JP2017161717A - Resist Composition - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition that has good handling property and a low viscosity when a resist pattern is to be formed from the resist composition, and that allows easy and simple production of a resist pattern in a relatively thick film state.SOLUTION: The resist composition comprises a resin including a structural unit having an acid-labile group, an acid generator and a solvent. The resist composition contains the solvent by 100 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the resin, and has a viscosity of 120 cp or less.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、レジスト組成物に関する。   The present invention relates to a resist composition.

特許文献1には、ポリヒドロキシスチレンにおけるフェノール性水酸基が保護された樹脂と、酸発生剤と、酢酸ブチルを含む混合溶剤とを含有するレジスト組成物が記載されている。   Patent Document 1 describes a resist composition containing a resin in which a phenolic hydroxyl group in polyhydroxystyrene is protected, an acid generator, and a mixed solvent containing butyl acetate.

特開平4−92662号公報Japanese Patent Laid-Open No. 4-92662

レジスト組成物からレジストパターンを形成する場合に、ハンドリング性が良好である、粘度の低いものが要求されている一方、比較的厚膜で成膜することが容易かつ簡便に行えるものも求められている。   When forming a resist pattern from a resist composition, a material having good handling properties and a low viscosity is required, while a material that can be easily and easily formed with a relatively thick film is also required. Yes.

本発明は、以下の発明を含む。
〔1〕酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト組成物であって、
溶剤の含有量が、樹脂100質量部に対して100質量部以上であり、
かつ前記レジスト組成物の粘度が120cp以下であるレジスト組成物。
〔2〕溶剤が、酢酸エステルを含む〔1〕記載のレジスト組成物。
〔3〕酢酸エステルが、酢酸ブチルを含む〔2〕記載のレジスト組成物。
〔4〕溶剤が、全溶剤に対して酢酸エステルを40質量%以上含む〔2〕又は〔3〕記載のレジスト組成物。
〔5〕さらに界面活性剤を含有する〔1〕〜〔4〕のいずれか記載のレジスト組成物。
〔6〕界面活性剤の含有量が、レジスト組成物に対して、0.01質量%以上1質量%以下である〔5〕記載のレジスト組成物。
〔7〕酸不安定基を有する構造単位が、式(I)で表される構造単位又は式(a1−0)で表される構造単位である〔1〕〜〔6〕のいずれか記載のレジスト組成物。

Figure 2017161717
[式(a1−0)及び式(a1−4)中、
a01及びRa32は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a01は、酸素原子又は*−O−(CHk01−CO−O−を表し、k01は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基との結合手を表す。
a02、Ra03及びRa04は、互いに独立に、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表すか、Ra03及びRa04は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数3〜20の2価の環を形成し、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子で置き換わってもよい。該環に含まれる水素原子は、炭素数1〜8のアルキル基で置換されていてもよい。
a33は、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。
a34及びRa35は、互いに独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表す。
a36は、炭素数1〜20の炭化水素基を表す。
laは、0〜4の整数を表す。]
〔8〕〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載のレジスト組成物から得られた膜。
〔9〕膜の厚さが、6μm以上の厚さである〔8〕に記載の膜。 The present invention includes the following inventions.
[1] A resist composition comprising a resin containing a structural unit having an acid labile group, an acid generator and a solvent,
The content of the solvent is 100 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the resin,
And the resist composition whose viscosity of the said resist composition is 120 cp or less.
[2] The resist composition according to [1], wherein the solvent contains an acetate ester.
[3] The resist composition according to [2], wherein the acetate ester contains butyl acetate.
[4] The resist composition according to [2] or [3], wherein the solvent contains 40% by mass or more of acetate ester with respect to the total solvent.
[5] The resist composition according to any one of [1] to [4], further containing a surfactant.
[6] The resist composition according to [5], wherein the content of the surfactant is 0.01% by mass or more and 1% by mass or less with respect to the resist composition.
[7] The structural unit having an acid labile group is a structural unit represented by formula (I) or a structural unit represented by formula (a1-0): Resist composition.
Figure 2017161717
[In Formula (a1-0) and Formula (a1-4),
R a01 and R a32 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
L a01 represents an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k01 —CO—O—, k01 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to a carbonyl group.
R a02 , R a03 and R a04 each independently represent an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a combination thereof, or R a03 and R a04 Are bonded to each other to form a divalent ring having 3 to 20 carbon atoms together with the carbon atom to which they are bonded, and the methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom or a sulfur atom. The hydrogen atom contained in the ring may be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
R a33 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.
R a34 and R a35 are independently of each other, represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
R a36 represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
la represents an integer of 0 to 4. ]
[8] A film obtained from the resist composition according to any one of [1] to [7].
[9] The film according to [8], wherein the film thickness is 6 μm or more.

本発明のレジスト組成物によれば、ハンドリング性が良好で、低粘度であるとともに、比較的厚膜でレジストパターンを容易かつ簡便に製造することができる。   According to the resist composition of the present invention, the handleability is good, the viscosity is low, and the resist pattern can be easily and easily produced with a relatively thick film.

本明細書において「(メタ)アクリレート」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも一種」を意味する。「(メタ)アクリル酸」及び「(メタ)アクリロイル」等の表記も、同様の意味を有する。
また、特に断りのない限り、「脂肪族炭化水素基」のように直鎖状又は分岐状をとり得る基は、そのいずれをも含む。「芳香族炭化水素基」は芳香環に炭化水素基が結合した基をも包含する。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤を除いた成分の合計を意味する。
In the present specification, “(meth) acrylate” means “at least one of acrylate and methacrylate”. Notations such as “(meth) acrylic acid” and “(meth) acryloyl” have the same meaning.
Further, unless otherwise specified, a group that can be linear or branched, such as an “aliphatic hydrocarbon group”, includes both of them. The “aromatic hydrocarbon group” also includes a group in which a hydrocarbon group is bonded to an aromatic ring. When stereoisomers exist, all stereoisomers are included.
In the present specification, the “solid content of the resist composition” means the total of components excluding the solvent described later from the total amount of the resist composition.

〔レジスト組成物〕
本発明のレジスト組成物は、
酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂(以下「樹脂(A1)」ということがある)、
酸発生剤(以下「酸発生剤(B)」ということがある)及び
溶剤(以下「溶剤(E)」ということがある)を含有する。
このレジスト組成物では、溶剤(E)が、樹脂100質量部に対して100質量部以上含有されている。また、粘度が120cp以下である。
さらに、レジスト組成物は、酸不安定基を有する構造単位を含まない樹脂(以下「樹脂(A2)」ということがある)、クエンチャー、界面活性剤及び/又はその他の添加剤を含有していてもよい。
[Resist composition]
The resist composition of the present invention comprises:
A resin containing a structural unit having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “resin (A1)”),
It contains an acid generator (hereinafter sometimes referred to as “acid generator (B)”) and a solvent (hereinafter sometimes referred to as “solvent (E)”).
In this resist composition, 100 parts by mass or more of the solvent (E) is contained with respect to 100 parts by mass of the resin. Moreover, a viscosity is 120 cp or less.
Furthermore, the resist composition contains a resin not containing a structural unit having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “resin (A2)”), a quencher, a surfactant and / or other additives. May be.

<樹脂(A1)>
樹脂(A1)は、酸不安定基を有する構造単位(以下「構造単位(a1)」という場合がある)を含む。ここで、「酸不安定基」とは、脱離基を有する基であって、酸との接触により脱離基が脱離して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシル基)を有する構造単位に変換される基を意味する。酸不安定基には、酸の作用により開裂し得る保護基が含まれる。
樹脂(A1)は、さらに、酸不安定基を有さない構造単位(以下、「構造単位(s)」ということがある)及び/又はその他の構造単位(以下「構造単位(t)」という場合がある)を含んでもよい。
<Resin (A1)>
The resin (A1) includes a structural unit having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a1)”). Here, the “acid labile group” is a group having a leaving group, and the leaving group is eliminated by contact with an acid to have a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxyl group). Means a group converted to a unit. Acid labile groups include protecting groups that can be cleaved by the action of acids.
The resin (A1) further includes a structural unit having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (s)”) and / or other structural unit (hereinafter referred to as “structural unit (t)”). May be included).

樹脂(A)に含まれる酸不安定基は、基(1)及び/又は基(2)であることが好ましい。

Figure 2017161717
[式(1)中、Ra1〜Ra3は、互いに独立に、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数3〜20の2価の脂環式炭化水素基を形成し、該2価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜8のアルキル基で置換されていてもよい。
naは、0又は1を表す。
*は結合手を表す。] The acid labile group contained in the resin (A) is preferably the group (1) and / or the group (2).
Figure 2017161717
[In Formula (1), R <a1 > -R < a3 > represents a C1-C12 alkyl group, a C3-C20 alicyclic hydrocarbon group, or the group which combined these independently each other, or R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms together with the carbon atom to which they are bonded, and a hydrogen atom contained in the divalent alicyclic hydrocarbon group May be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
na represents 0 or 1.
* Represents a bond. ]

Figure 2017161717
[式(2)中、Ra1’及びRa2’は、互いに独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びXとともに炭素数3〜20の2価の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該2価の複素環基に含まれる−CH−は、−O−又は−S−で置き換わってもよい。
Xは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
*は結合手を表す。]
Figure 2017161717
[In the formula (2), R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R a2 ′ and R a3 ′ are bonded to each other to form a divalent heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms together with the carbon atom and X to which they are bonded, and the hydrocarbon group and the divalent heterocyclic group. —CH 2 — contained in the ring group may be replaced by —O— or —S—.
X represents an oxygen atom or a sulfur atom.
* Represents a bond. ]

a1〜Ra3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、2−エチルプロピル基、n−ヘキシル基、2−メチルヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等が挙げられる。
a1〜Ra3の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基、ノルボルニル基及び下記の基(*は結合手を表す。)等が挙げられる。Ra1〜Ra3の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜16の脂環式炭化水素基である。

Figure 2017161717
Examples of the alkyl group for R a1 to R a3 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, a 2-ethylpropyl group, an n-hexyl group, and 2-methylhexyl. Group, n-heptyl group, n-octyl group and the like.
The alicyclic hydrocarbon group of R a1 to R a3 may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, 2-alkyladamantan-2-yl group, 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group, and norbornyl. And the following groups (* represents a bond). The alicyclic hydrocarbon group of R a1 to R a3 is preferably an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms.
Figure 2017161717

アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、メチルアダマンチル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニルエチル基等が挙げられる。
naは、好ましくは0である。
Examples of the group combining an alkyl group and an alicyclic hydrocarbon group include, for example, methylcyclohexyl group, dimethylcyclohexyl group, methylnorbornyl group, methyladamantyl group, cyclohexylmethyl group, adamantylmethyl group, norbornyl An ethyl group etc. are mentioned.
na is preferably 0.

a1及びRa2が互いに結合して2価の脂環式炭化水素基を形成する場合の−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)としては、下記の基が挙げられる。2価の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜12である。*は−O−との結合手を表す。 Examples of —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) in the case where R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent alicyclic hydrocarbon group include the following groups. The divalent alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 12 carbon atoms. * Represents a bond with -O-.

Figure 2017161717
Figure 2017161717

式(1)で表される基としては、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中においてRa1〜Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及びこれらが結合する炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)等が挙げられる。 Examples of the group represented by the formula (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (a group in which R a1 to R a3 are alkyl groups in the formula (1), preferably a tert-butoxycarbonyl group), 2- An alkyladamantan-2-yloxycarbonyl group (in formula (1), wherein R a1 , R a2 and the carbon atom to which they are bonded form an adamantyl group, and R a3 is an alkyl group) and 1- (adamantane- 1-yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

a1’〜Ra3’の炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組合せることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アルキル基及び芳香族炭化水素基を組合せた基としては、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基が挙げられる。
a2’及びRa3’が互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びXとともに形成する2価の複素環基としては、下記の基が挙げられる。*は、結合手を表す。

Figure 2017161717
a1’及びRa2’のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。 Examples of the hydrocarbon group of R a1 ′ to R a3 ′ include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group formed by combining these.
Examples of the alkyl group and alicyclic hydrocarbon group are the same as those described above.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the group obtained by combining an alkyl group and an aromatic hydrocarbon group include aralkyl groups such as a benzyl group and a phenethyl group.
Examples of the divalent heterocyclic group formed together with the carbon atom to which R a2 ′ and R a3 ′ are bonded to each other and X, and X include the following groups. * Represents a bond.
Figure 2017161717
Of R a1 ′ and R a2 ′ , at least one is preferably a hydrogen atom.

式(2)で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。*は結合手を表す。

Figure 2017161717
Specific examples of the group represented by the formula (2) include the following groups. * Represents a bond.
Figure 2017161717

酸不安定基を有する構造単位は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有する構造単位、より好ましくは酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマー由来の構造単位である。   The structural unit having an acid labile group is preferably a structural unit having an acid labile group and an ethylenically unsaturated bond, more preferably a structural unit derived from a (meth) acrylic monomer having an acid labile group. .

酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマー由来の構造単位のうち、好ましくは、炭素数5〜20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマーに由来する構造単位を有する樹脂(A)をレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。   Among structural units derived from a (meth) acrylic monomer having an acid labile group, those having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms are preferred. If the resin (A) having a structural unit derived from a monomer having a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group is used in the resist composition, the resolution of the resist pattern can be improved.

式(1)で表される基を有する(メタ)アクリル系モノマーに由来する構造単位として、好ましくは、式(a1−0)で表される構造単位が挙げられる。式(a1−0)で表される構造単位には、例えば、式(a1−1)で表される構造単位及び式(a1−2)で表される構造単位が含まれる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。本明細書では、式(a1−0)で表される構造単位、式(a1−1)で表される構造単位及び式(a1−2)で表される構造単位を、それぞれ構造単位(a1−0)、構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)と、構造単位(a1−0)を誘導するモノマー、構造単位(a1−1)を誘導するモノマー及び構造単位(a1−2)を誘導するモノマーを、それぞれモノマー(a1−0)、モノマー(a1−1)及びモノマー(a1−2)という場合がある。   The structural unit derived from the (meth) acrylic monomer having a group represented by the formula (1) is preferably a structural unit represented by the formula (a1-0). The structural unit represented by the formula (a1-0) includes, for example, the structural unit represented by the formula (a1-1) and the structural unit represented by the formula (a1-2). These may be used alone or in combination of two or more. In this specification, the structural unit represented by formula (a1-0), the structural unit represented by formula (a1-1), and the structural unit represented by formula (a1-2) are each represented by structural unit (a1). -0), structural unit (a1-1) and structural unit (a1-2), a monomer for deriving structural unit (a1-0), a monomer for deriving structural unit (a1-1), and a structural unit (a1- The monomer that induces 2) may be referred to as monomer (a1-0), monomer (a1-1), and monomer (a1-2), respectively.

Figure 2017161717
[式(a1−0)中、
a01は、酸素原子又は*−O−(CHk01−CO−O−を表し、k01は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基との結合手を表す。
a01は、水素原子又はメチル基を表す。
a02、Ra03及びRa04は、互いに独立に、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表すか、Ra03及びRa04は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数3〜20の2価の環を形成し、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子で置き換わってもよい。該環に含まれる水素原子は、炭素数1〜8のアルキル基で置換されていてもよい。]
Figure 2017161717
[In the formula (a1-0),
L a01 represents an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k01 —CO—O—, k01 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to a carbonyl group.
R a01 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a02 , R a03 and R a04 each independently represent an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a combination thereof, or R a03 and R a04 Are bonded to each other to form a divalent ring having 3 to 20 carbon atoms together with the carbon atom to which they are bonded, and the methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom or a sulfur atom. The hydrogen atom contained in the ring may be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. ]

Figure 2017161717
[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、互いに独立に、−O−又は*−O−(CHk1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、*は−CO−との結合手を表す。
a4及びRa5は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、互いに独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表す。
m1は、0〜14の整数を表す。
n1は、0〜10の整数を表す。
n1’は、0〜3の整数を表す。]
Figure 2017161717
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent a group formed by combining an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or a combination thereof.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents the integer of 0-10.
n1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

a01は、好ましくは酸素原子又は*−O−(CHk01−CO−O−であり、ここで、k01は、好ましくは1〜4の整数であり、より好ましくは1である。La01は、より好ましくは酸素原子である。
a02、Ra03及びRa04のアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組合せた基としては、式(1)のRa1〜Ra3で挙げた基と同様の基が挙げられる。
a02、Ra03及びRa04のアルキル基の炭素数は、好ましくは6以下である。
a02、Ra03及びRa04の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは3以上8以下であり、より好ましくは3以上6以下である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた基は、これらアルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた合計炭素数が、18以下であることが好ましい。このような基としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
a02及びRa03は、好ましくは炭素数1〜6のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
a04は、好ましくは炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数5〜12の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基である。
L a01 is preferably an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k01 —CO—O—, wherein k01 is preferably an integer of 1 to 4, and more preferably 1. L a01 is more preferably an oxygen atom.
Examples of the alkyl group of R a02 , R a03, and R a04 , the alicyclic hydrocarbon group, and the group obtained by combining these include the same groups as those exemplified for R a1 to R a3 of formula (1).
Carbon number of the alkyl group of R a02 , R a03 and R a04 is preferably 6 or less.
The carbon number of the alicyclic hydrocarbon group of R a02 , R a03 and R a04 is preferably 3 or more and 8 or less, more preferably 3 or more and 6 or less.
The group in which the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group are combined preferably has a total carbon number of 18 or less in combination of the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group. Examples of such a group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, and a methylnorbornyl group.
R a02 and R a03 are preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and more preferably a methyl group or an ethyl group.
R a04 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 12 carbon atoms, more preferably a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, or an adamantyl group.

a1及びLa2は、互いに独立に、好ましくは−O−又は*−O−(CHk1’−CO−O−であり、ここで、k1’は、1〜4の整数であり、好ましくは1である。
a1及びLa2は、より好ましくは−O−である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7のアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組合せた基としては、式(1)のRa1〜Ra3で挙げた基と同様の基が挙げられる。
a6及びRa7のアルキル基の炭素数は、好ましくは6以下である。
a6及びRa7の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは3以上8以下であり、より好ましくは3以上6以下である。
m1は、好ましくは0〜3の整数であり、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数であり、より好ましくは0又は1である。
n1’は好ましくは0又は1である。
L a1 and L a2 are independently of each other preferably —O— or * —O— (CH 2 ) k1 ′ —CO—O—, wherein k1 ′ is an integer of 1 to 4, Preferably it is 1.
L a1 and L a2 are more preferably —O—.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
Examples of the alkyl group of R a6 and R a7 , the alicyclic hydrocarbon group, and the group obtained by combining these include the same groups as those exemplified for R a1 to R a3 of formula (1).
Carbon number of the alkyl group of R a6 and R a7 is preferably 6 or less.
Carbon number of the alicyclic hydrocarbon group of R a6 and R a7 is preferably 3 or more and 8 or less, more preferably 3 or more and 6 or less.
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 ′ is preferably 0 or 1.

構造単位(a1−0)としては、式(a1−0−1)〜式(a1−1−12)で表される構造単位及びこれら構造単位中のRa01に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられ、好ましくは式(a1−0−1)〜式(a1−1−10)のいずれかで表される構造単位である。

Figure 2017161717
As the structural unit (a1-0), a structural unit represented by the formula (a1-0-1) to the formula (a1-1-12) and a methyl group corresponding to R a01 in these structural units are hydrogen atoms. The substituted structural unit is mentioned, Preferably it is a structural unit represented by either of Formula (a1-0-1)-Formula (a1-1-10).
Figure 2017161717

モノマー(a1−1)としては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、下記式(a1−1−1)〜式(a1−1−8)で表されるモノマーが好ましく、式(a1−1−1)〜式(a1−1−4)で表されるモノマーがより好ましい。

Figure 2017161717
As a monomer (a1-1), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned. Among these, monomers represented by the following formulas (a1-1-1) to (a1-1-8) are preferable, and monomers represented by the formulas (a1-1-1) to (a1-1-4) are preferable. Is more preferable.
Figure 2017161717

モノマー(a1−2)としては、1−メチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−メチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘプタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロオクタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−イソプロピルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート及び1−イソプロピルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレートが挙げられる。中でも、下記式(a1−2−1)〜式(a1−2−12)で表されるモノマーが好ましく、式(a1−2−3)、式(a1−2−4)、式(a1−2−9)及び式(a1−2−10)で表されるモノマーがより好ましく、式(a1−2−3)及び式(a1−2−9)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 2017161717
As the monomer (a1-2), 1-methylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-methylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcycloheptan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclooctane-1-yl (meth) acrylate, 1-isopropylcyclopentan-1-yl (Meth) acrylate and 1-isopropylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate are mentioned. Among these, monomers represented by the following formulas (a1-2-1) to (a1-2-12) are preferable, and the formulas (a1-2-3), (a1-2-4), and (a1- 2-9) and a monomer represented by formula (a1-2-10) are more preferred, and a monomer represented by formula (a1-2-3) and formula (a1-2-9) is more preferred.
Figure 2017161717

樹脂(A1)が構造単位(a1−0)及び/又は構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂(A1)の全構造単位の合計に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   When the resin (A1) includes the structural unit (a1-0) and / or the structural unit (a1-1) and / or the structural unit (a1-2), the total content thereof is the total structure of the resin (A1). It is 10-95 mol% normally with respect to the sum total of a unit, Preferably it is 15-90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.

さらに、式(1)で表わされる基を有する構造単位(a1)としては、式(a1−3)で表される構造単位も挙げられる。式(a1−3)で表される構造単位を、構造単位(a1−3)という場合がある。また、構造単位(a1−3)を誘導するモノマーを、モノマー(a1−3)という場合がある。

Figure 2017161717
[式(a1−3)中、
a9は、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1〜3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、水素原子又は−COORa13を表す。
a13は、炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基、又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−に置き換わっていてもよい。
a10、Ra11及びRa12は、互いに独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表すか、又は、Ra12は、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、Ra10及びRa11は互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。 Furthermore, examples of the structural unit (a1) having a group represented by the formula (1) include a structural unit represented by the formula (a1-3). The structural unit represented by the formula (a1-3) may be referred to as a structural unit (a1-3). Moreover, the monomer which derives the structural unit (a1-3) may be referred to as a monomer (a1-3).
Figure 2017161717
[In the formula (a1-3),
R a9 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms which may have a hydroxy group, a carboxy group, a cyano group, a hydrogen atom, or —COOR a13 .
R a13 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a group formed by combining these, and the aliphatic hydrocarbon group and The hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, and —CH 2 — contained in the aliphatic hydrocarbon group and the alicyclic hydrocarbon group is —O—. Alternatively, it may be replaced by -CO-.
R a10 , R a11 and R a12 each independently represent a C 1-8 alkyl group, a C 3-20 alicyclic hydrocarbon group or a group formed by combining these, or, R a12 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, represent a group formed by combining these alicyclic hydrocarbon group or 3 to 20 carbon atoms, R a10 and R a11 are bonded to each other Thus, a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms is formed together with the carbon atom to which they are bonded.

ここで、−COORa13は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。 Here, -COOR a13 includes a group in which a carbonyl group is bonded to an alkoxy group such as a methoxycarbonyl group or an ethoxycarbonyl group.

a9のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2−ヒドロキシエチル基が挙げられる。
a13の炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基及びn−プロピル基が挙げられる。
a13の炭素数3〜20の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロプロピル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、1−アダマンチル−1−メチルエチル基、2−オキソ−オキソラン−3−イル基及び2−オキソ−オキソラン−4−イル基が挙げられる。
a10〜Ra12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、2−エチルヘキシル基及びn−オクチル基が挙げられる。
a10〜Ra12の脂環式炭化水素基は、単環式であってもよいし、多環式であってもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基が挙げられる。
a10及びRa11が互いに結合して、それらが結合している炭素原子とともに2価の炭化水素基を形成する場合の−C(Ra10)(Ra11)(Ra12)としては、下記の基が好ましい。

Figure 2017161717
Examples of the aliphatic hydrocarbon group which may have a hydroxyl group of Ra9 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, a hydroxymethyl group, and a 2-hydroxyethyl group.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms represented by R a13 include a methyl group, an ethyl group, and an n-propyl group.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms represented by Ra13 include a cyclopentyl group, a cyclopropyl group, an adamantyl group, an adamantylmethyl group, a 1-adamantyl-1-methylethyl group, and 2-oxo-oxolane-3- Yl group and 2-oxo-oxolan-4-yl group.
Examples of the alkyl group for R a10 to R a12 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, Examples include n-heptyl group, 2-ethylhexyl group and n-octyl group.
The alicyclic hydrocarbon group of R a10 to R a12 may be monocyclic or polycyclic, and examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopropyl group, Examples thereof include cycloalkyl groups such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cycloheptyl group, and a cyclodecyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, 2-alkyladamantan-2-yl group, 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group, norbornyl group, A methyl norbornyl group and an isobornyl group are mentioned.
As -C (R a10 ) (R a11 ) (R a12 ) in the case where R a10 and R a11 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group together with the carbon atom to which they are bonded, Groups are preferred.
Figure 2017161717

モノマー(a1−3)は、具体的には、5−ノルボルネン−2−カルボン酸−tert−ブチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−シクロヘキシル−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチルシクロヘキシル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−メチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−エチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル及び5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチルが挙げられる。   Specific examples of the monomer (a1-3) include 5-norbornene-2-carboxylic acid-tert-butyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1-cyclohexyl-1-methylethyl, and 5-norbornene-2-carboxylic acid. Acid 1-methylcyclohexyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-methyl-2-adamantyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-ethyl-2-adamantyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (4 -Methylcyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (4-hydroxycyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1-methyl-1- (4-oxo (Cyclohexyl) ethyl and 1- (1-adamantyl) -1-methyl 5-norbornene-2-carboxylate Chill, and the like.

構造単位(a1−3)を含む樹脂(A1)は、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになるため、このような樹脂(A1)を含むレジスト組成物からは、より高解像度でレジストパターンを得ることができる。また、主鎖に剛直なノルボルナン環が導入されるため、得られるレジストパターンは、ドライエッチング耐性に優れる傾向がある。   Since the resin (A1) containing the structural unit (a1-3) contains a three-dimensionally bulky structural unit, the resist composition containing such a resin (A1) can be resisted at a higher resolution. A pattern can be obtained. Further, since a rigid norbornane ring is introduced into the main chain, the resulting resist pattern tends to be excellent in dry etching resistance.

樹脂(A1)が構造単位(a1−3)を含む場合、その含有率は、樹脂(A1)の全構造単位の合計に対して、10〜95モル%であることが好ましく、15〜90モル%であることがより好ましく、20〜85モル%であることがさらに好ましい。   When resin (A1) contains structural unit (a1-3), it is preferable that the content rate is 10-95 mol% with respect to the sum total of all the structural units of resin (A1), 15-90 mol. % Is more preferable, and 20 to 85 mol% is still more preferable.

基(2)で表される基を有する構造単位(a1)としては、式(a1−4)で表される構造単位(以下、「構造単位(a1−4)」という場合がある。)が挙げられる。

Figure 2017161717
[式(a1−4)中、
a32は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a33は、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。
a34及びRa35は、互いに独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表す。
a36は、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の炭化水素基を表す。Ra35及びRa36は互いに結合してそれらが結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3〜20の2価の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該2価の複素環基に含まれる−CH−は、−O−又は−S−で置き換わってもよい。
laは、0〜4の整数を表す。] As the structural unit (a1) having a group represented by the group (2), a structural unit represented by the formula (a1-4) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a1-4)”). Can be mentioned.
Figure 2017161717
[In the formula (a1-4),
R a32 represents a hydrogen atom or a methyl group independently of each other.
R a33 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.
R a34 and R a35 are independently of each other, represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
R a36 represents an optionally substituted hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R a35 and R a36 are bonded to each other to form a divalent heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms together with the carbon and oxygen atoms to which they are attached, contained in the heterocyclic group of the hydrocarbon group and the divalent more -CH 2 - may be replaced by -O- or -S-.
la represents an integer of 0 to 4. ]

a34及びRa35は、式(2)のRa1’及びRa2’と同様の基が挙げられる。
a36としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基及びこれらを組合せることにより形成される基が挙げられる。
a36の炭化水素基の置換基としては、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基、ハロゲン原子、炭素数6〜10のアリールオキシ等が挙げられる。
R a34 and R a35 include the same groups as R a1 'and R a2' of formula (2).
R a36 includes an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, and a group formed by combining these. Can be mentioned.
Examples of the substituent for the hydrocarbon group of Ra36 include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, and aryloxy having 6 to 10 carbon atoms.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、p−メチルフェニルオキシ基、p−tert−ブチルフェニルオキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、2,6−ジエチルフェニルオキシ基、2−メチル−6−エチルフェニルオキシ基等が挙げられる。
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
As the aryloxy group, phenyloxy group, naphthyloxy group, p-methylphenyloxy group, p-tert-butylphenyloxy group, tolyloxy group, xylyloxy group, 2,6-diethylphenyloxy group, 2-methyl-6 -An ethylphenyloxy group etc. are mentioned.

式(a1−4)において、Ra32としては、水素原子が好ましい。
a33としては、炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
laとしては、0又は1が好ましく、0がより好ましい。
a34は、好ましくは水素原子である。
a35は、好ましくは炭素数1〜12の炭化水素基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
a36の炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基であり、より好ましくは炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式脂肪族炭化水素基又は炭素数7〜18のアラルキル基である。
a36におけるアルキル基及び脂環式炭化水素基は、無置換であることが好ましい。
a36における芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基としては炭素数6〜10のアリールオキシ基が好ましい。
In formula (a1-4), R a32 is preferably a hydrogen atom.
R a33 is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methoxy group and an ethoxy group, and further preferably a methoxy group.
As la, 0 or 1 is preferable, and 0 is more preferable.
R a34 is preferably a hydrogen atom.
R a35 is preferably a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and more preferably a methyl group or an ethyl group.
The hydrocarbon group for Ra36 is preferably an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, or a combination thereof. It is a group to be formed, more preferably an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic aliphatic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms.
The alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group in R a36 are preferably unsubstituted.
When the aromatic hydrocarbon group in R a36 has a substituent, the substituent is preferably an aryloxy group having 6 to 10 carbon atoms.

構造単位(a1−4)を導くモノマーとしては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式(a1−4−1)〜式(a1−4−18)で表されるモノマーが好ましく、式(a1−4−1)〜式(a1−4−5)で表されるモノマーがより好ましい。

Figure 2017161717
Examples of the monomer that leads to the structural unit (a1-4) include monomers described in JP 2010-204646 A. Especially, the monomer represented by Formula (a1-4-1)-Formula (a1-4-18) is preferable, and the monomer represented by Formula (a1-4-1)-Formula (a1-4-5) is preferable. More preferred.
Figure 2017161717

樹脂(A1)が、構造単位(a1−4)を有する場合、その含有率は、樹脂(A1)の全構造単位の合計に対して、10〜95モル%であることが好ましく、15〜90モル%であることがより好ましく、20〜85モル%であることがさらに好ましい。   When resin (A1) has a structural unit (a1-4), it is preferable that the content rate is 10-95 mol% with respect to the sum total of all the structural units of resin (A1), 15-90. More preferably, it is mol%, and further preferably 20-85 mol%.

式(2)で表される基を有する(メタ)アクリル系モノマーに由来する構造単位としては、式(a1−5)で表される構造単位(以下「構造単位(a1−5)」という場合がある)も挙げられる。

Figure 2017161717
[式(a1−5)中、
a8は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
a1は、単結合又は*−(CHh3−CO−L54−を表し、h3は1〜4の整数を表し、*は、L51との結合手を表す。
51〜L54は、互いに独立に、炭素原子、−O−又は−S−を表す。ただし、L51及びL54の少なくとも一方は酸素原子である。
s1は、1〜3の整数を表す。s1’は、0〜3の整数を表す。] As a structural unit derived from a (meth) acrylic monomer having a group represented by the formula (2), a structural unit represented by the formula (a1-5) (hereinafter referred to as “structural unit (a1-5)”) Is also included).
Figure 2017161717
[In the formula (a1-5),
R a8 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
Z a1 represents a single bond or * — (CH 2 ) h 3 —CO—L 54 —, h 3 represents an integer of 1 to 4, and * represents a bond to L 51 .
L 51 to L 54 each independently represent a carbon atom, —O— or —S—. However, at least one of L 51 and L 54 is an oxygen atom.
s1 represents an integer of 1 to 3. s1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

ハロゲン原子としては、フッ素原子及び塩素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子が挙げられる。ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、フルオロメチル基及びトリフルオロメチル基が挙げられる。
式(a1−5)においては、Ra8は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であることが好ましい。
51は、酸素原子であることが好ましい。
52及びL53のうち、一方が−O−であり、他方が−S−であることが好ましい。
s1は、1であることが好ましい。
s1’は、0〜2の整数であることが好ましい。
a1は、単結合又は*−CH−CO−O−であることが好ましい。
As a halogen atom, a fluorine atom and a chlorine atom are mentioned, Preferably a fluorine atom is mentioned. Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a fluoromethyl group and a trifluoromethyl group. Groups.
In formula (a1-5), R a8 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
L 51 is preferably an oxygen atom.
One of L 52 and L 53 is preferably —O—, and the other is preferably —S—.
s1 is preferably 1.
It is preferable that s1 'is an integer of 0-2.
Z a1 is preferably a single bond or * —CH 2 —CO—O—.

構造単位(a1−5)を導くモノマーとしては、例えば、特開2010−61117号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式(a1−5−1)〜式(a1−5−7)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a1−5−1)又は式(a1−5−3)で表されるモノマーがより好ましい。

Figure 2017161717
As a monomer which introduce | transduces structural unit (a1-5), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-61117 is mentioned, for example. Among these, monomers represented by formulas (a1-5-1) to (a1-5-7) are preferable, and monomers represented by formula (a1-5-1) or formula (a1-5-3) are preferable. Is more preferable.
Figure 2017161717

樹脂(A)が、構造単位(a1−5)を有する場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位の合計に対して、1〜50モル%であることが好ましく、3〜45モル%であることがより好ましく、5〜40モル%であることがさらに好ましい。   When resin (A) has a structural unit (a1-5), it is preferable that the content rate is 1-50 mol% with respect to the sum total of all the structural units of resin (A), 3-45 It is more preferable that it is mol%, and it is further more preferable that it is 5-40 mol%.

〈酸不安定基を有さない構造単位〉
構造単位(s)は、酸不安定基を有さないモノマー(以下「モノマー(s)」という場合がある)から導かれる。モノマー(s)としては、レジスト分野で公知の酸不安定基を有さないモノマーが挙げられる。好ましい構造単位は、ヒドロキシ基又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位である。ヒドロキシ基を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位(以下「構造単位(a2)」という場合がある)及び/又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位(以下「構造単位(a3)」という場合がある。)を有する樹脂を含むレジスト組成物から、解像度及び基板との密着性がより向上したレジストパターンを形成することができる。
<Structural unit without acid labile group>
The structural unit (s) is derived from a monomer having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “monomer (s)”). Examples of the monomer (s) include monomers having no acid labile group, which are well known in the resist field. Preferred structural units are structural units having a hydroxy group or a lactone ring and having no acid labile group. A structure having a hydroxy group and having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a2)”) and / or a lactone ring and having no acid labile group From a resist composition containing a resin having a unit (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a3)”), a resist pattern with improved resolution and adhesion to the substrate can be formed.

〈構造単位(a2)〉
構造単位(a2)が有するヒドロキシ基は、アルコール性ヒドロキシ基でも、フェノール性ヒドロキシ基でもよい。構造単位(a2)としては、1種を単独で含んでいてもよく、2種以上を含んでいてもよい。
<Structural unit (a2)>
The hydroxy group contained in the structural unit (a2) may be an alcoholic hydroxy group or a phenolic hydroxy group. As a structural unit (a2), 1 type may be included independently and 2 or more types may be included.

フェノール性ヒドロキシ基有する構造単位(a2)としては、式(a2−0)で表される構造単位(以下「構造単位(a2−0)」という場合がある。)が挙げられる。   Examples of the structural unit (a2) having a phenolic hydroxy group include a structural unit represented by the formula (a2-0) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a2-0)”).

Figure 2017161717
[式(a2−0)中、
a30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基を表す。
a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
maは0〜4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は互いに同一であっても異なってもよい。]
Figure 2017161717
[In the formula (a2-0),
R a30 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom.
R a31 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyloxy group, or Represents a methacryloyloxy group.
ma represents an integer of 0 to 4. When ma is an integer of 2 or more, the plurality of R a31 may be the same as or different from each other. ]

a30のハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,1−トリフルオロエチル基、1,1,2,2−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,1,2,2−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,1,2,2,3,3,4,4−ノナフルオロペンチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
a30としては、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
a31のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられ、好ましくは炭素数1〜4のアルコキシ基が挙げられ、より好ましくはメトキシ基又はエトキシ基が挙げられ、されに好ましくはメトキシ基が挙げられる。
a31のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
a31のアシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。
maとしては、0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0がさらに好ましい。
Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom of R a30 include a trifluoromethyl group, a difluoromethyl group, a methyl group, a perfluoroethyl group, a 1,1,1-trifluoroethyl group, 1 , 1,2,2-tetrafluoroethyl group, ethyl group, perfluoropropyl group, 1,1,1,2,2-pentafluoropropyl group, propyl group, perfluorobutyl group, 1,1,2,2,3 , 3,4,4-octafluorobutyl group, butyl group, perfluoropentyl group, 1,1,1,2,2,3,3,4,4-nonafluoropentyl group, n-pentyl group, n-hexyl Group, n-perfluorohexyl group and the like.
R a30 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, and even more preferably a hydrogen atom or a methyl group.
Examples of the alkoxy group for R a31 include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group, preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methoxy group or an ethoxy group. In addition, a methoxy group is preferable.
Examples of the acyl group for R a31 include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the acyloxy group for R a31 include an acetyloxy group, a propionyloxy group, and a butyryloxy group.
As ma, 0, 1 or 2 is preferable, 0 or 1 is more preferable, and 0 is more preferable.

構造単位(a2−0)を誘導するモノマーとしては、例えば、特開2010−204634号公報に記載されているモノマーが挙げられる。
中でも、構造単位(a2−0)としては、式(a2−0−1)、式(a2−0−2)、式(a2−0−3)及び式(a2−0−4)でそれぞれ表されるものが好ましく、式(a2−0−1)又は式(a2−0−2)で表される構造単位がより好ましい。
Examples of the monomer that derives the structural unit (a2-0) include monomers described in JP 2010-204634 A.
Among them, the structural unit (a2-0) is represented by formula (a2-0-1), formula (a2-0-2), formula (a2-0-3), and formula (a2-0-4), respectively. The structural unit represented by the formula (a2-0-1) or the formula (a2-0-2) is more preferable.

Figure 2017161717
Figure 2017161717

構造単位(a2−0)を含む樹脂(A1)は、構造単位(a2−0)を誘導するモノマーが有するフェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したモノマーを用いて重合反応を行い、その後脱保護処理することにより製造できる。ただし、脱保護処理を行う際には、構造単位(a1)が有する酸不安定基を著しく損なわないようにして行う必要がある。このような保護基としては、アセチル基等が挙げられる。   The resin (A1) containing the structural unit (a2-0) is subjected to a polymerization reaction using a monomer in which the phenolic hydroxy group of the monomer that derives the structural unit (a2-0) is protected with a protective group, and then deprotected It can be manufactured by processing. However, when the deprotection treatment is performed, the acid labile group of the structural unit (a1) needs to be not significantly impaired. Examples of such protecting groups include acetyl groups.

樹脂(A1)が、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2−0)を有する場合、その含有率は、樹脂(A1)の全構造単位の合計に対して、5〜95モル%であることが好ましく、10〜80モル%であることがより好ましく、15〜80モル%であることがさらに好ましい。   When the resin (A1) has a structural unit (a2-0) having a phenolic hydroxy group, the content is 5 to 95 mol% with respect to the total of all the structural units of the resin (A1). Is preferable, it is more preferable that it is 10-80 mol%, and it is further more preferable that it is 15-80 mol%.

アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2)としては、式(a2−1)で表される構造単位(以下「構造単位(a2−1)」という場合がある。)が挙げられる。

Figure 2017161717
[式(a2−1)中、
a3は、−O−又は*−O−(CHk2−CO−O−を表し、k2は、1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a14は、水素原子又はメチル基を表す。
a15及びRa16は、互いに独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。] Examples of the structural unit (a2) having an alcoholic hydroxy group include a structural unit represented by the formula (a2-1) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a2-1)”).
Figure 2017161717
[In the formula (a2-1),
L a3 represents —O— or * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—, and k2 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10. ]

式(a2−1)では、La3は、好ましくは−O−、−O−(CHf1−CO−O−であり(前記f1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
a14は、好ましくはメチル基である。
a15は、好ましくは水素原子である。
a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数であり、より好ましくは0又は1である。
In formula (a2-1), L a3 is preferably —O—, —O— (CH 2 ) f1 —CO—O— (wherein f1 is an integer of 1 to 4), more preferably -O-.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

構造単位(a2−1)を誘導するモノマーとしては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式(a2−1−1)〜式(a2−1−6)のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式(a2−1−1)〜式(a2−1−4)のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式(a2−1−1)又は式(a2−1−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。   Examples of the monomer that derives the structural unit (a2-1) include monomers described in JP 2010-204646 A. Among these, a monomer represented by any one of the formulas (a2-1-1) to (a2-1-6) is preferable, and any one of the formulas (a2-1-1) to (a2-1-4) is preferable. Is more preferable, and a monomer represented by the formula (a2-1-1) or the formula (a2-1-3) is more preferable.

Figure 2017161717
Figure 2017161717

樹脂(A1)が構造単位(a2−1)を含む場合、その含有率は、樹脂(A1)の全構造単位の合計に対して、通常1〜45モル%であり、好ましくは1〜40モル%であり、より好ましくは1〜35モル%であり、さらに好ましくは2〜20モル%である。   When the resin (A1) contains the structural unit (a2-1), the content is usually 1 to 45 mol%, preferably 1 to 40 mol, based on the total of all the structural units of the resin (A1). %, More preferably 1 to 35 mol%, and still more preferably 2 to 20 mol%.

〈構造単位(a3)〉
構造単位(a3)が有するラクトン環は、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。該ラクトン間としては、好ましくはγ−ブチロラクトン環又はγ−ブチロラクトン環構造を含む橋かけ環が挙げられる。
<Structural unit (a3)>
The lactone ring of the structural unit (a3) may be a monocycle such as a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring, or a condensed ring of a monocyclic lactone ring and another ring. But you can. Among the lactones, a bridged ring including a γ-butyrolactone ring or a γ-butyrolactone ring structure is preferable.

構造単位(a3)は、好ましくは、式(a3−1)、式(a3−2)、式(a3−3)又は式(a3−4)で表される構造単位である。これらの1種を単独で含有してもよく、2種以上を含有してもよい。

Figure 2017161717
[式(a3−1)中、
a4は、−O−又は*−O−(CHk3−CO−O−(k3は1〜7の整数を表す。)で表される基を表す。*はカルボニル基との結合手を表す。
a18は、水素原子又はメチル基を表す。
a21は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す。
p1は、0〜5の整数を表す。p1が2以上のとき、複数のRa21は互いに同一であっても異なってもよい。
式(a3−2)中、
a5は、−O−又は*−O−(CHk3−CO−O−(k3は1〜7の整数を表す。)で表される基を表す。*はカルボニル基との結合手を表す。
a19は、水素原子又はメチル基を表す。
a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す。
q1は、0〜3の整数を表す。q1が2以上のとき、複数のRa22は互いに同一であっても異なってもよい。
式(a3−3)中、
a6は、−O−又は*−O−(CHk3−CO−O−(k3は1〜7の整数を表す。)で表される基を表す。*はカルボニル基との結合手を表す。
a20は、水素原子又はメチル基を表す。
a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す。
r1は、0〜3の整数を表す。
式(a3−4)中、
a24は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
a25は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す。
a7は、単結合、−La8−O−、−La8−CO−O−、−La8−CO−O−La9−CO−O−又は−La8−O−CO−La9−O−を表す。
*は−O−との結合手を表す。
a8及びLa9は、互いに独立に、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
w1は、0〜8の整数を表す。w1が2以上のとき、複数のRa25は互いに同一であってもよく、異なってもよい。] The structural unit (a3) is preferably a structural unit represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2), the formula (a3-3), or the formula (a3-4). These 1 type may be contained independently and 2 or more types may be contained.
Figure 2017161717
[In the formula (a3-1),
L a4 represents a group represented by —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— (k3 represents an integer of 1 to 7). * Represents a bond with a carbonyl group.
R a18 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
p1 represents an integer of 0 to 5. When p1 is 2 or more, the plurality of R a21 may be the same as or different from each other.
In formula (a3-2),
L a5 represents a group represented by —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— (k3 represents an integer of 1 to 7). * Represents a bond with a carbonyl group.
R a19 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a22 represents a carboxy group, a cyano group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
q1 represents an integer of 0 to 3. When q1 is 2 or more, the plurality of R a22 may be the same as or different from each other.
In formula (a3-3),
L a6 represents a group represented by —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— (k3 represents an integer of 1 to 7). * Represents a bond with a carbonyl group.
R a20 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a23 represents a carboxy group, a cyano group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
r1 represents an integer of 0 to 3.
In formula (a3-4),
R a24 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom, or a halogen atom.
R a25 represents a carboxy group, a cyano group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
L a7 is a single bond, * —L a8 —O—, * —L a8 —CO—O—, * —L a8 —CO—O—L a9 —CO—O— or * —L a8 —O—CO -La9- O- is represented.
* Represents a bond with -O-.
L a8 and L a9 each independently represent an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
w1 represents an integer of 0 to 8. When w1 is 2 or more, the plurality of R a25 may be the same as or different from each other. ]

a21等の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基が挙げられる。
a24のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
a24のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基及びn−ヘキシル基等が挙げられ、好ましくは炭素数1〜4のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
a24のハロゲン原子を有するアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリヨードメチル基等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group such as R a21 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, and a tert-butyl group.
Examples of the halogen atom for R a24 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
Examples of the alkyl group for R a24 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, and n-hexyl group. , Preferably it is a C1-C4 alkyl group, More preferably, it is a methyl group or an ethyl group.
Examples of the alkyl group having a halogen atom of R a24 include trifluoromethyl group, perfluoroethyl group, perfluoropropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutyl group, perfluorosec-butyl group, perfluorotert-butyl group, perfluoropentyl group, perfluoro group. A hexyl group, a trichloromethyl group, a tribromomethyl group, a triiodomethyl group, etc. are mentioned.

a8及びLa9のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基及び2−メチルブタン−1,4−ジイル基等が挙げられる。 Examples of the alkanediyl group represented by L a8 and L a9 include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, a butane-1,4-diyl group, and a pentane-1,5. -Diyl group, hexane-1,6-diyl group, butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1, 4-diyl group, 2-methylbutane-1,4-diyl group, etc. are mentioned.

式(a3−1)〜式(a3−3)において、La4〜La6は、互いに独立に、好ましくは−O−又は、k3が1〜4の整数である*−O−(CHk3−CO−O−で表される基であり、より好ましくは−O−及び、*−O−CH−CO−O−であり、さらに好ましくは酸素原子である。
a18〜Ra21は、好ましくはメチル基である。
a22及びRa23は、互いに独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1、q1及びr1は、互いに独立に、好ましくは0〜2の整数であり、より好ましくは0又は1である。
In formula (a3-1) to formula (a3-3), L a4 to L a6 are independently of each other preferably —O— or k 3 is an integer of 1 to 4 * —O— (CH 2 ). a group represented by k 3 —CO—O—, more preferably —O— and * —O—CH 2 —CO—O—, and still more preferably an oxygen atom.
R a18 to R a21 are preferably methyl groups.
R a22 and R a23 are independently of each other preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1, q1 and r1 are independently of each other preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1.

式(a3−4)において、
a24は、好ましくは、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基であり、より好ましくは、水素原子、メチル基又はエチル基であり、さらに好ましくは、水素原子又はメチル基である。
a7は、好ましくは、単結合又は−La8−CO−O−であり、より好ましくは、単結合、−CH2−CO−O−又は−C24−CO−O−である。
In formula (a3-4),
R a24 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, and still more preferably a hydrogen atom or a methyl group.
L a7 is preferably a single bond or * -L a8 —CO—O—, and more preferably a single bond, —CH 2 —CO—O— or —C 2 H 4 —CO—O—. .

構造単位(a3)を導くモノマーとしては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマー、特開2000−122294号公報に記載されたモノマー、特開2012−41274号公報に記載されたモノマーが挙げられる。構造単位(a3)としては、式(a3−1−1)〜式(a3−1−4)、式(a3−2−1)〜式(a3−2−4)、式(a3−3−1)〜式(a3−3−4)及び式(a3−4−1)〜式(a3−4−12)のいずれかで表される構造単位が好ましく、式(a3−1−1)、式(a3−1−2)、式(a3−2−3)〜式(a3−2−4)及び式(a3−4−1)〜式(a3−4−12)のいずれかで表される構造単位がより好ましく、式(a3−4−1)〜式(a3−4−12)のいずれかで表される構造単位がさらに好ましく、式(a3−4−1)〜式(a3−4−6)のいずれかで表される構造単位がさらにより好ましい。   As monomers for deriving the structural unit (a3), monomers described in JP 2010-204646 A, monomers described in JP 2000-122294 A, monomers described in JP 2012-41274 A are listed. Can be mentioned. As the structural unit (a3), formula (a3-1-1) to formula (a3-1-4), formula (a3-2-1) to formula (a3-2-4), formula (a3-3) 1) to a structural unit represented by any one of the formula (a3-3-4) and the formula (a3-4-1) to the formula (a3-4-12), the formula (a3-1-1), It is represented by any one of formula (a3-1-2), formula (a3-2-3) to formula (a3-2-4) and formula (a3-4-1) to formula (a3-4-12) The structural unit represented by any one of formulas (a3-4-1) to (a3-4-12) is more preferred, and the structural unit represented by formula (a3-4-1) to formula (a3- The structural unit represented by any one of 4-6) is even more preferable.

Figure 2017161717
Figure 2017161717

Figure 2017161717
Figure 2017161717

以下の式(a3−4−1)〜式(a3−4−12)で表される構造単位においては、Ra24に相当するメチル基が水素原子に置き換わった化合物も、構造単位(a3−4)の具体例として挙げることができる。

Figure 2017161717
In the structural units represented by the following formulas (a3-4-1) to (a3-4-12), compounds in which the methyl group corresponding to R a24 is replaced with a hydrogen atom are also structural units (a3-4). ).
Figure 2017161717

樹脂(A1)が構造単位(a3)を含む場合、その含有率は、樹脂(A1)の全構造単位の合計に対して、通常5〜70モル%であり、好ましくは10〜65モル%であり、より好ましくは10〜60モル%である。
また、構造単位(a3−1)、構造単位(a3−2)及び構造単位(a3−3)の含有率は、互いに独立に、樹脂(A1)の全構造単位の合計に対して、5〜60モル%であることが好ましく、5〜50モル%であることがより好ましく、10〜50モル%であることがさらに好ましい。
When the resin (A1) includes the structural unit (a3), the content is usually 5 to 70 mol%, preferably 10 to 65 mol%, based on the total of all the structural units of the resin (A1). Yes, more preferably 10 to 60 mol%.
Moreover, the content rate of a structural unit (a3-1), a structural unit (a3-2), and a structural unit (a3-3) is 5 to 5 with respect to the sum total of all the structural units of resin (A1) mutually independently. It is preferably 60 mol%, more preferably 5 to 50 mol%, and even more preferably 10 to 50 mol%.

構造単位(s)を導くモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、スチレン、α−メチルスチレン、4-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3−メチルスチレン、4−メトキシスチレン、4−イソプロポキシスチレン等であってもよい。   As monomers for deriving the structural unit (s), acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, styrene, α-methylstyrene, 4-methylstyrene, It may be 2-methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-methoxystyrene, 4-isopropoxystyrene and the like.

樹脂(A1)は、アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位(中でも、構造単位(a1−1))を、構造単位(a1)の含有量に対して15モル%以上含有していることが好ましい。アダマンチル基を有する構造単位の含有量が増えると、レジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。   The resin (A1) contains a structural unit derived from a monomer having an adamantyl group (in particular, the structural unit (a1-1)) in an amount of 15 mol% or more based on the content of the structural unit (a1). preferable. When the content of the structural unit having an adamantyl group is increased, the dry etching resistance of the resist pattern is improved.

樹脂(A1)を構成する各構造単位は、1種のみ又は2種以上を組合せて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。樹脂(A1)が有する各構造単位の含有率は、重合に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂(A1)の重量平均分子量は、好ましくは2,000以上(より好ましくは2,500以上、さらに好ましくは3,000以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下、さらに好ましくは15,000以下)である。
本明細書において、重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーは、実施例に記載の分析条件により測定することができる。
Each structural unit constituting the resin (A1) may be used alone or in combination of two or more, and is produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) using a monomer that derives these structural units. can do. The content rate of each structural unit which resin (A1) has can be adjusted with the usage-amount of the monomer used for superposition | polymerization.
The weight average molecular weight of the resin (A1) is preferably 2,000 or more (more preferably 2,500 or more, more preferably 3,000 or more), 50,000 or less (more preferably 30,000 or less, and even more preferably 15,000 or less).
In this specification, the weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography. Gel permeation chromatography can be measured by the analytical conditions described in the examples.

<樹脂(A2)>
酸不安定基を有する構造単位を含まない樹脂(A2)としては、構造単位(a2)、構造単位(a3)、構造単位(a5)及びその他の公知のモノマーに由来する構造単位が挙げられる。
樹脂(A2)の重量平均分子量は、好ましくは5,000以上(より好ましくは6,000以上)、80,000以下(より好ましくは60,000以下)である。
本発明のレジスト組成物が樹脂(A2)を含む場合、その含有量は、樹脂(A1)100質量部に対して、好ましくは1〜60質量部であり、より好ましくは1〜50質量部であり、さらに好ましくは2〜40質量部であり、とりわけ好ましくは2〜30質量部である。
<Resin (A2)>
Examples of the resin (A2) that does not contain a structural unit having an acid labile group include the structural unit (a2), the structural unit (a3), the structural unit (a5), and structural units derived from other known monomers.
The weight average molecular weight of the resin (A2) is preferably 5,000 or more (more preferably 6,000 or more) and 80,000 or less (more preferably 60,000 or less).
When the resist composition of this invention contains resin (A2), the content becomes like this. Preferably it is 1-60 mass parts with respect to 100 mass parts of resin (A1), More preferably, it is 1-50 mass parts. Yes, more preferably 2 to 40 parts by mass, particularly preferably 2 to 30 parts by mass.

樹脂(A1)と樹脂(A2)との合計含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、10質量%以上50質量%以下であることが好ましく、20質量%以上45質量%以下であることがより好ましい。レジスト組成物の固形分及びこれに対する樹脂の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。   The total content of the resin (A1) and the resin (A2) is preferably 10% by mass or more and 50% by mass or less, and more preferably 20% by mass or more and 45% by mass or less with respect to the solid content of the resist composition. It is more preferable. The solid content of the resist composition and the resin content relative thereto can be measured by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

<酸発生剤(B)>
酸発生剤は、露光により酸を発生し、発生した酸が、触媒的に働き、樹脂(A1)の酸により脱離する基を脱離させる。
酸発生剤として、具体的には、オニウム塩(例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩)、有機ハロゲン化合物(特に、ハロアルキル−s−トリアジン化合物)、ジアゾメタンジスルホニル骨格を有する化合物、芳香族基を有するジスルホン系化合物、スルホン系化合物、オルトキノンジアジド化合物、スルホン酸エステル系化合物(例えば、芳香族基を有する化合物のスルホン酸エステル、N−ヒドロキシイミドのスルホン酸エステル)などが挙げられる。これらは、1種を単独で含んでいてもよく、2種以上を含んでいてもよい。例えば、
ジフェニルヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−メトキシフェニルフェニルヨードニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
4−メトキシフェニルフェニルヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、
ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム テトラフルオロボレート、
ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロホスフェート、
ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、
<Acid generator (B)>
The acid generator generates an acid upon exposure, and the generated acid acts catalytically to desorb a group that is eliminated by the acid of the resin (A1).
Specific examples of the acid generator include onium salts (for example, sulfonium salts and iodonium salts), organic halogen compounds (in particular, haloalkyl-s-triazine compounds), compounds having a diazomethane disulfonyl skeleton, and disulfones having an aromatic group. Compounds, sulfone compounds, orthoquinone diazide compounds, sulfonate ester compounds (for example, sulfonate esters of compounds having an aromatic group, sulfonate esters of N-hydroxyimide), and the like. These may contain 1 type independently and may contain 2 or more types. For example,
Diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate,
4-methoxyphenylphenyliodonium hexafluoroantimonate,
4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoromethanesulfonate,
Bis (4-tert-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate,
Bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate,
Bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluoroantimonate,
Bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate,

トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、
トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
p−トリルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
2,4,6−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、
4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
Triphenylsulfonium hexafluorophosphate,
Triphenylsulfonium hexafluoroantimonate,
Triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate,
4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluoroantimonate,
4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate,
p-tolyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate,
2,4,6-trimethylphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate,
4-tert-butylphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate,
4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphate,
4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium hexafluoroantimonate,
1- (2-naphthoylmethyl) thiolanium hexafluoroantimonate,
1- (2-naphthoylmethyl) thiolanium trifluoromethanesulfonate,
4-hydroxy-1-naphthyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate,
4-hydroxy-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate,

2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−フェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−メトキシ−1−ナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(ベンゾ[d][1,3]ジオキソラン−5−イル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(3,4,5−トリメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(3,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(2,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(2−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−ブトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−ペンチルオキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2-methyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2,4,6-tris (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2-phenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2- (4-chlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2- (4-methoxy-1-naphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2- (benzo [d] [1,3] dioxolan-5-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2- (4-methoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2- (3,4,5-trimethoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2- (3,4-dimethoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2- (2,4-dimethoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2- (2-methoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2- (4-butoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
2- (4-pentyloxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine,

1−ベンゾイル−1−フェニルメチル p−トルエンスルホネート(通称ベンゾイントシレート)、
2−ベンゾイル−2−ヒドロキシ−2−フェニルエチル p−トルエンスルホネート(通称α−メチロールベンゾイントシレート)、
1,2,3−ベンゼントリイル トリスメタンスルホネート、
2,6−ジニトロベンジル p−トルエンスルホネート、
2−ニトロベンジル p−トルエンスルホネート、
4−ニトロベンジル p−トルエンスルホネート、
1-benzoyl-1-phenylmethyl p-toluenesulfonate (commonly known as benzoin tosylate),
2-benzoyl-2-hydroxy-2-phenylethyl p-toluenesulfonate (commonly known as α-methylol benzoin tosylate),
1,2,3-benzenetriyl trismethanesulfonate,
2,6-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate,
2-nitrobenzyl p-toluenesulfonate,
4-nitrobenzyl p-toluenesulfonate,

ジフェニル ジスルホン、
ジ−p−トリル ジスルホン、
ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(4−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(4−tert−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、
(ベンゾイル)(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、
Diphenyl disulfone,
Di-p-tolyl disulfone,
Bis (phenylsulfonyl) diazomethane,
Bis (4-chlorophenylsulfonyl) diazomethane,
Bis (p-tolylsulfonyl) diazomethane,
Bis (4-tert-butylphenylsulfonyl) diazomethane,
Bis (2,4-xylylsulfonyl) diazomethane,
Bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane,
(Benzoyl) (phenylsulfonyl) diazomethane,

N−(フェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミド、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフタルイミド、
N−(10−カンファースルホニルオキシ)ナフタルイミドなど。
N- (phenylsulfonyloxy) succinimide,
N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide,
N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide,
N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -5-norbornene-2,3-dicarboximide,
N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthalimide,
N- (10-camphorsulfonyloxy) naphthalimide and the like.

酸発生剤(B)の含有量は、樹脂(A1)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは2質量部以上であり、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは35質量部以下である。   The content of the acid generator (B) is preferably 1 part by mass or more, more preferably 2 parts by mass or more, preferably 30 parts by mass or less, with respect to 100 parts by mass of the resin (A1). More preferably, it is 35 parts by mass or less.

<溶剤(E)>
溶剤(E)の含有率は、通常レジスト組成物中50質量%以上であり、好ましくは60質量%以上である。また、通常99.9質量%以下であり、好ましくは99質量%以下であり、より好ましくは75質量%以下であり、さらに好ましくは73質量%以下である。溶剤(E)の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
<Solvent (E)>
The content rate of a solvent (E) is 50 mass% or more normally in a resist composition, Preferably it is 60 mass% or more. Moreover, it is 99.9 mass% or less normally, Preferably it is 99 mass% or less, More preferably, it is 75 mass% or less, More preferably, it is 73 mass% or less. The content rate of a solvent (E) can be measured by well-known analysis means, such as a liquid chromatography or a gas chromatography.

溶剤(E)としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤;乳酸エチル、及びピルビン酸エチル等のエステル溶剤;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン溶剤;γ−ブチロラクトン等の環状エステル溶剤;酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸ヘキシル等の酢酸エステル溶剤;プロピオン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸アミル、プロピオン酸ヘキシル等のプロピオン酸エステル溶剤;酪酸エチル、酪酸メチル、酪酸プロピル、酪酸ブチル、酪酸アミル、酪酸ヘキシル等の酪酸エステル溶剤;等が挙げられる。溶剤(E)は、1種を単独で含有してもよいが、2種以上を含有していることが好ましい。   As the solvent (E), glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ether solvents such as propylene glycol monomethyl ether; ester solvents such as ethyl lactate and ethyl pyruvate; acetone Ketone solvents such as methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic ester solvents such as γ-butyrolactone; acetate solvents such as ethyl acetate, methyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, amyl acetate and hexyl acetate; ethyl propionate , Propionate solvents such as methyl propionate, propyl propionate, butyl propionate, amyl propionate, hexyl propionate; ethyl butyrate, methyl butyrate And the like; Le, propyl butyrate, butyl butyrate, pentyl butyrate, butyrate solvent such as butyric acid hexyl. The solvent (E) may contain one kind alone, but preferably contains two or more kinds.

特に、溶剤(E)としては、蒸発速度が速く、粘度の低いものが好ましく、酢酸エステル類、プロピオン酸エステル類及び/又は酪酸エステル類が好ましい。中でも、酢酸エステル類が好ましい。
酢酸エステルの含有量は、全溶剤に対して、40質量%以上であることが好ましく、45質量%以上であることがより好ましく、60質量%以下であることが好ましく、57質量%以下であることがより好ましい。とりわけ、酢酸ブチルの含有量が、40質量%以上であることが好ましく、45質量%以上であることがより好ましい。
In particular, as the solvent (E), those having a high evaporation rate and a low viscosity are preferable, and acetic acid esters, propionic acid esters and / or butyric acid esters are preferable. Of these, acetates are preferable.
The content of acetate is preferably 40% by mass or more, more preferably 45% by mass or more, and preferably 60% by mass or less, and 57% by mass or less, based on the total solvent. It is more preferable. In particular, the content of butyl acetate is preferably 40% by mass or more, and more preferably 45% by mass or more.

このように、比較的蒸発速度が速く、粘度の低い溶剤(E)を用いることにより、ハンドリング性を向上させることができる。また、低粘度である場合には、レジスト組成物の成膜時に使用する装置及び部品に粘度に起因する負荷を低減することができるために、簡便かつ容易に成膜することができるとともに、装置及び部品等の損傷及び磨耗等を回避することができる。さらに、程度な蒸発速度を有するために、順次の溶剤の蒸発を防止して、成膜の際に均一にレジスト組成物を塗工することが可能となる。   Thus, handling property can be improved by using the solvent (E) having a relatively high evaporation rate and low viscosity. In addition, when the viscosity is low, it is possible to reduce the load caused by the viscosity on the apparatus and parts used at the time of film formation of the resist composition. In addition, damage and wear of parts and the like can be avoided. Furthermore, since it has a moderate evaporation rate, it is possible to prevent the sequential evaporation of the solvent and to apply the resist composition uniformly during film formation.

<クエンチャー(C)>
クエンチャー(C)は、塩基性の含窒素有機化合物又は酸発生剤(B)から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩等が挙げられる。
塩基性の含窒素有機化合物としては、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。
<Quencher (C)>
Examples of the quencher (C) include a salt that generates an acid having a weaker acidity than a basic nitrogen-containing organic compound or an acid generated from the acid generator (B).
Examples of the basic nitrogen-containing organic compound include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines.

アミンとしては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン、ピペラジン、モルホリン、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物、イミダゾール、4−メチルイミダゾール、ピリジン、4−メチルピリジン、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、より好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   Examples of the amine include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N-dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, Heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tripentylamine, trihexylamine, tri Heptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyldihexylamine, Rudicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonylamine, ethyl Didecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2-diphenylethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-diethyldiphenylmethane, piperazine, morpholine, piperidine and JP-A-11- Hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in Japanese Patent No. 2575, imidazole, 4-methylimidazole, pyridine, 4-methylpyridine, 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ) Ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1,2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) Examples include ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide, 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipicolylamine, bipyridine, and the like. Includes diisopropylaniline, more preferably 2,6-diisopropylaniline.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline and the like can be mentioned.

また、特開平11−52575号に記載されたヒンダードピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物をクエンチャーとすることもできる。   In addition, a hindered amine compound having a hindered piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575 can be used as a quencher.

レジスト組成物がクエンチャー(C)を含む場合、その含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは0.001〜10質量%であり、より好ましく0.01〜5質量%であり、特に好ましく0.01〜4質量%である。   When the resist composition contains the quencher (C), the content thereof is preferably 0.001 to 10% by mass, more preferably 0.01 to 5% by mass in the solid content of the resist composition. Particularly preferred is 0.01 to 4% by mass.

<界面活性剤>
本発明のレジスト組成物は、界面活性剤を含むことができる。界面活性剤を含むことにより、平坦性が良好になる傾向がある。
界面活性剤としては、ポリエーテル変性シリコーン化合物、ケイ素原子を有さずフッ素原子を有する系界面活性剤、ケイ素原子及びフッ素原子を有する界面活性剤、ポリエーテル変性されていないシリコーン系界面活性剤が挙げられる。これらの界面活性剤は、単独でも2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
<Surfactant>
The resist composition of the present invention can contain a surfactant. By including the surfactant, the flatness tends to be good.
Examples of the surfactant include a polyether-modified silicone compound, a surfactant having no silicon atom and a fluorine atom, a surfactant having a silicon atom and a fluorine atom, and a silicone surfactant not modified with a polyether. Can be mentioned. These surfactants may be used alone or in combination of two or more.

ポリエーテル変性シリコーン化合物としては、例えば、BY16−201(商品名)、SF8427(商品名)、SF8428(商品名)、FZ−2162(商品名)、SH3749(商品名)、FZ−77(商品名)、FZ−2110(商品名)、SH8400(商品名)(東レ・ダウコーニング(株)製)などが挙げられる。   Examples of the polyether-modified silicone compound include BY16-201 (trade name), SF8427 (trade name), SF8428 (trade name), FZ-2162 (trade name), SH3749 (trade name), and FZ-77 (trade name). ), FZ-2110 (trade name), SH8400 (trade name) (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.), and the like.

ケイ素原子を有さずフッ素原子を有する系界面活性剤としては、例えば、フルオロカーボン鎖を有する界面活性剤などが挙げられる。具体的には、フロリナートFC430(商品名)、フロリナートFC431(商品名)(住友スリーエム(株)製)、メガファックF142D(商品名)、メガファックF171(商品名)、メガファックF172(商品名)、メガファックF173(商品名)、メガファックF177(商品名)、メガファックF183(商品名)、メガファックR30(商品名)(大日本インキ化学工業(株)製)、エフトップEF301(商品名)、エフトップEF303(商品名)、エフトップEF351(商品名)、エフトップEF352(商品名)(新秋田化成(株)製)、サーフロンS381(商品名)、サーフロンS382(商品名)、サーフロンSC101(商品名)、サーフロンSC105(商品名)(旭硝子(株)製)、E5844(商品名)((株)ダイキンファインケミカル研究所製)、BM−1000(商品名)、BM−1100(商品名)(BM Chemie社製)などが挙げられる。   Examples of the surfactant having a fluorine atom but not having a silicon atom include a surfactant having a fluorocarbon chain. Specifically, Florinert FC430 (trade name), Florinart FC431 (trade name) (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Megafuck F142D (tradename), Megafuck F171 (tradename), Megafuck F172 (tradename) , Megafuck F173 (trade name), Megafuck F177 (trade name), Megafuck F183 (trade name), Megafuck R30 (trade name) (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.), F Top EF301 (trade name) ), F-top EF303 (product name), F-top EF351 (product name), F-top EF352 (product name) (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Surflon S381 (product name), Surflon S382 (product name), Surflon SC101 (trade name), Surflon SC105 (trade name) (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), E5844 ( Name) (Co., Ltd. Daikin Fine Chemical Institute), BM-1000 (trade name), BM-1100 (trade name) (BM Chemie Co., Ltd.) and the like.

ケイ素原子及びフッ素原子を有する界面活性剤としては、例えば、メガファックR08(商品名)、メガファックBL20(商品名)、メガファックF475(商品名)、メガファックF477(商品名)、メガファックF443(商品名)(大日本インキ化学工業(株)製)などが挙げられる。   Examples of the surfactant having a silicon atom and a fluorine atom include MegaFuck R08 (trade name), MegaFuck BL20 (trade name), MegaFuck F475 (trade name), MegaFuck F477 (trade name), and Megafuck F443. (Trade name) (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.).

ポリエーテル変性されていないシリコーン系界面活性剤としては、トーレシリコーンDC3PA(商品名)、トーレシリコーンSH7PA(商品名)、トーレシリコーンDC11PA(商品名)、トーレシリコーンSH21PA(商品名)、トーレシリコーンSH28PA(商品名)、トーレシリコーン29SHPA(商品名)、トーレシリコーンSH30PA(商品名)、ポリエーテル変性シリコンオイルSH8400(商品名)(トーレシリコーン(株)製)、KP321(商品名)、KP322(商品名)、KP323(商品名)、KP324(商品名)、KP326(商品名)、KP340(商品名)、KP341(商品名)(信越シリコーン製)、TSF400(商品名)、TSF401(商品名)、TSF410(商品名)、TSF4300(商品名)、TSF4440(商品名)、TSF4445(商品名)、TSF−4446(商品名)、TSF4452(商品名)、TSF4460(商品名)(ジーイー東芝シリコーン(株)製)などが挙げられる。   Examples of silicone-based surfactants not modified with polyether include Torre Silicone DC3PA (trade name), Torre Silicone SH7PA (trade name), Torre Silicone DC11PA (trade name), Torre Silicone SH21PA (trade name), Torre Silicone SH28PA ( Product Name), Torre Silicone 29SHPA (Product Name), Torre Silicone SH30PA (Product Name), Polyether-modified Silicon Oil SH8400 (Product Name) (manufactured by Torre Silicone Co., Ltd.), KP321 (Product Name), KP322 (Product Name) , KP323 (product name), KP324 (product name), KP326 (product name), KP340 (product name), KP341 (product name) (manufactured by Shin-Etsu Silicone), TSF400 (product name), TSF401 (product name), TSF410 ( Product name), T F4300 (product name), TSF4440 (product name), TSF4445 (product name), TSF-4446 (product name), TSF4452 (product name), TSF4460 (product name) (manufactured by GE Toshiba Silicone Co., Ltd.), and the like. .

界面活性剤の含有量は、レジスト組成物に対して、好ましくは0.01質量%以上1質量%以下であり、より好ましくは0.01質量%以上0.5質量%以下であり、さらに好ましくは0.01質量%以上0.3質量%以下である。   The content of the surfactant is preferably 0.01% by mass or more and 1% by mass or less, more preferably 0.01% by mass or more and 0.5% by mass or less, and still more preferably with respect to the resist composition. Is 0.01 mass% or more and 0.3 mass% or less.

<添加剤>
本発明のレジスト組成物の添加剤としては、例えば、式(I)で表される含窒素環状化合物が挙げられる。

Figure 2017161717
[式(I)中、
Xは、メチレン基又はカルボニル基を表し、
、R、R及びRは、互いに独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。ただし、R、R、R及びRうち二つは低級アルキルを、残りの二つは水素を表す。] <Additives>
Examples of the additive for the resist composition of the present invention include nitrogen-containing cyclic compounds represented by the formula (I).
Figure 2017161717
[In the formula (I),
X represents a methylene group or a carbonyl group,
R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. However, two of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 represent lower alkyl, and the remaining two represent hydrogen. ]

アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基が挙げられる。なかでも、メチル基又はエチル基が好ましく、とりわけメチル基が好ましい。このような含窒素環状化合物を含有させることにより、特にパターン側面が波形になるのが抑制され、平滑な側面を有するパターンが得られる。
このような含窒素環状化合物としては、公知のもの及び市販のものを使用することができる。なかでも、含窒素環状化合物としては、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、5,5−ジメチルヒダントインが好ましく、5,5−ジメチルヒダントインがより好ましい。
Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group. Of these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable. By including such a nitrogen-containing cyclic compound, it is possible to suppress the pattern side surface from becoming corrugated and to obtain a pattern having a smooth side surface.
As such nitrogen-containing cyclic compounds, known ones and commercially available ones can be used. Among these, as the nitrogen-containing cyclic compound, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and 5,5-dimethylhydantoin are preferable, and 5,5-dimethylhydantoin is more preferable.

レジスト組成物が式(I)で表される含窒素環状化合物を含む場合、その含有率は、レジスト組成物中の固形分中、好ましくは0.01〜20質量%であり、より好ましくは0.01〜10質量%である。   When the resist composition contains the nitrogen-containing cyclic compound represented by the formula (I), the content thereof is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0, in the solid content in the resist composition. 0.01 to 10% by mass.

<その他の成分>
レジスト組成物は、必要に応じて、上述の成分以外の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある。)を含有していてもよい。その他の成分(F)は、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。
<Other ingredients>
The resist composition may contain components other than those described above (hereinafter may be referred to as “other components (F)”) as necessary. As the other component (F), known additives in the resist field, such as a sensitizer, a dissolution inhibitor, a surfactant, a stabilizer, a dye, and the like can be used.

〈レジスト組成物の調製〉
本発明のレジスト組成物は、樹脂(A1)、酸発生剤(B)及び溶剤(E)、並びに、必要に応じて用いられる樹脂(A2)、クエンチャー(C)、添加剤及びその他の成分(F)を混合することにより調製することができる。混合順序は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10〜40℃から、樹脂等の種類、樹脂等の溶剤(E)に対する溶解度等に応じて適切な温度を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間が挙げられる。攪拌混合機等の混合手段を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径0.003〜0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。
<Preparation of resist composition>
The resist composition of the present invention comprises a resin (A1), an acid generator (B) and a solvent (E), and a resin (A2), a quencher (C), additives and other components used as necessary. It can be prepared by mixing (F). The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select an appropriate temperature from 10-40 degreeC according to the kind etc. of resin etc., the solubility with respect to solvents (E), such as resin. The mixing time may be 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. Mixing means such as a stirring mixer can be used.
After mixing each component, it is preferable to filter using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

本発明のレジスト組成物は、粘度が120cp以下であり、好ましくは118cp以下であり、より好ましくは110cp以下であり、一層好ましくは100cp以下である。粘度は、試料温度が20〜30℃、好ましくは25℃におけるキャノン-フェンスケ粘度計により測定した値で表される。
このような粘度に調整することにより、ハンドリング性を向上させることができるとともに、公知の方法による成膜方法を利用してレジスト組成物膜を形成する場合に、単一の操作で厚膜のレジスト組成物膜を形成することができる。また、厚膜のレジスト組成物膜を形成した後、後工程において温度サイクルが負荷される場合にも、レジスト組成物膜からの揮発成分及び/又はガスの発生を低減させることが可能となり、高精度なレジストパターンを製造することができる。
The resist composition of the present invention has a viscosity of 120 cp or less, preferably 118 cp or less, more preferably 110 cp or less, and even more preferably 100 cp or less. The viscosity is represented by a value measured with a Canon-Fenske viscometer at a sample temperature of 20 to 30 ° C, preferably 25 ° C.
By adjusting to such a viscosity, handling properties can be improved, and when forming a resist composition film by using a known film forming method, a thick film resist can be formed by a single operation. A composition film can be formed. In addition, it is possible to reduce the generation of volatile components and / or gas from the resist composition film even when a temperature cycle is applied in a subsequent process after forming a thick resist composition film. An accurate resist pattern can be manufactured.

〔レジストパターンの製造方法〕
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
[Resist pattern manufacturing method]
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) A step of applying the resist composition of the present invention on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating.

レジスト組成物を基板上に塗布するには、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。ここでの塗布は、形成される組成物層の厚みが6μm以上、好ましくは7μm以上となるように行うことが好ましい。また、複数回の塗布工程によって厚みを確保することもできるが、1回の塗布工程でも厚みを確保することができる。
本発明のレジスト組成物では、粘度が低く、ハンドリング性が良好であるために、レジスト組成物の粘度に起因する圧力負荷を通常用いられる成膜装置等に与えることなく、成膜することができる。
基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄してもよく、基板上に反射防止膜等が形成されていてもよい。
The resist composition can be applied onto the substrate by a commonly used apparatus such as a spin coater. The application here is preferably performed so that the thickness of the composition layer to be formed is 6 μm or more, preferably 7 μm or more. Further, the thickness can be secured by a plurality of coating processes, but the thickness can be secured even by a single coating process.
In the resist composition of the present invention, since the viscosity is low and the handling property is good, it is possible to form a film without applying a pressure load due to the viscosity of the resist composition to a normally used film forming apparatus or the like. .
Examples of the substrate include an inorganic substrate such as a silicon wafer. Before applying the resist composition, the substrate may be washed, or an antireflection film or the like may be formed on the substrate.

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。ここでの、組成物層の厚みが6μm以上であることが好ましく、7μm以上であることがより好ましい。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること(いわゆるプリベーク)により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は、例えば、50〜200℃であることが好ましく、加熱時間は、例えば、10〜180秒間であることが好ましい。また、減圧乾燥する際の圧力は、1〜1.0×10Pa程度であることが好ましい。 By drying the composition after coating, the solvent is removed and a composition layer is formed. The thickness of the composition layer here is preferably 6 μm or more, and more preferably 7 μm or more. Drying is performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking), or using a decompression device. The heating temperature is preferably 50 to 200 ° C., for example, and the heating time is preferably 10 to 180 seconds, for example. Moreover, it is preferable that the pressure at the time of drying under reduced pressure is about 1-1.0 * 10 < 5 > Pa.

得られた組成物層に、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、露光光源として種々のものが使用できるが、KrFエキシマレーザ(波長248nm)もしくはI線(波長365nm)が好ましい。露光の際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源が電子線の場合は、マスクを用いずに直接描画により露光してもよい。   The obtained composition layer is usually exposed using an exposure machine. Although various exposure machines can be used as the exposure light source, a KrF excimer laser (wavelength 248 nm) or I-line (wavelength 365 nm) is preferable. At the time of exposure, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern. When the exposure light source is an electron beam, exposure may be performed by direct drawing without using a mask.

露光後の組成物層を、酸不安定基における脱保護反応を促進するために加熱処理(いわゆるポストエキスポジャーベーク)を行うことが好ましいが、行わなくてもよい。加熱温度は、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。   The composition layer after exposure is preferably subjected to heat treatment (so-called post-exposure baking) in order to promote the deprotection reaction in the acid labile group, but it may not be performed. The heating temperature is usually about 50 to 200 ° C, preferably about 70 to 150 ° C.

加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、5〜60℃であることが好ましく、現像時間は、例えば、5〜300秒間であることが好ましい。   The heated composition layer is usually developed using a developer using a developing device. Examples of the developing method include a dipping method, a paddle method, a spray method, and a dynamic dispensing method. The development temperature is preferably 5 to 60 ° C., for example, and the development time is preferably 5 to 300 seconds, for example.

本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。   When producing a positive resist pattern from the resist composition of the present invention, an alkaline developer is used as the developer. The alkaline developer may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline). The alkali developer may contain a surfactant.

本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液(以下「有機系現像液」という場合がある)を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、2−ヘキサノン、2−ヘプタノン等のケトン溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル溶剤;酢酸ブチル等のエステル溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤;N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤;アニソール等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、90質量%以上100質量%以下であることが好ましく、95質量%以上100質量%以下であることがより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び2−ヘプタノンの合計含有率は、50質量%以上100質量%以下であることが好ましく、90質量%以上100質量%以下であることがより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。
In the case of producing a negative resist pattern from the resist composition of the present invention, a developer containing an organic solvent as a developer (hereinafter sometimes referred to as “organic developer”) is used.
Organic solvents contained in the organic developer include ketone solvents such as 2-hexanone and 2-heptanone; glycol ether ester solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate; ester solvents such as butyl acetate; glycols such as propylene glycol monomethyl ether Examples include ether solvents; amide solvents such as N, N-dimethylacetamide; aromatic hydrocarbon solvents such as anisole.
In the organic developer, the content of the organic solvent is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, and substantially only the organic solvent. More preferably.
Among them, the organic developer is preferably a developer containing butyl acetate and / or 2-heptanone. In the organic developer, the total content of butyl acetate and 2-heptanone is preferably 50% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, and substantially. More preferably, it is only butyl acetate and / or 2-heptanone.
The organic developer may contain a surfactant. The organic developer may contain a trace amount of water.
At the time of development, the development may be stopped by substituting a solvent of a different type from the organic developer.

現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。   It is preferable to wash the resist pattern with ultrapure water after development, and then remove the water remaining on the substrate and the pattern.

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「%」及び「部」は、特記しない限り質量基準である。
また、重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した値である。
樹脂の合成
樹脂の合成において使用したポリマー及び化合物(モノマー)を下記に示す。

Figure 2017161717
The present invention will be described more specifically with reference to examples. In the examples, “%” and “parts” representing the content or amount used are based on mass unless otherwise specified.
The weight average molecular weight (Mw) and polydispersity (Mw / Mn) are values measured by gel permeation chromatography using polystyrene as a standard product.
Resin Synthesis Polymers and compounds (monomers) used in resin synthesis are shown below.
Figure 2017161717

樹脂合成例1:(ポリビニルフェノールの部分1−エトキシエチル化)
500mlの反応容器に、ポリマーX(日本曹達社製、ポリ(p−ビニルフェノール)、商品名“VP−15000”)5.8g、p−トルエンスルホン酸11mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート114.3gを仕込み、室温で溶解した。その後、総量が70.6gになるまで濃縮した。そこにエチルビニルエーテル2.86gを加え、室温で3時間攪拌し、メチルイソブチルケトン53.4gを加えた。次に、イオン交換水41.0gで洗浄して分液する操作を3回行った。水洗終了後、油層を38.2gまで濃縮した。この油層にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート39.5gを加え、再び濃縮して総量を37.2gにした。この溶液を一部サンプリングし、水酸基のうちの1−エトキシエチル化率を常法によりH−NMRで測定したところ、45%であった。従ってこの樹脂は、以下の構造単位を有するポリ(p−ビニルフェノール)の水酸基の45%が1−エトキシエチルエーテル化されたものである。これを樹脂R1とする。

Figure 2017161717
Resin synthesis example 1: (Partial 1-ethoxyethylation of polyvinylphenol)
In a 500 ml reaction vessel, 5.8 g of polymer X (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., poly (p-vinylphenol), trade name “VP-15000”), 11 mg of p-toluenesulfonic acid and 114.3 g of propylene glycol monomethyl ether acetate are added. Charged and dissolved at room temperature. Then, it concentrated until the total amount became 70.6g. Thereto was added 2.86 g of ethyl vinyl ether, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours, and 53.4 g of methyl isobutyl ketone was added. Next, the operation of washing with 41.0 g of ion exchange water and separating the liquid was performed three times. After washing with water, the oil layer was concentrated to 38.2 g. To this oil layer, 39.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was added and concentrated again to a total amount of 37.2 g. A part of this solution was sampled, and the 1-ethoxyethylation rate of the hydroxyl groups was measured by 1 H-NMR by a conventional method, and found to be 45%. Therefore, in this resin, 45% of the hydroxyl groups of poly (p-vinylphenol) having the following structural units are converted to 1-ethoxyethyl ether. This is called resin R1.
Figure 2017161717

樹脂合成例2:樹脂R2の合成
モノマーA、モノマーB、モノマーC、モノマーDをモル比50:10:30:10で仕込み、全モノマー量の1.8質量倍のプロピレングリコールモノメチルアセテートを加えて溶液とした。そこに開始剤として2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチルを全モノマー量に対して6.5mol%添加し、85℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる操作を3回行って精製し、重量平均分子量が9.3×10である樹脂を収率69%で得た。この樹脂は、次式のモノマーに由来する構造単位を有するものであり、これを樹脂R2とする。

Figure 2017161717
Resin Synthesis Example 2: Synthesis of Resin R2 Monomer A, Monomer B, Monomer C, and Monomer D were charged in a molar ratio of 50: 10: 30: 10, and propylene glycol monomethyl acetate at 1.8 mass times the total monomer amount was added. It was set as the solution. Then, 6.5 mol% of 2,2′-azobis (isobutyric acid) dimethyl as an initiator was added to the total amount of monomers, and heated at 85 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a mixed solvent of a large amount of methanol and water three times to obtain a resin having a weight average molecular weight of 9.3 × 10 2 in a yield of 69%. This resin has a structural unit derived from a monomer represented by the following formula, and this is designated as resin R2.
Figure 2017161717

樹脂合成例3:樹脂R3の合成
モノマーA、モノマーB、モノマーC、モノマーEをモル比50:10:30:20で仕込み、全モノマー量の1.8質量倍のプロピレングリコールモノメチルアセテートを加えて溶液とした。そこに開始剤として2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチルを全モノマー量に対して4.0mol%添加し、85℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる操作を3回行って精製し、重量平均分子量が14.4×10である樹脂を収率89%で得た。この樹脂は、次式のモノマーに由来する構造単位を有するものであり、これを樹脂R3とする。

Figure 2017161717
Resin Synthesis Example 3: Synthesis of Resin R3 Monomer A, Monomer B, Monomer C, and Monomer E were charged in a molar ratio of 50: 10: 30: 20, and 1.8 mass times propylene glycol monomethyl acetate of the total monomer amount was added. It was set as the solution. Then, 4.0 mol% of 2,2′-azobis (isobutyric acid) dimethyl as an initiator was added with respect to the total amount of monomers and heated at 85 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a mixed solvent of a large amount of methanol and water three times to obtain a resin having a weight average molecular weight of 14.4 × 10 2 in a yield of 89%. This resin has a structural unit derived from a monomer of the following formula, and this is designated as resin R3.
Figure 2017161717

樹脂合成例4:樹脂R4の合成
モノマーA、モノマーB、モノマーC、モノマーEをモル比40:10:30:20で仕込み、全モノマー量の1.8質量倍のプロピレングリコールモノメチルアセテートを加えて溶液とした。そこに開始剤として2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチルを全モノマー量に対して4.0mol%添加し、85℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる操作を3回行って精製し、重量平均分子量が14.1×10である樹脂を収率89%で得た。この樹脂は、次式のモノマーに由来する構造単位を有するものであり、これを樹脂R4とする。

Figure 2017161717
Resin Synthesis Example 4: Synthesis of Resin R4 Monomer A, Monomer B, Monomer C, and Monomer E were charged in a molar ratio of 40: 10: 30: 20, and 1.8 mass times propylene glycol monomethyl acetate of the total monomer amount was added. It was set as the solution. Then, 4.0 mol% of 2,2′-azobis (isobutyric acid) dimethyl as an initiator was added with respect to the total amount of monomers and heated at 85 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a mixed solvent of a large amount of methanol and water three times to obtain a resin having a weight average molecular weight of 14.1 × 10 2 at a yield of 89%. This resin has a structural unit derived from a monomer represented by the following formula, and this is designated as resin R4.
Figure 2017161717

樹脂合成例5:樹脂R5の合成
モノマーA、モノマーB、モノマーC、モノマーFをモル比40:10:30:20で仕込み、全モノマー量の1.8質量倍のプロピレングリコールモノメチルアセテートを加えて溶液とした。そこに開始剤として2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチルを全モノマー量に対して4.0mol%添加し、85℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる操作を3回行って精製し、重量平均分子量が13.3×10である樹脂を収率86%で得た。この樹脂は、次式のモノマーに由来する構造単位を有するものであり、これを樹脂R5とする。

Figure 2017161717
Resin Synthesis Example 5: Synthesis of Resin R5 Monomer A, Monomer B, Monomer C, and Monomer F were charged at a molar ratio of 40: 10: 30: 20, and propylene glycol monomethyl acetate at 1.8 mass times the total monomer amount was added. It was set as the solution. Then, 4.0 mol% of 2,2′-azobis (isobutyric acid) dimethyl as an initiator was added with respect to the total amount of monomers and heated at 85 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a mixed solvent of a large amount of methanol and water three times to obtain a resin having a weight average molecular weight of 13.3 × 10 2 in a yield of 86%. This resin has a structural unit derived from a monomer represented by the following formula, and this is designated as resin R5.
Figure 2017161717

<レジスト組成物の調製>
以下に示す成分の各々を表1に示す質量部で溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。溶剤量は、樹脂溶液からの持ち込み分を含む。
<Preparation of resist composition>
Each of the components shown below was dissolved in a solvent in parts by mass shown in Table 1, and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition. The amount of solvent includes the amount brought in from the resin solution.

Figure 2017161717
Figure 2017161717

樹脂:R1〜R5
酸発生剤(III):

Figure 2017161717
酸発生剤(IV):

Figure 2017161717
クエンチャー(C):トリス[2−(2−メトキシエトキシ)エチル]アミン
Figure 2017161717
溶剤
MP:メトキシプロパノール
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
BA:酢酸ブチル
PGE:プロピレングリコールモノメチルエーテル
MAKN:2−ヘプタノン
GBL:γ−ブチロラクトン
EL:乳酸エチル
MBL:α―メチル−γブチロラクトン
界面活性剤
ポリエーテル変性シリコーンオイル(東レ・ダウコーニング(株)製 SH8400) Resin: R1 to R5
Acid generator (III):
Figure 2017161717
Acid generator (IV):

Figure 2017161717
Quencher (C): Tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine
Figure 2017161717
Solvent MP: Methoxypropanol PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate BA: Butyl acetate PGE: Propylene glycol monomethyl ether MAKN: 2-heptanone GBL: γ-butyrolactone EL: Ethyl lactate MBL: α-methyl-γ butyrolactone Surfactant Polyether modified Silicone oil (SH8400 manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.)

(成膜)
各レジスト組成物の粘度をキャノンフェンスケ法で、25℃で測定した。
また、シリコンウェハ上に各レジスト組成物を1500rpmでスピンコートし、次に100℃、60秒の条件で、プロキシミティーホットプレート上にてプリベークを行って、成膜した。この膜の膜厚をラムダエースで測定した。その結果を表2に示す。
(Film formation)
The viscosity of each resist composition was measured at 25 ° C. by Canon Fenske method.
Each resist composition was spin-coated on a silicon wafer at 1500 rpm, and then prebaked on a proximity hot plate under conditions of 100 ° C. for 60 seconds to form a film. The film thickness was measured with Lambda Ace. The results are shown in Table 2.

Figure 2017161717
Figure 2017161717

上述した実施例1及び比較例1のレジスト組成物を用いて成膜した際、各膜の膜厚を面内において57ポイント測定し、その値のCV値(値のばらつき;単位%)を算出した。CV値が小さほど塗布膜厚が均一であることを示す。
さらに、実施例1及び比較例1のレジスト組成物を用いて成膜したウエハ5枚を削りとり、ガスクロマトグラフィーにより膜中のPGMEAの溶剤量を測定した。その結果を表3に示す。膜中のPGMEAの溶剤量が高いとアウトガスの要因になるので好ましくない。
When the resist compositions of Example 1 and Comparative Example 1 described above were formed, the film thickness of each film was measured at 57 points in the plane, and the CV value (value variation; unit%) of the value was calculated. did. The smaller the CV value, the more uniform the coating film thickness.
Further, five wafers formed using the resist compositions of Example 1 and Comparative Example 1 were scraped, and the amount of PGMEA solvent in the film was measured by gas chromatography. The results are shown in Table 3. A high amount of PGMEA solvent in the membrane is not preferable because it causes outgassing.

Figure 2017161717
Figure 2017161717

上述したように、酢酸ブチルを含有した本発明のレジスト組成物は、塗布膜厚の均一性を保ち、膜中の残存溶剤量も同等で、同一膜厚で低粘度に抑えることができる。従って、この組成物を用いることにより、低粘度液で厚膜のレジスト膜を形成することができる。   As described above, the resist composition of the present invention containing butyl acetate can maintain the uniformity of the coating film thickness, the amount of residual solvent in the film is the same, and can be suppressed to a low viscosity with the same film thickness. Therefore, by using this composition, a thick resist film can be formed with a low viscosity liquid.

本発明のレジスト組成物は、低粘度で調製することができるために、成膜装置に負荷をかけずに成膜することができる。加えて、低粘度でありながら、厚膜のレジスト組成物を形成することができるために、簡便に所望の膜厚に調整することができる。また、塗布膜厚の均一性を確保することができ、良好なレジストパターンを製造することが可能となり、半導体の微細加工に好適である。   Since the resist composition of the present invention can be prepared with a low viscosity, it can be formed without applying a load to the film forming apparatus. In addition, since a thick resist composition can be formed while having a low viscosity, it can be easily adjusted to a desired film thickness. Further, the uniformity of the coating film thickness can be ensured, and a good resist pattern can be produced, which is suitable for semiconductor microfabrication.

Claims (9)

酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト組成物であって、
溶剤の含有量が、樹脂100質量部に対して100質量部以上であり、
かつ前記レジスト組成物の粘度が120cp以下であるレジスト組成物。
A resist composition comprising a resin containing a structural unit having an acid labile group, an acid generator and a solvent,
The content of the solvent is 100 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the resin,
And the resist composition whose viscosity of the said resist composition is 120 cp or less.
溶剤が、酢酸エステルを含む請求項1記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 1, wherein the solvent contains an acetate ester. 酢酸エステルが、酢酸ブチルを含む請求項2記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 2, wherein the acetate comprises butyl acetate. 溶剤が、全溶剤に対して酢酸エステルを40質量%以上含む請求項2又は3記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 2 or 3, wherein the solvent contains 40% by mass or more of acetate ester with respect to the total solvent. さらに界面活性剤を含有する請求項1〜4のいずれか記載のレジスト組成物。   Furthermore, the resist composition in any one of Claims 1-4 containing surfactant. 界面活性剤の含有量が、レジスト組成物に対して、0.01質量%以上1質量%以下である請求項5記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 5, wherein the content of the surfactant is 0.01% by mass or more and 1% by mass or less with respect to the resist composition. 酸不安定基を有する構造単位が、式(I)で表される構造単位又は式(a1−0)で表される構造単位である請求項1〜6のいずれか記載のレジスト組成物。
Figure 2017161717
[式(a1−0)及び式(a1−4)中、
a01及びRa32は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a01は、酸素原子又は*−O−(CHk01−CO−O−を表し、k01は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基との結合手を表す。
a02、Ra03及びRa04は、互いに独立に、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表すか、Ra03及びRa04は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数3〜20の2価の環を形成し、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子で置き換わってもよい。該環に含まれる水素原子は、炭素数1〜8のアルキル基で置換されていてもよい。
a33は、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。
a34及びRa35は、互いに独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表す。
a36は、炭素数1〜20の炭化水素基を表す。
laは、0〜4の整数を表す。]
The resist composition according to claim 1, wherein the structural unit having an acid labile group is a structural unit represented by formula (I) or a structural unit represented by formula (a1-0).
Figure 2017161717
[In Formula (a1-0) and Formula (a1-4),
R a01 and R a32 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
L a01 represents an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k01 —CO—O—, k01 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to a carbonyl group.
R a02 , R a03 and R a04 each independently represent an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a combination thereof, or R a03 and R a04 Are bonded to each other to form a divalent ring having 3 to 20 carbon atoms together with the carbon atom to which they are bonded, and the methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom or a sulfur atom. The hydrogen atom contained in the ring may be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
R a33 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.
R a34 and R a35 are independently of each other, represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
R a36 represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
la represents an integer of 0 to 4. ]
請求項1〜7のいずれかに記載のレジスト組成物から得られた膜。   The film | membrane obtained from the resist composition in any one of Claims 1-7. 膜の厚さが、6μm以上の厚さである請求項8に記載の膜。   The film according to claim 8, wherein the film has a thickness of 6 μm or more.
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