JP2017534873A - 電気導体の容量性温度検出 - Google Patents

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Abstract

電力ケーブル(10)の電気導体(31)の温度を直接検出、測定又は監視するためのシステムが提供される。温度感知コンデンサ(21C)は電気導体(31)と直接熱接触して配置されている。温度感知コンデンサ(21C)は、電気導体(31)の温度によって変動する比誘電率を有する誘電体材料を含む。電気導体(31)の温度は、温度感知コンデンサ(21C)の静電容量を測定することによって検出、測定又は監視され得る。【選択図】図3

Description

本発明は、概して、電気導体の温度監視システムに関し、特に、少なくとも(半)導電層内に封入される電気導体、例えば、配電システムにおける送電用ケーブルの電気導体の温度監視システムに関する。
中及び高電圧配電システムは、現代社会において、重要な役割を担っている。安全と安心は、配電システムの「健全性」のために、常に考慮されるべき要素である。したがって、配電システムの「健全性」の監視を可能とする技術が存在すべきである。
中及び高電圧配電システムなどの配電システムにおいて、電気ケーブルの導体の温度は、ケーブルが伝送する電流が増大するにつれ、上昇する場合がある。したがって、かかるシステムの「健全性」は、例えば、このようなシステムの弱点となり得るケーブルの接合部又は連結部において、作動中の電気導体の温度を監視することにより評価できる。通常、ケーブルの接合部又は連結部を通る正常電流は、例えば、約90℃までの温度を生じる場合がある。ケーブル接合部又は連結部の温度がこの温度を超えて上昇する場合、この配電システムの何かががおかしい可能性があることを示しているおそれがある。一方、既存の配電システムが最大の電流容量であるかどうか、既存のシステムを使って追加電力を確実に配電できるかどうか、又は追加のインフラ支出が必要かどうか、を知るのにもまた有用である。
例えば、中及び高電圧配電システムにおける作動中の電力ケーブル、並びにケーブルの接合部及び連結部は、典型的には、いくつかの絶縁層及び(半)導電層によって絶縁されかつ保護されている、及び/又は一般的に地下に埋設されているか、若しくは頭上高くに配置されている。作動中の電気導体の温度を、例えば、ケーブルの接合部又は連結部で直接監視又は測定することに対する要求がある。
簡潔には、一態様において、本発明は、電力ケーブルの電気導体の温度を直接検出、測定、又は監視するためのシステム及び方法を記載する。本明細書中に記載されるいくつかの実施形態は、電気導体と直接熱接触する温度感知コンデンサを提供する。温度感知コンデンサは、電気導体の温度によって変動する比誘電率を有する誘電体材料を含む。電気導体の温度は、温度感知コンデンサの静電容量を測定することによって検出、測定又は監視され得る。
いくつかの実施形態では、温度感知コンデンサはコンデンサ本体を有する。コンデンサ本体は、電気導体を取り囲み、温度感知コンデンサと電気導体との間の熱接触面積を最大にする。この配置により、電気導体のより頑健かつ信頼性の高い温度測定を提供することができる。相互嵌合構成の電極が提供され、温度に対するコンデンサの感度は、電極の幾何学的配置を変化させることによって制御され得る。
一実施形態では、少なくとも1つの(半)導電層内に封入された電気導体の温度を検出するための温度検出装置が提供される。装置は、温度感知コンデンサを含む。温度感知コンデンサは、コンデンサ本体と、相互嵌合構成で配置された少なくとも2つの電極と、を含む。電極はコンデンサ本体により支持されている。コンデンサ本体の少なくとも一部は、温度によって変化する比誘電率を有する1つ以上の温度感知誘電体材料を含む。電極は温度感知誘電体材料の近傍に配置されている。コンデンサ本体は電気導体と熱接触して配置されており、温度感知コンデンサの静電容量は電気導体の温度によって変動する。
別の実施形態では、電気ケーブルアセンブリは、(半)導電層内に封入された電気導体と、それぞれが電気導体の温度を検出するためのものである1つ以上の温度検出装置と、を含む。温度検出装置は電気導体に沿って分配されており、電気導体の温度分布を検出するように構成されている。温度検出装置のそれぞれが温度感知コンデンサを含む。温度感知コンデンサは、コンデンサ本体と、相互嵌合構成で配置された少なくとも2つの電極と、を含む。電極はコンデンサ本体により支持されている。コンデンサ本体の少なくとも一部は、温度によって変化する比誘電率を有する1つ以上の温度感知誘電体材料を含む。電極は温度感知誘電体材料の近傍に配置されている。コンデンサ本体は電気導体と熱接触して配置されており、温度感知コンデンサの静電容量は電気導体の温度によって変動する。
別の実施形態では、電力ケーブル接続アセンブリは、第1の電気導体及び第2の電気導体と、第1の電気導体と第2の電気導体とを取り囲み、接続するコネクタと、第1の電気導体及び第2の電気導体とコネクタとを封入する(半)導電層と、を含む。温度検出装置は、第1又は第2の電気導体と(半)導電層との間に配置された温度感知コンデンサを含む。温度感知コンデンサは、コンデンサ本体と、相互嵌合構成で配置され、コンデンサ本体により支持された少なくとも2つの電極と、を含む。コンデンサ本体の少なくとも一部は、温度によって変化する比誘電率を有する1つ以上の温度感知誘電体材料を含む。電極は温度感知誘電体材料の近傍に配置されている。コンデンサ本体は電気導体と熱接触して配置されており、温度感知コンデンサの静電容量は電気導体の温度によって変動する。
本開示の例示的実施形態では、様々な予期せぬ結果及び利点が得られる。本開示の例示的な実施形態のこのような利点の1つは、温度感知コンデンサと電気導体との間の熱接触表面積を最大にすることができるということである。測定される電気導体の温度は、電気導体の表面の限られた面積の局所温度ではなく、平均温度であり得る。本明細書中に記載される実施形態は、電気導体のより頑健かつ信頼性の高い温度測定を提供することができる。加えて、温度に対するコンデンサの感度は、相互嵌合構成で配置された電極の幾何学的配置を変化させることによって制御され得る。
例示的実施形態の列挙
例示的実施形態を態様として以下に列挙する。実施形態A〜Oのいずれかと実施形態P〜Xのいずれかとを、組み合わせることができる点を理解されたい。
実施形態A。少なくとも1つの(半)導電層内に封入された電気導体の温度を検出するための温度検出装置であって、
温度感知コンデンサを備え、温度感知コンデンサは、コンデンサ本体と、相互嵌合構成で配置され、コンデンサ本体により支持された少なくとも2つの電極と、を備えており、コンデンサ本体の少なくとも一部分は、温度によって変化する比誘電率を有する1つ以上の温度感知誘電体材料を含んでおり、電極は温度感知誘電体材料の近傍に配置されており、
コンデンサ本体は電気導体と熱接触して配置されており、温度感知コンデンサの静電容量は電気導体の温度によって変動する、温度検出装置。
実施形態B。コンデンサ本体は、内部表面と外部表面とを備えるリング形構造を有する、実施形態Aの装置。
実施形態C。コンデンサ本体は電気導体を取り囲み、コンデンサ本体の内部表面を電気導体の周方向表面に押し付けて当該周方向表面と熱接触させるために可撓性であり、電極は、コンデンサ本体の外部表面に配置されている又はコンデンサ本体に埋設されている、実施形態Bの装置。
実施形態D。コンデンサ本体は、電気導体と直接接触している熱伝導部分を更に含む、実施形態A〜Cのいずれかの装置。
実施形態E。電極は、相互嵌合櫛型構成で配置されている第1の電極と第2の電極とを含む、先行するいずれかの実施形態の装置。
実施形態F。コンデンサは電気導体と(半)導電層との間に配置されており、(半)導電層に封入されている、先行するいずれかの実施形態の装置。
実施形態G。温度感知誘電体材料は1種以上の合成高分子を含む、先行するいずれかの実施形態の装置。
実施形態H。合成高分子は、ナイロン−6及びナイロン−6,6のうちの少なくとも1つを含む、実施形態Gの装置。
実施形態I。温度感知誘電体材料は、ポリマーマトリックス中に分散した強誘電性セラミック材料の粒子を含む、先行するいずれかの実施形態の装置。
実施形態J。ポリマーマトリックスは、シリコーン、エポキシ、エチレンプロピレンジエンゴム、ポリオレフィン、ポリウレタン、エピクロロヒドリン、フルオロエラストマー、ポリオレフィン、ポリアミド及びポリイミドからなる群から選択されるポリマーを含む、実施形態Iの装置。
実施形態K。強誘電性セラミック材料は、静電容量感知組成物の約15重量%〜約90重量%を構成する、実施形態I又はJの装置。
実施形態L。強誘電性セラミック材料は、ドープされたBaTiO、BaSnTiO、BaHfTiO、BaSrTiO、BaZrTiO、SrTiO、BaFe1219、Pb[ZrTi(1−x)]O、及びx[Pb(Mg1/3Nb2/3)O]−(1−x)[PbTiO]、並びにこれらの組み合わせ及び混合物からなる群から選択される、実施形態I〜Kのいずれか1つの装置。
実施形態M。相互嵌合型コンデンサに電気接続されて、受動LC回路を形成しているインダクタを更に備えている、先行するいずれかの実施形態の装置。
実施形態N。受動LC回路に電磁結合されている送受信ユニットを更に備えており、送受信ユニットは、電気導体の温度の変化時の、相互嵌合型コンデンサの静電容量の変化を示す信号を送出するように構成されている、実施形態Mの装置。
実施形態O。
(半)導電層に封入された電気導体と、
先行するいずれかの実施形態の温度検出装置のうちの1つ以上と、を備えている、電気ケーブルアセンブリであって、
温度検出装置は電気導体に沿って分配されており、電気導体の温度分布を検出するように構成されている、電気ケーブルアセンブリ。
実施形態P。
第1の電気導体及び第2の電気導体と、
第1の電気導体及び第2の電気導体を取り囲み、接続するコネクタと、
第1の電気導体及び第2の電気導体と、コネクタとを封入する第1の(半)導電層と、
第1又は第2の電気導体と第1の(半)導電層との間に配置された温度感知コンデンサを備えている温度検出装置と、を備える電力ケーブル接続アセンブリであって、温度感知コンデンサは、コンデンサ本体と、相互嵌合構成で配置され、コンデンサ本体により支持された少なくとも2つの電極と、を備えており、コンデンサ本体の少なくとも一部分は、温度によって変化する比誘電率を有する1つ以上の温度感知誘電体材料を含んでおり、電極は温度感知誘電体材料の近傍に配置されており、コンデンサ本体は電気導体と熱接触して配置されており、温度感知コンデンサの静電容量は電気導体の温度によって変動する、電力ケーブル接続アセンブリ。
実施形態Q。コンデンサ本体は、内部表面と外部表面とを備えるリング形構造を有する、実施形態Pのアセンブリ。
実施形態R。コンデンサ本体は電気導体を取り囲み、コンデンサ本体の内部表面を電気導体の周方向表面に押し付けて当該周方向表面と熱接触させるために可撓性であり、電極は、コンデンサ本体の外部表面に配置されている又はコンデンサ本体に埋設されている、実施形態Qのアセンブリ。
実施形態S。コンデンサ本体は、電気導体と直接接触している熱伝導部分を更に含む、実施形態P〜Rのいずれか1つのアセンブリ。
実施形態T。電極は、相互嵌合櫛型構成で配置されている第1の電極と第2の電極とを含む、実施形態P〜Rのいずれか1つのアセンブリ。
実施形態U。温度感知誘電体材料は1種以上の合成高分子を含む、実施形態P〜Rのいずれか1つのアセンブリ。
実施形態V。合成高分子は、ナイロン−6及びナイロン−6,6のうちの少なくとも1つを含む、実施形態Uのアセンブリ。
実施形態W。温度検出装置は、コンデンサに電気接続されて、受動LC回路を形成しているインダクタを更に備えている、実施形態P〜Rのいずれか1つのアセンブリ。
実施形態X。温度検出装置は、受動LC回路に電磁結合されている送受信ユニットを更に備えており、送受信ユニットは、第1又は第2の電気導体の温度の変化時の、コンデンサの静電容量の変化を示す信号を送出するように構成されている、実施形態Wのアセンブリ。
本開示の例示的実施形態の、様々な態様及び利点が要約されてきた。上記の「発明の概要」は、それらの本開示の特定の例示的実施形態の、図示される各実施形態又は全ての実装を説明することを意図するものではない。以下の図面及び「発明を実施するための形態」は、本明細書に開示される原理を使用する特定の好ましい実施形態を、より詳細に例示するものである。
以下の本開示の様々な実施形態の「発明を実施するための形態」を、添付図面と併せて考慮することで、より完全に本開示を理解し得る。
一実施形態に係る、電気導体の温度を監視するためのシステムの概略ブロック図である。 一実施形態に係る、電気導体の温度を監視するためのシステムのLCループの概略回路図である。 一実施形態に係る、ケーブル接続アセンブリの電気導体の温度を監視するためのシステムの適用例の部分切取概略図である。 一実施形態に係る、電気導体の温度を監視するためのシステムの概略回路図である。 一実施形態に係る、システムの受動性誘導ユニットである、ケーブル接続アセンブリの電気導体の一部分の断面図である。 図5のケーブル接続アセンブリの一部分の部分側断面図である。 一実施形態に係る、温度感知コンデンサの斜視側面図である。 実施例1に係る、電気導体の温度と温度感知コンデンサの比誘電率との間の関係を示すグラフである。 実施例1に係る、電気導体の温度と温度感知コンデンサの損失正接との間の関係を示すグラフである。 これらの図面中、同様の参照番号は、同様の要素を示す。上記で定義された図面は、一定の縮尺で描かれていない場合があり、本開示の様々な実施形態を示すものであるが、「発明を実施するための形態」で記述されるように、他の実施形態もまた想到される。全ての場合に、本開示は、本明細書で開示される開示内容を、明示的な限定によってではなく、例示的実施形態を表現することによって説明する。本開示の範囲及び趣旨に含まれる他の多くの変更及び実施形態を、当業者が考案することが可能である点を理解されたい。
本開示は、例えば、中又は高電圧(例えば、1kV超又は10kV超)電力ケーブルの電気導体の温度を監視するためのシステム及び方法の実施形態を提供する。内部電源(例えばバッテリー)を必要とせず、かつ外部電源に物理的に接続する必要がない装置を意味する、「受動的」装置を用いてこのような監視を実行することは、とりわけ有用であり得る。このような用途において使用され得る受動的装置のうちの1種類は、LC回路(すなわち、誘導−静電容量回路)に依存する。当業者であれば理解するであろうように、適切に設計されたLC回路は、共振周波数を呈し得、この共振周波数は、装置へのいかなる結線も必ずしも必要とすることなしに監視することができる(連続的か不連続的かにかかわらず)。このような装置で、電力ケーブルの一部分と熱連通又は接触させて配置される温度感知コンデンサを用いる場合、電力ケーブルのその部分の温度変化は、温度感知コンデンサの温度を比例して変化させることができる。この温度変化はLC回路の共振周波数を変化させることができ、それを検知及び使用して電力ケーブルの当該部分の温度を推測することができる。
図1は、一実施形態に係る電気導体31の温度を監視するためのシステム100の概略図である。システム100は、受動性誘導ユニット20と、送受信ユニット40と、制御ユニット50と、を含む。以下に記載するように、受動性誘導ユニット20は、少なくとも1つの温度感知コンデンサを含むように構成されている。温度感知コンデンサは、温度によって変化する特性パラメータを有し、電気導体31と熱接触するように構成されている。いくつかの実施形態では、温度感知コンデンサは、電気導体31の外部表面と直接接触している。
いくつかの実施形態では、受動性誘導ユニット20は、電気導体31の温度によって変化する共振周波数及び/又はQ値を有し得る。送受信ユニット40は、受動性誘導ユニット20に電磁結合され得るとともに、誘導ユニット20の共振周波数及び/又はQ値を表す信号を送出し得る。制御ユニット50は、送受信ユニット40と通信することができ、共振周波数及び/又はQ値を表す信号を確認し、その確認した共振周波数及び/又はQ値を表す信号に基づいて、電気導体31の温度の値を決定する。いくつかの実施形態では、システム100は、任意の中央監視ユニットを更に含んでもよい。任意の中央監視ユニットは、制御ユニット50と無線で(例えば、モバイルネットワークを介して)又は有線で通信し、電気導体31の温度の決定値を受け取り、これに従い決定を行うことができる。
いくつかの実施形態では、動作中に、電気導体31の温度を監視する必要がある場合、制御ユニット50は、送受信ユニット40に指示信号S1を送出してもよい。送受信ユニット40は、一旦指示信号S1を受信すると、次いで、誘導ユニット20に加振信号S2を送出する。加振信号S2は、誘導ユニット20を誘導して、振動させることができる。送受信ユニット40は、誘導ユニット20からの発振信号S3を検知し、次いで、制御ユニット50に帰還信号S4を送出することができる。発振信号S3及び帰還信号S4は、電気導体31の温度によって変化し得る、誘導ユニット20の共振周波数及び/又はQ値を表す情報を含む。制御ユニット50は、確認した帰還信号S4に基づいて、電気導体31の温度の値を決定できる。
いくつかの実施形態では、システム100は、任意のエネルギーハーベスティングユニット60を更に含んでいてもよい。エネルギーハーベスティングユニット60は、交流電流が電気導体31を通って流れる際、電気導体31から電力を発電し、その発電した電力を送受信ユニット40及び/又は制御ユニット50に供給するように成され得る。
一実施形態では、誘導ユニット20は、図2に示すインダクタコンデンサ(LC)ループ21を含み得る。LCループ21は、例えばワイヤを介して、直列に電気接続されている、温度感知コンデンサ21Cとインダクタ21Lとを含む。温度感知コンデンサ21Cは、温度によって変化する静電容量を有する。この場合、実際の適用時には、温度感知コンデンサ21Cは、図1の電気導体31の外面と熱接触し得るか又は直接接触し得る。インダクタ21Lは、例えば、誘導コイル、プリントアンテナ等を含む任意の種類のインダクタであり得る。LCループ21は、1つ以上のコンデンサ及び/又は1つ以上のインダクタを含んでもよいことが理解され得る。
LCループ21の共振周波数fは、下記の式(1)に従って算出できる。

式中、Lは、インダクタンス、例えばインダクタ21Lのインダクタンスの値を示し、Cは、静電容量、例えばコンデンサ21Cの静電容量の値を示す。
実際には、LCループ21は、多少の抵抗損失、拡散損失、及び/又は吸収損失を有する場合があり、これらの損失は単一の小さい直列抵抗Rsとしてモデル化され得る。こうしたLCループ21のQ値は、下記の式(2)に従って算出できる。

式中、ω=2πfであり、ここでfは共振周波数を示す。
LCループ21のインダクタンス又は静電容量のいずれかが変化する場合、共振周波数f及びQ値もそれに応じて変化するであろうことがわかる。図2に示す実施形態では、コンデンサ21Cは温度を感知し、電気導体31と熱接触するように構成されている。温度感知コンデンサ21Cの温度は電気導体31の温度の変化によって変化することができ、これにより、コンデンサ21Cの静電容量の変化を生じさせる。その結果、LCループ21の共振周波数f及びQ値は、電気導体31の異なる温度によって変化し得る。
いくつかの実施形態では、例えば、図1の誘導ユニット20及び送受信ユニット40などの一連の結合された誘導ユニット及び送受信ユニットが、電気導体31などの電力ケーブルの電気導体に沿って分配され得る。結合された誘導ユニット及び送受信ユニットのそれぞれは、誘導ユニット(例えば、誘導ユニット20)それぞれと熱接触している電気導体の一部分の局所温度を測定することができる。測定された局所温度を制御ユニット50が受け取り、電気導体に沿う温度分布を決定することができる。
図3は、一実施形態に係る、受動性誘導ユニット20と、送受信ユニット40と、例えばケーブル接続アセンブリ30内に封入された電気導体31の温度を監視又は測定するための制御ユニット50と、を含む図1のシステム100の用途例を示す。
ケーブル接続アセンブリ30内で、電気ケーブル10の2つの部分が接続されている。電気ケーブル10の各部分は、電気導体31と、絶縁層33と、(半)導電層35と、を含む。絶縁層33及び(半)導電層35は、電気導体31を封入している。コネクタ12は、接続された電気導体31を同心状に取り囲む。第1の(半)導電(又は電極)層13(ここでは金属層)は、接続された電気導体31とコネクタ12とを同心状に取り囲み、コネクタ12及び電気導体31の周りに遮蔽ファラデーケージを形成する。いくつかの実施形態では、「(半)導電」は、特定の構造によって、層が半導電性又は導電性になり得ることを示している。絶縁層11(幾何学的ストレス制御部品16を含む)は、第1の(半)導電層13を取り囲む。前述の構造は、シールド層及び接地層としての機能を果たす第2の(半)導電層14(ここでは金属ハウジング)の内側に配設される。樹脂が、ポート18のうちの1つを通って金属ハウジング14内に注入され、絶縁層11周辺の領域を埋めることができる。収縮性スリーブ層15は、最外層として機能する。
この実施形態では、電気導体31の一部が、コネクタ12によって覆われ、次いで、第1の(半)導電層13と、絶縁層11と、第2の(半)導電層14と、収縮性スリーブ層15と、によって封入される。この実施形態では、収縮性スリーブ層15は、2つの重複セクション151及び152を含み、その重複部分の間に通路153を残す。通路153は、収縮性スリーブ層15の外側から、第2の(半)導電層14上にあるポート18を通って、第2の(半)導電層14の内側までである。
図3に示すように、受動性誘導ユニット20は、電気導体31のうちの1つに隣接して、かつ第1の(半)導電層13の内側に位置付けられる。好ましくは、電気導体31の一部分は、電気ケーブル10の絶縁層33とコネクタ12との間に露出し、受動性誘導ユニット20は、電気導体31の露出した部分の周りに位置付けられてもよい。受動性誘導ユニット20の位置に関するより詳細な説明は、図6を参照して、以下で提示する。
送受信ユニット40は、第1の(半)導電層13の外側かつ第2の(半)導電層14の内側、すなわち、第1の(半)導電層13と第2の(半)導電層14との間に位置付けられる。図4に示されるような一実施形態では、送受信ユニット40はインダクタ44を含む。インダクタ44は、例えば、誘導コイル、プリントアンテナ等を含む任意の種類のインダクタを含み得る。インダクタ44は、図3の絶縁層11の周りに配置され得る。いくつかの実施形態では、インダクタ44及び受動性誘導ユニット20のインダクタ21Lは、電磁結合を向上させるために、同一断面に位置し得る。送受信ユニット40及びその位置決めの実施形態に関するより詳細な説明は、図5を参照して、以下で提供する。
いくつかの実施形態では、受動性誘導ユニット20と送受信ユニット40との組み合わせは、アセンブリ30外側の電気ケーブル10の特定部分に位置し得る。受動性誘導ユニット20は、電気導体31に隣接し、かつ電気ケーブル10の(半)導電層35及び絶縁層33により封入されて配置され得る。送受信ユニット40は(半)導電層35の外側に配置することができ、受動性誘導ユニット20と電磁結合されるように構成することができる。一連のこのような組み合わせを電気ケーブル10に沿って分配し、電気導体31の温度分布を提供することができる。
図3を再度参照すると、制御ユニット50は、ワイヤ51を介して送受信ユニット40と通信するように構成されている。ワイヤ51は、ワイヤ51が送受信ユニット40から、ポート18を通って、制御ユニット50へと延出できるように、通路153内に収容され得る。電力誘導コイル61を含む任意のエネルギーハーベスティングユニット60は、アセンブリ30の外側かつケーブル10の周りに位置し得るか、又は第2の(半)導電層14と収縮性スリーブ層15との間に位置し得る。エネルギーハーベスティングユニット60は、ワイヤ52を通じて、送受信ユニット40及び/又は制御ユニット50に電力を供給するために使用され得る。本明細書を通じて、ワイヤ51及びワイヤ52はそれぞれが「ワイヤ」と称されるが、ワイヤ51及びワイヤ52のいずれか一方又は両方は、システムの機能上の必要に応じて、複数のワイヤを含んでいてもよいことを理解されたい。
いくつかの実施形態では、任意のエネルギーハーベスティングユニット60の誘導コイル61は、例えば、鉄心変流器、空心変流器又はロゴウスキーコイルを含み得る。誘導コイル61は、第1の(半)導電層13の外側に、又は、第2の(半)導電層が使用される場合には、その外側に、位置付けられ得る。好ましくは、エネルギーハーベスティングユニット60は、発電した電力を送受信ユニット40に提供するために主に使用されてもよく、そのため、エネルギーハーベスティングユニット60は、送受信ユニット40が位置する層の外側に位置付けられ得る。したがって、エネルギーハーベスティングユニット60は、1つ又は2つ以上のワイヤを介して、送受信ユニット40と電気接続されていてもよい。いくつかの実施形態では、エネルギーハーベスティングユニット60は、発電した電力を、送受信ユニット40及び/又は制御ユニット50に合わせて適切に変化させるための任意の整流回路を更に含んでもよい。
図5は、コネクタ12に隣接する電気導体31上に配置されている図3の誘導ユニット20の近接斜視図である。図5の実施形態では、収縮性スリーブ層15は連続的であり、収縮性スリーブ層15には、ポート18を収容し、ワイヤ51が出るのを可能にするための穴が開けられている。
図6は、受動性誘導ユニット20の例示的位置を示す拡大図である。一例として、受動性誘導ユニット20は、図2に示すように、インダクタ21Lと、温度感知コンデンサ21Cと、を含む。インダクタ21L及び温度感知コンデンサ21Cは、ワイヤ220を介して電気接続されている。インダクタ21Lと温度感知コンデンサ21Cとを取り付けるために、取付具210が提供される。図6の実施形態では、取付具210は、本体2101とチャネル2102とを含む。チャネル2102に電気導体31を通すために、チャネル2102は、電気導体31を収容するようになっている。本体2101は、温度感知コンデンサ21Cを収容するチャンバ2103を有し、チャンバ2103は、温度感知コンデンサ21Cが動作中の電気導体31の外面と熱接触又は直接接触できるように、チャネル2102に通じ得る。インダクタ21Lは、本体2101に巻き付くようになっている。取付具210は、本体2101を収容するためのカバー2104を更に含む。
図7は、一実施形態に係る、温度感知コンデンサ21Cの斜視側面図である。温度感知コンデンサ21Cは、コンデンサ本体72と、コンデンサ本体72により支持された電極74a及び74bと、を含む。図7の実施形態では、コンデンサ本体72は、内部表面721と外部表面722とを備えるリング形構造を有する。内部表面721はチャネル723を画定する。
電極74a及び電極74bは、コンデンサ本体72の外部表面722上に配置されているか又はコンデンサ本体72の外部表面722に埋設されている。電極74a及び電極74bに隣接するコンデンサ本体72の少なくとも一部分は、温度感知誘電体材料を含む。温度感知誘電体材料は、例えば、電極74aと電極74bとの間に、電極74a及び電極74bの頂部に、並びに/又は電極74a及び電極74bの底部に配置され得る。コンデンサ本体72の温度感知誘電体材料は電極74aと電極74bとを分離し、電極74a及び電極74bとともに機能し、相互嵌合型コンデンサを形成する。
図7の実施形態では、電極74a及び電極74bは、相互嵌合櫛型構成で配置されている。電極74a及び電極74bのそれぞれは、各々の端部線742によって電気的に接続された導電線又は「フィンガ」741の配置を含む。フィンガ741は、相互嵌合構成で配置されている。フィンガ741はそれぞれ、長さL、幅W及び厚さTを有し得る。フィンガ741は、フィンガ間に間隙G1を有して互いに平行に配置され得る。いくつかの実施形態では、長さL、幅W及び間隙G1は、例えば、数マイクロメートルから数センチメートルであることができ、厚さTは、例えば、数ナノメートルから数mmであることができる。電極74a及び電極74bの寸法は、コンデンサ本体72の大きさ及び/又は電気導体31の直径に従い予め決定され得ることは理解すべきである。フィンガ741は、相互嵌合型コンデンサを形成する任意の適切な幾何学的形態又は構成で提供され得ることもまた理解すべきである。
いくつかの実施形態では、電極74a及び電極74bは、コンデンサ本体72の外部表面722上に配置され得る。いくつかの実施形態では、フィンガ741の少なくとも一部分をコンデンサ本体72の外部表面722に、厚さ方向に沿って埋設することができる。電極74a及び電極74bは、例えば、金属、金属合金、金属充填ポリマーなどの任意の適切な導電性材料で作製され得る。
いくつかの実施形態では、電極74a及び電極74bはコンデンサ本体72に完全に埋設され得る。一実施形態では、電極74a及び電極74bは外部表面722に隣接して配置され得る。別の実施形態では、電極74a及び電極74bは、内部表面721に隣接して配置され得る。別の実施形態では、電極74a及び電極74bのフィンガは、コンデンサ本体72内部かつ外部表面722と内部表面721との間に配置され得る。
いくつかの実施形態では、コンデンサ21Cは、任意のリング構造を更に含み得る。任意のリング構造は、コンデンサ本体72と同軸状に配置され得るとともに、外部表面722並びに外部表面722上の電極74a及び電極74bを覆うことができる。任意のリング構造は、コンデンサ本体72の材料と比べて同じ又は異なる誘電率(又は比誘電率)を有する1つ以上の誘電体材料を含み得る。
いくつかの実施形態では、コンデンサ21Cの静電容量は、コンデンサ本体72の比誘電率を変化させることにより変化させることができる。この変化は、従来の平行平板コンデンサにおける直線関係と比べると非直線であり得る。いくつかの実施形態では、コンデンサ21Cの所望の静電容量は、例えば、長さL、幅W、厚さT、間隙G1等を含む、電極74a及び電極74bの幾何学的パラメータを変化させることにより得ることができる。コンデンサ21Cは、2つを超える電極を含み得ることは理解すべきである。いくつかの実施形態では、コンデンサ21Cは、また、任意の接地電極及び任意のガード電極を含んでもよい。
いくつかの実施形態では、コンデンサ21Cの静電容量は、温度の変化によりその幾何学的形状が変化すると変化し得る。いくつかの実施形態では、コンデンサ21Cのコンデンサ本体72は、電気導体31と熱接触する際の温度変化により熱的に膨張又は収縮し得る。いくつかの実施形態では、コンデンサ本体72は、20℃で、例えば、5×10−6−1〜50×10−6−1の容量熱膨張係数(volumetric coefficient of thermal expansion)を有し得る。コンデンサ本体72の熱膨張は、コンデンサ21Cの静電容量の変化D1を引き起こしてもよい。いくつかの実施形態では、電極74a及び電極74bの幾何学的配置、形状及び/又は相対位置は、温度によって変化してもよく、この変化により、コンデンサ21Cの静電容量の変化D2を引き起こしてもよい。
いくつかの実施形態では、上記静電容量の変化D1及び/又はD2は、温度によるコンデンサ本体72の材料の比誘電率の変化によって引き起こされる静電容量の変化よりも大幅に低く(例えば、1桁低く)することができ、静電容量の変化D1及び/又はD2は、電気導体31の温度の決定において無視できるほどであり得る。いくつかの実施形態では、上記静電容量の変化D1及びD2は、事前に較正することができ、コンデンサ本体72の比誘電率の変化に関連する静電容量の変化から分離可能である。適切な事前較正の後、静電容量の変化D1及び/若しくはD2を用いて、電気導体31の温度を単独で又は温度による比誘電率の変化に関連する静電容量の変化と団体で決定することができる。
図6及び図7を参照すると、温度感知コンデンサ21Cは、電気導体31と熱接触して配置されており、チャネル723はその中に電気導体31を通すようになっている。電気導体31は、コンデンサ本体72の内部表面721と直接接触し得る。図7の実施形態で示すコンデンサ本体72はリング形構造を有するが、コンデンサ本体72と電気導体31との間に最大の接触面が提供され、熱を効果的に交換できさえすれば、コンデンサ本体は任意の適切な形状にできることを理解すべきである。
コンデンサ本体72の内部表面721は、電気導体31の外部表面を周方向に取り囲むことができる。コンデンサ本体72と熱接触している電気導体31の部分の温度は、コンデンサ21Cの静電容量の変化に基づき測定することができる。測定される温度は、電気導体31の表面上の限られた面積の局所温度ではなく、熱接触している部分の全周方向表面積の平均温度であり得る。このことにより、電気導体31のより頑健かつ信頼性の高い温度測定を提供することができる。
いくつかの実施形態では、コンデンサ本体72は、電気導体31の温度によって変化する比誘電率を有する誘電体材料の単一ブロックであり得る。他の実施形態では、コンデンサ本体72は、外部表面74bに隣接して配置された、温度感知誘電体材料を含む外部部分と、内部表面74aに隣接して配置された、温度感知誘電体部分を支持するための及び外部部分と電気導体31との間の熱交換を促すための任意の熱伝導部分と、を含んでもよい。いくつかの実施形態では、コンデンサ本体72の内部表面721は熱伝導材料を含み、コンデンサ本体72と電気導体31との間の熱交換を促すことができる。
いくつかの実施形態では、コンデンサ本体72は弾性材料を含み得る。弾性材料は、コンデンサ本体72の内部表面721を電気導体31に押し付けて、コンデンサ本体72の内部表面721と電気導体31との間に密な熱接触をもたらすことができるように変形可能である。
本明細書中に記載されるいくつかの実施形態では、温度感知コンデンサ21Cは1つ以上の温度感知誘電体材料を含み、1つ以上の温度感知誘電体材料のそれぞれは、電気導体31の温度によって変化する各々の比誘電率を有する。いくつかの実施形態では、温度感知誘電体材料の少なくとも1つは、30℃〜150℃の温度範囲にわたり比誘電率対温度の正の傾きを示し得る。正の傾きとは、温度感知誘電体材料が、30℃〜150℃の範囲内の少なくともどこかにおいて、温度の関数として、1℃につき少なくとも0.1%の大きさの比誘電率の変化(δk/K、つまり、基準比誘電率に対し比率化した比誘電率の変化)を示すことを意味する。種々の例示的実施形態では、温度感知誘電体材料は、30℃〜150℃の範囲内において、1℃につき少なくとも0.15、0.2、0.4、0.8、1.2、1.6又は2.4%の大きさの比誘電率の変化を示してもよい。
いくつかの実施形態では、温度感知誘電体材料のうちの少なくとも1つは、30℃〜150℃の温度範囲にわたり比誘電率対温度の負の傾きを示し得る。負の傾きとは、温度感知誘電体材料が、30℃〜150℃の範囲内の少なくともどこかにおいて、温度の関数として、1℃につき少なくとも−0.1%の大きさの比誘電率の変化(δk/K、つまり、基準比誘電率に対し比率化した比誘電率の変化)を示すことを意味する。種々の例示的実施形態では、温度感知誘電体材料は、30℃〜150℃の範囲内において、1℃につき少なくとも−0.15、−0.2、−0.4、−0.8、−1.2、−1.6又は−2.4%の大きさの比誘電率の変化を示してもよい。
一部の実施形態では、温度感知コンデンサ21Cの温度感知誘電体材料の全損失正接(tanδ)は、30〜150℃の温度範囲にわたって、かつ1kHz〜20MHzの周波数において、約0.3以下であってもよい。特定の実施形態では、損失正接は、1kHz〜100kHzの周波数で測定してもよい。
いくつかの実施形態では、温度感知誘電体材料は、1種以上の合成高分子を含む。いくつかの実施形態では、合成高分子は、ナイロン−6及びナイロン−6,6のうちの少なくとも1つを含み得る。
いくつかの実施形態では、温度感知コンデンサ21Cの温度感知誘電体材料は、強誘電性セラミック材料の粒子を含んでもよい。30℃未満の測定可能な電気キュリー温度を呈し、かつ30℃〜150℃の温度範囲にわたって静電容量感知組成物に静電容量対温度比の負の傾斜を付与する、任意の好適なセラミック強誘電性材料を使用することができる。様々な実施形態では、潜在的に好適な材料は、ドープされた及び/又は変性のBaTiO、BaSnTiO、BaHfTiO、BaSrTiO、BaZrTiO、SrTiO、BaFe1219、Pb[ZrTi(1−x)]O、及びx[Pb(Mg1/3Nb2/3)O]−(1−x)[PbTiO]、並びにこれらの組み合わせ及び混合物からなる群から選択してもよい。
いくつかの実施形態では、強誘電性セラミック材料の粒子をポリマーマトリックス中に分散させてもよい。所望される場合には強誘電性セラミック材料の粒子を中に分散させてもよいポリマーマトリックスは、任意の好適なポリマー材料を含んでもよい。いくつかの実施形態では、ポリマーマトリックスは、熱可塑性組成物を含んでもよく、熱可塑性組成物を、例えば、強誘電性セラミック材料の粒子が熱可塑性組成物中に十分に混和され得る十分に高い温度へと昇温させ、次に冷却させて固体物品を形成してもよい。又は、このようなポリマーマトリックスは、強誘電性セラミック材料をその中に分散させることができる熱硬化性材料、例えば液体又は半固体の材料を含んでもよく、これを次に硬化させて(任意の好適な手段、例えば熱エネルギー、照射、触媒、及び/又は反応開始剤の添加等によって)固体物品を形成することができる。得られる組成物は、固く、剛性である場合もあり、又は比較的弾性である場合もある。しかし、得られる組成物が固体であることは、厳密には必要ではないことがある。むしろ、得られる組成物は、半固体、グリース、ゲル、ワックス、マスチック、又は必要に応じて更には接着剤(例えば感圧接着剤)であってもよい。
ポリマーマトリックス中に分散される場合、様々な実施形態では、強誘電性セラミック材料の粒子は、得られる組成物の(すなわち、ポリマーマトリックス及び強誘電性セラミック材料、並びに存在する場合は任意の他の添加剤の合計の)少なくとも約30、40、50、60、65、又は70重量%を構成してもよい。更なる実施形態では、強誘電性セラミック材料の粒子は、組成物の最大約90、80、70、60、50、40、又は30重量%を構成してもよい。特定の実施形態では、強誘電性セラミック材料の粒子は、パーコレーションしきい値(組成物の絶対静電容量及び/又は温度によるその静電容量の変化がそこで著しく上昇し得る点)に接近又は超過する重量(及び体積)パーセントでポリマーマトリックス中に提供されてもよい。
種々の実施形態では、ポリマーマトリックスは、例えば、ウレタン系ポリマー;シリコーン系ポリマー;EVA(エチレン酢酸ビニル)系ポリマー;EPDM(エチレンプロピレンジエンゴム);例えばポリエチレン又はポリプロピレンなどのオレフィン系ポリマー;エポキシ樹脂;フッ素含有ポリマー(例えば、ポリ(テトラフルオロエチレン)、ポリ(フッ化ビニリデン)、ヘキサフルオロプロピレン単位を含むポリマー並びにその共重合体及びブレンド)、任意の他のハロゲン含有ポリマー(例えば、塩素化及び/又は臭素化ポリマー)、ポリエーテル、(メタ)アクリル系ポリマー等を含んでもよい。いくつかの実施形態では、ポリマーマトリックスは、シリコーン、エポキシ、エチレンプロピレンジエンゴム、ポリオレフィン、ポリウレタン、エピクロロヒドリン、フルオロエラストマー、ポリオレフィン(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等)、ポリアミド(例えば、ナイロン等)、ポリイミド(例えば、カプトン型材料)、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるポリマーを含み得る。これらは、あくまで代表的な大まかな部類にすぎず、あらゆる適当なポリマー材料、コポリマー、又はそれらの混合物を使用することができる点は強調しておく。(しかし、好適な高分子材料は、一般に非導電性材料であり得、しばしば自然状態では本質的に電気絶縁性であり得る。)組成物はまた、例えば処理性、耐候性などを向上させる目的で他の任意の適当な添加剤を含んでもよい。したがって、有用であり得る添加剤としては、加工助剤、離型剤、安定化剤、酸化防止剤、及び可塑剤などが挙げられ得る。
本明細書中に記載されるいくつかの実施形態は、電気導体との最大の熱接触面を有する温度感知コンデンサを提供する。いくつかの温度感知コンデンサは、リング形構造を有するとともに、電気導体を取り囲み、温度感知コンデンサと電気導体との間の熱接触面積を最大にする。これにより、電気導体のより頑健かつ信頼性の高い温度測定を提供することができる。相互嵌合構成の電極がコンデンサの外部表面に隣接して提供されており、温度に対するコンデンサの感度は、電極の幾何学的配置を変化させることによって制御され得る。
本明細書全体を通して、「一実施形態」、「特定の実施形態」、「1つ以上の実施形態」、又は「実施形態」への言及は、用語「実施形態」の前に、用語「例示的」が含まれているか否かに関わらず、その実施形態に関連して説明される特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の特定の例示的実施形態のうちの少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。それゆえ、本明細書全体を通して、様々な箇所での「1つ以上の実施形態では」、「特定の実施形態では」、「一実施形態では」、又は「実施形態では」などの語句の出現は、必ずしも、本開示の特定の例示的実施形態のうちの、同じ実施形態に言及するものではない。更に、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、任意の好適な方法で1つ又は複数の実施形態に組み合わされてもよい。
実施例1−温度感知コンデンサ
例示的な温度感知コンデンサを、電気導体(例えば、図1の電気導体31)の温度を検出するために作製した。この温度感知コンデンサは図7に示すような構成を有する。コンデンサ本体はナイロン−6材料で作製した。電極はコンデンサ本体の外部表面上に、相互嵌合型コンデンサを形成するように配置した。温度感知コンデンサの誘電特性は、ASTM D150「固体電気絶縁物のAC損失特性と誘電率(比誘電率)の標準試験方法」を含むASTM標準試験方法に従い、誘電分光計を使用することにより測定した。
図8は、電気導体31の温度とコンデンサ本体の比誘電率との間の関係を示すグラフである。比誘電率は、それぞれ133kHz、94.9kHz及び67.8kHZにおいて測定した。
図9は、電気導体31の温度とコンデンサ本体の損失正接との間の関係を示すグラフである。損失正接は、それぞれ133kHz、94.9kHz及び67.8kHZにおいて測定した。
本明細書では、特定の例示的実施形態が詳細に説明されてきたが、当業者には、上述の説明を理解した上で、これらの実施形態の代替物、変更物、及び等価物を容易に想起することができる点が、理解されるであろう。したがって、本開示は、本明細書で上記された例示的実施形態に、過度に限定されるものではないことを理解されたい。特に、本明細書で使用するとき、端点による数値範囲の列挙は、その範囲内に包含される全ての数を含む(例えば、1〜5は、1、1.5、2、2.75、3、3.80、4、及び5を含む)ことが意図される。更には、本明細書で使用される全ての数は、用語「約」によって修飾されるものと想定される。更に、種々の例示的な実施形態が説明されてきた。これらの実施形態及び他の実施形態は、以下の特許請求の範囲に含まれるものである。

Claims (15)

  1. 少なくとも(半)導電層内に封入された電気導体の温度を検出するための温度検出装置であって、
    温度感知コンデンサを備え、前記温度感知コンデンサは、コンデンサ本体と、相互嵌合構成で配置され、前記コンデンサ本体により支持された少なくとも2つの電極と、を備えており、前記コンデンサ本体の少なくとも一部分は、温度によって変化する比誘電率を有する1つ以上の温度感知誘電体材料を含んでおり、前記電極は前記温度感知誘電体材料の近傍に配置されており、
    前記コンデンサ本体は前記電気導体と熱接触して配置されており、前記温度感知コンデンサの静電容量は前記電気導体の前記温度によって変動する、
    装置。
  2. 前記コンデンサ本体は、内部表面と外部表面とを備えるリング形構造を有する、請求項1に記載の装置。
  3. 前記コンデンサ本体は前記電気導体を取り囲み、前記コンデンサ本体の前記内部表面を前記電気導体の周方向表面に押し付けて当該周方向表面と熱接触させるために可撓性であり、前記電極は、前記コンデンサ本体の前記外部表面に配置されている又は前記コンデンサ本体に埋設されている、請求項2に記載の装置。
  4. 前記コンデンサ本体は、前記電気導体と直接接触している熱伝導部分を更に含む、請求項1に記載の装置。
  5. 前記電極は、相互嵌合櫛型構成で配置されている第1の電極と第2の電極とを含む、請求項1に記載の装置。
  6. 前記コンデンサは前記電気導体と前記(半)導電層との間に配置されており、前記(半)導電層によって封入されている、請求項1に記載の装置。
  7. 前記温度感知誘電体材料は1種以上の合成高分子を含む、請求項1に記載の装置。
  8. 前記合成高分子は、ナイロン−6及びナイロン−6,6のうちの少なくとも1つを含む、請求項7に記載の装置。
  9. 前記1つ以上の温度感知誘電体材料は、ポリマーマトリックス中に分散した強誘電性セラミック材料の粒子を含む、請求項1に記載の装置。
  10. 前記ポリマーマトリックスは、シリコーン、エポキシ、エチレンプロピレンジエンゴム、ポリオレフィン、ポリウレタン、エピクロロヒドリン、フルオロエラストマー、ポリオレフィン、ポリアミド及びポリイミドからなる群から選択されるポリマーを含む、請求項9に記載の装置。
  11. 前記強誘電性セラミック材料は、前記静電容量感知組成物の約15重量%〜約90重量%を構成する、請求項9に記載の装置。
  12. 前記強誘電性セラミック材料は、ドープされたBaTiO、BaSnTiO、BaHfTiO、BaSrTiO、BaZrTiO、SrTiO、BaFe1219、Pb[ZrTi(1−x)]O、及びx[Pb(Mg1/3Nb2/3)O]−(1−x)[PbTiO]、並びにこれらの組み合わせ及び混合物からなる群から選択される、請求項9に記載の装置。
  13. 前記相互嵌合型コンデンサに電気接続されて、受動LC回路を形成しているインダクタを更に備えている、請求項1に記載の装置。
  14. 前記受動LC回路に電磁結合されている送受信ユニットを更に備えており、前記送受信ユニットは、前記電気導体の前記温度の変化時の、前記相互嵌合型コンデンサの前記静電容量の変化を示す信号を送出するように構成されている、請求項13に記載の装置。
  15. (半)導電層に封入された電気導体と、
    請求項1に記載の温度検出装置のうちの1つ以上と、
    を備えている、電気ケーブルアセンブリであって、
    前記温度検出装置は前記電気導体に沿って分配されており、前記電気導体の温度分布を検出するように構成されている、
    電気ケーブルアセンブリ。
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