JP2017199905A

JP2017199905A - Optical semiconductor device

Info

Publication number: JP2017199905A
Application number: JP2017086519A
Authority: JP
Inventors: 雅裕平山; Masahiro Hirayama
Original assignee: Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Current assignee: Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Priority date: 2016-04-25
Filing date: 2017-04-25
Publication date: 2017-11-02
Anticipated expiration: 2037-04-25
Also published as: JP6881745B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a high-frequency component transmitted from one EML chip to another EML chip in an optical semiconductor device including a plurality of EML chips.SOLUTION: An optical semiconductor device 1A includes: a plurality of EML chips 20; a plurality of bonding wires 44 supplying a DC current for laser driving to the respective EML chips 20; a plurality of decoupling capacitors 34 each of which has one electrode connected to each bonding wire 44; and a plurality of coplanar lines 11 being electrically connected to the plurality of EML chips 20 at one end portions and supplying a modulation signal to the EML chips 20. The other electrodes of the plurality of decoupling capacitors 34 and ground patterns 13a of the plurality of coplanar lines 11 adjacent thereto are electrically connected to one another. The ground patterns 13a have narrow regions compared with ground patterns 13b.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、光半導体装置に関するものである。 The present invention relates to an optical semiconductor device.

光送信器に用いられる光半導体装置では、レーザダイオード若しくは光変調器に高周波の送信信号を伝達する必要がある。そのため、例えばコプレーナ線路（Coplanar Waveguide with Ground；ＣＰＷＧ）やマイクロストリップラインといった信号導波路が用いられる。例えば、特許文献１には、半導体レーザに高周波の駆動信号を送るためのマイクロストリップラインを備える半導体レーザモジュールが開示されている。 In an optical semiconductor device used for an optical transmitter, it is necessary to transmit a high-frequency transmission signal to a laser diode or an optical modulator. Therefore, for example, a signal waveguide such as a coplanar waveguide (CPWG) or a microstrip line is used. For example, Patent Document 1 discloses a semiconductor laser module including a microstrip line for sending a high-frequency drive signal to a semiconductor laser.

特開平５−３７０６２号公報JP-A-5-37062

近年、光送信器の小型化のために、レーザダイオード及び半導体光変調器が一つのチップにモノリシックに集積された変調器集積型レーザチップ（以下、ＥＭＬチップという）などの半導体レーザチップが用いられることがある。その場合、直流電流を供給するための配線と、変調信号を入力するための配線とが、半導体レーザチップに結線される。そして、変調信号を入力するための配線は、上述したコプレーナ線路等の伝送線路によって構成される。 In recent years, in order to reduce the size of an optical transmitter, a semiconductor laser chip such as a modulator integrated laser chip (hereinafter referred to as an EML chip) in which a laser diode and a semiconductor optical modulator are monolithically integrated on one chip is used. Sometimes. In that case, a wiring for supplying a direct current and a wiring for inputting a modulation signal are connected to the semiconductor laser chip. The wiring for inputting the modulation signal is constituted by a transmission line such as the above-described coplanar line.

また、より多くの情報を伝達するために、例えば波長や偏波、位相などによって区別された複数の信号光を多重化する方式がある。このような方式では、複数の信号光を生成するための複数の半導体レーザチップが光送信器内に並べて配置される。その場合、各半導体レーザチップに変調信号を入力するための複数の伝送線路も互いに並んで設けられることとなる。一方、半導体レーザチップに直流電流を供給するための配線には、ノイズ除去のためのデカップリングコンデンサが接続される。デカップリングコンデンサの一方の電極は該配線に接続され、他方の電極はグランドパターンに接続される。 In order to transmit more information, there is a method of multiplexing a plurality of signal lights distinguished by, for example, wavelength, polarization, phase, and the like. In such a system, a plurality of semiconductor laser chips for generating a plurality of signal lights are arranged in an optical transmitter. In that case, a plurality of transmission lines for inputting a modulation signal to each semiconductor laser chip are also provided side by side. On the other hand, a decoupling capacitor for removing noise is connected to the wiring for supplying a direct current to the semiconductor laser chip. One electrode of the decoupling capacitor is connected to the wiring, and the other electrode is connected to the ground pattern.

ここで、半導体レーザチップには次のような問題がある。すなわち、半導体レーザチップの内部には、寄生容量が僅かに存在する。この寄生容量と、直流電流を供給する配線が有するインダクタンスとによって、共振回路が構成され、インピーダンスが低下してしまう。このことは、高周波の変調信号が、直流電流を供給する配線を通ってリークすることを意味する。そして、リークした高周波信号（以下、高周波リーク信号という）は、デカップリングコンデンサを通過してグランドパターンへ流れる。 Here, the semiconductor laser chip has the following problems. That is, there is a slight parasitic capacitance inside the semiconductor laser chip. A resonance circuit is formed by this parasitic capacitance and the inductance of the wiring that supplies the direct current, and the impedance is reduced. This means that a high-frequency modulation signal leaks through a wiring that supplies a direct current. The leaked high-frequency signal (hereinafter referred to as a high-frequency leak signal) passes through the decoupling capacitor and flows to the ground pattern.

前述したように複数の伝送線路が並んで設けられている場合、隣り合う伝送線路を構成するグランドパターンが共通化されていることが多い。そのような構成では、或るデカップリングコンデンサを通過してグランドパターンへ流れた高周波リーク信号が、隣りの伝送線路のグランドパターンを通って別の半導体レーザチップに達し、高周波ノイズとなって該半導体レーザチップのグランドレベル（基準電位）を変動させてしまう。このことは、該半導体レーザチップの変調特性を劣化させる一因となる。 As described above, when a plurality of transmission lines are provided side by side, the ground patterns constituting adjacent transmission lines are often shared. In such a configuration, a high-frequency leak signal that has passed through a certain decoupling capacitor and flowed to the ground pattern reaches another semiconductor laser chip through the ground pattern of the adjacent transmission line and becomes high-frequency noise. The ground level (reference potential) of the laser chip is changed. This contributes to the deterioration of the modulation characteristics of the semiconductor laser chip.

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、複数の半導体レーザチップを備える光半導体装置において、或る半導体レーザチップから別の半導体レーザチップへ伝わる高周波リーク信号を低減することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and in an optical semiconductor device including a plurality of semiconductor laser chips, to reduce a high-frequency leak signal transmitted from one semiconductor laser chip to another semiconductor laser chip. With the goal.

上述した課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る光半導体装置は、第１及び第２の半導体レーザチップと、第１の半導体レーザチップと電気的に接続され、直流電流を供給する第１のボンディングワイヤと、第２の半導体レーザチップと電気的に接続され、直流電流を供給する第２のボンディングワイヤと、第１の半導体レーザチップをその搭載面上に搭載する第１のチップキャリアと、第２の半導体レーザチップをその搭載面上に搭載する第２のチップキャリアと、第１のチップキャリアの主面に設けられ、第１の半導体レーザチップに第１の変調信号を供給する第１の伝送線路と、第２のチップキャリアの主面に設けられてなる信号線路と、信号線路の第１のチップキャリアに近い側に配置された一方のグランドパターンと、信号線路を挟んで一方のグランドパターンと対向してなる他方のグランドパターンと、を含み、第２の半導体レーザチップに第２の変調信号を供給する第２の伝送線路と、配線部材上のグランドパターンに一方の電極が接続され、他方の電極が第１のボンディングワイヤと接続されてなるコンデンサと、配線部材上のグランドパターンと第２のチップキャリア上の一方のグランドパターンとを接続する第３のボンディングワイヤと、を備え、一方のグランドパターンは、他方のグランドパターンに対して狭い領域を有する。 In order to solve the above-described problem, an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention supplies first and second semiconductor laser chips, a first semiconductor laser chip, and a direct current. A first bonding wire, a second bonding wire that is electrically connected to the second semiconductor laser chip and supplies a direct current, and a first semiconductor laser chip mounted on the mounting surface. A chip carrier, a second chip carrier for mounting the second semiconductor laser chip on the mounting surface, and a main surface of the first chip carrier are provided, and a first modulation signal is applied to the first semiconductor laser chip. A first transmission line to be supplied; a signal line provided on the main surface of the second chip carrier; and one ground pattern disposed on the side of the signal line close to the first chip carrier; A second transmission line for supplying a second modulation signal to the second semiconductor laser chip, and a ground on the wiring member. A capacitor in which one electrode is connected to the pattern and the other electrode is connected to the first bonding wire, and a third pattern that connects the ground pattern on the wiring member and one ground pattern on the second chip carrier. And one ground pattern has a narrower area than the other ground pattern.

本発明によれば、複数の半導体レーザチップを備える光半導体装置において、或る半導体レーザチップから別の半導体レーザチップへ伝わる高周波リーク信号を低減できる。 According to the present invention, in an optical semiconductor device including a plurality of semiconductor laser chips, it is possible to reduce a high-frequency leak signal transmitted from one semiconductor laser chip to another semiconductor laser chip.

図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置の構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 図２は、各チップキャリアの主面上の構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a configuration on the main surface of each chip carrier. 図３は、図２のIII−III線に沿った断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 図４は、光半導体装置を備える光送信器の構成例を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view illustrating a configuration example of an optical transmitter including the optical semiconductor device. 図５は、配線の長さと、ＥＭＬチップの浮遊容量及び配線のインダクタンスに基づくインピーダンス値との関係を表すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the relationship between the length of the wiring and the impedance value based on the stray capacitance of the EML chip and the inductance of the wiring. 図６は、一変形例に係る複数の光半導体装置を備える光送信器を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing an optical transmitter including a plurality of optical semiconductor devices according to a modification. 図７は、一変形例に係る光半導体装置を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing an optical semiconductor device according to a modification. 図８は、比較例に係る光半導体装置の構成を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a configuration of an optical semiconductor device according to a comparative example.

［本願発明の実施形態の説明］
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態に係る光半導体装置は、第１及び第２の半導体レーザチップと、第１の半導体レーザチップと電気的に接続され、直流電流を供給する第１のボンディングワイヤと、第２の半導体レーザチップと電気的に接続され、直流電流を供給する第２のボンディングワイヤと、第１の半導体レーザチップをその搭載面上に搭載する第１のチップキャリアと、第２の半導体レーザチップをその搭載面上に搭載する第２のチップキャリアと、第１のチップキャリアの主面に設けられ、第１の半導体レーザチップに第１の変調信号を供給する第１の伝送線路と、第２のチップキャリアの主面に設けられてなる信号線路と、信号線路の第１のチップキャリアに近い側に配置された一方のグランドパターンと、信号線路を挟んで一方のグランドパターンと対向してなる他方のグランドパターンと、を含み、第２の半導体レーザチップに第２の変調信号を供給する第２の伝送線路と、配線部材上のグランドパターンに一方の電極が接続され、他方の電極が第１のボンディングワイヤと接続されてなるコンデンサと、配線部材上のグランドパターンと第２のチップキャリア上の一方のグランドパターンとを接続する第３のボンディングワイヤと、を備え、一方のグランドパターンは、他方のグランドパターンに対して狭い領域を有する。 [Description of Embodiment of Present Invention]
First, the contents of the embodiment of the present invention will be listed and described. An optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a first and second semiconductor laser chip, a first bonding wire that is electrically connected to the first semiconductor laser chip and supplies a direct current, A second bonding wire that is electrically connected to the two semiconductor laser chips and supplies a direct current; a first chip carrier on which the first semiconductor laser chip is mounted; and a second semiconductor laser. A second chip carrier for mounting the chip on its mounting surface; a first transmission line provided on the main surface of the first chip carrier for supplying a first modulation signal to the first semiconductor laser chip; A signal line provided on the main surface of the second chip carrier, one ground pattern disposed on the side of the signal line close to the first chip carrier, and one ground across the signal line One electrode connected to the second transmission line that supplies the second modulation signal to the second semiconductor laser chip and the ground pattern on the wiring member. A capacitor in which the other electrode is connected to the first bonding wire, and a third bonding wire for connecting the ground pattern on the wiring member and one ground pattern on the second chip carrier, One ground pattern has a narrower area than the other ground pattern.

この光半導体装置において、外部から入力された第１の変調信号は、第１の伝送線路から第１の半導体レーザチップに入力される。同様に、外部から入力された第２の変調信号は、第２の伝送線路から第２の半導体レーザチップに入力される。また、外部から入力された直流電流は、第１のボンディングワイヤを介して第１の半導体レーザチップに供給され、第２のボンディングワイヤを介して第２の半導体レーザチップに供給される。 In this optical semiconductor device, the first modulation signal input from the outside is input from the first transmission line to the first semiconductor laser chip. Similarly, the second modulation signal input from the outside is input from the second transmission line to the second semiconductor laser chip. Also, a direct current input from the outside is supplied to the first semiconductor laser chip via the first bonding wire, and is supplied to the second semiconductor laser chip via the second bonding wire.

前述したように、第１の半導体レーザチップの内部には、寄生容量が僅かに存在する。この寄生容量と、第１のボンディングワイヤが有するインダクタンスとによって、共振回路が構成され、インピーダンスが低下してしまう。これにより、第１の変調信号の一部が第１のボンディングワイヤを通ってリークし、高周波リーク信号となってコンデンサを通過し、第３のボンディングワイヤを通って第２の伝送線路の一方のグランドパターンへ流れてしまう。そして、この高周波リーク信号が該一方のグランドパターンを通って第２の半導体レーザチップに達すると、高周波ノイズとなって第２の半導体レーザチップのグランドレベル（基準電位）を変動させてしまう。 As described above, there is a slight parasitic capacitance inside the first semiconductor laser chip. The parasitic capacitance and the inductance of the first bonding wire constitute a resonance circuit, and the impedance is reduced. As a result, part of the first modulation signal leaks through the first bonding wire, passes through the capacitor as a high-frequency leakage signal, passes through the third bonding wire, and passes through one of the second transmission lines. It flows to the ground pattern. When this high-frequency leak signal reaches the second semiconductor laser chip through the one ground pattern, it becomes high-frequency noise and changes the ground level (reference potential) of the second semiconductor laser chip.

このような課題に鑑み、上記の光半導体装置では、第２の伝送線路の一方のグランドパターンが、他方のグランドパターンに対して狭い領域を有する。これにより、一方のグランドパターンのインダクタンスが大きくなり、該グランドパターンを通過する高周波リーク信号を減衰させることができる。従って、上記の光半導体装置によれば、第１の半導体レーザチップから第２の半導体レーザチップへ伝わる高周波リーク信号を低減できる。これにより、第２の半導体レーザチップのグランドレベル（基準電位）の変動を抑制し、変調特性の劣化を抑えることができる。 In view of such a problem, in the above optical semiconductor device, one ground pattern of the second transmission line has a narrow area with respect to the other ground pattern. Thereby, the inductance of one ground pattern becomes large, and the high frequency leak signal passing through the ground pattern can be attenuated. Therefore, according to the above optical semiconductor device, it is possible to reduce the high-frequency leak signal transmitted from the first semiconductor laser chip to the second semiconductor laser chip. Thereby, the fluctuation | variation of the ground level (reference potential) of a 2nd semiconductor laser chip can be suppressed, and deterioration of a modulation characteristic can be suppressed.

また、上記の光半導体装置において、第２の伝送線路の一方のグランドパターンの狭い領域は、一方のグランドパターンの延在方向の半分以上であってもよい。 In the above optical semiconductor device, the narrow area of one ground pattern of the second transmission line may be half or more of the extending direction of one ground pattern.

また、上記の光半導体装置において、第２の伝送線路の一方のグランドパターンの狭い領域の幅は、第２の伝送線路の信号線路の幅よりも小さくてもよい。このように、一方側のグランドパターンの幅を小さくすることにより、上記の効果を顕著に奏することができる。 In the above optical semiconductor device, the width of the narrow region of one ground pattern of the second transmission line may be smaller than the width of the signal line of the second transmission line. As described above, by reducing the width of the ground pattern on one side, the above effects can be remarkably exhibited.

［本願発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る光半導体装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 [Details of the embodiment of the present invention]
Specific examples of the optical semiconductor device according to the embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited to these illustrations, is shown by the claim, and intends that all the changes within the meaning and range equivalent to the claim are included. In the following description, the same reference numerals are given to the same elements in the description of the drawings, and redundant descriptions are omitted.

図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置の構成を示す平面図である。なお、理解の容易のため、図にはＸＹ直交座標系が示されている。図１に示されるように、本実施形態の光半導体装置１Ａは、Ｎ個（Ｎは２以上の整数、図ではＮ＝４を例示）のチップキャリア１０と、各チップキャリア１０に共通して対応する一つの配線基板３０とを備えている。各チップキャリア１０は、Ｘ方向を長手方向とする長方形状の主面（搭載面）を有しており、Ｙ方向に並んで設けられている。各チップキャリア１０は、絶縁体によって構成される。 FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. For easy understanding, an XY orthogonal coordinate system is shown in the figure. As shown in FIG. 1, the optical semiconductor device 1 A of the present embodiment is common to N chip carriers 10 (N is an integer of 2 or more, N = 4 is illustrated in the figure) and each chip carrier 10. One corresponding wiring board 30 is provided. Each chip carrier 10 has a rectangular main surface (mounting surface) whose longitudinal direction is the X direction, and is provided side by side in the Y direction. Each chip carrier 10 is made of an insulator.

ここで、図２は、各チップキャリア１０の主面（搭載面）１０ａ上の構成を示す平面図である。また、図３は、図２のIII−III線に沿った断面図である。チップキャリア１０のＸ方向の長さは例えば２０００μｍであり、Ｙ方向の幅は例えば１０００μｍより小さく、一例では７００μｍである。４個のチップキャリア１０が並んだＹ方向の幅は、例えば３．０ｍｍである。 Here, FIG. 2 is a plan view showing a configuration on the main surface (mounting surface) 10 a of each chip carrier 10. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. The length of the chip carrier 10 in the X direction is 2000 μm, for example, and the width in the Y direction is smaller than 1000 μm, for example, 700 μm in one example. The width in the Y direction in which the four chip carriers 10 are arranged is, for example, 3.0 mm.

本実施形態の光半導体装置１Ａは、主面１０ａ上に設けられた、コプレーナ線路１１（伝送線路）、バイアスパターン１４、終端パターン１５、及びＥＭＬチップ２０（半導体レーザチップ）を備える。なお、本実施形態において、Ｎ個のチップキャリア１０のうち一のチップキャリア１０（第１のチップキャリア）上に設けられたコプレーナ線路１１及びＥＭＬチップ２０が、それぞれ第１の伝送線路及び第１の半導体レーザチップに相当し、該チップキャリア１０と隣接する別のチップキャリア１０（第２のチップキャリア）上に設けられたコプレーナ線路１１及びＥＭＬチップ２０が、それぞれ第２の伝送線路及び第２の半導体レーザチップに相当する。 The optical semiconductor device 1A of the present embodiment includes a coplanar line 11 (transmission line), a bias pattern 14, a termination pattern 15, and an EML chip 20 (semiconductor laser chip) provided on the main surface 10a. In the present embodiment, the coplanar line 11 and the EML chip 20 provided on one chip carrier 10 (first chip carrier) among the N chip carriers 10 are the first transmission line and the first transmission line, respectively. The coplanar line 11 and the EML chip 20 provided on another chip carrier 10 (second chip carrier) adjacent to the chip carrier 10 are respectively a second transmission line and a second semiconductor laser chip. This corresponds to the semiconductor laser chip.

ＥＭＬチップ２０は、レーザダイオードと半導体光変調器とが共通基板上に集積されたモノリシック構造を有する。ＥＭＬチップ２０は、レーザダイオードのアノード電極に接続されたパッド２１と、半導体光変調器のアノード電極２２に接続されたパッド２３とを有する。パッド２１は、レーザ駆動のための直流バイアス電流を受ける。パッド２３は、送信信号に応じて変調された高周波の変調信号を受ける。これらのパッド２１，２３は、例えばＡｕメッキによって形成される。チップキャリア１０は、ＥＭＬチップ２０を、Ｘ方向における一方の端面１０ｅ寄りの位置に搭載する。 The EML chip 20 has a monolithic structure in which a laser diode and a semiconductor optical modulator are integrated on a common substrate. The EML chip 20 has a pad 21 connected to the anode electrode of the laser diode and a pad 23 connected to the anode electrode 22 of the semiconductor light modulator. The pad 21 receives a DC bias current for driving the laser. The pad 23 receives a high-frequency modulation signal modulated according to the transmission signal. These pads 21 and 23 are formed by, for example, Au plating. The chip carrier 10 mounts the EML chip 20 at a position near one end face 10e in the X direction.

コプレーナ線路１１は、Ｘ方向に延びる導波路であって、その一端部においてＥＭＬチップ２０と電気的に接続され、ＥＭＬチップ２０に変調信号を供給する。具体的には、コプレーナ線路１１は信号線路１２及びグランドパターン１３を含んで構成される。信号線路１２は、変調信号を導波する導電性金属膜であって、一方の端面１０ｅ寄りの位置から他方の端面１０ｆ寄りの位置にわたってＸ方向に延びている。信号線路１２の端面１０ｆ寄りの部分は、ワイヤボンディングのためのパッド１２ａとなっている。また、信号線路１２の端面１０ｅ寄りの部分は、ワイヤボンディングのためのパッド１２ｂとなっており、このパッド１２ｂとＥＭＬチップ２０のパッド２３とは、ボンディングワイヤ４１を介して電気的に接続される。変調信号の伝送速度は例えば２８Ｇｂ／ｓである。 The coplanar line 11 is a waveguide extending in the X direction, and is electrically connected to the EML chip 20 at one end thereof to supply a modulation signal to the EML chip 20. Specifically, the coplanar line 11 includes a signal line 12 and a ground pattern 13. The signal line 12 is a conductive metal film that guides a modulation signal, and extends in the X direction from a position near one end face 10e to a position near the other end face 10f. A portion near the end face 10f of the signal line 12 is a pad 12a for wire bonding. Further, the portion near the end face 10e of the signal line 12 is a pad 12b for wire bonding, and the pad 12b and the pad 23 of the EML chip 20 are electrically connected through a bonding wire 41. . The transmission speed of the modulation signal is 28 Gb / s, for example.

グランドパターン１３は、Ｙ方向における信号線路１２の両側に所定の間隔をあけて設けられた導電性金属膜であって、基準電位を与えられる。本実施形態では、グランドパターン１３は、信号線路１２、バイアスパターン１４、及び終端パターン１５の形成領域を除く主面１０ａ上のほぼ全域に設けられている。ＥＭＬチップ２０はグランドパターン１３上に実装され、ＥＭＬチップ２０の裏面電極（カソード）がグランドパターン１３と導電接続される。 The ground pattern 13 is a conductive metal film provided at a predetermined interval on both sides of the signal line 12 in the Y direction, and is given a reference potential. In the present embodiment, the ground pattern 13 is provided in almost the entire area on the main surface 10 a except for the formation area of the signal line 12, the bias pattern 14, and the termination pattern 15. The EML chip 20 is mounted on the ground pattern 13, and the back electrode (cathode) of the EML chip 20 is conductively connected to the ground pattern 13.

本実施形態では、Ｘ方向における信号線路１２の中心より端面１０ｅ側の部分（パッド１２ｂを含む）が、ＥＭＬチップ２０とチップキャリア１０の一方の側面１０ｃとの間に配置されている。また、Ｘ方向における信号線路１２の中心より端面１０ｆ側の部分（パッド１２ａを含む）は、側面１０ｃから僅かに離れているが、チップキャリア１０の他方の側面１０ｄからの距離よりも側面１０ｃからの距離の方が短い。従って、全体的に、信号線路１２は一方の側面１０ｃ寄りに偏って設けられている。 In the present embodiment, a portion (including the pad 12 b) on the end surface 10 e side from the center of the signal line 12 in the X direction is disposed between the EML chip 20 and one side surface 10 c of the chip carrier 10. Further, the portion (including the pad 12a) on the end face 10f side from the center of the signal line 12 in the X direction is slightly separated from the side face 10c, but from the side face 10c rather than the distance from the other side face 10d of the chip carrier 10. The distance is shorter. Therefore, as a whole, the signal line 12 is provided so as to be biased toward the one side surface 10c.

このように、信号線路１２の両側に設けられているグランドパターン１３のうち、側面１０ｃ側のグランドパターン１３ａは、その幅が側面１０ｄ側のグランドパターン１３ｂの幅よりも狭い領域を有する。好ましくは、この領域はグランドパターン１３ａの延在方向の長さの半分以上を占める。 Thus, among the ground patterns 13 provided on both sides of the signal line 12, the ground pattern 13a on the side surface 10c side has a region whose width is narrower than the width of the ground pattern 13b on the side surface 10d side. Preferably, this region occupies more than half of the length of the ground pattern 13a in the extending direction.

また、グランドパターン１３ａの平均幅は、側面１０ｄ側のグランドパターン１３ｂの平均幅よりも小さい。ここで、平均幅とは、グランドパターン１３ａ，１３ｂのＹ方向における幅（横幅）を信号線路１２の延在方向（Ｘ方向）にわたって平均した値をいう。従って、グランドパターン１３ａの横幅がグランドパターン１３ｂの横幅よりも大きい箇所が部分的に存在することを妨げない。 The average width of the ground pattern 13a is smaller than the average width of the ground pattern 13b on the side surface 10d side. Here, the average width means a value obtained by averaging the widths (lateral widths) in the Y direction of the ground patterns 13 a and 13 b over the extending direction (X direction) of the signal line 12. Therefore, it is not prevented that a portion where the width of the ground pattern 13a is larger than the width of the ground pattern 13b partially exists.

また、本実施形態において、信号線路１２は端面１０ｆに近づくに従って側面１０ｃから離れている。従って、コプレーナ線路１１の他端部におけるグランドパターン１３ａの幅Ｗ１は、コプレーナ線路１１の上記狭い領域におけるグランドパターン１３ａの幅Ｗ２よりも大きい。また、幅Ｗ２は、信号線路１２の幅Ｗ３よりも小さい。一般的に、コプレーナ線路においては信号線路の幅と比べて両側のグランドパターンの幅を大きくする。従って、このような構成は本実施形態に独特のものである。なお、ここでいう「幅」とは、コプレーナ線路１１の導波方向（長手方向）と交差（例えば直交）する方向における幅をいう。幅Ｗ３は、例えばチップキャリア１０のＹ方向の幅の１／１０以下であり、一例では７０μｍである。幅Ｗ２は、例えば１０μｍより大きく、７０μｍよりも小さい。 In the present embodiment, the signal line 12 is separated from the side surface 10c as it approaches the end surface 10f. Therefore, the width W 1 of the ground pattern 13 a at the other end of the coplanar line 11 is larger than the width W 2 of the ground pattern 13 a in the narrow area of the coplanar line 11. Further, the width W2 is smaller than the width W3 of the signal line 12. Generally, in the coplanar line, the width of the ground pattern on both sides is made larger than the width of the signal line. Therefore, such a configuration is unique to this embodiment. Here, the “width” refers to a width in a direction intersecting (for example, orthogonal to) the waveguide direction (longitudinal direction) of the coplanar line 11. The width W3 is, for example, 1/10 or less of the width of the chip carrier 10 in the Y direction, and is 70 μm in one example. The width W2 is, for example, larger than 10 μm and smaller than 70 μm.

バイアスパターン１４は、Ｘ方向における主面１０ａの略中央、且つ側面１０ｄ寄りの位置に設けられた導電性金属膜である。バイアスパターン１４とＥＭＬチップ２０のパッド２１とは、ボンディングワイヤ４３を介して電気的に接続される。 The bias pattern 14 is a conductive metal film provided at a position near the center of the main surface 10a in the X direction and near the side surface 10d. The bias pattern 14 and the pad 21 of the EML chip 20 are electrically connected via a bonding wire 43.

終端パターン１５は、端面１０ｅ寄り且つ側面１０ｄ寄りの位置に設けられた導電性金属膜である。終端パターン１５とＥＭＬチップ２０のパッド２３とは、ボンディングワイヤ４２を介して電気的に接続される。また、終端パターン１５とグランドパターン１３とは、終端抵抗チップ１６を介して電気的に接続される。このような構成によって、高周波の変調信号を伝達する経路が終端される。 The termination pattern 15 is a conductive metal film provided at a position near the end face 10e and the side face 10d. The termination pattern 15 and the pad 23 of the EML chip 20 are electrically connected via a bonding wire 42. Further, the termination pattern 15 and the ground pattern 13 are electrically connected via a termination resistor chip 16. With such a configuration, a path for transmitting a high-frequency modulation signal is terminated.

なお、上述した信号線路１２、グランドパターン１３、バイアスパターン１４、及び終端パターン１５は、いずれもＡｕメッキにより形成され、主面１０ａ側から、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜、及びＡｕ膜を含んでいる。Ｔｉ膜の厚さは例えば０．１μｍである。Ｐｔ膜の厚さは例えば０．２μｍである。Ａｕ膜の厚さは例えば３μｍである。 The signal line 12, the ground pattern 13, the bias pattern 14, and the termination pattern 15 described above are all formed by Au plating, and include a Ti film, a Pt film, and an Au film from the main surface 10a side. The thickness of the Ti film is, for example, 0.1 μm. The thickness of the Pt film is 0.2 μm, for example. The thickness of the Au film is 3 μm, for example.

再び図１を参照する。光半導体装置１Ａは、Ｎ本のボンディングワイヤ４４を更に備える。各ボンディングワイヤ４４の一端はバイアスパターン１４に接続されている。各ボンディングワイヤ４４は、対応するＥＭＬチップ２０に、ボンディングワイヤ４３を介してレーザ駆動のための直流電流を供給する。なお、本実施形態において、第１の半導体レーザチップに相当するＥＭＬチップ２０と電気的に接続されたボンディングワイヤ４４が第１のボンディングワイヤに相当し、第２の半導体レーザチップに相当するＥＭＬチップ２０と電気的に接続されたボンディングワイヤ４４が第２のボンディングワイヤに相当する。 Refer to FIG. 1 again. The optical semiconductor device 1 A further includes N bonding wires 44. One end of each bonding wire 44 is connected to the bias pattern 14. Each bonding wire 44 supplies a direct current for laser driving to the corresponding EML chip 20 via the bonding wire 43. In this embodiment, the bonding wire 44 electrically connected to the EML chip 20 corresponding to the first semiconductor laser chip corresponds to the first bonding wire, and the EML chip corresponds to the second semiconductor laser chip. The bonding wire 44 electrically connected to 20 corresponds to the second bonding wire.

配線基板３０は、主面３０ａを有する板状の配線部材である。主面３０ａは長方形状をしており、各チップキャリア１０の端面１０ｆに沿った長辺３０ｂを有する。すなわち、本実施形態の配線基板３０の主面３０ａは、Ｙ軸方向を長手方向とする長方形状を呈している。長辺３０ｂの長さは、例えば３．５ｍｍである。短辺の長さは、例えば１．０ｍｍである。そして、本実施形態の光半導体装置１Ａは、主面３０ａ上に設けられた、Ｎ本のコプレーナ線路３１と、Ｎ個のデカップリングコンデンサ３４とを備える。これらのコプレーナ線路３１及びデカップリングコンデンサ３４は、Ｙ方向に沿って交互に並んで配置されている。 The wiring board 30 is a plate-like wiring member having a main surface 30a. The main surface 30 a has a rectangular shape and has a long side 30 b along the end surface 10 f of each chip carrier 10. That is, the main surface 30a of the wiring board 30 of the present embodiment has a rectangular shape with the Y-axis direction as the longitudinal direction. The length of the long side 30b is, for example, 3.5 mm. The length of the short side is, for example, 1.0 mm. The optical semiconductor device 1A of the present embodiment includes N coplanar lines 31 and N decoupling capacitors 34 provided on the main surface 30a. These coplanar lines 31 and decoupling capacitors 34 are arranged alternately along the Y direction.

各コプレーナ線路３１は、Ｘ方向に延びる導波路であって、各コプレーナ線路１１の他端部と電気的に接続されて各コプレーナ線路１１に変調信号を供給する。なお、本実施形態において、第１の伝送線路に相当するコプレーナ線路１１と電気的に接続されたコプレーナ線路３１が第３のコプレーナ線路に相当し、第２の伝送線路に相当するコプレーナ線路１１と電気的に接続されたコプレーナ線路３１が第４のコプレーナ線路に相当する。 Each coplanar line 31 is a waveguide extending in the X direction, and is electrically connected to the other end of each coplanar line 11 to supply a modulation signal to each coplanar line 11. In the present embodiment, the coplanar line 31 electrically connected to the coplanar line 11 corresponding to the first transmission line corresponds to the third coplanar line, and the coplanar line 11 corresponds to the second transmission line. The electrically connected coplanar line 31 corresponds to a fourth coplanar line.

具体的には、各コプレーナ線路３１は信号線路３２及びグランドパターン３３を含んで構成される。信号線路３２は、変調信号を導波する導電性金属膜であって、長辺３０ｂ寄りの位置から、長辺３０ｂとは反対側の長辺３０ｃ寄りの位置まで、ほぼＸ方向に沿って延びている。信号線路３２の長辺３０ｂ寄りの部分は、ワイヤボンディングのためのパッド３２ａとなっており、このパッド３２ａと、対応するコプレーナ線路１１のパッド１２ａとは、ボンディングワイヤ４５を介して電気的に接続される。また、信号線路３２の長辺３０ｃ寄りの部分は、ワイヤボンディングのためのパッド３２ｂとなっている。 Specifically, each coplanar line 31 includes a signal line 32 and a ground pattern 33. The signal line 32 is a conductive metal film that guides a modulation signal, and extends substantially along the X direction from a position near the long side 30b to a position near the long side 30c opposite to the long side 30b. ing. A portion near the long side 30b of the signal line 32 is a pad 32a for wire bonding, and the pad 32a and the corresponding pad 12a of the coplanar line 11 are electrically connected via a bonding wire 45. Is done. Further, the portion near the long side 30c of the signal line 32 is a pad 32b for wire bonding.

グランドパターン３３は、信号線路３２の両側に所定の間隔をあけて設けられた導電性金属膜であって、基準電位を与えられる。本実施形態では、グランドパターン３３は、信号線路３２の形成領域を除く主面３０ａ上のほぼ全域に設けられている。また、グランドパターン３３には、Ｙ方向における各信号線路３２の一方側に設けられたグランドパターン３３ａと、他方側に設けられたグランドパターン３３ｂとが含まれている。そして、互いに隣り合う信号線路３２の間に設けられたグランドパターン３３ａ，３３ｂは、共通のグランドパターンによって構成されている。すなわち、第３のコプレーナ線路３１の第４のコプレーナ線路３１側のグランドパターン３３ａと、第４のコプレーナ線路３１の第３のコプレーナ線路３１側のグランドパターン３３ｂとは、共通のグランドパターンによって構成されている。この共通グランドパターンは、ボンディングワイヤ４６ａ（第３のボンディングワイヤ）、ボンディングワイヤ４６ｂそれぞれを介して、グランドパターン１３ａ，１３ｂそれぞれと電気的に接続されている。更に、この共通グランドパターンは、配線基板３０の内部に設けられたビア３５及び配線を介して、他の共通グランドパターンと電気的に接続されている。 The ground pattern 33 is a conductive metal film provided at a predetermined interval on both sides of the signal line 32 and is supplied with a reference potential. In the present embodiment, the ground pattern 33 is provided in almost the entire area on the main surface 30a excluding the formation area of the signal line 32. The ground pattern 33 includes a ground pattern 33a provided on one side of each signal line 32 in the Y direction and a ground pattern 33b provided on the other side. The ground patterns 33a and 33b provided between the adjacent signal lines 32 are configured by a common ground pattern. That is, the ground pattern 33a on the fourth coplanar line 31 side of the third coplanar line 31 and the ground pattern 33b on the third coplanar line 31 side of the fourth coplanar line 31 are configured by a common ground pattern. ing. The common ground pattern is electrically connected to the ground patterns 13a and 13b via the bonding wire 46a (third bonding wire) and the bonding wire 46b, respectively. Further, the common ground pattern is electrically connected to other common ground patterns via vias 35 and wirings provided in the wiring board 30.

各デカップリングコンデンサ３４は、グランドパターン３３上に実装されている。各デカップリングコンデンサ３４の上面電極には、対応するＥＭＬチップ２０に電気的に接続されたボンディングワイヤ４４の他端が接続されている。各デカップリングコンデンサ３４の下面電極は、はんだ等の導電性接着剤を介してグランドパターン３３と電気的に接続されている。 Each decoupling capacitor 34 is mounted on the ground pattern 33. The other end of the bonding wire 44 electrically connected to the corresponding EML chip 20 is connected to the upper surface electrode of each decoupling capacitor 34. The bottom electrode of each decoupling capacitor 34 is electrically connected to the ground pattern 33 via a conductive adhesive such as solder.

前述したように、互いに隣り合う信号線路３２の間に設けられたグランドパターン３３ａ，３３ｂは、共通のグランドパターンを構成する。従って、或るＥＭＬチップ２０に上面電極が接続されたデカップリングコンデンサ３４の下面電極は、該共通のグランドパターン及びボンディングワイヤ４６ａを介して、隣り合う別のＥＭＬチップ２０に接続されたコプレーナ線路１１のグランドパターン１３ａに電気的に接続されることとなる。言い換えると、デカップリングコンデンサ３４の下面電極と、コプレーナ線路１１の一方側のグランドパターン１３ａとが、共通グランドパターン及びボンディングワイヤ４６ａを介して電気的に接続される。 As described above, the ground patterns 33a and 33b provided between the adjacent signal lines 32 constitute a common ground pattern. Therefore, the lower electrode of the decoupling capacitor 34 whose upper electrode is connected to a certain EML chip 20 is connected to the coplanar line 11 connected to another adjacent EML chip 20 via the common ground pattern and the bonding wire 46a. It is electrically connected to the ground pattern 13a. In other words, the lower electrode of the decoupling capacitor 34 and the ground pattern 13a on one side of the coplanar line 11 are electrically connected via the common ground pattern and the bonding wire 46a.

なお、このように、デカップリングコンデンサ３４を、チップキャリア１０上ではなくスペースが比較的余っている配線基板３０上に配置することによって、光半導体装置１Ａをより小型化することができる。 In this way, the optical semiconductor device 1A can be further reduced in size by disposing the decoupling capacitor 34 on the wiring substrate 30 that has a relatively large space instead of on the chip carrier 10.

図４は、光半導体装置１Ａを備える光送信器の構成例を示す平面図である。図４に示されるように、この光送信器２Ａは、光半導体装置１Ａに加えて、パッケージ６１及びＮ個のレンズ６２を備える。パッケージ６１は、略直方体状の箱体であり、光半導体装置１Ａ及びＮ個のレンズ６２を収容する。パッケージ６１の後端には、リード端子から延びる端子６８が並んでいる。また、パッケージ６１の後端に設けられたフィードスルー６９上には、コプレーナ線路を構成するＮ本の信号線路６５及びグランドパターン６７が設けられている。 FIG. 4 is a plan view illustrating a configuration example of an optical transmitter including the optical semiconductor device 1A. As shown in FIG. 4, the optical transmitter 2A includes a package 61 and N lenses 62 in addition to the optical semiconductor device 1A. The package 61 is a substantially rectangular parallelepiped box and houses the optical semiconductor device 1 A and the N lenses 62. Terminals 68 extending from the lead terminals are arranged at the rear end of the package 61. On the feedthrough 69 provided at the rear end of the package 61, N signal lines 65 and a ground pattern 67 constituting a coplanar line are provided.

Ｎ個のレンズ６２は、それぞれ対応するＥＭＬチップ２０の光出射端面と光学的に結合されており、ＥＭＬチップ２０から出射されるレーザ光Ｐ１をコリメートする。コリメートされたレーザ光Ｐ１は、図示しない光出力ポートを通ってパッケージ６１の外部へ出力される。 Each of the N lenses 62 is optically coupled to the corresponding light emission end face of the EML chip 20 and collimates the laser light P1 emitted from the EML chip 20. The collimated laser beam P1 is output to the outside of the package 61 through an optical output port (not shown).

配線基板３０の各コプレーナ線路３１は、フィードスルー６９上の対応するコプレーナ線路と電気的に接続されている。具体的には、各コプレーナ線路３１の信号線路３２のパッド３２ｂが、ボンディングワイヤ７７を介して、対応するコプレーナ線路の信号線路６５と電気的に接続されている。信号線路６５には、図示しないリードピンを介して、パッケージ６１の外部から変調信号が提供される。また、グランドパターン３３は、ボンディングワイヤ７８を介してグランドパターン６７と電気的に接続されている。グランドパターン６７は、図示しないリードピンを介して、パッケージ６１外部のグランド配線と電気的に接続される。 Each coplanar line 31 of the wiring board 30 is electrically connected to a corresponding coplanar line on the feedthrough 69. Specifically, the pad 32 b of the signal line 32 of each coplanar line 31 is electrically connected to the corresponding signal line 65 of the coplanar line via a bonding wire 77. A modulation signal is provided to the signal line 65 from the outside of the package 61 via a lead pin (not shown). The ground pattern 33 is electrically connected to the ground pattern 67 via the bonding wire 78. The ground pattern 67 is electrically connected to the ground wiring outside the package 61 via lead pins (not shown).

各デカップリングコンデンサ３４の上面電極は、ボンディングワイヤ７２を介して端子６８と電気的に接続されている。これらの端子６８には、図示しないリードピンを介して、パッケージ６１の外部から直流バイアス電流が提供される。 The upper electrode of each decoupling capacitor 34 is electrically connected to the terminal 68 through the bonding wire 72. A DC bias current is supplied to these terminals 68 from the outside of the package 61 via lead pins (not shown).

以上の構成を備える本実施形態の光半導体装置１Ａによって得られる効果について説明する。この光半導体装置１Ａにおいて、外部から入力された変調信号は、各コプレーナ線路３１から各コプレーナ線路１１へ伝達され、更に各コプレーナ線路１１から各ＥＭＬチップ２０の半導体光変調器に入力される。また、外部から入力された直流バイアス電流は、各ボンディングワイヤ４４を介して各ＥＭＬチップ２０のレーザダイオードに供給される。 The effect obtained by the optical semiconductor device 1A of the present embodiment having the above configuration will be described. In this optical semiconductor device 1A, a modulation signal input from the outside is transmitted from each coplanar line 31 to each coplanar line 11, and further input from each coplanar line 11 to the semiconductor optical modulator of each EML chip 20. Further, a DC bias current input from the outside is supplied to the laser diode of each EML chip 20 via each bonding wire 44.

ここで、図８は、比較例に係る光半導体装置１００の構成を示す平面図である。この光半導体装置１００では、コプレーナ線路１１の一方側のグランドパターン１３ａと他方側のグランドパターン１３ｂとがほぼ同じ幅で形成されている。ＥＭＬチップ２０の半導体光変調器とレーザダイオードとの間には、寄生容量が僅かに存在する。この寄生容量と、ボンディングワイヤ４４が有するインダクタンスとによって、共振回路が構成され、インピーダンスが低下してしまう。これにより、変調信号の一部がボンディングワイヤ４４を通ってリークし、高周波リーク信号Ｎ１となってデカップリングコンデンサ３４、グランドパターン３３、及びボンディングワイヤ４６ａを通過し、隣のチップキャリア１０上のグランドパターン１３ａへ流れてしまう。そして、高周波リーク信号Ｎ１がグランドパターン１３ａを通って隣のＥＭＬチップ２０に達すると、高周波ノイズとなって該ＥＭＬチップ２０のグランドレベル（基準電位）を変動させてしまう。 Here, FIG. 8 is a plan view showing the configuration of the optical semiconductor device 100 according to the comparative example. In this optical semiconductor device 100, the ground pattern 13a on one side and the ground pattern 13b on the other side of the coplanar line 11 are formed with substantially the same width. There is a slight parasitic capacitance between the semiconductor optical modulator of the EML chip 20 and the laser diode. The parasitic capacitance and the inductance of the bonding wire 44 constitute a resonance circuit, and the impedance is lowered. As a result, a part of the modulation signal leaks through the bonding wire 44 and becomes a high-frequency leakage signal N1, passes through the decoupling capacitor 34, the ground pattern 33, and the bonding wire 46a, and is grounded on the adjacent chip carrier 10. It flows to the pattern 13a. When the high-frequency leak signal N1 reaches the adjacent EML chip 20 through the ground pattern 13a, it becomes high-frequency noise and changes the ground level (reference potential) of the EML chip 20.

このような課題に鑑み、本実施形態では、図２に示されるように、グランドパターン１３ａが、グランドパターン１３ｂに対して狭い領域を有する。これにより、グランドパターン１３ａのインダクタンスを増し、これを通過する高周波リーク信号を減衰させることができる。従って、本実施形態によれば、複数のＥＭＬチップ２０を備える場合であっても、或るＥＭＬチップ２０から別のＥＭＬチップ２０へ伝わる高周波成分を低減できる。これにより、ＥＭＬチップ２０のグランドレベル（基準電位）の変動を抑制し、半導体光変調器の変調特性の劣化を抑えることができる。 In view of such a problem, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, the ground pattern 13a has a narrower area than the ground pattern 13b. As a result, the inductance of the ground pattern 13a can be increased, and the high-frequency leak signal passing therethrough can be attenuated. Therefore, according to the present embodiment, even when a plurality of EML chips 20 are provided, it is possible to reduce high frequency components transmitted from one EML chip 20 to another EML chip 20. Thereby, the fluctuation | variation of the ground level (reference potential) of the EML chip | tip 20 can be suppressed, and deterioration of the modulation characteristic of a semiconductor optical modulator can be suppressed.

なお、好ましくは、グランドパターン１３ａの幅がグランドパターン１３ｂの幅よりも狭い領域は、グランドパターン１３ａの延在方向（Ｘ方向）の半分以上である。更に好ましくは、グランドパターン１３ａの幅がグランドパターン１３ｂの幅よりも狭い領域は、グランドパターン１３ａの延在方向（Ｘ方向）の全部の領域である。 Preferably, the area where the width of the ground pattern 13a is narrower than the width of the ground pattern 13b is at least half of the extending direction (X direction) of the ground pattern 13a. More preferably, the region where the width of the ground pattern 13a is narrower than the width of the ground pattern 13b is the entire region in the extending direction (X direction) of the ground pattern 13a.

また、グランドパターン１３ａの平均幅が、グランドパターン１３ｂの平均幅よりも小さくすることで、ＥＭＬチップ２０のグランドレベル（基準電位）の変動をより効果的に抑制し、半導体光変調器の変調特性の劣化を更に抑えることができる。 In addition, by making the average width of the ground pattern 13a smaller than the average width of the ground pattern 13b, the fluctuation of the ground level (reference potential) of the EML chip 20 can be more effectively suppressed, and the modulation characteristics of the semiconductor optical modulator. Can be further suppressed.

また、本実施形態のように、コプレーナ線路１１の他端部におけるグランドパターン１３ａの幅Ｗ１は、コプレーナ線路１１の一端部におけるグランドパターン１３ａの幅Ｗ２よりも大きくてもよい。これにより、コプレーナ線路１１の他端部においてグランドパターン１３ａの幅とグランドパターン１３ｂの幅とのバランスを改善し、インピーダンスを低くしてコプレーナ線路１１に変調信号が導入され易くし、変調信号の損失を低減することができる。 Further, as in the present embodiment, the width W1 of the ground pattern 13a at the other end of the coplanar line 11 may be larger than the width W2 of the ground pattern 13a at one end of the coplanar line 11. As a result, the balance between the width of the ground pattern 13a and the width of the ground pattern 13b is improved at the other end of the coplanar line 11, the impedance is lowered, the modulation signal is easily introduced into the coplanar line 11, and the loss of the modulation signal is caused. Can be reduced.

また、本実施形態のように、コプレーナ線路１１の一端部におけるグランドパターン１３ａの幅Ｗ２は、信号線路１２の幅Ｗ３よりも小さくてもよい。このように、グランドパターン１３ａの幅Ｗ２を通常のコプレーナ線路と比較して格段に小さくすることにより、本実施形態の効果を顕著に奏することができる。 Further, as in this embodiment, the width W2 of the ground pattern 13a at one end of the coplanar line 11 may be smaller than the width W3 of the signal line 12. Thus, the effect of this embodiment can be remarkably exhibited by making the width W2 of the ground pattern 13a much smaller than that of a normal coplanar line.

また、本実施形態においては、ボンディングワイヤ４４からデカップリングコンデンサ３４を介してグランドパターン３３に流れた高周波リーク信号が、配線基板３０の内部に設けられたビア３５を介して他のグランドパターン３３に流れる。しかしながら、そのような高周波リーク信号の伝送経路は、グランドパターン３３、２つのビア３５、配線基板３０の内部配線、並びに他のグランドパターン３３を含むので長くなる。従って、高周波リーク信号を減衰させることができる。 In the present embodiment, the high frequency leak signal that has flowed from the bonding wire 44 to the ground pattern 33 via the decoupling capacitor 34 is transferred to the other ground pattern 33 via the via 35 provided inside the wiring board 30. Flowing. However, the transmission path of such a high-frequency leak signal is long because it includes the ground pattern 33, the two vias 35, the internal wiring of the wiring board 30, and the other ground pattern 33. Therefore, the high frequency leak signal can be attenuated.

また、ＥＭＬチップ２０からの高周波リーク信号は、ボンディングワイヤ４４のインダクタンスが大きいほど漏れにくくなる。その為には、ボンディングワイヤ４４の長さを調整することが有効である。例えば、主面１０ａ及び３０ａからのボンディングワイヤ４４の高さを他のボンディングワイヤ（例えばボンディングワイヤ４５，４６ａ，４６ｂ）よりも高くするとよい。或いは、ＥＭＬチップ２０とデカップリングコンデンサ３４との距離を長くする為に、例えばデカップリングコンデンサ３４を、Ｘ方向における主面３０ａの中心よりも後方（チップキャリア１０から遠い側）に配置するとよい。デカップリングコンデンサ３４とバイアスパターン１４との距離は、例えば１．２ｍｍ以上である。ボンディングワイヤ４４の長さは、例えば１．４ｍｍ以上である。 Further, the high frequency leak signal from the EML chip 20 is more difficult to leak as the inductance of the bonding wire 44 is larger. For this purpose, it is effective to adjust the length of the bonding wire 44. For example, the height of the bonding wire 44 from the main surfaces 10a and 30a may be made higher than other bonding wires (for example, bonding wires 45, 46a, 46b). Alternatively, in order to increase the distance between the EML chip 20 and the decoupling capacitor 34, for example, the decoupling capacitor 34 may be arranged behind the center of the main surface 30a in the X direction (on the side far from the chip carrier 10). The distance between the decoupling capacitor 34 and the bias pattern 14 is, for example, 1.2 mm or more. The length of the bonding wire 44 is 1.4 mm or more, for example.

図５は、ボンディングワイヤ４４の長さと、ＥＭＬチップ２０の浮遊容量及びボンディングワイヤ４４のインダクタンスに基づくインピーダンス値との関係を表すグラフである。なお、図５は、高周波リーク信号の周波数を１５ＧＨｚ、浮遊容量を０．０５ｐＦ、整合抵抗を５０Ωとして算出されたものである。図５に示されるように、ボンディングワイヤ４４が或る長さＬ１を超えるまでは、ボンディングワイヤ４４が長いほどインピーダンスが低下する。また、ボンディングワイヤ４４が或る長さＬ１を超えると、ボンディングワイヤ４４が長いほどインピーダンスが高くなる。従って、ボンディングワイヤ４４の長さが或る範囲内にあるときに、インピーダンスが低くなり、高周波リーク信号が流れ易くなる。そして、インピーダンスが５０Ω未満になると、半導体光変調器から見たインピーダンスが低くなるので、高周波リーク信号がより流れ易くなる。一例では、インピーダンスが５０Ωのときのボンディングワイヤ４４の長さＬ２，Ｌ３はそれぞれ０．９ｍｍ、１．２ｍｍである。従って、ボンディングワイヤ４４の長さは、０．９ｍｍ未満か若しくは１．２ｍｍより大きいとよい。 FIG. 5 is a graph showing the relationship between the length of the bonding wire 44 and the impedance value based on the stray capacitance of the EML chip 20 and the inductance of the bonding wire 44. Note that FIG. 5 is calculated assuming that the frequency of the high-frequency leak signal is 15 GHz, the stray capacitance is 0.05 pF, and the matching resistance is 50Ω. As shown in FIG. 5, until the bonding wire 44 exceeds a certain length L1, the longer the bonding wire 44, the lower the impedance. When the bonding wire 44 exceeds a certain length L1, the longer the bonding wire 44, the higher the impedance. Therefore, when the length of the bonding wire 44 is within a certain range, the impedance is lowered and a high-frequency leak signal is likely to flow. When the impedance is less than 50Ω, since the impedance viewed from the semiconductor optical modulator is low, a high-frequency leak signal is more likely to flow. In one example, the lengths L2 and L3 of the bonding wire 44 when the impedance is 50Ω are 0.9 mm and 1.2 mm, respectively. Accordingly, the length of the bonding wire 44 is preferably less than 0.9 mm or greater than 1.2 mm.

（変形例）
図６は、上記実施形態の一変形例に係る複数の光半導体装置１Ｂを備える光送信器２Ｂを示す平面図である。図７は、各光半導体装置１Ｂを示す平面図である。図６及び図７に示されるように、本変形例の光半導体装置１Ｂは、上記実施形態のチップキャリア１０に代えて、チップキャリア１０Ａを備える。このチップキャリア１０Ａの主面１０ａ上には、バイアスパターン１４（図２参照）が設けられていない。そして、デカップリングコンデンサ３４が、配線基板３０上ではなくチップキャリア１０Ａの主面１０ａ上に設けられている。主面１０ａ上において、ＥＭＬチップ２０及びデカップリングコンデンサ３４はＸ方向に並んで配置されており、デカップリングコンデンサ３４はＥＭＬチップ２０と端面１０ｆとの間に位置している。また、主面１０ａ上において、信号線路１２及びデカップリングコンデンサ３４はＹ方向に並んで配置されており、デカップリングコンデンサ３４は信号線路１２と側面１０ｄとの間に位置している。 (Modification)
FIG. 6 is a plan view showing an optical transmitter 2B including a plurality of optical semiconductor devices 1B according to a modification of the embodiment. FIG. 7 is a plan view showing each optical semiconductor device 1B. As shown in FIGS. 6 and 7, the optical semiconductor device 1 B of the present modification includes a chip carrier 10 A instead of the chip carrier 10 of the above embodiment. The bias pattern 14 (see FIG. 2) is not provided on the main surface 10a of the chip carrier 10A. A decoupling capacitor 34 is provided not on the wiring substrate 30 but on the main surface 10a of the chip carrier 10A. On the main surface 10a, the EML chip 20 and the decoupling capacitor 34 are arranged side by side in the X direction, and the decoupling capacitor 34 is located between the EML chip 20 and the end surface 10f. On the main surface 10a, the signal line 12 and the decoupling capacitor 34 are arranged side by side in the Y direction, and the decoupling capacitor 34 is positioned between the signal line 12 and the side surface 10d.

デカップリングコンデンサ３４は、主面１０ａ上において側面１０ｄ寄り且つ端面１０ｆ寄りの位置に配置され、グランドパターン１３ｂ上に実装されている。デカップリングコンデンサ３４の上面電極には、当該チップキャリア１０Ａ上のＥＭＬチップ２０に電気的に接続されたボンディングワイヤ４７の他端が接続されている。更に、デカップリングコンデンサ３４の上面電極は、ボンディングワイヤ７９を介して端子６８と電気的に接続されている。端子６８には、図示しないリードピンを介して、パッケージ６１の外部から直流バイアス電流が提供される。デカップリングコンデンサ３４の下面電極は、はんだ等の導電性接着剤を介してグランドパターン１３ｂと電気的に接続されている。従って、デカップリングコンデンサ３４の下面電極は、グランドパターン１３ｂ及びボンディングワイヤ４６ｂを介して、グランドパターン３３と接続される。この光半導体装置１Ｂにおいて、外部から入力された直流バイアス電流は、ボンディングワイヤ７９，４７からバイアスパターン１４（図２参照）を介さずに直接、ＥＭＬチップ２０のレーザダイオードに供給される。なお、図示していないが、ボンディングワイヤ７９，４７からバイアスパターン１４（図２参照）を介して、ＥＭＬチップ２０のレーザダイオードに直流バイアス電流を供給しても良い。 The decoupling capacitor 34 is disposed on the main surface 10a at a position closer to the side surface 10d and closer to the end surface 10f, and is mounted on the ground pattern 13b. The other end of the bonding wire 47 electrically connected to the EML chip 20 on the chip carrier 10A is connected to the upper surface electrode of the decoupling capacitor 34. Further, the upper surface electrode of the decoupling capacitor 34 is electrically connected to the terminal 68 through the bonding wire 79. A DC bias current is provided to the terminal 68 from the outside of the package 61 via a lead pin (not shown). The lower surface electrode of the decoupling capacitor 34 is electrically connected to the ground pattern 13b via a conductive adhesive such as solder. Therefore, the lower electrode of the decoupling capacitor 34 is connected to the ground pattern 33 via the ground pattern 13b and the bonding wire 46b. In this optical semiconductor device 1B, the DC bias current input from the outside is directly supplied from the bonding wires 79 and 47 to the laser diode of the EML chip 20 without passing through the bias pattern 14 (see FIG. 2). Although not shown, a DC bias current may be supplied from the bonding wires 79 and 47 to the laser diode of the EML chip 20 via the bias pattern 14 (see FIG. 2).

本変形例では、デカップリングコンデンサ３４が配線基板３０上ではなくチップキャリア１０Ａ上に設けられているので、Ｘ方向における配線基板３０の寸法を短くすることができる。これにより、パッケージ６１に接続される光ファイバとＥＭＬチップ２０とを光学的に結合するレンズ６２などの光学結合要素を配置するための、チップキャリア１０Ａの端面１０ｅより前方のスペースを広くとることができる。 In this modification, since the decoupling capacitor 34 is provided not on the wiring substrate 30 but on the chip carrier 10A, the dimension of the wiring substrate 30 in the X direction can be shortened. Thus, a space ahead of the end face 10e of the chip carrier 10A for arranging optical coupling elements such as a lens 62 for optically coupling the optical fiber connected to the package 61 and the EML chip 20 can be taken. it can.

また、本変形例においても、ＥＭＬチップ２０の半導体光変調器とレーザダイオードとの間に存在する寄生容量と、ボンディングワイヤ４７が有するインダクタンスとによって、共振回路が構成され、インピーダンスが低下する。これにより、変調信号の一部がボンディングワイヤ４７を通ってリークし、高周波リーク信号となってデカップリングコンデンサ３４、グランドパターン１３ｂ、ボンディングワイヤ４６ｂ、グランドパターン３３、及びボンディングワイヤ４６ａを通過し、隣のチップキャリア１０Ａ上のグランドパターン１３ａへ流れてしまう。そして、高周波リーク信号がグランドパターン１３ａを通って隣のＥＭＬチップ２０に達すると、高周波ノイズとなって該ＥＭＬチップ２０のグランドレベル（基準電位）を変動させてしまう。 Also in this modified example, a resonance circuit is formed by the parasitic capacitance existing between the semiconductor optical modulator of the EML chip 20 and the laser diode and the inductance of the bonding wire 47, and the impedance is lowered. As a result, a part of the modulation signal leaks through the bonding wire 47 and becomes a high-frequency leakage signal, passes through the decoupling capacitor 34, the ground pattern 13b, the bonding wire 46b, the ground pattern 33, and the bonding wire 46a, and next Flow to the ground pattern 13a on the chip carrier 10A. When the high-frequency leak signal reaches the adjacent EML chip 20 through the ground pattern 13a, it becomes high-frequency noise and changes the ground level (reference potential) of the EML chip 20.

これに対し、本変形例においても、図７に示されるように、グランドパターン１３ａが、グランドパターン１３ｂに対して狭い領域を有する。これにより、グランドパターン１３ａのインダクタンスを増し、これを通過する高周波リーク信号を減衰させることができる。従って、本変形例においても、或るＥＭＬチップ２０から別のＥＭＬチップ２０へ伝わる高周波成分を低減できる。これにより、ＥＭＬチップ２０のグランドレベル（基準電位）の変動を抑制し、半導体光変調器の変調特性の劣化を抑えることができる。 On the other hand, also in this modification, as shown in FIG. 7, the ground pattern 13a has a narrower area than the ground pattern 13b. As a result, the inductance of the ground pattern 13a can be increased, and the high-frequency leak signal passing therethrough can be attenuated. Therefore, also in this modification, the high frequency component transmitted from one EML chip 20 to another EML chip 20 can be reduced. Thereby, the fluctuation | variation of the ground level (reference potential) of the EML chip | tip 20 can be suppressed, and deterioration of the modulation characteristic of a semiconductor optical modulator can be suppressed.

本発明による光半導体装置は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態の光半導体装置は４個のＥＭＬチップを備えているが、本発明の光半導体装置は２個以上のＥＭＬチップを備えていればよい。また、上記実施形態の光半導体装置はＥＭＬチップ毎に独立したチップキャリアを備えているが、共通のチップキャリアが複数のＥＭＬチップを搭載してもよい。 The optical semiconductor device according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various other modifications are possible. For example, although the optical semiconductor device of the above embodiment includes four EML chips, the optical semiconductor device of the present invention only needs to include two or more EML chips. Moreover, although the optical semiconductor device of the said embodiment is provided with the chip carrier independent for every EML chip | tip, a common chip carrier may mount a some EML chip | tip.

１Ａ，１Ｂ…光半導体装置、２Ａ，２Ｂ…光送信器、１０，１０Ａ…チップキャリア、１０ａ…主面、１０ｃ，１０ｄ…側面、１０ｅ，１０ｆ…端面、１１…コプレーナ線路、１２…信号線路、１２ａ，１２ｂ…パッド、１３，１３ａ，１３ｂ…グランドパターン、１４…バイアスパターン、１５…終端パターン、１６…終端抵抗チップ、２０…ＥＭＬチップ、２１，２３…パッド、２２…アノード電極、３０…配線基板、３０ａ…主面、３０ｂ，３０ｃ…長辺、３１…コプレーナ線路、３２…信号線路、３２ａ，３２ｂ…パッド、３３，３３ａ，３３ｂ…グランドパターン、３４…デカップリングコンデンサ、３５…ビア、４１〜４５，４６ａ，４６ｂ，４７…ボンディングワイヤ、６１…パッケージ、６２…レンズ、６５…信号線路、６７…グランドパターン、６８…端子、６９…フィードスルー、７２，７７，７８，７９…ボンディングワイヤ、Ｐ１…レーザ光。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1A, 1B ... Optical semiconductor device, 2A, 2B ... Optical transmitter, 10, 10A ... Chip carrier, 10a ... Main surface, 10c, 10d ... Side surface, 10e, 10f ... End surface, 11 ... Coplanar line, 12 ... Signal line, 12a, 12b ... pad, 13, 13a, 13b ... ground pattern, 14 ... bias pattern, 15 ... termination pattern, 16 ... termination resistor chip, 20 ... EML chip, 21, 23 ... pad, 22 ... anode electrode, 30 ... wiring Substrate, 30a ... main surface, 30b, 30c ... long side, 31 ... coplanar line, 32 ... signal line, 32a, 32b ... pad, 33, 33a, 33b ... ground pattern, 34 ... decoupling capacitor, 35 ... via, 41 45, 46a, 46b, 47 ... bonding wire, 61 ... package, 62 ... lens, 65 ... signal line, 6 ... ground pattern, 68 ... terminal, 69 ... feed-through, 72,77,78,79 ... bonding wire, P1 ... laser light.

Claims

First and second semiconductor laser chips;
A first bonding wire that is electrically connected to the first semiconductor laser chip and supplies a direct current;
A second bonding wire that is electrically connected to the second semiconductor laser chip and supplies a direct current;
A first chip carrier for mounting the first semiconductor laser chip on its mounting surface;
A second chip carrier for mounting the second semiconductor laser chip on its mounting surface;
A first transmission line provided on a main surface of the first chip carrier and supplying a first modulation signal to the first semiconductor laser chip;
A signal line provided on the main surface of the second chip carrier, one ground pattern disposed on the side of the signal line close to the first chip carrier, and the one of the ones across the signal line A second transmission line for supplying a second modulation signal to the second semiconductor laser chip, and a second ground pattern opposite to the ground pattern,
A capacitor in which one electrode is connected to the ground pattern on the wiring member and the other electrode is connected to the first bonding wire;
A third bonding wire connecting the ground pattern on the wiring member and the one ground pattern on the second chip carrier,
The optical semiconductor device, wherein the one ground pattern has a narrower area than the other ground pattern.

2. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the narrow region of the one ground pattern of the second transmission line is half or more of an extending direction of the one ground pattern.

3. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein a width of the narrow region of the one ground pattern of the second transmission line is smaller than a width of the signal line of the second transmission line.