JP2017122662A - Ground fault detection circuit - Google Patents

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JP2017122662A JP2016002186A JP2016002186A JP2017122662A JP 2017122662 A JP2017122662 A JP 2017122662A JP 2016002186 A JP2016002186 A JP 2016002186A JP 2016002186 A JP2016002186 A JP 2016002186A JP 2017122662 A JP2017122662 A JP 2017122662A
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佳浩 河村
Yoshihiro Kawamura
佳浩 河村
誠也 加藤
Seiya Kato
誠也 加藤
高橋 久
Hisashi Takahashi
久 高橋
凌 中村
Ryo Nakamura
凌 中村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ground fault detection circuit with which it is possible to improve resistance to current noise and improve the accuracy of detecting a ground fault.SOLUTION: The ground fault detection circuit comprises: a measurement unit for measuring, when electrical continuity to third and fourth switch elements is established, the charge voltage of a first capacitor charged when electrical continuity to first and second switch elements is established, and also finding ground fault resistance between a DC high voltage power source and ground on the basis of the charge voltage of the first capacitor affected by negative-side ground fault resistance occurring between a second line and ground when electrical continuity to the first and fourth switch elements is established, and the charge voltage of the first capacitor affected by positive-side ground fault resistance occurring between a first line and ground when electrical continuity to the second and third switch elements is established; a first diode provided on a path leading from the first switch element to the second switch element; second and third diodes provided between a first contact point to the third switch element and connected in parallel in reverse to each other; and a second capacitor connected in parallel to the first diode.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、地絡検出回路に関する。   The present invention relates to a ground fault detection circuit.

従来、接地電位から浮かせた状態のフライングキャパシタと、4つのスイッチング素子とにより、同一の回路内に異なる経路を形成させ、車両に搭載される電源の絶縁状態を判定する地絡検出回路が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, a ground fault detection circuit has been proposed in which a flying path in a state floating from the ground potential and four switching elements form different paths in the same circuit and determine the insulation state of a power supply mounted on the vehicle. (For example, refer to Patent Document 1).

特許文献1に記載の技術は、高圧電圧を供給する電源が逆接続されることによる誤充電を防止するため、又はフライングキャパシタが極性がある場合に逆電圧が印加されることを防止するため、フライングキャパシタにはダイオードが接続されている。このような回路構成により、フライングキャパシタに充電される電流の方向が限定され、上記事項が防止されている。   The technique described in Patent Document 1 is to prevent erroneous charging due to reverse connection of a power supply that supplies a high voltage, or to prevent reverse voltage from being applied when the flying capacitor has polarity. A diode is connected to the flying capacitor. With such a circuit configuration, the direction of the current charged in the flying capacitor is limited, and the above matters are prevented.

特許第4759018号公報Japanese Patent No. 4759018

しかし、モータ電流漏れ等のような電流ノイズが接地電位を介して地絡検出回路に混入する環境下においては、フライングキャパシタに接続されているダイオードにより、電流ノイズの混入は、充電方向に限定される。   However, in an environment where current noise such as motor current leakage enters the ground fault detection circuit via the ground potential, current noise is limited to the charging direction by the diode connected to the flying capacitor. The

よって、負極側の地絡抵抗を計測する場合、電流ノイズによる充電電流が増加するため、計測値が変動する。   Therefore, when measuring the ground-fault resistance on the negative electrode side, the measured value varies because the charging current due to current noise increases.

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、電流ノイズの耐性を向上させ、地絡検出精度を向上させることができる地絡検出回路を提供することである。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a ground fault detection circuit capable of improving resistance to current noise and improving ground fault detection accuracy.

本発明に係る地絡検出回路は、直流高圧電源の正電位側の第1ラインと負電位側の第2ライン、これらラインを接続する第3ライン、前記第3ライン上の第1キャパシタ、並びに、前記第1ラインのうち前記第3ラインとの第1接続点の前段に設けられた第1スイッチ素子、前記第2ラインのうち前記第3ラインとの第2接続点の前段に設けられた第2スイッチ素子、前記第1接続点の後段に設けられた第3スイッチ素子、前記第2接続点の後段に設けられた第4スイッチ素子を備えた地絡検出回路であって、前記第1及び第2スイッチ素子の導通時に充電された前記第1キャパシタの充電電圧を、前記第3及び前記第4スイッチ素子の導通時に計測すると共に、前記第1及び前記第4スイッチ素子の導通時に前記第2ラインと接地との間に生じる負極側地絡抵抗の影響を受けた前記第1キャパシタの充電電圧と、前記第2及び第3スイッチ素子の導通時に前記第1ラインと接地との間に生じる正極側地絡抵抗の影響を受けた前記第1キャパシタの充電電圧とに基づいて、直流高圧電源と接地との間の地絡抵抗を求める測定部と、前記第1スイッチ素子から前記第2スイッチ素子に至る経路上に設けられた第1ダイオードと、前記第1接続点から前記第3スイッチ素子までの間に設けられて互いに並列逆接続された第2及び第3ダイオードと、前記第1ダイオードに対して並列接続された第2キャパシタと、を備えることを特徴とする。   A ground fault detection circuit according to the present invention includes a first line on a positive potential side and a second line on a negative potential side of a DC high-voltage power supply, a third line connecting these lines, a first capacitor on the third line, and A first switching element provided before the first connection point with the third line in the first line; and provided before the second connection point with the third line in the second line. A ground fault detection circuit comprising a second switch element, a third switch element provided at a stage subsequent to the first connection point, and a fourth switch element provided at a stage subsequent to the second connection point, And the charging voltage of the first capacitor charged when the second switch element is turned on is measured when the third and fourth switch elements are turned on, and the first and fourth switch elements are turned on. Between the two lines and the ground The influence of the charging voltage of the first capacitor affected by the negative-side ground fault resistance and the positive-side ground fault resistance generated between the first line and the ground when the second and third switch elements are turned on Provided on the path from the first switch element to the second switch element, and a measuring unit for obtaining a ground fault resistance between the DC high-voltage power supply and the ground based on the charged voltage of the first capacitor The first diode, the second and third diodes provided between the first connection point and the third switch element and reversely connected in parallel to each other, and connected in parallel to the first diode And a second capacitor.

本発明によれば、電流ノイズの耐性を向上させ、地絡検出精度の低下を防止することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the tolerance of a current noise can be improved and the fall of a ground fault detection accuracy can be prevented.

本実施形態に係る地絡検出回路1及びその周辺回路の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the ground fault detection circuit 1 which concerns on this embodiment, and its peripheral circuit. 充電電圧V0,V01の充電時の回路網を示す図である。It is a figure which shows the circuit network at the time of charge of charging voltage V0, V01. 充電電圧V0,V01の計測時の回路網を示す図である。It is a figure which shows the circuit network at the time of measurement of charging voltage V0, V01. 充電電圧V0,V01の放電時の回路網を示す図である。It is a figure which shows the circuit network at the time of discharge of charging voltage V0, V01. 負極側地絡抵抗RLnの影響を受ける充電電圧VC1nの充電時の回路網を示す図である。It is a figure which shows the circuit network at the time of charge of the charging voltage VC1n which receives the influence of negative electrode side ground fault resistance RLn. 正極側地絡抵抗RLpの影響を受ける充電電圧VC1pの充電時の回路網を示す図である。It is a figure which shows the circuit network at the time of charge of charging voltage VC1p which receives to the influence of the positive side ground fault resistance RLp. 基本計測サイクルの一例を説明するタイムチャートである。It is a time chart explaining an example of a basic measurement cycle. モータ33及びその周辺回路の概略図である。It is the schematic of the motor 33 and its peripheral circuit. 負極側地絡抵抗RLnの影響を受ける充電電圧VC1nの充電時の回路網に混入する電流ノイズを説明する図である。It is a figure explaining the current noise mixed in the circuit network at the time of charge of charge voltage VC1n influenced by negative electrode side ground fault resistance RLn. 正極側地絡抵抗RLpの影響を受ける充電電圧VC1pの充電時の回路網に混入する電流ノイズを説明する図である。It is a figure explaining the current noise mixed in the circuit network at the time of charge of the charging voltage VC1p affected by the positive electrode side ground fault resistance RLp. YキャパシタYp,Ynが設けられた従来例であって、負極側地絡抵抗RLnの影響を受ける充電電圧VC1nの充電時の回路網を示す図である。It is a prior art example in which Y capacitors Yp and Yn are provided, and is a diagram showing a circuit network at the time of charging a charging voltage VC1n affected by a negative-side ground fault resistance RLn.

図1は、本実施形態に係る地絡検出回路1及びその周辺回路の構成例を示す図である。図1の地絡検出回路1は、例えば、電気自動車、又は駆動源としてエンジン及びモータ33(後述する)を備えたハイブリッド自動車のような車両に搭載して使用することができる。図1に示すように、地絡検出回路1は、直流高圧電源5に接続され、直流高圧電源5の絶縁状態を診断する。直流高圧電源5は、例えば、200V程度の高電圧の直流電力を出力する。直流高圧電源5が出力する電力により、車両の推進力を発生するモータ33を駆動することができる。   FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of the ground fault detection circuit 1 and its peripheral circuits according to the present embodiment. The ground fault detection circuit 1 in FIG. 1 can be used by being mounted on a vehicle such as an electric vehicle or a hybrid vehicle including an engine and a motor 33 (described later) as a drive source. As shown in FIG. 1, the ground fault detection circuit 1 is connected to a DC high-voltage power supply 5 and diagnoses the insulation state of the DC high-voltage power supply 5. The DC high-voltage power supply 5 outputs high-voltage DC power of about 200V, for example. The motor 33 that generates the driving force of the vehicle can be driven by the electric power output from the DC high-voltage power supply 5.

直流高圧電源5の正極側ライン111と、接地Gとの間は電気的に絶縁されている。直流高圧電源5の負極側ライン112と、接地Gとの間も電気的に絶縁されている。接地Gは、車両の車体等のアース部分に相当する。ここで、正極側ライン111と接地Gとの間の絶縁状態を正極側地絡抵抗RLpとして表すことができる。また、負極側ライン112と接地Gとの間の絶縁状態を負極側地絡抵抗RLnとして表すことができる。なお、正極側地絡抵抗RLp及び負極側地絡抵抗RLnを総称して地絡抵抗RLと称する。   The positive electrode side line 111 of the DC high-voltage power supply 5 and the ground G are electrically insulated. The negative electrode side line 112 of the DC high-voltage power supply 5 and the ground G are also electrically insulated. The ground G corresponds to a ground portion such as a vehicle body. Here, the insulation state between the positive electrode side line 111 and the ground G can be expressed as a positive electrode side ground fault resistance RLp. Further, the insulation state between the negative electrode side line 112 and the ground G can be expressed as a negative electrode side ground fault resistance RLn. The positive side ground fault resistance RLp and the negative side ground fault resistance RLn are collectively referred to as a ground fault resistance RL.

図1の地絡検出回路1が車両に搭載されることにより、直流高圧電源5の絶縁状態を監視することができる。よって、車両に搭載された地絡検出回路1は、車両の絶縁状態を監視することができる。すなわち、地絡検出回路1は、直流高圧電源5と、接地Gとの間の地絡抵抗RLを求めることにより、車両の絶縁状態を診断することができる。   By mounting the ground fault detection circuit 1 of FIG. 1 on a vehicle, the insulation state of the DC high-voltage power supply 5 can be monitored. Therefore, the ground fault detection circuit 1 mounted on the vehicle can monitor the insulation state of the vehicle. That is, the ground fault detection circuit 1 can diagnose the insulation state of the vehicle by obtaining the ground fault resistance RL between the DC high-voltage power supply 5 and the ground G.

したがって、図1に示すように、地絡検出回路1の正極側入力端子6及び負極側入力端子7がそれぞれ正極側ライン111及び負極側ライン112と接続されている。また、地絡検出回路1は接地Gと接続されている。   Therefore, as shown in FIG. 1, the positive input terminal 6 and the negative input terminal 7 of the ground fault detection circuit 1 are connected to the positive line 111 and the negative line 112, respectively. The ground fault detection circuit 1 is connected to the ground G.

地絡検出回路1の診断結果又は警報の情報を出力するために、図1に示すように、出力端子8が設けられている。出力端子8は、例えば、不図示の車両側の電子制御装置(ECU)と接続することができる。   In order to output the diagnosis result or alarm information of the ground fault detection circuit 1, an output terminal 8 is provided as shown in FIG. The output terminal 8 can be connected to, for example, an unillustrated vehicle-side electronic control unit (ECU).

次に、地絡検出回路1について具体的に説明する。   Next, the ground fault detection circuit 1 will be specifically described.

地絡検出回路1は、直流高圧電源5の正電位側の第1ラインL1と、直流高圧電源5の負電位側の第2ラインL2と、第1ラインL1と第2ラインL2とを接続する第3ラインL3とを備える。地絡検出回路1は、第3ラインL3上に第1キャパシタC1を備える。   The ground fault detection circuit 1 connects the first line L1 on the positive potential side of the DC high-voltage power supply 5, the second line L2 on the negative potential side of the DC high-voltage power supply 5, and the first line L1 and the second line L2. And a third line L3. The ground fault detection circuit 1 includes a first capacitor C1 on the third line L3.

地絡検出回路1は、第1ラインL1のうち第3ラインL3との第1接続点T1の前段に第1スイッチ素子S1が設けられている。地絡検出回路1は、第2ラインL2のうち第3ラインL3との第2接続点T2の前段に第2スイッチ素子S2が設けられている。地絡検出回路1は、第1接続点T1の後段に第3スイッチ素子S3が設けられている。地絡検出回路1は、第2接続点T2の後段に第4スイッチ素子S4が設けられている。   In the ground fault detection circuit 1, the first switch element S1 is provided in a stage preceding the first connection point T1 with the third line L3 in the first line L1. In the ground fault detection circuit 1, the second switch element S2 is provided in the previous stage of the second connection point T2 with the third line L3 in the second line L2. In the ground fault detection circuit 1, a third switch element S3 is provided after the first connection point T1. In the ground fault detection circuit 1, a fourth switch element S4 is provided at the subsequent stage of the second connection point T2.

第1キャパシタC1は、フライングキャパシタとして動作する。第1キャパシタC1は、特に限定されるものではなく、フィルムコンデンサ又はセラミックコンデンサ等が採用され得る。   The first capacitor C1 operates as a flying capacitor. The first capacitor C1 is not particularly limited, and a film capacitor or a ceramic capacitor may be employed.

第1スイッチ素子S1、第2スイッチ素子S2、第3スイッチ素子S3、及び第4スイッチ素子S4のそれぞれは、例えば、光MOSFETからなり、耐高圧であり、絶縁特性を有するものである。なお、第1スイッチ素子S1、第2スイッチ素子S2、第3スイッチ素子S3、及び第4スイッチ素子S4を総称する場合、絶縁型スイッチSと称する。   Each of the first switch element S1, the second switch element S2, the third switch element S3, and the fourth switch element S4 is made of, for example, an optical MOSFET, has high voltage resistance, and has insulating characteristics. The first switch element S1, the second switch element S2, the third switch element S3, and the fourth switch element S4 are collectively referred to as an insulated switch S.

地絡検出回路1は測定部10が設けられている。測定部10は、第1スイッチ素子S1及び第2スイッチ素子S2の導通時に充電された第1キャパシタC1の充電電圧V0を、第3スイッチ素子S3及び第4スイッチ素子S4の導通時に計測する。   The ground fault detection circuit 1 is provided with a measurement unit 10. The measuring unit 10 measures the charging voltage V0 of the first capacitor C1 charged when the first switch element S1 and the second switch element S2 are turned on when the third switch element S3 and the fourth switch element S4 are turned on.

測定部10は、充電電圧V0と、第1スイッチ素子S1及び第4スイッチ素子S4の導通時に第2ラインL2と接地Gとの間に生じる負極側地絡抵抗RLnの影響を受けた第1キャパシタC1の充電電圧VC1nと、第2スイッチ素子S2及び第3スイッチ素子S3の導通時に第1ラインL1と接地Gとの間に生じる正極側地絡抵抗RLpの影響を受けた第1キャパシタC1の充電電圧VC1pと、に基づいて、直流高圧電源5と接地Gとの間の地絡抵抗RLを求める。   The measuring unit 10 is affected by the charging voltage V0 and the negative-side ground fault resistance RLn generated between the second line L2 and the ground G when the first switch element S1 and the fourth switch element S4 are conductive. Charging of the first capacitor C1 affected by the charging voltage VC1n of C1 and the positive side ground fault resistance RLp generated between the first line L1 and the ground G when the second switch element S2 and the third switch element S3 are conducted. Based on the voltage VC1p, the ground fault resistance RL between the DC high-voltage power supply 5 and the ground G is obtained.

次に、地絡検出回路1についてより具体的に説明する。   Next, the ground fault detection circuit 1 will be described more specifically.

第1スイッチ素子S1は、第1の端部が抵抗器R01を介して正極側入力端子6と接続され、第2の端部が第7接続点T7を介して第1ダイオードD1のアノード側と接続されている。第1ダイオードD1のカソード側は、抵抗器R1が接続されている。抵抗器R1は、第1接続点T1を介して第1キャパシタC1と接続されている。また、第1ダイオードD1に対して並列に第2キャパシタC2が接続されている。第2スイッチ素子S2は、第1の端部が抵抗器R02を介して負極側入力端子7と接続され、第2の端部が抵抗器R2と接続されている。抵抗器R2は、第2接続点T2を介して第1キャパシタC1と接続されている。   The first switch element S1 has a first end connected to the positive input terminal 6 via the resistor R01, and a second end connected to the anode side of the first diode D1 via the seventh connection point T7. It is connected. A resistor R1 is connected to the cathode side of the first diode D1. The resistor R1 is connected to the first capacitor C1 via the first connection point T1. A second capacitor C2 is connected in parallel to the first diode D1. The second switch element S2 has a first end connected to the negative input terminal 7 via the resistor R02 and a second end connected to the resistor R2. The resistor R2 is connected to the first capacitor C1 via the second connection point T2.

第3スイッチ素子S3は、第1の端部が、第3接続点T3に接続され、第2の端部が、第5接続点T5に接続されている。第3接続点T3と第4接続点T4との間には、第2ダイオードD2と、第2ダイオードD2と逆向きの第3ダイオードD3とが並列に接続された並列回路が設けられている。この並列回路において、第3ダイオードD3のカソード側と第3接続点T3との間には、抵抗器R3が接続されている。また、第3ダイオードD3のアノード側と、第2ダイオードD2のカソード側とは、第4接続点T4を介して接続されている。なお、第1接続点T1と、第4接続点T4とは同電位である。   The third switch element S3 has a first end connected to the third connection point T3 and a second end connected to the fifth connection point T5. Between the third connection point T3 and the fourth connection point T4, a parallel circuit in which a second diode D2 and a third diode D3 opposite to the second diode D2 are connected in parallel is provided. In this parallel circuit, a resistor R3 is connected between the cathode side of the third diode D3 and the third connection point T3. The anode side of the third diode D3 and the cathode side of the second diode D2 are connected via a fourth connection point T4. The first connection point T1 and the fourth connection point T4 are at the same potential.

第4スイッチ素子S4は、第1の端部が第2接続点T2に接続されている。第2接続点T2と、第1接続点T1との間には、上記で説明した第1キャパシタC1が設けられている。第2接続点T2と、第2スイッチ素子S2との間には、上記で説明した抵抗器R2が設けられている。第4スイッチ素子S4は、第2の端部が抵抗器R4と接続されている。抵抗器R4は、第6接続点T6と接続されている。第6接続点T6は、接地Gと、抵抗器R5とにそれぞれ接続されている。抵抗器R5は、第6接続点T6と、第5接続点T5との間に設けられている。   The fourth switch element S4 has a first end connected to the second connection point T2. Between the second connection point T2 and the first connection point T1, the first capacitor C1 described above is provided. The resistor R2 described above is provided between the second connection point T2 and the second switch element S2. The fourth switch element S4 has a second end connected to the resistor R4. The resistor R4 is connected to the sixth connection point T6. The sixth connection point T6 is connected to the ground G and the resistor R5. The resistor R5 is provided between the sixth connection point T6 and the fifth connection point T5.

スイッチSaの第1の端部は、第5接続点T5と接続されている。スイッチSaの第2の端部は、測定部10のA/Dポートと接続されている。スイッチSaの第2の端部と、測定部10のA/Dポートとの間の第8接続点T8には、第3キャパシタC3が接続されている。測定部10は、地絡検出回路1による直流高圧電源5の絶縁状態の診断結果を出力端子8を介して外部に供給する。   The first end of the switch Sa is connected to the fifth connection point T5. The second end of the switch Sa is connected to the A / D port of the measurement unit 10. A third capacitor C3 is connected to an eighth connection point T8 between the second end of the switch Sa and the A / D port of the measurement unit 10. The measurement unit 10 supplies the diagnosis result of the insulation state of the DC high-voltage power supply 5 by the ground fault detection circuit 1 to the outside through the output terminal 8.

なお、抵抗器R01,R02,R1〜R5の何れかを特に特定しない場合、抵抗器Rと称する。   In addition, when any of the resistors R01, R02, R1 to R5 is not particularly specified, it is referred to as a resistor R.

次に、地絡検出回路1による電源の絶縁状態の判定処理の際、第1スイッチ素子S1、第2スイッチ素子S2、第3スイッチ素子S3、及び第4スイッチ素子S4が制御されることにより、同一の回路内に形成される異なる経路について図2〜7を用いて説明する。   Next, when the ground fault detection circuit 1 determines the insulation state of the power source, the first switch element S1, the second switch element S2, the third switch element S3, and the fourth switch element S4 are controlled, Different paths formed in the same circuit will be described with reference to FIGS.

図2は、充電電圧V0,V01の充電時の回路網を示す図である。図3は、充電電圧V0,V01の計測時の回路網を示す図である。図4は、充電電圧V0,V01の放電時の回路網を示す図である。図5は、負極側地絡抵抗RLnの影響を受ける充電電圧VC1nの充電時の回路網を示す図である。図6は、正極側地絡抵抗RLpの影響を受ける充電電圧VC1pの充電時の回路網を示す図である。図7は、基本計測サイクルの一例を説明するタイムチャートである。   FIG. 2 is a diagram illustrating a circuit network during charging with charging voltages V0 and V01. FIG. 3 is a diagram showing a circuit network at the time of measuring the charging voltages V0 and V01. FIG. 4 is a diagram showing a circuit network at the time of discharging the charging voltages V0 and V01. FIG. 5 is a diagram showing a circuit network at the time of charging with the charging voltage VC1n affected by the negative side ground fault resistance RLn. FIG. 6 is a diagram showing a circuit network during charging of the charging voltage VC1p affected by the positive-side ground fault resistance RLp. FIG. 7 is a time chart for explaining an example of the basic measurement cycle.

図2に示すように、充電電圧V0,V01の充電時、第1スイッチ素子S1及び第2スイッチ素子S2が導通時、すなわち、オン状態となることにより、第1スイッチ素子S1、第1ダイオードD1、第1キャパシタC1、及び第2スイッチ素子S2が順に電気的に接続された回路網が形成される。なお、この回路網に含まれる抵抗器Rの説明については省略する。   As shown in FIG. 2, when the charging voltages V0 and V01 are charged, the first switch element S1 and the first diode D1 are turned on when the first switch element S1 and the second switch element S2 are turned on. A circuit network in which the first capacitor C1 and the second switch element S2 are electrically connected in order is formed. Note that description of the resistor R included in this network is omitted.

図3に示すように、充電電圧V0,V01の計測時、第3スイッチ素子S3及び第4スイッチ素子S4が導通時、すなわち、オン状態となることにより、第1キャパシタC1、第3ダイオードD3、第3スイッチ素子S3、及び第4スイッチ素子S4が順に電気的に接続された回路網が形成されると共に、この回路網と、測定部10とがスイッチSaを介して電気的に接続される。なお、この回路網に含まれる抵抗器Rの説明については省略する。   As shown in FIG. 3, when the charging voltages V0 and V01 are measured, when the third switch element S3 and the fourth switch element S4 are turned on, that is, turned on, the first capacitor C1, the third diode D3, A circuit network in which the third switch element S3 and the fourth switch element S4 are electrically connected in order is formed, and the circuit network and the measurement unit 10 are electrically connected through the switch Sa. Note that description of the resistor R included in this network is omitted.

図4に示すように、充電電圧V0,V01の放電時、第3スイッチ素子S3及び第4スイッチ素子S4が導通時、すなわち、オン状態となることにより、第1キャパシタC1、第3ダイオードD3、第3スイッチ素子S3、及び第4スイッチ素子S4が順に電気的に接続された回路網が形成されると共に、この回路網と、測定部10とはスイッチSaにより電気的に遮断される。なお、この回路網に含まれる抵抗器Rの説明については省略する。   As shown in FIG. 4, when the charging voltages V0 and V01 are discharged, the third switch element S3 and the fourth switch element S4 are turned on, that is, turned on, whereby the first capacitor C1, the third diode D3, A circuit network in which the third switch element S3 and the fourth switch element S4 are electrically connected in order is formed, and the circuit network and the measuring unit 10 are electrically disconnected by the switch Sa. Note that description of the resistor R included in this network is omitted.

図5に示すように、負極側地絡抵抗RLnの影響を受ける充電電圧VC1nの充電時、第1スイッチ素子S1及び第4スイッチ素子S4が導通時、すなわち、オン状態となることにより、第1スイッチ素子S1、第1ダイオードD1、第1キャパシタC1、第4スイッチ素子S4、及び負極側地絡抵抗RLnが順に電気的に接続された回路網が形成されると共に、第1ダイオードD1には第2キャパシタC2が並列に接続されている。なお、この回路網に含まれる抵抗器Rの説明については省略する。   As shown in FIG. 5, when the charging voltage VC1n affected by the negative-side ground fault resistance RLn is charged, the first switch element S1 and the fourth switch element S4 are turned on, that is, the first switch element S4 is turned on. A circuit network is formed in which the switch element S1, the first diode D1, the first capacitor C1, the fourth switch element S4, and the negative-side ground fault resistor RLn are sequentially connected, and the first diode D1 includes a first network. Two capacitors C2 are connected in parallel. Note that description of the resistor R included in this network is omitted.

図6に示すように、正極側地絡抵抗RLpの影響を受ける充電電圧VC1pの充電時、正極側地絡抵抗RLp、第3スイッチ素子S3、第2ダイオードD2、第1キャパシタC1、及び第2スイッチ素子S2が順に電気的に接続された回路網が形成される。なお、この回路網に含まれる抵抗器Rの説明については省略する。   As shown in FIG. 6, during charging of the charging voltage VC1p affected by the positive side ground fault resistance RLp, the positive side ground fault resistance RLp, the third switch element S3, the second diode D2, the first capacitor C1, and the second A circuit network in which the switch elements S2 are electrically connected in order is formed. Note that description of the resistor R included in this network is omitted.

図7に示すように、充電電圧V0、充電電圧V01、充電電圧VC1n、充電電圧V0、充電電圧V01、及び充電電圧VC1pの計測が繰り返される。ここで、正極側地絡抵抗RLp,RLn、充電電圧V0,VC1n,V0,V01,VC1pについては以下の相関関係がある。   As shown in FIG. 7, the measurement of the charging voltage V0, the charging voltage V01, the charging voltage VC1n, the charging voltage V0, the charging voltage V01, and the charging voltage VC1p is repeated. Here, the positive side ground fault resistors RLp and RLn and the charging voltages V0, VC1n, V0, V01, and VC1p have the following correlation.

(RLp+RLn)/(RLp×RLn)=f[(VC1p+VC1n)/V0]
ただし、
V0:直流高圧電源5の出力電圧に応じた第1キャパシタC1の充電電圧
VC1n:負極側地絡抵抗RLnの影響を受けた第1キャパシタC1の充電電圧
VC1p:正極側地絡抵抗RLpの影響を受けた第1キャパシタC1の充電電圧
RLp,RLn:各地絡抵抗RLの抵抗値
(RLp + RLn) / (RLp × RLn) = f [(VC1p + VC1n) / V0]
However,
V0: charging voltage VC1n of the first capacitor C1 according to the output voltage of the DC high-voltage power supply 5: charging voltage VC1p of the first capacitor C1 affected by the negative side ground fault resistance RLn: influence of the positive side ground fault resistance RLp Receiving charging voltage RLp, RLn of first capacitor C1: resistance value of local fault resistance RL

なお、以降の説明において、充電電圧V0、充電電圧V01、充電電圧VC1n、充電電圧V0、充電電圧V01、及び充電電圧VC1pの何れかを特に特定しない場合、充電電圧Vと称する。   In the following description, if any one of the charging voltage V0, the charging voltage V01, the charging voltage VC1n, the charging voltage V0, the charging voltage V01, and the charging voltage VC1p is not particularly specified, it is referred to as a charging voltage V.

以上の説明から、測定部10は、上記で説明した充電電圧Vの測定時の各回路網において、A/Dポートに入力される信号レベルから充電電圧V0,VC1p,VC1nを検出し、上記相関関係に基づいて、正極側地絡抵抗RLp及び負極側地絡抵抗RLnを求めることができる。例えば、(VC1p+VC1n)/V0の値を、予め格納した換算地絡抵抗マップから地絡抵抗RLを算出することができる。   From the above description, the measurement unit 10 detects the charging voltages V0, VC1p, and VC1n from the signal level input to the A / D port in each circuit network at the time of measuring the charging voltage V described above, and performs the above correlation. Based on the relationship, the positive side ground fault resistance RLp and the negative side ground fault resistance RLn can be obtained. For example, the ground fault resistance RL can be calculated from a converted ground fault resistance map in which the value of (VC1p + VC1n) / V0 is stored in advance.

次に、上記各回路網にモータノイズ等の電流ノイズが混入される場合について説明する。図8は、モータ33及びその周辺回路の概略図である。図8に示すように、配線部30には、浮遊インダクタンスfL1,fL2及び浮遊キャパシタンスCf1,Cf2が存在する。また、モータ33には、浮遊キャパシタンスCf3〜Cf5等が存在する。モータノイズ等の電流ノイズは、浮遊キャパシタンスCf3〜Cf5等を介して地絡検出回路1に混入することにより、充電電流が増大する。 Next, a case where current noise such as motor noise is mixed in each circuit network will be described. FIG. 8 is a schematic diagram of the motor 33 and its peripheral circuits. As shown in FIG. 8, the wiring portion 30 has stray inductances f L1 and f L2 and stray capacitances C f1 and C f2 . The motor 33 includes stray capacitances C f3 to C f5 . When current noise such as motor noise is mixed into the ground fault detection circuit 1 via the floating capacitances C f3 to C f5 and the like, the charging current increases.

具体的には、モータ33と、接地Gとの間には、浮遊キャパシタンスCf3〜Cf5等が存在するため、モータノイズ等の電流ノイズは、浮遊キャパシタンスCf3〜Cf5等を介して接地Gに流れる場合がある。一方、地絡検出回路1は、接地Gと電気的に接続された状態であり、モータ33に接続された接地Gと、地絡検出回路1に接続された接地Gとは同電位である。よって、モータ33から接地Gに電流ノイズが流れれば、電流ノイズは、接地Gを介して地絡検出回路1に流入する場合がある。 Specifically, since stray capacitances C f3 to C f5 and the like exist between the motor 33 and the ground G, current noise such as motor noise is grounded via the stray capacitances C f3 to C f5 and the like. G may flow. On the other hand, the ground fault detection circuit 1 is electrically connected to the ground G, and the ground G connected to the motor 33 and the ground G connected to the ground fault detection circuit 1 have the same potential. Therefore, if current noise flows from the motor 33 to the ground G, the current noise may flow into the ground fault detection circuit 1 via the ground G.

この結果、絶縁低下方向に計測値が変動する。そこで、従来の地絡検出回路1における電流ノイズの影響を図11を用いて具体的に説明する。図11は、YキャパシタYp,Ynが設けられた従来例であって、負極側地絡抵抗RLnの影響を受ける充電電圧VC1nの充電時の回路網を示す図である。また、図11は、第1ダイオードD1と並列に接続された第2キャパシタC2が存在しない。なお、図11の説明においては、YキャパシタYp,Ynが回路網に与える影響については無視することとし、特に、YキャパシタYp,Ynの容量が回路網に与えるついても無視することとする。   As a result, the measured value fluctuates in the direction of decreasing insulation. Therefore, the influence of current noise in the conventional ground fault detection circuit 1 will be specifically described with reference to FIG. FIG. 11 is a conventional example in which Y capacitors Yp and Yn are provided, and is a diagram showing a circuit network at the time of charging the charging voltage VC1n affected by the negative-side ground fault resistance RLn. In FIG. 11, there is no second capacitor C2 connected in parallel with the first diode D1. In the description of FIG. 11, the influence of the Y capacitors Yp and Yn on the circuit network is ignored, and in particular, the capacitance of the Y capacitors Yp and Yn is also ignored on the circuit network.

図11に示すように、モータノイズ等の電流ノイズによるC1放電電流は、第1ダイオードD1により遮断される。よって、電流ノイズは、C1放電方向には混入されない。一方、モータノイズ等の電流ノイズによるC1充電電流は、遮断素子が存在しないため、C1充電方向には混入される。したがって、電流ノイズの混入は、C1充電方向のみとなるため、第1キャパシタC1に蓄積される電荷が増加し、地絡抵抗RLの計測値に影響を与える。   As shown in FIG. 11, the C1 discharge current due to current noise such as motor noise is interrupted by the first diode D1. Therefore, current noise is not mixed in the C1 discharge direction. On the other hand, the C1 charging current due to current noise such as motor noise is mixed in the C1 charging direction because there is no blocking element. Therefore, since the current noise is mixed only in the C1 charging direction, the charge accumulated in the first capacitor C1 increases and affects the measured value of the ground fault resistance RL.

そこで、電流ノイズによるC1充電電流を遮断させないようにした回路構成について具体的に説明する。図9は、負極側地絡抵抗RLnの影響を受ける充電電圧VC1nの充電時の回路網に混入する電流ノイズを説明する図である。   Therefore, a circuit configuration in which the C1 charging current due to current noise is not interrupted will be specifically described. FIG. 9 is a diagram for explaining current noise mixed in the circuit network during charging of the charging voltage VC1n affected by the negative side ground fault resistance RLn.

上記で説明したように、第1ダイオードD1には第2キャパシタC2が並列に接続されている。よって、電流ノイズによるC1放電電流は、第2キャパシタC2を通過することができるため、電流ノイズの混入は、C1充電方向だけでなくC1放電方向となる。これにより、電流ノイズの混入は、C1充電方向と、C1放電方向との双方向となり、負極側地絡抵抗RLnの計測値への影響としては相殺されるため、負極側地絡抵抗RLnの計測値に影響を与えることがない。   As described above, the second capacitor C2 is connected in parallel to the first diode D1. Therefore, since the C1 discharge current due to the current noise can pass through the second capacitor C2, the current noise is mixed not only in the C1 charging direction but also in the C1 discharging direction. As a result, current noise is mixed in both the C1 charging direction and the C1 discharging direction, and is offset as an influence on the measured value of the negative side ground fault resistance RLn. Does not affect the value.

なお、第1ダイオードD1が設けられた目的のうち、第1の目的は、充電電圧V0,V01の逆接続を防止することであり、第2の目的は、第1キャパシタC1に逆電圧が印加されることを防止することである。   Of the purposes in which the first diode D1 is provided, the first purpose is to prevent reverse connection of the charging voltages V0 and V01, and the second purpose is to apply a reverse voltage to the first capacitor C1. It is to prevent being done.

具体的には、第1の目的は、直流高圧電源5に地絡検出回路1を接続する際、直流高圧電源5の正極側と、直流高圧電源5の負極側との誤接続を防止することである。第2の目的は、第1キャパシタC1に極性がある場合に、誤接続を防止することである。   Specifically, the first object is to prevent erroneous connection between the positive electrode side of the DC high voltage power source 5 and the negative electrode side of the DC high voltage power source 5 when connecting the ground fault detection circuit 1 to the DC high voltage power source 5. It is. The second purpose is to prevent erroneous connection when the first capacitor C1 has polarity.

また、充電電圧VC1nの計測時の回路網は、第2キャパシタC2が第1ダイオードD1と並列に接続されていても、第1,2の目的に影響を与えることなく、モータノイズ等の電流ノイズを逃がす。   Further, the circuit network at the time of measuring the charging voltage VC1n is a current noise such as motor noise without affecting the first and second purposes even if the second capacitor C2 is connected in parallel with the first diode D1. To escape.

これにより、第1キャパシタC1に混入される電流ノイズが、充電方向と、放電方向とを同等量にできるため、電流ノイズの混入による負極側地絡抵抗RLnの計測値の低下を防止することができる。なお、第2キャパシタC2は、第1キャパシタC1と比べ、容量が小さいことが好ましい。具体的には、第2キャパシタC2の容量は、第1キャパシタC1の容量と比べ、1/10〜1/100であることが好ましい。つまり、第2キャパシタC2の容量値は、第1キャパシタC1の容量値よりも桁の小さい容量値であることが好ましい。これにより、第2キャパシタC2をバイパス経路として利用しつつ、充電電圧Vの計測時には第2キャパシタC2の容量を無視することができる。   Thereby, since the current noise mixed in the first capacitor C1 can be equal in the charging direction and the discharging direction, it is possible to prevent the measurement value of the negative side ground fault resistance RLn from being lowered due to the mixing of the current noise. it can. The second capacitor C2 preferably has a smaller capacity than the first capacitor C1. Specifically, the capacitance of the second capacitor C2 is preferably 1/10 to 1/100 compared to the capacitance of the first capacitor C1. That is, it is preferable that the capacitance value of the second capacitor C2 is a capacitance value that is orders of magnitude smaller than the capacitance value of the first capacitor C1. Thereby, the capacitance of the second capacitor C2 can be ignored when the charging voltage V is measured while using the second capacitor C2 as a bypass path.

次に、電源の正極側と、接地Gとの間の正極側地絡抵抗RLpによる充電電圧VC1pの計測について説明する。図10は、正極側地絡抵抗RLpの影響を受ける充電電圧VC1pの充電時の回路網に混入する電流ノイズを説明する図である。   Next, measurement of the charging voltage VC1p by the positive side ground fault resistance RLp between the positive side of the power source and the ground G will be described. FIG. 10 is a diagram for explaining current noise mixed in the circuit network during charging of the charging voltage VC1p affected by the positive-side ground fault resistance RLp.

上記で説明したように、第2ダイオードD2には、第3ダイオードD3及び抵抗器R3が並列に接続され、特に、第3ダイオードD3は第2ダイオードD2と逆向きに接続されている。よって、電流ノイズによるC1放電電流は、第3ダイオードD3を通過することができる。また、電流ノイズによるC1充電電流は、第2ダイオードD2を通過することができる。この結果、電流ノイズの混入は、C1充電方向だけでなくC1放電方向となる。これにより、電流ノイズの混入は、C1充電方向と、C1放電方向との双方向となり、正極側地絡抵抗RLpの計測値への影響としては相殺されるため、正極側地絡抵抗RLpの計測値に影響を与えることがない。   As described above, the third diode D3 and the resistor R3 are connected in parallel to the second diode D2, and in particular, the third diode D3 is connected in the opposite direction to the second diode D2. Therefore, the C1 discharge current due to current noise can pass through the third diode D3. Also, the C1 charging current due to current noise can pass through the second diode D2. As a result, current noise is mixed not only in the C1 charging direction but also in the C1 discharging direction. As a result, current noise is mixed in the C1 charging direction and the C1 discharging direction, and is offset as an influence on the measured value of the positive side ground fault resistance RLp. Therefore, the measurement of the positive side ground fault resistance RLp is performed. Does not affect the value.

なお、各充電電圧Vの測定において、第1ダイオードD1、第2ダイオードD2、及び第3ダイオードD3は、それぞれの順方向電圧降下を一致させるものが好ましい。特に、充電電圧VC1pの測定において形成される回路網と、充電電圧VC1nの測定において形成される回路網とのそれぞれの合成インピーダンスを同じにすべく、第2ダイオードD2及び第3ダイオードD3が設けられるのが好ましい。   In the measurement of each charging voltage V, it is preferable that the first diode D1, the second diode D2, and the third diode D3 have the same forward voltage drop. In particular, the second diode D2 and the third diode D3 are provided to make the combined impedance of the circuit network formed in the measurement of the charging voltage VC1p and the circuit network formed in the measurement of the charging voltage VC1n the same. Is preferred.

以上の説明から、地絡検出回路1は、第1ダイオードD1と並列に接続された第2キャパシタC2により、充電方向及び放電方向の双方向において電流ノイズの影響を相殺することができるため、電流ノイズの耐性を向上させ、地絡検出精度の低下を防止することができる。   From the above description, the ground fault detection circuit 1 can cancel the influence of current noise in both directions of charge and discharge by the second capacitor C2 connected in parallel with the first diode D1. Noise resistance can be improved and a decrease in ground fault detection accuracy can be prevented.

以上、本実施形態において、地絡検出回路1は、直流高圧電源5と接地Gとの間の地絡抵抗RLを求める測定部10と、第1スイッチ素子S1から第2スイッチ素子S2に至る経路上に設けられた第1ダイオードD1と、第1接続点T1から第3スイッチ素子S3までの間に設けられて互いに並列逆接続された第2ダイオードD2及び第3ダイオードD3と、第1ダイオードD1に対して並列接続された第2キャパシタC2と、を備える。   As described above, in the present embodiment, the ground fault detection circuit 1 includes the measurement unit 10 for obtaining the ground fault resistance RL between the DC high-voltage power supply 5 and the ground G, and the path from the first switch element S1 to the second switch element S2. The first diode D1 provided above, the second diode D2 and the third diode D3 provided between the first connection point T1 and the third switch element S3 and reversely connected in parallel to each other, and the first diode D1 And a second capacitor C2 connected in parallel.

このような構成により、地絡検出回路1は、電流ノイズの耐性を向上させ、地絡検出精度の低下を防止することができる。   With such a configuration, the ground fault detection circuit 1 can improve the resistance to current noise and prevent a decrease in ground fault detection accuracy.

また、本実施形態に係る地絡検出回路1において、第1ダイオードD1は、アノード側が第1接続点T1を向いて接続され、第1スイッチ素子S1、第1ダイオードD1、第1キャパシタC1、第4スイッチ素子S4、及び負極側地絡抵抗RLnを含む直列回路が形成される場合、接地Gを介して侵入した電流ノイズを、第1ダイオードD1を含む経路又は第2キャパシタC2を含む経路に逃がすことができる。   In the ground fault detection circuit 1 according to the present embodiment, the first diode D1 is connected with the anode side facing the first connection point T1, and the first switch element S1, the first diode D1, the first capacitor C1, When a series circuit including the 4-switch element S4 and the negative-side ground fault resistor RLn is formed, current noise that has entered through the ground G is released to the path including the first diode D1 or the path including the second capacitor C2. be able to.

よって、地絡検出回路1は、負極側地絡抵抗RLnの影響を受けた第1キャパシタC1の充電電圧VC1nを計測する場合であっても、電流ノイズの耐性を向上させ、地絡検出精度の低下を防止することができる。   Therefore, even when the ground fault detection circuit 1 measures the charging voltage VC1n of the first capacitor C1 affected by the negative side ground fault resistance RLn, the resistance to current noise is improved and the ground fault detection accuracy is improved. A decrease can be prevented.

以上、本実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、変更を加えてもよい。   As mentioned above, although this invention was demonstrated based on this embodiment, this invention is not limited to the said embodiment, You may add in the range which does not deviate from the meaning of this invention.

例えば、本実施形態において抵抗成分が抵抗器Rの場合について説明したが、これに限らず、抵抗成分が形成可能な回路素子であればよい。   For example, in the present embodiment, the case where the resistance component is the resistor R has been described.

なお、付言すれば、第2キャパシタC2を用いずに電流ノイズの耐性を向上させ、地絡検出精度を向上させる構成も可能である。そのような構成は、図11の従来例で説明した地絡検出回路1に電流センサを設け、この電流センサが、各充電電圧Vの計測時に第1キャパシタC1に出入りする電流を検出するものであればよい。これにより、第1キャパシタC1に出入りする電流を監視することができる。よって、監視結果に基づき、電流ノイズの影響を差し引く処理をすることにより、上記で説明した構成と同様に、地絡検出精度の低下を防止することができる。   In addition, a configuration that improves the resistance to current noise and improves the ground fault detection accuracy without using the second capacitor C2 is also possible. In such a configuration, a current sensor is provided in the ground fault detection circuit 1 described in the conventional example of FIG. 11, and this current sensor detects a current flowing into and out of the first capacitor C1 when each charging voltage V is measured. I just need it. Thereby, the current flowing into and out of the first capacitor C1 can be monitored. Therefore, by performing the process of subtracting the influence of current noise based on the monitoring result, it is possible to prevent the ground fault detection accuracy from being lowered, as in the configuration described above.

具体的には、第1キャパシタC1に流れ込む電流経路又は第1キャパシタC1から流れ出す電流経路の何れか又は双方に電流センサを設ける。電流センサは、例えばホール素子から構成されるものである。電流センサは、第1キャパシタC1への充電が開始されてから充電電圧Vが測定されるまでの間、所定のタイミングにより複数回サンプリングされるものである。電流センサにより検出された電流値のうち、例えば、ハイパスフィルターにより高周波成分を抽出させ、その高周波成分の変動に偏りがあれば、その偏りが電流ノイズに相当するものである。   Specifically, a current sensor is provided in either or both of the current path flowing into the first capacitor C1 and the current path flowing out from the first capacitor C1. The current sensor is composed of, for example, a Hall element. The current sensor is sampled a plurality of times at a predetermined timing from when charging of the first capacitor C1 is started until the charging voltage V is measured. Of the current values detected by the current sensor, for example, a high-frequency component is extracted by a high-pass filter, and if there is a deviation in the fluctuation of the high-frequency component, the deviation corresponds to current noise.

よって、その偏り分、具体的には電流ノイズに相当する電流値が補正されることにより、電流ノイズの影響を打ち消すことができる。したがって、このような構成であっても、上記で説明した構成と同様に、地絡検出精度の低下を防止することができる。   Therefore, the influence of the current noise can be canceled by correcting the deviation, specifically, the current value corresponding to the current noise. Therefore, even with such a configuration, it is possible to prevent a decrease in ground fault detection accuracy, similarly to the configuration described above.

1 :地絡検出回路
5 :直流高圧電源
6 :正極側入力端子
7 :負極側入力端子
10 :測定部
30 :配線部
32 :インバータ
33 :モータ
1: Ground fault detection circuit 5: DC high voltage power supply 6: Positive electrode side input terminal 7: Negative electrode side input terminal 10: Measuring unit 30: Wiring unit 32: Inverter 33: Motor

Claims (1)

直流高圧電源の正電位側の第1ラインと負電位側の第2ライン、これらラインを接続する第3ライン、前記第3ライン上の第1キャパシタ、並びに、前記第1ラインのうち前記第3ラインとの第1接続点の前段に設けられた第1スイッチ素子、前記第2ラインのうち前記第3ラインとの第2接続点の前段に設けられた第2スイッチ素子、前記第1接続点の後段に設けられた第3スイッチ素子、前記第2接続点の後段に設けられた第4スイッチ素子を備えた地絡検出回路であって、
前記第1及び第2スイッチ素子の導通時に充電された前記第1キャパシタの充電電圧を、前記第3及び前記第4スイッチ素子の導通時に計測すると共に、前記第1及び前記第4スイッチ素子の導通時に前記第2ラインと接地との間に生じる負極側地絡抵抗の影響を受けた前記第1キャパシタの充電電圧と、前記第2及び第3スイッチ素子の導通時に前記第1ラインと接地との間に生じる正極側地絡抵抗の影響を受けた前記第1キャパシタの充電電圧とに基づいて、直流高圧電源と接地との間の地絡抵抗を求める測定部と、
前記第1スイッチ素子から前記第2スイッチ素子に至る経路上に設けられた第1ダイオードと、
前記第1接続点から前記第3スイッチ素子までの間に設けられて互いに並列逆接続された第2及び第3ダイオードと、
前記第1ダイオードに対して並列接続された第2キャパシタと、
を備えることを特徴とする地絡検出回路。
The first line on the positive potential side and the second line on the negative potential side of the DC high-voltage power source, the third line connecting these lines, the first capacitor on the third line, and the third line of the first lines A first switch element provided before the first connection point with the line; a second switch element provided before the second connection point with the third line of the second line; and the first connection point. A ground fault detection circuit including a third switch element provided at a subsequent stage and a fourth switch element provided at a subsequent stage of the second connection point;
The charging voltage of the first capacitor charged when the first and second switch elements are conductive is measured when the third and fourth switch elements are conductive, and the first and fourth switch elements are conductive. Sometimes the charging voltage of the first capacitor affected by the negative side ground fault resistance generated between the second line and the ground, and the first line and the ground when the second and third switch elements are conductive. A measurement unit for determining a ground fault resistance between the DC high-voltage power supply and the ground based on the charging voltage of the first capacitor affected by the positive-side ground fault resistance generated between;
A first diode provided on a path from the first switch element to the second switch element;
Second and third diodes provided between the first connection point and the third switch element and reversely connected in parallel to each other;
A second capacitor connected in parallel to the first diode;
A ground fault detection circuit comprising:
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