JP2017195335A - Substrate cleaning device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウェハ等の基板を洗浄する基板洗浄装置に関する。 The present invention relates to a substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate such as a semiconductor wafer.
一般的なＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）装置は、半導体ウェハ等の基板を研磨し、洗浄し、乾燥させるものである。すなわち、ＣＭＰ装置は、基板研磨装置、基板洗浄装置及び基板乾燥装置を有している。 A general CMP (Chemical Mechanical Polishing) apparatus polishes, cleans, and dries a substrate such as a semiconductor wafer. That is, the CMP apparatus includes a substrate polishing apparatus, a substrate cleaning apparatus, and a substrate drying apparatus.
基板洗浄装置としては、例えばペン型洗浄具又はロール型洗浄具を用いて接触洗浄を行うもの（特許文献１）、２流体噴流により非接触洗浄を行うもの（特許文献２）、オゾン水を用いて洗浄を行うもの（特許文献３）等が知られている。基板乾燥装置としては、例えばＩＰＡ乾燥を行うもの（特許文献４）等が知られている。 As the substrate cleaning device, for example, a device that performs contact cleaning using a pen-type cleaning tool or a roll-type cleaning device (Patent Document 1), a device that performs non-contact cleaning using a two-fluid jet (Patent Document 2), and ozone water (Patent Document 3) is known. As a substrate drying apparatus, for example, an apparatus that performs IPA drying (Patent Document 4) is known.
また、半導体ウェハ等の基板の表面を非接触で洗浄する洗浄する洗浄方式の一つとして、超音波処理された純水を基板の表面に噴射して表面を洗浄する、キャビテーションを利用した超音波洗浄が知られている（特許文献５参照）。 In addition, as one of the cleaning methods for cleaning the surface of a substrate such as a semiconductor wafer in a non-contact manner, ultrasonic waves using cavitation are used to clean the surface by spraying ultrasonically treated pure water onto the surface of the substrate. Cleaning is known (see Patent Document 5).
超音波洗浄を用いた場合には、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部を振動させることで、振動部が破損してしまう可能性を否定できない。 When ultrasonic cleaning is used, it cannot be denied that the vibration part may be damaged by vibrating the vibration part in a state where no cleaning liquid is present (so-called emptying state).
本発明は、このような点を鑑みてなされたものであり、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部を振動させないようにする基板洗浄装置を提供する。 The present invention has been made in view of the above points, and provides a substrate cleaning apparatus that prevents a vibrating part from vibrating in a state where no cleaning liquid is present (so-called emptying state).
本発明の第一態様による基板洗浄装置は、
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
を備え、
前記供給体が、前記振動部に対応する振動対応位置を通過した後の前記洗浄液が流れ込む膨張部を有する。
The substrate cleaning apparatus according to the first aspect of the present invention comprises:
A supply unit for supplying a cleaning liquid;
A supply body for supplying the substrate with the cleaning liquid supplied from the supply unit;
A vibration unit that is provided in the supply body and applies ultrasonic vibration to the cleaning liquid supplied from the supply unit;
With
The supply body has an expansion part into which the cleaning liquid flows after passing through a vibration corresponding position corresponding to the vibration part.
本発明の第一態様による基板洗浄装置において、
前記供給体は、前記基板へ洗浄液を吐出させるための流出口と、前記流出口へと前記洗浄液を案内する案内部と、前記供給部から供給された洗浄液を前記案内部内に流入させる流入口と、を有し、
前記膨張部が、少なくとも前記流入口と対向する反対側の面において膨張してもよい。
In the substrate cleaning apparatus according to the first aspect of the present invention,
The supply body includes an outlet for discharging the cleaning liquid to the substrate, a guide part for guiding the cleaning liquid to the outlet, and an inlet for allowing the cleaning liquid supplied from the supply part to flow into the guide part. Have
The inflating part may inflate at least on the opposite surface facing the inflow port.
本発明の第一態様による基板洗浄装置において、
前記供給体は、前記基板へ洗浄液を吐出させるための流出口と、前記流出口へと前記洗浄液を案内する案内部と、前記供給部から供給された洗浄液を前記案内部内に流入させる流入口と、を有し、
前記流入口側の面が膨張していなくてもよい。
In the substrate cleaning apparatus according to the first aspect of the present invention,
The supply body includes an outlet for discharging the cleaning liquid to the substrate, a guide part for guiding the cleaning liquid to the outlet, and an inlet for allowing the cleaning liquid supplied from the supply part to flow into the guide part. Have
The surface on the inlet side may not be expanded.
本発明の第二態様による基板洗浄装置は、
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
前記振動部に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む案内管と、を備える。
The substrate cleaning apparatus according to the second aspect of the present invention comprises:
A supply unit for supplying a cleaning liquid;
A supply body for supplying the substrate with the cleaning liquid supplied from the supply unit;
A vibration unit that is provided in the supply body and applies ultrasonic vibration to the cleaning liquid supplied from the supply unit;
And a guide tube into which the cleaning liquid after passing through the vibration corresponding position corresponding to the vibration part flows.
本発明の第二態様による基板洗浄装置は、
前記案内管を通過した洗浄液が回収される吐出液回収部をさらに備えてもよい。
The substrate cleaning apparatus according to the second aspect of the present invention comprises:
You may further provide the discharge liquid collection | recovery part by which the washing | cleaning liquid which passed the said guide tube is collect | recovered.
本発明の第二態様による基板洗浄装置は、
前記供給体を支持するとともに、基部側を中心に揺動可能となる第一延在部をさらに備え、
前記案内管の少なくとも一部が、前記第一延在部内で延在してもよい。
The substrate cleaning apparatus according to the second aspect of the present invention comprises:
A first extending portion that supports the supply body and that can swing around the base side;
At least a portion of the guide tube may extend within the first extension.
本発明による基板洗浄装置は、
前記基板に前記洗浄液を供給するのに先立ち、前記供給部から前記洗浄液を供給させる制御部をさらに備えてもよい。
The substrate cleaning apparatus according to the present invention comprises:
Prior to supplying the cleaning liquid to the substrate, the apparatus may further include a control unit that supplies the cleaning liquid from the supply unit.
本発明による基板洗浄装置において、
前記制御部は、前記供給部から前記洗浄液が供給されてから第一時間経過後に前記振動部の振動を開始させてもよい。
In the substrate cleaning apparatus according to the present invention,
The control unit may start the vibration of the vibration unit after a first time has elapsed since the cleaning liquid was supplied from the supply unit.
本発明による基板洗浄装置は、
前記供給体は、前記洗浄液を流出するための流出口を有し、
前記流出口を前記基板と反対側の方向に向ける方向変更部をさらに備えてもよい。
The substrate cleaning apparatus according to the present invention comprises:
The supply body has an outlet for flowing out the cleaning liquid,
You may further provide the direction change part which orient | assigns the said outflow port to the direction on the opposite side to the said board | substrate.
本発明による基板洗浄装置において、
前記供給体は、前記基板へ洗浄液を吐出させるための流出口と、前記流出口へと前記洗浄液を案内する案内部と、前記供給部から供給された洗浄液を前記案内部内に流入させる流入口と、を有し、
前記案内部は導電性樹脂材料からなるとともにアースに接続されてもよい。
In the substrate cleaning apparatus according to the present invention,
The supply body includes an outlet for discharging the cleaning liquid to the substrate, a guide part for guiding the cleaning liquid to the outlet, and an inlet for allowing the cleaning liquid supplied from the supply part to flow into the guide part. Have
The guide portion may be made of a conductive resin material and connected to ground.
本発明の供給体は、振動部に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む膨張部又は案内管が設けられている。このため、供給部から供給された洗浄液の振動対応位置の通過を効率よく行うことができる。したがって、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部が振動する状態が発生することを効率よく未然に防止することができる。 The supply body of the present invention is provided with an expansion portion or a guide tube into which the cleaning liquid flows after passing through the vibration corresponding position corresponding to the vibration portion. For this reason, the cleaning liquid supplied from the supply unit can be efficiently passed through the vibration corresponding position. Therefore, it is possible to efficiently prevent the occurrence of a state in which the vibration part vibrates in a state where there is no cleaning liquid (so-called emptying state).
第１の実施の形態
《構成》
以下、本発明に係る基板洗浄装置を有する基板処理装置の第１の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図１０及び図１９（ａ）は本発明の実施の形態を説明するための図である。
First Embodiment << Configuration >>
Hereinafter, a first embodiment of a substrate processing apparatus having a substrate cleaning apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. Here, FIG. 1 thru | or FIG. 10 and FIG. 19 (a) are the figures for demonstrating embodiment of this invention.
図１に示すように、基板処理装置は、略矩形状のハウジング１１０と、多数の基板Ｗをストックする基板カセットが載置されるロードポート１１２と、を有している。ロードポート１１２は、ハウジング１１０に隣接して配置されている。ロードポート１１２には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができる。ＳＭＩＦポッド、ＦＯＵＰは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。基板Ｗとしては、例えば半導体ウェハ等を挙げることができる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus includes a substantially rectangular housing 110 and a load port 112 on which a substrate cassette that stocks a large number of substrates W is placed. The load port 112 is disposed adjacent to the housing 110. The load port 112 can be equipped with an open cassette, a SMIF (Standard Mechanical Interface) pod, or a FOUP (Front Opening Unified Pod). SMIF pods and FOUPs are sealed containers that can maintain an environment independent of the external space by accommodating a substrate cassette inside and covering with a partition wall. An example of the substrate W is a semiconductor wafer.
ハウジング１１０の内部には、複数（図１に示す態様では４つ）の研磨ユニット１１４ａ〜１１４ｄと、研磨後の基板Ｗを洗浄する第１洗浄ユニット１１６及び第２洗浄ユニット１１８と、洗浄後の基板Ｗを乾燥させる乾燥ユニット１２０とが収容されている。研磨ユニット１１４ａ〜１１４ｄは、基板処理装置の長手方向に沿って配列され、洗浄ユニット１１６、１１８及び乾燥ユニット１２０も基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。本実施の形態の基板処理装置によれば、直径３００ｍｍ又は４５０ｍｍの半導体ウエハ、フラットパネル、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）やＣＣＤ（Charge Coupled Device）等のイメージセンサ、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）における磁性膜の製造工程において、種々の基板Ｗを、研磨処理することができる。 Inside the housing 110, a plurality of (four in the embodiment shown in FIG. 1) polishing units 114a to 114d, a first cleaning unit 116 and a second cleaning unit 118 for cleaning the polished substrate W, and a post-cleaning unit A drying unit 120 for drying the substrate W is accommodated. The polishing units 114a to 114d are arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus, and the cleaning units 116 and 118 and the drying unit 120 are also arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus. According to the substrate processing apparatus of the present embodiment, in a semiconductor wafer having a diameter of 300 mm or 450 mm, a flat panel, an image sensor such as a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) or a CCD (Charge Coupled Device), or an MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). In the magnetic film manufacturing process, various substrates W can be polished.
ロードポート１１２、ロードポート１１２側に位置する研磨ユニット１１４ａ及び乾燥ユニット１２０に囲まれた領域には、第１搬送ロボット１２２が配置されている。また、研磨ユニット１１４ａ〜１１４ｄ並びに洗浄ユニット１１６、１１８及び乾燥ユニット１２０と平行に、搬送ユニット１２４が配置されている。第１搬送ロボット１２２は、研磨前の基板Ｗをロードポート１１２から受け取って搬送ユニット１２４に受け渡したり、乾燥ユニット１２０から取り出された乾燥後の基板Ｗを搬送ユニット１２４から受け取ったりする。 In the region surrounded by the load port 112, the polishing unit 114a located on the load port 112 side, and the drying unit 120, the first transfer robot 122 is arranged. Further, a transport unit 124 is arranged in parallel with the polishing units 114a to 114d, the cleaning units 116 and 118, and the drying unit 120. The first transfer robot 122 receives the substrate W before polishing from the load port 112 and transfers it to the transfer unit 124, or receives the dried substrate W taken out from the drying unit 120 from the transfer unit 124.
第１洗浄ユニット１１６と第２洗浄ユニット１１８との間に、これら第１洗浄ユニット１１６と第２洗浄ユニット１１８の間で基板Ｗの受け渡しを行う第２搬送ロボット１２６が配置され、第２洗浄ユニット１１８と乾燥ユニット１２０との間に、これら第２洗浄ユニット１１８と乾燥ユニット１２０の間で基板Ｗの受け渡しを行う第３搬送ロボット１２８が配置されている。さらに、ハウジング１１０の内部には、基板処理装置の各機器の動きを制御する制御部５０が配置されている。本実施の形態では、ハウジング１１０の内部に制御部５０が配置されている態様を用いて説明するが、これに限られることはなく、ハウジング１１０の外部に制御部５０が配置されてもよい。 Between the first cleaning unit 116 and the second cleaning unit 118, a second transfer robot 126 for transferring the substrate W between the first cleaning unit 116 and the second cleaning unit 118 is disposed, and the second cleaning unit. Between the second cleaning unit 118 and the drying unit 120, a third transfer robot 128 that transfers the substrate W between the second cleaning unit 118 and the drying unit 120 is disposed. Furthermore, a control unit 50 that controls the movement of each device of the substrate processing apparatus is disposed inside the housing 110. In the present embodiment, description will be made using an aspect in which the control unit 50 is disposed inside the housing 110, but the present invention is not limited to this, and the control unit 50 may be disposed outside the housing 110.
第１洗浄ユニット１１６として、洗浄液の存在下で、基板Ｗの直径のほぼ全長にわたって直線状に延びるロール洗浄部材１１６ａ，１１６ｂを接触させ、基板Ｗに平行な中心軸周りに自転させながら基板Ｗの表面をスクラブ洗浄するロール洗浄装置が使用されてもよい（図９参照）。また、第２洗浄ユニット１１８として、洗浄液の存在下で、鉛直方向に延びる円柱状のペンシル洗浄部材１１８ａの下端接触面を接触させ、ペンシル洗浄部材１１８ａを自転させながら一方向に向けて移動させて、基板Ｗの表面をスクラブ洗浄するペンシル洗浄装置が使用されてもよい（図１０参照）。また、乾燥ユニット１２０として、水平に回転する基板Ｗに向けて、移動する噴射ノズルからＩＰＡ蒸気を噴出して基板Ｗを乾燥させ、さらに基板Ｗを高速で回転させて遠心力によって基板Ｗを乾燥させるスピン乾燥ユニットが使用されてもよい。 As the first cleaning unit 116, in the presence of the cleaning liquid, roll cleaning members 116a and 116b extending linearly over almost the entire length of the substrate W are brought into contact with each other, and the substrate W is rotated while rotating around a central axis parallel to the substrate W. A roll cleaning device that scrubs the surface may be used (see FIG. 9). Further, as the second cleaning unit 118, in the presence of the cleaning liquid, the lower end contact surface of the cylindrical pencil cleaning member 118a extending in the vertical direction is brought into contact, and the pencil cleaning member 118a is moved in one direction while rotating. A pencil cleaning apparatus for scrub cleaning the surface of the substrate W may be used (see FIG. 10). Further, as the drying unit 120, IPA vapor is ejected from the moving spray nozzle toward the horizontally rotating substrate W to dry the substrate W, and the substrate W is rotated at high speed to dry the substrate W by centrifugal force. A spin drying unit may be used.
なお、第１洗浄ユニット１１６としてロール洗浄装置ではなく、第２洗浄ユニット１１８と同様のペンシル洗浄装置を使用したり、二流体ジェットにより基板Ｗの表面を洗浄する二流体ジェット洗浄装置を使用したりしてもよい。また、第２洗浄ユニット１１８としてペンシル洗浄装置ではなく、第１洗浄ユニット１１６と同様のロール洗浄装置を使用したり、二流体ジェットにより基板Ｗの表面を洗浄する二流体ジェット洗浄装置を使用したりしてもよい。本発明の実施の形態の基板洗浄装置は、第１洗浄ユニット１１６にも第２洗浄ユニット１１８にも適用でき、ロール洗浄装置、ペンシル洗浄装置、及び／又は、二流体ジェット洗浄装置とともに用いることもできる。一例としては、図９で示すように、本実施の形態による供給体３０（後述する）は、基板Ｗの第一表面（図９の上面）及び第二表面（図９の下面）を洗浄するロール洗浄部材１１６ａ，１１６ｂ及び洗浄液を供給するノズル１１７とともに用いられてもよい。また、別の例としては、図１０で示すように、本実施の形態による供給体３０は、基板Ｗの第一表面（図１０の上面）を洗浄するペンシル洗浄部材１１８ａ及び二流体ジェット洗浄部１１８ｂ並びに洗浄液を供給するノズル１１７とともに用いられてもよい。 The first cleaning unit 116 is not a roll cleaning device but a pencil cleaning device similar to the second cleaning unit 118, or a two-fluid jet cleaning device that cleans the surface of the substrate W with a two-fluid jet. May be. Also, the second cleaning unit 118 is not a pencil cleaning device, but a roll cleaning device similar to the first cleaning unit 116, or a two-fluid jet cleaning device that cleans the surface of the substrate W with a two-fluid jet. May be. The substrate cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention can be applied to both the first cleaning unit 116 and the second cleaning unit 118, and may be used together with a roll cleaning apparatus, a pencil cleaning apparatus, and / or a two-fluid jet cleaning apparatus. it can. As an example, as shown in FIG. 9, the supply body 30 (described later) according to the present embodiment cleans the first surface (upper surface in FIG. 9) and the second surface (lower surface in FIG. 9) of the substrate W. It may be used together with the roll cleaning members 116a and 116b and the nozzle 117 for supplying the cleaning liquid. As another example, as shown in FIG. 10, the supply body 30 according to the present embodiment includes a pencil cleaning member 118a and a two-fluid jet cleaning unit for cleaning the first surface (the upper surface in FIG. 10) of the substrate W. 118b as well as a nozzle 117 for supplying a cleaning liquid may be used.
本実施の形態の洗浄液には、純水（ＤＩＷ）等のリンス液と、アンモニア過酸化水素（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素（ＳＣ２）、硫酸過酸化水素（ＳＰＭ）、硫酸加水、フッ酸等の薬液が含まれている。本実施の形態で特に断りのない限り、洗浄液は、リンス液又は薬液のいずれかを意味している。 The cleaning liquid of this embodiment includes a rinse liquid such as pure water (DIW), ammonia hydrogen peroxide (SC1), hydrochloric acid hydrogen peroxide (SC2), sulfuric acid hydrogen peroxide (SPM), sulfuric acid, hydrofluoric acid, and the like. Contains chemicals. Unless otherwise specified in the present embodiment, the cleaning liquid means either a rinse liquid or a chemical liquid.
図２及び図３に示すように、本発明の実施の形態による基板洗浄装置は、基板Ｗを支持（保持）するチャック等の基板支持部７０と、基板支持部７０によって支持された基板Ｗを回転させる回転部６０とを有している。そして、これら基板支持部７０及び回転部６０によって基板回転機構が構成されている。図２及び図３に示す態様では、基板支持部７０が２つだけ示されているが、上方から見たときに、本実施の形態では４つの基板支持部７０が均等に（回転中心を中心として９０°の角度で）配置されている。なお、基板支持部７０の数は、基板Ｗを安定的に支持できればよく、例えば３つとしてもよい。なお、基板Ｗを支持する基板支持部７０としては、スピンドル等も用いることができる。このようなスピンドルを用いた場合には、基板Ｗは回転されつつ支持されることになり、スピンドルが回転部としての機能も果たすことになる。なお、図２及び図３では、水平方向に基板Ｗを支持した例を示したが、これに限定されず、例えば、縦方向（鉛直方向）又は斜め方向に基板Ｗを支持する構成としてもよい。基板Ｗの回転方向や回転数は制御部５０に制御される。基板Ｗの回転数は一定でもよいし可変であってもよい。 As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention includes a substrate support unit 70 such as a chuck that supports (holds) the substrate W, and a substrate W supported by the substrate support unit 70. And a rotating unit 60 for rotating. The substrate support unit 70 and the rotation unit 60 constitute a substrate rotation mechanism. 2 and 3, only two substrate support portions 70 are shown. However, when viewed from above, in this embodiment, the four substrate support portions 70 are equally (centered on the center of rotation). At an angle of 90 °). In addition, the number of the board | substrate support parts 70 should just be able to support the board | substrate W stably, for example, is good also as three. A spindle or the like can also be used as the substrate support portion 70 that supports the substrate W. When such a spindle is used, the substrate W is supported while being rotated, and the spindle also functions as a rotating part. 2 and 3 show an example in which the substrate W is supported in the horizontal direction. However, the present invention is not limited to this. For example, the substrate W may be supported in the vertical direction (vertical direction) or in an oblique direction. . The controller 50 controls the rotation direction and the number of rotations of the substrate W. The rotation speed of the substrate W may be constant or variable.
図２及び図３に示すように、供給体３０は、供給管１５を介して供給部１０に連結されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the supply body 30 is connected to the supply unit 10 via the supply pipe 15.
図２に示すように、供給体３０は、揺動部４０によって保持されてもよい。揺動部４０は、基板Ｗの法線に直交する方向に延びた第一延在部４１と、第一延在部４１の基端側に連結され、基板Ｗの法線方向に延びた第二延在部４２（図６参照）と、を有してもよい。そして、第一延在部４１の先端部に供給体３０が連結されてもよい。なお、本実施の形態における「基板Ｗの法線方向に延びた」とは、「基板Ｗの法線方向の成分」を含んで延びていれば足り、「基板Ｗの法線方向」から傾斜していてもよい。また、揺動部４０は、例えばアクチュエータ（図示せず）によって基板Ｗの法線方向（図２の上下方向）に沿って移動可能となってもよい。 As shown in FIG. 2, the supply body 30 may be held by the swinging unit 40. The oscillating portion 40 is connected to a first extending portion 41 extending in a direction orthogonal to the normal line of the substrate W, and a base end side of the first extending portion 41, and extends in the normal direction of the substrate W. And two extending portions 42 (see FIG. 6). Then, the supply body 30 may be connected to the tip end portion of the first extension portion 41. The term “extended in the normal direction of the substrate W” in the present embodiment is sufficient if it includes the “component in the normal direction of the substrate W”, and is inclined from the “normal direction of the substrate W”. You may do it. Further, the oscillating portion 40 may be movable along the normal direction (vertical direction in FIG. 2) of the substrate W by an actuator (not shown), for example.
図３に示すように、供給体３０を基板Ｗの法線方向に直交する面内（図３の左右及び紙面の表裏方向）で例えばスライドすることで移動可能に保持する供給体保持部４５が設けられてもよい。供給管１５は可塑性を有していてもよく、供給体３０が移動する際に追従するようになってもよい。供給体保持部４５は、例えばアクチュエータ（図示せず）によって基板Ｗの法線方向（図３の上下方向）に沿って移動可能となってもよい。 As shown in FIG. 3, there is a supply body holding portion 45 that holds the supply body 30 so as to be movable by sliding, for example, in a plane orthogonal to the normal line direction of the substrate W (left and right in FIG. It may be provided. The supply pipe 15 may have plasticity, and may follow when the supply body 30 moves. The supply body holding part 45 may be movable along the normal direction (vertical direction in FIG. 3) of the substrate W by, for example, an actuator (not shown).
洗浄液や超音波洗浄液が飛散するのを防止するために、基板支持部７０の外側にあって基板Ｗの周囲を覆い、基板Ｗと同期して回転する回転カップ（図示せず）を設けてもよい。 In order to prevent the cleaning liquid and the ultrasonic cleaning liquid from splashing, a rotating cup (not shown) that is outside the substrate support portion 70 and covers the periphery of the substrate W and rotates in synchronization with the substrate W may be provided. Good.
図２及び図３に示すように、基板洗浄装置は、洗浄液を供給する供給部１０と、供給部１０から供給された洗浄液を基板Ｗに供給する供給体３０と、供給体３０内に設けられ、供給部１０から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部２０と、を有している。 As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate cleaning apparatus is provided in the supply body 10, a supply section 10 that supplies a cleaning liquid, a supply body 30 that supplies the cleaning liquid supplied from the supply section 10 to the substrate W, and the supply body 30. And a vibration unit 20 that applies ultrasonic vibration to the cleaning liquid supplied from the supply unit 10.
図４及び図５に示すように、供給体３０は、本体部３１と、基板Ｗへ洗浄液を吐出させるための流出口３４と、流出口３４へと洗浄液を案内する案内部３２と、供給部１０から供給された洗浄液を案内部３２内に流入させる流入口３３と、を有している。なお、本体部３１の内壁によって案内部３２が形成されている。本実施の形態では、案内部３２が、振動部２０に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む膨張部３５を有している。本実施の形態における「振動対応位置」とは、振動部２０と対向している位置であり、図４を用いて説明すると、振動部２０の下方に位置する領域である。本実施の形態における「膨張部３５」とは、案内部３２における他の部分よりも外方側に向かって膨張した部分であり、例えば、流出口３４又はその近辺における案内部３２の横断面積よりも大きな横断面積を有している部分のことを意味している。 As shown in FIGS. 4 and 5, the supply body 30 includes a main body 31, an outflow port 34 for discharging the cleaning liquid to the substrate W, a guide unit 32 for guiding the cleaning liquid to the outflow port 34, and a supply unit. And an inlet 33 through which the cleaning liquid supplied from 10 flows into the guide portion 32. A guide portion 32 is formed by the inner wall of the main body portion 31. In the present embodiment, the guide part 32 has an expansion part 35 into which the cleaning liquid after passing through the vibration corresponding position corresponding to the vibration part 20 flows. The “vibration corresponding position” in the present embodiment is a position facing the vibration unit 20, and is an area located below the vibration unit 20 when described with reference to FIG. 4. The “expanding portion 35” in the present embodiment is a portion that expands outward from the other portions of the guide portion 32. For example, from the cross-sectional area of the guide portion 32 at or near the outflow port 34 Means a portion having a large cross-sectional area.
図４及び図５に流入口３３と対向する反対側の面において外方側に向かって膨張した膨張部３５が設けられてもよい。また、図５に示すように、膨張部３５は流入口３３を含む面でも膨張していてもよく、流入口３３と対向する反対側の面及び流入口３３を含む面を含む周縁面全体が外方側に向かって膨張していてもよい。また、図４に示すように、流入口３３を含む面は膨張しておらず、流入口３３側の面が膨張していなくてもよい。なお、「流入口３３側の面」とは、平面図（図４の上方側から見た場合）において、案内部３２の中心よりも流入口３３側に位置する面のことを意味している。 In FIG. 4 and FIG. 5, an inflating portion 35 that inflates outward may be provided on the opposite surface facing the inflow port 33. Further, as shown in FIG. 5, the inflating portion 35 may be a surface including the inflow port 33 or may be inflated, and the entire peripheral surface including the surface opposite to the inflow port 33 and the surface including the inflow port 33 is formed. You may be expanding toward the outward side. Moreover, as shown in FIG. 4, the surface including the inflow port 33 is not expanded, and the surface on the inflow port 33 side may not be expanded. The “surface on the inlet 33 side” means a surface located on the inlet 33 side of the center of the guide portion 32 in a plan view (when viewed from the upper side in FIG. 4). .
前述した制御部５０は、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、供給部１０から洗浄液を供給させるようになっていてもよい。また、この態様の代わりに又はこの態様を用いつつ、制御部５０は、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、流出口３４を基板Ｗと反対側の方向に向けるように方向変更部５５（後述する）を制御してもよい（図６（ｄ）参照）。なお、「基板Ｗと反対側の方向」とは、基板Ｗと反対側に向かう成分を含んでいればよく、図６（ｄ）を用いて説明すると図６（ｄ）において上方側の成分を含んでいればよい。 Prior to supplying the cleaning liquid to the substrate W, the control unit 50 described above may supply the cleaning liquid from the supply unit 10. Further, instead of or using this mode, the control unit 50 prior to supplying the cleaning liquid to the substrate W, the direction changing unit 55 ( May be controlled (see FIG. 6D). Note that the “direction opposite to the substrate W” only needs to include a component toward the opposite side of the substrate W, and the upper component in FIG. 6D will be described with reference to FIG. It only has to be included.
本実施の形態では、供給体３０が主に一つだけ用いられる態様を用いて説明するが、これに限られることはなく、供給体３０は複数設けられてもよい。 In the present embodiment, description will be made using an embodiment in which only one supply body 30 is mainly used. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of supply bodies 30 may be provided.
振動部２０によって発生される超音波振動は洗浄液に案内部３２又は閉鎖部３６（図１９（ａ）参照）を介して又は直接付与されることになる。図４及び図５に示される態様では、振動部２０が案内部３２に当接して設けられ、振動部２０によって発生される超音波振動は案内部３２を介して洗浄液に付与されるようになっている。他方、図１９（ａ）に示される態様では、振動部２０が閉鎖部３６に当接して設けられ、振動部２０によって発生される超音波振動は閉鎖部３６を介して洗浄液に付与されるようになっている。 The ultrasonic vibration generated by the vibration unit 20 is applied to the cleaning liquid via the guide unit 32 or the closing unit 36 (see FIG. 19A) or directly. 4 and 5, the vibration unit 20 is provided in contact with the guide unit 32, and the ultrasonic vibration generated by the vibration unit 20 is applied to the cleaning liquid via the guide unit 32. ing. On the other hand, in the embodiment shown in FIG. 19A, the vibration part 20 is provided in contact with the closing part 36, and the ultrasonic vibration generated by the vibration part 20 is applied to the cleaning liquid via the closing part 36. It has become.
案内部３２の材料としては例えば石英、ステンレス、サファイア、PTFE、PEEK、炭素含有樹脂等を用いることができる。とりわけ、石英及びサファイアは、超音波振動をより減衰させにくい材料となっている。このため、このような石英又はサファイアを用いることで、洗浄液に加えられた超音波振動が減衰されることを防止することができる。また、閉鎖部３６は、Ｔａ、石英、PTFE、PEEK、炭素含有樹脂（C-PTFE、C-PEEK等）又はサファイアを含む材料から形成されてもよく、より具体的には、閉鎖部３６は、Ｔａ、石英、PTFE,PEEK、炭素含有樹脂（C-PTFE、C-PEEK等）又はサファイアから形成されてもよい。 For example, quartz, stainless steel, sapphire, PTFE, PEEK, carbon-containing resin, or the like can be used as the material of the guide portion 32. In particular, quartz and sapphire are materials that are less likely to attenuate ultrasonic vibration. For this reason, by using such quartz or sapphire, it is possible to prevent the ultrasonic vibration applied to the cleaning liquid from being attenuated. Further, the closing portion 36 may be formed of a material including Ta, quartz, PTFE, PEEK, carbon-containing resin (C-PTFE, C-PEEK, etc.) or sapphire. , Ta, quartz, PTFE, PEEK, carbon-containing resin (C-PTFE, C-PEEK, etc.) or sapphire.
特に、案内部３２が樹脂材料からなり、案内部３２内を流れる洗浄液の流量が多くなるような場合には、洗浄液と案内部３２との間の接触に起因して帯電を引き起こしてしまうことがある。そして、このような帯電が生じた案内部３２の先端を基板Ｗに接近させると、案内部３２における帯電の影響で、空間を経て基板Ｗの表面も帯電してしまうおそれがある。そこで、案内部３２の樹脂材料として、C-PTFE、C-PEEK等の炭素含有樹脂（導電性樹脂材料）を採用し、案内部３２を揺動部４０等を介してアースに接続することが有益である。このような態様を採用することで、洗浄液と案内部３２との間の接触に起因して帯電した電気を逃がすことができ、案内部３２の先端付近で帯電が起こりにくくすることができ、ひいては基板Ｗが帯電することをより確実に回避できるためである。 In particular, when the guide portion 32 is made of a resin material and the flow rate of the cleaning liquid flowing in the guide portion 32 is increased, charging may be caused due to contact between the cleaning liquid and the guide portion 32. is there. Then, when the tip of the guide part 32 in which such charging has occurred is brought close to the substrate W, the surface of the substrate W may be charged through the space due to the influence of charging in the guide part 32. Therefore, a carbon-containing resin (conductive resin material) such as C-PTFE or C-PEEK is adopted as the resin material of the guide portion 32, and the guide portion 32 is connected to the ground via the swinging portion 40 or the like. It is beneficial. By adopting such a mode, it is possible to release the electricity charged due to the contact between the cleaning liquid and the guide part 32, and it is possible to make charging less likely to occur near the tip of the guide part 32. This is because the substrate W can be more reliably avoided from being charged.
なお、閉鎖部３６が用いられる場合には、案内部３２のうち閉鎖部３６に対向する位置は開口しており、当該開口が閉鎖部３６で完全に覆われることになる。なお、閉鎖部３６と案内部３２を構成する壁面の外面（本体部３１）との間にはＯリング等のシール部材が設けられていてもよい。一例としては、開口よりも大きなＯリング等のシール部材が設けられ、このシール部材が閉鎖部３６と案内部３２を構成する壁面の外面（本体部３１）との間で挟持されてもよい。 In addition, when the closing part 36 is used, the position which opposes the closing part 36 among the guide parts 32 is opened, and the said opening is completely covered with the closing part 36. A sealing member such as an O-ring may be provided between the closing portion 36 and the outer surface (main body portion 31) of the wall surface that constitutes the guide portion 32. As an example, a sealing member such as an O-ring larger than the opening may be provided, and this sealing member may be sandwiched between the closing portion 36 and the outer surface (main body portion 31) of the wall surface constituting the guide portion 32.
図６（ａ）−（ｆ）に示すように、流出口３４の角度を変えることができる方向変更部５５が設けられてもよい。この方向変更部５５によって、供給体３０が基板Ｗに対して傾斜可能となって流出口３４の基板Ｗに対する角度を自在に変えることができてもよいし、流出口３４を基板Ｗと反対側の方向に向けることができるようになってもよい（図６（ｂ）−（ｄ）参照）。また、図６（ｅ）（ｆ）に示すように、基板Ｗの中心部側に流出口３４を向けることができるようになってもよいし、基板Ｗの周縁部側に流出口３４を向けることができるようになってもよい。 As shown in FIGS. 6A to 6F, a direction changing portion 55 that can change the angle of the outlet 34 may be provided. The direction changing unit 55 may tilt the supply body 30 with respect to the substrate W so that the angle of the outlet 34 with respect to the substrate W can be freely changed. (See FIGS. 6B to 6D). Further, as shown in FIGS. 6E and 6F, the outlet 34 may be directed toward the center of the substrate W, or the outlet 34 is directed toward the peripheral edge of the substrate W. You may be able to.
例えば基板Ｗ上に洗浄液を貯めたい場合には、基板Ｗの回転方向と逆側に向かって洗浄液を供給するような角度で供給体３０が基板Ｗに対して傾斜すればよい。他方、例えば抵抗を加えることなく基板Ｗ上に洗浄液を供給したい場合には、基板Ｗの回転方向に沿って洗浄液を供給するような角度で供給体３０が基板Ｗに対して傾斜すればよい。なお、供給体３０の基板Ｗに対する角度は、手動で変更されてもよいし、制御部５０からの信号を受けて自動で変更されてもよい。制御部５０からの信号を受けて自動で変更される場合には、供給体３０の保持される角度がレシピに従って順次変更されるようになってもよい。 For example, when it is desired to store the cleaning liquid on the substrate W, the supply body 30 may be inclined with respect to the substrate W at an angle that supplies the cleaning liquid in the direction opposite to the rotation direction of the substrate W. On the other hand, for example, when it is desired to supply the cleaning liquid onto the substrate W without applying resistance, the supply body 30 may be inclined with respect to the substrate W at an angle such that the cleaning liquid is supplied along the rotation direction of the substrate W. Note that the angle of the supply body 30 with respect to the substrate W may be changed manually, or may be automatically changed in response to a signal from the control unit 50. When the signal is automatically changed in response to a signal from the control unit 50, the angle at which the supply body 30 is held may be sequentially changed according to the recipe.
図７に示すように、供給体３０が２つ以上設けられ、基板Ｗの表面及び裏面の両方に洗浄液を供給するようになっていてもよい。このように２つ以上の供給体３０を用いる場合には、図２に示すように揺動部４０が採用されてもよいし、図３に示すように供給体保持部４５が採用されてもよい。このことは他の態様でも同様であり、図４乃至図６及び図８乃至図１０のいずれにおいても、図２に示すように揺動部４０が採用されてもよいし、図３に示すように供給体保持部４５が採用されてもよい。なお、図４乃至図６では、揺動部４０を用いた態様を示しているが、これはあくまでも一例であり、図３に示すような供給体保持部４５を用いてもよい。 As shown in FIG. 7, two or more supply bodies 30 may be provided, and the cleaning liquid may be supplied to both the front surface and the back surface of the substrate W. When two or more supply bodies 30 are used as described above, the swinging section 40 may be employed as shown in FIG. 2, or the supply body holding section 45 may be employed as shown in FIG. Good. This is the same in other aspects. In any of FIGS. 4 to 6 and FIGS. 8 to 10, the swinging portion 40 may be employed as shown in FIG. 2, or as shown in FIG. The supply body holding part 45 may be employed. 4 to 6 show an embodiment using the swinging unit 40, this is merely an example, and a supply body holding unit 45 as shown in FIG. 3 may be used.
制御部５０は、供給体３０の移動速度を、供給体３０が基板Ｗの中心側領域を洗浄するときと比較して、供給体３０が基板Ｗの周縁側領域を洗浄するときに遅くなるに制御してもよい。なお、本実施の形態における「中心側領域」とは「周縁側領域」と比較して用いられており、「周縁側領域」と比較して基板Ｗの中心側に位置する領域のことを意味する。 The controller 50 causes the moving speed of the supply body 30 to be slower when the supply body 30 cleans the peripheral side region of the substrate W than when the supply body 30 cleans the central side region of the substrate W. You may control. The “center side region” in the present embodiment is used in comparison with the “peripheral side region” and means a region located on the center side of the substrate W compared with the “peripheral side region”. To do.
また、制御部５０は、供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間経過後に振動部２０の振動を開始させてもよい。また、制御部５０は、供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間よりも長い第二時間経過後に流出口３４から基板Ｗに対して洗浄液の供給を開始させてもよい。この際、供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間経過後は継続して洗浄液が供給され、第一時間よりも長く第二時間よりも短い第三時間経過後に供給体３０が移動を開始し、供給部１０から洗浄液が供給されてから第二時間経過後に、基板Ｗの周縁部に洗浄液が供給されてもよい。この態様では、その後、基板Ｗの周縁部から中心部に向かって継続して洗浄液が供給され続けることになる。このような態様とは異なり、基板Ｗの周縁部から中心部の上方に流出口３４が移動する間は供給部１０からの洗浄液の供給が停止され、流出口３４が基板Ｗの中心部の上方に位置付けられた後で（第二時間経過後に）、流出口３４から洗浄液が再度吐出されて、基板Ｗの中心部に洗浄液が供給されてもよい。基板Ｗを洗浄している間、第二延在部２２が基板Ｗの中心部から周縁部に向かって移動してもよいし、逆に、第二延在部２２が基板Ｗの周縁部から中心部に向かって移動してもよいし、このような移動が繰り返し行われてもよい。 Further, the control unit 50 may start the vibration of the vibration unit 20 after the first time has elapsed since the cleaning liquid was supplied from the supply unit 10. Further, the control unit 50 may start supplying the cleaning liquid from the outlet 34 to the substrate W after a lapse of a second time longer than the first time after the cleaning liquid is supplied from the supply unit 10. At this time, the cleaning liquid is continuously supplied after the first time has elapsed since the supply of the cleaning liquid from the supply unit 10, and the supply body 30 moves after the third time that is longer than the first time and shorter than the second time. The cleaning liquid may be supplied to the peripheral portion of the substrate W after the second time has elapsed since the cleaning liquid was supplied from the supply unit 10. In this aspect, after that, the cleaning liquid is continuously supplied from the peripheral portion of the substrate W toward the central portion. Unlike such an embodiment, the supply of the cleaning liquid from the supply unit 10 is stopped while the outflow port 34 moves from the peripheral portion of the substrate W to above the central portion, and the outflow port 34 is above the central portion of the substrate W. After the second position is positioned (after the second time elapses), the cleaning liquid may be discharged again from the outlet 34 and supplied to the central portion of the substrate W. While the substrate W is being cleaned, the second extending portion 22 may move from the central portion of the substrate W toward the peripheral portion, and conversely, the second extending portion 22 is moved from the peripheral portion of the substrate W. It may move toward the center, or such movement may be repeated.
なお、洗浄液を基板Ｗに供給する場合に、当該洗浄液に対して超音波振動が必ずしも常に与えられる分けではない。基板Ｗの上面に洗浄液の膜を作るための工程等のように洗浄液に超音波振動が与えられない場合には、超音波振動を行うことなく、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立って流出口３４から洗浄液を吐出させることが行われてもよい。 When supplying the cleaning liquid to the substrate W, the vibration is not always applied to the cleaning liquid. When ultrasonic vibration is not applied to the cleaning liquid as in a process for forming a film of the cleaning liquid on the upper surface of the substrate W, the flow is performed before supplying the cleaning liquid to the substrate W without performing ultrasonic vibration. The cleaning liquid may be discharged from the outlet 34.
基板洗浄装置は、図２及び図３に示すように、待機位置にある流出口３４から吐出された洗浄液を回収するための吐出液回収部７５をさらに有してもよい。この吐出液回収部７５は排液回収部（図示せず）に連結されており、回収された洗浄液は排液処理されてもよい。 As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate cleaning apparatus may further include a discharge liquid recovery unit 75 for recovering the cleaning liquid discharged from the outlet 34 at the standby position. The discharge liquid recovery unit 75 is connected to a drainage recovery unit (not shown), and the recovered cleaning liquid may be drained.
図２及び図３における上下方向の両方向矢印で示すように、基板Ｗに洗浄液を供給する際に供給体３０が近接位置に位置付けられ、基板Ｗに洗浄液を供給しないときには供給体３０が離隔位置に位置付けられてもよい。なお、「離隔位置」は、「近接位置」と比較して基板Ｗから基板Ｗの法線方向において遠い位置のことを意味し、逆に、「近接位置」は「離隔位置」と比較して基板Ｗから基板Ｗの法線方向において近い位置のことを意味する。供給体３０は図示しないアクチュエータに連結されており、このアクチュエータによって近接位置及び離隔位置に位置付けられるようになってもよい。 2 and 3, the supply body 30 is positioned at the close position when supplying the cleaning liquid to the substrate W, and the supply body 30 is set at the separated position when the cleaning liquid is not supplied to the substrate W, as indicated by the double arrows in the vertical direction in FIGS. It may be positioned. The “separated position” means a position far from the substrate W in the normal direction of the substrate W compared to the “close position”, and conversely, the “close position” is compared with the “separated position”. This means a position close to the substrate W in the normal direction of the substrate W. The supply body 30 is connected to an actuator (not shown), and may be positioned at a close position and a remote position by the actuator.
なお、基板支持部７０が上下方向に移動可能となり、基板Ｗが供給体３０に対して「離隔位置」及び「近接位置」を取るようになってもよいし、供給体３０及び基板支持部７０の両方が上下方向に移動可能となり、基板Ｗと供給体３０の両方を適宜位置付けることで、「離隔位置」及び「近接位置」を取るようになってもよい。 The substrate support unit 70 may be movable in the vertical direction, and the substrate W may take a “separation position” and a “proximity position” with respect to the supply body 30, or the supply body 30 and the substrate support section 70. Both of them can move in the vertical direction, and the “separation position” and the “proximity position” may be obtained by appropriately positioning both the substrate W and the supply body 30.
特に、案内部３２が石英等の超音波振動を減衰させにくい材料からなる場合であって、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち供給体３０が近接位置に位置付けられる態様を採用した場合には、基板Ｗに洗浄液を供給する際に、基板Ｗに近い位置まで、超音波振動を減衰させにくい材料からなる案内部３２で案内して、洗浄液を基板Ｗに供給することができる。 In particular, when the guide portion 32 is made of a material that hardly attenuates ultrasonic vibrations, such as quartz, and adopts a mode in which the supply body 30 is positioned in the proximity position prior to supplying the cleaning liquid to the substrate W. When supplying the cleaning liquid to the substrate W, the cleaning liquid can be supplied to the substrate W by being guided to the position close to the substrate W by the guide portion 32 made of a material that hardly attenuates the ultrasonic vibration.
また、基板Ｗに対して洗浄液を供給する工程が終了すると、供給体３０は離隔位置に位置付けられてもよい。このように供給体３０を離隔位置に位置付けることで、供給体３０、第一延在部４１又は供給管１５に予期せぬ形で洗浄液やその他の液体等が付着することを防止できる。 Further, when the step of supplying the cleaning liquid to the substrate W is completed, the supply body 30 may be positioned at the separation position. By positioning the supply body 30 in the separated position in this way, it is possible to prevent the cleaning liquid or other liquids from adhering to the supply body 30, the first extending portion 41, or the supply pipe 15 in an unexpected manner.
また、基板Ｗに対して洗浄液を供給する工程が終了すると、供給体３０は待機位置に位置付けられてもよい。そして、供給体３０はこの待機位置において離隔位置に位置付けられてもよい。待機位置とは、例えば基板Ｗの法線方向に供給体３０が位置しない位置を意味し、基板Ｗが水平方向に沿って延在するように配置されている態様では、基板Ｗの上下方向に供給体３０が位置していないことを意味する。待機位置の一例としては、前述した吐出液回収部７５に洗浄液を吐出できる位置を挙げることができる。 Further, when the process of supplying the cleaning liquid to the substrate W is completed, the supply body 30 may be positioned at the standby position. And the supply body 30 may be located in a separation position in this standby position. The standby position means, for example, a position where the supply body 30 is not positioned in the normal direction of the substrate W. In the aspect in which the substrate W is arranged to extend along the horizontal direction, It means that the supply body 30 is not located. As an example of the standby position, a position where the cleaning liquid can be discharged to the discharge liquid recovery unit 75 described above can be given.
基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、供給部１０から洗浄液を供給して、待機位置にある流出口３４から例えば吐出液回収部７５に向かって洗浄液を吐出させる場合には、近接位置に位置付けられてもよい。このように近接位置に位置付けることで、吐出された洗浄液が不用意に飛び散ることを防止できる。 Prior to supplying the cleaning liquid to the substrate W, when the cleaning liquid is supplied from the supply unit 10 and discharged from the outlet 34 at the standby position toward the discharge liquid recovery unit 75, for example, the cleaning liquid is positioned in the proximity position. May be. Positioning at the close position in this way can prevent the discharged cleaning liquid from being inadvertently scattered.
供給体３０は待機位置において離隔位置（上方位置）に位置付けられ、当該待機位置において近接位置（下方位置）に位置付けられてから、基板Ｗの上方で移動されてもよい。このように待機位置において離隔位置に位置付けられることで、供給体３０に予期せぬ形で洗浄液やその他の液体等が付着することをより確実に防止できる。また、待機位置において近接位置（下方位置）に位置付けられてから移動させることで、基板Ｗ上を供給体３０が移動する際に、基板Ｗに近い位置で洗浄液を供給することもでき、基板Ｗを効率よく洗浄することができる。 The supply body 30 may be positioned at the separation position (upper position) at the standby position, and may be moved above the substrate W after being positioned at the proximity position (lower position) at the standby position. By being positioned at the separation position in the standby position in this manner, it is possible to more reliably prevent the cleaning liquid and other liquids from adhering to the supply body 30 in an unexpected manner. Further, when the supply body 30 moves on the substrate W by being moved after being positioned at the proximity position (lower position) in the standby position, the cleaning liquid can be supplied at a position close to the substrate W. Can be efficiently cleaned.
また、供給体３０は待機位置において離隔位置（上方位置）に位置付けられ、その状態で基板Ｗの上方を移動され、基板Ｗの中心に流出口３４が位置付けられた後で、供給体３０が近接位置（下方位置）に位置付けられてもよい。このような態様によれば、基板Ｗの上方を供給体３０が移動する際に、前工程の洗浄液やその他の液体等が供給体３０に付着することを防止することを期待できる。 In addition, the supply body 30 is positioned at the separation position (upper position) in the standby position, moved in the state above the substrate W, and after the outlet 34 is positioned at the center of the substrate W, the supply body 30 approaches. It may be positioned at a position (downward position). According to such an aspect, when the supply body 30 moves over the substrate W, it can be expected to prevent the cleaning liquid or other liquids from the previous step from adhering to the supply body 30.
《作用・効果》
次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果であって、未だ説明していないものを中心に説明する。
《Action ・ Effect》
Next, operations and effects according to the present embodiment having the above-described configuration, which have not been described yet, will be mainly described.
本実施の形態によれば、供給体３０が振動部２０に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む膨張部３５を有している。このため、供給部１０から供給された洗浄液の振動対応位置の通過を効率よく行うことができる。したがって、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部２０が振動する状態が発生することを効率よく未然に防止することができる。 According to the present embodiment, the supply body 30 has the expansion portion 35 into which the cleaning liquid flows after passing through the vibration corresponding position corresponding to the vibration portion 20. For this reason, the cleaning liquid supplied from the supply unit 10 can pass through the vibration corresponding position efficiently. Therefore, it is possible to efficiently prevent the occurrence of a state in which the vibration unit 20 vibrates in a state where there is no cleaning liquid (a so-called emptying state).
図４及び図５に示すように、膨張部３５が、流入口３３と対向する反対側の面において外方側に向かって膨張している態様を採用した場合には、流入口３３から流入された洗浄液の振動対応位置の通過をスムーズに行うことができる。このため、洗浄液が存在しない状態で振動部２０が振動する状態が発生することをより効率よく未然に防止することができる。また、この態様を採用することで、流入口３３から流入された洗浄液の膨張部３５における対流を効率よく形成できる。このため、洗浄液が存在しない状態をさらに効率よく解消できる。 As shown in FIGS. 4 and 5, when adopting a mode in which the expanding portion 35 expands outward on the opposite surface facing the inflow port 33, the inflow portion 35 is introduced from the inflow port 33. It is possible to smoothly pass the cleaning liquid through the vibration corresponding position. For this reason, it can prevent more efficiently beforehand that the state where the vibration part 20 vibrates in the state where the cleaning liquid does not exist is generated. Further, by adopting this mode, it is possible to efficiently form convection of the cleaning liquid flowing in from the inlet 33 in the expansion portion 35. For this reason, the state in which no cleaning liquid is present can be solved more efficiently.
図４に示すように、流入口３３側の面が膨張していない態様を採用した場合には、流入口３３から流入された洗浄液の拡散を抑えつつ、洗浄液を案内部３２内に流し込むことができる。このため、流入口３３から流入された洗浄液の振動対応位置の通過をスムーズに行うことができる。この結果、洗浄液が存在しない状態で振動部２０が振動する状態が発生することをより効率よく未然に防止することができる。 As shown in FIG. 4, in the case where the surface on the inlet 33 side is not expanded, the cleaning liquid can be poured into the guide portion 32 while suppressing the diffusion of the cleaning liquid flowing in from the inlet 33. it can. For this reason, it is possible to smoothly pass the cleaning liquid flowing in from the inlet 33 through the vibration corresponding position. As a result, it is possible to more efficiently prevent the vibration unit 20 from vibrating in the absence of the cleaning liquid.
図４及び図５に示すように、膨張部３５が、流出口３４に向かったテーパー形状３５ａを有していてもよい。このようなテーパー形状３５ａを採用することで、流入口３３から膨張部３５に流れ込んだ洗浄液を膨張部３５で効率よく対流させた後で、流出口３４に向かわせることができる。このため、洗浄液が存在しない空間をより効率よくなくすことができる。 As shown in FIGS. 4 and 5, the expanding portion 35 may have a tapered shape 35 a facing the outlet 34. By adopting such a tapered shape 35a, the cleaning liquid that has flowed into the expansion portion 35 from the inflow port 33 can be efficiently convected by the expansion portion 35 and then directed toward the outflow port 34. For this reason, the space in which no cleaning liquid is present can be eliminated more efficiently.
基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、供給部１０から洗浄液を供給させ、例えば待機位置にある流出口３４から洗浄液を吐出させる態様を採用した場合には、酸素等が入ってしまい洗浄効果の低い洗浄液を排出し、窒素等が入った洗浄効果の高い洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗの洗浄に用いることができる。また、超音波が十分に与えられておらず洗浄効果の高くない洗浄液ではなく、超音波が十分に与えられて高い洗浄効果を有する洗浄液で基板Ｗを洗浄することができる。また、酸素等が入ってしまい超音波が十分に与えられていない洗浄液で基板Ｗを洗浄した場合には、不具合が発生してしまう可能性もあるが、この態様を採用することで、このような不具合の発生を未然に防止することができる。また、基板Ｗの洗浄開始時点から均一な洗浄力の洗浄液で基板Ｗを洗浄することができ、安定した基板洗浄を実現できる。 Prior to supplying the cleaning liquid to the substrate W, when the cleaning liquid is supplied from the supply unit 10 and, for example, the cleaning liquid is discharged from the outlet 34 at the standby position, oxygen or the like enters and the cleaning effect is increased. A low cleaning solution can be discharged, and ultrasonic cleaning can be applied to the cleaning solution having a high cleaning effect containing nitrogen or the like, and used for cleaning the substrate W. In addition, the substrate W can be cleaned with a cleaning liquid that is sufficiently supplied with ultrasonic waves and has a high cleaning effect, rather than a cleaning liquid that is not sufficiently applied with ultrasonic waves and does not have a high cleaning effect. In addition, when the substrate W is cleaned with a cleaning liquid that contains oxygen or the like and is not sufficiently supplied with ultrasonic waves, there is a possibility that a malfunction may occur. Can be prevented from occurring. Further, the substrate W can be cleaned with a cleaning solution having a uniform cleaning power from the start of the cleaning of the substrate W, and stable substrate cleaning can be realized.
供給体３０の移動速度が、流出口３４が基板Ｗの中心側領域を洗浄するときと比較して、流出口３４が基板Ｗの周縁側領域を洗浄するときに遅くなる態様を採用した場合には、基板Ｗの外周側に対して内周側と比較して多くの洗浄液を供給することができる。基板Ｗの外周側において洗浄液で洗浄されるべき面積は、基板Ｗの内周側において洗浄液で洗浄されるべき面積と比較して大きくなっていることから、このような態様を採用することで基板Ｗの単位面積あたりに供給される洗浄液の量を均一なものに近づけることができる。 When the mode in which the moving speed of the supply body 30 becomes slower when the outlet 34 cleans the peripheral side region of the substrate W than when the outlet 34 cleans the central region of the substrate W is adopted. Can supply more cleaning liquid to the outer peripheral side of the substrate W than the inner peripheral side. Since the area to be cleaned with the cleaning liquid on the outer peripheral side of the substrate W is larger than the area to be cleaned with the cleaning liquid on the inner peripheral side of the substrate W, the substrate can be obtained by adopting such an aspect. The amount of the cleaning liquid supplied per unit area of W can be made close to a uniform one.
回転される基板Ｗの中心からの距離をｒとしたときに、当該距離ｒにおける円弧の長さは２πｒとなる。このため、この２πｒに基づいて、供給体３０の移動速度を算出し、当該移動速度に基づいて供給体３０を移動させてもよい。このような態様ではなく、単純に、基板Ｗの中心部から周縁部に向かって移動する間、連続的又は断続的に供給体３０の移動速度を遅くし、逆に、基板Ｗの周縁部から中心部に向かって移動する間、連続的又は断続的に供給体３０の移動速度を速くしてもよい。このような態様によれば、制御が複雑にならない点で有益である。 When the distance from the center of the substrate W to be rotated is r, the length of the arc at the distance r is 2πr. For this reason, the moving speed of the supply body 30 may be calculated based on the 2πr, and the supply body 30 may be moved based on the moving speed. Instead of such a mode, the moving speed of the supply body 30 is simply or intermittently decreased while moving from the center of the substrate W toward the periphery, and conversely, from the periphery of the substrate W. While moving toward the center, the moving speed of the supply body 30 may be increased continuously or intermittently. Such an aspect is advantageous in that the control is not complicated.
供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間経過後に振動部２０の振動を開始させる態様を採用した場合には、洗浄液を流し込んでから振動部２０を振動させるので、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部２０が振動して、振動部２０が破損してしまうことをより確実に防止できる。 When adopting a mode in which the vibration of the vibration unit 20 is started after the first time has elapsed since the cleaning liquid is supplied from the supply unit 10, the vibration unit 20 is vibrated after flowing the cleaning liquid, so that the cleaning liquid is not present ( It can prevent more reliably that the vibration part 20 vibrates in a so-called empty state) and the vibration part 20 is damaged.
一例として、第一時間は例えば０．１秒〜１秒程度である。第一時間に関しては、振動部２０と対向する部分に洗浄液が存在しない状態が防止できればよいので、そこまで長い時間をとる必要はない。 As an example, the first time is, for example, about 0.1 second to 1 second. Regarding the first time, it is only necessary to prevent a state in which the cleaning liquid is not present in the portion facing the vibration unit 20, and therefore it is not necessary to take a long time.
なお、案内部３２内にある洗浄液を吐出液回収部７５等に吐出する際には、振動部２０を振動させなくてもよい。ただ、案内部３２内にある洗浄液を吐出液回収部７５等に吐出する際に振動部２０を予め振動させておくことで、超音波振動が与えられた洗浄液で案内部３２内を予め洗浄することができる点で有益である。また、予め超音波振動を与えることで、案内部３２内の洗浄液に十分な超音波振動を予め与えることができ（十分なエネルギーを蓄えることができ）、基板Ｗに洗浄する際に、最初から十分に洗浄力の高い洗浄液を供給することができる。 When the cleaning liquid in the guide unit 32 is discharged to the discharge liquid recovery unit 75 or the like, the vibration unit 20 may not be vibrated. However, when the cleaning liquid in the guide part 32 is discharged to the discharge liquid recovery part 75 or the like, the inside of the guide part 32 is previously cleaned with the cleaning liquid to which the ultrasonic vibration is applied by vibrating the vibration part 20 in advance. It is beneficial in that it can. In addition, by applying ultrasonic vibration in advance, sufficient ultrasonic vibration can be given in advance to the cleaning liquid in the guide portion 32 (sufficient energy can be stored), and when cleaning the substrate W from the beginning. A cleaning solution having a sufficiently high cleaning power can be supplied.
また、供給部１０から洗浄液が供給されてから、第一時間よりも長い第二時間経過後に流出口３４から基板Ｗに対して洗浄液の供給を開始させる態様を採用した場合には、より確実に、高い洗浄効果を有する洗浄液で基板Ｗを洗浄することができる。なお、第二時間は、一例として、案内部３２内にある洗浄液が全て出る程度の時間である。この第二時間は、案内部３２内の体積と洗浄液が供給される供給速度から算出されてもよいし、実験的に導き出されてもよい。第二時間は例えば１秒〜５秒程度である。 Moreover, when the aspect which starts supply of the washing | cleaning liquid with respect to the board | substrate W from the outflow port 34 after the cleaning liquid is supplied from the supply part 10 after 2 second time longer than 1st time is employ | adopted more reliably. The substrate W can be cleaned with a cleaning liquid having a high cleaning effect. In addition, 2nd time is time when all the washing | cleaning liquid in the guide part 32 comes out as an example. This second time may be calculated from the volume in the guide portion 32 and the supply speed at which the cleaning liquid is supplied, or may be derived experimentally. The second time is, for example, about 1 second to 5 seconds.
待機位置にある流出口３４から吐出された洗浄液を回収するための吐出液回収部７５を設けた態様を採用した場合には、洗浄に用いられない吐出された洗浄液を確実に回収することができる。このため、流出口３４から吐出された洗浄液が跳ね返ってミストとなって、基板Ｗに悪影響を及ぼす可能性を未然に低減できる。 When a mode in which the discharge liquid recovery unit 75 for recovering the cleaning liquid discharged from the outlet 34 at the standby position is employed, the discharged cleaning liquid that is not used for cleaning can be reliably recovered. . For this reason, it is possible to reduce the possibility that the cleaning liquid discharged from the outlet 34 will bounce back to become mist and adversely affect the substrate W.
また、液体及び気体を混合した二流体によって基板Ｗの表面を洗浄する二流体ジェット洗浄装置に本実施の形態の基板洗浄装置が組み込まれた態様では（図１０参照）、例えば、二流体ジェット洗浄工程の前に、本実施の形態の供給体３０によって基板Ｗの洗浄を行ってもよい。このような態様によれば、超音波が与えられた洗浄液のキャビテーション効果によって、基板Ｗに付着した粒子を浮かせたうえで、二流体ジェット洗浄を行うことができる点で有益である。なお、キャビテーション効果とは、超音波により洗浄液に生じた気泡が破裂することにより生じた衝撃波を利用した洗浄効果である。 Further, in the aspect in which the substrate cleaning apparatus of the present embodiment is incorporated in a two-fluid jet cleaning apparatus that cleans the surface of the substrate W with two fluids mixed with liquid and gas (see FIG. 10), for example, two-fluid jet cleaning Before the process, the substrate W may be cleaned by the supply body 30 of the present embodiment. According to such an embodiment, the two-fluid jet cleaning can be performed after the particles attached to the substrate W are floated by the cavitation effect of the cleaning liquid to which ultrasonic waves are applied. The cavitation effect is a cleaning effect using a shock wave generated by the burst of bubbles generated in the cleaning liquid by ultrasonic waves.
変形例
振動部２０は、第一周波数及び第一周波数よりも低い第二周波数で振動して、洗浄液に超音波振動を与える態様となってもよい。また、３つ以上の周波数で洗浄液に超音波振動を与える態様となってもよい。
The modified vibration unit 20 may be configured to vibrate at a first frequency and a second frequency lower than the first frequency to give ultrasonic vibration to the cleaning liquid. In addition, an ultrasonic vibration may be applied to the cleaning liquid at three or more frequencies.
本変形例によれば、異なる周波数で洗浄液に超音波振動を与えることができる。このため、用途に応じて、洗浄液による洗浄力を変えることができる。 According to this modification, ultrasonic vibration can be applied to the cleaning liquid at different frequencies. For this reason, the cleaning power by the cleaning liquid can be changed according to the application.
一つの振動部２０が異なる周波数で振動してもよいが、図８に示すように、振動部２０が、第一周波数で振動する第一振動部２０ａと、第一周波数よりも低い第二周波数で振動する第二振動部２０ｂとを有してもよい。このような態様によれば、簡単な構成で異なる周波数の超音波振動を与えることができる点で有益である。 Although one vibration part 20 may vibrate at a different frequency, as shown in FIG. 8, the vibration part 20 has a first vibration part 20a that vibrates at a first frequency and a second frequency lower than the first frequency. You may have the 2nd vibration part 20b vibrated by. According to such an aspect, it is advantageous in that ultrasonic vibrations having different frequencies can be given with a simple configuration.
図８に示すように、第一振動部２０ａは、この第一振動部２０ａに信号を送る第一発信器２１ａと電気的に接続されてもよい。同様に、第二振動部２０ｂは、この第二振動部２０ｂに信号を送る第二発信器２１ｂと電気的に接続されてもよい。 As shown in FIG. 8, the first vibration unit 20a may be electrically connected to a first transmitter 21a that sends a signal to the first vibration unit 20a. Similarly, the 2nd vibration part 20b may be electrically connected with the 2nd transmitter 21b which sends a signal to this 2nd vibration part 20b.
図８に示す態様では、供給体３０が、筐体３０'によって保持された第一供給体３０ａ及び第二供給体３０ｂを有している。そして、第一供給体３０ａが第一発信器２１ａに接続された第一振動部２０ａを有し、第二供給体３０ｂが第二発信器２１ｂに接続された第二振動部２０ｂを有している。図８に示す態様では、筐体３０'が移動することで、第一供給体３０ａ及び第二供給体３０ｂが移動することになるが、第一供給体３０ａと第二供給体３０ｂとが別々に移動する態様であってもよい。洗浄液が基板Ｗに衝突すると超音波振動が減衰することから、異なる周波数の洗浄液を同時に使用しても、異なる周波数を提供することによる効果はあまり変わらない。このため、異なる周波数の洗浄液を同時に使用することもできる。 In the aspect shown in FIG. 8, the supply body 30 has a first supply body 30a and a second supply body 30b held by a housing 30 ′. And the 1st supply body 30a has the 1st vibration part 20a connected to the 1st transmitter 21a, and the 2nd supply body 30b has the 2nd vibration part 20b connected to the 2nd transmitter 21b. Yes. In the embodiment shown in FIG. 8, the first supply body 30a and the second supply body 30b move as the casing 30 ′ moves, but the first supply body 30a and the second supply body 30b are separated. It may be a mode of moving to. Since the ultrasonic vibration is attenuated when the cleaning liquid collides with the substrate W, even if the cleaning liquids having different frequencies are used at the same time, the effect of providing the different frequencies does not change much. For this reason, cleaning liquids having different frequencies can be used simultaneously.
本実施の形態では、第一周波数が９００ｋＨｚ以上５ＭＨｚ以下となり、第二周波数が９００ｋＨｚ未満となってもよい。９００ｋＨｚ以上の周波数で振動させた場合には、振動幅が小さいので、比較的小さな不純物を除去することができ、またキャビテーションの効果が小さくなるので基板Ｗに加わる負荷を小さくすることができる。他方、９００ｋＨｚ未満の周波数で振動させた場合には、振動幅が大きいので、比較的大きな不純物を除去することができる。第一周波数と第二周波数との差が小さいと効果の差も小さい。このため、一例として、第一周波数と第二周波数との差が５００ｋＨｚ程であってもよく、例えば第一周波数として９５０ｋＨｚを用い、第二周波数として４３０ｋＨｚを用いることもできる。また、これに限られることはなく、例えば第一周波数として９５０ｋＨｚを用い、第二周波数として７５０ｋＨｚを用いることができる。 In the present embodiment, the first frequency may be 900 kHz or more and 5 MHz or less, and the second frequency may be less than 900 kHz. When vibrating at a frequency of 900 kHz or higher, the vibration width is small, so that relatively small impurities can be removed, and the effect of cavitation is reduced, so that the load applied to the substrate W can be reduced. On the other hand, when the vibration is performed at a frequency of less than 900 kHz, the vibration width is large, so that relatively large impurities can be removed. If the difference between the first frequency and the second frequency is small, the difference in effect is also small. For this reason, as an example, the difference between the first frequency and the second frequency may be about 500 kHz. For example, 950 kHz may be used as the first frequency and 430 kHz may be used as the second frequency. Moreover, it is not restricted to this, For example, 950 kHz can be used as a 1st frequency and 750 kHz can be used as a 2nd frequency.
このような態様を採用した場合であって、本実施の形態の基板洗浄装置をペンシル洗浄装置とともに採用した場合には（図１０参照）、（１）第二周波数で洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗを洗浄し、（２）その後で、ペンシル洗浄部材１１８ａを用いて基板Ｗを洗浄し、（３）その後で、第一周波数で洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗを洗浄するようにしてもよい。このような態様によれば、まず、第二周波数で超音波振動を与えられた洗浄液で大きな不純物を除去し、その後でペンシル洗浄部材１１８ａによる洗浄を行い、仕上げとして第一周波数で超音波振動を与えられた洗浄液で小さな不純物を除去することができる。このため、ペンシル洗浄部材１１８ａにかかる負荷を従前と比べて低減することができ、ひいては、ペンシル洗浄部材１１８ａの寿命を長くすることができる。 When such a mode is employed and the substrate cleaning apparatus of the present embodiment is used together with the pencil cleaning apparatus (see FIG. 10), (1) ultrasonic vibration is applied to the cleaning liquid at the second frequency. (2) Thereafter, the substrate W is cleaned using the pencil cleaning member 118a, and (3) the substrate W is then cleaned by applying ultrasonic vibration to the cleaning liquid at the first frequency. It may be. According to such an embodiment, first, large impurities are removed by the cleaning liquid given ultrasonic vibration at the second frequency, and then cleaning is performed by the pencil cleaning member 118a, and ultrasonic vibration is performed at the first frequency as a finish. Small impurities can be removed with a given cleaning solution. For this reason, the load concerning the pencil cleaning member 118a can be reduced as compared with the conventional case, and the life of the pencil cleaning member 118a can be extended.
また、別の態様として、（１）ペンシル洗浄部材１１８ａを用いて基板Ｗを洗浄し、（１）その後で、第二周波数で洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗを洗浄し、（３）その後で、第一周波数で洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗを洗浄するようにしてもよい。このような態様でも、上述したのと同様の理由から、ペンシル洗浄部材１１８ａにかかる負荷を従前と比べて低減することができ、ひいては、ペンシル洗浄部材１１８ａの寿命を長くすることができる。 As another aspect, (1) the substrate W is cleaned using the pencil cleaning member 118a, (1) the substrate W is then cleaned by applying ultrasonic vibration to the cleaning liquid at the second frequency, and (3) Thereafter, the substrate W may be cleaned by applying ultrasonic vibration to the cleaning liquid at the first frequency. Even in such an aspect, for the same reason as described above, the load applied to the pencil cleaning member 118a can be reduced as compared with the conventional case, and the life of the pencil cleaning member 118a can be extended.
第２の実施の形態
次に、図１１乃至図１８及び図１９（ｂ）を用いて、本発明の第２の実施の形態について説明する。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 to 18 and FIG.
第２の実施の形態では、振動部２０に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む案内管３９が設けられている。図１３に示すように、案内管３９にバルブ等の開閉部３８が設けられてもよい。この開閉部３８は、制御部５０からの指令を受けて開閉するようになっていてもよい。一例としては、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、供給部１０から洗浄液を供給させる前に開閉部３８が開状態となり、一定時間（例えば１秒〜数秒）が経過した後で開閉部３８が閉状態となってもよい。 In the second embodiment, a guide tube 39 into which the cleaning liquid after passing through the vibration corresponding position corresponding to the vibration unit 20 flows is provided. As shown in FIG. 13, the guide tube 39 may be provided with an opening / closing part 38 such as a valve. The opening / closing unit 38 may be configured to open / close in response to a command from the control unit 50. As an example, before supplying the cleaning liquid to the substrate W, the opening / closing part 38 is opened before supplying the cleaning liquid from the supply part 10, and after a certain time (for example, 1 second to several seconds) elapses, the opening / closing part 38. May be closed.
案内管３９を通過した洗浄液は吐出液回収部７５（図２及び図３参照）で回収されてもよい。 The cleaning liquid that has passed through the guide tube 39 may be recovered by the discharge liquid recovery unit 75 (see FIGS. 2 and 3).
揺動部４０を採用する場合には、案内管３９の少なくとも一部が第一延在部４１内で延在してもよい（図１５乃至図１８参照）。 When the swinging portion 40 is employed, at least a part of the guide tube 39 may extend in the first extending portion 41 (see FIGS. 15 to 18).
第２の実施の形態において、その他の構成は、第１の実施の形態と略同一の態様となっている。このため、本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。 In the second embodiment, other configurations are substantially the same as those in the first embodiment. For this reason, according to this Embodiment, the effect similar to 1st Embodiment can be acquired.
本実施の形態のように案内管３９を採用した場合にも、第１の実施の形態と同様、供給部１０から供給された洗浄液の振動対応位置の通過を効率よく行うことができる。したがって、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部２０が振動する状態が発生することを効率よく未然に防止することができる。 Even when the guide tube 39 is employed as in the present embodiment, the cleaning liquid supplied from the supply unit 10 can be efficiently passed through the vibration corresponding position as in the first embodiment. Therefore, it is possible to efficiently prevent the occurrence of a state in which the vibration unit 20 vibrates in a state where there is no cleaning liquid (a so-called emptying state).
案内管３９を通過した洗浄液が回収される吐出液回収部７５を採用する場合には、基板Ｗの洗浄に用いない洗浄液を確実に回収できる点で有益である。 When the discharge liquid recovery part 75 that recovers the cleaning liquid that has passed through the guide tube 39 is employed, it is advantageous in that the cleaning liquid that is not used for cleaning the substrate W can be reliably recovered.
図１５乃至図１８に示すように、案内管３９の少なくとも一部が第一延在部４１内で延在する態様を採用した場合には、第一延在部４１内の空間を効率よく利用しつつ、基板Ｗの洗浄に用いない洗浄液を第一延在部４１の基部側に案内できる点で有益である。 As shown in FIGS. 15 to 18, when the mode in which at least a part of the guide tube 39 extends in the first extending portion 41 is adopted, the space in the first extending portion 41 is efficiently used. However, it is advantageous in that a cleaning liquid that is not used for cleaning the substrate W can be guided to the base side of the first extending portion 41.
図１１乃至図１３に示すように、案内管３９は流入口３３に対向する位置に設けられてもよい。つまり、案内管３９が流入口３３と対向する位置に設けられてもよい。この態様を採用した場合には、流入口３３から案内部３２内に流入した洗浄液をスムーズに案内管３９へと導くことができる。 As shown in FIGS. 11 to 13, the guide tube 39 may be provided at a position facing the inflow port 33. That is, the guide tube 39 may be provided at a position facing the inflow port 33. When this aspect is adopted, the cleaning liquid flowing into the guide portion 32 from the inlet 33 can be smoothly guided to the guide tube 39.
また、図１１乃至図１３に示すように、供給管１５及び案内管３９の上端が案内部３２の上端に合致するようにして設けられていてもよい。このような態様を採用することで、振動部２０に対応する振動対応位置において、供給管１５から流入された洗浄液を案内管３９へとスムーズに流し込むことができる。このため、さらに効率よく、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部２０が振動する状態が発生することを防止することができる。 Further, as shown in FIGS. 11 to 13, the upper ends of the supply pipe 15 and the guide pipe 39 may be provided so as to coincide with the upper ends of the guide portions 32. By adopting such a mode, the cleaning liquid flowing in from the supply pipe 15 can be smoothly poured into the guide pipe 39 at the vibration corresponding position corresponding to the vibration unit 20. For this reason, it is possible to more efficiently prevent a state in which the vibration unit 20 vibrates in a state where there is no cleaning liquid (so-called airing state).
図１１及び図１３に示すように、案内管３９は供給管１５が延在する方向と並行に延びてもよいが、図１２に示すように、屈曲する態様となってもよい。図１２では、基板Ｗと反対側（図１２の上方側）に向かって案内管３９が屈曲しているが。これに限られることはなく、基板Ｗ側に向かって案内管３９が屈曲してもよいし、基板Ｗの面方向と平行な方向に案内管３９が屈曲してもよい。なお、案内管３９が上方側に向かって屈曲する態様を採用した場合には、クリーンルーム内の空気等の外気が案内管３９に沿って上方側へと向かって移動するので、振動部２０に対応する振動対応位置に空気等の外気が溜まりにくくなる点で有益である。 As shown in FIGS. 11 and 13, the guide tube 39 may extend in parallel with the direction in which the supply tube 15 extends, but may be bent as shown in FIG. In FIG. 12, the guide tube 39 is bent toward the side opposite to the substrate W (upper side in FIG. 12). The guide tube 39 may be bent toward the substrate W side, or the guide tube 39 may be bent in a direction parallel to the surface direction of the substrate W. When the guide tube 39 is bent upward, outside air such as air in the clean room moves upward along the guide tube 39, so that it corresponds to the vibration unit 20. This is advantageous in that outside air such as air is less likely to accumulate at the vibration corresponding position.
また、図１４に示すように、案内管３９が終端部３９ａを有し、案内管３９内に流入した洗浄液が外方へと流出されないようになっていてもよい。なお、終端部３９ａを有する態様で案内管３９が上方側に向かって屈曲する態様を採用した場合には、終端部３９ａに空気等の外気が溜まることを期待でき、振動部２０に対応する振動対応位置に空気等の外気が溜まりにくくなる点で有益である。 Further, as shown in FIG. 14, the guide tube 39 may have a terminal portion 39a so that the cleaning liquid that has flowed into the guide tube 39 does not flow outward. Note that when the guide tube 39 is bent upward in the form having the end portion 39a, it can be expected that outside air such as air accumulates in the end portion 39a, and the vibration corresponding to the vibration portion 20 is obtained. This is advantageous in that outside air such as air hardly accumulates at the corresponding position.
図１３及び図１５に示すように、バルブ等の開閉部３８が設けられた態様を採用した場合には、基板Ｗに洗浄液を供給する際に開閉部３８を閉状態にすることで、供給部１０から供給された洗浄液の全て又はほぼ全てを基板Ｗに供給することができる点で有益である。また、基板Ｗに洗浄液を供給する前では、開閉部３８を開状態にすることで、案内管３９内に流入した洗浄液をスムーズに流すことができ、仮に振動対応位置に空気等の外気が存在してもスムーズに押し流すことができる点で有益である。 As shown in FIG. 13 and FIG. 15, when an embodiment in which an opening / closing part 38 such as a valve is provided is adopted, the supply part is made by closing the opening / closing part 38 when supplying the cleaning liquid to the substrate W. This is advantageous in that all or almost all of the cleaning liquid supplied from 10 can be supplied to the substrate W. In addition, before supplying the cleaning liquid to the substrate W, the opening / closing portion 38 is opened so that the cleaning liquid flowing into the guide tube 39 can flow smoothly, and there is external air such as air at the vibration corresponding position. However, it is beneficial in that it can be washed away smoothly.
供給管１５及び案内管３９の配置態様は自在に変更することができ、図１６に示すように案内管３９が供給体１０内に埋設されていてもよいし、図１５及び図１７に示すように案内管３９の一部が供給体１０の外方に露出していてもよいし、図１８に示すように供給管１５及び案内管３９の一部が外方に露出していてもよい。 The arrangement of the supply pipe 15 and the guide pipe 39 can be freely changed. The guide pipe 39 may be embedded in the supply body 10 as shown in FIG. 16, or as shown in FIGS. Further, a part of the guide tube 39 may be exposed to the outside of the supply body 10, or a part of the supply tube 15 and the guide tube 39 may be exposed to the outside as shown in FIG.
なお、図１９（ｂ）に示すように、閉鎖部３６が用いられてもよい。この閉鎖部３６を用いる場合には、第１の実施の形態で説明したのと同様、案内部３２のうち閉鎖部３６に対向する位置は開口しており、当該開口が閉鎖部３６で完全に覆われることになる。 In addition, as shown in FIG.19 (b), the closure part 36 may be used. In the case of using the closing portion 36, as described in the first embodiment, the position of the guide portion 32 that faces the closing portion 36 is open, and the opening is completely closed by the closing portion 36. Will be covered.
上述した各実施の形態の記載、変形例及び図面の開示は、特許請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって特許請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。 The description of each embodiment described above, the modified examples, and the disclosure of the drawings are merely examples for explaining the invention described in the claims, and are claimed by the description of the above-described embodiments or the disclosure of the drawings. The invention described in the scope is not limited.
上記では、基板Ｗの表面全体を洗浄する態様を用いて説明したが、これに限られることはなく、例えば、基板Ｗのべベル部を洗浄するベベル洗浄装置、めっき装置に搭載されるスピン乾燥（ＳＲＤ）装置等にも用いることもできる。 In the above description, the entire surface of the substrate W is cleaned. However, the present invention is not limited to this. For example, a bevel cleaning device that cleans the bevel portion of the substrate W, or spin drying mounted on a plating device. It can also be used for (SRD) devices.
１０ 供給部
２０ 振動部
２０ａ 第一振動部
２０ｂ 第二振動部
３０ 供給体
３２ 案内部
３３ 流入口
３４ 流出口
３５ 膨張部
３９ 案内管
４１ 第一延在部
５０ 制御部
５５ 方向変更部
７５ 吐出液回収部
Ｗ 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Supply part 20 Vibration part 20a 1st vibration part 20b 2nd vibration part 30 Supply body 32 Guide part 33 Inlet 34 Outlet 35 Expansion part 39 Guide pipe 41 1st extension part 50 Control part 55 Direction change part 75 Discharge liquid Recovery unit W substrate
Claims (10)
前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
を備え、
前記供給体は、前記振動部に対応する振動対応位置を通過した後の前記洗浄液が流れ込む膨張部を有することを特徴とする基板洗浄装置。 A supply unit for supplying a cleaning liquid;
A supply body for supplying the substrate with the cleaning liquid supplied from the supply unit;
A vibration unit that is provided in the supply body and applies ultrasonic vibration to the cleaning liquid supplied from the supply unit;
With
The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the supply body includes an expansion portion into which the cleaning liquid flows after passing through a vibration corresponding position corresponding to the vibration portion.
前記膨張部は、少なくとも前記流入口と対向する反対側の面において膨張していることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。 The supply body includes an outlet for discharging the cleaning liquid to the substrate, a guide part for guiding the cleaning liquid to the outlet, and an inlet for allowing the cleaning liquid supplied from the supply part to flow into the guide part. Have
The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the expansion portion expands at least on a surface opposite to the inflow port.
前記流入口側の面が膨張していないことを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の基板洗浄装置。 The supply body includes an outlet for discharging the cleaning liquid to the substrate, a guide part for guiding the cleaning liquid to the outlet, and an inlet for allowing the cleaning liquid supplied from the supply part to flow into the guide part. Have
The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the inlet side surface is not expanded.
前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
前記振動部に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む案内管と、を備えたことを特徴とする基板洗浄装置。 A supply unit for supplying a cleaning liquid;
A supply body for supplying the substrate with the cleaning liquid supplied from the supply unit;
A vibration unit that is provided in the supply body and applies ultrasonic vibration to the cleaning liquid supplied from the supply unit;
A substrate cleaning apparatus, comprising: a guide tube into which a cleaning liquid flows after passing through a vibration corresponding position corresponding to the vibration unit.
前記案内管の少なくとも一部は、前記第一延在部内で延在することを特徴とする請求項４又は５のいずれかに記載の基板洗浄装置。 A first extending portion that supports the supply body and that can swing around the base side;
The substrate cleaning apparatus according to claim 4, wherein at least a part of the guide tube extends in the first extending portion.
前記流出口を前記基板と反対側の方向に向ける方向変更部をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。 The supply body has an outlet for flowing out the cleaning liquid,
The substrate cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a direction changing unit that directs the outflow port in a direction opposite to the substrate.
前記案内部は導電性樹脂材料からなるとともにアースに接続されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。 The supply body includes an outlet for discharging the cleaning liquid to the substrate, a guide part for guiding the cleaning liquid to the outlet, and an inlet for allowing the cleaning liquid supplied from the supply part to flow into the guide part. Have
The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the guide portion is made of a conductive resin material and connected to a ground.
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