Ａ．第１実施形態：
Ａ１．成膜装置の構成：
図１は、本発明の第１実施形態における成膜装置２００の構成を示す概略断面図である。図２は、成膜装置２００の分解斜視図である。図１及び図２には、相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。Ｙ軸方向は鉛直方向を示し、Ｘ軸方向は水平方向を示し、Ｚ軸方向はＹ軸及びＸ軸に垂直な方向を示す。＋Ｙ方向は上方であり、−Ｙ方向は下方である。このことは、以降の図においても同様である。
A. First embodiment:
A1. Configuration of film deposition system:
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a film forming apparatus 200 in the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view of the film forming apparatus 200. 1 and 2 show XYZ axes orthogonal to each other. The Y-axis direction indicates a vertical direction, the X-axis direction indicates a horizontal direction, and the Z-axis direction indicates a direction perpendicular to the Y-axis and the X-axis. The + Y direction is upward and the -Y direction is downward. This also applies to the subsequent drawings.
成膜装置２００は、ワークＷの一部の被成膜対象部分１０Ａに成膜を行う装置である。本実施形態では、成膜装置２００は、いわゆるプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、被成膜対象部分１０Ａに薄膜を形成する。本実施形態では、ワークＷは、被成膜対象物１０と、マスキング部材２０と、絶縁部材３０と、パレット１３０と、を含む。本実施形態では、被成膜対象物１０は、燃料電池のセパレータの基材として用いられる板状の金属板である。成膜装置２００は、被成膜対象物１０の被成膜対象部分１０Ａに、例えば導電性の炭素系の薄膜を形成する。
The film forming apparatus 200 is an apparatus that forms a film on a part 10A to be formed of the workpiece W. In the present embodiment, the film forming apparatus 200 forms a thin film on the film formation target portion 10A by a so-called plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method. In the present embodiment, the workpiece W includes a deposition target object 10, a masking member 20, an insulating member 30, and a pallet 130. In the present embodiment, the deposition target 10 is a plate-like metal plate used as a base material for a fuel cell separator. The film forming apparatus 200 forms, for example, a conductive carbon-based thin film on the film formation target portion 10A of the film formation target object 10.
成膜装置２００は、成膜容器１００と、内側シール部材６１ｕ、６２ｕと、外側シール部材６１ｓ、６２ｓと、開閉装置５０と、ガス供給装置８０と、制御部９５と、を備える。成膜装置２００は、さらに、搬送装置５５と、電力印加部７０と、排気装置９０と、を備える。なお、図２では、開閉装置５０と、搬送装置５５と、電力印加部７０及びその電力導入部７１と、ガス供給装置８０と、ガス供給装置８０からガスが供給される供給口８１と、ガス供給装置８０からガスが放出されるガス放出口８３、８４と、排気装置９０及び排気口９１、９２と、制御部９５と、は図示を省略している。
The film forming apparatus 200 includes a film forming container 100, inner seal members 61u and 62u, outer seal members 61s and 62s, an opening / closing device 50, a gas supply device 80, and a control unit 95. The film forming apparatus 200 further includes a transfer device 55, a power application unit 70, and an exhaust device 90. In FIG. 2, the opening / closing device 50, the transfer device 55, the power application unit 70 and its power introduction unit 71, the gas supply device 80, the supply port 81 to which gas is supplied from the gas supply device 80, and the gas The gas discharge ports 83 and 84 through which gas is discharged from the supply device 80, the exhaust device 90 and the exhaust ports 91 and 92, and the control unit 95 are not shown.
成膜容器１００は、分割可能な金属製の容器である。成膜容器１００は、第１窪み部１１４と第１窪み部１１４の周囲に配置された第１平面部１１１とを備える第１の型１１０を有する。第１の型１１０は、ガス供給装置８０に接続されたガス放出口８３を備える。第１窪み部１１４はワークＷから離間する方向に窪んでおり、本実施形態ではワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａから見て上方に窪んでいる。また、第１窪み部１１４は、側部１１２と底部１１３とを備える。第１の型１１０の底部１１３には、排気口９１が備えられている。本実施形態では、成膜容器１００は、さらに、第２窪み部１２４と第２窪み部１２４の周囲に配置された第２平面部１２１とを備える第２の型１２０を有する。第２の型１２０は、第１の型１１０に対向して配置されている。第２の型１２０は、ガス供給装置８０に接続されたガス放出口８４を備える。第２窪み部１２４は、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａから見て下方に窪んでいる。また、第２窪み部１２４は、側部１２２と底部１２３とを備える。第２平面部１２１は、第１の型１１０の第１平面部１１１に対応する部分に配置されている。第２の型１２０の底部１２３には、排気口９２が備えられている。本実施形態において、第１平面部１１１及び第２平面部１２１は、ＸＺ平面と平行である。なお、本実施形態では、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所は、被成膜対象部分１０Ａの端部と、同一のＹＺ平面状に位置している。また、第２窪み部１２４と第２平面部１２１との接続箇所は、被成膜対象部分１０Ａの端部と、同一のＹＺ平面状に位置している。第１の型１１０及び第２の型１２０は、ガス放出口８３、８４及び排気口９１、９２に加え、成膜容器１００内にガス供給装置８０からガスを供給するための供給口８１を備える。ガス放出口８３、８４、排気口９１、９２及び供給口８１には、開閉可能な弁が設けられている。また、第２の型１２０は、ワークＷに電圧を印加するための電力導入部７１を備える。第２の型１２０と電力導入部７１との間は、絶縁部材３５によって電気的に絶縁されている。本実施形態において、成膜容器１００は、アース電位を有している。成膜容器１００が閉じた状態において、ワークＷは第１平面部１１１及び第２平面部１２１から離間され、かつ、ワークＷの被成膜対象部分１０Ａは第１窪み部１１４内の空間及び第２窪み部１２４内の空間に向けられる。
The film forming container 100 is a separable metal container. The film forming container 100 includes a first mold 110 including a first depression 114 and a first flat portion 111 disposed around the first depression 114. The first mold 110 includes a gas discharge port 83 connected to the gas supply device 80. The first recess 114 is recessed in a direction away from the workpiece W. In the present embodiment, the first recess 114 is recessed upward as viewed from the deposition target portion 10A on the upper surface side of the workpiece W. The first recess 114 includes a side portion 112 and a bottom portion 113. An exhaust port 91 is provided at the bottom 113 of the first mold 110. In the present embodiment, the film forming container 100 further includes a second mold 120 including a second dent portion 124 and a second flat surface portion 121 disposed around the second dent portion 124. The second mold 120 is disposed so as to face the first mold 110. The second mold 120 includes a gas discharge port 84 connected to the gas supply device 80. The second recess 124 is recessed downward as viewed from the deposition target portion 10A on the lower surface side of the workpiece W. Further, the second depression 124 includes a side part 122 and a bottom part 123. The second plane part 121 is arranged at a part corresponding to the first plane part 111 of the first mold 110. The bottom 123 of the second mold 120 is provided with an exhaust port 92. In the present embodiment, the first plane part 111 and the second plane part 121 are parallel to the XZ plane. In the present embodiment, the connection portion between the first depression 114 and the first flat portion 111 is located on the same YZ plane as the end of the deposition target portion 10A. Moreover, the connection location of the 2nd hollow part 124 and the 2nd plane part 121 is located in the edge part of 10 A of film-forming target parts, and the same YZ plane shape. The first mold 110 and the second mold 120 include a supply port 81 for supplying gas from the gas supply device 80 into the film forming container 100 in addition to the gas discharge ports 83 and 84 and the exhaust ports 91 and 92. . The gas discharge ports 83 and 84, the exhaust ports 91 and 92, and the supply port 81 are provided with openable and closable valves. The second mold 120 includes a power introduction unit 71 for applying a voltage to the workpiece W. The second mold 120 and the power introduction part 71 are electrically insulated by the insulating member 35. In the present embodiment, the film forming container 100 has a ground potential. In a state in which the film formation container 100 is closed, the workpiece W is separated from the first flat surface portion 111 and the second flat surface portion 121, and the film formation target portion 10A of the work W is the space in the first recess 114 and the first flat portion. It is directed to the space in the two depressions 124.
マスキング部材２０は、被成膜対象物１０の非被成膜対象部分１０Ｂを覆う部材である。言い換えると、マスキング部材２０は、被成膜対象部分１０Ａにおいて開口する部材である。本実施形態では、マスキング部材２０は、上側マスキング部材２１と下側マスキング部材２２とを有する。上側マスキング部材２１は、被成膜対象物１０の上面側に配置されている。下側マスキング部材２２は、被成膜対象物１０の下面側に配置されている。本実施形態において、下側マスキング部材２２は、被成膜対象物１０を支持する。マスキング部材２０は、導電性の部材で形成されている。被成膜対象物１０とマスキング部材２０とは、接触することにより電気的に接続されている。
The masking member 20 is a member that covers the non-film formation target portion 10 </ b> B of the film formation target 10. In other words, the masking member 20 is a member that opens in the deposition target portion 10A. In the present embodiment, the masking member 20 includes an upper masking member 21 and a lower masking member 22. The upper masking member 21 is disposed on the upper surface side of the deposition target object 10. The lower masking member 22 is disposed on the lower surface side of the deposition target 10. In the present embodiment, the lower masking member 22 supports the deposition target 10. The masking member 20 is formed of a conductive member. The film formation target 10 and the masking member 20 are electrically connected by contact.
絶縁部材３０は、第１平面部１１１と第２平面部１２１との間に配置されている。絶縁部材３０は、ワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａを第１窪み部１１４内の空間に向けるとともに、被成膜対象物１０及びマスキング部材２０を第１平面部１１１から離間させた状態で、マスキング部材２０に接触する。また、本実施形態では、絶縁部材３０は、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａを第２窪み部１２４内の空間に向けるとともに、被成膜対象物１０及びマスキング部材２０を第２平面部１２１から離間させた状態で、マスキング部材２０に接触する。本実施形態では、絶縁部材３０は、下側マスキング部材２２に接触して下側マスキング部材２２を支持する。絶縁部材３０は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等のセラミックスで形成されている。
The insulating member 30 is disposed between the first plane part 111 and the second plane part 121. The insulating member 30 directs the deposition target portion 10 </ b> A on the upper surface side of the workpiece W to the space in the first recess 114, and separates the deposition target 10 and the masking member 20 from the first flat portion 111. In the state, it contacts the masking member 20. Further, in the present embodiment, the insulating member 30 directs the deposition target portion 10A on the lower surface side of the workpiece W toward the space in the second recess 124, and causes the deposition target 10 and the masking member 20 to be second. The masking member 20 is contacted in a state of being separated from the flat surface portion 121. In the present embodiment, the insulating member 30 contacts the lower masking member 22 and supports the lower masking member 22. The insulating member 30 is made of ceramics such as alumina (Al 2 O 3 ) or silicon dioxide (SiO 2 ), for example.
パレット１３０は、金属製の板状部材である。パレット１３０は、第１の型１１０に向けて突出する凸部１３１を備えている。本実施形態では、パレット１３０は、さらに、第２の型１２０に向けて突出する凸部１３２を備えている。凸部１３１、１３２の外形は曲面状であり、いわゆるＲ形状である。本実施形態では、パレット１３０は、被成膜対象物１０とマスキング部材２０と絶縁部材３０とを成膜容器１００内に搬送する部材でもある。パレット１３０には、絶縁部材３０、下側マスキング部材２２、被成膜対象物１０及び上側マスキング部材２１が、この順に上方に積載される。本実施形態において、パレット１３０は、アース電位を有している。
The pallet 130 is a metal plate member. The pallet 130 includes a protrusion 131 that protrudes toward the first mold 110. In the present embodiment, the pallet 130 further includes a convex portion 132 that protrudes toward the second mold 120. The outer shape of the convex portions 131 and 132 is a curved surface, and is a so-called R shape. In the present embodiment, the pallet 130 is also a member that conveys the deposition target object 10, the masking member 20, and the insulating member 30 into the deposition container 100. On the pallet 130, the insulating member 30, the lower masking member 22, the deposition target object 10, and the upper masking member 21 are stacked upward in this order. In the present embodiment, the pallet 130 has a ground potential.
内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓは、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つための部材である。内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓは、絶縁性の部材である。本実施形態では、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓは、ゴム製の環状部材である。本実施形態では、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓは、オーリングを用いている。
The inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s are members for maintaining airtightness in the film formation container 100 when the film formation container 100 is closed. The inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s are insulating members. In the present embodiment, the inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s are annular members made of rubber. In the present embodiment, the inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s use O-rings.
図３は、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓ周辺を示す部分概略断面図である。図３には、図１に破線で示したＲ部分が拡大して示されている。図３には、内側シール部材６１ｕ、６２ｕと、外側シール部材６１ｓ、６２ｓと、パレット１３０に設けられた凸部１３１、１３２と、第１の型１１０及びガス放出口８３と、第２の型１２０及びガス放出口８４と、が示されている。第１の型１１０の有するガス放出口８３は、内側シール部材６１ｕと外側シール部材６１ｓとの間に位置している。内側シール部材６１ｕは、第１の型１１０の第１平面部１１１に設けられており、第１窪み部１１４側に配置されている。外側シール部材６１ｓは、第１の型１１０の第１平面部１１１に設けられており、内側シール部材６１ｕよりも外側に配置されている。内側シール部材６１ｕ及び外側シール部材６１ｓは、第１平面部１１１に設けられた溝部に嵌め込まれており、成膜容器１００が閉じた状態においてワークＷを第１平面部１１１から離間させた状態でワークＷに接触する。内側シール部材６１ｕ及び外側シール部材６１ｓがワークＷに接触した状態において、凸部１３１は、第１の型１１０から離間しており、かつ、内側シール部材６１ｕと外側シール部材６１ｓとの間の位置でガス放出口８３と対向している。
FIG. 3 is a partial schematic cross-sectional view showing the periphery of the inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s. FIG. 3 is an enlarged view of an R portion indicated by a broken line in FIG. 3, the inner seal members 61u and 62u, the outer seal members 61s and 62s, the convex portions 131 and 132 provided on the pallet 130, the first mold 110 and the gas discharge port 83, and the second mold are shown. 120 and gas outlet 84 are shown. The gas discharge port 83 of the first mold 110 is located between the inner seal member 61u and the outer seal member 61s. The inner seal member 61u is provided on the first flat portion 111 of the first mold 110, and is disposed on the first recess 114 side. The outer seal member 61s is provided on the first flat portion 111 of the first mold 110, and is disposed outside the inner seal member 61u. The inner seal member 61u and the outer seal member 61s are fitted in a groove provided in the first flat surface portion 111, and the workpiece W is separated from the first flat surface portion 111 in a state where the film forming container 100 is closed. Contact the workpiece W. In a state where the inner seal member 61u and the outer seal member 61s are in contact with the workpiece W, the convex portion 131 is separated from the first mold 110, and the position between the inner seal member 61u and the outer seal member 61s. It faces the gas outlet 83.
第２の型１２０の有するガス放出口８４は、内側シール部材６２ｕと外側シール部材６２ｓとの間に位置している。内側シール部材６２ｕは、第２の型１２０の第２平面部１２１に設けられており、第２窪み部１２４側に配置されている。外側シール部材６２ｓは、第２の型１２０の第２平面部１２１に設けられており、内側シール部材６２ｕよりも外側に配置されている。内側シール部材６２ｕ及び外側シール部材６２ｓは、第２平面部１２１に設けられた溝部に嵌め込まれており、成膜容器１００が閉じた状態においてワークＷを第２平面部１２１から離間させた状態でワークＷに接触する。内側シール部材６２ｕ及び外側シール部材６２ｓがワークＷに接触した状態において、凸部１３２は、第２の型１２０から離間しており、かつ、内側シール部材６２ｕと外側シール部材６２ｓとの間の位置でガス放出口８４と対向している。
The gas discharge port 84 of the second mold 120 is located between the inner seal member 62u and the outer seal member 62s. The inner seal member 62u is provided on the second flat surface portion 121 of the second mold 120, and is disposed on the second recess portion 124 side. The outer seal member 62s is provided on the second flat surface portion 121 of the second mold 120, and is disposed outside the inner seal member 62u. The inner seal member 62u and the outer seal member 62s are fitted in a groove provided in the second flat surface portion 121, and the workpiece W is separated from the second flat surface portion 121 in a state where the film forming container 100 is closed. Contact the workpiece W. In a state where the inner seal member 62u and the outer seal member 62s are in contact with the workpiece W, the convex portion 132 is separated from the second mold 120, and the position between the inner seal member 62u and the outer seal member 62s. It faces the gas outlet 84.
図１に戻り、開閉装置５０は、成膜容器１００を開閉するための装置である。開閉装置５０は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させて成膜容器１００を開く。本実施形態では、開閉装置５０は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に上方に移動させて成膜容器１００を開き、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に下方に移動させて成膜容器１００を閉じる。
Returning to FIG. 1, the opening / closing device 50 is a device for opening and closing the film forming container 100. The opening / closing device 50 moves the first mold 110 in a direction in which the first mold 110 is relatively separated from the workpiece W to open the film forming container 100. In the present embodiment, the opening / closing device 50 moves the first mold 110 upward relative to the work W to open the film forming container 100, and moves the first mold 110 relative to the work W. The film formation container 100 is closed by moving downward.
搬送装置５５は、ワークＷを１００内へ搬送し、ワークＷを成膜容器１００外へ搬送するための装置である。本実施形態では、搬送装置５５は、パレット１３０の端部１３０ｔに接触して、成膜容器１００が開いた状態において、パレット１３０及びパレット１３０に積載された絶縁部材３０、マスキング部材２０、被成膜対象物１０を成膜容器１００内に搬送する。また、搬送装置５５は、搬送したワークＷを下方に移動させることによってワークＷを内側シール部材６２ｕ及び外側シール部材６２ｓを介して第２の型１２０上に設置する。また、本実施形態では、搬送装置５５は、パレット１３０の端部１３０ｔに接触して、パレット１３０を第２の型１２０に対して相対的に上方に移動させることも可能である。また、搬送装置５５は、上方に移動させたパレット１３０をＸＺ平面に沿って移動させて成膜容器１００外へ搬送することも可能である。なお、開閉装置５０がパレット１３０に接続可能であることとし、パレット１３０を第２の型１２０に対して相対的に上方に移動させる動作を開閉装置５０が行ってもよい。
The transfer device 55 is a device for transferring the workpiece W into the 100 and transferring the workpiece W to the outside of the film forming container 100. In the present embodiment, the transfer device 55 is in contact with the end portion 130t of the pallet 130, and the film forming container 100 is opened, the pallet 130, the insulating member 30 loaded on the pallet 130, the masking member 20, the substrate. The film object 10 is transferred into the film forming container 100. Further, the transfer device 55 moves the transferred work W downward to place the work W on the second mold 120 via the inner seal member 62u and the outer seal member 62s. In the present embodiment, the transport device 55 can also move the pallet 130 upward relative to the second mold 120 by contacting the end portion 130 t of the pallet 130. Further, the transfer device 55 can also transfer the pallet 130 moved upward along the XZ plane and transfer it to the outside of the film forming container 100. Note that the opening / closing device 50 can be connected to the pallet 130, and the opening / closing device 50 may perform an operation of moving the pallet 130 relatively upward with respect to the second mold 120.
電力印加部７０は、プラズマを発生させるための装置である。電力印加部７０は、ワークＷのうちのマスキング部材２０及び被成膜対象物１０に電力を印加する。電力印加部７０は、成膜容器１００内に供給された原料ガスをプラズマ化するための電場を生成する。本実施形態では、電力導入部７１、被成膜対象物１０及びマスキング部材２０は陰極であり、第１の型１１０、第２の型１２０及びパレット１３０は陽極である。本実施形態では、電力印加部７０は、下側マスキング部材２２を通じて被成膜対象物１０にバイアス電圧を印加する。電力印加部７０は、例えば、電力導入部７１に−３０００Ｖの電圧を印加することができる。なお、本実施形態では、成膜容器１００及びパレット１３０はアース（０Ｖ）に接続されている。
The power application unit 70 is a device for generating plasma. The power application unit 70 applies power to the masking member 20 and the deposition target 10 in the workpiece W. The power application unit 70 generates an electric field for converting the source gas supplied into the film formation container 100 into plasma. In the present embodiment, the power introduction unit 71, the deposition target object 10, and the masking member 20 are cathodes, and the first mold 110, the second mold 120, and the pallet 130 are anodes. In the present embodiment, the power application unit 70 applies a bias voltage to the deposition target 10 through the lower masking member 22. For example, the power application unit 70 can apply a voltage of −3000 V to the power introduction unit 71. In the present embodiment, the film forming container 100 and the pallet 130 are connected to the ground (0 V).
ガス供給装置８０は、ガス放出口８３、８４を介してガスを放出する。本実施形態では、ガス供給装置８０は、ガス放出口８３、８４を介して不活性ガスを放出する。本実施形態では、ガス供給装置８０は、不活性ガスとして例えば窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスを放出する。ガス供給装置８０は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際に、ガス放出口８３、８４を介してガスを放出する。なお、「第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際」は、「成膜容器１００が開く際」と言い換えることができる。また、「成膜容器１００が開く際」とは、「成膜容器１００内の気密が解除される際」との意味である。すなわち、ガス供給装置８０は少なくとも成膜容器１００内の気密が解除される時に、ガス放出口８３、８４を介してガスを放出する。また、ガス供給装置８０は、供給口８１を介して成膜容器１００内にガスを供給する。ガス供給装置８０は、成膜容器１００内にキャリアガス及び原料ガスを供給する。本実施形態では、ガス供給装置８０は、キャリアガスとして例えば窒素ガスやアルゴンガスを供給し、原料ガスとして例えばピリジン（Ｃ５Ｈ５Ｎ）ガスを供給する。ガス供給装置８０は、異なる種類のガスを貯留するタンクと接続されている。ガス供給装置８０は、各タンクと供給口８１及びガス放出口８３、８４との間に設けられた切替弁が操作されることにより、供給口８１に供給されるガスの種類や、ガス放出口８３、８４に放出されるガスの種類を切り替えることが可能である。また、ガス供給装置８０は、成膜容器１００内の圧力を、開閉装置５０が成膜容器１００を開くことが可能な程度の圧力に戻すために、成膜装置２００による成膜後に成膜容器１００内に例えば窒素ガスを供給することが可能である。なお、ガス供給装置８０は、ガス放出口８３、８４からガスを放出するための装置と、供給口８１から成膜容器１００内にガスを供給するための装置と、を分けて備えていてもよい。
The gas supply device 80 discharges gas through the gas discharge ports 83 and 84. In the present embodiment, the gas supply device 80 discharges the inert gas through the gas discharge ports 83 and 84. In the present embodiment, the gas supply device 80 releases, for example, nitrogen (N 2 ) gas or argon (Ar) gas as an inert gas. The gas supply device 80 discharges gas through the gas discharge ports 83 and 84 when the first mold 110 is moved in a direction in which the first mold 110 is moved away from the workpiece W. Note that “when the first mold 110 is moved in a direction in which the first mold 110 is relatively separated from the workpiece W” can be rephrased as “when the film formation container 100 is opened”. Further, “when the film formation container 100 is opened” means “when airtightness in the film formation container 100 is released”. That is, the gas supply device 80 releases gas through the gas discharge ports 83 and 84 at least when the airtightness in the film forming container 100 is released. The gas supply device 80 supplies gas into the film forming container 100 via the supply port 81. The gas supply device 80 supplies a carrier gas and a source gas into the film formation container 100. In the present embodiment, the gas supply device 80 supplies, for example, nitrogen gas or argon gas as a carrier gas, and supplies, for example, pyridine (C 5 H 5 N) gas as a source gas. The gas supply device 80 is connected to a tank that stores different types of gas. The gas supply device 80 operates by operating a switching valve provided between each tank and the supply port 81 and the gas discharge ports 83 and 84, so that the type of gas supplied to the supply port 81 and the gas discharge port It is possible to switch the type of gas released to 83 and 84. In addition, the gas supply device 80 is configured so that the pressure in the film formation container 100 is returned to a pressure at which the opening / closing device 50 can open the film formation container 100 after the film formation by the film formation apparatus 200. For example, nitrogen gas can be supplied into 100. The gas supply device 80 may include a device for releasing gas from the gas discharge ports 83 and 84 and a device for supplying gas into the film formation container 100 from the supply port 81. Good.
排気装置９０は、排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気可能な装置である。排気装置９０は、例えば、ロータリポンプや拡散ポンプ、ターボ分子ポンプにより構成される。排気装置９０は、成膜が行われる前に、排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気する。
The exhaust device 90 is a device that can exhaust the inside of the film forming container 100 through the exhaust ports 91 and 92. The exhaust device 90 is configured by, for example, a rotary pump, a diffusion pump, or a turbo molecular pump. The exhaust device 90 exhausts the inside of the film formation container 100 through the exhaust ports 91 and 92 before film formation is performed.
制御部９５は、成膜装置２００全体の動作を制御する。制御部９５は、ＣＰＵとメモリーとを含む。ＣＰＵは、メモリーに格納されたプログラムを実行することによって、成膜装置２００の制御を行う。このプログラムは、各種記録媒体に記録されていてもよい。制御部９５は、ワークＷの一部に成膜が行われた後に、開閉装置５０を制御して第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させて成膜容器１００を開く。また、制御部９５は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に移動させる際に、ガス供給装置８０を制御してガス放出口８３、８４を介してガスを放出する。また、制御部９５は、搬送装置５５を制御してワークＷを搬送する。また、制御部９５は、排気装置９０を制御して成膜容器１００内を排気し、ガス供給装置８０を制御して成膜容器１００内にガスを供給する。また、制御部９５は、電力印加部７０を制御して下側マスキング部材２２を通じて被成膜対象物１０に電力を印加する。
The control unit 95 controls the overall operation of the film forming apparatus 200. The control unit 95 includes a CPU and a memory. The CPU controls the film forming apparatus 200 by executing a program stored in the memory. This program may be recorded on various recording media. After the film formation is performed on a part of the workpiece W, the control unit 95 controls the opening / closing device 50 to move the first mold 110 in a direction away from the workpiece W to form a deposition container. Open 100. Further, when the first mold 110 is moved relative to the workpiece W, the control unit 95 controls the gas supply device 80 to discharge gas through the gas discharge ports 83 and 84. Further, the control unit 95 controls the transfer device 55 to transfer the workpiece W. In addition, the control unit 95 controls the exhaust device 90 to exhaust the film forming container 100 and controls the gas supply device 80 to supply gas into the film forming container 100. In addition, the control unit 95 controls the power application unit 70 to apply power to the deposition target object 10 through the lower masking member 22.
図４は、成膜装置２００の構成を部分的に示す部分概略断面図である。図４には、図１に破線で示したＸ部分が拡大して示されている。図４には、マスキング部材２０と絶縁部材３０との接触点Ｐ１及び接触点Ｐ２が示されている。接触点Ｐ１は、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０とが接触する箇所のうち、第１平面部１１１に対向する箇所である。接触点Ｐ２は、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０とが接触する箇所のうち、第２平面部１２１に対向する箇所である。図４にはさらに、接触点Ｐ１と第１平面部１１１との距離Ａ１と、被成膜対象物１０と第１窪み部１１４の底部１１３との距離Ｂ１と、が示されている。距離Ｂ１は、第１窪み部１１４と対向するワークＷのうちの陰極と、第１窪み部１１４の底部１１３との距離である。なお、以降の説明において、ワークＷのうちの陰極とは、マスキング部材２０と被成膜対象物１０を指す。また、図４には、接触点Ｐ２と第２平面部１２１との距離Ａ２と、被成膜対象物１０と第２窪み部１２４の底部１２３との距離Ｂ２と、が示されている。距離Ｂ２は、第２窪み部１２４と対向するワークＷのうちの陰極と、第２窪み部１２４の底部１２３との距離である。成膜装置２００において、距離Ａ１は距離Ｂ１よりも小さい。言い換えると、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１とで形成される空間は、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４とで形成される空間よりも小さい。また、本実施形態では、距離Ａ２は、距離Ｂ２よりも小さい。言い換えると、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１とで形成される空間は、ワークＷのうちの陰極と第２窪み部１２４とで形成される空間よりも小さい。
FIG. 4 is a partial schematic cross-sectional view partially showing the configuration of the film forming apparatus 200. FIG. 4 is an enlarged view of a portion X indicated by a broken line in FIG. FIG. 4 shows a contact point P1 and a contact point P2 between the masking member 20 and the insulating member 30. The contact point P <b> 1 is a portion facing the first flat surface portion 111 among the portions of the workpiece W where the cathode and the insulating member 30 are in contact. The contact point P <b> 2 is a portion facing the second flat surface portion 121 among the portions of the workpiece W where the cathode and the insulating member 30 are in contact. 4 further shows a distance A1 between the contact point P1 and the first flat surface portion 111, and a distance B1 between the film formation target 10 and the bottom portion 113 of the first hollow portion 114. FIG. The distance B <b> 1 is a distance between the cathode of the workpiece W facing the first depression 114 and the bottom 113 of the first depression 114. In the following description, the cathode of the workpiece W refers to the masking member 20 and the deposition target 10. 4 shows a distance A2 between the contact point P2 and the second flat surface portion 121, and a distance B2 between the deposition target 10 and the bottom portion 123 of the second hollow portion 124. The distance B <b> 2 is a distance between the cathode of the workpiece W facing the second depression 124 and the bottom 123 of the second depression 124. In the film forming apparatus 200, the distance A1 is smaller than the distance B1. In other words, the space formed by the cathode of the workpiece W and the first flat portion 111 is smaller than the space formed by the cathode of the workpiece W and the first recess 114. In the present embodiment, the distance A2 is smaller than the distance B2. In other words, the space formed by the cathode of the workpiece W and the second flat portion 121 is smaller than the space formed by the cathode of the workpiece W and the second recess 124.
本実施形態では、距離Ａ１及び距離Ａ２は、ワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０、マスキング部材２０）と陽極である成膜容器１００との間に電力を印加した場合に、ワークＷのうちの陰極と成膜容器１００（第１平面部１１１、第２平面部１２１）との間に形成されるシースよりも短い。本実施形態では、距離Ａ１及び距離Ａ２は、２．０ｍｍ以下である。なお、成膜容器１００と被成膜対象物１０及びマスキング部材２０との絶縁性を十分に保つ観点から、距離Ａ１及び距離Ａ２は、０．５ｍｍ以上であることが好ましい。
In the present embodiment, the distance A1 and the distance A2 are determined when the electric power is applied between the cathode (the deposition target 10 and the masking member 20) of the workpiece W and the deposition container 100 as the anode. It is shorter than the sheath formed between the cathode of W and the film forming container 100 (the first flat surface portion 111 and the second flat surface portion 121). In the present embodiment, the distance A1 and the distance A2 are 2.0 mm or less. Note that the distance A1 and the distance A2 are preferably 0.5 mm or more from the viewpoint of sufficiently maintaining the insulation between the film formation container 100, the film formation target object 10, and the masking member 20.
図４には、さらに、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所Ｑ１及び第２窪み部１２４と第２平面部１２１との接続箇所Ｑ２から接触点Ｐ１、Ｐ２までのＸ軸に沿った最短距離Ｃが示されている。距離Ｃは、第１窪み部１１４の側部１１２及び第２窪み部１２４の側部１２２から、接触点Ｐ１、Ｐ２までのＸ軸に沿った最短距離でもある。本実施形態では、距離Ｃは、０（ゼロ）よりも大きい。本実施形態では、距離Ｃは、１０ｍｍ以上である。
4 further illustrates the X-axis from the connection point Q1 between the first depression 114 and the first plane part 111 and the connection point Q2 between the second depression 124 and the second plane part 121 to the contact points P1 and P2. The shortest distance C along is shown. The distance C is also the shortest distance along the X-axis from the side part 112 of the first dent part 114 and the side part 122 of the second dent part 124 to the contact points P1 and P2. In the present embodiment, the distance C is greater than 0 (zero). In this embodiment, the distance C is 10 mm or more.
Ａ２．成膜方法：
図５は、成膜装置２００による成膜方法について示す工程図である。成膜装置２００による成膜では、まず、ワークＷが成膜容器１００内に搬送される（ステップＳ１０）。本実施形態では、パレット１３０上に、絶縁部材３０、下側マスキング部材２２、被成膜対象物１０が積載され、さらに、被成膜対象物１０の上に上側マスキング部材２１が積載される。こうすることによって、被成膜対象物１０の非被成膜対象部分１０Ｂが、マスキング部材２０によって覆われる。その後、成膜容器１００の第１の型１１０が開閉装置５０によって上方に移動され、絶縁部材３０、マスキング部材２０及び被成膜対象物１０が積載されたパレット１３０が、搬送装置５５によって成膜容器１００内に搬送される。搬送されたパレット１３０は、下方に移動されて、内側シール部材６２ｕ及び外側シール部材６２ｓを介して第２の型１２０上に配置される。
A2. Deposition method:
FIG. 5 is a process diagram showing a film forming method by the film forming apparatus 200. In film formation by the film formation apparatus 200, first, the workpiece W is transferred into the film formation container 100 (step S10). In the present embodiment, the insulating member 30, the lower masking member 22, and the deposition target object 10 are stacked on the pallet 130, and the upper masking member 21 is stacked on the deposition target object 10. By doing so, the non-film formation target portion 10 </ b> B of the film formation target object 10 is covered with the masking member 20. Thereafter, the first mold 110 of the film formation container 100 is moved upward by the opening / closing device 50, and the pallet 130 on which the insulating member 30, the masking member 20 and the film formation target object 10 are loaded is formed by the transfer device 55. It is conveyed into the container 100. The conveyed pallet 130 is moved downward and disposed on the second mold 120 via the inner seal member 62u and the outer seal member 62s.
次に、成膜容器１００が閉じられる（ステップＳ２０）。本実施形態では、成膜容器１００内にパレット１３０が搬送された後、開閉装置５０によって第１の型１１０が下方に移動される。成膜容器１００が閉じられると、被成膜対象部分１０Ａは成膜容器１００の第１窪み部１１４及び第２窪み部１２４内の空間に向けられた状態になる。ワークＷのうちの陰極は、第１平面部１１１及び第２平面部１２１から離間された状態になる。また、ワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０）と絶縁部材３０との接触点Ｐ１と、第１平面部１１１と、の距離Ａ１は、ワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０）と第１窪み部１１４との距離Ｂ１よりも小さくなる。ワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０）と絶縁部材３０との接触点Ｐ２と、第２平面部１２１と、の距離Ａ２は、ワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０）と第２窪み部１２４との距離Ｂ２よりも小さくなる。
Next, the film forming container 100 is closed (step S20). In the present embodiment, after the pallet 130 is conveyed into the film forming container 100, the first mold 110 is moved downward by the opening / closing device 50. When the film formation container 100 is closed, the film formation target portion 10 </ b> A is directed to the space in the first depression part 114 and the second depression part 124 of the film formation container 100. The cathode of the workpiece W is in a state of being separated from the first plane part 111 and the second plane part 121. Further, the distance A1 between the contact point P1 between the cathode (masking member 20) of the workpiece W and the insulating member 30 and the first plane portion 111 is the cathode of the workpiece W (deposition target 10). And smaller than the distance B1 between the first depression 114 and the first depression 114. The distance A2 between the contact point P2 between the cathode (masking member 20) of the workpiece W and the insulating member 30 and the second flat portion 121 is the same as the distance A2 between the cathode of the workpiece W (film formation target 10) and the second plane portion 121. It becomes smaller than the distance B2 with the two depressions 124.
次に、成膜容器１００内が排気される（ステップＳ３０）。本実施形態では、成膜装置２００は、例えば、窒素ガス雰囲気に設置されている。ステップＳ３０では、排気装置９０によって排気口９１、９２を介して成膜容器１００内の窒素ガスが排気され、成膜容器１００内が真空化される。
Next, the inside of the film formation container 100 is evacuated (step S30). In the present embodiment, the film forming apparatus 200 is installed in a nitrogen gas atmosphere, for example. In step S30, the nitrogen gas in the film forming container 100 is exhausted by the exhaust device 90 through the exhaust ports 91 and 92, and the inside of the film forming container 100 is evacuated.
成膜容器１００内が排気されると、成膜容器１００内に原料ガスが供給される（ステップＳ４０）。ステップＳ４０では、ガス供給装置８０によって供給口８１を介して成膜容器１００内にキャリアガス及び原料ガスが供給される。成膜容器１００内には、キャリアガスとして、例えば、水素ガス及びアルゴンガスが供給される。また、原料ガスとして、窒素ガス及びピリジンガスが供給される。ステップＳ４０では、成膜容器１００内の圧力値は、例えば、１１Ｐａである。なお、例えば成膜速度を高めるために、原料ガスが供給される前に、電力印加部７０によりワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０、マスキング部材２０）と成膜容器１００との間に電力を印加して、ワークＷの温度を昇温させてもよい。
When the inside of the film forming container 100 is exhausted, the source gas is supplied into the film forming container 100 (step S40). In step S <b> 40, the carrier gas and the source gas are supplied into the film forming container 100 through the supply port 81 by the gas supply device 80. In the film forming container 100, for example, hydrogen gas and argon gas are supplied as carrier gases. Moreover, nitrogen gas and pyridine gas are supplied as source gas. In step S40, the pressure value in the film formation container 100 is, for example, 11 Pa. For example, in order to increase the film formation speed, before the source gas is supplied, the power application unit 70 causes the cathode (the film formation target object 10 and the masking member 20) of the workpiece W to be connected to the film formation container 100. Electric power may be applied between them to raise the temperature of the workpiece W.
次に、ワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０、マスキング部材２０）と成膜容器１００との間に電力が印加される（ステップＳ５０）。電力印加部７０によって電力が印加されると、第１窪み部１１４内及び第２窪み部１２４内にプラズマが発生し、被成膜対象物１０の被成膜対象部分１０Ａに薄膜が形成される。ステップＳ５０では、電力印加部７０によって、ワークＷのうちの陰極に例えば−３０００Ｖの電力が印加される。ステップＳ５０が終了すると、原料ガスの供給と電力の印加とが停止される。以上のようにして、ワークＷの一部に成膜が行われる。
Next, electric power is applied between the cathode (the deposition target 10 and the masking member 20) of the workpiece W and the deposition container 100 (step S50). When power is applied by the power application unit 70, plasma is generated in the first depression 114 and the second depression 124, and a thin film is formed on the deposition target portion 10 </ b> A of the deposition target 10. . In step S <b> 50, power of −3000 V, for example, is applied to the cathode of the workpiece W by the power application unit 70. When step S50 ends, the supply of source gas and the application of power are stopped. As described above, film formation is performed on a part of the workpiece W.
成膜が行われると、成膜容器１００内の圧力が調整される（ステップＳ５５）。本実施形態では、成膜容器１００内の圧力を、開閉装置５０によって成膜容器１００を開くことが可能な程度の圧力に戻すために、ガス供給装置８０によって成膜容器１００内に窒素ガスが供給される。
When film formation is performed, the pressure in the film formation container 100 is adjusted (step S55). In the present embodiment, in order to return the pressure in the film formation container 100 to a pressure at which the film formation container 100 can be opened by the opening / closing device 50, nitrogen gas is introduced into the film formation container 100 by the gas supply device 80. Supplied.
次に、第１の型１１０がワークＷに対して相対的に移動されて、成膜容器が開かれる（ステップＳ６０）。本実施形態では、制御部９５が開閉装置５０を制御して第１の型１１０をワークＷに対して相対的に上方に移動させることによって、成膜容器１００が開かれる。なお、ワークＷを第２の型１２０に対して相対的に離間させる方向に移動させることによって、成膜容器１００が開かれてもよい。成膜容器１００が開くと、成膜容器１００内の気密が解除される。
Next, the first mold 110 is moved relative to the workpiece W, and the film formation container is opened (step S60). In the present embodiment, the film forming container 100 is opened by the control unit 95 controlling the opening / closing device 50 to move the first mold 110 relatively upward with respect to the workpiece W. The film formation container 100 may be opened by moving the workpiece W in a direction in which the workpiece W is moved away from the second mold 120. When the film formation container 100 is opened, the airtightness in the film formation container 100 is released.
ステップＳ６０が開始される際には、制御部９５がガス供給装置８０を制御することによりガス放出口８３、８４を介してガスが放出される（ステップＳ６３）。以上のようにして成膜装置２００による一連の成膜方法が終了する。
When step S60 is started, the control unit 95 controls the gas supply device 80 to release the gas through the gas discharge ports 83 and 84 (step S63). As described above, a series of film forming methods by the film forming apparatus 200 is completed.
図６は、ガス放出口８３、８４を介してガスが放出される様子を示す図である。図６には、成膜容器１００が開く際における、図１に破線で示したＲ部分が拡大して示されている。図６には、第１の型１１０及び第２の型１２０がワークＷから相対的に移動されて、成膜容器１００が開いた様子を示している。図６及び以降の図では、開閉装置５０、搬送装置５５、電力印加部７０、ガス供給装置８０、排気装置９０及び制御部９５は図示を省略している。図６には、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓ周辺に形成された気流の向きを示す矢印が示されている。成膜容器１００が開く際に、ガス供給装置８０により第１の型１１０のガス放出口８３を介してガスが放出されると、ガス放出口８３から放出されたガスが、凸部１３１に衝突する。そのため、図６に示すように、凸部１３１の表面及び内側シール部材６１ｕの表面に沿って内側シール部材６１ｕよりもさらに内側へ向かう気流が形成される。また、凸部１３１の表面及び外側シール部材６１ｓの表面に沿って外側シール部材６１ｓよりもさらに外側へ向かう気流が形成される。同様に、ガス供給装置８０により第２の型１２０のガス放出口８４を介してガスが放出されると、ガス放出口８４から放出されたガスが、凸部１３２に衝突する。そのため、図６に示すように、凸部１３２の表面及び内側シール部材６２ｕの表面に沿って内側シール部材６２ｕよりもさらに内側へ向かう気流が形成される。また、凸部１３２の表面及び外側シール部材６２ｓの表面に沿って外側シール部材６２ｓよりもさらに外側へ向かう気流が形成される。
FIG. 6 is a diagram illustrating a state in which gas is released through the gas discharge ports 83 and 84. FIG. 6 is an enlarged view of an R portion indicated by a broken line in FIG. 1 when the film forming container 100 is opened. FIG. 6 shows a state where the first mold 110 and the second mold 120 are relatively moved from the workpiece W and the film forming container 100 is opened. In FIG. 6 and subsequent figures, the opening / closing device 50, the transfer device 55, the power application unit 70, the gas supply device 80, the exhaust device 90, and the control unit 95 are not shown. FIG. 6 shows arrows indicating the direction of the airflow formed around the inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s. When the film forming container 100 is opened, if gas is released from the gas supply device 80 through the gas discharge port 83 of the first mold 110, the gas released from the gas discharge port 83 collides with the convex 131. To do. Therefore, as shown in FIG. 6, an air flow is formed along the surface of the convex portion 131 and the surface of the inner seal member 61 u further toward the inner side than the inner seal member 61 u. Further, an air flow is formed along the surface of the convex portion 131 and the surface of the outer seal member 61s further outward than the outer seal member 61s. Similarly, when gas is released from the gas supply device 80 via the gas discharge port 84 of the second mold 120, the gas released from the gas discharge port 84 collides with the convex portion 132. Therefore, as shown in FIG. 6, an air flow is formed along the surface of the convex portion 132 and the surface of the inner seal member 62 u further toward the inner side than the inner seal member 62 u. In addition, an airflow is formed along the surface of the convex portion 132 and the surface of the outer seal member 62s further outward than the outer seal member 62s.
Ａ３．効果：
Ａ３−１．効果１：
一般的に、２分割される成膜容器によってワークを挟み込み、成膜容器やワークにシール部材を設けて成膜容器内の気密を保ち成膜を行う場合には、成膜終了後、成膜容器が開く際に、成膜容器内の圧力と成膜容器外の圧力とが平衡になるために、異物がシール部材に付着しやすい。なお、異物とは、例えば、成膜の際に被成膜対象物の他に、成膜容器の内壁に堆積した膜である。また、成膜時の成膜容器の開閉動作や、ワークが成膜容器内に搬送される動作や、ワークが成膜容器外へ搬送される動作により、成膜容器内に堆積した膜が剥がれ落ちることによって生じた異物である。また、これらの動作によって、成膜容器外から成膜容器内に持ち込まれた異物である。また、成膜容器外の異物である。これらの異物がシール部材に付着すると、成膜容器が閉じた状態において成膜容器内の気密が保たれず、成膜不良が生じるおそれがある。しかし、第１実施形態の成膜装置２００によれば、成膜容器１００が開く際には、ガス放出口８３、８４から放出されたガスがワークＷの備える凸部１３１、１３２に衝突し、凸部１３１、１３２の表面及び内側シール部材６１ｕ、６２ｕの表面に沿って内側シール部材６１ｕ、６２ｕよりもさらに内側へ向かう気流が形成される。また、凸部１３１、１３２の表面及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓの表面に沿って外側シール部材６１ｓ、６２ｓよりもさらに外側へ向かう気流が形成される。この気流によって、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓに異物が付着することを抑制することができる。また、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際にガス放出口８３、８４からガスが放出されて、凸部１３１、１３２に衝突して分散するため、ガスとともに異物がワークＷに跳ね返って内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓに付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。
A3. effect:
A3-1. Effect 1:
Generally, when a film is sandwiched between two film forming containers and a film forming container or work is provided with a seal member to keep the film inside the film container airtight, the film is formed after film forming is completed. When the container is opened, the pressure inside the film forming container and the pressure outside the film forming container are in equilibrium, so that foreign substances are likely to adhere to the seal member. Note that the foreign matter is, for example, a film deposited on the inner wall of the film formation container in addition to the film formation target during film formation. Also, the film deposited in the film formation container is peeled off by the opening / closing operation of the film formation container during film formation, the operation of transferring the work into the film formation container, and the operation of transferring the work out of the film formation container. It is a foreign object generated by falling. Moreover, it is the foreign material brought into the film formation container from the outside by these operations. Moreover, it is a foreign material outside a film-forming container. If these foreign substances adhere to the seal member, the airtightness in the film forming container cannot be maintained in a state where the film forming container is closed, and there is a possibility that a film forming defect may occur. However, according to the film forming apparatus 200 of the first embodiment, when the film forming container 100 is opened, the gas released from the gas discharge ports 83 and 84 collides with the convex portions 131 and 132 included in the workpiece W, Airflows are formed along the surfaces of the convex portions 131 and 132 and the inner seal members 61u and 62u toward the inside further than the inner seal members 61u and 62u. In addition, an air flow is formed along the surfaces of the convex portions 131 and 132 and the outer seal members 61s and 62s further outward than the outer seal members 61s and 62s. By this air flow, foreign matter can be prevented from adhering to the inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s. Further, when the first mold 110 is moved in the direction away from the workpiece W, the gas is released from the gas discharge ports 83 and 84 and collides with the convex portions 131 and 132 to be dispersed. It is possible to suppress foreign matter from bouncing back to the work W together with gas and adhering to the inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s. Therefore, since the airtightness in the film formation container 100 can be maintained in a state where the film formation container 100 is closed, a film formation defect can be suppressed.
また、第１実施形態の成膜装置２００によれば、凸部１３１、１３２の外形は曲面状であり、いわゆるＲ形状である。そのため、ワークＷが１００内に搬送された際に位置ずれが生じて凸部１３１、１３２の中心が内側シール部材６１ｕ、６２ｕと外側シール部材６１ｓ、６２ｓの中間の位置からずれたとしても、凸部１３１、１３２の断面形状が例えば三角形状である場合と比較して、ガス放出口８３、８４から放出され、ワークＷの備える凸部１３１、１３２に衝突したガスは、凸部１３１、１３２に沿って内側シール部材６１ｕ、６２ｕよりもさらに内側と外側シール部材６１ｓ、６２ｓよりもさらに外側とに分散しやすい。そのため、成膜容器１００に対してワークＷがずれた場合であっても、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓに異物が付着することを抑制することができるので、成膜不良を抑制することができる。
Moreover, according to the film-forming apparatus 200 of 1st Embodiment, the external shape of the convex parts 131 and 132 is a curved surface shape, and is what is called a R shape. Therefore, even if the position shift occurs when the workpiece W is transferred into the workpiece 100 and the centers of the protrusions 131 and 132 are shifted from the intermediate position between the inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s, Compared with the case where the cross-sectional shapes of the portions 131 and 132 are, for example, triangular, the gas that has been released from the gas discharge ports 83 and 84 and collided with the convex portions 131 and 132 included in the workpiece W is applied to the convex portions 131 and 132. Along the inner seal members 61u and 62u, the inner seal members 61u and 62u are more likely to be distributed along the inner side and the outer seal members 61s and 62s. Therefore, even when the workpiece W is displaced with respect to the film formation container 100, it is possible to suppress foreign matters from adhering to the inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s, and thus film formation failure. Can be suppressed.
また、第１実施形態の成膜装置２００によれば、凸部１３１、１３２を備えるため、凸部１３１、１３２を備えない場合と比較して、内側シール部材６１ｕと外側シール部材６１ｓと第１の型１１０で形成される空間及び内側シール部材６２ｕと外側シール部材６２ｓと第２の型１２０で形成される空間を小さくすることができる。そのため、凸部１３１、１３２を備えない場合と比較して、これらの空間に位置する異物の量を少なくすることができる。
Further, according to the film forming apparatus 200 of the first embodiment, since the convex portions 131 and 132 are provided, the inner seal member 61u, the outer seal member 61s, and the first seal member are compared with the case where the convex portions 131 and 132 are not provided. The space formed by the mold 110 and the space formed by the inner seal member 62u, the outer seal member 62s, and the second mold 120 can be reduced. Therefore, compared with the case where the convex parts 131 and 132 are not provided, the amount of foreign matter located in these spaces can be reduced.
また、第１実施形態の成膜装置２００によれば、内側シール部材６１ｕ及び外側シール部材６１ｓが第１の型１１０及びワークＷに接触し、内側シール部材６２ｕ及び外側シール部材６２ｓが第２の型１２０及びワークＷに接触する。そのため、例えば２００が内側シール部材６１ｕ、６２ｕのみを備える場合と比較して、成膜容器１００が閉じた状態において、成膜容器１００内の気密をより保つことができる。
Further, according to the film forming apparatus 200 of the first embodiment, the inner seal member 61u and the outer seal member 61s are in contact with the first mold 110 and the workpiece W, and the inner seal member 62u and the outer seal member 62s are the second. Contact the mold 120 and the workpiece W. Therefore, for example, as compared with a case where 200 includes only the inner seal members 61u and 62u, the airtightness in the film formation container 100 can be further maintained in a state where the film formation container 100 is closed.
Ａ３−２．効果２：
第１実施形態の成膜装置２００によれば、成膜容器１００が閉じた状態において、ワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０、被成膜対象物１０）と接触する絶縁部材３０は第１平面部１１１と第２平面部１２１との間に配置され、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１と、第１平面部１１１と、の距離Ａ１は、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４の底部１１３との距離Ｂ１よりも小さい。そのため、プラズマＣＶＤ法により成膜又はエッチングを行う場合には、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１とで形成される空間に第１窪み部１１４や第２窪み部１２４からプラズマが侵入することが抑制される。そのため、接触点Ｐ１におけるプラズマの量が低減されるので、異常放電の発生を抑制することができる。
A3-2. Effect 2:
According to the film forming apparatus 200 of the first embodiment, when the film forming container 100 is closed, the insulating member 30 that contacts the cathode (masking member 20, film formation target object 10) of the workpiece W is the first member. The distance A1 between the contact point P1 between the cathode of the workpiece W and the insulating member 30 and the first plane portion 111 is disposed between the plane portion 111 and the second plane portion 121. It is smaller than the distance B1 between the cathode and the bottom 113 of the first depression 114. Therefore, when film formation or etching is performed by the plasma CVD method, plasma enters the space formed by the cathode of the workpiece W and the first flat portion 111 from the first recess portion 114 and the second recess portion 124. Is suppressed. Therefore, since the amount of plasma at the contact point P1 is reduced, the occurrence of abnormal discharge can be suppressed.
同様に、第２平面部１２１と対向するワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ２と、第２平面部１２１と、の距離Ａ２は、ワークＷのうちの陰極と第２窪み部１２４の底部１２３との距離Ｂ２よりも小さいため、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１とで形成される空間に第２窪み部１２４や第１窪み部１１４からプラズマが侵入することが抑制される。そのため、接触点Ｐ２におけるプラズマの量が低減されるので、異常放電の発生を抑制することができる。
Similarly, the distance A2 between the contact point P2 between the cathode of the workpiece W facing the second plane 121 and the insulating member 30 and the second plane 121 is the cathode of the workpiece W and the second depression. Because the distance B2 is smaller than the distance B2 from the bottom 123 of the part 124, plasma enters the space formed by the cathode of the workpiece W and the second flat part 121 from the second dent part 124 or the first dent part 114. Is suppressed. Therefore, since the amount of plasma at the contact point P2 is reduced, the occurrence of abnormal discharge can be suppressed.
また、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所Ｑ１及び第２窪み部１２４と第２平面部１２１との接続箇所Ｑ２から、絶縁部材３０までのＸ軸に沿った距離Ｃは０（ゼロ）よりも大きいため、第１窪み部１１４及び第２窪み部１２４で形成されるプラズマが発生する空間と、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１、Ｐ２とが離れている。そのため、接触点Ｐ１、Ｐ２におけるプラズマの量がより低減されるので、異常放電の発生をより抑制することができる。
Further, the distance C along the X-axis from the connection point Q1 between the first recess 114 and the first flat part 111 and the connection point Q2 between the second recess 124 and the second flat part 121 to the insulating member 30 is Since it is larger than 0 (zero), the space in which the plasma generated by the first dent part 114 and the second dent part 124 is generated and the contact points P1, P2 between the cathode of the workpiece W and the insulating member 30 are formed. is seperated. Therefore, the amount of plasma at the contact points P1 and P2 is further reduced, so that the occurrence of abnormal discharge can be further suppressed.
また、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１と、第１平面部１１１と、の距離Ａ１は、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１との間に形成されるシースの距離よりも短いため、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１との間にプラズマを発生させないようにすることができる。また、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ２と、第２平面部１２１と、の距離Ａ２は、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１との間に形成されるシースの距離よりも短いため、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１との間にプラズマを発生させないようにすることができる。そのため、接触点Ｐ１、Ｐ２におけるプラズマの量が効果的に低減されるので、異常放電の発生を効果的に抑制することができる。
Further, a distance A1 between the contact point P1 between the cathode of the workpiece W and the insulating member 30 and the first plane portion 111 is formed between the cathode of the workpiece W and the first plane portion 111. Since it is shorter than the distance of the sheath, it is possible to prevent plasma from being generated between the cathode of the workpiece W and the first flat portion 111. A distance A2 between the contact point P2 between the cathode of the workpiece W and the insulating member 30 and the second plane portion 121 is formed between the cathode of the workpiece W and the second plane portion 121. Since it is shorter than the distance of the sheath, it is possible to prevent plasma from being generated between the cathode of the workpiece W and the second plane portion 121. Therefore, since the amount of plasma at the contact points P1 and P2 is effectively reduced, the occurrence of abnormal discharge can be effectively suppressed.
また、距離Ａ１及び距離Ａ２は２．０ｍｍ以下であるため、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１とで形成される空間及びワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１とで形成される空間に、第１窪み部１１４及び第２窪み部１２４からプラズマが侵入することが一層抑制される。また、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１との間にプラズマを発生させないようにすることができる。また、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１との間にプラズマを発生させないようにすることができる。そのため、接触点Ｐ１、Ｐ２におけるプラズマの量がより低減されるので、異常放電の発生をより抑制することができる。
Further, since the distance A1 and the distance A2 are 2.0 mm or less, the space formed by the cathode of the workpiece W and the first plane portion 111 and the cathode of the workpiece W and the second plane portion 121 are formed. It is further suppressed that the plasma enters from the first depression 114 and the second depression 124 into the space. Further, it is possible to prevent plasma from being generated between the cathode of the workpiece W and the first flat portion 111. Further, it is possible to prevent plasma from being generated between the cathode of the workpiece W and the second flat surface portion 121. Therefore, the amount of plasma at the contact points P1 and P2 is further reduced, so that the occurrence of abnormal discharge can be further suppressed.
また、成膜装置２００において、ワークＷの被成膜対象部分１０Ａは第１窪み部１１４内の空間及び第２窪み部１２４内の空間に向けられており、絶縁部材３０とワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０）の端部とは、第１平面部１１１と第２平面部１２１との間に位置している。そのため、ワークＷ全体をプラズマが発生する空間内に収容する場合と比較して、成膜装置２００を小型化することができる。また、成膜装置２００では、成膜のために排気が行われる空間が小さいので、排気に要する時間を短くすることができ、被成膜対象部分１０Ａに成膜を行うために要する時間を短くすることができる。
Further, in the film forming apparatus 200, the deposition target portion 10 </ b> A of the workpiece W is directed to the space in the first recess portion 114 and the space in the second recess portion 124. The end portion of the cathode (masking member 20) is located between the first plane portion 111 and the second plane portion 121. Therefore, the film forming apparatus 200 can be downsized as compared with the case where the entire workpiece W is accommodated in a space where plasma is generated. Further, in the film forming apparatus 200, since the space for exhausting for film formation is small, the time required for exhaust can be shortened, and the time required for forming the film on the deposition target portion 10A can be shortened. can do.
Ａ４．第１実施形態の変形例：
Ａ４−１．第１実施形態の変形例１：
上述の実施形態では、制御部９５がガス供給装置８０を制御することにより、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際に、ガス放出口８３、８４を介してガスが放出される（図５、ステップＳ６３）。これに対し、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に移動させる直前（成膜容器１００が開く直前）からガス放出口８３、８４を介してガスが放出されてもよい。
A4. Modification of the first embodiment:
A4-1. Modification 1 of the first embodiment 1:
In the above-described embodiment, when the control unit 95 controls the gas supply device 80 to move the first mold 110 in the direction away from the workpiece W, the gas discharge ports 83 and 84 are moved. The gas is released through (step S63 in FIG. 5). On the other hand, the gas may be released through the gas discharge ports 83 and 84 immediately before the first mold 110 is moved relative to the workpiece W (just before the film forming container 100 is opened).
図７は、成膜容器１００が開く直前からガス放出口８３、８４を介してガスが放出される様子を示す図である。図７には、成膜容器１００が開く直前における、図１に破線で示したＲ部分が拡大して示されている。成膜容器１００が開く直前からガス放出口８３、８４を介してガスが放出されると、内側シール部材６１ｕ、凸部１３１、外側シール部材６１ｓ及び第１平面部１１１で形成される空間にガスが貯留される。また、内側シール部材６２ｕ、凸部１３２、外側シール部材６２ｓ及び第２平面部１２１で形成される空間にガスが貯留される。この状態において成膜容器１００が開かれると、成膜容器１００が開く直前からガス放出口８３、８４を介してガスが放出されていない場合と比較して、貯留されたガスにより、凸部１３１、１３２の表面及び内側シール部材６１ｕ、６２ｕの表面に沿って内側シール部材６１ｕ、６２ｕよりもさらに内側へ向かう気流は強くなる。また、凸部１３１、１３２の表面及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓの表面に沿って外側シール部材６１ｓ、６２ｓよりもさらに外側へ向かう気流は強くなる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密をより保つことができるので、成膜不良をより抑制することができる。
FIG. 7 is a diagram illustrating a state in which gas is released through the gas discharge ports 83 and 84 immediately before the film formation container 100 is opened. FIG. 7 is an enlarged view of an R portion indicated by a broken line in FIG. 1 immediately before the deposition container 100 is opened. When the gas is released through the gas discharge ports 83 and 84 immediately before the deposition container 100 is opened, the gas is introduced into the space formed by the inner seal member 61u, the convex portion 131, the outer seal member 61s, and the first flat portion 111. Is stored. Further, gas is stored in a space formed by the inner seal member 62u, the convex portion 132, the outer seal member 62s, and the second flat surface portion 121. When the film formation container 100 is opened in this state, the convex portion 131 is caused by the stored gas as compared with the case where gas is not released through the gas discharge ports 83 and 84 immediately before the film formation container 100 is opened. , 132 and the inner seal members 61u, 62u along the surfaces of the inner seal members 61u, 62u, the air flow toward the inner side becomes stronger. Moreover, the airflow which goes further outside the outer seal members 61s and 62s along the surfaces of the convex portions 131 and 132 and the outer seal members 61s and 62s becomes stronger. Therefore, since the airtightness in the film formation container 100 can be further maintained in a state where the film formation container 100 is closed, a film formation defect can be further suppressed.
Ａ４−２．第１実施形態の変形例２：
上述の第１実施形態では、ガス供給装置８０は、成膜容器１００が開く際に、第１の型１１０の備えるガス放出口８３及び第２の型１２０の備えるガス放出口８４から、ガスを放出している。これに対し、第２の型１２０の備えるガス放出口８４の弁を閉じたままにし、第１の型１１０の備えるガス放出口８３からガスを放出してもよい。また、第１の型１１０の備えるガス放出口８３の弁を閉じたままにし、第２の型１２０の備えるガス放出口８４からガスを放出してもよい。このようにしても、成膜容器１００が開く際には、第１の型１１０又は第２の型１２０のいずれか一方において、シール部材６１ｕ、６１ｓ、６２ｕ、６２ｓに異物が付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。また、上述の第１実施形態では、パレット１３０は、凸部１３１及び凸部１３２を備えている。これに対し、パレット１３０は、凸部１３１及び凸部１３２のうちいずれか一方を備えていてもよい。例えば、パレット１３０が第１の型１１０に向けて突出する凸部１３１のみを備える場合には、ガス供給装置８０は、第１の型１１０の備えるガス放出口８３のみからガスを放出してもよい。
A4-2. Modification 2 of the first embodiment:
In the first embodiment described above, the gas supply device 80 supplies gas from the gas discharge port 83 included in the first mold 110 and the gas discharge port 84 included in the second mold 120 when the film formation container 100 is opened. Released. On the other hand, the gas may be released from the gas outlet 83 provided in the first mold 110 while the valve of the gas outlet 84 provided in the second mold 120 is kept closed. Alternatively, the gas discharge port 83 included in the first mold 110 may be kept closed, and the gas may be discharged from the gas discharge port 84 included in the second mold 120. Even in this case, when the film formation container 100 is opened, it is possible to prevent foreign matter from adhering to the seal members 61u, 61s, 62u, and 62s in either the first mold 110 or the second mold 120. can do. Therefore, since the airtightness in the film formation container 100 can be maintained in a state where the film formation container 100 is closed, a film formation defect can be suppressed. In the first embodiment described above, the pallet 130 includes the convex portion 131 and the convex portion 132. On the other hand, the pallet 130 may include one of the convex portion 131 and the convex portion 132. For example, when the pallet 130 includes only the convex portion 131 that protrudes toward the first mold 110, the gas supply device 80 may release gas only from the gas discharge port 83 included in the first mold 110. Good.
Ａ４−３．第１実施形態の変形例３：
図８は、第１実施形態の変形例３における成膜装置２００ｂを示す図である。成膜装置２００ｂは、第１実施形態の成膜装置２００とは異なり、第２の型１２０を備えておらず、第１の型１１０ｂがパレット１３０ｂ上に積載されており、被成膜対象物１０の第１窪み部１１４側のみに成膜を行う。そのため、本変形例では、パレット１３０ｂに第１の型１１０ｂに向けて突出した凸部１３２ｂが設けられている。また、パレット１３０ｂ上に絶縁部材３０ｂが接触し、絶縁部材３０ｂ上に下側マスキング部材２２ｂが接触し、下側マスキング部材２２ｂ上に被成膜対象物１０の下側全面が接触する。なお、本変形例では、第１の型１１０ｂ側に電力導入部７１が備えられている。本変形例においても、上述の第１実施形態と同様に、第１の型１１０ｂにはガス放出口８３が設けられている。また、ワークＷのうちの陰極（下側マスキング部材２２）と絶縁部材３０ｂとの接触点Ｐ１ｂと、第１平面部１１１と、の距離は、ワークＷと第１窪み部１１４の底部１１３との距離よりも小さい。本変形例における成膜装置２００ｂその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため説明を省略する。また、本変形例における成膜装置２００ｂによる成膜方法では、成膜容器１００ｂが開く際に第１の型１１０ｂのガス放出口８３からのみガスを放出する点を除き、上述の第１実施形態の成膜装置２００による成膜方法と同様であるため説明を省略する。
A4-3. Modification 3 of the first embodiment:
FIG. 8 is a diagram illustrating a film forming apparatus 200b according to Modification 3 of the first embodiment. Unlike the film forming apparatus 200 of the first embodiment, the film forming apparatus 200b does not include the second mold 120, and the first mold 110b is loaded on the pallet 130b, and the film formation target object Film formation is performed only on the side of the ten first depressions 114. Therefore, in this modification, the pallet 130b is provided with a convex portion 132b that protrudes toward the first mold 110b. Further, the insulating member 30b comes into contact with the pallet 130b, the lower masking member 22b comes into contact with the insulating member 30b, and the entire lower surface of the deposition target 10 comes into contact with the lower masking member 22b. In the present modification, the power introduction unit 71 is provided on the first mold 110b side. Also in this modified example, a gas discharge port 83 is provided in the first mold 110b as in the first embodiment. Further, the distance between the contact point P1b between the cathode (lower masking member 22) of the workpiece W and the insulating member 30b and the first flat surface portion 111 is the distance between the workpiece W and the bottom portion 113 of the first recess 114. Less than distance. Since the other configuration of the film forming apparatus 200b in this modification is the same as that of the film forming apparatus 200 of the first embodiment described above, the description thereof is omitted. Further, in the film forming method by the film forming apparatus 200b in this modification, the first embodiment described above except that the gas is discharged only from the gas discharge port 83 of the first mold 110b when the film forming container 100b is opened. Since this is the same as the film forming method using the film forming apparatus 200, the description thereof is omitted.
本変形例においても、成膜容器１００ｂが開く際には、ガス放出口８３を介してガスが放出される。そのため、内側シール部材６１ｕ及び外側シール部材６１ｓに異物が付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００ｂが閉じた状態において成膜容器１００ｂ内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。また、このような成膜装置２００ｂによっても、上述の第１実施形態と同様に異常放電の発生を抑制することができる。
Also in this modified example, when the film forming container 100 b is opened, gas is released through the gas discharge port 83. Therefore, it is possible to suppress foreign matters from adhering to the inner seal member 61u and the outer seal member 61s. Therefore, since the airtightness in the film formation container 100b can be maintained in a state where the film formation container 100b is closed, a film formation defect can be suppressed. In addition, even with such a film forming apparatus 200b, the occurrence of abnormal discharge can be suppressed as in the first embodiment described above.
Ａ４−４．第１実施形態の変形例４：
上述の第１実施形態では、凸部１３１、１３２の外形状は曲面状であり、いわゆるＲ形状を有している。これに対し、凸部１３１、１３２はＲ形状でなくともよい。例えば、凸部１３１、１３２の断面は、ワークＷ（パレット１３０）側に底辺を有し、内側シール部材６１ｕ、６２ｕと外側シール部材６１ｓ、６２ｓから中間の位置に頂点を有する三角形状であってもよい。また、凸部１３１に対向する位置における第１平面部１１１及び凸部１３２に対向する位置における第２平面部１２１は、平面である。これに対し、凸部１３１に対向する位置における第１平面部１１１は凹部を有していてもよく、凸部１３２に対向する位置における第２平面部１２１は凹部を有していてもよい。
A4-4. Modification 4 of the first embodiment:
In the first embodiment described above, the outer shape of the convex portions 131 and 132 is a curved surface, and has a so-called R shape. On the other hand, the convex portions 131 and 132 do not have to be R-shaped. For example, the cross sections of the protrusions 131 and 132 have a triangular shape having a base on the workpiece W (pallet 130) side and having a vertex at an intermediate position from the inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s. Also good. Moreover, the 1st plane part 111 in the position which opposes the convex part 131, and the 2nd plane part 121 in the position which opposes the convex part 132 are planes. On the other hand, the 1st plane part 111 in the position which opposes the convex part 131 may have a recessed part, and the 2nd plane part 121 in the position which opposes the convex part 132 may have a recessed part.
Ａ４−５．第１実施形態の変形例５：
上述の第１実施形態及び変形例において、成膜装置２００は、成膜容器１００外に第１の型１１０側から第２の型１２０側又は第２の型１２０側から第１の型１１０側へ向かう気流を形成させる気流形成部を備えていてもよい。気流形成部の形成する気流の向きは、第１平面部１１１と略直交する向きであってもよい。制御部９５は、気流形成部を制御して、少なくとも成膜容器１００が開く際に、成膜容器１００外に第１の型１１０側から第２の型１２０側又は第２の型１２０側から第１の型１１０側へ向かう気流を形成してもよい。例えば、気流形成部は、成膜装置２００の上方から下方へ清浄な気体を流すことにより、成膜容器１００外にダウンフローを形成してもよい。このようにすれば、成膜容器１００外には、第１の型１１０側から第２の型１２０側又は第２の型１２０側から第１の型１１０側へ向かう気流が形成されるので、成膜容器１００外の異物が成膜容器１００内へ侵入することが抑制される。そのため、異物が外側シール部材６１ｓ、６２ｓへ付着することを効果的に抑制することができ、成膜不良を効果的に抑制することができる。
A4-5. Modification 5 of the first embodiment:
In the first embodiment and the modification described above, the film forming apparatus 200 is located outside the film forming container 100 from the first mold 110 side to the second mold 120 side or from the second mold 120 side to the first mold 110 side. You may provide the airflow formation part which forms the airflow which goes to. The direction of the airflow formed by the airflow forming unit may be a direction substantially orthogonal to the first flat surface part 111. The control unit 95 controls the air flow forming unit so that at least when the film formation container 100 is opened, the first mold 110 side to the second mold 120 side or the second mold 120 side to the outside of the film formation container 100. You may form the airflow which goes to the 1st type | mold 110 side. For example, the airflow forming unit may form a downflow outside the film forming container 100 by flowing a clean gas from the upper side to the lower side of the film forming apparatus 200. In this way, an air flow from the first mold 110 side to the second mold 120 side or from the second mold 120 side to the first mold 110 side is formed outside the film forming container 100. Foreign matter outside the film formation container 100 is prevented from entering the film formation container 100. Therefore, it is possible to effectively prevent foreign matters from adhering to the outer seal members 61s and 62s, and it is possible to effectively suppress film formation defects.
Ａ４−６．第１実施形態の変形例６：
上述の第１実施形態では、ワークＷは、被成膜対象物１０とマスキング部材２０と絶縁部材３０とパレット１３０とを含んでいる。これに対し、ワークＷは、マスキング部材２０と被成膜対象物１０とで構成されることとしてもよい。この場合には、凸部１３１、１３２をマスキング部材２０に設けることとしてもよい。また、この場合には、上述の接触点Ｐ１は、マスキング部材２０と内側シール部材６１ｕとの接触する箇所であり、接触点Ｐ２は、マスキング部材２０と内側シール部材６２ｕとの接触する箇所であってもよい。また、上述の距離Ｃは、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所及び第２窪み部１２４と第２平面部１１１との接続箇所から、マスキング部材２０と内側シール部材６１ｕ又は内側シール部材６２ｕとが接触する箇所までのＸ軸に沿った最短距離であってもよい。
A4-6. Modification 6 of the first embodiment:
In the first embodiment described above, the workpiece W includes the deposition target object 10, the masking member 20, the insulating member 30, and the pallet 130. On the other hand, the workpiece W may be composed of the masking member 20 and the deposition target 10. In this case, the convex portions 131 and 132 may be provided on the masking member 20. In this case, the contact point P1 is a place where the masking member 20 and the inner seal member 61u are in contact, and the contact point P2 is a place where the masking member 20 and the inner seal member 62u are in contact. May be. In addition, the above-mentioned distance C is determined from the connection location between the first depression 114 and the first flat portion 111 and the connection location between the second depression 124 and the second flat portion 111, or the masking member 20 and the inner sealing member 61u or It may be the shortest distance along the X-axis to the place where the inner seal member 62u comes into contact.
Ａ４−７．第１実施形態の変形例７：
上述の第１実施形態では、成膜装置２００はプラズマＣＶＤ法により成膜を行っている。これに対し、成膜装置２００は、例えば物理気相成長（Physical Vapor Deposition；ＰＶＤ）法など他の方法により被成膜対象部分１０Ａに成膜を行ってもよい。例えば、成膜装置２００は、成膜容器１００内で成膜材料を蒸発（あるいは昇華）させる機構を備えることとし、蒸着法により被成膜対象部分１０Ａに成膜を行ってもよい。また、成膜装置２００は、成膜材料を蒸発させた粒子をプラズマ中を通過させる機構を備えることとし、イオンプレーティング法により被成膜対象部分１０Ａに成膜を行ってもよい。また、成膜装置２００は、高いエネルギーをもった粒子を成膜材料（ターゲット）に衝突させる機構を備えることとし、スパッタリング法により被成膜対象部分１０Ａに成膜を行ってもよい。
A4-7. Modification 7 of the first embodiment:
In the first embodiment described above, the film formation apparatus 200 performs film formation by the plasma CVD method. On the other hand, the film forming apparatus 200 may form a film on the deposition target portion 10A by another method such as a physical vapor deposition (PVD) method. For example, the film forming apparatus 200 may include a mechanism for evaporating (or sublimating) the film forming material in the film forming container 100, and may form the film on the film forming target portion 10A by a vapor deposition method. In addition, the film forming apparatus 200 may include a mechanism that allows particles obtained by evaporating the film forming material to pass through the plasma, and may form the film on the film formation target portion 10A by an ion plating method. Further, the film forming apparatus 200 may include a mechanism for causing particles having high energy to collide with a film forming material (target), and may form a film on the film formation target portion 10A by a sputtering method.
Ａ４−８．第１実施形態の変形例８：
図９は、第１実施形態の変形例８における成膜装置２００ｍを示す図である。本変形例の成膜装置２００ｍでは、第１窪み部１１４ｍと第１平面部１１１ｍとの接続箇所Ｑ１及び第２窪み部１２４ｍと第２平面部１２１ｍとの接続箇所Ｑ２から、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１、Ｐ２までの第１平面部１１１ｍに沿った最短距離が、０（ゼロ）である。本変形例では、接続箇所Ｑ２と接触点Ｐ２とは、同一のＹＺ平面に位置している。そのため、図９に示すように、成膜容器１００ｍでは、上側マスキング部材２１が、第１の型１１０ｍの第１窪み部１１４ｍ内に露出しており、下側マスキング部材２２の一部が、第２の型１２０ｍの第２窪み部１２４ｍ内に露出している。なお、本変形例においても、上述の第１実施形態と同様に、接触点Ｐ１と第１平面部１１１ｍとの距離は、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４ｍの底部１１３ｍとの距離よりも小さい。また、接触点Ｐ２と第２平面部１２１ｍとの距離は、ワークＷのうちの陰極と第２窪み部１２４ｍの底部１２３ｍとの距離よりも小さい。本変形例における成膜装置２００ｍのその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため説明を省略する。このような成膜装置２００ｍによっても、上述の第１実施形態と同様に成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。また、異常放電の発生を抑制することができる。
A4-8. Modification 8 of the first embodiment:
FIG. 9 is a diagram showing a film forming apparatus 200m in Modification 8 of the first embodiment. In the film forming apparatus 200m of the present modification, from the connection location Q1 between the first depression 114m and the first plane 111m and the connection Q2 between the second depression 124m and the second plane 121m, The shortest distance along the first plane part 111m to the contact points P1, P2 between the cathode and the insulating member 30 is 0 (zero). In this modification, the connection location Q2 and the contact point P2 are located on the same YZ plane. Therefore, as shown in FIG. 9, in the film forming container 100m, the upper masking member 21 is exposed in the first recess 114m of the first mold 110m, and a part of the lower masking member 22 is the first mask 110m. The second mold 120m is exposed in the second depression 124m. In this modification as well, as in the first embodiment described above, the distance between the contact point P1 and the first flat portion 111m is the distance between the cathode of the workpiece W and the bottom 113m of the first recess 114m. Smaller than. Further, the distance between the contact point P2 and the second flat surface portion 121m is smaller than the distance between the cathode of the workpiece W and the bottom portion 123m of the second hollow portion 124m. Other configurations of the film forming apparatus 200m in the present modification are the same as those of the film forming apparatus 200 of the first embodiment described above, and thus the description thereof is omitted. Even with such a film forming apparatus 200m, as in the first embodiment, the film forming container 100 can be kept airtight when the film forming container 100 is closed. it can. Moreover, the occurrence of abnormal discharge can be suppressed.
Ａ４−９．第１実施形態のその他の変形例：
上述の第１実施形態では、接触点Ｐ１と第１平面部１１１との距離Ａ１は、ワークＷうちの陰極と第１平面部１１１との間に形成されるシースの距離よりも短く、接触点Ｐ２と第２平面部１２１との距離Ａ２は、ワークＷうちの陰極と第２平面部１２１との間に形成されるシースの距離よりも短い。これに対し、距離Ａ１と距離Ａ２とのうち、いずれか一方がシースの距離よりも大きくてもよく、両方がシースの距離よりも大きくてもよい。また、上述の第１実施形態では、距離Ａ１及び距離Ａ２は２．０ｍｍ以下である。これに対し、距離Ａ１と距離Ａ２のうち、いずれか一方が２．０ｍｍより大きくてもよく、両方が、２．０ｍｍより大きくてもよい。
A4-9. Other variations of the first embodiment:
In the first embodiment described above, the distance A1 between the contact point P1 and the first plane part 111 is shorter than the distance of the sheath formed between the cathode of the workpiece W and the first plane part 111, and the contact point A distance A2 between P2 and the second flat surface portion 121 is shorter than a distance of a sheath formed between the cathode of the workpiece W and the second flat surface portion 121. On the other hand, either one of the distance A1 and the distance A2 may be larger than the distance of the sheath, or both may be larger than the distance of the sheath. In the first embodiment described above, the distance A1 and the distance A2 are 2.0 mm or less. On the other hand, either one of distance A1 and distance A2 may be larger than 2.0 mm, and both may be larger than 2.0 mm.
上述の第１実施形態では、第１窪み部１１４は、側部１１２と底部１１３とを備えているが、第１窪み部１１４は、第１平面部１１１から被成膜対象物１０と離れる方向に窪んでいればよく、例えば、半球状であってもよい。この場合には、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４の底部１１３との距離Ｂ１は、第１窪み部１１４と対向するワークＷのうちの陰極と、第１窪み部１１４のワークＷのうちの陰極から最も離れた箇所と、の距離であってもよい。
In the first embodiment described above, the first depression 114 includes the side 112 and the bottom 113, but the first depression 114 is away from the film formation target 10 from the first plane 111. For example, it may be hemispherical. In this case, the distance B1 between the cathode of the workpiece W and the bottom 113 of the first depression 114 is such that the cathode of the workpiece W facing the first depression 114 and the workpiece W of the first depression 114. It may be the distance from the most distant from the cathode.
上述の実施形態では、成膜容器１００及びパレット１３０はアース電位であるが、プラズマＣＶＤ法により成膜又はエッチングを行う場合において、成膜容器１００及びパレット１３０はアース電位でなくてもよい。電力印加部７０は成膜容器１００と被成膜対象物１０との間に被成膜対象物１０を成膜させるための電力を印加できればよい。
In the above-described embodiment, the film formation container 100 and the pallet 130 are at the ground potential. However, when film formation or etching is performed by the plasma CVD method, the film formation container 100 and the pallet 130 may not be at the ground potential. The power application unit 70 only needs to be able to apply power for depositing the deposition target object 10 between the deposition container 100 and the deposition target object 10.
Ｂ．第２実施形態：
Ｂ１．成膜装置の構成：
上述の第１実施形態では、制御部９５は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際に、ガス供給装置８０を制御してガス放出口８３、８４を介してガスを放出した。これに対し、第２実施形態では、制御部９５は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際に、排気装置９０を制御して排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気する。第２実施形態における成膜装置２００のその他の構成は、上述の第１実施形態と同様であるため説明を省略する。
B. Second embodiment:
B1. Configuration of film deposition system:
In the above-described first embodiment, the control unit 95 controls the gas supply device 80 to move the first mold 110 in the direction of separating the first mold 110 relative to the workpiece W, thereby releasing the gas discharge ports 83 and 84. The gas was released through. On the other hand, in the second embodiment, the control unit 95 controls the exhaust device 90 to move the exhaust ports 91 and 92 when moving the first mold 110 in the direction away from the workpiece W. The film formation container 100 is evacuated through Since the other structure of the film-forming apparatus 200 in 2nd Embodiment is the same as that of the above-mentioned 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted.
Ｂ２．成膜方法：
図１０は、第２実施形態における成膜方法を示す工程図である。本実施形態においても、第１実施形態と同様に、図５に示したステップＳ１０からステップＳ６０の工程が行われる。本実施形態では、ステップＳ６０が開始される際には、第１実施形態と同様に、制御部９５がガス供給装置８０を制御することによりガス放出口８３、８４を介して成膜容器１００内が排気されるのに加え、本実施形態では、制御部９５が排気装置９０を制御することにより排気口９１、９２を介して成膜容器１００内が排気される（ステップＳ６４）。
B2. Deposition method:
FIG. 10 is a process diagram showing a film forming method according to the second embodiment. Also in the present embodiment, steps S10 to S60 shown in FIG. 5 are performed as in the first embodiment. In the present embodiment, when step S60 is started, the controller 95 controls the gas supply device 80 to control the gas supply device 80 in the film forming container 100 via the gas discharge ports 83 and 84, as in the first embodiment. In this embodiment, the control unit 95 controls the exhaust device 90 to exhaust the interior of the film formation container 100 through the exhaust ports 91 and 92 (step S64).
ステップＳ６４では、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させて、成膜容器１００を開く際には、排気装置９０により排気口９１、９２を介して成膜容器１００内が排気されるため（図１０、ステップＳ６４）、成膜容器１００内には、第１平面部１１１側から排気口９１へ向かう気流が形成される。また、第２平面部１２１側から排気口９２へ向かう気流が形成される。そのため、成膜によって生じた異物は、第１の型１１０の第１平面部１１１から排気口９１へ向かい、排気口９１を介して成膜容器１００内から排出される。あるいは、第２の型１２０の第２平面部１２１から排気口９２へ向かい、排気口９２を介して成膜容器１００内から排出される。
In step S64, when the film formation container 100 is opened by moving the first mold 110 relatively away from the work W, the film is formed through the exhaust ports 91 and 92 by the exhaust device 90. Since the inside of the container 100 is evacuated (FIG. 10, step S64), an air flow from the first flat surface portion 111 side toward the exhaust port 91 is formed in the film forming container 100. Further, an air flow is formed from the second flat surface portion 121 side toward the exhaust port 92. Therefore, the foreign matter generated by the film formation is discharged from the film formation container 100 through the exhaust port 91 from the first flat portion 111 of the first mold 110 toward the exhaust port 91. Alternatively, the film is discharged from the film forming container 100 through the exhaust port 92 from the second flat surface portion 121 of the second mold 120 toward the exhaust port 92.
Ｂ３．効果：
第２実施形態によれば、成膜容器１００が開く際に、第１窪み部１１４の底部１１３の排気口９１を介して成膜容器１００内が排気されるので、成膜容器１００が開く際には成膜容器１００の第１平面部１１１側から排気口９１へ向かう気流が形成される。この気流によって、成膜容器１００内の異物が排気口９１から排出されるので、異物が各シール部材６１ｕ、６１ｓ、６２ｕ、６２ｓへ付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。
B3. effect:
According to the second embodiment, when the film formation container 100 is opened, the inside of the film formation container 100 is evacuated through the exhaust port 91 of the bottom 113 of the first recess 114. An airflow is formed from the first flat portion 111 side of the film forming container 100 toward the exhaust port 91. Due to this air flow, the foreign matter in the film formation container 100 is discharged from the exhaust port 91, so that the foreign matter can be prevented from adhering to the seal members 61u, 61s, 62u, 62s. Therefore, since the airtightness in the film formation container 100 can be maintained in a state where the film formation container 100 is closed, a film formation defect can be suppressed.
また、第２実施形態によれば、第２窪み部１２４の底部１２３の排気口９２を介して排気装置９０により成膜容器１００内が排気されるので、成膜容器１００が開く際には成膜容器１００の第２平面部１２１側から排気口９２へ向かう気流が形成される。この気流によって、成膜容器１００内の異物が排気口９２から排気されるので、異物が各シール部材６１ｕ、６１ｓ、６２ｕ、６２ｓへ付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。
Further, according to the second embodiment, since the inside of the film forming container 100 is exhausted by the exhaust device 90 through the exhaust port 92 of the bottom 123 of the second depression 124, when the film forming container 100 is opened, the formation is performed. An airflow is formed from the second flat portion 121 side of the membrane container 100 toward the exhaust port 92. Due to the air flow, the foreign matter in the film formation container 100 is exhausted from the exhaust port 92, so that the foreign matter can be prevented from adhering to the seal members 61u, 61s, 62u, 62s. Therefore, since the airtightness in the film formation container 100 can be maintained in a state where the film formation container 100 is closed, a film formation defect can be suppressed.
また、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、成膜容器１００が開く際には、ガス放出口８３、８４を介してガスが放出される。そのため、第１実施形態と同様に、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓに異物が付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。
Further, according to the second embodiment, as in the first embodiment, when the film forming container 100 is opened, gas is released through the gas discharge ports 83 and 84. Therefore, similarly to the first embodiment, it is possible to suppress foreign matters from adhering to the inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s. Therefore, since the airtightness in the film formation container 100 can be maintained in a state where the film formation container 100 is closed, a film formation defect can be suppressed.
また、本実施形態によれば、ガス放出口８３、８４からガスが放出され、内側シール部材６１ｕ、６２ｕのさらに内側へ向かう気流によって異物が第１窪み部１１４、第２窪み部１２４内へ移動した場合であっても、成膜容器１００内の異物が排気口９１、９２から排出されるので、成膜容器１００内の異物を低減することができる。
Further, according to the present embodiment, the gas is released from the gas discharge ports 83 and 84, and the foreign matter moves into the first recess 114 and the second recess 124 due to the air flow toward the inner side of the inner seal members 61u and 62u. Even in this case, the foreign matter in the film formation container 100 is discharged from the exhaust ports 91 and 92, so that the foreign matter in the film formation container 100 can be reduced.
Ｂ４．第２実施形態の変形例：
上述の第２実施形態において、排気装置９０は、成膜容器１００が開かれる直前から成膜容器１００が開かれた時にかけて、排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気してもよい。なお、排気装置９０は、成膜が行われる前に１００内を排気するための装置と、成膜容器１００が開く際に１００内を排気する装置と、を分けて備えていてもよい。成膜容器１００が開く際に１００内を排気する排気装置は、例えば集塵装置であってもよい。
B4. Modification of the second embodiment:
In the second embodiment described above, the exhaust device 90 exhausts the film formation container 100 through the exhaust ports 91 and 92 from just before the film formation container 100 is opened to when the film formation container 100 is opened. Also good. Note that the exhaust device 90 may include a device for exhausting the interior of the 100 before film formation and a device for exhausting the interior of the 100 when the film formation container 100 is opened. The exhaust device that exhausts the inside of the film formation container 100 when the film formation container 100 is opened may be, for example, a dust collector.
Ｃ．第３実施形態：
Ｃ１．成膜装置の構成：
図１１は、第３実施形態における成膜装置２００ｄの構成を部分的に示す部分概略断面図である。図１１には、図１のＸ部分に相当する部分Ｘ１が示されている。本実施形態における成膜装置２００ｄは、第１の型１１０ｄの第１窪み部１１４ｄ（側部１１２ｄ）と第１平面部１１１ｄとの接続箇所Ｑ１が、被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置している。また、第２の型１２０ｄの第２窪み部１２４ｄ（側部１２２ｄ）と第２平面部１２１ｄとの接続箇所Ｑ２が、被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置している。
C. Third embodiment:
C1. Configuration of film deposition system:
FIG. 11 is a partial schematic cross-sectional view partially showing a configuration of a film forming apparatus 200d in the third embodiment. FIG. 11 shows a portion X1 corresponding to the X portion of FIG. In the film forming apparatus 200d in the present embodiment, the connection portion Q1 between the first depression 114d (side portion 112d) of the first mold 110d and the first flat portion 111d is insulated from the end of the film formation target portion 10A. It is located away from the member 30 side. In addition, the connection portion Q2 between the second depression portion 124d (side portion 122d) of the second mold 120d and the second flat surface portion 121d is located away from the end of the deposition target portion 10A toward the insulating member 30 side. ing.
図１１には、第１窪み部１１４ｄと第１平面部１１１ｄの接続箇所Ｑ１と、被成膜対象部分１０Ａの端部とのＸ軸に沿った距離Ｌ１が示されている。また、第２窪み部１２４ｄと第２平面部１２１ｄの接続箇所Ｑ２と、被成膜対象部分１０Ａの端部とのＸ軸に沿った距離Ｌ２が示されている。本実施形態では、距離Ｌ１と距離Ｌ２とは等しい。例えば、電力印加部７０によってワークＷのうちの陰極に印加される電力が−１０００Ｖであり、成膜容器１００ｄ内の圧力が１０Ｐａである場合には、距離Ｌ１、Ｌ２は約３ｍｍ以上であることが好ましい。また、例えば、電力印加部７０によってワークＷのうちの陰極に印加される電力が−３０００Ｖであり、成膜容器１００ｄ内の圧力が１０Ｐａである場合には、距離Ｌ１、Ｌ２は約９ｍｍ以上であることが好ましい。このように、距離Ｌ１、Ｌ２は、電力印加部７０によって印加される電力と、成膜容器１００ｄ内の圧力（真空度）とに応じて変更可能である。本実施形態の成膜装置２００ｄのその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため、説明を省略する。
FIG. 11 shows a distance L1 along the X axis between the connection portion Q1 between the first depression 114d and the first flat surface portion 111d and the end of the film formation target portion 10A. In addition, a distance L2 along the X axis between the connection portion Q2 between the second depression 124d and the second flat surface portion 121d and the end of the deposition target portion 10A is shown. In the present embodiment, the distance L1 and the distance L2 are equal. For example, when the power applied to the cathode of the workpiece W by the power application unit 70 is −1000 V and the pressure in the film formation container 100d is 10 Pa, the distances L1 and L2 are about 3 mm or more. Is preferred. For example, when the power applied to the cathode of the workpiece W by the power application unit 70 is −3000 V and the pressure in the film formation container 100d is 10 Pa, the distances L1 and L2 are about 9 mm or more. Preferably there is. As described above, the distances L1 and L2 can be changed according to the power applied by the power application unit 70 and the pressure (degree of vacuum) in the film formation container 100d. Other configurations of the film forming apparatus 200d of the present embodiment are the same as those of the film forming apparatus 200 of the first embodiment described above, and thus the description thereof is omitted.
Ｃ２．効果：
電力が印加されるワークのうちの陰極と成膜容器との間にプラズマを発生させて被成膜対象部分に成膜を行うために、被成膜対象部分と成膜容器との間は、いわゆるシースの距離よりも離れていることが好ましく、被成膜対象部分と成膜容器とが近接している箇所ではプラズマが発生せず、被成膜対象部分の端部において成膜不良が発生する場合がある。しかし、本実施形態の成膜装置２００ｄによれば、成膜容器１００ｄの第１窪み部１１４ｄと第１平面部１１１ｄとの接続箇所Ｑ１は、ワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置しているので、被成膜対象部分１０Ａと成膜容器１００ｄとの距離を確保することができる。そのため、ワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａの端部において成膜不良が発生することを抑制することができる。
C2. effect:
In order to generate plasma between the cathode of the workpiece to which power is applied and the film formation container to form a film on the film formation target part, between the film formation target part and the film formation container, It is preferable that the distance is longer than the so-called sheath distance. Plasma is not generated at the location where the film formation target portion and the film formation container are close to each other, and a film formation defect occurs at the end of the film formation target portion. There is a case. However, according to the film forming apparatus 200d of the present embodiment, the connection portion Q1 between the first recess 114d and the first flat surface portion 111d of the film forming container 100d is the film forming target portion 10A on the upper surface side of the work W. Since it is located away from the end toward the insulating member 30, the distance between the film formation target portion 10A and the film formation container 100d can be ensured. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of film formation defects at the end of the film formation target portion 10A on the upper surface side of the workpiece W.
また、成膜容器１００ｄの第２窪み部１２４ｄと第２平面部１２１ｄとの接続箇所Ｑ２は、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置しているので、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａと成膜容器１００ｄとの距離を確保することができる。そのため、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａの端部において成膜不良が発生することを抑制することができる。
In addition, the connection portion Q2 between the second recess portion 124d and the second flat surface portion 121d of the film formation container 100d is located away from the end of the film formation target portion 10A on the lower surface side of the workpiece W toward the insulating member 30 side. Therefore, the distance between the film formation target portion 10A on the lower surface side of the workpiece W and the film formation container 100d can be secured. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of film formation defects at the end of the film formation target portion 10A on the lower surface side of the workpiece W.
また、本実施形態の成膜装置２００ｄによれば、上述の第１実施形態の効果２と同様の効果を奏する。すなわち、異常放電の発生を抑制することができる。
Moreover, according to the film forming apparatus 200d of the present embodiment, the same effect as the effect 2 of the first embodiment described above can be obtained. That is, the occurrence of abnormal discharge can be suppressed.
Ｃ３．第３実施形態の変形例：
上述の第３実施形態では、第１窪み部１１４ｄと第１平面部１１１ｄとの接続箇所Ｑ１と、被成膜対象部分１０Ａの端部と、の距離Ｌ１と、第２窪み部１２４ｄと第２平面部１２１ｄとの接続箇所Ｑ２と、被成膜対象部分１０Ａの端部と、の距離Ｌ２は、等しい。これに対し、距離Ｌ１と距離Ｌ２とは異なっていてもよい。例えば、第１窪み部１１４ｄと第１平面部１１１ｄとの接続箇所Ｑ１のみが、ワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置していてもよく、第２窪み部１２４ｄと第２平面部１２１ｄとの接続箇所Ｑ２のみが、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置していてもよい。
C3. Modification of the third embodiment:
In the above-described third embodiment, the distance L1 between the connection portion Q1 between the first recess 114d and the first flat surface portion 111d and the end of the deposition target portion 10A, the second recess 124d, and the second The distance L2 between the connection point Q2 with the flat surface part 121d and the end of the deposition target part 10A is equal. On the other hand, the distance L1 and the distance L2 may be different. For example, only the connection portion Q1 between the first recess 114d and the first flat surface portion 111d may be located away from the end of the deposition target portion 10A on the upper surface side of the workpiece W toward the insulating member 30 side. Only the connection portion Q2 between the second depression 124d and the second flat surface portion 121d may be located away from the end of the deposition target portion 10A on the lower surface side of the workpiece W toward the insulating member 30 side.
Ｄ．その他の変形例：
上述の実施形態及び変形例では、制御部９５は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際に、ガス供給装置８０を制御してガス放出口８３、ガス放出口８４からガスを放出させている。これに対し、制御部９５は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に近づける方向に移動させる際に、ガス放出口８３、８４からガスを放出させてもよい。言い換えると、制御部９５は、成膜容器１００を閉じる直前に、ガス供給装置８０を制御してガス放出口８３、８４からガスを放出させてもよい。このようにしても、ガス放出口８３、８４から放出されたガスは凸部に衝突して分散するため、異物が内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓに付着することを抑制することができる。
D. Other variations:
In the embodiment and the modification described above, the control unit 95 controls the gas supply device 80 to move the first mold 110 in the direction in which the first mold 110 is relatively separated from the workpiece W. Gas is discharged from the gas discharge port 84. On the other hand, the control unit 95 may release the gas from the gas discharge ports 83 and 84 when moving the first mold 110 in a direction relatively close to the workpiece W. In other words, the control unit 95 may control the gas supply device 80 to release gas from the gas discharge ports 83 and 84 immediately before closing the film formation container 100. Even in this case, since the gas discharged from the gas discharge ports 83 and 84 collides with the convex portions and is dispersed, it is possible to suppress foreign matter from adhering to the inner seal members 61u and 62u and the outer seal members 61s and 62s. be able to.
上述の実施形態では、被成膜対象物１０はセパレータであるが、被成膜対象物１０は、導電性を有する部材であればよい。また、上述の実施形態では、成膜装置２００、２００ｂ、２００ｄは炭素系の薄膜を成膜しているが、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、シリコン（Ｓｉ）など他の導電性の元素の薄膜を形成するものとしてもよい。
In the above-described embodiment, the film formation target 10 is a separator, but the film formation target 10 may be a member having conductivity. In the above-described embodiment, the film forming apparatuses 200, 200b, and 200d form a carbon-based thin film. However, gold (Au), platinum (Pt), tantalum (Ta), silicon (Si), etc. A thin film of a conductive element may be formed.
上述の実施形態では、各シール部材６１ｕ、６１ｓ、６２ｕ、６２ｓはゴム製の環状部材である。これに対し、各シール部材６１ｕ、６１ｓ、６２ｕ、６２ｓは、成膜容器１００、１００ｂ、１００ｄが閉じた状態において成膜容器１００、１００ｂ、１００ｄ、１００ｍ内の気密を保つための部材であればよい。
In the above-described embodiment, each of the seal members 61u, 61s, 62u, and 62s is a rubber annular member. On the other hand, each of the sealing members 61u, 61s, 62u, and 62s is a member for maintaining airtightness in the film forming containers 100, 100b, 100d, and 100m when the film forming containers 100, 100b, and 100d are closed. Good.
本発明は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態や変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組合せを行うことが可能である。また、前述した実施形態及び各変形例における構成要素の中の、独立請求項で記載された要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and can be realized with various configurations without departing from the spirit thereof. For example, the technical features in the embodiments and modifications corresponding to the technical features in each embodiment described in the summary section of the invention are intended to solve part or all of the above-described problems, or In order to achieve part or all of the effects, replacement or combination can be appropriately performed. Moreover, elements other than the elements described in the independent claims among the constituent elements in the embodiment and each modification described above are additional elements and can be omitted as appropriate.
