JP2017139261A - Device and method for substrate transfer - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique capable of detecting an abnormality of a substrate transfer device which includes a holding unit for holding a substrate and moving up and down to transfer the substrate to/from a loading unit.SOLUTION: A substrate transfer device includes: a lifting mechanism which moves the substrate holding unit up and down in the middle of a substrate holding unit moving up and down between a first height position and a second height position, to enable the transfer of the substrate to/from the loading unit; a suction route, connected to a suction hole, in which pressure is changed by a changeover between a state, in which the substrate is held by the substrate holding unit, and a state in which the substrate is not held by the substrate holding unit; a pressure sensor which acquires time series data of the pressure of the suction route while the substrate holding unit moves up and down between the first and second height positions; and a detector unit which, based on the time series data, acquires information of a transfer height position in which the substrate is transferred.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、基板を昇降させて搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法に関する。   The present invention relates to a substrate transfer apparatus and a substrate transfer method for moving a substrate up and down.

半導体デバイスを製造するための半導体製造装置においては、基板である半導体ウエハ(以下、ウエハという)が載置されるモジュールが複数設けられており、基板搬送装置が基板搬送機構として組み込まれ、これらのモジュール間でウエハが搬送される。モジュールとしては、ウエハに処理を行う処理モジュールや、処理モジュール間における受け渡しを仲介するためにウエハが仮置きされる受け渡しモジュールがあり、これらのモジュールを所定の順番で搬送されることで、ウエハに所定の一連の処理が行われる。   In a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor device, a plurality of modules on which a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) as a substrate is placed are provided, and a substrate transfer device is incorporated as a substrate transfer mechanism. Wafers are transferred between modules. Modules include processing modules that perform processing on wafers and delivery modules in which wafers are temporarily placed to mediate delivery between processing modules. These modules are transferred to the wafers in a predetermined order. A predetermined series of processing is performed.

上記の基板搬送機構は昇降自在なウエハの保持部を備えている。この保持部がモジュールに対して上昇することで当該モジュールからウエハを掬い上げるように受取り、また、保持部がモジュールに対して下降することで当該モジュールにウエハを載置する。この保持部には特許文献1に示されるようにウエハを吸着するための吸引孔が設けられる場合が有る。また、そのように保持部を昇降させるために、基板搬送機構には、例えばモータと当該モータによって駆動するベルトとからなる駆動機構が設けられる。   The substrate transport mechanism includes a wafer holder that can be raised and lowered. The holding unit is lifted with respect to the module to receive the wafer from the module, and the holding unit is lowered with respect to the module to place the wafer on the module. As shown in Patent Document 1, a suction hole for sucking a wafer may be provided in the holding unit. In order to move the holding unit up and down in this way, the substrate transport mechanism is provided with a drive mechanism including, for example, a motor and a belt driven by the motor.

ところが、この駆動機構のベルトのずれやベルトの張力低下などの要因により、保持部の設定上の高さに対して保持部の実際の高さが次第にずれてしまう異常が発生する場合が有る。また、基板搬送機構について各部の位置の調整ミスによって、そのように保持部の設定上の高さと保持部の実際の高さとにずれが生じる場合も有る。この高さのずれが大きいと、装置内の構造物やウエハに対して保持部の意図しない接触が起きてしまうおそれが有る。   However, there may be an abnormality in which the actual height of the holding portion gradually shifts with respect to the set height of the holding portion due to factors such as belt deviation of the drive mechanism and belt tension reduction. In addition, a misalignment between the positions of the respective parts of the substrate transport mechanism may cause a deviation between the setting height of the holding part and the actual height of the holding part. If this height deviation is large, there is a possibility that unintentional contact of the holding part will occur with respect to the structure or wafer in the apparatus.

特許文献1には、保持部の吸引孔に接続される排気管に設けられる圧力センサがオンオフ出力を行う構成となっている。つまり、排気管内の圧力が所定の閾値を超えているか超えていないかを示すデジタル信号を出力する構成となっている。そして、保持部がモジュールからウエハを受け取るために上昇中、ウエハを保持していない状態から保持した状態になると、信号出力の切り替わりが起きるので、この信号をモニタすることで、保持部がウエハを受け取る高さを検出することができることが示されている。そのようにウエハを受け取る高さを検出することで、上記の異常を検出することが考えられる。   In Patent Document 1, a pressure sensor provided in an exhaust pipe connected to a suction hole of a holding unit is configured to perform on / off output. That is, it is configured to output a digital signal indicating whether the pressure in the exhaust pipe exceeds or does not exceed a predetermined threshold value. When the holding unit is raised to receive the wafer from the module, the signal output is switched when the wafer is held from the state of not holding the wafer. By monitoring this signal, the holding unit removes the wafer. It has been shown that the receiving height can be detected. It is conceivable to detect the abnormality by detecting the height at which the wafer is received.

特開2014−36175号公報JP 2014-36175 A

ところで、上記の保持部に接続される排気管の下流側は、例えばレギュレータを介して半導体製造装置に設けられる排気路に接続される。半導体製造装置へ供給される用力が変動したり不足したりすることで、この排気路における排気流量は変動し、上記の保持部に接続される排気管内の圧力は設定範囲から外れてしまうおそれがある。また、作業員によるレギュレータの調整の練度によって、排気管内の圧力が設定範囲から外れてしまうことも考えられる。さらに、装置に保持部が複数設けられる場合、各保持部に設けられる複数の排気管を共通のレギュレータに接続することが考えられるが、そのような構成とすると、一方の保持部がウエハを保持しているか否かによって、他方の保持部の排気管内の圧力が変化してしまう。そのように排気管内の圧力が設定から外れたり、変化することで、圧力センサからの出力の切り替わりのタイミングと、保持部がウエハを受け取るタイミングとの間にずれが生じる場合が有り、上記の異常を精度高く検出することができないおそれが有る。 By the way, the downstream side of the exhaust pipe connected to the holding unit is connected to an exhaust path provided in the semiconductor manufacturing apparatus via a regulator, for example. As the utility supplied to the semiconductor manufacturing apparatus fluctuates or becomes insufficient, the exhaust flow rate in the exhaust passage fluctuates, and the pressure in the exhaust pipe connected to the holding unit may deviate from the set range. is there. In addition, the pressure in the exhaust pipe may deviate from the set range due to the adjustment of the regulator by the worker. Furthermore, when a plurality of holding units are provided in the apparatus, it is conceivable to connect a plurality of exhaust pipes provided in each holding unit to a common regulator. With such a configuration, one holding unit holds the wafer. Depending on whether or not, the pressure in the exhaust pipe of the other holding part changes. If the pressure in the exhaust pipe deviates or changes from the setting as described above, there may be a difference between the output switching timing from the pressure sensor and the timing at which the holding unit receives the wafer. May not be detected with high accuracy.

本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、基板を保持すると共に昇降することで載置部に対して当該基板の受け渡しを行う保持部を備える基板搬送装置の異常を精度高く検出することができる技術を提供することである。   The present invention has been made based on such circumstances, and an object of the present invention is to provide an abnormality of a substrate transport apparatus including a holding unit that holds the substrate and transfers the substrate to the mounting unit by moving up and down. It is providing the technique which can detect this with high precision.

本発明の基板処理装置は、基板の裏面を吸引して吸着保持するための吸引孔を備える基板保持部と、
前記基板の裏面において前記基板保持部に保持される領域の外側領域を支持する載置部と当該基板保持部との間で、前記基板保持部が第1の高さ位置と第2の高さ位置との間を昇降する途中で当該基板の受け渡しが行われるように当該基板保持部を昇降させる昇降機構と、
前記吸引孔に接続され、前記基板保持部に前記基板が保持された状態と、前記基板保持部に前記基板が保持されていない状態とが切り替わることにより圧力が変化する吸引路と、
前記第1の高さ位置と前記第2の高さ位置との間を前記基板保持部が昇降する間における前記吸引路の圧力の時系列データを取得するために、当該吸引路に設けられる圧力センサと、
前記時系列データに基づいて、前記基板の受け渡しが行われた受け渡し高さ位置の情報を取得する検出部と、
を備えたことを特徴とする。
The substrate processing apparatus of the present invention includes a substrate holding portion having a suction hole for sucking and holding the back surface of the substrate by suction,
The substrate holding part has a first height position and a second height between the substrate holding part and a mounting part that supports an outer region of the area held by the substrate holding part on the back surface of the substrate. An elevating mechanism that elevates and lowers the substrate holding part so that the substrate is transferred in the middle of moving up and down between the positions;
A suction path that is connected to the suction hole and changes pressure by switching between a state in which the substrate is held by the substrate holding unit and a state in which the substrate is not held by the substrate holding unit;
The pressure provided in the suction path in order to acquire time-series data of the pressure in the suction path while the substrate holding part moves up and down between the first height position and the second height position. A sensor,
Based on the time-series data, a detection unit that acquires information on a delivery height position where the delivery of the substrate has been performed;
It is provided with.

本発明の基板処理方法は、基板保持部に設けられた吸引孔により基板の裏面を吸引して当該基板を前記基板保持部に吸着保持する工程と、
前記基板の裏面において前記基板保持部に保持される領域の外側領域を支持する載置部と当該基板保持部との間で前記基板の受け渡しを行う工程と、
前記基板保持部が第1の高さ位置と第2の高さ位置との間を昇降する途中で前記基板の受け渡しが行われるように昇降機構によって前記基板保持部を昇降させる工程と、
前記基板保持部に前記基板が保持された状態と、前記基板保持部に前記基板が保持されていない状態とを切り替え、前記吸引孔に接続される吸引路の圧力を変化させる工程と、
前記吸引路に設けられる圧力センサにより、前記第1の高さ位置と前記第2の高さ位置との間を前記基板保持部が移動している間の前記吸引路の圧力の時系列データを取得する工程と、
前記時系列データに基づいて、前記基板の受け渡しが行われた高さ位置の情報を取得する工程と、
を備えたことを特徴とする。
The substrate processing method of the present invention includes a step of sucking and holding the substrate on the substrate holding unit by sucking the back surface of the substrate through a suction hole provided in the substrate holding unit;
Delivering the substrate between the substrate holding unit and a mounting unit that supports an outer region of the region held by the substrate holding unit on the back surface of the substrate;
Elevating and lowering the substrate holding portion by an elevating mechanism so that the substrate is transferred while the substrate holding portion moves up and down between a first height position and a second height position;
Switching between a state in which the substrate is held by the substrate holding unit and a state in which the substrate is not held by the substrate holding unit, and changing a pressure of a suction path connected to the suction hole;
Time-sequential data of the pressure in the suction path while the substrate holder is moving between the first height position and the second height position by the pressure sensor provided in the suction path. A process of acquiring;
Based on the time-series data, obtaining information on the height position where the substrate has been delivered; and
It is provided with.

本発明によれば、基板保持部の吸引孔に接続された排気路の圧力について、載置部に基板を受け渡すために第1の高さ位置と第2の高さ位置との間を基板保持部が昇降する間における当該基板保持部の基板の吸引孔に接続される吸引路の圧力の時系列データを取得し、この時系列データに基づいて基板の受け渡しが行われた高さの情報を取得する。時系列データには、吸引路の圧力の変化が反映されるため、取得される基板の受け渡しが行われた高さの情報の精度は高く、従って基板搬送装置に異常が発生しているか否かを精度高く検出することができる。   According to the present invention, with respect to the pressure of the exhaust path connected to the suction hole of the substrate holding part, the substrate is provided between the first height position and the second height position in order to deliver the substrate to the mounting part. Time series data of the pressure of the suction path connected to the suction hole of the substrate of the substrate holding unit while the holding unit is moved up and down is acquired, and information on the height at which the substrate was transferred based on this time series data To get. Since the time series data reflects changes in the pressure in the suction path, the accuracy of the information on the height at which the acquired substrate was transferred is high, and therefore whether or not an abnormality has occurred in the substrate transfer device. Can be detected with high accuracy.

前記塗布、現像装置に設けられる搬送アームの斜視図である。It is a perspective view of the conveyance arm provided in the said coating and developing apparatus. 前記搬送アームのフォークの平面図である。It is a top view of the fork of the transfer arm. 前記フォークの縦断正面図である。It is a vertical front view of the fork. 前記塗布、現像装置に設けられる制御部の構成図である。It is a block diagram of the control part provided in the said application | coating and developing apparatus. 搬送アームによる受け渡しモジュールに対するウエハの受け渡しを示した説明図である。It is explanatory drawing which showed delivery of the wafer with respect to the delivery module by a conveyance arm. 搬送アームによる受け渡しモジュールに対するウエハの受け渡しを示した説明図である。It is explanatory drawing which showed delivery of the wafer with respect to the delivery module by a conveyance arm. 前記粗面化処理モジュールの縦断側面図である。It is a vertical side view of the said roughening process module. 搬送アームによる受け渡しモジュールに対するウエハの受け渡しを示した説明図である。It is explanatory drawing which showed delivery of the wafer with respect to the delivery module by a conveyance arm. 搬送アームによる受け渡しモジュールに対するウエハの受け渡しを示した説明図である。It is explanatory drawing which showed delivery of the wafer with respect to the delivery module by a conveyance arm. 搬送アームによる受け渡しモジュールに対するウエハの受け渡しを示した説明図である。It is explanatory drawing which showed delivery of the wafer with respect to the delivery module by a conveyance arm. 前記フォークの高さを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the height of the said fork. フォークに設けられた圧力センサにより取得される排気管内の圧力の時系列データの一例を示すグラフ図である。It is a graph which shows an example of the time series data of the pressure in an exhaust pipe acquired by the pressure sensor provided in the fork. 演算処理された前記時系列データの一例を示すグラフ図である。It is a graph which shows an example of the said time series data by which the arithmetic process was carried out. 演算処理された前記時系列データの一例を示すグラフ図である。It is a graph which shows an example of the said time series data by which the arithmetic process was carried out. 前記フォークを駆動するモータから出力されるエンコーダ値の推移を示すグラフ図である。It is a graph which shows transition of the encoder value output from the motor which drives the said fork. 前記制御部によって実行される前記搬送アームの異常検出及び異常の対処動作の手順を示すフロー図であるIt is a flowchart which shows the procedure of the abnormality detection of the said conveyance arm performed by the said control part, and the handling operation of abnormality. 前記対処動作である前記フォークの高さの補正のタイミングを示すためのグラフ図である。It is a graph for showing the correction timing of the fork height which is the coping operation. 前記フォークの高さを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the height of the said fork. 前記塗布、現像装置の平面図である。2 is a plan view of the coating and developing apparatus. FIG. 前記塗布、現像装置の斜視図である。It is a perspective view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。It is a vertical side view of the coating and developing apparatus. 本発明が適用された加熱モジュールの縦断概略図である。It is a longitudinal section schematic diagram of a heating module to which the present invention is applied. 評価試験の結果を示すグラフ図である。It is a graph which shows the result of an evaluation test. 比較試験の結果を示すグラフ図である。It is a graph which shows the result of a comparative test. 評価試験の結果を示すグラフ図である。It is a graph which shows the result of an evaluation test. 比較試験の結果を示すグラフ図である。It is a graph which shows the result of a comparative test.

図1は後述する塗布、現像装置1に設けられる処理ブロックD2を構成する単位ブロックE3の斜視図である。単位ブロックE3には、前後に伸びるウエハWの搬送路11が設けられており、搬送路11の前方側、後方側には受け渡しモジュールTRS3、TRS31が夫々設けられている。受け渡しモジュールTRS3は単位ブロックE3へのウエハWの搬入用モジュールであり、受け渡しモジュールTRS31は単位ブロックE3からのウエハWの搬出用モジュールである。なお、ウエハWの搬送機構によりウエハWが載置される場所についてモジュールと記載する。ウエハWの載置部をなす受け渡しモジュールTRS3、TRS31は、水平板12と、水平板12上に垂直に突出する3本のピン13とを夫々備えており、ピン13上にウエハWの裏面の中央部が水平に支持される。   FIG. 1 is a perspective view of a unit block E3 constituting a processing block D2 provided in a coating and developing apparatus 1 described later. In the unit block E3, a transfer path 11 for the wafer W extending in the front-rear direction is provided, and delivery modules TRS3 and TRS31 are provided on the front side and the rear side of the transfer path 11, respectively. The delivery module TRS3 is a module for loading the wafer W into the unit block E3, and the delivery module TRS31 is a module for carrying out the wafer W from the unit block E3. A place where the wafer W is placed by the wafer W transfer mechanism is referred to as a module. The transfer modules TRS3 and TRS31 that form the mounting portion for the wafer W are each provided with a horizontal plate 12 and three pins 13 projecting vertically on the horizontal plate 12, and the rear surface of the wafer W is placed on the pins 13. The central part is supported horizontally.

前方から後方に向かって見て、搬送路11の右側には、ウエハWにレジストを塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成モジュール14が設けられており、搬送路11の左側にはウエハWを加熱する多数の加熱モジュール15が前後方向に沿って設けられている。搬送路11には、塗布、現像装置1に組み込まれた基板搬送装置をなす基板搬送機構である搬送アームF3が設けられており、当該搬送アームF3は、受け渡しモジュールTRS3→レジスト膜形成モジュール14→加熱モジュール15→受け渡しモジュールTRS31の順でウエハWを搬送する。 A resist film forming module 14 for applying a resist to the wafer W to form a resist film is provided on the right side of the transfer path 11 when viewed from the front to the rear. A number of heating modules 15 are provided along the front-rear direction. The transport path 11 is provided with a transport arm F3 which is a substrate transport mechanism constituting a substrate transport device incorporated in the coating and developing apparatus 1, and the transport arm F3 is provided with a delivery module TRS3 → a resist film forming module 14 → The wafer W is transferred in the order of the heating module 15 → the delivery module TRS31.

搬送アームF3についてさらに説明すると、図中21は起立したフレームであり、加熱モジュール15の下方に設けられる水平移動機構22によって、搬送路11の長さ方向に沿って移動する。図中23は昇降台であり、フレーム21によって当該フレーム21に囲まれる領域を昇降する。図中24は昇降台23上に設けられる回転台であり、鉛直軸周りに回転する。回転台24上にはウエハWの保持体である2つのフォーク25が上下方向に設けられており、回転台24上の前進位置と後退位置との間を独立して進退可能に構成されている。後に例示するように、モジュールに対してフォーク25によってウエハWの受け渡しが行えるように昇降台23が昇降するときに当該フォーク25は前進位置に移動し、このような昇降が行われないときには後退位置に移動する。 The transfer arm F3 will be further described. In the figure, reference numeral 21 denotes an upright frame, which moves along the length direction of the transfer path 11 by a horizontal movement mechanism 22 provided below the heating module 15. In the figure, reference numeral 23 denotes a lifting platform which moves up and down a region surrounded by the frame 21 by the frame 21. In the figure, reference numeral 24 denotes a turntable provided on the lift table 23, which rotates around the vertical axis. Two forks 25 serving as wafer W holding bodies are provided on the turntable 24 in the vertical direction, and are configured to be able to advance and retreat independently between a forward position and a reverse position on the turntable 24. . As will be exemplified later, when the elevating platform 23 is moved up and down so that the wafer W can be transferred to and from the module by the fork 25, the fork 25 moves to the advanced position, and when such raising and lowering is not performed, the retracted position is reached. Move to.

基板保持部である2つのフォーク25は互いに同様に構成されており、2つのうちの一方のフォークについて図2の平面図を参照して説明する。フォーク25は、当該フォーク25の前進方向に向かって基部から2つの突部が円弧状に伸び出し、ウエハWの側周を囲む枠体として構成されている。さらに、フォーク25は当該フォーク25に囲まれる領域(ウエハ保持領域)の中心部へ向けて突出する4つの爪部26を備えており、爪部26はウエハ保持領域の周方向に、互いに間隔をおいて配置されている。各爪部26の上側には吸引孔27が開口し、ウエハWの裏面の周縁部は、吸引孔27を塞ぐように当該爪部26上に吸着保持される。なお、上記の受け渡しモジュールTRS3、TRS31のピン13は、フォーク25との間でウエハWの受け渡しが行えるようにウエハWの裏面において、この爪部26に保持される領域の外側領域を支持する。 The two forks 25 which are substrate holding portions are configured in the same manner, and one of the two forks will be described with reference to the plan view of FIG. The fork 25 is configured as a frame that surrounds the side periphery of the wafer W, with two protrusions extending in an arc from the base in the forward direction of the fork 25. Further, the fork 25 includes four claw portions 26 protruding toward the center of the region (wafer holding region) surrounded by the fork 25, and the claw portions 26 are spaced from each other in the circumferential direction of the wafer holding region. Arranged. A suction hole 27 is opened above each claw portion 26, and the peripheral edge of the back surface of the wafer W is sucked and held on the claw portion 26 so as to close the suction hole 27. The pins 13 of the transfer modules TRS3 and TRS31 support the outer region of the region held by the claw portion 26 on the back surface of the wafer W so that the wafer W can be transferred to and from the fork 25.

図3のフォーク25の縦断正面図も参照しながら説明を続けると、フォーク25には各爪部26の吸引孔27に接続される排気路28が形成されており、例えばこの排気路28の上流側は合流して、フォーク25に接続される吸引路を構成する排気管29内に連通している。排気管29にはソレノイドバルブV1が介設されている。そして、この排気路をなす排気管29のバルブV1の上流側には排気圧センサ(圧力センサ)31が設けられており、排気管29内の圧力(排気圧)に対応するアナログ信号を出力する。排気管29のバルブV1の下流側は、排気路28及び排気管29内の圧力を調整するためのレギュレータ32を介して、排気ブロアやポンプなどにより構成される例えば常時排気を行う排気機構33に接続されている。 If the description continues with reference to the longitudinal front view of the fork 25 in FIG. 3, the fork 25 is formed with an exhaust passage 28 connected to the suction hole 27 of each claw portion 26, for example, upstream of the exhaust passage 28. The sides merge and communicate with each other in an exhaust pipe 29 that forms a suction path connected to the fork 25. A solenoid valve V <b> 1 is interposed in the exhaust pipe 29. An exhaust pressure sensor (pressure sensor) 31 is provided on the upstream side of the valve V1 of the exhaust pipe 29 forming the exhaust path, and an analog signal corresponding to the pressure (exhaust pressure) in the exhaust pipe 29 is output. . The downstream side of the valve V1 of the exhaust pipe 29 is connected to an exhaust mechanism 33 that performs, for example, regular exhaust via an exhaust passage 28 and a regulator 32 for adjusting the pressure in the exhaust pipe 29, such as an exhaust blower or a pump. It is connected.

上記のレギュレータ32及び排気機構33は、例えば上記の2つのフォーク25で共用されている。具体的に、各フォーク25に接続される排気管29はバルブV1の下流側で合流して、上記のレギュレータ32に接続されている。各フォーク25のバルブV1については、フォーク25がウエハWを任意のモジュールから受け取る直前から当該ウエハWを後段のモジュールに載置する(送出する)直後に至るまでの時間帯は開き、それ以外の時間帯は閉じるように開閉が制御される。つまり、フォーク25がウエハWを保持する直前から当該ウエハWを離す直後まで、吸引孔27からの吸引が行われる。従って、モジュールからフォーク25がウエハWを受取り吸引孔27が閉鎖されるタイミング、及びモジュールにフォーク25がウエハWを送出して吸引孔27が開放されるタイミングで、排気圧センサ31により検出される排気圧が変化する。 The regulator 32 and the exhaust mechanism 33 are shared by the two forks 25, for example. Specifically, the exhaust pipes 29 connected to the forks 25 merge on the downstream side of the valve V1 and are connected to the regulator 32 described above. Regarding the valve V1 of each fork 25, the time period from immediately before the fork 25 receives the wafer W from an arbitrary module to immediately after the wafer W is placed (sent out) on the subsequent module is open. Opening and closing is controlled so as to close in the time zone. That is, suction from the suction hole 27 is performed from immediately before the fork 25 holds the wafer W to immediately after the fork 25 is released. Accordingly, the exhaust pressure sensor 31 detects when the fork 25 receives the wafer W from the module and the suction hole 27 is closed and when the fork 25 sends the wafer W to the module and the suction hole 27 is opened. The exhaust pressure changes.

上記の排気圧センサ31からの出力信号は、図示しない変換器を介してデジタル信号に変換されて、図4に示した塗布、現像装置1に設けられるコンピュータである制御部4に送信される。ここで図4を用いて、上記の搬送アームF3のフレーム21についてより詳しく説明すると、このフレーム21は、モータ42とプーリと、モータ42及びプーリに巻き掛けられたベルトとからなる昇降機構を備えている。プーリ及びベルトの図示は省略している。ベルトには上記の昇降台23が係止されており、モータ42の回転によってベルトが駆動して、昇降台23が昇降する。   The output signal from the exhaust pressure sensor 31 is converted into a digital signal via a converter (not shown) and transmitted to the control unit 4 which is a computer provided in the coating and developing apparatus 1 shown in FIG. Here, the frame 21 of the transfer arm F3 will be described in more detail with reference to FIG. 4. The frame 21 includes an elevating mechanism including a motor 42, a pulley, and a motor 42 and a belt wound around the pulley. ing. Illustration of pulleys and belts is omitted. The above-mentioned lifting platform 23 is locked to the belt, and the belt is driven by the rotation of the motor 42 so that the lifting platform 23 is moved up and down.

モータ42の回転は、制御部4から出力される制御信号によって制御される。また、モータ42は、エンコーダ43を備えており、モータ42の回転量に応じた数のパルス(エンコーダ値)が、各フォーク25の高さ位置に応じた信号として、制御部4に出力される。エンコーダ値の変位量と、昇降台23の高さの変位量即ちフォーク25の高さの変位量とは互いに対応する。また、フォーク25がモジュールに対してウエハWを受け取るときのエンコーダ値、フォーク25がモジュールに対してウエハWを送出(載置)するときのエンコーダ値が、夫々モジュールごとに設定されて後述の制御部4のメモリに格納されており、これらのエンコーダ値の設定値を夫々受取り設定値、送出設定値とする。モジュールに対してウエハWの受け渡しを行う際には、当該モジュールについて設定された受取り設定値及び送出設定値に基づいて、昇降台23の高さ、即ちフォーク25の高さが制御される。 The rotation of the motor 42 is controlled by a control signal output from the control unit 4. Further, the motor 42 includes an encoder 43, and a number of pulses (encoder values) corresponding to the rotation amount of the motor 42 is output to the control unit 4 as a signal corresponding to the height position of each fork 25. . The amount of displacement of the encoder value corresponds to the amount of displacement of the height of the lift 23, that is, the amount of displacement of the height of the fork 25. Further, an encoder value when the fork 25 receives the wafer W to the module and an encoder value when the fork 25 sends (places) the wafer W to the module are set for each module, and control is described later. These encoder value set values are stored in the memory of the unit 4 as reception set values and send set values, respectively. When the wafer W is transferred to the module, the height of the lift 23, that is, the height of the fork 25 is controlled based on the receiving setting value and the sending setting value set for the module.

具体的に、受け渡しモジュールTRS3からのウエハWの受取りと、受け渡しモジュールTRS31へのウエハWの送出とについて、2つのフォーク25のうち上側のフォークが使用されるものとして、模式図である図5〜図10を参照しながら説明する。以降、単にフォーク25と記載する場合、上側のフォーク25を示すものとする。また、図5〜図10及び後述する図11では図示の便宜上、爪部26をフォーク25の上側に示している。図5〜図10に示す例では、背景技術の項目で説明した実際のフォーク25の高さと、設定上のフォーク25の高さとのずれが起きていないものとする。   Specifically, FIG. 5 is a schematic diagram showing that the upper fork of the two forks 25 is used for receiving the wafer W from the transfer module TRS3 and sending the wafer W to the transfer module TRS31. This will be described with reference to FIG. Hereinafter, when the fork 25 is simply described, the upper fork 25 is indicated. 5 to 10 and FIG. 11 described later, the claw portion 26 is shown on the upper side of the fork 25 for convenience of illustration. In the example shown in FIGS. 5 to 10, it is assumed that there is no deviation between the actual height of the fork 25 described in the background art item and the height of the fork 25 in the setting.

先ず、受け渡しモジュールTRS3からのウエハWの受取りについて説明する。このウエハWの受取りと並行して、制御部4による排気圧センサ31からのデータの取得が行われるが、このデータの取得については後述する。先ず、受け渡しモジュールTRS3の受取り設定値に対して所定量ずれたエンコーダ値がモータ42から出力される高さ(受取り準備高さとする)にフォーク25が位置する。図6では上記の所定量を−A1として示している。然る後、フォーク25が回転台24上を後退位置から前進位置に移動し、昇降台23が上昇すると共に当該フォーク25の排気管29に介設されるバルブV1が開き、爪部26の吸引孔27からの吸引が行われる。   First, reception of the wafer W from the transfer module TRS3 will be described. In parallel with the reception of the wafer W, the control unit 4 acquires data from the exhaust pressure sensor 31. The acquisition of this data will be described later. First, the fork 25 is positioned at a height (referred to as a reception preparation height) at which an encoder value shifted by a predetermined amount with respect to the reception set value of the delivery module TRS3 is output from the motor 42. In FIG. 6, the predetermined amount is indicated as -A1. Thereafter, the fork 25 moves on the rotary table 24 from the retracted position to the advanced position, the elevator table 23 rises, and the valve V1 provided in the exhaust pipe 29 of the fork 25 opens to suck the claw portion 26. Suction from the hole 27 is performed.

この上昇途中で、フォーク25の爪部26にウエハWが吸着保持される(図7)。つまり、受け渡しモジュールTRS3のピン13上に載置されたウエハWの裏面に爪部26が接してフォーク25がモジュールTRS3からウエハWを受け取る。このようにモジュールからウエハWを受け取るときのフォーク25の高さを受取り高さとする。フォーク25の上昇が続けられてウエハWがピン13から持ち上げられ、出力されるエンコーダ値が受け渡しモジュールTRS3の受取り設定値に対して所定量ずれた値になると、フォーク25の上昇が停止する。図8ではこの所定量を+A2としている。このようにフォーク25が停止する高さを受取り終了高さとする。ここでは、実際のフォーク25の高さと設定上のフォーク25の高さとの間にずれが無いので、図7に示すようにフォーク25が受取り高さ(受け渡し高さ)に位置したときに、出力されるエンコーダ値は受取り設定値となる。   During this ascent, the wafer W is attracted and held on the claw 26 of the fork 25 (FIG. 7). In other words, the claw 26 comes into contact with the back surface of the wafer W placed on the pins 13 of the delivery module TRS3, and the fork 25 receives the wafer W from the module TRS3. Thus, the height of the fork 25 when receiving the wafer W from the module is defined as the receiving height. When the fork 25 continues to rise, the wafer W is lifted from the pins 13, and when the output encoder value deviates from the acceptance setting value of the delivery module TRS3 by a predetermined amount, the fork 25 stops raising. In FIG. 8, this predetermined amount is set to + A2. The height at which the fork 25 stops in this way is defined as the receiving end height. Here, since there is no deviation between the actual height of the fork 25 and the height of the set fork 25, when the fork 25 is positioned at the receiving height (delivery height) as shown in FIG. The encoder value to be set becomes the reception set value.

次に、受け渡しモジュールTRS31へのウエハWの送出について説明すると、この受け渡しモジュールTRS31の送出設定値に対して所定量ずれたエンコーダ値がモータ42から出力される高さ(送出準備高さとする)にフォーク25が位置する。続いて、フォーク25が回転台24上を後退位置から前進位置に移動する。図9中に鎖線で、この前進位置に移動したフォーク25を示している。また、図9中では上記の所定量を+A3として表している。   Next, the delivery of the wafer W to the delivery module TRS31 will be described. The encoder value deviated by a predetermined amount with respect to the delivery setting value of the delivery module TRS31 is set to a height (referred to as a delivery preparation height) output from the motor 42. A fork 25 is located. Subsequently, the fork 25 moves on the turntable 24 from the retracted position to the advanced position. In FIG. 9, the fork 25 moved to this forward position is indicated by a chain line. In FIG. 9, the predetermined amount is represented as + A3.

そして昇降台23が下降し、この下降途中で、受け渡しモジュールTRS31にウエハWが送出される。つまり受け渡しモジュールTRS31のピン13上にウエハWが保持され、フォーク25の爪部26からウエハWが離れる。図9中に実線でこのときのフォーク25を示している。このようにモジュールにウエハWを送出するときのフォーク25の高さを送出高さとする。フォーク25の下降が続けられて、出力されるエンコーダ値が受け渡しモジュールTRS31の送出設定値に対して所定量ずれた値になると、フォーク25の下降が停止し、バルブV1が閉じて吸引孔27からの吸引が停止する(図10)。図10中ではこの所定量を−A4としている。この停止した高さを送出終了高さとする。ここでは、実際のフォーク25の高さと設定上のフォーク25の高さとの間にずれが無いので、図10に実線で示すようにフォーク25が送出高さ(受け渡し高さ)に位置したときに、出力されるエンコーダ値は送出設定値となる。   Then, the lift 23 is lowered, and the wafer W is delivered to the delivery module TRS31 during the lowering. That is, the wafer W is held on the pins 13 of the delivery module TRS 31, and the wafer W is separated from the claw portion 26 of the fork 25. The fork 25 at this time is indicated by a solid line in FIG. In this way, the height of the fork 25 when the wafer W is delivered to the module is defined as the delivery height. When the fork 25 continues to descend and the output encoder value deviates by a predetermined amount from the delivery setting value of the delivery module TRS31, the fork 25 stops descending, the valve V1 is closed and the suction hole 27 is closed. Is stopped (FIG. 10). In FIG. 10, this predetermined amount is -A4. This stopped height is set as the sending end height. Here, since there is no deviation between the actual height of the fork 25 and the height of the set fork 25, the fork 25 is positioned at the delivery height (delivery height) as shown by the solid line in FIG. The encoder value to be output becomes the transmission set value.

このようにモジュールに対するウエハWの受け渡しは、モータ42から出力されるエンコーダ値に基づいてフォーク25の高さが制御されることで行われ、エンコーダ値が所定の値を示すときにフォーク25が所定の高さに位置するように設定されている。しかし、背景技術の項目で説明したベルトのずれや張力低下などの各種の要因によって、このエンコーダ値とフォーク25の高さとの対応がずれる。即ち、実際のフォーク25の高さと設定上のフォーク25の高さとの間にずれが生じる。   In this way, the transfer of the wafer W to the module is performed by controlling the height of the fork 25 based on the encoder value output from the motor 42, and the fork 25 is predetermined when the encoder value indicates a predetermined value. It is set to be located at the height of. However, the correspondence between the encoder value and the height of the fork 25 is deviated due to various factors such as belt displacement and tension reduction described in the background section. That is, a deviation occurs between the actual height of the fork 25 and the height of the set fork 25.

そのようにエンコーダ値とフォーク25の高さとの対応にずれが生じると、各モジュールに対してフォーク25がウエハWを受け渡すときの各高さが、予め設定された高さから例えば一様にずれる。図11は、そのようなずれが生じていない状態のフォーク25と、すれが生じた状態のフォーク25とを具体的に示している。さらに詳しくは、図11は、ずれが無い状態及びずれが有る状態について、既述のように受け渡しモジュールTRS3からウエハWを受け取るにあたり、受取り準備高さ、受取り高さ、受取り終了高さに夫々位置するように、出力されるエンコーダ値が受取り設定値−A1、受取り設定値、受取り設定値+A2となるときのフォーク25の各高さを示している。エンコーダ値が受取り設定値−A1になるときのフォーク25の高さ、受取り設定値+A2となるときのフォークの高さは第1の高さ、第2の高さに夫々相当する。   If a deviation occurs in the correspondence between the encoder value and the height of the fork 25 as described above, the height when the fork 25 delivers the wafer W to each module is, for example, uniformly from a preset height. Shift. FIG. 11 specifically shows the fork 25 in a state in which such a shift has not occurred and the fork 25 in a state in which a slip has occurred. More specifically, FIG. 11 shows a state where there is no deviation and a state where there is a deviation when receiving the wafer W from the delivery module TRS3, as described above, at the receiving preparation height, the receiving height, and the receiving end height. As shown, the heights of the forks 25 when the output encoder values are the reception setting value -A1, the reception setting value, and the reception setting value + A2 are shown. The height of the fork 25 when the encoder value becomes the receiving set value −A1, and the height of the fork when the encoder value becomes the receiving set value + A2 correspond to the first height and the second height, respectively.

この図11に示すように、各値が出力されるときのフォーク25の高さが、ずれが無い状態、ずれが有る状態で夫々Bmm(Bは任意の数値)ずつずれている。このようにずれが生じている場合、受け渡しモジュールTRS31に送出するにあたり、フォーク25が送出準備高さ、送出高さ、送出終了高さに位置するように、出力されるエンコーダ値が送出設定値+A3、送出設定値、送出設定値+Aに夫々なるときのフォーク25の高さも、ずれが無い状態の高さから夫々Bmmずれている。   As shown in FIG. 11, the height of the fork 25 when each value is output is shifted by Bmm (B is an arbitrary numerical value) in a state where there is no shift and a state where there is a shift. When such a deviation occurs, the encoder value to be output is set to the transmission set value + A3 so that the fork 25 is positioned at the transmission preparation height, the transmission height, and the transmission end height when transmitting to the delivery module TRS31. The height of the fork 25 when the transmission set value and the transmission set value + A are respectively shifted by B mm from the height of the state where there is no shift.

上記の制御部4は、詳しくは後述するように、上記の排気圧センサ31からの出力に基づいて、フォーク25が受け渡しモジュールTRS3の受取り高さに位置したときのエンコーダ値を検出できるように構成されている。上記のように、この受取り高さにおけるエンコーダ値は、受取り設定値として予め設定されており、この受取り高さのエンコーダ値の検出は、実際のフォーク25との高さと設定上のフォーク25の高さとのずれの有無、即ち搬送アームF3の異常の有無を検出するために行われる。そして、制御部4は、このエンコーダ値の検出結果に基づき、必要に応じて、当該ずれが解消されるように各モジュールについて設定されている受取り設定値及び送出設定値の補正を行うか、あるいは搬送アームF3の動作の停止を行う。   The control unit 4 is configured to detect an encoder value when the fork 25 is positioned at the receiving height of the delivery module TRS3 based on the output from the exhaust pressure sensor 31, as will be described in detail later. Has been. As described above, the encoder value at the receiving height is set in advance as the receiving setting value. The encoder value of the receiving height is detected by detecting the actual height of the fork 25 and the setting height of the fork 25. This is performed in order to detect the presence or absence of deviation, that is, the presence or absence of abnormality of the transfer arm F3. Then, the control unit 4 corrects the reception setting value and the transmission setting value set for each module so that the deviation is eliminated based on the detection result of the encoder value, or The operation of the transfer arm F3 is stopped.

図4に戻って、検出部、判定部及び補正機構を構成する制御部4の構成について説明する。制御部4は、処理プログラム4A、検出プログラム4B、及び対処プログラム4Cを備えている。処理プログラム4Aは、各モジュール間でウエハWを搬送すると共にウエハWに処理を行うモジュールにてウエハWの処理を行うためのプログラムである。検出プログラム4Bは後述する手順によってフォーク25による受け渡しモジュールTRS3からのウエハWの受取り時のエンコーダ値を検出するためのプログラムである。対処プログラム4Cは検出されたエンコーダ値に基づいて、既述の受取り設定値及び送出設定値の補正あるいは搬送アームF3の動作の停止を行うためのプログラムである。   Returning to FIG. 4, the structure of the control part 4 which comprises a detection part, a determination part, and a correction mechanism is demonstrated. The control unit 4 includes a processing program 4A, a detection program 4B, and a countermeasure program 4C. The processing program 4A is a program for processing the wafer W by a module that transfers the wafer W between the modules and processes the wafer W. The detection program 4B is a program for detecting an encoder value at the time of receiving the wafer W from the transfer module TRS3 by the fork 25 according to a procedure described later. The countermeasure program 4C is a program for correcting the reception setting value and the transmission setting value described above or stopping the operation of the transfer arm F3 based on the detected encoder value.

プログラム4A〜4Cは、各々このように割り当てられた処理を行うことができるように、命令(ステップ群)が組まれており、現像装置1の各部に制御信号を出力する。この制御信号によって、当該塗布、現像装置1の各部の動作が制御される。また、プログラム4A〜4Cは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態で、制御部4に設けられる図示しないプログラム格納部に格納されて動作する。 The programs 4A to 4C each have a command (step group) so as to be able to perform the processing assigned in this way, and output a control signal to each part of the developing device 1. The operation of each part of the coating and developing apparatus 1 is controlled by this control signal. The programs 4A to 4C are stored and operated in a program storage unit (not shown) provided in the control unit 4 while being stored in a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magnetic optical disk, or a memory card.

制御部4にはメモリ44が設けられており、上記の各モジュールについての受取り設定値及び送出設定値が記憶されている。既述のように、この受取り設定値及び送出設定値に基づいて、フォーク25の高さが制御されてモジュールに対するウエハWの受け渡しが行われる。また、メモリ44には受取り設定値及び送出設定値について補正を行った回数が記憶される。   The control unit 4 is provided with a memory 44, which stores reception setting values and transmission setting values for the respective modules. As described above, the height of the fork 25 is controlled based on the receiving setting value and the sending setting value, and the wafer W is transferred to the module. Further, the memory 44 stores the number of times that the reception setting value and the transmission setting value are corrected.

また、制御部4にはメモリ45が設けられている。上記の受け渡しモジュールTRS3からのフォーク25の受取り高さのエンコーダ値の検出は、例えば受け渡しモジュールTRS3からウエハWを受け取るたびに行われる。メモリ45には、フォーク25がウエハWの受取りを行った時刻と、検出されたエンコーダ値とが互いに対応付けられて記憶される。   The controller 4 is provided with a memory 45. The detection of the encoder value of the receiving height of the fork 25 from the transfer module TRS3 is performed, for example, every time the wafer W is received from the transfer module TRS3. In the memory 45, the time when the fork 25 receives the wafer W and the detected encoder value are stored in association with each other.

さらに、制御部4はアラーム出力部46を備えている。このアラーム出力部46は、モニタなどの表示部やスピーカーなどの音声出力部により構成されており、アラームとして所定のサインを画面表示したり、所定の音声を出力したりする。例えば、上記のように搬送アームF3の動作を停止させるときにこのアラームの出力が行われ、塗布、現像装置1のユーザーに搬送アームF3の異常を報知することができる。そのように異常が報知されたときには、ユーザーは搬送アームF3のメンテナンスを行う。   Further, the control unit 4 includes an alarm output unit 46. The alarm output unit 46 includes a display unit such as a monitor and an audio output unit such as a speaker. The alarm output unit 46 displays a predetermined sign as an alarm or outputs a predetermined sound. For example, when the operation of the transport arm F3 is stopped as described above, this alarm is output, and the user of the coating and developing apparatus 1 can be notified of the abnormality of the transport arm F3. When such an abnormality is notified, the user performs maintenance of the transfer arm F3.

続いて、制御部4によって行われる、受け渡しモジュールTRS3に対するウエハWの受取り高さのエンコーダ値の検出方法について説明する。図6で説明したように受取り準備高さに位置したフォーク25が上昇し、上昇開始から例えば100ミリ秒経過した時点から、図8で示したように受取り終了高さでフォーク25の上昇が停止する時点までの排気圧センサ31からの出力信号が、制御部4により取得され続ける。つまり、フォーク25に接続される配管31内の排気圧の推移を示す時系列データが取得される。   Next, a method for detecting the encoder value of the receiving height of the wafer W with respect to the transfer module TRS3 performed by the control unit 4 will be described. As shown in FIG. 6, the fork 25 located at the receiving preparation height rises, and the fork 25 stops rising at the receiving end height as shown in FIG. The output signal from the exhaust pressure sensor 31 up to the point of time is continuously acquired by the control unit 4. That is, time series data indicating the transition of the exhaust pressure in the pipe 31 connected to the fork 25 is acquired.

排気圧センサ31からの信号の取得は、検出の精度を担保するために、10ミリ秒よりも短い間隔で行うものとし、この例では2.5ミリ秒間隔で取得している。なお、フォーク25の上昇開始と共に吸引孔27からの吸引が開始されるので、フォーク25の上昇開始直後は、検出される排気圧が比較的大きく変動するため、上記のようにフォーク25の上昇開始時から100ミリ秒経過時に信号の取得を開始している。   Signal acquisition from the exhaust pressure sensor 31 is performed at intervals shorter than 10 milliseconds in order to ensure detection accuracy. In this example, the signals are acquired at intervals of 2.5 milliseconds. Since suction from the suction hole 27 is started as the fork 25 starts to rise, the detected exhaust pressure fluctuates relatively greatly immediately after the fork 25 starts to rise. The acquisition of the signal is started when 100 milliseconds elapse from the hour.

図12は、取得された排気圧の時系列データの一例を示すグラフである。グラフの横軸はフォーク25の上昇が開始されてからの経過時間を、グラフの縦軸は検出された排気圧(単位:kPa)を夫々示している。このように取得された時系列データについて、フォーク25がウエハWを受け取るタイミングにおいて排気圧の変化が最も大きくなり、以降、このタイミングを検出するための処理が行われる。例えば、データのトレンドを除去して排気圧の変化を明確にするために、取得された時系列データについて、一の経過時間において取得された排気圧から一の経過時間の2.5ミリ秒前に取得された排気圧が減算され、一の経過時間の差分値として取得される。排気圧のデータを取得した各経過時間について、この差分値が算出される。言い換えると、ここでは排気圧の時系列データを取得した時間帯について、2.5ミリ秒ごとの微分値を取得している。図13のグラフは、このように演算が行われて取得されたデータを示している。図13のグラフの横軸は、図13のグラフの横軸と同じように経過時間を示しており、図13のグラフの縦軸は、演算によって取得された差分値を示している。   FIG. 12 is a graph showing an example of the acquired time series data of the exhaust pressure. The horizontal axis of the graph represents the elapsed time since the fork 25 started to rise, and the vertical axis of the graph represents the detected exhaust pressure (unit: kPa). With respect to the time-series data acquired in this way, the change in the exhaust pressure becomes the largest at the timing when the fork 25 receives the wafer W, and thereafter, processing for detecting this timing is performed. For example, in order to remove the data trend and clarify the change in the exhaust pressure, the acquired time series data is 2.5 milliseconds before the one elapsed time from the exhaust pressure acquired in the one elapsed time. The obtained exhaust pressure is subtracted and obtained as a difference value of one elapsed time. The difference value is calculated for each elapsed time when the exhaust pressure data is acquired. In other words, the differential value is acquired every 2.5 milliseconds for the time zone in which the time series data of the exhaust pressure is acquired. The graph of FIG. 13 shows data obtained by performing the calculation in this way. The horizontal axis of the graph in FIG. 13 indicates the elapsed time in the same manner as the horizontal axis of the graph in FIG. 13, and the vertical axis in the graph in FIG. 13 indicates the difference value acquired by the calculation.

続いて、取得された各差分値についての平均値が算出され、経過時間ごとに差分値と平均値との偏差が算出される。そして、一の経過時間における偏差及び一の経過時間より前の各経過時間についての偏差の合計が算出され、一の経過時間における累積和とされる。排気圧のデータを取得した各経過時間について、このような累積和が取得される。図14には、この累積和を示すグラフを示している。この図14のグラフの横軸は、図12、図13のグラフの横軸と同様に経過時間を示しており、図14のグラフの縦軸は、演算された累積和を示している。このように演算された累積和について、最大値を示す経過時間tが決定される。つまり、図12に示した排気圧の時系列データのグラフについて、この経過時間tにおいて最も変化が大きい。   Subsequently, an average value for each acquired difference value is calculated, and a deviation between the difference value and the average value is calculated for each elapsed time. Then, the sum of the deviation in one elapsed time and the deviation for each elapsed time before the one elapsed time is calculated, and is taken as a cumulative sum in one elapsed time. Such a cumulative sum is acquired for each elapsed time when the exhaust pressure data is acquired. FIG. 14 shows a graph showing the cumulative sum. The horizontal axis of the graph of FIG. 14 indicates the elapsed time similarly to the horizontal axis of the graphs of FIGS. 12 and 13, and the vertical axis of the graph of FIG. 14 indicates the calculated cumulative sum. An elapsed time t indicating the maximum value is determined for the cumulative sum calculated in this way. That is, the change in the elapsed time t is the largest in the graph of the time-series data of the exhaust pressure shown in FIG.

そして、時系列データを取得した時間帯におけるエンコーダ値の推移データから、経過時間tにおけるエンコーダ値を特定し、受け渡しモジュールTRS3の受取り高さのエンコーダ値として決定される。図15のグラフは、上記のエンコーダ値の推移データを示している。この図15のグラフの横軸は、図12〜図14のグラフの横軸と同様に経過時間を示しており、グラフの縦軸はエンコーダ値を示している。このエンコーダ値の推移データは、予め制御部4のメモリに記憶されたものを用いてもよいし、排気圧の推移データの取得に並行して、エンコーダ値の取得を行って作成してもよい。決定されたエンコーダ値は、例えば受取り準備高さからフォーク25の上昇が開始した時刻と対応付けられて、メモリ45に記憶される。   Then, the encoder value at the elapsed time t is specified from the encoder value transition data in the time zone when the time series data is acquired, and is determined as the encoder value of the receiving height of the delivery module TRS3. The graph of FIG. 15 shows transition data of the encoder value. The horizontal axis of the graph of FIG. 15 indicates the elapsed time similarly to the horizontal axis of the graphs of FIGS. 12 to 14, and the vertical axis of the graph indicates the encoder value. The encoder value transition data may be previously stored in the memory of the control unit 4 or may be created by acquiring the encoder value in parallel with the acquisition of the exhaust pressure transition data. . The determined encoder value is stored in the memory 45 in association with the time when the fork 25 starts to rise from the reception preparation height, for example.

次に、図16のフローチャートを参照しながら、取得されたエンコーダ値に基づいた、搬送アームF3における異常の対処動作について説明する。受け渡しモジュールTRS3からウエハWが受け取られるたびに、図12〜図15で説明したように受け渡しモジュールTRS3におけるウエハWの受取り高さのエンコーダ値が算出されてメモリ44に記憶される(ステップS1)。ある特定の時点から1週間経過すると、当該1週間で取得された受取り高さのエンコーダ値の平均値が算出される(ステップS2)。ある特定の時点とは、例えば装置の稼働開始時点か、あるいは前回ステップS2を実行した時点である。そして、算出された平均値とメモリ44に記憶された受け渡しモジュールTRS3の受取り高さ設定値との差分値が演算され、当該差分値が許容範囲内に含まれるか否かが判定される(ステップS3)。   Next, an operation for handling an abnormality in the transfer arm F3 based on the obtained encoder value will be described with reference to the flowchart of FIG. Each time a wafer W is received from the transfer module TRS3, an encoder value of the transfer height of the wafer W in the transfer module TRS3 is calculated and stored in the memory 44 as described with reference to FIGS. 12 to 15 (step S1). When one week elapses from a specific time point, an average value of the encoder values of the received height acquired in the one week is calculated (step S2). The specific time is, for example, the time when the apparatus starts operating or the time when the previous step S2 is executed. Then, a difference value between the calculated average value and the receiving height setting value of the delivery module TRS3 stored in the memory 44 is calculated, and it is determined whether or not the difference value is included in the allowable range (step). S3).

ステップS3で差分値が許容範囲内に含まれないと判定された場合、メモリ45に記憶された補正が行われた回数について許容値以下であるか否か判定され(ステップS4)、許容値以下であると判定された場合、メモリ44に格納されている各モジュールについての受取り設定値及び送出設定値が、ステップS3で算出された差分値に対応する分だけ補正されると共に、メモリ44に記憶される補正が行われた回数に1が加算される(ステップS5)。   When it is determined in step S3 that the difference value is not included in the allowable range, it is determined whether or not the number of corrections stored in the memory 45 is equal to or less than the allowable value (step S4). If it is determined that the received set value and the send set value for each module stored in the memory 44 are corrected by an amount corresponding to the difference value calculated in step S3, the stored value is stored in the memory 44. 1 is added to the number of corrections made (step S5).

ステップS4で、補正が行われた回数が許容値を超えていると判定された場合、搬送アームF3の動作が停止し、アラーム出力部46からアラームが出力される(ステップS6)。ステップS3で算出されたエンコーダ値の平均値と、メモリ44に記憶された受取り高さ設定値との差分値が許容範囲に含まれていると判定される場合は、再度ステップS1以降のステップが行われる。例えば、ステップS1の動作については上記の検出プログラム4Bにより行われ、ステップS2〜S6の動作については、上記の対処プログラム4Cにより行われる。   If it is determined in step S4 that the number of corrections exceeds the allowable value, the operation of the transfer arm F3 is stopped and an alarm is output from the alarm output unit 46 (step S6). When it is determined that the difference value between the average value of the encoder values calculated in step S3 and the received height setting value stored in the memory 44 is included in the allowable range, the steps after step S1 are performed again. Done. For example, the operation of step S1 is performed by the detection program 4B, and the operations of steps S2 to S6 are performed by the countermeasure program 4C.

図17は、上記のステップS3で取得される週ごとのずれ量の推移の一例を示すグラフである。この例では、ずれ量が1週毎に次第に上昇し、第n週にて、取得された受取り高さのエンコーダ値の平均値と受取り高さ設定値とのずれ量が許容値を超えている。第n週においては、受け渡しモジュールTRS3からウエハWの受取りが行われる際における受取り準備高さ、受取り高さ、受取り終了高さに位置するように、出力されるエンコーダ値が受取り設定値−A1、受取り設定値、受取り設定値+A2となるときのフォーク25の各高さは、図11で示したように設定された各高さ(ずれが無い状態の各高さ)からずれている。同様に、受け渡しモジュールTRS31にウエハWの送出が行われるときにおける送出準備高さ、送出高さ及び送出終了高さも、設定された各高さからずれた状態となっている。   FIG. 17 is a graph showing an example of the transition of the shift amount for each week acquired in step S3. In this example, the deviation amount gradually increases every week, and the deviation amount between the average value of the acquired reception height encoder values and the reception height setting value exceeds the allowable value in the nth week. . In the nth week, the output encoder value is set to the receiving set value −A1, so as to be positioned at the receiving preparation height, the receiving height, and the receiving end height when the wafer W is received from the transfer module TRS3. Each height of the fork 25 when it becomes the reception setting value and the reception setting value + A2 deviates from the respective heights (the respective heights in a state where there is no deviation) as shown in FIG. Similarly, the delivery preparation height, delivery height, and delivery end height when the wafer W is delivered to the delivery module TRS 31 are also shifted from the set heights.

この第n週の装置の稼働終了後、第n+1の装置の稼働開始前に上記のステップS5で述べたように補正が行われ、メモリ44に記憶される各モジュールの受取り設定値、送出設定値に、ステップS3で説明した差分値に対応する補正値(ここではDとする)が加算される。第n+1週では、このように補正された受取り設定値、送出高さ位置に基づいてウエハWの受け渡しが行われる。   After the end of operation of the nth week device, before the start of operation of the (n + 1) th device, the correction is performed as described in step S5 above, and the reception setting value and transmission setting value of each module stored in the memory 44 In addition, a correction value (here, D) corresponding to the difference value described in step S3 is added. In the (n + 1) th week, the wafer W is transferred based on the reception setting value and the sending height position corrected in this way.

従って、受け渡しモジュールTRS3からウエハWの受取りが行われるときには、図18に示すように、受取り準備高さ及び受取り終了高さについて、設定された各高さからのずれが解消され、また、エンコーダ値が受取り設定値となるときにウエハWの受取りが行われる。つまり、図5〜図8で説明した各高さにフォーク25が位置してウエハWの受取りが行われるようにフォーク25の高さが補正される。同様に、受け渡しモジュールTRS31にウエハWが送出されるときには、送出準備高さ、送出高さについて設定された各高さからのずれが解消され、また、エンコーダ値が送出設定値となるときにウエハWの受取りが行われる。つまり、図9、図10で説明した各高さにフォーク25が位置してウエハWの送出が行われるようにフォーク25の高さが補正される。   Accordingly, when the wafer W is received from the transfer module TRS3, as shown in FIG. 18, the deviation from the set heights for the receiving preparation height and the receiving end height is eliminated, and the encoder value The wafer W is received when becomes the reception set value. That is, the height of the fork 25 is corrected so that the fork 25 is positioned at each height described with reference to FIGS. Similarly, when the wafer W is delivered to the delivery module TRS31, the deviation from each height set for the delivery preparation height and the delivery height is eliminated, and when the encoder value becomes the delivery set value, W is received. That is, the height of the fork 25 is corrected so that the fork 25 is positioned at each height described with reference to FIGS.

続いて、塗布、現像装置1の全体の構成について、図19〜図21を用いて説明する。図19、図20、図21は夫々当該塗布、現像装置1の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。この塗布、現像装置1は大気雰囲気に設けられ、キャリアブロックD1と、処理ブロックD2と、インターフェイスブロックD3と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックD3に、露光機D4が接続されている。キャリアブロックD1には、塗布、現像装置1の外部からウエハWを格納するキャリアCが搬送され、当該キャリアブロックD1は、キャリアCの載置台51と、開閉部52と、開閉部52を介してキャリアCからウエハWを搬送するための移載機構53とを備えている。   Next, the overall configuration of the coating and developing apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 19, 20, and 21 are a plan view, a perspective view, and a schematic longitudinal side view of the coating and developing apparatus 1, respectively. The coating / developing apparatus 1 is provided in an air atmosphere, and is configured by linearly connecting a carrier block D1, a processing block D2, and an interface block D3. An exposure machine D4 is connected to the interface block D3. A carrier C for storing the wafer W is transferred from the outside of the coating and developing apparatus 1 to the carrier block D1, and the carrier block D1 is connected to the carrier C via the mounting table 51, the opening / closing unit 52, and the opening / closing unit 52. And a transfer mechanism 53 for transporting the wafer W from the carrier C.

処理ブロックD2は、ウエハWに液処理を行う第1〜第6の単位ブロックE1〜E6が下から順に積層されて構成されている。説明の便宜上ウエハWに下層側の反射防止膜を形成する処理を「BCT」、ウエハWにレジスト膜を形成する処理を「COT」、露光後のウエハWにレジストパターンを形成するための処理を「DEV」と夫々表現する場合がある。この例では、図20に示すように下からBCT層、COT層、DEV層が2層ずつ積み上げられている。同じ単位ブロックにおいて、互いに並行してウエハWの搬送及び処理が行われる。   The processing block D2 is configured by laminating first to sixth unit blocks E1 to E6 for performing liquid processing on the wafer W in order from the bottom. For convenience of explanation, “BCT” is a process for forming a lower antireflection film on the wafer W, “COT” is a process for forming a resist film on the wafer W, and a process for forming a resist pattern on the exposed wafer W is performed. Sometimes expressed as “DEV”. In this example, as shown in FIG. 20, two BCT layers, COT layers, and DEV layers are stacked from the bottom. In the same unit block, the wafer W is transferred and processed in parallel with each other.

単位ブロックE3は、図1で説明したように構成されており、図1中の受け渡しモジュールTRS3、TRS31はキャリアブロックD1側、インターフェイスブロックD3側に夫々設けられている。単位ブロックE4は、単位ブロックE3と同様の構成である。単位ブロックE1、E2、E5、E6について、単位ブロックE3、E4との差異点を説明すると、単位ブロックE1、E2は、レジスト膜形成モジュール14の代わりに反射防止膜形成モジュールを備えている。反射防止膜形成モジュールでは、反射防止膜を形成するための薬液がウエハWに供給される。   The unit block E3 is configured as described in FIG. 1, and the delivery modules TRS3 and TRS31 in FIG. 1 are provided on the carrier block D1 side and the interface block D3 side, respectively. The unit block E4 has the same configuration as the unit block E3. The difference between the unit blocks E1, E2, E5, and E6 from the unit blocks E3 and E4 will be described. The unit blocks E1 and E2 include an antireflection film forming module instead of the resist film forming module. In the antireflection film forming module, a chemical solution for forming the antireflection film is supplied to the wafer W.

単位ブロックE5、E6は、レジスト膜形成モジュール14の代わりに現像モジュールを備えている。現像モジュールは薬液として現像液をウエハWの表面に供給して、露光機D4にて所定のパターンに沿って露光されたレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する。このような差違を除いて、単位ブロックE1〜E6は互いに同様に構成されている。図21では各単位ブロックE1〜E6の搬送アームについてF1〜F6として示しており、これらの搬送アームは互いに独立してウエハWを搬送する。例えば各搬送アームF1〜F6の各フォーク25について上記のレギュレータ32及び排気機構33は共用化されている。   The unit blocks E5 and E6 include a developing module instead of the resist film forming module 14. The developing module supplies a developing solution as a chemical solution to the surface of the wafer W, and develops the resist film exposed along a predetermined pattern by the exposure machine D4 to form a resist pattern. Except for such a difference, the unit blocks E1 to E6 are configured in the same manner. In FIG. 21, the transfer arms of the unit blocks E1 to E6 are shown as F1 to F6, and these transfer arms transfer the wafer W independently of each other. For example, the regulator 32 and the exhaust mechanism 33 are shared by the forks 25 of the transfer arms F1 to F6.

処理ブロックD2におけるキャリアブロックD1側には、各単位ブロックE1〜E6に跨って上下に伸びるタワーT1と、タワーT1に対してウエハWの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構である受け渡しアーム54とが設けられている。タワーT1は互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、単位ブロックE1〜E6の各高さに設けられる受け渡しモジュールは、当該単位ブロックE1〜E6の各搬送アームF1〜F6との間でウエハWを受け渡すことができる。この受け渡しモジュールに、上記のTRS3が含まれる。   On the carrier block D1 side in the processing block D2, a tower T1 that extends vertically across the unit blocks E1 to E6 and a transfer arm 54 that is a transport mechanism that can be moved up and down to transfer the wafer W to the tower T1. And are provided. The tower T1 is configured by a plurality of modules stacked on each other, and the transfer module provided at each height of the unit blocks E1 to E6 is a wafer between the transfer arms F1 to F6 of the unit blocks E1 to E6. W can be handed over. This delivery module includes the above TRS3.

インターフェイスブロックD3は、単位ブロックE1〜E6に跨って上下に伸びるタワーT2、T3、T4と、各タワーT2〜T4に対してウエハWを搬送する搬送機構であるインターフェイスアーム55〜57と、を備えている。インターフェイスアーム55は、タワーT2とタワーT3に対してウエハWの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構であり、インターフェイスアーム56は、タワーT2とタワーT4に対してウエハWの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構である。インターフェイスアーム57は、タワーT2と露光機D4との間でウエハWの受け渡しを行うための搬送機構である。   The interface block D3 includes towers T2, T3, and T4 that extend vertically across the unit blocks E1 to E6, and interface arms 55 to 57 that are transfer mechanisms that transfer the wafer W to the towers T2 to T4. ing. The interface arm 55 is a transport mechanism that can move up and down to transfer the wafer W to the tower T2 and the tower T3. The interface arm 56 transfers the wafer W to the tower T2 and the tower T4. It is a transport mechanism that can move up and down. The interface arm 57 is a transfer mechanism for delivering the wafer W between the tower T2 and the exposure machine D4.

タワーT2は、受け渡しモジュールTRS、露光処理前の複数枚のウエハWを格納して滞留させるバッファモジュール、露光処理後の複数枚のウエハWを格納するバッファモジュール、及びウエハWの温度調整を行う温調モジュールなどが互いに積層されて構成されているが、ここではバッファモジュール及び温調モジュールの図示は省略する。上記の受け渡しモジュールTRS31は、タワーT2に含まれるモジュールである。タワーT3、T4にもモジュールが設けられているが、ここでは説明を省略する。また、各受け渡しモジュールTRSは、例えば上記の受け渡しモジュールTRS3、TRS31と同様に構成されている。   The tower T2 includes a delivery module TRS, a buffer module for storing and retaining a plurality of wafers W before exposure processing, a buffer module for storing a plurality of wafers W after exposure processing, and a temperature for adjusting the temperature of the wafers W. Although the adjustment module and the like are stacked on each other, illustration of the buffer module and the temperature adjustment module is omitted here. The delivery module TRS31 is a module included in the tower T2. Although the modules are also provided in the towers T3 and T4, the description is omitted here. Each delivery module TRS is configured in the same manner as the delivery modules TRS3 and TRS31, for example.

この塗布、現像装置1及び露光機D4からなるシステムにおけるウエハWの搬送経路及び処理について説明する。ウエハWは、キャリアCから移載機構53により、処理ブロックD2におけるタワーT1の受け渡しモジュールTRS0に搬送される。この受け渡しモジュールTRS0からウエハWは、単位ブロックE1、E2に振り分けられて搬送される。例えばウエハWを単位ブロックE1に受け渡す場合には、タワーT1の受け渡しモジュールTRSのうち、単位ブロックE1に対応する受け渡しモジュールTRS1(搬送アームF1によりウエハWの受け渡しが可能な受け渡しモジュール)に対して、前記TRS0からウエハWが受け渡される。またウエハWを単位ブロックE2に受け渡す場合には、タワーT1の受け渡しモジュールTRSのうち、単位ブロックE2に対応する受け渡しモジュールTRS2に対して、前記TRS0からウエハWが受け渡される。これらのウエハWの受け渡しは、受け渡しアーム54により行われる。   The transfer path and processing of the wafer W in the system including the coating and developing apparatus 1 and the exposure machine D4 will be described. The wafer W is transferred from the carrier C to the transfer module TRS0 of the tower T1 in the processing block D2 by the transfer mechanism 53. The wafer W is transferred from the delivery module TRS0 to the unit blocks E1 and E2 and transferred. For example, when the wafer W is transferred to the unit block E1, among the transfer modules TRS of the tower T1, the transfer module TRS1 corresponding to the unit block E1 (the transfer module capable of transferring the wafer W by the transfer arm F1). The wafer W is transferred from the TRS0. When the wafer W is transferred to the unit block E2, the wafer W is transferred from the TRS0 to the transfer module TRS2 corresponding to the unit block E2 among the transfer modules TRS of the tower T1. Delivery of these wafers W is performed by the delivery arm 54.

このように振り分けられたウエハWは、TRS1(TRS2)→反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール15→TRS1(TRS2)の順に搬送され、続いて受け渡しアーム54により単位ブロックE3に対応する受け渡しモジュールTRS3と、単位ブロックE4に対応する受け渡しモジュールTRS4とに振り分けられる。   The wafer W thus distributed is transferred in the order of TRS1 (TRS2) → antireflection film forming module → heating module 15 → TRS1 (TRS2), and then transferred to the transfer module TRS3 corresponding to the unit block E3 by the transfer arm 54. Are distributed to the delivery module TRS4 corresponding to the unit block E4.

このようにTRS3、TRS4に振り分けられたウエハWは、TRS3(TRS4)→レジスト膜形成モジュール14→加熱モジュール15→タワーT2の受け渡しモジュールTRS31(TRS41)の順で搬送される。然る後、このウエハWは、インターフェイスアーム55、57により露光機D4へ搬送され、受け渡しモジュールの表面に形成されたレジスト膜が所定のパターンに沿って露光される。   The wafers W thus distributed to TRS3 and TRS4 are transferred in the order of TRS3 (TRS4) → resist film forming module 14 → heating module 15 → tower T2 delivery module TRS31 (TRS41). Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure machine D4 by the interface arms 55 and 57, and the resist film formed on the surface of the delivery module is exposed along a predetermined pattern.

露光後のウエハWは、インターフェイスアーム57、56によりタワーT2、T4間を搬送されて、単位ブロックE5、E6に対応するタワーT2の受け渡しモジュールTRS51、TRS61に夫々搬送される。然る後、ウエハWは加熱モジュール15→現像モジュールの順で搬送され、露光機D4で露光されたパターンに沿ってレジスト膜が溶解し、ウエハWにレジストパターンが形成される。然る後、ウエハWは、タワーT1の受け渡しモジュールTRS5(TRS6)に搬送された後、移載機構53を介してキャリアCに戻される。   The exposed wafer W is transferred between the towers T2 and T4 by the interface arms 57 and 56, and transferred to the transfer modules TRS51 and TRS61 of the tower T2 corresponding to the unit blocks E5 and E6, respectively. Thereafter, the wafer W is transported in the order of the heating module 15 → the developing module, and the resist film is dissolved along the pattern exposed by the exposure machine D4, so that a resist pattern is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the transfer module TRS5 (TRS6) of the tower T1, and then returned to the carrier C via the transfer mechanism 53.

この塗布、現像装置1によれば、受け渡しモジュールTRS3からウエハWを受け取るためにモータ42によってフォーク25が上昇中、フォーク25に接続される排気管29に設けられる排気圧センサ31から出力される検出信号を制御部4が取得し、排気管29内の排気圧の時系列データが取得される。そして、制御部4はこの時系列データに基づいて、受け渡しモジュールTRS3からフォーク25がウエハWを受け取る高さの情報であるエンコーダ値を取得する。フォーク25が上昇中の例えば供給される用力の変動による排気機構33による排気流量の変化など、背景技術の項目で説明したような各種の要因により、排気管29の排気圧が設定範囲から外れていても、上記の時系列データによって排気圧の変化の様子が分かるので、取得される上記のエンコーダ値は、ウエハWの受取りが行われた高さに精度高く対応する。従って、フォーク25の高さの異常を精度高く検出することができるので、塗布、現像装置1内の構造物やウエハWに対してフォーク25の意図しない接触が起きることを確実に防ぐことができる。さらに、取得されたエンコーダ値に基づいてモジュールに対してウエハWを受け渡す際のフォーク25の高さが自動で補正されるので、塗布、現像装置1のユーザーが搬送アームF3についてメンテナンスを行う頻度を抑えることができるので、当該ユーザーの負担が軽減される。 According to this coating and developing apparatus 1, the detection output from the exhaust pressure sensor 31 provided in the exhaust pipe 29 connected to the fork 25 while the fork 25 is raised by the motor 42 to receive the wafer W from the delivery module TRS 3. The control unit 4 acquires the signal, and the time-series data of the exhaust pressure in the exhaust pipe 29 is acquired. Then, based on the time series data, the control unit 4 obtains an encoder value that is information about the height at which the fork 25 receives the wafer W from the transfer module TRS3. The exhaust pressure of the exhaust pipe 29 deviates from the set range due to various factors as described in the background art section, such as a change in the exhaust flow rate by the exhaust mechanism 33 due to fluctuations in the supplied power while the fork 25 is rising. However, since the state of the exhaust pressure change can be understood from the time series data, the acquired encoder value corresponds to the height at which the wafer W is received with high accuracy. Accordingly, an abnormality in the height of the fork 25 can be detected with high accuracy, and it is possible to reliably prevent unintended contact of the fork 25 with respect to the structure in the coating and developing apparatus 1 and the wafer W. . Furthermore, since the height of the fork 25 when the wafer W is delivered to the module is automatically corrected based on the acquired encoder value, the frequency at which the user of the coating / developing apparatus 1 performs maintenance on the transfer arm F3. Therefore, the burden on the user can be reduced.

ところで、フォーク25が上昇中に取得された時系列データに基づいて、フォーク25の高さを表すエンコーダ値を取得することには限られない。例えば、フォーク25が受け渡しモジュールTRS31にウエハWを送出するために図9、図10で説明した送出準備高さから送出終了高さへ下降移動中の排気圧の時系列データを取得する。この時系列データについて、図12〜図15で説明した処理を行い、偏差の累積和についてのグラフの変曲点の経過時間におけるエンコーダ値を、送出高さ位置におけるエンコーダ値として特定してもよい。そして、このように特定したエンコーダ値と、受け渡しモジュールTRS31について設定された送出高さ位置とに基づいて、図16のフローに沿ってフォーク25の高さの補正を行うようにしてもよい。   By the way, it is not limited to acquiring an encoder value representing the height of the fork 25 based on time series data acquired while the fork 25 is moving up. For example, the fork 25 acquires time-series data of the exhaust pressure during the downward movement from the delivery preparation height described in FIGS. 9 and 10 to the delivery end height in order to send the wafer W to the delivery module TRS31. The time series data may be processed as described with reference to FIGS. 12 to 15, and the encoder value at the inflection point of the graph for the cumulative sum of deviations may be specified as the encoder value at the sending height position. . Then, the height of the fork 25 may be corrected along the flow of FIG. 16 based on the encoder value specified in this way and the delivery height position set for the delivery module TRS31.

また、上記の例ではフォーク25の高さが自動で補正されるが、このように補正が行われていなくてもよい。例えば、ステップS1で取得された受取り位置におけるエンコーダ値が制御部を構成する表示部に表示される。この表示に基づいて、装置のユーザーが受取り位置のエンコーダ値について異常が有るか否かを判定し、異常があると判定した場合には、手動で搬送アームF3の動作を停止させ、メンテナンスを行うようにしてもよい。   In the above example, the height of the fork 25 is automatically corrected. However, the correction may not be performed in this way. For example, the encoder value at the receiving position acquired in step S1 is displayed on the display unit constituting the control unit. Based on this display, the user of the apparatus determines whether or not there is an abnormality in the encoder value at the receiving position. If it is determined that there is an abnormality, the operation of the transfer arm F3 is manually stopped to perform maintenance. You may do it.

また、上記のように各単位ブロックE1〜E6は、異なる液処理が行われることを除いて同様に構成される。従って、搬送アームF1、F2、F4〜F6についても搬送アームF3と同様に、図16のフローに従って各搬送アームFに対応して設けられる受け渡しモジュールTRSからのウエハWの受取り高さを示すエンコーダ値の検出や、当該エンコーダ値に基づいたフォーク25の高さの補正を行うようにしてもよい。また、処理ブロックD2以外のブロックに設けられる搬送機構にも本発明を適用することができる。   Further, as described above, the unit blocks E1 to E6 are configured similarly except that different liquid treatments are performed. Accordingly, as with the transfer arm F3, the transfer arms F1, F2, and F4 to F6 are encoder values indicating the receiving height of the wafer W from the transfer module TRS provided corresponding to each transfer arm F according to the flow of FIG. Or the height of the fork 25 may be corrected based on the encoder value. Further, the present invention can also be applied to a transport mechanism provided in a block other than the processing block D2.

また、上記の例では、受け渡しモジュールTRS3におけるウエハWの受取り高さについての情報をエンコーダ値として、図15に示したエンコーダ値の推移データから取得している。ただし、そのようにエンコーダ値を受取り高さについての情報として取得することには限られない。受取り準備位置から上昇を開始したフォークの高さ位置は、上昇を開始した時刻からの経過時間に対応する。つまり、図14の偏差の累積和のグラフで、当該累積和が最大値となったときの経過時間は、受取り準備位置から見た受取り高さに相当するので、この経過時間を受取り高さについての情報として記憶するようにし、例えば予め設定された基準の経過時間と比較して、その差分に基づいて制御部4のメモリ44内に格納されたエンコーダ値である受取り設定値及び送出設定値を補正するようにしてもよい。   Further, in the above example, the information about the receiving height of the wafer W in the transfer module TRS3 is obtained as encoder value from the encoder value transition data shown in FIG. However, the encoder value is not limited to being acquired as information about the reception height. The height position of the fork that has started to rise from the receiving preparation position corresponds to the elapsed time from the time when the fork started. That is, in the graph of the cumulative sum of deviations in FIG. 14, the elapsed time when the cumulative sum reaches the maximum value corresponds to the receiving height viewed from the receiving preparation position. For example, the received set value and the send set value, which are encoder values stored in the memory 44 of the control unit 4 based on the difference, are compared with a preset reference elapsed time, for example. You may make it correct | amend.

さらに、上記の例では受け渡しモジュールTRS3に対するフォーク25の受取り準備高さ(第1の高さ)及び受取り終了高さ(第2の高さ)が補正されている。このようにモジュールに対するフォーク25の各高さを補正することには限られない。例えば、受け渡しモジュールTRS3を昇降させる昇降機構を設けて、上記のフローのステップS1〜S3によって検出されるウエハWの受取り時のエンコーダ値と受取り設定値との差に対応する分、受け渡しモジュールTRS3の高さを補正し、受け渡しモジュールTRS3とフォーク25との意図しない接触を防ぐようにしてもよい。   Further, in the above example, the receiving preparation height (first height) and the receiving end height (second height) of the fork 25 with respect to the delivery module TRS3 are corrected. Thus, it is not restricted to correct | amend each height of the fork 25 with respect to a module. For example, an elevating mechanism for elevating and lowering the delivery module TRS3 is provided, and the delivery module TRS3 has an amount corresponding to the difference between the encoder value at the time of receipt of the wafer W detected at steps S1 to S3 and the acceptance setting value. The height may be corrected to prevent unintended contact between the delivery module TRS3 and the fork 25.

また、本発明はモジュール間でウエハWを搬送する基板搬送機構のみに適用されることに限られない。図22に示す加熱モジュール6は、例えば図1に示す加熱モジュール15の代わりに設けられ、ウエハWを載置して加熱する熱板61と、熱板61の表面において突没する昇降ピン62と、昇降機構63と、を備えている。昇降機構63は、フレーム21と同様にモータ42を備え、モータ42の動作により昇降ピン62が昇降する。昇降ピン62は、搬送アームF3と熱板61との間でウエハWを受け渡す。昇降ピン62の先端には、吸引孔27が形成され、吸引孔27に接続される排気管29には排気圧センサ31が設けられる。排気管29の下流側は例えば、フォーク25の下流側と同様に構成され、排気機構33に接続されている。昇降ピン62がウエハWを突き上げて搬送アームF3からウエハWを受け取るときには、吸引孔27からの排気が行われ、ウエハWが昇降ピン62に支持されることで排気圧センサ31の出力が変化する。   Further, the present invention is not limited to being applied only to the substrate transfer mechanism that transfers the wafer W between modules. A heating module 6 shown in FIG. 22 is provided, for example, instead of the heating module 15 shown in FIG. 1, and includes a hot plate 61 on which the wafer W is placed and heated, and lift pins 62 that project and sink on the surface of the hot plate 61. The elevating mechanism 63 is provided. The lifting mechanism 63 includes a motor 42 as with the frame 21, and the lifting pins 62 are lifted and lowered by the operation of the motor 42. The lift pins 62 deliver the wafer W between the transfer arm F3 and the hot plate 61. A suction hole 27 is formed at the tip of the elevating pin 62, and an exhaust pressure sensor 31 is provided in the exhaust pipe 29 connected to the suction hole 27. For example, the downstream side of the exhaust pipe 29 is configured similarly to the downstream side of the fork 25 and is connected to the exhaust mechanism 33. When the lift pins 62 push up the wafer W and receive the wafer W from the transfer arm F3, the suction holes 27 are exhausted, and the wafer W is supported by the lift pins 62, whereby the output of the exhaust pressure sensor 31 changes. .

上記の搬送アームF3と同様に、制御部4が排気圧センサ31から出力される排気圧の時系列データを取得することで、昇降ピン62にウエハWが支持されるときのモータ42から出力されるエンコーダ値を特定し、昇降ピン62の高さの異常の有無を検出したり、昇降ピン62の高さの補正を行うことができる。つまり、本発明はモジュールに設けられる基板搬送機構にも適用することができる。また、基板保持部である昇降ピン62は、ウエハWの裏面においてフォーク25の爪部26に支持される領域よりも中心部寄りの領域を支持する。つまり、基板保持部は、ウエハWの周縁部を支持することには限られない。   Similar to the transfer arm F3 described above, the control unit 4 obtains the time series data of the exhaust pressure output from the exhaust pressure sensor 31, so that it is output from the motor 42 when the wafer W is supported by the lift pins 62. It is possible to identify the encoder value to be detected, detect the presence / absence of an abnormality in the height of the lift pin 62, and correct the height of the lift pin 62. That is, the present invention can also be applied to a substrate transport mechanism provided in a module. Further, the lift pins 62 as the substrate holding portion support a region closer to the center than the region supported by the claw portion 26 of the fork 25 on the back surface of the wafer W. That is, the substrate holding part is not limited to supporting the peripheral part of the wafer W.

(評価試験)
続いて、本発明に関連して行われた評価試験について説明する。評価試験1として、受け渡しモジュールTRS3にウエハWを載置し、このウエハWから6mm離れた下方に、発明の実施の形態で説明した搬送アームF3のフォーク25を配置し、然る後、当該フォーク25を上昇させてウエハWの受取りを行った。そして、このフォーク25の上昇中に図12〜図14で説明した排気圧の時系列データの取得及び各種の演算処理を行い、図14のグラフで説明したように偏差の累積和の最大値を求め、この最大値に対応するフォーク25の上昇が開始されてからフォーク25によるウエハWの受取りが行われるまでの時間(受取り検出時間とする)、及びフォーク25の上昇開始位置とフォーク25によるウエハWの受取りが行われた位置との距離(移動距離)を求めた。
(Evaluation test)
Subsequently, an evaluation test performed in connection with the present invention will be described. As the evaluation test 1, the wafer W is placed on the transfer module TRS3, and the fork 25 of the transfer arm F3 described in the embodiment of the present invention is disposed below the wafer W by 6 mm. 25 was raised to receive the wafer W. Then, while the fork 25 is raised, the time series data of exhaust pressure and various calculation processes described in FIGS. 12 to 14 are performed, and the maximum value of the cumulative sum of deviations is set as described in the graph of FIG. The time from when the fork 25 starts to rise corresponding to this maximum value until the wafer W is received by the fork 25 (reception detection time), and the rising start position of the fork 25 and the wafer by the fork 25 The distance (movement distance) from the position where W was received was determined.

このような受取り検出時間及び移動距離を求める試験は複数回行った。この試験に使用した搬送アームF3の排気管29のレギュレータ32の下流側はポンプに接続し、試験を行う度にレギュレータ32の排気圧の設定値と、ポンプによる排気管29の排気流量との組み合わせを変更した。つまり、排気圧センサ31によって圧力が検出される排気管29内の状態を試験毎に変更した。レギュレータ32の排気圧の設定値は、65kPa、75kPa、83kPaの中から選択し、排気流量については2.6L、5.5L、6.5Lの中から選択しており、9パターンの条件で実験を行った。この排気圧及び排気流量の組み合わせについて便宜上、番号を付ける。排気圧が65kPaで、排気流量が2.6L、5.5L、6.5Lであるものを夫々パターン1、パターン2、パターン3とする。排気圧が75kPaで、排気流量が2.6L、5.5L、6.5Lであるものを夫々パターン4、パターン5、パターン6とする。排気圧が83kPaで、排気流量が2.6L、5.5L、6.5Lであるものを夫々パターン7、パターン8、パターン9とする。   Such a test for obtaining the reception detection time and the moving distance was performed a plurality of times. The downstream side of the regulator 32 of the exhaust pipe 29 of the transfer arm F3 used in this test is connected to a pump, and each time a test is performed, the set value of the exhaust pressure of the regulator 32 and the exhaust flow rate of the exhaust pipe 29 by the pump are combined. Changed. That is, the state in the exhaust pipe 29 where the pressure is detected by the exhaust pressure sensor 31 is changed for each test. The set value of the exhaust pressure of the regulator 32 is selected from 65 kPa, 75 kPa, and 83 kPa, and the exhaust flow rate is selected from 2.6 L, 5.5 L, and 6.5 L, and the experiment is performed under 9 patterns of conditions. Went. For the sake of convenience, numbers are assigned to the combinations of the exhaust pressure and the exhaust flow rate. Patterns 1, 2, and 3 are those having an exhaust pressure of 65 kPa and exhaust flow rates of 2.6 L, 5.5 L, and 6.5 L, respectively. Patterns 4, 5, and 6 are those having an exhaust pressure of 75 kPa and an exhaust flow rate of 2.6 L, 5.5 L, and 6.5 L, respectively. Patterns 7, 8, and 9 are those having an exhaust pressure of 83 kPa and exhaust flow rates of 2.6 L, 5.5 L, and 6.5 L, respectively.

比較試験1として、上記の排気圧センサ31の代わりに、背景技術の項目で説明したようにデジタルのオンオフ信号を出力する排気圧センサを備えた搬送アームF3を用いて、評価試験1と同様の試験を行った。従って比較試験1では、受取り検出時間及び移動距離を、図14のグラフの累積和の最大値に基づいて決定する代わりに、オンオフ信号の切り替わるタイミングに基づいて決定している。   As comparative test 1, instead of the exhaust pressure sensor 31 described above, a transfer arm F3 provided with an exhaust pressure sensor that outputs a digital on / off signal as described in the section of the background art is used. A test was conducted. Therefore, in the comparative test 1, the reception detection time and the moving distance are determined based on the timing at which the on / off signal switches instead of determining based on the maximum value of the cumulative sum in the graph of FIG.

図23、図24のグラフは、評価試験1の受取り検出時間、比較試験1の受取り検出時間(単位:ミリ秒)を夫々示しており、図25、図26のグラフは、評価試験1の移動距離、比較試験1の移動距離(単位:mm)を夫々示している。なお、実際には評価試験1及び比較試験1では、各パターン1〜9で複数回受取りを行い、受取り検出時間及び移動距離について、最大値、最小値、平均値を夫々取得しているが、これら最大値、最小値、平均値についての差は僅かであったため、グラフでは平均値のみをプロットで表示している。   23 and FIG. 24 show the reception detection time of the evaluation test 1 and the reception detection time (unit: millisecond) of the comparative test 1, respectively. The graphs of FIG. 25 and FIG. The distance and the moving distance (unit: mm) of Comparative Test 1 are shown. In fact, in the evaluation test 1 and the comparative test 1, the patterns 1 to 9 are received a plurality of times, and the maximum value, the minimum value, and the average value are acquired for the reception detection time and the movement distance. Since the difference between the maximum value, the minimum value, and the average value is slight, only the average value is displayed in a plot in the graph.

図23、図24のグラフに示されるように、比較試験1ではパターン1〜9で受取り検出時間がばらついているが、評価試験1ではパターン1〜9で受取り検出時間が揃っている。また、図25、図26のグラフに示されるように、比較試験1ではパターン1〜9で移動距離がばらついているが、評価試験1では移動距離が揃い、且つ設定された6mmとなっている。従って、発明の実施の形態で示した搬送アームF3は、排気管29内の状態の影響を受け難く、且つ精度高く受取り高さの検出を行うことができることが確認された。   As shown in the graphs of FIGS. 23 and 24, in the comparative test 1, the reception detection times vary in the patterns 1-9, but in the evaluation test 1, the reception detection times are uniform in the patterns 1-9. Further, as shown in the graphs of FIGS. 25 and 26, in the comparative test 1, the movement distances vary in the patterns 1 to 9, but in the evaluation test 1, the movement distances are uniform and set to 6 mm. . Therefore, it was confirmed that the transfer arm F3 shown in the embodiment of the invention is not easily affected by the state in the exhaust pipe 29 and can detect the receiving height with high accuracy.

TRS3、TRS31 受け渡しモジュール
W ウエハ
1 塗布、現像装置
25 フォーク
26 爪部
27 吸引孔
29 排気管
31 排気圧センサ
4 制御部
43 モータ
TRS3, TRS31 Delivery module W Wafer 1 Coating and developing device 25 Fork 26 Claw 27 Suction hole 29 Exhaust pipe 31 Exhaust pressure sensor 4 Control unit 43 Motor

Claims (6)

基板の裏面を吸引して吸着保持するための吸引孔を備える基板保持部と、
前記基板の裏面において前記基板保持部に保持される領域の外側領域を支持する載置部と当該基板保持部との間で、前記基板保持部が第1の高さ位置と第2の高さ位置との間を昇降する途中で当該基板の受け渡しが行われるように当該基板保持部を昇降させる昇降機構と、
前記吸引孔に接続され、前記基板保持部に前記基板が保持された状態と、前記基板保持部に前記基板が保持されていない状態とが切り替わることにより圧力が変化する吸引路と、
前記第1の高さ位置と前記第2の高さ位置との間を前記基板保持部が昇降する間における前記吸引路の圧力の時系列データを取得するために、当該吸引路に設けられる圧力センサと、
前記時系列データに基づいて、前記基板の受け渡しが行われた受け渡し高さ位置の情報を取得する検出部と、
を備えたことを特徴とする基板搬送装置。
A substrate holding portion having a suction hole for sucking and holding the back surface of the substrate by suction;
The substrate holding part has a first height position and a second height between the substrate holding part and a mounting part that supports an outer region of the area held by the substrate holding part on the back surface of the substrate. An elevating mechanism that elevates and lowers the substrate holding part so that the substrate is transferred in the middle of moving up and down between the positions;
A suction path that is connected to the suction hole and changes pressure by switching between a state in which the substrate is held by the substrate holding unit and a state in which the substrate is not held by the substrate holding unit;
The pressure provided in the suction path in order to acquire time-series data of the pressure in the suction path while the substrate holding part moves up and down between the first height position and the second height position. A sensor,
Based on the time-series data, a detection unit that acquires information on a delivery height position where the delivery of the substrate has been performed;
A substrate transfer device comprising:
前記昇降機構は、前記基板保持部の高さ位置に応じた高さ信号を出力し、
前記検出部は、前記受け渡し高さの情報として、前記基板の受け渡しが行われたときに出力される前記高さ信号を特定することを特徴とする請求項1記載の基板搬送装置。
The elevating mechanism outputs a height signal corresponding to the height position of the substrate holding unit,
The substrate transport apparatus according to claim 1, wherein the detection unit specifies the height signal output when the substrate is transferred as the transfer height information.
前記受け渡し高さ位置の情報に基づいて、前記基板保持部が前記基板を前記載置部に受け渡すときの受け渡し高さ位置に対する前記第1の高さ位置及び前記第2の高さ位置の相対位置を補正する補正機構が設けられることを特徴とする請求項1または2に記載の基板搬送装置。   Based on the information on the transfer height position, the first height position and the second height position relative to the transfer height position when the substrate holding portion transfers the substrate to the mounting portion. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein a correction mechanism for correcting the position is provided. 予め設定された期間内に取得された複数の前記受け渡し高さ位置の情報と、前記補正を行った回数と、を記憶する記憶部が設けられ、
前記記憶部に記憶される前記複数の前記受け渡し高さ位置の情報及び前記補正を行った回数に基づいて前記補正機構による補正を行うか否かを判定する判定部が設けられることを特徴とする請求項3記載の基板搬送装置。
A storage unit is provided that stores information on a plurality of the delivery height positions acquired within a preset period and the number of times the correction has been performed,
A determination unit is provided for determining whether or not to perform correction by the correction mechanism based on information on the plurality of delivery height positions stored in the storage unit and the number of times the correction is performed. The substrate transfer apparatus according to claim 3.
前記基板保持部は前記基板の周縁部を保持し、
前記基板の載置部を各々構成する複数のモジュール間で前記基板を搬送するために、前記基板保持部を横方向に移動させる移動機構を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
The substrate holding unit holds a peripheral portion of the substrate,
5. The apparatus according to claim 1, further comprising a moving mechanism configured to move the substrate holding unit in a lateral direction in order to transfer the substrate between a plurality of modules that respectively constitute the substrate mounting unit. The substrate transfer apparatus according to one.
基板保持部に設けられた吸引孔により基板の裏面を吸引して当該基板を前記基板保持部に吸着保持する工程と、
前記基板の裏面において前記基板保持部に保持される領域の外側領域を支持する載置部と当該基板保持部との間で前記基板の受け渡しを行う工程と、
前記基板保持部が第1の高さ位置と第2の高さ位置との間を昇降する途中で前記基板の受け渡しが行われるように昇降機構によって前記基板保持部を昇降させる工程と、
前記基板保持部に前記基板が保持された状態と、前記基板保持部に前記基板が保持されていない状態とを切り替え、前記吸引孔に接続される吸引路の圧力を変化させる工程と、
前記吸引路に設けられる圧力センサにより、前記第1の高さ位置と前記第2の高さ位置との間を前記基板保持部が移動している間の前記吸引路の圧力の時系列データを取得する工程と、
前記時系列データに基づいて、前記基板の受け渡しが行われた高さ位置の情報を取得する工程と、
を備えたことを特徴とする基板搬送方法。
Sucking the back surface of the substrate through a suction hole provided in the substrate holding portion to suck and hold the substrate on the substrate holding portion;
Delivering the substrate between the substrate holding unit and a mounting unit that supports an outer region of the region held by the substrate holding unit on the back surface of the substrate;
Elevating and lowering the substrate holding portion by an elevating mechanism so that the substrate is transferred while the substrate holding portion moves up and down between a first height position and a second height position;
Switching between a state in which the substrate is held by the substrate holding unit and a state in which the substrate is not held by the substrate holding unit, and changing a pressure of a suction path connected to the suction hole;
Time-sequential data of the pressure in the suction path while the substrate holder is moving between the first height position and the second height position by the pressure sensor provided in the suction path. A process of acquiring;
Based on the time-series data, obtaining information on the height position where the substrate has been delivered; and
A substrate carrying method comprising:
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