JP2017162718A - Manufacturing method of organic el element - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an organic EL element, capable of improving productivity.SOLUTION: A manufacturing method of an organic EL element, comprises: organic EL element formation step S10 of forming an organic EL element by laminating a substrate side electrode, an organic EL part, and an opposite electrode onto a front surface of the substrate in this order; leak inspection step S12 of acquiring a leak current value of the organic EL element; and determination step S14 of comparing the leak current value and a standard value, and determining quality of the organic EL element. The standard value is the leak current value for one predetermined defect source acquired by dividing the leak current value acquired by the leak inspection of the organic EL element for the standard value by a lighting failure source number appeared as a lighting failure defect in a lighting state of the organic EL element for the standard value selected on the basis of a result of a lighting test of the organic EL element for the standard value of at least one defect source in the organic EL element for the standard value formed for calculating the standard value.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、有機EL素子の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL element.

有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)素子の製造方法では、通常、有機EL素子を形成した後に、形成された有機EL素子の良否を判定する工程を含む。このような判定工程を含む製造方法の例として、特許文献1に記載の技術が知られている。この特許文献1に記載の技術では、有機EL素子の耐久性試験により、不良となった有機EL素子に逆バイアス電圧を印加して得られるリーク電流値を判定のための規格値に使用している。具体的には、有機EL素子形成後にストレス印加工程、リーク検査工程の順番で実施し、規格値とリーク検査工程によって得られたリーク電流値とを比較して有機EL素子の良否の判定を行っている。   In the manufacturing method of an organic electroluminescence (organic EL) element, usually, after forming the organic EL element, a step of determining the quality of the formed organic EL element is included. As an example of a manufacturing method including such a determination step, a technique described in Patent Document 1 is known. In the technique described in Patent Document 1, a leak current value obtained by applying a reverse bias voltage to a defective organic EL element is used as a standard value for determination in a durability test of the organic EL element. Yes. Specifically, after the organic EL element is formed, the stress application process and the leak inspection process are performed in this order, and the quality of the organic EL element is determined by comparing the standard value with the leak current value obtained by the leak inspection process. ing.

特開2005−310659号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2005-310659

特許文献1に記載の製造方法では、ストレス印加工程において、耐久性試験と同等の負荷を加える必要性から長時間の時間を要するので、有機EL素子の生産性が低下する。   In the manufacturing method described in Patent Document 1, since a long time is required in the stress application step because it is necessary to apply a load equivalent to the durability test, the productivity of the organic EL element is lowered.

そこで、本発明は、生産性の向上を図り得る有機EL素子の製造方法を提供することを目的とする。   Then, an object of this invention is to provide the manufacturing method of the organic EL element which can aim at the improvement of productivity.

本発明の一側面に係る有機EL素子の製造方法は、第1の基板の表面上に、第1の基板側電極、第1の発光層を含む第1の有機EL部及び第1の対向電極を順に積層することによって、有機EL素子を形成する有機EL素子形成工程と、上記有機EL素子に対してリーク検査を実施し、上記有機EL素子のリーク電流値を取得するリーク検査工程と、上記リーク電流値と規格値とを比較して、上記有機EL素子の良否を判定する判定工程と、を備え、上記規格値は、規格値算出用に形成される規格値用有機EL素子内の少なくとも一つの欠陥源のうち、上記規格値用有機EL素子の点灯試験の結果に基づいて選択される上記規格値用有機EL素子の点灯状態で点灯不良欠陥として現れる点灯不良源の個数で、上記規格値用有機EL素子のリーク検査で取得されるリーク電流値を除算することによって得られた一つの上記点灯不良源に対するリーク電流値である。   The organic EL device manufacturing method according to one aspect of the present invention includes a first substrate-side electrode, a first organic EL unit including a first light-emitting layer, and a first counter electrode on a surface of a first substrate. Are sequentially stacked, an organic EL element forming step for forming an organic EL element, a leak inspection step for performing a leak inspection on the organic EL element, and acquiring a leak current value of the organic EL element, and A determination step of comparing the leak current value with a standard value to determine the quality of the organic EL element, wherein the standard value is at least in a standard value organic EL element formed for standard value calculation. Among the one defect source, the number of defective lighting sources that appear as defective lighting in the lighting state of the standard value organic EL element selected based on the result of the lighting test of the standard value organic EL element is the standard. Of organic EL elements for value A leakage current value for one of the lighting failure sources obtained by dividing the leakage current values obtained in the inspection.

上記製造方法では、形成された有機EL素子の良否を、有機EL素子のリーク電流値と上記規格値とを比較することによって判定している。有機EL素子のリーク検査に要する時間は、僅かな時間(例えば1秒又は2秒)であり、上記規格値は、規格値算出用に形成される規格値用有機EL素子が有する、一つの上記点灯不良源に対するリーク電流値であることから、上記製造方法では、点灯不良欠陥が抑制された良品としての有機EL素子の生産性を向上できる。   In the manufacturing method, the quality of the formed organic EL element is determined by comparing the leak current value of the organic EL element with the standard value. The time required for the leak inspection of the organic EL element is a short time (for example, 1 second or 2 seconds), and the standard value has one standard value organic EL element formed for standard value calculation. Since it is a leak current value with respect to the lighting failure source, the above manufacturing method can improve the productivity of the organic EL element as a non-defective product in which the lighting failure defect is suppressed.

一実施形態に係る有機EL素子の製造方法は、上記判定工程の前に上記規格値を取得する規格値取得工程を更に備え、上記規格値取得工程は、第2の基板の表面上に、第2の基板側電極、第2の発光層を含む第2の有機EL部及び第2の対向電極を順に積層することによって、上記規格値用有機EL素子を形成する規格値用素子形成工程であって、上記欠陥源の情報を光学的検査によって取得する光学的検査工程を含む、上記規格値用素子形成工程と、上記規格値用有機EL素子にリーク検査を実施して、上記規格値用有機EL素子のリーク電流値を取得する規格値用リーク検査工程と、上記規格値用有機EL素子に点灯試験を実施する点灯試験工程と、上記光学的検査工程で取得された上記欠陥源の情報と上記点灯試験の結果とに基づいて、上記少なくとも一つの欠陥源から選択される上記点灯不良源の個数で、上記規格値用リーク検査工程において取得された上記リーク電流値を除算することによって、上記規格値を算出する工程と、を有してもよい。   The method for manufacturing an organic EL element according to an embodiment further includes a standard value acquisition step of acquiring the standard value before the determination step, and the standard value acquisition step is performed on the surface of the second substrate. The standard value element forming step of forming the standard value organic EL element by sequentially laminating the second substrate side electrode, the second organic EL portion including the second light emitting layer, and the second counter electrode. The standard value element forming step including the optical inspection step of acquiring information on the defect source by optical inspection, and the standard value organic EL element are subjected to a leak test, and the standard value organic A standard value leakage inspection process for acquiring a leakage current value of the EL element, a lighting test process for performing a lighting test on the standard value organic EL element, and information on the defect source acquired in the optical inspection process; Based on the above lighting test results Calculating the standard value by dividing the leakage current value acquired in the standard value leakage inspection step by the number of the lighting failure sources selected from the at least one defect source. May be.

有機EL素子には点灯不良とならない欠陥源も含まれるが、上記方法では、光学的検査で得られた少なくとも一つの欠陥源の情報と、点灯試験の結果とに基づいて、規格値用有機EL素子に含まれる欠陥源のうちから点灯不良源を選択するので、一つの点灯不良源に対するリーク電流値を確実に算出できる。   The organic EL element includes a defect source that does not cause lighting failure. However, in the above method, based on the information of at least one defect source obtained by optical inspection and the result of the lighting test, the organic EL for standard value is used. Since the lighting failure source is selected from the defect sources included in the element, the leakage current value for one lighting failure source can be calculated reliably.

上記規格値用素子形成工程において、上記光学的検査工程は、上記第2の基板側電極の形成前の上記第2の基板に対して実施する又は上記第2の基板側電極が形成された上記第2の基板に対して実施してもよい。   In the standard value element forming step, the optical inspection step is performed on the second substrate before the second substrate side electrode is formed, or the second substrate side electrode is formed. You may implement with respect to a 2nd board | substrate.

点灯不良源は、基板自体或いは電極を有する基板に固着した微粒子などの微小異物であり得る。上記のように、上記第2の基板側電極の形成前の上記第2の基板に対して実施する又は上記第2の基板側電極が形成された上記第2の基板に対して実施することによって、点灯不良源を含む欠陥源の情報を取得可能である。   The lighting failure source may be a minute foreign matter such as a fine particle fixed to the substrate itself or the substrate having the electrode. As described above, by carrying out on the second substrate before the formation of the second substrate side electrode or on the second substrate on which the second substrate side electrode is formed. It is possible to acquire information on defect sources including defective lighting sources.

上記欠陥源は、異物であり、上記欠陥源の情報は、上記異物の位置及び形状を含んでもよい。点灯不良源は、基板自体或いは電極を有する基板に固着した微粒子などの微小異物であり得る。よって、光学的検査において異物を欠陥源とみなし、その位置及び形状を情報として、光学的検査で取得することで、得られた欠陥源から点灯不良源を選択可能である。   The defect source is a foreign matter, and the information on the defect source may include the position and shape of the foreign matter. The lighting failure source may be a minute foreign matter such as a fine particle fixed to the substrate itself or the substrate having the electrode. Therefore, it is possible to select a defective lighting source from the obtained defect sources by regarding the foreign matter as a defect source in the optical inspection and acquiring the position and shape as information by the optical inspection.

上記光学的検査の一例は、自動光学検査であり得る。   An example of the optical inspection may be an automatic optical inspection.

上記規格値用リーク検査工程では、上記規格値用有機EL素子に逆バイアス電圧を印加して、上記規格値用有機EL素子の上記リーク電流値を取得しもよい。この場合、逆バイアス電圧は、上記規格値用有機EL素子の発光に寄与しないため、リーク電流値をより正確に取得できる。   In the standard value leak inspection step, a reverse bias voltage may be applied to the standard value organic EL element to obtain the leak current value of the standard value organic EL element. In this case, since the reverse bias voltage does not contribute to the light emission of the standard value organic EL element, the leak current value can be obtained more accurately.

上記リーク検査工程では、上記有機EL素子に逆バイアス電圧を印加して、上記有機EL素子の上記リーク電流値を取得してもよい。この場合、逆バイアス電圧は、上記有機EL素子の発光に寄与しないため、リーク電流値をより正確に取得できる。   In the leak inspection step, a reverse bias voltage may be applied to the organic EL element to obtain the leak current value of the organic EL element. In this case, since the reverse bias voltage does not contribute to the light emission of the organic EL element, the leak current value can be obtained more accurately.

上記点灯不良欠陥は、例えば所望の輝度より高い輝度を有する欠陥であり得る。   The lighting failure defect may be a defect having a luminance higher than a desired luminance, for example.

本発明によれば、生産性の向上を図り得る有機EL素子の製造方法を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the organic EL element which can aim at the improvement of productivity can be provided.

図1は、一実施形態に係る有機EL素子の製造方法で製造される有機EL素子の構成を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an organic EL element manufactured by a method for manufacturing an organic EL element according to an embodiment. 図2は、一実施形態に係る有機EL素子の製造方法のフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart of a method for manufacturing an organic EL element according to an embodiment. 図3は、規格値用有機EL素子である規格値用素子の構成を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration of a standard value element, which is a standard value organic EL element. 図4は、規格値取得工程の一例のフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart of an example of the standard value acquisition process. 図5は、光学的検査工程を説明するための図面である。FIG. 5 is a diagram for explaining an optical inspection process.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。同一の要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The same reference numerals are assigned to the same elements, and duplicate descriptions are omitted. The dimensional ratios in the drawings do not necessarily match those described.

図1に模式的に示すように、一実施形態に係る有機EL素子の製造方法で製造される有機EL素子10は、例えば照明に使用される有機EL照明パネルである。有機EL素子10は、基板(第1の基板)12と、陽極(第1の基板側電極)14と、有機EL部(第1の有機EL部)16と、陰極(第1の対向電極)18と、を備える。有機EL素子10は、陽極14側から光を出射する形態、或いは、陰極18側から光を出射する形態を取り得る。以下では、断らない限り、陽極14側から光を出射する形態について説明する。   As schematically shown in FIG. 1, an organic EL element 10 manufactured by a method for manufacturing an organic EL element according to an embodiment is an organic EL lighting panel used for illumination, for example. The organic EL element 10 includes a substrate (first substrate) 12, an anode (first substrate side electrode) 14, an organic EL unit (first organic EL unit) 16, and a cathode (first counter electrode). 18. The organic EL element 10 can take a form in which light is emitted from the anode 14 side or a form in which light is emitted from the cathode 18 side. Below, unless otherwise indicated, the form which radiate | emits light from the anode 14 side is demonstrated.

[基板]
基板12は、可視光(波長400nm〜800nmの光)に対して透光性を有する。基板12は、フィルム状の基板12であり得る。基板12の厚さは、例えば、30μm以上700μm以下である。
[substrate]
The board | substrate 12 has translucency with respect to visible light (light with a wavelength of 400 nm-800 nm). The substrate 12 may be a film-like substrate 12. The thickness of the substrate 12 is, for example, 30 μm or more and 700 μm or less.

基板12は、ガラス基板、シリコン基板などのリジット基板であってもよいし、又は、プラスチック基板及び高分子フィルムなどの可撓性基板であってもよい。基板12には、有機EL素子10を駆動するための駆動回路(例えば、薄膜トランジスタなどを含む回路)が形成されていてもよい。このような駆動回路は、通常、透明材料から構成される。   The substrate 12 may be a rigid substrate such as a glass substrate or a silicon substrate, or may be a flexible substrate such as a plastic substrate and a polymer film. A drive circuit (for example, a circuit including a thin film transistor) for driving the organic EL element 10 may be formed on the substrate 12. Such a drive circuit is usually made of a transparent material.

基板12の表面12a上には、バリア膜が形成されていてもよい。バリア膜は、例えば、ケイ素、酸素及び炭素からなる膜、又は、ケイ素、酸素、炭素及び窒素からなる膜であり得る。具体的には、バリア膜の材料の例は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等である。バリア膜の厚さの例は、100nm以上10μm以下である。   A barrier film may be formed on the surface 12 a of the substrate 12. The barrier film can be, for example, a film made of silicon, oxygen, and carbon, or a film made of silicon, oxygen, carbon, and nitrogen. Specifically, examples of the material of the barrier film are silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and the like. An example of the thickness of the barrier film is 100 nm or more and 10 μm or less.

[陽極]
陽極14は、基板12の表面12a上に設けられている。陽極14には、光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。陽極14は、導電体(例えば金属)からなるネットワーク構造を有してもよい。
[anode]
The anode 14 is provided on the surface 12 a of the substrate 12. For the anode 14, an electrode having optical transparency is used. As the electrode exhibiting light transmittance, a thin film of metal oxide, metal sulfide, metal or the like having high electrical conductivity can be used, and a thin film having high light transmittance is preferably used. The anode 14 may have a network structure made of a conductor (for example, metal).

陽極14の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極14の厚さは、通常、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。本明細書において、陽極14が設けられた基板12を電極付き基板20と称する場合もある。   The thickness of the anode 14 can be determined in consideration of light transmittance, electrical conductivity, and the like. The thickness of the anode 14 is usually 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm. In the present specification, the substrate 12 provided with the anode 14 may be referred to as an electrode-equipped substrate 20.

[有機EL部]
有機EL部16は、陽極14上に設けられている。有機EL部16は、陽極14及び陰極18に印加された電圧に応じて、キャリアの移動及びキャリアの再結合などの有機EL素子10の発光に寄与する機能部である。
[Organic EL part]
The organic EL unit 16 is provided on the anode 14. The organic EL unit 16 is a functional unit that contributes to light emission of the organic EL element 10 such as carrier movement and carrier recombination according to the voltage applied to the anode 14 and the cathode 18.

有機EL部16は、正孔注入層161、正孔輸送層162、発光層(第1の発光層)163及び電子注入層164を含み、それらは、陽極14側から順に積層された機能層である。有機EL部16は、発光層163を含んでいれば、例示したものに限定されない。   The organic EL unit 16 includes a hole injection layer 161, a hole transport layer 162, a light emitting layer (first light emitting layer) 163, and an electron injection layer 164, which are functional layers stacked in order from the anode 14 side. is there. The organic EL unit 16 is not limited to the exemplified one as long as it includes the light emitting layer 163.

正孔注入層161は、陽極14上に設けられており、陽極14から発光層163への正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔注入層161の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定される。正孔注入層161の厚さは、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The hole injection layer 161 is provided on the anode 14 and has a function of improving the hole injection efficiency from the anode 14 to the light emitting layer 163. The thickness of the hole injection layer 161 has an optimum value depending on the material used, and is appropriately set so that the driving voltage and the light emission efficiency become appropriate values. The thickness of the hole injection layer 161 is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

正孔輸送層162は、正孔注入層161上に設けられており、陽極14、正孔注入層161又は陽極14により近い正孔輸送層162から発光層163への正孔注入を改善する機能を有する層である。正孔輸送層162の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定される。正孔輸送層162の厚さは、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The hole transport layer 162 is provided on the hole injection layer 161, and has a function of improving hole injection from the anode 14, the hole injection layer 161, or the hole transport layer 162 closer to the anode 14 to the light emitting layer 163. It is a layer which has. The thickness of the hole transport layer 162 differs depending on the material used, and is appropriately set so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate values. The thickness of the hole transport layer 162 is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

発光層163は、正孔輸送層162上に設けられており、正孔輸送層162上に設けられる。発光層163は、所定の波長の光を発光する機能を有する有機層である。発光層163の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定される。   The light emitting layer 163 is provided on the hole transport layer 162 and is provided on the hole transport layer 162. The light emitting layer 163 is an organic layer having a function of emitting light of a predetermined wavelength. The thickness of the light emitting layer 163 has an optimum value depending on the material used, and is appropriately set so that the driving voltage and the light emission efficiency are appropriate values.

電子注入層164は、発光層163上に設けられており、陰極18から発光層163への電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子注入層164の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定される。電子注入層164の厚さは、例えば1nm〜1μmである。   The electron injection layer 164 is provided on the light emitting layer 163 and has a function of improving the electron injection efficiency from the cathode 18 to the light emitting layer 163. The thickness of the electron injection layer 164 varies depending on the material used, and is appropriately set so that the driving voltage and the light emission efficiency are appropriate. The thickness of the electron injection layer 164 is, for example, 1 nm to 1 μm.

[陰極]
陰極18は、有機EL部16上に設けられている。陰極18の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。陰極18の厚さは、通常、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。
[cathode]
The cathode 18 is provided on the organic EL unit 16. The thickness of the cathode 18 varies depending on the material used, and is set in consideration of electrical conductivity, durability, and the like. The thickness of the cathode 18 is usually 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

次に、一実施形態に係る有機EL素子10の製造方法について、図2に示した有機EL素子の製造方法のフローチャートを参照して説明する。有機EL素子10の製造方法は、有機EL素子形成工程S10と、リーク検査工程S12と、判定工程S14と、を備える。   Next, a method for manufacturing the organic EL element 10 according to an embodiment will be described with reference to the flowchart of the method for manufacturing the organic EL element shown in FIG. The manufacturing method of the organic EL element 10 includes an organic EL element formation step S10, a leak inspection step S12, and a determination step S14.

[有機EL素子形成工程]
有機EL素子形成工程S10では、基板12上に、陽極14、有機EL部16及び陰極18を順に積層することによって有機EL素子10を形成する。よって、有機EL素子形成工程S10は、陽極形成工程S10A、有機EL部形成工程S10B、及び陰極形成工程S10Cを有する。
[Organic EL element formation process]
In organic EL element formation process S10, the organic EL element 10 is formed by laminating | stacking the anode 14, the organic EL part 16, and the cathode 18 in order on the board | substrate 12. FIG. Therefore, organic EL element formation process S10 has anode formation process S10A, organic EL part formation process S10B, and cathode formation process S10C.

<陽極形成工程>
陽極形成工程S10Aでは、表面12a上に陽極14を形成する。陽極14を形成する前に、基板12の表面12aは純水、有機極性溶剤等で洗浄してもよい。
<Anode formation process>
In the anode forming step S10A, the anode 14 is formed on the surface 12a. Before forming the anode 14, the surface 12a of the substrate 12 may be washed with pure water, an organic polar solvent, or the like.

陽極14の材料としては、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、銅等が挙げられ、これらの中でもITO、IZO、又は酸化スズが好ましい。陽極14は、例示した材料からなる薄膜として形成され得る。陽極14の材料には、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物を用いてもよい。この場合、陽極14は、透明導電膜として形成され得る。前述したように、陽極14は、導電体(例えば金属)からなるネットワーク構造を有してもよい。陽極14は、有機EL素子10の製造において公知の方法で形成され得る。陽極14の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等が挙げられる。   Examples of the material of the anode 14 include indium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium tin oxide (abbreviated as ITO), indium zinc oxide (abbreviated as IZO), gold, platinum, silver, and copper. Among these, ITO, IZO, or tin oxide is preferable. The anode 14 can be formed as a thin film made of the exemplified materials. As the material of the anode 14, organic substances such as polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof may be used. In this case, the anode 14 can be formed as a transparent conductive film. As described above, the anode 14 may have a network structure made of a conductor (for example, metal). The anode 14 can be formed by a known method in the manufacture of the organic EL element 10. Examples of the method for forming the anode 14 include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and a coating method.

塗布法としては、例えばインクジェット印刷法が挙げられるが、陽極14を形成可能な塗布法であれば、他の公知の塗布法でもよい。インクジェット印刷法以外の公知の塗布法としては、例えばマイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法及びノズルプリント法等が挙げられる。   As the coating method, for example, an ink jet printing method can be mentioned, but other known coating methods may be used as long as the coating method can form the anode 14. Known coating methods other than the inkjet printing method include, for example, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, and an offset printing method. And a nozzle printing method.

陽極14の材料を含む塗布液の溶媒は、陽極14の材料を溶解できる溶媒であればよい。溶媒としては、例えばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩化物溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒等が挙げられる。   The solvent of the coating solution containing the material of the anode 14 may be any solvent that can dissolve the material of the anode 14. Examples of the solvent include chloride solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cell. Examples include ester solvents such as sorb acetate.

<有機EL部形成工程>
有機EL部形成工程S10Bでは、陽極14上に、正孔注入層161、正孔輸送層162、発光層163及び電子注入層164を順に形成する。有機EL部16を構成する各層は、例えば塗布法により形成され得る。具体的には、正孔注入層161、正孔輸送層162、発光層163及び電子注入層164のそれぞれは、各層の材料を含む塗布液を、形成すべき層に対する下地層上に塗布し、乾燥・固化することで形成され得る。上記下地層は、例えば正孔注入層161に対しては陽極14であり、正孔輸送層162に対しては正孔輸送層162である。塗布法の例は、陽極形成工程S10Aで例示した塗布法と同様であり得る。
<Organic EL part formation process>
In the organic EL part forming step S <b> 10 </ b> B, the hole injection layer 161, the hole transport layer 162, the light emitting layer 163, and the electron injection layer 164 are sequentially formed on the anode 14. Each layer constituting the organic EL portion 16 can be formed by, for example, a coating method. Specifically, each of the hole injection layer 161, the hole transport layer 162, the light emitting layer 163, and the electron injection layer 164 is applied with a coating liquid containing the material of each layer on the base layer for the layer to be formed, It can be formed by drying and solidifying. The underlayer is, for example, the anode 14 for the hole injection layer 161 and the hole transport layer 162 for the hole transport layer 162. The example of the apply | coating method may be the same as the apply | coating method illustrated by anode formation process S10A.

正孔注入層161、正孔輸送層162、発光層163及び電子注入層164を形成するための塗布液の溶媒は、形成すべき層の材料を溶解する溶媒であればよい。溶媒の例は、陽極形成工程S10Aで例示した溶媒と同様であり得る。   The solvent of the coating solution for forming the hole injection layer 161, the hole transport layer 162, the light emitting layer 163, and the electron injection layer 164 may be any solvent that dissolves the material of the layer to be formed. The example of a solvent may be the same as the solvent illustrated by anode formation process S10A.

正孔注入層161の材料には、公知の正孔注入材料が用いられ得る。正孔注入材料としては、例えば酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、及び、酸化アルミニウム等の酸化物、フェニルアミン化合物、スターバースト型アミン化合物、フタロシアニン化合物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、及び、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体を挙げることができる。   As the material of the hole injection layer 161, a known hole injection material can be used. Examples of the hole injection material include oxides such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, phenylamine compounds, starburst amine compounds, phthalocyanine compounds, amorphous carbon, polyaniline, and polyethylenedioxythiophene. And polythiophene derivatives such as (PEDOT).

正孔輸送層162の材料には、公知の正孔輸送材料が用いられ得る。正孔輸送層162の材料としては、例えばポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン若しくはその誘導体、ピラゾリン若しくはその誘導体、アリールアミン若しくはその誘導体、スチルベン若しくはその誘導体、トリフェニルジアミン若しくはその誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体等が挙げられる。正孔輸送層162の材料としては、例えば特開2012−144722号公報に開示されている正孔輸層材料も挙げられる。   As the material of the hole transport layer 162, a known hole transport material can be used. Examples of the material for the hole transport layer 162 include polyvinyl carbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polysiloxane or derivatives thereof having an aromatic amine in the side chain or main chain, pyrazoline or derivatives thereof, arylamine or derivatives thereof, Stilbene or derivatives thereof, triphenyldiamine or derivatives thereof, polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, polyarylamine or derivatives thereof, polypyrrole or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2, 5-thienylene vinylene) or a derivative thereof. Examples of the material of the hole transport layer 162 include a hole transport layer material disclosed in JP 2012-144722 A, for example.

発光層163は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機物、或いは、該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。発光層163に含まれる有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。発光層163を構成する発光材料としては、下記の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料等が挙げられる。   The light emitting layer 163 is generally formed of an organic substance that mainly emits fluorescence and / or phosphorescence, or an organic substance and a dopant that assists the organic substance. The dopant is added, for example, in order to improve the luminous efficiency and change the emission wavelength. The organic substance contained in the light emitting layer 163 may be a low molecular compound or a high molecular compound. Examples of the light-emitting material constituting the light-emitting layer 163 include the following dye-based materials, metal complex-based materials, polymer-based materials, and dopant materials.

色素系材料としては、例えばシクロペンダミン若しくはその誘導体、テトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体、トリフェニルアミン若しくはその誘導体、オキサジアゾール若しくはその誘導体、ピラゾロキノリン若しくはその誘導体、ジスチリルベンゼン若しくはその誘導体、ジスチリルアリーレン若しくはその誘導体、ピロール若しくはその誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、オリゴチオフェン若しくはその誘導体、オキサジアゾールダイマー若しくはその誘導体、ピラゾリンダイマー若しくはその誘導体、キナクリドン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体等が挙げられる。   Examples of the dye-based material include cyclopentamine or a derivative thereof, tetraphenylbutadiene or a derivative thereof, triphenylamine or a derivative thereof, oxadiazole or a derivative thereof, pyrazoloquinoline or a derivative thereof, distyrylbenzene or a derivative thereof, Styrylarylene or its derivative, pyrrole or its derivative, thiophene ring compound, pyridine ring compound, perinone or its derivative, perylene or its derivative, oligothiophene or its derivative, oxadiazole dimer or its derivative, pyrazoline dimer or its derivative, Examples include quinacridone or a derivative thereof, coumarin or a derivative thereof.

金属錯体系材料としては、例えばTb、Eu、Dyなどの希土類金属、又はAl、Zn、Be、Pt、Ir等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体が挙げられる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等が挙げられる。   Examples of the metal complex material include rare earth metals such as Tb, Eu, and Dy, or Al, Zn, Be, Pt, Ir, and the like as a central metal, and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, and quinoline. Examples thereof include metal complexes having a structure or the like as a ligand. Examples of metal complexes include metal complexes having light emission from triplet excited states such as iridium complexes and platinum complexes, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc complexes, benzothiazole zinc complexes, azomethyl zinc complexes, A porphyrin zinc complex, a phenanthroline europium complex, etc. are mentioned.

高分子系材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリパラフェニレン若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、ポリアセチレン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、上記色素材料及び金属錯体材料の少なくとも一方を高分子化した材料等が挙げられる。   Examples of the polymer material include polyparaphenylene vinylene or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, polyparaphenylene or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polyacetylene or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, polyvinylcarbazole or derivatives thereof, Examples include materials obtained by polymerizing at least one of the dye material and the metal complex material.

ドーパント材料としては、例えばペリレン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体、ルブレン若しくはその誘導体、キナクリドン若しくはその誘導体、スクアリウム若しくはその誘導体、ポルフィリン若しくはその誘導体、スチリル色素、テトラセン若しくはその誘導体、ピラゾロン若しくはその誘導体、デカシクレン若しくはその誘導体、フェノキサゾン若しくはその誘導体等が挙げられる。   Examples of dopant materials include perylene or derivatives thereof, coumarin or derivatives thereof, rubrene or derivatives thereof, quinacridone or derivatives thereof, squalium or derivatives thereof, porphyrin or derivatives thereof, styryl dyes, tetracene or derivatives thereof, pyrazolone or derivatives thereof, decacyclene Alternatively, derivatives thereof, phenoxazone or derivatives thereof, and the like can be given.

電子注入層164の材料には、公知の電子注入材料が用いられ得る。電子注入層164の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの1種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、又はこれらの物質の混合物等が挙げられる。   As the material of the electron injection layer 164, a known electron injection material can be used. Examples of the material of the electron injection layer 164 include alkali metals, alkaline earth metals, alloys containing one or more of alkali metals and alkaline earth metals, oxides of alkali metals or alkaline earth metals, halides, carbonic acids. Examples thereof include a salt or a mixture of these substances.

アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸塩としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等が挙げられる。   Examples of the alkali metal, alkali metal oxide, halide, and carbonate include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride, and oxide. Examples include rubidium, rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, and lithium carbonate.

アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸塩としては、例えばマグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。   Examples of alkaline earth metal, alkaline earth metal oxide, halide and carbonate include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide and barium fluoride. Strontium oxide, strontium fluoride, magnesium carbonate and the like.

<陰極形成工程>
陰極形成工程S10Cでは、有機EL部16上に陰極18を形成する。陰極18の材料としては、仕事関数が小さく、発光層163への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。陽極14側から光を取り出す構成の有機EL素子10では、発光層163から放射される光を陰極18で陽極14側に反射するために、陰極18の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。
<Cathode formation process>
In the cathode forming step S <b> 10 </ b> C, the cathode 18 is formed on the organic EL unit 16. The material of the cathode 18 is preferably a material having a low work function, easy electron injection into the light emitting layer 163, and high electrical conductivity. In the organic EL element 10 configured to extract light from the anode 14 side, the light emitted from the light emitting layer 163 is reflected by the cathode 18 to the anode 14 side. Therefore, the cathode 18 is made of a material having a high visible light reflectance. preferable.

陰極18の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表の13族金属等が挙げられる。陰極18としては、導電性金属酸化物及び導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いてもよい。陰極18の形成方法は、陽極14の形成方法と同様とし得る。   Examples of the material of the cathode 18 include alkali metals, alkaline earth metals, transition metals, and Group 13 metals of the periodic table. As the cathode 18, a transparent conductive electrode made of a conductive metal oxide, a conductive organic material, or the like may be used. The formation method of the cathode 18 can be the same as the formation method of the anode 14.

[リーク検査工程]
リーク検査工程S12では、有機EL素子10にリーク検査を実施して、有機EL素子10のリーク電流値を取得する。具体的には、有機EL素子10の陽極14及び陰極18間に電圧を印加して、有機EL素子10からのリーク電流を計測する。リーク検査の際には、有機EL素子10の発光に寄与する電流との差を明確にする観点から、有機EL素子10に印加する電圧は、逆バイアス電圧であってもよい。逆バイアス電圧の例は、−5Vである。
[Leak inspection process]
In the leak inspection step S <b> 12, a leak inspection is performed on the organic EL element 10 to acquire a leak current value of the organic EL element 10. Specifically, a voltage is applied between the anode 14 and the cathode 18 of the organic EL element 10 to measure the leakage current from the organic EL element 10. In the leak inspection, the voltage applied to the organic EL element 10 may be a reverse bias voltage from the viewpoint of clarifying the difference from the current that contributes to the light emission of the organic EL element 10. An example of the reverse bias voltage is −5V.

[判定工程]
判定工程S14では、リーク検査工程S12で取得されたリーク電流値と、規格値とを比較して、有機EL素子10が良品であるか否かを判定する。リーク電流値が規格値以下である場合は、有機EL素子10を良品と判定し、リーク電流値が規格値を超えている場合は、有機EL素子10を不良品と判定する。
[Judgment process]
In the determination step S14, the leakage current value acquired in the leakage inspection step S12 is compared with the standard value to determine whether or not the organic EL element 10 is a non-defective product. When the leak current value is less than or equal to the standard value, the organic EL element 10 is determined as a non-defective product, and when the leak current value exceeds the standard value, the organic EL element 10 is determined as a defective product.

有機EL素子形成工程S10で、複数の有機EL素子10を形成している場合、この判定工程S14の結果により、複数の有機EL素子10のうちから良品の有機EL素子10が選別され得る。有機EL素子形成工程S10での形成条件を得るために、有機EL素子形成工程S10で、一つの有機EL素子10を形成している場合、この判定工程S14の結果において、有機EL素子10が良品と判定されれば、有機EL素子形成工程S10で使用した形成条件を製品用の有機EL素子の形成に使用すればよく、有機EL素子10が不良品と判定されれば、有機EL素子形成工程S10での形成条件を変更して、再度、有機EL素子形成工程S10に戻ればよい。   In the case where a plurality of organic EL elements 10 are formed in the organic EL element forming step S10, the non-defective organic EL elements 10 can be selected from the plurality of organic EL elements 10 according to the result of the determination step S14. When one organic EL element 10 is formed in the organic EL element forming step S10 in order to obtain the formation conditions in the organic EL element forming step S10, the organic EL element 10 is a non-defective product as a result of the determination step S14. If it is determined, the formation conditions used in the organic EL element forming step S10 may be used for forming an organic EL element for a product. If the organic EL element 10 is determined to be defective, the organic EL element forming step What is necessary is just to change the formation conditions in S10 and to return to organic EL element formation process S10 again.

上記規格値は、図3に示した規格値算出用に形成された規格値用有機EL素子(以下、「規格値用素子」と称す)10Aを点灯した際に点灯不良となる欠陥(点灯不良欠陥)1個に対して算出されたリーク電流値である。したがって、判定工程S14により、点灯不良欠陥が発生し難い有機EL素子10を良品として判定できる。   The standard value is a defect (lighting failure) that causes a lighting failure when the standard value organic EL element (hereinafter referred to as “standard value element”) 10A formed for standard value calculation shown in FIG. (Defect) The leak current value calculated for one defect. Therefore, by the determination step S14, the organic EL element 10 that is unlikely to cause a lighting failure defect can be determined as a good product.

本実施形態において、上記点灯不良欠陥とは、規格値用素子10A(又は有機EL素子10)を点灯させた際、入力電流(電圧)に対する所望の輝度よりも常に高い状態を保って点灯状態にある点状の欠陥(以下、「点灯不良欠陥」と称す)を意味する。点灯不良欠陥は、規格値用素子10A(又は有機EL素子10)を点灯させた際、通常、白点として現れるので、点灯不良欠陥は、白点欠陥でもある。   In the present embodiment, the above-described defective lighting defect means that when the standard value element 10A (or the organic EL element 10) is turned on, the lighting state is always kept higher than the desired luminance with respect to the input current (voltage). It means a certain point-like defect (hereinafter referred to as “lighting failure defect”). Since the lighting failure defect usually appears as a white spot when the standard value element 10A (or the organic EL element 10) is turned on, the lighting failure defect is also a white spot defect.

本実施形態において規格値用素子10Aは、図3に示したように、製造すべき有機EL素子10と同様の構成を有する。すなわち、規格値用素子10Aは、基板(第2の基板)12Aの上に、陽極(第2の基板側電極)14A、有機EL部(第2の有機EL部)16A及び陰極(第2の対向電極)18Aが積層されて構成されており、有機EL部16Aは、陽極14A側から順に、正孔注入層161A、正孔輸送層162A、発光層163A及び電子注入層164Aが積層されることによって構成されている。   In this embodiment, the standard value element 10A has the same configuration as the organic EL element 10 to be manufactured, as shown in FIG. That is, the standard value element 10A includes an anode (second substrate side electrode) 14A, an organic EL portion (second organic EL portion) 16A, and a cathode (second substrate) on a substrate (second substrate) 12A. 18A, the organic EL portion 16A includes a hole injection layer 161A, a hole transport layer 162A, a light emitting layer 163A, and an electron injection layer 164A in order from the anode 14A side. It is constituted by.

以下では、断らない限り、規格値用素子10Aが有する基板12A、陽極14A、正孔注入層161A、正孔輸送層162A、発光層(第2の発光層)163A、電子注入層164A及び陰極18Aの材料、厚さ、形状等は、有機EL素子10の対応する要素と同じである。有機EL素子10の場合と同様に、陽極14Aが形成された基板12Aを電極付き基板20Aとも称す場合がある。   Hereinafter, unless otherwise specified, the substrate 12A included in the standard value element 10A, the anode 14A, the hole injection layer 161A, the hole transport layer 162A, the light emitting layer (second light emitting layer) 163A, the electron injection layer 164A, and the cathode 18A. The material, thickness, shape, etc. are the same as the corresponding elements of the organic EL element 10. Similarly to the case of the organic EL element 10, the substrate 12A on which the anode 14A is formed may be referred to as an electrode-equipped substrate 20A.

次に、判定工程S14で使用する規格値を取得するための規格値取得工程S20について図4を参照して説明する。規格値取得工程S20は、規格値用素子形成工程S21と、リーク検査工程(規格値用リーク検査工程)S22と、点灯試験工程S23と、規格値算出工程S24と、を有する。   Next, the standard value acquisition step S20 for acquiring the standard value used in the determination step S14 will be described with reference to FIG. The standard value acquisition step S20 includes a standard value element formation step S21, a leak inspection step (standard value leak inspection step) S22, a lighting test step S23, and a standard value calculation step S24.

[規格値用素子形成工程]
規格値用素子形成工程S21は、光学的検査工程S21Aと、陽極形成工程S21Bと、有機EL部形成工程S21Cと、陰極形成工程S21Dとを有する。
[Element formation process for standard values]
The standard value element forming step S21 includes an optical inspection step S21A, an anode forming step S21B, an organic EL portion forming step S21C, and a cathode forming step S21D.

<光学的検査工程>
光学的検査工程S21Aでは、基板12Aに含まれており規格値用素子10Aにおいて欠陥となる欠陥源を光学的検査によって取得する。上記欠陥源の例は、基板12Aに付着した異物である。規格値用素子10Aを形成する際に、予め基板12Aを純水、有機極性溶剤で洗浄する場合には、基板12Aの洗浄後に、光学的検査工程S21Aを実施してもよい。
<Optical inspection process>
In the optical inspection step S21A, a defect source that is included in the substrate 12A and becomes a defect in the standard value element 10A is obtained by optical inspection. An example of the defect source is a foreign matter attached to the substrate 12A. When the standard value element 10A is formed, if the substrate 12A is previously cleaned with pure water or an organic polar solvent, the optical inspection step S21A may be performed after the substrate 12A is cleaned.

図5を参照して、光学的検査の方法について説明する。図5に示したように、基板12Aの一方の面側に配置された光源22からの照明光Lを基板12Aに照射して、光源22側と反対側に配置された撮像部24により基板12の2次元画像を取得する。撮像部24は、CCDカメラといったエリアセンサでもよいし、一次元のラインセンサでもよい。ラインセンサの場合は、ラインセンサで基板12をスキャンすることで、基板12Aの2次元画像を得る。   An optical inspection method will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 5, the substrate 12A is irradiated with illumination light L from the light source 22 disposed on one surface side of the substrate 12A, and the substrate 12 is captured by the imaging unit 24 disposed on the side opposite to the light source 22 side. A two-dimensional image is acquired. The imaging unit 24 may be an area sensor such as a CCD camera or a one-dimensional line sensor. In the case of a line sensor, the substrate 12 is scanned with the line sensor to obtain a two-dimensional image of the substrate 12A.

光学的検査工程S21Aでは、上記2次元画像により、基板12Aに付着しており有機EL素子において欠陥となるような微粒子などの異物といった欠陥源のパターン(位置、形状等を含む)を欠陥源の情報として取得する。   In the optical inspection step S21A, the defect source pattern (including position, shape, etc.) such as foreign matter such as fine particles attached to the substrate 12A and causing defects in the organic EL element is used as the defect source. Obtain as information.

光学的検査の一例は、自動光学検査(Automated optical inspection、略称AOI)である。この場合、光学的検査は、自動光学検査装置を用いて実施し得る。光学的検査は、AOIに限定されず、基板12Aの画像に基づいて上記欠陥源のパターンを取得可能な方法であればよい。   An example of an optical inspection is an automated optical inspection (abbreviated as AOI). In this case, the optical inspection can be performed using an automatic optical inspection apparatus. The optical inspection is not limited to the AOI, and may be any method that can acquire the defect source pattern based on the image of the substrate 12A.

図4に戻って、光学的検査工程S21A以降の工程について説明する。   Returning to FIG. 4, the steps after the optical inspection step S21A will be described.

<陽極形成工程>
陽極形成工程S21Bでは、光学的検査工程S21A後の基板12A上に陽極14Aを形成する。陽極14Aの形成方法は、陽極形成工程S10Aの場合と同様であるため、説明を省略する。
<Anode formation process>
In the anode formation step S21B, the anode 14A is formed on the substrate 12A after the optical inspection step S21A. Since the formation method of the anode 14A is the same as that in the anode formation step S10A, description thereof is omitted.

<有機EL部形成工程>
有機EL部形成工程S21Cでは、陽極14A上に、有機EL部16Aを形成する。すなわち、陽極14A上に、正孔注入層161A、正孔輸送層162A、発光層163A及び電子注入層164Aを形成する。正孔注入層161A、正孔輸送層162A、発光層163A及び電子注入層164Aの形成方法は、有機EL部形成工程S10Bで説明した正孔注入層161、正孔輸送層162、発光層163及び電子注入層164の形成方法と同様であるため、説明を省略する。
<Organic EL part formation process>
In the organic EL part forming step S21C, the organic EL part 16A is formed on the anode 14A. That is, the hole injection layer 161A, the hole transport layer 162A, the light emitting layer 163A, and the electron injection layer 164A are formed on the anode 14A. The hole injection layer 161A, the hole transport layer 162A, the light emitting layer 163A, and the electron injection layer 164A are formed by the hole injection layer 161, the hole transport layer 162, the light emitting layer 163, and the electron injection layer 161 described in the organic EL part forming step S10B. Since it is the same as the formation method of the electron injection layer 164, description is abbreviate | omitted.

<陰極形成工程>
陰極形成工程S21Dでは、有機EL部16A上に陰極18Aを形成する。陰極18Aの形成方法は、陰極18の形成方法と同様であるため、説明を省略する。
<Cathode formation process>
In the cathode forming step S21D, the cathode 18A is formed on the organic EL portion 16A. Since the method for forming the cathode 18A is the same as the method for forming the cathode 18, the description thereof is omitted.

[リーク検査工程]
リーク検査工程S22では、規格値用素子10Aの陽極14A及び陰極18A間に電圧を印加することでリーク検査を実施し、規格値用素子10Aのリーク電流値を取得する。規格値用素子10Aの発光に寄与する電流との差を明確にする観点から、規格値用素子10Aに印加する電圧は、逆バイアス電圧であってもよい。リーク検査工程S12と、リーク検査工程S22での規格値用素子10Aへの電圧の印加方法及び印加電圧は有機EL素子10の場合と同様であり得る。
[Leak inspection process]
In the leak inspection step S22, a leak inspection is performed by applying a voltage between the anode 14A and the cathode 18A of the standard value element 10A, and the leak current value of the standard value element 10A is acquired. From the viewpoint of clarifying the difference from the current contributing to the light emission of the standard value element 10A, the voltage applied to the standard value element 10A may be a reverse bias voltage. The application method and applied voltage of the voltage to the standard value element 10A in the leak inspection step S12 and the leak inspection step S22 may be the same as those of the organic EL element 10.

[点灯試験工程]
点灯試験工程S23では、規格値用素子10Aに対して点灯試験を実施する。この点灯試験では、規格値用素子10Aを所定時間以上点灯させ、点灯不良欠陥が生じるか否かを判断する。点灯不良欠陥が生じた規格値用素子10Aについては、規格値用素子10Aにおける点灯不良欠陥の位置を確認する。
[Lighting test process]
In the lighting test step S23, a lighting test is performed on the standard value element 10A. In this lighting test, the standard value element 10A is lit for a predetermined time or more to determine whether or not a defective lighting defect occurs. For the standard value element 10A in which the lighting failure defect has occurred, the position of the lighting failure defect in the standard value element 10A is confirmed.

点灯不良欠陥は、規格値用素子10Aの点灯開始直後には現れず、一定の時間経過後に現れる場合もため、上記所定時間としては、点灯不良欠陥が始める時間であり、例えば48時間である。上記所定時間は、規格値用素子10Aの半減期であることがより好ましいが、前述したように48時間であれば、実用に耐えられる規格値を取得可能である。   The lighting failure defect does not appear immediately after the start of lighting of the standard value element 10A, and may appear after a certain period of time. Therefore, the predetermined time is a time when the lighting failure defect starts, for example, 48 hours. The predetermined time is more preferably the half-life of the standard value element 10A. However, as described above, if it is 48 hours, a standard value that can withstand practical use can be obtained.

[規格値算出工程]
規格値算出工程S24では、光学的検査工程S21Aで得られた欠陥源の情報と、点灯試験結果で得られた点灯不良欠陥の位置とを対比して、規格値用素子10Aに含まれる少なくとも一つの欠陥源のうち点灯不良欠陥に対応する全ての欠陥源(以下、「点灯不良源」と称す)を選択(或いは特定)し、選択された点灯不良源数で規格値用素子10Aにおけるリーク電流値を除算することで規格値を算出する。
[Standard value calculation process]
In the standard value calculation step S24, the information on the defect source obtained in the optical inspection step S21A is compared with the position of the lighting failure defect obtained from the lighting test result, so that at least one included in the standard value element 10A. All defect sources corresponding to the lighting failure defects (hereinafter referred to as “lighting failure sources”) are selected (or specified) from the two defect sources, and the leakage current in the standard value element 10A is selected with the selected number of lighting failure sources. The standard value is calculated by dividing the value.

図4に示した規格値取得工程S20では、光学的検査工程S21Aを陽極形成工程S21Bの前に実施したが、陽極形成工程S21Bの後であって有機EL部形成工程S21Cの前に実施してもよい。すなわち、陽極14Aが形成された基板12である電極付き基板20Aに対して光学的検査を実施してもよい。   In the standard value acquisition step S20 shown in FIG. 4, the optical inspection step S21A is performed before the anode formation step S21B, but is performed after the anode formation step S21B and before the organic EL portion formation step S21C. Also good. That is, an optical inspection may be performed on the electrode-attached substrate 20A, which is the substrate 12 on which the anode 14A is formed.

上記規格値取得工程S20は、有機EL素子10の製造方法において、判定工程S14の前に一度行っておけばよい。したがって、規格値取得工程S20で規格値を一度取得すれば、改めて有機EL素子10を製造する場合には、規格値取得工程S20は実施しなくてもよい。   The standard value acquisition step S20 may be performed once before the determination step S14 in the method of manufacturing the organic EL element 10. Therefore, once the standard value is acquired in the standard value acquisition step S20, the standard value acquisition step S20 may not be performed when the organic EL element 10 is manufactured again.

本実施形態では、規格値用素子形成工程S21で形成する規格値用素子10Aは、製造すべき有機EL素子10の構成と同じ構成である形態を説明している。しかしながら、点灯不良欠陥は、主に基板12に固着した微粒子といった微小異物に起因している。そのため、点灯不良源数は、基板12及び基板12Aの形状(大きさ含む)に依存する。よって、少なくとも基板12と基板12Aの厚さ方向からみた形状が一致していれば、他の構成は異なっていてもよい。更に、有機EL素子形成工程S10及び規格値用素子形成工程S21における対応する要素の形成方法は異なっていてもよい。   In the present embodiment, the standard value element 10 </ b> A formed in the standard value element formation step S <b> 21 is described as having the same configuration as that of the organic EL element 10 to be manufactured. However, the defective lighting is mainly caused by minute foreign matters such as fine particles fixed to the substrate 12. Therefore, the number of lighting failure sources depends on the shape (including size) of the substrate 12 and the substrate 12A. Therefore, other configurations may be different as long as at least the shapes of the substrate 12 and the substrate 12A viewed from the thickness direction match. Furthermore, the formation method of the corresponding element in the organic EL element formation step S10 and the standard value element formation step S21 may be different.

規格値用素子形成工程S21では、複数の規格値用素子10Aを形成してもよい。この場合の規格値の算出方法について説明する。   In the standard value element forming step S21, a plurality of standard value elements 10A may be formed. A standard value calculation method in this case will be described.

規格値用素子形成工程S21において複数の規格値用素子10Aを形成する形態では、各規格値用素子10Aの形成の際に、各規格値用素子10Aが有する基板12Aの光学的検査工程S21Aを実施し、各規格値用素子10Aに対する欠陥源の情報を取得する。リーク検査工程S22では、各規格値用素子10Aに対するリーク電流値を取得し、それらの平均値(平均リーク電流値)を算出する。点灯試験工程S23では、各規格値用素子10Aに点灯試験を実施し、規格値用素子10A毎に点灯不良欠陥の位置を選択(或いは特定)する。規格値算出工程S24では、光学的検査工程S21Aで得られた各規格値用素子10Aに対する欠陥源の情報と、点灯試験工程S23で得られた点灯試験結果とに基づいて、各規格値用素子10Aにおける点灯不良源を選択する。各規格値用素子10Aに含まれる点灯不良源数に基づいて算出される複数の規格値用素子10Aに対する点灯不良源数の平均値(平均点灯不良源数)で、複数の規格値用素子10Aに対する平均リーク電流値を除算することで得られるリーク電流値を規格値とする。   In the embodiment in which the plurality of standard value elements 10A are formed in the standard value element forming step S21, the optical inspection step S21A of the substrate 12A included in each standard value element 10A is performed when each standard value element 10A is formed. The defect source information for each standard value element 10A is acquired. In the leak inspection step S22, a leak current value for each standard value element 10A is acquired, and an average value thereof (average leak current value) is calculated. In the lighting test step S23, a lighting test is performed on each standard value element 10A, and the position of a defective lighting defect is selected (or specified) for each standard value element 10A. In the standard value calculation step S24, each standard value element is determined based on the defect source information for each standard value element 10A obtained in the optical inspection step S21A and the lighting test result obtained in the lighting test step S23. The lighting failure source at 10A is selected. An average value of the number of defective lighting sources (average number of defective lighting sources) for a plurality of standard value elements 10A calculated based on the number of defective lighting sources included in each standard value element 10A, and a plurality of standard value elements 10A. The leak current value obtained by dividing the average leak current value for is taken as the standard value.

複数の規格値用素子10Aの形成方法は異なっていてもよい。形成方法が同じ規格値用素子10Aを同種の規格値用素子10Aと称して説明する。この場合、平均リーク電流値及び平均点灯不良源数を、同種の規格値用素子10Aに対する平均リーク電流値及び平均点灯不良源数とする。そして、規格値算出工程S24では、種類の異なる規格値用素子10Aに対する平均リーク電流値及び平均点灯不良源数の相関関係に基づいて、点灯不良源1個に対するリーク電流値を算出し、規格値とすればよい。   The method of forming the plurality of standard value elements 10A may be different. The standard value element 10A having the same formation method will be referred to as the same type of standard value element 10A. In this case, let the average leakage current value and the average number of defective lighting sources be the average leakage current value and the average number of defective lighting sources for the same type of standard value element 10A. In the standard value calculation step S24, a leak current value for one lighting failure source is calculated based on the correlation between the average leakage current value for the different standard value elements 10A and the average number of lighting failure sources, and the standard value is calculated. And it is sufficient.

上記有機EL素子10の製造方法では、判定工程S14において、図2に示したリーク検査工程S12で取得したリーク電流値と、規格値取得工程S20で取得された規格値に基づいて、有機EL素子10が良品か否かを判定する。リーク検査工程S12におけるリーク検査では、数秒(例えば、1秒又は2秒)程度でリーク電流値を取得できるので、有機EL素子10の生産性の向上が図れる。更に、有機EL素子10の良否を判定するために、有機EL素子10にストレス検査等の実施が不要であることから、良否判定され、良品と判定された有機EL素子10において検査による劣化が生じない。   In the manufacturing method of the organic EL element 10, in the determination step S14, the organic EL element is based on the leak current value acquired in the leak inspection step S12 illustrated in FIG. 2 and the standard value acquired in the standard value acquisition step S20. It is determined whether 10 is a non-defective product. In the leak inspection in the leak inspection step S12, since the leak current value can be acquired in about several seconds (for example, 1 second or 2 seconds), the productivity of the organic EL element 10 can be improved. Further, since it is not necessary to perform a stress test or the like on the organic EL element 10 in order to determine whether the organic EL element 10 is good or bad, the organic EL element 10 that has been determined to be good and has been determined to be non-defective is deteriorated by the inspection. Absent.

規格値は、点灯不良源1個に対するリーク電流値であることから、判定工程S14で良否を判定することで、点灯不良が生じにくい有機EL素子10を判定できる。その結果、上記有機EL素子の製造方法では、点灯不良の発生が抑制され、品質の向上が図られた有機EL素子10を効率的に生産できる。   Since the standard value is a leak current value for one lighting failure source, it is possible to determine the organic EL element 10 in which lighting failure is unlikely to occur by determining whether or not it is good in the determination step S14. As a result, in the manufacturing method of the organic EL element, it is possible to efficiently produce the organic EL element 10 in which the occurrence of lighting failure is suppressed and the quality is improved.

光学的検査工程S21Aで取得する欠陥源には、点灯不良とならない欠陥源も含まれている。上記規格値取得工程S20では、規格値用素子10Aの点灯試験を実施し、点灯試験の結果と、光学的検査工程S21Aで取得された欠陥源の情報とから点灯不良源を選択して、規格値を算出している。よって、有機EL素子10の良否をより確実に判定できる。   The defect sources acquired in the optical inspection step S21A include defect sources that do not cause lighting failures. In the standard value acquisition step S20, a lighting test of the standard value element 10A is performed, and a lighting failure source is selected from the result of the lighting test and the defect source information acquired in the optical inspection step S21A. The value is calculated. Therefore, the quality of the organic EL element 10 can be determined more reliably.

点灯不良源の例は、例えば基板12(又は基板12A)に固着した微粒子といった微小異物である。これは、基板12(又は基板12A)に微粒子が固着していると、陽極14(又は陽極14A)に突起が生じ突起に起因してリークが生じると考えられるからである。陽極14に固着した微粒子といった微小異物も点灯不良源となる場合がある。これは、陽極14に微粒子が固着していると、有機EL部16の層の厚さが微粒子近傍で薄くなることに起因してリークが生じると考えられるからである。よって、欠陥源として異物を想定し、その位置及び形状を欠陥源の情報として取得すれば、点灯試験の結果を利用して、微小異物としての点灯不良源をより確実に選択できる。その結果、品質の向上がより一層図られた有機EL素子10を製造可能である。陽極14に固着した微小異物も欠陥源として検出するには、前述したように、陽極形成工程S21Bの後に光学的検査工程S21Aを実施すればよい。   An example of a lighting failure source is a minute foreign matter such as a fine particle fixed to the substrate 12 (or the substrate 12A). This is because if the fine particles are fixed to the substrate 12 (or the substrate 12A), a projection is generated on the anode 14 (or the anode 14A), and it is considered that leakage occurs due to the projection. A minute foreign matter such as a fine particle fixed to the anode 14 may be a source of lighting failure. This is because if the fine particles are fixed to the anode 14, it is considered that leakage occurs due to the thickness of the layer of the organic EL portion 16 being reduced in the vicinity of the fine particles. Therefore, if a foreign object is assumed as a defect source and the position and shape thereof are acquired as defect source information, a lighting failure source as a minute foreign object can be more reliably selected using the result of the lighting test. As a result, the organic EL element 10 with further improved quality can be manufactured. In order to detect the minute foreign matter fixed to the anode 14 as a defect source, the optical inspection step S21A may be performed after the anode forming step S21B as described above.

リーク検査工程S12,S22での有機EL素子10及び規格値用素子10Aのリーク検査において、有機EL素子10及び規格値用素子10Aに逆バイアス電圧を印加してリーク検査を行う形態では、有機EL素子10及び規格値用素子10Aの発光に寄与する電流とリーク電流とを区別し易い。そのため、より正確に規格値を算出でき、品質の向上がより一層図られた有機EL素子10を製造可能である。   In the leak inspection of the organic EL element 10 and the standard value element 10A in the leak inspection steps S12 and S22, in the form of performing a leak test by applying a reverse bias voltage to the organic EL element 10 and the standard value element 10A, the organic EL element It is easy to distinguish the current that contributes to the light emission of the element 10 and the standard value element 10A from the leakage current. Therefore, the standard value can be calculated more accurately, and the organic EL element 10 with further improved quality can be manufactured.

次に、規格値に基づく有機EL素子の良否の判定の有効性についての検証について説明する。   Next, verification about the effectiveness of the judgment of the quality of the organic EL element based on the standard value will be described.

まず、図4に示した規格値取得工程S20を実施した。規格値取得工程S20が有する規格値用素子形成工程S21では、図3に示した層構成を有しており2つの異なる方法で洗浄した基板を用いて規格値用素子を形成した。洗浄方法の異なる基板を含む規格値用素子のそれぞれを、規格値用素子A1及び規格値用素子A2と称す。規格値用素子A1及び規格値用素子A2では、基板としてガラス基板を採用し、規格値用素子A1及び規格値用素子A2は、ガラス基板の表面上に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層及び陰極が積層されることによって構成された。   First, standard value acquisition process S20 shown in FIG. 4 was implemented. In the standard value element forming step S21 included in the standard value acquisition process S20, the standard value element was formed using the substrate having the layer configuration shown in FIG. 3 and cleaned by two different methods. The standard value elements including substrates having different cleaning methods are referred to as a standard value element A1 and a standard value element A2. In the standard value element A1 and the standard value element A2, a glass substrate is adopted as the substrate, and the standard value element A1 and the standard value element A2 are provided on the surface of the glass substrate with an anode, a hole injection layer, and a hole. A transport layer, a light emitting layer, an electron injection layer, and a cathode were laminated.

規格値用素子A1及び規格値用素子A2を形成する際には、光学的検査工程S21Aの前に、ガラス基板を洗浄した。具体的には、規格値用素子A1の場合、ガラス基板を純水で2分洗浄し、規格値用素子A2の場合、ガラス基板を有機極性溶剤で4分洗浄した。その後、光学的検査工程S21Aを実施し、各規格値用素子A1及び各規格値用素子A2の欠陥源の情報として欠陥源の位置、形状などを取得した。続いて、有機EL部形成工程S21C及び陰極形成工程S21Dを実施して、規格値用素子A1及び規格値用素子A2を形成した。   When forming the standard value element A1 and the standard value element A2, the glass substrate was cleaned before the optical inspection step S21A. Specifically, in the case of the standard value element A1, the glass substrate was washed with pure water for 2 minutes, and in the case of the standard value element A2, the glass substrate was washed with an organic polar solvent for 4 minutes. Then, optical inspection process S21A was implemented and the position of the defect source, the shape, etc. were acquired as information on the defect source of each standard value element A1 and each standard value element A2. Subsequently, the standard value element A1 and the standard value element A2 were formed by performing the organic EL part forming step S21C and the cathode forming step S21D.

規格値用素子A1及び規格値用素子A2は、ガラス基板の洗浄方法が異なる点以外は同様の方法で、形成された。よって、規格値用素子A1及び規格値用素子A2の構成(層構成と共に、各層の材料、厚さなどを含む)は同じである。規格値用素子形成工程S21では、12枚の規格値用素子A1と、12枚の規格値用素子A2を形成した。   The standard value element A1 and the standard value element A2 were formed by the same method except that the glass substrate was washed differently. Therefore, the configuration of the standard value element A1 and the standard value element A2 (including the layer configuration and the material and thickness of each layer) are the same. In the standard value element forming step S21, 12 standard value elements A1 and 12 standard value elements A2 were formed.

規格値用素子A1及び規格値用素子A2を形成した後、リーク検査工程S22を実施した。リーク検査工程S22では、各規格値用素子A1及び各規格値用素子A2のリーク電流値を取得し、12個の規格値用素子A1に対する平均リーク電流値及び12個の規格値用素子A2に対する平均リーク電流値を算出した。リーク検査では、規格値用素子A1及び各規格値用素子A2に逆バイアス電圧として−5Vを印加した。その結果、12個の規格値用素子A1に対する平均リーク電流値及び12個の規格値用素子A2に対する平均リーク電流値は、表1に示したように、1.10×10−3(A)及び1.27×10−4(A)であった。

Figure 2017162718
After forming the standard value element A1 and the standard value element A2, the leak inspection step S22 was performed. In the leak inspection step S22, the leak current values of the standard value elements A1 and the standard value elements A2 are obtained, and the average leak current values for the 12 standard value elements A1 and the 12 standard value elements A2 are obtained. The average leakage current value was calculated. In the leak test, −5 V was applied as a reverse bias voltage to the standard value element A1 and each standard value element A2. As a result, the average leakage current value for the twelve standard value elements A1 and the average leakage current value for the twelve standard value elements A2 are 1.10 × 10 −3 (A) as shown in Table 1. And 1.27 × 10 −4 (A).
Figure 2017162718

その後、各規格値用素子A1及び各規格値用素子A2に対して点灯試験工程S23を実施した。具体的には、各規格値用素子A1及び各規格値用素子A2の陽極及び陰極間に電圧を印加して、48時間継続して点灯させ、点灯不良欠陥の有無を目視確認した。その結果、全ての規格値用素子A1及び規格値用素子A2に対して点灯不良欠陥が生じたことを確認し、点灯不良欠陥の位置を取得した。   Then, the lighting test process S23 was implemented with respect to each element A1 for standard values and each element A2 for standard values. Specifically, a voltage was applied between the anode and the cathode of each standard value element A1 and each standard value element A2, and it was continuously lit for 48 hours, and the presence or absence of defective lighting was visually confirmed. As a result, it was confirmed that defective lighting defects were generated for all the standard value elements A1 and standard value elements A2, and the positions of the defective lighting defects were acquired.

規格値算出工程S24では、各規格値用素子A1及び各規格値用素子A2に対して、光学的検査工程S21Aで得られた欠陥源の情報と、点灯試験で得られた点灯不良欠陥の情報とを対比し、光学的検査工程S21Aで得られた複数の欠陥源のうち点灯不良源を選択した。12個の規格値用素子A1に対する平均点灯不良源数は、上記表1に示したように、13個であり、12個の規格値用素子A2に対する平均点灯不良源数は、1.3個であった。表1の結果をグラフにプロットし、線形フィッティングすることによって、点灯不良欠陥1個に対するリーク電流値を算出し、規格値とした。算出された規格値は、1.9×10−5(A)であった。 In the standard value calculation step S24, the information on the defect source obtained in the optical inspection step S21A and the information on the defective lighting defect obtained in the lighting test are obtained for each standard value element A1 and each standard value element A2. And a lighting failure source was selected from the plurality of defect sources obtained in the optical inspection step S21A. As shown in Table 1, the average number of defective lighting sources for 12 standard value elements A1 is 13, and the average number of defective lighting sources for 12 standard value elements A2 is 1.3. Met. The results of Table 1 were plotted on a graph and linear fitting was performed to calculate a leak current value for one defective lighting defect and set it as a standard value. The calculated standard value was 1.9 × 10 −5 (A).

次に、上記のように算出した規格値を用いて、有機EL素子10の製造方法が有する判定工程S14の有効性の検証を行った。   Next, using the standard value calculated as described above, the effectiveness of the determination step S14 included in the method for manufacturing the organic EL element 10 was verified.

検証のために、ガラス基板の洗浄方法の異なる3種類の有機EL素子をそれぞれ12個形成した。形成した3種類の有機EL素子を有機EL素子B1、有機EL素子B2及び有機EL素子B3と称す。有機EL素子B1、有機EL素子B2及び有機EL素子B3の構成(層構成と共に、各層の材料、厚さなどを含む)は、規格値用素子A1(又は規格値用素子A2)の構成と同じであった。   For verification, twelve kinds of organic EL elements each having a different glass substrate cleaning method were formed. The three types of formed organic EL elements are referred to as an organic EL element B1, an organic EL element B2, and an organic EL element B3. The configuration of the organic EL element B1, the organic EL element B2, and the organic EL element B3 (including the material and thickness of each layer as well as the layer configuration) is the same as the configuration of the standard value element A1 (or standard value element A2). Met.

有機EL素子B1、有機EL素子B2及び有機EL素子B3は、ガラス基板の洗浄方法が異なる点以外は同様の方法で形成された。有機EL素子B1を形成する際には、ガラス基板を、規格値用素子A1の場合と同様に純水で2分洗浄した。有機EL素子B2を形成する際には、ガラス基板を、規格値用素子A2の場合と同様に有機極性溶剤で4分洗浄した。有機EL素子B3を形成する際には、ガラス基板を、規格値用素子A2の場合と同様に有機極性溶剤で洗浄した。有機EL素子B3のガラス基板の洗浄時間は、有機EL素子B2の形成において実施した洗浄時間の2倍である8分であった。   Organic EL element B1, organic EL element B2, and organic EL element B3 were formed by the same method except that the glass substrate was washed differently. When forming the organic EL element B1, the glass substrate was washed with pure water for 2 minutes as in the case of the standard value element A1. When the organic EL element B2 was formed, the glass substrate was washed with an organic polar solvent for 4 minutes as in the case of the standard value element A2. When forming the organic EL element B3, the glass substrate was washed with an organic polar solvent as in the case of the standard value element A2. The cleaning time of the glass substrate of the organic EL element B3 was 8 minutes, which is twice the cleaning time performed in the formation of the organic EL element B2.

形成した12個の有機EL素子B1のそれぞれに対して、図2に示したリーク検査工程S12を実施し、平均リーク電流値を算出した。同様に、形成した12枚の有機EL素子B2のそれぞれに対して、図2に示したリーク検査工程S12実施し、平均リーク電流値を算出した。同様に、形成した12枚の有機EL素子B3のそれぞれに対して、図2に示したリーク検査工程S12を実施し、平均リーク電流値を算出した。リーク検査では、有機EL素子B1,B2,B3に逆バイアス電圧として−5Vを印加した。算出された平均リーク電流値は、表2に示すとおりであり、有機EL素子B1の平均リーク電流値は、1.10×10−3(A)であり、有機EL素子B2の平均リーク電流値は、1.43×10−4(A)であり、有機EL素子B3の平均リーク電流値は、1.62×10−5(A)であった。

Figure 2017162718
The leakage inspection step S12 shown in FIG. 2 was performed on each of the 12 formed organic EL elements B1, and the average leakage current value was calculated. Similarly, the leakage inspection step S12 shown in FIG. 2 was performed on each of the 12 formed organic EL elements B2, and the average leakage current value was calculated. Similarly, the leakage inspection step S12 shown in FIG. 2 was performed on each of the 12 formed organic EL elements B3, and the average leakage current value was calculated. In the leak inspection, −5 V was applied as a reverse bias voltage to the organic EL elements B1, B2, and B3. The calculated average leakage current value is as shown in Table 2, the average leakage current value of the organic EL element B1 is 1.10 × 10 −3 (A), and the average leakage current value of the organic EL element B2 Was 1.43 × 10 −4 (A), and the average leakage current value of the organic EL element B3 was 1.62 × 10 −5 (A).
Figure 2017162718

次に、12個の有機EL素子B1を48時間連続点灯させた後、有機EL素子B1の点灯不良欠陥の発生率を算出した。同様に、12個の有機EL素子B2を48時間連続点灯させた後、有機EL素子B2の点灯不良欠陥の発生率を算出した。同様に、12個の有機EL素子B3を48時間連続点灯させた後、有機EL素子B3の点灯不良欠陥の発生率を算出した。   Next, after twelve organic EL elements B1 were continuously lit for 48 hours, the incidence rate of defective lighting of the organic EL elements B1 was calculated. Similarly, after 12 organic EL elements B2 were continuously lit for 48 hours, the incidence rate of defective lighting of the organic EL elements B2 was calculated. Similarly, after 12 organic EL elements B3 were continuously lit for 48 hours, the incidence rate of defective lighting of the organic EL elements B3 was calculated.

上記点灯不良欠陥の発生率について、有機EL素子B1,B2,B3を有機EL素子Bと称して説明する。検証に使用した有機EL素子Bの個数をNとし、点灯不良欠陥が生じた有機EL素子Bの個数をMとし、点灯不良欠陥の発生率をα(%)としたとき、αを次のように定義した。
α=(M/N)×100(%)
The incidence rate of the defective lighting will be described by referring to the organic EL elements B1, B2, and B3 as the organic EL element B. When the number of organic EL elements B used for verification is N, the number of organic EL elements B in which defective lighting has occurred is M, and the incidence of defective lighting defects is α (%), α is as follows: Defined in
α = (M / N) × 100 (%)

上記定義に従って得られた有機EL素子B1,B2,B3に対する点灯不良欠陥の発生率は、上記表2に示したとおりであり、それぞれ33.3%、14.3%及び0%であった。   The incidence rates of defective lighting for organic EL elements B1, B2, and B3 obtained according to the above definitions are as shown in Table 2 above, which were 33.3%, 14.3%, and 0%, respectively.

規格値である点灯不良欠陥1個に対するリーク電流値は、1.9×10−5(A)であることから、有機EL素子B1,B2,B3のうち有機EL素子B3が規格値以下であるリーク電流値を有し、有機EL素子B1,B2のリーク電流値は、規格値を超えていた。表2に示したように、規格値を超えたリーク電流値を有した有機EL素子B1,B2に対しては、点灯不良欠陥が生じており、規格値以下のリーク電流値を有する有機EL素子B3については、点灯不良欠陥が生じていない。よって、規格値を使用することで、有機EL素子の良否を判定できることが実証された。 Since the leak current value for one defective lighting defect which is a standard value is 1.9 × 10 −5 (A), the organic EL element B3 is less than the standard value among the organic EL elements B1, B2 and B3. The leakage current value of the organic EL elements B1, B2 exceeded the standard value. As shown in Table 2, for the organic EL elements B1 and B2 having a leakage current value exceeding the standard value, defective lighting has occurred, and the organic EL element having a leakage current value equal to or less than the standard value With respect to B3, no defective lighting has occurred. Therefore, it was demonstrated that the quality of the organic EL element can be determined by using the standard value.

したがって、予め規格値を取得しておけば、図2に示した有機EL素子形成工程S10で形成された有機EL素子のリーク電流値を取得することで、容易に有機EL素子の良否を判定できるので、有機EL素子の生産性の向上が図れる。   Therefore, if the standard value is acquired in advance, the quality of the organic EL element can be easily determined by acquiring the leak current value of the organic EL element formed in the organic EL element forming step S10 shown in FIG. Therefore, the productivity of the organic EL element can be improved.

以上、本発明の種々の実施形態及び実施例について説明した。しかしながら、本発明は上述した種々の実施形態及び実施例に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。   The various embodiments and examples of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the various embodiments and examples described above, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

有機EL部は、前述したように発光層以外の他の機能層を含む積層体でもよい。各種の機能層を含む有機EL素子の層構成の例を以下に示す。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
e)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
f)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
g)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
h)陽極/発光層/電子注入層/陰極
i)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
記号「/」は、記号「/」の両側の層同士が接合していることを意味している。上記f)の構成が図1に示した構成に対応する。
As described above, the organic EL portion may be a laminate including a functional layer other than the light emitting layer. Examples of the layer configuration of the organic EL element including various functional layers are shown below.
a) anode / light emitting layer / cathode b) anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode c) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode d) anode / hole injection layer / light emitting layer / Electron transport layer / electron injection layer / cathode e) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode f) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode g ) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode h) Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode i) Anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection Layer / Cathode The symbol “/” means that the layers on both sides of the symbol “/” are joined together. The configuration of f) corresponds to the configuration shown in FIG.

正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一方が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層と称される場合もある。電子輸送層は、陰極、電子注入層又は陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。電子注入層及び電子輸送層の少なくとも一方が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層と称される場合もある。   When at least one of the hole injection layer and the hole transport layer has a function of blocking electron transport, these layers may be referred to as an electron block layer. The electron transport layer is a layer having a function of improving electron injection from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer closer to the cathode. When at least one of the electron injection layer and the electron transport layer has a function of blocking hole transport, these layers may be referred to as a hole blocking layer.

有機EL素子は単層の発光層を有していても2層以上の発光層を有していてもよい。上記a)〜i)の層構成のうちのいずれか1つにおいて、陽極と陰極との間に配置された積層構造を「構造単位I」とすると、2層の発光層を有する有機EL素子の構成として、例えば、下記j)に示す層構成を挙げることができる。2個ある(構造単位I)の層構成は互いに同じであっても、異なっていてもよい。
j)陽極/(構造単位I)/電荷発生層/(構造単位I)/陰極
The organic EL element may have a single light emitting layer or two or more light emitting layers. In any one of the layer configurations a) to i) described above, when the stacked structure disposed between the anode and the cathode is “structural unit I”, the organic EL element having two light-emitting layers is provided. Examples of the configuration include the layer configuration shown in j) below. The two (structural units I) may have the same or different layer structure.
j) Anode / (structural unit I) / charge generation layer / (structural unit I) / cathode

ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ITO、酸化モリブデンなどからなる薄膜を挙げることができる。   Here, the charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include a thin film made of vanadium oxide, ITO, molybdenum oxide, or the like.

「(構造単位I)/電荷発生層」を「構造単位II」とすると、3層以上の発光層を有する有機EL素子の構成として、例えば、以下のk)に示す層構成を挙げることができる。
k)陽極/(構造単位II)x/(構造単位I)/陰極
Assuming that “(structural unit I) / charge generation layer” is “structural unit II”, examples of the configuration of the organic EL device having three or more light emitting layers include the layer configuration shown in the following k). .
k) Anode / (Structural unit II) x / (Structural unit I) / Cathode

記号「x」は、2以上の整数を表し、「(構造単位II)x」は、(構造単位II)がx段積層された積層体を表す。また複数ある(構造単位II)の層構成は同じでも、異なっていてもよい。電荷発生層を設けずに、複数の発光層を直接的に積層させて有機EL素子を構成してもよい。   The symbol “x” represents an integer of 2 or more, and “(structural unit II) x” represents a stacked body in which (structural unit II) is stacked in x stages. A plurality of (structural units II) may have the same or different layer structure. An organic EL element may be configured by directly laminating a plurality of light emitting layers without providing a charge generation layer.

これまでの説明では、第1及び第2の基板側電極を陽極とし、第1及び第2の対向電極を陰極として説明したが、第1及び第2の基板側電極が陰極であって、第1及び第2の対向電極が陽極であってもよい。   In the description so far, the first and second substrate side electrodes have been described as anodes, and the first and second counter electrodes have been described as cathodes. However, the first and second substrate side electrodes are cathodes, The first and second counter electrodes may be anodes.

10…有機EL素子、10A…規格値用素子(規格値用有機EL素子)、12…基板(第1の基板)、12A…基板(第2の基板)、14…陽極(第1の基板側電極)、14A…陽極(第2の基板側電極)、16…有機EL部(第1の有機EL部)、16A…有機EL部(第2の有機EL部)、18…陰極(第1の対向電極)、18A…陰極(第2の対向電極)、163…発光層(第1の発光層)、163A…発光層(第2の発光層)。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Organic EL element, 10A ... Standard value element (Standard value organic EL element), 12 ... Substrate (first substrate), 12A ... Substrate (second substrate), 14 ... Anode (first substrate side) Electrode), 14A ... anode (second substrate side electrode), 16 ... organic EL part (first organic EL part), 16A ... organic EL part (second organic EL part), 18 ... cathode (first organic EL part) Counter electrode), 18A ... cathode (second counter electrode), 163 ... light emitting layer (first light emitting layer), 163A ... light emitting layer (second light emitting layer).

Claims (8)

第1の基板の表面上に、第1の基板側電極、第1の発光層を含む第1の有機EL部及び第1の対向電極を順に積層することによって、有機EL素子を形成する有機EL素子形成工程と、
前記有機EL素子に対してリーク検査を実施し、前記有機EL素子のリーク電流値を取得するリーク検査工程と、
前記リーク電流値と規格値とを比較して、前記有機EL素子の良否を判定する判定工程と、
を備え、
前記規格値は、規格値算出用に形成される規格値用有機EL素子内の少なくとも一つの欠陥源のうち、前記規格値用有機EL素子の点灯試験の結果に基づいて選択され前記規格値用有機EL素子の点灯状態で点灯不良欠陥として現れる点灯不良源の個数で、前記規格値用有機EL素子のリーク検査で取得されるリーク電流値を除算することによって得られた、一つの前記点灯不良源に対するリーク電流値である、
有機EL素子の製造方法。
An organic EL device that forms an organic EL element by sequentially laminating a first substrate-side electrode, a first organic EL unit including a first light emitting layer, and a first counter electrode on the surface of the first substrate. An element formation process;
A leakage inspection process for performing a leakage inspection on the organic EL element and obtaining a leakage current value of the organic EL element;
A determination step of comparing the leak current value with a standard value to determine the quality of the organic EL element;
With
The standard value is selected based on a result of a lighting test of the standard value organic EL element among at least one defect source in the standard value organic EL element formed for standard value calculation. One lighting failure obtained by dividing the leakage current value obtained in the leak inspection of the organic EL element for standard value by the number of lighting failure sources that appear as lighting failure defects in the lighting state of the organic EL element The leakage current value for the source,
Manufacturing method of organic EL element.
前記判定工程の前に前記規格値を取得する規格値取得工程を更に備え、
前記規格値取得工程は、
第2の基板の表面上に、第2の基板側電極、第2の発光層を含む第2の有機EL部及び第2の対向電極を順に積層することによって、前記規格値用有機EL素子を形成する規格値用素子形成工程であって、前記欠陥源の情報を光学的検査によって取得する光学的検査工程を含む、前記規格値用素子形成工程と、
前記規格値用有機EL素子にリーク検査を実施して、前記規格値用有機EL素子のリーク電流値を取得する規格値用リーク検査工程と、
前記規格値用有機EL素子に点灯試験を実施する点灯試験工程と、
前記光学的検査工程で取得された前記欠陥源の情報と前記点灯試験の結果とに基づいて、前記少なくとも一つの欠陥源から選択される前記点灯不良源の個数で、前記規格値用リーク検査工程において取得された前記リーク電流値を除算することによって、前記規格値を算出する工程と、
を有する、
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
A standard value acquisition step of acquiring the standard value before the determination step;
The standard value acquisition step includes
By stacking a second substrate side electrode, a second organic EL part including a second light emitting layer, and a second counter electrode in order on the surface of the second substrate, the standard value organic EL element is formed. A standard value element forming step to be formed, including an optical inspection step of acquiring information of the defect source by optical inspection; and
Performing a leak test on the standard value organic EL element to obtain a leak current value of the standard value organic EL element;
A lighting test process for performing a lighting test on the standard value organic EL element;
Based on the information of the defect source acquired in the optical inspection step and the result of the lighting test, the number of lighting defective sources selected from the at least one defect source, and the standard value leak inspection step Calculating the standard value by dividing the leakage current value acquired in step;
Having
The manufacturing method of the organic EL element of Claim 1.
前記規格値用素子形成工程において、前記光学的検査工程は、前記第2の基板側電極の形成前の前記第2の基板に対して実施する又は前記第2の基板側電極が形成された前記第2の基板に対して実施する、
請求項2に記載の有機EL素子の製造方法。
In the standard value element forming step, the optical inspection step is performed on the second substrate before the second substrate side electrode is formed, or the second substrate side electrode is formed. For the second substrate,
The manufacturing method of the organic EL element of Claim 2.
前記欠陥源は、異物であり、
前記欠陥源の情報は、前記異物の位置及び形状を含む、
請求項2又は3に記載の有機EL素子の製造方法。
The defect source is a foreign matter,
The defect source information includes the position and shape of the foreign matter,
The manufacturing method of the organic EL element of Claim 2 or 3.
前記光学的検査は、自動光学検査である、
請求項2〜4の何れか一項に記載の有機EL素子の製造方法。
The optical inspection is an automatic optical inspection;
The manufacturing method of the organic EL element as described in any one of Claims 2-4.
前記規格値用リーク検査工程では、前記規格値用有機EL素子に逆バイアス電圧を印加して、前記規格値用有機EL素子の前記リーク電流値を取得する、
請求項2〜5の何れか一項に記載の有機EL素子の製造方法。
In the standard value leak inspection step, a reverse bias voltage is applied to the standard value organic EL element to obtain the leak current value of the standard value organic EL element.
The manufacturing method of the organic EL element as described in any one of Claims 2-5.
前記リーク検査工程では、前記有機EL素子に逆バイアス電圧を印加して、前記有機EL素子の前記リーク電流値を取得する、
請求項1〜6の何れか一項に記載の有機EL素子の製造方法。
In the leak inspection step, a reverse bias voltage is applied to the organic EL element to obtain the leak current value of the organic EL element.
The manufacturing method of the organic EL element as described in any one of Claims 1-6.
前記点灯不良欠陥が、所望の輝度より高い輝度を有する欠陥である、
請求項1〜7の何れか一項に記載の有機EL素子の製造方法。
The lighting failure defect is a defect having a luminance higher than a desired luminance.
The manufacturing method of the organic EL element as described in any one of Claims 1-7.
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