JP2018018807A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】外光反射による鮮明度の低下を防止することができる表示装置を提供する。【解決手段】第１色が得られる第１発光構造物、第２色が得られる第２発光構造物、及び、白色が得られる白色発光構造物を備える。第１発光構造物及び前記第２発光構造物では、白色発光構造物とは異なる色が得られる。白色発光構造物は、第１発光構造物及び第２発光構造物上に位置する。【選択図】図１

Description

本発明は、表示装置に関する。
一般に、モニタ、ＴＶ、ノートパソコン、デジタルカメラ等のような電子機器は、映像を得るための表示装置を備えている。例えば、かかる表示装置は液晶表示装置及び有機発光表示装置を含むことができる。
かかる表示装置は多数のピクセル領域を有することができる。各々のピクセル領域は、互いに異なる色が得られるサブピクセル領域を有することができる。例えば、かかる表示装置において各ピクセル領域は、青色サブピクセル領域、赤色サブピクセル領域、緑色サブピクセル領域、及び、白色サブピクセル領域を含むことができる（特許文献１）。
表示装置のサブピクセル領域上にはそれぞれ、下部電極、発光層、及び、上部電極が順に積層された発光構造物が位置していてもよい。例えば、かかる発光構造物の発光層は有機発光層であってもよい。発光構造物は、発光層で生成された光が放出される方向によって、下部電極又は上部電極が透明な物質で構成されてもよい。例えば、トップエミッション方式の表示装置は、各々の発光構造物の上部電極が透明な物質で構成され、各々の発光構造物の下部電極が反射率の高い物質を含むようにすることができる。
特開２０１０−５６０１７号公報
しかしながら、白色サブピクセル領域においては、外部から入射した光が反射率の高い物質の電極によって反射されて外部に放出され得る。このため、従来の表示装置においては、白色サブピクセルで発生した外光反射によって鮮明度が低下することがあった。
光が放出される方向に位置する基板の外側表面上に偏光板を配置することにより外光反射を防止することも考えられるが、偏光板を配した場合には、偏光板の低い透過率によって発光効率が低下してしまうこととなる。また、白色が得られる白色サブピクセル領域を具備しないことによって外光反射を防止することも考えられるが、かかる表示装置では、白色を得るために全てのサブサブピクセル領域を駆動しなければならず、消費電力の増加や、寿命の低下を招くこととなる。
本発明の目的は、外光反射による鮮明度の低下を防止し得る表示装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、発光効率を低下させることなく外光反射を防止し得る表示装置を提供することにある。
また、本発明の更に他の目的は、白色が得られる白色発光層を設けた場合であっても外光反射を防止し得る表示装置を提供することにある。
本発明が解決しようとする課題は、上述した課題に限定されない。ここで言及していない課題については、以下の記載から当業者が容易に理解し得る。
本発明の一態様によれば、下部基板の第１サブピクセル領域上に位置する第１発光構造物と、前記下部基板の第２サブピクセル領域上に位置するとともに前記第１サブピクセル領域とは異なる色が得られる第２発光構造物と、前記第１発光構造物上及び前記第２発光構造物上に位置するとともに白色が得られる白色発光構造物とを備えることを特徴とする表示装置が提供される。
前記第１サブピクセル領域及び前記第２サブピクセル領域において、前記白色発光構造物とは異なる色が得られてもよい。
前記表示装置は、前記第１発光構造物と前記白色発光構造物との間に位置する第１カラーフィルタと、前記第２発光構造物と前記白色発光構造物との間に位置する第２カラーフィルタとを更に備えてもよい。前記第２カラーフィルタは、前記第１カラーフィルタと異なる物質を含んでもよい。
前記表示装置は、前記第１発光構造物と前記第１カラーフィルタとの間、及び、前記第２発光構造物と前記第２カラーフィルタとの間に位置する下部保護膜を更に備えてもよい。
前記第２発光構造物によって前記第１発光構造物と同じ色が得られてもよい。
前記白色発光構造物は、順に積層された白色発光層用下部電極、白色発光層、及び、白色発光層用上部電極を有してもよい。
前記表示装置は、前記下部基板の前記第１サブピクセル領域と前記第２サブピクセル領域のいずれとも異なる色が得られる第３サブピクセル領域上に位置する第３発光構造物を更に含んでもよい。前記白色発光構造物は、前記制３発光構造物上に延在していてもよい。
前記第１サブピクセル領域において青色が得られてもよい。前記第２サブピクセル領域において赤色が得られてもよい。前記第３サブピクセル領域において緑色が得られてもよい。
本発明の他の態様によれば、順に積層された第１下部電極、第１発光層及び第１上部電極を有する第１発光構造物と、前記第１下部電極と離隔された第２下部電極、前記第１発光層とは異なる色が得られる第２発光層及び第２上部電極が順に積層された第２発光構造物と、前記第１発光構造物上及び前記第２発光構造物上に位置する白色発光層と、前記白色発光層上に位置する白色発光層用電極とを備えることを特徴とする表示装置が提供される。
前記第１上部電極、前記第２上部電極及び前記白色発光層用電極は、透明な物質を含んでもよい。
前記白色発光層用電極は、前記第１上部電極と前記第２上部電極のいずれとも異なる物質を含んでもよい。
前記白色発光層は、前記第１上部電極と前記第２上部電極とに直接接触していてもよい。
本発明の更に他の観点によれば、互いに異なる色が得られる第１サブピクセル領域及び第２サブピクセル領域を有する下部基板と、前記下部基板上に位置する上部基板と、前記下部基板と前記上部基板との間に位置するとともに白色が得られる白色発光構造物と、前記下部基板の前記第１サブピクセル領域と前記白色発光構造物との間に位置する第１発光構造物と、前記下部基板の前記第２サブピクセル領域と前記白色発光構造物との間に位置する第２発光構造物とを備えることを特徴とする表示装置が提供される。前記白色発光構造物は、前記上部基板の近くに位置していてもよい。
上記の表示装置は、前記第１発光構造物と前記白色発光構造物との間、及び、前記第２発光構造物と前記白色発光構造物との間に位置する接着層を更に備えてもよい。
上記の表示装置は、前記第１発光構造物と前記白色発光構造物との間に位置する第１カラーフィルタと、前記第２発光構造物と前記白色発光構造物との間に位置する第２カラーフィルタを更に備えていてもよい。前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタは、前記白色発光構造物の近くに位置していてもよい。
前記表示装置は、前記白色発光構造物と前記第１カラーフィルタとの間、及び、前記白色発光構造物と前記第２カラーフィルタとの間に位置する上部保護膜を更に備えていてもよい。
本発明によれば、サブピクセル領域上に位置する発光構造物又はカラーフィルタによって、白色発光層を通過した光の反射を防止することができる。本発明によれば、白色発光層による外光反射を防止することができるため、鮮明度を向上し得る表示装置を提供することができる。
本発明の一実施形態による表示装置を示す断面図である。 本発明の一実施形態の変形例（その１）による表示装置を示す断面図である。 本発明の一実施形態の変形例（その２）による表示装置を示す断面図である。 本発明の一実施形態の変形例（その３）による表示装置を示す断面図である。 本発明の一実施形態の変形例（その４）による表示装置を示す断面図である。
本発明の上記目的と技術的構成及びそれによる作用効果に関する詳細な事項は、本発明の実施の形態を示している図面を参照した以下の詳細な説明から更に明確になるであろう。ここで、本発明の実施の形態は、当業者に本発明の技術的思想を十分に伝達し得るように提供されるものであるから、本発明は、以下に説明される実施の形態に限定されるものではなく、他の形態として具体化してもよい。
また、明細書の全体にわたって同一の参照番号で表示された部分は同一の構成要素を意味し、図面において層又は領域の長さ及び厚さは便宜のために誇張して表現されてもよい。なお、第１構成要素が第２構成要素“上”にあると記載される場合、第１構成要素が第２構成要素と直接接触する上側に位置する場合だけでなく、第１構成要素と第２構成要素との間に第３構成要素が位置する場合も含む。
ここで、第１、第２等の用語は様々な構成要素を説明するためのものであり、１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用する。ただし、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲では第１構成要素と第２構成要素を当業者の便宜によって任意に命名してもよい。
本発明の明細書で使用する用語は、単に特定の実施の形態を説明するために使われるものであり、本発明を限定する意図で使われるものではない。例えば、単数で表現された構成要素は、文脈上で明白に単数のみを意味しない限り、複数の構成要素も含む。また、本発明の明細書において、“含む”、“備える”又は“有する”等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はそれらを組み合わせたものが存在することを示すためのもので、１つ又はそれ以上の他の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はそれらを組み合わせた物の存在又は付加の可能性をあらかじめ排除するためのものではないと理解すべきである。
なお、特別に定義しない限り、技術的又は科学的な用語を含めて、ここで使われる全ての用語は、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者にとって一般的に理解されるのと同じ意味を有する。一般的に使われる辞書に定義されているような用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味で解釈しなければならず、本発明の明細書で明白に定義しない限り、理想的に又は過度に形式的な意味で解釈してはならない。
［一実施形態］
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態による表示装置（ディスプレイ装置）は、下部基板１１０、薄膜トランジスタ１２０、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇ、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇ、白色発光構造物１８０、及び上部基板２１０を備えることができる。
下部基板１１０は、薄膜トランジスタ１２０、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇ、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇ、及び、白色発光構造物１８０を支持することができる。下部基板１１０は絶縁性物質を含むことができる。下部基板１１０は透明な物質を含むことができる。例えば、下部基板１１０は、ガラス又はプラスチックを含むことができる。
下部基板１１０は、ピクセル領域ＰＡを有することができる。ピクセル領域ＰＡは、それぞれ別個の色が得られるサブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰを有することができる。例えば、ピクセル領域ＰＡは、青色サブピクセル領域ＢＳＰ、赤色サブピクセル領域ＲＳＰ、及び、緑色サブピクセル領域ＧＳＰを有することができる。
本実施形態による表示装置では、ピクセル領域ＰＡが３つのサブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰを有する場合を例に説明するが、これに限定されるものではない。例えば、ピクセル領域ＰＡが、２つのサブピクセル領域を有していてもよいし、４つ以上のサブピクセル領域を有していてもよい。
薄膜トランジスタ１２０は、上部基板２１０に向いている下部基板１１０の表面上に位置してもよい。例えば、薄膜トランジスタ１２０は、下部基板１１０の各サブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰで同一に配置されてもよい。
各々の薄膜トランジスタ１２０は、下部基板１１０の近くに位置するゲート電極、ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に位置する半導体パターン、半導体パターンの一側領域に接続するソース電極、及び、半導体パターンの他側領域に接続するドレイン電極を備えることができる。各々の薄膜トランジスタ１２０は、ソース電極とドレイン電極との間で半導体パターンを覆うエッチングストッパを更に備えていてもよい。
本実施形態では、薄膜トランジスタ１２０が下部基板１１０と直接接触する場合を例に説明するが、これに限定されるものではない。例えば、下部基板１１０と薄膜トランジスタ１２０との間に位置するバッファ層を更に備えてもよい。バッファ層は絶縁性物質を含むことができる。例えば、バッファ層はシリコン酸化物を含むことができる。
本実施形態では、薄膜トランジスタ１２０がゲート電極上に位置する半導体パターンを備えている場合を例に説明するが、これに限定されるものではない。例えば、薄膜トランジスタ１２０のゲート電極が半導体パターンの上部面の上に位置していてもよい。
本実施形態による表示装置は、薄膜トランジスタ１２０による段差を除去するための平坦化膜１３０を更に備えることができる。例えば、平坦化膜１３０の上部面は、上部基板２１０に向いている下部基板１１０の表面と平行であってもよい。薄膜トランジスタ１２０は平坦化膜１３０によって覆われ得る。平坦化膜１３０は、絶縁性物質を含むことができる。例えば、平坦化膜１３０は、シリコン酸化物を含むことができる。
発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇでは、それぞれ特定の色が得られる。例えば、各々の発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇは、順に積層された下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇ、発光層１４２及び上部電極１４３を備えることができる。
各々の発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇは、下部基板１１０のサブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰの上にそれぞれ位置し得る。例えば、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇは、下部基板１１０の青色サブピクセル領域ＢＳＰ上に位置する青色発光構造物１４０Ｂ、下部基板１１０の赤色サブピクセル領域ＲＳＰ上に位置する赤色発光構造物１４０Ｒ、及び、下部基板１１０の緑色サブピクセル領域ＧＳＰ上に位置する緑色発光構造物１４０Ｇを含むことができる。
発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇは、それぞれ薄膜トランジスタ１２０によって選択され、特定の色の光を生成することができる。発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇは、対応するサブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上に位置する薄膜トランジスタ１２０と電気的に接続し得る。例えば、青色発光構造物１４０Ｂの下部電極１４１Ｂは、青色サブピクセル領域ＢＳＰ上に位置する薄膜トランジスタ１２０と電気的に接続し得る。赤色発光構造物１４０Ｒの下部電極１４１Ｒは、赤色サブピクセル領域ＲＳＰ上に位置する薄膜トランジスタ１２０と電気的に接続し得る。緑色発光構造物１４０Ｇの下部電極１４１Ｇは、緑色サブピクセル領域ＧＳＰ上に位置する薄膜トランジスタ１２０と電気的に接続し得る。例えば、平坦化膜１３０は、薄膜トランジスタ１２０のドレイン電極を露出するコンタクトホールを有することができる。
発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇは、反射率の高い物質を含むことができる。発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇは、多層構造であってもよい。例えば、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇは、それぞれ、アルミニウム等のような金属を含む反射電極、及び、ＩＴＯ、ＩＺＯ等のような透明導電性物質を含む透明電極を順に積層することにより構成されていてもよい。
発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇは互いに離隔されてもよい。発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇは、互いに電気的に絶縁されていてもよい。例えば、本実施形態による表示装置は、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇを絶縁するためのバンク絶縁膜１５０を更に備えることができる。バンク絶縁膜１５０は、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇの縁を覆うことができる。バンク絶縁膜１５０は、絶縁性物質を含むことができる。例えば、バンク絶縁膜１５０は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド（ｐｏｌｙ−ｉｍｉｄｅ）及びフォトアクリル（ｐｈｏｔｏ−ａｃｒｙｌ）等のような有機物質を含むことができる。
発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇにおいては、サブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上において同一の色が得られる。例えば、各サブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上に位置する発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇは、同一物質で形成された発光層１４２を備えることができる。例えば、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの発光層１４２は互いに連結されてもよい。発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇは、ピクセル領域ＰＡのサブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上に延在する発光層１４２を備えることができる。発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの発光層１４２は、バンク絶縁膜１５０上に延在していてもよい。例えば、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの発光層１４２においては白色が得られる。
発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの発光層１４２は、発光物質を含む発光物質層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）を有することができる。発光物質は、有機物質、無機物質、又は、ハイブリッド物質を含むことができる。例えば、本実施形態による表示装置は、有機発光層を有する有機発光表示装置であってもよい。
発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの発光層１４２は、発光効率を上げるために多層構造にしてもよい。例えば、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの発光層１４２は、正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）、及び、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）のうちの少なくとも１つを更に有していてもよい。
発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの上部電極１４３は、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの発光層１４２に沿って延在し得る。例えば、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇは、ピクセル領域ＰＡのサブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上に延在する上部電極１４３を有することができる。
発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの上部電極１４３は、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇと異なる物質を含むことができる。例えば、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇはアノードであり、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの上部電極１４３はカソードであってもよい。発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの上部電極１４３は、透明な物質を含むことができる。
カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇは、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇによって生成された光を、特定の色の光に変換させることができる。カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇは、それぞれ、対応する発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇ上に位置していてもよい。下部基板１１０の隣接したサブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上に位置するカラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇは、別個の物質を含むことができる。例えば、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇは、青色発光構造物１４０Ｂ上に位置する青色カラーフィルタ１７０Ｂ、赤色発光構造物１４０Ｒ上に位置する赤色カラーフィルタ１７０Ｒ、及び、緑色発光構造物１４０Ｇ上に位置する緑色カラーフィルタ１７０Ｇを含むことができる。
本実施形態による表示装置は、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇの形成工程における発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの損傷を防止するための下部保護膜１６０を更に備えることができる。例えば、下部保護膜１６０は、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの上部電極１４３に沿って延在し得る。下部保護膜１６０は、無機絶縁膜と有機絶縁膜の積層構造であってもよい。例えば、下部保護膜１６０は、セラミックを含む無機絶縁膜の間に有機絶縁膜が積層された構造であってもよい。
白色発光構造物１８０においては、白色が得られる。例えば、白色発光構造物１８０は、順に積層された白色発光層用下部電極１８１、白色発光層１８２及び白色発光層用上部電極１８３を備えることができる。
白色発光構造物１８０は、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇ上に位置してもよい。例えば、白色発光構造物１８０は、下部基板１１０の青色サブピクセル領域ＢＳＰ、赤色サブピクセル領域ＲＳＰ、及び、緑色サブピクセル領域ＧＳＰ上に延在していてもよい。白色発光構造物１８０は、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇと垂直に重なっていてもよい。
本実施形態による表示装置は、下部基板１１０の各サブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上に、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇ、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇ、及び、白色発光構造物１８０が順に積層されてもよい。これにより、本実施形態による表示装置では、白色発光構造物１８０の白色発光層１８２を通過した光が、サブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上に位置するカラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇに入射し得る。このため、本実施形態による表示装置では、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇによって、白色発光層１８２を通過した光の反射を防止することができる。従って、本実施形態による表示装置では、白色発光層１８２の位置する領域における外光反射を防止することができる。
本実施形態による表示装置では、白色発光構造物１８０を、下部基板１１０のサブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上にそれぞれ位置する発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇと独立して駆動することができる。このため、本実施形態による表示装置では、白色を得るために、下部基板１１０のサブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上に位置する発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇを駆動することを要しない。従って、本実施形態による表示装置では、下部基板１１０のサブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上に位置する発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの寿命の低下を防止することができるとともに、消費電力を低減し得る。
本実施形態による表示装置では、白色発光構造物１８０が、白色でない色が得られる発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇ上に位置しているため、白色が得られる白色サブピクセル領域を、各ピクセル領域ＰＡが有することを要しない。このため、本実施形態による表示装置では、白色でない色が得られる発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの面積を増加させることができる。白色でない色が得られる発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの面積を増加させ得るとともに、外光反射を防止するための低い透過率の偏光板を用いることを要しないため、本実施形態による表示装置では、白色でない色が得られる発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇによって生成された光が白色発光構造物１８０を通過して外部に放出されるにもかかわらず、全体的な発光効率を向上させることができる。
白色発光構造物１８０の白色発光層用下部電極１８１及び白色発光層用上部電極１８３は、透明な物質を含むことができる。白色発光層用上部電極１８３は、白色発光層用下部電極１８１と異なる物質を含むことができる。例えば、白色発光層用下部電極１８１はカソードであり、白色発光層用上部電極１８３はアノードであってもよい。
本実施形態による表示装置は、白色発光構造物１８０上に位置するピクセル保護膜１９０を更に備えることができる。ピクセル保護膜１９０は、白色発光構造物１８０の白色発光層１８２に水分が侵入することを防止することができる。例えば、ピクセル保護膜１９０は、無機膜を含むことができる。ピクセル保護膜１９０は、多層構造であってもよい。
上部基板２１０は、ピクセル保護膜１９０上に位置している。上部基板２１０は、絶縁性物質を含むことができる。上部基板２１０は、透明な物質を含むことができる。例えば、上部基板２１０は、ガラス又はプラスチックを含むことができる。
本実施形態による表示装置は、ピクセル保護膜１９０と上部基板２１０との間に位置する接着層３００を更に備えることができる。上部基板２１０は、接着層３００によって、下部基板１１０、薄膜トランジスタ１２０、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇ、及び、白色発光構造物１８０を有する下部アレイ１００に付着され得る。例えば、接着層３００は、熱硬化性樹脂を含むことができる。接着層３００は、吸湿物質を更に含むことができる。
このように、本実施形態による表示装置では、下部基板１１０のサブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上に、白色でない色が得られる発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇを配置し、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇ上に白色発光構造物１８０を配置するため、発光効率や寿命を低下させることなく、外光反射による鮮明度の低下を防止することができる。
（変形例（その１））
次に、本実施形態の変形例（その１）による表示装置について図２を用いて説明する。図２は、本変形例による表示装置を示す断面図である。図１に示す表示装置においては、白色発光構造物１８０がカラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇを有する下部基板１１０上に位置する場合を例に説明したが、本変形例による表示装置では、図２に示すように、下部基板１１０に向いている上部基板２１０の表面上に位置する白色発光構造物２２０が備えられている。図２に示すように、本変形例による表示装置は、白色発光構造物２２０が上部基板２１０と直接接触する白色発光層用下部電極２２１、白色発光層用下部電極２２１上に順に積層される白色発光層２２２及び白色発光層用上部電極２２３を備えている。図２に示すように、ピクセル保護膜１９０と白色発光構造物２２０との間に接着層３００が位置していてもよい。本変形例による表示装置では、白色発光構造物２２０の形成工程における発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇ及びカラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇの損傷を防止することができるとともに、外光反射による鮮明度の低下を効果的に防止することができる。また、図２に示すように、白色発光構造物２２０上に位置するピクセル保護膜２３０を更に備えていてもよい。
図１に示す表示装置では、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇが発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの上部電極１４３に沿って延在するライナー形状である場合を例に説明したが、本変形例では、図２に示すように、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇが、対応する発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇの縁を覆うバンク絶縁膜１５０の間に位置している。図２に示すように、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇが、バンク絶縁膜１５０によって発生する段差による空間を満たしていてもよい。図２に示すように、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇの上部面が下部基板１１０の表面と平行であってもよい。本変形例による表示装置では、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇの誤整列を防止することができるとともに、鮮明度の低下を効率的に防止することができる。
（変形例（その２））
次に、本実施形態の変形例（その２）による表示装置について図３を用いて説明する。図３は、本変形例による表示装置を示す断面図である。図３に示すように、下部基板１１０に向いている上部基板２１０の表面上に順に積層された白色発光構造物２２０及びカラーフィルタ２５０Ｂ，２５０Ｒ，２５０Ｇを備えるようにしてもよい。図３に示すように、青色カラーフィルタ２５０Ｂ、赤色カラーフィルタ２５０Ｒ、及び、緑色カラーフィルタ２５０Ｇの間に位置するブラックマトリックス２４０が更に備えられていてもよい。図３に示すように、カラーフィルタ２５０Ｂ，２５０Ｒ，２５０Ｇの形成工程における白色発光構造物２２０の損傷を防止するために、白色発光構造物２２０とカラーフィルタ２５０Ｂ，２５０Ｒ，２５０Ｇとの間に位置する上部保護膜２６０が更に備えられていてもよい。本変形例による表示装置によれば、白色発光構造物２２０及びカラーフィルタ２５０Ｂ，２５０Ｒ，２５０Ｇの形成工程における発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの損傷を防止することができるとともに、白色発光層２２２を通過した光の反射を効果的に防止することができる。
（変形例（その３））
次に、本実施形態の変形例（その３）による表示装置について図４を用いて説明する。図４は、本変形例による表示装置を示す断面図である。図１に示す表示装置では、下部基板１１０の各サブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上にカラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇが位置する場合を例に説明したが、本変形例では、図４に示すように、カラーフィルタ１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇが用いられていない。図４に示すように、各サブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上に位置する発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇが、互いに異なる色が得られる発光層１４２Ｂ，１４２Ｒ，１４２Ｇを備えるようにしてもよい。例えば、他の実施形態による表示装置では、青色発光構造物１４０Ｂが青色発光層１４２Ｂを有し、赤色発光構造物１４０Ｒが赤色発光層１４２Ｒを有し、緑色発光構造物１４０Ｇが緑色発光層１４２Ｇを有することができる。図４に示すように、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの発光層１４２Ｂ，１４２Ｒ，１４２Ｇが互いに分離されてもよい。本変形例による表示装置によれば、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの発光層１４２Ｂ，１４２Ｒ，１４２Ｇによって、白色発光層１８２を通過した光の反射を防止することができ、外光反射を効率的に防止することができる。
図１に示す表示装置では、白色発光構造物１８０が順に積層された白色発光層用下部電極１８１、白色発光層１８２、及び、白色発光層用上部電極１８３を備える場合を例に説明したが、図４に示すように、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの上部電極１４３上に順に積層された白色発光層１８２及び白色発光層用上部電極１８３を備えていてもよい。図４に示すように、白色発光層用上部電極１８３が発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの白色発光層用上部電極１８３と異なる物質を含んでいてもよい。白色発光層用上部電極１８３は、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇと同じ機能を有していてもよい。本変形例による表示装置において、例えば、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの下部電極１４１Ｂ，１４１Ｒ，１４１Ｇ及び白色発光層用上部電極１８３がアノードであり、発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇの上部電極１４３がカソードであってもよい。本変形例による表示装置によれば、製造コスト及び時間を節減することができるとともに、外光反射による鮮明度の低下を効率的に防止することができる。
（変形例（その４））
次に、本実施形態の変形例（その４）について図５を用いて説明する。図５は、本変形例による表示装置を示す断面図である。図５に示すように、各サブピクセル領域ＢＳＰ，ＲＳＰ，ＧＳＰ上に位置する発光構造物１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇが、互いに異なる色が得られる発光層１４２Ｂ，１４２Ｒ，１４２Ｇを備えており、下部基板１１０に向いている上部基板２１０の表面上に白色発光構造物２２０が位置していてもよい。本変形例による表示装置によれば、白色発光層２２２を通過した光の反射を効果的に防止することができる。
１１０…下部基板
１２０…薄膜トランジスタ
１４０Ｂ，１４０Ｒ，１４０Ｇ…発光構造物
１７０Ｂ，１７０Ｒ，１７０Ｇ…カラーフィルタ
１８０…白色発光構造物
１８１…白色発光層用下部電極
１８２…白色発光層
１８３…白色発光層用上部電極
２１０…上部基板

Claims (16)

  1. 下部基板の第１サブピクセル領域上に位置する第１発光構造物と、
    前記下部基板の第２サブピクセル領域上に位置するとともに前記第１サブピクセル領域とは異なる色が得られる第２発光構造物と、
    前記第１発光構造物上及び前記第２発光構造物上に位置するとともに白色が得られる白色発光構造物と
    を備えることを特徴とする表示装置。
  2. 前記第１サブピクセル領域及び前記第２サブピクセル領域では、前記白色発光構造物とは異なる色が得られることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第１発光構造物と前記白色発光構造物との間に位置する第１カラーフィルタと、
    前記第２発光構造物と前記白色発光構造物との間に位置する第２カラーフィルタとを更に備え、
    前記第２カラーフィルタは、前記第１カラーフィルタとは異なる物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記第１発光構造物と前記第１カラーフィルタとの間、及び、前記第２発光構造物と前記第２カラーフィルタとの間に位置する下部保護膜を更に備えることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
  5. 前記第２発光構造物では、前記第１発光構造物と同じ色が得られることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
  6. 前記白色発光構造物は、順に積層された白色発光層用下部電極、白色発光層、及び、白色発光層用上部電極を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  7. 前記第１サブピクセル領域と前記第２サブピクセル領域のいずれとも異なる色が得られる第３サブピクセル領域上に位置する第３発光構造物を更に備え、
    前記白色発光構造物は、前記第３発光構造物上に延在することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記第１サブピクセル領域では青色が得られ、前記第２サブピクセル領域では赤色が得られ、前記第３サブピクセル領域では緑色が得られることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  9. 第１下部電極、第１発光層、及び、第１上部電極が順に積層された第１発光構造物と、
    前記第１下部電極と離隔された第２下部電極、前記第１発光層とは異なる色が得られる第２発光層、及び、第２上部電極が順に積層された第２発光構造物と、
    前記第１発光構造物上及び前記第２発光構造物上に位置する白色発光層と、
    前記白色発光層上に位置する白色発光層用電極と
    を備えることを特徴とする表示装置。
  10. 前記第１上部電極、前記第２上部電極、及び、前記白色発光層用電極は、透明な物質を含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
  11. 前記白色発光層用電極は、前記第１上部電極と前記第２上部電極のいずれとも異なる物質を含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
  12. 前記白色発光層は、前記第１上部電極と前記第２上部電極とに直接接触することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  13. 互いに異なる色が得られる第１サブピクセル領域及び第２サブピクセル領域を有する下部基板と、
    前記下部基板上に位置する上部基板と、
    前記下部基板と前記上部基板との間に位置するとともに白色が得られる白色発光構造物と、
    前記下部基板の前記第１サブピクセル領域と前記白色発光構造物との間に位置する第１発光構造物と、
    前記下部基板の前記第２サブピクセル領域と前記白色発光構造物との間に位置する第２発光構造物とを備え、
    前記白色発光構造物は、前記上部基板の近くに位置する
    ことを特徴とする表示装置。
  14. 前記第１発光構造物と前記白色発光構造物との間、及び、前記第２発光構造物と前記白色発光構造物との間に位置する接着層を更に備えることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
  15. 前記第１発光構造物と前記白色発光構造物との間に位置する第１カラーフィルタと、
    前記第２発光構造物と前記白色発光構造物との間に位置する第２カラーフィルタとを更に備え、
    前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタは、前記白色発光構造物の近くに位置することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
  16. 前記白色発光構造物と前記第１カラーフィルタとの間、及び、前記白色発光構造物と前記第２カラーフィルタとの間に位置する上部保護膜を更に備えることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102412455B1 (ko) * 2017-11-02 2022-06-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
TWI678009B (zh) * 2018-06-22 2019-11-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製作方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005100939A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Samsung Sdi Co Ltd カラー調節層を有するフールカラー有機電界発光素子
US20050093434A1 (en) * 2003-09-22 2005-05-05 Suh Min-Chul Full color organic light-emtting device having color modulation layer
JP2006278257A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sony Corp 有機発光装置およびその製造方法
US20060231842A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2010056017A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Fujifilm Corp カラー表示装置及びその製造方法
JP2010539653A (ja) * 2007-09-17 2010-12-16 グローバル オーエルイーディー テクノロジー リミティド ライアビリティ カンパニー 向上した光出力を有するｌｅｄデバイス
JP2013254732A (ja) * 2012-05-11 2013-12-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、及び発光装置の作製方法
US20140332762A1 (en) * 2013-05-13 2014-11-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display
JP2015062194A (ja) * 2014-11-25 2015-04-02 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド カラー表示装置及びその製造方法
JP2015187928A (ja) * 2014-03-26 2015-10-29 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置および電子機器
WO2016158074A1 (ja) * 2015-04-01 2016-10-06 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器
WO2016185781A1 (ja) * 2015-05-15 2016-11-24 ソニー株式会社 発光素子及び表示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6987355B2 (en) 2003-06-11 2006-01-17 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
TW200718266A (en) 2005-10-27 2007-05-01 Univision Technology Inc Full color organic electroluminescent display device and fabricating the same

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005100939A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Samsung Sdi Co Ltd カラー調節層を有するフールカラー有機電界発光素子
US20050093434A1 (en) * 2003-09-22 2005-05-05 Suh Min-Chul Full color organic light-emtting device having color modulation layer
JP2006278257A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sony Corp 有機発光装置およびその製造方法
US20060231842A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2006302626A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2010539653A (ja) * 2007-09-17 2010-12-16 グローバル オーエルイーディー テクノロジー リミティド ライアビリティ カンパニー 向上した光出力を有するｌｅｄデバイス
JP2010056017A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Fujifilm Corp カラー表示装置及びその製造方法
JP2013254732A (ja) * 2012-05-11 2013-12-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、及び発光装置の作製方法
US20140332762A1 (en) * 2013-05-13 2014-11-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display
JP2015187928A (ja) * 2014-03-26 2015-10-29 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置および電子機器
JP2015062194A (ja) * 2014-11-25 2015-04-02 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド カラー表示装置及びその製造方法
WO2016158074A1 (ja) * 2015-04-01 2016-10-06 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器
WO2016185781A1 (ja) * 2015-05-15 2016-11-24 ソニー株式会社 発光素子及び表示装置

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