JP2017157597A - Wiring board and manufacturing method for the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a wiring board and a manufacturing method thereof.
従来より、ICパッケージ基板やインターポーザなどに利用される配線基板として、基板上に、金属酸化物層と、金属配線層とをこの順に備える配線基板が知られている(例えば、特許文献1)。特許文献1には、金属酸化物層をパターニングした後、金属酸化物層の上に、無電解銅メッキにより金属配線層を形成する方法が開示されている。 Conventionally, as a wiring substrate used for an IC package substrate, an interposer, or the like, a wiring substrate including a metal oxide layer and a metal wiring layer in this order on the substrate is known (for example, Patent Document 1). Patent Document 1 discloses a method in which after a metal oxide layer is patterned, a metal wiring layer is formed on the metal oxide layer by electroless copper plating.
しかし、特許文献1に記載の金属配線層の形成方法では、金属配線層の寸法精度が低い。このため、金属配線層の寸法精度を高めるために、金属酸化物層の上に金属配線層を積層した後にウェットエッチングによるパターニングを行うことが好ましい。 However, in the metal wiring layer forming method described in Patent Document 1, the dimensional accuracy of the metal wiring layer is low. Therefore, in order to increase the dimensional accuracy of the metal wiring layer, it is preferable to perform patterning by wet etching after laminating the metal wiring layer on the metal oxide layer.
金属酸化物層の上に金属配線層を積層した後にウェットエッチングを行う場合、金属配線層よりもエッチングレートが高い金属酸化物層が優先的にエッチングされる。この結果として、金属配線層と基板との間に隙間が生じる虞があった。そして、この隙間により、基板と金属酸化物層との接着面積や金属酸化物層と金属配線層との接着面積が低下し、金属配線層や金属酸化物層が基板から剥がれる虞があった。特に、この隙間に液体や気体が侵入し、その状態で熱を受けた場合、侵入した液体や気体が膨張することにより、金属配線層や金属酸化物層が基板から剥がれる虞があった。 When wet etching is performed after the metal wiring layer is stacked on the metal oxide layer, the metal oxide layer having an etching rate higher than that of the metal wiring layer is preferentially etched. As a result, there is a possibility that a gap is generated between the metal wiring layer and the substrate. Then, due to this gap, the adhesion area between the substrate and the metal oxide layer and the adhesion area between the metal oxide layer and the metal wiring layer are reduced, and the metal wiring layer and the metal oxide layer may be peeled off from the substrate. In particular, when liquid or gas enters the gap and receives heat in that state, the intruded liquid or gas expands, which may cause the metal wiring layer or metal oxide layer to peel off from the substrate.
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することができる。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and can be realized as the following forms.
(1)本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成された金属酸化物層と、前記金属酸化物層上に形成された金属配線層と、前記金属配線層を覆う第1の樹脂層と、を備える配線基板であって、前記配線基板を断面視した場合に、前記金属酸化物層の方が前記金属配線層よりも幅が狭く、前記ガラス基板と前記金属配線層との間に形成され、かつ、前記金属酸化物層の側面に接触する第2の樹脂層と、を備え、前記第1の樹脂層に含まれる樹脂は、前記第2の樹脂層に含まれる樹脂とは異なることを特徴とする。この形態の配線基板によれば、第2の樹脂層を備えることにより、ガラス基板から金属酸化物層や金属配線層が剥がれることを抑制できる。 (1) According to one aspect of the present invention, a wiring board is provided. The wiring board includes a glass substrate, a metal oxide layer formed on the glass substrate, a metal wiring layer formed on the metal oxide layer, and a first resin layer covering the metal wiring layer. When the wiring substrate is viewed in cross section, the metal oxide layer is narrower than the metal wiring layer and is formed between the glass substrate and the metal wiring layer. And a second resin layer in contact with the side surface of the metal oxide layer, wherein the resin contained in the first resin layer is different from the resin contained in the second resin layer It is characterized by. According to the wiring board of this form, by providing the second resin layer, it is possible to prevent the metal oxide layer and the metal wiring layer from being peeled from the glass substrate.
(2)上記形態の配線基板において、前記金属酸化物層は、亜鉛、チタン、スズ、クロムからなる群より選ばれる少なくとも一つを含む酸化物層としてもよい。この形態の配線基板によれば、ガラス基板と金属酸化物層との密着性を向上させることができる。 (2) In the wiring board of the above aspect, the metal oxide layer may be an oxide layer including at least one selected from the group consisting of zinc, titanium, tin, and chromium. According to this form of wiring substrate, the adhesion between the glass substrate and the metal oxide layer can be improved.
(3)上記形態の配線基板において、前記金属配線層は、銅、ニッケル、銀からなる群より選ばれる少なくとも一つを含んでもよい。この形態の配線基板によれば、導電性を向上させることができる。 (3) In the wiring board of the above aspect, the metal wiring layer may include at least one selected from the group consisting of copper, nickel, and silver. According to the wiring board of this form, the conductivity can be improved.
(4)本発明の他の形態によれば、配線基板の製造方法が提供される。この配線基板の製造方法は、ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成された金属酸化物層と、前記金属酸化物層上に形成された金属配線層と、を備え、断面視した場合に、前記金属酸化物層の方が前記金属配線層よりも幅が狭いコア基板を準備する準備工程と、前記ガラス基板と前記金属配線層との間であり、かつ、前記金属酸化物層の側面に接触するように第2の樹脂層を形成する第2の樹脂層形成工程と、前記金属配線層を覆う第1の樹脂層を形成する第1の樹脂層形成工程と、を備え、前記第1の樹脂層に含まれる樹脂は、前記第2の樹脂層に含まれる樹脂とは異なることを特徴とする。この形態の配線基板の製造方法によれば、第2の樹脂層を備えることにより、ガラス基板から金属酸化物層や金属配線層が剥がれることを抑制できる。 (4) According to another aspect of the present invention, a method for manufacturing a wiring board is provided. The method for manufacturing a wiring board includes a glass substrate, a metal oxide layer formed on the glass substrate, and a metal wiring layer formed on the metal oxide layer, and when viewed in cross section, A preparation step of preparing a core substrate having a width narrower than that of the metal wiring layer, and between the glass substrate and the metal wiring layer, and on a side surface of the metal oxide layer; A first resin layer forming step of forming a second resin layer so as to come into contact; and a first resin layer forming step of forming a first resin layer covering the metal wiring layer. The resin contained in the resin layer is different from the resin contained in the second resin layer. According to the method for manufacturing a wiring board of this aspect, by providing the second resin layer, it is possible to prevent the metal oxide layer or the metal wiring layer from being peeled off from the glass substrate.
なお、本発明は、上述した配線基板や配線基板の製造方法としての形態に限らず、種々の形態で実現することが可能である。本発明は、例えば、配線基板を備えた電気機器の態様で実現することができる。 In addition, this invention is not restricted to the form as a wiring board and the manufacturing method of a wiring board mentioned above, It is realizable in various forms. The present invention can be realized, for example, in the form of an electric device including a wiring board.
A.実施形態:
A1.配線基板の構成:
図1は、本実施形態の配線基板10の説明図である。本実施形態の配線基板10は、例えば、ICパッケージ基板やインターポーザとして利用される。図1に示すように、配線基板10は、ガラス基板100と、金属酸化物層110と、金属配線層120と、第1の樹脂層130と、第2の樹脂層140とを備える。図1には、配線基板10の一部を示している。
A. Embodiment:
A1. Wiring board configuration:
FIG. 1 is an explanatory diagram of the
ガラス基板100は、本実施形態において、300mm四方で厚さが0.3mmの無アルカリガラスにより形成されている。
In the present embodiment, the
金属酸化物層110は、金属酸化物により形成されている層であり、ガラス基板100上に形成されている。金属酸化物層110は、ガラス基板100と密着性の高い材料を用いることが好ましく、例えば、亜鉛(Zn)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、クロム(Cr)からなる群より選ばれる少なくとも一つを含む酸化物層であることが好ましい。本実施形態において、金属酸化物層110は、酸化亜鉛(ZnO)により形成されている。本実施形態において、金属酸化物層110の厚さは、約20nmである。
The
金属配線層120は、金属により形成されている層であり、配線に用いられる。金属配線層120は、金属酸化物層110上に形成されている。金属配線層120は、金属酸化物層110と接する層から順に、シード層122と、メッキ層125とを備える。金属配線層120は、導電性の高い金属から形成されていることが好ましく、例えば、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、銀(Ag)からなる群より選ばれる少なくとも一つを含むことが好ましい。本実施形態において、金属配線層120は、銅(Cu)により形成されている。
The
後述する準備工程(工程P100)でのエッチングにより、配線基板10を断面視した場合に、金属酸化物層110の方が金属配線層120よりも幅が狭くなる。この結果として、ガラス基板100と金属配線層120との間には隙間が生じる。本実施形態において、金属酸化物層110の厚さは、約100nmであり、この隙間も100nmであると考えられる。なお、「配線基板10を断面視した場合」とは、基板100上で金属配線層120が延びる方向に垂直な断面において、配線基板10を見た場合を示す。「幅」とは、断面視したときに、金属酸化物層110が金属配線層120に積層される方向に垂直な方向における寸法を示す。
The
第1の樹脂層130は、樹脂により形成されている層であり、絶縁特性を有する層である。第1の樹脂層130は、金属配線層120を覆っている。本実施形態において、第1の樹脂層130は、エポキシ樹脂により形成されており、所望の強度や耐熱性を付与するためにシリカ等の無機材料からなるフィラーが含まれている。
The
第2の樹脂層140は、ガラス基板100と金属配線層120との間に形成され、かつ、金属酸化物層110の側面に接触している。ここで、第2の樹脂層140が金属酸化物層110の側面に接触するとは、第2の樹脂層140の少なくとも一部が金属酸化物層110の側面に接触していることを示す。第2の樹脂層140は、樹脂により形成されている。第2の樹脂層140に含まれている樹脂は、第1の樹脂層130に含まれている樹脂とは異なる。本実施形態において、第2の樹脂層140は、ポリイミド樹脂により形成されており、ガラス基板100と金属配線層120との隙間に入り込みやすくする観点から、シリカ等の無機材料からなるフィラーが含まれていない方が好ましく、液状タイプの樹脂を用いることが好ましい。
The
A2.配線基板10の製造方法:
図2は、配線基板10の製造方法を示す工程図である。配線基板10の製造者は、まず、工程P100において、ガラス基板100上に金属酸化物層110と金属配線層120とを備えるコア基板10Aを準備する。工程P100は、準備工程とも呼ぶ。
A2. Manufacturing method of wiring substrate 10:
FIG. 2 is a process diagram showing a method for manufacturing the
本実施形態では、準備工程において、製造者は、ガラス基板100上に金属酸化物層110と金属配線層120とを形成する。金属酸化物層110と金属配線層120との形成方法としては、例えば、サブトラクティブ法やセミアディティブ法が挙げられる。本実施形態では、金属酸化物層110と金属配線層120との形成方法としてサブトラクティブ法を用いる。
In the present embodiment, in the preparation process, the manufacturer forms the
図3は、準備工程(工程P100)を説明する図である。具体的には、まず、製造者は、ガラス基板100上に、金属酸化物層110となる酸化亜鉛(Zn)の層110Aを形成し、次に、無電解銅メッキにより、層110Aの上にシード層122となる層122Aを形成する(図3(a)参照)。層110Aの形成方法としては、例えば、ディッピング法、スピンコート法、スパッタリング法、スクリーン印刷法が挙げられる。本実施形態では、層110Aの形成方法としてディッピング法を用いる。
FIG. 3 is a diagram illustrating the preparation process (process P100). Specifically, first, the manufacturer forms a zinc oxide (Zn)
次に、製造者は、電解銅メッキにより、層122Aの上にメッキ層125となる層125Aを形成し(図3(b)参照)、層125Aの上に、ドライフィルムレジストによるパターン160を形成する(図3(c)参照)。その後、製造者は、ウェットエッチングにより、上方がパターン160により覆われていない不要な層110A,122A,125Aを除去し、ガラス基板100と、金属酸化物層110と、金属配線層120とを備えるコア基板10Aを得る(図3(d)参照)。
Next, the manufacturer forms a
以上により、準備工程(工程P100)が完了する。なお、本実施形態では、コア基板10Aを作製しているが、予め作製されたコア基板10Aを用いてもよい。図3(d)に示すように、コア基板10Aは、断面視した場合に、金属酸化物層110の方が金属配線層120よりも幅が狭い。この理由としては、上述のウェットエッチングによるエッチングレートが金属酸化物層110の方が金属配線層120よりも高いため、金属酸化物層110の方が金属配線層120よりも優先的にエッチングされる点が挙げられる。
Thus, the preparation process (process P100) is completed. In the present embodiment, the
準備工程(工程P100)(図2参照)の後、製造者は、工程P110において、ガラス基板100と金属配線層120との間であり、かつ、金属酸化物層110の側面に接触するように第2の樹脂層140を形成する。工程P110は、第2の樹脂層形成工程とも呼ぶ。
After the preparation process (process P100) (see FIG. 2), the manufacturer contacts the side surface of the
図4は、第2の樹脂層形成工程(工程P110)を説明する図である。まず、製造者は、金属酸化物層110と金属配線層120とをポジ型の感光性絶縁材料140Aによりコーティングする(図4(a)参照)。次に、製造者は、感光性絶縁材料140Aを露光装置により上方から露光する(図4(b)参照)。このとき、ガラス基板100と金属配線層120との間に形成された感光性絶縁材料140Aは、上方に金属配線層120があるために露光されない。その後、製造者は、現像を行うことによりガラス基板100と金属配線層120との間を除く不要な感光性絶縁材料140Aを除去する。不要な感光性絶縁材料140Aの除去後、熱処理を行うことにより感光性絶縁材料140Aを硬化させて第2の樹脂層140を形成する(図4(c)参照)。
FIG. 4 is a diagram for explaining the second resin layer forming step (step P110). First, the manufacturer coats the
第2の樹脂層形成工程(工程P110)(図2参照)の後、製造者は、工程P120において、金属配線層120の表面の粗化処理を行う。粗化処理の方法としては、ウェットエッチングを用いる。
After the second resin layer forming step (step P110) (see FIG. 2), the manufacturer performs a roughening process on the surface of the
図5は、粗化処理後の金属配線層120の状態を示す説明図である。図5に示すように、金属配線層120の表面が粗くなり、金属配線層120と次の工程において形成される第1の樹脂層130との密着性を向上させることができる。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing the state of the
金属配線層120の表面の粗化処理(工程P120)(図2参照)の後、製造者は、工程P130において、金属配線層120を覆う第1の樹脂層130を形成する。工程P130は、第1の樹脂層形成工程とも呼ぶ。これらの工程を経て、配線基板10が完成する。
After the roughening process of the surface of the metal wiring layer 120 (process P120) (see FIG. 2), the manufacturer forms the
本実施形態の配線基板10は、ガラス基板100と金属配線層120との間に形成され、かつ、金属酸化物層110の側面に接触する第2の樹脂層140を備える。このため、本実施形態の配線基板10によれば、ガラス基板100と金属配線層120との隙間を埋めることができる。この結果、この隙間に気体や液体が侵入を防ぐことができる。また、第2の樹脂層140が金属配線層120に密着するため、金属配線層120や金属酸化物層110がガラス基板100から剥がれることを抑制することができる。
The
本実施形態の配線基板10において、第1の樹脂層130に含まれる樹脂は、第2の樹脂層140に含まれる樹脂とは異なる。第1の樹脂層130に含まれる樹脂に数μmの大きさのフィラーが含まれている場合、このような樹脂を第2の樹脂層140に用いないことにより、フィラーがガラス基板100と金属配線層120との隙間の入口を塞ぐことによって、この隙間に樹脂が入らないことを抑制できる。また、第2の樹脂層140に含まれる樹脂とは異なる樹脂を、第1の樹脂層130に用いることにより、金属配線層を覆う樹脂層に求められる物性に合わせた樹脂を選択でき、また、フィラーを用いることも可能となる。
In the
本実施形態の配線基板10の製造方法において、第2の樹脂層形成工程(工程P110)は、粗化処理(工程P120)より前に行われている。このようにすることにより、粗化処理によって、ガラス基板100と金属配線層120との隙間が拡大することを抑制できる。このため、この隙間に起因して金属配線層120や金属酸化物層110がガラス基板100から剥がれることを抑制することができる。
In the method for manufacturing the
本実施形態の配線基板10の金属酸化物層110は、亜鉛(Zn)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、クロム(Cr)からなる群より選ばれる少なくとも一つを含む酸化物層である。このため、ガラス基板100と金属酸化物層110との密着性を向上させることができる。また、配線基板10の金属配線層120は、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、銀(Ag)からなる群より選ばれる少なくとも一つを含む。このため、配線基板10の導電性を向上させることができる。また、配線基板10は、第2の樹脂層140を備えている。このため、上記に列挙した金属酸化物層110と金属配線層120とを組み合わせた結果、ウェットエッチングにより生じるガラス基板100と金属配線層120との間の隙間が生じやすくなったとしても、金属配線層120や金属酸化物層110がガラス基板100から剥がれることを、効果的に抑制することができる。
The
B.変形例:
B1.変形例1:
上述の実施形態において、金属酸化物層110と金属配線層120との形成方法としてサブトラクティブ法を用いる。しかし、これに限定されない。金属酸化物層110と金属配線層120との形成方法として、セミアディティブ法を用いてもよい。なお、サブトラクティブ法の方が、セミアディティブ法と比較して、金属酸化物層110と金属配線層120との密着性が良好な配線基板10が形成できるため好ましい。
B. Variations:
B1. Modification 1:
In the above-described embodiment, a subtractive method is used as a method for forming the
図6は、セミアディティブ法を用いた準備工程を説明する図である。まず、製造者は、上述の実施形態と同様に、ガラス基板100上に、金属酸化物層110となる酸化亜鉛(Zn)の層110Aを形成し、次に、無電解銅メッキにより、層110Aの上にシード層122となる層122Aを形成する(図6(a)参照)。
FIG. 6 is a diagram illustrating a preparation process using the semi-additive method. First, the manufacturer forms a
次に、製造者は、層122Aの上に、ドライフィルムレジストによるパターン160Aを形成する(図6(b)参照)。そして、電解銅メッキにより、層122Aの上にメッキ層125を形成した後、パターン160Aを除去する(図6(c)参照)。その後、製造者は、ウェットエッチングにより、ガラス基板100と、金属酸化物層110と、金属配線層120とを備えるコア基板10Aを得る(図6(d)参照)。
Next, the manufacturer forms a
B2.変形例2:
上述の実施形態において、第2の樹脂層形成工程(工程P110)は、感光性絶縁材料を用いる。しかし、本発明はこれに限定されない。第2の樹脂層形成工程(工程P110)として、例えば、以下のような方法を採用してもよい。
B2. Modification 2:
In the above-described embodiment, the second resin layer forming step (step P110) uses a photosensitive insulating material. However, the present invention is not limited to this. As the second resin layer forming step (step P110), for example, the following method may be employed.
図7は、本変形例の第2の樹脂層形成工程を説明する図である。まず、製造者は、金属酸化物層110と金属配線層120とを樹脂140Bによりコーティングする(図7(a)参照)。本変形例では、樹脂140Bとしてポリイミド樹脂を用いる。次に、製造者は、熱処理により樹脂140Bを硬化させる(図7(b)参照)。その後、製造者は、ドライエッチングによって不要な樹脂を除去することにより、第2の樹脂層140を形成する(図7(c)参照)。
FIG. 7 is a diagram for explaining a second resin layer forming step of the present modification. First, the manufacturer coats the
B3.変形例3:
上述の実施形態において、配線基板10は、金属酸化物層110と金属配線層120とを一層ずつ備える。しかし、本発明はこれに限定されない。配線基板10は、例えば、ガラス基板100の上に、複数の金属酸化物層110や金属配線層120を備えてもよい。
B3. Modification 3:
In the above-described embodiment, the
本発明は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and can be realized with various configurations without departing from the spirit thereof. For example, the technical features in the embodiments and the modifications corresponding to the technical features in each form described in the summary section of the invention are to solve some or all of the above-described problems, or In order to achieve part or all of the effects, replacement or combination can be performed as appropriate. Further, if the technical feature is not described as essential in the present specification, it can be deleted as appropriate.
10…配線基板
10A…コア基板
100…ガラス基板
110…金属酸化物層
110A…層
120…金属配線層
122…シード層
122A…層
125…メッキ層
125A…層
130…第1の樹脂層
140…第2の樹脂層
140A…感光性絶縁材料
140B…樹脂
160A…パターン
160…パターン
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記ガラス基板上に形成された金属酸化物層と、
前記金属酸化物層上に形成された金属配線層と、
前記金属配線層を覆う第1の樹脂層と、を備える配線基板であって、
前記配線基板を断面視した場合に、前記金属酸化物層の方が前記金属配線層よりも幅が狭く、
前記ガラス基板と前記金属配線層との間に形成され、かつ、前記金属酸化物層の側面に接触する第2の樹脂層と、を備え、
前記第1の樹脂層に含まれる樹脂は、前記第2の樹脂層に含まれる樹脂とは異なることを特徴とする、配線基板。 A glass substrate;
A metal oxide layer formed on the glass substrate;
A metal wiring layer formed on the metal oxide layer;
A wiring board comprising a first resin layer covering the metal wiring layer,
When the wiring board is viewed in cross section, the metal oxide layer is narrower than the metal wiring layer,
A second resin layer formed between the glass substrate and the metal wiring layer and in contact with a side surface of the metal oxide layer,
The wiring board according to claim 1, wherein the resin contained in the first resin layer is different from the resin contained in the second resin layer.
前記金属酸化物層は、亜鉛、チタン、スズ、クロムからなる群より選ばれる少なくとも一つを含む酸化物層であることを特徴とする、配線基板。 The wiring board according to claim 1,
The wiring board according to claim 1, wherein the metal oxide layer is an oxide layer including at least one selected from the group consisting of zinc, titanium, tin, and chromium.
前記金属配線層は、銅、ニッケル、銀からなる群より選ばれる少なくとも一つを含むことを特徴とする、配線基板。 The wiring board according to claim 1 or 2,
The wiring board according to claim 1, wherein the metal wiring layer includes at least one selected from the group consisting of copper, nickel, and silver.
ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成された金属酸化物層と、前記金属酸化物層上に形成された金属配線層と、を備え、断面視した場合に、前記金属酸化物層の方が前記金属配線層よりも幅が狭いコア基板を準備する準備工程と、
前記ガラス基板と前記金属配線層との間であり、かつ、前記金属酸化物層の側面に接触するように第2の樹脂層を形成する第2の樹脂層形成工程と、
前記金属配線層を覆う第1の樹脂層を形成する第1の樹脂層形成工程と、を備え、
前記第1の樹脂層に含まれる樹脂は、前記第2の樹脂層に含まれる樹脂とは異なることを特徴とする、配線基板の製造方法。 A method for manufacturing a wiring board, comprising:
A glass substrate, a metal oxide layer formed on the glass substrate, and a metal wiring layer formed on the metal oxide layer. Preparing a core substrate having a narrower width than the metal wiring layer; and
A second resin layer forming step of forming a second resin layer between the glass substrate and the metal wiring layer and in contact with a side surface of the metal oxide layer;
A first resin layer forming step of forming a first resin layer covering the metal wiring layer,
The method for manufacturing a wiring board, wherein the resin contained in the first resin layer is different from the resin contained in the second resin layer.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2020017124A1 (en) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 日本電気硝子株式会社 | Printed circuit board and method for manufacturing same |
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2016
- 2016-02-29 JP JP2016037074A patent/JP2017157597A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2020017124A1 (en) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 日本電気硝子株式会社 | Printed circuit board and method for manufacturing same |
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