JP2017501661A - Ｒｆ高電力発生のための装置および方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、ＲＦ高電力発生のための装置（１）および方法に関する。当該装置は、複数のＲＦ入力側（３）と１つのＲＦ出力側（４）とを備えている電力結合器（２）と、少なくとも２つの電力増幅器モジュール（５）とを含んでおり、少なくとも２つの電力増幅器モジュール（５）はそれぞれ、伝送線路（６）によって、電力結合器（２）の入力側（３）に電気的に接続されている。方向性結合器（８）が、電力結合器（２）のＲＦ出力側（４）に電気的に接続されており、各伝送線路はＲＦスイッチ（７）を含んでいる。この方法は、電力増幅器モジュール（５）の値を測定し、特定すること、この値を記憶し、電力増幅器モジュール（５）の入力信号に対する補正としてこの値を使用することを含む。

Description

本発明は、ＲＦ高電力発生のための装置および方法に関する。ここでこの装置は、複数のＲＦ入力側と少なくとも１つのＲＦ出力側とを備えた少なくとも１つの電力結合器と、少なくとも２つの電力増幅器モジュールとを含んでいる。これらの電力増幅器モジュールはそれぞれ、少なくとも１つの伝送線路によって、少なくとも１つの電力結合器の入力側に電気的に接続されている。

高周波ＲＦ電力および／またはマイクロ波電力は、適切な発電機によって生成される。高電力用途向けのＲＦ発電機は、管、例えば、クライストロン、誘導出力管またはマグネトロンをベースにしている。択一的に、ソリッドステート技術、特にトランジスタ技術が、ＲＦ発電機に使用される。ソリッドステートＲＦ発電機によって、小さいサイズおよび高い効率を有する、信頼できるＲＦ電力生成が可能になる。トランジスタ技術の欠点は、５００ＭＨｚの周波数で１．５ｋＷまでの範囲にある、トランジスタチップあたりの低いＲＦ電力出力である。比較のために、管技術に対する例としてのクライストロンでは、数メガワットまでのＲＦ電力出力が可能である。

例えば、トランジスタをベースにしたＲＦ発電機で大量の電力を生成するためには、多数のＲＦ発電機が必要である。例えば、プッシュプルまたは均衡した一種のトポロジーをベースにした、１つの電力増幅器ＰＡ内でのトランジスタ群は、システムの複雑性を高め、故障のリスクを高める。トランジスタが１つ故障すると、デバイス全体が交換されなければならない。択一的な方法は、共通の、特に１つの電力結合器を有する、多数の電力増幅器モジュールを使用することである。

モジュール様式の装置では、伝送線路を介して共通の電力結合器に接続されている複数の電力増幅器モジュールからのＲＦ電力が電力結合器内に集められ、高いＲＦ電力になる。例えば、同軸ケーブルおよび／またはストリップラインが伝送線路として使用される。長さおよび特性の違いによって、各伝送線路は、個々の電力損失および装置に対する信号位相シフトを生じさせる。これによって、電力結合器入力側から後方反射された電力が生じ、これは電力増幅器間、すなわちＲＦモジュール間で不均衡に分配され得る。これによってさらに電力損失が生じ、全体的な出力ＲＦ電力が低減し、増幅器の過熱に至ってしまうことがある。

損失を低減または阻止するために、各ＲＦモジュールは、特定の振幅および特定の位相を有する個々の信号を生成するように、別個に構築されなければならない。これは、等しい信号を電力結合器に提供することを目的としている。このような従来技術では、ＲＦモジュールの調整は、手動で行われる。例えば、米国特許出願公開第２０１３０１７０５１２号明細書および米国特許出願公開第２０１３００５１４１６号明細書を参照されたい。全てのＲＦモジュールは、前置増幅された１つの発振器によって同期して供給され、電力結合器に結合されている各ＲＦモジュールの振幅並びに位相が手動で調整される。これは、各ＲＦモジュールの各入力側に接続されている、選択的に可変のインピーダンス回路を用いて行われる。上述した方法は、伝送線路の長さが不変である場合にのみ使用可能である。長さが変わると、新たな調整が必要となる。一旦システムが組み立てられると、調整は困難である。例えば経年劣化による各電子コンポーネントの偏差は、補償不可能であり、損失を増大させる。

択一的に、増幅操作の間、ＲＦモジュール信号の振幅および位相を継続的に観察し、調整することができる。付加的なデバイス、例えば、多数の方向性結合器が必要になり、各ＲＦモジュール出力分岐に組み込まれなければならない。これはコストおよび複雑さを増大させる。

本発明の課題は、上述の問題を克服する、ＲＦ高電力発生のための装置および方法を提供することである。特に、本発明の課題は、組み立て後にも自動的に調整可能である、コスト的に効果の高い、容易に操作可能なアセンブリを提供することである。例えば、コンポーネントの経年劣化および／または接続線路の長さの変化から生じるＲＦ出力電力損失の低減が阻止されるべきであり、電力結合器から最大の出力電力が得られるべきである。本装置および方法は、特にコンポーネントの組み立て後に、柔軟に、いつでも、容易に、多くの労力無く、コンポーネント出力信号を調整することを可能にするはずである。これによって、電力結合器の出力側での電力損失を低減する。

上述した課題は、請求項１に記載されたＲＦ高電力発生のための装置によって、および、請求項６に記載されたＲＦ高電力発生のための方法によって解決される。

本発明の有利な実施形態は、従属請求項に記載されている。独立請求項の特徴は相互に組み合わせ可能であり、かつ、従属請求項の特徴と組み合わせ可能であり、かつ、従属請求項の特徴は相互に組み合わせ可能である。

本発明のＲＦ高電力発生のための装置は、複数のＲＦ入力側と、少なくとも１つのＲＦ出力側とを備えた少なくとも１つの電力結合器と、少なくとも２つの電力増幅器モジュールとを含んでいる。ここで各電力増幅器モジュールは、少なくとも１つの伝送線路によって、少なくとも１つの電力結合器の入力側に電気的に接続されている。少なくとも１つのＲＦスイッチが少なくとも１つの伝送線路に含まれており、少なくとも１つの方向性結合器が、少なくとも１つの電力結合器の少なくとも１つのＲＦ出力側に電気的に接続されている。

上述したＲＦ高電力発生のための装置は、コスト的に効果の高い、容易に操作可能なアセンブリを提供する。このアセンブリは、組み立て後でも、電力出力を最適にするように自動調整可能である。電気的なパラメータ調整するために、少なくとも１つのＲＦスイッチおよび少なくとも１つの方向性結合器を用いて、例えばコンポーネントの経年劣化および／または接続線路の長さの変化から生じるＲＦ出力電力損失の低減が阻止され、電力結合器から最大の出力電力が得られる。特に、装置の組み立て後に、少なくとも２つの電力増幅器モジュールの出力信号を、柔軟に、いつでも、容易に、大きな労力無く変える、かつ、最適化する／同期させることが可能である。これは、電力結合器の出力側での電力損失を低減させる。

ＲＦスイッチは、特にＰＩＮダイオードまたは機械的なスイッチの種類の、外部からコントロールされるＲＦスイッチであり得る。このスイッチは、スイッチオフ状態において、５０ＯＨＭの範囲でのオーム抵抗の機能を示す。外部からのコントロールは、例えばコンピューターを含んでいる、コントロールユニットによって提供され得る。

少なくとも１つの負荷が含まれ得る。この負荷は、少なくとも１つの方向性結合器を介して少なくとも１つの電力結合器の少なくとも１つのＲＦ出力側に電気的に接続されている。ここでこの方向性結合器は、特に、少なくとも１つの出力伝送線路に含まれている。この負荷は、測定理由に対して特定のレジスタであり得る、かつ／または、この負荷は、この装置によって提供されるＲＦ高電力の電気的な受容部等のデバイスであり得る。

少なくとも１つの方向性結合器からの測定値を記憶するためのデバイスが含まれていてよい。これは特に、ＥＰＲＯＭを有するコントロールユニットである。択一的にまたは付加的に、記憶されている値を処理するために、コンピューターがコントロールユニットに含まれていることがある。

特に、コントロールユニットに、振幅Ａ^ＤＣおよび位相Ψ^ＤＣ検出器が含まれていることがある。これは、少なくとも１つの方向性結合器に電気的に接続されており、特に、少なくとも１つの方向性結合器の順方向信号出力側に接続されている。この検出器または振幅Ａ^ＤＣおよび／または位相Ψ^ＤＣを測定するための他のデバイスは、測定後に、特に相次いで、格納デバイス内に格納されている値を提供することができる。これらの値は、各信号増幅器モジュールの補正のための値を特定するために使用される。

特に上述した装置による、本発明のＲＦ高電力発生のための方法は、少なくとも１つのデバイスによって、少なくとも１つのＲＦスイッチを介して少なくとも１つの電力結合器に電気的に接続されている複数の電力増幅器モジュールに対する補正のための値を測定し、特定するステップを有している。さらにこの方法は、これらの値をそれぞれ記憶し、かつ、これらの値を電力増幅器モジュールへの入力信号に対する補正として使用するステップを有している。

特定された、かつ／または、使用されるこの値は、特に、基準モジュールｒと比較した、各電力増幅器モジュールに対する振幅差ΔＡｉおよび位相差ΔΨｉを含み得る。

補正のための値を測定するステップは、Ｎ個の電力増幅器モジュールのために、それぞれ、以下のことを含み得る
・番号ｋのモジュールがスイッチオン状態にされており、振幅Ａｋおよび位相Ψｋを有するＲＦ信号を生成し、ここで番号ｋの対応するＲＦスイッチは通過状態に切り替えられている。また、全ての他のモジュールはオフ状態にされており、かつ／または、対応するＲＦスイッチは負荷状態にあり、ここでは、対応するモジュールからの信号は通過しない
・振幅Ａｋおよび位相Ψｋを、振幅および位相検出器によって測定する

値、振幅Ａｋおよび位相Ψｋを全てのモジュールに対して測定し、それぞれ格納することが可能であり、１つのモジュールｒの値を基準値として選択可能であり、他の全てのモジュールに対して、基準モジュールｒの各値に対する値の差として、振幅差ΔＡｉと位相差ΔΨｉとを特定することができる。

測定の開始時に、最初に測定されたモジュールを基準モジュールとして選択することができ、かつ／または、全ての他のモジュールの値を最初に測定されたモジュールの値と比較し、特に、モジュールｋの測定が終了する度に、振幅差ΔＡｉおよび位相差ΔΨｉを特定し、記憶する。振幅Ａｋおよび位相Ψｋの記憶は、基準モジュールｒを除いて、回避する、または、飛ばすことが可能である。

択一的に全てのモジュールに対して、相次いで、振幅Ａｋおよび位相Ψｋをそれぞれ測定し、記憶することができ、基準モジュールｒは測定後に選択され、特に全てのモジュールの平均値に最も近い値を有するモジュールであり、基準モジュールｒの値に対して相対的に、各モジュールｋに対する振幅差ΔＡｉおよび位相差ΔΨｉが特定され、記憶される。

この方法は、特にコンピューターによってコントロールされる自動化された方法であってよく、かつ／または、特に製造または保守の間に行われる手動による方法であってよい。本発明の装置および自動化された方法を使用することが可能であることによって、装置の使用中にも調整を行うことが可能になる。このような調整は、例えばコンポーネントの経年劣化作用による変化のために必要となる。例えば、保守の間の接続線路の交換後に、装置を容易にかつ迅速に調整することができる。この装置の高出力ＲＦ電力は、全時間、受け取り可能であり、または、時間とともに保たれ、電力損失を回避することができる、または、少なくとも低減することができる。

この方法は、ある期間の後に、特に定期的に繰り返される。

本発明のＲＦ高電力発生のための上述した方法に関連した利点は、ＲＦ高電力発生のための装置に関連して上述した利点と類似しており、また、その逆も言える。

本発明をさらに、以降で、添付図面に示された実施形態を参照して説明する。

本発明のＲＦ高電力発生のための装置１の図

図１には、本発明のＲＦ高電力発生のための装置１が示されている。この装置は、複数のＲＦ入力側３と、１つのＲＦ出力側４とを備えた電力結合器２を含んでいる。各自の出力側を備えた複数の電力増幅器モジュール５は、伝送線路６を介して、それぞれ、電力結合器２の各入力側３に電気的に接続されている。各伝送線路６に１つのＲＦスイッチ７が含まれている。これは、各ＲＦモジュールの出力側と、電力結合器２への各入力側３との間に配置されている。方向性結合器８は、電力結合器２のＲＦ出力側４に電気的に接続されている。これは、出力伝送線路６’内で、出力側４と負荷１１との間に接続されている。振幅Ａ^ＤＣおよび位相Ψ^ＤＣ検出器が、順方向信号方向１０において、方向性結合器８に電気的に接続されている。

図１において第２のモジュール５とＮ番目のモジュール５との間に点線によって示されているように、Ｎ個のＲＦモジュール電力増幅器５が設けられており、電力結合器２のＮ個の入力側３が、電気的にそれぞれ、入力伝送線路６によって、各電力増幅器モジュール５に接続されている。各入力伝送線路６は１つのＲＦスイッチ７を含んでいる。すなわち、スイッチ７は、各モジュール５の出力側と電力結合器２の各入力側３との間に、電気的に中間接続されている。各スイッチ７は他のスイッチから独立してスイッチオンまたはスイッチオフ可能であり、例えば、特にコンピューターを含んでいるコントロールユニットによって外部からコントロールされる。このスイッチは例えば、機械的なスイッチであっても、ＰＩＮダイオードであってもよい。スイッチオフモードにおいて、これは、例えば、５０ＯＨＭの抵抗を示すことができ、各モジュール５と電力結合器２との間の直接的な電気的な接続をスイッチオフする。上述の記載で、および、以降の記載で、表現「スイッチオン」は、ＲＦ信号が通過する状態において使用され、表現「スイッチオフ」は、ＲＦ信号の通過が阻止されている状態において使用される。

各ＲＦモジュール５、例えばモジュールｋは、その特定の振幅Ａｋと位相Ψｋとを伴う固有の低レベルＲＦ信号入力を有する。振幅Ａｋと位相Ψｋは、コントロールユニットによって調整／変更される。コントロールユニットは、簡易化のために図１に示されていない。

電力結合器２の出力側４は、出力伝送線路６’によって、例えば外部の負荷１１に電気的に接続されている。この外部の負荷１１は、医療的なデバイス、または、装置１によって提供される高ＲＦ電力を使用する他の電気的な受容部であり得る。負荷１１と、電力結合器２の出力側４との間に、方向性結合器８が電気的に接続されており、かつ、出力伝送線路６’に含まれている。方向性結合器８の順方向信号１０は、方向性結合器８と振幅Ａ^ＤＣおよび／または位相Ψ^ＤＣ検出器９との間の電気的な接続を用いて伝送される。

検出器は、ＲＦ信号の振幅Ａ^ＤＣおよび／または位相Ψ^ＤＣを、一緒に、または、別個に測定する。ここでこのＲＦ信号は、電力結合器２の出力として提供される。振幅Ａ^ＤＣおよび位相Ψ^ＤＣの値は、例えば、コントロールユニットに含まれているＥＰＲＯＭであるデバイスに記憶され、各モジュール５の振幅Ａ^ＤＣおよび位相Ψ^ＤＣの値を補正するために使用され、それぞれ、装置１から、電力結合器２からの最大のＲＦ出力電力を得る。

電力結合器２は、全ての入力信号が同じ振幅および位相を有している場合に、入力側３からの反射が最小になり、出力側４での電力が最大になるように機能する。種々の電力増幅器モジュール５から延びる伝送線路６は任意に選択可能であるので、電力結合器２の各入力信号に対して種々の振幅減衰ΔＡｉおよび位相シフトΔΨｉを誘起し得る。

基準ＲＦモジュール５の個数はｊであり、これは、全モジュール５の総数Ｎ以下であり、かつ、１以上であり（１≦ｊ≦Ｎ）、全ての他のモジュール５の個数ｉはｊではなく（ｉ≠ｊ）、ここでｉは全モジュール５の総数Ｎ以下であり、かつ、１以上である（１≦ｉ≦Ｎ）。個数ｉである全てのモジュールが、振幅および位相設定の対象である。すなわち、基準モジュール５以外の全ての他のモジュール５に対して、振幅Ａｋおよび位相Ψｋが、調整／変更されなければならない。

全ての信号が等しいことが要求されていることに応じて、すなわち、全モジュール５からの信号が、電力結合器２の各入力側で振幅Ａｋおよび位相Ψｋにおいて等しくあるべきだということに応じて、電力結合器２で最大電力出力を得るために、かつ／または、通常のシステム性能を得るために、全てのＲＦ増幅器モジュール５（モジュール ｉ，１≦ｉ≦Ｎ，ｉ≠ｊ）の振幅Ａｉおよび位相Ψｉが、基準ＲＦモジュール５（モジュール ｊ）に関して、位相減衰ΔＡｉおよび位相シフトΔΨｉによって調整されなければならない。

個々のモジュール５の振幅Ａｋおよび位相Ψｋを、検出器９によって、電力結合器２の出力側４に電気的に接続されている方向性結合器８の順方向信号出力側１０で測定するために、ＲＦスイッチ７が使用される。電力結合器２の出力側で、各モジュール５の振幅Ａｋおよび位相Ψｋを測定することによって、必要な検出器９は１つだけになる。これによってコストと装置１の複雑さが、各個々のモジュール５の振幅Ａｋおよび位相Ψｋを測定するために電力結合器２のそれぞれ１つの入力側３に検出器９が設けられている装置１と比べて、低減される。

スイッチ７の第１の状態でＲＦ信号はＲＦスイッチを通過し、スイッチは、他の第２の状態において、任意の負荷として作用する。スイッチ７は２つの状態において機能することができ、例えば一方では開路として機能し、他方では５０ＯＨＭの負荷として機能する。ＲＦスイッチ７は、例えば、ＰＩＮダイオードまたは機械的な手段によって実現される。

電力結合器２の出力ＲＦ電力を最大にするために、すなわち、全てのモジュール５を振幅Ａｋおよび位相Ψｋにおいて等しくするために、ｊ個の基準モジュール５がスイッチオンされる。すなわち、これが信号を形成する。このモジュールｊの各ＲＦスイッチ７は通過状態にある。すなわち、開放されている。全ての他のモジュール５（モジュール ｉ，１≦ｉ≦Ｎ，ｉ≠ｊ）はオフされ、全ての各ＲＦスイッチ７は、任意の負荷状態にある。すなわち、閉じられている。

振幅Ａ^ＤＣおよび位相Ψ^ＤＣ検出器９、いわゆるＡＰＤは、簡略化のために、全体として図１に示されていないコントロールユニットに含まれており、方向性結合器８からの「順方向」信号１０の振幅Ａｋおよび位相Ψｋを測定する。この特別なケースでは、これは、ｊ個の基準モジュール５の振幅Ａｊおよび位相Ψｊを測定する。

ｊ個の基準モジュール５の振幅Ａｊおよび位相Ψｊの測定された値は、例えばＥＰＲＯＭおよび／またはコントロールユニットに含まれているコンピューターに記憶される。

同じ手法が、全ての他のモジュール５に対して繰り返される。ｉ個のモジュール５がスイッチオンされる。すなわち、これは信号を形成する。このモジュールｉの各ＲＦスイッチ７は通過状態にある。すなわち、開放されている。全ての他のモジュール５はオフにされ、全ての各ＲＦスイッチ７は任意の負荷状態にある。すなわち、閉じられている。振幅Ａ^ＤＣおよび位相Ψ^ＤＣ検出器９は、方向性結合器８からの「順方向」信号１０の、すなわちｉ個のモジュール５の振幅Ａｉおよび位相Ψｉを測定する。ｉ個のモジュール５の振幅Ａｉおよび位相Ψｉの測定された値は記憶される。

全てのＮ個の単独モジュール５に対する振幅Ａｋおよび位相Ψｋの測定が行われ、全ての値が記憶された後、振幅減衰ΔＡｉおよび位相シフトΔΨｉの値が、基準モジュールｊを除いた各単独モジュールｉに対して計算される。値は、全てのＲＦ増幅器モジュールｉ（１≦ｉ≦Ｎ，ｉ≠ｊ）に対して、モジュールｊの値とモジュールｉの値の差として計算される。基準モジュールｊに対する振幅減衰ΔＡｊおよび位相シフトΔΨｊは、零に設定／みなされるべきである。

振幅減衰ΔＡｉおよび位相シフトΔΨｉの値は、関連するＲＦモジュールｉそれぞれに入力されるローレベル入力信号に対する補正信号として使用される。基準モジュールｊに対しては、補正は必要ない。モジュール５は、装置１の使用時に、全てスイッチオンされ、全てのＲＦスイッチは開放状態にある。モジュール５の入力に対して補正を使用した結果、全てのＮ個のモジュール５からの信号の振幅Ａｋおよび位相Ψｋが、電力結合器２の入力側３において等しくなる。電力結合器２の出力電力は、電力結合器２の入力側３での信号における差の削減、各最小化によって最大になる。最大の出力電力が、電気的な受容部／負荷１１によって使用される。

本発明の実施形態の上述した特徴は相互に組み合わせ可能である、かつ／または、従来技術から公知の実施形態と組み合わせ可能である。例えば、電力結合器２における電力損失を最小化する方法の上述したステップを、上述した時間的な順番で、または、異なる時間的な順番で用いることができる。電力結合器２入力側３での信号の較正を、全てのモジュール５で、振幅Ａｋおよび位相Ψｋの任意の、事前に定められた値で、全てのモジュール５に対する全ての値を測定することによって行うことができる。ここでは、基準モジュールｊの値は使用されない。振幅減衰ΔＡｋおよび位相シフトΔΨｋを計算するために、振幅Ａｋおよび位相Ψｋの事前に定められた値が使用され、各測定値によって、全てのモジュール５に対して計算が行われる。

異なる種類のスイッチ７が使用可能である。これは例えば、単純な電子スイッチまたは自動化された機械的なオン／オフスイッチである。接続線路６、６’を例えば、プリント回路基板トラック、金属ワイヤーおよび／または同軸ケーブルの様式で実現することができる。種々の長さおよび寸法、例えば厚さが、接続線路に対して使用可能である。１つよりも多くの電力結合器２および／または１つよりも多くの出力側４が使用可能である。ここでは、各接続された検出器９が設けられている、または、設けられていない。出力電力は、例えば、電力結合器２の完全な出力電力の一部分として測定される。

本発明の上述した装置および方法の利点は、電力結合器入力側３での振幅および位相の平衡化のプロセスが迅速かつ容易になることである。種々の特性を有する伝送線路を用いた独立した伝送線路設計が可能である。ここでは特に、長さ、導電率および／または断面積が異なる伝送線路が用いられる。この方法は自動的に実行されても、または、ある程度手動で実行されてもよい。方法全体を、如何なる自動化されたステップも伴わずに、手動で、例えば保守の間に実行してもよい。これは装置の製造の間、または、保守の間の接続線路等のコンポーネントの取り替え後に、または、例えば定期的な期間の後に、例えばコンポーネントの経年劣化を調整するために行われ得る。

Claims (13)

1. ＲＦ高電力発生のための装置（１）であって、
   当該装置は、複数のＲＦ入力側（３）と少なくとも１つのＲＦ出力側（４）とを備えている少なくとも１つの電力結合器（２）と、少なくとも２つの電力増幅器モジュール（５）とを含んでおり、当該少なくとも２つの電力増幅器モジュール（５）はそれぞれ、少なくとも１つの伝送線路（６）によって、前記少なくとも１つの電力結合器（２）の入力側（３）に電気的に接続されている、ＲＦ高電力発生のための装置において、
   少なくとも１つのＲＦスイッチ（７）が前記少なくとも１つの伝送線路（６）に含まれており、少なくとも１つの方向性結合器（８）が、前記少なくとも１つの電力結合器（２）の前記少なくとも１つのＲＦ出力側（４）に電気的に接続されている、
   ことを特徴とする、ＲＦ高電力発生のための装置。
2. 前記ＲＦスイッチ（７）は外部からコントロールされるＲＦスイッチ（７）であって、特に、前記ＲＦスイッチ（７）の種類はＰＩＮダイオードまたは機械的なスイッチであり、前記ＲＦスイッチ（７）は特に、スイッチオフ状態において、５０オームの範囲のオーム抵抗を有する、請求項１記載の装置（１）。
3. 少なくとも１つの負荷（１１）が含まれており、当該負荷（１１）は、前記少なくとも１つの電力結合器（２）の前記少なくとも１つのＲＦ出力側（４）に前記少なくとも１つの方向性結合器（８）を介して電気的に接続されており、前記方向性結合器（８）は、特に、少なくとも１つの出力伝送線路（６’）に含まれている、請求項１または２記載の装置（１）。
4. 前記少なくとも１つの方向性結合器（８）からの測定値を記憶するためのデバイスが含まれており、当該デバイスは特に、ＥＰＲＯＭを有するコントロールユニットである、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置（１）。
5. 振幅Ａ^ＤＣおよび位相Ψ^ＤＣ検出器（９）が特にコントロールユニットに含まれており、当該コントロールユニットは、前記少なくとも１つの方向性結合器（８）に電気的に接続されており、特に前記少なくとも１つの方向性結合器（８）の順方向信号出力側に接続されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置（１）。
6. 特に、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置（１）によるＲＦ高電力発生のための方法であって、当該方法は、
   少なくとも１つのデバイス（８，９）によって、少なくとも１つのＲＦスイッチ（７）を介して少なくとも１つの電力結合器（２）に電気的に接続されている複数の電力増幅器モジュール（５）の補正のための複数の値を測定し、特定するステップと、
   前記複数の値をそれぞれ記憶し、前記電力増幅器モジュール（５）への入力信号に対する補正として使用するステップとを含む、
   ことを特徴とする、ＲＦ高電力発生のための方法。
7. 前記特定された、かつ／または、使用された値は、基準モジュールｒと比較した、各電力増幅器モジュール（５）それぞれに対する振幅減衰ΔＡｉおよび位相シフトΔΨｉを含んでいる、請求項６記載の方法。
8. Ｎ個の電力増幅器モジュール（５）それぞれに対する補正のために値を測定するステップを含んでおり、
   ・番号ｋのモジュールがスイッチオン状態にされており、振幅Ａｋおよび位相Ψｋを有するＲＦ信号を生成し、ここで番号ｋの対応するＲＦスイッチは通過状態に切り替えられており、全ての他のモジュールはオフ状態にされており、かつ／または、対応するＲＦスイッチは負荷状態にあり、当該負荷状態では、対応する前記モジュールからの信号は通過せず、
   ・振幅Ａｋおよび位相Ψｋを、振幅および位相検出器（９）によって測定する、請求項６または７記載の方法。
9. 前記値、振幅Ａｋおよび位相Ψｋを全てのモジュールに対して測定し、当該値をそれぞれ記憶し、１つのモジュールｒの値を基準値として選択し、他の全てのモジュールに対して、振幅減衰ΔＡｉおよび位相シフトΔΨｉを、前記基準モジュールｒの値に対する差分値として特定する、請求項８記載の方法。
10. 最初に測定されたモジュールを基準モジュールとして選択し、かつ／または、全ての他のモジュールの値を、当該最初に測定されたモジュールの値と比較し、特に、モジュールｋの各測定後に振幅差ΔＡｉと位相差ΔΨｉを特定および記憶し、特にこの際に、前記基準モジュールｒを除いて、振幅Ａｋおよび位相Ψｋを記憶しない、請求項９記載の方法。
11. 全てのモジュール（５）に対して、相次いで、振幅Ａｋおよび位相Ψｋをそれぞれ測定し、かつ、記憶し、
    基準モジュールｒを選択し、当該基準モジュールｒは特に、全てのモジュール（５）の平均値に最も近い値を有するモジュールであり、
    前記基準モジュールｒの値に対して相対的な振幅減衰ΔＡｉおよび位相シフトΔΨｉを各モジュールｋに対して特定し、かつ、記憶する、請求項９記載の方法。
12. 当該方法は、特にコンピューターによってコントロールされる自動化された方法である、かつ／または、特に製造または保守の間に行われる手動による方法である、請求項６から１１までのいずれか１項記載の方法。
13. 当該方法は、ある期間の後に、特に定期的に繰り返される、請求項６から１２までいずれか１項記載の方法。

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