JP2017529558A - 全視差回析光学可変画像を有する光学偽造防止エレメント - Google Patents

Abstract

本発明は、基層、および少なくとも部分的に前記基層の片側表面を覆う光学アセンブリを含み、前記光学アセンブリは、白色光を前記光学アセンブリに照射したときに、前記光学アセンブリが全視差画像を示すことができるように作用するマイクロレリーフ構造を有する全視差回析光学可変画像を有する光学セキュリティデバイスを開示する。本発明によれば、位相平面の結合によりマイクロレリーフ構造が得られ、白色光照射の条件下で全視差回析光学可変画像の再構成を達成することができる。

Description

本発明は、光学偽造防止技術に関し、特に全視差回析光学可変画像を有する光学セキュリティデバイスに関する。

回析光学可変画像（例えばホログラム、動的な回折画像等）を有する光学セキュリティエレメントは、偽造防止のために紙幣、身分証明書、製品パッケージ等の高いセキュリティと高い付加価値を有する種々のプリントに広く用いられており、良い効果を達成している。例えば、高額のユーロ紙幣は回析光学可変画像を有するホットスタンプパッチを採用している一方で、少額の紙幣は回析光学可変画像を有するホットスタンプストライプを採用している。人民元は一元貨幣を除いて、回析光学可変画像を有するウィンドウスレッドを採用している。ビザ、マスターカード、およびユニオンペイカードは、回析光学可変画像を有するホットスタンプパッチを採用しており、ＩＤカード、運転免許、パスポート等の中国の重要な資料も、回析光学可変画像の偽造防止技術を採用している。現在、世界のほとんどの紙幣、クレジットカード、パスポート等も、回析光学可変画像の偽造防止技術を採用している。

光学可変画像は、白色光の照射条件下で三次元効果、動的変化、色彩変化画像等を再構成でき、更にレーザー照射の下でまたは他の補足手段（デコードプレート、拡大レンズ等）により、隠されたパターン、コードされたパターン等を再構成できる。後者はプロフェッショナルと専門家向けの偽造防止機能であるのに対して、前者は大衆向けの偽造防止機能である。これら偽造防止製品の光学的構造は、表面レリーフ型の回折格子であり、一般に成形過程を通じて回折構造を基層上に転写することによって製造される。

従来技術の回析光学可変画像は、一方向（一般に水平方向と定義される）の視差のみ有することができ、直角方向（垂直方向と定義される）の視差を有していない。すなわち、垂直方向ではなく水平方向のみ三次元および動的な効果を達成することができる。これは従来の回析光学可変画像の光学的格子構造により決定される。垂直方向の視差を犠牲にするだけで、強い色分散のため、白色光照射の条件下で鮮明な画像が得られる。さらに従来の回析光学可変画像は、±１レベル光の方向に画像を再構成するが、反射光／透過光（０レベル）方向に画像を再構成しない。

本発明の目的は、白色光照射の条件下での全視差（ｆｕｌｌ ｐａｒａｌｌａｘ）回析光学可変画像の達成に係る問題を解決するために、全視差回析光学可変画像を有する光学セキュリティデバイスを提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、基層、および少なくとも部分的に前記基層の片側表面を覆う光学アセンブリを含み、且つ、マイクロレリーフ構造を含み、白色光を前記光学アセンブリに照射したときに、前記マイクロレリーフ構造の作用の下で前記光学アセンブリが全視差画像を示す全視差回析光学可変画像を有する光学セキュリティデバイスを提供する。

上記技術的解決手段によって、本発明は、位相平面の結合（ｃｏｍｂｉｎｉｎｇ ａ ｐｈａｓｅ ｐｌａｔｅ）手段によりマイクロレリーフ構造を得て、白色光の照射条件下で全視差回析光学可変画像の再構成を達成する。

本発明の他の特徴と長所を以下の実施形態で詳述する。

添付の図面は、本発明をより詳細に理解する上で提供され、本書の一部を構成する。それらは本発明の説明のために以下の実施形態と共に用いられるが、本発明を制限するいかなる構成とも理解すべきではない。添付の図面は、本発明を更に詳細に理解するために提供され本書の一部を構成する。

図１は、本発明による全視差回析光学可変画像を有する光学セキュリティデバイスの模式図を示す。 図２は、本発明によるマイクロレリーフ構造の位相の計算方法のフローチャートである。 図３は、本発明による他の全視差回析光学可変画像を有する光学セキュリティデバイスの模式図である。 図４は、本発明による更に他の全視差回析光学可変画像を有する光学セキュリティデバイスの模式図である。

以下、本発明のいくつかの実施形態を詳述する。以下に述べる実施形態は、本発明の説明と解釈のために用いられるべきであり本発明を限定するものではないと理解すべきである。

図１は、本発明による全視差回析光学可変画像を有する光学セキュリティデバイスの模式図である。図１に示すように、光学セキュリティデバイスは、基層１０１と、基層１０１の表面を少なくとも部分的に被覆している光学アセンブリ１０２とを含む。光学アセンブリ１０２に白色光を照射したときに、光学アセンブリ１０２がマイクロレリーフ構造の作用の下で全視差画像を示すことができるように、図１に示す様に光学アセンブリ１０２はマイクロレリーフ構造を有している。
「マイクロレリーフ構造」は、要求に応じて二次元表面に形成される凸凹のマイクロ構造を意味する。「視差画像」の説明は以下の通りである。人の両目の間隔が約６５ｍｍであるため二つの目で見える物体画像は若干異なり、このような違いが視差である。視差画像は、異なる観察方向で示される一定の視差関係（ｐａｒａｌｌａｘ ｒｅｌａｔｉｏｎ）を有する物体の一連の画像として解釈することができる。視差関係は、視差画像が動的および三次元的効果を示すことを可能にする。「全視差画像」は、水平方向の視差を含むだけでなく、他の方向の視差も含んでいる。「全視差回析光学可変画像」は、従来の水平方向の視差のみ有している白色光により再構成される回析光学可変画像とは異なり、水平方向の視差と他の方向の視差とを有する白色光によって再構成される回析光学可変画像を意味する。

マイクロレリーフ構造のマイクロレリーフ単位の断面形状は、正弦曲線形、Ｚ字形（ｚｉｇｚａｇ ｓｈａｐｅ）、および矩形のうちの一つ、または正弦曲線形、Ｚ字形、および矩形のいずれか二つもしくは三つの組み合わせであってもよい。当業者は、これらの形状から離れた他の形状も許容されることを理解すべきである。「マイクロレリーフ単位」は、マイクロレリーフ構造内の隣接する最小点または隣接する最大点をつなぐ曲線によって形成される領域であり、これらの曲線はマイクロレリーフ構造を多数の領域に分割し、それぞれの領域はマイクロレリーフ単位であり、更に全てのマイクロレリーフ単位はマイクロレリーフ構造を構成する。すなわちマイクロレリーフ構造は、多数のマイクロレリーフ単位からなる。

図１に示すマイクロレリーフ構造の位相は、位相平面を結合することにより得られ、図２の組み合わせで記載されている具体的な実施形態は以下の通りである。

図２は、本発明によるマイクロレリーフ構造の位相の計算方法のフローチャートである。図２に示すように、マイクロレリーフ構造の位相は、以下の方法を用いた計算により得られる。

ステップ２０１：様々な観察方向に相当する多数の画像フレームに示されるように原画像を分解する。

原画像は、達成すべき全視差動的および／または三次元的効果によるいかなる手段によっても設計することができる。カメラまたはビデオカメラは、様々な方向の実物画像を撮るために用いることができ、３ＤＳ ＭＡＸ、ＣＡＤ、フォトショップ（登録商標）、ＣｏｒｅｌＤＲＡＷ等を設計のために用いることができ、相当する視角に従って画像を出力することができる。

分解後、ｍ×ｎ画像フレームがあると仮定すれば、ｍとｎは正の整数であり、画像フレームの振幅分布は、

であり、式中ｐ＝１，２，，・・・，ｍ、ｑ＝１，２，，・・・，ｎ、且つ、（ｘ₀,ｙ₀）は、相当する（ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ）画像フレーム上の点を示し、伝搬ベクトルは、

であり、式中（ｅ_p,q）は観察方向における、相当する画像フレームの単位ベクトルであり、λは観察方向における、相当する画像フレームの光の波長である。ｍ×ｎ画像フレームにおいて、それぞれの画像フレームはＭ×Ｎ画素群であり、ＭとＮは両方とも正の整数である。

ステップ２０２：様々な画像フレームの振幅と、様々な画像フレームに関する方向係数に従って、物体面の複素振幅を得る。その詳細は以下の通りである。それぞれの画像フレームの振幅に、それぞれ一つずつの対応における各画像フレームの方向係数

を掛け、得られた結果を合計して、物体面の複素振幅を得る。式中、ｒ_p,q（ｘ₀,ｙ₀）は位置ベクトルを示す。

この説明は以下のように示される。

ある画像フレームの複素振幅が、

であると仮定する。式中、Ｏ_p,q（ｘ₀,ｙ₀）はある画像フレームの振幅であり、ｒ₀（ｘ₀,ｙ₀）は（ｘ₀,ｙ₀）におけるある画像フレームの位置ベクトルである。

物体面の複素振幅は、

である。

ステップ２０３：物体面の複素振幅を逆フレネル変換して、光学アセンブリ１０２の表面における物体光の複素振幅を得る。物体面と光学アセンブリ１０２の距離が小さいため、フレネル変換の条件を満足させるために、一画素を一単位として取り出す（ｔａｋｉｎｇ ａ ｐｉｘｅｌ ａｓ ａ ｕｎｉｔ）ことによって、それぞれフレネル変換を行い、そのようなフレネル変換がＭ×Ｎ回必要である。

ステップ２０４：逆フレネル変換後に得られた光学アセンブリ１０２の表面の物体光の複素振幅の位相を抽出し、複素振幅の振幅値を１として得て、位相を保ち、マイクロレリーフ構造の位相ψ（ｘ，ｙ）を得る。

ステップ２０５：演算を終了するか否か決定し、終了する場合はステップ２０９を実行し、終了しない場合はステップ２０６を実行する。演算を終了する条件を決定する方法は二つある。第１の方法では、位相がψ（ｘ，ｙ）となるマイクロレリーフ構造の再構成の複素振幅を更に計算して、それ（ｔｈｅ ｓａｍｅ）とステップ２０２におけるＯ（ｘ₀,ｙ₀）を比較し、誤差が規定値（例えば１０％）未満の時に演算を終了する。誤差を計算する方法は当業者に良く知られている手法であり、詳細は必要無いためここでは示さずに省略する。第２の方法では、サイクル数を設定する。一般に５〜１０回のサイクル演算が理想的な効果に達成できる結果となる。従って、演算を終了するか否かを決定する基準は、５〜１０回のサイクル演算を実行するか否かであってもよい。例えば６回と設定することができる。

ステップ２０６：マイクロレリーフ構造の複素振幅

にあらかじめ指定された位相平面の複素振幅を掛ける。

ステップ２０７：ステップ２０６の乗じた結果をフレネル変換する。

ステップ２０８：ステップ２０７におけるフレネル変換後に得られた結果を、様々な観察方向に相当する多数の画像フレームに分解し、次いで多数の画像フレームにおいて、それぞれの画像フレームにおける複素振幅の振幅を１として得て、位相を保ち、次いでそれに原画像の画像フレームのそれぞれの振幅を掛けて、あらたな物体面の複素振幅を得て、サイクル演算のためにステップ２０３に戻る。

ステップ２０９：結果を出力する。

なお当業者は、図２に示す方法において、フレネル変換はステップ２０３で実行することができ、逆フレネル変換はステップ２０７で実行することができると理解すべきである。当業者は、１サイクルだけ行う場合でもマイクロレリーフ構造の位相を得ることができるが、効果が良くないかもしれない。もしここで１サイクルだけ実行する場合、ステップ２０１〜ステップ２０８を実行し、次いでステップ２０３〜ステップ２０５、およびステップ２０９を実行する。

位相平面の機能は、色分散を低減して再構成画像の鮮明さを向上することである。位相平面の位相を設計する方法は以下の通りである。位相平面を多数の画素群に分割して、画素群の大きさと数は上記原画像のそれぞれの画像フレームの画素群のそれらと一致する。すなわち位相平面をＭ×Ｎ画素群に分割する。次いで、位相平面のそれぞれの画素を、原画像から分解された多数の画像フレームと同数のｍ×ｎ副画素に再分解する。すなわち各画素を副画素に再分割する。位相平面の位相を得るために、それぞれの副画素に、一致する画像フレームの方向係数に関する位相値を与える。

位相平面の位相値は多重法により得ることができる。位相平面の位相値を得るための方法として二例が用いられる。

第１の方法：多数の画像フレームの伝搬ベクトルｋ_p,qの絶対値に第１の定数（ｃｏｎｓｔａｎｔ ｑｕａｎｔｉｔｙ）Ｃ₁を掛けて、次いで第２の定数Ｃ₂を加えることにより得られる。多数の画像フレームはステップ２０１に示される原画像を分解することにより得られる。これは最も単純な位相平面であり、この方法の手段により得られた位相平面による計算によって得られた光学アセンブリ１０２はレインボー効果を有する。この方法により位相平面を得たい場合には、原画像には以下の制限が課される。様々な画像フレームの間を覆う画素群の数（彩度０の画素群を含まない）は、可能な限り少なくすべきであり、重複率は２０％未満にすべきであり、好ましくは１０％未満であり、そうしなければオンライン画像の鮮明さに重大な影響を与えることになる。

第２の方法：位相平面の位相分布は、定数Ｃ₃を加えた二次曲面に相当する。この場合、原画像はほとんど限定されない。この方法の手段により得られた位相平面による計算によって得られた光学アセンブリ１０２は脱色効果を有する。

上記二つの方法のおける定数Ｃ₁は、全視差画像の観察範囲を決定し、定数Ｃ₂と定数Ｃ₃は前方観察方向を決定する。定数Ｃ₂とＣ₃が０のとき、観察方向はセキュリティデバイスの反射光の方向である。

出力結果、すなわちマイクロレリーフ構造の位相ψ（ｘ，ｙ）は、光学アセンブリ１０２を構成するマイクロレリーフ構造の位相関数であり、マイクロレリーフ構造の曲面型（ｓｕｒｆａｃｅ ｔｙｐｅ）関数ｈ（ｘ，ｙ）と線形関係にある。そのため製版装置を制御するためにψ（ｘ，ｙ）を使用することにより、本発明の光学セキュリティデバイスの起点（ｏｒｉｇｉｎａｔｉｏｎ）を作ることができる。次いで、電鋳法、エンボス加工／ＵＶ複写、コーティング、スリッティング等の工程を通して製品に加工される。

更に、図１に示すそれぞれのマイクロレリーフ構造のマイクロレリーフ単位は、少なくとも一つの横方向において０．３μｍ〜１０μｍであっても良く、好ましくは０．８μｍ〜６μｍであっても良い。上記少なくとも一つの横方向は、光学セキュリティデバイスが位置する平面か又はそれらに平行な平面内における少なくとも一つの方向であり、他の横方向の大きさは限定されない。マイクロレリーフ構造のデューティ比（突出部と、突出部と凹部の合計の比）は０．２〜０．８であっても良く、好ましくは０．３５〜０．６５であっても良い。

マイクロレリーフ構造の深さ（長手方向の大きさとも呼ぶ）は、０．０２μｍ〜３μｍであっても良く、好ましくは０．０７μｍ〜１μｍであっても良い。好ましくは、マイクロレリーフ構造の深さは、下記条件を満たす。自然光（白色光）をマイクロレリーフ構造上に照射したときに、光学セキュリティデバイスが透過光および／または反射光の方向に第１の色を示す一方で、回析光方向に第２の色を示すことができるように、波長光を透過光および／または反射光の方向に建設的に（ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｖｅｌｙ）干渉する。光学セキュリティデバイスを構成する素材に選択的吸収材が含まれていなければ、上記第１と第２の色は補色である。

「マイクロレリーフ構造の深さ」は、マイクロレリーフ構造の隣接する最大値と最小値の高低差を意味する。

図３は、本発明による他の全視差回析光学可変画像を有する光学セキュリティデバイスの模式図である。図３に示すように、光学セキュリティデバイスは、更に、基層１０１と光学アセンブリ１０２の間に位置する複製層１０３を含んでいても良く、複製層１０３の第１の表面は基層１０１と接合しており、複製層１０３の第２の表面には光学アセンブリ１０２のマイクロレリーフ構造が形成されている。ここに複製層１０３を加えることにより、マイクロレリーフ構造の複製を容易にすることができ、製造工程中に形成される溝形状をより精密にすることができる。

図４は、本発明による更に他の全視差回析光学可変画像を有する光学セキュリティデバイスの模式図である。図４に示すように、光学セキュリティデバイスは、更に被覆層１０４を有していても良く、被覆層１０４は光学アセンブリ１０２上に位置し、同じ形で光学アセンブリ１０２を覆う、すなわちマイクロレリーフ構造の形状を用いて、光学アセンブリ１０２を同じ形で覆う。もちろん本発明はこれらに限定されない。被覆層１０４は、どのような形でも光学アセンブリ１０２を覆うことができる。被覆層１０４は単層構造であって良いし、または多層構造であっても良い。被覆層１０４をパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ）することができ、多層構造の場合、単層、数層、またはそれらの全ての層にパターニングすることができる。

被覆層１０４の素材と構造は異なっていても良い。異なる素材と構造を用いると、異なる効果を有する全視差回析光学可変画像を有する光学セキュリティデバイスを形成することができる。例えば、被覆層１０４が高屈折率誘電体（ＺｎＳ、ＴｉＯ₂等）の単層である条件下では透過的光学セキュリティデバイスを形成することができ、被覆層１０４が単金属層（Ａｌ、Ｃｕ等）である条件下では反射的光学セキュリティデバイスを形成することができ、被覆層１０４が金属反射層、誘電体層、および吸収層を含む三層光学可変構造である条件下では、光学セキュリティデバイスは色ずれ効果を発揮することができる。この条件下では、異なる被覆層１０４の厚さは異なる色彩効果も発揮する。

更に、本発明による光学セキュリティデバイスは保護層と剥離層（図示せず）を含むことも可能である。被覆層１０４を有する条件下では、保護層は被覆層１０４の上に位置することができ、被覆層１０４を有しない条件下では、保護層は複製層１０３の上に位置することができる。保護層を加えることによりセキュリティデバイスの耐久性を向上することができる。剥離層は、基層１０１と複製層１０３の間に位置する。剥離層を加える目的はホットスタンプ製品を形成するためである。もちろん本発明はこれらに限定されない。保護層を更に剥離層と複製層１０３の間に加えることができる。セキュリティデバイスが蛍光特性または蛍光パターンを有することができるように、更に蛍光物質をいずれの層にも加えることができる。磁気機械の読み取り特性を達成するために、磁性誘電体層をいずれの誘電体の二層にも更に加えることができる。

上記は、典型的な本発明の好ましい実施解決を説明するものである。更に、当業者は本発明の思想と主旨から離れることなく理解することができ、様々な同等の転換または変更を行うことができる。更に、得られた技術的解決もまた本発明の保護範囲に属すべきである。

全視差回析光学可変画像の設計は、規定に従う自然な視差数（ｐａｒａｌｌａｘ ｏｒｄｅｒ）において、様々な画像フレームを再構成することができ、予想できない視覚効果が得られるだけで無く、セキュリティデバイスの偽造防止性能を向上することもできる。例えば、直角動的効果を有する全視差動的および／または三次元的画像が得られるように、水平方向の視差を垂直方向の視差画像に変換することができる。

本発明により提供されるマイクロレリーフ構造は、従来技術における他の形式のマイクロレリーフ構造（例えば、ホログラム、動的回析グラフ等）と組み合わせて使用することができると説明されるべきである。

一方、本発明の好ましい実施形態は上記の通りであり、本発明はこれらの実施形態の一つに限定されず、当業者は、本発明の主旨から離れることなく、技術的手段を変更および変化することができるが、これら全ての変更および変化は本発明の保護範囲に該当するとみなされるべきである。

更に上記実施形態において記載された技術的特徴は、組み合わせにおける技術的特徴間の矛盾がなければ、いかなる適切な方法にも組み込むことができると評価されるべきだろう。そのような可能な組み合わせの無駄な繰り返しを避けるために、本発明においてここでは記載しない。

更に本発明の異なる実施態様は、本発明の思想と主旨から離れなければ、必要に応じて自由に結び付けることができる。但し、このような組み合わせは本発明の範囲に該当するとみなされるべきである。

１０１ 基層
１０２ 光学アセンブリ
１０３ 複製層
１０４ 被覆層

Claims (21)

1. 基層、および
   少なくとも部分的に前記基層の片側表面を覆う光学アセンブリを含み、且つ、
   マイクロレリーフ構造を含み、白色光を前記光学アセンブリに照射したときに、前記マイクロレリーフ構造の作用の下で前記光学アセンブリが全視差画像を示すものである全視差回析光学可変画像を有する光学セキュリティデバイス。
2. 前記マイクロレリーフ構造の位相は位相平面の結合により得られるものである請求項１に記載の光学セキュリティデバイス。
3. 前記マイクロレリーフ構造の位相は、以下のステップにより得られるものである請求項１に記載の光学セキュリティデバイス。
   １）様々な観察方向に相当する多数の画像フレームに示されるように原画像を分解するステップ、
   ２）前記画像フレームの振幅と前記画像フレームに関する方向係数に従って、物体面の複素振幅を得るステップ、
   ３）前記物体面の複素振幅を逆フレネル変換して、前記マイクロレリーフ構造の位相を得るために、前記逆フレネル変換後に得られた前記光学アセンブリの表面における物体光の複素振幅の位相を抽出するステップ、
   ４）前記マイクロレリーフ構造の位相に従って前記マイクロレリーフ構造の複素振幅を得るステップ、
   ５）前記マイクロレリーフ構造の複素振幅にあらかじめ指定された前記位相平面の複素振幅を掛けて、更にフレネル変換を行い、得られた結果を様々な観察方向に相当する多数の画像フレームに分解し、次いで前記多数の画像フレームにおいて、それぞれの前記画像フレームの複素振幅の振幅を１として得て、位相を保ち、次いで新たな前記物体面の複素振幅を得るためにそれに前記原画像のフレームの振幅を掛けるステップ、および
   ６）新たな前記物体面の複素振幅を逆フレネル変換して、前記マイクロレリーフ構造の位相を得るために、前記逆フレネル変換後に得られた光学アセンブリの表面における物体光の複素振幅の位相を抽出するステップ。
4. 最終的な計算によって得られる前記マイクロレリーフ構造の位相は、前記ステップ４）〜６）を５〜１０回繰り返して得られるものである請求項３に記載の光学セキュリティデバイス。
5. 前記位相平面の位相は以下のステップにより設計されるものである請求項４に記載の光学セキュリティデバイス。
   前記位相平面を、前記原画像の画像フレームの画素群と大きさおよび数が一致する多数の画素群に分割するステップ、
   前記位相平面のそれぞれの画素群を、前記原画像から分解された多数の画像フレームと同数の副画素に再分割するステップ、および
   前記位相平面の位相を得るために、それぞれの前記副画素に、一致する前記画像フレームの方向係数に関する位相値を与えるステップ。
6. 前記位相平面の位相値は、多数の前記画像フレームの伝搬ベクトルの絶対値に第１の定数を掛けて、次いで第２の定数を加えて得られるものである請求項５に記載の光学セキュリティデバイス。
7. 前記位相平面の位相分布は、定数が加えられた二次曲面である請求項５に記載の光学セキュリティデバイス。
8. 少なくとも一つの横方向の前記マイクロレリーフ構造のマイクロレリーフ単位の大きさは０．３μｍ〜１０μｍであり、且つ、前記マイクロレリーフ構造は多数の前記マイクロレリーフ単位からなるものである請求項１〜７のいずれかに記載の光学セキュリティデバイス。
9. 少なくとも一つの横方向の前記マイクロレリーフ構造のマイクロレリーフ単位の大きさは０．８μｍ〜６μｍであり、且つ、前記マイクロレリーフ構造は多数のマイクロレリーフ単位からなるものである請求項１〜７のいずれかに記載の光学セキュリティデバイス。
10. 前記マイクロレリーフ構造のデューティ比は０．２〜０．８である請求項１〜７のいずれかに記載の光学セキュリティデバイス。
11. 前記マイクロレリーフ構造のデューティ比は０．３５〜０．６５である請求項１〜７のいずれかに記載の光学セキュリティデバイス。
12. 前記マイクロレリーフ構造の深さは０．０２μｍ〜３μｍである請求項１〜７のいずれかに記載の光学セキュリティデバイス。
13. 前記マイクロレリーフ構造の深さは０．０７μｍ〜１μｍである請求項１〜７のいずれかに記載の光学セキュリティデバイス。
14. 前記マイクロレリーフ構造の深さは以下の条件を満たすものである請求項１〜７のいずれかに記載の光学セキュリティデバイス。
    前記マイクロレリーフ構造上に白色光を照射したときに、前記光学セキュリティデバイスが透過光および／または反射光の方向に第１の色を示し、且つ回析光方向に第２の色を示すことができるように、波長光を透過光および／または反射光の方向に建設的に干渉する。
15. 更に、前記基層と前記光学アセンブリの間に位置する複製層を有し、前記複製層の第１の表面は前記基層と接合しており、且つ前記複製層の第２の表面の領域の少なくとも一部には前記光学アセンブリのマイクロレリーフ構造が形成されている請求項１に記載の光学セキュリティデバイス。
16. 更に、前記光学アセンブリ上に位置する被覆層を有する請求項１５に記載の光学セキュリティデバイス。
17. 前記被覆層は前記光学アセンブリを同じ形で覆うものである請求項１６に記載の光学セキュリティデバイス。
18. 前記被覆層はパターニングされているものである請求項１６に記載の光学セキュリティデバイス。
19. 前記被覆層は、高屈折率誘電体の単層、単金属層、または金属反射層と誘電体層と吸収層とを含む三層光学可変構造のうちの一つである請求項１６に記載の光学セキュリティデバイス。
20. 更に、前記被覆層上に位置する保護層、および前記基層と前記複製層の間に位置する剥離層を有する請求項１６に記載の光学セキュリティデバイス。
21. 前記マイクロレリーフ構造のマイクロレリーフ単位は、正弦曲線形、Ｚ字形、および矩形のうちの一つ、または正弦曲線形、Ｚ字形、および矩形のいずれか二つもしくは三つの組み合わせである請求項１に記載の光学セキュリティデバイス。

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