JP2017220945A - 振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器及び振動素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
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特許文献1には、凹陥部に形成された振動部を3つの領域に分割し、各々の領域の板厚を測定後、レジストを保護膜として局部エッチングを施し、平行度を改善する製造方法が開示されている。
圧電振動素子1は、薄肉の振動部12、及び振動部12に連設され、振動部12の厚みよりも厚い厚肉部13を有する圧電基板10と、振動部12の両主面(±Y’方向の表裏面)に夫々対向するようにして形成された励振電極25a、25bと、励振電極25a、25bから厚肉部に設けられたパッド電極29a、29bに向けて、夫々延出されて形成されたリード電極27a、27bと、を備えている。
尚、第1の厚肉部本体14a、第2の厚肉部本体15a、及び第3の厚肉部本体16a(第1、第2及び第3の厚肉部本体14a、15a、16aとも称する)とは、Y’軸に平行な厚みが一定である領域をいう。
また、第1の傾斜部14b、第2の傾斜部15b、及び第3の傾斜部16b(第1、第2及び第3の傾斜部14b、15b、16bとも称する)とは、第1、第2及び第3の厚肉部本体14a、15a、16aと、振動部12と、の間に生じる傾斜面をいう。
振動部12の一方の主面と、第1、第2及び第3の厚肉部14、15、16の夫々の一方の面とは、同一平面上、即ち図1に示す座標軸のX−Z’平面上にあり、この面(図1(b)の−Y’方向にある下面側)をフラット面(平坦面)といい、凹陥部11を有する反対側の面(図1(b)の+Y’方向にある上面側)を凹陥面という。
凹陥面側に形成した励振電極25aから延出したリード電極27aは、振動部12上から第3の傾斜部16bと、第3の厚肉部本体16aとを経由して、第2の厚肉部本体15aの凹陥面に形成されたパッド電極29aに導通接続されている。
また、フラット面側に形成された励振電極25bから延出したリード電極27bは、圧電基板10のフラット面の端縁部を経由して、第2の厚肉部本体15aのフラット面に形成されたパッド電極29bに導通接続されている。
また、リード電極27a、27bの引出し構造の一例であり、リード電極27aは他の厚肉部を経由してもよい。ただ、リード電極27a、27bの長さは最短であることが望ましく、リード電極27a、27b同士が圧電基板10を挟んで交差しないように配慮することにより静電容量の増加を抑えることが望ましい。
更に、励振電極25a、25b、リード電極27a、27b、パッド電極29a、29bは、蒸着装置、或いはスパッタ装置等を用いて、例えば、下地にニッケル(Ni)を成膜し、その上に金(Au)を重ねて成膜してある。尚、電極材料として、下地のニッケル(Ni)の代わりにクロム(Cr)、また、金(Au)の代わりに銀(Ag)、白金(Pt)を用いても構わない。
次に、本発明の一実施形態に係る振動素子の凹陥部の製造方法について、図3に示す振動素子の凹陥部加工の工程断面図で説明する。
先ず、圧電基板10を純水で洗浄し(ST11)、続いて、圧電基板10の表裏の主面に、下地膜32が設けられる。これは耐食膜34となる金(Au)が圧電基板10への付着性が弱いことを補うために設けられ、下地膜32としては、例えば、蒸着装置、或いはスパッタ装置等を用いてクロム(Cr)が成膜されている。その上には、耐食膜34として金(Au)を蒸着装置、或いはスパッタ装置等を用いて成膜する(ST12)。
次に、耐食膜34の表面全体にレジスト36を塗布し(ST13)、露光・現像することで、振動素子の凹陥部形成マスクを形成する(ST14)。
続いて、マスク開口から露出した耐食膜34である金(Au)を、例えば、よう化カリウム溶液を用いて、エッチングし、次いで、硝酸2セリウムアンモニウム溶液により、下地膜32であるクロム(Cr)をエッチングする(ST15)。
次に、マスク開口から露出した圧電基板10を、例えば水晶基板の場合には、フッ化アンモニウム溶液等を用いてエッチングする(ST16)。これにより、圧電基板10に凹陥部11が形成される。
続いて、レジスト36を剥離し、2種類の前記溶液を用いて耐食膜34および下地膜32を全て除去する(ST17)。その後、外形形成工程と電極形成工程とを行うことで、圧電振動素子1が完成する。
ここで、平均板厚値Hと板厚差△Hとについて、QIAJ(日本水晶デバイス工業会)技術基準 QIAJ−B−007「弾性表面波デバイス用単結晶−規格と利用ガイダンス−」 3.7.5 Total Thickness Variation(TTV)に記載のTTV測定(図5)を参照して定義する。平均板厚値Hと板厚差△Hは、振動部12に形成された励振電極25aの外縁に位置する4隅の4ヶ所と、励振電極25aの外縁に沿った4隅の中間点の4ヶ所と、励振電極25aの中心位置の1ヶ所との合計9ヶ所の板厚を測定し、その9ヶ所の板厚より平均板厚値Hを算出し、その9個の板厚の内の最大値と最小値との板厚差を△Hと定義する。また、等価直列インダクタンスの△L1は△H/Hが0.01%以下のサンプル5個の平均値をL1とし、その差を示している。
図4では、振動部12の平行度つまり板厚差△Hが大きくなるのに伴い、等価直列インダクタンスL1が大きくなり、そのばらつきが大きくなる傾向を示している。尚、容量比γ(=C0/C1)に関連する等価直列容量C1は等価直列インダクタンスL1に反比例するため小さくなり、等価並列容量C0は表裏の励振電極25a、25bの対向する面積に相応した静電容量のため一定のままなので、容量比γは増大することになる。容量比γの増大した水晶振動子を電圧制御型水晶発振器(VCXO)に用いた場合、周波数可変特性の周波数可変範囲が狭くなり、また、容量比γのばらつきが大きいと周波数可変範囲のばらつきも大きくなり、特性上の欠点となる。
そのため、製造歩留まりを考慮し、電圧制御型水晶発振器の周波数可変範囲のばらつきを20%以下に抑えようとするには、水晶振動子の等価直列インダクタンスL1のばらつき(△L1/L1)を20%以下にする必要があり、図4より、振動部12における△H/Hを0%<△H/H≦0.085%に抑えることが望ましいと言える。
図6(a)より、△H/Hが大きい場合は、主振動の振動分布が中心より板厚の厚い方へシフトするので、電荷の発生位置が励振電極25a下から無電極部へシフトし、電荷をロスすることとなり主振動のCIが劣化している。そのため、不要なスプリアスのCIが主振動より小さくなり、発振回路に実装した場合、スプリアスの共振周波数で発振してしまい問題となる。また、振動変位分布が非対称となることにより、通常は電荷が相殺されて励起されない斜対称モードのインハーモニックスプリアスも発生し易くなる。しかし、図6(b)の△H/Hが小さい場合は、主振動に対してスプリアスが十分抑制されており、スプリアスで発振する恐れがない。従って、振動部12の△H/Hを小さくすることは不要なスプリアスを抑制する上でも非常に効果がある。
そこで、気泡の付着は水晶表面の疎水性に起因するものと考察し、水晶表面の親水性を高めるために、水晶エッチング槽へ入れる直前に、界面活性剤を含む温水に浸漬するプロセスを追加した。また、エッチング槽内の上下方向でエッチングレートを均一にするのは装置の改造も含め非常に困難なため、水晶エッチングの中間時点でエッチング槽内に設置された水晶基板を上下反転するプロセスを追加した。その結果、気泡の付着が防止され、且つエッチング槽内の上下方向におけるエッチングレートの変化を抑え、凹陥部11でのエッチングレートの均一が図られ、平行度の劣化を防止することができた。
図7は本発明の一実施形態に係る振動素子の凹陥部の製造方法を示す工程断面図である。
図3に示した従来の製造方法とは、圧電基板10の洗浄(ST11)から振動素子の凹陥部形成マスクを形成(ST14)後、耐食膜34の金(Au)と下地膜32のクロム(Cr)をエッチングする(ST15)工程までは、同じである。
その後、圧電基板10のX軸方向またはZ’軸方向を上下方向とし基板保持治具に取り付け、基板保持治具と供に純水で洗浄し、次工程であるエッチング槽内の液温とほぼ同一温度である界面活性剤を含む温水に浸漬する(ST15−1)。これは、基板保持治具と圧電基板10を暖めることでエッチング槽内の液温を一定に保ち、エッチングレートの変化を防止するためである。
次に、マスク開口から露出した圧電基板10をエッチング槽に入れエッチングする(ST16)。
その後、振動部12が所望の板厚になるまでのエッチング加工時間の中間時点で、エッチング槽から基板保持治具と圧電基板10を引き上げ、圧電基板10のX軸方向またはZ’軸方向の上下方向を反転させてから、前記基板保持治具に取り付けて前記温水に浸漬させ、振動部12が所望の板厚になるまでエッチングする(ST16−1)。これにより、圧電基板10に凹陥部11が形成される。
その後は、従来の製造方法と同様に、レジスト36を剥離し、2種類の前記溶液を用いて耐食膜34および下地膜32を全て除去する(ST17)。その後、外形形成工程と電極形成工程とを行うことで、圧電振動素子1が完成する。
なお、振動部12の平行度の劣化を防止するために、図7に示す製造方法ではエッチングの途中で圧電基板10の上下反転を一回のみ実施する方法を示したが、エッチングの途中における圧電基板10の上下反転は一回のみに限定されず、複数回実施してもよい。
図8と図9から、共振周波数が245MHz帯と368MHz帯のATカット水晶振動子では、図7に示す製造方法で試作することにより、振動部12における△H/Hを0%<△H/H≦0.085%の範囲に抑えることができるので、等価直列インダクタンスL1のばらつき(△L1/L1)を20%以下に抑えることが可能である。
しかし、図10に示す491MHz帯のATカット水晶振動子では、全数を振動部12における△H/Hが0%<△H/H≦0.085%の範囲に抑えることができなかった。しかし、0%<△H/H≦0.085%の範囲に納まるものを良品とした場合、歩留まりは94%(良品94個/総数100個)と、図4に示す従来の製造方法による歩留まりの80%(良品80個/総数100個)を大幅に改善しており、図7に示す製造方法は歩留まり改善に非常に効果があると言える。
圧電基板10のポリッシュ加工後の平行度向上や製造工程における凹陥部11のエッチング時に圧電基板10のX軸方向またはZ’軸方向の上下反転を複数回行うことで、エッチング槽内の上下方向における液温の変化によるエッチングレートの変化をより抑えることができるので、凹陥部11内の振動部12における△H/Hを0%<△H/H≦0.085%の範囲内に抑えることが実現可能と考えられる。
圧電振動子2は、圧電振動素子1と、圧電振動素子1を収容するために矩形の箱状に形成されているパッケージ本体40と、金属、セラミック、ガラス等から成る蓋部材49と、で構成されている。
パッケージ本体40は、図11に示すように、第1の基板41と、第2の基板42と、第3の基板43と、シールリング44と、実装端子45と、を積層して形成されている。実装端子45は、第1の基板41の外部底面に複数形成されている。第3の基板43は中央部が除去された環状体であり、第3の基板43の上部周縁に例えばコバール等のシールリング44が形成されている。
第3の基板43と第2の基板42とにより、圧電振動素子1を収容する凹部(キャビティ)が形成される。第2の基板42の上面の所定の位置には、導体46により実装端子45と電気的に導通する複数の素子搭載パッド47が設けられている。素子搭載パッド47は、圧電振動素子1を載置した際に第2の厚肉部本体15aに形成したパッド電極29aに対応するように配置されている。
アニール処理を施した後、励振電極25bに質量を付加するか、又は質量を減じて周波数調整を行う。その後、パッケージ本体40の第3の基板43の上面に形成したシールリング44上に、蓋部材49を載置し、真空中、又は窒素ガスの雰囲気中で蓋部材49をシーム溶接して密封し、圧電振動子2が完成する。又は、パッケージ本体40の上面に塗布した低融点ガラスに蓋部材49を載置し、溶融して密着する方法もある。この場合もパッケージのキャビティ内は真空にするか、又は窒素ガス等の不活性ガスを充填して、圧電振動子2が完成する。
以上の圧電振動子2の実施形態では、パッケージ本体40に積層板を用いた例を説明したが、パッケージ本体40に単層セラミック板を用い、蓋体に絞り加工を施したキャップを用いて圧電振動子2を構成してもよい。
電子デバイス3は、パッケージ本体50と、蓋部材49と、圧電振動素子1と、圧電振動素子1を励振する発振回路を搭載したIC部品51と、電圧により容量が変化する可変容量素子、温度より抵抗が変化するサーミスター、インダクター等の電子部品52の少なくとも1つと、を備えている。
第1の基板61と、第2の基板62と、第3の基板63と、により、圧電振動素子1、IC部品51、および電子部品52などを収容する凹部(キャビティ)が形成される。第2の基板62の上面の所定の位置には、導体46により実装端子45と電気的に導通する複数の素子搭載パッド47が設けられている。素子搭載パッド47は、圧電振動素子1を載置した際に第2の厚肉部本体15aに形成したパッド電極29aに対応するように配置されている。
パッド電極29bとパッケージ本体50の電極端子48とをボンディングワイヤーBWで接続する工法は、圧電振動素子1を支持する部位が一カ所(1点)になり、導電性接着剤30に起因して生じる応力を小さくする。また、パッケージ本体50に収容するに当たり、圧電振動素子1を反転して、より大きな励振電極25bを上面にしたので、電子デバイス3の周波数調整が容易となる。
また、電子デバイス3として、高周波で小型の圧電発振器、温度補償型圧電発振器、電圧制御型圧電発振器等を構成することができる。
図13は、本発明の一実施形態に係る振動素子の一例である圧電振動素子を備える電子機器としてのモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部100を備えた表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する圧電振動素子1が内蔵されている。
デジタルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部100が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部100は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部100に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。また、このデジタルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子1312にはテレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314にはパーソナルコンピューター(PC)1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。このようなデジタルカメラ1300には、フィルター、共振器等として機能する圧電振動素子1が内蔵されている。
Claims (8)
- 厚み滑り振動を励振する振動部と、
前記振動部の表裏の主面に励振電極と、を含む基板を備え、
前記振動部の複数の領域の各々の板厚値より求められた平均板厚値をHとし、
前記振動部の複数の領域の各々の板厚値のうちの最大値と最小値との差である板厚差を△Hとしたとき、
前記Hと前記△Hとの関係が0%<△H/H≦0.085%の範囲にあることを特徴とする振動素子。 - 請求項1において、
前記基板は、
前記振動部と、
前記振動部の外縁と一体化され、前記振動部の厚みよりも厚い厚肉部と、を備えていることを特徴とする振動素子。 - 請求項1又は2において、
共振周波数が200MHz以上であることを特徴とする振動素子。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の振動素子と、
該振動素子を収容するパッケージと、を備えていることを特徴とする振動子。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の振動素子と、
該振動素子を励振する発振回路と、を備えていることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の振動素子を備えていることを特徴とする電子機器。
- 請求項4に記載の振動子、又は請求項5に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
- 開口部を有するマスクが形成されている基板を準備する工程と、
前記基板を界面活性剤が含まれている温水に浸漬する工程と、
前記基板の前記マスクの開口部から露出している領域をエッチングする工程と、を含み、
前記エッチングする工程は、エッチングの途中において、前記基板を上下反転させて、前記温水に浸漬する工程を含むことを特徴とする振動素子の製造方法。
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