JP2017183415A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理の面内均一性を向上することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】処理ユニット２は、基板Ｗを水平姿勢で保持して回転させるスピンチャック５と、スピンチャック５に保持された基板Ｗに下方から対向し、上面視において当該基板Ｗの最外周が重なる加熱面６ａを有し、当該基板Ｗの下面に接した状態で当該基板Ｗを加熱するヒータユニット６と、スピンチャック５とヒータユニット６との間で基板Ｗを載せ替えるリフトピン４と、スピンチャック５に保持された基板Ｗに向けて処理流体を供給するノズル１０，１１，１２とを含む。【選択図】図２

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

特許文献１は、基板を処理液で処理した後に基板を乾燥する基板処理装置を開示している。この基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させる基板保持回転機構と、基板保持回転機構に保持されている基板の下面に対向配置されたヒータとを含む。基板保持回転機構は、回転リングと、回転リングに立設されて基板の周縁部を支持する複数の下当接ピンとを含む。基板は下当接ピンの上に載置されて保持され、その状態で回転リングが回転することで基板が回転する。基板を乾燥させるときには、ヒータが基板の下面に向けて上昇させられ、ヒータの加熱面が基板の加熱面に接近させられる。

特開２０１４−１１２６５２号公報

特許文献１の基板処理装置では、ヒータは、上面視において、回転リングの内側に配置されている。そのため、ヒータの加熱面は基板よりも小さいから、基板の外周領域はその内方の領域に比較して加熱され難い。それにより、基板の加熱むらが生じるから、基板処理に面内不均一が生じ易い。
そこで、この発明の一つの目的は、基板処理の面内均一性を向上することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

この発明は、基板の周縁部を挟持することにより基板を水平姿勢で保持する基板保持手段と、前記基板保持手段によって保持された基板を回転させる基板回転手段と、前記基板保持手段に保持された基板に下方から対向し、上面視において当該基板の最外周が重なる加熱面を有し、当該基板の下面に接した状態で当該基板を加熱する基板加熱手段と、前記基板保持手段と前記基板加熱手段との間で基板を載せ替える載替え手段と、前記基板保持手段に保持された基板に向けて処理流体を供給する処理流体供給手段と、を含む、基板処理装置を提供する。

この構成によれば、基板保持手段に基板が保持された状態で、その基板を回転させながら当該基板に向けて処理流体を供給することで、基板の全域を処理流体で処理することができる。一方、基板が基板加熱手段の加熱面に対向し、上面視において基板の最外周が加熱面に重なるので、基板保持手段から基板加熱手段に基板を載せ替えることによって、基板の全域を均一に加熱することができる。したがって、処理流体による処理および加熱処理のいずれもが基板の全域に対して均一に行われるので、基板処理の面内均一性を高めることができる。しかも、基板の下面が基板加熱手段の加熱面に接するので、基板を効率的に加熱することができる。

この発明の一実施形態では、前記加熱面が、上面視において前記基板保持手段に保持された基板の全域に重なる。この構成により、基板の全域を一層均一に加熱できる。
この発明の一実施形態では、前記基板保持手段が、前記基板と前記加熱面との間から外側へと退避可能に構成されている。これにより、基板と加熱面との間に基板保持手段が介在しない状態で、基板を加熱できる。したがって、基板処理（とくに加熱）の面内均一性を一層高めることができる。また、基板保持手段が基板と加熱面との間から外側に退避可能であるので、基板保持手段に干渉することなく、基板を基板保持手段から基板加熱手段へと載せ替えて加熱面を基板下面に接触させることができ、また基板加熱手段から基板保持手段へと基板を載せ替えることができる。

この発明の一実施形態では、前記載替え手段が、前記基板保持手段が前記基板に接触する位置よりも内方で前記基板の下面を支持し、前記加熱面を貫通して上下動する昇降部材と、前記昇降部材を上下動させる昇降ユニットとを含む。この構成によれば、昇降ユニットによって昇降部材を上下動させることで、基板保持手段と基板加熱手段との間で基板を載せ替えることができる。したがって、基板保持手段と基板加熱手段との上下関係を反転させることなく、それらの間で基板を載せ替えることができる。これにより、基板加熱手段が基板よりも大きな加熱面を有する構成の設計が容易になる。

この発明の一実施形態では、前記加熱面が、前記基板保持手段が前記基板に接触する位置よりも内方で前記基板の下面を支持しながら上下動する可動部を含み、前記載替え手段が、前記可動部を上下動させる昇降ユニットを含む。この構成によれば、加熱面の内方の領域に可動部を設けることにより、この可動部を上下動させて、基板加熱手段と基板保持手段との間で基板を載せ替えることができる。したがって、基板保持手段と加熱面の固定部（可動部以外の部分）との上下関係を反転させることなく、基板保持手段と基板加熱手段との間で基板を載せ替えることができる。これにより、基板加熱手段が基板よりも大きな加熱面を有する構成の設計が容易になる。

この発明の一実施形態では、前記基板保持手段が、前記基板の周縁部に接する保持部材を含み、前記載替え手段が、前記加熱面を前記保持部材に対して相対的に上下動させる昇降ユニットを含み、前記加熱面が、前記昇降ユニットによって前記保持部材に対して相対的に上昇される過程で前記保持部材の少なくとも一部を収容する凹部を含む。この構成によれば、加熱面を上下動させて当該加熱面による基板支持高さを基板保持部材による基板保持高さと整合させることによって、基板加熱手段の加熱面と基板保持手段の保持部材との間で基板を受け渡すことができる。一方、基板加熱手段の加熱面には保持部材の少なくとも一部を収容する凹部が形成されているので、保持部材と加熱面との干渉を回避しながら、加熱面を保持部材に対して相対的に上下動して、基板加熱手段と基板保持手段との間で基板を載せ替えることができる。

凹部は、底面を有する座繰り部であってもよい。この場合に、保持部材が座繰り部内において基板と座繰り部の底面（加熱面）との間に介在していてもよい。この場合であっても、加熱面が基板に対向しているので、輻射熱によって基板を加熱することができる。
この発明の一実施形態では、少なくとも前記基板回転手段、前記載替え手段および前記処理流体供給手段を制御する制御手段をさらに含み、前記制御手段が、前記基板保持手段により保持された基板を前記基板回転手段によって回転させながら、前記処理流体供給手段から前記基板へと処理流体を供給する流体処理と、前記流体処理の後、前記載替え手段によって前記基板保持手段から前記基板加熱手段へと基板を載せ替えて、前記基板加熱手段によって前記基板を加熱する加熱処理とを実行する。この構成により、流体処理では基板を保持して回転させながら処理流体が基板に供給されるので、基板の全域に対して均一に処理流体による処理を施すことができる。また、加熱処理では、基板が基板加熱手段の加熱面に対向し、基板の最外周が加熱面に重なるので、基板の全域を均一に加熱できる。これより、基板処理の面内均一性を高めることができる。

この発明の一実施形態では、前記制御手段が、さらに前記基板保持手段を制御し、前記加熱処理に際して、前記制御手段が、前記基板保持手段を前記基板の下面と前記基板加熱手段の加熱面との間に位置しない位置まで移動させる。この構成によれば、加熱処理の際に、基板の下面と加熱面との間に基板保持手段が介在しないので、基板保持手段によって基板の加熱が阻害されない。それにより、基板の全域を一層均一に加熱できる。

前記保持部材は、基板の周端面に当接して基板を挟持する挟持部を有していてもよい。この挟持部は、基板の周端面に当接して基板を挟持する挟持状態（閉状態）と、基板の周端面から退避した退避状態（開状態）とに変位可能であってもよい。また、前記保持部材は、基板の周縁部の下面に当接して基板を下方から支持する支持部を有していてもよい。保持部材は、前記挟持部を有し前記支持部を有していなくてもよい。この場合には、挟持部を基板と基板加熱手段の加熱面との間から外側に退避させることができる。保持部材は、前記挟持部および支持部の両方を有していてもよい。この場合、支持部は、挟持部が前記挟持状態（閉状態）であるか前記退避状態（開状態）であるかを問わず、基板の周縁部の下面を支持できる位置にあってもよい。このような場合において、加熱面に前述のような凹部を設け、凹部内に前記支持部が収容可能とされていることが好ましい。

この発明は、また、チャンバ内に配置された基板保持手段によって基板の周縁部を挟持して水平姿勢で保持しながら当該基板を回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程で回転されている基板の表面に処理流体を供給する処理流体供給工程と、前記基板回転工程を終えてから、前記チャンバ内で前記基板保持手段から基板加熱手段に載せ替える載せ替え工程と、前記基板加熱手段の加熱面に前記基板の下面が対向し、上面視において当該基板の最外周が前記加熱面に重なる状態で、前記基板の下面を前記加熱面に接触させて当該基板を加熱する基板加熱工程とを含む、基板処理方法を提供する。

この発明の一実施形態では、前記基板加熱工程において、前記基板の下面の全域が前記加熱面に対向する。
この発明の一実施形態では、前記基板加熱工程において、前記基板保持手段が、前記基板と前記加熱面との間から外側へと退避している。

図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図３は、前記処理ユニットに備えられたリフトピン、スピンチャックおよびヒータユニットの平面図であり、図３Ａはチャックピンの構成を拡大して示す平面図である。 図４は、基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図５は、基板処理装置による基板処理の一例を説明するための流れ図である。 図６Ａ〜図６Ｃは、前記基板処理の主要なステップにおける処理ユニットのチャンバ内の様子を示す。 図６Ｄ〜図６Ｅは、前記基板処理の主要なステップにおける処理ユニットのチャンバ内の様子を示す。 図６Ｆ〜図６Ｇは、前記基板処理の主要なステップにおける処理ユニットのチャンバ内の様子を示す。 図６Ｈ〜図６Ｉは、前記基板処理の主要なステップにおける処理ユニットのチャンバ内の様子を示す。 図６Ｊ〜図６Ｋは、前記基板処理の主要なステップにおける処理ユニットのチャンバ内の様子を示す。 図６Ｌ〜図６Ｍは、前記基板処理の主要なステップにおける処理ユニットのチャンバ内の様子を示す。 図７Ａおよび図７Ｂは、基板の表面における気相層の形成を説明するための図解的な断面図であり、図７Ｃは、液膜の分裂を説明するための断面図である。 図８Ａは、基板の下面全域がヒータユニットの加熱面に対向することによる効果を説明するための図である（実施例）。 図８Ｂは、基板の下面全域がヒータユニットの加熱面に対向することによる効果を説明するための図である（比較例）。 図９は、この発明の第２の実施形態に係る処理ユニットの構成を説明するための図解的な断面図である。 図１０は、前記処理ユニットに備えられたスピンチャック等の平面図である。 図１１Ａ〜図１１Ｄは、前記基板処理の主要なステップにおける処理ユニットのチャンバ内の様子を示す。 図１１Ｅ〜図１１Ｇは、前記基板処理の主要なステップにおける処理ユニットのチャンバ内の様子を示す。 図１２は、この発明の第３の実施形態に係る処理ユニットの構成を説明するための図解的な断面図である。 図１３は、前記処理ユニットに備えられたスピンチャック等の平面図である。 図１３Ａおよび図１３Ｂは、チャックピンの拡大平面図である。 図１４Ａ〜図１４Ｃは、前記基板処理の主要なステップにおける処理ユニットのチャンバ内の様子を示す。 図１５は、この発明の第４の実施形態に係る処理ユニットの構成を説明するための図解的な断面図である。 図１６は、前記処理ユニットに備えられたヒータユニット等の平面図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御ユニット３とを含む。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。

図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。処理ユニット２は、一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック５と、基板Ｗを下面（下方側の主面）側から加熱するヒータユニット６と、基板Ｗをスピンチャック５とヒータユニット６との間で載せ替えるために昇降する昇降部材としてのリフトピン４と、リフトピン４を上下動させるリフトピン昇降ユニット７と、スピンチャック５を取り囲む筒状のカップ８と、基板Ｗの下面に処理流体を供給する下面ノズル９と、基板Ｗの上面（上方側の主面）にリンス液としての脱イオン水（ＤＩＷ）を供給するＤＩＷノズル１０と、基板Ｗの上方で移動可能な第１移動ノズル１１と、基板Ｗの上方で移動可能な第２移動ノズル１２とを含む。処理ユニット２は、さらに、カップ８等を収容するチャンバ１３（図１参照）を含む。図示は省略するが、チャンバ１３には、基板Ｗを搬入／搬出するための搬入／搬出口が形成されており、この搬入／搬出口を開閉するシャッタユニットが備えられている。

スピンチャック５は、基板Ｗを保持する基板保持ユニットであり、かつ基板Ｗを回転させる基板回転ユニットである。具体的には、スピンチャック５は、基板を保持する保持部材としてのチャックピン２０（チャック部材、基板保持手段）と、スピンベース２１と、スピンベース２１の下面中央に結合された回転軸２２と、回転軸２２に回転力を与える電動モータ２３（基板回転手段）とを含む。回転軸２２は回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びており、この実施形態では中空軸である。回転軸２２の上端に、スピンベース２１が結合されている。スピンベース２１は、水平方向に沿う円盤形状を有している。スピンベース２１の上面の周縁部に、複数のチャックピン２０が周方向に間隔を空けて配置されている。複数のチャックピン２０は、基板Ｗの周縁部に接する保持部材の一例であり、基板Ｗの周端に接触して基板Ｗを把持する閉状態と、基板Ｗの周端から退避した開状態との間で開閉可能である。

チャックピン２０を開閉駆動するために、チャックピン駆動ユニット２５が備えられている。チャックピン駆動ユニット２５は、たとえば、スピンベース２１に内蔵されたリンク機構２６と、スピンベース２１外に配置された駆動源２７とを含む。駆動源２７は、たとえば、ボールねじ機構と、それに駆動力を与える電動モータとを含む。チャックピン駆動ユニット２５の具体的な構成例は、特開２００８−０３４５５３号公報などに記載がある。

ヒータユニット６は、スピンベース２１の上方に配置されている。ヒータユニット６の下面には、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びる支持軸３０が結合されている。支持軸３０は、スピンベース２１の中央部に形成された貫通孔２４と、中空の回転軸２２とを挿通している。支持軸３０の下端は、回転軸２２の下端よりもさらに下方にまで延びている。

一方、支持軸３０を収容するように中空の昇降軸３１が回転軸２２内に配置されている。昇降軸３１は、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延び、スピンベース２１の貫通孔２４および回転軸２２を挿通している。昇降軸３１の上端にリフトピン４が結合されている。昇降軸３１の下端は、回転軸２２の下端よりもさらに下方にまで延びている。この昇降軸３１の下端に、リフトピン昇降ユニット７が結合されている。リフトピン４は、ヒータユニット６を貫通するように配置されている。リフトピン昇降ユニット７を作動させることにより、リフトピン４は、その上端の支持部がヒータユニット６の上面である加熱面６ａ以下の高さとなる下位置から、基板Ｗの下面を支持してチャックピン２０から持ち上げる上位置までの間で上下動する。リフトピン４およびリフトピン昇降ユニット７は、スピンチャック５とヒータユニット６との間で基板Ｗを載せ替える載替え手段の一例である。

リフトピン昇降ユニット７は、たとえば、ボールねじ機構と、それに駆動力を与える電動モータとを含む。これにより、リフトピン昇降ユニット７は、下位置および上位置の間の任意の中間位置にリフトピン４を配置できる。たとえば、ヒータユニット６の加熱面６ａから上方に所定の間隔を開けた高さで基板Ｗを支持するようにリフトピン４の高さを制御した状態で、加熱面６ａからの輻射熱によって基板Ｗを加熱することができる。また、ヒータユニット６の加熱面６ａに基板Ｗを載置すれば、基板Ｗの下面に接触させた接触状態で、加熱面６ａからの熱伝導により、基板Ｗをより大きな熱量で加熱することができる。そして、基板Ｗをチャックピン２０の高さで支持できる高さとすれば、リフトピン４とチャックピン２０との間で基板Ｗを受け渡すことができる。さらに、基板Ｗをチャックピン２０よりも上の高さで支持できる高さとすれば、搬送ロボットＣＲとリフトピン４との間で基板Ｗを受け渡しできる。

第１移動ノズル１１は、第１ノズル移動ユニット１５によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第１移動ノズル１１は、水平方向への移動によって、基板Ｗの上面の回転中心に対向して基板Ｗに処理流体を供給する処理位置と、基板Ｗの上面に対向しないホーム位置（退避位置）との間で移動させることができる。基板Ｗの上面の回転中心とは、基板Ｗの上面における回転軸線Ａ１との交差位置である。基板Ｗの上面に対向しないホーム位置とは、平面視において、スピンベース２１の外方の位置であり、より具体的には、カップ８の外方の位置であってもよい。第１移動ノズル１１は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近させたり、基板Ｗの上面から上方に退避させたりすることができる。第１ノズル移動ユニット１５は、たとえば、鉛直方向に沿う回動軸１５ａと、回動軸１５ａに結合されて水平に延びるアーム１５ｂと、アーム１５ｂを駆動するアーム駆動機構１５ｃとを含む。アーム駆動機構１５ｃは、回動軸１５ａを鉛直な回動軸線まわりに回動させることによってアーム１５ｂを揺動させ、回動軸１５ａを鉛直方向に沿って昇降することにより、アーム１５ｂを上下動させる。第１移動ノズル１１はアーム１５ｂに固定されている。アーム１５ｂの揺動および昇降に応じて、第１移動ノズル１１が水平方向および垂直方向に移動する。

このように、第１ノズル移動ユニット１５は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に対向するように第１移動ノズル１１を保持するノズル保持ユニットとしての機能を有している。さらに、第１ノズル移動ユニット１５は、スピンチャック５に保持された基板Ｗと第１移動ノズル１１との間の上下方向の距離を調節する距離調節ユニットとしての機能を有している。

第２移動ノズル１２は、第２ノズル移動ユニット１６によって、水平方向および垂直方向に移動される。第２移動ノズル１２は、水平方向への移動によって、基板Ｗの上面の回転中心に対向して基板Ｗに処理流体を供給する位置と、基板Ｗの上面に対向しないホーム位置（退避位置）との間で移動させることができる。ホーム位置は、平面視において、スピンベース２１の外方の位置であり、より具体的には、カップ８の外方の位置であってもよい。第２移動ノズル１２は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近させたり、基板Ｗの上面から上方に退避させたりすることができる。第２ノズル移動ユニット１６は、たとえば、鉛直方向に沿う回動軸と、回動軸に結合されて水平に延びるアームと、アームを駆動するアーム駆動機構とを含む。アーム駆動機構は、回動軸を鉛直な回動軸線まわりに回動させることによってアームを揺動させ、回動軸を鉛直方向に沿って昇降することにより、アームを上下動させる。第２移動ノズル１２はアームに固定される。アームの揺動および昇降に応じて、第２移動ノズル１２が水平方向および垂直方向に移動する。

第１移動ノズル１１は、この実施形態では、有機溶剤を吐出する有機溶剤ノズルとしての機能と、窒素ガス等の不活性ガスを吐出するガスノズルとしての機能とを有している。第１移動ノズル１１には、有機溶剤供給管３５（処理液供給管）および第１〜第３不活性ガス供給管３６Ａ，３６Ｂ，３６Ｃが結合されている。有機溶剤供給管３５には、その流路を開閉する有機溶剤バルブ３７（処理液バルブ）が介装されている。不活性ガス供給管３６Ａ，３６Ｂ，３６Ｃには、それぞれの流路を開閉する第１〜第３不活性ガスバルブ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃがそれぞれ介装されている。また、不活性ガス供給管３６Ａには、その流路を流れる不活性ガスの流量を正確に調節するためのマスフローコントローラ３９Ａ（流量調整ユニット）が介装されている。また、不活性ガス供給管３６Ｂには、その流路を流れる不活性ガスの流量を調節するための流量可変バルブ３９Ｂが介装されており、不活性ガス供給管３６Ｃには、その流路を流れる不活性ガスの流量を調節するための流量可変バルブ３９Ｃが介装されている。さらに、不活性ガス供給管３６Ａ，３６Ｂ，３６Ｃには、それぞれ、異物を除去するためのフィルタ４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃが介装されている。

有機溶剤供給管３５には、有機溶剤供給源から、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の有機溶剤が供給されている。不活性ガス供給管３６Ａ，３６Ｂ，３６Ｃには、不活性ガス供給源から、窒素ガス（Ｎ_２）等の不活性ガスがそれぞれ供給されている。
第１移動ノズル１１は、複数の吐出口を有する流体ノズルである。第１移動ノズル１１は、基板Ｗの主面に垂直に配置される中心軸線８０に沿って、基板Ｗの主面に垂直な直線状に流体（この実施形態では不活性ガス）を吐出する線状流吐出口８１を有している。不活性ガス供給管３６Ａからの不活性ガスは、線状流吐出口８１に供給される。さらに、第１移動ノズル１１は、中心軸線８０に垂直な平面に沿って、中心軸線８０の周囲に放射状に流体（この実施形態では不活性ガス）を吐出する第１平行流吐出口８２を有している。不活性ガス供給管３６Ｂからの不活性ガスは第１平行流吐出口８２に供給される。また、第１移動ノズル１１は、中心軸線８０に垂直な平面に沿って、中心軸線８０の周囲に放射状に流体（この実施形態では不活性ガス）を吐出する第２平行流吐出口８３を第１平行流吐出口８２の下方に有している。不活性ガス供給管３６Ｃからの不活性ガスは、第２平行流吐出口８３に供給される。第１移動ノズル１１はさらに、中心軸線８０に沿って基板Ｗの上面に向けて有機溶剤を吐出する有機溶剤ノズル８４を有している。有機溶剤供給管３５から有機溶剤ノズル８４に有機溶剤が供給される。

線状流吐出口８１から吐出された不活性ガスは、基板Ｗの主面に垂直に入射する線状気流８５を形成する。第１平行流吐出口８２から吐出された不活性ガスは、基板Ｗの上面に平行で、かつ基板Ｗの上面を覆う第１平行気流８６を形成する。第２平行流吐出口８３から吐出された不活性ガスは、基板Ｗの上面に平行でかつ基板Ｗの上面を覆う第２平行気流８７を第１平行気流８６の下方に形成する。第１および第２平行気流８６，８７は、合流して、基板Ｗの上面に沿って流れる層流を形成する。線状流吐出口８１から吐出された不活性ガスは、基板Ｗの上面にぶつかった後、基板Ｗの上面に沿って放射状に流れる気流を形成する。この気流も、上記の層流の一部を成す。

第２移動ノズル１２は、この実施形態では、酸、アルカリ等の薬液を供給する薬液ノズルとしての機能を有している。より具体的には、第２移動ノズル１２は、液体と気体とを混合して吐出することができる二流体ノズルの形態を有していてもよい。二流体ノズルは、気体の供給を停止して液体を吐出すればストレートノズルとして使用できる。第２移動ノズル１２には、薬液供給管４１および不活性ガス供給管４２が結合されている。薬液供給管４１には、その流路を開閉する薬液バルブ４３が介装されている。不活性ガス供給管４２には、その流路を開閉する不活性ガスバルブ４４が介装されている。薬液供給管４１には、薬液供給源から、酸、アルカリ等の薬液が供給されている。不活性ガス供給管４２には、不活性ガス供給源から、窒素ガス（Ｎ_２）等の不活性ガスが供給されている。

薬液の具体例は、エッチング液および洗浄液である。さらに具体的には、薬液は、フッ酸、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）、バッファードフッ酸（フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液）などであってもよい。
ＤＩＷノズル１０は、この実施形態では、基板Ｗの上面の回転中心に向けてＤＩＷ（流体の一例）を吐出するように配置された固定ノズルである。ＤＩＷノズル１０には、ＤＩＷ供給源から、ＤＩＷ供給管４６を介して、ＤＩＷが供給される。ＤＩＷ供給管４６には、その流路を開閉するためのＤＩＷバルブ４７が介装されている。ＤＩＷノズル１０は固定ノズルである必要はなく、少なくとも水平方向に移動する移動ノズルであってもよい。

下面ノズル９は、中空の支持軸３０を挿通し、さらに、ヒータユニット６を貫通している。下面ノズル９は、基板Ｗの下面中央に臨む吐出口９ａを上端に有している。下面ノズル９には、流体供給源から流体供給管４８を介して処理流体が供給されている。供給される処理流体は、液体であってもよいし、気体であってもよい。流体供給管４８には、その流路を開閉するための流体バルブ４９が介装されている。

図３は、リフトピン４、スピンチャック５およびヒータユニット６の平面図である。スピンチャック５のスピンベース２１は、平面視において、回転軸線Ａ１を中心とする円形であり、その直径は基板Ｗの直径よりも大きい。スピンベース２１の周縁部には、間隔を空けて複数個（この実施形態では６個）のチャックピン２０が配置されている。複数のチャックピン２０は、基板Ｗの周端面に接触して基板Ｗを挟持するための挟持部２０Ａをそれぞれ有している。複数のチャックピン２０は、挟持部２０Ａが基板Ｗの周端面に接触して基板Ｗを挟持する閉状態（図３Ａに拡大して実線で示す状態）と、挟持部２０Ａが基板Ｗの周端面から退避して挟持を開放する開状態（図３Ａに二点鎖線で示す状態）とをとることができる。複数のチャックピン２０が開状態のとき、水平姿勢の基板Ｗは、複数のチャックピン２０の挟持部２０Ａの内方において、挟持部２０Ａと干渉することなく、挟持部２０Ａよりも上方の高さと挟持部２０Ａよりも下方の高さとの間で上下動することができる。すなわち、複数のチャックピン２０が開状態のとき、複数のチャックピン２０の挟持部２０Ａの最内縁を通る円の径は、基板Ｗの径よりも大きい。

ヒータユニット６は、円板状のホットプレートの形態を有しており、プレート本体６０と、支持ピン６１と、ヒータ６２とを含む。プレート本体６０は、平面視において、基板Ｗの外形よりも大きく、回転軸線Ａ１を中心とする円形に構成されている。より具体的には、プレート本体６０は、基板Ｗの直径よりも大きい直径の円形の平面形状を有している。それにより、上面視において、基板Ｗの最外周（この実施形態では最外周の全部）が加熱面６ａに重なっている。そして、この実施形態では、上面視において、基板Ｗの全域が加熱面６ａに重なっている。

プレート本体６０の上面は、水平面に沿う平面である。プレート本体６０の上面に複数の支持ピン６１（図２を併せて参照）が突出している。支持ピン６１は、たとえば、それぞれ半球状であり、プレート本体６０の上面から微小高さ（たとえば０．１ｍｍ）だけ突出している。したがって、基板Ｗが支持ピン６１に接触して支持されるとき、基板Ｗの下面はたとえば０．１ｍｍの微小間隔を開けてプレート本体６０の上面に対向する。これにより、基板Ｗを効率的かつ均一に加熱することができる。支持ピン６１は、プレート本体６０の上面にほぼ均等に配置されている。

プレート本体６０の上面は、支持ピン６１を有していなくてもよい。支持ピン６１を有していない場合には、基板Ｗをプレート本体６０の上面に接触させることができる。ヒータユニット６の加熱面６ａは、支持ピン６１を有している場合には、プレート本体６０の上面および支持ピン６１の表面を含む。また、支持ピン６１が備えられていない場合には、プレート本体６０の上面が加熱面６ａに相当する。以下では、支持ピン６１が基板Ｗの下面に接している状態を、加熱面６ａに基板Ｗの下面が接しているなどという場合がある。

ヒータ６２は、プレート本体６０に内蔵されている抵抗体であってもよい。図３には、複数の領域に分割されたヒータ６２を示している。ヒータ６２に通電することによって、加熱面６ａが室温（たとえば２０〜３０℃。たとえば２５℃）よりも高温に加熱される。具体的には、ヒータ６２への通電によって、第１移動ノズル１１から供給される有機溶剤の沸点よりも高温（たとえば、１９５℃）に加熱面６２ａを加熱することができる。図２に示すように、ヒータ６２への給電線６３は、支持軸３０内に通されている。そして、給電線６３には、ヒータ６２に電力を供給するヒータ通電ユニット６４が接続されている。ヒータ通電ユニット６４は、基板処理装置１の動作中、常時、通電されてもよい。

リフトピン４は、この例では、３本設けられている。３本のリフトピン４は、回転軸線Ａ１上に重心を有する正三角形の頂点に対応する位置にそれぞれ配置されている。リフトピン４は、回転軸線Ａ１に沿って上下方向に延びており、プレート本体６０を上下方向に貫通する貫通孔６５をそれぞれ挿通している。リフトピン４の先端（上端）は、基板Ｗの下面に接して基板Ｗを支持する支持部である。３本のリフトピン４は、ヒータユニット６の下方で昇降軸３１に結合されている。３本のリフトピン４は、上面視において、基板Ｗの外周縁よりも内方の３箇所で基板Ｗの下面に対向するように配置されている。

図４は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御ユニット３は、マイクロコンピュータを備えており、所定の制御プログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。とくに、制御ユニット３は、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、スピンチャック５を回転駆動する電動モータ２３、第１ノズル移動ユニット１５、第２ノズル移動ユニット１６、ヒータ通電ユニット６４、リフトピン４を昇降するリフトピン昇降ユニット７、チャックピン駆動ユニット２５、バルブ類３７，４３，４４，４７，４９などの動作を制御する。また、制御ユニット３は、第１〜第３不活性ガスバルブ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃを開閉制御する。さらに、制御ユニット３は、マスフローコントローラ３９Ａの開度を制御して不活性ガス供給管３６Ａを通る不活性ガスの流量を制御する。

図５は、基板処理装置１による基板処理の一例を説明するための流れ図であり、主として、制御ユニット３が動作プログラムを実行することによって実現される処理が示されている。また、図６Ａ〜図６Ｍには主要なステップにおける処理ユニット２のチャンバ１３内の様子が示されている。
未処理の基板Ｗは、搬送ロボットＩＲ，ＣＲによってキャリヤＣから処理ユニット２に搬入され、リフトピン４を介して、スピンチャック５に渡される（Ｓ１）。このとき、制御ユニット３は、リフトピン４を上位置に配置するようにリフトピン昇降ユニット７を制御する。また、制御ユニット３は、チャックピン２０が開状態になるようにチャックピン駆動ユニット２５を制御する。その状態で、搬送ロボットＣＲは、基板Ｗをリフトピン４に渡す（図６Ａ参照）。その後、制御ユニット３は、リフトピン昇降ユニット７を制御することにより、基板Ｗの高さがスピンチャック５のチャックピン２０による基板支持高さとなる受け渡し高さまでリフトピン４を下降させる。その状態で、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御して、チャックピン２０を閉状態とする（図６Ｂ参照）。それにより、基板Ｗがチャックピン２０によって挟持され、リフトピン４からスピンチャック５へと基板Ｗが渡されて保持される（基板保持工程）。その後、制御ユニット３は、リフトピン昇降ユニット７を制御して、リフトピン４を下降させ、その先端部を基板Ｗの下面から離間させる（図６Ｃ参照）。たとえば、制御ユニット３は、リフトピン４を下位置まで下降させて、その先端の高さがヒータユニット６の加熱面６ａ以下となるようにリフトピン昇降ユニット７を制御してもよい。

搬送ロボットＣＲが処理ユニット２外に退避した後、薬液処理（Ｓ２）が開始される。制御ユニット３は、電動モータ２３を駆動してスピンベース２１を所定の薬液回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）で回転させる（基板回転工程）。その一方で、制御ユニット３は、第２ノズル移動ユニット１６を制御して、第２移動ノズル１２を基板Ｗの上方の薬液処理位置に配置する（図６Ｄ参照）。薬液処理位置は、第２移動ノズル１２から吐出される薬液が基板Ｗの上面の回転中心に着液する位置であってもよい。そして、制御ユニット３は、薬液バルブ４３を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの上面に向けて、第２移動ノズル１２から薬液が供給される（処理流体供給工程）。供給された薬液は遠心力によって基板Ｗの全面に行き渡る。

一定時間の薬液処理の後、基板Ｗ上の薬液をＤＩＷに置換することにより、基板Ｗ上から薬液を排除するためのＤＩＷリンス処理（Ｓ３）が実行される。具体的には、制御ユニット３は、薬液バルブ４３を閉じ、代わって、ＤＩＷバルブ４７を開く。それにより、回転状態（回転速度はたとえば３００ｒｐｍ）の基板Ｗの上面に向けてＤＩＷノズル１０からＤＩＷが供給される（図６Ｅ参照。処理流体供給工程）。供給されたＤＩＷは遠心力によって基板Ｗの全面に行き渡る。このＤＩＷによって基板Ｗ上の薬液が洗い流される。この間に、制御ユニット３は、第２ノズル移動ユニット１６を制御して、第２移動ノズル１２を基板Ｗの上方からカップ８の側方へと退避させる。

一定時間のＤＩＷリンス処理の後、基板Ｗ上のＤＩＷを、より表面張力の低い処理液（低表面張力液）である有機溶剤に置換する有機溶剤処理（Ｓ４）が実行される。
制御ユニット３は、第１ノズル移動ユニット１５を制御して、第１移動ノズル１１を基板Ｗの上方の有機溶剤リンス位置に移動させる。有機溶剤リンス位置は、第１移動ノズル１１に備えられた有機溶剤ノズル８４から吐出される有機溶剤（たとえばＩＰＡ）が基板Ｗの上面の回転中心に着液する位置であってもよい。

そして、制御ユニット３は、不活性ガスバルブ３８Ｂ，３８Ｃを開く。それにより、第１移動ノズル１１の第１平行流吐出口８２および第２平行流吐出口８３から、基板Ｗの中心から周縁に向かって、基板Ｗの上面と平行にかつ放射状に不活性ガスが吐出される（図６Ｆ参照）。それにより、基板Ｗの上面と平行に流れる不活性ガス流である平行気流８６，８７が形成され、その平行気流８６，８７によって基板Ｗの上面の全域（正確には平面視で第１移動ノズル１１の外側領域）が覆われる（上面被覆工程）。

その状態で、制御ユニット３は、ＤＩＷバルブ４７を閉じてＤＩＷリンス処理を終了し、有機溶剤バルブ３７を開く。それにより、回転状態（回転速度はたとえば３００ｒｐｍ）の基板Ｗの上面に向けて、第１移動ノズル１１（有機溶剤ノズル８４）から有機溶剤（液体）が供給される（処理流体供給工程）。供給された有機溶剤は遠心力によって基板Ｗの全面に行き渡り、基板Ｗ上のＤＩＷを置換する。それによって、基板Ｗの上面に有機溶剤の液膜１５０が形成される（液膜形成工程）。

有機溶剤の液膜１５０が基板Ｗの上面全域に形成されると、制御ユニット３は、スピンチャック５の回転を減速（たとえば漸次的に減速）して基板Ｗの回転を停止し、かつ有機溶剤バルブ３７を閉じて有機溶剤の供給を停止する。それにより、静止状態の基板Ｗ上に有機溶剤液膜１５０が支持されたパドル状態とされる。その状態で、制御ユニット３は、リフトピン昇降ユニット７を制御して、リフトピン４を受け渡し位置まで上昇させる。そして、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御することにより、チャックピン２０を開く。それにより、スピンチャック５からリフトピン４に基板Ｗが渡される（図６Ｇ参照。載せ替え工程の一部）。その後、制御ユニット３は、リフトピン昇降ユニット７を制御して、リフトピン４を下位置まで下降させる。それにより、リフトピン４がヒータユニット６の加熱面６ａ以下の高さとなり、基板Ｗは、リフトピン４からヒータユニット６の加熱面６ａに渡される（図６Ｈ参照。載せ替え工程の一部）。これにより、加熱面６ａが基板Ｗの下面に接触し、ヒータユニット６からの熱伝導によって基板Ｗが速やかに加熱される（基板加熱工程）。加熱面６ａは基板Ｗよりも大きいので、基板Ｗの下面全域が加熱面６ａに接する（または対向する）状態となる。

なお、有機溶剤の供給は、基板Ｗの下面がヒータユニット６の加熱面６ａに接触した後に停止してもよい。基板Ｗが加熱面６ａに接触することによって基板Ｗが急加熱され、それにより有機溶剤の温度が速やかに上昇する。このとき、有機溶剤の液膜１５０に不特定の位置で穴があくおそれがある。そこで、有機溶剤の供給をヒータユニット６の加熱面６ａに基板Ｗの下面に接触した後に停止するようにすれば、基板Ｗの急激な昇温に伴う有機溶剤の蒸発によって有機溶剤の液膜１５０に穴があくことを回避できる。

基板Ｗの加熱によって、基板Ｗの上面に接している有機溶剤の一部が蒸発し、それによって、有機溶剤液膜１５０と基板Ｗの上面との間に気相層が形成される。その気相層に支持させた状態で以下に述べる有機溶剤液膜１５０の基板Ｗ上面からの排除を実行する。
有機溶剤液膜１５０の排除に際して、制御ユニット３は、第１ノズル移動ユニット１５を制御して、線状流吐出口８１が基板Ｗの回転軸線Ａ１上に位置するように、第１移動ノズル１１を移動させる。そして、制御ユニット３は、不活性ガスバルブ３８Ａを開いて、基板Ｗ上の有機溶剤液膜１５０に向けて小流量（たとえば３リットル／分）の不活性ガスを線状流吐出口８１から直線状（線状気流８５）に吐出させる（垂直ガス吐出工程、図６Ｉ参照））。これにより、不活性ガスの吐出を受ける位置、すなわち、基板Ｗの中央において、有機溶剤液膜１５０が不活性ガスによって排除され、有機溶剤液膜１５０の中央に、基板Ｗの表面を露出させる穴１５１が空けられる（穴開け工程）。この穴１５１を広げることによって、基板Ｗ上の有機溶剤が基板Ｗ外へと排出される（液膜排除工程）。

液膜１５０に穴１５１が開けられることにより、その穴１５１の内側の領域では基板Ｗの温度が比較的高く、その穴１５１の外側では基板Ｗの温度が比較的低くなる。この温度勾配によって、液膜１５０は高温側から低温側へと移動し、それによって、穴１５１が広がる。加えて、線状流吐出口８１から吐出する不活性ガスの流量を大流量（たとえば３０リットル／分）に増加することにより、穴広げによる液膜排除を補助してもよい（図６Ｊ参照）。穴１５１を基板Ｗの周縁まで拡大させた時点で有機溶剤処理を終了する。

こうして、有機溶剤処理を終えた後、制御ユニット３は、リフトピン昇降ユニット７を制御して、リフトピン４を受け渡し位置まで上昇させる。その状態で、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御して、チャックピン２０を閉状態とする。それにより、リフトピン４からチャックピン２０に基板Ｗが渡される（図６Ｋ参照）。そして、制御ユニット３は、リフトピン昇降ユニット７を制御して、リフトピン４の先端を基板Ｗの下面から下方へと離間させる。さらに、制御ユニット３は、電動モータ２３を制御して、基板Ｗを乾燥回転速度（たとえば８００ｒｐｍ）で高速回転させる。それにより、スピンベース２１上に落下した有機溶剤を遠心力によって振り切るためのスピンベース乾燥処理（Ｓ５：スピンドライ）が行われる（図６Ｌ参照）。この間、第１移動ノズル１１は、基板Ｗの上方に配置されて、線状気流８５を基板Ｗに向けて吐出し、かつ基板Ｗに平行な放射方向に向けて第１および第２平行気流８６，８７を吐出している。

その後、制御ユニット３は、不活性ガスバルブ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃを閉じて第１移動ノズル１１からの不活性ガスの吐出を停止させ、さらに、第１ノズル移動ユニット１５を制御して第１移動ノズル１１を退避させる。制御ユニット３は、さらに、電動モータ２３を制御してスピンチャック５の回転を停止させる。また、制御ユニット３は、リフトピン昇降ユニット７を制御して、リフトピン４を受け渡し位置まで上昇させ、チャックピン駆動ユニット２５を制御してチャックピン２０を開状態とする。それにより、チャックピン２０からリフトピン４に基板Ｗが渡される（図６Ｍ参照）。

その後、制御ユニット３は、リフトピン昇降ユニット７を制御することにより、リフトピン４を上位置まで上昇させ、基板Ｗを搬出高さまで持ち上げる（図６Ａ参照）。その後、搬送ロボットＣＲが、処理ユニット２に進入して、リフトピン４から処理済みの基板Ｗをすくい取って、処理ユニット２外へと搬出する（Ｓ６）。その基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから搬送ロボットＩＲへと渡され、搬送ロボットＩＲによって、キャリヤＣに収納される。

図７Ａおよび図７Ｂは、基板Ｗの表面における気相層の形成を説明するための図解的な断面図である。基板Ｗの表面には、微細なパターン１６１が形成されている。パターン１６１は、基板Ｗの表面に形成された微細な凸状の構造体１６２を含む。構造体１６２は、絶縁体膜を含んでいてもよいし、導体膜を含んでいてもよい。また、構造体１６２は、複数の膜を積層した積層膜であってもよい。ライン状の構造体１６２が隣接する場合には、それらの間に溝（溝）が形成される。この場合、構造体１６２の幅Ｗ１は１０ｎｍ〜４５ｎｍ程度、構造体１６２同士の間隔Ｗ２は１０ｎｍ〜数μｍ程度であってもよい。構造体１６２の高さＴは、たとえば５０ｎｍ〜５μｍ程度であってもよい。構造体１６２が筒状である場合には、その内方に孔が形成されることになる。

基板Ｗに有機溶剤を供給すると、図７Ａに示すように、基板Ｗの表面に形成された有機溶剤液膜１５０が、パターン１６１の内部（隣接する構造体１６２の間の空間または筒状の構造体１６２の内部空間）を満たす。
ヒータユニット６の加熱面６ａが基板Ｗに接触すると、基板Ｗが加熱され、有機溶剤の沸点（ＩＰＡの場合は８２．４℃）よりも所定温度（たとえば、１０〜５０℃）だけ高い温度となる。それにより、基板Ｗの表面に接している有機溶剤が蒸発し、有機溶剤の気体が発生して、図７Ｂに示すように、気相層１５２が形成される。気相層１５２は、パターン１６１の内部を満たし、さらに、パターン１６１の外側に至り、構造体１６２の上面１６２Ａよりも上方に有機溶剤液膜１５０との界面１５５（気液界面）を形成している。この界面１５５上に有機溶剤液膜１５０が支持されている。この状態では、有機溶剤の液面がパターン１６１に接していないので、有機溶剤液膜１５０の表面張力に起因するパターン倒壊が起こらない。

基板Ｗの加熱によって有機溶剤が蒸発するとき、液相の有機溶剤はパターン１６１内から瞬時に排出される。そして、形成された気相層１５２上に液相の有機溶剤が支持され、パターン１６１から離隔させられる。こうして、有機溶剤の気相層１５２は、パターン１６１の上面（構造体１６２の上面１６２Ａ）と有機溶剤液膜１５０との間に介在して、有機溶剤液膜１５０を支持する。

図７Ｃに示すように、基板Ｗの上面から浮上している有機溶剤液膜１５０に亀裂１５３が生じると、乾燥後にウォータマーク等の欠陥の原因となるうえ、液膜１５０の挙動が不安定となってパターン倒壊を招くおそれがある。そこで、この実施形態では、基板Ｗの回転を停止した後に有機溶剤の供給を停止して、基板Ｗ上に厚い有機溶剤液膜１５０を形成して、亀裂の発生を回避している。ヒータユニット６を基板Ｗに接触させるときには、基板Ｗの回転が停止しているので、液膜１５０が遠心力によって分裂することがなく、したがって、液膜１５０に亀裂が生じることを回避できる。さらに、ヒータユニット６の出力を調節して、有機溶剤の蒸気が液膜１５０を突き破って吹き出さないようにし、それによって、亀裂の発生を回避している。

気相層１５２上に有機溶剤液膜１５０が支持されている状態では、有機溶剤液膜１５０に働く摩擦抵抗は、零とみなせるほど小さい。そのため、基板Ｗの上面に平行な方向の力が有機溶剤液膜１５０に加わると、有機溶剤液膜１５０は簡単に移動する。この実施形態では、有機溶剤液膜１５０の中央に穴開けし、それによって、穴１５１の縁部での温度差によって有機溶剤の流れを生じさせ、かつ線状流吐出口８１から吹き出される不活性ガスによって内方から液膜１５０を押し出すことで、気相層１５２上に支持された有機溶剤液膜１５０を移動させて排除している。

図８Ａおよび図８Ｂは、基板の下面全域がヒータユニットの加熱面に対向することによる効果を説明するための図である。図８Ａは基板の下面全域が加熱面に重なる場合（実施例）における温度測定結果を示す。図８Ｂは加熱面の径が基板の径よりも小さく、したがって、基板の外周部が加熱面に対向していない場合（比較例）における温度測定結果を示す。図８Ａおよび図８Ｂにおいて、縦軸は基板の温度を示し、横軸は、時間を示す。そして、曲線Ｌｃは基板中央部の温度変化、曲線Ｌｅは基板外周部の温度変化、曲線Ｌｍは基板中央部と外周部との間の中間領域の温度変化をそれぞれ示す。

時刻ｔ１において、ヒータユニットの加熱面が基板の下面に接触すると、基板の温度が上昇し始め、時刻ｔ２においてヒータユニットの加熱面が基板の下面から離間されると、温度上昇が停止する。図８Ａに示す実施例では、曲線Ｌｃ，Ｌｅ，Ｌｍはほぼ一致しており、基板の各部での温度のばらつきが生じることなく、ヒータ６２の加熱面６２ａとほぼ同温（約１９５℃）まで加熱できている。一方、図８Ｂに示す比較例では、曲線Ｌｃ，Ｌｍはほぼ一致しているものの、曲線Ｌｅは低温側にずれている。すなわち、基板の中央部および中間領域に比較して、基板の外周部においては、温度上昇が鈍く、かつ加熱停止後に温度差（たとえば２０℃程度）が生じている。したがって、基板の外周が重なる大きさの加熱面を有するヒータユニットを用いることによって、基板加熱処理の面内均一性を向上できることが分かる。

以上のように、この実施形態によれば、スピンチャック５に基板Ｗが保持された状態で、その基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗに向けて処理流体を供給することで、基板Ｗの全域を処理流体で処理することができる。一方、基板Ｗがヒータユニット６の加熱面６ａに対向し、上面視において基板Ｗの最外周が加熱面６ａに重なるので、スピンチャック５からヒータユニット６に基板Ｗを載せ替えることによって、基板Ｗの全域を均一に加熱することができる。したがって、処理流体による処理および加熱処理のいずれもが基板Ｗの全域に対して均一に行われるので、基板処理の面内均一性を高めることができる。しかも、基板Ｗの下面がヒータユニット６の加熱面６ａに接するので、基板Ｗを効率的に加熱することができる。とくに、この実施形態では、加熱面６ａが、上面視において、スピンチャック５に保持された基板Ｗの全域に重なる。そのため、基板Ｗの全域を一層均一に加熱できる。

また、この実施形態では、スピンチャック５のチャックピン２０は、基板Ｗと加熱面６ａとの間から外側へと退避可能に構成されている。これにより、基板Ｗと加熱面６ａとの間にスピンチャック５のいずれの部分も介在しない状態で、基板Ｗを加熱できる。したがって、基板処理（とくに加熱）の面内均一性を一層高めることができる。また、チャックピン２０が基板Ｗと加熱面６ａとの間から外側に退避可能であるので、チャックピン２０に干渉することなく、基板Ｗをスピンチャック５からヒータユニット６へと載せ替えて加熱面６ａを基板Ｗの下面に接触させることができ、またヒータユニット６からスピンチャック５へと基板Ｗを載せ替えることができる。

さらに、この実施形態では、チャックピン２０よりも内側に配置されたリフトピン４を上下動させる構成によって、基板Ｗの下面をリフトピン４で支持し、スピンチャック５とヒータユニット６との間で基板Ｗを載せ替えることができる。したがって、スピンチャック５とヒータユニット６との上下関係を反転させることなく、それらの間で基板Ｗを載せ替えることができる。これにより、チャックピン２０との干渉を考慮することなく、基板Ｗよりも大きな加熱面６ａを有するヒータユニット６を設計できる。

この実施形態では、基板Ｗ上のＤＩＷが有機溶剤に置換され、有機溶剤の液膜１５０が基板Ｗの上面に形成される。その状態の基板Ｗの下面の全域にヒータユニット６の加熱面６ａが接触することにより、基板Ｗの全域において、液膜１５０と基板Ｗの上面との間に均一な気相層を形成でき、その気相層で液膜１５０を浮上させることができる。その状態で、液膜１５０が基板Ｗ外に排除されることによって、基板Ｗの上面に形成された微細パターンの倒壊を回避できる。とくにこの実施形態では、基板Ｗの中央部、中間領域および外周部のいずれにおいても基板Ｗの温度を均一に上昇させかつ保持できるので、基板Ｗの上面の全域において均一な気相層を確実に形成できる。それにより、有機溶剤の表面張力が微細パターンに作用することを確実に抑制できるので、微細パターンの倒壊を確実に抑制できる。

図９は、この発明の第２の実施形態に係る処理ユニット２の構成を説明するための図解的な断面図である。また、図１０は、ヒータユニット等の平面図である。図９および図１０において、図２および図３の対応部分は同一参照符号で示す。この実施形態では、リフトピン４およびリフトピン昇降ユニット７は設けられていない。その一方で、ヒータユニット６のプレート本体６０が、中央部６０Ａと、それを取り囲む外周部６０Ｂとに分割されている。

中央部６０Ａは、たとえば平面視円形であってもよく、その大きさは、基板Ｗよりも小さく、閉状態のチャックピン２０の挟持部２０Ａよりも内側に外周を有している。外周部６０Ｂは中央部の外周に対応する内縁形状を有し、基板Ｗよりも大きな外周形状（たとえば円形）を有している。中央部６０Ａの加熱面６０ａ（上面）および外周部６０Ｂの加熱面６０ｂ（上面）とが、ヒータユニット６の加熱面６ａを形成している。この加熱面６ａは、基板Ｗよりも大きく、この実施形態では基板Ｗの径よりも大きな径の円形をなしている。それにより、上面視において、基板Ｗの外周（この実施形態では外周全体）が加熱面６ａに重なっている。また、上面視において、基板Ｗの全域が加熱面６ａに重なっている。

外周部６０Ｂが支持軸３２によって支持されている一方で、中央部６０Ａは支持軸３０内を挿通する昇降軸３３によって支持されている。支持軸３２は、中空軸であり、回転軸２２を挿通しており、その上端に外周部６０Ｂが結合されており、その下端は回転軸２２よりも下方に引き出されて固定されている。昇降軸３３は、支持軸３２を挿通しており、その上端に中央部６０Ａが結合されており、その下端は支持軸３２よりも下方に引き出され、昇降ユニット３４に結合されている。中央部６０Ａおよび昇降ユニット３４は、スピンチャック５とヒータユニット６との間で基板Ｗを載せ替える載替え手段の一例である。

昇降ユニット３４は、たとえばボールねじ機構を含む。昇降ユニット３４は、昇降軸３３を上下動させ、それによって、上下動可能な可動部である中央部６０Ａを上位置と下位置との間で上下動させ、かつこれらの上位置と下位置との間の任意の位置で中央部６０Ａを停止させることができる。中央部６０Ａの上下動によって、中央部６０Ａの加熱面６０ａが、外周部６０Ｂの加熱面６０ｂに対して相対的に上下動する。すなわち、中央部６０Ａの加熱面６０ａは、ヒータユニット６の加熱面６ａのなかに設けられた可動部である。中央部６０Ａの下位置とは、その加熱面６０ａが外周部６０Ｂの加熱面６０ｂと同じ高さとなる位置である。中央部６０Ａの上位置とは、その加熱面６０ａがスピンチャック５の基板保持高さよりも上方の高さとなる位置である。中央部６０Ａは、スピンチャック５が基板Ｗに接触する位置よりも内方で基板Ｗの下面を支持し、加熱面６ａを貫通して上下動する昇降部材の一例でもある。

図１１Ａ〜図１１Ｇは、基板処理の主要なステップにおける処理ユニット２のチャンバ１３内の様子を示す。
搬送ロボットＣＲが未処理の基板Ｗを搬入するとき、および搬送ロボットＣＲが処理済みの基板Ｗを搬出するときには、制御ユニット３が昇降ユニット３４を制御して、中央部６０Ａを上位置に配置する（図１１Ａ参照）。搬送ロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを中央部６０Ａに載置することにより、処理ユニット２に未処理の基板Ｗを搬入する。また、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板Ｗを中央部６０Ａからすくい取ることによって、処理済みの基板Ｗを処理ユニット２から搬出する。すなわち、上位置は、基板搬入／搬出位置である。

中央部６０Ａに未処理の基板Ｗが渡された後、制御ユニット３は、中央部６０Ａからスピンチャック５にその基板Ｗを渡すための制御を実行する。すなわち、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御してチャックピン２０を開状態とする。その一方で、制御ユニット３は、昇降ユニット３４を制御して、基板Ｗがチャックピン２０による保持高さとなる受け渡し高さに中央部６０Ａを配置する。その状態で、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御して、チャックピン２０を閉状態とする。それにより、中央部６０Ａからスピンチャック５に基板Ｗが受け渡される（図１１Ｂ参照）。

その後、制御ユニット３は、昇降ユニット３４を制御して中央部６０Ａを下位置まで下降させる（図１１Ｃ参照）。この状態で、前述の第１の実施形態と同様にして、薬液処理、リンス処理および有機溶剤液膜形成処理が実行される。
これらの後、制御ユニット３は、電動モータ２３を制御してスピンチャック５の回転を停止させる。さらに、制御ユニット３は、昇降ユニット３４を制御して中央部６０Ａを受け渡し高さまで上昇させる。その状態で、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御して、チャックピン２０を開状態とする。それにより、スピンチャック５から中央部６０Ａに基板Ｗが受け渡される（図１１Ｄ参照。載せ替え工程の一部）。

その後、制御ユニット３は、昇降ユニット３４を制御して中央部６０Ａを下位置まで下降させる（図１１Ｅ参照。載せ替え工程の一部）。これにより、基板Ｗの下面の全域が加熱面６ａに接し、加熱面６ａからの熱伝導によって加熱される状態となる。この状態で前述の第１の実施形態と同様にして、基板加熱、液膜への穴開け、液膜の排除のための処理が実行される。

これらの処理の後、制御ユニット３は、昇降ユニット３４を制御して、中央部６０Ａを受け渡し高さまで上昇させる。その状態で、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御して、チャックピン２０を閉状態とする。それにより、中央部６０Ａからスピンチャック５に基板Ｗが受け渡される（図１１Ｂと同じ状態）。その後、制御ユニット３は、昇降ユニット３４を制御して、中央部６０Ａを基板Ｗの下面から離隔するように、たとえば下位置へと下降させる。その状態で、制御ユニット３は、電動モータ２３を駆動し、スピンチャック５を回転させ、スピンベース乾燥処理を実行する（図１１Ｆ参照）。

この後、制御ユニット３は、スピンチャック５の回転を停止した後、昇降ユニット３４を制御して、中央部６０Ａを受け渡し高さまで上昇させる。その状態で、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御して、チャックピン２０を開状態とする。それにより、スピンチャック５から中央部６０Ａに基板Ｗが受け渡される（図１１Ｇ参照）。その後、制御ユニット３は、昇降ユニット３４を制御して、中央部６０Ａを上位置（搬入／搬出高さ）まで上昇させる（図１１Ａ参照）。この後、搬送ロボットＣＲが、中央部６０Ａから基板Ｗをすくい取って処理ユニット２外へと搬出する。

このように、第２の実施形態では、ヒータユニット６のプレート本体６０の中央部６０Ａが、チャックピン２０よりも内方において、基板Ｗの下面を支持しながら上下動する。すなわち、ヒータユニット６の加熱面６ａの内方の領域に上下動可能な可動部が設けられている。そして、中央部６０Ａの上下動によって、スピンチャック５とヒータユニット６との間で基板Ｗを載せ替えることができる。したがって、スピンチャック５と加熱面６ａの固定部（外周部６０Ｂの加熱面６０ｂ）との上下関係を反転させることなく、スピンチャック５とヒータユニット６との間で基板Ｗを載せ替えることができる。これにより、基板Ｗの載せ替えに伴うチャックピン２０と干渉を考慮することなく、基板Ｗよりも大きな加熱面６ａを有するヒータユニット６を設計できる。

図１２は、この発明の第３の実施形態に係る処理ユニット２の構成を説明するための図解的な断面図である。また、図１３は、ヒータユニット等の平面図である。図１２および図１３において、図２および図３の対応部分は同一参照符号で示す。この実施形態でも、リフトピン４およびリフトピン昇降ユニット７は設けられていない。
その一方で、基板Ｗよりも大きな加熱面６ａを有するヒータユニット６を昇降するためのヒータ昇降ユニット６７が備えられている。ヒータ昇降ユニット６７は、ヒータユニット６の支持軸３０の下端に結合されており、支持軸３０を上下動することによって、ヒータユニット６を上下動させる。より具体的には、ヒータ昇降ユニット６７は、加熱面６ａがスピンチャック５による基板保持高さよりも高い位置で基板Ｗを支持する加熱処理位置（上位置）と、加熱面６ａがスピンチャック５に保持された基板Ｗの下面から下方に離隔した退避位置（下位置）との間でヒータユニット６を上下動させる。ヒータ昇降ユニット６７は、たとえばボールねじ機構を含み、上位置と下位置との間の任意の高さでヒータユニット６を保持できるように構成されている。ヒータ昇降ユニット６７は、スピンチャック５とヒータユニット６との間で基板Ｗを載せ替える載替え手段の一例である。

図１３Ａおよび図１３Ｂに拡大して示すように、スピンチャック５のチャックピン２０は、この実施形態では、挟持部２０Ａだけでなく、支持部２０Ｂも備えている。図１３Ａに示すように、チャックピン２０が閉状態のとき、挟持部２０Ａが基板Ｗの周端面に当接して基板Ｗを挟持する。このとき、基板Ｗの下面は支持部２０Ｂから上方に離隔しており、上面視において、基板Ｗの周縁部が支持部２０Ｂに重なっている。図１３Ｂに示すように、チャックピン２０が開状態のとき、挟持部２０Ａは、基板Ｗの周端面から退避し、その一方で、基板Ｗの周縁部の下面が支持部２０Ｂに当接して支持される。このときにも、上面視において、基板Ｗの周縁部が支持部２０Ｂに重なっている。このように、スピンチャック５は、チャックピン２０が閉状態のときだけでなく、チャックピン２０が開状態のときにも、基板Ｗを支持することができるように構成されている。

一方、ヒータユニット６の加熱面６ａには、チャックピン２０の配置に対応した複数箇所に凹部６８が形成されている。凹部６８は、上面視において、支持部２０Ｂを収容できる大きさおよび形状に形成されている。より正確には、凹部６８は、チャックピン２０が開状態（図１３Ｂ参照）のときに上面視において基板Ｗと重なる部分（主として支持部２０Ｂの一部）を収容可能な平面形状および大きさを有している。この実施形態では、凹部６８は、座繰り部であり、支持部２０Ｂに対向する底面を有している。ヒータ６２は、ヒータユニット６の全体に配置されており、凹部６８の底面に対応する位置にも配置されている。

チャックピン２０が開状態のとき、平面視においてチャックピン２０と凹部６８とを整合させた状態でヒータユニット６を加熱処理位置（上位置）まで上昇させると、支持部２０Ｂに載置されている基板Ｗがヒータユニット６の加熱面６ａに渡され、さらに、支持部２０Ｂが凹部６８に入り込む。この状態では、平面視において凹部６８に重なる領域以外では基板Ｗの下面に加熱面６ａが接触して熱伝導によって基板Ｗを加熱し、平面視において凹部６８に重なる領域では凹部６８の底面からの輻射熱によって基板Ｗが加熱される。したがって、基板Ｗの下面全域がヒータユニット６に対向した状態でほぼ均一に加熱される。

図１４Ａ〜図１４Ｃは、基板処理の主要なステップにおける処理ユニット２のチャンバ１３内の様子を示す。
搬送ロボットＣＲが未処理の基板Ｗを搬入するとき、および搬送ロボットＣＲが処理済みの基板Ｗを搬出するときには、制御ユニット３は、ヒータ昇降ユニット６７を制御して、ヒータユニット６を下位置に配置し、チャックピン駆動ユニット２５を制御してチャックピン２０を開状態とする（図１４Ａ参照）。搬送ロボットＣＲは、未処理の基板Ｗをチャックピン２０の支持部２０Ｂに載置することにより、処理ユニット２に未処理の基板Ｗを搬入する。また、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板Ｗをチャックピン２０の支持部２０Ｂからすくい取ることによって、処理済みの基板Ｗを処理ユニット２から搬出する。

スピンチャック５に未処理の基板Ｗが渡された後、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御してチャックピン２０を閉状態とする。この状態で、前述の第１の実施形態と同様にして、薬液処理、リンス処理および有機溶剤液膜形成処理が実行される。
これらの後、制御ユニット３は、電動モータ２３を制御してスピンチャック５の回転を停止させる。このとき、制御ユニット３は、スピンチャック５の回転位置を制御しながらその回転を停止させ、チャックピン２０とヒータユニット６の凹部６８とを整合させる。また、制御ユニット３は、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御して、チャックピン２０を開状態とする。それにより、基板Ｗはチャックピン２０の支持部２０Ｂに載置された状態となる。その状態で、制御ユニット３は、ヒータ昇降ユニット６７を制御して、ヒータユニット６を加熱処理位置まで上昇させる。その過程で、チャックピン２０の支持部２０Ｂからヒータユニット６の加熱面６ａに基板Ｗが受け渡される（図１４Ｂ参照。載せ替え工程）。これにより、基板Ｗの下面のほぼ全域が加熱面６ａに接し、加熱面６ａからの熱伝導によって加熱される状態となる（基板加熱工程）。また、支持部２０Ｂが凹部６８に入り込み、凹部６８の内部では、凹部６８の底部からの輻射熱で基板Ｗが加熱される。この状態で前述の第１の実施形態と同様にして、基板加熱、液膜への穴開け、液膜の排除のための処理が実行される。この状態では、チャックピン２０の挟持部２０Ａが基板Ｗの周端面に対向しているので、挟持部２０Ａは基板Ｗの水平方向への変位を規制する基板ガイドとして機能することができる。

これらの処理の後、制御ユニット３は、ヒータ昇降ユニット６７を制御して、ヒータユニット６を下位置まで下降させる。この過程で、基板Ｗがスピンチャック５の支持部２０Ｂに受け渡される。その後、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御して、チャックピン２０を閉状態とする。その状態で、制御ユニット３は、電動モータ２３を駆動し、スピンチャック５を回転させ、スピンベース乾燥処理を実行する（図１４Ｃ参照）。

この後、制御ユニット３は、スピンチャック５の回転を停止した後、チャックピン駆動ユニット２５を制御して、チャックピン２０を開状態とする（図１４Ａ参照）。それにより、基板Ｗはチャックピン２０の支持部２０Ｂに載置された状態となる。この後、搬送ロボットＣＲが、スピンチャック５から基板Ｗをすくい取って処理ユニット２外へと搬出する。

このように、第３の実施形態では、ヒータユニット６の上下動によって、スピンチャック５とヒータユニット６との間で基板Ｗが載せ替えられる。ヒータユニット６の加熱面６ａには、加熱面６ａを上昇させたときにチャックピン２０の支持部２０Ｂとの干渉を回避する凹部６８が形成されている。これにより、ヒータユニット６は、基板Ｗよりも大きな径の加熱面６ａを有しながら、チャックピン２０と干渉することなく、チャックピン２０との間で基板Ｗを受け渡しできる。

図１５は、この発明の第４の実施形態に係る処理ユニット２の構成を説明するための図解的な断面図である。また、図１６は、ヒータユニット等の平面図である。図１５および図１６において、図２および図３の対応部分は同一参照符号で示す。
この実施形態では、ヒータユニット６の加熱面６ａに基板Ｗを位置決めするための基板ガイド７０が配置されている。基板ガイド７０は、基板Ｗの周端面に対応する位置に配置されており、外方から内方に向かって下方に傾斜する傾斜面を有し、傾斜面の内方へと基板Ｗを落とし込んで位置合わせする落とし込みガイドである。基板ガイド７０は、この実施形態では、基板Ｗの周方向に沿って間隔を開けて複数個（図１６の例では３個）設けられている。基板ガイド７０は１個以上設けられればよいが、複数個設けることが好ましい。基板ガイド７０は、基板Ｗ周端面の全周にわたる環状ガイドであってもよいし、基板Ｗの周端面の一部に沿って円弧状に連続する円弧状ガイドであってもよい。

ヒータユニット６の加熱面６ａに基板ガイド７０を設けておくことにより、加熱面６ａに基板Ｗが載置されたときに基板Ｗが位置合わせされる。それにより、加熱処理の後に、リフトピン４で基板Ｗを突き上げたときに、リフトピン４からスピンチャック５へと確実に基板Ｗを受け渡しできる位置に基板Ｗの位置を制御できる。
同様の理由で、図９に二点鎖線で示すように、第２の実施形態においても、加熱面６ａに基板ガイド７０を配置することが好ましい。また、第３の実施形態においても、加熱面６ａに基板ガイド７０を設けてもよい。

以上、この発明の実施形態について説明してきたが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の実施形態では、基板Ｗ上に有機溶剤の液膜１５０を形成し、その中央に穴１５１を開け、その穴１５１を広げて有機溶剤を基板Ｗ外に排除している。しかし、穴１５１の開口は必ずしも必要ではない。たとえば、基板Ｗ上に有機溶剤の薄い液膜を形成した後、ヒータユニット６の加熱面６ａに基板Ｗの下面を接触させることにより、基板Ｗの全域において瞬時に有機溶剤を蒸発させてもよい。

また、使用可能な有機溶剤は、ＩＰＡのほかにも、メタノール、エタノール、アセトン、ＨＥＦ（ハイドルフルオロエーテル）を例示できる。これらは、いずれも水（ＤＩＷ）よりも表面張力が小さい有機溶剤である。
また、前述の実施形態では、有機溶剤リンス液としてのＤＩＷを有機溶剤に置換し、その有機溶剤を基板外に排除するために不活性ガスを用いる例が示されている。しかし、この発明は、有機溶剤処理（図８のステップＳ４）を有しないプロセスに対しても適用可能である。より具体的には、基板を薬液で処理する薬液処理工程、その後に基板上の薬液をリンス液（ＤＩＷなど）で置換するリンス処理工程、その後に基板上のリンス液を基板外に排除するリンス液排除工程を含む基板処理方法に対して、この発明を適用してもよい。すなわち、リンス液排除工程において、基板にヒータユニットを接触させてもよい。

また、前述の実施形態では、基板が円形であり、ヒータユニットの加熱面が基板の径よりも大きな径の円形である場合について説明したが、基板が円形であっても、ヒータユニットの加熱面が円形である必要はなく、たとえば多角形であってもよい。また、処理対象の基板が円形である必要もなく、たとえば矩形の基板の処理のためにこの発明を適用してもよい。

また、前述の第２の実施形態では、ヒータユニット６のプレート本体６０の中央部６０Ａが円形の加熱面６０ａを有する構成を示したが、加熱面６０ａが円形である必要はなく、四角形等の多角形であってもよい。また、加熱面６０ａの一部が昇降する可動部であればよく、可動部の形状、配置および数は第２の実施形態に示したものに限られない。たとえば、複数の可動部が加熱面に設けられていてもよい。また、チャックピン２０よりも内側に配置された環状の可動部が上下動する構成であってもよい。

また、前述の第３の実施形態では、凹部６８が底面を有する例について説明したが、凹部６８は、ヒータユニット６を貫通する貫通孔であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

Ｗ 基板
１ 基板処理装置
２ 処理ユニット
３ 制御ユニット
４ リフトピン
５ スピンチャック
６ ヒータユニット
６ａ 加熱面
７ リフトピン昇降ユニット
１０ ＤＩＷノズル
１１ 第１移動ノズル
１２ 第２移動ノズル
１３ チャンバ
２０ チャックピン
２０Ａ 挟持部
２０Ｂ 支持部
２１ スピンベース
２２ 回転軸
２３ 電動モータ
２５ チャックピン駆動ユニット
３０ 支持軸
３１ 昇降軸
３２ 支持軸
３３ 昇降軸
３４ 昇降ユニット
３５ 有機溶剤供給管
３６Ａ〜３６Ｄ 第１〜第４不活性ガス供給管
４１ 薬液供給管
４２ 不活性ガス供給管
４６ ＤＩＷ供給管
４８ 流体供給管
６０ プレート本体
６０Ａ 中央部
６０ａ 加熱面
６０Ｂ 外周部
６０ｂ 加熱面
６２ ヒータ
６４ ヒータ通電ユニット
６７ ヒータ昇降ユニット
６８ 凹部
７０ 基板ガイド
８４ 有機溶剤ノズル
１５０ 有機溶剤の液膜

Claims (11)

1. 基板の周縁部を挟持することにより基板を水平姿勢で保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段によって保持された基板を回転させる基板回転手段と、
   前記基板保持手段に保持された基板に下方から対向し、上面視において当該基板の最外周が重なる加熱面を有し、当該基板の下面に接した状態で当該基板を加熱する基板加熱手段と、
   前記基板保持手段と前記基板加熱手段との間で基板を載せ替える載替え手段と、
   前記基板保持手段に保持された基板に向けて処理流体を供給する処理流体供給手段と、
   を含む、基板処理装置。
2. 前記加熱面が、上面視において前記基板保持手段に保持された基板の全域に重なる、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記基板保持手段が、前記基板と前記加熱面との間から外側へと退避可能に構成されている、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記載替え手段が、前記基板保持手段が前記基板に接触する位置よりも内方で前記基板の下面を支持し、前記加熱面を貫通して上下動する昇降部材と、
   前記昇降部材を上下動させる昇降ユニットとを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記加熱面が、前記基板保持手段が前記基板に接触する位置よりも内方で前記基板の下面を支持しながら上下動する可動部を含み、
   前記載替え手段が、前記可動部を上下動させる昇降ユニットを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記基板保持手段が、前記基板の周縁部に接する保持部材を含み、
   前記載替え手段が、前記加熱面を前記保持部材に対して相対的に上下動させる昇降ユニットを含み、
   前記加熱面が、前記昇降ユニットによって前記保持部材に対して相対的に上昇される過程で前記保持部材の少なくとも一部を収容する凹部を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 少なくとも前記基板回転手段、前記載替え手段および前記処理流体供給手段を制御する制御手段をさらに含み、
   前記制御手段が、
   前記基板保持手段により保持された基板を前記基板回転手段によって回転させながら、前記処理流体供給手段から前記基板へと処理流体を供給する流体処理と、
   前記流体処理の後、前記載替え手段によって前記基板保持手段から前記基板加熱手段へと基板を載せ替えて、前記基板加熱手段によって前記基板を加熱する加熱処理とを実行する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記制御手段が、さらに前記基板保持手段を制御し、
   前記加熱処理に際して、前記制御手段が、前記基板保持手段を前記基板の下面と前記基板加熱手段の加熱面との間に位置しない位置まで移動させる、請求項７に記載の基板処理装置。
9. チャンバ内に配置された基板保持手段によって基板の周縁部を挟持して水平姿勢で保持しながら当該基板を回転させる基板回転工程と、
   前記基板回転工程で回転されている基板の表面に処理流体を供給する処理流体供給工程と、
   前記基板回転工程を終えてから、前記チャンバ内で前記基板保持手段から基板加熱手段に載せ替える載せ替え工程と、
   前記基板加熱手段の加熱面に前記基板の下面が対向し、上面視において当該基板の最外周が前記加熱面に重なる状態で、前記基板の下面を前記加熱面に接触させて当該基板を加熱する基板加熱工程と
   を含む、基板処理方法。
10. 前記基板加熱工程において、前記基板の下面の全域が前記加熱面に対向する、請求項９に記載の基板処理方法。
11. 前記基板加熱工程において、前記基板保持手段が、前記基板と前記加熱面との間から外側へと退避している、請求項９または１０に記載の基板処理方法。

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