JP2017528565A - コンデンサフィルム用のポリプロピレン組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
a)(i)1.5〜10g/10分の範囲のISO1133に従って測定されたメルトフローレートMFR2(230℃)
(ii)60ppm未満の灰含有量
を有する95.0〜99.9重量%のプロピレンホモポリマー(A)と、
b)0.1〜5.0重量%の長鎖分岐ポリプロピレン(B)と、
c)1000ppm以下のベータ核形成剤と
を含むポリプロピレン組成物を対象とする。
・ 溶融物におけるビスマレイミド化合物との反応によって修飾されたポリプロピレン(欧州特許第EP−A−0 574 801号および欧州特許第EP−A−0 574 804号)
・ 電離放射線での処理によって修飾されたポリプロピレン(欧州特許第0 190 889(A2)号)
・ 固相(欧州特許第0 384 431(A2)号)または溶融物(欧州特許第0 142 724(A2)号)における過酸化物での処理によって修飾されたポリプロピレン、
・ 電離放射線の作用下の二官能性エチレン性不飽和モノマーでの処理によって修飾されたポリプロピレン(欧州特許第EP−A−0 678 527号)、
・ 溶融物における過酸化物の存在下の二官能性エチレン性不飽和モノマーでの処理によって修飾されたポリプロピレン(欧州特許第EP−A−0 688 817号および欧州特許第EP−A−0 450 342号)
である。
・ ジベンゾイルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、4−クロロベンゾイルペルオキシド、3−メトキシベンゾイルペルオキシドおよびメチルベンゾイルペルオキシドなどの、過酸化アシル、
・ アリルtert−ブチルペルオキシド、2,2−ジ(tert−ブチルペルオキシ)ブタン、ジ−tert−アミルペルオキシド、1,1−ビス(tert−ブチルペルオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、n−ブチル4,4−ビス(tert−ブチルペルオキシ)バレラート、ジイソプロピルアミノメチルtert−アミルペルオキシド、ジメチルアミノメチルtert−アミルペルオキシド、ジエチルアミノメチルtert−ブチルペルオキシド、ジメチルアミノメチルtert−ブチルペルオキシド、1,1−ジ(tert−アミルペルオキシ)シクロヘキサン、tert−アミルペルオキシド、tert−ブチルクミルペルオキシド、メチルイソブチルケトンペルオキシド、2,2−ジ(4,4−ジ(tert−ブチルペルオキシ)シクロヘキシル)プロパン、tert−ブチルペルオキシドおよび1−ヒドロキシブチルn−ブチルペルオキシドなどの、過酸化アルキル、
・ tert−ブチルペルオキシアセタート、tert−ブチルペルオキシジエチルアセタート、クミルペルアセタート、クミルペルプロピオナート、シクロヘキシルペルアセタート、ジ−tert−ブチルペルアジパート、ジ−tert−ブチルペルアゼラート、ジ−tert−ブチルペルグルタラート、ジ−tert−ブチルペルフタラート、ジ−tert−ブチルペルセバカート、4−ニトロクミルペルプロピオナート、1−フェニルエチルペルベンゾアート、フェニルエチルニトロペルベンゾアート、tert−ブチルビシクロ[2.2.1]ヘプタンペルカルボキシラート、tert−ブチル4−カルボメトキシペルブチラート、tert−アミルペルオキシ2−エチルヘキシルカルボナート、tert−アミルペルオキシ−2−エチルヘキサノアート、tert−ブチルシクロブタンペルカルボキシラート、1,4−ジ(tert−ブチルペルオキシカルボ)シクロヘキサン、1,1−ジ(tert−ブチルペルオキシ)−3,3,5−トリメチル−シクロヘキサン、1,1−ジ(tert−ブチルペルオキシ)シクロヘキサン、tert−ブチルシクロヘキシルペルオキシカルボキシラート、tert−ブチルシクロペンチルペルカルボキシラート、tert−ブチルシクロプロパンペルカルボキシラート、tert−ブチルジメチルペルシンナマート、tert−ブチル2−(2,2−ジフェニルビニル)ペルベンゾアート、tert−ブチルペルオキシ−2−エチルヘキサノアート、tert−ブチルペルオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノアート、tert−ブチル4−メトキシペルベンゾアート、tert−ブチルペルオキシベンゾアート、tert−ブチルペルナフトアート、tert−ブチルペルオキシイソプロピルカルボナート、tert−ブチルペルオキシ2−エチルヘキシルカルボナート、tert−ブチルペルトルアート、tert−ブチル1−フェニルシクロプロピルペルカルボキシラート、tert−ブチル2−プロピルペルペンテン−2−オアート、tert−ブチル1−メチルシクロプロピルペルカルボキシラート、tert−ブチル4−ニトロフェニルペルアセタート、tert−ブチルニトロフェニルペルオキシカルバマート、tert−ブチルN−スクシンイミドペルカルボキシラート、tert−ブチルペルクロトナート、tert−ブチルペルマレイン酸、tert−ブチルペルメタクリラート、tert−ブチルペルオクトアート、tert−ブチルペルオキシイソブチラート、tert−ブチルペルアクリラート、tert−ブチルペルプロピオナートなどの、ペルエステルおよびペルオキシカルボナート、
ならびにこれらの過酸化物の混合物。
C5〜C8−シクロアルキルモノアミンまたはC6〜C12−芳香族モノアミンからのジカルボン酸誘導体型のジアミド化合物およびC5〜C8−脂肪族、C5〜C8−脂環式またはC6〜C12−芳香族のジカルボン酸、例えば
N,N’−ジ−C5〜C8−シクロアルキル−2,6−ナフタレンジカルボキサミド化合物、例えば
N,N’−ジシクロヘキシル−2,6−ナフタレンジカルボキサミドおよび
N,N’−ジシクロオクチル−2,6−ナフタレンジカルボキサミド、
N,N’−ジ−C5〜C8−シクロアルキル−4,4−ビフェニルジカルボキサミド化合物、例えば
N,N’−ジシクロヘキシル−4,4−ビフェニルジカルボキサミドおよび
N,N’−ジシクロペンチル−4,4−ビフェニルジカルボキサミド、
N,N’−ジ−C5〜C8−シクロアルキル−テレフタルアミド化合物、例えば
N,N’−ジシクロヘキシルテレフタルアミドおよびN,N’−ジシクロペンチルテレフタルアミド、
N,N’−ジ−C5〜C8−シクロアルキル−1,4−シクロヘキサンジカルボキサミド化合物、例えば
N,N’−ジシクロ−ヘキシル−1,4−シクロヘキサンジカルボキサミドおよび
N,N’−ジシクロヘキシル−1,4−シクロペンタンジカルボキサミド、
C5〜C8−シクロアルキルモノカルボン酸またはC6〜C12−芳香族モノカルボン酸からのジアミン誘導体型のジアミド化合物およびC5〜C8−脂環式またはC6〜C12−芳香族のジアミン、例えば
N,N’−C6〜C12−アリーレン−ビス−ベンズアミド化合物、例えば
N,N’−p−フェニレン−ビス−ベンズアミドおよびN,N’−1,5−ナフタレン−ビス−ベンズアミド、
N,N’−C5〜C8−シクロアルキル−ビス−ベンズアミド化合物、例えば
N,N’−1,4−シクロペンタン−ビス−ベンズアミドおよびN,N’−1,4−シクロヘキサン−ビス−ベンズアミド、
N,N’−p−C6〜C12−アリーレン−ビス−C5〜C8−シクロアルキルカルボキサミド化合物、例えば
N,N’−1,5−ナフタレン−ビス−シクロヘキサンカルボキサミドおよび
N,N’−1,4−フェニレン−ビス−シクロヘキサンカルボキサミド、ならびに
N,N’−C5〜C8−シクロアルキル−ビス−シクロヘキサンカルボキサミド化合物、例えば
N,N’−1,4−シクロペンタン−ビス−シクロヘキサンカルボキサミドおよび
N,N’−1,4−シクロヘキサン−ビス−シクロヘキサンカルボキサミド、
C5〜C8−アルキル、C5〜C8−シクロアルキル−またはC6〜C12−アリールアミノ酸のアミド化反応からのアミノ酸誘導体型のジアミド化合物、C5〜C8−アルキル−、C5〜C8−シクロアルキル−またはC6〜C12−芳香族のモノカルボン酸塩化物およびC5〜C8−アルキル−、C5〜C8−シクロアルキル−またはC6〜C12−芳香族のモノアミン、例えば
N−フェニル−5−(N−ベンゾイルアミノ)ペンタンアミドおよび
N−シクロヘキシル−4−(N−シクロヘキシル−カルボニルアミノ)ベンズアミド
である。
キナクリドン型の化合物、例えば
5,12−ジヒドロ−キノ[2,3−b]アクリジン−7,14−ジオン(すなわちキナクリドン)、ジメチルキナクリドンおよびジメトキシキナクリドン、
キナクリドンキノン型の化合物、例えば
キノ[2,3−b]アクリジン−6,7,13,14(5H,12H)−テトロン(すなわちキナクリドンキノン)、およびジメトキシキナクリドンキノン、ならびにジヒドロキナクリドン型の化合物、例えば
5,6,12,13−テトラヒドロキノ[2,3−b]アクリジン−7,14−ジオン(すなわちジヒドロキナクリドン)、ジメトキシジヒドロキナクリドンおよびジベンゾジヒドロキナクリドン
である。
(式中x=0から4、R=H、−COOH、C1〜C12−アルキル、C5〜C8−シクロアルキルまたはC6〜C12−アリール、かつY=C1〜C12−アルキル、C5〜C8−シクロアルキルまたはC6〜C12−アリール−置換された二価のC6〜C12−芳香族残基、例えば
フタロイルグリシン、ヘキサヒドロフタロイルグリシン、N−フタロイルアラニン、フタルイミドアセタートおよび/またはN−4−メチルフタロイルグリシンのカルシウム塩である)。
NMR分光法による微細構造の定量化
[mmmm]%=100*(mmmm/全てのペンタッドの合計)。
E[mol%]=100*fE
に従ってモル分率から計算した。
E[重量%]=100*(fE*28.05)/((fE*28.05)+((1−fE)*42.08))
に従ってモル分率から計算した。
XXX[mol%]=100*fXXX
に従ってKakugoらの方法(Kakugo,M.、Naito,Y.、Mizunuma,K.、Miyatake,T.Macromolecules15(1982年)1150)によって決定されたモル分率から計算した。
冷キシレン可溶部画分(XCS)を、23℃でISO6427に従って決定する。
本明細書に述べる試験は、ISO16790:2005に従う。
絶縁破壊強さを、IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation(2013年)、Vol.20(3)、937〜946頁に記載のように測定および評価する。最終結果に至る方法および統計的評価は、以下において簡単に概説し、詳細は、引用した文献において見ることができる。一般に破壊試験においては、同一材料(同一フィルム)のいくつかの試験片を試験し、いくつかの破壊結果(電圧、kV)が入手可能になる。通常、材料の代表的な平均結果を引き出すために、収集した結果のさらなる統計的処理が必要である。電気的故障試験などで見られるような、故障試験に特有なのは、測定された個々の結果がワイブル分布に従って分布されることである[例えばDissado L.A.、Fothergill J.C.、Wolfe S.V.、Hill R.M.、IEEE Transactions on Electrical Insulation、EI−19(3)、227〜233(1984年)を参照されたい]。例えばIEC 60727、パート1&2に記載されているように、ワイブル統計を用いて絶縁破壊試験において生成されたデータを評価することは一般的な手順である。最終結果として、すなわち材料の平均破壊強さ(破壊電界)として、63.2%の試験片が破壊される破壊電界(kV/mm)が、通常は報告される。IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation(2013年)、Vol.20(3)、937〜946頁に記載されている方法は、これらの概説した原則、すなわち材料毎のいくつかの破壊を測定することおよび収集したデータをワイブル分布として処理することによって得られる平均破壊を取得すること、ならびに63.2パーセンタイルを用いることに従う。IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation(20013)、Vol.20(3)、937〜946頁による方法の特有の特徴は、BOPPフィルムの妥当に大きい領域(81cm2)上で、大きい数の破壊(40)が記録されることおよび破壊が発生した後に、系が電圧の上昇を継続することである。これは、系が最初の破壊後にショートするIEC60243パート1(1998)に記載されている方法に勝る利点である。測定は、486cm2の総面積で測定して、240の破壊データが入手可能になるように、6回繰り返す。これらの240の破壊は、相加的に混合した2−パラメーターワイブル分布を用いて処理されている(W.HauschildおよびW.Mosch、Statistical Techniques for High−Voltage Engineering、Philadephia、IET、英国、1992年)。
結晶性および多形性組成物の判定を、以下の設定で動作しているGADDS X線回折計を備えたBruker D8 Discoverを用いて反射配置で実行した:X線発生装置:30kVおよび20mA、θ1=6°&θ2=13°、試料−検出器距離:20cm、ビームサイズ(コリメーター):500μm、および継続時間/走査:300秒。それぞれの試料で3回の測定を実行した。2θ=10°と2θ=32.5°との間の強度対2θ曲線を、2次元スペクトルを積分することにより取得した。次いで強度対2θ曲線の定量化を、以下のように行った。
(式中、Iβ(300)は、β(300)ピークの強度であり、Iα(110)は、α(110)ピークの強度であり、Iα(040)は、α(040)ピークの強度であり、Iα(130)は、アモルファスハローを減算した後に得られるα(130)ピークの強度である)。β−形態の重量%を、Bに100を乗ずることによって計算した。
本発明のプロピレンホモポリマー(A)は、3.3g/10分のMFR2および18ppmの灰含有量を有する、Borealis AG(オーストリア)の市販製品HC300BFである。
Claims (13)
- a)(i)1.5から10g/10分の範囲のISO1133に従って測定されたメルトフローレートMFR2(230℃)、
(ii)60ppm未満の灰含有量、
を有する95.0〜99.9重量%のプロピレンホモポリマー(A)と、
b)0.1〜5.0重量%の長鎖分岐ポリプロピレン(B)と、
c)1000ppm以下のベータ核形成剤と
を含むポリプロピレン組成物。 - 前記組成物の結晶化温度(Tc)が、120.0〜130.0℃であることを特徴とする、請求項1に記載のポリプロピレン組成物。
- 溶融温度Tmαが、161.0から170.0℃の範囲であり、溶融温度Tmβが、148.0から160.0℃の範囲である、2つの溶融ピークを示すことを特徴とする、請求項1または2に記載のポリプロピレン組成物。
- プロピレンホモポリマー(A)が、96.0%から99.5%のアイソタクチシティを有するアイソタクチックポリプロピレンである、請求項1〜3のいずれか一項に記載のポリプロピレン組成物。
- ISO6427に従って測定された前記プロピレンホモポリマー(A)のキシレン可溶部含有量が、0.3重量%から2.0重量%である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のポリプロピレン組成物。
- 前記長鎖分岐ポリプロピレン(B)が、
a)ISO16790:2005に従って200℃において決定された、少なくとも15cNのF30溶融強度と、
b)ISO16790:2005に従って200℃において決定された、少なくとも200m/sのv30溶融伸張性と
を有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載のポリプロピレン組成物。 - 前記ベータ核形成剤が、5,12−ジヒドロ−キノ[2,3−b]アクリジン−7,14−ジオン(CAS1047−16−1)、キノ[2,3−b]アクリジン−6,7,13,14(5H,12H)−テトロン(CAS1503−48−6)、5,6,12,13−テトラヒドロキノ[2,3−b]アクリジン−7,14−ジオン(CAS5862−38−4)、N,N’−ジシクロヘキシル−2,6−ナフタレンジカルボキサミド(CAS153250−52−3)および少なくとも7個の炭素原子を有するジカルボン酸の周期表のIIa族の金属との塩のいずれか1つまたは混合物を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載のポリプロピレン組成物。
- 前記ポリプロピレン組成物が、60ppm未満の灰含有量を有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載のポリプロピレン組成物。
- 広角X線散乱(WAXS)によって測定された結晶化度(Xc)が、少なくとも55.0%であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載のポリプロピレン組成物を含むキャストフィルム。
- 前記組成物が、広角X線散乱(WAXS)によって測定された10〜50%のβ−形態の結晶の含有量を有することを特徴とする、請求項9に記載のキャストフィルム。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載のポリプロピレン組成物を含有する、二軸配向ポリプロピレンフィルム。
- 前記フィルムが、IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation(2013年)、Vol.20(3)、937〜946頁に記載のような方法および統計的処理に従って、5〜6μmの厚さを有するフィルムで測定された、少なくとも600kV/mmの絶縁破壊電界強度を有することを特徴とする、請求項11に記載の二軸配向ポリプロピレンフィルム。
- コンデンサフィルムとしての請求項11または12に記載の二軸配向ポリプロピレンフィルムの使用。
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