JP2017190506A - 気相成長装置および気相成長方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】整流板の温度を放射温度計にて精度よく計測する。【解決手段】気相成長装置は、基板の上面に気相成長反応により成膜を行う反応室と、反応室の上蓋を構成するトッププレートと、トッププレートよりも下方かつ基板の上方に配置され、複数の第1の貫通孔を有する整流板と、トッププレートの整流板に対向する第1面と、整流板のトッププレートに対向する第2面との少なくとも一方に形成される第1反射防止膜と、第1面と第2面との間の空間にガスを供給するガス供給部と、基板の裏面側から、基板を加熱する加熱手段と、トッププレートの上方に配置されて、整流板の温度を測定する放射温度計と、を備える。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、気相成長装置および気相成長方法に関する。
LED(Light Emitting diode)やパワー半導体などの電子デバイスの作製には、サファイア、GaN、SiC、シリコン基板等の単結晶基板上にGaN、SiCなどの化合物半導体の単結晶薄膜を成長させるエピタキシャル成長技術が用いられる。
エピタキシャル成長技術に使用される成膜装置では、常圧または減圧に保持されたチャンバの内部にウエハを載置する。そして、このウエハを加熱しながらチャンバ内に、成膜のための原料となるガスを供給すると、ウエハの表面で原料ガスの熱分解反応および水素還元反応が起こり、ウエハ上にエピタキシャル膜が成膜される。
ウエハ上に高品質で、均一な膜厚で、良好な膜質の膜を堆積させるためには、ウエハの温度を正確に制御する必要がある。このため、放射温度計を用いてウエハの温度を測定し、放射温度計の測定結果に基づいて加熱手段の出力を制御している(例えば、特許文献1参照)。
放射温度計は、物体から放射される赤外光や可視光の強度を測定して物体の温度を測定するため、ウエハから離れたチャンバの上方に放射温度計を配置しても、ウエハの温度を精度よく計測できる。
一方、原料ガスをウエハ上に均一に供給するために、チャンバの上蓋を構成するトッププレートの下方に整流板を配置して、トッププレートと整流板との間の空間に供給されたガスを、整流板に設けた複数の貫通孔からシャワー状に反応室内に供給する。
このとき、整流板の温度によって、反応室内に供給されるガスの温度や圧力が変化し、ウエハ上に成膜される膜の膜質にも影響を与える。このため、ウエハの温度を計測する放射温度計とは別に、整流板の温度を計測して、ガスの流量や整流板の温度を制御するのが望ましい。整流板の温度を計測するには、ウエハの温度計測用の放射温度計とは別個の放射温度計を設けることが考えられる。
ところが、整流板には複数の貫通孔が設けられているため、ウエハからの輻射光が整流板の貫通孔を通過して、トッププレートの下面で反射され、トッププレートの下面と整流板の表面との間で反射を繰り返した迷光が、整流板の温度計測用の放射温度計で計測されてしまい、整流板の温度を精度よく計測できなくなるおそれがある。
本発明が解決しようとする課題は、整流板の温度を放射温度計にて精度よく計測可能な気相成長装置および気相成長方法を提供することにある。
本発明の一態様では、基板の上面に気相成長反応により成膜を行う反応室と、
前記反応室の上蓋を構成するトッププレートと、
前記トッププレートよりも下方かつ前記基板の上方に配置され、複数の第1の貫通孔を有する整流板と、
前記トッププレートの前記整流板に対向する第1面と、前記整流板の前記トッププレートに対向する第2面との少なくとも一方に形成される第1反射防止膜と、
前記第1面と前記第2面との間の空間にガスを供給するガス供給部と、
前記基板の裏面側から、前記基板を加熱する加熱手段と、
前記トッププレートの上方に配置されて、前記整流板の温度を測定する放射温度計と、
を備える気相成長装置が提供される。
前記反応室の上蓋を構成するトッププレートと、
前記トッププレートよりも下方かつ前記基板の上方に配置され、複数の第1の貫通孔を有する整流板と、
前記トッププレートの前記整流板に対向する第1面と、前記整流板の前記トッププレートに対向する第2面との少なくとも一方に形成される第1反射防止膜と、
前記第1面と前記第2面との間の空間にガスを供給するガス供給部と、
前記基板の裏面側から、前記基板を加熱する加熱手段と、
前記トッププレートの上方に配置されて、前記整流板の温度を測定する放射温度計と、
を備える気相成長装置が提供される。
前記放射温度計で測定された温度に基づき、前記整流板の温度を制御する制御部を備えていてもよい。
前記トッププレートは、円板状であり、前記放射温度計の位置に合わせて、径方向に延在する第2の貫通孔を有してもよく、
前記放射温度計を前記第2の貫通孔に沿って径方向に移動させる移動機構をさらに備えてもよい。
前記放射温度計を前記第2の貫通孔に沿って径方向に移動させる移動機構をさらに備えてもよい。
前記第2の貫通孔の内壁面を覆う第2反射防止膜を備えてもよい。
本発明の他の一態様では、加熱手段により基板を加熱しながら前記基板上に原料ガスを供給し、前記基板の輻射光のうち、前記チャンバのトッププレートよりも下方かつ前記基板の上方に配置される整流板に設けられた複数の貫通孔を通過した前記輻射光を、前記トッププレートの前記整流板に対向する第1面と、前記整流板の前記トッププレートに対向する第2面との少なくとも一方に配置される反射防止膜にて吸収し、前記チャンバの上方に配置される放射温度計にて、前記整流板の輻射光を受光して、前記整流板の温度を計測し、計測される前記整流板の温度が所定の温度になるように制御して前記複数の膜を形成する気相成長方法が提供される。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。図1は本実施形態による気相成長装置1の概略構成を示す図である。本実施形態では、成膜処理を行う基材としてシリコン基板、具体的にはシリコンウエハ(以下、単にウエハと呼ぶ)Wを用い、このウエハW上に複数の膜を成膜する例を説明する。なお、ウエハWはシリコンに限定されるものではなく、サファイアや、GaN、SiCなどの基板を用いることができる。図1の気相成長装置1は、サセプタ6に載置されたウエハW上に、エピタキシャル膜を形成するための原料となる複数種類の原料ガスを供給し、ウエハW上で気相成長反応させて成膜を行う。
図1の気相成長装置1は、ウエハW上で気相成長をさせてエピタキシャル膜を成膜する反応室2を有するチャンバ3と、チャンバ3内の反応室2の上側に配置されるガス供給部4および原料放出部5と、ウエハWを載置するサセプタ6と、排気機構7と、制御部8とを備えている。なお、図1は気相成長装置1を構成する主要部材を図示しており、図示していない部材が気相成長装置1に具備されている場合もありうる。
反応室2の内部には、ウエハWを載置するサセプタ6と、サセプタ6を回転させる回転部9と、回転部9の内部に配置される加熱手段としてのヒータ10とが設けられている。
ガス供給部4は、複数のガスを個別に貯留する複数のガス貯留部4aと、これらガス貯留部4aと原料放出部5とを接続する複数のガス管4bと、これらガス管4bを流れるガスの流量を調整する複数のバルブ、MFC(マスフローコントローラ)などから構成されるガス調整機構4cと、チャンバ3の上蓋を構成するトッププレート3aに設けられるガス供給孔4dと、ガス流路4eとを有する。各ガス調整機構4cは、対応するガス管4bに接続され、各ガス管4bの端部はガス供給孔4dに接続されている。複数のガス調整機構4cは、制御部8により制御される。実際の配管は、複数のガス管を結合したり、1本のガス管を複数のガス管に分岐したり、ガス管の分岐や結合を組み合わせるなどの複数の構成を取りうる。
ガス供給部4から供給される原料ガスは、原料放出部5を通って、チャンバ3内の反応室2に放出される。反応室2に放出された原料ガス(プロセスガス)は、ウエハW上に供給され、これにより、ウエハW上に所望の膜が形成される。なお、使用する原料ガスの種類は、特に限定されない。成膜する膜の種類により原料ガスは種々変更されうる。
原料放出部5の底面側には、整流板11が設けられている。この整流板11は、トッププレート3aよりも下方で、かつウエハWよりも上方に配置されている。すなわち、整流板11は、反応室2の上方に配置されている。整流板11には、1.5mm径程度の複数の貫通孔(第1貫通孔)11aが設けられている。
トッププレート3aの上面には、それぞれ異なるガスを供給可能な複数のガス供給孔4dが設けられている。各ガス供給孔4dの径は、例えば10mm程度である。ガス供給部4からのガスは、トッププレート3aの下面と整流板11の上面との間の空間に供給されて混合され、複数の貫通孔11aを通して反応室2内にシャワー状に供給される。複数の貫通孔11aを通して反応室2にシャワー状にガスを供給することで、反応室2内のガスの濃度、温度および圧力を均一化することができる。
整流板11は、所定の厚みを持った円板形状である。整流板11は、例えば、ステンレス鋼やアルミニウム合金等の金属材料を用いて構成することができる。整流板11の内部には、ガス流路4eが設けられており、複数種類のガスが混合されて、複数の第1の貫通孔11aを介してチャンバ3内のウエハWに供給される。整流板11には、後述する温度測定を行うための石英窓(図1では図示せず)が設けられている。
各ガス流路4eは、対応するガス管4bの一端と接続されている。ガス管4bの他端は、ガスボンベ等で構成されたガス供給部4に接続されており、ガス調整機構4cにより調整された流量のガスが流れる。ガス流量は制御部8により制御される。ガス管4bおよびガス供給部4は複数設けられており、それぞれ異なるガスに対応している。
整流板11の側面側には、冷却水を供給する冷却水供給孔11bが設けられ、この孔から供給された冷却水は、整流板11の外周側に設けられた周状の冷却水流路11cを流れて、整流板11の冷却を行う。冷却水流路11cは、外部のチラーユニット20と接続され、チラーユニット20により調整される冷却水の温度を制御部8により制御することにより整流板11の温度が制御される。
ウエハWを載置するサセプタ6には、例えばリング状のホルダが用いられるが、開口部のない円板状のサセプタ6を用いてもよい。
サセプタ6は、回転部9の上部に取り付けられており、回転部9の回転とともに回転する。サセプタ6には座ぐり6aが設けられており、この座ぐり6aでウエハWの外周部を安定に支持することができる。サセプタ6は、高温下にさらされることから、例えば、等方性黒鉛やSiCの基材表面にCVD(化学気相成長)法によって高耐熱で高純度のSiCを被覆して構成される。
回転部9は、円筒部9aと、円筒部9aの底部に接合された回転軸9bとを有する。上述したサセプタ6は、円筒部9aの上部に設けられている。回転軸9bは、不図示のモータにて回転駆動される。回転軸9bが回転すると、円筒部9aも回転軸9bと一体に回転し、円筒部9aに設けられたサセプタ6も回転する。よって、サセプタ6の上にウエハWが載置されていれば、ウエハWを回転させることができる。
円筒部9aの内部には、ヒータ10が設けられている。ヒータ10は例えば抵抗加熱ヒータ10である。ヒータ10は、カーボンやSiCの基材表面に高純度のSiCを被覆して構成されたものでもよい。ヒータ10は、回転軸9b内に設けられた略円筒状の石英製のシャフトの内部を通る配線10aによって給電され、ウエハWをその裏面側から加熱する。配線10aは、図1では図示していないが、制御部8に接続されており、制御部8がヒータ10の出力(加熱パワー)を制御する。加熱手段としては、加熱ランプ等を用いてもよい。
回転軸9bの内部には、基板昇降手段として図示されない昇降ピン9cが配置されている。昇降ピン9cの下端は、回転軸9bの下部に設けられた図示されない昇降装置まで伸びている。そして、その昇降装置を動作させて昇降ピンを上昇または下降させることができる。この昇降ピンは、ウエハWのチャンバ3内への搬入とチャンバ3外への搬出の時に使用される。昇降ピンは、例えばウエハWを下方から支持し、持ち上げてサセプタ6から引き離す。そして、ウエハWの搬送用ロボット(図示されない)との間でウエハWの受け渡しを行う。また、ウエハWはサセプタ6とともに搬出入してもよい。
チャンバ3の下部には、反応後の上記複数種類のガス等を排気するためのガス排気部12が複数設けられている。ガス排気部12は、調整バルブ13や真空ポンプ14等からなる排気機構7に接続されている。
トッププレート3aの上方には、ウエハWの温度を計測するための放射温度計15と、整流板11の温度を計測するための放射温度計16とが設けられている。これら放射温度計15,16は、円板状のトッププレート3aの径方向に移動自在とされている。
これら放射温度計15,16に対応して、トッププレート3aには2つの石英窓(図1では不図示)が設けられている。また、整流板11には、放射温度計15に対応して、対応する石英窓と上下に重なる位置に径方向に延在するように細長の第2の貫通孔が設けられている。
放射温度計15は、ウエハWからの反射光を受光して、ウエハWの反射光強度を測定する。また、放射温度計15は、ウエハWの膜成長面からの輻射光を受光して、熱輻射光強度を測定する。放射温度計15で測定された熱輻射光強度は、ウエハWの温度を計測するために用いられる。
放射温度計16は、対応する石英窓を通して、、整流板11からの輻射光を検出して、整流板11の温度を計測する。
放射温度計15,16で測定する波長としては、例えば900nmが選択されるが、それ以外の波長域の赤外線、可視光線などでもかまわない。
放射温度計15は、ウエハWの温度を測定するために用いられる。制御部8は、放射温度計15で計測されたウエハWの温度に基づいて、ウエハWが所定温度となるようにヒータ10の出力を制御する。
放射温度計16は、成膜を開始する初期設定として、成膜条件を設定する目的で整流板11の温度を計測する。一般的な傾向として、整流板11の温度が高いほど、ウエハW上の成膜速度が速くなる。整流板11の温度が高いと、整流板11を通過するガスの温度も高くなり、整流板11の中心部と周辺部で温度差があると、ウエハW上の成膜速度にばらつきが生じるおそれがある。よって、放射温度計16を整流板11の径方向に移動させながら温度を計測し、制御部8は、整流板11の温度が整流板11の中心部と周辺部で略同一になるようにチラーユニット20により冷却水の温度を制御する。
制御部8は、気相成長装置11内の各部を集中的に制御するコンピュータ(不図示)と、成膜処理に関する成膜処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部(不図示)とを備えている。制御部8は、さらに成膜処理情報や各種プログラムに基づいて、ガス供給部4や回転部9の回転機構、排気機構7などを制御する。
図2はトッププレート3aと整流板11の斜視図、図3は図2とは異なる方向から見た斜視図である。これらの図からわかるように、トッププレート3aには、ウエハWの温度計測用の放射温度計15のための石英窓21と、整流板11の温度計測用の放射温度計16のための石英窓22とが設けられている。図2および図3では、放射温度計16を省略している。
放射温度計15と放射温度計16は、上方に配置された不図示のレール(移動機構)に沿って、対応する石英窓21,22の長手方向に移動可能とされている。放射温度計15および放射温度計16と、トッププレート3aの上面との距離は常に一定とされている。放射温度計15を、対応する石英窓21の長手方向に沿って移動させながらウエハWの温度を計測することで、ウエハWの中心部と周辺部の温度を計測することができる。同様に、放射温度計16を、対応する石英窓22の長手方向に沿って移動させながら整流板11の温度を計測することで、整流板11の中心部と周辺部の温度を計測することができる。
トッププレート3aの上面の複数箇所には、ガス供給部4のガス供給孔4dが配置されている。図2には、2個のガス供給孔4dが図示されているが、ガス供給孔4dの数は2個に限定されない。
ガス供給部4からのガスは、トッププレート3aの下面と整流板11との間の空間に供給されて混合された後、整流板11の複数の貫通孔11aを通して、反応室2に送り出される。
図4はトッププレート3aと整流板11との断面図である。図4に示すように、本実施形態では、トッププレート3aの下面の少なくとも一部を反射防止膜(第1反射防止膜)23で覆っている。反射防止膜23は、ウエハWからの輻射光を吸収する性質を有する膜である。反射防止膜23がないとすると、ウエハWからの輻射光は、整流板11における複数の貫通孔11aを通過して、トッププレート3aの下面で反射され、その後、整流板11の表面とトッププレート3aの下面との間で反射を繰り返して、迷光となって放射温度計16で受光されるおそれがある。トッププレート3aの下面の少なくとも一部を反射防止膜23で覆っていると、この反射防止膜23に入射された輻射光は吸収されるため、ウエハWからの輻射光を起因とする迷光が放射温度計16で受光されることによる精度低下を抑えることができる。
反射防止膜23の具体的な材料としては、黒色アルマイト、黒色アルミナ、または黒色クロムメッキなどが考えられるが、これら以外の材料を用いてもよい。また、ウエハWの輻射光の吸収特性を向上させるために、反射防止膜23を多層膜構造にしてもよい。
なお、反射防止膜23は、必ずしもトッププレート3aの下面側に配置されるとは限らない。図5は、整流板11の表面、より具体的には、整流板11のトッププレート3aに対向する面の少なくとも一部を反射防止膜23で覆う例を示している。整流板11には複数の貫通孔11aが設けられているため、整流板11の上面を反射防止膜23で覆う際には、整流板11における複数の貫通孔11aに重なるように反射防止膜23に孔を設けて、反射防止膜23と整流板11を介して、ガスが通過できるようにする必要がある。
反射防止膜23は、トッププレート3aの下面(整流板11に対向する第1面)と、整流板11の上面(トッププレート3aに対向する第2面)との少なくとも一方に設ければよい。
トッププレート3aの下面と整流板11の上面との少なくとも一方を反射防止膜23で覆ったとしても、ウエハWからの輻射光を起因とする一部の迷光が石英窓22まで到達するおそれがある。この場合、迷光が石英窓22の内壁面で反射されて、放射温度計16で受光されるおそれがある。そこで、石英窓22の内壁面を図2や図3に示すように、反射防止膜24でコーティングしてもよい。反射防止膜(第2反射防止膜)24の材料としては、フッ化マグネシウムなどを真空蒸着やスパッタリングにより成膜することが考えられる。なお、反射防止膜24の具体的な材料や成膜方法は任意である。
このように、本実施形態では、トッププレート3aの整流板11に対向する面(トッププレート3aの下面)と、整流板11のトッププレート3aに対向する面(整流板11の上面)との少なくとも一方を、反射防止膜23で覆うため、ウエハWからの輻射光が整流板11の貫通孔11aを通過したとしても、この輻射光を反射防止膜23で吸収することができる。よって、放射温度計16では、ウエハWからの輻射光の影響を抑えて、整流板11からの輻射光を受光でき、整流板11の温度を精度よく計測できる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 気相成長装置、2 反応室、3 チャンバ、4 ガス供給部、4a ガス貯留部、4b ガス管、4c ガス調整機構、4d ガス供給孔、4e ガス流路、5 原料放出部、6 サセプタ、7 排気機構、8 制御部、9 回転部、9a 円筒部、9b 回転軸、15,16 放射温度計
Claims (5)
- 基板の上面に気相成長反応により成膜を行う反応室と、
前記反応室の上蓋を構成するトッププレートと、
前記トッププレートよりも下方かつ前記基板の上方に配置され、複数の第1の貫通孔を有する整流板と、
前記トッププレートの前記整流板に対向する第1面と、前記整流板の前記トッププレートに対向する第2面との少なくとも一方に形成される第1反射防止膜と、
前記第1面と前記第2面との間の空間にガスを供給するガス供給部と、
前記基板の裏面側から、前記基板を加熱する加熱手段と、
前記トッププレートの上方に配置されて、前記整流板の温度を測定する放射温度計と、
を備える気相成長装置。 - 前記放射温度計で測定された温度に基づき、前記整流板の温度を制御する制御部を備える請求項1に記載の気相成長装置。
- 前記トッププレートは、円板状であり、前記放射温度計の位置に合わせて、径方向に延在する第2の貫通孔を有し、
前記放射温度計を前記第2の貫通孔に沿って径方向に移動させる移動機構をさらに備える請求項1または2に記載の気相成長装置。 - 前記第2の貫通孔の内壁面を覆う第2反射防止膜を備える請求項3に記載の気相成長装置。
- 加熱手段により基板を加熱しながら前記基板上に原料ガスを供給し、
前記基板の輻射光のうち、前記チャンバのトッププレートよりも下方かつ前記基板の上方に配置される整流板に設けられた複数の貫通孔を通過した前記輻射光を、前記トッププレートの前記整流板に対向する第1面と、前記整流板の前記トッププレートに対向する第2面との少なくとも一方に配置される反射防止膜にて吸収し、
前記チャンバの上方に配置される放射温度計にて、前記整流板の輻射光を受光して、前記整流板の温度を計測し、
計測される前記整流板の温度が所定の温度になるように制御して前記複数の膜を形成する気相成長方法。
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WO2020048981A2 (de) | 2018-09-07 | 2020-03-12 | Aixtron Se | Verfahren zum einrichten oder zum betrieb eines cvd-reaktors |
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WO2020048981A2 (de) | 2018-09-07 | 2020-03-12 | Aixtron Se | Verfahren zum einrichten oder zum betrieb eines cvd-reaktors |
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