JP2017204599A - 気密パッケージの製造方法及び気密パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザー光の照射によってガラス蓋内部に生じる熱応力を低減し、ガラス蓋にクラック等が発生するのを抑制することができる気密パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】素子が内部に搭載された容器2をガラス蓋3で封止した気密パッケージを製造する方法であって、容器2の内部に素子を搭載する工程と、容器2の封止部とガラス蓋3の間に封着材料層4を配置して、容器2の上にガラス蓋3を載せる工程と、封着材料層4を加熱溶融するための第1のレーザー光11を、ガラス蓋3を通して封着材料層4に照射して封着材料層4を加熱溶融する工程と、ガラス蓋3を加熱するための第2のレーザー光12を、ガラス蓋3に照射してガラス蓋3を加熱する工程とを備え、第1のレーザー光11と第2のレーザー光12が互いに異なる波長を有し、第1のレーザー光11の照射によって生じるガラス蓋3内部の温度差を低減するように、第2のレーザー光12が照射されることを特徴としている。
【選択図】図3
【解決手段】素子が内部に搭載された容器2をガラス蓋3で封止した気密パッケージを製造する方法であって、容器2の内部に素子を搭載する工程と、容器2の封止部とガラス蓋3の間に封着材料層4を配置して、容器2の上にガラス蓋3を載せる工程と、封着材料層4を加熱溶融するための第1のレーザー光11を、ガラス蓋3を通して封着材料層4に照射して封着材料層4を加熱溶融する工程と、ガラス蓋3を加熱するための第2のレーザー光12を、ガラス蓋3に照射してガラス蓋3を加熱する工程とを備え、第1のレーザー光11と第2のレーザー光12が互いに異なる波長を有し、第1のレーザー光11の照射によって生じるガラス蓋3内部の温度差を低減するように、第2のレーザー光12が照射されることを特徴としている。
【選択図】図3
Description
本発明は、素子を搭載して封止するための気密パッケージの製造方法及び気密パッケージに関する。
従来、LEDなどの素子を搭載して封止するために、気密パッケージが用いられている。このような気密パッケージは、素子を搭載することができる容器と、容器内を封止するためのカバー部材が接合されることにより構成されている。
下記の特許文献1には、ガラスセラミックス基板と、ガラス蓋が、封着材料を介して接合されてなる気密パッケージが開示されている。特許文献1では、上記封着材料として、低融点ガラスからなるガラスフリットが用いられている。また、特許文献1では、上記ガラスフリットを焼成して、溶融させることにより、ガラスセラミックス基板とガラス蓋が接合されている。
しかしながら、耐熱性の低い素子が搭載される場合、特許文献1のようにガラスフリットを焼成して溶融させると、焼成の際の加熱により素子特性が熱劣化するおそれがある。これを解消する方法として、ガラスフリットにレーザーを照射し局所的に加熱することでガラスフリットを溶融する方法が考えられる。
上記のレーザー照射による封着を採用することにより、搭載される素子の熱劣化を防止することができる。また、気密パッケージを構成する全ての材料が無機材料からなるため、酸素及び水等の透過による劣化も効果的に防止することができる。
一方、気密性を維持しながら、パッケージ強度を高めるためには、ガラス蓋の厚みを大きくしたいという要望がある。しかしながら、ガラス蓋の厚みを大きくすると、レーザー照射による加熱でガラス蓋内部での温度差が大きくなり、熱応力によりガラス蓋にクラックが発生するという課題があることを本発明者等は見出した。
本発明の目的は、レーザー光の照射によってガラス蓋内部に生じる熱応力を低減し、ガラス蓋にクラック等が発生するのを抑制することができる気密パッケージの製造方法及び気密パッケージを提供することにある。
本発明の製造方法は、素子が内部に搭載された容器をガラス蓋で封止した気密パッケージを製造する方法であって、容器の内部に素子を搭載する工程と、容器の封止部とガラス蓋の間に封着材料層を配置して、容器の上にガラス蓋を載せる工程と、封着材料層を加熱溶融するための第1のレーザー光を、ガラス蓋を通して封着材料層に照射して封着材料層を加熱溶融する工程と、ガラス蓋を加熱するための第2のレーザー光を、ガラス蓋に照射してガラス蓋を加熱する工程とを備え、第1のレーザー光と第2のレーザー光が互いに異なる波長を有し、第1のレーザー光の照射によって生じるガラス蓋内部の温度差を低減するように、第2のレーザー光が照射されることを特徴としている。
本発明においては、ガラス蓋における第1のレーザー光の照射領域と第2のレーザー光の照射領域とが少なくとも一部において重なるように、第1のレーザー光と第2のレーザー光が同時に照射されることが好ましい。
第1のレーザー光は、600〜1600nmの範囲内の波長を有することが好ましい。
第2のレーザー光は、3000nm以上の波長を有することが好ましい。
容器は、セラミックまたはガラスセラミックからなることが好ましい。
封着材料層は、ガラスフリットから形成されることが好ましい。
本発明の気密パッケージは、使用上限温度が350℃以下である素子と、素子を内部に搭載する容器と、0.2mmを超える厚みを有し、容器を封止するガラス蓋と、容器の封止部とガラス蓋の間に配置される封着材料層とを備えることを特徴としている。
本発明の気密パッケージに搭載される素子としては、MEMS及び深紫外線LEDが挙げられる。
容器は、例えば、酸化アルミニウム、ガラスセラミック、または窒化アルミニウムから形成することができる。
本発明の製造方法によればレーザー光の照射によってガラス蓋内部に生じる熱応力を低減し、ガラス蓋にクラック等が発生するのを抑制することができる。
本発明の気密パッケージは、優れた気密性及びパッケージ強度を有している。
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
図1は、本発明の一実施形態の気密パッケージを示す模式的断面図である。図1に示すように、本実施形態の気密パッケージ1は、素子5を内部に搭載する容器2と、容器2を封止するガラス蓋3と、容器2の封止部2aとガラス蓋3との間に配置される封着材料層4とを備えている。封着材料層4で容器2の封止部2aとガラス蓋3とが接合されることにより、容器2がガラス蓋3で封止されて気密な構造が形成されている。
容器2は、例えば、セラミック、ガラスセラミックなどから構成される。セラミックとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ジルコニア、ムライトなどが挙げられる。ガラスセラミックとしては、LTCC(Low Temperature Co−fired Ceramics)などが挙げられる。LTCCの具体的としては、酸化チタンや酸化ニオブ等の無機粉末とガラス粉末との焼結体などが挙げられる。
ガラス蓋3を構成するガラスとしては、例えば、SiO2−B2O3−RO(RはMg、Ca、SrまたはBa)系ガラス、SiO2−B2O3−R’2O(R’はLi、NaまたはKa)系ガラス、SiO2−B2O3−RO−R’2O系ガラス、SnO−P2O5系ガラス、TeO2系ガラス又はBi2O3系ガラスなどを用いることができる。
ガラス蓋3の厚みは、本発明において特に限定されるものではないが、一般には、0.01mm〜2.0mmの範囲内のものが用いられる。ガラス蓋3の厚みが0.2mmを超えると、レーザー照射における熱応力が大きくなり、クラックを生じやすくなる。そのため、ガラス蓋3の厚みが0.2mmを超えると、本発明の効果がより発揮されやすくなる。ガラス蓋3の厚みは、さらに好ましくは0.3mm以上であり、より好ましくは0.4mm以上である。
封着材料層4を形成するための封着材料としては、低融点ガラス粉末を含むガラスフリットを用いることが好ましい。低融点ガラス粉末を含んでいる場合、より低温で封着材料を溶融させることができ、素子の熱劣化をより一層抑制することができる。低融点ガラス粉末としては、例えば、Bi2O3系ガラス粉末や、SnO−P2O5系ガラス粉末、V2O5−TeO2系ガラス粉末などを用いることができる。なお、レーザー光の吸収を向上させるために、ガラス中にCuO、Cr2O3、Fe2O3、MnO2等から選ばれる少なくとも1種の顔料が含まれていてもよい。また、封着材料には、上記の低融点ガラス粉末の他に、低膨張耐火性フィラーや、レーザー光吸収材などが含まれていてもよい。低膨張耐火性フィラーとしては、例えば、コーディエライト、ウイレマイト、アルミナ、リン酸ジルコニウム系化合物、ジルコン、ジルコニア、酸化スズ、石英ガラス、β−石英固溶体、β−ユークリプタイト、スポジュメンが挙げられる。また、レーザー光吸収材としては、例えば、Fe、Mn、Cuなどから選ばれる少なくとも1種の金属または該金属を含む酸化物等の化合物が挙げられる。
素子5は、本発明において特に限定されるものではないが、本発明の製造方法によれば、耐熱性の低い素子であっても、パッケージングの際の熱劣化を抑制することができるので、使用上限温度の低い素子を用いた場合に、本発明の効果がより発揮されやすくなる。また、本発明によれば、パッケージ1の強度を高めるために、ガラス蓋3の厚みを大きくしても、気密性の高いパッケージングにすることができる。このため、高い強度と気密性が求められる素子を用いた場合に、本発明の効果がより発揮されやすくなる。したがって、素子5として、使用上限温度が低く、かつ高い気密性が求められる素子を用いた場合に、本発明の効果がより発揮されやすくなる。このような素子として、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、深紫外線LED(Light Emitting Diode)などが挙げられる。
したがって、使用上限温度が350℃以下である素子としては、上記のMEMS及び深紫外線LEDが挙げられる。なお、素子の使用上限温度は、素子毎に規格として定められた温度であり、動作上限温度、最高使用温度などとも称される温度である。
しかしながら、素子5は、上記のものに限定されるものではなく、上記以外のLED、LD(Laser Diode)などの発光素子、CCD(Charge Coupled Device)などの受光素子や、その他の素子も用いることができる。
図2は、図1に示す気密パッケージを製造する工程を説明するための模式的断面図である。本実施形態の製造方法では、まず、図2(a)に示すように、容器2の内部に素子5を搭載する。
次に、図2(b)に示すように、容器2の封止部2aの上に、封着材料を塗布して封着材料層4を形成する。次に、図2(c)に示すように、封着材料層4を形成した封止部2aの上に、ガラス蓋3を載せる。これにより、容器2の封止部2aとガラス蓋3の間に封着材料層4を配置することができる。なお、本実施形態では、容器2側に封着材料を塗布しているが、ガラス蓋3側に封着材料を塗布してもよい。また、容器2側とガラス蓋3側の両方に封着材料を塗布してもよい。次に、図3を参照して以下に説明するように、上方からガラス蓋3を通してレーザー光を照射し、封着材料層4を加熱溶融する。
図3は、本実施形態の気密パッケージを製造する工程において、第1のレーザー光及び第2のレーザー光を照射する状態を示す模式的拡大断面図である。
図3に示すように、封着材料層4を加熱溶融するための第1のレーザー光11を、ガラス蓋3を通して封着材料層4に照射する。第1のレーザー光11は、図3に示すように、真上から照射される。第1のレーザー光11の照射により、封着材料層4が加熱溶融される。また、同時に、ガラス蓋3を加熱するための第2のレーザー光12を、ガラス蓋3に照射する。第2のレーザー光12は、図3に示すように、上方斜め方向から照射される。第2のレーザー光12の照射により、ガラス蓋3が加熱される。
第1のレーザー光11は封着材料層4を加熱するレーザー光であり、第2のレーザー光12はガラス蓋3を加熱するレーザー光であるので、第1のレーザー光11と第2のレーザー光12は互いに異なる波長を有している。すなわち、第1のレーザー光11の波長は、ガラス蓋3を透過して封着材料層4が大きな吸収を有する波長であることが好ましく、第2のレーザー光11の波長は、ガラス蓋3が大きな吸収を有する波長であることが好ましい。
第1のレーザー光11の波長は、600〜1600nmの範囲内であることが好ましい。このような波長の範囲内とすることにより、効率良く封着材料層4を加熱することができる。第1のレーザー光11を出射する光源としては、半導体レーザーが好ましく用いられる。
第2のレーザー光12の波長は、3000nm以上であることが好ましく、5000〜11000nmの範囲内であることがさらに好ましい。このような波長の範囲内とすることにより、効率良くガラス蓋3全体を均一に加熱することができる。第2のレーザー光12を出射する光源としては、炭酸ガスレーザーが好ましく用いられる。
第1のレーザー光11が封着材料層4に照射されることにより、封着材料層4が加熱される。このため、封着材料層4に接しているガラス蓋3の部分が局所的に高温に加熱される。したがって、封着材料層4近傍のガラス蓋3の部分が温度上昇する。一方、封着材料層4から離れたガラス蓋3の部分は、加熱されにくい。このため、第1のレーザー光11の照射によって、ガラス蓋3内部に温度差が生じる。この温度差は、ガラス蓋3の厚みが大きくなるほど大きくなる。
一方、本実施形態では、第2のレーザー光12がガラス蓋3に照射されることにより、ガラス蓋3が加熱されている。このため、第2のレーザー光12の照射により、第1のレーザー光11の照射によって生じるガラス蓋3内部の温度差が低減される。ガラス蓋3内部の温度差を低減することができるので、ガラス蓋3内部に生じる熱応力を低減させ、ガラス蓋3にクラック等が発生するのを抑制することができる。
したがって、本実施形態によれば、厚みが大きくガラス蓋3を用いても、ガラス蓋3内部に生じる熱応力を低減し、ガラス蓋3にクラック等が発生するのを抑制することができる。
図3に示す実施形態では、第1のレーザー光11を真上から照射し、第2のレーザー光12を上方斜め方向から照射しているが、本発明はこれに限定されるものではない。第1のレーザー光11及び第2のレーザー光12の両方を真上から照射してもよいし、両方を上方斜め方向から照射してもよい。また、第1のレーザー光11を上方斜め方向から照射し、第2のレーザー光12を真上から照射してもよい。第1のレーザー光11及び第2のレーザー光12の走査及び照射方向は、ガルバノスキャナ等を用いて制御することができる。
図4は、第1の実施形態における第1のレーザー光及び第2のレーザー光の照射領域を示す模式的平面図である。本実施形態では、第1のレーザー光の照射領域21全体が、第2のレーザー光の照射領域22内に含まれており、第1のレーザー光の照射領域21と第2のレーザー光の照射領域22は完全に重なっている。この状態で、第1のレーザー光11と第2のレーザー光12を矢印A方向に走査させて、封着材料層4及びガラス蓋3上を周回させる。これにより、封着材料層4を加熱溶融して、容器2の封止部2aとガラス蓋3とを接合する。
図5は、第2の実施形態における第1のレーザー光及び第2のレーザー光の照射領域を示す模式的平面図である。本実施形態では、第2のレーザー光の照射領域22が、第1のレーザー光の照射領域21よりも矢印A方向に先行している。したがって、第1のレーザー光の照射領域21と第2のレーザー光の照射領域22は、一部が重なった状態となっている。この状態で、第1のレーザー光11と第2のレーザー光12を矢印A方向に走査させて周回させ、封着材料層4を加熱溶融して、容器2の封止部2aとガラス蓋3とを接合する。
図6は、第3の実施形態における第1のレーザー光及び第2のレーザー光の照射領域を示す模式的平面図である。本実施形態では、第1のレーザー光の照射領域21と第2のレーザー光の照射領域22が重ならずに、第2のレーザー光の照射領域22が、第1のレーザー光の照射領域21よりも矢印A方向に先行して走査している。この状態で、第1のレーザー光11と第2のレーザー光12を矢印A方向に走査させて周回させ、封着材料層4を加熱溶融して、容器2の封止部2aとガラス蓋3とを接合する。
本発明においては、図4及び図5に示すように、ガラス蓋3における第1のレーザー光の照射領域21と第2のレーザー光の照射領域22とが少なくとも一部において重なるように、第1のレーザー光11と第2のレーザー光12が同時に照射されることが好ましい。これにより、ガラス蓋3内部の温度差をより効果的に低減することができるからである。
第1のレーザー光11及び第2のレーザー光12のうちの一方が他方より先行して走査される場合には、図5及び図6に示すように、第2のレーザー光12を先行させることが好ましい。これは、第1のレーザー光11のみを最初に照射すると、第2のレーザー光12を照射しないときと同様の温度差がガラス蓋3内部に生じる場合があるからである。したがって、本発明においては、ガラス蓋3の被照射領域に対し、第2のレーザー光12を照射すると同時に第1のレーザー光11を照射するか、あるいは第2のレーザー光12を照射した後に、第1のレーザー光11を照射することが好ましい。
上記実施形態では、第1のレーザー光の照射領域21が第2のレーザー光の照射領域22より小さい例を示しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、第1のレーザー光の照射領域21と第2のレーザー光の照射領域22が互いに同程度の大きさであってもよいし、第1のレーザー光の照射領域21が第2のレーザー光の照射領域22より大きくてもよい。
1…気密パッケージ
2…容器
2a…封止部
3…ガラス蓋
4…封着材料層
5…素子
11…第1のレーザー光
12…第2のレーザー光
21…第1のレーザー光の照射領域
22…第2のレーザー光の照射領域
A…走査方向
2…容器
2a…封止部
3…ガラス蓋
4…封着材料層
5…素子
11…第1のレーザー光
12…第2のレーザー光
21…第1のレーザー光の照射領域
22…第2のレーザー光の照射領域
A…走査方向
Claims (11)
- 素子が内部に搭載された容器をガラス蓋で封止した気密パッケージを製造する方法であって、
前記容器の内部に前記素子を搭載する工程と、
前記容器の封止部と前記ガラス蓋の間に封着材料層を配置して、前記容器の上に前記ガラス蓋を載せる工程と、
前記封着材料層を加熱溶融するための第1のレーザー光を、前記ガラス蓋を通して前記封着材料層に照射して前記封着材料層を加熱溶融する工程と、
前記ガラス蓋を加熱するための第2のレーザー光を、前記ガラス蓋に照射して前記ガラス蓋を加熱する工程とを備え、
前記第1のレーザー光と前記第2のレーザー光が互いに異なる波長を有し、前記第1のレーザー光の照射によって生じる前記ガラス蓋内部の温度差を低減するように、前記第2のレーザー光が照射される、気密パッケージの製造方法。 - 前記ガラス蓋における前記第1のレーザー光の照射領域と前記第2のレーザー光の照射領域とが少なくとも一部において重なるように、前記第1のレーザー光と前記第2のレーザー光が同時に照射される、請求項1に記載の気密パッケージの製造方法。
- 前記第1のレーザー光が、600〜1600nmの範囲内の波長を有する、請求項1または2に記載の気密パッケージの製造方法。
- 前記第2のレーザー光が、3000nm以上の波長を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の気密パッケージの製造方法。
- 前記容器がセラミックまたはガラスセラミックからなる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の気密パッケージの製造方法。
- 前記封着材料層がガラスフリットから形成される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の気密パッケージの製造方法。
- 使用上限温度が350℃以下である素子と、
前記素子を内部に搭載する容器と、
0.2mmを超える厚みを有し、前記容器を封止するガラス蓋と、
前記容器の封止部と前記ガラス蓋の間に配置される封着材料層とを備える、気密パッケージ。 - 前記素子が、MEMSまたは深紫外線LEDである、請求項7に記載の気密パッケージ。
- 前記容器が、酸化アルミニウムから形成されている、請求項7または8に記載の気密パッケージ。
- 前記容器が、ガラスセラミックから形成されている、請求項7または8に記載の気密パッケージ。
- 前記容器が、窒化アルミニウムから形成されている、請求項7または8に記載の気密パッケージ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016096814A JP2017204599A (ja) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | 気密パッケージの製造方法及び気密パッケージ |
PCT/JP2017/005229 WO2017195424A1 (ja) | 2016-05-13 | 2017-02-14 | 気密パッケージの製造方法及び気密パッケージ |
TW106106710A TW201806088A (zh) | 2016-05-13 | 2017-03-01 | 氣密封裝之製造方法及氣密封裝 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016096814A JP2017204599A (ja) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | 気密パッケージの製造方法及び気密パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017204599A true JP2017204599A (ja) | 2017-11-16 |
Family
ID=60266913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016096814A Pending JP2017204599A (ja) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | 気密パッケージの製造方法及び気密パッケージ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017204599A (ja) |
TW (1) | TW201806088A (ja) |
WO (1) | WO2017195424A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114315174B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-01-10 | 上海菲利华石创科技有限公司 | 一种加厚不透明石英玻璃板的焊接方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6484645A (en) * | 1987-09-26 | 1989-03-29 | Nec Corp | Method for encapsulating semiconductor element by seam weld |
JPH08204060A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2007059746A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
EP2340554B1 (en) * | 2008-09-18 | 2017-05-10 | Imec | Methods and systems for material bonding |
JP5183424B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2013-04-17 | 京セラ株式会社 | パッケージの製造方法 |
KR101206608B1 (ko) * | 2009-11-17 | 2012-11-29 | (주)엘지하우시스 | 유리기판의 레이저 실링장치 |
JP2012252828A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Canon Inc | 接合体の製造方法 |
-
2016
- 2016-05-13 JP JP2016096814A patent/JP2017204599A/ja active Pending
-
2017
- 2017-02-14 WO PCT/JP2017/005229 patent/WO2017195424A1/ja active Application Filing
- 2017-03-01 TW TW106106710A patent/TW201806088A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017195424A1 (ja) | 2017-11-16 |
TW201806088A (zh) | 2018-02-16 |
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