JP2017120824A - Die bonder and die bonding method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a die bonder having a good accuracy of bonding position in the plane direction, at the time of first bonding or first bonding when elapsing a predetermined time after reciprocal operation, and to provide a bonding method.SOLUTION: A die bonder has a collet for holding a chip by abutting against a chip-compatible surface, i.e., the surface of an insulation material, picks up the chip at the pick-up position by means of the collet, bonds the chip to a substrate while heating at the bonding position, and reciprocates between the pick-up position and bonding position. The die bonder is provided with surface heating means for reducing the temperature difference between the temperature of the chip-compatible surface before the first pick-up or before the first pick-up when elapsing a predetermined time after reciprocal operation, and the temperature of the chip-compatible surface before bonding during continuous operation, compared with the temperature difference when not heating.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ダイボンダ及びボンディング方法に関する。   The present invention relates to a die bonder and a bonding method.

半導体装置の製造においては、多数個の素子を一括して造り込まれたウェーハをダイシングして個々の半導体チップに分離し、これを一個ずつリードフレーム等の所定位置にボンディングするというチップボンディングの手法が採用されている。そして、このチップボンディングにはダイボンダが用いられる(特許文献1)。ダイボンダは、搬送手段を介してピックアップポジション100(図4参照)とボンディングポジション101(図4参照)との間の移動が可能なボンディングアームを備え、ボンディングアームの先端部は、図4に示すように、半導体チップ102(以下、チップ102という)を吸着するコレット103を保持している。   In the manufacture of semiconductor devices, a chip bonding technique in which a wafer on which a large number of elements are fabricated is diced and separated into individual semiconductor chips, which are bonded one by one to a predetermined position such as a lead frame. Is adopted. A die bonder is used for this chip bonding (Patent Document 1). The die bonder includes a bonding arm that can move between a pickup position 100 (see FIG. 4) and a bonding position 101 (see FIG. 4) via a conveying means, and the tip of the bonding arm is as shown in FIG. Further, a collet 103 that holds the semiconductor chip 102 (hereinafter referred to as the chip 102) is held.

コレット103は、図4に示すように、例えばフッ素ゴムからなるラバー(断熱材)104と、ラバー104を側面から加圧して保持するホルダー105とを備えている。ラバー104は、その下端面に開口した吸着孔(図示省略)を有しており、この吸引孔を介してチップ102が真空吸引され、ラバー104の下端面がチップ対応面106となって、チップ対応面106にチップ102が吸着する。なお、この真空吸引が解除されれば、コレット103からチップ102が外れる。   As shown in FIG. 4, the collet 103 includes a rubber (heat insulating material) 104 made of, for example, fluororubber, and a holder 105 that pressurizes and holds the rubber 104 from the side surface. The rubber 104 has a suction hole (not shown) opened at its lower end surface, and the chip 102 is vacuum-sucked through the suction hole, and the lower end surface of the rubber 104 becomes the chip corresponding surface 106 so that the chip The chip 102 is attracted to the corresponding surface 106. If this vacuum suction is released, the chip 102 is detached from the collet 103.

ところで、ボンディングポジション101で加熱しながらチップ102をボンディングする場合がある。例えば、チップ102の裏面に、加熱することで接着剤として作用するフィルム状接着剤(ダイアタッチフィルム)が貼り付けられており、このようなチップをボンディングする場合は、まず、常温のピックアップポジション100からチップ102をピックアップする。ボンディングステージ107はヒーター機能を有しており、高温となったボンディングポジション101にチップ102をボンディングする。このように、ピックアップポジション100とボンディングポジション101とでは温度差があり、コレット103は、常温と高温との往復動を繰り返すことになる。   Incidentally, the chip 102 may be bonded while being heated at the bonding position 101. For example, a film adhesive (die attach film) that acts as an adhesive by heating is attached to the back surface of the chip 102. When bonding such a chip, first, a pick-up position 100 at room temperature is used. To pick up chip 102. The bonding stage 107 has a heater function, and bonds the chip 102 to the bonding position 101 at a high temperature. As described above, there is a temperature difference between the pickup position 100 and the bonding position 101, and the collet 103 repeats reciprocation between normal temperature and high temperature.

特開2000−68296号公報JP 2000-68296 A

前記したように、コレット103が、常温(ピックアップポジション100)と高温(ボンディングポジション101)との往復動を繰り返す場合、ボンディングする毎に、コレット103のチップ対応面106の温度が上昇する。すなわち、図5に示すように、チップ対応面106の温度は、1回目のピックアップ時p1ではほぼ常温となっており、1回目のボンディング開始直前時b1の後、チップ対応面106がボンディングステージ107により加熱され、チップ対応面106の温度は常温よりも高くなる。なお、図5において、pnはn回目のピックアップ時、bnはn回目のボンディング開始直前時、bn´はn回目のボンディング終了時を示している。また、t(bn)はn回目のボンディング開始直前時におけるチップ対応面106の温度を示している。   As described above, when the collet 103 repeats reciprocation between normal temperature (pickup position 100) and high temperature (bonding position 101), the temperature of the chip-corresponding surface 106 of the collet 103 increases each time bonding is performed. That is, as shown in FIG. 5, the temperature of the chip corresponding surface 106 is substantially normal temperature at the first pick-up p1, and the chip corresponding surface 106 is bonded to the bonding stage 107 after b1 immediately before the first bonding start. As a result, the temperature of the chip corresponding surface 106 becomes higher than the normal temperature. In FIG. 5, pn represents the n-th pick-up, bn represents the time immediately before the n-th bonding start, and bn ′ represents the n-th bonding end. Further, t (bn) indicates the temperature of the chip corresponding surface 106 immediately before the start of the n-th bonding.

ピックアップとボンディングとの往復動作を繰り返し行うと、図5に示すように、ボンディング開始直前時のチップ対応面106の温度t(b2)、t(b3)、t(b4)、t(b5)は段階的に上昇する。その後、ボンディング開始直前時のチップ対応面106の温度が、ある温度tcに到達すると(図5では6回目のボンディング開始直前時b6)、それ以降では、往復動作を連続で行う限り、往復動作を終了するまでボンディング開始直前時のチップ対応面106の温度は、ほぼ一定となる(図5では、tc=t(b6)≒t(b7)≒t(b8)・・・)。   When the reciprocating operation between the pickup and bonding is repeated, the temperatures t (b2), t (b3), t (b4), and t (b5) of the chip corresponding surface 106 immediately before the start of bonding are as shown in FIG. Rise in steps. Thereafter, when the temperature of the chip-corresponding surface 106 immediately before the start of bonding reaches a certain temperature tc (in FIG. 5, b6 immediately before the start of bonding b6), thereafter, the reciprocating operation is performed as long as the reciprocating operation is continuously performed. The temperature of the chip-corresponding surface 106 immediately before the start of bonding is substantially constant until the process is completed (in FIG. 5, tc = t (b6) ≈t (b7) ≈t (b8)...).

装置停止状態からのスタート時や、リングチェンジ動作等による往復動作中断後の再スタート時は、チップ対応面106はほぼ常温となっている。このため、ボンディング前におけるチップ対応面106の温度がtcに到達するまでの、ボンディング前におけるチップ対応面106の温度(図5ではt(b1)、t(b2)、t(b3)、t(b4)、t(b5))は、それ以降のボンディング開始直前時におけるチップ対応面106の温度(図5ではt(b6)、t(b7)、t(b8)・・・)よりも低いものとなる。   When starting from a state where the apparatus is stopped, or when restarting after interruption of the reciprocating operation due to a ring change operation or the like, the chip corresponding surface 106 is substantially at room temperature. Therefore, the temperature of the chip corresponding surface 106 before bonding until the temperature of the chip corresponding surface 106 before bonding reaches tc (in FIG. 5, t (b1), t (b2), t (b3), t ( b4) and t (b5)) are lower than the temperature of the chip corresponding surface 106 immediately before the start of subsequent bonding (t (b6), t (b7), t (b8)... in FIG. 5). It becomes.

ボンディング前のチップ対応面106の温度が低い場合、ラバー104は熱収縮する。このため、コレット105にてチップ102を保持したとき、チップ対応面106に対するチップ102の平面方向の位置が、連続運転時(図5ではb6以降)とは異なり、チップ102のボンディング位置がずれる。特に、最初のボンディング前では、チップ対応面106の温度t(b1)が低く、ラバー104は最も熱収縮した状態となっている。このため、特に運転開始時(つまり、チップ対応面106の温度が常温付近から開始する場合)では、平面方向でのボンディング位置の精度が悪くなるという問題があった。   When the temperature of the chip corresponding surface 106 before bonding is low, the rubber 104 is thermally contracted. For this reason, when the chip 102 is held by the collet 105, the position of the chip 102 in the planar direction with respect to the chip corresponding surface 106 is different from that during continuous operation (after b6 in FIG. 5), and the bonding position of the chip 102 is shifted. In particular, before the first bonding, the temperature t (b1) of the chip corresponding surface 106 is low, and the rubber 104 is in the most thermally contracted state. For this reason, there is a problem that the accuracy of the bonding position in the planar direction is deteriorated particularly at the start of operation (that is, when the temperature of the chip corresponding surface 106 starts from around room temperature).

そこで、本発明は斯かる実情に鑑み、最初のボンディング又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディングの際に、平面方向でのボンディング位置の精度が良いダイボンダ及びボンディング方法を提供するものである。   Therefore, in view of such a situation, the present invention provides a die bonder and a bonding method in which the bonding position accuracy in the planar direction is high at the time of the first bonding after the predetermined time has passed after the first bonding or the reciprocating operation. is there.

本発明のダイボンダは、断熱材の表面をチップ対応面として、チップ対応面にチップを当接させて保持するコレットを有し、前記コレットにて、ピックアップポジションでチップをピックアップし、ボンディングポジションで加熱しながら基材にチップをボンディングし、ピックアップポジションとボンディングポジション間を往復動作するダイボンダにおいて、最初のピックアップ前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のピックアップ前に、前記チップ対応面をチップ側から加熱して、最初のボンディング前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディング前におけるチップ対応面の温度と、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面の温度との温度差を、加熱しないときの温度差よりも減少させる表面加熱手段を設けたものである。ここで、ボンディング前とは、コレットにてチップをピックアップしてから、ボンディングするまでの間をいい、コレットにてチップを保持している状態をいう。また、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面の温度とは、往復動作の連続運転中のボンディング前において、チップ対応面が到達する最高温度である(ボンディングによる加熱によって到達するチップ対応面のボンディング前の最高温度であり、往復動作を連続で行う限りは、往復動作を終了するまで、ほぼ一定)。   The die bonder of the present invention has a collet that holds the chip in contact with the chip-corresponding surface with the surface of the heat insulating material as the chip-corresponding surface, and picks up the chip at the pick-up position with the collet and heats it at the bonding position. In the die bonder that bonds the chip to the base material and reciprocates between the pick-up position and the bonding position, the chip-corresponding surface is placed on the chip side before the first pick-up before the first pick-up or after a predetermined time after the reciprocating operation. The temperature difference between the temperature of the chip corresponding surface before the first bonding before the first bonding or after the predetermined time after the reciprocating operation and the temperature of the chip corresponding surface before the bonding during continuous operation is heated. Surface heating means to reduce the temperature difference when not Those digits. Here, the term “before bonding” refers to a period from when a chip is picked up by a collet to bonding, and a state in which the chip is held by the collet. The temperature of the chip-corresponding surface before bonding during continuous operation is the maximum temperature that the chip-corresponding surface reaches before bonding during continuous operation of reciprocating operation (bonding of the chip-corresponding surface reached by heating by bonding). As long as it is the previous maximum temperature and the reciprocating operation is performed continuously, it is almost constant until the reciprocating operation is completed.

本発明のダイボンダによれば、表面加熱手段を設け、最初のピックアップ前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のピックアップ前に、コレットのチップ対応面をチップ側から加熱することができる。これにより、装置停止状態からのスタート時や、リングチェンジ動作等による往復動作中断後の再スタート時等の、チップ対応面がほぼ常温となっている状態から往復動作を開始する際であっても、最初のボンディング前のチップ対応面の温度を、連続運転中のボンディング前のチップ対応面の温度に近づけることができる。これにより、最初のボンディング前において、断熱材の熱収縮の発生を抑制することができる。このため、コレットにてチップを保持したとき、断熱材(チップ対応面)に対するチップの平面方向の位置ずれを防止することができ、最初のボンディング前のチップのボンディング位置のずれを抑えることができる。   According to the die bonder of the present invention, the surface heating means is provided, and the chip-corresponding surface of the collet can be heated from the chip side before the first pickup or before the first pickup after a predetermined time has elapsed after the reciprocating operation. As a result, even when starting the reciprocating operation from a state in which the chip-corresponding surface is at almost normal temperature, such as when starting from the device stop state or when restarting after interrupting the reciprocating operation due to ring change operation etc. The temperature of the chip corresponding surface before the first bonding can be brought close to the temperature of the chip corresponding surface before bonding during continuous operation. Thereby, before the first bonding, generation | occurrence | production of the thermal contraction of a heat insulating material can be suppressed. For this reason, when the chip is held by the collet, it is possible to prevent the displacement of the chip in the planar direction with respect to the heat insulating material (chip-corresponding surface), and to suppress the displacement of the bonding position of the chip before the first bonding. .

前記構成において、前記表面加熱手段は、最初のボンディング前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディング前におけるチップ対応面の温度と、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面の温度との温度差が、最初のボンディング前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディング前におけるチップ対応面のチップの保持位置と、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面のチップの保持位置とで位置ずれが生じない範囲内となるように、最初のピックアップ前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のピックアップ前におけるチップ対応面の温度を設定するものとできる。   In the above configuration, the surface heating means is configured to calculate a temperature of the chip corresponding surface before the first bonding before the first bonding or a predetermined time after the reciprocating operation and a temperature of the chip corresponding surface before the bonding during the continuous operation. The temperature difference between the chip holding surface chip holding position before the first bonding after the first bonding or a predetermined time after the reciprocating operation, and the chip holding surface chip holding position before the bonding during continuous operation. The temperature of the chip-corresponding surface before the first pick-up before the first pick-up or after a predetermined time elapses after the reciprocating operation can be set so as to be within a range where no positional deviation occurs.

前記構成において、前記表面加熱手段は、前記チップ対応面よりも大きな平坦面を有する加熱ステージとすることができる。   The said structure WHEREIN: The said surface heating means can be made into the heating stage which has a larger flat surface than the said chip | tip corresponding surface.

前記構成において、所定時間往復動作がなかったときに前記表面加熱手段を加熱する制御手段を設けることができる。   The said structure WHEREIN: The control means which heats the said surface heating means when there is no reciprocation for predetermined time can be provided.

本発明のボンディング方法は、断熱材の表面をチップ対応面として、チップ対応面にチップを当接させて保持するコレットにて、ピックアップポジションでチップをピックアップし、ボンディングポジションで加熱しながら基材にチップをボンディングし、ピックアップポジションとボンディングポジション間を往復動作するボンディング方法において、最初のピックアップ前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のピックアップ前に、前記チップ対応面をチップ側から加熱して、最初のボンディング前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディング前におけるチップ対応面の温度と、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面の温度との温度差を、加熱しないときの温度差よりも減少させるものである。   In the bonding method of the present invention, the surface of the heat insulating material is used as a chip-corresponding surface, the collet that holds the chip in contact with the chip-corresponding surface, picks up the chip at the pick-up position, and heats it to the substrate while heating at the bonding position. In a bonding method of bonding a chip and reciprocating between the pickup position and the bonding position, the chip-corresponding surface is heated from the chip side before the first pickup or before the first pickup after a predetermined time has elapsed after the reciprocation. The temperature at which the temperature of the chip corresponding surface before the first bonding before the first bonding or after the predetermined time has elapsed after the reciprocating operation and the temperature of the chip corresponding surface before the bonding during continuous operation is not heated. It will be less than the difference.

前記構成において、最初のボンディング前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディング前におけるチップ対応面の温度と、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面の温度との温度差が、最初のボンディング前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディング前におけるチップ対応面のチップの保持位置と、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面のチップの保持位置とで位置ずれが生じない範囲内となるように、最初のピックアップ前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のピックアップ前におけるチップ対応面の温度を設定することができる。   In the above configuration, the temperature difference between the temperature of the chip corresponding surface before the first bonding or before the first bonding after a predetermined time has elapsed after the reciprocating operation and the temperature of the chip corresponding surface before the bonding during continuous operation is the first difference. Range in which there is no misalignment between the chip holding position of the chip-corresponding surface before bonding or the first bonding after the predetermined time has passed after the reciprocating operation and the chip holding position of the chip-corresponding surface before bonding during continuous operation It is possible to set the temperature of the chip-corresponding surface before the first pickup or before the first pickup after a predetermined time has elapsed after the reciprocating operation.

前記構成において、前記チップ対応面よりも大きな加熱面をチップ対応面に接触させて、前記チップ対応面を加熱することができる。   The said structure WHEREIN: A heating surface larger than the said chip | tip corresponding surface can be made to contact a chip | tip corresponding surface, and the said chip | tip corresponding surface can be heated.

前記構成において、所定時間往復動作がなかったときに前記チップ対応面を加熱することができる。   In the above configuration, the chip-corresponding surface can be heated when there is no reciprocation for a predetermined time.

本発明では、最初のボンディング又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディングの際に、平面方向でのボンディング位置の精度が良いものとなる。   In the present invention, the accuracy of the bonding position in the planar direction is improved in the first bonding after the predetermined time has elapsed after the first bonding or the reciprocating operation.

本発明のダイボンダを示す簡略正面図である。It is a simplified front view which shows the die bonder of this invention. 本発明のダイボンダを用いて往復動作する際のチップ対応面の温度変化を示すグラフ図である。It is a graph which shows the temperature change of the chip | tip corresponding surface at the time of reciprocating using the die bonder of this invention. 本発明のダイボンダを用いて往復動作する際のチップ対応面の他の温度変化を示すグラフ図である。It is a graph which shows the other temperature change of the chip | tip corresponding surface at the time of reciprocating using the die bonder of this invention. 従来のダイボンダを示す簡略正面図である。It is a simplified front view which shows the conventional die bonder. 従来のダイボンダを用いて往復動作する際のチップ対応面の温度変化を示すグラフ図である。It is a graph which shows the temperature change of the chip | tip corresponding surface at the time of reciprocating using a conventional die bonder.

以下、本発明の実施の形態を図1〜図3に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明のダイボンダは、図1に示すように、ピックアップポジション1とボンディングポジション2との間の移動が可能なボンディングアーム(図示省略)を備え、ボンディングアームの先端部には、半導体チップ4(以下、チップ4という)を吸着するコレット5を保持している。   As shown in FIG. 1, the die bonder of the present invention includes a bonding arm (not shown) that can move between a pickup position 1 and a bonding position 2. The collet 5 that adsorbs the chip 4) is held.

コレット5は、図1の矢印Bに示すように、ピックアップポジション1とボンディングポジション2間を往復動作してチップ4を搬送するものである。コレット5は、図1に示すように、吸着部材6と、吸着部材6を保持する金属製のホルダー7とから構成されている。   The collet 5 carries the chip 4 by reciprocating between the pickup position 1 and the bonding position 2 as shown by an arrow B in FIG. As shown in FIG. 1, the collet 5 includes an adsorption member 6 and a metal holder 7 that holds the adsorption member 6.

吸着部材6は、肉厚が上下方向に均一な断熱材にて構成されている。より具体的には、吸着部材6は、天然ゴムや合成ゴムのラバー部品であり、本実施形態ではフッ素ゴムにて構成されている。図1に示すように、吸着部材6の下面は平坦面となっており、この面が、チップ4が当接するチップ対応面8となる。吸着部材6には、チップ対応面8に開口する吸着孔(図示省略)が設けられており、吸着孔に図外の真空発生器が接続されている。この真空発生器の駆動にて吸着孔のエアが吸引されると、チップ4が真空吸引され、チップ対応面8にチップ4が吸着する。なお、この真空吸引が解除されれば、チップ対応面8からチップ4が外れる。   The adsorbing member 6 is composed of a heat insulating material having a uniform wall thickness in the vertical direction. More specifically, the adsorbing member 6 is a rubber component made of natural rubber or synthetic rubber, and is made of fluororubber in this embodiment. As shown in FIG. 1, the lower surface of the adsorption member 6 is a flat surface, and this surface becomes the chip corresponding surface 8 with which the chip 4 abuts. The suction member 6 is provided with a suction hole (not shown) that opens in the chip-corresponding surface 8, and a vacuum generator (not shown) is connected to the suction hole. When the air in the suction hole is sucked by driving the vacuum generator, the chip 4 is vacuum sucked and the chip 4 is sucked onto the chip corresponding surface 8. When this vacuum suction is released, the chip 4 is detached from the chip corresponding surface 8.

ホルダー7は、図1に示すように、軸部9と、軸部9の下端部と一体のフランジ部10とを備え、フランジ部10の下面に爪部11を一体に有する。爪部11が吸着部材6の側面を加圧することで、ホルダー7は吸着部材6を保持している。   As shown in FIG. 1, the holder 7 includes a shaft portion 9 and a flange portion 10 that is integral with the lower end portion of the shaft portion 9, and has a claw portion 11 integrally on the lower surface of the flange portion 10. The claw part 11 pressurizes the side surface of the suction member 6 so that the holder 7 holds the suction member 6.

ピックアップポジション1は、ほぼ常温であり、ピックアップステージ12に多数のチップ4が載置されている。本実施形態では、ピックアップステージ12はアライメントステージ(いわゆる中間ステージ)としているが、これに限るものではなく、ボンディングする前にチップ4を載置するためのステージであればよい。ピックアップステージ12上のチップ4の裏面には、加熱することで接着剤として作用するフィルム状接着剤(ダイアタッチフィルム)が貼り付けられている。   The pickup position 1 is substantially at normal temperature, and a large number of chips 4 are placed on the pickup stage 12. In this embodiment, the pickup stage 12 is an alignment stage (so-called intermediate stage). However, the present invention is not limited to this, and any stage may be used as long as the chip 4 is placed before bonding. A film adhesive (die attach film) that acts as an adhesive when heated is attached to the back surface of the chip 4 on the pickup stage 12.

ボンディングポジション2では、ヒーター機能を有するボンディングステージ13にリードフレームなどの基材14が載置されている。ピックアップポジション1において、コレット5にてピックアップしたチップ4は、ボンディングポジション2へ搬送される。ボンディングポジション2に搬送されたチップ4は、ボンディングステージ13にて加熱され、ダイアタッチフィルムが接着剤として作用することで、チップ4は基材14にボンディングされる。その後、コレット5は、ピックアップポジション1へ戻り、前記した方法でチップ4をピックアップした後、ボンディングする。このようにして、コレット5は図1の矢印Bのようにピックアップポジション1とボンディングポジション2とを往復動作する。   In the bonding position 2, a base material 14 such as a lead frame is placed on a bonding stage 13 having a heater function. The chip 4 picked up by the collet 5 at the pickup position 1 is transported to the bonding position 2. The chip 4 transported to the bonding position 2 is heated by the bonding stage 13 and the chip 4 is bonded to the base material 14 by the die attach film acting as an adhesive. Thereafter, the collet 5 returns to the pickup position 1, picks up the chip 4 by the above-described method, and then bonds. In this way, the collet 5 reciprocates between the pickup position 1 and the bonding position 2 as indicated by an arrow B in FIG.

ピックアップポジション1とボンディングポジション2との間に、チップ対応面8をチップ側(つまり吸着部材6の下側)から加熱する表面加熱手段15を設け、ボンディングポジション2のヒーターとは別に、チップ対応面8を加熱するための手段を設けている。ボンディングポジション2には基材14が存在していたり、基材14にチップ4を段積みしたりする場合が多く、ボンディングポジション2のヒーターでは、基材14やチップ4以外を加熱することが難しい。このため、チップ対応面8を加熱する表面加熱手段15を設けている。本実施形態では、表面加熱手段15は、チップ対応面8よりも大きな平坦面を有する加熱ステージ16にて構成している。これにより、チップ対応面8が加熱ステージ16に当接すると、チップ対応面8は、加熱ステージ16にて均一に加熱される。また、表面加熱手段15をピックアップポジション1とボンディングポジション2との間に設けることにより、コレット5のストロークを最小化し、装置全体のコンパクト化を図ることができる。   A surface heating means 15 is provided between the pickup position 1 and the bonding position 2 to heat the chip-corresponding surface 8 from the chip side (that is, the lower side of the suction member 6). Means for heating 8 is provided. In many cases, the base material 14 is present at the bonding position 2 or the chips 4 are stacked on the base material 14, and it is difficult to heat other than the base material 14 and the chips 4 with the heater at the bonding position 2. . Therefore, surface heating means 15 for heating the chip corresponding surface 8 is provided. In the present embodiment, the surface heating means 15 is constituted by a heating stage 16 having a flat surface larger than the chip corresponding surface 8. Thereby, when the chip corresponding surface 8 comes into contact with the heating stage 16, the chip corresponding surface 8 is uniformly heated by the heating stage 16. Further, by providing the surface heating means 15 between the pickup position 1 and the bonding position 2, the stroke of the collet 5 can be minimized and the entire apparatus can be made compact.

運転開始(最初のピックアップ)前、又は再運転開始(往復動作後所定時間経過した後の最初のピックアップ)前において、コレット5は加熱ステージ16上に位置しており、高温状態の加熱ステージ16に、コレット5のチップ対応面8を当接させる(図1の状態)。加熱ステージ16の温度と、チップ対応面8を加熱ステージ16に当接させる時間は、吸着部材6の材質や大きさ等によりユーザが任意に設定する。以下、運転開始とは、再運転開始を含むものとし、最初のピックアップとは、往復動作後所定時間経過した後の最初のピックアップを含むものとする。また、所定時間経過とは、往復動作において高温となったチップ対応面8が常温に戻るまでの時間であり、吸着部材6の材質や大きさ等により異なる。   Prior to the start of operation (first pickup) or before the start of re-operation (first pickup after a lapse of a predetermined time after the reciprocating operation), the collet 5 is positioned on the heating stage 16 and is placed on the heating stage 16 in a high temperature state. Then, the chip-corresponding surface 8 of the collet 5 is brought into contact (state shown in FIG. 1). The temperature of the heating stage 16 and the time for which the chip corresponding surface 8 is brought into contact with the heating stage 16 are arbitrarily set by the user depending on the material and size of the suction member 6. Hereinafter, the operation start includes the re-operation start, and the first pickup includes the first pickup after a predetermined time has elapsed after the reciprocating operation. Further, the predetermined time elapses is the time until the chip-corresponding surface 8 that has become high temperature in the reciprocating operation returns to room temperature, and differs depending on the material and size of the suction member 6.

チップ対応面8の温度は、図2に示すように、最初のピックアップP1前のある時点B0でT(B0)まで上昇する。そして、図1の矢印Aに示すように、コレット5がピックアップポジション1でチップ4をピックアップする。このとき、チップ対応面8の温度は、最初のピックアップP1により下降する。なお、図2において、Pnはn回目のピックアップ時、Bnはn回目のボンディング開始直前時、Bn´はn回目のボンディング終了時を示している。また、T(Bn)はn回目のボンディング開始直前時におけるチップ対応面8の温度を示している。さらに、二点鎖線は、チップ対応面8を加熱しない場合のチップ対応面8の温度変化を示すものであり、図5のグラフに相当する。   As shown in FIG. 2, the temperature of the chip corresponding surface 8 rises to T (B0) at a certain point B0 before the first pickup P1. Then, the collet 5 picks up the chip 4 at the pickup position 1 as indicated by an arrow A in FIG. At this time, the temperature of the chip corresponding surface 8 is lowered by the first pickup P1. In FIG. 2, Pn represents the n-th pick-up, Bn represents the time immediately before the n-th bonding start, and Bn ′ represents the n-th bonding end. T (Bn) represents the temperature of the chip corresponding surface 8 just before the start of the n-th bonding. Furthermore, a two-dot chain line indicates a temperature change of the chip corresponding surface 8 when the chip corresponding surface 8 is not heated, and corresponds to the graph of FIG.

その後、コレット5は、ボンディングポジション2でチップ4をボンディングする。このとき、最初のボンディングの開始直前時B1のチップ対応面の温度T(B1)は、図2に示すように、ある温度Tcにまで下がるが、加熱しない場合の1回目のボンディング開始直前時b1のチップ対応面8の温度t(b1)よりも高くなる。この場合、温度Tcとは、往復動作の連続運転中のボンディング前において、チップ対応面8が到達する最高温度である(ボンディング時の加熱によって到達するチップ対応面8のボンディング時の最高温度であり、往復動作を連続で行う限りは、往復動作を終了するまで、ほぼ一定)。また、ボンディング前とは、コレットにてチップをピックアップしてから、ボンディングするまでの間をいい、コレットにてチップを保持している状態をいう。本実施形態において、ボンディング前とは、ボンディングの開始直前時(つまり、ボンディングポジションへチップをボンディングする前の瞬間)としている。   Thereafter, the collet 5 bonds the chip 4 at the bonding position 2. At this time, the temperature T (B1) of the chip-corresponding surface B1 immediately before the start of the first bonding falls to a certain temperature Tc, as shown in FIG. 2, but b1 immediately before the start of the first bonding without heating. It becomes higher than the temperature t (b1) of the chip corresponding surface 8. In this case, the temperature Tc is the highest temperature reached by the chip corresponding surface 8 before bonding during continuous operation of reciprocating operation (the highest temperature during bonding of the chip corresponding surface 8 reached by heating during bonding). As long as the reciprocating operation is performed continuously, it is almost constant until the reciprocating operation is completed). The term “before bonding” refers to a period from when a chip is picked up by a collet until bonding, and a state in which the chip is held by the collet. In the present embodiment, “before bonding” refers to the time immediately before the start of bonding (that is, the moment before bonding the chip to the bonding position).

このように、表面加熱手段15は、最初のピックアップP1前に、チップ対応面8をチップ側から加熱することにより、最初のボンディング開始直前時B1におけるチップ対応面8の温度T(B1)と、連続運転中のボンディング開始直前時におけるチップ対応面8の温度Tcとの温度差ΔT(つまりTc−T(B1)であり、図2ではΔTは0に近い)を、加熱しないときの温度差Δt(つまりtc−t(b1)である)よりも減少させる。   In this way, the surface heating means 15 heats the chip corresponding surface 8 from the chip side before the first pickup P1, thereby the temperature T (B1) of the chip corresponding surface 8 at the time B1 immediately before the start of the first bonding, The temperature difference ΔT with respect to the temperature Tc of the chip corresponding surface 8 immediately before the start of bonding during continuous operation (that is, Tc−T (B1), where ΔT is close to 0 in FIG. 2) is the temperature difference Δt when not heated. (That is, tc−t (b1)).

これにより、装置停止状態からのスタート時や、リングチェンジ動作等による往復動作中断後の再スタート時等の、チップ対応面8がほぼ常温となっている状態から往復動作を開始する際であっても、最初のボンディング開始直前時B1のチップ対応面8の温度T(B1)を、連続運転中のボンディング開始直前時のチップ対応面8の温度Tcに近づけることができる。これにより、最初のボンディング開始直前時B1において、吸着部材6の熱収縮の発生を抑制することができ、コレット5にてチップ4を保持したとき、チップ対応面8に対するチップ4の平面方向の位置ずれを防止することができる。   Thereby, when starting the reciprocating operation from the state where the chip-corresponding surface 8 is almost at room temperature, such as when starting from the device stop state or when restarting after interrupting the reciprocating operation due to the ring change operation etc. In addition, the temperature T (B1) of the chip corresponding surface 8 at B1 immediately before the start of the first bonding can be made closer to the temperature Tc of the chip corresponding surface 8 immediately before the start of bonding during continuous operation. Thereby, at the time B1 immediately before the start of the first bonding, the heat shrinkage of the adsorption member 6 can be suppressed, and when the chip 4 is held by the collet 5, the position of the chip 4 in the plane direction with respect to the chip corresponding surface 8 Deviation can be prevented.

表面加熱手段15は、図1に示すように、制御手段17によりON−OFFが制御される。制御手段17は、例えば、CPU(Central Processing Unit)を中心としてROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)等がバスを介して相互に接続されたマイクロコンピューターである。なお、ROMには、CPUが実行するプログラムやデータが格納されている。この制御手段17は、所定時間(例えば1秒)往復動作がなかったときに表面加熱手段15を加熱するように制御する。前記所定時間は、ユーザが任意に設定することができる。すなわち、チップ対応面8の温度が上がった後に常温まで戻る時間は、吸着部材6の材質や大きさ等によって異なっている。このため、ユーザは、使用する吸着部材6ごとに、チップ対応面8が常温に戻るまでの時間を把握し、使用する吸着部材6に応じた時間を設定する。また、制御手段17が、吸着部材6の種類と、夫々の所定時間を対応させたテーブルを備え、ユーザが使用する吸着部材6の種類を指定すると、制御手段17は、それに対応する所定時間を自動的に設定する構成としてもよい。   As shown in FIG. 1, the surface heating unit 15 is ON / OFF controlled by the control unit 17. The control means 17 is, for example, a microcomputer in which a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), and the like are connected to each other via a bus with a central processing unit (CPU) as a center. The ROM stores programs executed by the CPU and data. The control means 17 controls the surface heating means 15 to be heated when there is no reciprocation for a predetermined time (for example, 1 second). The predetermined time can be arbitrarily set by the user. That is, the time for returning to room temperature after the temperature of the chip-corresponding surface 8 rises differs depending on the material and size of the adsorption member 6. For this reason, a user grasps | ascertains the time until the chip | tip corresponding surface 8 returns to normal temperature for every adsorption member 6 to be used, and sets the time according to the adsorption member 6 to be used. Further, when the control means 17 is provided with a table in which the types of the suction members 6 are associated with the respective predetermined times, and the user designates the types of the suction members 6 to be used, the control means 17 sets the corresponding predetermined times. It is good also as a structure set up automatically.

図2の実施形態では、温度差ΔT(=Tc−T(B1))をほぼ0としたが、図3に示すように、ΔTは0でなくてもよい。すなわち、最初のボンディング開始直前時B1におけるチップ対応面8の温度T(B1)はTcでなくてもよい。この場合、表面加熱手段15は、図3に示すように、温度差ΔTが範囲H内となるように、最初のピックアップP1前においてチップ対応面8を昇温すればよい。   In the embodiment of FIG. 2, the temperature difference ΔT (= Tc−T (B1)) is set to approximately 0, but ΔT may not be 0 as shown in FIG. That is, the temperature T (B1) of the chip corresponding surface 8 at B1 immediately before the start of the first bonding may not be Tc. In this case, the surface heating means 15 may raise the temperature of the chip corresponding surface 8 before the first pickup P1 so that the temperature difference ΔT is within the range H as shown in FIG.

範囲Hは、最初のボンディング開始直前時B1におけるチップ対応面8のチップ4の保持位置と、連続運転中のボンディング開始直前時におけるチップ対応面8のチップ4の保持位置とで位置ずれが生じない範囲である。すなわち、ボンディング開始直前時のチップ対応面8の温度がTcよりも低すぎると、吸着部材6が熱収縮し、この熱収縮が、チップ対応面8のチップ4の保持位置のずれの原因となる。この場合、ボンディング開始直前時におけるチップ対応面8の温度がTcと相違していても、熱収縮が生じない程度の相違であるか、熱収縮が生じても、チップ対応面8のチップ4の保持位置に影響を与えない程度の相違であれば、平面方向でのボンディング位置の精度は悪くならない。つまり、範囲Hとは、温度差ΔT(つまり、TcとT(B1)との相違)が、熱収縮が生じない程度のものであるか、熱収縮が生じても、チップ対応面8のチップ4の保持位置に影響を与えない程度のものとなる範囲である。この範囲Hは、吸着部材6の材質や大きさ等によって、ユーザが任意に設定することができる。   In the range H, no positional deviation occurs between the holding position of the chip 4 on the chip corresponding surface 8 immediately before the first bonding start B1 and the holding position of the chip 4 on the chip corresponding surface 8 immediately before the start of bonding during continuous operation. It is a range. That is, if the temperature of the chip corresponding surface 8 immediately before the start of bonding is too lower than Tc, the adsorption member 6 is thermally contracted, and this thermal contraction causes a shift of the holding position of the chip 4 on the chip corresponding surface 8. . In this case, even if the temperature of the chip-corresponding surface 8 immediately before the start of bonding is different from Tc, the difference is such that thermal contraction does not occur, or even if thermal contraction occurs, the chip 4 on the chip-corresponding surface 8 If the difference does not affect the holding position, the accuracy of the bonding position in the planar direction does not deteriorate. That is, the range H is a temperature difference ΔT (that is, a difference between Tc and T (B1)) that does not cause thermal contraction, or even if thermal contraction occurs, the chip on the chip corresponding surface 8 4 is a range that does not affect the holding position. This range H can be arbitrarily set by the user depending on the material and size of the adsorption member 6.

このように、表面加熱手段15は、温度差ΔTが範囲H内となるように、最初のピックアップ前のチップ対応面8の温度T(B0)を設定することにより、温度T(B1)がTcと相違していても、最初のボンディング開始直前時B1におけるチップ対応面8のチップ4の保持位置と、連続運転中のボンディング開始直前時におけるチップ対応面8のチップ4の保持位置とで位置ずれが生じることがない。   Thus, the surface heating means 15 sets the temperature T (B0) of the chip corresponding surface 8 before the first pick-up so that the temperature difference ΔT is within the range H, so that the temperature T (B1) becomes Tc. Even if they are different from each other, the positional deviation between the holding position of the chip 4 on the chip corresponding surface 8 immediately before the start of the first bonding B1 and the holding position of the chip 4 on the chip corresponding surface 8 immediately before the start of bonding during continuous operation. Will not occur.

本発明のダイボンダ及びボンディング方法は、最初のボンディング又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディングの際に、チップ4のボンディング位置のずれを抑えることができて、平面方向でのボンディング位置の精度が良いものとなる。   The die bonder and bonding method of the present invention can suppress the deviation of the bonding position of the chip 4 at the first bonding after the predetermined time has elapsed after the first bonding or reciprocating operation, and the bonding position in the planar direction can be suppressed. The accuracy will be good.

以上、本発明の実施形態につき説明したが、本発明は前記実施形態に限定されることなく種々の変形が可能であって、例えば、温度T(B1)は、温度Tcよりも高温であってもよい。表面加熱手段15は、チップ対応面8を均一に加熱するという点ではステージが望ましいが、チップ対応面8に対して高温ガス等を吹き付けるものであってもよい。表面加熱手段15の位置は、省スペースという点でピックアップポジション1とボンディングポジション2との間が望ましいが、この位置に限られない。また、チップ4は、ダイアタッチフィルムが貼り付けられたものではなく、接合時に加熱が必要なものであれば、ペースト状の接着剤等であってもよい。ボンディングの際の加熱手段として、ボンディングステージ13にヒーター機能を備えている必要はなく、ボンディングステージ13とは別に加熱手段が設けられていてもよい。制御手段17は省略してもよい。   As described above, the embodiments of the present invention have been described. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible. For example, the temperature T (B1) is higher than the temperature Tc. Also good. The surface heating means 15 is desirably a stage in terms of uniformly heating the chip-corresponding surface 8, but may be one that sprays a high-temperature gas or the like on the chip-corresponding surface 8. The position of the surface heating means 15 is preferably between the pickup position 1 and the bonding position 2 in terms of space saving, but is not limited to this position. Moreover, the chip | tip 4 is not what the die attach film was affixed, and may be a paste-form adhesive etc., if a heating is required at the time of joining. As a heating means at the time of bonding, the bonding stage 13 does not need to have a heater function, and a heating means may be provided separately from the bonding stage 13. The control means 17 may be omitted.

1 ピックアップポジション
2 ボンディングポジション
4 チップ
5 コレット
6 吸着部材
8 チップ対応面
14 基材
15 表面加熱手段
16 加熱ステージ
17 制御手段
H 範囲
T 温度
ΔT 温度差
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pickup position 2 Bonding position 4 Chip 5 Collet 6 Adsorption member 8 Chip corresponding surface 14 Base material 15 Surface heating means 16 Heating stage 17 Control means H Range T Temperature ΔT Temperature difference

Claims (8)

断熱材の表面をチップ対応面として、チップ対応面にチップを当接させて保持するコレットを有し、前記コレットにて、ピックアップポジションでチップをピックアップし、ボンディングポジションで加熱しながら基材にチップをボンディングし、ピックアップポジションとボンディングポジション間を往復動作するダイボンダにおいて、
最初のピックアップ前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のピックアップ前に、前記チップ対応面をチップ側から加熱して、最初のボンディング前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディング前におけるチップ対応面の温度と、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面の温度との温度差を、加熱しないときの温度差よりも減少させる表面加熱手段を設けたことを特徴とするダイボンダ。
The surface of the heat insulating material is a chip-compatible surface, and it has a collet that holds the chip in contact with the chip-compatible surface. With the collet, the chip is picked up at the pickup position and heated at the bonding position to the chip on the substrate. In the die bonder that reciprocates between the pickup position and the bonding position,
Before the first pick-up or after the predetermined time has elapsed after the reciprocating operation, before the first pick-up, the chip-corresponding surface is heated from the chip side and before the first bonding or after the predetermined time has elapsed after the reciprocating operation. A die bonder comprising a surface heating means for reducing the temperature difference between the temperature of the chip corresponding surface in the step and the temperature of the chip corresponding surface before bonding during continuous operation, compared to the temperature difference when not heating.
前記表面加熱手段は、
最初のボンディング前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディング前におけるチップ対応面の温度と、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面の温度との温度差が、最初のボンディング前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディング前におけるチップ対応面のチップの保持位置と、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面のチップの保持位置とで位置ずれが生じない範囲内
となるように、最初のピックアップ前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のピックアップ前におけるチップ対応面の温度を設定するものであることを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。
The surface heating means includes
The temperature difference between the temperature of the chip-corresponding surface before the first bonding before the first bonding or after a predetermined time has elapsed after the reciprocating operation and the temperature of the chip-corresponding surface before the bonding during the continuous operation is The position of the chip holding surface on the chip corresponding surface before the first bonding after a predetermined time has elapsed after the operation and the position of the chip holding surface on the chip corresponding surface before bonding during continuous operation are within a range in which no positional deviation occurs. 2. The die bonder according to claim 1, wherein the temperature of the chip-corresponding surface is set before the first pickup or before the first pickup after a predetermined time has elapsed after the reciprocating operation.
前記表面加熱手段は、前記チップ対応面よりも大きな平坦面を有する加熱ステージであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のダイボンダ。   The die bonder according to claim 1 or 2, wherein the surface heating means is a heating stage having a flat surface larger than the chip-corresponding surface. 所定時間往復動作がなかったときに前記表面加熱手段を加熱する制御手段を設けたことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のダイボンダ。   The die bonder according to any one of claims 1 to 3, further comprising control means for heating the surface heating means when there is no reciprocation for a predetermined time. 断熱材の表面をチップ対応面として、チップ対応面にチップを当接させて保持するコレットにて、ピックアップポジションでチップをピックアップし、ボンディングポジションで加熱しながら基材にチップをボンディングし、ピックアップポジションとボンディングポジション間を往復動作するボンディング方法において、
最初のピックアップ前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のピックアップ前に、前記チップ対応面をチップ側から加熱して、最初のボンディング前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディング前におけるチップ対応面の温度と、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面の温度との温度差を、加熱しないときの温度差よりも減少させることを特徴とするボンディング方法。
The surface of the heat insulating material is the chip-compatible surface, and the collet that holds the chip in contact with the chip-compatible surface picks up the chip at the pickup position, bonds the chip to the substrate while heating at the bonding position, and picks up the position. In the bonding method that reciprocates between the bonding position and
Before the first pick-up or after the predetermined time has elapsed after the reciprocating operation, before the first pick-up, the chip-corresponding surface is heated from the chip side and before the first bonding or after the predetermined time has elapsed after the reciprocating operation. A bonding method characterized in that the temperature difference between the temperature of the chip-corresponding surface and the temperature of the chip-corresponding surface before bonding during continuous operation is made smaller than the temperature difference when not heating.
最初のボンディング前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディング前におけるチップ対応面の温度と、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面の温度との温度差が、最初のボンディング前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のボンディング前におけるチップ対応面のチップの保持位置と、連続運転中のボンディング前におけるチップ対応面のチップの保持位置とで位置ずれが生じない範囲内
となるように、最初のピックアップ前又は往復動作後所定時間経過した後の最初のピックアップ前におけるチップ対応面の温度を設定することを特徴とする請求項5に記載のボンディング方法。
The temperature difference between the temperature of the chip-corresponding surface before the first bonding before the first bonding or after a predetermined time has elapsed after the reciprocating operation and the temperature of the chip-corresponding surface before the bonding during the continuous operation is The position of the chip holding surface on the chip corresponding surface before the first bonding after a predetermined time has elapsed after the operation and the position of the chip holding surface on the chip corresponding surface before bonding during continuous operation are within a range in which no positional deviation occurs. 6. The bonding method according to claim 5, wherein the temperature of the chip-corresponding surface is set before the first pickup or before the first pickup after a predetermined time has elapsed after the reciprocating operation.
前記チップ対応面よりも大きな加熱面をチップ対応面に接触させて、前記チップ対応面を加熱することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載のボンディング方法。   The bonding method according to claim 5 or 6, wherein a heating surface larger than the chip corresponding surface is brought into contact with the chip corresponding surface to heat the chip corresponding surface. 所定時間往復動作がなかったときに前記チップ対応面を加熱することを特徴とする請求項5〜請求項7のいずれか1項に記載のボンディング方法。   The bonding method according to claim 5, wherein the chip-corresponding surface is heated when there is no reciprocation for a predetermined time.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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