を介して走査線駆動回路502に電気的に接続されている。また、FPC510は配線512を介して走査線駆動回路503に電気的に接続されている。
The
次いで、反射型表示素子として液晶素子を用い、発光型表示素子として発光素子を用いる場合を例に挙げて、画素部501が有する画素513における、液晶素子の表示領域のレイアウトと、発光素子の表示領域のレイアウトとを、図11(B)に示す。
Next, taking as an example the case where a liquid crystal element is used as the reflective display element and the light emitting element is used as the light emitting display element, the layout of the display region of the liquid crystal element and the display of the light emitting element in the
具体的に図11(B)では、画素513が、液晶素子の表示領域514と、黄色に対応する発光素子の表示領域515と、緑色に対応する発光素子の表示領域516と、赤色に対応する発光素子の表示領域517と、青色に対応する発光素子の表示領域518とを有する。
Specifically, in FIG. 11B, the
なお、緑色、青色、赤色、黄色にそれぞれ対応する発光素子を用いて色再現性の良い黒を表示する際、発光素子の面積あたりに流れる電流量は、黄色に対応する発光素子が最も小さいことが求められる。図11(B)では、緑色に対応する発光素子の表示領域516と、赤色に対応する発光素子の表示領域517と、青色に対応する発光素子の表示領域518とが、ほぼ同等の面積を有し、それらに対して黄色に対応する発光素子の表示領域515の面積はやや小さいため、色再現性の良い黒を表示することが可能である。
When displaying black with good color reproducibility using light emitting elements corresponding to green, blue, red, and yellow, the amount of current flowing per area of the light emitting element is the smallest for the light emitting elements corresponding to yellow. Is required. In FIG. 11B, the
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.
(実施の形態6)
本明細書等において、金属酸化物(metal oxide)とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体(透明酸化物導電体を含む)、酸化物半導体(Oxide Semiconductor又は単にOSともいう)などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも1つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体(metal oxide semiconductor)、略してOSと呼ぶことができる。また、OS FETと記載する場合においては、金属酸化物又は酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
(Embodiment 6)
In this specification and the like, a metal oxide is a metal oxide in a broad expression. Metal oxides are classified into oxide insulators, oxide conductors (including transparent oxide conductors), oxide semiconductors (also referred to as oxide semiconductors or simply OS), and the like. For example, in the case where a metal oxide is used for a semiconductor layer of a transistor, the metal oxide may be referred to as an oxide semiconductor. In other words, when a metal oxide has at least one of an amplifying function, a rectifying function, and a switching function, the metal oxide can be referred to as a metal oxide semiconductor, or OS for short. In the case of describing as an OS FET, it can be said to be a transistor including a metal oxide or an oxide semiconductor.
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物(metal oxide)と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物(metal oxynitride)と呼称してもよい。 In this specification and the like, metal oxides containing nitrogen may be collectively referred to as metal oxides. Further, a metal oxide containing nitrogen may be referred to as a metal oxynitride.
また、本明細書等において、CAAC(c−axis aligned crystal)、及びCAC(cloud aligned complementary)と記載する場合がある。なお、CAACは結晶構造の一例を表し、CACは機能、又は材料の構成の一例を表す。 Moreover, in this specification etc., it may describe as CAAC (c-axis aligned crystal) and CAC (cloud aligned complementary). Note that CAAC represents an example of a crystal structure, and CAC represents an example of a function or a material structure.
また、本明細書等において、CAC−OS又はCAC−metal oxideとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、CAC−OS又はCAC−metal oxideを、トランジスタの半導体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子(またはホール)を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能(On/Offさせる機能)をCAC−OS又はCAC−metal oxideに付与することができる。CAC−OS又はCAC−metal oxideにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。 In this specification and the like, a CAC-OS or a CAC-metal oxide has a conductive function in part of a material and an insulating function in part of the material, and the whole material is a semiconductor. It has the function of. Note that in the case where a CAC-OS or a CAC-metal oxide is used for a semiconductor layer of a transistor, the conductive function is a function of flowing electrons (or holes) serving as carriers, and the insulating function is an electron serving as carriers. It is a function that does not flow. By performing the conductive function and the insulating function in a complementary manner, a switching function (a function for turning on / off) can be given to the CAC-OS or the CAC-metal oxide. In CAC-OS or CAC-metal oxide, the functions of both can be maximized by separating the functions.
また、CAC−OS又はCAC−metal oxideは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、CAC−OS又はCAC−metal oxideは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記CAC−OS又はCAC−metal oxideをトランジスタのチャネル領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。 Moreover, CAC-OS or CAC-metal oxide is comprised by the component which has a different band gap. For example, CAC-OS or CAC-metal oxide includes a component having a wide gap caused by an insulating region and a component having a narrow gap caused by a conductive region. In the case of the configuration, when the carrier flows, the carrier mainly flows in the component having the narrow gap. In addition, the component having a narrow gap acts in a complementary manner to the component having a wide gap, and the carrier flows through the component having the wide gap in conjunction with the component having the narrow gap. Therefore, when the CAC-OS or the CAC-metal oxide is used for a channel region of a transistor, high current driving capability, that is, high on-state current and high field-effect mobility can be obtained in the on-state of the transistor.
すなわち、CAC−OS又はCAC−metal oxideは、マトリックス複合材(matrix composite)、又は金属マトリックス複合材(metal matrix composite)と呼称することもできる。 That is, CAC-OS or CAC-metal oxide can also be called a matrix composite material or a metal matrix composite material.
<CAC−OSの構成>
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC−OSの構成について説明する。
<Configuration of CAC-OS>
A structure of a CAC-OS that can be used for the transistor disclosed in one embodiment of the present invention is described below.
CAC−OSとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、0.5nm以上10nm以下、好ましくは、1nm以上2nm以下、又はその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、0.5nm以上10nm以下、好ましくは、1nm以上2nm以下、又はその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、又はパッチ状ともいう。 The CAC-OS is one structure of a material in which an element included in an oxide semiconductor is unevenly distributed with a size of 0.5 nm to 10 nm, preferably 1 nm to 2 nm, or the vicinity thereof. Note that in the following, in an oxide semiconductor, one or more metal elements are unevenly distributed, and a region including the metal element has a size of 0.5 nm to 10 nm, preferably 1 nm to 2 nm, or the vicinity thereof. The state mixed with is also referred to as mosaic or patch.
なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムなどから選ばれた一種、又は複数種が含まれていてもよい。 Note that the oxide semiconductor preferably contains at least indium. In particular, it is preferable to contain indium and zinc. In addition, aluminum, gallium, yttrium, copper, vanadium, beryllium, boron, silicon, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lanthanum, cerium, neodymium, hafnium, tantalum, tungsten, magnesium, etc. One kind selected from the above or a plurality of kinds may be included.
例えば、In−Ga−Zn酸化物におけるCAC−OS(CAC−OSの中でもIn−Ga−Zn酸化物を、特にCAC−IGZOと呼称してもよい。)とは、インジウム酸化物(以下、InOX1(X1は0よりも大きい実数)とする。)、又はインジウム亜鉛酸化物(以下、InX2ZnY2OZ2(X2、Y2、及びZ2は0よりも大きい実数)とする。)と、ガリウム酸化物(以下、GaOX3(X3は0よりも大きい実数)とする。)、又はガリウム亜鉛酸化物(以下、GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4、及びZ4は0よりも大きい実数)とする。)などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のInOX1、又はInX2ZnY2OZ2が、膜中に均一に分布した構成(以下、クラウド状ともいう。)である。 For example, a CAC-OS in In-Ga-Zn oxide (In-Ga-Zn oxide among CAC-OSs may be referred to as CAC-IGZO in particular) is an indium oxide (hereinafter referred to as InO). X1 (X1 is greater real than 0) and.), or indium zinc oxide (hereinafter, in X2 Zn Y2 O Z2 ( X2, Y2, and Z2 is larger real than 0) and a.), gallium An oxide (hereinafter referred to as GaO X3 (X3 is a real number greater than 0)) or a gallium zinc oxide (hereinafter referred to as Ga X4 Zn Y4 O Z4 (where X4, Y4, and Z4 are greater than 0)) to.) and the like, the material becomes mosaic by separate into, mosaic InO X1, or in X2 Zn Y2 O Z2 is configured uniformly distributed in the film (hereinafter, cloud Also referred to.) A.
つまり、CAC−OSは、GaOX3が主成分である領域と、InX2ZnY2OZ2、又はInOX1が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第1の領域の元素Mに対するInの原子数比が、第2の領域の元素Mに対するInの原子数比よりも大きいことを、第1の領域は、第2の領域と比較して、Inの濃度が高いとする。 That, CAC-OS includes a region GaO X3 is the main component, In X2 Zn Y2 O Z2, or InO X1 there is a region which is a main component, a composite oxide semiconductor having a structure that is mixed. Note that in this specification, for example, the first region indicates that the atomic ratio of In to the element M in the first region is larger than the atomic ratio of In to the element M in the second region. It is assumed that the concentration of In is higher than that in the second region.
なお、IGZOは通称であり、In、Ga、Zn、及びOによる1つの化合物をいう場合がある。代表例として、InGaO3(ZnO)m1(m1は自然数)、又はIn(1+x0)Ga(1−x0)O3(ZnO)m0(−1≦x0≦1、m0は任意数)で表される結晶性の化合物が挙げられる。 Note that IGZO is a common name and sometimes refers to one compound of In, Ga, Zn, and O. As a typical example, InGaO 3 (ZnO) m1 (m1 is a natural number) or In (1 + x0) Ga (1-x0) O 3 (ZnO) m0 (−1 ≦ x0 ≦ 1, m0 is an arbitrary number) A crystalline compound may be mentioned.
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、又はCAAC構造を有する。なお、CAAC構造とは、複数のIGZOのナノ結晶がc軸配向を有し、かつa−b面においては配向せずに連結した結晶構造である。 The crystalline compound has a single crystal structure, a polycrystalline structure, or a CAAC structure. The CAAC structure is a crystal structure in which a plurality of IGZO nanocrystals have c-axis orientation and are connected without being oriented in the ab plane.
一方、CAC−OSは、酸化物半導体の材料構成に関する。CAC−OSとは、In、Ga、Zn、及びOを含む材料構成において、一部にGaを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にInを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。したがって、CAC−OSにおいて、結晶構造は副次的な要素である。 On the other hand, CAC-OS relates to a material structure of an oxide semiconductor. CAC-OS refers to a region that is observed in the form of nanoparticles mainly composed of Ga in a material structure including In, Ga, Zn, and O, and nanoparticles that are partially composed mainly of In. The region observed in a shape is a configuration in which the regions are randomly dispersed in a mosaic shape. Therefore, in the CAC-OS, the crystal structure is a secondary element.
なお、CAC−OSは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Inを主成分とする膜と、Gaを主成分とする膜との2層からなる構造は、含まない。 Note that the CAC-OS does not include a stacked structure of two or more kinds of films having different compositions. For example, a structure composed of two layers of a film mainly containing In and a film mainly containing Ga is not included.
なお、GaOX3が主成分である領域と、InX2ZnY2OZ2、又はInOX1が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。 Incidentally, a region GaO X3 is the main component, In X2 Zn Y2 O Z2, or the region InO X1 is the main component, it may clear boundary can not be observed.
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムなどから選ばれた一種、又は複数種が含まれている場合、CAC−OSは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にInを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。 Instead of gallium, selected from aluminum, yttrium, copper, vanadium, beryllium, boron, silicon, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lanthanum, cerium, neodymium, hafnium, tantalum, tungsten, magnesium, etc. In the case where one or more types are included, the CAC-OS includes a region observed in a part of a nanoparticle mainly including the metal element and a nano part mainly including In. The region observed in the form of particles refers to a configuration in which each region is randomly dispersed in a mosaic shape.
CAC−OSは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、CAC−OSをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス(代表的にはアルゴン)、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つ又は複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を0%以上30%未満、好ましくは0%以上10%以下とすることが好ましい。 The CAC-OS can be formed by a sputtering method under a condition where the substrate is not intentionally heated, for example. In the case where a CAC-OS is formed by a sputtering method, any one or more selected from an inert gas (typically argon), an oxygen gas, and a nitrogen gas may be used as a deposition gas. Good. Further, the flow rate ratio of the oxygen gas to the total flow rate of the deposition gas during film formation is preferably as low as possible. .
CAC−OSは、X線回折(XRD:X−ray diffraction)測定法のひとつであるOut−of−plane法によるθ/2θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、X線回折から、測定領域のa−b面方向、及びc軸方向の配向は見られないことが分かる。 The CAC-OS is characterized in that no clear peak is observed when it is measured using a θ / 2θ scan by the out-of-plane method, which is one of the X-ray diffraction (XRD) measurement methods. Have. That is, it can be seen from X-ray diffraction that no orientation in the ab plane direction and c-axis direction of the measurement region is observed.
またCAC−OSは、プローブ径が1nmの電子線(ナノビーム電子線ともいう。)を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。したがって、電子線回折パターンから、CAC−OSの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないnc(nano−crystal)構造を有することがわかる。 In addition, in the CAC-OS, an electron diffraction pattern obtained by irradiating an electron beam with a probe diameter of 1 nm (also referred to as a nanobeam electron beam) has a ring-like region having a high luminance and a plurality of bright regions in the ring region. A point is observed. Therefore, it can be seen from the electron beam diffraction pattern that the crystal structure of the CAC-OS has an nc (nano-crystal) structure having no orientation in the planar direction and the cross-sectional direction.
また例えば、In−Ga−Zn酸化物におけるCAC−OSでは、エネルギー分散型X線分光法(EDX:Energy Dispersive X−ray spectroscopy)を用いて取得したEDXマッピングにより、GaOX3が主成分である領域と、InX2ZnY2OZ2、又はInOX1が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。 Further, for example, in a CAC-OS in an In—Ga—Zn oxide, a region in which GaO X3 is a main component is obtained by EDX mapping obtained by using energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). It can be confirmed that a region in which In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1 is a main component is unevenly distributed and mixed.
CAC−OSは、金属元素が均一に分布したIGZO化合物とは異なる構造であり、IGZO化合物と異なる性質を有する。つまり、CAC−OSは、GaOX3などが主成分である領域と、InX2ZnY2OZ2、又はInOX1が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。 The CAC-OS has a structure different from that of the IGZO compound in which the metal element is uniformly distributed, and has a property different from that of the IGZO compound. That is, in the CAC-OS, a region in which GaO X3 or the like is a main component and a region in which In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1 is a main component are phase-separated from each other, and a region in which each element is a main component. Has a mosaic structure.
ここで、InX2ZnY2OZ2、又はInOX1が主成分である領域は、GaOX3などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、InX2ZnY2OZ2、又はInOX1が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。したがって、InX2ZnY2OZ2、又はInOX1が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度(μ)が実現できる。 Here, the region containing In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1 as a main component is a region having higher conductivity than a region containing GaO X3 or the like as a main component. That, In X2 Zn Y2 O Z2, or InO X1 is a region which is a main component, by carriers flow, expressed the conductivity of the oxide semiconductor. Therefore, a region where In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1 is a main component is distributed in a cloud shape in the oxide semiconductor, whereby high field-effect mobility (μ) can be realized.
一方、GaOX3などが主成分である領域は、InX2ZnY2OZ2、又はInOX1が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、GaOX3などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。 On the other hand, areas such as GaO X3 is the main component, In X2 Zn Y2 O Z2, or InO X1 is compared to region which is a main component, has a high area insulation. That is, a region containing GaO X3 or the like as a main component is distributed in the oxide semiconductor, whereby leakage current can be suppressed and good switching operation can be realized.
したがって、CAC−OSを半導体素子に用いた場合、GaOX3などに起因する絶縁性と、InX2ZnY2OZ2、又はInOX1に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流(Ion)、及び高い電界効果移動度(μ)を実現することができる。 Accordingly, when CAC-OS is used for a semiconductor element, high insulation is achieved by the complementary action of the insulating properties caused by GaO X3 and the like and the conductivity caused by In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1. An on-current (I on ) and high field effect mobility (μ) can be realized.
また、CAC−OSを用いた半導体素子は、信頼性が高い。したがって、CAC−OSは、ディスプレイをはじめとする様々な半導体装置に最適である。 In addition, a semiconductor element using a CAC-OS has high reliability. Therefore, the CAC-OS is optimal for various semiconductor devices including a display.
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with at least part of the other embodiments described in this specification.
(実施の形態7)
次いで上記実施の形態に示す表示パネルを用いた表示モジュールの応用例について、図12を用いて説明を行う。
(Embodiment 7)
Next, application examples of the display module using the display panel described in any of the above embodiments will be described with reference to FIGS.
図12に示す表示モジュール800は、上部カバー801と下部カバー802との間に、FPC803に接続されたタッチパネル804、FPC805に接続された表示パネル806、フレーム809、プリント基板810、バッテリ811を有する。なお、バッテリ811、タッチパネル804などは、設けられない場合もある。
A
上記実施の形態で説明した表示パネルは、図12における表示パネル806に用いることができる。
The display panel described in the above embodiment can be used for the
上部カバー801及び下部カバー802は、タッチパネル804及び表示パネル806のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
The shapes and dimensions of the
タッチパネル804は、抵抗膜方式又は静電容量方式のタッチパネルを表示パネル806に重畳して用いることができる。また、表示パネル806の対向基板(封止基板)に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。又は、表示パネル806の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。又は、表示パネル806の各画素内にタッチセンサ用電極を設け、静電容量方式のタッチパネルとすることも可能である。この場合、タッチパネル804を省略することも可能である。
As the
上部カバー801は光路を有してもよい。プリント基板810に実装された光源もしくは光源モジュールから照射された光が、上部カバー801に設けられた光路を通り、上部カバーの1辺より照射され、光を照射する1辺とは異なる他の一辺の光路に入射される光の有無をプリント基板810に実装された光センサもしくは光センサモジュールによって判断することで、指やペンなどのタッチなどによる画面タッチの有無を検出することも可能である。この場合、表示パネル806又は表示パネル806の対向基板にタッチパネル機能を持たせなくてもよく、さらにタッチパネル804を省略することも可能である。
The
図13(A)は、タッチパネル804の一例として相互容量方式のタッチセンサを用いた場合の構成例を示す模式図である。なお図13(A)では、一例として、パルス電圧が与えられる配線CLxをX1−X6の6本の配線、電流の変化を検知する配線CLyをY1−Y6の6本の配線として示している。なお、配線の数は、これに限定されない。また図13(A)は、配線CLx及び配線CLyが重畳すること、又は、配線CLx及び配線CLyが近接して配置されることで形成される容量素子854を図示している。
FIG. 13A is a schematic diagram illustrating a configuration example in the case of using a mutual capacitive touch sensor as an example of the
配線CLx及び配線CLyはIC850に電気的に接続されている。IC850は、駆動回路851及び検出回路852を含む。
The wiring CLx and the wiring CLy are electrically connected to the
駆動回路851は、一例としては、X1−X6の配線に順にパルスを印加するための回路である。X1−X6の配線にパルス電圧が印加されることで、容量素子854を形成する配線CLx及び配線CLyの間に電界が生じる。そしてパルス電圧によって容量素子854に電流が流れる。この電極間に生じる電界が、指やペンなどのタッチによる遮蔽等により変化する。つまり、指やペンなどのタッチなどにより、容量素子854の容量値が変化する。このように、指やペンなどのタッチなどにより、容量値に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、又は接触を検出することができる。
The
検出回路852は、容量素子854での容量値の変化による、Y1−Y6の配線での電流の変化を検出するための回路である。Y1−Y6の配線では、被検知体の近接又は接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接又は接触により容量値が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、電流量の総和を検出してもよい。その場合には、積分回路等を用いて検出を行えばよい。又は、電流のピーク値を検出してもよい。その場合には、電流を電圧に変換して、電圧値のピーク値を検出してもよい。
The
図13(A)において、駆動回路851と検出回路852は同一のICで形成されているが、それぞれの回路を異なるICに形成してもよい。検出回路852は、ノイズの影響を受けて誤動作し易い。一方で、駆動回路851はノイズの発生源になり得る。駆動回路851と検出回路852を異なるICで形成することで、検出回路852の誤動作を防ぐことができる。
In FIG. 13A, the
また、駆動回路851、検出回路852及び表示パネル806の駆動回路を1つのICで形成してもよい。その場合、表示モジュール全体に占めるICのコストを低減させることができる。
Alternatively, the
図13(A)においてIC850はタッチパネル804に配置されているが、IC850はFPC803に配置されてもよい。その場合の模式図を図13(B)に示す。
In FIG. 13A, the
再び、図12に戻る。 Returning again to FIG.
フレーム809は、表示パネル806の保護機能の他、プリント基板810の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム809は、放熱板としての機能を有していてもよい。
The
プリント基板810は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。さらに、タッチ検出のための光源及び光センサを有してもよい。光源の波長域は、780nmより大きい波長域が望ましく、1.6umより大きな波長域がより望ましい。光センサは、光源の波長域の光を検出する機能を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ811による電源であってもよい。バッテリ811は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
The printed
また、表示モジュール800には、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
Further, the
(実施の形態8)
本実施の形態では、半導体装置の一例として、ICチップ、電子部品、電子機器等について説明する。
(Embodiment 8)
In this embodiment, an IC chip, an electronic component, an electronic device, and the like will be described as an example of a semiconductor device.
<電子部品の作製方法例>
図14(A)は、電子部品の作製方法例を示すフローチャートである。電子部品は、半導体パッケージ、又はIC用パッケージともいう。この電子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。そこで、本実施の形態では、その一例について説明することにする。
<Example of electronic component manufacturing method>
FIG. 14A is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing an electronic component. The electronic component is also referred to as a semiconductor package or an IC package. This electronic component has a plurality of standards and names depending on the terminal take-out direction and the shape of the terminal. Therefore, in this embodiment, an example will be described.
トランジスタで構成される半導体装置は、組み立て工程(後工程)を経て、プリント基板に脱着可能な部品が複数合わさることで完成する。後工程については、図14(A)に示す各工程を経ることで完成させることができる。具体的には、前工程で得られる素子基板が完成(ステップST71)した後、基板の裏面を研削する。この段階で基板を薄膜化して、前工程での基板の反り等を低減し、部品の小型化を図る。次に、基板を複数のチップに分離するダイシング工程を行う(ステップST72)。 A semiconductor device including a transistor is completed by combining a plurality of parts that can be attached to and detached from a printed circuit board through an assembly process (post-process). The post-process can be completed through each process shown in FIG. Specifically, after the element substrate obtained in the previous process is completed (step ST71), the back surface of the substrate is ground. At this stage, the substrate is thinned to reduce the warpage of the substrate in the previous process and reduce the size of the component. Next, a dicing process for separating the substrate into a plurality of chips is performed (step ST72).
図14(B)は、ダイシング工程が行われる前の半導体ウエハ7100の上面図である。図14(C)は、図14(B)の部分拡大図である。半導体ウエハ7100には、複数の回路領域7102が設けられている。
回路領域7102には、本発明の形態に係る半導体装置(例えば、記憶装置、撮像装置、MCU等)が設けられている。
FIG. 14B is a top view of the
In the
複数の回路領域7102は、それぞれが分離領域7104に囲まれている。分離領域7104と重なる位置に分離線(「ダイシングライン」ともいう。)7106が設定される。ダイシング工程72では、分離線7106に沿って半導体ウエハ7100切断することで、回路領域7102を含むチップ7110を半導体ウエハ7100から切り出す。図14(D)にチップ7110の拡大図を示す。
Each of the plurality of
分離領域7104に導電層や半導体層を設けてもよい。分離領域7104に導電層や半導体層を設けることで、ダイシング工程時に生じうるESDを緩和し、ダイシング工程に起因する歩留まりの低下を防ぐことができる。また、一般にダイシング工程は、基板の冷却、削りくずの除去、帯電防止などを目的として、炭酸ガスなどを溶解させて比抵抗を下げた純水を切削部に供給しながら行なう。分離領域7104に導電層や半導体層を設けることで、当該純水の使用量を削減することができる。よって、半導体装置の生産コストを低減することができる。また、半導体装置の生産性を高めることができる。
A conductive layer or a semiconductor layer may be provided in the
ステップST72を行った後、分離したチップを個々にピックアップしてリードフレーム上に搭載し接合する、ダイボンディング工程を行う(ステップST73)。ダイボンディング工程におけるチップとリードフレームとの接着方法は製品に適した方法を選択すればよい。例えば、接着は樹脂やテープによって行えばよい。ダイボンディング工程は、インターポーザ上にチップを搭載し接合してもよい。ワイヤーボンディング工程で、リードフレームのリードとチップ上の電極とを金属の細線(ワイヤー)で電気的に接続する(ステップST74)。金属の細線には、銀線や金線を用いることができる。ワイヤーボンディングは、ボールボンディングとウェッジボンディングの何れでもよい。 After performing step ST72, a die bonding step is performed in which the separated chips are individually picked up and mounted on the lead frame and bonded (step ST73). As a bonding method between the chip and the lead frame in the die bonding process, a method suitable for the product may be selected. For example, the bonding may be performed with resin or tape. In the die bonding step, a chip may be mounted on the interposer and bonded. In the wire bonding step, the lead frame lead and the electrode on the chip are electrically connected by a thin metal wire (wire) (step ST74). A silver wire or a gold wire can be used as the metal thin wire. Wire bonding may be either ball bonding or wedge bonding.
ワイヤーボンディングされたチップは、エポキシ樹脂等で封止される、モールド工程が施される(ステップST75)。モールド工程を行うことで電子部品の内部が樹脂で充填され、機械的な外力による内蔵される回路部やワイヤーに対するダメージを低減することができ、また水分や埃による特性の劣化を低減することができる。リードフレームのリードをメッキ処理する。そしてリードを切断及び成形加工する(ステップST76)。めっき処理によりリードの錆を防止し、後にプリント基板に実装する際のはんだ付けをより確実に行うことができる。パッケージの表面に印字処理(マーキング)を施す(ステップST77)。検査工程(ステップST78)を経て、電子部品が完成する(ステップST79)。上掲した実施の形態の半導体装置を組み込むことで、低消費電力で、小型な電子部品を提供することができる。 The wire bonded chip is sealed with an epoxy resin or the like and subjected to a molding process (step ST75). By performing the molding process, the inside of the electronic component is filled with resin, which can reduce damage to the built-in circuit part and wires due to mechanical external force, and can reduce deterioration of characteristics due to moisture and dust. it can. The lead frame lead is plated. Then, the lead is cut and molded (step ST76). The plating process prevents rusting of the lead, and soldering when mounted on a printed circuit board later can be performed more reliably. A printing process (marking) is performed on the surface of the package (step ST77). Through the inspection process (step ST78), the electronic component is completed (step ST79). By incorporating the semiconductor device of the above embodiment, a small electronic component with low power consumption can be provided.
完成した電子部品の斜視模式図を図14(E)に示す。図14(E)では、電子部品の一例として、QFP(Quad Flat Package)の斜視模式図を示している。図14(E)に示すように、電子部品7000は、リード7001及びチップ7110を有する。
A schematic perspective view of the completed electronic component is shown in FIG. FIG. 14E shows a schematic perspective view of a QFP (Quad Flat Package) as an example of an electronic component. As shown in FIG. 14E, the
電子部品7000は、例えばプリント基板7002に実装される。このような電子部品7000が複数組み合わされて、それぞれがプリント基板7002上で電気的に接続されることで電子機器に搭載することができる。完成した回路基板7004は、電子機器等の内部に設けられる。電子部品7000を搭載することで、電子機器の消費電力を削減することができる。又は、電子機器を小型化することが容易になる。
The
電子部品7000は、デジタル信号処理、ソフトウェア無線、アビオニクス(通信機器、航法システム、自動操縦装置、飛行管理システム等の航空に関する電子機器)、ASICのプロトタイピング、医療用画像処理、音声認識、暗号、バイオインフォマティクス(生物情報科学)、機械装置のエミュレータ、及び電波天文学における電波望遠鏡等、幅広い分野の電子機器の電子部品(ICチップ)に適用することが可能である。このような電子機器としては、カメラ(ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等)、表示装置、パーソナルコンピュータ(PC)、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯型情報端末(スマートフォン、タブレット型情報端末など)、電子書籍端末、ウエアラブル型情報端末(時計型、ヘッドマウント型、ゴーグル型、眼鏡型、腕章型、ブレスレット型、ネックレス型等)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機、家庭用電化製品などが挙げられる。
図15(A)及び図16(E)に、電子機器の構成例を示す。図15(A)等の電子機器の表示部には、タッチセンサを有するタッチパネル装置を用いることが好ましい。タッチパネル装置を用いることで、表示部を電子機器の入力部としても機能させることができる。 15A and 16E illustrate structural examples of electronic devices. A touch panel device having a touch sensor is preferably used for the display portion of the electronic device in FIG. By using the touch panel device, the display unit can function as an input unit of the electronic device.
図15(A)に示す情報端末2010は、筐体2011に組み込まれた表示部2012の他、操作ボタン2013、外部接続ポート2014、スピーカ2015、マイクロフォン2016を有する。ここでは、表示部2012の表示領域は、湾曲している。情報端末2010は、バッテリで駆動する携帯型情報端末であり、タブレット型情報端末、あるいはスマートフォンとして使用することができる。情報端末2010は、電話、電子メール、手帳、インターネット接続、音楽再生、撮像モジュールによる撮像等の機能を有する。指などで表示部2012に触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、文字を入力する、表示部2012の画面切り替え動作などの各種の操作は、指などで表示部2012に触れることで行われる。また、マイクロフォン2016から音声を入力することで、情報端末2010を操作することもできる。操作ボタン2013の操作により、電源のオン/オフ動作や、表示部2012の画面切り替え動作などの各種の操作を行うこともできる。表示部2012は、本明細書の表示装置200を用いることができる。したがって、外光下において携帯型情報端末を使用する場合、視認性を向上させ、かつ消費電力を小さくすることができる。
An
図15(B)に腕時計型の情報端末の一例を示す。情報端末2030は、筐体2031、表示部2032、リュウズ2033、ベルト2034、検知部2035を有する。リュウズ2033を回転することで情報端末2030を操作することができる。表示部2032を指で触れることで、情報端末2030を操作することができる。
FIG. 15B illustrates an example of a wristwatch-type information terminal. The
検知部2035は、例えば、使用環境の情報、生体情報を取得する機能を備える。マイクロフォン、撮像素子、加速度センサ、方位センサ、圧力センサ、温度センサ、湿度センサ、照度センサ、測位センサ(例えば、GPS(全地球測位システム))等を検知部2035に設けてもよい。
For example, the
情報端末2010及び情報端末2030に同じ規格の無線通信装置を組み込み、無線信号2020により双方向の通信を行うようにしてもよい。表示部2032は、本明細書の表示装置200を用いることができる。時間表示をするとき、時針、分針、もしくは、時及び分を表すセグメントの表示は、反射型の液晶素子によって表示をする。また、秒針や、秒を表すセグメントの表示は、EL素子によって表示をすることで、消費電力を小さくすることができる。
A wireless communication device of the same standard may be incorporated in the
反射型液晶素子によって情報表示時に、EL素子を用いてスケジュールの通知、メールの着信、心拍などのバイタル情報の変動など、表示を重ね合わせて表示することができる。表示データはそれぞれ個別に管理できるので、画像処理部の演算量を減らすことで、消費電力を小さくすることができる。 When information is displayed by the reflective liquid crystal element, the EL element can be used to superimpose the display such as schedule notification, incoming mail, and fluctuation of vital information such as heartbeat. Since the display data can be managed individually, the power consumption can be reduced by reducing the amount of calculation of the image processing unit.
図15(C)に、眼鏡型の情報端末の例を示す。情報端末2040は、装着部2041、筐体2042、ケーブル2045、バッテリ2046、表示部2047、撮像モジュール2048を有する。バッテリ2046は装着部2041に収納されている。表示部2047は筐体2042に設けられている。筐体2042は、プロセッサ、無線通信装置、記憶装置、各種の電子部品を内蔵する。ケーブル2045を介してバッテリ2046から筐体2042内の表示部2047及び電子部品に電力が供給される。
FIG. 15C illustrates an example of a glasses-type information terminal. The
表示部2047には無線もしくは、撮像モジュール2048から得られた撮像データに、無線からの情報を付与して作成された表示データが表示される。撮像データは、EL素子により表示をし、無線などから得られた情報は、反射型液晶素子により表示されるなど、利用者の状況に応じた表示をすることができる。
The
筐体2042に撮像モジュールを設けてもよい。撮像モジュールによって、使用者の眼球やまぶたの動きを検知し知ることで、情報端末2040を操作することができる。
An imaging module may be provided in the
装着部2041に、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ、生体センサ等の各種センサを設けてもよい。例えば、生体センサによって、使用者の生体情報を取得し、筐体2042内の記憶装置に記憶させる。例えば、無線信号2021によって、情報端末2010と情報端末2040間で双方向の通信可能にする。情報端末2040は、記憶している生体情報を情報端末2010に送信する。情報端末2010は、受信した生体情報から使用者の疲労度、活動量などを算出する。
The mounting
図16(A)に示すノート型パーソナルコンピュータ2050は、筐体2051、表示部2052、キーボード2053、ポインティングデバイス2054を有する。表示部2052のタッチ操作で、ノート型パーソナルコンピュータ2050を操作することができる。表示部2052は、本明細書の表示装置200を用いることができる。したがって、外光下においてノート型パーソナルコンピュータを使用する場合、視認性を向上させ、かつ消費電力を小さくすることができる。
A laptop
図16(B)示すビデオカメラ2070は、筐体2071、表示部2072、筐体2073、操作キー2074、レンズ2075、接続部2076を有する。表示部2072は筐体2071に設けられ、操作キー2074及びレンズ2075は筐体2073に設けられている。筐体2071と筐体2073とは、接続部2076により接続されており、筐体2071と筐体2073間の角度は、接続部2076により変更が可能である。接続部2076における筐体2071と筐体2073間の角度にしたがって、表示部2072の映像を切り替える構成としてもよい。表示部2072のタッチ操作によって、録画の開始及び停止の操作、倍率ズーム調整、撮影範囲の変更などの各種の操作を実行できる。
A
図16(C)に示す携帯型遊技機2110は、筐体2111、表示部2112、スピーカ2113、LEDランプ2114、操作キーボタン2115、接続端子2116、カメラ2117、マイクロフォン2118、記録媒体読込部2119を有する。表示部2112は、本明細書の表示装置200を用いることができる。したがって、外光下においてノート型PCを使用する場合、視認性を向上させ、かつ消費電力を小さくすることができる。
A
図16(D)に示す電気冷凍冷蔵庫2150は、筐体2151、冷蔵室用扉2152、及び冷凍室用扉2153等を有する。冷蔵室用扉2152に表示部2154を有したる例を示したが、冷凍室用扉2153に、表示部2154を有してもよい。筐体2151は、無線通信機能を有してもよい。表示部2154は、冷蔵庫の中身の管理情報や、無線通信機能を用いて、半径10km圏内、もしくは登録された店舗からの広告情報の表示、もしくは、動画や、ポスターなどの絵を表示させてもよい。したがって表示部2052は、本明細書の表示装置200を用いることができる。したがって、広告や食材リストなどは、蛍光灯下において反射型液晶素子によって表示することで、消費電力を小さくすることができる。
An electric refrigerator-
また室外に設置される、自動販売機は、室外に設置した冷蔵庫と同じと考えてよい。外光下において広告などの表示の視認性を向上させ、かつ消費電力を小さくすることができる。 A vending machine installed outdoors may be considered the same as a refrigerator installed outdoors. The visibility of display of advertisements and the like can be improved and the power consumption can be reduced under external light.
図16(E)に示す自動車2170は、車体2171、車輪2172、ダッシュボード2173、及びライト2174等を有する。実施の形態2のプロセッサは、自動車2170内の各種のプロセッサに用いられる。
A
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with at least part of the other embodiments described in this specification.
AL 配線
CLx 配線
CLy 配線
DL 配線
DLa 配線
DLb 配線
GE 配線
GEa 配線
GEb 配線
GL 配線
ML 配線
MLa 配線
MLb 配線
SL 配線
10 電子機器
72 ダイシング工程
100 制御部
101 CPU
102 メモリ
103 無線通信モジュール
104 GPSモジュール
105 タッチパネルコントローラ
106 撮像モジュール
110 ディスプレイアダプタ
111 ディスプレイコントローラ
111A ドライバー
112 ディスプレイコントローラ
112A ドライバー
113 選択回路
121 表示領域
122 表示領域
123 タッチパネル
141 表示部品
142 表示部品
143 表示部品
151 表示部品
152 表示部品
153 表示部品
161 アイテム
162 記号
163 表示ボタン
164 表示ボタン
171 表示領域
172 表示領域
173 ボタン表示
200 表示装置
200A 表示
200B 表示
201 基板
202 基板
203 発光素子
204 液晶素子
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 画素電極
208 共通電極
209 液晶層
210 層
210a 層
210b 層
232 表示領域
250 基板
251 基板
252 接着層
300 画素
301 液晶素子
302 発光素子
303 トランジスタ
304 容量素子
305 トランジスタ
306 トランジスタ
307 容量素子
308 トランジスタ
309 トランジスタ
310 トランジスタ
311 導電層
312 絶縁層
313 半導体層
314 導電層
315 導電層
316 絶縁層
317 導電層
318 絶縁層
319 導電層
320 導電層
321 導電層
322 半導体層
323 導電層
324 絶縁層
325 絶縁層
326 導電層
327 導電層
328 絶縁層
329 導電層
330 絶縁層
331 EL層
332 導電層
333 接着層
334 着色層
335 スペーサ
336 遮光層
340 導電層
341 絶縁層
342 半導体層
343 絶縁層
344 導電層
345 絶縁層
346 導電層
347 導電層
348 導電層
349 導電層
350 画素
351 画素
351a 画素
351b 画素
351c 画素
351d 画素
360 絶縁層
361 導電層
362 接着層
363 絶縁層
364 配向膜
365 配向膜
366 液晶層
500 基板
501 画素部
502 走査線駆動回路
503 走査線駆動回路
504 IC
505 IC
506 配線
508 FPC
509 FPC
510 FPC
511 配線
512 配線
513 画素
514 表示領域
515 表示領域
516 表示領域
517 表示領域
518 表示領域
800 表示モジュール
801 上部カバー
802 下部カバー
803 FPC
804 タッチパネル
805 FPC
806 表示パネル
809 フレーム
810 プリント基板
811 バッテリ
850 IC
851 駆動回路
852 検出回路
854 容量素子
2010 情報端末
2011 筐体
2012 表示部
2013 操作ボタン
2014 外部接続ポート
2015 スピーカ
2016 マイクロフォン
2020 無線信号
2021 無線信号
2030 情報端末
2031 筐体
2032 表示部
2033 リュウズ
2034 ベルト
2035 検知部
2040 情報端末
2041 装着部
2042 筐体
2045 ケーブル
2046 バッテリ
2047 表示部
2048 撮像モジュール
2050 ノート型パーソナルコンピュータ
2051 筐体
2052 表示部
2053 キーボード
2054 ポインティングデバイス
2070 ビデオカメラ
2071 筐体
2072 表示部
2073 筐体
2074 操作キー
2075 レンズ
2076 接続部
2110 携帯型遊技機
2111 筐体
2112 表示部
2113 スピーカ
2114 LEDランプ
2115 操作キーボタン
2116 接続端子
2117 カメラ
2118 マイクロフォン
2119 記録媒体読込部
2150 電気冷凍冷蔵庫
2151 筐体
2152 冷蔵室用扉
2153 冷凍室用扉
2154 表示部
2170 自動車
2171 車体
2172 車輪
2173 ダッシュボード
2174 ライト
7000 電子部品
7001 リード
7002 プリント基板
7004 回路基板
7100 半導体ウエハ
7102 回路領域
7104 分離領域
7106 分離線
7110 チップ
AL wiring CLx wiring CLy wiring DL wiring DLa wiring DLb wiring GE wiring GEa wiring GEb wiring GL wiring ML wiring MLa wiring MLb
102 memory 103 wireless communication module 104 GPS module 105 touch panel controller 106 imaging module 110 display adapter 111 display controller 111A driver 112 display controller 112A driver 113 selection circuit 121 display area 122 display area 123 touch panel 141 display component 142 display component 143 display component 151 display Component 152 Display component 153 Display component 161 Item 162 Symbol 163 Display button 164 Display button 171 Display region 172 Display region 173 Button display 200 Display device 200A Display 200B Display 201 Substrate 202 Substrate 203 Light emitting device 204 Liquid crystal device 205 Transistor 206 Transistor 207 Pixel electrode 208 Common electrode 209 Liquid crystal layer 21 Layer 210a Layer 210b Layer 232 Display region 250 Substrate 251 Substrate 252 Adhesive layer 300 Pixel 301 Liquid crystal element 302 Light emitting element 303 Transistor 304 Capacitor element 305 Transistor 306 Transistor 307 Capacitor element 308 Transistor 309 Transistor 310 Transistor 311 Conductive layer 312 Insulating layer 313 Semiconductor layer 314 conductive layer 315 conductive layer 316 insulating layer 317 conductive layer 318 insulating layer 319 conductive layer 320 conductive layer 321 conductive layer 322 semiconductor layer 323 conductive layer 324 insulating layer 325 insulating layer 326 conductive layer 327 conductive layer 328 insulating layer 329 conductive layer 330 insulating Layer 331 EL layer 332 Conductive layer 333 Adhesive layer 334 Colored layer 335 Spacer 336 Light blocking layer 340 Conductive layer 341 Insulating layer 342 Semiconductor layer 343 Insulating layer 344 Conductive layer 345 Insulating Layer 346 conductive layer 347 conductive layer 348 conductive layer 349 conductive layer 350 pixel 351 pixel 351a pixel 351b pixel 351c pixel 351d pixel 360 insulating layer 361 conductive layer 362 adhesive layer 363 insulating layer 364 alignment film 365 alignment film 366 liquid crystal layer 500 substrate 501 pixel Unit 502 Scanning line driving circuit 503 Scanning line driving circuit 504 IC
505 IC
506
509 FPC
510 FPC
511 wiring 512
804
806
851
Claims (9)
前記制御部は、メモリと、無線通信モジュールと、GPSモジュールと、CPUとを有し、
前記ディスプレイアダプタは、第1のディスプレイコントローラと、第2のディスプレイコントローラと、第1のドライバー回路と、第2のドライバー回路と、選択回路とを有し、
前記表示部が、第1の表示領域と、第2の表示領域と、を有し、
前記制御部は、前記ディスプレイアダプタと、電気的に接続され、
前記ディスプレイアダプタは、前記表示部と、電気的に接続され、
前記制御部は、前記無線通信モジュールと、前記GPSモジュールと、前記メモリと、前記CPUとが、電気的に接続され、
前記制御部は、前記無線通信モジュールによって表示情報を取得する機能を有し、
前記制御部は、前記GPSモジュールによって位置情報を取得する機能を有し、
前記制御部は、前記第1の表示領域と、前記第2の表示領域を選択して表示するためのフラグを付与する機能を有し、
前記制御部は、前記フラグが付与された第1の表示データを生成する機能を有し、
前記制御部は、前記第1の表示データを、前記ディスプレイアダプタに与える機能を有し、
前記選択回路は、前記フラグにより、前記第1又は第2のディスプレイコントローラを選択する機能を有し、
前記ディスプレイアダプタは、前記第1の表示データを表示部に与える機能を有する電子機器。 An electronic device having a control unit, a display adapter, and a display unit,
The control unit includes a memory, a wireless communication module, a GPS module, and a CPU.
The display adapter includes a first display controller, a second display controller, a first driver circuit, a second driver circuit, and a selection circuit,
The display unit has a first display area and a second display area,
The control unit is electrically connected to the display adapter,
The display adapter is electrically connected to the display unit,
In the control unit, the wireless communication module, the GPS module, the memory, and the CPU are electrically connected,
The control unit has a function of acquiring display information by the wireless communication module;
The control unit has a function of acquiring position information by the GPS module;
The control unit has a function of providing a flag for selecting and displaying the first display area and the second display area;
The control unit has a function of generating first display data to which the flag is given,
The control unit has a function of giving the first display data to the display adapter;
The selection circuit has a function of selecting the first or second display controller by the flag;
The display adapter is an electronic device having a function of giving the first display data to a display unit.
前記制御部の有する前記メモリは、プログラムを記憶し、
前記プログラムは、前記位置情報と、前記表示情報と、を用いて、前記CPUにて演算処理することで前記第1の表示データを生成する機能を有し、
前記プログラムは、前記フラグに、複数の条件を与える機能を有し、
前記フラグは、第1のフラグ条件として、前記選択回路に前記第1のディスプレイコントローラを選択させる機能を与え、
前記フラグは、第2のフラグ条件として、前記選択回路に前記第2のディスプレイコントローラを選択させる機能を与え、
前記フラグは、第3のフラグ条件として、前記選択回路に前記第1及び第2のディスプレイコントローラと、を同時に選択させる機能を与え、
前記プログラムは、前記第1の表示データを、前記CPUを介して前記ディスプレイアダプタに与える機能を有することを特徴とする電子制御システム。 In claim 1,
The memory of the control unit stores a program,
The program has a function of generating the first display data by performing arithmetic processing in the CPU using the position information and the display information.
The program has a function of giving a plurality of conditions to the flag,
The flag gives a function of causing the selection circuit to select the first display controller as a first flag condition,
The flag gives a function of causing the selection circuit to select the second display controller as a second flag condition,
The flag gives a function of causing the selection circuit to simultaneously select the first and second display controllers as a third flag condition,
The electronic control system according to claim 1, wherein the program has a function of giving the first display data to the display adapter via the CPU.
前記ディスプレイアダプタが有する前記選択回路は、前記フラグの条件により前記ディスプレイコントローラを選択して前記ドライバー回路を駆動する機能を有し、
前記選択回路は、前記第1のフラグ条件により、前記第1のディスプレイコントローラを選択し、前記第1の表示領域の表示を更新する機能を有し、
前記選択回路は、前記第2のフラグ条件により、前記第2のディスプレイコントローラを選択し、前記第1の表示領域の表示を更新する機能を有し、
前記選択回路は、前記第3のフラグ条件により、前記第1及び第2のディスプレイコントローラと、を選択し、前記第1及び第2の表示領域の表示を同時に更新する機能を有する電子機器。 In any one of Claim 1 or Claim 2,
The selection circuit included in the display adapter has a function of driving the driver circuit by selecting the display controller according to the flag condition,
The selection circuit has a function of selecting the first display controller according to the first flag condition and updating the display of the first display area,
The selection circuit has a function of selecting the second display controller according to the second flag condition and updating the display of the first display area,
The electronic device having a function in which the selection circuit selects the first and second display controllers according to the third flag condition and simultaneously updates the display of the first and second display areas.
前記表示部は、複数の画素を有し、
前記画素は、液晶素子を有する画素回路と、発光素子を有する画素回路と、を有し、
前記液晶素子によって、前記第1の表示領域を表示する機能を有し、
前記発光素子によって、前記第2の表示領域を表示する機能を有し、
前記画素は、前記第2の表示領域を囲むように、前記第1の表示領域が配置されていることを特徴とする表示装置。 In any one of Claim 1 thru | or 3,
The display unit includes a plurality of pixels,
The pixel has a pixel circuit having a liquid crystal element and a pixel circuit having a light emitting element,
The liquid crystal element has a function of displaying the first display area,
A function of displaying the second display area by the light emitting element;
The display device, wherein the first display area is arranged so that the pixel surrounds the second display area.
前記プログラムは、ソースコード、エディタ、コンパイラ、デバッガ、又はシミュレータのいずれかのソフトウェア開発の環境を有し、
前記プログラムは、表示領域の条件パラメータに、表示領域を選択する前記フラグを与える機能を有し、
前記プログラムは、前記フラグを前記CPUを介して前記ディスプレイアダプタに与えることで、前記第1の表示領域及び第2の表示領域の表示を更新する機能を有する電子制御システム。 In any one of Claims 1 thru | or 4,
The program has a software development environment of source code, editor, compiler, debugger, or simulator,
The program has a function of giving the flag for selecting a display area to the condition parameter of the display area,
The electronic control system having a function in which the program updates the display of the first display area and the second display area by giving the flag to the display adapter via the CPU.
前記トランジスタは、半導体層に金属酸化物を有することを特徴とする電子機器。 In the transistor included in the electronic device according to claim 1, claim 3, or claim 4,
The transistor includes a metal oxide in a semiconductor layer.
半導体層に金属酸化物を有する前記トランジスタは、バックゲートを有することを特徴とする電子機器。 In claim 6,
The electronic device, wherein the transistor having a metal oxide in a semiconductor layer has a back gate.
前記発光素子は、有機化合物層を有することを特徴とする電子機器。 In any one of Claim 1, Claim 3, or Claim 4,
The light-emitting element includes an organic compound layer.
操作キー又はバッテリと、
を有することを特徴とする電子機器。 An electronic device according to any one of claims 1, 3, or 4;
An operation key or battery,
An electronic device comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016159798A JP2018028586A (en) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | Display device, electronic apparatus, and electronic control system |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN112567446A (en) * | 2018-08-21 | 2021-03-26 | 株式会社半导体能源研究所 | Display device and electronic apparatus |
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