JP2017181814A

JP2017181814A - Display device

Info

Publication number: JP2017181814A
Application number: JP2016069466A
Authority: JP
Inventors: 浩英見村; Hirohide Mimura; 錦　博彦; Hirohiko Nishiki; 博彦錦; 賢一紀藤; Kenichi Kito; 齊藤　裕一; Yuichi Saito; 裕一齊藤; 学大王; Manabu Daio; 悠二郎武田; Yujiro Takeda
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2016-03-30
Filing date: 2016-03-30
Publication date: 2017-10-05

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device capable of preventing generation of problem in image display by preventing damage on a MEMS shutter in a display area.SOLUTION: A display device (1) has an element substrate (40) in a display panel (50) includes: a MEMS shutter (10A) which is disposed in a matrix in a display area (AR1) and contributes to the display images; and a MEMS shutter (10B) which is disposed in a dummy area (AR2) enclosing the periphery of the display area (AR1) and which does not contribute to the display of images.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明はＭＥＭＳシャッターを備える表示装置に関する。 The present invention relates to a display device including a MEMS shutter.

近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を用いた電子機器が開発されている。 In recent years, electronic devices using MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) have been developed.

特許文献１には、ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置が開示されている。ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置は、画素毎に配置されたＭＥＭＳシャッターを開閉することで、ＭＥＭＳシャッターを透過する光の量を制御し、これにより画像の表示を行う。 Patent Document 1 discloses a display device using a MEMS shutter. A display device using a MEMS shutter controls the amount of light transmitted through the MEMS shutter by opening and closing the MEMS shutter arranged for each pixel, thereby displaying an image.

上記表示装置は、表示パネルを備えている。表示パネルは、各画素毎に、ＭＥＭＳシャッター及び当該ＭＥＭＳシャッターを駆動するためのスイッチング素子が配置された素子基板と、当該素子基板と対向配置される対向基板とを、シール材を介して対向配置させたあと、シール材の一部に設けられた注入口から、素子基板と対向基板との間にシリコンオイルが注入されることで作製される。このように、素子基板と対向基板との間にシリコンオイルが充填されることで、ＭＥＭＳシャッターが備えるシャッター体は、スムーズにスライドすることができる。 The display device includes a display panel. In the display panel, for each pixel, an element substrate on which a MEMS shutter and a switching element for driving the MEMS shutter are arranged, and a counter substrate arranged to face the element substrate are arranged to face each other through a sealant. Then, silicon oil is injected between the element substrate and the counter substrate from an injection port provided in a part of the sealing material. As described above, the silicon oil is filled between the element substrate and the counter substrate, so that the shutter body included in the MEMS shutter can slide smoothly.

米国特許第８５９９４６３号明細書（２０１３年１２月３日登録）US Pat. No. 8,599,463 (registered on December 3, 2013)

しかし、ＭＥＭＳシャッターが備えるシャッター体は、バネとして機能する細いシャッタービームにより支持されている。このため、素子基板と対向基板との間にシリコンオイルが注入された際、当該シリコンオイルが流れる圧力によって、特に、画像を表示する表示エリアの最外周に位置するＭＥＭＳシャッターのシャッタービームが折れるなど破損しやすい。このように、表示エリアに配置されたＭＥＭＳシャッターが破損すると、表示エリアにて表示される画像に表示不良が発生してしまう。 However, the shutter body included in the MEMS shutter is supported by a thin shutter beam that functions as a spring. For this reason, when silicon oil is injected between the element substrate and the counter substrate, the shutter beam of the MEMS shutter located at the outermost periphery of the display area for displaying an image is broken by the pressure at which the silicon oil flows. Easy to break. As described above, when the MEMS shutter arranged in the display area is damaged, a display defect occurs in an image displayed in the display area.

本発明は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示エリアに配置されたＭＥＭＳシャッターの破損を防止することで、表示エリアにて表示される画像に表示不良が発生することを防止することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and its purpose is to prevent a failure of a MEMS shutter arranged in the display area, thereby causing a display defect in an image displayed in the display area. It is to prevent that.

上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置は、画像を表示する表示エリアを有する表示パネルを備えた表示装置であって、上記表示パネルは、上記表示エリアにマトリクス状に配置され、上記画像の表示に寄与する第１ＭＥＭＳシャッターと、上記表示エリアの周囲を囲むダミーエリアに配置され、上記画像の表示に寄与しない第２ＭＥＭＳシャッターとを有する素子基板と、液状材料を介して、上記素子基板と対向配置された対向基板とを備えていることを特徴としている。 In order to solve the above problems, a display device according to one embodiment of the present invention is a display device including a display panel having a display area for displaying an image, and the display panel is arranged in a matrix in the display area. And an element substrate having a first MEMS shutter that contributes to display of the image and a second MEMS shutter that does not contribute to display of the image and is disposed in a dummy area surrounding the display area. The device substrate is provided with a counter substrate disposed opposite to the element substrate.

本発明の一態様によれば、表示エリアに配置されたＭＥＭＳシャッターの破損を防止することで、表示エリアにて表示される画像に表示不良が発生することを防止するという効果を奏する。 According to one embodiment of the present invention, it is possible to prevent display defects from occurring in an image displayed in a display area by preventing breakage of a MEMS shutter disposed in the display area.

本発明の実施形態１に係る表示装置の素子基板の構成を表す図である。It is a figure showing the structure of the element substrate of the display apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置の構成を表す図である。It is a figure showing the structure of the display apparatus using the MEMS shutter which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターの構成を表す斜視図である。It is a perspective view showing the structure of the MEMS shutter which concerns on Embodiment 1 of this invention. 図１の表示装置の画素の等価回路を表す図である。It is a figure showing the equivalent circuit of the pixel of the display apparatus of FIG. 図１に示す表示エリアにおけるＭＥＭＳシャッターの製造工程を表す図である。It is a figure showing the manufacturing process of the MEMS shutter in the display area shown in FIG. 図１に示すダミーエリアにおける最外周のＭＥＭＳシャッターの製造工程を表す図である。It is a figure showing the manufacturing process of the outermost MEMS shutter in the dummy area shown in FIG. 表示パネルにシリコンオイルを注入している様子を表す図である。It is a figure showing a mode that silicon oil is inject | poured into the display panel. 本発明の実施形態２に係る表示装置の素子基板の構成を表す図である。It is a figure showing the structure of the element substrate of the display apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention.

〔実施形態１〕
（表示装置１の概略構成）
図２は、本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置１の構成を表す図である。 Embodiment 1
(Schematic configuration of the display device 1)
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the display device 1 using the MEMS shutter according to the first embodiment of the present invention.

表示装置１は、表示パネル５０と、表示パネル５０の背面側に配置されたバックライト９と、図示しないコントローラとを少なくとも備えている。当該コントローラは、表示パネル、及び、バックライト９の駆動を制御する。バックライト９は、表示パネル５０の背面側に配置されている。 The display device 1 includes at least a display panel 50, a backlight 9 disposed on the back side of the display panel 50, and a controller (not shown). The controller controls driving of the display panel and the backlight 9. The backlight 9 is disposed on the back side of the display panel 50.

表示パネル５０は、各画素毎にＭＥＭＳシャッター（第１ＭＥＭＳシャッター）１０Ａ及び当該ＭＥＭＳシャッター１０Ａを駆動するためのスイッチング素子（ＴＦＴ素子）が配置された素子基板４０と、シール材を介して素子基板４０に対向配置された対向基板５１と、素子基板４０と対向基板５１との間に充填されているシリコンオイル（液状材料）５２とを備えている。このシリコンオイル５２は、素子基板４０と対向基板５１とがシール材５３を介して対向配置された後、シール材５３に設けられた注入口５３ａから、素子基板４０と対向基板５１との間の空間へ注入されることで充填される。 The display panel 50 includes an element substrate 40 on which a MEMS shutter (first MEMS shutter) 10A and a switching element (TFT element) for driving the MEMS shutter 10A are arranged for each pixel, and an element substrate 40 via a sealing material. And a counter substrate 51 disposed opposite to each other, and a silicon oil (liquid material) 52 filled between the element substrate 40 and the counter substrate 51. The silicon oil 52 is disposed between the element substrate 40 and the counter substrate 51 from the injection port 53 a provided in the seal material 53 after the element substrate 40 and the counter substrate 51 are arranged to face each other via the seal material 53. It is filled by being injected into the space.

（素子基板４０）
図１は、本発明の実施形態１に係る表示装置１の素子基板４０の構成を表す図である。 (Element substrate 40)
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an element substrate 40 of the display device 1 according to Embodiment 1 of the invention.

素子基板４０は、画像を表示するエリアである表示エリアＡＲ１と、当該表示エリアＡＲ１の周囲を囲むエリアであるダミーエリアＡＲ２とを有する。また、素子基板４０は、表示エリアＡＲ１の一辺（紙面上側の辺）に沿って延伸して配置されているソースドライバ３Ｄと、表示エリアＡＲ１の他の一辺（紙面左側の辺）に沿って延伸して配置されているゲートドライバ３Ｇとを有している。なお、ソースドライバ３Ｄとゲートドライバ３Ｇとの配置は、図１に示したものに限定されるものではない。 The element substrate 40 includes a display area AR1 that is an area for displaying an image, and a dummy area AR2 that is an area surrounding the display area AR1. In addition, the element substrate 40 extends along one side (the upper side on the paper) of the display area AR1 and extends along the other side (the left side on the paper) of the display area AR1. The gate driver 3G is arranged. The arrangement of the source driver 3D and the gate driver 3G is not limited to that shown in FIG.

シール材５３は、素子基板４０が対向基板５１と貼り合わされる際、素子基板４０の縁ソースドライバ３Ｄ、及び、ゲートドライバ３Ｇより内側であり、ダミーエリアＡＲ２より外側に、枠状に設けられる。また、素子基板４０には、シール材５３より内側であり、ダミーエリアＡＲ２の外周を囲って枠状の側壁６９が設けらえれている。 The sealing material 53 is provided in a frame shape inside the edge source driver 3D and the gate driver 3G of the element substrate 40 and outside the dummy area AR2 when the element substrate 40 is bonded to the counter substrate 51. Further, the element substrate 40 is provided with a frame-like side wall 69 that is inside the sealing material 53 and surrounds the outer periphery of the dummy area AR2.

表示エリアＡＲ１では、ソースドライバ３Ｄから延伸するデータ線Ｄ_１、Ｄ_２、Ｄ_３、Ｄ_４、Ｄ_５、Ｄ_６、・・・、Ｄ_２ｍ−３、Ｄ_２ｍ−２、Ｄ_２ｍ−１、Ｄ_２ｍと、ゲートドライバ３Ｇから延伸するゲート線Ｇ_１、Ｇ_２、Ｇ_３、Ｇ_４、・・・、Ｇ_２ｎ−３、Ｇ_２ｎ−２、Ｇ_２ｎ−１、Ｇ_２ｎとが交差している。データ線Ｄ_１〜Ｄ_２ｍのうち奇数番目のデータ線（データ線Ｄ_１、Ｄ_３、Ｄ_５、・・・）と、ゲート線Ｇ_１〜Ｇ_２ｎのうち奇数番目のゲート線（ゲート線Ｇ_１、Ｇ_３、・・・）とにより区画されている領域が画素７である。各画素７は、表示エリアＡＲ１においてマトリクス状に配置されている。各画素７には、ＭＥＭＳシャッター１０と、スイッチング素子５Ａ・５Ｂと、保持容量６Ａ・６Ｂとが配置されている。 In the display area AR1, data lines D ₁ , D ₂ , D ₃ , D ₄ , D ₅ , D ₆ ,..., D _2m−3 , D _2m−2 , D _2m−1 , extending from the source driver 3D. D _2m and gate lines G ₁ , G ₂ , G ₃ , G ₄ ,..., G _2n-3 , G _2n-2 , G _2n-1 , G _2n extending from the gate driver 3G intersect Yes. The odd-numbered data lines (data lines D ₁ , D ₃ , D ₅ ,...) Among the data lines D ₁ -D _{2m and} the odd-numbered gate lines (gate lines G) among the gate lines G ₁ -G _2n. ₁ , G ₃ ,...) Is a pixel 7. Each pixel 7 is arranged in a matrix in the display area AR1. In each pixel 7, a MEMS shutter 10, switching elements 5A and 5B, and holding capacitors 6A and 6B are arranged.

スイッチング素子５Ａ・５Ｂは、一例としてＴＦＴ素子である。スイッチング素子５Ａの、ソース端子は、データ線Ｄ_１〜Ｄ_２ｍのうちゲートドライバ３Ｇに近い側から数えて奇数番目のデータ線Ｄ１、Ｄ３、・・・、Ｄ_２ｍ−１の何れかと接続されており、ゲート端子は、ゲート線Ｇ_１〜Ｇ_２ｎのうちソースドライバ３Ｄに近い側から数えて奇数番目のゲート線Ｇ_１〜Ｇ_２ｎ−１の何れかと接続されており、ドレイン端子は保持容量６Ａの一方の端子と接続されていると共にＭＥＭＳシャッター１０Ａと接続されている。保持容量６Ａの他方の端子はＭＥＭＳシャッター１０Ａと接続されていると共にグランドと接続されている。 The switching elements 5A and 5B are TFT elements as an example. Switching elements 5A, the source terminal, the data lines _D 1 _{to D} odd-numbered data lines counted from the side closer to the gate driver 3G of _2m D1, D3, · · _·, are connected to either the _{D 2m-1} cage, the gate terminal is connected to either the odd-numbered gate lines _G _{1 ~G 2n-1} counted from the side closer to the source driver 3D of the gate lines _G 1 _{~G 2n,} the drain terminal storage capacitor 6A And a MEMS shutter 10A. The other terminal of the storage capacitor 6A is connected to the MEMS shutter 10A and to the ground.

スイッチング素子５Ｂの、ソース端子は、データ線Ｄ_１〜Ｄ_２ｍのうちゲートドライバ３Ｇに近い側から数えて偶数番目のデータ線Ｄ_２、Ｄ_４、・・・、Ｄ_２ｍの何れかと接続されており、ゲート端子は、ゲート線Ｇ_１〜Ｇ_２ｎのうちソースドライバ３Ｄに近い側から数えて偶数番目のゲート線Ｇ_２、Ｇ_４、・・・、Ｇ_２ｎー２、Ｇ_２ｎの何れかと接続されており、ドレイン端子は保持容量６Ｂの一方の端子と接続されていると共にＭＥＭＳシャッター１０Ａと接続されている。保持容量６Ｂの他方の端子はＭＥＭＳシャッター１０Ａと接続されていると共にグランドと接続されている。 The source terminal of the switching element 5B is connected to one of the even-numbered data lines D ₂ , D ₄ ,..., D _2m counted from the side close to the gate driver 3G among the data lines D _{1 to} D _2m. The gate terminal is connected to any of the even-numbered gate lines G _2, G ₄ ,..., G _2n−2 , G _2n counted from the side closer to the source driver 3D among the gate lines G _{1 to} G _2n. The drain terminal is connected to one terminal of the storage capacitor 6B and to the MEMS shutter 10A. The other terminal of the storage capacitor 6B is connected to the MEMS shutter 10A and to the ground.

ソースドライバ３Ｄは、コントローラ（不図示）からの指示により、データ線Ｄ_１〜Ｄ_２ｍを介してスイッチング素子５Ａ・５Ｂへデータ信号を供給する。ゲートドライバ３Ｇは、コントローラ（不図示）からの指示により、ゲート線Ｇ_１〜Ｇ_２ｎを介してスイッチング素子５Ａ・５Ｂへゲート信号を供給する。スイッチング素子５Ａ・５Ｂは、データ線Ｄ１〜Ｄ_２ｍのうち自身が接続されているデータ線から供給されるデータ信号と、ゲート線Ｇ_１〜Ｇ_２ｎのうち自身が接続されているゲート線から供給されるゲート信号とから、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを駆動する。 The source driver 3D is an instruction from the controller (not shown), and supplies the data signals through the data lines _D 1 _{to D 2m} to the switching element 5A · 5B. The gate driver 3G, the controller in response to an instruction from (not shown), supplies a gate signal to the switching element 5A · 5B via the gate lines _G 1 _{~G 2n.} Switching elements 5A · 5B is supply and data signal supplied from the data line itself among the data lines D1～D _2m is connected, the gate line itself of the gate lines G ₁ ~G _2n are connected The MEMS shutter 10A is driven from the gate signal.

ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、表示エリアＡＲ１内においてマトリクス状に配置されている。ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、表示装置１に配置されたＭＥＭＳシャッターのうち、画像表示に寄与する。 The MEMS shutter 10A is arranged in a matrix in the display area AR1. The MEMS shutter 10 A contributes to image display among the MEMS shutters arranged in the display device 1.

ダミーエリアＡＲ２は、表示エリアＡＲ１の周囲を囲む領域である。ダミーエリアＡＲ２は、表示エリアＡＲ１より外側の領域であり、シール材５３及び側壁６９が配置される領域よりも内側の領域である。ダミーエリアＡＲ２には、ＭＥＭＳシャッター１０Ａと同パターンであるダミーのＭＥＭＳシャッター（第２ＭＥＭＳシャッター）１０Ｂがマトリクス状に配置されている。なお、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂのうち、最外周に位置するＭＥＭＳシャッター１０Ｂを、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと称する場合がある。 The dummy area AR2 is an area surrounding the display area AR1. The dummy area AR2 is an area outside the display area AR1, and is an area inside the area where the sealing material 53 and the side wall 69 are disposed. In the dummy area AR2, dummy MEMS shutters (second MEMS shutter) 10B having the same pattern as the MEMS shutter 10A are arranged in a matrix. Of the MEMS shutter 10B, the MEMS shutter 10B located on the outermost periphery may be referred to as a MEMS shutter 10Ba.

また、図１では、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、表示エリアＡＲ１と、ゲートドライバ３Ｇ及びソースドライバ３Ｄとの間の領域に配置されているものとして示しているが、ゲートドライバ３Ｇ及びソースドライバ３Ｄ上に配置されていてもよく、さらに、ゲートドライバ３Ｇ及びソースドライバ３Ｄの外側に至る領域にも配置されていてもよい。 In FIG. 1, the MEMS shutter 10B is illustrated as being disposed in the area between the display area AR1 and the gate driver 3G and the source driver 3D, but is disposed on the gate driver 3G and the source driver 3D. It may also be arranged in a region reaching the outside of the gate driver 3G and the source driver 3D.

ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、表示装置１に配置されたＭＥＭＳシャッターのうち、画像表示に寄与しないダミーのＭＥＭＳシャッターである。ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、ＭＥＭＳシャッター１０の周囲に配置された、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを保護する構造体であると表現することもできる。 The MEMS shutter 10 B is a dummy MEMS shutter that does not contribute to image display among the MEMS shutters arranged in the display device 1. The MEMS shutter 10B can also be expressed as a structure that is disposed around the MEMS shutter 10 and protects the MEMS shutter 10A.

ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、ＭＥＭＳシャッター１０Ａとは異なり、スイッチング素子、保持容量、及び各種配線と接続されていない。よって、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂには、画像を表示するために用いられる信号が入力されない。 Unlike the MEMS shutter 10A, the MEMS shutter 10B is not connected to a switching element, a storage capacitor, and various wirings. Therefore, a signal used to display an image is not input to the MEMS shutter 10B.

（ＭＥＭＳシャッター１０Ａの構成）
図３は、本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッター１０Ａの構成を表す斜視図である。図１を用いて、ＭＥＭＳシャッター１０Ａの構成について説明する。なお、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、ＭＥＭＳシャッター１０Ａの構成と同様であるため説明を省略する。 (Configuration of MEMS shutter 10A)
FIG. 3 is a perspective view illustrating the configuration of the MEMS shutter 10A according to the first embodiment of the present invention. The configuration of the MEMS shutter 10A will be described with reference to FIG. Note that the MEMS shutter 10B has the same configuration as that of the MEMS shutter 10A, and a description thereof will be omitted.

素子基板４０は、素子基板４９と、素子基板４９に設置されたＭＥＭＳシャッター１０Ａとを含む。 The element substrate 40 includes an element substrate 49 and a MEMS shutter 10 A installed on the element substrate 49.

ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、第１電極１１と、第２電極１４と、シャッター構造２１とを有する。本実施形態では、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、駆動ビームと対向しバネとして機能するシャッタービームの個数が２個である、いわゆる「２スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターであるものとする。なお、ＭＥＭＳシャッター１０Ａの構成は、「２スプリング」構造に限定されず、例えば、駆動ビームと対向しバネとして機能するシャッタービームの個数が４個である、いわゆる「４スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターなどであってもよい。 The MEMS shutter 10 A includes a first electrode 11, a second electrode 14, and a shutter structure 21. In the present embodiment, the MEMS shutter 10A is a MEMS shutter having a so-called “2-spring” structure in which the number of shutter beams facing the drive beam and functioning as springs is two. Note that the configuration of the MEMS shutter 10A is not limited to the “2 spring” structure. For example, a MEMS shutter having a so-called “4 spring” structure in which the number of shutter beams facing the drive beam and functioning as springs is four. It may be.

第１電極１１と、第２電極１４とは、シャッター構造２１をスライドさせるための電極である。第１電極１１と、第２電極１４とは、シャッター構造２１を介して略平行に対向配置されている。 The first electrode 11 and the second electrode 14 are electrodes for sliding the shutter structure 21. The first electrode 11 and the second electrode 14 are disposed to face each other substantially in parallel via the shutter structure 21.

第１電極１１は、駆動ビームアンカー１２と、駆動ビーム１３とを備えている。駆動ビームアンカー１２は、素子基板４９に配置された配線と接続されることで、素子基板４９に固定して配置されている。駆動ビームアンカー１２は、素子基板４９の表面から駆動ビーム１３を離間させて、駆動ビーム１３を支持している。駆動ビームアンカー１２は駆動ビーム１３の両端部のうち第１端部１３ａ近傍において駆動ビーム１３と接続されている。駆動ビーム１３は、駆動ビームアンカー１２との接続部近傍である第１端部１３ａを始点として、当該第１端部１３ａから逆側の第２端部１３ｂにかけて延伸している。すなわち、駆動ビーム１３の両端部のうち第１端部１３ａは、駆動ビームアンカー１２に近い側の端部であり、第２端部１３ｂは駆動ビームアンカー１２から遠い側の端部である。 The first electrode 11 includes a drive beam anchor 12 and a drive beam 13. The drive beam anchor 12 is fixedly disposed on the element substrate 49 by being connected to wiring disposed on the element substrate 49. The drive beam anchor 12 supports the drive beam 13 by separating the drive beam 13 from the surface of the element substrate 49. The drive beam anchor 12 is connected to the drive beam 13 in the vicinity of the first end 13 a of both ends of the drive beam 13. The drive beam 13 extends from the first end 13a, which is in the vicinity of the connection portion with the drive beam anchor 12, to the opposite second end 13b from the first end 13a. That is, of the both ends of the drive beam 13, the first end 13 a is an end close to the drive beam anchor 12, and the second end 13 b is an end far from the drive beam anchor 12.

第２電極１４は、駆動ビームアンカー１５と、駆動ビーム１６とを備えている。駆動ビームアンカー１５は、素子基板４９に配置された配線と接続されることで、素子基板４９に固定して配置されている。駆動ビームアンカー１５は、素子基板４９の表面から駆動ビーム１６を離間させて、駆動ビーム１６を支持している。駆動ビームアンカー１５は駆動ビーム１６の両端部のうち第１端部１６ａ近傍において駆動ビーム１６と接続されている。駆動ビーム１６は、両端部のうち駆動ビームアンカー１５との接続部近傍である第１端部１６ａを始点として、当該第１端部１６ａから逆側の第２端部１６ｂにかけて延伸している。すなわち、駆動ビーム１６の両端部うち第１端部１６ａは、駆動ビームアンカー１５に近い側の端部であり、第２端部１６ｂは駆動ビームアンカー１５から遠い側の端部である。 The second electrode 14 includes a drive beam anchor 15 and a drive beam 16. The drive beam anchor 15 is fixedly disposed on the element substrate 49 by being connected to the wiring disposed on the element substrate 49. The drive beam anchor 15 supports the drive beam 16 by separating the drive beam 16 from the surface of the element substrate 49. The drive beam anchor 15 is connected to the drive beam 16 in the vicinity of the first end portion 16 a of both ends of the drive beam 16. The drive beam 16 extends from the first end portion 16a to the second end portion 16b on the opposite side, starting from the first end portion 16a in the vicinity of the connection portion with the drive beam anchor 15 at both ends. That is, of the both ends of the drive beam 16, the first end 16 a is an end near the drive beam anchor 15, and the second end 16 b is an end far from the drive beam anchor 15.

シャッター構造２１は、シャッター体２２と、シャッタービームアンカー２４・２６と、シャッタービーム２３・２５とを備えている。 The shutter structure 21 includes a shutter body 22, shutter beam anchors 24 and 26, and shutter beams 23 and 25.

シャッタービームアンカー２４・２６は、素子基板４９に配置された配線と接続されることで、素子基板４９に固定して設置されている。シャッタービームアンカー２４・２６は、シャッタービーム２３・２５と、シャッター体２２とを素子基板４９の表面から離間させて支持する。 The shutter beam anchors 24 and 26 are fixedly installed on the element substrate 49 by being connected to wiring arranged on the element substrate 49. The shutter beam anchors 24 and 26 support the shutter beams 23 and 25 and the shutter body 22 while being separated from the surface of the element substrate 49.

シャッタービーム２３・２５は可撓性を有する。素子基板４９に固定されたシャッタービームアンカー２４・２６と、シャッタービームアンカー２４・２６とシャッター体２２とを接続し可撓性を有するシャッタービーム２３・２５により、シャッター体２２は、素子基板４９に対してスライド可能な状態で支持される。また、シャッター体２２は、シャッタービームアンカー２４・２６及びシャッタービーム２３・２５を介して素子基板４９に設けられた配線と電気的に接続されている。 The shutter beams 23 and 25 have flexibility. The shutter body 22 is attached to the element substrate 49 by the shutter beam anchors 24 and 26 fixed to the element substrate 49, and the shutter beam anchors 24 and 26 connected to the shutter body 22 and the flexible shutter beams 23 and 25. It is supported in a slidable state. The shutter body 22 is electrically connected to the wiring provided on the element substrate 49 through the shutter beam anchors 24 and 26 and the shutter beams 23 and 25.

このように、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、シャッター体２２の第１側部２２ｄが１本のシャッタービーム２３により支持され、シャッター体２２における第１側部２２ｄと対向する第２側部２２ｅが１本のシャッタービーム２５により支持されることで、シャッター体２２が合計２個のシャッタービーム２３・２５により支持された構造を有する。すなわち、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、駆動ビーム１３・１６と対向し、バネとして働くシャッタービーム２３・２５の数が２個である、いわゆる「２スプリング」構造を有する。 Thus, in the MEMS shutter 10A, the first side 22d of the shutter body 22 is supported by one shutter beam 23, and the second side 22e facing the first side 22d of the shutter body 22 is one. By being supported by the shutter beam 25, the shutter body 22 has a structure in which a total of two shutter beams 23 and 25 are supported. That is, the MEMS shutter 10 A has a so-called “2 spring” structure in which the number of shutter beams 23 and 25 that act as springs faces the drive beams 13 and 16 and is two.

シャッタービームアンカー２４は、第１電極１１の駆動ビーム１３における第２端部１３ｂの近傍に設置されている。シャッタービームアンカー２６は、第２電極１４の駆動ビーム１６における第２端部１６ｂの近傍に設置されている。 The shutter beam anchor 24 is installed in the vicinity of the second end 13 b of the drive beam 13 of the first electrode 11. The shutter beam anchor 26 is installed in the vicinity of the second end 16 b of the drive beam 16 of the second electrode 14.

シャッター体２２は、第１電極１１の駆動ビーム１３と、第２電極１４の駆動ビーム１６との間に挟まれて配置されている。シャッター体２２は、本実施形態では、平面視において長方形状である。 The shutter body 22 is disposed between the drive beam 13 of the first electrode 11 and the drive beam 16 of the second electrode 14. In the present embodiment, the shutter body 22 has a rectangular shape in plan view.

シャッター体２２は、第１端部２２ａと、第２端部２２ｂと、第１側部２２ｄと、第２側部２２ｅとを有する。 The shutter body 22 has a first end 22a, a second end 22b, a first side 22d, and a second side 22e.

第１端部２２ａと、第２端部２２ｂとは、互いに対向する端部であり、長手方向に直交する短手方向に延伸する端部である。第１端部２２ａと、第２端部２２ｂとのうち、第１端部２２ａは、シャッタービーム２３・２５の第１端部２３ａ・２５ａとの接続部近傍の端部であり、第２端部２２ｂは、シャッタービーム２３・２５の第１端部２３ａ・２５ａから遠い非接続端部である。シャッター体２２は、第１端部２２ａから第２端部２２ｂにかけて延伸している。 The first end portion 22a and the second end portion 22b are end portions facing each other, and are end portions extending in a short direction perpendicular to the longitudinal direction. Of the first end 22a and the second end 22b, the first end 22a is an end in the vicinity of the connecting portion of the shutter beams 23 and 25 to the first ends 23a and 25a. The part 22b is a non-connected end part far from the first ends 23a and 25a of the shutter beams 23 and 25. The shutter body 22 extends from the first end 22a to the second end 22b.

第１側部２２ｄと、第２側部２２ｅとは、互いに対向し、長手方向に延伸する端部である。第１側部２２ｄと、第２側部２２ｅとは、第１端部２２ａと、第２端部２２ｂとを接続する。第１側部２２ｄは、第１端部２２ａ近傍においてシャッタービーム２３の第１端部２３ａと接続されている。第１側部２２ｄは、シャッタービーム２３の対向部２３ｃに沿って延伸している。第２側部２２ｅは、第１端部２２ａ近傍においてシャッタービーム２５の第１端部２５ａと接続されている。第２側部２２ｅは、シャッタービーム２５の対向部２５ｃに沿って延伸している。 The first side portion 22d and the second side portion 22e are ends that face each other and extend in the longitudinal direction. The first side 22d and the second side 22e connect the first end 22a and the second end 22b. The first side portion 22d is connected to the first end portion 23a of the shutter beam 23 in the vicinity of the first end portion 22a. The first side portion 22 d extends along the facing portion 23 c of the shutter beam 23. The second side portion 22e is connected to the first end portion 25a of the shutter beam 25 in the vicinity of the first end portion 22a. The second side portion 22e extends along the facing portion 25c of the shutter beam 25.

シャッター体２２は、略中央部分には、第１端部２２ａ側から第２端部２２ｂ側へ延伸する開口部３１が設けられている。開口部３１は矩形形状を有する。 The shutter body 22 is provided with an opening 31 extending from the first end portion 22a side to the second end portion 22b side at a substantially central portion. The opening 31 has a rectangular shape.

開口部３１と素子基板４９に設けられている開口部ＯＰとが重なる位置に、シャッター体２２が移動することで、バックライト９（図２参照）からの光が透過する。一方、開口部３１が、開口部ＯＰと重ならない位置にシャッター体２２が移動するとバックライト９からの光はシャッター体２２により遮光される。このようにして、表示装置１は、各画素７（図１参照）毎にＭＥＭＳシャッター１０Ａの駆動を制御することで画像を表示エリアＡＲ１に表示する。なお、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂの下方には、開口部ＯＰは形成されていない。 When the shutter body 22 moves to a position where the opening 31 and the opening OP provided in the element substrate 49 overlap, light from the backlight 9 (see FIG. 2) is transmitted. On the other hand, when the shutter body 22 moves to a position where the opening 31 does not overlap the opening OP, light from the backlight 9 is blocked by the shutter body 22. In this way, the display device 1 displays an image in the display area AR1 by controlling the driving of the MEMS shutter 10A for each pixel 7 (see FIG. 1). Note that no opening OP is formed below the MEMS shutter 10B.

また、図３において、素子基板４９に、１つのシャッター体２２に対し開口部ＯＰが１つだけ設けられているように記載しているが、開口部ＯＰの個数は１つに限定されるものではない。１つのシャッター体２２に対し２つ以上の開口部ＯＰが設けられていてもよい。 In FIG. 3, the element substrate 49 is described as having only one opening OP for one shutter body 22, but the number of openings OP is limited to one. is not. Two or more openings OP may be provided for one shutter body 22.

シャッター体２２のうち、開口部３１と、第１側部２２ｄとの間には、第１端部２２ａ側から第２端部側２２ｂへ向けて延伸する凸部３２が形成されている。また、シャッター体２２のうち、開口部３１と、第２側部２２ｅとの間には、第１端部２２ａ側から第２端部側２２ｂへ向けて延伸する凸部３３が形成されている。シャッター体２２における素子基板４９との対向面（下面）のうち、凸部３２・３３が設けられている箇所は、素子基板４９に向けて突出した形状となっている。逆に、シャッター体２２における素子基板４９との対向面とは逆側の面（上面）のうち、凸部３２・３３が設けられている箇所は凹部となっている。このように、シャッター体２２に、少なくとも一方向に延伸し、シャッター体２２の下方に設けられた素子基板４９に向けて突出する凸部３２・３３を設けることで、シャッター体２２の剛性を高めることができる。 In the shutter body 22, between the opening 31 and the first side portion 22d, a convex portion 32 extending from the first end portion 22a side to the second end portion side 22b is formed. Moreover, the convex part 33 extended | stretched toward the 2nd end part side 22b from the 1st end part 22a side is formed between the opening part 31 and the 2nd side part 22e among the shutter bodies 22. As shown in FIG. . Of the surface (lower surface) of the shutter body 22 that faces the element substrate 49, the portions where the convex portions 32 and 33 are provided have a shape that protrudes toward the element substrate 49. On the contrary, in the surface (upper surface) opposite to the surface facing the element substrate 49 in the shutter body 22, the portions where the convex portions 32 and 33 are provided are concave portions. As described above, the shutter body 22 is provided with the convex portions 32 and 33 extending in at least one direction and projecting toward the element substrate 49 provided below the shutter body 22, thereby increasing the rigidity of the shutter body 22. be able to.

凸部３２・３３は、共に、シャッター体２２において、シャッター体２２の第１端部２２ａ側は、第１端部２２ａである端まで設けられている一方、シャッター体２２の第２端部２２ｂ側は、端である第２端部２２ｂ近傍まで延伸した形状となっている。 Both the convex portions 32 and 33 are provided in the shutter body 22 such that the first end portion 22a side of the shutter body 22 is provided to the end that is the first end portion 22a, while the second end portion 22b of the shutter body 22 is provided. The side has a shape extending to the vicinity of the second end 22b, which is an end.

これにより、シャッター体２２のうち、第１端部２２ａ近傍は、凸部３２・３３が設けられていることで、シャッター体２２における素子基板４９との対向面は、下方の素子基板４９に向けて突出した形状となっている。一方、シャッター体２２のうち、第２端部２２ｂ近傍は、凸部３２・３３が設けられていないため、シャッター体２２における素子基板４９との対向面は、平坦な形状となっている。 As a result, convex portions 32 and 33 are provided in the vicinity of the first end 22 a of the shutter body 22, so that the surface of the shutter body 22 facing the element substrate 49 faces the lower element substrate 49. And has a protruding shape. On the other hand, in the vicinity of the second end portion 22b of the shutter body 22, since the convex portions 32 and 33 are not provided, the surface of the shutter body 22 facing the element substrate 49 has a flat shape.

シャッタービーム２３は、シャッター体２２の第１側部２２ｄと接続された第１端部２３ａを始点として、シャッタービームアンカー２４と接続された第２端部２３ｂにかけて延伸している。上述のように、シャッタービーム２３の第１端部２３ａは、シャッター体２２の第１端部２２ａと第２端部２２ｂとのうち、第１端部２２ａに近い位置でシャッター体２２と接続されている。特に、本実施形態では、シャッタービーム２３は、第１端部２２ａの近傍に接続されている。シャッタービーム２３は、第１端部２３ａから第１電極１１の駆動ビーム１３に近づく方向へ延伸すると、駆動ビーム１３の延伸方向へ屈曲して駆動ビーム１３に沿って延伸し、駆動ビーム１３の第２端部１３ｂ近傍にて第２端部１３ｂを囲むように外側へ屈曲し、第２端部２３ｂがシャッタービームアンカー２４と接続されている。このように、シャッタービーム２３は、第１端部２３ａと第２端部２３ｂとの間に、駆動ビーム１３と対向する対向部２３ｃを有する。 The shutter beam 23 extends from the first end 23 a connected to the first side 22 d of the shutter body 22 to the second end 23 b connected to the shutter beam anchor 24. As described above, the first end 23a of the shutter beam 23 is connected to the shutter body 22 at a position close to the first end 22a among the first end 22a and the second end 22b of the shutter body 22. ing. In particular, in the present embodiment, the shutter beam 23 is connected in the vicinity of the first end 22a. When the shutter beam 23 extends from the first end 23 a in the direction approaching the drive beam 13 of the first electrode 11, the shutter beam 23 bends in the extension direction of the drive beam 13 and extends along the drive beam 13. The second end 13 b is bent outward so as to surround the second end 13 b, and the second end 23 b is connected to the shutter beam anchor 24. As described above, the shutter beam 23 has the facing portion 23c facing the driving beam 13 between the first end portion 23a and the second end portion 23b.

シャッタービーム２５は、シャッター体２２の第２側部２２ｅと接続された第１端部２５ａを始点として、シャッタービームアンカー２６と接続された第２端部２５ｂにかけて延伸している。上述のように、シャッタービーム２５の第１端部２５ａは、シャッター体２２の第１端部２２ａと第２端部２２ｂとのうち、第１端部２２ａに近い位置でシャッター体２２と接続されている。特に、本実施形態では、シャッタービーム２５は、第１端部２２ａの近傍に接続されている。シャッタービーム２５は、第１端部２５ａから第２電極１４の駆動ビーム１６に近づく方向へ延伸すると、駆動ビーム１６の延伸方向へ屈曲して駆動ビーム１６に沿って延伸し、駆動ビーム１６の第２端部１６ｂ近傍にて第２端部１６ｂを囲むように外側へ屈曲し、第２端部２５ｂがシャッタービームアンカー２６と接続されている。このように、シャッタービーム２５は、第１端部２５ａと第２端部２５ｂとの間に、駆動ビーム１６と対向する対向部２５ｃを有する。 The shutter beam 25 extends from the first end portion 25a connected to the second side portion 22e of the shutter body 22 to the second end portion 25b connected to the shutter beam anchor 26. As described above, the first end 25a of the shutter beam 25 is connected to the shutter body 22 at a position close to the first end 22a among the first end 22a and the second end 22b of the shutter body 22. ing. In particular, in the present embodiment, the shutter beam 25 is connected in the vicinity of the first end 22a. When the shutter beam 25 extends from the first end portion 25a in the direction approaching the driving beam 16 of the second electrode 14, the shutter beam 25 bends in the extending direction of the driving beam 16 and extends along the driving beam 16. The second end portion 16 b is bent outward so as to surround the second end portion 16 b, and the second end portion 25 b is connected to the shutter beam anchor 26. Thus, the shutter beam 25 has the facing portion 25c that faces the driving beam 16 between the first end portion 25a and the second end portion 25b.

シャッタービーム２３・２５は、シャッター体２２がスライドする際にバネとして機能する。 The shutter beams 23 and 25 function as springs when the shutter body 22 slides.

シャッタービーム２３・２５は、シャッター体２２を素子基板４９から離間させた状態であってスライド可能に支持する。 The shutter beams 23 and 25 support the slidable state in a state where the shutter body 22 is separated from the element substrate 49.

（シャッター体２２の開閉動作）
図４は、図１の画素７の等価回路を表す図である。 (Opening / closing operation of the shutter body 22)
FIG. 4 is a diagram illustrating an equivalent circuit of the pixel 7 in FIG.

図４に示すように、第１電極１１及びシャッター体２２にハイ（Ｈ）の電圧を加え、第２電極１４にロウ（Ｌ）の電圧を加えると、シャッター体２２は、第１電極１１から離れ、第２電極１４に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２の開口部３１と、素子基板４９の開口部ＯＰとは非重畳となり、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは閉じた状態となる。これにより、バックライト９（図２参照）から出射された光はシャッター体２２により遮光される。 As shown in FIG. 4, when a high (H) voltage is applied to the first electrode 11 and the shutter body 22 and a low (L) voltage is applied to the second electrode 14, the shutter body 22 moves from the first electrode 11. It moves away and approaches the second electrode 14. Thereby, the opening part 31 of the shutter body 22 and the opening part OP of the element substrate 49 do not overlap, and the MEMS shutter 10A is in a closed state. Thereby, the light emitted from the backlight 9 (see FIG. 2) is blocked by the shutter body 22.

なお、第１電極１１及びシャッター体２２にロウ（Ｌ）の電圧を加え、第２電極１４にハイ（Ｈ）の電圧を加えても、シャッター体２２は、第１電極１１から離れ、第２電極１４に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２の開口部３１と、素子基板４９の開口部ＯＰとは非重畳となり、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは閉じた状態となる。 Even if a low (L) voltage is applied to the first electrode 11 and the shutter body 22 and a high (H) voltage is applied to the second electrode 14, the shutter body 22 is separated from the first electrode 11, It moves in a direction approaching the electrode 14. Thereby, the opening part 31 of the shutter body 22 and the opening part OP of the element substrate 49 do not overlap, and the MEMS shutter 10A is in a closed state.

また、第１電極１１にロウ（Ｌ）の電圧を加え、シャッター体２２及び第２電極１４にハイ（Ｈ）の電圧を加えると、シャッター体２２は、第２電極１４から離れ、第１電極１１に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２の開口部３１と、素子基板４９の開口部ＯＰとは重なり、ＭＥＭＳシャッター１０Ａが開いた状態となる。これにより、バックライト９（図２参照）から出射された光は開口部ＯＰ・３１を通りＭＥＭＳシャッター１０から出射される。 When a low (L) voltage is applied to the first electrode 11 and a high (H) voltage is applied to the shutter body 22 and the second electrode 14, the shutter body 22 moves away from the second electrode 14, and the first electrode Move in a direction approaching 11. Thereby, the opening part 31 of the shutter body 22 and the opening part OP of the element substrate 49 are overlapped, and the MEMS shutter 10A is opened. Thereby, the light emitted from the backlight 9 (see FIG. 2) is emitted from the MEMS shutter 10 through the opening OP · 31.

なお、第１電極１１にハイ（Ｈ）の電圧を加え、シャッター体２２及び第２電極１４にロウ（Ｌ）の電圧を加えても、シャッター体２２は、第２電極１４から離れ、第１電極１１に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２の開口部３１と、素子基板４９の開口部ＯＰとは重なり、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは開いた状態となる。 Even if a high (H) voltage is applied to the first electrode 11 and a low (L) voltage is applied to the shutter body 22 and the second electrode 14, the shutter body 22 is separated from the second electrode 14, It moves in a direction approaching the electrode 11. As a result, the opening 31 of the shutter body 22 and the opening OP of the element substrate 49 overlap, and the MEMS shutter 10A is in an open state.

（ＭＥＭＳシャッター１０Ａの製造方法）
図５は、図１に示す表示エリアＡＲ１におけるＭＥＭＳシャッター１０Ａの製造工程を表す図である。 (Method for manufacturing MEMS shutter 10A)
FIG. 5 is a diagram showing a manufacturing process of the MEMS shutter 10A in the display area AR1 shown in FIG.

図５の（ａ）に示すように、表示エリアＡＲ１においては、ガラスなどからなる基板４１上に、カーボンブラックを含有させたポリイミド等からなる遮光部４２に開口部ＯＰを設けてパターン形成し、遮光部４２上に、ＳｉＯ_２などからなる第１絶縁層４４、及び、第１配線４５を順にパターン形成する。 As shown in FIG. 5A, in the display area AR1, a pattern is formed by providing an opening OP in a light shielding part 42 made of polyimide or the like containing carbon black on a substrate 41 made of glass or the like, On the light shielding part 42, a first insulating layer 44 made of SiO ₂ or the like and a first wiring 45 are sequentially formed in a pattern.

次に、開口部ＯＰ内、第１絶縁層４４、及び、第１配線４５を覆うと共に、所定の第１配線４５を露出させるように、ＳｉＯ_２などからなる第２絶縁層４６をパターン形成する。そして、第２絶縁層４６上であって、上記所定の第１配線４５上にコンタクトホールが形成されるように、有機絶縁膜４７をパターン形成する。 Next, the second insulating layer 46 made of SiO ₂ or the like is patterned so as to cover the first insulating layer 44 and the first wiring 45 in the opening OP and to expose the predetermined first wiring 45. . Then, the organic insulating film 47 is patterned so that a contact hole is formed on the second insulating layer 46 and on the predetermined first wiring 45.

さらに、有機絶縁膜４７上に、ＩＴＯなどからなる第２配線４８をパターン形成する。この際、第２配線４８は、有機絶縁膜４７に形成された上記コンタクトホール内にも成膜されることで、当該コンタクトホール内の上記所定の第１配線４５と接触する。 Further, a second wiring 48 made of ITO or the like is formed on the organic insulating film 47 by patterning. At this time, the second wiring 48 is also formed in the contact hole formed in the organic insulating film 47 so as to come into contact with the predetermined first wiring 45 in the contact hole.

次に、第２配線４８上及び有機絶縁膜４７を覆って、第１レジスト層６１を塗布することで積層する。 Next, the first resist layer 61 is applied and laminated so as to cover the second wiring 48 and the organic insulating film 47.

そして、フォトリソグラフィーにより、第１レジスト層６１をパターニングする。これにより、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域における第１レジスト層６１に凹部を形成することで、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域における第２配線４８を露出させる。 Then, the first resist layer 61 is patterned by photolithography. Thus, by forming a recess in the first resist layer 61 in the formation region of the drive beam anchors 12 and 15 and the shutter beam anchors 24 and 26, in the formation region of the drive beam anchors 12 and 15 and the shutter beam anchors 24 and 26. The second wiring 48 is exposed.

次に、第１レジスト層６１上に、第２レジスト層６２を塗布することで積層する。このとき、第１レジスト層６１に形成した凹部にも第２レジスト層６２が充填される。 Next, the second resist layer 62 is applied and laminated on the first resist layer 61. At this time, the second resist layer 62 is also filled in the recesses formed in the first resist layer 61.

そして、フォトリソグラフィーにより、第２レジスト層６２をパターニングする。これにより、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域（すなわち、第１レジスト層６１に凹部が形成されている領域）、駆動ビーム１３・１６、シャッタービーム２３・２５、及び、シャッター体２２の凸部３２・３３の形成領域における第２レジスト層６２に凹部を形成する。 Then, the second resist layer 62 is patterned by photolithography. As a result, the formation region of the drive beam anchors 12 and 15 and the shutter beam anchors 24 and 26 (that is, the region where the concave portion is formed in the first resist layer 61), the drive beams 13 and 16, the shutter beams 23 and 25, and Then, a concave portion is formed in the second resist layer 62 in the region where the convex portions 32 and 33 of the shutter body 22 are formed.

次に、図５の（ｂ）に示すように、デポジションにより、高濃度に不純物がドープされた不純物半導体６３（例えば、ｎ^＋アモルファスシリコン）、金属膜６４、及び、保護膜６５を順に積層する。これにより、第１レジスト層６１及び第２レジスト層６２が開口された凹部の底面において、不純物半導体６３と第２配線４８とが接触する。なお、保護膜６５の一例としては、酸化シリコン(ＳｉＯ_２)、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、シリコンオキシナイトライド(ＳｉＮＯ)等の無機膜を挙げることができる。 Next, as shown in FIG. 5B, an impurity semiconductor 63 (for example, n ⁺ amorphous silicon) doped with impurities at a high concentration, a metal film 64, and a protective film 65 are sequentially stacked by deposition. To do. As a result, the impurity semiconductor 63 and the second wiring 48 are in contact with each other at the bottom surface of the recess where the first resist layer 61 and the second resist layer 62 are opened. Examples of the protective film 65 include inorganic films such as silicon oxide (SiO ₂ ), silicon nitride (SiNx), and silicon oxynitride (SiNO).

金属膜６４は、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、銅（Ｃｕ）膜等の金属膜又はその合金を含む膜を積層することで得ることができる。ここでは、金属膜６４は、Ｔｉ/Ａｌ/Ｔｉの積層構造とする。 The metal film 64 is formed by sputtering using an aluminum (Al) film, a tungsten (W) film, a molybdenum (Mo) film, a tantalum (Ta) film, a chromium (Cr) film, a titanium (Ti) film, or a copper (Cu) film. It can obtain by laminating | stacking the film | membrane containing metal films, such as such, or its alloy. Here, the metal film 64 has a laminated structure of Ti / Al / Ti.

そして、保護膜６５上に第３レジスト層６６を塗布することで積層する。次に、フォトリソグラフィーにより、第３レジスト層６６をパターニングする。これにより、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域における第３レジスト層６６に凹部を形成することで、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域における保護膜６５を露出させる。 Then, the third resist layer 66 is applied on the protective film 65 to be laminated. Next, the third resist layer 66 is patterned by photolithography. Thus, the recesses are formed in the third resist layer 66 in the drive beam 13/16 and shutter beam 23/25 formation region, thereby protecting the drive beam 13/16 and shutter beam 23/25 formation region in the protective film. 65 is exposed.

次に、図５の（ｃ）に示すように、ドライエッチングにより、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５をパターニングする。 Next, as shown in FIG. 5C, the impurity semiconductor 63, the metal film 64, and the protective film 65 are patterned by dry etching.

これにより、第３レジスト層６６に形成された凹部内において、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５のうち、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域における不純物半導体６３のみを残し、金属膜６４、及び、保護膜６５を除去する。 As a result, in the recess formed in the third resist layer 66, the impurity semiconductor 63, the metal film 64, and the protective film 65, the impurity semiconductors in the regions where the drive beams 13 and 16 and the shutter beams 23 and 25 are formed. The metal film 64 and the protective film 65 are removed leaving only 63.

そして、図５の（ｄ）に示すように、ＣＦ_４及びＯ_２を用いたフルアッシングによるドライエッチングにより、全レジスト層（第１レジスト層６１、第２レジスト層６２、及び、第３レジスト層６６）を剥離する。 Then, as shown in FIG. 5D, all resist layers (first resist layer 61, second resist layer 62, and third resist layer are formed by dry etching by full ashing using CF ₄ and O _2. 66) is peeled off.

次に、図５の（ｅ）に示すように、ＰＥＣＶＤ法により、保護層６８を、保護膜６５の上方から積層する。これにより、ＭＥＭＳシャッター１０Ａが完成する。 Next, as shown in FIG. 5E, a protective layer 68 is laminated from above the protective film 65 by PECVD. Thereby, the MEMS shutter 10A is completed.

（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａの製造方法）
図６は、図１に示すダミーエリアＡＲ２における最外周のＭＥＭＳシャッター１０Ｂａの製造工程を表す図である。 (Manufacturing method of MEMS shutter 10Ba)
FIG. 6 is a diagram illustrating a manufacturing process of the outermost MEMS shutter 10Ba in the dummy area AR2 illustrated in FIG.

図６の（ａ）に示すように、ダミーエリアＡＲ２においては、ガラスなどからなる基板４１上に、遮光部４２、第１絶縁層４４、第２絶縁層４６、及び、有機絶縁膜４７を順に成膜する。このとき、遮光部４２、第１絶縁層４４、第２絶縁層４６、及び、有機絶縁膜４７はパターン形成されなくてもよい。遮光部４２、第１絶縁層４４、第２絶縁層４６、及び、有機絶縁膜４７は、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域、すなわち、ダミーエリアＡＲ２の外側の領域にも成膜される。 As shown in FIG. 6A, in the dummy area AR2, the light shielding portion 42, the first insulating layer 44, the second insulating layer 46, and the organic insulating film 47 are sequentially formed on the substrate 41 made of glass or the like. Form a film. At this time, the light shielding part 42, the first insulating layer 44, the second insulating layer 46, and the organic insulating film 47 do not need to be patterned. The light shielding part 42, the first insulating layer 44, the second insulating layer 46, and the organic insulating film 47 are also formed in a region outside the MEMS shutter 10Ba forming region, that is, a region outside the dummy area AR2.

さらに、有機絶縁膜４７上に、第１レジスト層６１を塗布することで積層する。第１レジスト層６１は、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域にも積層される。 Further, the first resist layer 61 is applied and laminated on the organic insulating film 47. The first resist layer 61 is also laminated on a region outside the MEMS shutter 10Ba formation region.

そして、フォトリソグラフィーにより、第１レジスト層６１をパターニングする。これにより、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域における第１レジスト層６１に凹部を形成することで、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域における有機絶縁膜４７が露出する。 Then, the first resist layer 61 is patterned by photolithography. Thus, by forming a recess in the first resist layer 61 in the formation region of the drive beam anchors 12 and 15 and the shutter beam anchors 24 and 26, in the formation region of the drive beam anchors 12 and 15 and the shutter beam anchors 24 and 26. The organic insulating film 47 is exposed.

さらに、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域と、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域との間における第１レジスト層６１にも凹部を形成する。 Further, a recess is also formed in the first resist layer 61 between the MEMS shutter 10Ba formation region and the region outside the MEMS shutter 10Ba formation region.

次に、第１レジスト層６１上に、第２レジスト層６２を塗布することで積層する。このとき、第１レジスト層６１に形成した凹部にも第２レジスト層６２が充填される。また、第２レジスト層６２は、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域にも積層される。 Next, the second resist layer 62 is applied and laminated on the first resist layer 61. At this time, the second resist layer 62 is also filled in the recesses formed in the first resist layer 61. In addition, the second resist layer 62 is also laminated in a region outside the MEMS shutter 10Ba formation region.

さらに、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域と、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域との間における第２レジスト層６２にも凹部を形成する。 Further, a recess is also formed in the second resist layer 62 between the MEMS shutter 10Ba formation region and the region outside the MEMS shutter 10Ba formation region.

次に、図６の（ｂ）に示すように、デポジションにより、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５を順に積層する。これにより、第１レジスト層６１及び第２レジスト層６２が開口された凹部の底面において、不純物半導体６３と有機絶縁膜４７とが接触する。 Next, as shown in FIG. 6B, an impurity semiconductor 63, a metal film 64, and a protective film 65 are sequentially stacked by deposition. Thereby, the impurity semiconductor 63 and the organic insulating film 47 are in contact with each other at the bottom surface of the recess where the first resist layer 61 and the second resist layer 62 are opened.

また、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５は、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域との間における第２レジスト層６２上にも積層される。 Further, the impurity semiconductor 63, the metal film 64, and the protective film 65 are also stacked on the second resist layer 62 between the outer region of the MEMS shutter 10Ba formation region.

そして、保護膜６５上に第３レジスト層６６を塗布することで積層する。次に、フォトリソグラフィーにより、第３レジスト層６６をパターニングする。これにより、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域とＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域との間における凹部、及び、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域における第３レジスト層６６を除去することで、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域とＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域との間における凹部、及び、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域における保護膜６５を露出させる。 Then, the third resist layer 66 is applied on the protective film 65 to be laminated. Next, the third resist layer 66 is patterned by photolithography. As a result, the drive beams 13 and 16 and the shutter beam 23 and 25 formation region, the recess between the MEMS shutter 10Ba formation region and the region outside the MEMS shutter 10Ba formation region, and the outside of the MEMS shutter 10Ba formation region By removing the third resist layer 66 in the region, the driving beam 13, 16 and shutter beam 23, 25 formation region, a recess between the MEMS shutter 10Ba formation region and the region outside the MEMS shutter 10Ba formation region, Then, the protective film 65 in the region outside the MEMS shutter 10Ba formation region is exposed.

次に、図６の（ｃ）に示すように、ドライエッチングにより、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５をパターニングする。 Next, as shown in FIG. 6C, the impurity semiconductor 63, the metal film 64, and the protective film 65 are patterned by dry etching.

これにより、第３レジスト層６６に形成された凹部内において、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５のうち、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域、及び、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域における不純物半導体６３を残し、金属膜６４、及び、保護膜６５を除去する。 As a result, in the recess formed in the third resist layer 66, the drive beam 13 • 16 and the shutter beam 23 • 25 formation region of the impurity semiconductor 63, the metal film 64, and the protective film 65, and The metal film 64 and the protective film 65 are removed while leaving the impurity semiconductor 63 in the region outside the MEMS shutter 10Ba formation region.

そして、図６の（ｄ）に示すように、ＣＦ_４及びＯ_２を用いたフルアッシングによるドライエッチングにより、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域において、全レジスト層（第１レジスト層６１、第２レジスト層６２、及び、第３レジスト層６６）を剥離する。一方、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域においては、第１レジスト層６１、第２レジスト層６２を残す。 Then, as shown in FIG. 6D, all resist layers (first resist layer 61, second resist layer 62) are formed in the MEMS shutter 10Ba formation region by dry etching by full ashing using CF ₄ and O _2. And the third resist layer 66) is removed. On the other hand, the first resist layer 61 and the second resist layer 62 are left in the region outside the MEMS shutter 10Ba formation region.

次に、図６の（ｅ）に示すように、ＰＥＣＶＤ法により、保護層６８を、保護膜６５の上方から積層する。これにより、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａが完成する。また、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域であって、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと隣接する側壁６９が完成する。この側壁６９は、枠状であり、ダミーエリアＡＲ２の外周を囲っている。すなわち、ダミーエリアＡＲ２の最外周のＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと、側壁６９とは隣接している。 Next, as shown in FIG. 6E, a protective layer 68 is laminated from above the protective film 65 by PECVD. Thereby, the MEMS shutter 10Ba is completed. Further, a side wall 69 adjacent to the MEMS shutter 10Ba, which is an area outside the area where the MEMS shutter 10Ba is formed, is completed. The side wall 69 has a frame shape and surrounds the outer periphery of the dummy area AR2. That is, the outermost MEMS shutter 10Ba of the dummy area AR2 and the side wall 69 are adjacent to each other.

このＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと、側壁６９との距離は、互いに隣接する、ＭＥＭＳシャッター１０Ａ・１０Ａ間、ＭＥＭＳシャッター１０Ａ・１０Ｂ間、及び、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ・１０Ｂ間の距離と同じ程度である。 The distance between the MEMS shutter 10Ba and the side wall 69 is approximately the same as the distance between the adjacent MEMS shutters 10A and 10A, between the MEMS shutters 10A and 10B, and between the MEMS shutters 10B and 10B.

（ダミーエリアＡＲ２を設けることの主な利点）
図７は、表示パネルにシリコンオイルを注入している様子を表す図であり、（ａ）はダミーエリアを設けていない表示パネルにシリコンオイルを注入している様子を表す図であり、（ｂ）は本発明の実施形態１に係る表示パネル５０にシリコンオイルを注入している様子を表す図である。 (Main advantage of providing dummy area AR2)
FIG. 7 is a diagram illustrating a state in which silicon oil is injected into the display panel. FIG. 7A is a diagram illustrating a state in which silicon oil is being injected into a display panel in which no dummy area is provided. ) Is a diagram illustrating a state in which silicon oil is injected into the display panel 50 according to Embodiment 1 of the present invention.

図２に示したように、ＭＥＭＳシャッター１０を備えた表示パネル５０は、ＭＥＭＳシャッター１０等がパターニングされた素子基板４０と、対向基板５１とを、シール材５３によって貼り合せた後、シール材５３に設けられた注入口５３ａから、素子基板４０と対向基板５１との間の空間へシリコンオイル５２が充填されることで製造される。 As shown in FIG. 2, the display panel 50 including the MEMS shutter 10 includes the element substrate 40 on which the MEMS shutter 10 and the like are patterned and the counter substrate 51 bonded together with the seal material 53, and then the seal material 53. The silicon oil 52 is filled into the space between the element substrate 40 and the counter substrate 51 from the injection port 53a provided in the substrate.

図７の（ａ）に示す表示パネル１５０は、ＭＥＭＳシャッター１１０が表示エリアＡＲ１０１にのみ配置され、表示エリアＡＲ１０１の外側エリアＡＲ１０２には配置されていない。 In the display panel 150 shown in FIG. 7A, the MEMS shutter 110 is arranged only in the display area AR101 and is not arranged in the outer area AR102 of the display area AR101.

このため、図７の（ａ）に示す矢印のように、シール材１５３の注入口１５３ａから表示パネル１５０内にシリコンオイル１５２が注入されると、シリコンオイル１５２の流れによる圧力によって、特に、マトリクス状にＭＥＭＳシャッター１１０が配置された表示エリアＡＲ１０１における、最外周のＭＥＭＳシャッター１１０が破損しやすい。特に、ＭＥＭＳシャッター１１０のシャッター体を支持する２本のシャッタービームは細く長い形状であるため、この２本のシャッタービームが折れやすい。このように、ＭＥＭＳシャッター１１０においてシャッタービームが折れると、ＭＥＭＳシャッター１１０は駆動せず、表示エリアＡＲ１０１に表示される画像に表示不良が発生する。 For this reason, when silicon oil 152 is injected into the display panel 150 from the inlet 153a of the sealing material 153 as indicated by an arrow in FIG. The outermost MEMS shutter 110 in the display area AR101 in which the MEMS shutter 110 is arranged in a shape is easily damaged. In particular, since the two shutter beams that support the shutter body of the MEMS shutter 110 have a thin and long shape, the two shutter beams are easily broken. As described above, when the shutter beam is broken in the MEMS shutter 110, the MEMS shutter 110 is not driven, and a display defect occurs in the image displayed in the display area AR101.

一方、図７の（ｂ）に示すように、本実施形態に係る表示パネル５０は、マトリクス状にＭＥＭＳシャッター１０Ａが配置された表示エリアＡＲ１の外側の領域であるダミーエリアＡＲ２にもＭＥＭＳシャッター１０Ｂがマトリクス状に配置されている。 On the other hand, as shown in FIG. 7B, the display panel 50 according to the present embodiment also includes the MEMS shutter 10B in the dummy area AR2 that is an area outside the display area AR1 in which the MEMS shutters 10A are arranged in a matrix. Are arranged in a matrix.

このため、図７の（ｂ）に示す矢印のように、シール材５３の注入口５３ａから表示パネル５０内にシリコンオイル５２が注入されたとしても、当該シリコンオイル５２の流れによる圧力を主に受けるのは、表示エリアＡＲ１の外側の領域であるダミーエリアＡＲ２に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ｂであり、特に、最外周のＭＥＭＳシャッター１０Ｂａである。このＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、画像の表示には寄与しないため、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ、特に、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａのシャッタービーム２３・２５が折れたとしても、ＭＥＭＳシャッターの不良によって画像の表示不良が発生することを防止することができる。 For this reason, even if silicon oil 52 is injected into the display panel 50 from the injection port 53a of the sealing material 53 as indicated by an arrow shown in FIG. 7B, the pressure due to the flow of the silicon oil 52 is mainly used. What is received is the MEMS shutter 10B disposed in the dummy area AR2, which is an area outside the display area AR1, and in particular, the outermost MEMS shutter 10Ba. Since the MEMS shutter 10B does not contribute to image display, even if the shutter beam 23, 25 of the MEMS shutter 10B, particularly the MEMS shutter 10Ba, is broken, an image display failure may occur due to the MEMS shutter failure. Can be prevented.

すなわち、表示エリアＡＲ１に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ａへのシリコンオイル５２の流れによる圧力を、表示エリアＡＲ１の周囲であるダミーエリアＡＲ２に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ｂによって吸収することができる。このため、シリコンオイル５２を表示パネル５０内に注入することに伴う表示エリアＡＲ１内のＭＥＭＳシャッター１０Ａの破損を防止することができる。 That is, the pressure due to the flow of the silicon oil 52 to the MEMS shutter 10A arranged in the display area AR1 can be absorbed by the MEMS shutter 10B arranged in the dummy area AR2 around the display area AR1. For this reason, it is possible to prevent the MEMS shutter 10A in the display area AR1 from being damaged by injecting the silicon oil 52 into the display panel 50.

また、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、表示エリアＡＲ１の各辺の延伸方向に並んで配置されている。そして、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂが並ぶ列は、表示エリアＡＲ１の各辺の延伸方向に平行に複数列配置されている。このように、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、ダミーエリアＡＲ２にマトリクス状に配置されている。このため、より確実に、シリコンオイル５２を表示パネル５０内に注入することに伴う表示エリアＡＲ１内のＭＥＭＳシャッター１０Ａの破損を防止することができる。 Further, the MEMS shutter 10B is arranged side by side in the extending direction of each side of the display area AR1. A plurality of rows of the MEMS shutters 10B are arranged in parallel to the extending direction of each side of the display area AR1. As described above, the MEMS shutter 10B is arranged in a matrix in the dummy area AR2. For this reason, it is possible to more reliably prevent the MEMS shutter 10A in the display area AR1 from being damaged when the silicon oil 52 is injected into the display panel 50.

ＭＥＭＳシャッター１０Ｂが並ぶ列が平行に並ぶ個数は、特に限定されるものではないが、一例として、１０列程度あれば、十分に、シリコンオイル５２を表示パネル５０内に注入することに伴う表示エリアＡＲ１内のＭＥＭＳシャッター１０Ａの破損を防止することができる。 The number of the rows in which the MEMS shutters 10B are arranged in parallel is not particularly limited, but as an example, if there are about 10 rows, the display area associated with injecting silicon oil 52 into the display panel 50 is sufficient. Damage to the MEMS shutter 10A in the AR1 can be prevented.

また、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを駆動するためのスイッチング素子５Ａ・５Ｂ及び保持容量６Ａ・６Ｂと接続されている。一方、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、スイッチング素子や保持容量などとは接続されていない。このように、表示エリアＡＲ１に配置されているＭＥＭＳシャッター１０Ａの形成領域を表示エリアＡＲ１外側のダミーエリアＡＲ２にまで広げるだけで、表示エリアＡＲ１に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ａを囲って、ダミーエリアＡＲ２にＭＥＭＳシャッター１０Ｂを形成することができる。このため、ＭＥＭＳシャッターではなく別の構造体を、表示エリアＡＲ１の周囲に配置する場合と比べて、容易に、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを保護する構造体であるＭＥＭＳシャッター１０Ｂを、表示エリアＡＲ１の外周に配置することができる。このため、容易に、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを保護することができる。 The MEMS shutter 10A is connected to switching elements 5A and 5B and holding capacitors 6A and 6B for driving the MEMS shutter 10A. On the other hand, the MEMS shutter 10B is not connected to a switching element or a storage capacitor. In this way, by simply extending the formation area of the MEMS shutter 10A arranged in the display area AR1 to the dummy area AR2 outside the display area AR1, the dummy area AR2 surrounds the MEMS shutter 10A arranged in the display area AR1. The MEMS shutter 10B can be formed. Therefore, the MEMS shutter 10B, which is a structure that protects the MEMS shutter 10A, can be easily placed on the outer periphery of the display area AR1 as compared to the case where another structure is arranged around the display area AR1 instead of the MEMS shutter. Can be arranged. For this reason, the MEMS shutter 10A can be easily protected.

また、表示エリアＡＲ１の外周にダミーエリアＡＲ２が配置されている。このため、表示エリアＡＲ１の最外周に位置するＭＥＭＳシャッター１０Ａは、ダミーエリアＡＲ２に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ｂと隣接して配置されている。 A dummy area AR2 is arranged on the outer periphery of the display area AR1. For this reason, the MEMS shutter 10A located on the outermost periphery of the display area AR1 is disposed adjacent to the MEMS shutter 10B disposed in the dummy area AR2.

ここで、表示エリアの外周にダミーエリアを設けない場合、表示エリアの外周を囲って、枠状の側壁が設けられることになる。この側壁部分は、露光不足によりレジストの残渣が残りやすい。 Here, when the dummy area is not provided on the outer periphery of the display area, a frame-shaped side wall is provided to surround the outer periphery of the display area. Resist residues are likely to remain on the side wall portions due to insufficient exposure.

この結果、表示エリアの外周にＭＥＭＳシャッター（ダミーエリア）を配置しない場合、表示エリアの最外周に位置するＭＥＭＳシャッターに含まれる不純物半導体（^＋アモルファスシリコンなど）と、当該ＭＥＭＳシャッターに隣接する側壁に含まれる不純物半導体（ｎ^＋アモルファスシリコンなど）とが繋がってしまい、当該ＭＥＭＳシャッターは動作不良を生じる。 As a result, when the MEMS shutter (dummy area) is not arranged on the outer periphery of the display area, the impurity semiconductor ( ⁺ amorphous silicon or the like) included in the MEMS shutter located on the outermost periphery of the display area and the side wall adjacent to the MEMS shutter. Impurity semiconductors (n ⁺ amorphous silicon, etc.) contained are connected, and the MEMS shutter malfunctions.

一方、実施形態に係る表示パネル５０は、表示エリアＡＲ１の外周にＭＥＭＳシャッター１０Ｂを配置している。すなわち、表示エリアＡＲ１と、側壁６９との間にダミーエリアＡＲ２を設けている。さらに換言すると、ＭＥＭＳシャッターの形成領域を、表示エリアＡＲ１の周囲のダミーエリアＡＲ２にまで拡大している。 On the other hand, in the display panel 50 according to the embodiment, the MEMS shutter 10B is disposed on the outer periphery of the display area AR1. That is, the dummy area AR 2 is provided between the display area AR 1 and the side wall 69. In other words, the formation area of the MEMS shutter is expanded to the dummy area AR2 around the display area AR1.

このＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、画像の表示に寄与しないため、側壁６９の不純物半導体６３と、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａの不純物半導体６３とが繋がったとしても、表示エリアＡＲ１内に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ａの動作により表示される画像に表示不良が発生することを防止することができる。 Since the MEMS shutter 10B does not contribute to image display, even if the impurity semiconductor 63 on the side wall 69 and the impurity semiconductor 63 of the MEMS shutter 10Ba are connected, the operation of the MEMS shutter 10A disposed in the display area AR1 is performed. It is possible to prevent a display defect from occurring in the displayed image.

また、素子基板４９には、ＭＥＭＳシャッター１０Ａの開口部３１と重畳するための開口部ＯＰが設けれている一方、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂの開口部ＯＰと重畳するための開口部は設けられていない。すなわち、ダミーエリアＡＲ２には、開口部ＯＰは設けられていない。 The element substrate 49 is provided with an opening OP for overlapping with the opening 31 of the MEMS shutter 10A, but is not provided with an opening for overlapping with the opening OP of the MEMS shutter 10B. That is, no opening OP is provided in the dummy area AR2.

このように、表示エリアＡＲ１に配置されているＭＥＭＳシャッター１０Ａの形成領域を表示エリアＡＲ１外側のダミーエリアＡＲ１にまで広げるだけで、表示エリアＡＲ１に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ａを囲って、ダミーエリアＡＲ２にＭＥＭＳシャッター１０Ｂを形成することができる。このため、ＭＥＭＳシャッターではなく別の構造体を、表示エリアＡＲ１の周囲に配置する場合と比べて、容易に、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを保護する構造体であるＭＥＭＳシャッター１０Ｂを、表示エリアＡＲ１の外周に配置することができる。このため、容易に、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを保護することができる。 As described above, the MEMS shutter 10A arranged in the display area AR1 is simply expanded to the dummy area AR1 outside the display area AR1, and the dummy area AR2 surrounds the MEMS shutter 10A arranged in the display area AR1. The MEMS shutter 10B can be formed. Therefore, the MEMS shutter 10B, which is a structure that protects the MEMS shutter 10A, can be easily placed on the outer periphery of the display area AR1 as compared to the case where another structure is arranged around the display area AR1 instead of the MEMS shutter. Can be arranged. For this reason, the MEMS shutter 10A can be easily protected.

（変形例）
本発明の実施形態１の変形例について説明する。素子基板４０には、ダミーエリアＡＲ２の外周を囲って枠状の側壁６９が設けられている。そして、素子基板４０には、側壁６９の外周を囲って枠状のシール材５３が設けられている。 (Modification)
A modification of the first embodiment of the present invention will be described. The element substrate 40 is provided with a frame-shaped side wall 69 surrounding the outer periphery of the dummy area AR2. The element substrate 40 is provided with a frame-shaped sealing material 53 surrounding the outer periphery of the side wall 69.

本変形例に係る素子基板４０においては、ダミーエリアＡＲ２に配置された最外周のＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと、側壁６９との距離は、互いに隣接する、ＭＥＭＳシャッター１０Ａ・１０Ａ間、ＭＥＭＳシャッター１０Ａ・１０Ｂ間、及び、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ・１０Ｂ間の距離より広い。 In the element substrate 40 according to the present modification, the distance between the outermost MEMS shutter 10Ba arranged in the dummy area AR2 and the side wall 69 is between the adjacent MEMS shutters 10A and 10A and between the MEMS shutters 10A and 10B. And wider than the distance between the MEMS shutters 10B and 10B.

このように、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと側壁６９との距離を、ＭＥＭＳシャッター間の距離よりも広げてもよい。 In this way, the distance between the MEMS shutter 10Ba and the side wall 69 may be made larger than the distance between the MEMS shutters.

これによると、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと側壁６９との距離が、ＭＥＭＳシャッター間の距離と同じ場合や狭い場合と比べて、側壁６９とＭＥＭＳシャッター１０Ｂａとが繋がってしまうことを抑制することができる。 According to this, compared with the case where the distance of MEMS shutter 10Ba and the side wall 69 is the same as the distance between MEMS shutters, or narrow, it can suppress that the side wall 69 and MEMS shutter 10Ba are connected.

なお、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと、側壁６９との距離が、互いに隣接する、ＭＥＭＳシャッター１０Ａ・１０Ａ間、ＭＥＭＳシャッター１０Ａ・１０Ｂ間、及び、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ・１０Ｂ間の距離より狭い構成であってもよい。 The distance between the MEMS shutter 10Ba and the side wall 69 may be narrower than the distance between the adjacent MEMS shutters 10A and 10A, between the MEMS shutters 10A and 10B, and between the MEMS shutters 10B and 10B. .

〔実施形態２〕
図８は、本発明の実施形態２に係る表示装置１の素子基板４０の構成を表す図である。 [Embodiment 2]
FIG. 8 is a diagram illustrating the configuration of the element substrate 40 of the display device 1 according to the second embodiment of the invention.

本実施形態２に係る素子基板４０は、実施形態１にて説明した素子基板４０よりも範囲が広いダミーエリアＡＲ２を有する。図８に示すように、実施形態２に係る素子基板４０のダミーエリアＡＲ２内に、ソースドライバ３Ｄと、ゲートドライバ３Ｇとが形成されている。換言すると、ダミーエリアＡＲ２は、ソースドライバ３Ｄの形成領域と、ゲートドライバ３Ｇの形成領域とを含む。 The element substrate 40 according to the second embodiment has a dummy area AR2 having a wider range than the element substrate 40 described in the first embodiment. As shown in FIG. 8, the source driver 3D and the gate driver 3G are formed in the dummy area AR2 of the element substrate 40 according to the second embodiment. In other words, the dummy area AR2 includes a source driver 3D formation region and a gate driver 3G formation region.

そして、素子基板４０を平面視すると、ダミーエリアＡＲ２において、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂと、ソースドライバ３Ｄとは重畳しており、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂと、ゲートドライバ３Ｇとは重畳している。ソースドライバ３Ｄは、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂの下層に配置されており、ゲートドライバ３Ｇは、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂの下層に配置されている。 When the element substrate 40 is viewed in plan, in the dummy area AR2, the MEMS shutter 10B and the source driver 3D overlap, and the MEMS shutter 10B and the gate driver 3G overlap. The source driver 3D is disposed below the MEMS shutter 10B, and the gate driver 3G is disposed below the MEMS shutter 10B.

このように、ダミーエリアＡＲ２にゲートドライバ３Ｇ、及び、ソースドライバ３Ｓを形成することで、狭額縁の表示パネルを形成することができる。 Thus, by forming the gate driver 3G and the source driver 3S in the dummy area AR2, a display panel with a narrow frame can be formed.

また、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂが、ソースドライバ３Ｄ及びゲートドライバ３Ｇと重畳する程度に、ダミーエリアＡＲ２を広げることで、より確実に、シリコンオイル５２を表示パネル５０内に注入することに伴う表示エリアＡＲ１内のＭＥＭＳシャッター１０Ａの破損を防止することができる。 Further, by expanding the dummy area AR2 so that the MEMS shutter 10B overlaps with the source driver 3D and the gate driver 3G, the inside of the display area AR1 accompanying the more reliable injection of the silicon oil 52 into the display panel 50. The MEMS shutter 10A can be prevented from being damaged.

なお、本実施形態２においても、ダミーエリアＡＲ２は、表示エリアＡＲ１より外側の領域であり、シール材５３が配置される領域よりも内側の領域である。 In the second embodiment as well, the dummy area AR2 is an area outside the display area AR1, and is an area inside the area where the sealing material 53 is disposed.

〔まとめ〕
本発明の態様１に係る表示装置１は、画像を表示する表示エリアＡＲ１を有する表示パネル５０を備えた表示装置１であって、上記表示パネル５０は、上記表示エリアＡＲ１にマトリクス状に配置され、上記画像の表示に寄与する第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）と、上記表示エリアＡＲ１の周囲を囲むダミーエリアＡＲ２に配置され、上記画像の表示に寄与しない第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）とを有する素子基板４０と、液状材料（シリコンオイル５２）を介して、上記素子基板４０と対向配置された対向基板５１とを備えていることを特徴とする。 [Summary]
The display device 1 according to the first aspect of the present invention is a display device 1 including a display panel 50 having a display area AR1 for displaying an image, and the display panel 50 is arranged in a matrix in the display area AR1. A first MEMS shutter (MEMS shutter 10A) that contributes to the display of the image, and a second MEMS shutter (MEMS shutter 10B) that is arranged in the dummy area AR2 surrounding the display area AR1 and does not contribute to the display of the image. And an opposing substrate 51 disposed to face the element substrate 40 with a liquid material (silicon oil 52) interposed therebetween.

上記構成によると、上記液状材料を、上記素子基板と上記対向基板との間に注入する際に生じる圧力によって、上記画像の表示に寄与する第１ＭＥＭＳシャッターが破損してしまうことを防止することができる。また、上記表示エリアＡＲ１の周囲のダミーエリアに配置された第２ＭＥＭＳシャッターは、上記画像の表示に寄与しないため、第２ＭＥＭＳシャッターが破損しても画像の表示不良が発生することはない。このように、上記構成によると、ＭＥＭＳシャッターが破損することに起因する画像の表示不良の発生を防止することができる。 According to the above configuration, it is possible to prevent the first MEMS shutter that contributes to the display of the image from being damaged by the pressure generated when the liquid material is injected between the element substrate and the counter substrate. it can. Further, since the second MEMS shutter disposed in the dummy area around the display area AR1 does not contribute to the display of the image, even if the second MEMS shutter is broken, an image display failure does not occur. As described above, according to the above configuration, it is possible to prevent the occurrence of image display failure due to breakage of the MEMS shutter.

本発明の態様２に係る表示装置１は、上記態様１において、上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）は、上記表示エリアＡＲ１の各辺の延伸方向に並んで配置され、上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）が並ぶ列は、上記表示エリアＡＲ１の各辺の延伸方向に平行に複数列配置されていることが好ましい。このため、より確実に、上記液状材料を上記表示パネル内に注入することに伴う表示エリア内の第１ＭＥＭＳシャッターの破損を防止することができる。 In the display device 1 according to the aspect 2 of the present invention, in the aspect 1, the second MEMS shutter (MEMS shutter 10B) is arranged side by side in the extending direction of each side of the display area AR1, and the second MEMS shutter (MEMS The rows in which the shutters 10B) are arranged are preferably arranged in a plurality of rows parallel to the extending direction of each side of the display area AR1. For this reason, it is possible to more reliably prevent the first MEMS shutter in the display area from being damaged by injecting the liquid material into the display panel.

また、本発明の態様３に係る表示装置１は、上記態様１又は２において、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）は、当該第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）を駆動するためのスイッチング素子５Ａ・５Ｂと接続されており、上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）は、スイッチング素子とは接続されていないことが好ましい。 The display device 1 according to the aspect 3 of the present invention is the aspect 1 or 2, wherein the first MEMS shutter (MEMS shutter 10A) is the switching element 5A for driving the first MEMS shutter (MEMS shutter 10A). It is preferable that the second MEMS shutter (MEMS shutter 10B) is not connected to the switching element.

このように、表示エリアに配置されている第１ＭＥＭＳシャッターの形成領域を表示エリア外側のダミーエリアにまで広げるだけで、表示エリアに配置された第１ＭＥＭＳシャッターを囲って、ダミーエリアに第２ＭＥＭＳシャッターを形成することができる。このため、ＭＥＭＳシャッターではなく別の構造体を、表示エリアの周囲に配置する場合と比べて、容易に、第１ＭＥＭＳシャッターを保護する構造体である第２ＭＥＭＳシャッターを、表示エリアの外周に配置することができる。このため、容易に、第１ＭＥＭＳシャッターを保護することができる。 As described above, the first MEMS shutter disposed in the display area is simply expanded to the dummy area outside the display area, and the second MEMS shutter is disposed in the dummy area by surrounding the first MEMS shutter disposed in the display area. Can be formed. For this reason, the second MEMS shutter, which is a structure that protects the first MEMS shutter, is easily arranged on the outer periphery of the display area as compared with the case where another structure is arranged around the display area instead of the MEMS shutter. be able to. For this reason, the first MEMS shutter can be easily protected.

また、本発明の態様４に係る表示装置１は、上記態様１〜３において、素子基板４０には、上記ダミーエリアＡＲ２の周囲を囲む枠状の側壁６９が配置されていることが好ましい。ここで、上記側壁部分は、露光不足によりレジストの残渣が残りやすい。この結果、側壁と、当該側壁と隣接するＭＥＭＳシャッターとが繋がってしまう場合がある。 In the display device 1 according to the aspect 4 of the present invention, in the above aspects 1 to 3, the element substrate 40 is preferably provided with a frame-shaped side wall 69 surrounding the dummy area AR2. Here, a resist residue tends to remain on the side wall portion due to insufficient exposure. As a result, the side wall and the MEMS shutter adjacent to the side wall may be connected.

そこで、上記構成によると、上記側壁と、上記表示エリアとの間に、上記ダミーエリアが設けられている。このダミーエリアに配置されている第２ＭＥＭＳシャッターは、画像の表示に寄与しないため、側壁の構成材料と、第２ＭＥＭＳシャッターの構成材料とが繋がったとしても、表示エリア内に配置された第１ＭＥＭＳシャッターの動作により表示される画像に表示不良が発生することを防止することができる。 Therefore, according to the above configuration, the dummy area is provided between the side wall and the display area. Since the second MEMS shutter arranged in the dummy area does not contribute to image display, even if the constituent material of the side wall and the constituent material of the second MEMS shutter are connected, the first MEMS shutter arranged in the display area. It is possible to prevent a display defect from occurring in an image displayed by the operation.

また、本発明の態様５に係る表示装置１は、上記態様４において、上記ダミーエリアＡＲ２の最外周に位置する上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ）と、上記ダミーエリアＡＲ２の周囲を囲む側壁６９との距離は、互いに隣接する、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）間の距離、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）と上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）との距離、及び、上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）間の距離より広いことが好ましい。 Further, the display device 1 according to the fifth aspect of the present invention includes the second MEMS shutter (MEMS shutter 10Ba) positioned at the outermost periphery of the dummy area AR2 and the side wall 69 surrounding the dummy area AR2 in the fourth aspect. The distance between the first MEMS shutter (MEMS shutter 10A) adjacent to each other, the distance between the first MEMS shutter (MEMS shutter 10A) and the second MEMS shutter (MEMS shutter 10B), and the second MEMS It is preferably wider than the distance between the shutters (MEMS shutter 10B).

上記構成によると、上記第２ＭＥＭＳシャッターと上記側壁との距離が、互いに隣接する、上記第１ＭＥＭＳシャッター間の距離、上記第１ＭＥＭＳシャッターと上記第２ＭＥＭＳシャッターとの距離、及び、上記第２ＭＥＭＳシャッター間の距離と同じ場合や狭い場合と比べて、上記第２ＭＥＭＳシャッターと上記側壁とが繋がってしまうことを抑制することができる。 According to the above configuration, the distance between the second MEMS shutter and the sidewall is adjacent to each other, the distance between the first MEMS shutters, the distance between the first MEMS shutter and the second MEMS shutter, and the distance between the second MEMS shutters. Compared with the case where the distance is the same or narrow, it is possible to prevent the second MEMS shutter and the side wall from being connected.

また、本発明の態様６に係る表示装置１は、上記態様１〜５において、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）及び上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）は開口部３１を有し、上記素子基板４９には、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）の上記開口部３１と重畳するための開口部ＯＰが設けれており、上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）の上記開口部ＯＰと重畳するための開口部は設けられていないことが好ましい。 The display device 1 according to the sixth aspect of the present invention is the first to fifth shutters (MEMS shutter 10A) and the second MEMS shutter (MEMS shutter 10B) according to the first to fifth aspects. The substrate 49 is provided with an opening OP for overlapping with the opening 31 of the first MEMS shutter (MEMS shutter 10A), and overlaps with the opening OP of the second MEMS shutter (MEMS shutter 10B). It is preferable that no opening is provided.

このように、表示エリアに配置されている第１ＭＥＭＳシャッターの形成領域を表示エリア外側のダミーエリアにまで広げるだけで、表示エリアに配置された第１ＭＥＭＳシャッターを囲って、ダミーエリアに第２ＭＥＭＳシャッターを形成することができる。このため、容易に、第１ＭＥＭＳシャッターを保護することができる。 As described above, the first MEMS shutter disposed in the display area is simply expanded to the dummy area outside the display area, and the second MEMS shutter is disposed in the dummy area by surrounding the first MEMS shutter disposed in the display area. Can be formed. For this reason, the first MEMS shutter can be easily protected.

また、本発明の態様７に係る表示装置１は、上記態様１〜６において、上記素子基板４９は、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）を駆動させるためのゲートドライバ３Ｇを有し、上記ゲートドライバ３Ｇは、上記ダミーエリアＡＲ２内に配置されていることが好ましい。 Moreover, the display device 1 according to the seventh aspect of the present invention is the above-described first to sixth aspects, wherein the element substrate 49 includes a gate driver 3G for driving the first MEMS shutter (MEMS shutter 10A), and the gate The driver 3G is preferably disposed in the dummy area AR2.

上記構成によると、上記ゲートドライバは、上記ダミーエリア内に配置されるため、狭額縁の表示パネルを形成することができる。 According to the above configuration, since the gate driver is arranged in the dummy area, a display panel with a narrow frame can be formed.

また、ゲートドライバを含む程度にダミーエリアを広げることで、より確実に、シリコンオイルを表示パネル内に注入することに伴う表示エリア内の第１ＭＥＭＳシャッターの破損を防止することができる。 Further, by expanding the dummy area to include the gate driver, it is possible to more reliably prevent the first MEMS shutter in the display area from being damaged by injecting silicon oil into the display panel.

また、本発明の態様８に係る表示装置１は、上記態様１〜７において、上記素子基板４９は、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）を駆動させるためのソースドライバ３Ｄを有し、上記ソースドライバ３Ｄは、上記ダミーエリアＡＲ２内に配置されていることが好ましい。 The display device 1 according to the eighth aspect of the present invention is the first to seventh aspects, wherein the element substrate 49 includes a source driver 3D for driving the first MEMS shutter (MEMS shutter 10A). The driver 3D is preferably disposed in the dummy area AR2.

上記構成によると、上記ソースドライバは、上記ダミーエリア内に配置されるため、狭額縁の表示パネルを形成することができる。 According to the above configuration, since the source driver is disposed in the dummy area, a display panel with a narrow frame can be formed.

また、ソースドライバを含む程度にダミーエリアを広げることで、より確実に、シリコンオイルを表示パネル内に注入することに伴う表示エリア内の第１ＭＥＭＳシャッターの破損を防止することができる。 In addition, by expanding the dummy area to the extent that includes the source driver, it is possible to more reliably prevent the first MEMS shutter in the display area from being damaged by injecting silicon oil into the display panel.

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, a new technical feature can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.

１表示装置
３Ｄソースドライバ
３Ｇゲートドライバ
５Ａ・５Ｂスイッチング素子
６Ａ・６Ｂ保持容量
７画素
９バックライト
１０ＡＭＥＭＳシャッター（第１ＭＥＭＳシャッター）
１０ＢＭＥＭＳシャッター（第２ＭＥＭＳシャッター）
１１第１電極
１２・１５駆動ビームアンカー
１３・１６駆動ビーム
１４第２電極
２１シャッター構造
２２シャッター体
２３・２５シャッタービーム
２４・２６シャッタービームアンカー
３１開口部
３２・３３凸部
４０、４９素子基板
４１基板
４２遮光部
４４第１絶縁層
４５第１配線
４６第２絶縁層
４７有機絶縁膜
４８第２配線
５０表示パネル
５１対向基板
５２シリコンオイル（液状材料）
５３シール材
５３ａ注入口
６１第１レジスト層
６２第２レジスト層
６３不純物半導体
６４金属膜
６５保護膜
６６第３レジスト層
６８保護層
６９側壁
ＡＲ１表示エリア
ＡＲ２ダミーエリア
Ｄ１、Ｄ２データ線
Ｇ１、Ｇ２ゲート線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Display apparatus 3D Source driver 3G Gate driver 5A * 5B Switching element 6A * 6B Holding capacity 7 Pixel 9 Backlight 10A MEMS shutter (1st MEMS shutter)
10B MEMS shutter (second MEMS shutter)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 1st electrode 12 * 15 Drive beam anchor 13 * 16 Drive beam 14 2nd electrode 21 Shutter structure 22 Shutter body 23 * 25 Shutter beam 24 * 26 Shutter beam anchor 31 Opening part 32 * 33 Projection part 40, 49 Element substrate 41 Substrate 42 Light-shielding portion 44 First insulating layer 45 First wiring 46 Second insulating layer 47 Organic insulating film 48 Second wiring 50 Display panel 51 Counter substrate 52 Silicon oil (liquid material)
53 Sealant 53a Inlet 61 First resist layer 62 Second resist layer 63 Impurity semiconductor 64 Metal film 65 Protective film 66 Third resist layer 68 Protective layer 69 Side wall AR1 Display area AR2 Dummy areas D1, D2 Data lines G1, G2 Gate line

Claims

A display device including a display panel having a display area for displaying an image,
The display panel
An element substrate having a first MEMS shutter arranged in a matrix in the display area and contributing to display of the image, and a second MEMS shutter arranged in a dummy area surrounding the display area and not contributing to display of the image When,
A display device, comprising: a counter substrate disposed opposite to the element substrate via a liquid material.

The second MEMS shutter is arranged side by side in the extending direction of each side of the display area,
The display device according to claim 1, wherein a plurality of rows in which the second MEMS shutters are arranged are arranged in parallel to the extending direction of each side of the display area.

The first MEMS shutter is connected to a switching element for driving the first MEMS shutter,
The display device according to claim 1, wherein the second MEMS shutter is not connected to a switching element.

The display device according to claim 1, wherein a frame-like side wall surrounding the dummy area is disposed on the element substrate.

The distance between the second MEMS shutter located on the outermost periphery of the dummy area and the side wall surrounding the dummy area is the distance between the first MEMS shutters adjacent to each other, the first MEMS shutter and the second MEMS shutter. And the distance between the second MEMS shutters is larger than the distance between the second MEMS shutter and the display device.

The first MEMS shutter and the second MEMS shutter have an opening,
The element substrate is provided with an opening for overlapping with the opening of the first MEMS shutter, and is not provided with an opening for overlapping with the opening of the second MEMS shutter. The display device according to any one of claims 1 to 5.

The element substrate has a gate driver for driving the first MEMS shutter,
The display device according to claim 1, wherein the gate driver is disposed in the dummy area.

The element substrate has a source driver for driving the first MEMS shutter,
The display device according to claim 1, wherein the source driver is disposed in the dummy area.