JP2017220408A - マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017220408A JP2017220408A JP2016115931A JP2016115931A JP2017220408A JP 2017220408 A JP2017220408 A JP 2017220408A JP 2016115931 A JP2016115931 A JP 2016115931A JP 2016115931 A JP2016115931 A JP 2016115931A JP 2017220408 A JP2017220408 A JP 2017220408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- plasma processing
- slots
- planar antenna
- microwave plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 73
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/3222—Antennas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/004—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by electrons, protons or alpha-particles
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
- G02B6/12009—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides
- G02B6/12011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides characterised by the arrayed waveguides, e.g. comprising a filled groove in the array section
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32229—Waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/082—Transitions between hollow waveguides of different shape, e.g. between a rectangular and a circular waveguide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/06—Cavity resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q21/00—Antenna arrays or systems
- H01Q21/0006—Particular feeding systems
- H01Q21/0031—Parallel-plate fed arrays; Lens-fed arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q21/00—Antenna arrays or systems
- H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
- H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
- H01Q21/064—Two dimensional planar arrays using horn or slot aerials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/04—Fixed joints
- H01P1/045—Coaxial joints
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
図1は本発明の一実施形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。図1のマイクロ波プラズマ処理装置は、RLSA(登録商標)マイクロ波プラズマ処理装置として構成されている。
次に、平面アンテナ31について詳細に説明する。
図2は、図1のマイクロ波プラズマ処理装置に用いられる平面アンテナの一例を示す平面図である。
次に、このように構成されるマイクロ波プラズマ処理装置100の動作について説明する。
次に、実験結果について説明する。
図1に示すマイクロ波プラズマ処理装置において、平面アンテナとして図2に示す本発明例のスロットパターンを有するものと、図5に示す従来のものを用いてプラズマCVDによりSiN膜を成膜した。プラズマ生成ガスとしてArガス、Si原料ガスとしてSiH4、窒素含有ガスとしてN2ガスを用いて、マイクロ波パワー:2000〜5000W、処理温度:200〜600℃、処理圧力:5〜100PaでSiN膜を成膜した。
図6に示すように、ウエハの円周状に等間隔で24点とり、中心から半径147mmの位置の膜厚(オングストローム)を求め、対向する2つの位置の膜厚の平均値を順次求める。
すなわち
(ポジション1の膜厚+ポジション13の膜厚)/2=1127.1
(ポジション2の膜厚+ポジション14の膜厚)/2=1134.8
(ポジション3の膜厚+ポジション15の膜厚)/2=1140.0
(ポジション4の膜厚+ポジション16の膜厚)/2=1140.5
・ ・
・ ・
というように
(ポジション12の膜厚+ポジション24の膜厚)/2まで順次求め、得られた12個のデータの最大値、最小値および平均値を求め、以下の式で算出した。
オーバルスキュー=(最大値−最小値)/平均値×100(%)
オーバルスキューの値が小さいほど膜厚分布が真円に近づき、円周方向の膜厚の均一性が高くなる。
以上、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されることなく、本発明の思想の範囲内において種々変形可能である。
2;サセプタ
5;ヒーター
15;ガス導入部
16;ガス供給機構
24;排気機構
28;マイクロ波透過板
31;平面アンテナ
32;スロット
33;遅波材
37;導波管
38;マッチング回路
39;マイクロ波発生装置
40;モード変換器
50;制御部
60;スロット群
61;スロット対
100;マイクロ波プラズマ処理装置
W;半導体ウエハ(被処理体)
Claims (14)
- 被処理体が収容されるチャンバーと、
マイクロ波を発生させるマイクロ波発生源と、
マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波を前記チャンバーに向けて導く導波手段と、
前記導波手段に導かれたマイクロ波を前記チャンバーに向けて放射する複数のスロットを有する導体からなる平面アンテナと、
前記チャンバーの天壁を構成し、前記平面アンテナの前記複数のスロットから放射されたマイクロ波を透過する、誘電体からなるマイクロ波透過板と、
前記チャンバー内にガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を有し、
前記平面アンテナは、1個または複数個の前記スロットからなる一つのまとまりをなすスロット群を複数有し、該スロット群の円周方向の数が3以上の奇数となるように、前記スロットが形成されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 前記平面アンテナは、前記スロット群の円周方向の数が素数となるように、前記スロットが形成されていることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記平面アンテナは、前記スロット群の円周方向の数が7個となるように、前記スロットが形成されていることを特徴とする請求項2に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記導波手段は、前記マイクロ波発生源から発生したマイクロ波をTEモードで伝播する矩形導波管と、TEモードをTEMモードに変換するモード変換器と、TEMモードに変換されたマイクロ波を前記平面アンテナに向けて伝播する同軸導波管とを有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波プラズマ処理は、前記ガス供給機構から成膜ガスを前記チャンバー内に供給してプラズマCVDにより被処理体に所定の膜を成膜することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記ガス供給機構から供給される成膜ガスは珪素原料ガスおよび窒素含有ガスであり、被処理体に窒化珪素膜が成膜されることを特徴とする請求項5に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記成膜された窒化珪素膜の円周方向の膜厚分布の指標であるオーバルスキューが1.7%以下であることを特徴とする請求項6に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- チャンバー内に被処理体を収容し、
マイクロ波発生源から発生されたマイクロ波を導波手段により導き、
前記導波手段により導かれたマイクロ波を、導体からなる平面アンテナに形成された複数のスロットから放射させ、さらに、前記チャンバーの天壁を構成する誘電体からなるマイクロ波透過板を透過させ、
前記チャンバー内にガスを供給することにより、前記マイクロ波透過板の下方部分に前記マイクロ波によるプラズマを生成させ、
そのプラズマにより被処理基板に所定の処理を施すマイクロ波プラズマ処理方法であって、
前記平面アンテナは、1個または複数個の前記スロットからなる一つのまとまりをなすスロット群を複数有し、該スロット群の円周方向の数が3以上の奇数となるように、前記スロットが形成されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理方法。 - 前記平面アンテナは、前記スロット群の円周方向の数が素数となるように、前記スロットが形成されていることを特徴とする請求項8に記載のマイクロ波プラズマ処理方法。
- 前記平面アンテナは、前記スロット群の円周方向の数が7個となるように、前記スロットが形成されていることを特徴とする請求項9に記載のマイクロ波プラズマ処理方法。
- 前記導波手段は、前記マイクロ波発生源から発生したマイクロ波をTEモードで伝播する矩形導波管と、TEモードをTEMモードに変換するモード変換器と、TEMモードに変換されたマイクロ波を前記平面アンテナに向けて伝播する同軸導波管とを有することを特徴とする請求項8から請求項10のいずれか1項に記載のマイクロ波プラズマ処理方法。
- 前記マイクロ波プラズマ処理は、前記ガス供給機構から成膜ガスを前記チャンバー内に供給してプラズマCVDにより被処理体に所定の膜を成膜することを特徴とする請求項8から請求項11のいずれか1項に記載のマイクロ波プラズマ処理方法。
- 前記ガス供給機構から供給される成膜ガスは珪素原料ガスおよび窒素含有ガスであり、被処理体に窒化珪素膜が成膜されることを特徴とする請求項12に記載のマイクロ波プラズマ処理方法。
- 前記成膜された窒化珪素膜の円周方向の膜厚分布の指標であるオーバルスキューが1.7%以下であることを特徴とする請求項13に記載のマイクロ波プラズマ処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016115931A JP6883953B2 (ja) | 2016-06-10 | 2016-06-10 | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法 |
US15/613,371 US20170358835A1 (en) | 2016-06-10 | 2017-06-05 | Microwave plasma processing apparatus and microwave plasma processing method |
KR1020170072276A KR102004037B1 (ko) | 2016-06-10 | 2017-06-09 | 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016115931A JP6883953B2 (ja) | 2016-06-10 | 2016-06-10 | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017220408A true JP2017220408A (ja) | 2017-12-14 |
JP6883953B2 JP6883953B2 (ja) | 2021-06-09 |
Family
ID=60574114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016115931A Active JP6883953B2 (ja) | 2016-06-10 | 2016-06-10 | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170358835A1 (ja) |
JP (1) | JP6883953B2 (ja) |
KR (1) | KR102004037B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019187987A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェン構造体を形成する方法および装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117457467B (zh) * | 2023-12-19 | 2024-04-19 | 哈尔滨工业大学 | 等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7305935B1 (en) * | 2004-08-25 | 2007-12-11 | The United States Of America As Represented By The Administration Of Nasa | Slotted antenna waveguide plasma source |
WO2011125524A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用誘電体窓、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法 |
JP2013016443A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Tokyo Electron Ltd | アンテナ、誘電体窓、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2013020973A (ja) * | 2012-08-20 | 2013-01-31 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2014075234A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Tokyo Electron Ltd | アンテナ及びプラズマ処理装置 |
JP2015130325A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘電体窓、アンテナ、及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4255563B2 (ja) | 1999-04-05 | 2009-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
JP4062928B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2008-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2006244891A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
KR101176061B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2012-08-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 천판 및 플라즈마 처리 장치 |
-
2016
- 2016-06-10 JP JP2016115931A patent/JP6883953B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-05 US US15/613,371 patent/US20170358835A1/en not_active Abandoned
- 2017-06-09 KR KR1020170072276A patent/KR102004037B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7305935B1 (en) * | 2004-08-25 | 2007-12-11 | The United States Of America As Represented By The Administration Of Nasa | Slotted antenna waveguide plasma source |
WO2011125524A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用誘電体窓、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法 |
JP2013016443A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Tokyo Electron Ltd | アンテナ、誘電体窓、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2013020973A (ja) * | 2012-08-20 | 2013-01-31 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2014075234A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Tokyo Electron Ltd | アンテナ及びプラズマ処理装置 |
JP2015130325A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘電体窓、アンテナ、及びプラズマ処理装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019187987A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェン構造体を形成する方法および装置 |
JP2019178021A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェン構造体を形成する方法および装置 |
KR20200135506A (ko) * | 2018-03-30 | 2020-12-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 그래핀 구조체를 형성하는 방법 및 장치 |
JP7109230B2 (ja) | 2018-03-30 | 2022-07-29 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェン構造体を形成する方法および装置 |
KR102455326B1 (ko) | 2018-03-30 | 2022-10-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 그래핀 구조체를 형성하는 방법 및 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102004037B1 (ko) | 2019-07-25 |
US20170358835A1 (en) | 2017-12-14 |
KR20170140096A (ko) | 2017-12-20 |
JP6883953B2 (ja) | 2021-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10804077B2 (en) | Microwave plasma source, microwave plasma processing apparatus and plasma processing method | |
KR100960424B1 (ko) | 마이크로파 플라즈마 처리 장치 | |
JP6752117B2 (ja) | マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 | |
WO2015037508A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US10017853B2 (en) | Processing method of silicon nitride film and forming method of silicon nitride film | |
JP2007042951A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6700118B2 (ja) | プラズマ成膜装置および基板載置台 | |
JP5096047B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波透過板 | |
JPWO2006064898A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2013045551A (ja) | プラズマ処理装置、マイクロ波導入装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5422396B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JP5374853B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6883953B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法 | |
US10190217B2 (en) | Plasma film-forming method and plasma film-forming apparatus | |
WO2011013633A1 (ja) | 平面アンテナ部材およびこれを備えたプラズマ処理装置 | |
US20110114021A1 (en) | Planar antenna member and plasma processing apparatus including the same | |
JP2013033979A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190311 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210413 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6883953 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |