JP2017218351A - Production method of glass substrate, and glass substrate - Google Patents

Production method of glass substrate, and glass substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2017218351A
JP2017218351A JP2016114925A JP2016114925A JP2017218351A JP 2017218351 A JP2017218351 A JP 2017218351A JP 2016114925 A JP2016114925 A JP 2016114925A JP 2016114925 A JP2016114925 A JP 2016114925A JP 2017218351 A JP2017218351 A JP 2017218351A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass substrate
main surface
etching solution
finely divided
untreated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016114925A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
賢伸 佐治
Masanobu Saji
賢伸 佐治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Electric Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Glass Co Ltd filed Critical Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority to JP2016114925A priority Critical patent/JP2017218351A/en
Publication of JP2017218351A publication Critical patent/JP2017218351A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve production efficiency by uniformly roughening a surface of a large area glass substrate without strength degradation, and conducting treatment necessary for the surface roughening in a short time.SOLUTION: In roughening one main surface Ga of two main surfaces Ga, Gb of a glass substrate G by etching treatment, an atomized etchant E is supplied to the one main surface Ga such that an untreated surface 17 constituting the one main surface Ga just before supply of the atomized etchant E remains between regions to which the atomized etchant E has been adhered.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、ガラス基板の製造方法、及びガラス基板に関し、特にエッチングによるガラス基板の粗面化技術に関する。   The present invention relates to a glass substrate manufacturing method and a glass substrate, and more particularly to a technique for roughening a glass substrate by etching.

例えば無アルカリガラスからなるガラス基板においては、静電気の帯電が問題になることがある。絶縁体であるガラスは非常に帯電し易いが、実質的にアルカリ金属酸化物を含有しない無アルカリガラスは特に帯電し易い性質を持ち、一旦帯電した電荷が逃げることなく保持される傾向が強い。   For example, in a glass substrate made of non-alkali glass, static charging may be a problem. Glass that is an insulator is very easily charged. However, an alkali-free glass that does not substantially contain an alkali metal oxide has a property of being particularly easily charged, and the charged electric charge tends to be held without escaping.

液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどの製造工程において、ガラス基板の帯電は様々な工程において発生しており、問題となっている。特に、成膜工程等における金属又はセラミックス(絶縁体)のプレートとの接触剥離の際に生じるいわゆる剥離帯電が大きな問題となっている。帯電時の電圧は最大で数10kVに達することもあるため、放電によりガラス基板の主表面(定義は後述する。)上に形成した各種素子や電極線、あるいはガラス基板それ自体の破壊(絶縁破壊又は静電破壊)が生じるおそれがある。   In the manufacturing process of a liquid crystal display, an organic EL display, and the like, charging of the glass substrate occurs in various processes, which is a problem. In particular, so-called peeling electrification that occurs at the time of contact peeling with a metal or ceramic (insulator) plate in a film forming process or the like is a serious problem. Since the voltage at the time of charging can reach several tens of kV at the maximum, breakdown (dielectric breakdown) of various elements and electrode wires formed on the main surface (the definition will be described later) of the glass substrate by discharge or the glass substrate itself. Or electrostatic breakdown) may occur.

また、主表面が平滑なガラス基板は、金属又はセラミックスのプレートに貼り付きやすく、これを引き剥がす(剥離する)際にもガラス基板が破損するなどの問題が発生することがある。ガラス基板が帯電していると上述したプレートへの貼り付きを助長させるおそれがある。そのため、ガラス基板とプレートとの接触面積を減少させて、この種の破壊を可及的に防止する目的で、ガラス基板の主表面のうち各種素子や電子回路が形成されない側の主表面に種々の粗面化処理を施すことが行われている。   In addition, a glass substrate having a smooth main surface is likely to stick to a metal or ceramic plate, and problems such as breakage of the glass substrate may occur when the glass substrate is peeled off (peeled). If the glass substrate is charged, there is a risk of promoting sticking to the plate. Therefore, in order to reduce the contact area between the glass substrate and the plate and prevent this kind of breakage as much as possible, various types of main surfaces of the main surface of the glass substrate where various elements and electronic circuits are not formed The roughening process is performed.

具体的には、ガラス基板の両主表面のうちステージに固定する側の主表面に、ロールブラシ等で研磨加工を施すことにより、上記主表面に微小な凹凸を形成する方法(例えば、特許文献1を参照)や、所定の薬液を用いてガラス基板の主表面に浸漬処理を施すことにより、当該主表面を侵食して粗面化を図る方法(例えば、特許文献2を参照)、あるいはフッ素等を含有するガスをソースに用いて大気圧下で発生させたプラズマにより、ガラス基板の主表面に化学処理を施して、当該主表面の表面粗さRaを大きくする方法(例えば、特許文献2を参照)が提案され、あるいは実際に行われている。   Specifically, a method of forming minute irregularities on the main surface by polishing with a roll brush or the like on the main surface fixed to the stage among the two main surfaces of the glass substrate (for example, Patent Documents) 1), a method of immersing the main surface of the glass substrate using a predetermined chemical solution, and eroding the main surface to roughen the surface (for example, see Patent Document 2), or fluorine. A method of increasing the surface roughness Ra of the main surface by subjecting the main surface of the glass substrate to chemical treatment with a plasma generated under atmospheric pressure using a gas containing gas as a source (for example, Patent Document 2) Have been proposed or actually made.

特開2001−343632号公報JP 2001-343632 A 特許第5679513号公報Japanese Patent No. 5679513

しかしながら、特許文献1に記載のように物理的な粗面化(研磨による粗面化)処理を行う場合、処理を施したガラス基板の主表面に潜傷と呼ばれる微細なクラックが発生することがある。この種のクラックはガラス基板の強度低下を招くおそれがある。   However, when performing physical roughening (roughening by polishing) as described in Patent Document 1, fine cracks called latent scratches may occur on the main surface of the treated glass substrate. is there. This type of crack may cause a reduction in strength of the glass substrate.

特許文献2に記載のように薬液を用いた化学処理(浸漬処理)であれば、潜傷の如き微細なクラックが発生することはないため、強度低下を招くことなく粗面化処理を施すことができる。しかしながら、薬液を用いてガラス基板に浸漬処理を施す場合には、薬液の飛散等がガラス基板の優先保証面(ここでは処理対象となる側の主表面とは反対側の主表面)に及ぼす影響や作業環境の安全性について留意する必要が生じ、結果として作業効率の低下や安全対策のためのコストアップといった問題が生じる。加えて、近年の液晶ディスプレイ用ガラス基板の巨大化(2m角を超えるサイズ)を考慮した場合、上述した浸漬処理等のいわゆるウェットプロセスでは、大面積のガラス基板の主表面に対して均一に化学処理を施すことが非常に困難であった。   If chemical treatment (immersion treatment) using a chemical solution as described in Patent Document 2, fine cracks such as latent scratches do not occur, and therefore surface roughening treatment is performed without causing strength reduction. Can do. However, when immersion treatment is performed on a glass substrate using a chemical solution, the influence of the scattering of the chemical solution on the priority guarantee surface of the glass substrate (here, the main surface opposite to the main surface to be processed) In addition, it is necessary to pay attention to the safety of the work environment, resulting in problems such as a reduction in work efficiency and an increase in cost for safety measures. In addition, considering the recent increase in the size of glass substrates for liquid crystal displays (sizes exceeding 2 m square), the so-called wet process such as the dipping process described above can be performed uniformly on the main surface of a large area glass substrate. It was very difficult to process.

一方、フッ素を含有するガスをソースに用いた大気圧プラズマによる化学処理は、上述した浸漬処理に比べて、大面積のガラス基板の主表面を化学処理するのに適しているものの、上記主表面を処理するソースがガスであるために、どうしても意図しない化学処理の偏りが生じる問題があった。また、ガスをソースとした化学処理であるために当該処理に要する時間が長く、生産効率の面で問題があった。   On the other hand, the chemical treatment by atmospheric pressure plasma using a fluorine-containing gas as a source is suitable for chemically treating the main surface of a glass substrate having a large area as compared with the immersion treatment described above, but the main surface Since the source for treating the gas is a gas, there is a problem that unintentional chemical treatment bias occurs. Further, since the chemical treatment is performed using gas as a source, the time required for the treatment is long, and there is a problem in terms of production efficiency.

以上の事情に鑑み、本明細書では、強度低下を招くことなく大面積のガラス基板を均一に粗面化すると共に、当該粗面化に必要な処理を短時間で行うことで、生産効率の向上を図ることを、解決すべき技術的課題とする。   In view of the above circumstances, in the present specification, the glass substrate having a large area is uniformly roughened without causing a reduction in strength, and the processing necessary for the roughening is performed in a short time, thereby improving the production efficiency. Improvement is a technical issue to be solved.

前記技術的課題の解決は、本発明に係るガラス基板の製造方法により達成される。すなわち、この製造方法は、ガラス基板の二つの主表面のうち一方の主表面にエッチング処理を施して粗面化を図るに際して、一方の主表面に微粒子化したエッチング液を供給して、微粒子化したエッチング液が付着した領域の間に、微粒子化したエッチング液を供給する直前の一方の主表面を構成する未処理面が残るようにした点をもって特徴付けられる。なお、本明細書における「主表面」とは、ガラス基板の表面のうち、ガラス基板の厚み方向で互いに反対の向きを指向する二つの表面を意味する。また、本明細書でいう「未処理面」には、ガラス基板の成形面(火造り面ともいう。)や、成形後に研磨加工を施した際の痕跡が残る研磨面などが含まれる。   The solution of the technical problem is achieved by the glass substrate manufacturing method according to the present invention. That is, in this manufacturing method, when one of the two main surfaces of the glass substrate is subjected to etching treatment to roughen the surface, a finely divided etching solution is supplied to one of the main surfaces to form fine particles. It is characterized in that an untreated surface constituting one main surface immediately before supplying the finely divided etching solution remains between the regions where the etched etching solution is adhered. In addition, the “main surface” in the present specification means two surfaces of the surface of the glass substrate that are oriented in opposite directions in the thickness direction of the glass substrate. In addition, the “untreated surface” in the present specification includes a molded surface (also referred to as a fired surface) of a glass substrate, a polished surface in which a trace is left after polishing after forming.

本発明者は、上述した化学処理による粗面化技術について鋭意検討した結果、従来のように浸漬によりガラス基板の表面全域を侵食せずとも、微小な腐食領域がランダムに分布した状態であれば、剥離帯電を効果的に抑制し得る程度にプレート等との接触面積を低減し得ることを知得した。本発明は、当該知見に基づきなされたもので、微粒子化したエッチング液の供給により一方の主表面にエッチング処理を施すようにした。これにより、例えばランダムに分布した腐食領域としての多数の腐食面を一方の主表面に形成することができる。従って、一方の主表面全域に対してエッチング液による均一な粗面化処理を施すことができる。加えて、本発明では、エッチング液が付着した領域の間に未処理面が残るようにエッチング液を供給するようにしたので、主表面全域にエッチング液が付着するような過剰なエッチング処理を避けて、粗面化のための必要最小限のエッチング処理で済ますことができる。これにより、微粒子化したエッチング液の供給に要する時間、並びにエッチング液が付着した後の腐食面の形成に要する時間を短縮することができ、作業時間の短縮、ひいては生産効率の向上を図ることができる。また、未処理面が残るように微粒子化したエッチング液を供給することで、浸漬処理と比べてエッチング液の使用量を減らすことができ、これにより作業コストだけでなく作業環境の安全性向上を図ることも可能となる。もちろん、エッチング液による化学処理で粗面化を図るのであれば、研磨による粗面化処理の場合のようにガラス基板の主表面に潜傷などの微細なクラックが形成される心配もないので、ガラス基板の強度低下を招くことなく粗面化を図ることが可能となる。   As a result of earnestly examining the surface roughening technology by the chemical treatment described above, the present inventor has found that even if the entire surface of the glass substrate is not eroded by immersion as in the prior art, the minute corrosion areas are randomly distributed. It has been found that the contact area with a plate or the like can be reduced to such an extent that peeling charge can be effectively suppressed. The present invention has been made on the basis of the above knowledge, and one main surface is etched by supplying finely divided etching solution. Thereby, for example, a large number of corroded surfaces as randomly distributed corroded areas can be formed on one main surface. Accordingly, the entire surface of one main surface can be uniformly roughened with the etching solution. In addition, in the present invention, since the etching solution is supplied so that the untreated surface remains between the regions where the etching solution is adhered, an excessive etching process in which the etching solution adheres to the entire main surface is avoided. Therefore, the etching process can be performed with the minimum necessary for roughening. As a result, the time required for supplying the finely divided etching solution and the time required for forming the corroded surface after the etching solution is attached can be shortened, and the working time can be shortened and thus the production efficiency can be improved. it can. In addition, by supplying finely divided etchant so that the untreated surface remains, the amount of etchant used can be reduced compared to immersion treatment, which improves not only the work cost but also the safety of the work environment. It is also possible to plan. Of course, if the surface is roughened by chemical treatment with an etchant, there is no concern that fine cracks such as latent scratches will be formed on the main surface of the glass substrate as in the case of surface roughening by polishing. It becomes possible to roughen the surface without reducing the strength of the glass substrate.

また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、未処理面が、一方の主表面全体に対する面積比で10%以上かつ90%以下の割合で残るようにしたものであってもよい。なお、本明細書でいう面積比は、例えば菱光社製VertScan5300GL−A150−ACを使用し、ベアリング解析で任意の位置を10回計測して得た値の平均値をとることにより取得した。 Moreover, the manufacturing method of the glass substrate which concerns on this invention may leave the untreated surface in the ratio of 10% or more and 90% or less by the area ratio with respect to the whole one main surface. In addition, the area ratio as used in the present specification was obtained by, for example, using VertScan 5300GL-A150-AC manufactured by Ryoko Co., Ltd. and taking an average value of values obtained by measuring an arbitrary position 10 times by bearing analysis.

このように、一方の主表面全体に対する未処理面の面積比が90%以下となるように、言い換えると、微粒子化したエッチング液による化学処理を施す面の割合が10%以上となるようにエッチング処理を施すことにより、プレートなどガラス基板の製造工程でガラス基板の一方の主表面と接触する可能性のある相手部材との接触面積を効果的に低減して、実効性ある剥離帯電の抑制効果を享受することが可能となる。また、未処理面が上記面積比で10%以上残るようにエッチング処理を施すことで、既に微粒子化したエッチング液が付着した領域に新たな微粒子化したエッチング液が付着する(多重に付着する)事態を可及的に抑止して、エッチング液により腐食した領域としての腐食面を偏ることなく均等に分散した状態で形成することができる。   Thus, the etching is performed so that the area ratio of the untreated surface to the entire main surface is 90% or less, in other words, the ratio of the surface subjected to chemical treatment with the finely divided etching solution is 10% or more. By performing the treatment, it is possible to effectively reduce the contact area with the mating member that may come into contact with one main surface of the glass substrate in the manufacturing process of the glass substrate such as a plate, and to effectively suppress the peeling charge. Can be enjoyed. Further, by performing an etching process so that the untreated surface remains at 10% or more in the above-mentioned area ratio, new finely divided etching liquid adheres to the area where the finely divided etching liquid has adhered (multiple adhesion). The situation can be suppressed as much as possible, and the corroded surface as a region corroded by the etching solution can be formed evenly distributed without being biased.

また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、中心粒径が1μm以上かつ100μm以下の微粒子化したエッチング液を一方の主表面に供給するものであってもよい。なお、本明細書でいう中心粒径はいわゆる50%粒径のことであり、例えばレーザー回折法により測定した。   Moreover, the manufacturing method of the glass substrate which concerns on this invention may supply the etching liquid atomized with the center particle diameter of 1 micrometer or more and 100 micrometers or less to one main surface. In addition, the center particle diameter as used in this specification is what is called a 50% particle diameter, for example, measured by the laser diffraction method.

このように、中心粒径が1μm以上の微粒子化したエッチング液を使用することで、腐食に必要な大きさ(量)のエッチング液を一方の主表面に付着させることができる。また、微粒子化したエッチング液の中心粒径を100μm以下にすることで、適当な数の腐食面を偏りなく一方の主表面にランダムに分布させることができる。   Thus, by using the finely divided etching solution having a center particle diameter of 1 μm or more, an etching solution having a size (amount) necessary for corrosion can be attached to one main surface. Further, by setting the center particle size of the finely divided etching solution to 100 μm or less, an appropriate number of corroded surfaces can be distributed randomly on one main surface without being biased.

また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、一方の主表面に対する微粒子化したエッチング液の供給範囲が重複しないように、微粒子化したエッチング液を供給するものであってもよい。   Moreover, the manufacturing method of the glass substrate which concerns on this invention may supply the atomized etching liquid so that the supply range of the atomized etching liquid with respect to one main surface may not overlap.

このように、微粒子化したエッチング液の供給範囲を定めることにより、所定の大きさに微粒子化したエッチング液を偏りなく一方の主表面に付着させることができる。よって、ランダムに腐食面が分布し、これら腐食面の間に未処理面が残る形態を安定的に形成することができる。   In this way, by defining the supply range of the finely divided etching solution, the finely divided etching solution can be adhered to one main surface without unevenness. Therefore, it is possible to stably form a form in which corroded surfaces are randomly distributed and untreated surfaces remain between these corroded surfaces.

また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、微粒子化したエッチング液をライン状に噴射可能なノズルを、ガラス基板の一方の主表面側に配置し、ノズルをガラス基板に対して一方の主表面に沿った所定の向きに相対移動させながら、微粒子化したエッチング液を一方の主表面に向けて噴射供給するものであってもよい。   Further, in the method for producing a glass substrate according to the present invention, a nozzle capable of spraying the finely divided etching solution in a line shape is arranged on one main surface side of the glass substrate, and the nozzle is arranged on one main surface with respect to the glass substrate. The finely divided etching solution may be sprayed and supplied toward one main surface while being relatively moved in a predetermined direction along the surface.

このように微粒子化したエッチング液を噴射供給することにより、ライン状をなすエッチング液をガラス基板の一方の主表面の全域にわたってかつ供給範囲が重複することなく一方の表面に付着させることができる。これにより、簡易な作業で、大面積のガラス基板に対しても腐食面をランダムに分布させることができ、均一な粗面化処理を施すことが可能となる。   By injecting and supplying the finely divided etching solution, the line-like etching solution can be attached to one surface over the entire area of one main surface of the glass substrate without overlapping the supply range. Thereby, the corroded surface can be distributed randomly even on a large-area glass substrate by a simple operation, and a uniform roughening treatment can be performed.

また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、微粒子化したエッチング液がフッ化水素酸を含み、エッチング液におけるフッ化水素酸の濃度が0.1質量%以上かつ10質量%以下に設定されるものであってもよい。   In the method for producing a glass substrate according to the present invention, the finely divided etching solution contains hydrofluoric acid, and the concentration of hydrofluoric acid in the etching solution is set to 0.1 mass% or more and 10 mass% or less. It may be a thing.

このようにエッチング液の組成及び濃度を設定することにより、例えば上記エッチングプロセスを生産ラインに組み込む場合に、生産ラインの速度に合わせてエッチング処理を行うことができ、かつその際の粗面化を所望のレベルで行うことが可能となる。   By setting the composition and concentration of the etching solution in this way, for example, when the above etching process is incorporated into a production line, the etching process can be performed in accordance with the speed of the production line, and the roughening at that time can be performed. It becomes possible to carry out at a desired level.

また、前記課題の解決は、本発明に係るガラス基板によっても達成される。すなわちこのガラス基板は、二つの主表面を有するガラス基板において、二つの主表面のうち一方の主表面が、未処理面と、未処理面の間に存在し未処理面よりもガラス基板の板厚方向中央側に後退している腐食面とを有する点をもって特徴付けられる。   Moreover, the solution of the said subject is achieved also by the glass substrate which concerns on this invention. That is, this glass substrate is a glass substrate having two main surfaces, and one main surface of the two main surfaces exists between the unprocessed surface and the unprocessed surface, and is a plate of the glass substrate than the unprocessed surface. It is characterized by having a corroded surface that recedes to the center in the thickness direction.

このように、本発明に係るガラス基板は、本発明に係るガラス基板の製造方法と同様に、上述した本発明者の知見に基づきなされたもので、一方の主表面が、未処理面と、未処理面よりもガラス基板の板厚方向中央側に後退している腐食面とを有することを特徴とする。このように未処理面の間に腐食面が存在することで、一方の主表面が粗面化された状態となる。また、未処理面の間に腐食面が存在するように腐食面を分布して形成することで、一方の主表面を均一に粗面化された状態にすることができる。また、上述のように腐食面が分布するように腐食処理(エッチング処理)を施すのであれば、一方の主表面全域にエッチング液が付着するような過剰なエッチング処理を避けて、粗面化のための必要最小限のエッチング処理で済ますことができる。これにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができ、作業時間の短縮、ひいては生産効率の向上を図ることができる。また、未処理面が存在するように腐食面を形成するのであれば、例えば浸漬処理と比べてエッチング液の使用量を減らすこともでき、これにより作業コストだけでなく作業環境の安全性向上を図ることも可能となる。もちろん、エッチング液による化学処理で粗面化を図るのであれば、研磨による粗面化処理の場合のようにガラス基板の表面に潜傷などの微細なクラックが形成される心配もないので、ガラス基板の強度低下を招くことなく粗面化を図ることが可能となる。   Thus, the glass substrate according to the present invention was made based on the knowledge of the inventor described above, as in the method for producing a glass substrate according to the present invention, and one main surface is an untreated surface, It has a corroded surface that recedes from the untreated surface to the center side in the plate thickness direction of the glass substrate. Thus, the presence of a corroded surface between untreated surfaces results in a roughened state of one main surface. Further, by forming the corroded surface in such a manner that the corroded surface exists between the untreated surfaces, one main surface can be uniformly roughened. Further, if the corrosion treatment (etching treatment) is performed so that the corrosion surface is distributed as described above, an excessive etching treatment in which an etching solution adheres to the entire area of one main surface is avoided, and the roughening is performed. Therefore, it can be done with the minimum necessary etching process. As a result, the time required for the etching process can be shortened, the working time can be shortened, and the production efficiency can be improved. In addition, if the corroded surface is formed so that there is an untreated surface, for example, the amount of etching solution used can be reduced compared to immersion treatment, which improves not only the work cost but also the safety of the work environment. It is also possible to plan. Of course, if the surface is roughened by a chemical treatment with an etchant, there is no concern that fine cracks such as latent scratches will be formed on the surface of the glass substrate as in the case of a surface roughening treatment by polishing. It becomes possible to roughen the surface without reducing the strength of the substrate.

また、本発明に係るガラス基板は、未処理面の、一方の主表面全体に占める面積比が10%以上かつ90%以下であってもよい。   Moreover, the glass substrate which concerns on this invention may be 10% or more and 90% or less of the area ratio which occupies for the whole one main surface of an untreated surface.

このように、一方の主表面全体に対する未処理面の面積比が90%以下となるように、言い換えると、微粒子化したエッチング液による化学処理を施す面の割合が10%以上となるように腐食面を形成することにより、プレートなどガラス基板の製造工程でガラス基板の一方の主表面と接触する可能性のある相手部材との接触面積を効果的に低減して、実効性ある剥離帯電の抑制効果を享受することが可能となる。また、未処理面の面積比が10%以上あれば、例えば微粒子化したエッチング液の噴射供給により腐食面を偏りなく適度に分散した状態で形成することができる。   Thus, corrosion is performed so that the area ratio of the untreated surface to the whole of one main surface is 90% or less, in other words, the ratio of the surface subjected to chemical treatment with the finely divided etching solution is 10% or more. By forming the surface, it is possible to effectively reduce the contact area with the mating member that may come into contact with one of the main surfaces of the glass substrate in the glass substrate manufacturing process, such as a plate, and to suppress effective peeling charging. It is possible to enjoy the effect. Further, if the area ratio of the untreated surface is 10% or more, for example, the corroded surface can be formed in a properly dispersed state without unevenness by spraying and supplying finely divided etching solution.

また、本発明に係るガラス基板は、未処理面と腐食面との高低差が1nm以上かつ120nm以下であってもよい。   In the glass substrate according to the present invention, the height difference between the untreated surface and the corroded surface may be 1 nm or more and 120 nm or less.

プレート等の相手部材との接触面積を低減して剥離帯電の抑制を図る目的に鑑みて、未処理面と腐食面との高低差が少なくとも1nm以上あれば、プレート等の相手部材との接触面積を低減して剥離帯電の抑制を図ることができる。また、未処理面と腐食面との高低差が120nm以下となるよう、腐食面をエッチング処理等で形成するのであれば、エッチング処理により腐食面を形成するのに要する時間を短くできる。よって、生産ラインにエッチング工程を組み込んで効率よく腐食面の形成、すなわち粗面化処理を施すことが可能となる。   In view of the purpose of reducing peeling charge by reducing the contact area with a mating member such as a plate, if the height difference between the untreated surface and the corroded surface is at least 1 nm, the contact area with the mating member such as a plate It is possible to reduce the peeling electrification. Further, if the corroded surface is formed by an etching process or the like so that the height difference between the untreated surface and the corroded surface is 120 nm or less, the time required for forming the corroded surface by the etching process can be shortened. Therefore, it is possible to efficiently form a corroded surface, that is, to roughen the surface by incorporating an etching process into the production line.

また、本発明に係るガラス基板は、未処理面の、一方の主表面全体に占める面積比が70%以上かつ90%以下で、腐食面がディンプル形状をなすものであってもよい。また、この場合、ディンプル形状をなす腐食面の内径寸法の平均値が5μm以上かつ1000μm以下であってもよい。なお、ここでいう内径寸法とは、ディンプル形状をなす腐食面を平面視した状態における外接円直径を意味する。   The glass substrate according to the present invention may have an untreated surface with an area ratio of 70% or more and 90% or less of the entire main surface, and the corroded surface may be dimple-shaped. In this case, the average value of the inner diameter dimension of the corroded surface having a dimple shape may be not less than 5 μm and not more than 1000 μm. Here, the inner diameter dimension means a circumscribed circle diameter in a plan view of a corroded surface having a dimple shape.

このように、未処理面の一方の主表面全体に占める面積比が70%以上かつ90%以下であれば、比較的安定して多数の腐食面をディンプル形状にすることができる。言い換えると、例えばエッチング液を微粒子化して一方の主表面に供給する際、上述の面積比となるようにエッチング液の供給態様を調整することで、エッチング液の供給範囲が重複することなく、確実に微粒子化したエッチング液をランダムに分散した状態で供給することができる。よって、ある程度大きさの整った多数の腐食面を偏りなく均一に形成することができ、これにより一方の主表面が均一に粗面化された状態にすることができる。また、この際、ディンプル形状をなす腐食面の内径寸法の平均値が上述の範囲内に収まるように腐食面を形成することで、一方の主表面に多数の腐食面が偏りなくランダムに分布した状態を安定して作り出すことができる。   Thus, if the area ratio of the untreated surface to the entire main surface is 70% or more and 90% or less, a large number of corroded surfaces can be formed in a dimple shape relatively stably. In other words, for example, when the etching solution is atomized and supplied to one main surface, the supply range of the etching solution can be reliably ensured by adjusting the supply mode of the etching solution so that the above-mentioned area ratio is obtained. The finely divided etching solution can be supplied in a randomly dispersed state. Therefore, a large number of corroded surfaces having a certain size can be formed uniformly without unevenness, whereby one main surface can be uniformly roughened. At this time, by forming the corroded surface so that the average inner diameter of the dimple-shaped corroded surface is within the above range, a large number of corroded surfaces are randomly distributed on one main surface. The state can be created stably.

あるいは、本発明に係るガラス基板は、未処理面の、一方の主表面全体に占める面積比が10%以上かつ30%以下で、未処理面は島形状をなすものであってもよい。また、この場合、本発明に係るガラス基板は、島形状をなす未処理面の外径寸法の平均値が5μm以上かつ1000μm以下であってもよい。なお、ここでいう外径寸法とは、島形状をなす未処理面を平面視した状態における外接円直径を意味する。   Alternatively, in the glass substrate according to the present invention, the area ratio of the untreated surface to the entire one main surface may be 10% or more and 30% or less, and the untreated surface may have an island shape. In this case, the glass substrate according to the present invention may have an average value of the outer diameter of the unprocessed surface having an island shape of 5 μm or more and 1000 μm or less. Here, the outer diameter dimension means a circumscribed circle diameter in a state in which an unprocessed surface having an island shape is viewed in a plan view.

このように、未処理面の面積比を10%以上かつ30%以下にすることで、未処理面を島形状とし、かつこの島形状をなす未処理面を偏りなく適度に分散した状態で形成することができる。これにより、プレート等の相手部材との接触面積を可及的に低減しつつも、一方の主表面が均一に粗面化した状態にすることができる。   In this way, by setting the area ratio of the untreated surface to 10% or more and 30% or less, the untreated surface is formed into an island shape, and the untreated surface forming this island shape is formed in a state of being moderately dispersed without unevenness. can do. Thereby, one main surface can be made into the state roughened uniformly, reducing the contact area with counterpart members, such as a plate, as much as possible.

以上に述べたように、本発明によれば、強度低下を招くことなく大面積のガラス基板を均一に粗面化すると共に、当該粗面化に必要な処理を短時間で行うことで、生産効率の向上を図ることが可能となる。   As described above, according to the present invention, a large-area glass substrate is uniformly roughened without causing a reduction in strength, and the processing necessary for the roughening is performed in a short time, thereby producing Efficiency can be improved.

本発明の一実施形態に係るガラス基板のエッチング処理工程の側面図である。It is a side view of the etching process process of the glass substrate which concerns on one Embodiment of this invention. 図1に示すエッチング処理工程のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of the etching process shown in FIG. 図2に示すエッチング処理工程を矢印Bの方向から見た図である。FIG. 3 is a view of the etching treatment process shown in FIG. 図1に示すエッチング処理工程の変形例を示す要部拡大側面図である。It is a principal part expanded side view which shows the modification of the etching process shown in FIG. 図2に示すガラス基板の一方の主表面のC部拡大図である。It is the C section enlarged view of one main surface of the glass substrate shown in FIG. 図5に示すガラス基板の一方の主表面の要部のD−D断面図である。It is DD sectional drawing of the principal part of one main surface of the glass substrate shown in FIG. 本発明の他の実施形態に係るガラス基板の一方の主表面の要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of one main surface of the glass substrate which concerns on other embodiment of this invention. 図7に示すガラス基板の一方の主表面の要部のE−E断面図である。It is EE sectional drawing of the principal part of one main surface of the glass substrate shown in FIG.

以下、本発明の一実施形態を、図1〜図6を参照して説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図1は、本発明の一実施形態に係るガラス基板Gのエッチング工程及びこの工程に使用するエッチング処理装置10の側面図である。このエッチング処理装置10は、ガラス基板Gの一方の主表面Gaに対して微粒子化したエッチング液Eを供給するエッチング液供給装置11と、ガラス基板Gをエッチング液供給装置11に対して所定の方向に相対移動させる移動装置12と、ガラス基板Gの一方の主表面Gaのうちエッチング液Eが供給された領域に対して例えば水などの洗浄液Wを供給する洗浄装置13とを備える。   FIG. 1 is a side view of an etching process of a glass substrate G and an etching processing apparatus 10 used in this process according to an embodiment of the present invention. The etching processing apparatus 10 includes an etching liquid supply device 11 that supplies finely divided etching liquid E to one main surface Ga of the glass substrate G, and a predetermined direction of the glass substrate G with respect to the etching liquid supply apparatus 11. And a cleaning device 13 that supplies a cleaning solution W such as water to a region of the one main surface Ga of the glass substrate G to which the etching solution E is supplied.

ここでエッチング処理の対象となるガラス基板Gは、例えば以下の組成並びに形態をなす。   Here, the glass substrate G to be subjected to the etching treatment has, for example, the following composition and form.

ガラス基板Gは、例えば下記酸化物換算の質量%で、SiO:60〜75%、Al:5〜20%、B:0〜15%、MgO:0〜10%、CaO:0〜15%、SrO 0〜10%、BaO 0〜10%含有するガラス組成を採ることができる。また、この際、実質的にアルカリ金属酸化物を含有しないガラス組成を採ることも可能である。ここで、「実質的にアルカリ金属酸化物を含有しない」とは、ガラス組成中のアルカリ金属酸化物の含有量が3000ppm以下(好ましくは1000ppm以下)であることを意味する。 Glass substrate G, for example, by mass% terms of oxide, SiO 2: 60~75%, Al 2 O 3: 5~20%, B 2 O 3: 0~15%, MgO: 0~10%, CaO: 0 to 15%, SrO 0 to 10%, BaO 0 to 10% glass composition can be taken. At this time, it is also possible to adopt a glass composition that does not substantially contain an alkali metal oxide. Here, “substantially no alkali metal oxide” means that the content of the alkali metal oxide in the glass composition is 3000 ppm or less (preferably 1000 ppm or less).

ガラス基板Gのエッチング処理の対象となる一方の主表面Ga(図1では下方を向いている)の算術平均粗さRaは0.2nm以下に設定される。また、一方の主表面Gaとガラス基板Gの厚み方向で反対の向きを指向し、エッチング処理の対象とならない他方の主表面Gb(図1では上方を向いている)の算術平均粗さRaも0.2nm以下に設定される。一方の主表面Gaの表面粗さが上述のレベル程度に平滑であれば、後述する微粒子化したエッチング液Eの付着態様が安定する。また、他方の主表面Gbは、各種素子や電極線、電子回路等が形成される側の主表面であるから、その表面粗さ(算術平均粗さRa)を上述の範囲に設定することにより、上述した素子や電子回路等を高精度に形成することが可能となる。   The arithmetic average roughness Ra of one main surface Ga (facing downward in FIG. 1) to be subjected to the etching process of the glass substrate G is set to 0.2 nm or less. Also, the arithmetic mean roughness Ra of the other main surface Gb (facing upward in FIG. 1) that is directed in the opposite direction in the thickness direction of one main surface Ga and the glass substrate G and that is not subject to etching processing is also It is set to 0.2 nm or less. If the surface roughness of one main surface Ga is smooth to the above-mentioned level, the adhesion mode of the finely divided etching solution E described later is stabilized. Moreover, since the other main surface Gb is a main surface on the side where various elements, electrode wires, electronic circuits, etc. are formed, the surface roughness (arithmetic average roughness Ra) is set to the above-mentioned range. The above-described elements, electronic circuits, and the like can be formed with high accuracy.

ガラス基板Gの一方の主表面Gaの面積(すなわち他方の主表面Gbの面積)は、例えば0.2m以上に設定され、好ましくは0.5m以上、より好ましくは0.6m以上に設定され、特に好ましくは1.0m以上に設定される。ガラス基板Gが大面積であるほど、多用途に適用し易く、また多面取りなどにより生産効率の向上につながる。一方、ガラス基板Gの面積が大きくなるほど、静電気を貯めやすく、帯電を引き起こしやすい上、吸着によりプレートに貼り付いた場合に、その後のリフトアップ等の工程でガラス基板Gが破損しやすい、などの問題が生じ易いが、後述する本発明を適用することにより、これらの問題を解消してガラス基板Gの大面積化の利点を優位に発揮させることが可能となる。 The area of one main surface Ga of the glass substrate G (that is, the area of the other main surface Gb) is set to, for example, 0.2 m 2 or more, preferably 0.5 m 2 or more, more preferably 0.6 m 2 or more. It is set, and particularly preferably set to 1.0 m 2 or more. The larger the glass substrate G is, the easier it can be applied to various purposes, and the production efficiency is improved by multi-chamfering. On the other hand, the larger the area of the glass substrate G, the easier it is to store static electricity and easily cause electrification, and the glass substrate G is more likely to be damaged in subsequent lift-up processes when stuck to the plate by adsorption. Although problems are likely to occur, by applying the present invention described later, these problems can be solved and the advantage of increasing the area of the glass substrate G can be exhibited.

ガラス基板Gの厚み寸法は例えば1.0mm以下に設定され、好ましくは0.6mm以下に設定され、より好ましくは0.5mm以下に設定され、特に好ましくは0.4mm以下に設定される。ガラス基板Gの厚み寸法が小さいほど、吸着によりプレート等に貼り付いた場合に、その後のリフトアップ等の工程でガラス基板Gが破損しやすい、などの問題が生じ易いが、後述する本発明を適用することにより、これらの問題を解消して、広範な用途にガラス基板Gを適用することが可能となる。   The thickness dimension of the glass substrate G is, for example, set to 1.0 mm or less, preferably set to 0.6 mm or less, more preferably set to 0.5 mm or less, and particularly preferably set to 0.4 mm or less. The smaller the thickness dimension of the glass substrate G, the more likely to cause problems such as the glass substrate G being easily damaged in subsequent steps such as lift-up when adhering to a plate or the like by suction. By applying, these problems can be solved and the glass substrate G can be applied to a wide range of uses.

上記組成及び形態のガラス基板Gは、例えばダウンドロー法で成形され、好ましくはオーバーフローダウンドロー法で成形される。この方法で成形することにより、大面積で表面精度が良好な(言い換えると算術平均粗さRaが上記範囲の数値を示す)ガラス基板Gを効率良く成形することができる。この場合、ガラス基板Gの各主表面Ga,Gbは共にアズフォーム面(成形面、火造り面ともいう。)となる。もちろん、上述の記載は、ダウンドロー法以外の成形手段によるガラス基板Gの成形を否定するものではなく、例えば溶融スズによる優先保証面の清浄性を確保できる限りにおいて、フロート法などを採用することも可能である。   The glass substrate G having the above composition and form is formed, for example, by a down draw method, and preferably formed by an overflow down draw method. By molding by this method, the glass substrate G having a large area and good surface accuracy (in other words, the arithmetic average roughness Ra shows a value in the above range) can be efficiently molded. In this case, the main surfaces Ga and Gb of the glass substrate G are both as-formed surfaces (also referred to as molding surfaces and fire-making surfaces). Of course, the above description does not deny the formation of the glass substrate G by a forming means other than the downdraw method. For example, as long as the cleanliness of the priority guarantee surface by molten tin can be ensured, the float method is adopted. Is also possible.

以下、エッチング処理装置10の各要素を詳細に説明する。   Hereinafter, each element of the etching processing apparatus 10 will be described in detail.

エッチング液供給装置11は、図1に示すように、ガラス基板Gの一方の主表面Ga側に配置される。このエッチング液供給装置11は、エッチング液Eを微粒子化した状態で噴射供給するためのノズル14を有しており、ノズル14を一方の主表面Gaに向けた配置態様をなしている。   As shown in FIG. 1, the etchant supply device 11 is disposed on the one main surface Ga side of the glass substrate G. The etching solution supply device 11 has a nozzle 14 for spraying and supplying the etching solution E in a fine particle state, and has an arrangement mode in which the nozzle 14 is directed to one main surface Ga.

ノズル14は、例えば図2に示すように、複数個を一列に並べた状態で配設される。これらのノズル14は何れも、図3に示すように、微粒子化したエッチング液Eをライン状に噴射供給するようになっており、例えば図2に示すように膜状でかつノズル14先端から離れていくにつれて広がっていく(いわば扇状に拡散する)噴射形態をなす。よって、図2に示すように、一方の主表面Gaに対する微粒子化したエッチング液Eの供給範囲が互いに重複しないようにする場合、各ノズル14のスプレー幅、ノズル14先端から一方の主表面Gaまでの距離d、ノズル14の配列間隔などを適宜設定するのがよい。   For example, as shown in FIG. 2, the nozzles 14 are arranged in a state where a plurality of nozzles are arranged in a line. As shown in FIG. 3, each of these nozzles 14 is designed to spray and supply finely divided etching solution E in a line shape. For example, as shown in FIG. It spreads as it goes on (in other words, spreads like a fan). Therefore, as shown in FIG. 2, when the supply ranges of the finely divided etching liquid E with respect to one main surface Ga do not overlap each other, the spray width of each nozzle 14, from the tip of the nozzle 14 to one main surface Ga The distance d and the arrangement interval of the nozzles 14 are preferably set as appropriate.

ここで、微粒子化したエッチング液Eには、例えば酸性フッ化アンモニウムやフッ化水素酸など、フッ素を含有する成分が含まれたものを使用することができる。例えばフッ化水素酸を含むエッチング液を微粒子化したエッチング液Eとして使用する場合、その濃度は、例えば0.1質量%以上かつ10質量%以下に設定される。また、エッチング液Eの中心粒径は1μm以上かつ100μm以下に設定され、好ましくは1.5μm以上かつ30μm以下に設定され、より好ましくは2μm以上かつ20μm以下に設定される。なお、上述したフッ化水素酸を含むエッチング液の一例として、例えばフッ化水素46%含有液を挙げることができる。   Here, as the finely divided etching solution E, for example, one containing a fluorine-containing component such as acidic ammonium fluoride or hydrofluoric acid can be used. For example, when the etching solution containing hydrofluoric acid is used as the finely divided etching solution E, the concentration is set to, for example, 0.1 mass% or more and 10 mass% or less. The central particle size of the etching solution E is set to 1 μm or more and 100 μm or less, preferably 1.5 μm or more and 30 μm or less, more preferably 2 μm or more and 20 μm or less. As an example of the above-described etching solution containing hydrofluoric acid, for example, a solution containing 46% hydrogen fluoride can be given.

上記構成のノズル14としては公知のノズルが使用可能であり、その中でも、一流体式、二流体式、超音波式、同一流体衝突式などのスプレーノズルが好適に使用可能である。   A known nozzle can be used as the nozzle 14 having the above-described configuration. Among them, spray nozzles such as a one-fluid type, a two-fluid type, an ultrasonic type, and the same fluid collision type can be suitably used.

移動装置12は、本実施形態では、ガラス基板Gの搬送装置であって、例えば図1に示すように、ガラス基板Gの一方の主表面Gaを支持する複数のローラ15で構成されている。これら複数のローラ15によるガラス基板Gの搬送方向fは、例えばノズル14からライン状に噴射供給される微粒子化したエッチング液Eのラインに沿った方向と直交する(図3を参照)ようになっている。   In this embodiment, the moving device 12 is a transfer device for the glass substrate G, and includes a plurality of rollers 15 that support one main surface Ga of the glass substrate G, for example, as shown in FIG. The conveyance direction f of the glass substrate G by the plurality of rollers 15 is orthogonal to the direction along the line of finely divided etching solution E sprayed and supplied from, for example, the nozzle 14 (see FIG. 3). ing.

洗浄装置13は、ガラス基板Gの一方の主表面Gaの側で、かつ移動装置12によるガラス基板Gの搬送方向f下流側(図1でいえば左側)に配置される。微粒子化したエッチング液Eがガラス基板Gの一方の主表面Gaに付着してから、この一方の主表面Gaに洗浄液Wが到達するまでの間に、一方の主表面Gaの腐食時間が定まることを考慮して、洗浄装置13の位置(搬送方向fの位置)を設定するのがよい。   The cleaning device 13 is disposed on the one main surface Ga side of the glass substrate G and on the downstream side (left side in FIG. 1) in the transport direction f of the glass substrate G by the moving device 12. The corrosion time of one main surface Ga is determined after the finely divided etching liquid E adheres to one main surface Ga of the glass substrate G and before the cleaning liquid W reaches this one main surface Ga. In consideration of the above, it is preferable to set the position of the cleaning device 13 (position in the transport direction f).

なお、図4に示すように、ガラス基板Gの一方の主表面Gaに対するエッチング液Eの供給位置Pが、一方の主表面Gaに対する洗浄液Wの供給位置Pよりも高くなるように、エッチング液E及び洗浄液Wの供給条件を設定することも可能である(図4でいえば、図4中の上方向が鉛直上方に一致している)。このようにエッチング液Eの供給位置Pと洗浄液Wの供給位置Pを設定することにより、洗浄装置13からガラス基板Gの一方の主表面Gaに向けて供給された洗浄液Wが、エッチング液Eの供給位置Pに向けて移動する事態を防止することができる。この場合、ガラス基板Gの一方の主表面Gaに付着したエッチング液Eが希釈されるおそれがないため、所望のエッチング効果を安定的に得ることが可能となる。 As shown in FIG. 4, so that the supply position P E of the etching solution E for one main surface Ga of the glass substrate G is higher than the supply position P W of the cleaning liquid W to the one main surface Ga, etching It is also possible to set the supply conditions of the liquid E and the cleaning liquid W (in FIG. 4, the upper direction in FIG. 4 coincides with the vertical upper direction). By setting the supply position P W of the supply position P E and the cleaning solution W in this manner the etchant E, one of the cleaning liquid W supplied toward the main surface Ga of the glass substrate G from the cleaning device 13, the etching solution The situation of moving toward the supply position PE of E can be prevented. In this case, since there is no possibility that the etching solution E attached to one main surface Ga of the glass substrate G is diluted, a desired etching effect can be stably obtained.

なお、ガラス基板Gの下方に設置される複数のローラ15について、微粒子化したエッチング液Eの付着時の形状を維持する観点からは、エッチング液Eの供給位置P(図4を参照)よりも搬送方向fの下流側を避けて、かつ洗浄液Wの供給位置P(図4を参照)よりも搬送方向fの上流側を避けた位置にローラ15(15a,15b)を配設するのがよい。言い換えると、ガラス基板Gの搬送方向fで隣り合う第一及び第二のローラ15a,15bの間に、エッチング液Eの供給位置Pと洗浄液Wの供給位置Pとを設定するのがよい。このように、エッチング液Eの供給位置Pに最も近い第一のローラ15aと、洗浄液Wの供給位置Pに最も近い第二のローラ15bとを配設することにより、微粒子化したエッチング液Eが一方の主表面Gaに付着した後、洗浄液Wで洗い流されるまでの間、ローラ15に触れる事態を確実に回避できる。そのため、一方の主表面Gaに付着した際のエッチング液Eの形状を可及的に維持して所望のエッチング処理を施すことが可能となる。 From the viewpoint of maintaining the shape of the plurality of rollers 15 installed below the glass substrate G when the finely divided etching solution E is attached, from the supply position P E of the etching solution E (see FIG. 4). Also, the rollers 15 (15a, 15b) are disposed at a position avoiding the downstream side in the transport direction f and avoiding the upstream side in the transport direction f from the supply position P W of the cleaning liquid W (see FIG. 4). Is good. In other words, the first and second rollers 15a adjacent in the conveying direction f of the glass substrate G, between the 15b, good to set the supply position P W of the supply position P E and the cleaning solution W in the etching liquid E . Thus, by providing the first roller 15a closest to the supply position P E of the etching liquid E and the second roller 15b closest to the supply position P W of the cleaning liquid W, the fine particle etching liquid is disposed. After E adheres to one main surface Ga, it is possible to reliably avoid the situation of touching the roller 15 until it is washed away with the cleaning liquid W. Therefore, it is possible to perform a desired etching process while maintaining as much as possible the shape of the etching solution E when attached to one main surface Ga.

以下、上記構成のエッチング処理装置10を用いたガラス基板Gの粗面化処理の一例を説明する。なお、以下の説明は、図1に示す工程だけでなく、例えば図4に示す工程についても適用されることはもちろんである。   Hereinafter, an example of the roughening process of the glass substrate G using the etching processing apparatus 10 having the above configuration will be described. Note that the following description applies not only to the process shown in FIG. 1 but also to the process shown in FIG. 4, for example.

まず図1に示すように移動装置12で複数のガラス基板Gを所定の搬送方向fに沿って搬送すると共に、ガラス基板Gの一方の主表面Ga側に配置したエッチング液供給装置11のノズル14から微粒子化したエッチング液Eを噴射供給する。この際、図3に示すように、微粒子化したエッチング液Eはライン状に噴射供給され、ガラス基板Gの幅方向(搬送方向fと厚み方向の何れとも直交する向き)全域にわたって微粒子化したエッチング液Eが供給される。よって、引き続き移動装置12によりガラス基板Gを搬送方向fに沿って移動させることで、ガラス基板Gの一方の主表面Gaの全域に向けて微粒子化したエッチング液Eが噴射供給される。   First, as shown in FIG. 1, the moving device 12 transports a plurality of glass substrates G along a predetermined transport direction f, and the nozzle 14 of the etching solution supply device 11 disposed on one main surface Ga side of the glass substrate G. The finely divided etching solution E is jetted and supplied. At this time, as shown in FIG. 3, the finely divided etching solution E is sprayed and supplied in a line shape, and the finely divided etching solution E is spread over the entire width direction of the glass substrate G (direction perpendicular to both the transport direction f and the thickness direction). Liquid E is supplied. Therefore, by continuously moving the glass substrate G along the transport direction f by the moving device 12, the finely divided etching solution E is sprayed and supplied toward the entire area of the one main surface Ga of the glass substrate G.

このようにして微粒子化したエッチング液Eを一方の主表面Gaに向けて噴射供給した後、ガラス基板Gの搬送方向f下流側に位置する洗浄装置13から水などの洗浄液Wを一方の主表面Gaに供給して、一方の主表面Gaに付着したエッチング液Eを洗い流す。なお、微粒子化したエッチング液Eの付着時間、すなわち一方の主表面Gaに対するエッチング処理時間は例えば1秒以上かつ1分以下に設定され、好ましくは5秒以上かつ20秒以下に設定される。   After spraying and supplying the finely divided etching liquid E toward one main surface Ga, the cleaning liquid W such as water is supplied from the cleaning device 13 located on the downstream side in the transport direction f of the glass substrate G on one main surface. The etching liquid E that adheres to one main surface Ga is washed away by supplying to Ga. The adhesion time of the finely divided etching solution E, that is, the etching time for one main surface Ga is set to, for example, 1 second or more and 1 minute or less, preferably 5 seconds or more and 20 seconds or less.

図5は、ガラス基板Gの一方の主表面Gaのうち既に微粒子化したエッチング液Eの噴射供給を受けてエッチング処理が施された領域の一例を表す要部拡大図である。図5に示すように、一方の主表面Gaには、微粒子化したエッチング液Eが付着した結果として、多数の腐食面16が形成されると共に、これら腐食面16の間に、エッチング処理を施す直前の一方の主表面Gaを構成する未処理面17(本実施形態では成形面)が残った状態となる。ここで、未処理面17の一方の主表面Ga全体に対する面積比は10%以上かつ90%以下に設定される。本実施形態では、未処理面17の一方の主表面Ga全体に対する面積比が概ね80%となるようにエッチング処理を施した場合の一方の主表面Gaの要部拡大図を図5に例示している。なお、上述した未処理面17の面積比は、例えばエッチング液供給装置11のノズル14先端とガラス基板Gとの距離dや、ガラス基板Gの移動速度などによって適宜調整することが可能である。   FIG. 5 is an enlarged view of an essential part showing an example of a region subjected to an etching process in response to the spray supply of the already finely divided etching solution E in one main surface Ga of the glass substrate G. As shown in FIG. 5, a number of corroded surfaces 16 are formed on one main surface Ga as a result of adhesion of finely divided etching solution E, and an etching process is performed between these corroded surfaces 16. The untreated surface 17 (molded surface in the present embodiment) constituting the immediately preceding main surface Ga remains. Here, the area ratio of the untreated surface 17 to the entire one main surface Ga is set to 10% or more and 90% or less. In the present embodiment, an enlarged view of the main part of one main surface Ga when the etching process is performed so that the area ratio of the unprocessed surface 17 to the entire one main surface Ga is approximately 80% is illustrated in FIG. ing. The area ratio of the unprocessed surface 17 described above can be adjusted as appropriate depending on, for example, the distance d between the tip of the nozzle 14 of the etching solution supply device 11 and the glass substrate G, the moving speed of the glass substrate G, and the like.

この場合、腐食面16は総じてディンプル形状をなし、その内径寸法mの平均値は、5μm以上かつ1000μm以下である。また、腐食面16と未処理面17との高低差h(図6を参照)は、例えば1nm以上かつ120nm以下である。このように、本発明に係るエッチング処理で得られた腐食面16は全体として広く浅い形状をなす。   In this case, the corroded surface 16 generally has a dimple shape, and the average value of the inner diameter dimension m is not less than 5 μm and not more than 1000 μm. Further, the height difference h (see FIG. 6) between the corroded surface 16 and the untreated surface 17 is, for example, 1 nm or more and 120 nm or less. Thus, the corroded surface 16 obtained by the etching process according to the present invention has a wide and shallow shape as a whole.

このように、本発明に係るガラス基板Gの製造方法によれば、図5に示すように、ランダムに分布した微小な腐食面16を一方の主表面Gaに形成することができる。従って、一方の主表面Ga全域に対して微粒子化したエッチング液Eによる均一な粗面化処理を施すことができる。加えて、本発明では、エッチング液Eが付着した領域の間に未処理面17が残るようにエッチング液Eを供給するようにしたので、一方の主表面Ga全域にエッチング液Eが付着するような過剰なエッチング処理を避けて、粗面化に必要な最小限のエッチング処理で済ますことができる。これにより、微粒子化したエッチング液Eの供給に要する時間、並びにエッチング液Eが付着した後の腐食面16の形成に要する時間を短縮することができ、作業時間の短縮、ひいては生産効率の向上を図ることができる。また、未処理面17が残るように微粒子化したエッチング液Eを供給することで、浸漬処理と比べてエッチング液Eの使用量を減らすこともでき、これにより作業コストだけでなく作業環境の安全性向上を図ることも可能となる。   Thus, according to the manufacturing method of the glass substrate G which concerns on this invention, as shown in FIG. 5, the minute corrosion surface 16 distributed at random can be formed in one main surface Ga. Therefore, the uniform roughening treatment with the finely divided etching solution E can be applied to the entire area of one main surface Ga. In addition, in the present invention, the etching solution E is supplied so that the unprocessed surface 17 remains between the regions to which the etching solution E is attached, so that the etching solution E is attached to the entire area of one main surface Ga. Therefore, it is possible to avoid the excessive etching process and perform the minimum etching process necessary for roughening. As a result, it is possible to shorten the time required to supply the finely divided etching solution E and the time required to form the corroded surface 16 after the etching solution E adheres, thereby shortening the working time and thus improving the production efficiency. Can be planned. In addition, by supplying the etching solution E that has been finely divided so that the untreated surface 17 remains, the amount of the etching solution E used can be reduced as compared with the dipping treatment. It is also possible to improve the performance.

また、本実施形態では、図3に示すように、一方の主表面Gaの幅方向全域にわたって微粒子化したエッチング液Eをライン状に噴射供給すると共に、上記幅方向と直交する向き(搬送方向f)にガラス基板Gを移動させるようにしたので、いわばノズル14の搬送方向fに沿った向きの一回の走査によって、一方の主表面Ga全域にわたって本発明に係るエッチング処理を施すことができる。これにより、より均一な粗面化が図られると共に、作業効率の更なる改善を図ることが可能となる。 In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the finely divided etching liquid E is sprayed and supplied in a line shape over the entire width direction of one main surface Ga, and the direction perpendicular to the width direction (transport direction f) In other words, the glass substrate G is moved so that the etching process according to the present invention can be performed over the entire area of one main surface Ga by a single scan in the direction along the conveying direction f of the nozzle 14. This makes it possible to achieve a more uniform roughening and further improve the working efficiency.

また、本実施形態では、図1等に示すように、ガラス基板Gを水平姿勢で移動させながら、ガラス基板Gの下方に向けた一方の主表面Gaに向けてガラス基板Gの下方から微粒子化したエッチング液Eを噴射供給するようにした。このようにすることで、一方の主表面Gaに付着したエッチング液Eが優先保証面となる他方の主表面Gbに回り込む事態を可及的に防止することができる。また、下方から微粒子化したエッチング液Eを噴射供給したほうが、一方の主表面Gaに付着したエッチング液Eの微粒子が一方の主表面Gaに沿って移動して重なり合う可能性も低いため、微粒子化したエッチング液Eを均等に分散供給させ易い。   Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 1 and the like, the glass substrate G is moved in a horizontal posture, and the fine particles are formed from below the glass substrate G toward one main surface Ga directed downward of the glass substrate G. The etching solution E was sprayed and supplied. By doing in this way, the situation where the etching liquid E adhering to one main surface Ga wraps around the other main surface Gb which becomes a priority guarantee surface can be prevented as much as possible. Further, when the finely divided etching solution E is supplied from below, it is less likely that the fine particles of the etching solution E adhering to one main surface Ga move and overlap along the one main surface Ga. It is easy to disperse and supply the etching solution E evenly.

以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明に係るガラス基板Gの製造方法、又はガラス基板Gは、上記実施形態には限定されることなく、本発明の範囲内で種々の形態を採ることが可能である。   As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, the manufacturing method of the glass substrate G which concerns on this invention, or the glass substrate G is not limited to the said embodiment, Various forms are within the scope of the present invention. It is possible to take

例えば、上記実施形態では、ガラス基板Gを水平姿勢で搬送し、かつガラス基板Gの下方に向けた一方の主表面Gaに対してその下方から微粒子化したエッチング液Eを供給するようにしたが(図1を参照)、もちろんこれ以外の供給態様を採ることも可能である。例えば図示は省略するが、エッチング処理対象となる一方の主表面Gaを上側にしてガラス基板Gの上方から微粒子化したエッチング液Eを供給してもよいし、あるいはガラス基板Gを縦置きした状態で移動させつつ、水平方向を指向する一方の主表面Gaに向けて微粒子化したエッチング液Eを供給するようにしてもよい。   For example, in the above embodiment, the glass substrate G is conveyed in a horizontal posture, and the finely divided etching solution E is supplied to the one main surface Ga directed downward from the glass substrate G. (Refer to FIG. 1) Of course, it is possible to adopt other supply modes. For example, although not shown in the drawing, the etching liquid E finely divided from the upper side of the glass substrate G may be supplied with one main surface Ga to be an etching process on the upper side, or the glass substrate G is placed vertically. The finely divided etching solution E may be supplied toward one main surface Ga oriented in the horizontal direction.

また、上記実施形態では、複数のノズル14を一列に並べて配置し(図2を参照)、各ノズル14から噴射供給された微粒子化したエッチング液Eが一本のライン状となるようにした(図3を参照)場合を例示したが、もちろんこれ以外の供給態様を採ることも可能である。例えば図示は省略するが、スリット状の噴射口から微粒子化したエッチング液Eを噴射供給可能なノズルを用いて、ノズル先端からガラス基板Gに至るまで拡散しない(エッチング液Eが直進するため噴射範囲が幅方向で一定)ように微粒子化したエッチング液Eを噴射供給してもよい。もちろん、ライン状以外の断面形状をなすノズルを用いて微粒子化したエッチング液Eを噴射供給することも可能である。   In the above embodiment, the plurality of nozzles 14 are arranged in a line (see FIG. 2), and the finely divided etching solution E sprayed and supplied from each nozzle 14 is formed in a single line ( (See FIG. 3) The case is illustrated, but it is of course possible to adopt other supply modes. For example, although not shown in the figure, a nozzle that can spray and supply finely divided etching liquid E from a slit-shaped injection port is used and does not diffuse from the tip of the nozzle to the glass substrate G (the injection range because the etching liquid E goes straight). The etching solution E may be sprayed and supplied so as to be constant in the width direction. Of course, it is also possible to spray and supply the finely divided etching solution E using a nozzle having a cross-sectional shape other than the line shape.

また、上記実施形態では、複数のローラ15で構成される移動装置12でガラス基板Gを移動させて、所定位置に固定した状態のエッチング液供給装置11から微粒子化したエッチング液Eを供給するようにしたが、もちろん、ガラス基板Gを所定の位置に固定した状態で、エッチング液供給装置11の例えばノズル14を所定の方向に移動(走査)して、一方の表面Gaに微粒子化したエッチング液Eを噴射供給してもかまわない。   Moreover, in the said embodiment, the glass substrate G is moved with the moving apparatus 12 comprised by the some roller 15, and the finely divided etching liquid E is supplied from the etching liquid supply apparatus 11 of the state fixed to the predetermined position. However, of course, with the glass substrate G fixed at a predetermined position, for example, the nozzle 14 of the etching liquid supply device 11 is moved (scanned) in a predetermined direction, and the etching liquid is atomized on one surface Ga. E may be supplied by injection.

また、上記実施形態では、未処理面17の一方の主表面Ga全体に対する面積比を、腐食面16の一方の主表面Ga全体に対する面積比よりも大きくした場合を例示(図5を参照)したが、もちろんこれ以外の形態をとることも可能である。   Moreover, in the said embodiment, the case where the area ratio with respect to one main surface Ga whole of the untreated surface 17 was made larger than the area ratio with respect to one main surface Ga whole of the corrosion surface 16 was illustrated (refer FIG. 5). Of course, other forms are possible.

図7は、本発明の他の実施形態に係るガラス基板Gの一方の主表面Gaのうち既に微粒子化したエッチング液Eの噴射供給を受けてエッチング処理が施された領域の要部拡大図である。図7に示すように、本実施形態に係る腐食面16は図5に示す場合に比べて一方の主表面Gaの広範囲にわたって形成されている。また、腐食面16の間には、島形状をなす未処理面17(本実施形態では成形面)が一方の主表面Ga上に分散した状態で残っている。この場合、未処理面17の一方の主表面Ga全体に対する面積比は10%以上かつ30%以下に設定される。本実施形態では、未処理面17の一方の主表面Ga全体に対する面積比が概ね20%となるようにエッチング処理を施した場合の一方の主表面Gaを図7に例示している。   FIG. 7 is an enlarged view of a main part of a region subjected to an etching process in response to an injection supply of an already finely divided etching solution E in one main surface Ga of a glass substrate G according to another embodiment of the present invention. is there. As shown in FIG. 7, the corroded surface 16 according to the present embodiment is formed over a wider area of one main surface Ga than in the case shown in FIG. Further, between the corroded surfaces 16, an untreated surface 17 (molded surface in the present embodiment) having an island shape remains in a state of being dispersed on one main surface Ga. In this case, the area ratio of the untreated surface 17 to the entire one main surface Ga is set to 10% or more and 30% or less. In the present embodiment, FIG. 7 illustrates one main surface Ga when the etching process is performed so that the area ratio of the unprocessed surface 17 to the entire one main surface Ga is approximately 20%.

この場合、未処理面17は総じて島形状をなし、その外径寸法nの平均値は、5μm以上かつ1000μm以下である。また、腐食面16と未処理面17との高低差h(図8を参照)は、例えば1nm以上かつ120nm以下である。   In this case, the unprocessed surface 17 generally has an island shape, and the average value of the outer diameter dimension n is not less than 5 μm and not more than 1000 μm. Further, the height difference h (see FIG. 8) between the corroded surface 16 and the untreated surface 17 is, for example, 1 nm or more and 120 nm or less.

このように、未処理面17の一方の主表面Ga全体に対する面積比を、腐食面16の一方の主表面Ga全体に対する面積比よりも小さくした場合(図7を参照)であっても、腐食面16と未処理面17とが存在する限りにおいて、本発明に係るガラス基板Gは任意の形態をとることが可能となる。また、上記何れの場合においても、強度低下を招くことなくガラス基板Gの一方の主表面Gaを均一に粗面化すると共に、当該粗面化に必要な処理を短時間で行うことで、生産効率の向上を可能として、高品質なガラス基板Gを低コストに提供することが可能となる。   Thus, even when the area ratio of the untreated surface 17 to the entire one main surface Ga is smaller than the area ratio of the corroded surface 16 to the entire main surface Ga (see FIG. 7), As long as the surface 16 and the untreated surface 17 exist, the glass substrate G according to the present invention can take any form. In any of the above cases, one main surface Ga of the glass substrate G is uniformly roughened without causing a reduction in strength, and the processing necessary for the roughening is performed in a short time, thereby producing The efficiency can be improved, and the high-quality glass substrate G can be provided at a low cost.

10 エッチング処理装置
11 エッチング液供給装置
12 移動装置
13 洗浄装置
14 ノズル
15,15a,15b ローラ
16 腐食面
17 未処理面
G ガラス基板
Ga 一方の主表面
E 微粒子化したエッチング液
W 洗浄液
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Etching processing apparatus 11 Etching liquid supply apparatus 12 Moving apparatus 13 Cleaning apparatus 14 Nozzle 15, 15a, 15b Roller 16 Corrosion surface 17 Untreated surface G Glass substrate Ga One main surface E Fine particle etching liquid W Cleaning liquid

Claims (13)

ガラス基板の二つの主表面のうち一方の主表面にエッチング処理を施して粗面化を図るに際して、
前記一方の主表面に微粒子化したエッチング液を供給して、前記微粒子化したエッチング液が付着した領域の間に、前記微粒子化したエッチング液を供給する直前の前記一方の主表面を構成する未処理面が残るようにしたことを特徴とするガラス基板の製造方法。
When roughening the surface of one of the two main surfaces of the glass substrate by etching,
A finely divided etching solution is supplied to the one main surface, and the one main surface immediately before supplying the finely divided etching solution is provided between the regions where the finely divided etching solution is attached. A method for producing a glass substrate, characterized in that a treated surface remains.
前記未処理面が、前記一方の主表面全体に対する面積比で10%以上かつ90%以下の割合で残るようにした請求項1に記載のガラス基板の製造方法。   The method for producing a glass substrate according to claim 1, wherein the untreated surface is left in a ratio of 10% or more and 90% or less in an area ratio with respect to the entire one main surface. 中心粒径が1μm以上かつ100μm以下の前記微粒子化したエッチング液を前記一方の主表面に供給する請求項1又は2に記載のガラス基板の製造方法。   The method for producing a glass substrate according to claim 1 or 2, wherein the finely divided etching solution having a center particle diameter of 1 µm or more and 100 µm or less is supplied to the one main surface. 前記一方の主表面に対する前記微粒子化したエッチング液の供給範囲が重複しないように、前記微粒子化したエッチング液を供給する請求項1〜3の何れかに記載のガラス基板の製造方法。   The manufacturing method of the glass substrate in any one of Claims 1-3 which supply the said micronized etching liquid so that the supply range of the said micronized etching liquid with respect to said one main surface may not overlap. 前記微粒子化したエッチング液をライン状に噴射可能なノズルを、前記ガラス基板の前記一方の主表面側に配置し、
前記ノズルを前記ガラス基板に対して、前記一方の主表面に沿った所定の向きに相対移動させながら、前記微粒子化したエッチング液を前記一方の主表面に向けて噴射供給する請求項1〜4の何れかに記載のガラス基板の製造方法。
A nozzle capable of spraying the finely divided etching solution in a line shape is disposed on the one main surface side of the glass substrate,
5. The finely divided etching solution is sprayed and supplied toward the one main surface while the nozzle is moved relative to the glass substrate in a predetermined direction along the one main surface. The manufacturing method of the glass substrate in any one of.
前記微粒子化したエッチング液はフッ化水素酸を含み、前記エッチング液における前記フッ化水素酸の濃度が0.1質量%以上かつ10質量%以下に設定される請求項1〜5の何れかに記載のガラス基板の製造方法。   The finely divided etching solution contains hydrofluoric acid, and the concentration of the hydrofluoric acid in the etching solution is set to 0.1% by mass or more and 10% by mass or less. The manufacturing method of the glass substrate of description. 二つの主表面を有するガラス基板において、
前記二つの主表面のうち一方の主表面が、未処理面と、前記未処理面の間に存在し前記未処理面よりも前記ガラス基板の板厚方向中央側に後退している腐食面とを有することを特徴とするガラス基板。
In a glass substrate having two main surfaces,
One main surface of the two main surfaces is an untreated surface, and a corroded surface that exists between the untreated surfaces and recedes from the untreated surface to the center side in the plate thickness direction of the glass substrate. A glass substrate characterized by comprising:
前記未処理面の、前記一方の主表面全体に占める面積比が10%以上かつ90%以下である請求項7に記載のガラス基板。   The glass substrate according to claim 7, wherein an area ratio of the untreated surface to the entire one main surface is 10% or more and 90% or less. 前記未処理面と前記腐食面との高低差が1nm以上かつ120nm以下である請求項7又は8に記載のガラス基板。   The glass substrate according to claim 7 or 8, wherein a difference in height between the untreated surface and the corroded surface is 1 nm or more and 120 nm or less. 前記未処理面の、前記一方の主表面全体に占める面積比が70%以上かつ90%以下で、前記腐食面はディンプル形状をなす請求項7〜9の何れかに記載のガラス基板。   The glass substrate according to any one of claims 7 to 9, wherein an area ratio of the untreated surface to the entire one main surface is 70% or more and 90% or less, and the corroded surface has a dimple shape. 前記ディンプル状をなす前記腐食面の内径寸法の平均値が5μm以上かつ1000μm以下である請求項10に記載のガラス基板。   11. The glass substrate according to claim 10, wherein an average value of an inner diameter dimension of the corroded surface having the dimple shape is 5 μm or more and 1000 μm or less. 前記未処理面の、前記一方の主表面全体に占める面積比が10%以上かつ30%以下で、前記未処理面は島形状をなす請求項7〜9の何れかに記載のガラス基板。   The glass substrate according to any one of claims 7 to 9, wherein an area ratio of the untreated surface to the entire one main surface is 10% or more and 30% or less, and the untreated surface has an island shape. 前記島形状をなす前記未処理面の外径寸法の平均値が5μm以上かつ1000μm以下である請求項12に記載のガラス基板。   The glass substrate according to claim 12, wherein an average value of outer diameter dimensions of the untreated surface that forms the island shape is 5 μm or more and 1000 μm or less.
JP2016114925A 2016-06-09 2016-06-09 Production method of glass substrate, and glass substrate Pending JP2017218351A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016114925A JP2017218351A (en) 2016-06-09 2016-06-09 Production method of glass substrate, and glass substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016114925A JP2017218351A (en) 2016-06-09 2016-06-09 Production method of glass substrate, and glass substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017218351A true JP2017218351A (en) 2017-12-14

Family

ID=60658689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016114925A Pending JP2017218351A (en) 2016-06-09 2016-06-09 Production method of glass substrate, and glass substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2017218351A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019034878A (en) * 2017-08-10 2019-03-07 Agc株式会社 TFT glass substrate
JP2021515740A (en) * 2018-03-07 2021-06-24 コーニング インコーポレイテッド Adhesion control of glass substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019034878A (en) * 2017-08-10 2019-03-07 Agc株式会社 TFT glass substrate
JP7070197B2 (en) 2017-08-10 2022-05-18 Agc株式会社 Glass substrate for TFT
JP2021515740A (en) * 2018-03-07 2021-06-24 コーニング インコーポレイテッド Adhesion control of glass substrate
JP7344893B2 (en) 2018-03-07 2023-09-14 コーニング インコーポレイテッド Glass substrate adhesion control

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5961719B2 (en) Manufacturing method of glass substrate for display and glass substrate
US9126858B2 (en) Method for making glass substrate for display, glass substrate and display panel
JP5687088B2 (en) Manufacturing method of glass substrate
JP4582498B2 (en) Glass substrate
JP2017218351A (en) Production method of glass substrate, and glass substrate
KR101543832B1 (en) Glass substrate and glass substrate production method
JP2014201446A (en) Glass substrate for display, method for manufacturing the same, and method for manufacturing a panel for display
JP6263534B2 (en) Glass substrate manufacturing method, glass substrate, and display panel
KR101543831B1 (en) Glass substrate and glass substrate production method
CN108137391B (en) Glass substrate for display and method for manufacturing same
JP5774562B2 (en) Manufacturing method of glass substrate
KR102609772B1 (en) glass substrate
KR102156740B1 (en) Nozzle and apparatus for treating substrates having the same
JP2015067512A (en) Glass substrate for display and method for manufacturing glass substrate for display
JP2013193889A (en) Method of manufacturing glass sheet