JP2018022795A - 磁気メモリ - Google Patents
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Abstract
Description
リ(MRAM:Magnetic Random Access Memory)が提案されている。磁気メモリにおいて
、集積度の向上が望まれている。
2磁性層と、構造体の第1部分と電気的に接続された第1電極と、第1磁性層と前記第2
磁性層との間に設けられた第2電極と、第3磁性層と、前記第3磁性層と前記第2磁性層
との間に設けられた中間層と、構造体の第2部分と電気的に接続された第3電極と、構造
体の第3部分と絶縁されて設けられた第4磁性層と、第1電極と前記第2電極の間に設け
られた第6磁性層とを含む。また、第1電極と電気的に接続された第1導電形の第1半導
体層と、第3磁性層と電気的に接続された第1導電形の第2半導体層と、第1半導体層お
よび前記第2半導体層と電気的に接続された第2導電形の第3半導体層を含む。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の
大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場
合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1および図2は、第1実施形態に係る磁気メモリを示す模式的断面図である。
1は、第1磁性層2と導電層3とを含む。構造体1の第1部分1a上には、第1電極4a
が設けられている。図1の例では、第1部分1aは第1磁性層2上にあるが、実施形態に
おいて、第1部分1aは、導電層3上にあってもよいし、第1磁性層2および導電層3上
にあってもよい。構造体1の第1磁性層2上には、第2電極4bが設けられている。第2
電極4bは、第1電極4aから離れている。構造体1の第2部分1b上には、第3電極4
cが設けられている。第2部分1bは、第1部分1aから離れている。第2部分1bは、
導電層3上にあってもよいし、第1磁性層2および導電層3上にあってもよい。
設けられている。第6磁性層14は構造体1と接している。第6磁性層14は構造体1の
導電層3に接してもよいし、第1磁性層2に接してもよい。
を含む。このような導電物としては、例えば、タンタル(Ta)およびプラチナ(Pt)
を挙げることができる。
する。X方向およびY方向に対して直交する方向をZ方向とする。
をXY平面とする。図1においては、半導体基板は省略されている。
から離れた箇所に第3部分1cを有する。図1の例では、第2磁性層5は、第1磁性層2
の第3部分1cの上方に、第2電極4bを介して設けられている。第3部分1cは、磁気
メモリ100の読み出しヘッド6に対応する。第2磁性層5上には、絶縁層(中間層)7
が設けられている。絶縁層7上には、第3磁性層8が設けられている。第3磁性層8上に
は、カップリング層9が設けられている。カップリング層9は、非磁性である。カップリ
ング層9上には、第4磁性層10が設けられている。第3磁性層8は、第4磁性層10に
非磁性のカップリング層9を挟んで反強磁性結合する。第3磁性層8の磁化の向きは、第
4磁性層10の磁化の向きと反対である。第3磁性層8、カップリング層9、および第4
磁性層10は、シンセティックアンチフェロ(Sy−AF:Synthetic Anti-Ferromagnet
ic)構造の第5磁性層11である。絶縁層7は、第2磁性層5と第5磁性層11とによっ
て挟まれている(中間層)。第2磁性層5、絶縁層7、および第5磁性層11は、磁気ト
ンネル接合(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)を形成する。この構造は、MTJ素子
である。磁気メモリ100の読み出しヘッド6は、MTJ素子を含む。本明細書に添付す
る図面には、MTJ素子に対して“MTJ”の符号を付与する。
ている。第2磁性層5はフリー層である。フリー層(第2磁性層5)の磁化の向きは、可
変である。第1磁性層2は磁気記録層である。磁気記録層(第1磁性層2)の磁化の向き
は、可変である。磁気記録層(第1磁性層2)は、第2磁性層5と静磁結合する。図1の
例では、フリー層(第2磁性層5)および磁気記録層(第1磁性層2)の磁化の向きは、
Z方向に沿っている。実施形態において、磁化の向きは、Z方向と交差してもよく、任意
である。磁化の向きについて、便宜的に、「上向き」または「下向き」として、説明する
。
の方向に可変である。第1磁性層2には、磁壁12によって区切られた、例えば、複数の
磁区13が設定される。磁壁12は、第1磁性層2中に、第1磁性層2中を横断するよう
に生じる。第1磁性層2に複数の磁区13を設定すると、例えば、2以上の複数の情報(
データ)を、第1磁性層2に記録できる。図1には、第1磁性層2に、4つの磁区13a
、13b、13c、および13dが設定された例を示す。この場合、4つの情報が、第1
磁性層2に記録される。図1に示す例では、磁化の向きが「上向き」の情報が、磁区13
aおよび磁区13dに記録されている。磁化の向きが「下向き」に対応した情報が、磁区
13bおよび磁区13cに記録されている。
に伝えられる。第2磁性層5には、第2磁性層5の下方にある磁区の“磁化の向き”が伝
えられる。例えば、図1に示すように、第2磁性層5の下方にある磁区13dの磁化の向
きが「上向き」であれば、第2磁性層5の磁化の向きは、例えば、「上向き」となる。第
2磁性層5の下方にある磁区の磁化の向きが「下向き」であれば、第2磁性層5の磁化の
向きは、例えば、「下向き」となる。第2磁性層(フリー層)5の磁化の向きと、第5磁
性層(参照層)11の磁化の向きとが、例えば、平行状態となると、MTJ素子の抵抗値
は低くなる。反対に、第2磁性層(フリー層)5の磁化の向きと、第5磁性層(参照層)
11の磁化の向きとが、例えば、反平行状態となると、MTJ素子の抵抗値は高くなる。
読み出しヘッド6は、MTJ素子の抵抗値に応じて、第1磁性層(磁気記録層)2に記録
されていた情報が、例えば“1”であるか“0”であるかを読み出す。
dを有する。実施形態では、第4部分1dは、第1磁性層2側にある。第4部分1dには
、第6磁性層14が、構造体1から絶縁された状態で設けられている。第4部分1dは、
磁気メモリ100の書き込みヘッド15に対応する。第6磁性層14は、反強磁性もしく
は強磁性である。第6磁性層14の磁化の向きは、固定されている。本実施形態では、第
6磁性層14の磁化の向きは、X方向に沿っている。第6磁性層14は、第1磁性層(磁
気記録層)2に接しており、交換結合をしている。第6磁性層14が反強磁性である場合
には、第6磁性層14の第1磁性層(磁気記録層)2と接している面の、X方向に沿った
磁化の方向に、第1磁性層(磁気記録層)2の磁化を向けようとする作用(交換バイアス
と呼ばれる)が生じる。第6磁性層14が強磁性であっても同様の効果が生じるが、反強
磁性であるほうが、外部磁界による擾乱に強く、望ましい。上記交換バイアス磁界は、情
報を書き込む際、第1磁性層2の磁化の向きを決まった方向へ反転させるために利用され
る。第6磁性層14は、第1磁性層(磁気記録層)2に、例えば、電流を図上でX方向に
沿って右から左に流した際、平行状態から半平行状態に変化するように、反転する方向を
決定づける。
発生すると、導電層3から第1磁性層(磁気記録層)2にスピンが注入される。導電層3
から注入されたスピンが「上向き」か「下向き」かによって、第1磁性層(磁気記録層)
2の磁化の向きが決定される。導電層3から注入されるスピンの向きは、導電層3に流す
電流の向きで決定できる。磁気メモリ100は、情報の書き込みに際し、導電層3から第
1磁性層(磁気記録層)2にスピンを注入する。このような書き込み方式は、例えば、ス
ピン注入方式である。
続される。第1並列回路110aは、第1抵抗部r1aおよび第2抵抗部r2aを含む。
第1抵抗部r1aは、第1電極4aから第2電極4bまでの間の導電層3の抵抗成分であ
る。第2抵抗部r2aは、第1電極4aから第2電極4bまでの間の第1磁性層2の抵抗
成分である。第1抵抗部r1aの抵抗値は、第2抵抗部r2aの抵抗値よりも低い。
列回路110bは、第3抵抗部r1bおよび第4抵抗部r2bを含む。第3抵抗部r1b
は、第3電極4cから第1電極4aまでの間の導電層3の抵抗成分である。第4抵抗部r
2bは、第3電極4cから第1電極4aまでの間の第1磁性層2の抵抗成分である。第3
抵抗部r1bの抵抗値は、第4抵抗部r2b抵抗値よりも低い。
の直列回路を介して接続される。
導体層16、第1導電形の第2半導体層17、および第2導電形の第3半導体層18を含
む。第1半導体層16は、第1電極4aと電気的に接続されている。第2半導体層17は
、第5磁性層11と電気的に接続されている。本実施形態では、第5磁性層11のうち、
第4磁性層10と電気的に接続されている。第3半導体層18は、第1半導体層16およ
び第2半導体層18と電気的に接続されている。本実施形態では、第1半導体層16およ
び第2半導体層17はp形であり、第3半導体層18はn形である。第1半導体層16お
よび第2半導体層17は、ダイオードのアノードである。第3半導体層18は、ダイオー
ドのカソードである。回路素子120は、ダイオードD1、D2を含む。ダイオードD1
のカソードは、ダイオードD2のカソードに接続される。本実施形態では、ダイオードD
1、D2のカソードどうしを接続しているが、ダイオードD1、D2のアノードどうしを
接続するようにしてもよい。ダイオードD1、D2は、例えば、ツェナーダイオードであ
る。
を含む。さらに、磁気メモリ100は、第1外部端子140a、第2外部端子140b、
および第3外部端子140cを含む。第1外部端子140aは、第1配線130aと電気
的に接続されている。第1配線130aは、第5磁性層11および第2半導体17と電気
的に接続されている。本実施形態では、第1配線130aは、第5磁性層11のうち、第
4磁性層10と電気的に接続されている。第2外部端子140bは、第2配線130bと
電気的に接続されている。第2配線130bは、第2電極4bと電気的に接続されている
。第3外部端子140cは、第3配線130cと電気的に接続されている。第3配線13
0cは、第3電極4cと電気的に接続されている。第1外部端子140a、第2外部端子
140b、および第3外部端子140cは、磁気メモリ100の外部にある図示せぬ外部
回路に接続可能な端子である。外部回路の一例は、磁気メモリ100に対する情報の読み
出しおよび情報の書き込み等を制御する制御装置を含む回路である。
図3は、第1実施形態に係る磁気メモリの一部の特性を示す模式図である。
図3は、回路素子120の電流−電圧特性を示している。
を持つ。第1配線130aと第2配線130bとの間に与えられる電圧を“配線間電圧V
”とする。配線間電圧Vが“−Vth<V<Vth”の範囲にあり、かつ、“V<|Vt
h|”であるとき、回路素子120には、電流Iが流れない。
ら第2配線130bに向かって電流Iが流れる。配線間電圧Vが“V≦−Vth”である
とき、回路素子120には、第2配線130bから第1配線130aに向かって電流Iが
流れる。
読み出し動作は、配線間電圧Vrを“Vr<|Vth|”として行う。使用する外部端子
は、例えば、第1外部端子140aおよび第2外部端子140bである。読み出し動作の
とき、第1外部端子140aおよび第2外部端子140bに第1電位差が与えられる。配
線間電圧Vrは、第1電位差に基づいて、“Vr<|Vth|”に設定される。
図4は、磁気メモリ100の読み出し動作R/Oを例示している。
りも低い電圧、例えば、接地電位(0V)を与えた場合が示されている。配線間電圧Vr
は、“0V≦Vr<Vth”とされる。この場合には、電流Iが、読み出しヘッド6を介
して第1配線130aから第2配線130bに向かって流れる。電流Iの値は、読み出し
ヘッド6のMTJ素子の抵抗値に応じて変化する。MTJ素子の抵抗値が低いと電流Iの
値は大きくなり、MTJ素子の抵抗値が高いと電流Iの値は小さくなる。磁気記録層(第
1磁性層2)の、例えば、磁区13dに記録されていた情報は、電流Iの値の大小に基づ
いて、“1”であるのか“0”であるのかが判断される。
できる。この場合には、電流Iは流れない。磁区13dに記録されていた情報は、電流I
が流れるか流れないかに基づいて、“1”であるのか“0”であるのかが判断される。
0aよりも低くした。しかしながら、第2配線130bの電位は、第1配線130aより
も高くすることもできる。この場合には、電流Iが、MTJ素子を介して第2配線130
bから第1配線130aに向かって流れる。具体的には、第2配線130bに正電位を与
え、第1配線130aに0Vを与える。あるいは、第2配線130bに0Vを与え、第1
配線130aに負電位を与える。この場合にも、情報が“1”であるのか“0”であるの
は、電流Iの値の大小、又は電流Iが流れるか流れないかに基づいて判断される。
書き込み動作は、配線間電圧Vwを、書き込む情報に応じて“Vth≦Vw”、又は“
−Vw≦−Vth”として行う。使用する外部端子は、例えば、第1外部端子140aお
よび第2外部端子140bである。書き込み動作のとき、第1外部端子140aおよび第
2外部端子140bに第2電位差が与えられる。配線間電圧Vwは、第2電位差に基づい
て、“Vth≦Vw”、又は“−Vw≦−Vth”に設定される。
図5は、磁気メモリ100の書き込み動作W/Oを例示している。
図5には、配線間電圧Vwを“Vth≦Vw”とする場合が示されている。
、第2配線130bに接地電位(0V)の電位を与えることで得られる。電流Iは、回路
素子120を介して第1配線130aから第2配線130bに向かって流れる。この際、
導電層3には、電流Iが第1電極4aから第2電極4bに向かって、少なくとも導電層3
を介して流れる。これにより、導電層3から第1磁性層2にスピンが注入される。これに
より、第1磁性層2の磁区13aの磁化の向きは、例えば「上向き」となる。磁区13a
には、磁化の向きが「上向き」に対応した情報が書き込まれる。
間電圧Vwを“−Vth≦−Vw”とすればよい。配線間電圧Vwを“−Vth≦−Vw
”とするには、例えば、第1配線130aに接地電位(0V)を与え、第2配線130b
に正しきい値Vth以上の正電位を与えればよい。あるいは第1配線130aに負しきい
値−Vth以下の負電位を与え、第2配線130bに接地電位(0V)を与えればよい。
電流Iは、回路素子120を介して第2配線130bから第1配線130aに向かって、
少なくとも導電層3を介して流れる。この際、導電層3には、電流Iが第2電極4aから
第1電極4aに向かって流れる。第1磁性層2には、導電層3から図5に示した状態と逆
向きのスピンが注入される。これにより、第1磁性層2の磁区13aの磁化の向きは、例
えば「下向き」となる。磁区13aには、磁化の向きが「下向き」に対応した情報が書き
込まれる。
シフト動作は、配線間電圧Vsfを、シフトさせる方向に応じて“Vw<Vsf”、又
は“−Vsf<−Vw”として行う。配線間電圧Vsfは、第2配線130bと第3配線
130cとの間の電圧である。使用する外部端子は、例えば、第2外部端子140bおよ
び第3外部端子140cである。シフト動作のとき、第2外部端子140bおよび第3外
部端子140cに第3電位差が与えられる。配線間電圧Vsfは、第3電位差に基づいて
、“Vw<Vsf”、又は“−Vsf<−Vw”に設定される。
図6は、磁気メモリ100のシフト動作S/Oを例示している。
図6には、配線間電圧Vsfを“Vw<Vsf”とする場合が示されている。
である。“−Vsf<−Vw”は、第3配線130cの電位を第2配線130bよりも低
くした場合である。シフト動作S/Oでは、例えば、第2配線130bの電位を接地電位
(例えば0V)に固定し、第3配線130cの電位を、情報をシフトさせる方向に応じて
、正電位又は負電位とする。あるいは情報をシフトさせる方向に応じて、第2配線130
bの電位と第3配線130cの電位とを入れ換える。
に向かって、第1磁性層2および導電層3を介して流れる(図6参照)。第1シフト電流
Isf1が第1磁性層2に磁壁12を貫通して流れることで、磁壁12は、第3電極4c
側から第2電極4b側へとシフトする。磁区13a〜13dは、第3電極4cから第2電
極4bに向かってシフトする。
3電極4cに向かって、第1磁性層2および導電層3を介して流れる(第2シフト電流I
sf2は、特に図示せず)。第2シフト電流Isf2が第1磁性層2に磁壁12を貫通し
て流れることで、磁壁12は、第2電極4b側から第3電極4c側へとシフトする。磁区
13a〜13dは、第2電極4bから第3電極4cに向かってシフトする。
f、又は−Vsfがパルス状に与えられている間、第1シフト電流Isf1、又は第2シ
フト電流Isf2が流れる。磁壁12は、第1シフト電流Isf1および第2シフト電流
Isf2が流れている間、移動する。1パルスで磁壁12が移動する距離は、例えば、磁
区13a〜13dの1つ分の距離である。ただし、1パルスで磁壁12が移動する距離は
、これに限られることはない。
6に磁区13cから磁区13bをシフトさせたい場合には、例えば、配線間電圧Vsfの
1パルスを与える。これにより、読み出しヘッド6には、磁区13bがシフトされる。読
み出しヘッド6に磁区13cから磁区13dをシフトさせたい場合には、例えば、配線間
電圧−Vsfの1パルスを与える。これにより、読み出しヘッド6には、磁区13dがシ
フトされる。磁区13a〜13dを、書き込みヘッド15へシフトさせるときにも、この
ような動作が行われる。
シフト動作S/Oでは、磁区13a〜13dのうち、読み出したい情報を記録している
磁区を、読み出しヘッド6へシフトさせる。また、磁区13a〜13dのうち、情報を書
き込みたい磁区を、書き込みヘッド15にシフトさせる。
第1磁性層2だけでなく導電層3にも流れる。導電層3に電流が流れることは、書き込み
動作W/Oと同様である。異なるところは、第1磁性層2において磁壁12が移動してい
るか、停止しているかである。磁壁12が移動していれば、導電層3に電流が流れたとし
ても、第1磁性層2へのスピン注入は抑制される。
磁性層2へのスピン注入を促進する。シフト動作S/Oの間は、磁壁12を移動させる。
これにより、第1磁性層2へのスピン注入を抑制する。磁壁12を停止させたままなのか
、移動させるのかは、第1磁性層2に流す電流の大きさで制御できる。
ン注入方式とした磁壁移動メモリ(以下スピン注入磁壁移動メモリという)が提供される
。
140aおよび第2外部端子140bに与えられた第1電位差に基づいて行われる。書き
込み動作W/Oも、第1外部端子140aおよび第2外部端子140bに与えられた第2
電位差に基づいて行われる。このため、読み出し動作R/Oと書き込み動作W/Oとで、
外部端子を使い分けなくてもよい。したがって、読み出し動作R/Oと書き込み動作W/
Oとで外部端子を使い分ける磁気メモリに比較して、第1の実施形態に係る磁気メモリ1
00は、外部端子数を削減できる。
分1dに設けられている。このため、磁気メモリ100は、構造体1の第1部分1aと第
2部分1bとの間の第1磁性層2に、例えば、複数の情報を記録することができる。
造体1の第1磁性層2を、磁壁移動メモリの、複数の情報を記録する磁気記録層とできる
。
み動作W/Oが行われるときにも電位が与えられる。このため、磁気記録層(第1磁性層
2)、読み出しヘッド6、および書き込みヘッド15が集積されるメモリセルアレイにお
いては、読み出し動作R/O用の配線と書き込み動作W/O用の配線とを別々に設けなく
てもよい。したがって、メモリセルアレイ内に、読み出し動作R/O用の配線と書き込み
動作W/O用の配線とを備えている磁気メモリに比較して、磁気メモリ100は、メモリ
セルアレイの集積度を向上できる。
気メモリ100の設計・製造マージンが拡大する。高いTMR比を得るために、高抵抗状
態と低抵抗状態とで抵抗値の差は拡大される。しかし、高抵抗状態における抵抗値を高め
すぎると、書き込み動作W/O中にMTJ素子に電流が流れ難くなり、MTJ素子の書き
込み特性が低下する。
電流を流さない。このため、書き込み動作W/O中にMTJ素子に電流を流す場合に比較
して、書き込み特性を低下させずに、高抵抗状態における抵抗値を高めることができる。
したがって、磁気メモリ100は、その設計・製造マージンを拡大できる。
120の正しきい値Vth以上、又は負しきい値−Vth以上になれば、情報を書き込む
ことができる。このため、MTJ素子の抵抗値を、書き込み動作の際に与えられる配線間
電圧Vwでは、導通しないような値に高めることが可能である。
結合する。第1磁性層2の磁区13a〜13dに記録された情報は、読み出しヘッド6に
おいて静磁結合により第2磁性層5に伝えられる。磁化の向きを静磁結合によって、第1
磁性層(磁気記録層)2から第2磁性層(フリー層)5に伝える場合、第5磁性層(参照
層)11は、シンセティックアンチフェロ(Sy−AF)構造とされることが好ましい。
Sy−AF構造は、磁化の向きを強固に固定できる。このため、静磁結合による第5磁性
層(参照層)11の磁化の反転を抑制できる。磁気メモリ100の第5磁性層(参照層)
11をSy−AF構造とすると、磁気メモリ100の設計・製造マージンは、さらに拡大
する。
度の向上、および設計・製造マージンの拡大が可能な磁気メモリを提供できる。
第2実施形態は、第1実施形態に係る磁気メモリ100を、メモリセルアレイに集積す
る場合の一例に関する。
図7に示すように、第2実施形態に係る磁気メモリ200は、半導体構造210、磁気
トンネル接合構造MTJ、第1電極構造220、バイアス構造230、第2電極構造24
0、絶縁膜250、メモリホール260、構造体1、および第3電極構造270を含む。
トランジスタ211、第2トランジスタ212、および回路素子120を含む。第1トラ
ンジスタ211、第2トランジスタ212、および回路素子120は、半導体基板201
に設けられる。半導体基板201の導電形は、例えば、p形である。p形半導体基板20
1に設けられる第1トランジスタ211および第2トランジスタ212は、nチャネル形
絶縁ゲート型FETである。半導体基板201の一例は、シリコン基板である。
1横配線213を介して第1外部端子140aと電気的に接続される。第2トランジスタ
212の電流通路の一端、例えば、n形ドレイン領域212dは、第2横配線214を介
して第2外部端子140bと電気的に接続される。
第2導電形の第3半導体層18を含む。本実施形態では第1導電形はn形であり、第2導
電形はp形である。n形とp形とは逆であってもよい。n形第2半導体層17は、p形で
ある半導体基板201内に設けられ、例えば、第3横配線215を介して第1トランジス
タ211の他端、例えば、n形ソース領域211sと電気的に接続される。第1横配線2
15上には、第1縦配線216が設けられている。p形第3半導体層18は、例えば、n
形第2半導体層17内に設けられ、n形第2半導体層17とpn接合を介して電気的に接
続される。n形第1半導体層16は、例えば、p形第3半導体層18内に設けられ、p形
第3半導体層18とpn接合を介して電気的に接続される。
の電流通路、および第3横配線215を含む。第2配線130bは、第2横配線214お
よび第2トランジスタ212の電流通路を含む。
ンネル接合構造MTJは、第2磁性層5、絶縁層7、および第5磁性層11を含む。第5
磁性層11は、第3磁性層8、カップリング層9、および第4磁性層10を含む。第5磁
性層11は、Sy−AF構造である。第5磁性層11に含まれた第4磁性層10は、第1
縦配線216上に設けられている。第4磁性層10は、第1縦配線216および第3横配
線215を介して、n形ソース領域211sおよび第2半導体層17と電気的に接続され
る。第4磁性層10上には、カップリング層9が設けられている。カップリング層9上に
は、第3磁性層8が設けられている。第3磁性層8上には、絶縁層7が設けられている。
絶縁層7上には、第2磁性層5が設けられている(中間層)。
電極構造220は、第2トランジスタ212の電流通路の他端、例えば、n形ソース領域
212sおよび第2磁性層5と電気的に接続される。本実施形態では、第1電極構造22
0は、第2電極4b、接続電極221、および第2縦配線222を含む。第2電極4bは
、接続電極221および第2縦配線222と電気的に接続される。接続電極221は第2
磁性層5上に設けられ、第2電極4bを第2磁性層5と電気的に接続する。第2縦配線2
22はソース領域212s上に設けられ、第2電極4bをソース領域212sに接続する
。
230は、第6磁性層14を含む。書き込みヘッド15は、バイアス構造230を含む。
240は、第1半導体層16と電気的に接続される。本実施形態では、第2電極構造24
0は、第1電極4a、第3縦配線241を含む。第1電極4aは、第3縦配線241と電
気的に接続される。第3縦配線241は第1半導体層16上に設けられ、第1電極4aを
第1半導体層16と電気的に接続する。
気メモリ200が備えた構造を、電気的に絶縁する層間絶縁膜である。図7においては、
層間絶縁膜を簡略化して示している。
の底部において第1電極構造220が露出する。メモリホール260は、その側部におい
て第2電極構造240が露出する。
導電層3とを含む。本実施形態では、第1磁性層2がメモリホール260の底部および側
部を含む内壁上に設けられている。第1磁性層2は、メモリホール260の底部において
、第1電極構造220と電気的に接続される。本実施形態では、第2電極4bと電気的に
接続される。第1磁性層2は、メモリホール260の側部において、第2電極構造240
と電気的に接続される。本実施形態では、第1電極4aと電気的に接続される。導電層3
は、第1磁性層2上に設けられている。読み出しヘッド6は、メモリホール260の底部
に、第1磁性層2、第2電極4b、接続電極221、第2磁性層5、絶縁層7、および第
5磁性層を含む。第1磁性層2は、メモリホール260の底部において、第2磁性層5と
静磁結合する。
構造体1と電気的に接続される。第3電極構造270は、第3電極4cを含む。第3電極
4cは、例えば、メモリホール260の上端と電気的に接続される。第3電極4cは、第
3外部端子140cと電気的に接続される。
磁気メモリ200の動作は、図1に示した磁気メモリ100の動作と同様である。した
がって、以下では、読み出し動作時、書き込み動作時、およびシフト動作時の電流経路を
説明する。
図8は、第2実施形態に係る磁気メモリ200の動作を示す模式図である。
図8は、読み出し動作R/Oを例示している。
40a〜第1横配線213〜ドレイン領域211d〜ソース領域211s〜第3横配線2
15〜第1縦配線216〜読み出しヘッド6〜第2電極4b〜第2縦配線222〜ソース
領域212s〜ドレイン領域212d〜第2横配線214〜第2外部端子140bである
。読み出しヘッド6においては、MTJ〜接続電極221を介する。
図9は、第2実施形態に係る磁気メモリ200の動作を示す模式図である。
図9は、書き込み動作W/Oを例示している。
40a〜第1横配線213〜ドレイン領域211d〜ソース領域211s〜第3横配線2
15〜回路素子120〜第3縦配線241〜第1電極4a〜導電層3〜書き込みヘッド1
5〜第2電極4b〜第2縦配線222〜ソース領域212s〜ドレイン領域212d〜第
2横配線214〜第2外部端子140bである。電流経路は、書き込む情報に応じて図1
0に示す場合と逆となることがある。
図10は、第2実施形態に係る磁気メモリ200の動作を示す模式図である。
図10は、書き込み動作W/Oを例示している。
40c〜第1磁性層2〜第2電極4b〜第2縦配線222〜ソース領域212s〜ドレイ
ン領域212d〜第2横配線214〜第2外部端子140bである。電流経路は、情報を
シフトさせる方向に応じて図10に示す場合と逆となることがある。
施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気メモリに含まれた、
第1磁性層2、導電層3、第2磁性層5、絶縁層7、第6磁性層11などの各要素の具体
的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することができる。また、本発明
を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
更して実施し得る全ての磁気記憶素子および不揮発性記憶装置も、本発明の要旨を包含す
る限り、本発明の範囲に属する。
想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するもの
と了解される。
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その
他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の
省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や
要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
。
部分、 2…第1磁性層、 3…導電層、 4a…第1電極、 4b…第2電極、 4c
…第3電極、 5…第2磁性層、 6…読み出しヘッド、 7…絶縁層(中間層)、 8
…第3磁性層、 9…カップリング層、 10…第4磁性層、 11…第5磁性層、 1
2…磁壁、 13a〜13d…磁区、 14…第6磁性層、 15…書き込みヘッド、
16…第1導電形の第1半導体層、 17…第1導電形の第2半導体層、 18…第2導
電形の第3半導体層、 100…磁気メモリ、 101…磁気メモリ、 110a…第1
並列回路、 110b…第2並列回路、 120…回路素子、 130a…第1配線、
130b…第2配線、 130c…第3配線、 140a…第1外部端子、 140b…
第2外部端子、 140c…第3外部端子、 D1…ダイオード、 D2…ダイオード、
r1a…第1抵抗部、 r2a…第2抵抗部、 r1b…第3抵抗部、 r2b…第4
抵抗部、 MTJ…磁気トンネル接合構造、 200…磁気メモリ、 201…半導体基
板、 210…半導体構造、 211…第1トランジスタ、 212…第2トランジスタ
、 213…第1横配線、 214…第2横配線、 215…第3横配線、 216…第
1縦配線、 220…第1電極構造、 221…接続電極、 222…第2縦配線、 2
22a…第1レベル第2縦配線、 222b…第2レベル第2縦配線、 230…バイア
ス構造、 240…第2電極構造、 241…第3縦配線、 241a…第1レベル第3
縦配線、 241b…第2レベル第3縦配線、 241c…第3レベル第3縦配線、 2
50…絶縁膜。
Claims (12)
- 第1磁性層と導電層とを含む構造体と、
第2磁性層であって、前記第2磁性層と前記導電層との間に前記第1磁性層が配置され
た、前記第2磁性層と、
前記構造体の第1部分と電気的に接続された第1電極と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第2電極と、
第3磁性層と、
前記第3磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた中間層と、
前記構造体の第2部分と電気的に接続された第3電極と、
前記構造体の第3部分と絶縁されて設けられた第4磁性層と、
前記第1電極と前記第2電極の間に設けられた第6磁性層と、
前記第1電極と電気的に接続された第1導電形の第1半導体層と、
前記第3磁性層と電気的に接続された第1導電形の第2半導体層と、
前記第1半導体層および前記第2半導体層と電気的に接続された第2導電形の第3半導
体層と、
を備えた磁気メモリ。 - 前記導電層による第1抵抗部と、前記第1磁性層による第2抵抗部であって前記第1抵
抗部と並列に接続された前記第2抵抗部と、を含む並列回路により、前記第1電極は、前
記第2電極と接続された、請求項1記載の磁気メモリ。 - 前記第1抵抗部の抵抗値は、前記第2抵抗部の抵抗値よりも低い、請求項2記載の磁気
メモリ。 - 前記導電層は、非磁性である、請求項1〜3のいずれか1つに記載の磁気メモリ。
- 前記第1磁性層は、前記第2磁性層と静磁結合した、請求項1〜4のいずれか1つに記
載の磁気メモリ。 - 前記第3磁性層は、
第5磁性層と、
第6磁性層と、
前記第5磁性層と前記第6磁性層との間に設けられた非磁性層と、
を含み、
前記第5磁性層の磁化の向きは、前記第6磁性層の磁化の向きと反対である、請求項1
〜5のいずれか1つに記載の磁気メモリ。 - 前記第3磁性層および前記第2半導体層と電気的に接続された第1配線と、
前記第2電極と電気的に接続された第2配線と、
前記第3電極と電気的に接続された第3配線と、
をさらに備えた、請求項1〜6のいずれか1つに記載の磁気メモリ。 - 前記第1電極と電気的に接続された第1導電形の第1半導体層と、
前記第3磁性層と電気的に接続された第1導電形の第2半導体層と、
前記第1半導体層および前記第2半導体層と電気的に接続された第2導電形の第3半導
体層とを含む回路素子を備え、
前記回路素子は、正しきい値電圧Vthおよび負しきい値電圧−Vthを持ち、
読み出し動作のとき、
前記第1配線と前記第2配線との間の電圧Vrは、
Vr<|Vth|
であり、
書き込み動作のとき、
前記第1配線と前記第2配線との間の電圧Vwは、
Vth≦Vw、又は−Vw≦−Vth
であり、
シフト動作のとき、
前記第2配線と前記第3配線との間の電圧Vsfは、
Vw≦Vsf、又は−Vsf≦−Vw
である、請求項7記載の磁気メモリ。 - 第1外部端子と、
第2外部端子と、
第3外部端子と、
をさらに備え、
前記第1外部端子は、前記第1配線と電気的に接続され、
前記第2外部端子は、前記第2配線と電気的に接続され、
前記第3外部端子は、前記第3配線と電気的に接続され、
前記読み出し動作のとき、前記第1外部端子および前記第2外部端子に第1電位差が与
えられ、
前記書き込み動作のとき、前記第1外部端子および前記第2外部端子に第2電位差が与
えられ、
前記シフト動作のとき、前記第2外部端子および前記第3外部端子に第3電位差が与え
られる、請求項8記載の磁気メモリ。 - 第1情報および第2情報が、前記第1磁性層に書き込まれる、請求項1〜9のいずれか
1つに記載の磁気メモリ。 - 前記第1磁性層は、第1磁区と、第2磁区とを含み、
前記第1情報は前記第1磁区に書き込まれ、前記第2情報は前記第2磁区に書き込まれ
る、請求項10記載の磁気メモリ。 - 前記第6磁性層は反強磁性を含む、請求項1乃至11のいずれか1に記載の磁気メモリ
。
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