JP2017194401A - Sensor device, portable equipment, electronic apparatus, and movable body - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sensor device capable of reducing the possibility of a reduction in detection characteristics of a sensor element.SOLUTION: A sensor device 1 comprises: a sensor element 10; an IC chip 60; a substrate 20 having an opening 25; a container 30 having an internal space 35 where the sensor element 10, the IC chip 60 and at least the opening 25 of the substrate 20 are disposed; and a filling member 40 being filled into the internal space 35 and covering the sensor element 10, the IC chip 60 and at least the opening 25 of the substrate 20. The sensor element 10 and the IC chip 60 are disposed so as to mutually have a first gap S1 in the opening 25 in a plan view. The first gap S1 overlaps with a center portion of an inner bottom surface 34 of the container 30 in the plan view. On the inner bottom surface 34, a projection portion 50 projecting at an internal space 35 side is disposed. The projection portion 50 overlaps with the first gap S1 in the plan view.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、センサーデバイス、このセンサーデバイスを備えている携帯機器、電子機器及び移動体に関する。   The present invention relates to a sensor device, a portable device including the sensor device, an electronic device, and a moving object.

従来、センサーデバイスとして、物理量センサーチップと、ICチップと、物理量センサーチップ及びICチップを収容している内部空間を有するパッケージと、パッケージと物理量センサーチップとを接続している第1のワイヤーと、パッケージとICチップとを接続している第2のワイヤーと、を備え、物理量センサーチップ及びICチップは、それぞれ第1のワイヤー及び第2のワイヤーによって内部空間に係留されている構成の物理量センサーが知られている(例えば、特許文献1参照)。
上記物理量センサーは、内部空間にパッケージから少なくとも一部が突出している可撓性配線基板を備え、第1のワイヤー及び第2のワイヤーは、内部空間内において可撓性配線基板に接続されている。
また、上記物理量センサーは、内部空間にゲル状の充填材が充填され、物理量センサーチップ及びICチップが、可撓性配線基板、第1のワイヤー及び第2のワイヤーとともに充填材に覆われている。
Conventionally, as a sensor device, a physical quantity sensor chip, an IC chip, a package having an internal space for housing the physical quantity sensor chip and the IC chip, a first wire connecting the package and the physical quantity sensor chip, A physical quantity sensor having a configuration in which the physical quantity sensor chip and the IC chip are anchored in the internal space by the first wire and the second wire, respectively. It is known (see, for example, Patent Document 1).
The physical quantity sensor includes a flexible wiring board at least partially protruding from the package in the internal space, and the first wire and the second wire are connected to the flexible wiring board in the internal space. .
In the physical quantity sensor, the internal space is filled with a gel-like filler, and the physical quantity sensor chip and the IC chip are covered with the filler together with the flexible wiring board, the first wire, and the second wire. .

特開2016−3994号公報JP-A-2006-3994

上記物理量センサーは、例えば、薄型化を図るために、平面視で可撓性配線基板の開口部内に物理量センサーチップとICチップとを並べて配置した場合、次のような問題がある。
(1)充填材の硬化処理の際の加熱により充填材が収縮し、平面視で内部空間の中央部に相当する物理量センサーチップとICチップとの間の部分に凹み(ヒケ)が生じる。この凹みは、場合によっては物理量センサーチップの検出部(例えば、受圧部)まで回り込む虞がある。
この凹みの回り込みを回避するためには、充填材を多く充填し、物理量センサーチップ上面から充填材上面までの距離を大きくする必要がある。
この充填材の多量の充填により、上記物理量センサーは、物理量センサーチップへの圧力の伝播が阻害され易くなり、検出特性が低下する虞がある。
(2)充填材の真空脱泡の際に、可撓性配線基板、物理量センサーチップ及びICチップと、パッケージの内底面(内側の底面)との間に発生した複数の気泡が、物理量センサーチップとICチップとの間の隙間に集まりながら一体化し、大きな気泡となってパッケージの開口部に向かって上昇することにより、充填材の一部を持ち上げることがある。
更には、上記物理量センサーは、持ち上げられた充填材が、気泡が破裂することによりパッケージの開口部からパッケージの外へ飛び出す虞がある。
以上の結果、上記物理量センサーは、物理センサーチップの計測が難しく若しくは不可能になる虞がある。
The physical quantity sensor has the following problems when the physical quantity sensor chip and the IC chip are arranged side by side in the opening of the flexible wiring board in a plan view in order to reduce the thickness, for example.
(1) The filler shrinks due to heating during the curing process of the filler, and a dent (sink) is generated in a portion between the physical quantity sensor chip and the IC chip corresponding to the central portion of the internal space in plan view. In some cases, the dent may go around to the detection unit (for example, the pressure receiving unit) of the physical quantity sensor chip.
In order to avoid the wraparound of the dent, it is necessary to fill a large amount of the filler and increase the distance from the upper surface of the physical quantity sensor chip to the upper surface of the filler.
Due to the large amount of filling of the filler, the physical quantity sensor is likely to hinder the propagation of pressure to the physical quantity sensor chip, and the detection characteristics may be deteriorated.
(2) During vacuum defoaming of the filler, a plurality of bubbles generated between the flexible wiring board, the physical quantity sensor chip and the IC chip and the inner bottom surface (inner bottom face) of the package are physical quantity sensor chips. A part of the filler may be lifted by being integrated while gathering in a gap between the IC chip and the IC chip, becoming large bubbles and rising toward the opening of the package.
Furthermore, in the physical quantity sensor, there is a risk that the lifted filler may jump out of the package from the opening of the package when the bubbles burst.
As a result, the physical quantity sensor may be difficult or impossible to measure the physical sensor chip.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例にかかるセンサーデバイスは、センサー素子と、ICチップと、開口部を有する基板と、前記センサー素子と、前記ICチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、が配置される内部空間を有する容器と、前記内部空間に充填され、前記センサー素子と、前記ICチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、を覆う充填部材と、を備え、前記センサー素子と前記ICチップとは、平面視で前記開口部内に互いに第1の隙間を有して並んで配置され、前記第1の隙間は、平面視で前記容器の内底面の中央部に重なり、前記内底面には、前記内部空間側に突出する突起部が配置され、前記突起部は、平面視で前記第1の隙間と重なっていることを特徴とする。   Application Example 1 A sensor device according to this application example includes a sensor element, an IC chip, a substrate having an opening, the sensor element, the IC chip, and at least the opening of the substrate. And a filling member that fills the internal space and covers the sensor element, the IC chip, and at least the opening of the substrate, the sensor element and the IC The chips are arranged side by side with a first gap in the opening in a plan view, and the first gap overlaps with a central portion of the inner bottom surface of the container in a plan view. Is characterized in that a protruding portion that protrudes toward the internal space is disposed, and the protruding portion overlaps the first gap in plan view.

本適用例によれば、センサーデバイスは、平面視で第1の隙間と重なっている突起部により、突起部上に充填された充填部材(充填材に相当)が突起部の形状に沿って充填されていることから、例えば、充填部材の硬化処理の際の充填部材の収縮によって、センサー素子(物理量センサーチップに相当)と、ICチップとの間の第1の隙間に生じる凹みを、突起部がない場合よりも小さくすることができる。
これにより、センサーデバイスは、前述したような、充填部材の多量の充填に伴うセンサー素子の検出特性の低下の虞を低減することができる。
According to this application example, the sensor device is filled with the filling member (corresponding to the filling material) filled on the protrusion along the shape of the protrusion by the protrusion overlapping the first gap in plan view. Therefore, for example, a recess formed in the first gap between the sensor element (corresponding to a physical quantity sensor chip) and the IC chip due to the shrinkage of the filling member during the curing process of the filling member is formed as a protrusion. It can be made smaller than when there is no.
Thereby, the sensor device can reduce the possibility that the detection characteristics of the sensor element are deteriorated due to the large amount of filling of the filling member as described above.

[適用例2]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記センサー素子は複数のセンサー素子端部を有し、平面視で前記開口部と前記センサー素子端部との間に、前記ICチップに対向する側の前記センサー素子端部を除いて、第2の隙間を有して配置され、前記ICチップは複数のICチップ端部を有し、平面視で前記開口部と前記ICチップ端部との間に、前記センサー素子に対向する側の前記ICチップ端部を除いて、第3の隙間を有して配置され、前記第1の隙間の距離は、前記第2の隙間の距離及び前記第3の隙間の距離よりも大きいことが好ましい。   Application Example 2 In the sensor device according to the application example described above, the sensor element has a plurality of sensor element end portions, and faces the IC chip between the opening and the sensor element end portions in a plan view. The IC chip has a plurality of IC chip end portions except for the sensor element end portion on the side to be connected, and the opening portion and the IC chip end portion in plan view. The first gap is disposed with a third gap except for the end of the IC chip on the side facing the sensor element. The distance of the first gap is the distance between the second gap and the second gap. It is preferable that the distance is larger than the distance of the third gap.

上記適用例によれば、センサーデバイスは、第1の隙間の距離が、第2の隙間の距離及び第3の隙間の距離よりも大きいことから、例えば、真空脱泡の際に充填部材内において、基板、センサー素子及びICチップと、容器の内底面との間に発生した気泡が、第1の隙間の近傍に集まってくる。
集まってきた気泡は、平面視で第1の隙間と重なるように配置された突起部によって、第1の隙間近傍の充填部材内を通り抜けにくくなることから、一体化し大きな気泡となることが阻害される。
これにより、センサーデバイスは、充填部材が大きな気泡によって持ち上げられ、更に気泡が破裂して容器(パッケージに相当)の外へ飛び出す虞を低減することができる。
According to the application example, since the distance of the first gap is larger than the distance of the second gap and the distance of the third gap, for example, in the filling member during vacuum defoaming Bubbles generated between the substrate, the sensor element, the IC chip, and the inner bottom surface of the container gather near the first gap.
The collected bubbles are difficult to pass through the filling member in the vicinity of the first gap by the protrusions arranged so as to overlap with the first gap in plan view, and thus are prevented from being integrated into a large bubble. The
Thereby, the sensor device can reduce a possibility that the filling member is lifted by a large bubble and the bubble bursts and jumps out of the container (corresponding to the package).

[適用例3]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記内底面から前記突起部の頂点までの距離は、前記内底面から前記センサー素子の前記内底面に対向する底面までの距離よりも小さいことが好ましい。   Application Example 3 In the sensor device according to the application example described above, the distance from the inner bottom surface to the apex of the protrusion is smaller than the distance from the inner bottom surface to the bottom surface facing the inner bottom surface of the sensor element. Is preferred.

上記適用例によれば、センサーデバイスは、内底面から突起部の頂点までの距離が、内底面からセンサー素子の内底面に対向する底面までの距離よりも小さいことから、内底面側から第1の隙間への通路を適度に狭くすることができる。
これにより、センサーデバイスは、例えば、真空脱泡の際に、内底面側から第1の隙間の近傍へ集まってきた気泡が、一体化し大きな気泡となることを阻害することができる。
この結果、センサーデバイスは、気泡によって持ち上げられた充填部材が、気泡の破裂の際に容器の外へ飛び出す虞を低減することができる。
According to the application example, since the distance from the inner bottom surface to the top of the protrusion is smaller than the distance from the inner bottom surface to the bottom surface facing the inner bottom surface of the sensor element, the sensor device has the first from the inner bottom surface side. The passage to the gap can be narrowed appropriately.
Thereby, the sensor device can inhibit, for example, the bubbles gathered from the inner bottom surface to the vicinity of the first gap from being integrated into a large bubble during vacuum defoaming.
As a result, the sensor device can reduce the possibility that the filling member lifted by the bubbles jumps out of the container when the bubbles burst.

[適用例4]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、平面視で前記突起部の外周が、前記第1の隙間を形成する前記センサー素子の前記センサー素子端部及び前記ICチップの前記ICチップ端部の少なくとも一方と交差していることが好ましい。   Application Example 4 In the sensor device according to the application example described above, the outer periphery of the protrusion in plan view forms the first gap, and the sensor element end of the sensor element and the IC chip end of the IC chip. It is preferable to cross at least one of the parts.

上記適用例によれば、センサーデバイスは、平面視で突起部の外周が、第1の隙間を形成するセンサー素子のセンサー素子端部及びICチップのICチップ端部の少なくとも一方と交差していることから、例えば、充填部材の硬化処理に伴って第1の隙間に凹みが生じ、凹みの輪郭が突起部の外周と交差する程度の大きさであれば、平面視で凹みを通して突起部の外周が歪んで見えることになる。
これにより、センサーデバイスは、例えば、画像認識装置などにより、センサー素子の検出特性に影響を及ぼす大きさの凹みを検出することができる。
According to the application example described above, in the sensor device, the outer periphery of the protrusion intersects at least one of the sensor element end of the sensor element and the IC chip end of the IC chip forming the first gap in plan view. Therefore, for example, if a recess is generated in the first gap due to the hardening process of the filling member and the contour of the recess intersects the outer periphery of the protrusion, the outer periphery of the protrusion through the recess in plan view. Will appear distorted.
Thereby, the sensor device can detect a dent having a size that affects the detection characteristics of the sensor element, for example, by an image recognition device or the like.

[適用例5]本適用例にかかるセンサーデバイスは、センサー素子と、ICチップと、開口部を有する基板と、前記センサー素子と、前記ICチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、が配置される内部空間を有する容器と、前記内部空間に充填され、前記センサー素子と、前記ICチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、を覆う充填部材と、を備え、前記センサー素子と前記ICチップとは、平面視で前記開口部内に互いに第1の隙間を有して並んで配置され、前記センサー素子は複数のセンサー素子端部を有し、平面視で前記開口部と前記センサー素子端部との間に、前記ICチップに対向する側の前記センサー素子端部を除いて、第2の隙間を有して配置され、前記ICチップは複数のICチップ端部を有し、平面視で前記開口部と前記ICチップ端部との間に、前記センサー素子に対向する側の前記ICチップ端部を除いて、第3の隙間を有して配置され、前記第2の隙間の距離及び前記第3の隙間の距離の少なくとも一方は、前記第1の隙間の距離よりも大きく、前記容器の内底面には、前記内部空間側に突出する突起部が配置され、前記突起部は、平面視で前記第2の隙間及び前記第3の隙間の内、前記距離が前記第1の隙間よりも大きい少なくとも一方と重なる位置に配置されていることを特徴とする。   Application Example 5 A sensor device according to this application example includes a sensor element, an IC chip, a substrate having an opening, the sensor element, the IC chip, and at least the opening of the substrate. And a filling member that fills the internal space and covers the sensor element, the IC chip, and at least the opening of the substrate, the sensor element and the IC The chip is arranged side by side with a first gap in the opening in a plan view, the sensor element has a plurality of sensor element ends, and the opening and the sensor element end in a plan view. The sensor chip is disposed with a second gap, except for the sensor element end on the side facing the IC chip, and the IC chip has a plurality of IC chip end portions in plan view. so Between the opening portion and the IC chip end portion, except for the IC chip end portion on the side facing the sensor element, a third gap is disposed, and the distance between the second gap and At least one of the distances of the third gap is larger than the distance of the first gap, and a protruding portion that protrudes toward the inner space is disposed on the inner bottom surface of the container. The second gap and the third gap are arranged at a position overlapping with at least one of the second gap and the third gap larger than the first gap.

本適用例によれば、センサーデバイスは、容器の内底面に配置された突起部が、平面視で第2の隙間及び第3の隙間の内、距離が第1の隙間よりも大きい少なくとも一方と重なる位置に配置されていることから、例えば、真空脱泡の際に、内底面側から第2の隙間及び第3の隙間の少なくとも一方の近傍へ集まってきた気泡が、一体化し大きな気泡となることを阻害することができる。
これにより、センサーデバイスは、気泡によって持ち上げられた充填部材が、気泡の破裂の際に容器の外へ飛び出す虞を低減することができる。
According to this application example, in the sensor device, the protrusion disposed on the inner bottom surface of the container has at least one of the second gap and the third gap having a distance larger than the first gap in plan view. Since they are arranged at the overlapping positions, for example, during vacuum defoaming, bubbles that have gathered from the inner bottom surface to the vicinity of at least one of the second gap and the third gap are integrated into a large bubble. Can be inhibited.
Thereby, the sensor device can reduce a possibility that the filling member lifted by the bubbles may jump out of the container when the bubbles burst.

[適用例6]本適用例にかかる携帯機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする。   Application Example 6 A mobile device according to this application example includes the sensor device according to any one of the application examples described above.

本適用例によれば、携帯機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。   According to this application example, since the mobile device includes the sensor device described in any one of the above application examples, the effect described in any one of the above application examples is achieved, and excellent performance is exhibited. can do.

[適用例7]本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする。   Application Example 7 An electronic apparatus according to this application example includes the sensor device according to any one of the application examples described above.

本適用例によれば、電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。   According to this application example, since the electronic device includes the sensor device described in any one of the above application examples, the effect described in any one of the above application examples is achieved, and excellent performance is exhibited. can do.

[適用例8]本適用例にかかる移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする。   Application Example 8 A moving object according to this application example includes the sensor device according to any one of the application examples described above.

本適用例によれば、移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。   According to this application example, since the mobile body includes the sensor device described in any one of the above application examples, the effect described in any one of the above application examples is achieved, and excellent performance is exhibited. can do.

第1実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式平面図。The schematic plan view which shows schematic structure of the sensor device of 1st Embodiment. 図1のA−A線での断面図。Sectional drawing in the AA of FIG. センサー素子の概略構成を示す模式平面図。The schematic plan view which shows schematic structure of a sensor element. 図3のB−B線での断面図。Sectional drawing in the BB line of FIG. センサー素子の圧力検出用回路図。The circuit diagram for pressure detection of a sensor element. 第1実施形態の変形例のセンサーデバイスの概略構成を示す模式平面図。The schematic plan view which shows schematic structure of the sensor device of the modification of 1st Embodiment. 図6のA−A線での断面図。Sectional drawing in the AA of FIG. 第2実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式平面図。The schematic plan view which shows schematic structure of the sensor device of 2nd Embodiment. 図8のD−D線での断面図。Sectional drawing in the DD line | wire of FIG. センサーデバイスを備えている携帯機器の一例としての高度計を示す模式斜視図。The model perspective view which shows the altimeter as an example of the portable apparatus provided with the sensor device. センサーデバイスを備えている電子機器の一例としてのナビゲーションシステムを示す模式正面図。The schematic front view which shows the navigation system as an example of the electronic device provided with the sensor device. センサーデバイスを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図。The model perspective view which shows the motor vehicle as an example of the mobile body provided with the sensor device.

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. Also, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.

(第1実施形態)
最初に、第1実施形態のセンサーデバイスについて説明する。
図1は、第1実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを同デバイスの開口部の上方から俯瞰した平面図である。図2は、図1のA−A線での断面図である。なお、図1、図2を含む以降の各図面において、平面図では、便宜的に一部の構成要素を省略してある。また、各図面において、わかり易くするために各構成要素の寸法比率は、実際と異なる。
(First embodiment)
First, the sensor device according to the first embodiment will be described.
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the sensor device according to the first embodiment, and is a plan view of the sensor device viewed from above the opening of the device. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. In the following drawings including FIG. 1 and FIG. 2, some components are omitted in the plan view for convenience. Moreover, in each drawing, the dimensional ratio of each component is different from the actual for easy understanding.

図1、図2に示すように、第1実施形態のセンサーデバイス1は、センサー素子10と、ICチップ60と、開口部25を有する基板20と、センサー素子10と、ICチップ60と、基板20の少なくとも開口部25を有する部分と、が配置される内部空間35を有する容器30と、内部空間35に充填され、センサー素子10と、ICチップ60と、基板20の少なくとも開口部25と、を覆う充填部材40と、を備えている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the sensor device 1 according to the first embodiment includes a sensor element 10, an IC chip 60, a substrate 20 having an opening 25, a sensor element 10, an IC chip 60, and a substrate. A container 30 having an internal space 35 in which at least a portion having an opening 25 is disposed, the internal space 35 is filled, the sensor element 10, the IC chip 60, and at least the opening 25 of the substrate 20. And a filling member 40 for covering.

センサーデバイス1のセンサー素子10とICチップ60とは、平面視で基板20の開口部25内に互いに第1の隙間S1を有して並んで配置されている。第1の隙間S1は、平面視で容器30の内底面(内側の底面)34の中央部(中心C1を含む部分)に重なっている。内底面34には、内部空間35側に突出する突起部50が配置され、突起部50は、平面視で第1の隙間S1と重なっている。
以下、各構成要素について詳述する。
The sensor element 10 and the IC chip 60 of the sensor device 1 are arranged side by side with a first gap S1 in the opening 25 of the substrate 20 in plan view. The first gap S1 overlaps the central portion (portion including the center C1) of the inner bottom surface (inner bottom surface) 34 of the container 30 in plan view. The inner bottom surface 34 is provided with a protruding portion 50 protruding toward the inner space 35, and the protruding portion 50 overlaps the first gap S1 in plan view.
Hereinafter, each component will be described in detail.

<容器>
容器30は、開口部33を備えている第1容器31と、第1容器31の開口部33側とは反対側に位置する第2容器32と、を含んで構成されている。第1容器31は、開口部33側が円筒状に形成され、開口部33に続く第2容器32側が、略角型の筒状に形成されている。第2容器32は、凹部を有する略角型のトレイ状に形成されている。
容器30の内側には、センサー素子10と、ICチップ60と、基板20の少なくとも開口部25と、が配置される内部空間35が形成されている。
<Container>
The container 30 includes a first container 31 having an opening 33 and a second container 32 located on the opposite side of the first container 31 from the opening 33 side. The first container 31 is formed in a cylindrical shape on the opening 33 side, and the second container 32 side following the opening 33 is formed in a substantially square cylindrical shape. The second container 32 is formed in a substantially square tray shape having a recess.
Inside the container 30, an internal space 35 in which the sensor element 10, the IC chip 60, and at least the opening 25 of the substrate 20 are disposed is formed.

第2容器32の内底面34には、内部空間35側に突出する突起部50が配置されている。
突起部50は、内底面34の中央部から略半球状に突出し、平面視で第1の隙間S1と重なっている。突起部50は、略半球状に突出することにより、平面視で略円形となっている。
突起部50の外周(輪郭)51は、平面視で第1の隙間S1を形成するセンサー素子10のセンサー素子端部としての第1辺10a及びICチップ60のICチップ端部としての第1辺60aの少なくとも一方と交差していることが好ましい(図1では、第1辺10a及び第1辺60aの両方と交差している構成が例示されている)。
内底面34から突起部50の頂点までの距離H1は、内底面34からセンサー素子10の内底面34に対向する底面10bまでの距離H2よりも小さいことが好ましい。
On the inner bottom surface 34 of the second container 32, a protrusion 50 that protrudes toward the internal space 35 is disposed.
The protrusion 50 protrudes in a substantially hemispherical shape from the center of the inner bottom surface 34 and overlaps the first gap S1 in plan view. The protrusion 50 protrudes in a substantially hemispherical shape, and has a substantially circular shape in plan view.
The outer periphery (outline) 51 of the protrusion 50 includes a first side 10a as a sensor element end of the sensor element 10 that forms the first gap S1 in plan view and a first side as an IC chip end of the IC chip 60. It is preferable to cross at least one of 60a (in FIG. 1, the structure which cross | intersects both the 1st edge | side 10a and the 1st edge | side 60a is illustrated).
The distance H1 from the inner bottom surface 34 to the apex of the protrusion 50 is preferably smaller than the distance H2 from the inner bottom surface 34 to the bottom surface 10b facing the inner bottom surface 34 of the sensor element 10.

第1容器31及び第2容器32の材料としては、コスト、加工性(成形性)、充填部材40との親和性などの観点から樹脂材料が好ましく、例えば、PBT(ポリブチレンテレフタレート)樹脂、PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂、PC(ポリカーボネート)樹脂、などが挙げられる。なお、第2容器32は、金属で構成されていてもよい。
なお、容器30の平面形状は、図示の略四角形に限定されるものではなく、円形や楕円形、または五角形以上の多角形などであってもよい。
なお、突起部50は、樹脂材料の場合には、例えば、射出成型によって第2容器32と一体形成可能であり、金属材料の場合には、例えば、絞り加工によって第2容器32と一体形成可能である。なお、突起部50は、第2容器32とは別部材で構成されていてもよい。
The material of the first container 31 and the second container 32 is preferably a resin material from the viewpoints of cost, workability (formability), affinity with the filling member 40, and the like. For example, PBT (polybutylene terephthalate) resin, PPS (Polyphenylene sulfide) resin, PC (polycarbonate) resin, etc. are mentioned. Note that the second container 32 may be made of metal.
In addition, the planar shape of the container 30 is not limited to the substantially quadrangular shape shown in the figure, and may be a circle, an ellipse, or a pentagon or more polygon.
The protrusion 50 can be formed integrally with the second container 32 by, for example, injection molding in the case of a resin material, and can be formed integrally with the second container 32 by, for example, drawing processing in the case of a metal material. It is. Note that the protrusion 50 may be formed of a member different from the second container 32.

<基板>
第1容器31と第2容器32との間には、基板20が配置されている。
基板20は、例えば、ポリイミド樹脂からなるベース層21に、銅箔からなるリードパターン層(配線層)22が積層されたフレキシブル基板である。
なお、ベース層21の材料としては、ポリイミド樹脂に限定されるものではなく、PET(ポリエチレンテレフタレート)樹脂、PEN(ポリエチレンナフタレート)樹脂、PES(ポリエーテルスルホン)樹脂などの可撓性を有する樹脂が挙げられる。
なお、基板20は、リードパターン層22の非接続部を覆う絶縁層(図示せず)を備えていてもよい。
<Board>
A substrate 20 is disposed between the first container 31 and the second container 32.
The substrate 20 is, for example, a flexible substrate in which a lead pattern layer (wiring layer) 22 made of copper foil is laminated on a base layer 21 made of polyimide resin.
The material of the base layer 21 is not limited to a polyimide resin, but a flexible resin such as a PET (polyethylene terephthalate) resin, a PEN (polyethylene naphthalate) resin, or a PES (polyethersulfone) resin. Is mentioned.
The substrate 20 may include an insulating layer (not shown) that covers the non-connection portion of the lead pattern layer 22.

基板20は、第1容器31と第2容器32とに挟まれ容器30の内部空間35に一部が収容される略四角形状の実装部23と、実装部23から図1の紙面右側に延出している接続部24と、を備えている。
図1に示すように、基板20の実装部23には、中央部に紙面左右方向に長い略矩形状の開口部25が設けられ、平面視で開口部25内にセンサー素子10(紙面右側)とICチップ60(紙面左側)とが並んで配置されている。
センサーデバイス1のセンサー素子10とICチップ60とは、平面形状が矩形であり、平面視で基板20の開口部25内に互いに第1の隙間S1を有して配置されている。第1の隙間S1は、平面視で容器30の内底面34の中央部(中心C1を含む部分)に重なっている。
The substrate 20 is sandwiched between the first container 31 and the second container 32, and has a substantially rectangular mounting part 23 that is partly accommodated in the internal space 35 of the container 30. The board 20 extends from the mounting part 23 to the right side in FIG. And a connecting portion 24 that protrudes.
As shown in FIG. 1, the mounting portion 23 of the substrate 20 is provided with a substantially rectangular opening 25 that is long in the left-right direction on the paper surface in the center, and the sensor element 10 (on the right side of the paper) in the opening 25 in plan view. And the IC chip 60 (left side of the sheet) are arranged side by side.
The sensor element 10 and the IC chip 60 of the sensor device 1 have a rectangular planar shape, and are disposed with a first gap S1 in the opening 25 of the substrate 20 in plan view. The first gap S1 overlaps the central portion (the portion including the center C1) of the inner bottom surface 34 of the container 30 in plan view.

センサー素子10は、複数のセンサー素子端部としての第1辺10a、第2辺10c、第3辺10d及び第4辺10eを有し、平面視で基板20の開口部25との間に、ICチップ60に対向する側の第1辺10aを除いて第2の隙間S2を有して配置されている。
また、ICチップ60は、複数のICチップ端部としての第1辺60a、第2辺60b、第3辺60c及び第4辺60dを有し、平面視で基板20の開口部25との間に、センサー素子10に対向する側の第1辺60aを除いて第3の隙間S3を有して配置されている。
ここで、第1の隙間S1の距離L1(センサー素子10の第1辺10aとICチップ60の第1辺60aとの間の距離)は、第2の隙間S2の距離L2a,L2b,L2c及び第3の隙間S3の距離L3a,L3b,L3cよりも大きいことが好ましい。
The sensor element 10 has a first side 10a, a second side 10c, a third side 10d, and a fourth side 10e as a plurality of sensor element end portions, and between the opening 25 of the substrate 20 in a plan view. Except for the first side 10a on the side facing the IC chip 60, the second gap S2 is provided.
In addition, the IC chip 60 has a first side 60a, a second side 60b, a third side 60c, and a fourth side 60d as a plurality of IC chip end portions, and between the opening 25 of the substrate 20 in a plan view. The third gap S3 is arranged except for the first side 60a on the side facing the sensor element 10.
Here, the distance L1 of the first gap S1 (the distance between the first side 10a of the sensor element 10 and the first side 60a of the IC chip 60) is the distances L2a, L2b, L2c of the second gap S2, and It is preferable to be larger than the distances L3a, L3b, and L3c of the third gap S3.

ここで、距離L2aは、センサー素子10の紙面上側の第2辺10cと、開口部25の紙面上側の第1長辺25aとの間の距離であり、距離L2bは、センサー素子10の紙面下側の第3辺10dと、開口部25の紙面下側の第2長辺25bとの間の距離であり、距離L2cは、センサー素子10の紙面右側の第4辺10eと、開口部25の紙面右側の第2短辺25dとの間の距離である。
距離L2a,L2b,L2cは、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
Here, the distance L2a is a distance between the second side 10c on the upper side of the paper of the sensor element 10 and the first long side 25a on the upper side of the paper of the opening 25, and the distance L2b is below the paper surface of the sensor element 10. The distance L2c is the distance between the third side 10d on the side and the second long side 25b on the lower side of the opening 25, and the distance L2c is the fourth side 10e on the right side of the sensor element 10 and the opening 25. This is the distance from the second short side 25d on the right side of the page.
The distances L2a, L2b, and L2c may be the same as each other or different from each other.

また、距離L3aは、ICチップ60の紙面上側の第2辺60bと、開口部25の紙面上側の第1長辺25aとの間の距離であり、距離L3bは、ICチップ60の紙面下側の第3辺60cと、開口部25の紙面下側の第2長辺25bとの間の距離であり、距離L3cは、ICチップ60の紙面左側の第4辺60dと、開口部25の紙面左側の第1短辺25cとの間の距離である。
距離L3a,L3b,L3cは、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
The distance L3a is a distance between the second side 60b on the upper surface of the IC chip 60 and the first long side 25a on the upper surface of the opening 25, and the distance L3b is the lower side of the IC chip 60 on the paper surface. The distance L3c is the distance between the fourth side 60d on the left side of the paper surface of the IC chip 60 and the paper surface of the opening 25. This is the distance between the left first short side 25c.
The distances L3a, L3b, and L3c may be the same as each other or different from each other.

センサー素子10は、複数の端子部11が、基板20のリードパターン層22の複数の接続端子部26に、ボンディングワイヤー70で接続されることによって、基板20に支持されている。
また、ICチップ60は、複数の端子部61が、リードパターン層22の複数の接続端子部26に、ボンディングワイヤー70で接続されることによって、基板20に支持されている。
基板20は、接続部24の先端部が、例えば、外部機器のコネクター(接続装置)などに差し込まれることにより、外部機器と電気的に接続される構成となっている。
The sensor element 10 is supported by the substrate 20 by connecting the plurality of terminal portions 11 to the plurality of connection terminal portions 26 of the lead pattern layer 22 of the substrate 20 with bonding wires 70.
The IC chip 60 is supported by the substrate 20 by connecting a plurality of terminal portions 61 to the plurality of connection terminal portions 26 of the lead pattern layer 22 with bonding wires 70.
The board | substrate 20 becomes a structure electrically connected with an external apparatus, when the front-end | tip part of the connection part 24 is inserted in the connector (connection apparatus) etc. of an external apparatus, for example.

<センサー素子>
図3は、センサー素子の概略構成を示す模式平面図であり、図4は、図3のB−B線での断面図である。図5は、センサー素子の圧力検出用回路図である。
図3、図4に示すように、センサー素子10は、平面形状が矩形の圧力センサー素子であり、例えば、半導体を用いたダイアフラム型の圧力センサー素子である。
具体的には、センサー素子10は、半導体基板(SOI基板)12と、半導体基板12に形成された略矩形状のダイアフラム部13と、ダイアフラム部13の4辺のそれぞれに設けられたピエゾ抵抗素子14(個々に識別する場合には、符号を14a,14b,14c,14dと表記する)と、ダイアフラム部13と対向する空洞部15を有する壁部16と、を備えている。
<Sensor element>
FIG. 3 is a schematic plan view showing a schematic configuration of the sensor element, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. FIG. 5 is a circuit diagram for detecting the pressure of the sensor element.
As shown in FIGS. 3 and 4, the sensor element 10 is a pressure sensor element having a rectangular planar shape, for example, a diaphragm type pressure sensor element using a semiconductor.
Specifically, the sensor element 10 includes a semiconductor substrate (SOI substrate) 12, a substantially rectangular diaphragm portion 13 formed on the semiconductor substrate 12, and piezoresistive elements provided on each of the four sides of the diaphragm portion 13. 14 (in the case of individual identification, reference numerals are denoted as 14a, 14b, 14c, and 14d) and a wall portion 16 having a hollow portion 15 facing the diaphragm portion 13.

センサー素子10は、各構成要素が、例えば半導体プロセスを用いて以下のように形成されている。
半導体基板12は、図4の紙面下側から、第2シリコン層12c、シリコン酸化膜12b、第1シリコン層12aがこの順で積層されることにより形成されている。
ピエゾ抵抗素子14は、半導体基板12の第1シリコン層12aに、リン、ボロンなどの不純物をドープ(拡散または注入)することにより形成されている。
ダイアフラム部13は、半導体基板12の第2シリコン層12cの中央部を、平面視で略矩形状にシリコン酸化膜12bまでエッチングすることにより形成されている。
これにより、ダイアフラム部13は、受圧により撓むダイアフラムとして機能する。
壁部16は、半導体基板12上に絶縁層(図示せず)と金属層(配線層)(図示せず)とが複数積層されることにより形成されている。壁部16は、絶縁層の内、ダイアフラム部13と対向する位置にあって、金属層で囲まれた部分を犠牲層としてエッチングすることにより空洞部15が形成されている。
壁部16の上面には、複数の端子部11が設けられ、金属層を介して後述する圧力検出用回路と接続されている。
Each component of the sensor element 10 is formed as follows using a semiconductor process, for example.
The semiconductor substrate 12 is formed by laminating a second silicon layer 12c, a silicon oxide film 12b, and a first silicon layer 12a in this order from the lower side in the drawing of FIG.
The piezoresistive element 14 is formed by doping (diffusing or implanting) impurities such as phosphorus and boron into the first silicon layer 12 a of the semiconductor substrate 12.
The diaphragm portion 13 is formed by etching the central portion of the second silicon layer 12c of the semiconductor substrate 12 up to the silicon oxide film 12b in a substantially rectangular shape in plan view.
Thereby, the diaphragm part 13 functions as a diaphragm which bends by receiving pressure.
The wall portion 16 is formed by stacking a plurality of insulating layers (not shown) and metal layers (wiring layers) (not shown) on the semiconductor substrate 12. The wall portion 16 is located at a position facing the diaphragm portion 13 in the insulating layer, and a cavity portion 15 is formed by etching a portion surrounded by the metal layer as a sacrificial layer.
A plurality of terminal portions 11 are provided on the upper surface of the wall portion 16, and are connected to a pressure detection circuit described later via a metal layer.

図5に示すように、センサー素子10は、ダイアフラム部13に印加された圧力に応じて抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子14を用いて、圧力検出用回路としてホイートストンブリッジ回路(以下、ブリッジ回路という)17が構成されている。
ピエゾ抵抗素子14a,14b,14c,14dは、ダイアフラム部13に圧力が印加されていない状態では、抵抗値が互いに等しくなるように構成されている。
ブリッジ回路17には、駆動電圧AVDCを供給する駆動回路(図示せず)が接続されている。
ブリッジ回路17は、ダイアフラム部13に印加された圧力に応じた電位差が検出信号として端子部11から出力される構成となっている。
なお、空洞部15内は、真空状態(例えば、10Pa以下)となっており、センサー素子10は、絶対圧センサーとして機能する。
As shown in FIG. 5, the sensor element 10 uses a piezoresistive element 14 whose resistance value changes according to the pressure applied to the diaphragm unit 13, and serves as a Wheatstone bridge circuit (hereinafter referred to as a bridge circuit) as a pressure detection circuit. ) 17 is configured.
The piezoresistive elements 14a, 14b, 14c, and 14d are configured to have the same resistance value when no pressure is applied to the diaphragm portion 13.
The bridge circuit 17 is connected to a drive circuit (not shown) that supplies a drive voltage AVDC.
The bridge circuit 17 is configured such that a potential difference corresponding to the pressure applied to the diaphragm unit 13 is output from the terminal unit 11 as a detection signal.
In addition, the inside of the cavity 15 is in a vacuum state (for example, 10 Pa or less), and the sensor element 10 functions as an absolute pressure sensor.

<ICチップ>
ICチップ60は、平面形状が矩形であって、半導体回路(図示せず)を備え、端子部61、ボンディングワイヤー70、リードパターン層22を介してセンサー素子10と接続されている。
ICチップ60の半導体回路には、センサー素子10のブリッジ回路17に駆動電圧AVDCを供給する駆動回路、センサー素子10のブリッジ回路17からの検出信号を、A/D(アナログ/デジタル)変換するA/D変換回路、A/D変換回路からの出力信号をセンサー素子10の温度に応じて補償する温度補償回路、温度補償回路からの出力信号を所望の形式の圧力データに置換して外部に出力する出力回路などが含まれる。
なお、半導体回路の一部は、センサー素子10に設けられていてもよい。
<IC chip>
The IC chip 60 has a rectangular planar shape, includes a semiconductor circuit (not shown), and is connected to the sensor element 10 via the terminal portion 61, the bonding wire 70, and the lead pattern layer 22.
The semiconductor circuit of the IC chip 60 includes a driving circuit that supplies the driving voltage AVDC to the bridge circuit 17 of the sensor element 10, and an A that converts the detection signal from the bridge circuit 17 of the sensor element 10 into analog / digital (A / D). The output signal from the A / D conversion circuit and the A / D conversion circuit is compensated according to the temperature of the sensor element 10, and the output signal from the temperature compensation circuit is replaced with pressure data in a desired format and output to the outside. Output circuit.
A part of the semiconductor circuit may be provided in the sensor element 10.

図2に示すように、センサー素子10とICチップ60とが実装された基板20の実装部23は、接合部材80によってリードパターン層22側が第1容器31に気密に固定され、リードパターン層22側とは反対側が第2容器32に気密に固定されている。
なお、接合部材80としては、特に限定されないが、シリコーン系、エポキシ系、ポリイミド系の接着剤などが挙げられる。
As shown in FIG. 2, the mounting portion 23 of the substrate 20 on which the sensor element 10 and the IC chip 60 are mounted is hermetically fixed to the first container 31 on the lead pattern layer 22 side by the bonding member 80, and the lead pattern layer 22. The side opposite to the side is airtightly fixed to the second container 32.
The joining member 80 is not particularly limited, and examples thereof include silicone-based, epoxy-based, and polyimide-based adhesives.

<充填部材>
基板20を介して第1容器31と第2容器32とが気密に接合された容器30の内部空間35には、充填部材40が充填されている。
内部空間35に充填された充填部材40は、センサー素子10と、ICチップ60と、基板20の開口部25及び接続端子部26と、ボンディングワイヤー70と、を覆っている。
充填部材40は、第1容器31の開口部33から吐出ノズル(図示せず)によって容器30の内部空間35に充填される。その際、充填部材40は、基板20の開口部25内の第1の隙間S1を中心に、第2の隙間S2及び第3の隙間S3を介して、第1容器31側から第2容器32側に回り込んで充填され、内部空間35内のセンサー素子10やICチップ60、基板20などを覆う。
<Filling member>
A filling member 40 is filled in the internal space 35 of the container 30 in which the first container 31 and the second container 32 are hermetically joined via the substrate 20.
The filling member 40 filled in the internal space 35 covers the sensor element 10, the IC chip 60, the opening 25 and the connection terminal portion 26 of the substrate 20, and the bonding wire 70.
The filling member 40 is filled into the internal space 35 of the container 30 from the opening 33 of the first container 31 by a discharge nozzle (not shown). At that time, the filling member 40 is centered on the first gap S1 in the opening 25 of the substrate 20 and the second container 32 from the first container 31 side through the second gap S2 and the third gap S3. The sensor element 10, the IC chip 60, the substrate 20, and the like in the internal space 35 are covered.

なお、充填部材40の材料としては、特に限定されないが、フッ素ゲルや、フロロシリコーンゲル、シリコーンゲルなどが挙げられる。   In addition, although it does not specifically limit as a material of the filling member 40, a fluorine gel, a fluoro silicone gel, a silicone gel, etc. are mentioned.

センサーデバイス1は、容器30の内部空間35に配置されたセンサー素子10やICチップ60、基板20などが、充填部材40によって外部環境から保護されつつ、外部から印加される圧力が、充填部材40を介してセンサー素子10に伝播することで圧力を検出する構成となっている。   In the sensor device 1, the sensor element 10, the IC chip 60, the substrate 20, and the like disposed in the internal space 35 of the container 30 are protected from the external environment by the filling member 40, and the pressure applied from the outside is It is the structure which detects a pressure by propagating to the sensor element 10 via.

上述したように、第1実施形態のセンサーデバイス1は、平面視で第1の隙間S1と重なっている突起部50により、突起部50上に充填された充填部材40が突起部50の形状に沿って充填されていることから、例えば、充填部材40の硬化処理の際の充填部材40の収縮によって、センサー素子10と、ICチップ60との間の第1の隙間S1に生じる凹み41を、突起部50がない場合よりも小さくすることができる。
これにより、センサーデバイス1は、前述したような、充填部材40の多量の充填が不要となることから、充填部材40の多量の充填に伴う圧力伝播の減衰に起因するセンサー素子10の検出特性の低下の虞を低減することができる。
As described above, in the sensor device 1 according to the first embodiment, the filling member 40 filled on the protrusion 50 is formed in the shape of the protrusion 50 by the protrusion 50 overlapping the first gap S1 in plan view. For example, the depression 41 generated in the first gap S1 between the sensor element 10 and the IC chip 60 due to the shrinkage of the filling member 40 during the curing process of the filling member 40, It can be made smaller than when there is no protrusion 50.
Thereby, since the sensor device 1 does not require a large amount of filling member 40 as described above, the detection characteristics of the sensor element 10 caused by the attenuation of pressure propagation due to the large amount of filling member 40 are reduced. The possibility of a reduction can be reduced.

また、センサーデバイス1は、第1の隙間S1の距離L1が、第2の隙間S2の距離L2a,L2b,L2c及び第3の隙間S3の距離L3a,L3b,L3cよりも大きいことから、例えば、真空脱泡の際に、基板20、センサー素子10及びICチップ60と、容器30の内底面34との間に発生した気泡が、第1の隙間S1の近傍に集まってくる。
詳述すると、図示のように第2の隙間S2の距離L2a,L2b,L2cが、第3の隙間S3の距離L3a,L3b,L3cよりも大きい場合には、充填部材40の充填の際に、充填部材40がセンサー素子10側からICチップ60の下側に回り込み易くなることから、真空脱泡時の気泡は、ICチップ60の下側(特に紙面左側寄りの部分)に多く発生することになる。
ICチップ60の下側に発生した気泡は、第3の隙間S3の距離L3a,L3b,L3cが、他の隙間の距離よりも小さいことから、殆どが第3の隙間S3を通り抜けられず、近くにある第1の隙間S1へ向かうことになる。
In addition, since the sensor device 1 has the distance L1 of the first gap S1 larger than the distances L2a, L2b, L2c of the second gap S2, and the distances L3a, L3b, L3c of the third gap S3, for example, During the vacuum defoaming, bubbles generated between the substrate 20, the sensor element 10 and the IC chip 60, and the inner bottom surface 34 of the container 30 gather in the vicinity of the first gap S1.
More specifically, when the distances L2a, L2b, L2c of the second gap S2 are larger than the distances L3a, L3b, L3c of the third gap S3 as shown in the figure, when filling the filling member 40, Since the filling member 40 easily goes around from the sensor element 10 to the lower side of the IC chip 60, a large amount of bubbles are generated at the lower side of the IC chip 60 (particularly the left side of the paper). Become.
Most of the bubbles generated below the IC chip 60 cannot pass through the third gap S3 because the distances L3a, L3b, and L3c of the third gap S3 are smaller than the distances of the other gaps. To the first gap S1.

なお、第3の隙間S3の距離L3a,L3b,L3cが、第2の隙間S2の距離L2a,L2b,L2cよりも大きい場合には、充填部材40の充填の際に、充填部材40がICチップ60側からセンサー素子10の下側に回り込み易くなることから、真空脱泡時の気泡は、センサー素子10の下側(特に紙面右側寄りの部分)に多く発生することになる。
センサー素子10の下側に発生した気泡は、第2の隙間S2の距離L2a,L2b,L2cが、他の隙間の距離よりも小さいことから、殆どが第2の隙間S2を通り抜けられず、近くにある第1の隙間S1へ向かうことになる。
このように、いずれの場合にも、基板20、センサー素子10及びICチップ60と、容器30の内底面34との間に発生した気泡は、第1の隙間S1の近傍に集まってくることになる。
When the distances L3a, L3b, and L3c of the third gap S3 are larger than the distances L2a, L2b, and L2c of the second gap S2, the filling member 40 is an IC chip when the filling member 40 is filled. Since it becomes easy to wrap around from the 60 side to the lower side of the sensor element 10, many bubbles are generated at the lower side of the sensor element 10 (particularly at the right side of the drawing).
Most of the bubbles generated below the sensor element 10 cannot pass through the second gap S2 because the distances L2a, L2b, and L2c of the second gap S2 are smaller than the distances of the other gaps. To the first gap S1.
As described above, in any case, bubbles generated between the substrate 20, the sensor element 10, the IC chip 60, and the inner bottom surface 34 of the container 30 are collected in the vicinity of the first gap S1. Become.

集まってきた気泡は、平面視で第1の隙間S1と重なるように配置された突起部50によって、第1の隙間S1近傍の充填部材40内を通り抜けにくくなることから、一体化し大きな気泡となることが阻害される。
大きな気泡となることが阻害され、小さくなった気泡により、センサーデバイス1は、気泡によって持ち上げられた充填部材40が、気泡の破裂の際に容器30の外へ飛び出す虞を低減することができる。
この結果、センサーデバイスは、センサー素子10の計測(検出)が難しく若しくは不可能になる虞を低減できる。
The collected air bubbles are difficult to pass through the filling member 40 in the vicinity of the first gap S1 by the protrusion 50 arranged so as to overlap the first gap S1 in a plan view, so that the integrated bubbles become large bubbles. Is hindered.
The sensor device 1 can reduce the possibility that the filling member 40 lifted by the bubbles jumps out of the container 30 when the bubbles burst due to the small bubbles that are prevented from becoming large bubbles.
As a result, the sensor device can reduce the possibility that measurement (detection) of the sensor element 10 is difficult or impossible.

また、センサーデバイス1は、第2容器32の内底面34から突起部50の頂点までの距離H1が、内底面34からセンサー素子10の内底面34に対向する底面10bまでの距離H2よりも小さいことから、内底面34側から第1の隙間S1への通路を適度に狭くすることができる。
これにより、センサーデバイス1は、例えば、真空脱泡の際に、内底面34側から第1の隙間S1の近傍へ集まってきた気泡が、一体化し大きな気泡となることを阻害することができる。
大きな気泡となることが阻害され、小さくなった気泡により、センサーデバイス1は、気泡によって持ち上げられた充填部材40が、気泡の破裂の際に容器30の外へ飛び出す虞を低減することができる。
なお、一例として、距離H1は、距離H2の1/3程度であることが、気泡が一体化し大きな気泡となることを阻害する上で好ましい。
In the sensor device 1, the distance H <b> 1 from the inner bottom surface 34 of the second container 32 to the apex of the protrusion 50 is smaller than the distance H <b> 2 from the inner bottom surface 34 to the bottom surface 10 b facing the inner bottom surface 34 of the sensor element 10. Therefore, the passage from the inner bottom surface 34 side to the first gap S1 can be appropriately narrowed.
Thereby, the sensor device 1 can inhibit, for example, the bubbles gathered from the inner bottom surface 34 side to the vicinity of the first gap S1 from being integrated into a large bubble during vacuum defoaming.
The sensor device 1 can reduce the possibility that the filling member 40 lifted by the bubbles jumps out of the container 30 when the bubbles burst due to the small bubbles that are prevented from becoming large bubbles.
As an example, the distance H1 is preferably about 1/3 of the distance H2 in order to inhibit the bubbles from being integrated into a large bubble.

また、センサーデバイス1は、平面視で突起部50の外周(輪郭)51が、第1の隙間S1を形成するセンサー素子10の第1辺10a及びICチップ60の第1辺60aの少なくとも一方と交差している。
このことから、センサーデバイス1は、例えば、充填部材40の硬化処理に伴って第1の隙間S1に凹み41が生じ、凹み41の輪郭(図示せず)が突起部50の外周51と交差する程度の大きさであれば、平面視で凹み41を通して突起部50の外周51が歪んで見えることになる。
これにより、センサーデバイス1は、例えば、画像認識装置などにより、センサー素子10の検出特性に影響を及ぼす大きさの凹み41を検出することができる。
Further, in the sensor device 1, the outer periphery (contour) 51 of the protrusion 50 in plan view is at least one of the first side 10a of the sensor element 10 and the first side 60a of the IC chip 60 that form the first gap S1. Crossed.
For this reason, in the sensor device 1, for example, a recess 41 is generated in the first gap S <b> 1 along with the curing process of the filling member 40, and the contour (not shown) of the recess 41 intersects the outer periphery 51 of the protrusion 50. If it is about a size, the outer periphery 51 of the protrusion 50 appears to be distorted through the recess 41 in a plan view.
Thereby, the sensor device 1 can detect the dent 41 having a size that affects the detection characteristics of the sensor element 10 by, for example, an image recognition device.

なお、突起部50は、平面視で少なくとも一部が第1の隙間S1と重なっていればよく、内底面34の中心C1と同心状に突出していなくてもよい。   Note that the protrusion 50 may be at least partially overlapped with the first gap S1 in a plan view and may not protrude concentrically with the center C1 of the inner bottom surface 34.

(変形例)
次に、第1実施形態の変形例について説明する。
図6は、第1実施形態の変形例のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを同デバイスの開口部の上方から俯瞰した平面図である。図7は、図6のA−A線での断面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
(Modification)
Next, a modification of the first embodiment will be described.
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of a sensor device according to a modification of the first embodiment, and is a plan view of the sensor device viewed from above the opening of the device. 7 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
In addition, the same code | symbol is attached | subjected to a common part with 1st Embodiment, detailed description is abbreviate | omitted, and it demonstrates centering on a different part from 1st Embodiment.

図6、図7に示すように、第1実施形態の変形例のセンサーデバイス2は、第1実施形態と比較して、突起部50の形状が異なる。
突起部50は、内底面34の中央部から略かまぼこ状(略半ロール状)に突出し、平面視で第1の隙間S1と重なっている。
突起部50は、平面視で略長方形状に設けられ、長辺がセンサー素子10の第1辺10a(またはICチップ60の第1辺60a)に沿うように配置されている。
図6では、突起部50の長辺方向の長さが、ICチップ60の第1辺60aの長さよりも長い構成が例示されているが、長辺方向の長さは、第1辺60aの長さよりも短くてもよい。
As illustrated in FIGS. 6 and 7, the sensor device 2 according to the modification of the first embodiment is different in the shape of the protrusion 50 from the first embodiment.
The protruding portion 50 protrudes from the central portion of the inner bottom surface 34 in a substantially semi-cylindrical shape (substantially half-roll shape), and overlaps the first gap S1 in plan view.
The protrusion 50 is provided in a substantially rectangular shape in plan view, and is arranged such that the long side is along the first side 10 a of the sensor element 10 (or the first side 60 a of the IC chip 60).
FIG. 6 illustrates a configuration in which the length in the long side direction of the protrusion 50 is longer than the length of the first side 60a of the IC chip 60. However, the length in the long side direction is the length of the first side 60a. It may be shorter than the length.

上述したように、第1実施形態の変形例のセンサーデバイス2は、突起部50が、内底面34の中央部から略かまぼこ状に突出し、平面視で第1の隙間S1と重なっている。
また、突起部50は、平面視で略長方形状に設けられ、長辺がセンサー素子10の第1辺10a(またはICチップ60の第1辺60a)に沿うように配置されている。
これらにより、センサーデバイス2は、突起部50上に充填された充填部材40が突起部50の形状に沿って充填される範囲を、突起部50が略半球状の場合よりも広げることが可能となる。
これにより、センサーデバイス2は、充填部材40の硬化処理の際の、センサー素子10と、ICチップ60との間の第1の隙間S1に生じる凹み41を、略半球状の場合よりも広範囲にわたって小さくすることができる。
As described above, in the sensor device 2 according to the modification of the first embodiment, the protrusion 50 protrudes from the central portion of the inner bottom surface 34 in a substantially semi-cylindrical shape and overlaps the first gap S1 in plan view.
Further, the protrusion 50 is provided in a substantially rectangular shape in plan view, and the long side is arranged so as to be along the first side 10 a of the sensor element 10 (or the first side 60 a of the IC chip 60).
Accordingly, the sensor device 2 can expand the range in which the filling member 40 filled on the protruding portion 50 is filled along the shape of the protruding portion 50 as compared with the case where the protruding portion 50 is substantially hemispherical. Become.
As a result, the sensor device 2 has the dent 41 generated in the first gap S1 between the sensor element 10 and the IC chip 60 during the curing process of the filling member 40 over a wider range than in the case of a substantially hemispherical shape. Can be small.

この結果、センサーデバイス2は、前述したような、充填部材40の多量の充填が不要となることから、充填部材40の多量の充填に伴う圧力伝播の減衰に起因するセンサー素子10の検出特性の低下の虞を低減することができる。   As a result, since the sensor device 2 does not require a large amount of filling member 40 as described above, the detection characteristics of the sensor element 10 caused by the attenuation of pressure propagation due to the large amount of filling member 40 are reduced. The possibility of a reduction can be reduced.

また、センサーデバイス2は、突起部50の形状が略かまぼこ状であることから、内底面34側から第1の隙間S1への通路を、略半球状の場合よりも広範囲にわたって狭くすることができる。
これにより、センサーデバイス2は、例えば、真空脱泡の際に、内底面34側から第1の隙間S1の近傍へ集まってきた気泡が、一体化し大きな気泡となることを広範囲にわたって阻害することができる。
広範囲にわたって大きな気泡となることが阻害され、小さくなった気泡により、センサーデバイス2は、気泡によって持ち上げられた充填部材40が、気泡の破裂の際に容器30の外へ飛び出す虞を低減することができる。
なお、上記変形例の構成は、以下の実施形態にも適用可能である。
In the sensor device 2, since the shape of the protrusion 50 is substantially semi-cylindrical, the passage from the inner bottom surface 34 side to the first gap S1 can be narrowed over a wider range than in the case of a substantially hemispherical shape. .
Thereby, the sensor device 2, for example, during vacuum defoaming, may inhibit a wide range of bubbles that have gathered from the inner bottom surface 34 side to the vicinity of the first gap S1 and become large bubbles. it can.
The sensor device 2 may reduce the possibility that the filling member 40 lifted by the bubbles jumps out of the container 30 when the bubbles burst due to the small bubbles that are prevented from becoming large bubbles over a wide range. it can.
Note that the configuration of the modified example can also be applied to the following embodiments.

(第2実施形態)
次に、第2実施形態のセンサーデバイスについて説明する。
図8は、第2実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを同デバイスの開口部の上方から俯瞰した平面図である。図9は、図8のD−D線での断面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
(Second Embodiment)
Next, a sensor device according to a second embodiment will be described.
FIG. 8 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the sensor device according to the second embodiment, and is a plan view of the sensor device viewed from above the opening of the device. 9 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG.
In addition, the same code | symbol is attached | subjected to a common part with 1st Embodiment, detailed description is abbreviate | omitted, and it demonstrates centering on a different part from 1st Embodiment.

図8、図9に示すように、第2実施形態のセンサーデバイス3は、第1実施形態と比較して、突起部50の位置などが異なる。
センサーデバイス3は、第2の隙間S2の距離L2a,L2b,L2c及び第3の隙間S3の距離L3a,L3b,L3cの少なくとも一方が、第1の隙間S1の距離L1よりも大きくなっている。
本実施形態では、ICチップ60がサイズアップして紙面右側に延びることにより、第1実施形態よりも第1の隙間S1の距離L1が小さくなり、第2の隙間S2の距離L2a,L2bが、第1の隙間S1の距離L1よりも大きくなっている構成を例示している。
なお、ここでは、第2の隙間S2の距離L2c及び第3の隙間S3の距離L3a,L3b,L3cは、第1の隙間S1の距離L1よりも小さいままとなっている。
As shown in FIGS. 8 and 9, the sensor device 3 of the second embodiment differs from the first embodiment in the position of the protrusion 50 and the like.
In the sensor device 3, at least one of the distances L2a, L2b, and L2c of the second gap S2 and the distances L3a, L3b, and L3c of the third gap S3 is larger than the distance L1 of the first gap S1.
In the present embodiment, when the IC chip 60 is increased in size and extends to the right side of the drawing, the distance L1 of the first gap S1 is smaller than that of the first embodiment, and the distances L2a and L2b of the second gap S2 are The structure which is larger than the distance L1 of the first gap S1 is illustrated.
Here, the distance L2c of the second gap S2 and the distances L3a, L3b, L3c of the third gap S3 remain smaller than the distance L1 of the first gap S1.

センサーデバイス3は、突起部50が、平面視で第2の隙間S2及び第3の隙間S3の内、上記距離が第1の隙間S1よりも大きい少なくとも一方(ここでは、第2の隙間S2)と重なる位置に配置されている。
ここで、第2の隙間S2の距離L2a,L2b,L2c及び第3の隙間S3の距離L3a,L3b,L3cの内、それぞれ少なくとも1つの距離が第1の隙間S1の距離L1よりも大きければ、その隙間の距離は、第1の隙間S1の距離よりも大きいものとする。
これにより、本実施形態では、第2の隙間S2の距離が第1の隙間S1の距離よりも大きいことになる。
In the sensor device 3, the protrusion 50 has at least one of the second gap S2 and the third gap S3 that is larger than the first gap S1 in the plan view (here, the second gap S2). It is arranged at the position that overlaps.
Here, if at least one of the distances L2a, L2b, L2c of the second gap S2 and the distances L3a, L3b, L3c of the third gap S3 is larger than the distance L1 of the first gap S1, The distance of the gap is assumed to be larger than the distance of the first gap S1.
Thereby, in this embodiment, the distance of 2nd clearance gap S2 is larger than the distance of 1st clearance gap S1.

突起部50は、容器30の内底面34における第2の隙間S2と重なる位置から、内部空間35側に略半球状に2つ突出している。
突起部50の1つは、第2の隙間S2におけるセンサー素子10の第2辺10c側(距離L1よりも大きい距離L2a側)に配置され、突起部50の他の1つは、第2の隙間S2におけるセンサー素子10の第3辺10d側(距離L1よりも大きい距離L2b側)に配置されている。
各突起部50は、略半球状に突出することにより、平面視で略円形となっている。
Two protrusions 50 protrude in a substantially hemispherical shape toward the inner space 35 from a position overlapping the second gap S <b> 2 on the inner bottom surface 34 of the container 30.
One of the protrusions 50 is disposed on the second side 10c side (the distance L2a side larger than the distance L1) of the sensor element 10 in the second gap S2, and the other one of the protrusions 50 is the second side It is arranged on the third side 10d side (the distance L2b side larger than the distance L1) of the sensor element 10 in the gap S2.
Each protrusion 50 protrudes in a substantially hemispherical shape, and has a substantially circular shape in plan view.

上述したように、第2実施形態のセンサーデバイス3は、容器30の内底面34に配置された2つの突起部50が、平面視で第2の隙間S2及び第3の隙間S3の内、距離が第1の隙間S1よりも大きい少なくとも一方(ここでは、第2の隙間S2)と重なる位置に配置されている。
センサーデバイス3は、この2つの突起部50によって狭くなった第2の隙間S2への通路によって、例えば、真空脱泡の際に、内底面34側から第2の隙間S2の近傍へ集まってきた気泡が、一体化し大きな気泡となることを阻害することができる。
大きな気泡となることが阻害され、小さくなった気泡により、センサーデバイス3は、気泡によって持ち上げられた充填部材40が、気泡の破裂の際に容器30の外へ飛び出す虞を低減することができる。
As described above, in the sensor device 3 according to the second embodiment, the two protrusions 50 arranged on the inner bottom surface 34 of the container 30 have a distance within the second gap S2 and the third gap S3 in plan view. Is arranged at a position overlapping at least one (here, the second gap S2) larger than the first gap S1.
The sensor device 3 has gathered from the inner bottom surface 34 side to the vicinity of the second gap S2 by the passage to the second gap S2 narrowed by the two protrusions 50, for example, during vacuum defoaming. It is possible to inhibit the bubbles from being integrated into a large bubble.
The sensor device 3 can reduce the possibility that the filling member 40 lifted by the bubbles jumps out of the container 30 when the bubbles burst due to the bubbles that have become smaller and become smaller.

なお、センサーデバイス3は、第2の隙間S2に加えて第3の隙間S3の距離L3a,L3b,L3cの内、少なくとも1つが、第1の隙間S1の距離L1よりも大きい場合には、内底面34における第3の隙間の上記第1の隙間S1の距離L1よりも大きい部分と重なる位置に、突起部50を追加配置してもよい。
これによれば、センサーデバイス3は、気泡の小型化がさらに促進され、気泡によって持ち上げられた充填部材40が、気泡の破裂の際に容器30の外へ飛び出す虞を、さらに低減することができる。
なお、本実施形態では、突起部50が2つある構成を例示したが、突起部50は、いずれか1つであってもよい。
In addition to the second gap S2, in addition to the second gap S2, the sensor device 3 has an inner diameter when at least one of the distances L3a, L3b, L3c of the third gap S3 is larger than the distance L1 of the first gap S1. The protrusion 50 may be additionally arranged at a position overlapping the portion of the third gap on the bottom surface 34 that is larger than the distance L1 of the first gap S1.
According to this, the sensor device 3 can further reduce the size of the bubbles, and can further reduce the possibility that the filling member 40 lifted by the bubbles will jump out of the container 30 when the bubbles burst. .
In the present embodiment, a configuration in which there are two protrusions 50 is illustrated, but any one of the protrusions 50 may be provided.

(携帯機器)
次に、上述したセンサーデバイスを備えている携帯機器について説明する。
図10は、センサーデバイスを備えている携帯機器の一例としての高度計を示す模式斜視図である。
(Mobile device)
Next, a portable device provided with the above-described sensor device will be described.
FIG. 10 is a schematic perspective view showing an altimeter as an example of a portable device including a sensor device.

図10に示すように、高度計200は、多機能腕時計でもあり、手首に装着することができる。また、高度計200の内部には、センサーデバイス1(または2,3のいずれか)が搭載されており、表示部201に現在地における海抜、または、現在地の気圧などが表示される。
なお、この表示部201には、上記高度、気圧などの他に、現在時刻、使用者の心拍数、天候など、様々な情報が表示される。
As shown in FIG. 10, the altimeter 200 is also a multi-function watch and can be worn on the wrist. In addition, the sensor device 1 (or any one of 2 and 3) is mounted inside the altimeter 200, and the display unit 201 displays the sea level at the current location or the atmospheric pressure at the current location.
In addition to the altitude and atmospheric pressure, the display unit 201 displays various information such as the current time, the user's heart rate, and weather.

上述したように、本構成の高度計200は、センサーデバイス1(または2,3のいずれか)を備えていることから、上記各実施形態及び変形例に記載の効果が奏され、優れた性能(例えば、高感度な高度検出性能など)を発揮することができる。
なお、上述したセンサーデバイスを備えている携帯機器としては、上記高度計の他に、例えば、携帯電話、腕時計型多機能端末、タブレット型多機能端末などが挙げられる。
As described above, since the altimeter 200 of this configuration includes the sensor device 1 (or any one of 2 and 3), the effects described in the above embodiments and modifications are achieved, and excellent performance ( For example, highly sensitive altitude detection performance can be exhibited.
In addition to the altimeter, examples of the mobile device including the sensor device described above include a mobile phone, a wristwatch type multifunction terminal, a tablet type multifunction terminal, and the like.

(電子機器)
次に、上述したセンサーデバイスを備えている電子機器について説明する。
図11は、センサーデバイスを備えている電子機器の一例としてのナビゲーションシステムを示す模式正面図である。
(Electronics)
Next, an electronic apparatus including the above-described sensor device will be described.
FIG. 11 is a schematic front view illustrating a navigation system as an example of an electronic apparatus including a sensor device.

図11に示すように、ナビゲーションシステム300は、図示しない地図情報と、GPS(全地球測位システム:Global Positioning System)からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサー及び加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、センサーデバイス1(または2,3のいずれか)と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部301と、を備えている。   As shown in FIG. 11, the navigation system 300 includes map information (not shown), position information acquisition means from a GPS (Global Positioning System), self-contained navigation means using a gyro sensor, an acceleration sensor, and vehicle speed data. And a sensor device 1 (or any one of 2 and 3), and a display unit 301 that displays predetermined position information or course information.

このナビゲーションシステム300は、取得した位置情報に加えてセンサーデバイス1(または2,3のいずれか)により高度情報を取得することができる。
従来の、高度情報を持たないナビゲーションシステムでは、一般道路と高架道路とが重なって設けられている場合、一般道路と高架道路との判別ができないことから、高架道路を走行していても優先情報として一般道路走行におけるナビゲーション情報を使用者に提供していたという問題があった。
これに対して、ナビゲーションシステム300では、高度情報を取得することにより、一般道路と高架道路との判別が可能となることから、高架道路走行時において高架道路走行におけるナビゲーション情報を使用者に確実に提供することができる。
The navigation system 300 can acquire altitude information by the sensor device 1 (or any one of 2 and 3) in addition to the acquired position information.
In conventional navigation systems that do not have altitude information, when general roads and elevated roads are overlapped, it is impossible to distinguish between general roads and elevated roads, so priority information is available even when traveling on elevated roads. There was a problem that navigation information in general road driving was provided to the user.
On the other hand, in the navigation system 300, by acquiring altitude information, it becomes possible to discriminate between ordinary roads and elevated roads, so that navigation information on elevated road traveling can be reliably given to the user during elevated road traveling. Can be provided.

なお、ナビゲーションシステム300の表示部301は、例えば、液晶パネルディスプレイや、有機EL(Organic Electro−Luminescence)ディスプレイなどを用いることにより、小型かつ薄型化が可能な構成となっている。   Note that the display unit 301 of the navigation system 300 is configured to be small and thin by using, for example, a liquid crystal panel display, an organic EL (Organic Electro-Luminescence) display, or the like.

上述したように、本構成のナビゲーションシステム300は、センサーデバイス1(または2,3のいずれか)を備えていることから、上記各実施形態及び変形例に記載の効果が奏され、優れた性能(例えば、高感度な高度情報の取得による精度の高いナビゲーション情報の提供など)を発揮することができる。   As described above, since the navigation system 300 of this configuration includes the sensor device 1 (or any one of 2 and 3), the effects described in the above embodiments and modifications are achieved, and the performance is excellent. (For example, providing navigation information with high accuracy by acquiring highly sensitive altitude information).

なお、上述したセンサーデバイスを備えている電子機器としては、上記ナビゲーションシステムの他に、例えば、パーソナルコンピューター、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーターなどが挙げられる。   In addition to the navigation system, the electronic device including the above-described sensor device includes, for example, a personal computer, a medical device (for example, an electronic thermometer, a blood pressure monitor, a blood glucose meter, an electrocardiogram measuring device, an ultrasonic diagnostic device, an electronic device) Endoscope), various measuring instruments, instruments (for example, instruments for vehicles, aircraft, ships), flight simulators, and the like.

(移動体)
次に、上述したセンサーデバイスを備えている移動体について説明する。
図12は、センサーデバイスを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図である。
(Moving body)
Next, the moving body provided with the sensor device described above will be described.
FIG. 12 is a schematic perspective view illustrating an automobile as an example of a moving object including a sensor device.

図12に示すように、自動車400は、車体401と、4つの車輪402と、を有しており、車体401に設けられた図示しない動力源(エンジン)によって車輪402を回転させるように構成されている。
自動車400は、センサーデバイス1(または2,3のいずれか)を、例えば、搭載されているナビゲーション装置、姿勢制御装置などの高度検出センサーや、車輪402の空気圧検出センサーなどとして用いている。
これによれば、自動車400は、センサーデバイス1(または2,3のいずれか)を備えていることから、上記各実施形態及び変形例に記載の効果が奏され、優れた性能(例えば、高度に応じた精度の高いナビゲーション性能、高度に応じた応答性の高い姿勢制御性能、感度の高い空気圧管理性能など)を発揮することができる。
As shown in FIG. 12, an automobile 400 includes a vehicle body 401 and four wheels 402, and is configured to rotate the wheels 402 by a power source (engine) (not shown) provided in the vehicle body 401. ing.
The automobile 400 uses the sensor device 1 (or any one of 2 and 3) as, for example, an altitude detection sensor such as an installed navigation device or an attitude control device, an air pressure detection sensor of the wheel 402, or the like.
According to this, since the automobile 400 includes the sensor device 1 (or any one of 2 and 3), the effects described in the above embodiments and modifications are achieved, and excellent performance (for example, high altitude) High-accuracy navigation performance, high-responsive attitude control performance according to altitude, high-sensitivity air pressure management performance, etc.).

上述したセンサーデバイスは、上記自動車400に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体の、例えば高度検出センサーなどとして好適に用いることができ、いずれの場合にも、上記各実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた性能を発揮する移動体を提供することができる。   The sensor device described above is not limited to the automobile 400, and is preferably used as, for example, an altitude detection sensor of a mobile body including a self-propelled robot, a self-propelled transport device, a train, a ship, an airplane, an artificial satellite, and the like. In any case, the effects described in the above embodiments and modifications can be achieved, and a moving body that exhibits excellent performance can be provided.

本発明は、上記実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention includes substantially the same configuration (for example, a configuration having the same function, method, and result, or a configuration having the same purpose and effect) as the configuration described in the above embodiment. In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that achieves the same effect as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. In addition, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

1,2,3…センサーデバイス、10…センサー素子、10a…センサー素子端部としての第1辺、10b…底面、10c…センサー素子端部としての第2辺、10d…センサー素子端部としての第3辺、10e…センサー素子端部としての第4辺、11…端子部、12…半導体基板、12a…第1シリコン層、12b…シリコン酸化膜、12c…第2シリコン層、13…ダイアフラム部、14,14a,14b,14c,14d…ピエゾ抵抗素子、15…空洞部、16…壁部、17…ブリッジ回路、20…基板、21…ベース層、22…リードパターン層、23…実装部、24…接続部、25…開口部、25a…第1長辺、25b…第2長辺、25c…第1短辺、25d…第2短辺、26…接続端子部、30…容器、31…第1容器、32…第2容器、33…開口部、34…内底面、35…内部空間、40…充填部材、41…凹み、50…突起部、51…突起部の外周、60…ICチップ、60a…ICチップ端部としての第1辺、60b…ICチップ端部としての第2辺、60c…ICチップ端部としての第3辺、60d…ICチップ端部としての第4辺、61…端子部、70…ボンディングワイヤー、80…接合部材、200…携帯機器としての高度計、201…表示部、300…電子機器としてのナビゲーションシステム、301…表示部、400…移動体としての自動車、401…車体、402…車輪。   1, 2, 3 ... Sensor device, 10 ... Sensor element, 10a ... First side as sensor element end, 10b ... Bottom, 10c ... Second side as sensor element end, 10d ... As sensor element end 3rd side, 10e ... 4th side as sensor element end part, 11 ... terminal part, 12 ... semiconductor substrate, 12a ... 1st silicon layer, 12b ... silicon oxide film, 12c ... 2nd silicon layer, 13 ... diaphragm part 14, 14a, 14b, 14c, 14d ... piezoresistive element, 15 ... cavity, 16 ... wall, 17 ... bridge circuit, 20 ... substrate, 21 ... base layer, 22 ... lead pattern layer, 23 ... mounting part, 24 ... connection part, 25 ... opening, 25a ... first long side, 25b ... second long side, 25c ... first short side, 25d ... second short side, 26 ... connection terminal part, 30 ... container, 31 ... First container, 32 2nd container, 33 ... opening, 34 ... inner bottom, 35 ... inner space, 40 ... filling member, 41 ... dent, 50 ... projection, 51 ... outer periphery of projection, 60 ... IC chip, 60a ... end of IC chip First side as part, 60b ... Second side as IC chip end, 60c ... Third side as IC chip end, 60d ... Fourth side as IC chip end, 61 ... Terminal part, 70 ... Bonding wire, 80 ... joining member, 200 ... altimeter as portable device, 201 ... display unit, 300 ... navigation system as electronic device, 301 ... display unit, 400 ... automobile as moving body, 401 ... vehicle body, 402 ... wheel .

Claims (8)

センサー素子と、
ICチップと、
開口部を有する基板と、
前記センサー素子と、前記ICチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、が配置される内部空間を有する容器と、
前記内部空間に充填され、前記センサー素子と、前記ICチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、を覆う充填部材と、を備え、
前記センサー素子と前記ICチップとは、平面視で前記開口部内に互いに第1の隙間を有して並んで配置され、
前記第1の隙間は、平面視で前記容器の内底面の中央部に重なり、
前記内底面には、前記内部空間側に突出する突起部が配置され、
前記突起部は、平面視で前記第1の隙間と重なっていることを特徴とするセンサーデバイス。
A sensor element;
IC chip,
A substrate having an opening;
A container having an internal space in which the sensor element, the IC chip, and at least the opening of the substrate are disposed;
A filling member that fills the internal space and covers the sensor element, the IC chip, and at least the opening of the substrate;
The sensor element and the IC chip are arranged side by side with a first gap in the opening in a plan view,
The first gap overlaps a central portion of the inner bottom surface of the container in plan view,
On the inner bottom surface, a protrusion protruding to the inner space side is arranged,
The sensor device, wherein the protrusion overlaps the first gap in plan view.
前記センサー素子は複数のセンサー素子端部を有し、平面視で前記開口部と前記センサー素子端部との間に、前記ICチップに対向する側の前記センサー素子端部を除いて、第2の隙間を有して配置され、
前記ICチップは複数のICチップ端部を有し、平面視で前記開口部と前記ICチップ端部との間に、前記センサー素子に対向する側の前記ICチップ端部を除いて、第3の隙間を有して配置され、
前記第1の隙間の距離は、前記第2の隙間の距離及び前記第3の隙間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のセンサーデバイス。
The sensor element has a plurality of sensor element end portions, and a second portion excluding the sensor element end portion on the side facing the IC chip between the opening portion and the sensor element end portion in a plan view. Arranged with a gap of
The IC chip has a plurality of IC chip end portions, and a third portion excluding the IC chip end portion on the side facing the sensor element between the opening portion and the IC chip end portion in a plan view. Arranged with a gap of
The sensor device according to claim 1, wherein a distance of the first gap is larger than a distance of the second gap and a distance of the third gap.
前記内底面から前記突起部の頂点までの距離は、前記内底面から前記センサー素子の前記内底面に対向する底面までの距離よりも小さいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のセンサーデバイス。   The distance from the said inner bottom face to the vertex of the said projection part is smaller than the distance from the said inner bottom face to the bottom face facing the said inner bottom face of the said sensor element, The Claim 1 or Claim 2 characterized by the above-mentioned. Sensor device. 平面視で前記突起部の外周が、前記第1の隙間を形成する前記センサー素子の前記センサー素子端部及び前記ICチップの前記ICチップ端部の少なくとも一方と交差していることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のセンサーデバイス。   The outer periphery of the protrusion portion in a plan view intersects at least one of the sensor element end portion of the sensor element and the IC chip end portion of the IC chip forming the first gap. The sensor device according to claim 2 or claim 3. センサー素子と、
ICチップと、
開口部を有する基板と、
前記センサー素子と、前記ICチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、が配置される内部空間を有する容器と、
前記内部空間に充填され、前記センサー素子と、前記ICチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、を覆う充填部材と、を備え、
前記センサー素子と前記ICチップとは、平面視で前記開口部内に互いに第1の隙間を有して並んで配置され、
前記センサー素子は複数のセンサー素子端部を有し、平面視で前記開口部と前記センサー素子端部との間に、前記ICチップに対向する側の前記センサー素子端部を除いて、第2の隙間を有して配置され、
前記ICチップは複数のICチップ端部を有し、平面視で前記開口部と前記ICチップ端部との間に、前記センサー素子に対向する側の前記ICチップ端部を除いて、第3の隙間を有して配置され、
前記第2の隙間の距離及び前記第3の隙間の距離の少なくとも一方は、前記第1の隙間の距離よりも大きく、
前記容器の内底面には、前記内部空間側に突出する突起部が配置され、
前記突起部は、平面視で前記第2の隙間及び前記第3の隙間の内、前記距離が前記第1の隙間よりも大きい少なくとも一方と重なる位置に配置されていることを特徴とするセンサーデバイス。
A sensor element;
IC chip,
A substrate having an opening;
A container having an internal space in which the sensor element, the IC chip, and at least the opening of the substrate are disposed;
A filling member that fills the internal space and covers the sensor element, the IC chip, and at least the opening of the substrate;
The sensor element and the IC chip are arranged side by side with a first gap in the opening in a plan view,
The sensor element has a plurality of sensor element end portions, and a second portion excluding the sensor element end portion on the side facing the IC chip between the opening portion and the sensor element end portion in a plan view. Arranged with a gap of
The IC chip has a plurality of IC chip end portions, and a third portion excluding the IC chip end portion on the side facing the sensor element between the opening portion and the IC chip end portion in a plan view. Arranged with a gap of
At least one of the distance of the second gap and the distance of the third gap is larger than the distance of the first gap,
On the inner bottom surface of the container, a protrusion protruding to the inner space side is disposed,
The projecting portion is arranged at a position overlapping at least one of the second gap and the third gap, the distance of which is larger than the first gap, in a plan view. .
請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする携帯機器。   A portable device comprising the sensor device according to any one of claims 1 to 5. 請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the sensor device according to any one of claims 1 to 5. 請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする移動体。   A moving body comprising the sensor device according to any one of claims 1 to 5.
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