JP2005126706A - Resin, its preparation method and chemically amplified positive resist composition - Google Patents

Resin, its preparation method and chemically amplified positive resist composition Download PDF

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佳幸 高田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chemically amplified positive resist composition which shows good resist performance such as sensitivity. <P>SOLUTION: A resin comprises at least one polymerization unit chosen from the group consisting of a polymerization unit derived from 3-hydroxy-1-adamanthyl (meth)acrylate, a polymerization unit derived from 3,5-dihydroxy-1-adamanthyl (meth)acrylate or the like and further, comprises a polymerization unit of formula (II). The resin itself is insoluble or hardly soluble in an aqueous alkaline solution but becomes soluble in the aqueous alkaline solution when treated with an acid. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体の微細加工に用いられる化学増幅型レジスト用組成物及び該組成物に用いられる樹脂とその製造方法に関する。   The present invention relates to a chemically amplified resist composition used for microfabrication of semiconductors, a resin used in the composition, and a method for producing the same.

半導体の微細加工には、通常、レジスト組成物を用いたリソグラフィプロセスが採用されており、リソグラフィにおいては、レイリー(Rayleigh)の回折限界の式で表されるように、原理的には露光波長が短いほど解像度を上げることが可能である。半導体の製造に用いられるリソグラフィ用露光光源は、波長436nmのg線、波長365nmのi線、波長248nmのKrFエキシマレーザー、波長193nmのArFエキシマレーザーと、年々短波長になってきており、次世代の露光光源として、波長157nmのFエキシマレーザーが有望視され、その後は波長13nm以下の軟X線(EUV)が光源として提案されている。 In microfabrication of semiconductors, a lithography process using a resist composition is usually employed. In lithography, in principle, the exposure wavelength is expressed as expressed by the Rayleigh diffraction limit equation. The shorter the resolution, the higher the resolution. The exposure light source for lithography used in the manufacture of semiconductors has become a shorter wavelength year by year: g-line with a wavelength of 436 nm, i-line with a wavelength of 365 nm, KrF excimer laser with a wavelength of 248 nm, and ArF excimer laser with a wavelength of 193 nm. As an exposure light source, an F 2 excimer laser with a wavelength of 157 nm is considered promising, and thereafter soft X-rays (EUV) with a wavelength of 13 nm or less have been proposed as a light source.

エキシマレーザー等の、g線、i線より短い波長の光源は、照度が低いため、レジストの感度を高める必要があることから、スルホニウム塩等の塩から露光により発生する酸の触媒作用を利用し、その酸により解裂する基を有する樹脂を含有するいわゆる化学増幅型レジストが用いられている(例えば、特許文献1参照)。   Since light sources with wavelengths shorter than g-line and i-line, such as excimer laser, have low illuminance, it is necessary to increase the sensitivity of the resist. A so-called chemically amplified resist containing a resin having a group that can be cleaved by the acid is used (see, for example, Patent Document 1).

特開2000−137327号公報(第13〜14頁)JP 2000-137327 A (pages 13-14)

しかしながら、微細加工技術のさらなる進歩に伴い、従来の化学増幅型レジスト組成物をさらに上回る感度を有したレジスト組成物が要望されている。
本発明の目的は、ArFやKrFなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に改善された感度を与える化学増幅型のポジ型レジスト組成物及び当該組成物に用いる樹脂とその製造方法を提供することにある。
However, with further advancement of microfabrication technology, there is a demand for a resist composition having a sensitivity that exceeds that of conventional chemically amplified resist compositions.
An object of the present invention is to provide a chemically amplified positive resist composition suitable for excimer laser lithography such as ArF and KrF, which has various resist performances such as resolution, and gives particularly improved sensitivity, and the composition It is providing the resin used for a thing, and its manufacturing method.

本発明者らは、鋭意検討を加えた結果、特定の重合単位を有する樹脂と酸発生剤とを含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物が、解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に改善された感度を与えることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies, the present inventors have found that a chemically amplified positive resist composition containing a resin having a specific polymerization unit and an acid generator has good resist performance such as resolution. In particular, it has been found that it provides improved sensitivity, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は、〔1〕(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルから導かれる重合単位、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルから導かれる重合単位、ラクトン環がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンから導かれる重合単位、下式(Ia)で示される重合単位及び(Ib)で示される重合単位からなる群から選ばれた少なくとも1種の重合単位を含み、さらに下式(II)で示される重合単位を有する樹脂であり、樹脂自身はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂に係るものである。

Figure 2005126706
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は、メチル基又はエチル基を表す。mは、0〜3の整数を表す。式(Ia)において、mが2以上のとき、複数のR2は、互いに同一でも異なってもよい。式(Ib)において、mが2以上のとき、複数のR2は、互いに同一でも異なってもよい。)
Figure 2005126706
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R3、R4は、互いに独立に、炭素数1〜2のアルキル基を表す。R5は、メチル基、ハロゲン原子又はヒドロキシル基を表す。nは、0〜14の整数を表す。nが2以上のとき、複数のRは、互いに同一でも異なってもよい。) That is, the present invention relates to [1] a polymer unit derived from 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, a polymer unit derived from 3, methacrylic acid 3,5-dihydroxy-1-adamantyl, and a lactone ring. At least one selected from the group consisting of a polymer unit derived from (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone optionally substituted with alkyl, a polymer unit represented by the following formula (Ia), and a polymer unit represented by (Ib) A resin containing a polymer unit of a seed and further having a polymer unit represented by the following formula (II), and the resin itself is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, but becomes soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid It is related to.
Figure 2005126706
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 2 represents a methyl group or an ethyl group. M represents an integer of 0 to 3. In the formula (Ia), m is 2 or more. The plurality of R 2 may be the same or different from each other.In Formula (Ib), when m is 2 or more, the plurality of R 2 may be the same or different from each other.)
Figure 2005126706
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 3 and R 4 each independently represent an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms. R 5 represents a methyl group, a halogen atom or a hydroxyl group. N represents an integer of 0 to 14. When n is 2 or more, the plurality of R 5 may be the same as or different from each other.

また、本発明は、〔2〕前記の〔1〕に記載された樹脂及び酸発生剤を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物に係るものである。   The present invention also relates to [2] a chemically amplified positive resist composition containing the resin described in [1] above and an acid generator.

また、本発明は、〔3〕(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル、ラクトン環がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンから導かれるモノマー、下式(Ia’)で示されるモノマー及び(Ib’)で示されるモノマーからなる群から選ばれた少なくとも1種のモノマーと、さらに下式(II’)で示されるモノマーとを重合する前記の〔1〕記載の樹脂の製造方法に係るものである。

Figure 2005126706
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は、メチル基又はエチル基を表す。mは、0〜3の整数を表す。式(Ia’)において、mが2以上のとき、複数のR2は、互いに同一でも異なってもよい。式(Ib’)において、mが2以上のとき、複数のR2は、互いに同一でも異なってもよい。)
Figure 2005126706
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R3、R4は、互いに独立に、炭素数1〜2のアルキル基を表す。R5は、メチル基、ハロゲン原子又はヒドロキシル基を表す。nは、0〜14の整数を表す。nが2以上のとき、複数のRは、互いに同一でも異なってもよい。) In the present invention, [3] 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 3, 5-dihydroxy-1-adamantyl, and the lactone ring may be substituted with alkyl (meta) ) At least one monomer selected from the group consisting of a monomer derived from acryloyloxy-γ-butyrolactone, a monomer represented by the following formula (Ia ′) and a monomer represented by (Ib ′), and the following formula (II ′) The method for producing a resin according to the above [1], wherein the monomer is polymerized with a monomer represented by
Figure 2005126706
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 2 represents a methyl group or an ethyl group. M represents an integer of 0 to 3. In the formula (Ia ′), m is 2 or more. when a plurality of R 2, in each other may be the same or different. formula (Ib '), when m is 2 or more, plural R 2 may be the same or different.)
Figure 2005126706
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 3 and R 4 each independently represent an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms. R 5 represents a methyl group, a halogen atom or a hydroxyl group. N represents an integer of 0 to 14. When n is 2 or more, the plurality of R 5 may be the same as or different from each other.

本発明の化学増幅型のポジ型レジスト組成物は、改善された感度を与え、解像度などのレジスト諸性能も良好である。したがって、この組成物はArFやKrFなどのエキシマレーザーリソグラフィに適しており、それによって高い性能のレジストパターンを与える。   The chemically amplified positive resist composition of the present invention provides improved sensitivity and good resist performance such as resolution. Therefore, this composition is suitable for excimer laser lithography such as ArF and KrF, thereby giving a high performance resist pattern.

本発明の樹脂と酸発生剤とを含有する組成物は、化学増幅型ポジ型レジスト組成物として好適に用いられる。
本発明の樹脂は、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルから導かれる重合単位、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルから導かれる重合単位、ラクトン環がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンから導かれる重合単位、前記の式(Ia)で示される重合単位及び(Ib)で示される重合単位からなる群から選ばれた少なくとも1種の重合単位を含み、さらに前記の式(II)で示される重合単位を有することを特徴とする。
そして、この樹脂自身はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となるものであり、具体的には、酸の作用により一部の基が解裂し、解裂後はアルカリ水溶液に可溶性となるものである。
The composition containing the resin of the present invention and an acid generator is suitably used as a chemically amplified positive resist composition.
The resin of the present invention is a polymer unit derived from 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, a polymer unit derived from 3, methacrylic acid 3,5-dihydroxy-1-adamantyl, and a lactone ring substituted with alkyl. At least one selected from the group consisting of a polymer unit derived from (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, a polymer unit represented by the formula (Ia) and a polymer unit represented by (Ib) It has a polymerization unit and further has a polymerization unit represented by the above formula (II).
And although this resin itself is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, it becomes soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid. Specifically, some groups are cleaved by the action of an acid, After cleavage, it becomes soluble in an alkaline aqueous solution.

本発明の樹脂の製造方法は、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル、ラクトン環がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンから導かれるモノマー、前記の式(Ia’)で示されるモノマー及び(Ib’)で示されるモノマーからなる群から選ばれた少なくとも1種のモノマーと、さらに前記の式(II’)で示されるモノマーとを重合することを特徴とする。
(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルは、市販されているが、例えば対応するヒドロキシアダマンタンを(メタ)アクリル酸又はそのハライドと反応させることにより、製造することもできる。
また、(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンは、ラクトン環がアルキルで置換されていてもよいα−もしくはβ−ブロモ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸もしくはメタクリル酸を反応させるか、又はラクトン環がアルキルで置換されていてもよいα−もしくはβ−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸ハライドもしくはメタクリル酸ハライドを反応させることにより製造できる。
式(Ia)、(Ib)で示される重合単位に導くためのモノマーは、具体的には例えば、次のような水酸基を有する脂環式ラクトンの(メタ)アクリル酸エステル、それらの混合物等が挙げられる。これらのエステルは、例えば対応する水酸基を有する脂環式ラクトンと(メタ)アクリル酸類との反応により製造し得る(例えば特開2000−26446号公報)。
In the method for producing the resin of the present invention, 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, 3, methacrylic acid 3,5-dihydroxy-1-adamantyl, and the lactone ring may be substituted with alkyl (meta) ) At least one monomer selected from the group consisting of a monomer derived from acryloyloxy-γ-butyrolactone, a monomer represented by the formula (Ia ′) and a monomer represented by (Ib ′), and the above formula ( It is characterized in that it is polymerized with a monomer represented by II ′).
(Meth) acrylic acid 3-hydroxy-1-adamantyl, (meth) acrylic acid 3,5-dihydroxy-1-adamantyl are commercially available. For example, the corresponding hydroxyadamantane is converted to (meth) acrylic acid or a halide thereof. It can also be produced by reacting.
In addition, (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone is obtained by reacting α- or β-bromo-γ-butyrolactone in which the lactone ring may be substituted with alkyl with acrylic acid or methacrylic acid, or the lactone ring is alkyl. It can be produced by reacting an optionally substituted α- or β-hydroxy-γ-butyrolactone with an acrylic acid halide or methacrylic acid halide.
Specific examples of the monomer for leading to the polymerization units represented by the formulas (Ia) and (Ib) include, for example, (meth) acrylic acid esters of alicyclic lactones having the following hydroxyl groups, and mixtures thereof. Can be mentioned. These esters can be produced, for example, by a reaction between an alicyclic lactone having a corresponding hydroxyl group and (meth) acrylic acids (for example, JP-A No. 2000-26446).

Figure 2005126706
Figure 2005126706

(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルから導かれる重合単位、α−(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンから導かれる重合単位、β−(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンから導かれる重合単位、式(Ia)、(Ib)で示される重合単位は、それらのいずれかを樹脂中に存在させることにより、それを含むレジストの基板への接着性が向上するだけでなく、レジストの解像性の向上にも寄与する。   Polymer unit derived from (meth) acrylic acid 3-hydroxy-1-adamantyl, (meth) acrylic acid 3, 5-dihydroxy-1-adamantyl, polymer unit derived from α- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, β -A polymer unit derived from (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, a polymer unit represented by formulas (Ia) and (Ib) is present in a resin substrate containing any of them in the resin. This not only improves the adhesion of the resist, but also contributes to the improvement of the resolution of the resist.

ここで、(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンとしては、例えば、α−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−β,β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−β,β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。   Here, as (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, for example, α-acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-methacryloyloxy-γ-butyrolactone, α-acryloyloxy-β, β-dimethyl-γ-butyrolactone, α- Methacryloyloxy-β, β-dimethyl-γ-butyrolactone, α-acryloyloxy-α-methyl-γ-butyrolactone, α-methacryloyloxy-α-methyl-γ-butyrolactone, β-acryloyloxy-γ-butyrolactone, β- Examples include methacryloyloxy-γ-butyrolactone, β-methacryloyloxy-α-methyl-γ-butyrolactone, and the like.

式(II)においてR3、R4で示される炭素数1〜4の分岐してもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基が挙げられる。式(II)で示される重合単位に導くモノマーとして、具体的には下記のようなモノマーが挙げられる。 Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be branched represented by R 3 and R 4 in the formula (II) include a methyl group and an ethyl group. Specific examples of the monomer that leads to the polymerization unit represented by the formula (II) include the following monomers.

Figure 2005126706
Figure 2005126706

Figure 2005126706
Figure 2005126706

本発明の樹脂の製造方法における重合としては、ラジカル重合、アニオン重合、配位重合などが挙げられるが、その中でもラジカル重合が好ましい。
ここで用いられる重合開始剤は、公知のものであって、特に限定されるものではないが、熱により効率的にラジカルを発生するものが好ましい。このような重合開始剤としては、例えば、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビスイソ酪酸ジメチル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、ジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート等のアゾ化合物、2,5−ジメチル−2,5−ビス(tert−ブチルパーオキシ)ヘキサン、t−ヘキシルパーオキシピバレート等の有機過酸化物、などが挙げられ、それぞれ単独でも良いし、2種類以上の開始剤を併用しても良い。
さらに、1−ブタンチオール、2−ブタンチオール、1−オクタンチオール、1−デカンチオール、1−テトラデカンチオール、シクロヘキサンチオール、2−メチル−1−プロパンチオール等の連鎖移動剤を併用することもできる。
重合に用いられる有機溶剤は、モノマーと開始剤、及び得られる共重合体のいずれも溶解できる溶剤が好ましい。このような有機溶剤としては、トルエン等の炭化水素、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチルイソブチルケトン、イソプロピルアルコール、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル等が挙げられ、それぞれ単独でも良いし、2種類以上の溶剤を混合して用いても良い。
本発明の製造方法における反応温度は、0〜150℃の範囲であって、好ましくは40〜100℃の範囲である。
Examples of the polymerization in the method for producing a resin of the present invention include radical polymerization, anionic polymerization, and coordination polymerization, among which radical polymerization is preferable.
The polymerization initiator used here is a known one, and is not particularly limited, but is preferably one that generates radicals efficiently by heat. Examples of such a polymerization initiator include 2,2′-azobisisobutyronitrile, dimethyl 2,2′-azobisisobutyrate, 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), dimethyl- Azo compounds such as 2,2′-azobisisobutyrate, organic peroxides such as 2,5-dimethyl-2,5-bis (tert-butylperoxy) hexane, t-hexylperoxypivalate, etc. These may be used alone or in combination of two or more initiators.
Furthermore, chain transfer agents such as 1-butanethiol, 2-butanethiol, 1-octanethiol, 1-decanethiol, 1-tetradecanethiol, cyclohexanethiol, 2-methyl-1-propanethiol can be used in combination.
The organic solvent used for the polymerization is preferably a solvent that can dissolve both the monomer, the initiator, and the resulting copolymer. Examples of such organic solvents include hydrocarbons such as toluene, 1,4-dioxane, tetrahydrofuran, methyl isobutyl ketone, isopropyl alcohol, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate, and the like. Two or more kinds of solvents may be mixed and used.
The reaction temperature in the manufacturing method of this invention is the range of 0-150 degreeC, Preferably it is the range of 40-100 degreeC.

また、本発明において、必要に応じて従来から知られている酸に不安定な基を持つ他のモノマーを併用してもよい。
従来から知られている酸に不安定な基としては、具体的には、カルボン酸の各種エステル、例えば、メチルエステル及びtert−ブチルエステルに代表されるアルキルエステル;メトキシメチルエステル、エトキシメチルエステル、1−エトキシエチルエステル、1−イソブトキシエチルエステル、1−イソプロポキシエチルエステル、1−エトキシプロピルエステル、1−(2−メトキシエトキシ)エチルエステル、1−(2−アセトキシエトキシ)エチルエステル、1−〔2−(1−アダマンチルオキシ)エトキシ〕エチルエステル、1−〔2−(1−アダマンタンカルボニルオキシ)エトキシ〕エチルエステル、テトラヒドロ−2−フリルエステル及びテトラヒドロ−2−ピラニルエステルのようなアセタール型エステル;イソボルニルエステル及び2−アルキル−2−アダマンチルエステル、1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルエステルのような脂環式エステルなどが挙げられる。
Moreover, in this invention, you may use together the other monomer which has an acid unstable group conventionally known as needed.
Specific examples of conventionally known acid-labile groups include various esters of carboxylic acid, for example, alkyl esters represented by methyl ester and tert-butyl ester; methoxymethyl ester, ethoxymethyl ester, 1-ethoxyethyl ester, 1-isobutoxyethyl ester, 1-isopropoxyethyl ester, 1-ethoxypropyl ester, 1- (2-methoxyethoxy) ethyl ester, 1- (2-acetoxyethoxy) ethyl ester, 1- Acetal type esters such as [2- (1-adamantyloxy) ethoxy] ethyl ester, 1- [2- (1-adamantanecarbonyloxy) ethoxy] ethyl ester, tetrahydro-2-furyl ester and tetrahydro-2-pyranyl ester Isobornyl Examples thereof include steric and alicyclic esters such as 2-alkyl-2-adamantyl ester and 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkyl ester.

本発明の樹脂は、必要に応じてさらに下式(III)で示される重合単位を有してもよい。

Figure 2005126706
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R3は、炭素数1〜2のアルキル基を表す。)
式(III)で示される重合単位に導くモノマーとして、次のものが挙げられる。
Figure 2005126706
The resin of the present invention may further have a polymerization unit represented by the following formula (III) as necessary.
Figure 2005126706
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 3 represents an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms.)
Examples of the monomer leading to the polymerization unit represented by the formula (III) include the following.
Figure 2005126706

また、本発明の樹脂は、必要に応じて下式(IV)で示される重合単位を有してもよい。

Figure 2005126706
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R6、R7は、互いに独立に、炭素数1〜4の分岐していてもよいアルキル基を表す。) Moreover, the resin of this invention may have a polymer unit shown by the following Formula (IV) as needed.
Figure 2005126706
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 6 and R 7 each independently represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be branched.)

式(IV)においてR6、R7で示される炭素数1〜4の分岐してもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基などが挙げられる。式(IV)で示される重合単位に導くモノマーとして、具体的には下式のようなモノマーが挙げられる。 Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be branched represented by R 6 and R 7 in formula (IV) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, and a tert-butyl group. Can be mentioned. Specific examples of the monomer that leads to the polymerization unit represented by the formula (IV) include monomers represented by the following formula.

Figure 2005126706
Figure 2005126706

本発明の樹脂は、上記のような酸に不安定な基を有する重合単位の他に、酸の作用により解裂しないか又は解裂しにくい他の重合単位を含有することも可能である。含有し得る他の重合単位としては、例えば、アクリル酸やメタクリル酸のような遊離のカルボン酸基を有するモノマーの重合単位、無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位、2−ノルボルネンの重合単位、(メタ)アクリロニトリルの重合単位、各種(メタ)アクリル酸エステル類の重合単位などを挙げることができる。
ArF露光の場合は光吸収が大きくて好ましくはないが、KrF露光の場合は光吸収の問題が無いので、ヒドロキシスチレンの重合単位を用いることができる。
The resin of the present invention may contain other polymerized units that are not cleaved or hardly cleaved by the action of an acid in addition to the polymerized units having an acid-labile group as described above. Examples of other polymer units that can be contained include polymer units of monomers having a free carboxylic acid group such as acrylic acid and methacrylic acid, and aliphatic unsaturated dicarboxylic acid anhydrides such as maleic anhydride and itaconic anhydride. Polymerization units, 2-norbornene polymerization units, (meth) acrylonitrile polymerization units, various (meth) acrylic acid ester polymerization units, and the like.
In the case of ArF exposure, light absorption is large, which is not preferable. However, in the case of KrF exposure, there is no problem of light absorption, so that a polymerized unit of hydroxystyrene can be used.

また、2−ノルボルネンの重合単位を含む樹脂は、その主鎖に直接脂環基を有するために頑丈な構造となり、ドライエッチング耐性に優れるという特性を示す。2−ノルボルネンの重合単位は、例えば対応する2−ノルボルネンの他に無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を併用したラジカル重合により主鎖へ導入し得る。したがって、2−ノルボルネンの重合単位は、その二重結合が開いて形成されるものであり式(VIII)で表すことができる。また、脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位である無水マレイン酸の重合単位、無水イタコン酸の重合単位は、それらの二重結合が開いて形成されるものであり、それぞれ式(IX)及び(X)で表すことができる。   Moreover, since the resin containing the polymerization unit of 2-norbornene has an alicyclic group directly in the main chain, it has a sturdy structure and exhibits excellent dry etching resistance. The polymer unit of 2-norbornene can be introduced into the main chain by radical polymerization using, in addition to the corresponding 2-norbornene, an aliphatic unsaturated dicarboxylic acid anhydride such as maleic anhydride or itaconic anhydride. Therefore, the polymer unit of 2-norbornene is formed by opening a double bond thereof and can be represented by the formula (VIII). Further, the polymerization unit of maleic anhydride, which is a polymerization unit of an aliphatic unsaturated dicarboxylic acid anhydride, and the polymerization unit of itaconic anhydride are formed by opening their double bonds, and are each represented by formula (IX) And (X).

Figure 2005126706
Figure 2005126706

ここで、式(VIII)中のR8及びR9は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜3のアルキル、炭素数1〜3のヒドロキシアルキル、カルボキシル、シアノもしくは基−COOZ(Zはアルコール残基である)を表すか、又はR8とR9が結合して、−C(=O)OC(=O)−で示されるカルボン酸無水物残基を形成することもできる。
8及び/又はR9がアルキルである場合の具体例としては、メチル、エチル、プロピルなどが挙げられ、同じくヒドロキシアルキルである場合の具体例としては、ヒドロキシメチル、2−ヒドロキシエチルなどが挙げられる。
8及び/又はR9が基−COOZである場合は、カルボキシルがエステルとなったものであり、Zに相当するアルコール残基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数1〜8程度のアルキル、2−オキソオキソラン−3−又は−4−イルなどを挙げることができ、ここにアルキルの置換基としては、水酸基や脂環式炭化水素残基などが挙げられる。
そこで、R8及び/又はR9が−COOZで示されるカルボン酸エステル残基である場合の具体例としては、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、2−ヒドロキシエトキシカルボニル、tert−ブトキシカルボニル、2−オキソオキソラン−3−イルオキシカルボニル、2−オキソオキソラン−4−イルオキシカルボニル、1,1,2−トリメチルプロポキシカルボニル、1−シクロヘキシル−1−メチルエトキシカルボニル、1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエトキシカルボニル、1−(1−アダマンチル)−1−メチルエトキシカルボニルなどが挙げられる。
Here, R 8 and R 9 in formula (VIII) are each independently a hydrogen atom, alkyl having 1 to 3 carbon atoms, hydroxyalkyl having 1 to 3 carbon atoms, carboxyl, cyano, or a group —COOZ (Z is Which is an alcohol residue), or R 8 and R 9 can be combined to form a carboxylic acid anhydride residue represented by —C (═O) OC (═O) —.
Specific examples of when R 8 and / or R 9 are alkyl include methyl, ethyl, propyl and the like, and specific examples of the case where R 8 and / or R 9 are also hydroxyalkyl include hydroxymethyl, 2-hydroxyethyl and the like. It is done.
When R 8 and / or R 9 is a group —COOZ, carboxyl is an ester, and the alcohol residue corresponding to Z is, for example, about 1 to 8 carbon atoms that may be substituted. Alkyl, 2-oxooxolan-3- or -4-yl, and the like. Examples of the alkyl substituent include a hydroxyl group and an alicyclic hydrocarbon residue.
Thus, specific examples of R 8 and / or R 9 being a carboxylate residue represented by —COOZ include methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, 2-hydroxyethoxycarbonyl, tert-butoxycarbonyl, 2-oxooxo Lan-3-yloxycarbonyl, 2-oxooxolan-4-yloxycarbonyl, 1,1,2-trimethylpropoxycarbonyl, 1-cyclohexyl-1-methylethoxycarbonyl, 1- (4-methylcyclohexyl) -1 -Methylethoxycarbonyl, 1- (1-adamantyl) -1-methylethoxycarbonyl and the like.

また、式(VIII)で示される重合単位に導くためのモノマーとして、具体的には例えば、次のような化合物を挙げることができる。   Specific examples of the monomer for leading to the polymerization unit represented by the formula (VIII) include the following compounds.

2−ノルボルネン、
2−ヒドロキシ−5−ノルボルネン、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸−t−ブチル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−シクロヘキシル−1−メチルエチル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエチル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)−1−メチルエチル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチルシクロヘキシル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−メチル−2−アダマンチル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−エチル−2−アダマンチル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシ−1−エチル、
5−ノルボルネン−2−メタノール、
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物など。
2-norbornene,
2-hydroxy-5-norbornene,
5-norbornene-2-carboxylic acid,
Methyl 5-norbornene-2-carboxylate,
5-norbornene-2-carboxylic acid-t-butyl,
1-cyclohexyl-1-methylethyl 5-norbornene-2-carboxylate,
1- (4-methylcyclohexyl) -1-methylethyl 5-norbornene-2-carboxylate,
1- (4-hydroxycyclohexyl) -1-methylethyl 5-norbornene-2-carboxylate,
1-methyl-1- (4-oxocyclohexyl) ethyl 5-norbornene-2-carboxylate,
1- (1-adamantyl) -1-methylethyl 5-norbornene-2-carboxylate,
1-methylcyclohexyl 5-norbornene-2-carboxylate,
2-methyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylate,
2-ethyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylate,
2-hydroxy-1-ethyl 5-norbornene-2-carboxylate,
5-norbornene-2-methanol,
5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride and the like.

本発明の樹脂の重量平均分子量は、1000〜100000が好ましく、特に5000〜20000であることが好ましい。   The resin according to the present invention preferably has a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, particularly 5,000 to 20,000.

本発明の樹脂は、パターニング露光用の放射線の種類や酸に不安定な基の種類などによっても変動するが、一般には、樹脂の全重合単位に対して、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルから導かれる重合単位、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルから導かれる重合単位、ラクトン環がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンから導かれる重合単位、下式(Ia)で示される重合単位及び(Ib)で示される重合単位からなる群から選ばれた少なくとも1種の重合単位を90〜20モル%の範囲で含有することが好ましく、式(II)で示される重合単位を10〜80モル%の範囲で含有することが好ましく、前者の重合単位を85〜20モル%の範囲で含有しすることがさらに好ましく、後者の重合単位を15〜80モル%の範囲で含有することがさらに好ましい。
また、これらの重合単位に加えて、酸の作用で解裂しにくい他の重合単位、例えば、式(VIII)で示される重合単位、脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物から導かれる重合単位である式(IX)で示される無水マレイン酸から導かれる重合単位、式(X)で示される無水イタコン酸から導かれる重合単位などを存在させる場合は、それらの重合単位の合計が、樹脂の全重合単位に対して、2〜70モル%の範囲となるようにすることが好ましい。
The resin of the present invention varies depending on the type of radiation for patterning exposure and the type of acid-labile group, but generally, the total polymerization unit of the resin is 3-hydroxy- (meth) acrylate. Polymerized units derived from 1-adamantyl, (meth) acrylic acid 3, polymerized units derived from 5-dihydroxy-1-adamantyl, derived from (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone in which the lactone ring may be substituted with alkyl It is preferable to contain at least one polymer unit selected from the group consisting of a polymer unit to be used, a polymer unit represented by the following formula (Ia) and a polymer unit represented by (Ib) in the range of 90 to 20 mol%. The polymerization unit represented by the formula (II) is preferably contained in the range of 10 to 80 mol%, and the former polymerization unit is contained in the range of 85 to 20 mol%. More preferably contribute, it is further preferable that the latter polymerized units containing in the range of 15 to 80 mol%.
In addition to these polymerized units, other polymerized units that are not easily cleaved by the action of an acid, for example, polymerized units represented by the formula (VIII), polymerized units derived from aliphatic unsaturated dicarboxylic acid anhydrides. When polymerized units derived from maleic anhydride represented by the formula (IX) and polymerized units derived from itaconic anhydride represented by the formula (X) are present, the total of these polymerized units is the total polymerization of the resin. It is preferable to be in the range of 2 to 70 mol% with respect to the unit.

なお、2−ノルボルネン類及び脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を共重合モノマーとする場合には、これらは重合しにくい傾向があるので、この点を考慮し、これらは過剰に使用することが好ましい。   In addition, when 2-norbornenes and aliphatic unsaturated dicarboxylic acid anhydrides are used as copolymerization monomers, they tend to be difficult to polymerize. Therefore, in consideration of this point, it is preferable to use them excessively. .

本発明の化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、前記の樹脂及び酸発生剤を含有することを特徴とする。
本発明のレジスト組成物を構成する酸発生剤としては、その物質自体に、あるいはその物質を含むレジスト組成物に、光や電子線などの放射線を作用させることにより、その物質が分解して酸を発生する。酸発生剤から発生する酸が前記樹脂に作用して、その樹脂中に存在する酸の作用で解裂する基を解裂させることになる。
The chemical amplification type positive resist composition of the present invention is characterized by containing the resin and an acid generator.
As the acid generator constituting the resist composition of the present invention, the substance is decomposed by the action of radiation such as light or electron beam on the substance itself or on the resist composition containing the substance. Is generated. The acid generated from the acid generator acts on the resin and cleaves the group that is cleaved by the action of the acid present in the resin.

本発明における酸発生剤として、下式(Va)、(Vb)又は(Vc)が挙げられる。

Figure 2005126706
(式中、P1〜P3は、互いに独立に、水酸基、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。p、q、rは、それぞれ独立に0〜3の整数である。pが2以上のとき、複数のP1は、互いに同一でも異なってもよい。qが2以上のとき、複数のP2は、互いに同一でも異なってもよい。rが2以上のとき、複数のP3は、互いに同一でも異なってもよい。Zは、対イオンを表す。)
Figure 2005126706
(式中、P、Pは、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。s、tは、互いに独立に、0〜1の整数である。Zは、対イオンを表す。)
Figure 2005126706
(式中、P、Pは、互いに独立に、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、又はPとPとが結合して炭素数3〜7の二価の脂肪族炭化水素基を表し、隣接するSとともに環を形成する。該脂肪族炭化水素基の少なくとも1個の−CH2−がカルボニル基、酸素原子もしくは硫黄原子に置換されていてもよい。Pが水素原子を表し、Pが炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基もしくは置換されていても良い芳香環基を表すか、又はPとPとが結合して二価の脂肪族炭化水素基を表し、隣接する−CHCO−とともに環を形成する。Zは、対イオンを表す。) Examples of the acid generator in the present invention include the following formula (Va), (Vb), or (Vc).
Figure 2005126706
(Wherein, P 1 to P 3 is 0-3 independently of one another, hydroxyl, .p represents an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms having 1 to 6 carbon atoms, q, r are each independently When p is 2 or more, the plurality of P 1 may be the same or different from each other, and when q is 2 or more, the plurality of P 2 may be the same or different from each other, r is 2 In the above, a plurality of P 3 may be the same or different from each other, Z represents a counter ion.)
Figure 2005126706
(Wherein P 4 and P 5 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. S and t are each independently 0 (It is an integer of ˜1. Z represents a counter ion.)
Figure 2005126706
(Wherein P 6 and P 7 are independently of each other an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, or P 6 and P 7 bonded to each other to form 3 to 7 carbon atoms. And forms a ring with adjacent S + , wherein at least one —CH 2 — of the aliphatic hydrocarbon group is substituted with a carbonyl group, an oxygen atom or a sulfur atom. P 8 represents a hydrogen atom and P 9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms or an optionally substituted aromatic ring group, or P 8 And P 9 bind to each other to represent a divalent aliphatic hydrocarbon group and form a ring together with the adjacent —CHCO—, and Z represents a counter ion.

式(Va)におけるP、P、Pが、アルキル基又はアルコキシ基である場合に、炭素数3以上のときは直鎖でも分岐していてもよい。
式(Vb)におけるP及びPが、アルキル基又はアルコキシ基である場合に、炭素数3以上のときは直鎖でも分岐していてもよい。
、P、P、P及びPの具体的なアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などが挙げられ、アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。
When P 1 , P 2 , and P 3 in formula (Va) are an alkyl group or an alkoxy group, they may be linear or branched when they have 3 or more carbon atoms.
When P 4 and P 5 in Formula (Vb) are an alkyl group or an alkoxy group, they may be linear or branched when they have 3 or more carbon atoms.
Examples of specific alkyl groups of P 1 , P 2 , P 3 , P 4 and P 5 include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.

また、式(Vc)において、PとPとが結合して炭素数3〜7の二価の脂肪族炭化水素基を表す場合に、該脂肪族炭化水素基の少なくとも1個の−CH2−がカルボニル基、酸素原子もしくは硫黄原子に置換されていてもよい。
、P、Pがアルキル基の場合には、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などが挙げられ、またシクロアルキル基の場合には具体的にはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などが挙げられる。
In the formula (Vc), when P 6 and P 7 are bonded to each other to represent a C 3-7 divalent aliphatic hydrocarbon group, at least one —CH of the aliphatic hydrocarbon group 2- may be substituted with a carbonyl group, an oxygen atom or a sulfur atom.
When P 6 , P 7 and P 9 are alkyl groups, specific examples include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, tert-butyl, pentyl, and hexyl groups. In the case of a cycloalkyl group, specific examples include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cycloheptyl group.

また、式(Va)、(Vb)、(Vc)におけるカチオンの具体的な例としては、次のようなものを挙げることができる。   Specific examples of the cation in the formulas (Va), (Vb), and (Vc) include the following.

Figure 2005126706
Figure 2005126706

Figure 2005126706
Figure 2005126706

Figure 2005126706
Figure 2005126706

Figure 2005126706
Figure 2005126706

本発明における酸発生剤の対イオンZ-としては、下式(VI)で示されるアニオンが挙げられる。

Figure 2005126706
(式中、Q1、Q2、Q3、Q4及びQ5は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜16個の分岐していてもよいアルキル基、炭素数1〜16個の分岐していてもよいアルコキシ基、ハロゲン原子、炭素数1〜8個のハロゲン化アルキル基、炭素数6〜12個のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基、シアノ基、炭素数1〜4個のアルキルチオ基、炭素数1〜4個のアルキルスルホニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基又は下式(VI’)で示される基を表す。ただし、Q1、Q2、Q3、Q4及びQ5のうち少なくとも一つは、下式(VI’)で示される基である。

Figure 2005126706

式中、Xは、酸素原子又は硫黄原子を含んでも良い直鎖アルキレン基を表し、Cyは、炭素数3〜20個の脂環式炭化水素基を表す。)
炭素数1〜16の分岐していてもよいアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基などが挙げられる。
炭素数1〜16の分岐していてもよいアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、イソペンチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
炭素数6〜12個のアリール基としては、フェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
炭素数7〜12のアラルキル基としては、ベンジル基、クロロベンジル基、メトキシベンジル基などが挙げられる。 Examples of the counter ion Z of the acid generator in the present invention include anions represented by the following formula (VI).
Figure 2005126706
(In the formula, Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 and Q 5 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms which may be branched, or a group having 1 to 16 carbon atoms. An optionally branched alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, aryl group having 6 to 12 carbon atoms, aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, cyano group, 1 to carbon atoms 4 alkylthio groups, an alkylsulfonyl group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxy group, a nitro group, or a group represented by the following formula (VI ′), provided that Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 and At least one of Q 5 is a group represented by the following formula (VI ′).

Figure 2005126706

In the formula, X represents a linear alkylene group that may contain an oxygen atom or a sulfur atom, and Cy 1 represents an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms. )
Examples of the alkyl group having 1 to 16 carbon atoms which may be branched include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and decyl group. , Dodecyl group, hexadecyl group and the like.
Examples of the alkoxy group having 1 to 16 carbon atoms which may be branched include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, butoxy group, tert-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, isopentyl Examples thereof include an oxy group, a decyloxy group, a dodecyloxy group, and a hexadecyloxy group.
Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine.
Examples of the aryl group having 6 to 12 carbon atoms include a phenyl group, a tolyl group, a methoxyphenyl group, and a naphthyl group.
Examples of the aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms include a benzyl group, a chlorobenzyl group, and a methoxybenzyl group.

また、式(VI’)で示される基は、Q1、Q2、Q3、Q4及びQ5のうち、2個以上含まれる場合は、その基のX及びCyは、それぞれ独立に選択することができる。 In addition, when two or more groups represented by formula (VI ′) are included among Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 and Q 5 , X and Cy 1 of the group are each independently You can choose.

Xとしては、次のようなものが挙げられる。

Figure 2005126706
上記式において、好ましくは(a-1)〜(a-7)の直鎖アルキレン基が挙げられる。 Examples of X include the following.
Figure 2005126706
In the above formula, preferably, a linear alkylene group of (a-1) to (a-7) is used.

Cyとしては、次のようなものが挙げられる。

Figure 2005126706
上記式において、好ましくはシクロヘキシル基(b−4)、2−ノルボルニル基(b−21)、1−アダマンチル基(b−24)、2−アダマンチル基(b−23)が挙げられる。 Examples of Cy 1 include the following.
Figure 2005126706
In said formula, Preferably a cyclohexyl group (b-4), 2-norbornyl group (b-21), 1-adamantyl group (b-24), 2-adamantyl group (b-23) is mentioned.

また、式(VI)で表されるアニオンの具体的な例として、次のようなものを挙げることができる。

Figure 2005126706
Specific examples of the anion represented by the formula (VI) include the following.
Figure 2005126706

Figure 2005126706
Figure 2005126706

Figure 2005126706
Figure 2005126706

Figure 2005126706
Figure 2005126706

Figure 2005126706
Figure 2005126706

Figure 2005126706
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Figure 2005126706
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Figure 2005126706
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Figure 2005126706
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Figure 2005126706
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Figure 2005126706
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Figure 2005126706
Figure 2005126706

Figure 2005126706
Figure 2005126706

また、酸発生剤中の対イオンZとして、下式(VIIa)で表されるアニオンが挙げられる。

Figure 2005126706
(式中、Q6は、炭素数1〜20の分岐していてもよいパーフルオロアルキル基又は炭素数10〜20の置換されていてもよいナフチル基及びアントリル基を表す。) Moreover, the anion represented by the following Formula (VIIa) is mentioned as counter ion Z < - > in an acid generator.
Figure 2005126706
(Wherein, Q 6 represents a branched good perfluoro also be an alkyl group or an optionally substituted naphthyl group or an anthryl group having 10 to 20 carbon atoms having 1 to 20 carbon atoms.)

式(VIIa)で表されるアニオンとして、次のものが挙げられるが、これらは一例であり、そのすべてを表すものではない。

Figure 2005126706
Examples of the anion represented by the formula (VIIa) include the following, but these are examples and do not represent all of them.
Figure 2005126706

また、酸発生剤中の対イオンZとして、下式(VIIb)で表されるアニオンが挙げられる。

Figure 2005126706
(式中、Q7、Q8は、互いに独立に、炭素数1〜20の分岐していてもよいパーフルオロアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよい芳香環基を表す。) Moreover, the anion represented by the following Formula (VIIb) is mentioned as counter ion Z < - > in an acid generator.
Figure 2005126706
(In formula, Q < 7 >, Q < 8 > represents the C1-C20 perfluoroalkyl group which may be branched, or the C6-C20 optionally substituted aromatic ring group mutually independently. )

式(VIIb)で表されるアニオンとして、次のものが挙げられるが、これらは一例であり、そのすべてを表すものではない。

Figure 2005126706
Examples of the anion represented by the formula (VIIb) include the following, but these are examples and do not represent all of them.

Figure 2005126706

また、酸発生剤の対イオンZ-は、ハロゲン化合物のアニオン、スルホン化合物のアニオン、スルホネート化合物のアニオンでもよい。具体的には、ヘキサフルオロアンチモネート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェートなどが挙げられる。 The counter ion Z of the acid generator may be an anion of a halogen compound, an anion of a sulfone compound, or an anion of a sulfonate compound. Specific examples include hexafluoroantimonate, tetrafluoroborate, hexafluorophosphate, and the like.

また、本発明の化学増幅型ポジ型レジストにおいては、塩基性含窒素化合物をクエンチャーとして添加することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良できる。このような塩基性含窒素化合物の具体的な例としては、以下の各式で示されるアミン類を挙げることができる。   Further, in the chemically amplified positive resist of the present invention, by adding a basic nitrogen-containing compound as a quencher, it is possible to improve performance deterioration due to acid deactivation accompanying holding after exposure. Specific examples of such basic nitrogen-containing compounds include amines represented by the following formulas.

Figure 2005126706
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式中、R12、R13及びR18は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル、シクロアルキル又はアリールを表す。該アルキル、シクロアルキル又はアリールは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキルは、炭素数1〜6程度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数5〜10程度が好ましく、該アリールは、炭素数6〜10程度が好ましい。
14、R15及びR16は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルコキシを表す。該アルキル、シクロアルキル、アリール、又はアルコキシは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数1〜6のアルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキルは、炭素数1〜6程度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数5〜10程度が好ましく、該アリールは、炭素数6〜10程度が好ましく、該アルコキシは、炭素数1〜6程度が好ましい。
17は、アルキル又はシクロアルキルを表す。該アルキル又はシクロアルキルは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、炭素数1〜6のアルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキルは、炭素数1〜6程度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数5〜10程度が好ましい。
Aは、アルキレン、カルボニル、イミノ、スルフィド又はジスルフィドを表す。該アルキレンは、炭素数2〜6程度であることが好ましい。
また、R12〜R18において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。
但し、前記式[3]化合物におけるR12、R13及びR18は何れも水素原子であることはない。
19〜R21は同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1〜6個のアルキル基、炭素数1〜6個のアミノアルキル基、炭素数1〜6個のヒドロキシアルキル基又は6〜20個の置換もしくは非置換のアリール基を表し、ここで
19とR20は互いに結合して環を形成していてもよい。
In the formula, R 12 , R 13 and R 18 each independently represent a hydrogen atom, alkyl, cycloalkyl or aryl. The alkyl, cycloalkyl, or aryl may be each independently substituted with a hydroxyl group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The amino group may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl preferably has about 1 to 6 carbon atoms, the cycloalkyl preferably has about 5 to 10 carbon atoms, and the aryl preferably has about 6 to 10 carbon atoms.
R 14 , R 15 and R 16 each independently represents a hydrogen atom, alkyl, cycloalkyl, aryl or alkoxy. The alkyl, cycloalkyl, aryl, or alkoxy may be each independently substituted with a hydroxyl group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The amino group may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. In addition, the alkyl preferably has about 1 to 6 carbon atoms, the cycloalkyl preferably has about 5 to 10 carbon atoms, the aryl preferably has about 6 to 10 carbon atoms, and the alkoxy has 1 to about carbon atoms. About 6 is preferable.
R 17 represents alkyl or cycloalkyl. The alkyl or cycloalkyl may each independently be substituted with a hydroxyl group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The amino group may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl preferably has about 1 to 6 carbon atoms, and the cycloalkyl preferably has about 5 to 10 carbon atoms.
A represents alkylene, carbonyl, imino, sulfide or disulfide. The alkylene preferably has about 2 to 6 carbon atoms.
Further, in R 12 to R 18 , any of those that can take both a linear structure and a branched structure may be used.
However, none of R 12 , R 13 and R 18 in the compound of the formula [3] is a hydrogen atom.
R 19 to R 21 may be the same or different and are each a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or 6 Represents -20 substituted or unsubstituted aryl groups, wherein R 19 and R 20 may be bonded to each other to form a ring;

このような化合物として、具体的には、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、1−又は2−ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4′−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジエチルジフェニルメタン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、N−メチルアニリン、ピペリジン、ジフェニルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、N,N−ジメチルアニリン、2,6−イソプロピルアニリン、イミダゾール、ピリジン、4−メチルピリジン、4−メチルイミダゾール、ビピリジン、2,2′−ジピリジルアミン、ジ−2−ピリジルケトン、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ビス(2−ピリジル)エチレン、1,2−ビス(4−ピリジル)エチレン、1,2−ビス(4−ピリジルオキシ)エタン、4,4′−ジピリジルスルフィド、4,4′−ジピリジルジスルフィド、1,2−ビス(4−ピリジル)エチレン、2,2′−ジピコリルアミン、3,3′−ジピコリルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−オクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、N−メチルピロリドン、ジメチルイミダゾールなどを挙げることができる。   Specific examples of such compounds include hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, aniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, 1- or 2-naphthylamine, and ethylenediamine. Tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4'-diamino-1,2-diphenylethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'- Diethyldiphenylmethane, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, N-methylaniline, piperidine, diphenylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine , Tripentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyldihexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine , Methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonylamine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, N, N-dimethylaniline, 2,6-isopropylaniline, imidazole, pyridine, -Methylpyridine, 4-methylimidazole, bipyridine, 2,2'-dipyridylamine, di-2-pyridyl ketone, 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-bis (2-pyridyl) ethylene, 1,2-bis (4-pyridyl) ethylene, 1,2-bis (4-pyridyloxy) ethane, 4 , 4'-dipyridyl sulfide, 4,4'-dipyridyl disulfide, 1,2-bis (4-pyridyl) ethylene, 2,2'-dipicolylamine, 3,3'-dipicolylamine, tetramethylammonium hydroxide Tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetra-n-hexylammonium hydroxide, tetra-n- Examples thereof include octylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethylammonium hydroxide, choline, N-methylpyrrolidone, and dimethylimidazole.

さらには、特開平11−52575号公報に開示されているような、ピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物をクエンチャーとすることもできる。   Furthermore, a hindered amine compound having a piperidine skeleton as disclosed in JP-A-11-52575 can be used as a quencher.

本発明のレジスト組成物は、樹脂と酸発生剤の合計重量に対して、樹脂を80〜99.9重量%、酸発生剤を20〜0.1重量%の範囲で含有することが好ましい。
本発明の組成物において、塩基性含窒素化合物を用いる場合は、該樹脂100重量部に対して、0.001〜1重量部の範囲、さらには0.01〜0.3重量部の範囲で含有することが好ましい。
本発明の組成物は、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。
The resist composition of the present invention preferably contains 80 to 99.9% by weight of the resin and 20 to 0.1% by weight of the acid generator with respect to the total weight of the resin and the acid generator.
In the composition of the present invention, when a basic nitrogen-containing compound is used, it is in the range of 0.001 to 1 part by weight, more preferably in the range of 0.01 to 0.3 part by weight with respect to 100 parts by weight of the resin. It is preferable to contain.
The composition of the present invention can contain small amounts of various additives such as sensitizers, dissolution inhibitors, other resins, surfactants, stabilizers, and dyes as necessary.

本発明のレジスト組成物は、通常、上記の各成分が溶剤に溶解された状態でレジスト液組成物とされ、シリコンウェハーなどの基体上に、スピンコーティングなどの常法に従って塗布される。ここで用いる溶剤は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分野で一般に用いられている溶剤が使用しうる。
例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類などを挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は2種以上組み合わせて用いることができる。
The resist composition of the present invention is usually made into a resist solution composition in a state where each of the above components is dissolved in a solvent, and is applied on a substrate such as a silicon wafer according to a conventional method such as spin coating. The solvent used here may be any solvent that dissolves each component, has an appropriate drying rate, and gives a uniform and smooth coating film after the solvent evaporates, and a solvent generally used in this field is used. Yes.
For example, glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; esters such as ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and ethyl pyruvate; acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone And ketones such as cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜には、パターニングのための露光処理が施され、次いで脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、アルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であることができるが、一般には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液が用いられることが多い。
上記において、本発明の実施の形態について説明を行なったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれらの実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものである。
The resist film coated and dried on the substrate is subjected to an exposure process for patterning, followed by a heat treatment for promoting a deprotecting group reaction, and then developed with an alkali developer. The alkaline developer used here may be various alkaline aqueous solutions used in this field, but generally an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide or (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline) is used. Often used.
While the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments of the present invention disclosed above are merely examples, and the scope of the present invention is not limited to these embodiments. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and further includes meanings equivalent to the description of the claims and all modifications within the scope.

次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を表す%及び部は、特記ないかぎり重量基準である。
また、重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。
さらに、樹脂の実組成比は、樹脂のNMRスペクトル又は樹脂をヨウ化水素で分解することで得られた分解物をガスクロマトグラフで測定し、これを通常の内標準法で定量することで算出した。
EXAMPLES Next, although an Example is given and this invention is demonstrated further more concretely, this invention is not limited at all by these Examples. In the examples, “%” and “part” representing the content or amount used are based on weight unless otherwise specified.
The weight average molecular weight is a value obtained by gel permeation chromatography using polystyrene as a standard product.
Furthermore, the actual composition ratio of the resin was calculated by measuring the NMR spectrum of the resin or a decomposition product obtained by decomposing the resin with hydrogen iodide using a gas chromatograph, and quantifying this by a normal internal standard method. .

実施例1
〔樹脂A1の合成〕
メタクリル酸2−イソプロピル−2−アダマンチルを8.50g、アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルを4.80g、5−アクリロイルオキシ−2,6−ノルボルネンラクトンを11.24g仕込み(モル比 30:20:50)、全モノマーの2.6重量倍のジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマー量に対して3モル%添加し、85℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる動作を3回行い、精製した。その結果、重量平均分子量が約10000の共重合体を収率76%で得た。この共重合体は、次式の各構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。なお、得られた樹脂の実組成比は、ほぼ仕込み比どおりであった。

Figure 2005126706
Example 1
[Synthesis of Resin A1]
Charge 8.50 g of 2-isopropyl-2-adamantyl methacrylate, 4.80 g of 3-hydroxy-1-adamantyl acrylate, and 11.24 g of 5-acryloyloxy-2,6-norbornenelactone (molar ratio 30:20). : 50), 2.6 weight times dioxane of all monomers was added to make a solution. 3 mol% of azobisisobutyronitrile as an initiator was added thereto as the initiator, and the mixture was heated at 85 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a mixed solvent of a large amount of methanol and water three times for precipitation. As a result, a copolymer having a weight average molecular weight of about 10,000 was obtained in a yield of 76%. This copolymer has each structural unit of the following formula, and this is designated as resin A1. The actual composition ratio of the obtained resin was almost the same as the preparation ratio.
Figure 2005126706

実施例2
〔樹脂A2の合成〕
メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチルを8.50g、アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルを5.07g、5−アクリロイルオキシ−2,6−ノルボルネンラクトンを11.87g仕込み(モル比 30:20:50)、全モノマーの2.6重量倍のジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマー量に対して3モル%添加し、85℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる動作を3回行い、精製した。その結果、重量平均分子量が約10000の共重合体を収率82%で得た。この共重合体は、次式の各構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。なお、得られた樹脂の実組成比は、ほぼ仕込み比どおりであった。

Figure 2005126706
Example 2
[Synthesis of Resin A2]
8.50 g of 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate, 5.07 g of 3-hydroxy-1-adamantyl acrylate, and 11.87 g of 5-acryloyloxy-2,6-norbornenelactone (molar ratio 30:20) : 50), 2.6 weight times dioxane of all monomers was added to make a solution. 3 mol% of azobisisobutyronitrile as an initiator was added thereto as the initiator, and the mixture was heated at 85 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a mixed solvent of a large amount of methanol and water three times for precipitation. As a result, a copolymer having a weight average molecular weight of about 10,000 was obtained in a yield of 82%. This copolymer has each structural unit of the following formula, and this is designated as resin A2. The actual composition ratio of the obtained resin was almost the same as the preparation ratio.
Figure 2005126706

実施例3〜5、比較例1〜3
以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、表1に示すようにレジスト液を調製した。
Examples 3-5, Comparative Examples 1-3
The following components were mixed and dissolved, and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist solution as shown in Table 1.

<酸発生剤>
B1:2−オキソ−2−フェニルエチル チアシクロペンタニウム パーフルオロブタンスルホナート 0.215部
B2:p-トリルジフェニルスルホニウム パーフルオロ−N−[(パーフルオロエチル)スルホニル]−1−エタンスルホンアミダート 0.26部
<樹脂>
種類は、表1に記載:10部
<クエンチャー>
2、6−ジイソプロピルアニリン 0.0075部
<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 33.25部
2−ヘプタノン 33.25部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Acid generator>
B1: 2-oxo-2-phenylethyl thiacyclopentanium perfluorobutanesulfonate 0.215 parts B2: p-tolyldiphenylsulfonium perfluoro-N-[(perfluoroethyl) sulfonyl] -1-ethanesulfonamidate 0.26 parts <Resin>
Types listed in Table 1: 10 parts <quencher>
2,6-diisopropylaniline 0.0075 part <solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 33.25 parts 2-heptanone 33.25 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

シリコンウェハーにBrewer社製の有機反射防止膜用組成物である“ARC−29A−8”を塗布して215℃、60秒の条件でベークすることによって厚さ 780Åの有機反射防止膜を形成させ、次いでこの上に、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が0.27μmとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」の欄に示す温度で60秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、ArFエキシマステッパー〔(株)ニコン製の“NSR ArF”、NA=0.55 2/3Annular〕用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後は、ホットプレート上にて表1の「PEB」の欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
有機反射防止膜基板上のもので現像後のブライトフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表2に示した。なお、ここでいうブライトフィールドパターンとは、外枠がクロム層(遮光層)で、その枠の内側にガラス面(透光部)をベースとしてライン状にクロム層(遮光層)が形成されたレチクルを介した露光及び現像によって得られ、したがって露光現像後は、ラインアンドスペースパターンの周囲のレジスト層が除去され、さらにその外側に外枠相当のレジスト層が残るパターンである。
A silicon wafer was coated with “ARC-29A-8”, an organic antireflective coating composition manufactured by Brewer, and baked at 215 ° C. for 60 seconds to form an organic antireflective coating having a thickness of 780 mm. Then, the above resist solution was spin-coated thereon so that the film thickness after drying was 0.27 μm. After applying the resist solution, pre-baking was performed on a direct hot plate at a temperature indicated in the column “PB” in Table 1 for 60 seconds. Using the ArF excimer stepper (“NSR ArF” manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.55 2/3 Annual) on each wafer on which the resist film is thus formed, the exposure amount is changed stepwise to form a line and space pattern. Exposed.
After exposure, post-exposure baking is performed for 60 seconds on the hot plate at the temperature shown in the column of “PEB” in Table 1, and further paddle development is performed for 60 seconds with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. It was.
The bright field pattern after development on the organic antireflection film substrate was observed with a scanning electron microscope, and the results are shown in Table 2. The bright field pattern here is a chrome layer (light-shielding layer) on the outer frame, and a chrome layer (light-shielding layer) is formed in a line on the inside of the frame with the glass surface (translucent part) as a base. The pattern is obtained by exposure and development through a reticle. Therefore, after exposure and development, the resist layer around the line and space pattern is removed, and a resist layer corresponding to the outer frame is left outside.

実効感度:0.13μmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で表示した。   Effective sensitivity: 0.13 μm line-and-space pattern was displayed at an exposure amount of 1: 1.

〔表1〕
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例 No. 樹脂 酸発生剤 クエンチャー PB PEB
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実施例3 A1/10部 B1/0.215部 C1/0.01部 130℃ 90℃
B2/0.26部
実施例4 A1/10部 B1/0.215部 C1/0.01部 130℃ 100℃
B2/0.26部
実施例5 A1/10部 B1/0.215部 C1/0.01部 130℃ 110℃
B2/0.26部

比較例1 A2/10部 B1/0.215部 C1/0.01部 130℃ 90℃
B2/0.26部
比較例2 A2/10部 B1/0.215部 C1/0.01部 130℃ 100℃
B2/0.26部
比較例3 A2/10部 B1/0.215部 C1/0.01部 130℃ 110℃
B2/0.26部
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[Table 1]
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Example No. Resin Acid generator Quencher PB PEB
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Example 3 A1 / 10 part B1 / 0.215 part C1 / 0.01 part 130 ° C 90 ° C
B2 / 0.26 part Example 4 A1 / 10 part B1 / 0.215 part C1 / 0.01 part 130 ° C 100 ° C
B2 / 0.26 part Example 5 A1 / 10 part B1 / 0.215 part C1 / 0.01 part 130 ° C 110 ° C
B2 / 0.26 parts

Comparative Example 1 A2 / 10 part B1 / 0.215 part C1 / 0.01 part 130 ° C 90 ° C
B2 / 0.26 part comparative example 2 A2 / 10 part B1 / 0.215 part C1 / 0.01 part 130 ℃ 100 ℃
B2 / 0.26 part Comparative Example 3 A2 / 10 part B1 / 0.215 part C1 / 0.01 part 130 ° C 110 ° C
B2 / 0.26 part━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

〔表2〕
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例 No. 実効感度 解像度
(mJ/cm2) (μm)
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実施例3 29 0.13
実施例4 15 0.13
実施例5 8 0.13

比較例1 44 > 0.20
比較例2 19 0.13
比較例3 10 0.13
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
[Table 2]
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Example No. Effective sensitivity Resolution
(mJ / cm 2 ) (μm)
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Example 3 29 0.13
Example 4 15 0.13
Example 5 8 0.13

Comparative Example 1 44> 0.20
Comparative Example 2 19 0.13
Comparative Example 3 10 0.13
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本発明の化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、解像度などの各種のレジスト性能を維持している上に、特に改善された感度を与えるので、ArFやKrFなどのエキシマレーザーリソグラフィに好適に用いられる。本発明の樹脂は、前記の化学増幅型ポジ型レジスト組成物の成分として好適に用いられ、該樹脂の製造方法は工業的に有用である。

Since the chemically amplified positive resist composition of the present invention maintains various resist performances such as resolution and provides particularly improved sensitivity, it is suitably used for excimer laser lithography such as ArF and KrF. . The resin of the present invention is suitably used as a component of the chemically amplified positive resist composition, and the method for producing the resin is industrially useful.

Claims (13)

(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルから導かれる重合単位、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルから導かれる重合単位、ラクトン環がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンから導かれる重合単位、下式(Ia)で示される重合単位及び(Ib)で示される重合単位からなる群から選ばれた少なくとも1種の重合単位を含み、さらに下式(II)で示される重合単位を有する樹脂であり、樹脂自身はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となることを特徴とする樹脂。
Figure 2005126706
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は、メチル基又はエチル基を表す。mは、0〜3の整数を表す。式(Ia)において、mが2以上のとき、複数のR2は、互いに同一でも異なってもよい。式(Ib)において、mが2以上のとき、複数のR2は、互いに同一でも異なってもよい。)
Figure 2005126706
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R3、R4は、互いに独立に、炭素数1〜2のアルキル基を表す。R5は、メチル基、ハロゲン原子又はヒドロキシル基を表す。nは、0〜14の整数を表す。nが2以上のとき、複数のRは、互いに同一でも異なってもよい。)
The polymer unit derived from 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, the polymer unit derived from 3, methacrylic acid 3,5-dihydroxy-1-adamantyl, and the lactone ring may be substituted with alkyl ( A polymer unit derived from (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, at least one polymer unit selected from the group consisting of a polymer unit represented by the following formula (Ia) and a polymer unit represented by (Ib): A resin having a polymerization unit represented by formula (II), wherein the resin itself is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, but becomes soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid.
Figure 2005126706
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 2 represents a methyl group or an ethyl group. M represents an integer of 0 to 3. In the formula (Ia), m is 2 or more. The plurality of R 2 may be the same or different from each other.In Formula (Ib), when m is 2 or more, the plurality of R 2 may be the same or different from each other.)
Figure 2005126706
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 3 and R 4 each independently represent an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms. R 5 represents a methyl group, a halogen atom or a hydroxyl group. N represents an integer of 0 to 14. When n is 2 or more, the plurality of R 5 may be the same as or different from each other.
樹脂の全重合単位中の式(II)で示される重合単位の含有率が、10〜80モル%である請求項1に記載の樹脂。   The resin according to claim 1, wherein the content of the polymer unit represented by the formula (II) in all the polymer units of the resin is 10 to 80 mol%. 樹脂が、さらに2−ノルボルネンから導かれる重合単位と脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物から導かれる重合単位とを有する請求項1〜2のいずれかに記載の樹脂。   The resin according to any one of claims 1 to 2, wherein the resin further comprises a polymer unit derived from 2-norbornene and a polymer unit derived from an aliphatic unsaturated dicarboxylic acid anhydride. 樹脂が、さらに下式(III)で示される重合単位を有する請求項1〜3のいずれかに記載の樹脂。
Figure 2005126706
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R3は、炭素数1〜2のアルキル基を表す。)
The resin according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin further has a polymer unit represented by the following formula (III).
Figure 2005126706
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 3 represents an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms.)
樹脂が、さらに下式(IV)で示される重合単位を有する請求項1〜4のいずれかに記載の樹脂。
Figure 2005126706
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R6、R7は、互いに独立に、炭素数1〜4の分岐していてもよいアルキル基を表す。)
The resin according to any one of claims 1 to 4, wherein the resin further has a polymerization unit represented by the following formula (IV).
Figure 2005126706
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 6 and R 7 each independently represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be branched.)
請求項1〜5のいずれかに記載された樹脂及び酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物。   A chemically amplified positive resist composition comprising the resin according to any one of claims 1 to 5 and an acid generator. 酸発生剤が下式(Va)、(Vb)又は(Vc)であることを特徴とする請求項6に記載の組成物。
Figure 2005126706
(式中、P1〜P3は、互いに独立に、水酸基、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。p、q、rは、それぞれ独立に0〜3の整数である。pが2以上のとき、複数のP1は、互いに同一でも異なってもよい。qが2以上のとき、複数のP2は、互いに同一でも異なってもよい。rが2以上のとき、複数のP3は、互いに同一でも異なってもよい。Zは、対イオンを表す。)
Figure 2005126706
(式中、P、Pは、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。s、tは、互いに独立に、0〜1の整数である。Zは、対イオンを表す。)
Figure 2005126706
(式中、P、Pは、互いに独立に、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、又はPとPとが結合して炭素数3〜7の二価の脂肪族炭化水素基を表し、隣接するSとともに環を形成する。該脂肪族炭化水素基の少なくとも1個の−CH2−がカルボニル基、酸素原子もしくは硫黄原子に置換されていてもよい。Pが水素原子を表し、Pが炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基もしくは置換されていても良い芳香環基を表すか、又はPとPとが結合して二価の脂肪族炭化水素基を表し、隣接する−CHCO−とともに環を形成する。Zは、対イオンを表す。)
The composition according to claim 6, wherein the acid generator is represented by the following formula (Va), (Vb) or (Vc).
Figure 2005126706
(Wherein, P 1 to P 3 is 0-3 independently of one another, hydroxyl, .p represents an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms having 1 to 6 carbon atoms, q, r are each independently When p is 2 or more, the plurality of P 1 may be the same or different from each other, and when q is 2 or more, the plurality of P 2 may be the same or different from each other, r is 2 In the above, a plurality of P 3 may be the same or different from each other, Z represents a counter ion.)
Figure 2005126706
(Wherein P 4 and P 5 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. S and t are each independently 0 (It is an integer of ˜1. Z represents a counter ion.)
Figure 2005126706
(Wherein P 6 and P 7 are independently of each other an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, or P 6 and P 7 bonded to each other to form 3 to 7 carbon atoms. And forms a ring with adjacent S + , wherein at least one —CH 2 — of the aliphatic hydrocarbon group is substituted with a carbonyl group, an oxygen atom or a sulfur atom. P 8 represents a hydrogen atom, and P 9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, or an optionally substituted aromatic ring group, or P 8 And P 9 bind to each other to represent a divalent aliphatic hydrocarbon group and form a ring together with the adjacent —CHCO—, and Z represents a counter ion.
酸発生剤中の対イオンZが下式(VI)であることを特徴とする請求項7に記載の組成物。
Figure 2005126706
(式中、Q1、Q2、Q3、Q4及びQ5は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜16個の分岐していてもよいアルキル基、炭素数1〜16個の分岐していてもよいアルコキシ基、ハロゲン原子、炭素数1〜8個のハロゲン化アルキル基、炭素数6〜12個のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基、シアノ基、炭素数1〜4個のアルキルチオ基、炭素数1〜4個のアルキルスルホニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基又は下式(VI’)で示される基を表す。ただし、Q1、Q2、Q3、Q4及びQ5のうち少なくとも一つは、下式(VI’)で示される基である。
Figure 2005126706
式中、Xは、酸素原子又は硫黄原子を含んでも良い直鎖アルキレン基を表し、Cyは、炭素数3〜20個の脂環式炭化水素基を表す。)
The composition according to claim 7, wherein the counter ion Z in the acid generator is represented by the following formula (VI).
Figure 2005126706
(In the formula, Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 and Q 5 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms which may be branched, or a group having 1 to 16 carbon atoms. An optionally branched alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, aryl group having 6 to 12 carbon atoms, aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, cyano group, 1 to carbon atoms 4 alkylthio groups, an alkylsulfonyl group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxy group, a nitro group, or a group represented by the following formula (VI ′), provided that Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 and At least one of Q 5 is a group represented by the following formula (VI ′).
Figure 2005126706
In the formula, X represents a linear alkylene group that may contain an oxygen atom or a sulfur atom, and Cy 1 represents an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms. )
酸発生剤中の対イオンZが下式(VIIa)又は(VIIb)であることを特徴とする請求項7に記載の組成物。
Figure 2005126706
(式中、Q6は、炭素数1〜20の分岐していてもよいパーフルオロアルキル基又は炭素数10〜20の置換されていてもよいナフチル基およびアントリル基を表す。)

Figure 2005126706
(式中、Q7、Q8は、互いに独立に、炭素数1〜20の分岐していてもよいパーフルオロアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよい芳香環基を表す。)
The composition of claim 7 which is characterized in that it is a following formula (VIIa) or (VIIb) - pairs in the acid-generating agent ions Z.
Figure 2005126706
(Wherein, Q 6 represents a branched good perfluoro also be an alkyl group or an optionally substituted naphthyl group and an anthryl group having 10 to 20 carbon atoms having 1 to 20 carbon atoms.)

Figure 2005126706
(In formula, Q < 7 >, Q < 8 > represents the C1-C20 perfluoroalkyl group which may be branched, or the C6-C20 optionally substituted aromatic ring group mutually independently. )
樹脂と酸発生剤の合計重量に対して、樹脂を80〜99.9重量%、酸発生剤を20〜0.1重量%の範囲で含有する請求項7〜9のいずれかに記載の組成物。   The composition according to any one of claims 7 to 9, comprising a resin in a range of 80 to 99.9% by weight and an acid generator in a range of 20 to 0.1% by weight based on the total weight of the resin and the acid generator. Stuff. さらに、塩基性含窒素化合物をクエンチャーとして含有する請求項7〜10のいずれかに記載の組成物。   Furthermore, the composition in any one of Claims 7-10 which contains a basic nitrogen-containing compound as a quencher. 樹脂100重量部に対して、塩基性含窒素化合物を0.001〜1重量部の範囲で含有する請求項11に記載の組成物。   The composition of Claim 11 which contains a basic nitrogen-containing compound in 0.001-1 weight part with respect to 100 weight part of resin. (メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル、ラクトン環がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンから導かれるモノマー、下式(Ia’)で示されるモノマー及び(Ib’)で示されるモノマーからなる群から選ばれた少なくとも1種のモノマーと、さらに下式(II’)で示されるモノマーとを重合することを特徴とする請求項1記載の樹脂の製造方法。
Figure 2005126706
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は、メチル基又はエチル基を表す。mは、0〜3の整数を表す。式(Ia’)において、mが2以上のとき、複数のR2は、互いに同一でも異なってもよい。式(Ib’)において、mが2以上のとき、複数のR2は、互いに同一でも異なってもよい。)
Figure 2005126706
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R3、R4は、互いに独立に、炭素数1〜2のアルキル基を表す。R5は、メチル基、ハロゲン原子又はヒドロキシル基を表す。nは、0〜14の整数を表す。nが2以上のとき、複数のRは、互いに同一でも異なってもよい。)
(Meth) acrylic acid 3-hydroxy-1-adamantyl, (meth) acrylic acid 3,5-dihydroxy-1-adamantyl, derived from (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, the lactone ring of which may be substituted with alkyl A monomer, at least one monomer selected from the group consisting of a monomer represented by the following formula (Ia ′) and a monomer represented by (Ib ′), and a monomer represented by the following formula (II ′) are further polymerized The method for producing a resin according to claim 1.
Figure 2005126706
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 2 represents a methyl group or an ethyl group. M represents an integer of 0 to 3. In the formula (Ia ′), m is 2 or more. when a plurality of R 2, in each other may be the same or different. formula (Ib '), when m is 2 or more, plural R 2 may be the same or different.)
Figure 2005126706
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 3 and R 4 each independently represent an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms. R 5 represents a methyl group, a halogen atom or a hydroxyl group. N represents an integer of 0 to 14. When n is 2 or more, the plurality of R 5 may be the same as or different from each other.
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