JP2017206678A - Silicone resin film and production method of the same, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Silicone resin film and production method of the same, and method for manufacturing semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2017206678A
JP2017206678A JP2017079140A JP2017079140A JP2017206678A JP 2017206678 A JP2017206678 A JP 2017206678A JP 2017079140 A JP2017079140 A JP 2017079140A JP 2017079140 A JP2017079140 A JP 2017079140A JP 2017206678 A JP2017206678 A JP 2017206678A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
organopolysiloxane composition
catalyst
group
silicone resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017079140A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7032052B2 (en
Inventor
佳英 浜本
yoshihide Hamamoto
佳英 浜本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of JP2017206678A publication Critical patent/JP2017206678A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7032052B2 publication Critical patent/JP7032052B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a film by curing a curable organopolysiloxane composition having high storage stability in an uncured state and containing no metal catalyst, and to provide a silicone resin film having increased heat resistance and reliability.SOLUTION: A method for manufacturing a silicone resin film is provided, in which the film is produced by curing a curable organopolysiloxane composition comprising (B) organo-hydrogen polysiloxane having at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule. The organopolysiloxane composition does not contain a metal catalyst. The method includes the following steps (1) to (3). They are steps of: (1) forming the organopolysiloxane composition into a film state on a single film having a catalytic activity or between two films or laminating a film having catalytic activity on at least one surface of the organopolysiloxane composition formed into a film state; (2) then curing the organopolysiloxane composition to obtain a silicone resin film; and (3) peeling the obtained silicone resin film from the above film. The film having the catalytic activity has a catalyst on a surface of the film or on a surface of the film and in the film.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、シリコーン樹脂フィルム及びその製造方法に関する。より詳細には、触媒を含まない硬化型オルガノポリシロキサン組成物を硬化してシリコーン樹脂フィルムを製造する方法に関する。また、本発明は、金属触媒を実質的に含まないシリコーン樹脂フィルムに関する。
さらに本発明は、前記触媒を含まない硬化型オルガノポリシロキサンの膜状硬化物を備える半導体デバイスの製造方法に関する。
The present invention relates to a silicone resin film and a method for producing the same. More specifically, the present invention relates to a method for producing a silicone resin film by curing a curable organopolysiloxane composition containing no catalyst. Moreover, this invention relates to the silicone resin film which does not contain a metal catalyst substantially.
Furthermore, this invention relates to the manufacturing method of a semiconductor device provided with the film-form hardened | cured material of curable organopolysiloxane which does not contain the said catalyst.

LEDは現代社会の様々な分野で利用されており、需要はますます広がりを見せている。特に白色LEDは携帯電話や小型照明だけでなく、一般照明や大型ディスプレイなど非常に幅広く使用されるようになった。この白色LEDを製造する方法として、一般的には青色LEDに450nmの光を励起するYAG(イットリウムアルミニウムガーネット)と呼ばれる蛍光体を用いる方式と、3in1とよばれる赤・緑・青色LEDを同時に発光させる方式が知られている。上記の青色LEDと蛍光体を用いる方式は3in1方式に比べ、LED数やワイヤー数が少ないために安価で製造できることから、様々なLEDに対してこの方式が用いられている。 LEDs are used in various fields of modern society, and demand is expanding. In particular, white LEDs are used not only for mobile phones and small lighting but also for general lighting and large displays. As a method of manufacturing this white LED, generally, a blue LED, which uses a phosphor called YAG (yttrium aluminum garnet) that excites 450 nm light, and a red, green, and blue LED called 3in1 emit light simultaneously. The method of making it known is known. Since the method using the blue LED and the phosphor is less expensive than the 3 in 1 method because the number of LEDs and the number of wires can be reduced, this method is used for various LEDs.

しかし、YAGなどの蛍光体が混合された液状シリコーン封止材でLEDデバイスを封止して熱硬化する際に、加熱により液状封止材が低粘度化するため、封止材内の蛍光体が沈降してしまい、LEDの色ばらつきが大きくなってしまうことが問題となっていた。その対策として、蛍光体層と透明層を設けた半固体または固体状のフィルムをチップに貼りあわせることで色バラツキを改善することが提案されている(特許文献1)。 However, when the LED device is sealed and thermally cured with a liquid silicone encapsulant mixed with phosphors such as YAG, the viscosity of the liquid encapsulant is reduced by heating, so the phosphor in the encapsulant Has settled and the color variation of the LED becomes a problem. As a countermeasure, it has been proposed to improve color variation by attaching a semi-solid or solid film provided with a phosphor layer and a transparent layer to a chip (Patent Document 1).

電子材料関連材料は使用基材の最小化、微細パターン化、高耐熱、高耐衝撃などが要求されており、現在は様々な樹脂が使用されている。基材の最小化に伴い、封止材やコート材に含まれる微量の金属触媒が、熱や光などによる変色、信頼性低下の原因のひとつになっている。また、フォトカプラ、CCD、CMOSといった光学センサなどは、センサの微細化、高性能化に伴い、耐熱・耐光性・耐衝撃性などの信頼性も重視され、従来のセンサなどをガラスで封止しただけではクラックが発生するなどの問題も起こっている。   Electronic materials-related materials are required to minimize the base material used, make fine patterns, have high heat resistance, and have high impact resistance, and various resins are currently used. Along with the minimization of the base material, a trace amount of metal catalyst contained in the sealing material or the coating material has become one of the causes of discoloration due to heat or light and a decrease in reliability. In addition, optical sensors such as photocouplers, CCDs, and CMOSs have become more important in terms of reliability such as heat resistance, light resistance, and impact resistance with the miniaturization and performance enhancement of sensors, and conventional sensors are sealed with glass. There are also problems such as cracking if just done.

特許文献4には層状ホットメルトシリコーン組成物を用いてセンサなどの材料を圧縮成形などで成形し製造する方法が記載されている。しかし実際は付加反応触媒が使用されており、耐熱・耐光特性のさらなる向上を達成することは困難であった。特許文献5には、ポリシラザンを含有し、真空紫外線照射処理をすることによりガスバリア層を設けることが記載されているが、ガスバリア層はそれほど厚くすることができず、ポリマーの柔軟性に問題があった。特許文献6には熱膨張性微小球を含有した粘着層にチップを搭載し、保護物質で被覆し、粘着層を剥離しダイシングするというチップサイズパッケージの製造方法が記載されている。しかし粘着層が必要で、熱硬化性樹脂には必ず触媒が入っており、耐熱性向上達成は困難であった。   Patent Document 4 describes a method for manufacturing a material such as a sensor by compression molding or the like using a layered hot melt silicone composition. However, an addition reaction catalyst is actually used, and it has been difficult to achieve further improvement in heat resistance and light resistance. Patent Document 5 describes that polysilazane is contained and a gas barrier layer is provided by vacuum ultraviolet irradiation treatment. However, the gas barrier layer cannot be made so thick and there is a problem in the flexibility of the polymer. It was. Patent Document 6 describes a chip size package manufacturing method in which a chip is mounted on an adhesive layer containing thermally expandable microspheres, covered with a protective material, and the adhesive layer is peeled off and diced. However, an adhesive layer is required, and the thermosetting resin always contains a catalyst, so that it is difficult to improve heat resistance.

特開2013−159003号公報JP2013-159003A 特表2014−519964号公報Special table 2014-519964 gazette 特表2015−511164号公報JP-T-2015-511164 特表2016−508290号公報JP-T-2006-508290 特開2015−186922号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2015-186922 WO2013/011850号公報WO2013 / 011850

特許文献1に記載の熱硬化性シリコーン樹脂組成物のように、従来の熱硬化性シリコーン樹脂組成物は金属触媒を含有する。そのため、得られる硬化物中には金属触媒が残ってしまう。該硬化物は、耐熱変色性や信頼性が十分ではなく、これらの問題は硬化物中に残る触媒の量に依存していることがわかった。そのため、硬化物の原料である熱硬化性シリコーン樹脂組成物中に含まれる金属触媒量の低減が課題となっている。また、金属触媒含有のシリコーン樹脂組成物は、一液タイプの場合には徐々に反応性が変化して経時変化を生じるために保存安定性が悪い。また、二液タイプの場合は、混合してフィルム状に成形する際にボイドが発生しやすいという問題も有する。
さらに、低ガス透過性を有するポリシラザンやアクリレートを用いた化合物では樹脂の柔軟性や耐熱変色性に問題があった。
Like the thermosetting silicone resin composition described in Patent Document 1, the conventional thermosetting silicone resin composition contains a metal catalyst. Therefore, the metal catalyst remains in the obtained cured product. The cured product has insufficient heat discoloration and reliability, and it has been found that these problems depend on the amount of catalyst remaining in the cured product. Therefore, reduction of the amount of the metal catalyst contained in the thermosetting silicone resin composition that is a raw material of the cured product has been an issue. In addition, in the case of a one-pack type silicone resin composition containing a metal catalyst, the reactivity gradually changes and changes with time, so that the storage stability is poor. Further, in the case of the two-component type, there is a problem that voids are likely to occur when mixed and formed into a film.
Further, compounds using polysilazane and acrylate having low gas permeability have problems in resin flexibility and heat discoloration.

本発明は上記事情に鑑み、金属触媒を含まず、未硬化状態での保存安定性が高い硬化型のシリコーン樹脂組成物を硬化してフィルムを製造する方法を提供すること、及び耐熱性及び信頼性を高めたシリコーン樹脂フィルムを提供することを目的とする。さらに本発明は前記シリコーン樹脂組成物を基板に貼りあわせて硬化する工程を含む、耐熱性及び信頼性を高めたシリコーン含有デバイスを提供することを目的とする。   In view of the above circumstances, the present invention provides a method for producing a film by curing a curable silicone resin composition that does not contain a metal catalyst and has high storage stability in an uncured state, and heat resistance and reliability. It aims at providing the silicone resin film which improved the property. Furthermore, this invention aims at providing the silicone containing device which improved the heat resistance and reliability including the process of bonding the said silicone resin composition to a board | substrate, and hardening.

特表2014−519964号公報(特許文献2)及び特表2015−511164号公報(特許文献3)には、無機/有機ポリマーハイブリッド材料の表面及び内部に金属触媒が固定された触媒活性を有する触媒材料、特には触媒膜が記載されている。該触媒膜は溶媒及び気体に対して浸透性があり、溶液中または液体・気体二相系中での化学反応を触媒するために使用可能であると記載されている。特許文献2及び3には、上記触媒膜を固体中での反応に使用すること、あるいは反応が進むにつれて反応系が固体化する反応へ使用することは記載されていない。 JP-A-2014-519964 (Patent Document 2) and JP-A-2015-511164 (Patent Document 3) disclose a catalyst having a catalytic activity in which a metal catalyst is fixed on the surface and inside of an inorganic / organic polymer hybrid material. Materials, in particular catalyst membranes, are described. The catalyst membrane is described as being permeable to solvents and gases and can be used to catalyze chemical reactions in solution or in liquid / gas two-phase systems. Patent Documents 2 and 3 do not describe the use of the catalyst film for a reaction in a solid or a reaction in which a reaction system is solidified as the reaction proceeds.

本発明者らは、熱硬化性オルガノポリシロキサン組成物を硬化する触媒として、上記のような金属触媒が固定された触媒活性を有する膜(以下、触媒膜という)を使用することを鋭意検討したところ、触媒を含まない硬化型オルガノポリシロキサン組成物を膜状に成形し、触媒膜に貼り合せて加熱硬化すると、オルガノポリシロキサン組成物が硬化してフィルム状成形物を与えることを見出した。さらに、触媒膜をフィルム状成形物から剥離することにより、含まれる金属触媒量が極めて少ないシリコーン樹脂フィルムを提供できることを見出し、本発明を成すに至った。
さらに本発明者らは、触媒を含まない硬化性オルガノポリシロキサン組成物を膜状に成形し、触媒膜に貼り合せた後、硬化性オルガノポリシロキサン組成物面を半導体デバイスに貼り合せて加熱硬化した後、触媒膜をフィルム状成形物から剥離し、ダイシングすることにより、含まれる金属触媒量が極めて少ない半導体デバイスを提供できることを見出し、本発明を成すに至った。
As a catalyst for curing the thermosetting organopolysiloxane composition, the present inventors diligently studied to use a film having catalytic activity (hereinafter referred to as catalyst film) to which the above metal catalyst is fixed. However, it has been found that when a curable organopolysiloxane composition not containing a catalyst is formed into a film shape, bonded to the catalyst film and cured by heating, the organopolysiloxane composition is cured to give a film-shaped molded product. Furthermore, the present inventors have found that a silicone resin film containing an extremely small amount of metal catalyst can be provided by peeling the catalyst film from the film-like molded product, thereby achieving the present invention.
Furthermore, the present inventors formed a curable organopolysiloxane composition that does not contain a catalyst into a film shape, bonded the catalyst film, and then bonded the surface of the curable organopolysiloxane composition to a semiconductor device and cured by heating. After that, the catalyst film was peeled off from the film-like molded product and diced to find that a semiconductor device containing an extremely small amount of metal catalyst can be provided, and the present invention has been achieved.

すなわち本発明は、(B)1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを含む硬化型オルガノポリシロキサン組成物を硬化してシリコーン樹脂フィルムを製造する方法であって、該オルガノポリシロキサン組成物は金属触媒を含まず、
前記製造方法は下記工程1)〜3)を含み、
1)触媒活性を有する膜1枚の上にて、または2枚の間にて、前記オルガノポリシロキサン組成物を膜状に成形する工程、又は、膜状に成形したオルガノポリシロキサン組成物の少なくとも1面と触媒活性を有する膜とを貼り合わせる工程、
2)次いで、前記オルガノポリシロキサン組成物を硬化してシリコーン樹脂フィルムを得る工程、及び
3)得られたシリコーン樹脂フィルムと前記膜とを剥離する工程
前記触媒活性を有する膜が、膜の表面、又は、膜の表面及び内部に触媒を有することを特徴とする、前記製造方法を提供する。
That is, the present invention is (B) a method for producing a silicone resin film by curing a curable organopolysiloxane composition containing an organohydrogenpolysiloxane having at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule. The organopolysiloxane composition does not include a metal catalyst;
The manufacturing method includes the following steps 1) to 3):
1) A step of forming the organopolysiloxane composition into a film form on one or two sheets having catalytic activity, or at least of the organopolysiloxane composition formed into a film form Bonding one surface and a membrane having catalytic activity;
2) Next, a step of curing the organopolysiloxane composition to obtain a silicone resin film, and 3) a step of peeling the obtained silicone resin film and the membrane. The membrane having the catalytic activity is a surface of the membrane, Alternatively, the present invention provides the above production method, characterized by having a catalyst on the surface and inside of the membrane.

また、本発明は
(B)1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを含む硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物を備える半導体デバイスの製造方法であって、該オルガノポリシロキサン組成物は金属触媒を含まず、
前記製造方法は下記工程1)〜4)を含み、
1)触媒活性を有する膜1枚の上に、前記オルガノポリシロキサン組成物を膜状に成形する工程、又は、膜状に成形したオルガノポリシロキサン組成物の1面と触媒活性を有する膜とを貼り合わせて膜状積層物を得る工程、
2)次いで、前記工程1)で得た膜状積層物の組成物面と、半導体チップが搭載された基板の半導体チップ搭載面とを貼り合せて、半導体チップを前記オルガノポリシロキサン組成物で被覆する工程、
3)次いで、前記オルガノポリシロキサン組成物を硬化する工程、及び
4)次いで、前記硬化物と前記触媒膜とを剥離して、前記硬化物で半導体チップが被覆された半導体デバイスを得る工程、
前記触媒活性を有する膜が、膜の表面、又は、膜の表面及び内部に触媒を有することを特徴とする、前記半導体デバイスの製造方法を提供する。
該製造方法はさらに、上記工程4)の後に、得られた半導体デバイスをダイシングして個片化する工程を含むことが出来る。
The present invention also provides (B) a method for producing a semiconductor device comprising a cured product of a curable organopolysiloxane composition containing an organohydrogenpolysiloxane having at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule. The organopolysiloxane composition does not contain a metal catalyst,
The manufacturing method includes the following steps 1) to 4):
1) Forming the organopolysiloxane composition into a film on one sheet having catalytic activity, or one side of the organopolysiloxane composition formed into a film and a film having catalytic activity A step of bonding to obtain a film-like laminate,
2) Next, the composition surface of the film laminate obtained in the step 1) and the semiconductor chip mounting surface of the substrate on which the semiconductor chip is mounted are bonded together, and the semiconductor chip is covered with the organopolysiloxane composition. The process of
3) Next, a step of curing the organopolysiloxane composition, and 4) Next, a step of peeling the cured product and the catalyst film to obtain a semiconductor device in which a semiconductor chip is coated with the cured product,
The film having catalytic activity has a catalyst on the surface of the film or on the surface and inside of the film.
The manufacturing method may further include a step of dicing the obtained semiconductor device into pieces after step 4).

また本発明は、硬化型オルガノポリシロキサン組成物がさらに、(A)1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサンを、該(A)成分中のアルケニル基の個数に対する上記(B)成分中のSiH基の個数比が0.5〜8となる量で含む、前記シリコーン樹脂フィルム及び半導体デバイスの製造方法を提供する。   In the present invention, the curable organopolysiloxane composition further comprises (A) an organopolysiloxane having at least two alkenyl groups bonded to silicon atoms in one molecule, and the number of alkenyl groups in the component (A). A method for producing the silicone resin film and the semiconductor device, wherein the SiH group in the component (B) is contained in an amount such that the number ratio of the SiH groups in the component is 0.5-8.

さらに本発明は、(B)1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを含み、且つ、金属触媒を含まないオルガノポリシロキサン組成物の硬化物から成るシリコーン樹脂フィルムであって、該硬化物中に含まれてよい金属触媒の量が硬化物全体の質量に対し金属質量換算として0.1ppm未満である、シリコーン樹脂フィルムを提供する。
また本発明は、(B)1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを含み、さらに(A)1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサンを、該(A)成分中のアルケニル基の個数に対する上記(B)成分中のSiH基の個数比が0.5〜8となる量で含み、且つ、金属触媒を含まないオルガノポリシロキサン組成物の硬化物から成るシリコーン樹脂フィルムであって、該硬化物中に含まれてよい金属触媒の量が硬化物全体の質量に対し金属質量換算として0.1ppm未満である、シリコーン樹脂フィルムを提供する。
Further, the present invention relates to (B) a silicone comprising a cured product of an organopolysiloxane composition containing at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule and containing no metal catalyst. A silicone resin film, which is a resin film and has an amount of a metal catalyst that may be contained in the cured product is less than 0.1 ppm in terms of metal mass with respect to the mass of the entire cured product.
The present invention also includes (B) an organohydrogenpolysiloxane having at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule, and (A) at least two alkenyl groups bonded to silicon atoms in one molecule. The number of organopolysiloxanes contained is in an amount such that the number ratio of SiH groups in the component (B) to the number of alkenyl groups in the component (A) is 0.5 to 8, and no metal catalyst is contained. A silicone resin film comprising a cured product of an organopolysiloxane composition, wherein the amount of the metal catalyst that may be contained in the cured product is less than 0.1 ppm in terms of metal mass relative to the total mass of the cured product A resin film is provided.

本発明の製造方法では、オルガノポリシロキサン組成物中に金属触媒を含まないため、組成物の硬化時、組成物を未硬化状態で保管する時に、経時で物性変化が起こりにくい。そのため組成物の保存安定性が向上する。また、得られるシリコーン樹脂フィルム中に含まれる金属触媒量が極めて少なく、特には金属触媒を実質的に含有しないため、該シリコーン樹脂フィルムを長期間保管しても経時変化が起こりにくく、信頼性の高い樹脂フィルムを提供できる。さらに該樹脂フィルムは高耐熱性を有することができる。さらに前記オルガノポリシロキサン組成物の膜状硬化物を備える半導体デバイスも耐熱性に優れ、信頼性の高い半導体デバイスを提供できる。   In the production method of the present invention, since a metal catalyst is not included in the organopolysiloxane composition, changes in physical properties hardly occur with time when the composition is cured and when the composition is stored in an uncured state. Therefore, the storage stability of the composition is improved. In addition, the amount of metal catalyst contained in the resulting silicone resin film is extremely small, and particularly contains substantially no metal catalyst. A high resin film can be provided. Furthermore, the resin film can have high heat resistance. Furthermore, a semiconductor device provided with a film-like cured product of the organopolysiloxane composition is also excellent in heat resistance and can provide a highly reliable semiconductor device.

硬化性オルガノポリシロキサン組成物の膜状成形物と触媒膜とからなる積層物の模式図である。It is a schematic diagram of the laminated body which consists of a film-form molding of a curable organopolysiloxane composition, and a catalyst film. フリップチップが搭載された半導体デバイスを本発明のオルガノポリシロキサン組成物で封止する態様を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the aspect which seals the semiconductor device by which a flip chip is mounted with the organopolysiloxane composition of this invention. ワイヤ付半導体デバイスを本発明のオルガノポリシロキサン組成物で封止する態様を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the aspect which seals a semiconductor device with a wire with the organopolysiloxane composition of this invention. 本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the semiconductor device manufacturing method of this invention.

以下、本発明について詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本発明は、硬化型オルガノポリシロキサン組成物を硬化して樹脂フィルムを製造する方法であり、該オルガノポリシロキサン組成物が金属触媒を含んでいないこと、硬化触媒として、触媒活性を有する膜(以下、触媒膜という)を使用することを特徴とする。該触媒膜は、膜の表面、又は、膜の表面及び内部にヒドロシリル化反応触媒を有するものである。以下、触媒膜について詳細に説明する。   The present invention is a method for producing a resin film by curing a curable organopolysiloxane composition, and that the organopolysiloxane composition does not contain a metal catalyst, and a film having catalytic activity as a curing catalyst (hereinafter referred to as a curing catalyst). And a catalyst membrane). The catalyst membrane has a hydrosilylation reaction catalyst on the surface of the membrane or on the surface and inside of the membrane. Hereinafter, the catalyst membrane will be described in detail.

[触媒膜]
本発明の製造方法で使用される触媒膜とは、触媒が膜の表面に固定されている、又は、膜の表面に固定され及び膜の内部に包埋されている、触媒活性を有する膜である。触媒は膜を構成する支持材料により固定されており、例えば、ポリビニルアルコール(PVA)またはその誘導体、ポリイミド、ポリエチレン、再生セルロース等の有機ポリマーをベースにした膜を使用することができる。特に好ましくは、無機酸化物と、水酸基を有する有機ポリマーのハイブリッド化合物を含む膜である。無機酸化物は水酸基を介して有機ポリマーと化学結合することができ、触媒は該ハイブリット化合物に固定される。該触媒膜としては、特には、特表2014−519964号公報(特許文献2)及び特表2015−511164号公報(特許文献3)に記載されるものを使用できる。以下、更に詳細に説明する。
[Catalyst membrane]
The catalyst membrane used in the production method of the present invention is a membrane having catalytic activity, in which the catalyst is fixed on the surface of the membrane, or fixed on the surface of the membrane and embedded in the inside of the membrane. is there. The catalyst is fixed by a supporting material constituting the membrane. For example, a membrane based on an organic polymer such as polyvinyl alcohol (PVA) or a derivative thereof, polyimide, polyethylene, regenerated cellulose, or the like can be used. Particularly preferred is a film containing a hybrid compound of an inorganic oxide and an organic polymer having a hydroxyl group. The inorganic oxide can be chemically bonded to the organic polymer via a hydroxyl group, and the catalyst is fixed to the hybrid compound. As the catalyst membrane, in particular, those described in JP-T-2014-519964 (Patent Document 2) and JP-T-2015-511164 (Patent Document 3) can be used. This will be described in more detail below.

ハイブリッド化合物を構成する無機酸化物は、ケイ酸化合物やジルコン酸化合物であることが好ましい。ケイ酸化合物は、ケイ酸およびその誘導体、またはケイ酸を主成分として含有する任意の化合物を意味する。ジルコン酸化合物は、ジルコン酸およびその誘導体、またはジルコン酸を主成分として含有する任意の化合物を意味する。特に好ましくはジルコン酸化合物である。また、ケイ酸化合物及びジルコン酸化合物は、その特性が損なわれない範囲で、他の元素を含んでいてもよく、及び/または添加物を含んでいてもよい。   The inorganic oxide constituting the hybrid compound is preferably a silicate compound or a zirconate compound. The silicic acid compound means silicic acid and its derivatives, or any compound containing silicic acid as a main component. A zirconic acid compound means any compound containing zirconic acid and its derivatives, or zirconic acid as a main component. Particularly preferred are zirconate compounds. In addition, the silicic acid compound and the zirconic acid compound may contain other elements and / or contain additives as long as the characteristics are not impaired.

水酸基を有する有機ポリマーは、水溶性ポリマーが好ましく、特に好ましくはポリビニルアルコールである。その他のポリマーとしては、例えばポリエチレンおよびポリプロピレンなどのポリオレフィンポリマー、ポリアクリルポリマー、酸化ポリエチレンおよび酸化ポリプロピレンなどのポリエーテルポリマー、ポリエチレンテレフタレートおよびポリブチレンテレフタレートなどのポリエステルポリマー、ポリテトラフルオロエチレンおよびポリフッ化ビニリデンなどのフッ素ポリマー、メチルセルロースなどの糖鎖化合物、ポリ酢酸ビニルポリマー、ポリスチレンポリマー、ポリカーボネートポリマー、エポキシ樹脂ポリマーが挙げられる。これらは混合して使用してもよい。また、該触媒膜の特性を損ねない範囲で、他の有機および無機添加物をハイブリッド化合物に混合したものであってもよい。   The organic polymer having a hydroxyl group is preferably a water-soluble polymer, particularly preferably polyvinyl alcohol. Examples of other polymers include polyolefin polymers such as polyethylene and polypropylene, polyacrylic polymers, polyether polymers such as polyethylene oxide and polypropylene oxide, polyester polymers such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, polytetrafluoroethylene and polyvinylidene fluoride, etc. Fluoropolymers, sugar chain compounds such as methylcellulose, polyvinyl acetate polymers, polystyrene polymers, polycarbonate polymers, and epoxy resin polymers. These may be used as a mixture. In addition, other organic and inorganic additives may be mixed with the hybrid compound as long as the characteristics of the catalyst film are not impaired.

触媒は、金属単体または金属化合物である。例えば、白金族金属又は白金族金属化合物であり、白金族金属系触媒である白金系、パラジウム系、及びロジウム系触媒が好適に使用できる。コスト等の見地から白金系やパラジウム系触媒であることがよく、これら金属の金属微粒子触媒、またはこれら金属元素を含む金属化合物触媒を用いることができる。より詳細には、白金族金属化合物としては、例えば、HPtCl・mHO、KPtCl、KHPtCl・mHO、KPtCl、KPtCl・mHO、PtO・mHO(mは、正の整数)が挙げられる。これらの他に、前記白金族金属化合物とオレフィン等の炭化水素、アルコールまたはビニル基含有オルガノポリシロキサンとの錯体等を用いることができ、パラジウム系触媒であればPdClなどが挙げられる。上記触媒は単独でも、2種以上の組み合わせであってもよい。触媒膜中、上記触媒の量は、金属換算で触媒膜全体の重量に対して0.0001〜10wt%、好ましくは0.1〜10wt%が好ましい。金属粒子触媒は、直径0.5〜500nmを有するものがよい。 The catalyst is a simple metal or a metal compound. For example, platinum group metals or platinum group metal compounds, and platinum group metal catalysts such as platinum, palladium, and rhodium catalysts can be suitably used. From the viewpoint of cost and the like, the catalyst is preferably a platinum-based or palladium-based catalyst, and a metal fine particle catalyst of these metals or a metal compound catalyst containing these metal elements can be used. More specifically, examples of the platinum group metal compound include H 2 PtCl 6 · mH 2 O, K 2 PtCl 6 , KHPtCl 6 · mH 2 O, K 2 PtCl 4 , K 2 PtCl 4 · mH 2 O, and PtO. 2 · mH 2 O (m is a positive integer). In addition to these, complexes of the platinum group metal compound with hydrocarbons such as olefins, alcohols, or vinyl group-containing organopolysiloxanes can be used, and PdCl 2 can be used as a palladium catalyst. The catalyst may be used alone or in combination of two or more. In the catalyst film, the amount of the catalyst is 0.0001 to 10 wt%, preferably 0.1 to 10 wt%, based on the weight of the entire catalyst film in terms of metal. The metal particle catalyst preferably has a diameter of 0.5 to 500 nm.

触媒膜の製造方法は、例えば、特表2014−519964号公報(特許文献2)及び特表2015−511164号公報(特許文献3)に記載される方法に従えばよい。また市販品として、例えば、無機酸化物/ポリビニルアルコールハイブリッド化合物にパラジウムを固定した触媒膜(商品名:Pd−iObrane(登録商標)、ニッポン高度紙工業株式会社製)を使用できる。   The manufacturing method of a catalyst film should just follow the method described in the Japanese translations of PCT publication No. 2014-519964 (patent document 2) and the special table 2015-511164 (patent document 3), for example. Further, as a commercial product, for example, a catalyst film (trade name: Pd-iObrane (registered trademark), manufactured by Nippon Kogyo Paper Industries Co., Ltd.) in which palladium is fixed to an inorganic oxide / polyvinyl alcohol hybrid compound can be used.

本発明は、上記触媒膜を使用して、触媒を含まない硬化型オルガノポリシロキサン組成物を硬化する。該オルガノポリシロキサン組成物を膜状に成形して上記触媒膜と接触させ、加熱することにより、触媒膜の表面で硬化反応が促進され、硬化物を与える。反応中、膜状態の触媒を使用することにより触媒金属粒子の凝集を防止し、触媒活性が一定になる。また、触媒膜に触媒が強力に固定されているため、反応中、触媒が組成物中に移行することは抑制される。そのため、硬化後に該触媒膜を剥離することで、硬化物中に含まれる金属触媒量をきわめて低いものとすることができる。すなわち、本発明の製造方法によれば、硬化物中に含まれる金属触媒量が金属質量換算で0.1ppm未満であるシリコーン樹脂フィルムを提供でき、特には、金属触媒を実質的に含まないシリコーン樹脂フィルムを与えることができる。   The present invention uses the catalyst film to cure a curable organopolysiloxane composition that does not contain a catalyst. The organopolysiloxane composition is formed into a film shape, brought into contact with the catalyst film and heated, whereby the curing reaction is accelerated on the surface of the catalyst film to give a cured product. During the reaction, the catalyst in the form of a membrane is used to prevent the agglomeration of the catalytic metal particles, and the catalytic activity becomes constant. Moreover, since the catalyst is strongly fixed to the catalyst membrane, the catalyst is prevented from moving into the composition during the reaction. Therefore, the amount of metal catalyst contained in the cured product can be made extremely low by peeling off the catalyst film after curing. That is, according to the production method of the present invention, it is possible to provide a silicone resin film in which the amount of the metal catalyst contained in the cured product is less than 0.1 ppm in terms of metal mass, and in particular, a silicone substantially free of metal catalyst. A resin film can be provided.

[オルガノポリシロキサン組成物]
本発明の製造方法により硬化されるオルガノポリシロキサン組成物には二つの態様がある。第一の態様は、下記(B)成分を単独で含み、脱水素縮合により硬化する組成物である。第二の態様は、下記(A)成分と(B)成分を含み、付加反応により硬化する組成物である。尚、本発明のオルガノポリシロキサン組成物は上記の通り金属触媒を含まない。
(A)1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン
(B)1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン
以下、各成分について詳細に説明する。
[Organopolysiloxane composition]
There are two embodiments of the organopolysiloxane composition cured by the production method of the present invention. A 1st aspect is a composition which contains the following (B) component independently and hardens | cures by dehydrogenation condensation. A 2nd aspect is a composition which hardens | cures by addition reaction including the following (A) component and (B) component. The organopolysiloxane composition of the present invention does not contain a metal catalyst as described above.
(A) Organopolysiloxane having at least two alkenyl groups bonded to silicon atoms in one molecule (B) Organohydrogenpolysiloxane having at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule Will be described in detail.

[(A)アルケニル基含有オルガノポリシロキサン]
(A)成分は、1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個、好ましくは3個以上有するオルガノポリシロキサンである。(A)成分は、従来公知のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンであればよい。
好ましくは、下記平均組成式(1)で表されるオルガノポリシロキサンである。

Figure 2017206678
(式中、Rは炭素数6〜10の1価芳香族炭化水素基であり、Rは置換もしくは非置換の、炭素数1〜10の鎖状脂肪族炭化水素基または炭素数3〜10の環状脂肪族炭化水素基であり、Rは炭素数2〜8のアルケニル基であり、a、b、cおよびdは、それぞれa≧0、b>0、c>0、及びd>0であり、a+b+c+d=1〜2を満たす数であり、但し、ケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有し、Xは、置換もしくは非置換の、炭素数1〜8の一価炭化水素基、または水素原子である) [(A) Alkenyl group-containing organopolysiloxane]
Component (A) is an organopolysiloxane having at least 2, preferably 3 or more alkenyl groups bonded to silicon atoms in one molecule. The component (A) may be any conventionally known alkenyl group-containing organopolysiloxane.
An organopolysiloxane represented by the following average composition formula (1) is preferable.
Figure 2017206678
(In the formula, R 1 is a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, and R 2 is a substituted or unsubstituted chain aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or 3 to 3 carbon atoms. 10 is a cyclic aliphatic hydrocarbon group, R 3 is an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, and a, b, c, and d are a ≧ 0, b> 0, c> 0, and d>, respectively. 0, a number satisfying a + b + c + d = 1 to 2, provided that it has at least two alkenyl groups bonded to a silicon atom, and X is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms Group or hydrogen atom)

上記式(1)中、R:炭素数6〜10の1価芳香族炭化水素基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基やベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基などが挙げられる。中でも、フェニル基、ベンジル基などが好ましく、特にフェニル基が好ましい。R:炭素数1〜10の鎖状脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基が挙げられる。R:炭素数3〜10の環状脂肪族炭化水素基としてはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。中でも、メチル基、エチル基、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基が好ましく、メチル基、シクロヘキシル基が特に好ましい。また、Rは、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、またはシアノ基等で置換したものを用いてもよく、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基、及びシアノエチル基が挙げられる。R:炭素数2〜8のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、3−ブテニル基、4−ペンテニル基などが挙げられる。中でも、ビニル基、及びアリル基が好ましく、ビニル基が特に好ましい。Xにおける炭素数1〜8の一価炭化水素基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等のアルキル基が挙げられる。好ましくは、メチル基又は水素原子である。 In the above formula (1), R 1 : monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms includes aryl group such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, benzyl group, phenylethyl group, phenylpropylene. And an aralkyl group such as a ru group. Of these, a phenyl group, a benzyl group and the like are preferable, and a phenyl group is particularly preferable. R 2: The chain aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, butyl group, isobutyl group, tert- butyl group, a pentyl group, a neopentyl group, a hexyl group , Alkyl groups such as octyl group, nonyl group and decyl group. R 2 : Examples of the cyclic aliphatic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group. Among these, a methyl group, an ethyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group are preferable, and a methyl group and a cyclohexyl group are particularly preferable. R 2 may be a hydrocarbon group in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with a halogen atom such as fluorine, bromine or chlorine, or a cyano group. Examples thereof include halogen-substituted alkyl groups such as propyl group, bromoethyl group and trifluoropropyl group, and cyanoethyl group. R 3 : Examples of the alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms include a vinyl group, an allyl group, a 3-butenyl group, and a 4-pentenyl group. Among these, a vinyl group and an allyl group are preferable, and a vinyl group is particularly preferable. Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms in X include alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group. Preferably, they are a methyl group or a hydrogen atom.

なお、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサンは、少なくとも1個の1価芳香族炭化水素基を有することが好ましく、特には式(1)中のR、R及びRの全個数に対する1価芳香族炭化水素基(R)の個数の割合が、20〜50%であることが好ましく、更には30〜50%が好ましい。1価芳香族炭化水素基がこの範囲内にあることで、得られる組成物が25℃で固体または半固体状態となるため好ましい。尚、本発明において半固体とは、15〜30℃の温度を室温として、可塑性を持ちながら流動性を持たない性質を有し、温度・応力・ゆがみなどの外部からのストレスによって液体または固体の性質を呈するという状態をいう。 The alkenyl group-containing organopolysiloxane preferably has at least one monovalent aromatic hydrocarbon group, and in particular, monovalent with respect to the total number of R 1 , R 2 and R 3 in the formula (1). The ratio of the number of aromatic hydrocarbon groups (R 1 ) is preferably 20 to 50%, more preferably 30 to 50%. It is preferable for the monovalent aromatic hydrocarbon group to fall within this range since the resulting composition will be in a solid or semi-solid state at 25 ° C. In the present invention, the semi-solid means that the temperature of 15 to 30 ° C. is a room temperature, has a property of having plasticity but not fluidity, and is liquid or solid due to external stress such as temperature, stress, and distortion. A state of exhibiting properties.

また、上記式(1)において、aは好ましくは0〜0.5、より好ましくは0.05〜0.5、さらには0.1〜0.5の数であり、bは好ましくは0.1〜0.7、より好ましくは0.15〜0.65の数であり、cは好ましくは0.01〜0.5、より好ましくは0.015〜0.5、さらには0.02〜0.5の数であり、dは好ましくは0.001〜0.2、より好ましくは0.001〜0.15の数である。ただし、a+b+c+d=1〜2である。   In the above formula (1), a is preferably a number of 0 to 0.5, more preferably 0.05 to 0.5, and further 0.1 to 0.5, and b is preferably 0.00. 1 to 0.7, more preferably 0.15 to 0.65, and c is preferably 0.01 to 0.5, more preferably 0.015 to 0.5, and even more preferably 0.02 to 0.02. It is a number of 0.5, and d is preferably a number of 0.001 to 0.2, more preferably 0.001 to 0.15. However, a + b + c + d = 1-2.

(A)成分は、直鎖、分岐、環状、及び網目状構造のいずれを有していても良く、RSiO2/2単位(D単位)、RSiO1/2単位(M単位)、RSiO3/2単位(T単位)、及びSiO4/2単位(Q単位)のいずれから構成されていてもよい。Rは、R、R、R、又はOX基である。得られる組成物が25℃で半固体状または固体状を有するためには、T単位又はQ単位を少なくとも有するのがよい。特には、T単位、M単位、及びD単位から成り、直鎖構造(連続するD単位)を有するシリコーンレジンが好ましい。該オルガノポリシロキサンは少量のQ単位を含んでいてもよい。(A)成分において、RSiO2/2で示されるシロキサン単位(D単位)のうち30モル%以上99モル%以下、好ましくは50モル%以上99モル%以下が連続しており、その連続したシロキサン単位の数が5〜50個、好ましくは5〜40個、更に好ましくは8〜40個であるのが好ましい。これにより25℃で固体または半固体状態である組成物が適度な温度で溶融するため、該組成物からなる膜状成形物を触媒膜に貼り合わせる際に扱い易くなる。分子中、アルケニル基が結合するケイ素原子の位置は特に制限されない。 The component (A) may have any of linear, branched, cyclic, and network structures, R 2 SiO 2/2 unit (D unit), R 3 SiO 1/2 unit (M unit). , RSiO 3/2 unit (T unit) and SiO 4/2 unit (Q unit). R is R 1 , R 2 , R 3 , or an OX group. In order for the resulting composition to be semi-solid or solid at 25 ° C., it is preferable to have at least T units or Q units. In particular, a silicone resin having a linear structure (continuous D units) composed of T units, M units, and D units is preferred. The organopolysiloxane may contain a small amount of Q units. In the component (A), 30 mol% or more and 99 mol% or less, preferably 50 mol% or more and 99 mol% or less of the siloxane unit (D unit) represented by R 2 SiO 2/2 is continuous. It is preferable that the number of siloxane units obtained is 5 to 50, preferably 5 to 40, and more preferably 8 to 40. As a result, the composition that is in a solid or semi-solid state at 25 ° C. is melted at an appropriate temperature, so that it becomes easy to handle when a film-shaped molded product made of the composition is bonded to the catalyst film. In the molecule, the position of the silicon atom to which the alkenyl group is bonded is not particularly limited.

該オルガノポリシロキサンは、重量平均分子量が2,000〜100,000であることが好ましく、特に5,000〜80,000であることが好ましい。なお、本発明中で言及する重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレンを標準物質とした重量平均分子量である。該重量平均分子量は特には、下記条件により測定される。
[測定条件]
展開溶媒:テトラヒドロフラン(THF)
流量:0.6mL/min
検出器:示差屈折率検出器(RI)
カラム:TSK Guardcolomn SuperH−L
TSKgel SuperH4000(6.0mmI.D.×15cm×1)
TSKgel SuperH3000(6.0mmI.D.×15cm×1)
TSKgel SuperH2000(6.0mmI.D.×15cm×2)
(いずれも東ソー社製)
カラム温度:40℃
試料注入量:20μL(濃度0.5重量%のTHF溶液)
The organopolysiloxane preferably has a weight average molecular weight of 2,000 to 100,000, and more preferably 5,000 to 80,000. In addition, the weight average molecular weight mentioned in the present invention is a weight average molecular weight using polystyrene as a standard substance by gel permeation chromatography (GPC). The weight average molecular weight is particularly measured under the following conditions.
[Measurement condition]
Developing solvent: Tetrahydrofuran (THF)
Flow rate: 0.6mL / min
Detector: Differential refractive index detector (RI)
Column: TSK Guardcolom SuperH-L
TSKgel SuperH4000 (6.0 mm ID × 15 cm × 1)
TSKgel Super H3000 (6.0 mm ID × 15 cm × 1)
TSKgel SuperH2000 (6.0 mm ID × 15 cm × 2)
(Both manufactured by Tosoh Corporation)
Column temperature: 40 ° C
Sample injection volume: 20 μL (0.5% by weight THF solution)

[(B)オルガノハイドロジェンポリシロキサン]
(B)成分は、1分子中に少なくとも2個以上のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。オルガノハイドロジェンポリシロキサンは架橋剤として作用するものであり、該成分中のケイ素原子に結合した水素原子(以下、SiH基)と成分(A)中のアルケニル基とが付加反応することにより硬化する。かかるオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、1分子中に少なくとも2個のSiH基を有すればよく、SiH基を3個以上有するものが好適に用いられる。
[(B) Organohydrogenpolysiloxane]
The component (B) is an organohydrogenpolysiloxane having hydrogen atoms bonded to at least two silicon atoms in one molecule. Organohydrogenpolysiloxane acts as a cross-linking agent, and is cured by an addition reaction between a hydrogen atom bonded to a silicon atom in the component (hereinafter referred to as SiH group) and an alkenyl group in component (A). . Such organohydrogenpolysiloxanes only need to have at least two SiH groups in one molecule, and those having three or more SiH groups are preferably used.

(B)成分は、好ましくは下記平均組成式(2)で表される。

Figure 2017206678
(式中、R、R及びXは上記のとおりであり、e、f、gおよびhは、それぞれe≧0、f>0、g>0、及びh>0であり、e+f+g+h=1〜2を満たす数であり、但し、ケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有する) The component (B) is preferably represented by the following average composition formula (2).
Figure 2017206678
(Wherein R 1 , R 2 and X are as described above, e, f, g and h are e ≧ 0, f> 0, g> 0 and h> 0, respectively, and e + f + g + h = 1) A number satisfying ˜2, with at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms)

上記式(2)において、Rは炭素数6〜10の1価芳香族炭化水素基であり、上記(A)のために例示したものが挙げられる。例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基が挙げられ、中でもフェニル基が好ましい。上記式(2)において、Rは、炭素数1〜10、好ましくは炭素数1〜7の、置換又は非置換の、一価炭化水素基であるのがよい。このようなRとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基;クロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、及びシアノエチル基等が挙げられる。中でもメチル基が好ましい。上記オルガノハイドロジェンポリシロキサンは、少なくとも1個の1価芳香族炭化水素基を有することが好ましく、特には式(2)中の全R及びRの全個数に対する1価芳香族炭化水素基(R)の個数の割合が、20〜50%であることが好ましく、更には30〜50%が好ましい。1価芳香族炭化水素基がこの範囲内にあることで、得られる組成物が25℃で固体または半固体状態となるため好ましい。 In the above formula (2), R 1 is a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, and examples include those exemplified for the above (A). Examples thereof include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, and a naphthyl group, and among them, a phenyl group is preferable. In the above formula (2), R 2 may be a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, preferably 1 to 7 carbon atoms. Examples of such R 2 include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, octyl group, nonyl group, decyl group and the like. Alkyl group; halogen-substituted alkyl groups such as chloromethyl group, chloropropyl group, bromoethyl group and trifluoropropyl group; cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group; and cyanoethyl group. Of these, a methyl group is preferred. The organohydrogenpolysiloxane preferably has at least one monovalent aromatic hydrocarbon group, and in particular, a monovalent aromatic hydrocarbon group based on the total number of all R 1 and R 2 in the formula (2). The ratio of the number of (R 1 ) is preferably 20 to 50%, and more preferably 30 to 50%. It is preferable for the monovalent aromatic hydrocarbon group to fall within this range since the resulting composition will be in a solid or semi-solid state at 25 ° C.

上記式(2)において、eは好ましくは0〜1.5の数であり、fは好ましくは0<f≦0.85の数であり、gは好ましくは0<g≦0.5の数であり、hは好ましくは0<h≦0.1の数であり、但しe+f+g+h=1〜2を満たす数である。分子中ヒドロシリル基の位置は特に制限されず、分子鎖の末端であっても途中であってもよい。   In the above formula (2), e is preferably a number of 0 to 1.5, f is preferably a number of 0 <f ≦ 0.85, and g is preferably a number of 0 <g ≦ 0.5. H is preferably a number satisfying 0 <h ≦ 0.1, provided that e + f + g + h = 1 to 2 is satisfied. The position of the hydrosilyl group in the molecule is not particularly limited, and may be at the end of the molecular chain or in the middle.

(B)成分は、直鎖、分岐、環状、及び網目状構造のいずれを有していても良く、RSiO2/2単位(D単位)、RSiO1/2単位(M単位)、RSiO3/2単位(T単位)、及びSiO4/2単位(Q単位)のいずれから構成されていてもよい。Rは、R、R、水素原子、又はOX基である。得られる組成物が25℃で半固体状または固体状を有するためには、T単位又はQ単位を少なくとも有するのがよい。特には、T単位、M単位、及びD単位から成り、直鎖構造(連続するD単位)を有すシリコーンレジンが好ましい。該オルガノポリシロキサンは少量のQ単位を含んでいてもよい。(B)成分において、RSiO2/2で示されるシロキサン単位(D単位)のうち30モル%以上99モル%以下、好ましくは50モル%以上99モル%以下が連続しており、その連続したシロキサン単位の数が5〜50個、好ましくは5〜40個、更に好ましくは8〜40個であるのが好ましい。 The component (B) may have any of linear, branched, cyclic, and network structures, R 2 SiO 2/2 unit (D unit), R 3 SiO 1/2 unit (M unit). , RSiO 3/2 unit (T unit) and SiO 4/2 unit (Q unit). R is R 1 , R 2 , a hydrogen atom, or an OX group. In order for the resulting composition to be semi-solid or solid at 25 ° C., it is preferable to have at least T units or Q units. In particular, a silicone resin composed of a T unit, an M unit, and a D unit and having a linear structure (continuous D unit) is preferable. The organopolysiloxane may contain a small amount of Q units. In the component (B), 30 mol% or more and 99 mol% or less, preferably 50 mol% or more and 99 mol% or less of the siloxane unit (D unit) represented by R 2 SiO 2/2 is continuous. It is preferable that the number of siloxane units obtained is 5 to 50, preferably 5 to 40, and more preferably 8 to 40.

また、他のオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、トリス(ジメチルハイドロジェンシロキシ)メチルシラン、トリス(ジメチルハイドロジェンシロキシ)フェニルシラン、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、(CHHSiO1/2単位とSiO4/2単位とから成る共重合体、(CHHSiO1/2単位とSiO4/2単位と(C)SiO3/2単位とから成る共重合体等が挙げられる。 Other organohydrogenpolysiloxanes include tris (dimethylhydrogensiloxy) methylsilane, tris (dimethylhydrogensiloxy) phenylsilane, 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3,5, 7-tetramethylcyclotetrasiloxane, both ends trimethylsiloxy group-blocked methylhydrogenpolysiloxane, both ends trimethylsiloxy group-blocked dimethylsiloxane / methylhydrogensiloxane copolymer, both ends dimethylhydrogensiloxy group-blocked dimethylsiloxane / methylhydro Gensiloxane copolymer, trimethylsiloxy group-capped methylhydrogensiloxane / diphenylsiloxane copolymer, both-end trimethylsiloxy group-capped methylhydrogensiloxane Down-diphenylsiloxane-dimethylsiloxane copolymer, (CH 3) 2 HSiO 1/2 copolymer comprising units and SiO 4/2 units, (CH 3) 2 HSiO 1/2 units and SiO 4/2 units And a copolymer comprising (C 6 H 5 ) SiO 3/2 units.

該オルガノハイドロジェンポリシロキサンは、重量平均分子量が1,000〜200,000であることが好ましく、特に2,000〜100,000であることが好ましい。該重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレンを標準物質とした重量平均分子量である。測定条件は上記した通りである。   The organohydrogenpolysiloxane preferably has a weight average molecular weight of 1,000 to 200,000, more preferably 2,000 to 100,000. The weight average molecular weight is a weight average molecular weight using polystyrene as a standard substance by gel permeation chromatography (GPC). The measurement conditions are as described above.

上記(B)成分は単独で、上記触媒膜存在下で、脱水素縮合反応して硬化することができる。該(B)成分を(A)成分と共に使用する場合、すなわち、オルガノポリシロキサン組成物が付加反応硬化型である場合、該組成物中の(B)成分の量は、上記(A)成分中のアルケニル基の個数に対する、(B)成分中のSiH基の個数比が、通常0.5〜8となるような量、好ましくは0.7〜5となるような量である。   The component (B) alone can be cured by a dehydrogenative condensation reaction in the presence of the catalyst film. When the component (B) is used together with the component (A), that is, when the organopolysiloxane composition is an addition reaction curable type, the amount of the component (B) in the composition is The amount of SiH groups in the component (B) relative to the number of alkenyl groups in the amount is usually 0.5 to 8, preferably 0.7 to 5.

[(C)接着助剤]
本発明のオルガノポリシロキサン組成物は、接着性を付与するため、上記した(A)及び(B)成分以外に接着助剤を含有してよい。接着助剤としては、例えば、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子、アルケニル基から選ばれる置換基の1種以上と、ヒドロキシシリル基、アルコキシ基、エポキシ基又は窒素原子を含有する置換基の1種以上を有するオルガノシロキサンオリゴマーが挙げられる。該オルガノシロキサンオリゴマーは、ケイ素原子数4〜50個であることが好ましく、より好ましくは4〜20個である。なお、上記(A)、(B)成分とは、ヒドロキシシリル基、アルコキシ基、エポキシ基あるいは窒素原子を含有する置換基を含む点で相違するものである。
[(C) Adhesion aid]
The organopolysiloxane composition of the present invention may contain an adhesion assistant in addition to the above-described components (A) and (B) in order to impart adhesiveness. Examples of the adhesion assistant include one or more substituents selected from a hydrogen atom bonded to a silicon atom and an alkenyl group in one molecule, and a substituent containing a hydroxysilyl group, an alkoxy group, an epoxy group, or a nitrogen atom. And organosiloxane oligomers having one or more of the following. The organosiloxane oligomer preferably has 4 to 50 silicon atoms, more preferably 4 to 20 silicon atoms. The components (A) and (B) are different in that they include a hydroxysilyl group, an alkoxy group, an epoxy group, or a substituent containing a nitrogen atom.

接着助剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤や、トリメトキシシラン、テトラメトキシシラン及びそのオリゴマーが挙げられる。   Examples of the adhesion assistant include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and 3-glycidoxypropylmethyl. Diethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltriethoxy Silane, -Silane coupling agents such as aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxylane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane and The oligomer is mentioned.

また、他の接着助剤として、下記一般式(3)で示されるオルガノオキシシリル変性イソシアヌレート化合物、及びその加水分解縮合物(オルガノシロキサン変性イソシアヌレート化合物)を使用することができる。

Figure 2017206678
Moreover, the organooxysilyl modified isocyanurate compound represented by the following general formula (3) and its hydrolysis condensate (organosiloxane modified isocyanurate compound) can be used as other adhesion assistants.
Figure 2017206678

上記式(3)中、R4は互いに独立に、下記一般式(4)で示される有機基、又は酸素原子を有していてもよい一価脂肪族不飽和炭化水素基である。但し、R4の少なくとも1個は下記式(4)で示される基である。

Figure 2017206678
(式中、R5は水素原子又は炭素数1〜6のメチル基、エチル基等の一価炭化水素基であり、tは2〜10の整数であり、好ましくは1〜6の整数であり、好ましくは1〜4の整数である。) In the above formula (3), R 4 independently of each other is an organic group represented by the following general formula (4) or a monovalent aliphatic unsaturated hydrocarbon group which may have an oxygen atom. However, at least one of R 4 is a group represented by the following formula (4).
Figure 2017206678
(In the formula, R 5 is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group such as a methyl group or ethyl group having 1 to 6 carbon atoms, and t is an integer of 2 to 10, preferably an integer of 1 to 6. , Preferably an integer of 1 to 4.)

上記式(4)において、R4で示される酸素原子を有していてもよい一価脂肪族不飽和炭化水素基としては、好ましくは炭素数2〜12、より好ましくは炭素数2〜8、更に好ましくは炭素数2〜6の、直鎖状又は分岐状のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基、1−ブテニル基、1−ヘキセニル基、2−メチルプロペニル基や、(メタ)アクリル基等が挙げられる。例えば、下記式で表すことができる。

Figure 2017206678
(mは2〜10の整数である) In the above formula (4), the monovalent aliphatic unsaturated hydrocarbon group optionally having an oxygen atom represented by R 4 is preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 8 carbon atoms, More preferably, it is a C2-C6 linear or branched alkenyl group such as a vinyl group, allyl group, 1-butenyl group, 1-hexenyl group, 2-methylpropenyl group, or (meth) acryl group. Etc. For example, it can be represented by the following formula.
Figure 2017206678
(M is an integer of 2 to 10)

他の接着助剤としては、分子中にエポキシ基を少なくとも1つ有するオルガノポリシロキサンが挙げられる。該オルガノポリシロキサンは従来公知の化合物であればよい。例えば、下記一般式(5)又は平均式(6)で示されるオルガノシロキサンが挙げられる。中でも、下記一般式(5)で示される化合物を含む組成物は、硬化後の触媒膜との剥離性が他の接着助剤より良好であるため好ましい。

Figure 2017206678
(式(5’)中、Rは互いに独立に、炭素数1〜3の一価炭化水素基であり、vは2〜7の整数である。好ましくは、Rが全てメチル基であり、vが3である化合物である)
Figure 2017206678
(式(6)中、Rは置換もしくは非置換の、炭素数1〜10の鎖状脂肪族炭化水素基または炭素数3〜10の環状脂肪族炭化水素基であり、上記(A)の為に記載したRで示される基の選択肢が挙げられる、kは1〜3であり、jは1〜2である。s、p、及びqは合計1となる正数であり、例えばs=0.2、p=0.5、及びq=0.3である。該化合物は重量平均分子量1,000〜8,000を有する) Other adhesion assistants include organopolysiloxanes having at least one epoxy group in the molecule. The organopolysiloxane may be a conventionally known compound. Examples thereof include organosiloxanes represented by the following general formula (5) or average formula (6). Among these, a composition containing a compound represented by the following general formula (5) is preferable because it has better peelability from the cured catalyst film than other adhesion aids.
Figure 2017206678
(In Formula (5 ′), R 6 is independently a monovalent hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, and v is an integer of 2 to 7. Preferably, all R 6 are methyl groups. , V is 3)
Figure 2017206678
(In the formula (6), R 5 is a substituted or unsubstituted chain aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a cyclic aliphatic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms. include options group represented by R 2 described for, k is 1 to 3, j is .s is 1 to 2, p, and q are positive numbers as the sum 1, for example, s = 0.2, p = 0.5, and q = 0.3, the compound has a weight average molecular weight of 1,000 to 8,000)

接着助剤を配合する場合の配合量は、(A)、(B)成分の合計100質量部に対して、10質量部以下が好ましく、より好ましくは0.1〜8質量部、特に好ましくは0.2〜5質量部である。配合量が上記上限値以下であれば硬化物硬度が高いものとなり、表面タック性も抑えられる。   The blending amount in the case of blending the adhesion assistant is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 0.1 to 8 parts by mass, particularly preferably 100 parts by mass in total of the components (A) and (B). 0.2 to 5 parts by mass. If the blending amount is less than or equal to the above upper limit value, the cured product hardness is high, and surface tackiness is also suppressed.

また、接着助剤を配合する場合の配合量として、本接着助剤を含む全組成物中のアルケニル基の合計個数に対して、全組成物中のヒドロシリル基の合計個数の比が0.4〜4となる量が好ましく、0.6〜3となる量がより好ましく、0.8〜2となる量が更に好ましい。   Further, as a blending amount in the case of blending the adhesion assistant, the ratio of the total number of hydrosilyl groups in the whole composition to the total number of alkenyl groups in the whole composition containing the adhesion assistant is 0.4. The amount of ˜4 is preferred, the amount of 0.6˜3 is more preferred, and the amount of 0.8˜2 is even more preferred.

更に(A)、(B)成分の合計100質量部に対して接着助剤成分の割合は0.01〜10質量部であるのが好ましく、より好ましくは0.1〜5質量部である。この範囲内であれば、本発明の効果を損なうことなく、接着力を向上することができる。   Furthermore, it is preferable that the ratio of an adhesion assistant component is 0.01-10 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) and (B) component, More preferably, it is 0.1-5 mass parts. Within this range, the adhesive force can be improved without impairing the effects of the present invention.

本発明のオルガノポリシロキサン組成物には、上述した(A)、(B)、(C)成分以外に、必要に応じて、蛍光体、無機充填材及び硬化抑制剤等を含有してもよい。以下、各成分について説明する。   In addition to the components (A), (B), and (C) described above, the organopolysiloxane composition of the present invention may contain a phosphor, an inorganic filler, a curing inhibitor, and the like as necessary. . Hereinafter, each component will be described.

[蛍光体]
蛍光体は、特に制限されるものでなく、従来公知の蛍光体を使用すればよい。例えば、半導体素子、特に窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオードからの光を吸収し、異なる波長の光に波長変換するものであることが好ましい。このような蛍光体としては、例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類金属硫化物蛍光体、アルカリ土類金属チオガレート蛍光体、アルカリ土類金属窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体蛍光体、Ca−Al−Si−O−N系オキシ窒化物ガラス蛍光体等から選ばれる1種以上であることが好ましい。
[Phosphor]
The phosphor is not particularly limited, and a conventionally known phosphor may be used. For example, it is preferable to absorb light from a semiconductor element, particularly a semiconductor light emitting diode having a nitride-based semiconductor as a light emitting layer, and convert the light to light having a different wavelength. Examples of such phosphors include nitride-based phosphors / oxynitride-based phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and Ce, lanthanoid-based substances such as Eu, and transition metal-based substances such as Mn. Alkaline earth metal halogen apatite phosphor, alkaline earth metal borate phosphor, alkaline earth metal aluminate phosphor, alkaline earth metal silicate phosphor, alkaline earth metal activated mainly by elements Sulfide phosphor, alkaline earth metal thiogallate phosphor, alkaline earth metal silicon nitride phosphor, germanate phosphor, rare earth aluminate phosphor mainly activated by lanthanoid elements such as Ce, rare earth Organic and organic complex phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as silicate phosphors or Eu, Ca—Al—Si—O—N oxynitride glass phosphors It is preferably at least one member selected from.

Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体としては、M2Si58:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種である。)が挙げられる。また、MSi710:Eu、M1.8Si50.28:Eu、及びM0.9Si70.110:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種である。)などが挙げられる。 As a nitride-based phosphor mainly activated by a lanthanoid element such as Eu or Ce, M 2 Si 5 N 8 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn) There is). Further, MSi 7 N 10: Eu, M 1.8 Si 5 O 0.2 N 8: Eu, and M 0.9 Si 7 O 0.1 N 10 : Eu (M is at least one selected Sr, Ca, Ba, Mg, and Zn And the like.

Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体としては、MSi222:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種である。)が挙げられる。 As an oxynitride phosphor mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and Ce, MSi 2 O 2 N 2 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn) .).

Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体としては、M5(PO43X’:R’(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種である。X’は、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種である。R’はEu及びMnのいずれか1以上である。)が挙げられる。 Alkaline earth metal halogen apatite phosphors mainly activated by lanthanoid-based elements such as Eu and transition metal-based elements such as Mn include M 5 (PO 4 ) 3 X ′: R ′ (M is Sr, Ca X ′ is at least one selected from F, Cl, Br and I. R ′ is any one or more of Eu and Mn.) Is mentioned.

アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体としては、M259X’:R’(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種である。X’は、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種である。R’はEu及びMnのいずれか1以上である。)が挙げられる。 As the alkaline earth metal borate phosphor, M 2 B 5 O 9 X ′: R ′ (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn. X ′ is F , Cl, Br, or I. R ′ is any one or more of Eu and Mn).

アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体としては、SrAl24:R’、Sr4Al1425:R’、CaAl24:R’、BaMg2Al1627:R’、BaMg2Al1612:R’、及びBaMgAl1017:R’(R’はEu及びMnのいずれか1以上である。)が挙げられる。 Alkaline earth metal aluminate phosphors include SrAl 2 O 4 : R ′, Sr 4 Al 14 O 25 : R ′, CaAl 2 O 4 : R ′, BaMg 2 Al 16 O 27 : R ′, BaMg 2 Al 16 O 12 : R ′ and BaMgAl 10 O 17 : R ′ (R ′ is any one or more of Eu and Mn).

アルカリ土類金属硫化物蛍光体としては、La22S:Eu、Y22S:Eu、及びGd22S:Euなどが挙げられる。 Examples of the alkaline earth metal sulfide phosphor include La 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 2 S: Eu, and Gd 2 O 2 S: Eu.

Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体としては、Y3Al512:Ce、(Y0.8Gd0.23Al512:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2512:Ce、及び(Y,Gd)3(Al,Ga)512の組成式で表されるYAG系蛍光体が挙げられる。また、Yの一部もしくは全部をTb、Lu等で置換したTb3Al512:Ce、Lu3Al512:Ceなどもある。 As rare earth aluminate phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as Ce, Y 3 Al 5 O 12 : Ce, (Y 0.8 Gd 0.2 ) 3 Al 5 O 12 : Ce, Y 3 (Al 0.8 Ga) 0.2 ) 5 O 12 : Ce, and (Y, Gd) 3 (Al, Ga) 5 O 12 YAG phosphors represented by the composition formulas. Further, there are Tb 3 Al 5 O 12 : Ce, Lu 3 Al 5 O 12 : Ce, etc. in which a part or all of Y is substituted with Tb, Lu, or the like.

その他の蛍光体には、ZnS:Eu、Zn2GeO4:Mn、MGa24:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種である。)などが挙げられる。 Other phosphors include ZnS: Eu, Zn 2 GeO 4 : Mn, MGa 2 S 4 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg and Zn). It is done.

上記蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることができる。   The phosphor contains at least one selected from Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, Ti instead of Eu or in addition to Eu as desired. Can do.

Ca−Al−Si−O−N系オキシ窒化物ガラス蛍光体とは、モル%で、CaCO3をCaOに換算して20〜50モル%、Al23を0〜30モル%、SiOを25〜60モル%、AlNを5〜50モル%、希土類酸化物又は遷移金属酸化物を0.1〜20モル%とし、5成分の合計が100モル%となるオキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体である。なお、オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体では、窒素含有量が15モル%以下であることが好ましく、希土類酸化物イオンの他に増感剤となる他の希土類元素イオンを希土類酸化物として蛍光ガラス中に0.1〜10モル%の範囲の含有量で共賦活剤として含むことが好ましい。 The Ca—Al—Si—O—N-based oxynitride glass phosphor is in mol%, CaCO 3 is converted to CaO, 20 to 50 mol%, Al 2 O 3 is 0 to 30 mol%, SiO is An oxynitride glass having 25 to 60 mol%, 5 to 50 mol% AlN, 0.1 to 20 mol% rare earth oxide or transition metal oxide, and a total of five components of 100 mol% is used as a base material. Phosphor. In the phosphor using oxynitride glass as a base material, the nitrogen content is preferably 15 mol% or less. In addition to the rare earth oxide ion, another rare earth element ion serving as a sensitizer is added to the rare earth oxide. It is preferable to contain as a co-activator in content in the range of 0.1-10 mol% in fluorescent glass.

また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体を使用することもできる。   Moreover, it is also possible to use a phosphor other than the above phosphors and having the same performance and effect.

本発明に用いる蛍光体は、平均粒径10nm以上を有することが好ましく、より好ましくは10nm〜10μm、更に好ましくは10nm〜1μmを有するのがよい。上記平均粒径は、シーラスレーザー測定装置などのレーザー光回折法による粒度分布測定で測定される。   The phosphor used in the present invention preferably has an average particle size of 10 nm or more, more preferably 10 nm to 10 μm, still more preferably 10 nm to 1 μm. The average particle diameter is measured by particle size distribution measurement by a laser light diffraction method such as a cirrus laser measuring apparatus.

蛍光体を配合する場合の配合量は、蛍光体以外の成分、例えば(A)及び(B)成分の合計100質量部に対して、0.1〜2,000質量部が好ましく、より好ましくは0.1〜100質量部である。本発明のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物を蛍光体含有波長変換フィルムとする場合は、蛍光体の含有量を10〜2,000質量部とするのが好ましい。   The blending amount when the phosphor is blended is preferably 0.1 to 2,000 parts by mass, more preferably 100 parts by mass in total of components other than the phosphor, for example, the components (A) and (B). 0.1 to 100 parts by mass. When the cured product of the organopolysiloxane composition of the present invention is a phosphor-containing wavelength conversion film, the phosphor content is preferably 10 to 2,000 parts by mass.

[無機充填材]
無機充填材としては、例えば、シリカ、ヒュームドシリカ、ヒュームド二酸化チタン、アルミナ、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、二酸化チタン、酸化第二鉄、及び酸化亜鉛等を挙げることができる。これらは、1種単独で又は2種以上を併せて使用することができる。
[Inorganic filler]
Examples of the inorganic filler include silica, fumed silica, fumed titanium dioxide, alumina, calcium carbonate, calcium silicate, titanium dioxide, ferric oxide, and zinc oxide. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

無機充填材を配合する場合の配合量は特に制限されないが、本発明のシリコーン樹脂フィルムが透明性を失わない程度の量であることが好ましい。(A)及び(B)成分の合計100質量部あたり20質量部以下、好ましくは0.1〜10質量部の範囲で適宜配合すればよい。   The blending amount in the case of blending the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably such an amount that the silicone resin film of the present invention does not lose transparency. What is necessary is just to mix | blend suitably in the range of 20-10 mass parts per 100 mass parts in total of (A) and (B) component, Preferably 0.1-10 mass parts.

[その他の添加剤]
本発明のオルガノポリシロキサン組成物には、上記成分のほかに、その他の添加剤を配合することができる。その他の添加剤としては、例えば、ラジカル禁止剤、難燃剤、界面活性剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、酸化防止剤、熱安定剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤、有機溶剤等が挙げられる。これらの任意成分は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
[Other additives]
In addition to the above components, other additives can be added to the organopolysiloxane composition of the present invention. Other additives include, for example, radical inhibitors, flame retardants, surfactants, light stabilizers, thickeners, plasticizers, antioxidants, thermal stabilizers, conductivity enhancers, antistatic agents, radiation shielding Agents, nucleating agents, phosphorus peroxide decomposing agents, lubricants, pigments, metal deactivators, physical property modifiers, organic solvents and the like. These optional components may be used alone or in combination of two or more.

本発明のオルガノポリシロキサン組成物の最も単純な実施形態は、(B)成分のみ、又は、(A)及び(B)成分からなる組成物である。なお、高い透明性を有する硬化物を得るためには、前記無機充填材を含有しないことが好ましい。本発明のオルガノポリシロキサン組成物の調製方法は特に制限されるものでなく、従来公知の方法に従えばよく、上記(A)、(B)成分、及びその他の任意成分を任意の方法により混合して調製すればよい。例えば、市販の攪拌機(THINKY CONDITIONING MIXER(株)シンキー製)等に入れて、1〜5分間程度、均一に混合することによって調製することができる。   The simplest embodiment of the organopolysiloxane composition of the present invention is a composition comprising only the component (B) or the components (A) and (B). In addition, in order to obtain the hardened | cured material which has high transparency, it is preferable not to contain the said inorganic filler. The method for preparing the organopolysiloxane composition of the present invention is not particularly limited, and may be a conventionally known method. The above components (A) and (B) and other optional components are mixed by any method. To be prepared. For example, it can be prepared by putting it in a commercially available stirrer (THINKY CONDITIONING MIXER Co., Ltd., manufactured by Shinky Co., Ltd.) or the like and mixing uniformly for about 1 to 5 minutes.

本発明のオルガノポリシロキサン組成物の性状は、液状、半固体状、固体状のいずれでもよいが、25℃で固体状であれば、硬化前でも樹脂の流動性が非常に低いため、硬化前後での形状維持が容易であり好ましい。   The property of the organopolysiloxane composition of the present invention may be liquid, semi-solid, or solid, but if it is solid at 25 ° C., the flowability of the resin is very low even before curing. It is preferable because the shape can be easily maintained.

本発明のオルガノポリシロキサン組成物は、高い光透過性を有する硬化物を与えることができる。従って、本発明のオルガノポリシロキサン組成物は、LED素子封止用、特に青色LEDや紫外LEDの素子封止用として有用である。本発明のオルガノポリシロキサン組成物でLED素子等を封止する方法は従来公知の方法に従えばよい。例えば、ディスペンス法、及びコンプレッションモールド法などが使用できる。   The organopolysiloxane composition of the present invention can give a cured product having high light transmittance. Therefore, the organopolysiloxane composition of the present invention is useful for LED element sealing, particularly for blue LED and ultraviolet LED element sealing. A method for sealing an LED element or the like with the organopolysiloxane composition of the present invention may be a conventionally known method. For example, a dispensing method and a compression molding method can be used.

[製造方法I.シリコーン樹脂フィルムの製造方法]
以下、シリコーン樹脂フィルムの製造方法について、さらに詳細に説明する。
本発明の製造方法I.は、下記工程(1)〜(3)を含む。
(1)触媒活性を有する膜1枚の上にて、または2枚の間にて、前記オルガノポリシロキサン組成物を膜状に成形する工程、又は、膜状に成形したオルガノポリシロキサン組成物の少なくとも1面と触媒活性を有する膜とを貼り合わせる工程、
(2)次いで、前記オルガノポリシロキサン組成物を硬化してシリコーン樹脂フィルムを得る工程、及び
(3)得られたシリコーン樹脂フィルムと前記膜とを剥離する工程
[Production Method I. Manufacturing method of silicone resin film]
Hereinafter, the manufacturing method of a silicone resin film is demonstrated in detail.
Production method of the present invention Includes the following steps (1) to (3).
(1) A step of forming the organopolysiloxane composition into a film form on one film having catalytic activity or between two sheets, or an organopolysiloxane composition formed into a film form Bonding at least one surface and a film having catalytic activity;
(2) Next, a step of curing the organopolysiloxane composition to obtain a silicone resin film, and (3) a step of separating the obtained silicone resin film and the membrane.

製造方法I.の工程(1)
オルガノポリシロキサン組成物を膜状に成形する方法は、従来公知の方法に従えばよく、例えばフィルムコーター、熱プレス機等を使用することができる。フィルムコーターとしては、ダイレクトグラビアコーター、チャンバードクターコーター、オフセットグラビアコーター、ロールキスコーター、リバースキスコーター、バーコーター、ダイコーター、リバースロールコーター、スロットダイ、エアードクターコーター、正回転ロールコーター、ブレードコーター、ナイフコーター、含浸コーター、MBコーター、及びMBリバースコーターなどがある。中でもダイレクトグラビアコーター、オフセットグラビアコーター、ダイコーターなどが好ましい。熱プレス機を用いる場合は、触媒膜を貼り合せる工程が、組成物の成形前であっても成形後であってもよい。フィルムコーターを用いる場合は、フィルム状に成形した後に触媒膜を貼り合せることが好ましい。
Process (1) of production method I.
The method of forming the organopolysiloxane composition into a film may be in accordance with a conventionally known method, and for example, a film coater, a hot press machine or the like can be used. As film coater, direct gravure coater, chamber doctor coater, offset gravure coater, roll kiss coater, reverse kiss coater, bar coater, die coater, reverse roll coater, slot die, air doctor coater, forward rotation roll coater, blade coater, There are knife coaters, impregnation coaters, MB coaters, and MB reverse coaters. Of these, a direct gravure coater, an offset gravure coater, a die coater and the like are preferable. In the case of using a hot press, the step of bonding the catalyst film may be before or after molding the composition. When a film coater is used, it is preferable that the catalyst film is bonded after being formed into a film.

また、膜状に成形したオルガノポリシロキサン組成物の触媒膜が貼り合わされていない面に、更に、別の触媒膜を貼りあわせてもよい。   Further, another catalyst film may be further bonded to the surface where the catalyst film of the organopolysiloxane composition formed into a film is not bonded.

膜状に成形するオルガノポリシロキサン組成物の厚さは、10〜2,000μmが好ましく、さらには50〜1,000μmがより好ましい。この範囲であれば、触媒膜が有する触媒によって組成物を十分に硬化することができ、硬化不良を起こすことがない。   The thickness of the organopolysiloxane composition formed into a film is preferably 10 to 2,000 μm, more preferably 50 to 1,000 μm. If it is this range, a composition can fully harden | cure with the catalyst which a catalyst film has, and does not raise | generate a curing failure.

熱プレス機を用いる場合、通常60〜150℃、好ましくは80〜120℃の温度で、0.1〜20MPa、好ましくは0.3〜15MPaの圧力下で、1〜40分間、好ましくは1〜20分間圧縮成形を行う。オルガノポリシロキサン組成物の片面または両面に触媒膜を配置し、熱プレス機を用いて圧縮成形を行っても良い。熱プレス機を用いた場合の、フィルム成形厚さは、得られる硬化物の厚さとして0.01〜3mm、好ましくは0.015〜2mmである。   When a hot press is used, it is usually 60 to 150 ° C., preferably 80 to 120 ° C., and 0.1 to 20 MPa, preferably 0.3 to 15 MPa under a pressure of 1 to 40 minutes, preferably 1 to Perform compression molding for 20 minutes. A catalyst film may be disposed on one side or both sides of the organopolysiloxane composition, and compression molding may be performed using a hot press. When using a hot press, the film molding thickness is 0.01 to 3 mm, preferably 0.015 to 2 mm, as the thickness of the resulting cured product.

フィルムコーターを用いる場合は、無溶剤の状態でシート状等に成形してもよいが、該組成物を有機溶媒に溶解してワニスとしてもよい。   When a film coater is used, it may be formed into a sheet or the like in a solvent-free state, but the composition may be dissolved in an organic solvent to form a varnish.

前記有機溶媒としては、特に限定されないが、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒;テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒;メチルエチルケトン等のケトン系溶媒;クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒;メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール等のアルコール系溶媒;オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン等が挙げられ、更にセロソルブアセテート、シクロヘキサノン、ブチロセロソルブ、メチルカルビトール、カルビトール、ブチルカルビトール、ジエチルカルビトール、シクロヘキサノール、ジグライム、トリグライムなどの溶剤である。これらの有機溶媒は、1種単独で用いても2種以上を併用してもよい。ワニス状態の組成物をフィルムコーターで60〜150℃、好ましくは80〜120℃の温度で1〜20分間、好ましくは3〜10分間加熱してシート状に加工する。フィルムコーターを用いた場合の、フィルム成形厚さは、得られる硬化物の厚さとして0.01〜1mm、好ましくは0.015〜0.5mmである。   Examples of the organic solvent include, but are not limited to, hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, and xylene; ether solvents such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, and diethyl ether; ketone solvents such as methyl ethyl ketone; chloroform, Halogen solvents such as methylene chloride and 1,2-dichloroethane; alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol and isobutyl alcohol; octamethylcyclotetrasiloxane, hexamethyldisiloxane and the like, and cellosolve acetate, cyclohexanone, Solvents such as butyrocellosolve, methyl carbitol, carbitol, butyl carbitol, diethyl carbitol, cyclohexanol, diglyme and triglyme. These organic solvents may be used alone or in combination of two or more. The composition in a varnish state is heated to 60 to 150 ° C., preferably 80 to 120 ° C. with a film coater for 1 to 20 minutes, preferably 3 to 10 minutes to be processed into a sheet. When a film coater is used, the film molding thickness is 0.01 to 1 mm, preferably 0.015 to 0.5 mm, as the thickness of the obtained cured product.

さらには、膜状に成形したオルガノポリシロキサン組成物の触媒膜が貼り合わされていない面に離型フィルムを貼り合せてもよい。離型フィルムとしてはフッ素系樹脂コートしたPETフィルム、シリコーン樹脂コートしたPETフィルム、フッ素系樹脂フィルムなどが挙げられる。   Furthermore, a release film may be bonded to the surface where the catalyst film of the organopolysiloxane composition formed into a film is not bonded. Examples of the release film include a fluororesin-coated PET film, a silicone resin-coated PET film, and a fluororesin film.

製造方法I.の工程(2)
本発明のオルガノポリシロキサン組成物の硬化条件は、脱水素縮合型及び付加反応硬化型のいずれも、特に制限されるものでなく、従来公知の方法に従えばよい。例えば、60〜180℃、1〜12時間程度で硬化することができる。特には、ステップキュアによって硬化させることが好ましい。ステップキュアでは、例えば以下の2段階を経て行うことができる。まず、オルガノポリシロキサン組成物を60〜100℃の温度で0.5〜2時間加熱し、十分に脱泡させる。次いで、オルガノポリシロキサン組成物を120〜180℃の温度で1〜10時間加熱硬化させる。これらの段階を経ることにより十分に硬化し、気泡の発生がなく、無色透明の硬化物を得ることができる。本発明において無色透明の硬化物とは、1mm厚での450nmにおける光透過率が80%以上、好ましくは85%以上、特に好ましくは90%以上であるものを意味する。
Step (2) of production method I.
The curing conditions for the organopolysiloxane composition of the present invention are not particularly limited for both the dehydrogenative condensation type and the addition reaction curing type, and may be a conventionally known method. For example, it can be cured at 60 to 180 ° C. for about 1 to 12 hours. In particular, it is preferable to cure by step cure. In step cure, for example, the following two steps can be performed. First, the organopolysiloxane composition is heated at a temperature of 60 to 100 ° C. for 0.5 to 2 hours to sufficiently degas it. Next, the organopolysiloxane composition is heat-cured at a temperature of 120 to 180 ° C. for 1 to 10 hours. By passing through these steps, it is sufficiently cured, and there is no generation of bubbles, and a colorless and transparent cured product can be obtained. In the present invention, the colorless and transparent cured product means that the light transmittance at 450 nm with a thickness of 1 mm is 80% or more, preferably 85% or more, particularly preferably 90% or more.

製造方法I.の工程(3)
上記工程により形成された硬化物(シリコーン樹脂フィルム)と触媒膜とを剥離することにより、シリコーン樹脂フィルムを得ることができる。本発明の製造方法を用いれば、シリコーン樹脂フィルム中に含まれる金属触媒の量は金属質量換算で0.1ppm未満となり、好ましくは0.05ppm未満となる。上記上限値超になると、未硬化状態で組成物の保存安定性が低下し、また、得られるシリコーン樹脂フィルムの耐熱性及び信頼性も低下する恐れがあるため、好ましくない。
Step (3) of production method I.
A silicone resin film can be obtained by peeling the cured product (silicone resin film) and catalyst film formed by the above process. If the manufacturing method of this invention is used, the quantity of the metal catalyst contained in a silicone resin film will be less than 0.1 ppm in conversion of metal mass, Preferably it will be less than 0.05 ppm. Exceeding the upper limit is not preferable because the storage stability of the composition in an uncured state is lowered, and the heat resistance and reliability of the resulting silicone resin film may be lowered.

[製造方法II.半導体デバイスの製造方法]
以下、本発明のオルガノポリシロキサン組成物からなる膜状成形物(硬化前の組成物からなる成形物を意味する)を用いた半導体デバイスの製造方法について、さらに詳細に説明する。
本発明の製造方法II.は、下記工程(1)〜(4)を含む。
(1)触媒活性を有する膜1枚の上に、前記オルガノポリシロキサン組成物を膜状に成形する工程、又は、膜状に成形したオルガノポリシロキサン組成物の1面と触媒活性を有する膜とを貼り合わせて膜状積層物を得る工程
(2)前記工程(1)で得た膜状積層物の組成物面と、半導体チップが搭載された基板の半導体チップ搭載面とを貼り合せて、半導体チップを前記オルガノポリシロキサン組成物で被覆する工程
(3)前記オルガノポリシロキサン組成物を硬化する工程
(4)前記硬化物と前記触媒膜とを剥離して、前記硬化物で半導体チップが被覆された半導体デバイスを得る工程
さらに本発明の製造方法II.は前記工程(4)の後に(5)得られた半導体デバイスをダイシングし個片化する工程を更に含むことができる。
[Production Method II. Manufacturing method of semiconductor device]
Hereinafter, a method for producing a semiconductor device using a film-like molded article made of the organopolysiloxane composition of the present invention (meaning a molded article made of a composition before curing) will be described in more detail.
Production method II. Includes the following steps (1) to (4).
(1) A step of forming the organopolysiloxane composition into a film shape on one film having catalytic activity, or one surface of the organopolysiloxane composition formed into a film shape and a film having catalytic activity (2) Bonding the composition surface of the film laminate obtained in the step (1) and the semiconductor chip mounting surface of the substrate on which the semiconductor chip is mounted, The step of coating a semiconductor chip with the organopolysiloxane composition (3) The step of curing the organopolysiloxane composition (4) The cured product and the catalyst film are peeled off and the semiconductor chip is covered with the cured product Step of obtaining a manufactured semiconductor device Furthermore, the manufacturing method II. Can further include a step of dicing and dividing the obtained semiconductor device after the step (4).

該製造方法II.による半導体デバイスの製造方法を説明するための模式図を図4に示す。図4に示される各工程(1)〜(5)は上記工程(1)〜(5)に対応している。以下、各工程をより詳細に説明する。
製造方法II.の工程(1)
工程(1)では、硬化性オルガノポリシロキサン組成物を膜状に成形し、該膜状成型物と触媒膜からなる膜状積層物を得る(図4の工程(1))。膜状に成形する方法及び触媒膜と張り付ける方法は、上記した製造方法I.の工程(1)に記載した通りである。
Production method II. FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the above. Each process (1)-(5) shown by FIG. 4 respond | corresponds to the said process (1)-(5). Hereinafter, each process is demonstrated in detail.
Step (1) of production method II.
In the step (1), the curable organopolysiloxane composition is formed into a film to obtain a film-shaped laminate composed of the film-shaped molded product and a catalyst film (step (1) in FIG. 4). The method of forming into a film and the method of pasting with a catalyst membrane are described in the above-mentioned production methods I. As described in step (1).

製造方法II.の工程(2)
前記工程(1)で得た膜状積層物の組成物面と、半導体チップが搭載されている基板の半導体チップ搭載面とを貼り合せて、半導体チップを前記オルガノポリシロキサン組成物で被覆する(図4の工程(2))。該工程は従来公知の方法に従えばよく、熱プレスや真空ラミネータ、圧縮成形などが使用でき、特に追従性から真空ラミネータが望ましい。より詳細には、例えば、成型装置の上型の金属板上に粘着フィルムなどを介して半導体チップが搭載されている基板を粘着させ、成形装置の下型に前記積層物の触媒面を成形面側に載置し、真空ラミネータ(ニッコーマテリアルズ社製 V−130)にて、成形温度50〜150℃、系内の真空度は0.1〜10hPa、真空10秒〜1分、押し込み圧力は0.05〜0.5MPaで成形することができる。
Step (2) of production method II.
The composition surface of the film laminate obtained in the step (1) and the semiconductor chip mounting surface of the substrate on which the semiconductor chip is mounted are bonded together, and the semiconductor chip is covered with the organopolysiloxane composition ( Step (2) in FIG. The process may be performed according to a conventionally known method, and a hot press, a vacuum laminator, a compression molding, or the like can be used. In particular, a vacuum laminator is desirable from the viewpoint of followability. More specifically, for example, a substrate on which a semiconductor chip is mounted is adhered to an upper metal plate of a molding apparatus via an adhesive film or the like, and the catalyst surface of the laminate is molded on the lower mold of the molding apparatus. Placed on the side, with a vacuum laminator (V-130 manufactured by Nikko Materials Co., Ltd.), a molding temperature of 50 to 150 ° C., the degree of vacuum in the system is 0.1 to 10 hPa, a vacuum of 10 seconds to 1 minute, and the indentation pressure is It can be molded at 0.05 to 0.5 MPa.

製造方法II.の工程(3)
前記工程(2)で得られるオルガノポリシロキサン組成物で半導体チップが被覆された半導体デバイスを硬化する(図4の工程(3))。
Step (3) of production method II.
The semiconductor device in which the semiconductor chip is coated with the organopolysiloxane composition obtained in the step (2) is cured (step (3) in FIG. 4).

本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化条件は、上記した製造方法I.の工程(2)に記載した通りである。例えば、60〜180℃の温度で、1〜12時間加熱して硬化することができる。好ましくは120〜180℃、1〜4時間で加熱するのがよい。特には、ステップキュアによって硬化させることが好ましい。ステップキュアについては上述した通りである。180℃超の硬化温度(例えば200℃)で長時間(例えば4時間以上)加熱すると、得られる硬化物と触媒膜との剥離が容易でなくなる恐れがある。本発明のオルガノポリシロキサン組成物からなる膜状成型物と触媒膜とからなる膜状積層物の組成物面と半導体デバイスとを貼りあわせることにより、ボイドの発生等を起こさずに成形できる。本発明の製造方法は、図2に示すようなフリップチップ型の半導体デバイス及び図3に示すようなワイヤ付きチップを有する半導体デバイスのどちらでも成形することができる。   The curing conditions for the curable organopolysiloxane composition of the present invention are as described in the above-described production method I.I. As described in step (2). For example, it can be cured by heating at a temperature of 60 to 180 ° C. for 1 to 12 hours. It is preferable to heat at 120 to 180 ° C. for 1 to 4 hours. In particular, it is preferable to cure by step cure. Step cure is as described above. When heated at a curing temperature exceeding 180 ° C. (for example, 200 ° C.) for a long time (for example, 4 hours or more), there is a possibility that peeling between the obtained cured product and the catalyst film may not be easy. By bonding the composition surface of the film-shaped laminate composed of the organopolysiloxane composition of the present invention and the catalyst film to the semiconductor device, it can be molded without causing voids or the like. The manufacturing method of the present invention can form either a flip chip type semiconductor device as shown in FIG. 2 or a semiconductor device having a chip with a wire as shown in FIG.

製造方法II.の工程(4)
前記工程(3)にて得られた半導体デバイスにおいて硬化物と触媒膜とを剥離して、半導体チップが硬化物で被覆された半導体デバイスを得る(図4の工程(4))。本発明のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物と触媒膜とは容易に手で剥離することができる。
Step (4) of production method II.
In the semiconductor device obtained in the step (3), the cured product and the catalyst film are peeled off to obtain a semiconductor device in which the semiconductor chip is coated with the cured product (step (4) in FIG. 4). The cured product of the organopolysiloxane composition of the present invention and the catalyst film can be easily peeled off by hand.

製造方法II.の工程(5)
工程(5)では上記工程で製造された半導体デバイスをパッケージとするためにダイシングして個片化する(図4の工程(5))。ダイシングはDISCO社製のダイサーなどで、バリなど発生することなくダイシングすることができる。
Step (5) of production method II.
In step (5), the semiconductor device manufactured in the above step is diced to form a package (step (5) in FIG. 4). Dicing can be performed with a DISCO dicer or the like without causing burrs.

本発明の製造方法を用いれば、上記した通り、硬化物中に含まれる金属触媒の量は金属質量換算で0.1ppm未満となり、好ましくは0.05ppm未満となるため耐熱性及び信頼性に優れた半導体デバイスを提供することができる。   If the production method of the present invention is used, as described above, the amount of the metal catalyst contained in the cured product is less than 0.1 ppm in terms of metal mass, and preferably less than 0.05 ppm, so that it has excellent heat resistance and reliability. A semiconductor device can be provided.

以下、合成例、実施例及び比較例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。   Hereinafter, although a synthesis example, an Example, and a comparative example are shown and this invention is demonstrated in detail, this invention is not restrict | limited to the following Example.

下記実施例において重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレンを標準物質とした重量平均分子量である。測定条件は以下の通り。
[測定条件]
展開溶媒:THF
流量:0.6mL/min
検出器:示差屈折率検出器(RI)
カラム:TSK Guardcolomn SuperH−L
TSKgel SuperH4000(6.0mmI.D.×15cm×1)
TSKgel SuperH3000(6.0mmI.D.×15cm×1)
TSKgel SuperH2000(6.0mmI.D.×15cm×2)
(いずれも東ソー社製)
カラム温度:40℃
試料注入量:20μL(濃度0.5重量%のTHF溶液)
In the following examples, the weight average molecular weight is a weight average molecular weight based on polystyrene by gel permeation chromatography (GPC). The measurement conditions are as follows.
[Measurement condition]
Developing solvent: THF
Flow rate: 0.6mL / min
Detector: Differential refractive index detector (RI)
Column: TSK Guardcolom SuperH-L
TSKgel SuperH4000 (6.0 mm ID × 15 cm × 1)
TSKgel Super H3000 (6.0 mm ID × 15 cm × 1)
TSKgel SuperH2000 (6.0 mm ID × 15 cm × 2)
(Both manufactured by Tosoh Corporation)
Column temperature: 40 ° C
Sample injection volume: 20 μL (0.5% by weight THF solution)

[合成例1]
アルケニル基含有オルガノポリシロキサンの合成
フェニルトリクロロシラン1142.1g(87.1mol%)、ClMeSiO(MeSiO)33SiMeCl 529g(3.2mol%)、及びジメチルビニルクロロシラン72.4g(9.7mol%)をトルエン溶剤に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、25℃で固体状のフェニル基含有ビニルシリコーンレジンA1を得た。THFを溶媒として用いたGPC測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は63,000であった。
[Synthesis Example 1]
Synthesis of alkenyl group-containing organopolysiloxane 1142.1 g (87.1 mol%) of phenyltrichlorosilane, 529 g of ClMe 2 SiO (Me 2 SiO) 33 SiMe 2 Cl (3.2 mol%), and 72 dimethylvinylchlorosilane .4 g (9.7 mol%) dissolved in a toluene solvent, dropped into water, co-hydrolyzed, neutralized by water washing and alkali washing, dehydrated, stripped of the solvent, and solid phenyl at 25 ° C. A group-containing vinyl silicone resin A1 was obtained. The weight average molecular weight in terms of polystyrene by GPC measurement using THF as a solvent was 63,000.

[合成例2]
アルケニル基含有オルガノポリシロキサンの合成
フェニルトリクロロシラン1142.1g(84.4mol%)、ClMeSiO(MeSiO)13SiMeCl 466.6g(6.3mol%)、及びジメチルビニルクロロシラン72.4g(9.4mol%)をトルエン溶剤に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、25℃で固体状のフェニル基含有ビニルシリコーンレジンA2を得た。THFを溶媒として用いたGPC測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は22,000であった。
[Synthesis Example 2]
Alkenyl group-containing organopolysiloxane synthesized <br/> phenyltrichlorosilane 1142.1g (84.4mol%), ClMe 2 SiO (Me 2 SiO) 13 SiMe 2 Cl 466.6g (6.3mol%), and dimethyl vinyl Dissolve 72.4 g (9.4 mol%) of chlorosilane in a toluene solvent, drop it into water, co-hydrolyze, neutralize and dehydrate with water, alkali wash, strip the solvent, and solid at 25 ° C The phenyl group-containing vinyl silicone resin A2 was obtained. The weight average molecular weight in terms of polystyrene as measured by GPC using THF as a solvent was 22,000.

[合成例3]
アルケニル基含有オルガノポリシロキサンの合成
フェニルトリクロロシラン1142.1g(87.4mol%)、HO−(PhMeSiO)35−H 869.7g(2.9mol%)、及びジメチルビニルクロロシラン72.3g(9.7mol%)をトルエン溶剤に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、25℃で固体状のフェニル基含有ビニルシリコーンレジンA3を得た。THFを溶媒として用いたGPC測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は23,000であった。
[Synthesis Example 3]
Synthesis of alkenyl group-containing organopolysiloxane 1142.1 g (87.4 mol%) of phenyltrichlorosilane, 869.7 g (2.9 mol%) of HO- (PhMeSiO) 35- H, and 72.3 g of dimethylvinylchlorosilane. (9.7 mol%) dissolved in a toluene solvent, dropped into water, co-hydrolyzed, neutralized with water and alkali washed, dehydrated, stripped of the solvent, and containing a solid phenyl group at 25 ° C Vinyl silicone resin A3 was obtained. The weight average molecular weight in terms of polystyrene as measured by GPC using THF as a solvent was 23,000.

[合成例4]
オルガノハイドロジェンポリシロキサンの合成
フェニルトリクロロシラン1142.1g(87.1mol%)、ClMeSiO(MeSiO)33SiMeCl 529g(3.2mol%)、及びメチルジクロロシラン69g(9.7mol%)をトルエン溶剤に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、25℃で固体状のフェニル基含有ハイドロジェンシリコーンレジンB1を得た。THFを溶媒として用いたGPC測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は58,000であった。
[Synthesis Example 4]
Organohydrogen synthesis of the polysiloxane <br/> phenyltrichlorosilane 1142.1g (87.1mol%), ClMe 2 SiO (Me 2 SiO) 33 SiMe 2 Cl 529g (3.2mol%), and methyl dichlorosilane 69 g ( 9.7 mol%) was dissolved in a toluene solvent, dropped into water, co-hydrolyzed, neutralized by water washing and alkali washing, dehydrated, stripped of the solvent, and a solid phenyl group-containing hydrogel at 25 ° C. Gen silicone resin B1 was obtained. The weight average molecular weight in terms of polystyrene as measured by GPC using THF as a solvent was 58,000.

[合成例5]
オルガノハイドロジェンポリシロキサンの合成
フェニルトリクロロシラン1142.1g(84.4mol%)、ClMeSiO(MeSiO)13SiMeCl 466.6g(6.3mol%)、及びメチルジクロロシラン69.0g(9.4mol%)をトルエン溶剤に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、25℃で固体状のフェニル基含有ハイドロジェンシリコーンレジンB2を得た。THFを溶媒として用いたGPC測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は11,000であった。
[Synthesis Example 5]
Organohydrogenpolysiloxane synthetic <br/> phenyltrichlorosilane 1142.1g (84.4mol%), ClMe 2 SiO (Me 2 SiO) 13 SiMe 2 Cl 466.6g (6.3mol%), and methyl dichlorosilane 69.0 g (9.4 mol%) was dissolved in a toluene solvent, dropped into water, co-hydrolyzed, neutralized by water washing and alkali washing, dehydrated, stripped of the solvent, and solidified at 25 ° C. A phenyl group-containing hydrogen silicone resin B2 was obtained. The weight average molecular weight in terms of polystyrene as measured by GPC using THF as a solvent was 11,000.

[合成例6]
オルガノハイドロジェンポリシロキサンの合成
フェニルトリクロロシラン1142.1g(87.1mol%)、HO−(PhMeSiO)35−H 869.7g(2.9mol%)、及びメチルジクロロシラン69g(9.7mol%)をトルエン溶剤に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、25℃で固体状のフェニル基含有ハイドロジェンシリコーンレジンB3を得た。THFを溶媒として用いたGPC測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は8,000であった。
[Synthesis Example 6]
Synthesis of organohydrogenpolysiloxane 1142.1 g (87.1 mol%) of phenyltrichlorosilane, 869.7 g (2.9 mol%) of HO— (PhMeSiO) 35 and 69 g of methyldichlorosilane (9. 7 mol%) is dissolved in a toluene solvent, dropped into water, co-hydrolyzed, neutralized and dehydrated with water and alkali, stripped of the solvent, and a phenyl group-containing hydrogen silicone that is solid at 25 ° C. Resin B3 was obtained. The weight average molecular weight in terms of polystyrene as measured by GPC using THF as a solvent was 8,000.

[触媒膜]
下記実施例において使用した触媒膜は、無機酸化物/ポリビニルアルコールハイブリッド化合物にパラジウムを固定した触媒膜(商品名:Pd−iObrane(登録商標)、ニッポン高度紙工業株式会社製、Pd担持量 7wt%)である。
[Catalyst membrane]
The catalyst membrane used in the following examples is a catalyst membrane in which palladium is fixed to an inorganic oxide / polyvinyl alcohol hybrid compound (trade name: Pd-iObrane (registered trademark), manufactured by Nippon Kogyo Paper Industries Co., Ltd., Pd loading 7 wt% ).

I.シリコーン樹脂フィルムの製造
[実施例1]
合成例1で合成したビニルシリコーンレジンA1を100g、合成例4で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB1を100g混合して、オルガノポリシロキサン組成物1を調製した。自動塗工装置 PI−1210(テスター産業(株)社製)を用いて、触媒膜Pd−iObrane(登録商標)の上に該オルガノポリシロキサン組成物1を塗布し、縦150mm×横150mm及び厚さ0.1mmを有する膜状に成形した(成形物F1)。
I. Production of silicone resin film [Example 1]
100 g of vinyl silicone resin A1 synthesized in Synthesis Example 1 and 100 g of hydrogen silicone resin B1 synthesized in Synthesis Example 4 were mixed to prepare organopolysiloxane composition 1. Using an automatic coating apparatus PI-1210 (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.), the organopolysiloxane composition 1 is applied onto the catalyst film Pd-iObrane (registered trademark), and the length is 150 mm × width 150 mm and thickness. A film having a thickness of 0.1 mm was formed (molded product F1).

[実施例2]
合成例2で合成したビニルシリコーンレジンA2を100gと、合成例5で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB2を100gとを混合してオルガノポリシロキサン組成物2を調製した。オルガノポリシロキサン組成物1に変えてオルガノポリシロキサン組成物2を用いた他は実施例1を繰り返し、縦150mm×横150mm及び厚さ0.1mmを有する膜状に成形した(成形物F2)。
[Example 2]
100 g of vinyl silicone resin A2 synthesized in Synthesis Example 2 and 100 g of hydrogen silicone resin B2 synthesized in Synthesis Example 5 were mixed to prepare organopolysiloxane composition 2. Example 1 was repeated except that the organopolysiloxane composition 2 was used instead of the organopolysiloxane composition 1, and a film having a length of 150 mm × width of 150 mm and a thickness of 0.1 mm was formed (molded product F2).

[実施例3]
合成例3で合成したビニルシリコーンレジンA3を100gと、合成例6で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB3を100gとを混合してオルガノポリシロキサン組成物3を調製した。オルガノポリシロキサン組成物1に変えてオルガノポリシロキサン組成物3を用いた他は実施例1を繰り返し、縦150mm×横150mm及び厚さ0.1mmを有する膜状に成形した(成形物F3)。
[Example 3]
100 g of vinyl silicone resin A3 synthesized in Synthesis Example 3 and 100 g of hydrogen silicone resin B3 synthesized in Synthesis Example 6 were mixed to prepare organopolysiloxane composition 3. Example 1 was repeated except that the organopolysiloxane composition 3 was used instead of the organopolysiloxane composition 1, and a film having a length of 150 mm × width of 150 mm and a thickness of 0.1 mm was formed (molded product F3).

[実施例4]
合成例1で合成したビニルシリコーンレジンA1を100gと、合成例4で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB1を100gと、および下記式(3’)で表される接着付与剤2を6gとを混合して、オルガノポリシロキサン組成物4を調製した。オルガノポリシロキサン組成物1に変えてオルガノポリシロキサン組成物4を用いた他は実施例1を繰り返し、縦150mm×横150mm及び厚さ0.1mmを有する膜状に成形した(成形物F4)。

Figure 2017206678
上記式(3’)中、R’’は、下記式(a)又は(b)で表される基であり、(a)と(b)は2:1の比で存在する。
Figure 2017206678
[Example 4]
100 g of vinyl silicone resin A1 synthesized in Synthesis Example 1, 100 g of hydrogen silicone resin B1 synthesized in Synthesis Example 4, and 6 g of adhesion-imparting agent 2 represented by the following formula (3 ′) were mixed. Thus, an organopolysiloxane composition 4 was prepared. Example 1 was repeated except that the organopolysiloxane composition 1 was used instead of the organopolysiloxane composition 1, and a film having a length of 150 mm × width of 150 mm and a thickness of 0.1 mm was formed (molded product F4).
Figure 2017206678
In the above formula (3 ′), R ″ is a group represented by the following formula (a) or (b), and (a) and (b) are present in a ratio of 2: 1.
Figure 2017206678

[実施例5]
合成例2で合成したビニルシリコーンレジンA2を100gと、合成例5で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB2を100gと、上記式(3’)で表される接着付与剤6gとを混合して、オルガノポリシロキサン組成物5を調製した。オルガノポリシロキサン組成物1に変えてオルガノポリシロキサン組成物5を用いた他は実施例1を繰り返し、縦150mm×横150mm及び厚さ0.1mmを有する膜状に成形した(成形物F5)。
[Example 5]
100 g of vinyl silicone resin A2 synthesized in Synthesis Example 2 and 100 g of hydrogen silicone resin B2 synthesized in Synthesis Example 5 were mixed with 6 g of the adhesion-imparting agent represented by the above formula (3 ′), Polysiloxane composition 5 was prepared. Example 1 was repeated except that the organopolysiloxane composition 5 was used instead of the organopolysiloxane composition 1, and a film having a length of 150 mm × width of 150 mm and a thickness of 0.1 mm was formed (molded product F5).

[実施例6]
合成例3で合成したビニルシリコーンレジンA3を100gと、合成例6で調製したハイドロジェンシリコーンレジンB3を100gと、および上記式(3’)で表される接着付与剤6gとを混合して、オルガノポリシロキサン組成物6を調製した。オルガノポリシロキサン組成物1に変えてオルガノポリシロキサン組成物6を用いた他は実施例1を繰り返し、縦150mm×横150mm及び厚さ0.1mmを有する膜状に成形した(成形物F6)。
[Example 6]
100 g of vinyl silicone resin A3 synthesized in Synthesis Example 3, 100 g of hydrogen silicone resin B3 prepared in Synthesis Example 6, and 6 g of an adhesion-imparting agent represented by the above formula (3 ′) are mixed. Organopolysiloxane composition 6 was prepared. Example 1 was repeated except that the organopolysiloxane composition 6 was used instead of the organopolysiloxane composition 1, and a film having a length of 150 mm × width of 150 mm and a thickness of 0.1 mm was formed (molded product F6).

[実施例7]
塗布したオルガノポリシロキサン組成物の厚さを0.4mmに変えた他は上記実施例1を繰り返し、縦150mm×横150mm、厚さ0.4mmを有する膜状に成形した(成形物F7)。
[Example 7]
Example 1 was repeated except that the thickness of the coated organopolysiloxane composition was changed to 0.4 mm, and formed into a film having a length of 150 mm × width of 150 mm and a thickness of 0.4 mm (molded product F7).

[実施例8]
2枚の触媒膜Pd−iObrane(登録商標)で実施例1で調製したオルガノポリシロキサン組成物1を挟み、圧縮成形して、縦150mm×横150mm、厚さ0.1mmを有する膜状に成形した。該膜状成形物 10枚について、一枚ずつ片側の触媒膜を剥離し加圧式真空ラミネータ V130(ニチゴー・モートン株式会社製)を用いて温度80℃で貼りあわせる工程を繰り返して10枚の成形物をラミネートして、両面に触媒膜を有する1.0mmの膜状成形物F8を製造した。
後述する評価試験においては、片方の面の触媒膜を剥離して、成形物をスライドガラスに貼り合せた。
[Example 8]
The organopolysiloxane composition 1 prepared in Example 1 is sandwiched between two catalyst membranes Pd-iObrane (registered trademark), compression-molded, and molded into a membrane having a length of 150 mm × width of 150 mm and a thickness of 0.1 mm. did. For 10 sheets of the film-shaped molded product, the catalyst film on one side was peeled off one by one and the process of pasting at a temperature of 80 ° C. using a pressure-type vacuum laminator V130 (manufactured by Nichigo-Morton Co., Ltd.) was repeated for 10 molded products. Was laminated to produce a 1.0 mm film-shaped molded product F8 having catalyst films on both sides.
In the evaluation test described later, the catalyst film on one side was peeled off and the molded product was bonded to a slide glass.

[実施例9]
実施例1で調製したオルガノポリシロキサン組成物1を用い、パラジウムナノ粒子担持ポリビニルアルコールフィルムの代わりにPETフィルムを用いた他は実施例1を繰り返し、縦150mm×横150mm、厚さ0.1mmを有する膜状に成形した。該膜状成形物 10枚について、PETフィルムを剥離して、加圧式真空ラミネータ V130(ニチゴー・モートン株式会社製)を用いて貼りあわせ、温度80℃でラミネートして、得られた成形物の片面にあるPETフィルムを剥離して触媒膜Pd−iObraneを貼り付けた。片面に触媒膜を有し、もう一方の面にPETフィルムを有する1.0mmの膜状成形物F9を製造した。
[Example 9]
Example 1 was repeated except that the organopolysiloxane composition 1 prepared in Example 1 was used and a PET film was used instead of the palladium nanoparticle-supported polyvinyl alcohol film, and the length was 150 mm × width 150 mm and the thickness was 0.1 mm. It was formed into a film shape. About 10 sheets of the film-shaped molded product, the PET film was peeled off, and bonded using a pressure type vacuum laminator V130 (manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.), laminated at a temperature of 80 ° C., and one side of the obtained molded product The PET film on the surface was peeled off, and a catalyst film Pd-iObrane was attached. A 1.0 mm film-shaped molded product F9 having a catalyst film on one side and a PET film on the other side was produced.

[比較例1]
合成例1で合成したビニルシリコーンレジンA1を100g、合成例4で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB1を100g、ヒドロシリル化反応触媒として塩化白金酸のビニルシリコーン変性溶液(白金濃度1質量%)0.2g、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール0.6g、接着付与剤として上記式(3’)で表される接着付与剤6.0gを混合して、オルガノポリシロキサン組成物C’1を調製した。自動塗工装置 PI−1210(テスター産業(株)社製)を用いて、PETフィルムの上に該オルガノポリシロキサン組成物C’1を塗布し、縦150mm×横150mm及び厚さ0.1mmを有する膜状に成形した(成形物F’1)。
[Comparative Example 1]
100 g of vinyl silicone resin A1 synthesized in Synthesis Example 1, 100 g of hydrogen silicone resin B1 synthesized in Synthesis Example 4, 0.2 g of a chloroplatinic acid vinyl silicone modified solution (platinum concentration 1 mass%) as a hydrosilylation reaction catalyst Then, 0.6 g of acetylenic alcohol-based ethynylcyclohexanol as a reaction inhibitor and 6.0 g of an adhesion-imparting agent represented by the above formula (3 ′) as an adhesion-imparting agent are mixed to prepare an organopolysiloxane composition C′1. Prepared. Using an automatic coating apparatus PI-1210 (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.), the organopolysiloxane composition C′1 is applied on a PET film, and the length is 150 mm × width 150 mm and the thickness is 0.1 mm. It was formed into a film shape (molded product F′1).

[比較例2]
比較例1において、ヒドロシリル化反応触媒の量を0.004gとし、エチニルシクロヘキサノールの量を0.006gとした以外は比較例1を繰り返して、縦150mm×横150mm及び厚さ0.1mmを有する膜状に成形した(成形物F’2)。
[Comparative Example 2]
In Comparative Example 1, Comparative Example 1 was repeated except that the amount of hydrosilylation reaction catalyst was 0.004 g and the amount of ethynylcyclohexanol was 0.006 g, and the length was 150 mm × 150 mm and the thickness was 0.1 mm. Molded into a film (molded product F′2).

[比較例3]
ビニルシリコーンレジンA1に替えてビニルシリコーンレジンA2を100g、ハイドロジェンシリコーンレジンB1に替えてハイドロジェンシリコーンレジンB2を100g用いた以外は比較例1を繰り返して、縦150mm×横150mm及び厚さ0.1mmを有する膜状に成形した(成形物F’3)。
[Comparative Example 3]
Comparative Example 1 was repeated except that 100 g of vinyl silicone resin A2 was used instead of vinyl silicone resin A1, and 100 g of hydrogen silicone resin B2 was used instead of hydrogen silicone resin B1. The film was formed into a film having 1 mm (molded product F′3).

[比較例4]
ビニルシリコーンレジンA1に替えてビニルシリコーンレジンA3を100g、ハイドロジェンシリコーンレジンB1に替えてハイドロジェンシリコーンレジンB3を100g用いた以外は比較例1を繰り返して、縦150mm×横150mm及び厚さ0.1mmを有する膜状に成形した(成形物F’4)。
[Comparative Example 4]
Comparative Example 1 was repeated except that 100 g of vinyl silicone resin A3 was used instead of vinyl silicone resin A1, and 100 g of hydrogen silicone resin B3 was used instead of hydrogen silicone resin B1. Molded into a film having 1 mm (molded product F′4).

[比較例5]
自動塗工装置 PI−1210(テスター産業(株)社製)を用いて、PETフィルムの上に実施例4で調製したオルガノポリシロキサン組成物4を塗布し、膜状に成形した。組成物は加熱すると溶融し、従来の形状を維持することができなかった。
[Comparative Example 5]
Using an automatic coating apparatus PI-1210 (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.), the organopolysiloxane composition 4 prepared in Example 4 was applied onto a PET film and molded into a film shape. The composition melted when heated, and the conventional shape could not be maintained.

[比較例6]
自動塗工装置 PI−1210(テスター産業(株)社製)を用いて、PETフィルムの上に実施例2で調製したオルガノポリシロキサン組成物2を塗布し、膜状に成形した。組成物は加熱すると溶融し、従来の形状を維持することができなかった。
[Comparative Example 6]
Using an automatic coating apparatus PI-1210 (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.), the organopolysiloxane composition 2 prepared in Example 2 was applied onto a PET film and formed into a film shape. The composition melted when heated, and the conventional shape could not be maintained.

[比較例7]
自動塗工装置 PI−1210(テスター産業(株)社製)を用いて、PETフィルムの上に実施例3で調製したオルガノポリシロキサン組成物3を塗布し、膜状に成形した。組成物は加熱すると溶融し、従来の形状を維持することができなかった。
[Comparative Example 7]
Using an automatic coating apparatus PI-1210 (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.), the organopolysiloxane composition 3 prepared in Example 3 was applied onto a PET film and formed into a film shape. The composition melted when heated, and the conventional shape could not be maintained.

[比較例8]
比較例1で成形した成形物F’1 10枚について、PETフィルムを剥離して、加圧式真空ラミネータ V130(ニチゴー・モートン株式会社製)を用いて貼りあわせ、温度80℃でラミネートし、1.0mmの膜状成形物F’8を製造した。
[Comparative Example 8]
About 10 molded articles F′1 molded in Comparative Example 1, the PET film was peeled off and bonded using a pressure type vacuum laminator V130 (manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.), laminated at a temperature of 80 ° C. A 0 mm film-like molded product F′8 was produced.

[金属触媒残存量の測定]
実施例1〜8、比較例1〜7で形成した成形物について、各々、触媒膜が貼り合わされていない面をスライドガラスに貼り合わせて、150℃で4時間加熱して硬化させた。その後、硬化物から触媒膜を剥離してフィルムを得た。各フィルムについて、ICP−AES(高周波誘導結合プラズマ−発光分光分析法)を用いて、硬化物中に残存する金属触媒量を測定した。結果は表1及び2に記載の通りである。
[Measurement of remaining amount of metal catalyst]
About the molding formed in Examples 1-8 and Comparative Examples 1-7, the surface where the catalyst film was not bonded together was bonded together to the slide glass, respectively, and it was made to harden by heating at 150 degreeC for 4 hours. Thereafter, the catalyst film was peeled from the cured product to obtain a film. For each film, the amount of metal catalyst remaining in the cured product was measured using ICP-AES (High Frequency Inductively Coupled Plasma-Emission Spectroscopy). The results are as shown in Tables 1 and 2.

[微小硬度の測定]
実施例1〜8、比較例1〜7で形成した成形物について、各々、触媒膜が貼り合わされていない面をスライドガラスに貼り合わせて、150℃で4時間加熱して硬化させた。その後、硬化物から触媒膜を剥離してフィルムを得た。各フィルムについて、ダイナミック超微小硬度計 SHIMADZU DUH−211SR((株)島津製作所製)を用いて、負荷・除荷試験を行った。試験力1gf、負荷速度0.0298gf/秒、負荷および除荷保持時間各2秒の後、微小硬度(MPa)を測定した。試験回数5回の平均の微小硬度(MPa)を表1及び2に記載する。
[Measurement of micro hardness]
About the molding formed in Examples 1-8 and Comparative Examples 1-7, the surface where the catalyst film was not bonded together was bonded together to the slide glass, respectively, and it was made to harden by heating at 150 degreeC for 4 hours. Thereafter, the catalyst film was peeled from the cured product to obtain a film. Each film was subjected to a load / unload test using a dynamic ultra-small hardness meter SHIMADZU DUH-211SR (manufactured by Shimadzu Corporation). After a test force of 1 gf, a loading speed of 0.0298 gf / second, a load and an unloading holding time of 2 seconds each, the microhardness (MPa) was measured. Tables 1 and 2 show the average microhardness (MPa) of the test of 5 times.

[耐熱性試験(透過率変化)]
実施例1〜8、及び比較例1〜7で形成した成形物について、各々、触媒膜が貼り合わされていない面をスライドガラスに貼り合わせて、150℃で4時間加熱して硬化させた。その後、硬化物から触媒膜を剥離してフィルムを得た。該フィルムの400nmにおける透過率をJIS R 3106:1998に準拠して測定した(初期透過率)。次いで、該フィルムを180℃下に1000時間おいた後に、透過率を測定した。初期透過率を100%としたときの透過率(%)を算出した。
透過率変化(%)=(180℃×1,000時間放置後の透過率)/(初期透過率)
結果は表1及び2に記載の通りである。
[Heat resistance test (change in transmittance)]
About the molding formed in Examples 1-8 and Comparative Examples 1-7, the surface in which the catalyst film was not bonded together was bonded together to the slide glass, respectively, and it was made to harden by heating at 150 degreeC for 4 hours. Thereafter, the catalyst film was peeled from the cured product to obtain a film. The transmittance of the film at 400 nm was measured according to JIS R 3106: 1998 (initial transmittance). Subsequently, the transmittance was measured after the film was placed at 180 ° C. for 1000 hours. The transmittance (%) was calculated when the initial transmittance was 100%.
Change in transmittance (%) = (transmittance after leaving at 180 ° C. × 1,000 hours) / (initial transmittance)
The results are as shown in Tables 1 and 2.

Figure 2017206678
Figure 2017206678

Figure 2017206678
Figure 2017206678

[長期保存安定性試験]
実施例9及び比較例8の成形物について、ダイナミック超微小硬度計 SHIMADZU DUH−211SR((株)島津製作所製)を用いて、負荷・除荷試験を行った。試験力1gf、負荷速度0.0298gf/秒、負荷および除荷保持時間各2秒の後、微小硬度(MPa)を測定した。試験回数5回の平均の微小硬度(MPa)を表3に記載する(硬化前の微小硬度(初期値))。次いで、実施例9及び比較例8の成形物を25℃で6ヶ月間保管した。保管後の成形物について、上記と同じく負荷・除荷試験を行い、平均微小硬度(MPa)を測定した(硬化前の微小硬度(保管後))。また、保管前と保管後のそれぞれの成形物を150℃4時間で加熱硬化してフィルムを製造し、硬化後の微小硬度を測定した。結果は表3に記載の通りである。
[Long-term storage stability test]
For the molded products of Example 9 and Comparative Example 8, a load / unloading test was performed using a dynamic ultra-micro hardness meter SHIMADZU DUH-211SR (manufactured by Shimadzu Corporation). After a test force of 1 gf, a loading speed of 0.0298 gf / second, a load and an unloading holding time of 2 seconds each, the microhardness (MPa) was measured. Table 3 shows the average microhardness (MPa) of 5 tests (microhardness before curing (initial value)). Next, the molded products of Example 9 and Comparative Example 8 were stored at 25 ° C. for 6 months. The molded product after storage was subjected to a load / unloading test as described above, and the average microhardness (MPa) was measured (microhardness before curing (after storage)). Each molded product before and after storage was cured by heating at 150 ° C. for 4 hours to produce a film, and the microhardness after curing was measured. The results are as shown in Table 3.

Figure 2017206678
Figure 2017206678

表1〜3に示すように、触媒を含まないオルガノポリシロキサン組成物を、触媒膜を用いて硬化して得られるシリコーン樹脂フィルムは、透明であり、耐熱性にすぐれる。また、オルガノポリシロキサン組成物を触媒膜上に成形したものは未硬化の状態で長期間保管しても経時変化が起こりにくく、長期保存安定性に優れる。   As shown in Tables 1 to 3, a silicone resin film obtained by curing an organopolysiloxane composition containing no catalyst using a catalyst film is transparent and has excellent heat resistance. In addition, when an organopolysiloxane composition is molded on a catalyst film, even if it is stored for a long time in an uncured state, it does not easily change with time and is excellent in long-term storage stability.

II.半導体デバイスの製造
[実施例10]
実施例1と同じオルガノポリシロキサン組成物1を調製した。自動塗工装置 PI−1210(テスター産業(株)社製)を用いて、触媒膜Pd−iObrane(登録商標)(図1の符号1)の上に該オルガノポリシロキサン組成物1(図1の符号2)を塗布し、縦×横×厚さ=100mm×100mm×0.2mmを有する膜状に成形した。該膜状の成形物と触媒膜からなる積層物の模式図を図1に示す。加圧式真空ラミネータ V130(ニチゴー・モートン株式会社製)を用いて、膜状積層物の組成物面(図2の符号2)と、半導体チップ搭載基板(半導体チップ(図2の符号3)は500μm×500μmを有し、高さ150μmを有するフリップチップ型LEDチップ、基板(図2の符号4)の大きさは10cm×10cm)とを貼り合わせた(該工程の模式図を図2に示す)。次いで、触媒膜を剥離させずに150℃×4時間加熱して、オルガノポリシロキサン組成物1を硬化させた。硬化後、硬化物と触媒膜とを剥離し、半導体チップが膜状硬化物で被覆された半導体デバイスを得た。該工程において硬化物と触媒膜層とは容易に剥離した。該半導体デバイスをダイシングして、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス1)。
II. Manufacturing of Semiconductor Device [Example 10]
The same organopolysiloxane composition 1 as in Example 1 was prepared. Using an automatic coating apparatus PI-1210 (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.), the organopolysiloxane composition 1 (of FIG. 1) is formed on the catalyst film Pd-iObrane (registered trademark) (reference numeral 1 of FIG. 1). 2) was applied and formed into a film shape having length × width × thickness = 100 mm × 100 mm × 0.2 mm. FIG. 1 shows a schematic diagram of a laminate composed of the film-shaped molded product and a catalyst film. Using a pressure-type vacuum laminator V130 (manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.), the composition side of the film-like laminate (reference numeral 2 in FIG. 2) and the semiconductor chip mounting substrate (semiconductor chip (reference numeral 3 in FIG. 2) are 500 μm. A flip chip type LED chip having a size of 500 μm and a height of 150 μm was bonded to a substrate (reference numeral 4 in FIG. 2 is 10 cm × 10 cm) (a schematic diagram of the process is shown in FIG. 2). . Next, the organopolysiloxane composition 1 was cured by heating at 150 ° C. for 4 hours without peeling off the catalyst film. After curing, the cured product and the catalyst film were peeled off to obtain a semiconductor device in which the semiconductor chip was covered with the film-like cured product. In this step, the cured product and the catalyst film layer were easily separated. The semiconductor device was diced to obtain a semiconductor device having a length of 3.5 mm × width 3.5 mm and having a semiconductor chip sealed with a cured product having a thickness of 0.2 mm (semiconductor device 1).

[実施例11]
実施例2と同じオルガノポリシロキサン組成物2を調製した。オルガノポリシロキサン組成物1に変えてオルガノポリシロキサン組成物2を用いた他は実施例10と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス2)。
[Example 11]
The same organopolysiloxane composition 2 as in Example 2 was prepared. The same procedure as in Example 10 was repeated except that the organopolysiloxane composition 2 was used instead of the organopolysiloxane composition 1, and the product had a length of 3.5 mm × width of 3.5 mm and a thickness of 0.2 mm. A semiconductor device in which a semiconductor chip was sealed with a product was obtained (semiconductor device 2).

[実施例12]
実施例3と同じオルガノポリシロキサン組成物3を調製した。オルガノポリシロキサン組成物1に変えてオルガノポリシロキサン組成物3を用いた他は実施例10と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス3)。
[Example 12]
The same organopolysiloxane composition 3 as in Example 3 was prepared. The same procedure as in Example 10 was repeated except that the organopolysiloxane composition 3 was used instead of the organopolysiloxane composition 1, and it had a length of 3.5 mm × width of 3.5 mm and a thickness of 0.2 mm. A semiconductor device having a semiconductor chip sealed with a product was obtained (semiconductor device 3).

[実施例13]
合成例1で合成したビニルシリコーンレジンA1を100gと、合成例4で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB1を100gと、および下記式(5’)

Figure 2017206678
で表される接着助剤1を2g混合して、オルガノポリシロキサン組成物7を調製した。オルガノポリシロキサン組成物1に変えてオルガノポリシロキサン組成物7を用いた他は実施例1と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス4)。 [Example 13]
100 g of vinyl silicone resin A1 synthesized in Synthesis Example 1, 100 g of hydrogen silicone resin B1 synthesized in Synthesis Example 4, and the following formula (5 ′)
Figure 2017206678
2 g of the adhesion assistant 1 represented by the following formula was mixed to prepare an organopolysiloxane composition 7. The same procedure as in Example 1 was repeated except that the organopolysiloxane composition 7 was used instead of the organopolysiloxane composition 1, and it had a length of 3.5 mm × width of 3.5 mm and a thickness of 0.2 mm. A semiconductor device having a semiconductor chip sealed with a product was obtained (semiconductor device 4).

[実施例14]
合成例2で合成したビニルシリコーンレジンA2を100gと、合成例5で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB2を100gと、上記式(5’)で表される接着助剤1を2g混合して、オルガノポリシロキサン組成物8を調製した。オルガノポリシロキサン組成物1に変えてオルガノポリシロキサン組成物8を用いた他は実施例10と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス5)。
[Example 14]
100 g of vinyl silicone resin A2 synthesized in Synthesis Example 2 and 100 g of hydrogen silicone resin B2 synthesized in Synthesis Example 5 and 2 g of adhesion assistant 1 represented by the above formula (5 ′) were mixed, Polysiloxane composition 8 was prepared. Except that the organopolysiloxane composition 8 was used in place of the organopolysiloxane composition 1, the same method as in Example 10 was repeated, and the curing had a length of 3.5 mm × width of 3.5 mm and a thickness of 0.2 mm. A semiconductor device having a semiconductor chip sealed with a product was obtained (semiconductor device 5).

[実施例15]
合成例3で合成したビニルシリコーンレジンA3を100gと、合成例6で調製したハイドロジェンシリコーンレジンB3を100gと、および上記式(5’)で表される接着助剤1を2g混合して、オルガノポリシロキサン組成物9を調製した。オルガノポリシロキサン組成物1に変えてオルガノポリシロキサン組成物9を用いた他は実施例10と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス6)。
[Example 15]
100 g of the vinyl silicone resin A3 synthesized in Synthesis Example 3, 100 g of the hydrogen silicone resin B3 prepared in Synthesis Example 6, and 2 g of the adhesion assistant 1 represented by the above formula (5 ′) were mixed, Organopolysiloxane composition 9 was prepared. Except that the organopolysiloxane composition 9 was used in place of the organopolysiloxane composition 1, the same method as in Example 10 was repeated, and the curing had a length of 3.5 mm × width 3.5 mm and a thickness of 0.2 mm. A semiconductor device in which the semiconductor chip was sealed with a product was obtained (semiconductor device 6).

[実施例16]
上記実施例6において式(3’)で表される接着助剤2の量を2gにした他は実施例6を繰り返してオルガノポリシロキサン組成物10を調製した。オルガノポリシロキサン組成物1に変えてオルガノポリシロキサン組成物10を用いた他は実施例10と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス7)。
[Example 16]
An organopolysiloxane composition 10 was prepared by repeating Example 6 except that the amount of the adhesion assistant 2 represented by the formula (3 ′) in Example 6 was changed to 2 g. Except that the organopolysiloxane composition 10 was used in place of the organopolysiloxane composition 1, the same method as in Example 10 was repeated, and the curing had a length of 3.5 mm × width of 3.5 mm and a thickness of 0.2 m. A semiconductor device having a semiconductor chip sealed with a product was obtained (semiconductor device 7).

[実施例17]
合成例3で合成したビニルシリコーンレジンA3を100gと、合成例6で調製したハイドロジェンシリコーンレジンB3を100gと、および下記平均式(6’)で表される接着助剤3を2g混合して、オルガノポリシロキサン組成物11を調製した。オルガノポリシロキサン組成物1に変えてオルガノポリシロキサン組成物11を用いた他は実施例10と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス8)。

Figure 2017206678
(式中、Rはメチル基またはイソプロピル基であり、重量平均分子量は2,500である) [Example 17]
100 g of vinyl silicone resin A3 synthesized in Synthesis Example 3 and 100 g of hydrogen silicone resin B3 prepared in Synthesis Example 6 and 2 g of Adhesive Aid 3 represented by the following average formula (6 ′) were mixed. An organopolysiloxane composition 11 was prepared. The same procedure as in Example 10 was repeated except that the organopolysiloxane composition 11 was used in place of the organopolysiloxane composition 1, and the cured product had a length of 3.5 mm × width of 3.5 mm and a thickness of 0.2 mm. A semiconductor device having a semiconductor chip sealed with a product was obtained (semiconductor device 8).
Figure 2017206678
(In the formula, R 5 is a methyl group or an isopropyl group, and the weight average molecular weight is 2,500)

[実施例18]
塗布したオルガノポリシロキサン組成物の厚さを0.4mmに変えた他は上記実施例10と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.4mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス9)。
[Example 18]
Except that the thickness of the coated organopolysiloxane composition was changed to 0.4 mm, the same method as in Example 10 was repeated, and the cured product had a length of 3.5 mm × width of 3.5 mm and a thickness of 0.4 mm. A semiconductor device in which the semiconductor chip was sealed with a product was obtained (semiconductor device 9).

[実施例19]
実施例10において半導体チップ搭載基板を、ワイヤ付きの半導体チップ搭載基板(半導体チップは500μm×500μm、高さ150μmを有するLEDチップ(ワイヤ付き)であり、ワイヤ高さは250μmであり、基板の大きさは10cm×10cmである。図3に模式図を示す)に替えた他は、実施例10と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.4mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス10)。
[Example 19]
In Example 10, the semiconductor chip mounting substrate is a semiconductor chip mounting substrate with wires (the semiconductor chip is an LED chip (with a wire) of 500 μm × 500 μm and a height of 150 μm, the wire height is 250 μm, and the size of the substrate) The thickness is 10 cm × 10 cm (schematic diagram is shown in FIG. 3), except that the same method as in Example 10 is repeated to have a length of 3.5 mm × width of 3.5 mm and a thickness of 0.4 mm. A semiconductor device in which the semiconductor chip was sealed with the cured product was obtained (semiconductor device 10).

[実施例20]
実施例10において、160℃×4時間で加熱する1段階の硬化条件を、100℃×1時間で加熱し、次いで、150℃×4時間加熱する2段階硬化に替えた他は、実施例10と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス11)。
[Example 20]
In Example 10, except that the one-stage curing condition of heating at 160 ° C. × 4 hours was changed to two-stage curing of heating at 100 ° C. × 1 hour and then heating at 150 ° C. × 4 hours, Example 10 The same method was repeated to obtain a semiconductor device having a length of 3.5 mm × width 3.5 mm and having a semiconductor chip sealed with a cured product having a thickness of 0.2 mm (semiconductor device 11).

[比較例9]
合成例1で合成したビニルシリコーンレジンA1を100g、合成例4で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB1を100g、ヒドロシリル化反応触媒として塩化白金酸のビニルシリコーン変性溶液(白金濃度1質量%)0.2g、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール0.6g、接着付与剤として上記式(5’)で表される接着付与剤2gを混合して、オルガノポリシロキサン組成物C’2を調製した。自動塗工装置 PI−1210(テスター産業(株)社製)を用いて、PETフィルムの上に該オルガノポリシロキサン組成物C’2を塗布し、縦×横×厚さ=100mm×100mm×0.2mmを有する膜状に成形した。加圧式真空ラミネータ V130(ニチゴー・モートン株式会社製)を用いて、該膜状成形物の組成物面と実施例10と同じ半導体チップ搭載基板とを貼りあわせた。PETフィルムを剥離させ、150℃×4時間で加熱してオルガノポリシロキサン組成物C’2を硬化させた。得られた半導体デバイスをダイシングして、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス1’)。
[Comparative Example 9]
100 g of vinyl silicone resin A1 synthesized in Synthesis Example 1, 100 g of hydrogen silicone resin B1 synthesized in Synthesis Example 4, 0.2 g of a chloroplatinic acid vinyl silicone modified solution (platinum concentration 1 mass%) as a hydrosilylation reaction catalyst An organopolysiloxane composition C′2 was prepared by mixing 0.6 g of an acetylenic alcohol-based ethynylcyclohexanol as a reaction inhibitor and 2 g of an adhesion promoter represented by the above formula (5 ′) as an adhesion promoter. . Using an automatic coating apparatus PI-1210 (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.), the organopolysiloxane composition C′2 is applied onto a PET film, and length × width × thickness = 100 mm × 100 mm × 0. Molded into a film having a thickness of 2 mm. Using a pressure-type vacuum laminator V130 (manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.), the composition surface of the film-shaped molded product and the same semiconductor chip mounting substrate as in Example 10 were bonded together. The PET film was peeled off and heated at 150 ° C. for 4 hours to cure the organopolysiloxane composition C′2. The obtained semiconductor device was diced to obtain a semiconductor device having a length of 3.5 mm × width of 3.5 mm and a semiconductor chip sealed with a cured product having a thickness of 0.2 mm (semiconductor device 1 ′). .

[比較例10]
比較例9において、ヒドロシリル化反応触媒の量を0.004gとし、エチニルシクロヘキサノールの量を0.006gとした以外は比較例9と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス2’)。
[Comparative Example 10]
In Comparative Example 9, the same method as in Comparative Example 9 was repeated except that the amount of hydrosilylation reaction catalyst was 0.004 g and the amount of ethynylcyclohexanol was 0.006 g. A semiconductor device having a semiconductor chip sealed with a cured product having a thickness of 0.2 mm was obtained (semiconductor device 2 ′).

[比較例11]
ビニルシリコーンレジンA1に替えてビニルシリコーンレジンA2を100g、ハイドロジェンシリコーンレジンB1に替えてハイドロジェンシリコーンレジンB2を100g用いた以外は比較例9と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス3’)。
[Comparative Example 11]
The same method as in Comparative Example 9 was repeated except that 100 g of vinyl silicone resin A2 was used instead of vinyl silicone resin A1, and 100 g of hydrogen silicone resin B2 was used instead of hydrogen silicone resin B1, and the length was 3.5 mm × width 3 A semiconductor device having a thickness of 0.5 mm and a semiconductor chip sealed with a cured product having a thickness of 0.2 mm was obtained (semiconductor device 3 ′).

[比較例12]
ビニルシリコーンレジンA1に替えてビニルシリコーンレジンA3を100g、ハイドロジェンシリコーンレジンB1に替えてハイドロジェンシリコーンレジンB3を100g用いた以外は比較例9と同じ方法を繰り返して、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス4’)。
[Comparative Example 12]
The same method as in Comparative Example 9 was repeated except that 100 g of vinyl silicone resin A3 was used instead of vinyl silicone resin A1, and 100 g of hydrogen silicone resin B3 was used instead of hydrogen silicone resin B1, and the length was 3.5 mm × width 3 A semiconductor device having a thickness of 0.5 mm and a semiconductor chip sealed with a cured product having a thickness of 0.2 mm was obtained (semiconductor device 4 ′).

[比較例13]
自動塗工装置 PI−1210(テスター産業(株)社製)を用いて、PETフィルムの上に実施例10で調製したオルガノポリシロキサン組成物1を塗布し、膜状に成形した。組成物は加熱すると溶融し、加熱前の形状を維持することができなかった。このため、以後の評価を行わなかった。
[Comparative Example 13]
Using an automatic coating apparatus PI-1210 (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.), the organopolysiloxane composition 1 prepared in Example 10 was applied onto a PET film and formed into a film shape. The composition melted when heated, and the shape before heating could not be maintained. For this reason, subsequent evaluation was not performed.

[比較例14]
合成例1で合成したビニルシリコーンレジンA1を100g、合成例4で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB1を100g、ヒドロシリル化反応触媒として塩化白金酸のビニルシリコーン変性溶液(白金濃度1質量%)0.2g、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール0.6gを混合して、オルガノポリシロキサン組成物C’3を調製した。触媒膜Pd−iObrane(登録商標)の上に該オルガノポリシロキサン組成物C’3を塗布した他は比較例9の方法を繰り返し、縦3.5mm×横3.5mmを有し、厚さ0.2mmの膜状硬化物で半導体チップが封止された半導体デバイスを得た(半導体デバイス5’)。
[Comparative Example 14]
100 g of vinyl silicone resin A1 synthesized in Synthesis Example 1, 100 g of hydrogen silicone resin B1 synthesized in Synthesis Example 4, 0.2 g of a chloroplatinic acid vinyl silicone modified solution (platinum concentration 1 mass%) as a hydrosilylation reaction catalyst Then, 0.6 g of acetylenic alcohol-based ethynylcyclohexanol was mixed as a reaction inhibitor to prepare an organopolysiloxane composition C′3. The method of Comparative Example 9 was repeated except that the organopolysiloxane composition C′3 was applied on the catalyst film Pd-iObrane (registered trademark), and had a length of 3.5 mm × width of 3.5 mm and a thickness of 0 A semiconductor device in which a semiconductor chip was sealed with a 2 mm film-like cured product was obtained (semiconductor device 5 ′).

実施例13〜17の各々と同じ方法でオルガノポリシロキサン組成物7〜11を調製した。自動塗工装置 PI−1210(テスター産業(株)社製)を用いて、触媒膜Pd−iObrane(登録商標)の上に各オルガノポリシロキサン組成物を塗布し、縦100mm×横100mmを有し、厚さ0.2mmを有する膜状に成形した。該膜状成形物を硬化し、触媒膜を剥離して得られるフィルムについて、金属触媒残存量の測定、微小硬度の測定、及び耐熱性試験(透過率変化)を行った。各試験方法は上記した通りである。結果を表4に示す。   Organopolysiloxane compositions 7-11 were prepared in the same manner as in Examples 13-17. Using an automatic coating device PI-1210 (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.), each organopolysiloxane composition is applied on the catalyst film Pd-iOblane (registered trademark), and has a length of 100 mm × width of 100 mm. And formed into a film having a thickness of 0.2 mm. The film obtained by curing the film-shaped product and peeling off the catalyst film was subjected to measurement of the residual amount of metal catalyst, measurement of microhardness, and heat resistance test (change in transmittance). Each test method is as described above. The results are shown in Table 4.

Figure 2017206678
Figure 2017206678

[触媒膜からの剥離性]
オルガノポリシロキサン組成物1〜3及び7〜11について触媒膜との剥離性を評価した。
上記実施例10〜17の各々と同じ方法に従い、触媒膜Pd−iObrane(登録商標)の上に各オルガノポリシロキサン組成物を塗布し、膜状に成形した。触媒膜が貼り合わされていない面をスライドガラスに貼り合わせて、150℃×4時間で加熱硬化した。その後、硬化物から触媒膜を剥離した。オルガノポリシロキサン組成物1〜3及び7〜9から得られた硬化物は触媒膜から極めて容易に剥離することができ触媒膜上にシリコーン膜が残らなかった。オルガノポリシロキサン組成物10及び11から得られた硬化物は前者に比べると剥離性がやや劣るものの触媒膜から容易に剥離することはできた。
[Peelability from catalyst film]
The organopolysiloxane compositions 1 to 3 and 7 to 11 were evaluated for peelability from the catalyst film.
According to the same method as in each of Examples 10 to 17, each organopolysiloxane composition was applied onto a catalyst film Pd-iObrane (registered trademark) and formed into a film shape. The surface on which the catalyst film was not bonded was bonded to a slide glass and cured by heating at 150 ° C. for 4 hours. Thereafter, the catalyst film was peeled from the cured product. The cured products obtained from the organopolysiloxane compositions 1 to 3 and 7 to 9 could be peeled off from the catalyst film very easily, and no silicone film remained on the catalyst film. Although the cured products obtained from the organopolysiloxane compositions 10 and 11 were slightly inferior to the former, they could be easily separated from the catalyst film.

実施例10〜20及び比較例9〜12及び14で製造した半導体デバイスについて、以下の方法に従い耐熱性試験(輝度変化)を行った。結果を表5及び6に示す。
[耐熱性試験(輝度変化)]
各半導体デバイスについて、HTOL試験(高温駆動試験 試験条件150℃、印加電流500mA)を1,000時間おいた後に、初期との輝度変化を測定した。初期輝度を100%としたときの輝度(%)を下記式により算出した。
輝度変化(%)=(180℃×1,000時間放置後の輝度)/(初期輝度)
About the semiconductor device manufactured in Examples 10-20 and Comparative Examples 9-12 and 14, the heat resistance test (luminance change) was done according to the following method. The results are shown in Tables 5 and 6.
[Heat resistance test (brightness change)]
About each semiconductor device, the HTOL test (high temperature drive test test conditions 150 degreeC, applied current 500mA) was left for 1000 hours, Then, the luminance change with an initial stage was measured. The luminance (%) when the initial luminance was 100% was calculated by the following formula.
Luminance change (%) = (180 ° C. × luminance after standing for 1,000 hours) / (initial luminance)

Figure 2017206678
Figure 2017206678

Figure 2017206678
Figure 2017206678

表5に示す通り、本発明の製造方法に従い触媒を含まないオルガノポリシロキサン組成物の硬化物からなる膜状物で半導体チップを封止することにより、得られる半導体デバイスは耐熱性に優れる。   As shown in Table 5, the semiconductor device obtained is excellent in heat resistance by sealing the semiconductor chip with a film-like product comprising a cured product of an organopolysiloxane composition not containing a catalyst according to the production method of the present invention.

本発明の製造方法は、耐熱性及び透過性にすぐれ、長期間保管しても経時変化が起こりにくく、信頼性の高いシリコーン樹脂フィルムを与えることができる。また、未硬化状態でも長期保管安定性を有することができる。本発明のシリコーン樹脂フィルムは、透明性を活かしながら、耐熱性が求められるさまざまな材料に適応できる。さらに本発明の半導体デバイスの製造方法によれば、得られるデバイスは耐熱性にすぐれ、信頼性の高い半導体デバイスを与えることができる。   The production method of the present invention is excellent in heat resistance and permeability, hardly changes with time even after long-term storage, and can provide a highly reliable silicone resin film. Moreover, it can have long-term storage stability even in an uncured state. The silicone resin film of the present invention can be applied to various materials that require heat resistance while utilizing transparency. Furthermore, according to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the resulting device has excellent heat resistance and can provide a highly reliable semiconductor device.

1 触媒膜
2 オルガノポリシロキサン組成物
2’オルガノポリシロキサン組成物の硬化物
3 半導体チップ
4 半導体基板
5 ワイヤ
6 膜状積層物
7 個片化した半導体デバイス
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Catalyst film 2 Organopolysiloxane composition 2 'Cured product of organopolysiloxane composition 3 Semiconductor chip 4 Semiconductor substrate 5 Wire 6 Film-like laminate 7 Semiconductor device separated into pieces

Claims (28)

(B)1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを含む硬化型オルガノポリシロキサン組成物を硬化してシリコーン樹脂フィルムを製造する方法であって、該オルガノポリシロキサン組成物は金属触媒を含まず、
前記製造方法は下記工程1)〜3)を含み、
1)触媒活性を有する膜1枚の上にて、または2枚の間にて、前記オルガノポリシロキサン組成物を膜状に成形する工程、又は、膜状に成形したオルガノポリシロキサン組成物の少なくとも1面と触媒活性を有する膜とを貼り合わせる工程、
2)次いで、前記オルガノポリシロキサン組成物を硬化してシリコーン樹脂フィルムを得る工程、及び
3)得られたシリコーン樹脂フィルムと前記膜とを剥離する工程
前記触媒活性を有する膜が、膜の表面、又は、膜の表面及び内部に触媒を有することを特徴とする、前記製造方法。
(B) A method for producing a silicone resin film by curing a curable organopolysiloxane composition containing an organohydrogenpolysiloxane having at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule, The polysiloxane composition does not contain a metal catalyst,
The manufacturing method includes the following steps 1) to 3):
1) A step of forming the organopolysiloxane composition into a film form on one or two sheets having catalytic activity, or at least of the organopolysiloxane composition formed into a film form Bonding one surface and a membrane having catalytic activity;
2) Next, a step of curing the organopolysiloxane composition to obtain a silicone resin film, and 3) a step of peeling the obtained silicone resin film and the membrane. The membrane having the catalytic activity is a surface of the membrane, Or the said manufacturing method characterized by having a catalyst in the surface and the inside of a film | membrane.
硬化型オルガノポリシロキサン組成物がさらに、(A)1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサンを、該(A)成分中のアルケニル基の個数に対する上記(B)成分中のSiH基の個数比が0.5〜8となる量で含む、請求項1記載の製造方法。   The curable organopolysiloxane composition further comprises (A) an organopolysiloxane having at least two alkenyl groups bonded to a silicon atom in one molecule, the above (B) with respect to the number of alkenyl groups in the component (A). The production method according to claim 1, wherein the SiH group number ratio in the component is contained in an amount of 0.5 to 8. 前記触媒活性を有する膜が、水酸基を有する有機ポリマーと無機酸化物とのハイブリッド化合物から構成され、該ハイブリット化合物に触媒が固定されている、請求項1または2記載の製造方法。   The production method according to claim 1 or 2, wherein the film having catalytic activity is composed of a hybrid compound of an organic polymer having a hydroxyl group and an inorganic oxide, and the catalyst is fixed to the hybrid compound. 触媒が金属単体又は金属化合物である、請求項1〜3のいずれか1項記載の製造方法。   The manufacturing method of any one of Claims 1-3 whose catalyst is a metal single-piece | unit or a metal compound. 触媒が白金族金属又は白金族金属化合物である、請求項4記載の製造方法。   The manufacturing method of Claim 4 whose catalyst is a platinum group metal or a platinum group metal compound. シリコーン樹脂フィルムの厚さが10〜2000μmである、請求項1〜5のいずれか1項記載の製造方法。   The manufacturing method of any one of Claims 1-5 whose thickness of a silicone resin film is 10-2000 micrometers. 前記オルガノポリシロキサン組成物において、
(A)成分が下記平均組成式(1)で表され
Figure 2017206678
(式中、Rは炭素数6〜10の1価芳香族炭化水素基であり、Rは、置換もしくは非置換の、炭素数1〜10の鎖状脂肪族炭化水素基または炭素数3〜10の環状脂肪族炭化水素基であり、Rは炭素数2〜8のアルケニル基であり、a、b、cおよびdは、それぞれa≧0、b>0、c>0、及びd>0であり、a+b+c+d=1〜2を満たす数であり、但し、ケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有し、Xは、置換もしくは非置換の、炭素数1〜8の一価炭化水素基、または水素原子である)
(B)成分が下記平均組成式(2)で表され、
Figure 2017206678
(式中、R、R及びXは上記のとおりであり、e、f、gおよびhは、それぞれe≧0、f>0、g>0、及びh>0であり、e+f+g+h=1〜2を満たす数であり、但し、ケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有する)
上記(A)成分中のアルケニル基の個数に対する(B)成分中のSiH基の個数比が0.5〜8となる量で含まれる、請求項2〜6のいずれか1項記載のシリコーン樹脂フィルムの製造方法。
In the organopolysiloxane composition,
(A) component is represented by the following average composition formula (1)
Figure 2017206678
(In the formula, R 1 is a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, and R 2 is a substituted or unsubstituted chain aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or 3 carbon atoms. Is a cycloaliphatic hydrocarbon group having 1 to 10, R 3 is an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, and a, b, c, and d are a ≧ 0, b> 0, c> 0, and d, respectively. > 0, a number satisfying a + b + c + d = 1 to 2, provided that it has at least two alkenyl groups bonded to silicon atoms, and X is a substituted or unsubstituted monovalent carbon atom having 1 to 8 carbon atoms. A hydrogen group or a hydrogen atom)
The component (B) is represented by the following average composition formula (2):
Figure 2017206678
(Wherein R 1 , R 2 and X are as described above, e, f, g and h are e ≧ 0, f> 0, g> 0 and h> 0, respectively, and e + f + g + h = 1) A number satisfying ˜2, with at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms)
The silicone resin according to any one of claims 2 to 6, which is contained in an amount such that the number ratio of SiH groups in component (B) to the number of alkenyl groups in component (A) is 0.5 to 8. A method for producing a film.
前記オルガノポリシロキサン組成物が25℃で固体状である、請求項1〜7のいずれか1項記載のシリコーン樹脂フィルムの製造方法。   The method for producing a silicone resin film according to any one of claims 1 to 7, wherein the organopolysiloxane composition is solid at 25 ° C. 前記オルガノポリシロキサン組成物が(C)接着助剤をさらに含有する、請求項1〜8のいずれか1項記載の、シリコーン樹脂フィルムの製造方法。   The method for producing a silicone resin film according to claim 1, wherein the organopolysiloxane composition further contains (C) an adhesion aid. 前記(C)接着助剤が、1分子中に1個以上のエポキシ基を有するオルガノポリシロキサンである、請求項9記載の、シリコーン樹脂フィルムの製造方法。   The method for producing a silicone resin film according to claim 9, wherein the (C) adhesion assistant is an organopolysiloxane having one or more epoxy groups in one molecule. (B)1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを含むオルガノポリシロキサン組成物の硬化物から成るシリコーン樹脂フィルムであって、該硬化物中における金属触媒の量が硬化物全体の質量に対し金属質量換算として0.1ppm未満である、シリコーン樹脂フィルム。   (B) A silicone resin film comprising a cured product of an organopolysiloxane composition containing an organohydrogenpolysiloxane having at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule, wherein the metal catalyst in the cured product The silicone resin film whose quantity is less than 0.1 ppm as metal mass conversion with respect to the mass of the whole hardened | cured material. 前記オルガノポリシロキサン組成物が(A)1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサンを、該(A)成分中のアルケニル基の個数に対する上記(B)成分中のSiH基の個数比が0.5〜8となる量で含む、請求項11記載のシリコーン樹脂フィルム。   In the component (B), the organopolysiloxane composition comprises (A) an organopolysiloxane having at least two alkenyl groups bonded to silicon atoms in one molecule, relative to the number of alkenyl groups in the component (A). The silicone resin film according to claim 11, which is contained in an amount such that the number ratio of SiH groups is 0.5 to 8. 前記(A)成分が、下記平均組成式(1)で示され
Figure 2017206678
(式中、Rは炭素数6〜10の1価芳香族炭化水素基であり、Rは、置換もしくは非置換の、炭素数1〜10の鎖状脂肪族炭化水素基または炭素数3〜10の環状脂肪族炭化水素基であり、Rは炭素数2〜8のアルケニル基であり、a、b、cおよびdは、それぞれa≧0、b>0、c>0、及びd>0であり、a+b+c+d=1〜2を満たす数であり、但し、ケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有し、Xは、置換もしくは非置換の、炭素数1〜8の一価炭化水素基、または水素原子である)
前記(B)成分が、下記平均組成式(2)で示され
Figure 2017206678
(式中、R、R及びXは上記記載のとおりであり、e、f、gおよびhは、それぞれe≧0、f>0、g>0、及びh>0であり、e+f+g+h=1〜2を満たす数であり、但し、ケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有する)
上記(A)成分中のアルケニル基の個数に対する(B)成分中のSiH基の個数比が0.5〜8である、請求項12記載のシリコーン樹脂フィルム。
The component (A) is represented by the following average composition formula (1):
Figure 2017206678
(In the formula, R 1 is a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, and R 2 is a substituted or unsubstituted chain aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or 3 carbon atoms. Is a cycloaliphatic hydrocarbon group having 1 to 10, R 3 is an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, and a, b, c, and d are a ≧ 0, b> 0, c> 0, and d, respectively. > 0, a number satisfying a + b + c + d = 1 to 2, provided that it has at least two alkenyl groups bonded to silicon atoms, and X is a substituted or unsubstituted monovalent carbon atom having 1 to 8 carbon atoms. A hydrogen group or a hydrogen atom)
The component (B) is represented by the following average composition formula (2):
Figure 2017206678
(Wherein R 1 , R 2 and X are as described above, e, f, g and h are e ≧ 0, f> 0, g> 0 and h> 0, respectively, e + f + g + h = It is a number satisfying 1-2, provided that it has at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms)
The silicone resin film of Claim 12 whose number ratio of the SiH group in (B) component with respect to the number of the alkenyl group in said (A) component is 0.5-8.
金属触媒が白金族金属または白金族金属化合物である、請求項11〜13のいずれか1項記載のシリコーン樹脂フィルム。   The silicone resin film according to claim 11, wherein the metal catalyst is a platinum group metal or a platinum group metal compound. 前記オルガノポリシロキサン組成物が25℃で固体状である、請求項11〜14のいずれか1項記載のシリコーン樹脂フィルム。   The silicone resin film according to any one of claims 11 to 14, wherein the organopolysiloxane composition is solid at 25 ° C. (B)1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを含む硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物を備える半導体デバイスの製造方法であって、該オルガノポリシロキサン組成物は金属触媒を含まず、
前記製造方法は下記工程1)〜4)を含み、
1)触媒活性を有する膜1枚の上に、前記オルガノポリシロキサン組成物を膜状に成形する工程、又は、膜状に成形したオルガノポリシロキサン組成物の1面と触媒活性を有する膜とを貼り合わせて膜状積層物を得る工程、
2)次いで、前記工程1)で得た膜状積層物の組成物面と、半導体チップが搭載された基板の半導体チップ搭載面とを貼り合せて、半導体チップを前記オルガノポリシロキサン組成物で被覆する工程、
3)次いで、前記オルガノポリシロキサン組成物を硬化する工程、及び
4)次いで、前記硬化物と前記触媒膜とを剥離して、前記硬化物で半導体チップが被覆された半導体デバイスを得る工程、
前記触媒活性を有する膜が、膜の表面、又は、膜の表面及び内部に触媒を有することを特徴とする、前記半導体デバイスの製造方法。
(B) A method for producing a semiconductor device comprising a cured product of a curable organopolysiloxane composition containing an organohydrogenpolysiloxane having at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule, The siloxane composition does not contain a metal catalyst,
The manufacturing method includes the following steps 1) to 4):
1) Forming the organopolysiloxane composition into a film on one sheet having catalytic activity, or one side of the organopolysiloxane composition formed into a film and a film having catalytic activity A step of bonding to obtain a film-like laminate,
2) Next, the composition surface of the film laminate obtained in the step 1) and the semiconductor chip mounting surface of the substrate on which the semiconductor chip is mounted are bonded together, and the semiconductor chip is covered with the organopolysiloxane composition. The process of
3) Next, a step of curing the organopolysiloxane composition, and 4) Next, a step of peeling the cured product and the catalyst film to obtain a semiconductor device in which a semiconductor chip is coated with the cured product,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the film having catalytic activity has a catalyst on the surface of the film or on the surface and inside of the film.
前記工程4)の後に、得られた半導体デバイスをダイシングし個片化する工程を更に含む、請求項16記載の、半導体デバイスの製造方法。   The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 16, further comprising a step of dicing and separating the obtained semiconductor device after the step 4). 硬化性オルガノポリシロキサン組成物がさらに、(A)1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサンを、該(A)成分中のアルケニル基の個数に対する上記(B)成分中のSiH基の個数比が0.5〜8となる量で含む、請求項17記載の、半導体デバイスの製造方法。   The curable organopolysiloxane composition further comprises (A) an organopolysiloxane having at least two alkenyl groups bonded to a silicon atom in one molecule, the above (B) with respect to the number of alkenyl groups in the component (A). The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 17, wherein the number ratio of SiH groups in the component is included in an amount of 0.5 to 8. 前記触媒活性を有する膜が、水酸基を有する有機ポリマーと無機酸化物とのハイブリッド化合物から構成され、該ハイブリット化合物に触媒が固定されている、請求項16〜18記載のいずれか1項記載の、半導体デバイスの製造方法。   The film having catalytic activity is composed of a hybrid compound of an organic polymer having a hydroxyl group and an inorganic oxide, and the catalyst is fixed to the hybrid compound. A method for manufacturing a semiconductor device. 前記触媒が金属単体又は金属化合物である、請求項16〜19のいずれか1項記載の、半導体デバイスの製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 16 to 19, wherein the catalyst is a simple metal or a metal compound. 前記触媒が白金族金属又は白金族金属化合物である、請求項20記載の製造方法。   The production method according to claim 20, wherein the catalyst is a platinum group metal or a platinum group metal compound. 前記硬化物の厚さが10〜2,000μmである、請求項16〜21のいずれか1項記載の、半導体デバイスの製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 16 to 21, wherein a thickness of the cured product is 10 to 2,000 µm. 前記工程3)において、多段階硬化を行う請求項16〜22のいずれか1項記載の、半導体デバイスの製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 16 to 22, wherein in the step 3), multistage curing is performed. 前記硬化性オルガノポリシロキサン組成物において、
(A)成分が下記平均組成式(1)で表され
Figure 2017206678
(式中、Rは炭素数6〜10の1価芳香族炭化水素基であり、Rは、置換もしくは非置換の、炭素数1〜10の鎖状脂肪族炭化水素基または炭素数3〜10の環状脂肪族炭化水素基であり、Rは炭素数2〜8のアルケニル基であり、a、b、cおよびdは、それぞれa≧0、b>0、c>0、及びd>0であり、a+b+c+d=1〜2を満たす数であり、但し、ケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有し、Xは、置換もしくは非置換の、炭素数1〜8の一価炭化水素基、または水素原子である)
(B)成分が下記平均組成式(2)で表され、
Figure 2017206678
(式中、R、R及びXは上記のとおりであり、e、f、gおよびhは、それぞれe≧0、f>0、g>0、及びh>0であり、e+f+g+h=1〜2を満たす数であり、但し、ケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有する)
上記(A)成分中のアルケニル基の個数に対する(B)成分中のSiH基の個数比が0.5〜8となる量で含まれる、請求項16〜23のいずれか1項記載の、半導体デバイスの製造方法。
In the curable organopolysiloxane composition,
(A) component is represented by the following average composition formula (1)
Figure 2017206678
(In the formula, R 1 is a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, and R 2 is a substituted or unsubstituted chain aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or 3 carbon atoms. Is a cycloaliphatic hydrocarbon group having 1 to 10, R 3 is an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, and a, b, c, and d are a ≧ 0, b> 0, c> 0, and d, respectively. > 0, a number satisfying a + b + c + d = 1 to 2, provided that it has at least two alkenyl groups bonded to silicon atoms, and X is a substituted or unsubstituted monovalent carbon atom having 1 to 8 carbon atoms. A hydrogen group or a hydrogen atom)
The component (B) is represented by the following average composition formula (2):
Figure 2017206678
(Wherein R 1 , R 2 and X are as described above, e, f, g and h are e ≧ 0, f> 0, g> 0 and h> 0, respectively, and e + f + g + h = 1) A number satisfying ˜2, with at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms)
The semiconductor according to any one of claims 16 to 23, which is contained in an amount such that the number ratio of SiH groups in the component (B) to the number of alkenyl groups in the component (A) is 0.5 to 8. Device manufacturing method.
前記硬化性オルガノポリシロキサン組成物が(C)接着助剤をさらに含有する、請求項16〜24のいずれか1項記載の、半導体デバイスの製造方法。   The method for producing a semiconductor device according to any one of claims 16 to 24, wherein the curable organopolysiloxane composition further contains (C) an adhesion assistant. 前記(C)接着助剤が、1分子中に1個以上のエポキシ基を有するオルガノポリシロキサンである、請求項25記載の、半導体デバイスの製造方法。   26. The method for producing a semiconductor device according to claim 25, wherein (C) the adhesion assistant is an organopolysiloxane having one or more epoxy groups in one molecule. 前記硬化性オルガノポリシロキサン組成物が25℃で固体状である、請求項16〜26のいずれか1項記載の、半導体デバイスの製造方法。   27. The method of manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 16 to 26, wherein the curable organopolysiloxane composition is solid at 25 [deg.] C. 前記半導体チップが光半導体素子である、請求項16〜27のいずれか1項記載の、半導体デバイスの製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 16 to 27, wherein the semiconductor chip is an optical semiconductor element.
JP2017079140A 2016-05-11 2017-04-12 Silicone resin film and its manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method Active JP7032052B2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016095344 2016-05-11
JP2016095344 2016-05-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017206678A true JP2017206678A (en) 2017-11-24
JP7032052B2 JP7032052B2 (en) 2022-03-08

Family

ID=60414902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017079140A Active JP7032052B2 (en) 2016-05-11 2017-04-12 Silicone resin film and its manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7032052B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019216190A1 (en) 2018-05-08 2019-11-14 富士高分子工業株式会社 Heat-conductive sheet, mounting method using same and bonding method using same
JP2020026525A (en) * 2018-08-08 2020-02-20 協立化学産業株式会社 Thermosetting resin composition and method for producing processing resin varnish curing film
JP2020075002A (en) * 2018-11-09 2020-05-21 株式会社大一商会 Game machine

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4893658A (en) * 1972-03-16 1973-12-04
JPS5061486A (en) * 1973-09-28 1975-05-27
JPS5340050A (en) * 1976-09-27 1978-04-12 Toray Silicone Co Ltd Heat-curable silicone rubber composition
JPS5460356A (en) * 1977-10-21 1979-05-15 Toray Silicone Co Ltd Silicone rubber composition
JPS5641252A (en) * 1979-09-11 1981-04-17 Toshiba Silicone Co Ltd Heat-curable silicone rubber composition
US4451634A (en) * 1983-01-12 1984-05-29 General Electric Company Silicone elastomer compositions suitable for ultraviolet ray curing
JPS60120754A (en) * 1983-12-02 1985-06-28 Shin Etsu Chem Co Ltd Thermosetting silicone rubber composition
JPS6470560A (en) * 1987-09-04 1989-03-16 Dow Corning Silicone rubber composition of low compression permanent strain
JPH04300962A (en) * 1991-03-29 1992-10-23 Toshiba Silicone Co Ltd Thermally vulcanizable silicone rubber composition
JPH083450A (en) * 1994-06-15 1996-01-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Curable silicone composition
JPH09132716A (en) * 1995-11-10 1997-05-20 Toshiba Silicone Co Ltd Protective sheet composition for solar cell module and protective sheet for solar cell module
JPH10120905A (en) * 1996-08-29 1998-05-12 Shin Etsu Chem Co Ltd Production of silicone rubber
JP2009203475A (en) * 2008-02-28 2009-09-10 Mitsubishi Chemicals Corp Sealing resin and method of producing the same
WO2011052695A1 (en) * 2009-11-02 2011-05-05 信越化学工業株式会社 Spherical silicon carbide powder, process for production of same, and process for production of silicon carbide ceramic molded article utilizing same
JP2012254449A (en) * 2011-05-16 2012-12-27 Hiroshima Univ Reverse osmosis membrane filter

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4893658A (en) * 1972-03-16 1973-12-04
JPS5061486A (en) * 1973-09-28 1975-05-27
JPS5340050A (en) * 1976-09-27 1978-04-12 Toray Silicone Co Ltd Heat-curable silicone rubber composition
JPS5460356A (en) * 1977-10-21 1979-05-15 Toray Silicone Co Ltd Silicone rubber composition
JPS5641252A (en) * 1979-09-11 1981-04-17 Toshiba Silicone Co Ltd Heat-curable silicone rubber composition
US4451634A (en) * 1983-01-12 1984-05-29 General Electric Company Silicone elastomer compositions suitable for ultraviolet ray curing
JPS60120754A (en) * 1983-12-02 1985-06-28 Shin Etsu Chem Co Ltd Thermosetting silicone rubber composition
JPS6470560A (en) * 1987-09-04 1989-03-16 Dow Corning Silicone rubber composition of low compression permanent strain
JPH04300962A (en) * 1991-03-29 1992-10-23 Toshiba Silicone Co Ltd Thermally vulcanizable silicone rubber composition
JPH083450A (en) * 1994-06-15 1996-01-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Curable silicone composition
JPH09132716A (en) * 1995-11-10 1997-05-20 Toshiba Silicone Co Ltd Protective sheet composition for solar cell module and protective sheet for solar cell module
JPH10120905A (en) * 1996-08-29 1998-05-12 Shin Etsu Chem Co Ltd Production of silicone rubber
JP2009203475A (en) * 2008-02-28 2009-09-10 Mitsubishi Chemicals Corp Sealing resin and method of producing the same
WO2011052695A1 (en) * 2009-11-02 2011-05-05 信越化学工業株式会社 Spherical silicon carbide powder, process for production of same, and process for production of silicon carbide ceramic molded article utilizing same
JP2012254449A (en) * 2011-05-16 2012-12-27 Hiroshima Univ Reverse osmosis membrane filter

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019216190A1 (en) 2018-05-08 2019-11-14 富士高分子工業株式会社 Heat-conductive sheet, mounting method using same and bonding method using same
US11450589B2 (en) 2018-05-08 2022-09-20 Fuji Polymer Industries Co., Ltd. Heat-conductive sheet, mounting method using same and bonding method using same
JP2020026525A (en) * 2018-08-08 2020-02-20 協立化学産業株式会社 Thermosetting resin composition and method for producing processing resin varnish curing film
JP6993709B2 (en) 2018-08-08 2022-01-14 協立化学産業株式会社 Method for manufacturing thermosetting resin composition and processed resin varnish curing film
JP2020075002A (en) * 2018-11-09 2020-05-21 株式会社大一商会 Game machine

Also Published As

Publication number Publication date
JP7032052B2 (en) 2022-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1980591B1 (en) Sheet prepared by molding a phosphor-containing adhesive silicone composition, method of producing a light emitting device using the sheet and light emitting device obtainable by the method.
KR102104988B1 (en) Heat-curable silicon resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, and method for producing light emitting device and encapsulated light emitting semiconductor device using the same
KR101905192B1 (en) Phosphor-high filled wavelength conversion sheet, method for manufacturing light emitting semiconductor device using the same, and said light emitting semiconductor device
KR102050103B1 (en) Heat-curable silicone resin sheet having phosphor-containing layer and phosphor-free layer, method of producing light emitting device utilizing same and light emitting semiconductor device obtained by the method
JP6387355B2 (en) Layered polymer structure and method
US9117978B2 (en) Thermosetting silicone resin sheet and method for producing the same, and light-emitting apparatus using the thermosetting silicone resin sheet and method for producing the same
EP2617791B1 (en) Uv-curable adhesive silicone composition, uv-curable adhesive silicone composition sheet, optical semiconductor apparatus and method for manufacturing the same
JP5674610B2 (en) Silicone resin sheet, manufacturing method thereof, sealing sheet, and light emitting diode device
JP5661657B2 (en) Silicone resin composition, phosphor-containing wavelength conversion film, and cured products thereof
TWI814741B (en) Curable silicone composition, resin-sheet for optical articles thereof, and light-emitting device
EP2623576A1 (en) Adhesive silicone composition sheet containing phosphorus and method of producing light emitting device using the same
EP3107965A1 (en) Reactive silicone composition, hotmelt material made therefrom, and curable hotmelt composition
KR20130087428A (en) Light emitting diode device and method of producing the same
JP7032052B2 (en) Silicone resin film and its manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
JP2013159003A (en) Thermosetting silicone resin sheet having phosphor-containing layer and non phosphor-containing layer, method of manufacturing light emitting device using the same, and sealed light emitting semiconductor device
KR20130042450A (en) Silicone resin sheet, cured sheet, and light emitting diode device and producing method thereof
JP2016046491A (en) Sealing method of optical semiconductor device and optical semiconductor device manufactured by sealing method
JP5578685B2 (en) Low gas permeable silicone molding and optical semiconductor device using the same
JP2021107149A (en) Laminate and electronic part formed of the same
JP2013035894A (en) Silicone resin composition, encapsulating material, and light emitting diode device
JP2016506998A (en) Phosphor-containing curable silicone composition and curable hot melt film produced therefrom
JP6115593B2 (en) Thermosetting silicone resin sheet having phosphor-containing layer and phosphor-free layer, light-emitting device manufacturing method using the same, and sealed light-emitting semiconductor device
JP2017011301A (en) Method of manufacturing led device
WO2022215759A2 (en) Siloxane polymer composition, cured product, electronic component, optical component, and composite member

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190423

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200601

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200630

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210726

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210831

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7032052

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150