JP2017098327A - Laminated thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion device - Google Patents

Laminated thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion device Download PDF

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和也 畠山
Kazuya Hatakeyama
和也 畠山
倫之 中村
Michiyuki Nakamura
倫之 中村
昌啓 箕輪
Masahiro Minowa
昌啓 箕輪
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminated thermoelectric conversion module and a thermoelectric conversion device that are suitable in the case of being installed in various environments having different heat source temperatures.SOLUTION: A laminated thermoelectric conversion module is composed of a plurality of flat thermoelectric conversion modules laminated along a heat transfer direction. Each of the plurality of thermoelectric conversion modules includes a thermoelectric element group configured by collecting and connecting in series a number of structures, each of which is configured by connecting a columnar first thermoelectric element made of a p-type semiconductor with a columnar second thermoelectric element made of an n-type semiconductor in a π shape through a metal electrode. At least one of the plurality of thermoelectric conversion modules is a composite module obtained by combining a plurality of unit modules, the number of which is variable.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、適用温度範囲が異なる2種類以上の熱電変換モジュールが積層されてなる積層型熱電変換モジュール及び熱電変換装置に関する。   The present invention relates to a stacked thermoelectric conversion module and a thermoelectric conversion device in which two or more types of thermoelectric conversion modules having different application temperature ranges are stacked.

従来、熱電変換素子のゼーベック効果又はペルチェ効果を利用して、熱エネルギーを電気エネルギーに、又は電気エネルギーを熱エネルギーに直接変換する熱電変換モジュールが知られている。一般的な熱電変換モジュールは、p型半導体からなる熱電素子とn型半導体からなる熱電素子を、金属電極を介して「π」型に接続し、これを多数集合させて電気的に直列に接続した熱電素子群と、熱電素子群を支持する絶縁基板(例えばセラミック基板)と、を有する。   Conventionally, a thermoelectric conversion module that directly converts thermal energy into electrical energy or electrical energy into thermal energy using the Seebeck effect or Peltier effect of a thermoelectric conversion element is known. In general thermoelectric conversion modules, a thermoelectric element made of a p-type semiconductor and a thermoelectric element made of an n-type semiconductor are connected in a “π” type via a metal electrode, and a large number of these are assembled and electrically connected in series. A thermoelectric element group, and an insulating substrate (for example, a ceramic substrate) that supports the thermoelectric element group.

熱電変換モジュールは、可動部(機械的な駆動部分)を持たず構造が簡単であるため、摩耗劣化などの心配がなく信頼性・耐久性に優れる、メンテナンスが容易である、小型化・軽量化が容易で適用場所の制限が少ない、という利点がある。このような利点を有することから、大量の熱が排出される工業炉(電気炉や燃焼炉等、各種産業分野で溶解、精錬、加熱等の工程で使用される炉)にも比較的容易に設置することができる。また、熱電変換モジュールを用いた熱電発電装置は、二酸化炭素を排出することもなく、廃熱を回収してエネルギー源として再利用することができる技術として、環境保全や省エネルギーの観点から非常に注目されている。   The thermoelectric conversion module has no moving parts (mechanical drive parts) and has a simple structure, so there is no worry about wear deterioration, etc., it is excellent in reliability and durability, easy maintenance, miniaturization and weight reduction. However, there is an advantage that there are few restrictions on the application place. Because of these advantages, it is relatively easy for industrial furnaces (furnace used in melting, refining, and heating processes in various industrial fields such as electric furnaces and combustion furnaces) from which a large amount of heat is discharged. Can be installed. In addition, thermoelectric power generation devices using thermoelectric conversion modules have attracted considerable attention from the viewpoint of environmental conservation and energy saving as a technology that can recover waste heat and reuse it as an energy source without discharging carbon dioxide. Has been.

熱電変換モジュールにおいては、熱電素子に大きな温度差を付与することにより、得られる電力は増大する。しかしながら、熱電素子の熱電発電効率は温度に依存し、幅広い温度領域にわたって優れた発電特性を発揮する素子材料はない。   In the thermoelectric conversion module, the electric power obtained increases by giving a large temperature difference to the thermoelectric element. However, thermoelectric power generation efficiency of thermoelectric elements depends on temperature, and there is no element material that exhibits excellent power generation characteristics over a wide temperature range.

そこで、工業炉のように数百度以上の高温の熱源を利用して熱電発電を行う場合に好適な熱電変換モジュールとして、適用温度範囲が異なる2種類の熱電変換モジュールが積層されてなる積層型熱電変換モジュールが提案されている(例えば特許文献1)。適用温度範囲とは、熱電素子が劣化することなく、期待する熱電発電効率が得られる温度範囲である。積層型熱電変換モジュールでは、それぞれの熱電変換モジュールに、適用温度範囲内で可能な限り大きな温度差が付与されることが好ましい。   Therefore, as a thermoelectric conversion module suitable for performing thermoelectric power generation using a high-temperature heat source of several hundred degrees or more as in an industrial furnace, a laminated thermoelectric module in which two types of thermoelectric conversion modules having different application temperature ranges are laminated. A conversion module has been proposed (for example, Patent Document 1). The applied temperature range is a temperature range in which the expected thermoelectric power generation efficiency can be obtained without deterioration of the thermoelectric element. In the laminated thermoelectric conversion module, it is preferable that each thermoelectric conversion module is given a temperature difference as large as possible within the applicable temperature range.

図1は、積層型熱電変換モジュールMにおける熱伝達態様を示す図である。図1に示す高温側の熱電変換モジュールM1の熱抵抗R1は、高さd1に比例し、断面積(熱電素子の断面積の総和)A1に反比例する。したがって、熱電変換モジュールM1の断面積A1が大きい程、温度差ΔT1(T−T)は小さくなり、ΔT2(T−T)は大きくなる。逆に、断面積A1が小さい程、温度差ΔT1は大きくなり、ΔT2は小さくなる。また、熱電変換モジュールM1の高さd1が小さい程、温度差ΔT1は小さくなり、ΔT2は大きくなる。逆に、高さd1が大きい程、温度差ΔT1は大きくなり、ΔT2は小さくなる。低温側の熱電変換モジュールM2の断面積A2、高さd2についても同様のことがいえる。 FIG. 1 is a diagram showing a heat transfer mode in the laminated thermoelectric conversion module M. The thermal resistance R1 of the high-temperature-side thermoelectric conversion module M1 shown in FIG. 1 is proportional to the height d1, and inversely proportional to the cross-sectional area (sum of the cross-sectional areas of the thermoelectric elements) A1. Therefore, the larger the cross-sectional area A1 of the thermoelectric conversion module M1, the smaller the temperature difference ΔT1 (T H −T B ) and the larger ΔT2 (T B −T C ). Conversely, the smaller the cross-sectional area A1, the greater the temperature difference ΔT1 and the smaller ΔT2. Further, as the height d1 of the thermoelectric conversion module M1 is smaller, the temperature difference ΔT1 is smaller and ΔT2 is larger. Conversely, the greater the height d1, the greater the temperature difference ΔT1 and the smaller ΔT2. The same applies to the cross-sectional area A2 and the height d2 of the thermoelectric conversion module M2 on the low temperature side.

このように、熱電変換モジュールM1、M2の断面積A1、A2又は高さd1、d2を調整することにより、熱電変換モジュールM1、M2における温度勾配を調整することができ、それぞれの熱電変換モジュールM1、M2に、最適な温度差ΔT1、ΔT2を付与することができる(特許文献1の図9参照)。これにより、熱電変換モジュールM1、M2のモジュール性能を最大限に引き出すことができる。   Thus, by adjusting the cross-sectional areas A1 and A2 or the heights d1 and d2 of the thermoelectric conversion modules M1 and M2, the temperature gradient in the thermoelectric conversion modules M1 and M2 can be adjusted, and the respective thermoelectric conversion modules M1. , M2 can be provided with optimum temperature differences ΔT1 and ΔT2 (see FIG. 9 of Patent Document 1). Thereby, the module performance of the thermoelectric conversion modules M1 and M2 can be maximized.

特開2013−26334号公報JP 2013-26334 A

しかしながら、熱電変換モジュールの高さ又は断面積を調整する場合、熱源温度に応じて適切な寸法の熱電変換モジュールを設計することになり、熱電モジュールの仕様が多様化され、製造コストが増大する虞がある。特に、熱電変換モジュールの高さを変更する場合、熱電変換装置の筐体寸法も変更する必要がある。   However, when adjusting the height or cross-sectional area of the thermoelectric conversion module, the thermoelectric conversion module having an appropriate dimension is designed according to the heat source temperature, and the specifications of the thermoelectric module may be diversified, resulting in an increase in manufacturing cost. There is. In particular, when changing the height of the thermoelectric conversion module, it is also necessary to change the housing dimensions of the thermoelectric conversion device.

本発明の目的は、熱源温度が異なる様々な環境に設置する場合に好適な積層型熱電変換モジュール及び熱電変換装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a laminated thermoelectric conversion module and a thermoelectric conversion device suitable for installation in various environments having different heat source temperatures.

本発明に係る積層型熱電変換モジュールは、平板状の複数の熱電変換モジュールが熱の伝達方向に沿って積層された積層型熱電変換モジュールであって、
前記複数の熱電変換モジュールは、それぞれ、p型半導体からなる柱状の第1の熱電素子及びn型半導体からなる柱状の第2の熱電素子を、金属電極を介してπ型に接続し、これを多数集合させて電気的に直列に接続した熱電素子群を有し、
前記複数の熱電変換モジュールのうちの少なくとも一つは、複数の単位モジュールを組み合わせた複合モジュールであり、前記単位モジュールの個数を変更可能であることを特徴とする。
The laminated thermoelectric conversion module according to the present invention is a laminated thermoelectric conversion module in which a plurality of flat thermoelectric conversion modules are laminated along a heat transfer direction,
Each of the plurality of thermoelectric conversion modules connects a columnar first thermoelectric element made of a p-type semiconductor and a columnar second thermoelectric element made of an n-type semiconductor to a π-type via a metal electrode. It has a group of thermoelectric elements that are assembled and electrically connected in series,
At least one of the plurality of thermoelectric conversion modules is a composite module in which a plurality of unit modules are combined, and the number of the unit modules can be changed.

本発明に係る熱電変換装置は、上記の積層型熱電変換モジュールと、
前記積層型熱電変換モジュールの高温側端面に配置され、前記積層型熱電変換モジュールを加熱する受熱板と、
前記積層型熱電変換モジュールの低温側端面に配置され、前記積層型熱電変換モジュールを冷却する冷却板と、
前記積層型熱電変換モジュール、前記受熱板及び前記冷却板を収容する筐体と、を備えることを特徴とする。
A thermoelectric conversion device according to the present invention includes the above-described laminated thermoelectric conversion module,
A heat receiving plate disposed on a high-temperature side end face of the laminated thermoelectric conversion module and heating the laminated thermoelectric conversion module;
A cooling plate that is disposed on a low-temperature side end face of the laminated thermoelectric conversion module and cools the laminated thermoelectric conversion module;
And a housing for housing the laminated thermoelectric conversion module, the heat receiving plate, and the cooling plate.

本発明によれば、単位モジュールの個数を調整することにより熱電変換モジュールに形成される温度勾配を調整し、それぞれの熱電変換モジュールに最適な温度差を付与することができるので、熱源温度が異なる様々な環境に設置する場合に、容易に対応することができる。   According to the present invention, the temperature gradient formed in the thermoelectric conversion module can be adjusted by adjusting the number of unit modules, and an optimum temperature difference can be given to each thermoelectric conversion module, so the heat source temperature is different. When installing in various environments, it can be easily handled.

積層型熱電変換モジュールにおける熱伝達態様を示す図である。It is a figure which shows the heat transfer aspect in a laminated | stacked thermoelectric conversion module. 本発明の一実施の形態に係る熱電変換装置を示す図である。It is a figure which shows the thermoelectric conversion apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 実施の形態に係る積層型熱電変換モジュールを示す図である。It is a figure which shows the laminated | stacked thermoelectric conversion module which concerns on embodiment. 単位モジュールの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a unit module. 積層型熱電変換モジュールにおける温度勾配を示す図である。It is a figure which shows the temperature gradient in a laminated | stacked thermoelectric conversion module.

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図2は、本発明の一実施の形態に係る熱電変換装置1を示す図である。図2に示すように、熱電変換装置1は、積層型熱電変換モジュール10、受熱板20、冷却板30、及び筐体40を有する。積層型熱電変換モジュール10、受熱板20、及び冷却板30は、例えば、筐体40に収容された状態で、冷却板30の背面(積層型熱電変換モジュール10と接触する面と反対の面)に補強梁60を介して押圧ボルト50を締め込むことにより、固定される。   FIG. 2 is a diagram showing a thermoelectric conversion device 1 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the thermoelectric conversion device 1 includes a stacked thermoelectric conversion module 10, a heat receiving plate 20, a cooling plate 30, and a housing 40. The laminated thermoelectric conversion module 10, the heat receiving plate 20, and the cooling plate 30 are, for example, the back surface of the cooling plate 30 (the surface opposite to the surface that contacts the laminated thermoelectric conversion module 10) while being accommodated in the housing 40. It is fixed by tightening the pressing bolt 50 through the reinforcing beam 60.

受熱板20は、積層型熱電変換モジュール10の高温側端面に接触して配置される。受熱板20は、例えば熱電変換装置1が設置される炉内の熱を吸収して、積層型熱電変換モジュール10を加熱する。加熱温度(熱源温度)は、熱電変換装置1が設置される環境に応じて変化する。   The heat receiving plate 20 is disposed in contact with the high temperature side end surface of the laminated thermoelectric conversion module 10. The heat receiving plate 20 absorbs heat in a furnace in which the thermoelectric conversion device 1 is installed, for example, and heats the laminated thermoelectric conversion module 10. The heating temperature (heat source temperature) varies depending on the environment in which the thermoelectric conversion device 1 is installed.

冷却板30は、積層型熱電変換モジュール10の低温側端面に接触して配置される。冷却板30は、例えば、金属製の板材に水を流通させるパイプを埋設した構成を有する。冷却板30に所定の流量で水を流すことにより、積層型熱電モジュール10の低温側を所定の温度に冷却することができる。冷却温度は、例えば30℃である。   The cooling plate 30 is disposed in contact with the low temperature side end face of the laminated thermoelectric conversion module 10. The cooling plate 30 has, for example, a configuration in which a pipe for circulating water is embedded in a metal plate material. By allowing water to flow through the cooling plate 30 at a predetermined flow rate, the low temperature side of the laminated thermoelectric module 10 can be cooled to a predetermined temperature. The cooling temperature is 30 ° C., for example.

積層型熱電変換モジュール10は、温度差を利用して発電出力を得ることができる平板状のモジュールである。熱電変換装置1においては、受熱板20から熱電変換モジュール10に熱が流入し、冷却板30に向かって伝達される。   The laminated thermoelectric conversion module 10 is a flat module that can obtain a power generation output using a temperature difference. In the thermoelectric conversion device 1, heat flows into the thermoelectric conversion module 10 from the heat receiving plate 20 and is transmitted toward the cooling plate 30.

図3は、積層型熱電変換モジュール10を示す図である。図3Aは、積層型熱電変換モジュール10の平面図であり、図3Bは、熱電変換モジュール10の断面図である。図3に示すように、積層型熱電変換モジュール10は、高温域用の第1の熱電変換モジュール11及び低温域用の第2の熱電変換モジュール12を有する。第1の熱電変換モジュール11と第2の熱電変換モジュール12の間には、金属製又はカーボン製の均熱板(図示略)が介在する。   FIG. 3 is a diagram showing the stacked thermoelectric conversion module 10. FIG. 3A is a plan view of the laminated thermoelectric conversion module 10, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the thermoelectric conversion module 10. As shown in FIG. 3, the stacked thermoelectric conversion module 10 includes a first thermoelectric conversion module 11 for a high temperature region and a second thermoelectric conversion module 12 for a low temperature region. A metal or carbon soaking plate (not shown) is interposed between the first thermoelectric conversion module 11 and the second thermoelectric conversion module 12.

第1の熱電変換モジュール11は、複数の単位モジュール11Sを組み合わせた複合モジュールである。本実施の形態では、単位モジュール11Sの個数は1〜9個であり、容易に変更することができる。また、単位モジュール11Sは、平面視で正方形状を有する。図3では、第1の熱電変換モジュール11は、単位モジュール11Sが2行2列で隙間なく配列され、全体として正方形状となっている。   The first thermoelectric conversion module 11 is a composite module in which a plurality of unit modules 11S are combined. In the present embodiment, the number of unit modules 11S is 1 to 9, and can be easily changed. The unit module 11S has a square shape in plan view. In FIG. 3, in the first thermoelectric conversion module 11, the unit modules 11 </ b> S are arranged in 2 rows and 2 columns with no gaps, and have a square shape as a whole.

第2の熱電変換モジュール12は、複数の単位モジュール12Sを組み合わせた複合モジュールである。本実施の形態では、単位モジュール12Sの個数は1〜9個であり、容易に変更することができる。また、単位モジュール12Sは、平面視で正方形状を有する。図3では、第2の熱電変換モジュール12は、単位モジュール12Sが3行3列で隙間なく配列され、全体として正方形状となっている。   The second thermoelectric conversion module 12 is a composite module in which a plurality of unit modules 12S are combined. In the present embodiment, the number of unit modules 12S is 1 to 9, and can be easily changed. The unit module 12S has a square shape in plan view. In FIG. 3, in the second thermoelectric conversion module 12, the unit modules 12S are arranged in 3 rows and 3 columns with no gaps, and have a square shape as a whole.

第1の熱電変換モジュール11を構成する単位モジュール11Sと第2の熱電変換モジュール12を構成する単位モジュール12Sの面積は同じであってもよいし、異なっていてもよい。単位モジュール11S、12Sの面積とは、単位モジュール11S、12Sを構成する絶縁基板104、105(図4参照)の面積である。また、単位モジュール11S、12Sの平面視における形状は、正方形状に限定されず、容易に組み合わせられる形状であればよい。   The area of the unit module 11S constituting the first thermoelectric conversion module 11 and the unit module 12S constituting the second thermoelectric conversion module 12 may be the same or different. The area of the unit modules 11S and 12S is the area of the insulating substrates 104 and 105 (see FIG. 4) constituting the unit modules 11S and 12S. Further, the shape of the unit modules 11S and 12S in plan view is not limited to a square shape, and may be any shape that can be easily combined.

図3に示すように、第1の熱電変換モジュール11のモジュール面積が第2の熱電変換モジュール12のモジュール面積よりも小さい場合、第1の熱電変換モジュール11は、平面視において、第2の熱電変換モジュール12の略中央に配置されるのが好ましい。また、第1の熱電変換モジュール11のモジュール面積が第2の熱電変換モジュール12のモジュール面積よりも大きい場合、第2の熱電変換モジュール12は、平面視において、第1の熱電変換モジュール11の略中央に配置されるのが好ましい。第1の熱電変換モジュール11のモジュール面積とは、単位モジュール11Sの面積の総和であり、第2の熱電変換モジュール12のモジュール面積とは、単位モジュール12Sの面積の総和である。   As shown in FIG. 3, when the module area of the first thermoelectric conversion module 11 is smaller than the module area of the second thermoelectric conversion module 12, the first thermoelectric conversion module 11 has the second thermoelectric module in plan view. It is preferable to be arranged at the approximate center of the conversion module 12. Moreover, when the module area of the 1st thermoelectric conversion module 11 is larger than the module area of the 2nd thermoelectric conversion module 12, the 2nd thermoelectric conversion module 12 is the abbreviation of the 1st thermoelectric conversion module 11 in planar view. It is preferable to arrange in the center. The module area of the first thermoelectric conversion module 11 is the sum of the areas of the unit modules 11S, and the module area of the second thermoelectric conversion module 12 is the sum of the areas of the unit modules 12S.

図4は、単位モジュール11S、12Sを示す図である。図4に示すように、単位モジュール11S、12Sは、それぞれ、熱電素子群110と、熱電素子群110を挟持する2枚の絶縁基板104、105を有する。熱電素子群110は、p型半導体からなる第1の熱電素子101及びn型半導体からなる第2の熱電素子102を、金属電極103を介して「π」型に接続し、これを多数集合させて電気的に直列に接続した構成を有する。以下において、第1の熱電素子101と第2の熱電素子102を区別しない場合は、「熱電素子101、102」と表記する。   FIG. 4 is a diagram showing the unit modules 11S and 12S. As shown in FIG. 4, each of the unit modules 11S and 12S includes a thermoelectric element group 110 and two insulating substrates 104 and 105 that sandwich the thermoelectric element group 110. The thermoelectric element group 110 connects a first thermoelectric element 101 made of a p-type semiconductor and a second thermoelectric element 102 made of an n-type semiconductor to a “π” type through a metal electrode 103, and a large number of these are assembled. And electrically connected in series. Hereinafter, when the first thermoelectric element 101 and the second thermoelectric element 102 are not distinguished, they are expressed as “thermoelectric elements 101 and 102”.

熱電素子101、102は、角柱状又は円柱状の部材である。熱電素子101、102を円柱状の部材で形成する場合、熱応力に対する耐性が向上する。   The thermoelectric elements 101 and 102 are prismatic or columnar members. When the thermoelectric elements 101 and 102 are formed of cylindrical members, resistance to thermal stress is improved.

第1の熱電変換モジュール11において、熱電素子101、102は、酸化物化合物半導体で形成される。第1の熱電素子101は、例えば実質的にCaCoからなるp型半導体で形成される。第2の熱電素子102は、例えば実質的にCaMnOからなるn型半導体で形成される。この場合、第1の熱電変換モジュール11の適用温度範囲は900℃以下となる。 In the first thermoelectric conversion module 11, the thermoelectric elements 101 and 102 are formed of an oxide compound semiconductor. The first thermoelectric element 101 is formed of a p-type semiconductor substantially made of, for example, Ca 3 Co 4 O 9 . The second thermoelectric element 102 is formed of, for example, an n-type semiconductor substantially made of CaMnO 3 . In this case, the application temperature range of the first thermoelectric conversion module 11 is 900 ° C. or less.

「実質的にCaCoからなる」とは、必須成分Ca、Co及びO以外の任意成分を含んでいてもよいことを意味し、一般式CaCo(M:Na、K、Li、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Pb、Sr、Ba、Al、Bi、Y及びランタノイドを含む群から選択される少なくとも一種の元素、2.2≦a≦3.6、0≦b≦0.8、8≦c≦10)で表される。 “Substantially consists of Ca 3 Co 4 O 9 ” means that an optional component other than the essential components Ca, Co and O may be included, and the general formula Ca a M b Co 4 O c (M : At least one element selected from the group comprising Na, K, Li, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Sr, Ba, Al, Bi, Y and a lanthanoid; 2 ≦ a ≦ 3.6, 0 ≦ b ≦ 0.8, 8 ≦ c ≦ 10).

「実質的にCaMnOからなる」とは、必須成分Ca、Mn及びO以外の任意成分を含んでいてもよいことを意味し、一般式Ca1−x Mn1−y (M:Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Yb、Dy、Ho、Er、Tm、Tb、Lu、Sr、Ba、Al、Bi、Y及びLaを含む群から選択される少なくとも一種の元素、M:Ta、Nb、W及びMoを含む群から選択される少なくとも一種の元素、0≦x≦0.5、0≦y≦0.2、2.7≦z≦3.3)で表される。 The phrase “consisting essentially of CaMnO 3 ” means that an optional component other than the essential components Ca, Mn and O may be included, and the general formula Ca 1-x M 1 x Mn 1-y M 2 y O z (M 1 : selected from the group comprising Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Yb, Dy, Ho, Er, Tm, Tb, Lu, Sr, Ba, Al, Bi, Y and La At least one element, M 2 : at least one element selected from the group comprising Ta, Nb, W and Mo, 0 ≦ x ≦ 0.5, 0 ≦ y ≦ 0.2, 2.7 ≦ z ≦ 3 .3).

第2の熱電変換モジュール12において、熱電素子101、102は、ビスマス・テルル系半導体で形成される。この場合、第2の熱電変換モジュール11の適用温度範囲は、200℃以下となる。第1の熱電素子101は、例えばBiの一部をSbで置換したp型BiSbTeで形成される。第2の熱電素子102は、例えばTeの一部をSeで置換したn型BiTeSeで形成される。   In the second thermoelectric conversion module 12, the thermoelectric elements 101 and 102 are formed of a bismuth / tellurium-based semiconductor. In this case, the application temperature range of the second thermoelectric conversion module 11 is 200 ° C. or less. The first thermoelectric element 101 is formed of, for example, p-type BiSbTe in which a part of Bi is replaced with Sb. The second thermoelectric element 102 is made of, for example, n-type BiTeSe in which a part of Te is replaced with Se.

金属電極103は、例えばAgで形成される。熱電素子101、102と金属電極103は、例えば半田付けにより接合される。   The metal electrode 103 is made of, for example, Ag. The thermoelectric elements 101 and 102 and the metal electrode 103 are joined by soldering, for example.

絶縁基板104、105は、例えばセラミック基板である。絶縁基板104、105は、隣接する単位モジュール11S、12Sと係合するための係合溝又は係合片を有していてもよい。これにより、単位モジュール11S、12Sを容易に隙間なく配列することができる。   The insulating substrates 104 and 105 are, for example, ceramic substrates. The insulating substrates 104 and 105 may have engagement grooves or engagement pieces for engaging with the adjacent unit modules 11S and 12S. Thereby, the unit modules 11S and 12S can be easily arranged without a gap.

熱電変換装置1が炉内に設置され、第1の熱電変換モジュール11及び第2の熱電変換モジュール12のそれぞれに温度差が付与されると、起電力が生じる。この電力は、それぞれの単位モジュール11S、12Sの電流リード106、107を介して取り出される。なお、第1の熱電変換モジュール11において、隣接する単位モジュール11Sの電流リード106、107を接続してもよい。第2の熱電変換モジュール12についても同様である。   When the thermoelectric conversion device 1 is installed in the furnace and a temperature difference is applied to each of the first thermoelectric conversion module 11 and the second thermoelectric conversion module 12, an electromotive force is generated. This electric power is taken out through the current leads 106 and 107 of the respective unit modules 11S and 12S. In the first thermoelectric conversion module 11, the current leads 106 and 107 of the adjacent unit modules 11S may be connected. The same applies to the second thermoelectric conversion module 12.

第1の熱電変換モジュール11を構成する単位モジュール11Sの個数及び第2の熱電変換モジュール12を構成する単位モジュール12Sの個数は、熱電変換装置1が設置される環境の熱源温度に応じて設定される。単位モジュール11S、12Sの個数を変更しても、積層型熱電変換モジュール10の高さは同じなので、筐体40の寸法を変更する必要はない。   The number of unit modules 11S constituting the first thermoelectric conversion module 11 and the number of unit modules 12S constituting the second thermoelectric conversion module 12 are set according to the heat source temperature of the environment where the thermoelectric conversion device 1 is installed. The Even if the number of unit modules 11S and 12S is changed, the height of the stacked thermoelectric conversion module 10 is the same, and therefore the dimensions of the housing 40 need not be changed.

本実施の形態では、第1の熱電変換モジュール11と第2の熱電変換モジュール12の接合部分の境界温度(均熱板の温度)が、第2の熱電変換モジュール12の耐用温度(適用温度範囲の上限)である200℃となるように、単位モジュール11S、12Sの個数が調整される。例えば、熱源温度が800℃である場合、第1の熱電変換モジュール11には600℃の温度差が付与されることになる。   In the present embodiment, the boundary temperature (temperature of the soaking plate) of the joint portion between the first thermoelectric conversion module 11 and the second thermoelectric conversion module 12 is the service temperature of the second thermoelectric conversion module 12 (applicable temperature range). The number of unit modules 11S and 12S is adjusted so as to be 200 ° C., which is the upper limit of the above. For example, when the heat source temperature is 800 ° C., a temperature difference of 600 ° C. is given to the first thermoelectric conversion module 11.

このとき、第1の熱電変換モジュール11及び第2の熱電変換モジュール12のうち、出力性能の高い方の個数が最大(本実施の形態では9個)に設定され、出力性能の低い方の個数が調整されるのが好ましい。本実施の形態の場合、第2の熱電変換モジュール12の出力性能が高いので、第1の熱電変換モジュール11を構成する単位モジュール11Sの個数が調整される。これにより、積層型熱電変換モジュール10のモジュール性能を最大限に活かすことができる。   At this time, of the first thermoelectric conversion module 11 and the second thermoelectric conversion module 12, the number with the higher output performance is set to the maximum (9 in this embodiment), and the number with the lower output performance is set. Is preferably adjusted. In the case of this embodiment, since the output performance of the second thermoelectric conversion module 12 is high, the number of unit modules 11S constituting the first thermoelectric conversion module 11 is adjusted. Thereby, the module performance of the laminated thermoelectric conversion module 10 can be utilized to the maximum extent.

このように、積層型熱電変換モジュール10は、 平板状の第1の熱電変換モジュール11及び第2の熱電変換モジュール12(複数の熱電変換モジュール)が熱の伝達方向に沿って積層された積層型熱電変換モジュールである。第1の熱電変換モジュール11及び第2の熱電変換モジュール12は、それぞれ、p型半導体からなる柱状の第1の熱電素子101及びn型半導体からなる柱状の第2の熱電素子102を、金属電極103を介してπ型に接続し、これを多数集合させて電気的に直列に接続した熱電素子群110を有する。第1の熱電変換モジュール11及び第2の熱電変換モジュール12(複数の熱電変換モジュールのうちの少なくとも一つ)は、それぞれ複数の単位モジュール11S、12Sを組み合わせた複合モジュールであり、単位モジュール11S、12Sの個数を変更可能となっている。   Thus, the laminated thermoelectric conversion module 10 is a laminated type in which the first thermoelectric conversion module 11 and the second thermoelectric conversion module 12 (a plurality of thermoelectric conversion modules) are laminated along the heat transfer direction. It is a thermoelectric conversion module. The first thermoelectric conversion module 11 and the second thermoelectric conversion module 12 are respectively composed of a columnar first thermoelectric element 101 made of a p-type semiconductor and a columnar second thermoelectric element 102 made of an n-type semiconductor. The thermoelectric element group 110 is connected in a π-type via 103, and a large number of them are assembled and electrically connected in series. The first thermoelectric conversion module 11 and the second thermoelectric conversion module 12 (at least one of the plurality of thermoelectric conversion modules) are composite modules in which a plurality of unit modules 11S and 12S are combined, respectively. The number of 12S can be changed.

積層型熱電変換モジュール10によれば、単位モジュール11S、12Sの個数を調整することにより第1の熱電変換モジュール11及び第2の熱電変換モジュール12に形成される温度勾配を調整し、最適な温度差を付与することができるので、熱源温度が異なる様々な環境に設置する場合に、容易に対応することができる。また、同一設計の単位モジュール11S、12Sを用いるので、熱源ごとに適した寸法の熱電変換モジュールを設計する必要はなく、筐体40の寸法を変更する必要もない。   According to the laminated thermoelectric conversion module 10, the temperature gradient formed in the first thermoelectric conversion module 11 and the second thermoelectric conversion module 12 is adjusted by adjusting the number of unit modules 11S and 12S, and the optimum temperature Since a difference can be given, when installing in various environments where heat source temperatures differ, it can respond easily. Further, since the unit modules 11S and 12S having the same design are used, it is not necessary to design a thermoelectric conversion module having a size suitable for each heat source, and it is not necessary to change the size of the housing 40.

[実施例]
実施例では、以下の構成を有する積層型熱電変換モジュールを作製した。
第1の熱電変換モジュール:最大9個の単位モジュールからなる複合モジュール
第1の熱電素子:
素子材料:実質的にCaCoからなるp型半導体
素子サイズ:
断面積:10〜20mm、高さ:4〜10mm(角柱)
第2の熱電素子:
素子材料:例えばCaMnOからなるn型半導体
素子サイズ:
断面積:10〜15mm、高さ:第1の熱電素子と同じ(角柱)
絶縁基板:
基板材料:セラミック基板
基板サイズ:60mm×60mm(正方形板)
素子占有率(絶縁基板の面積に対する熱電素子の断面積):50〜80%
適用温度範囲:900℃以下
第2の熱電変換モジュール:最大9個の単位モジュールからなる複合モジュール
第1の熱電素子:
素子材料:ビスマス・テルル系のp型半導体
素子サイズ:
断面積:2〜5mm、高さ:1〜3mm(円柱)
第2の熱電素子:
素子材料:ビスマス・テルル系のn型半導体
素子サイズ:
断面積:2〜5mm、高さ:第1の熱電素子と同じ(円柱)
絶縁基板:
基板材料:セラミック基板
基板サイズ:60mm×60mm(正方形板)
素子占有率:30〜60%
適用温度範囲:200℃以下
[Example]
In the example, a laminated thermoelectric conversion module having the following configuration was manufactured.
First thermoelectric conversion module: Composite module composed of a maximum of nine unit modules First thermoelectric element:
Element material: p-type semiconductor substantially composed of Ca 3 Co 4 O 9 Element size:
Cross-sectional area: 10 to 20 mm 2 , height: 4 to 10 mm (rectangular column)
Second thermoelectric element:
Element material: n-type semiconductor made of, for example, CaMnO 3 Element size:
Cross-sectional area: 10 to 15 mm 2 , height: the same as the first thermoelectric element (rectangular column)
Insulating substrate:
Substrate material: Ceramic substrate Substrate size: 60mm x 60mm (square plate)
Element occupation ratio (cross-sectional area of thermoelectric element with respect to area of insulating substrate): 50 to 80%
Applicable temperature range: 900 ° C. or less Second thermoelectric conversion module: Composite module composed of a maximum of nine unit modules First thermoelectric element:
Element material: Bismuth-tellurium p-type semiconductor Element size:
Cross-sectional area: 2-5 mm 2 , height: 1-3 mm (cylinder)
Second thermoelectric element:
Device material: Bismuth-tellurium n-type semiconductor Device size:
Cross-sectional area: 2 to 5 mm 2 , height: the same as the first thermoelectric element (cylinder)
Insulating substrate:
Substrate material: Ceramic substrate Substrate size: 60mm x 60mm (square plate)
Element occupancy: 30-60%
Applicable temperature range: 200 ° C or less

図5Aは、第1の熱電変換モジュールの単位モジュールを3個、第2の熱電変換モジュールの単位モジュールを9個としたときの積層型熱電電変換モジュールにおける温度勾配を示す図である。この場合、第1の熱電変換モジュールと第2の熱電変換モジュールの面積比A1/A2は33.3%である。図5Aに示すように、第1の熱電変換モジュールの単位モジュールを3個とした場合、熱源温度が800℃である場合に、境界温度が180〜220(200℃近傍)となる。すなわち、積層型熱電変換モジュールを、熱源温度が800℃である環境に設置する場合に、第2の熱電変換モジュールの出力性能を最大限に引き出すことができる。   FIG. 5A is a diagram illustrating a temperature gradient in the stacked thermoelectric conversion module when there are three unit modules of the first thermoelectric conversion module and nine unit modules of the second thermoelectric conversion module. In this case, the area ratio A1 / A2 between the first thermoelectric conversion module and the second thermoelectric conversion module is 33.3%. As shown in FIG. 5A, when the number of unit modules of the first thermoelectric conversion module is three, the boundary temperature is 180 to 220 (near 200 ° C.) when the heat source temperature is 800 ° C. That is, when the stacked thermoelectric conversion module is installed in an environment where the heat source temperature is 800 ° C., the output performance of the second thermoelectric conversion module can be maximized.

図5Bは、第1の熱電変換モジュールの単位モジュールを9個、第2の熱電変換モジュールの単位モジュールを9個としたときの積層型熱電電変換モジュールにおける温度勾配を示す図である。この場合、第1の熱電変換モジュールと第2の熱電変換モジュールの面積比A1/A2は100%である。図5Bに示すように、第1の熱電変換モジュールの単位モジュールを9個とした場合、熱源温度が400℃である場合に、境界温度が180〜220(200℃近傍)となる。すなわち、積層型熱電変換モジュールを、熱源温度が400℃である環境に設置する場合に、第2の熱電変換モジュールの出力性能を最大限に引き出すことができる。   FIG. 5B is a diagram illustrating a temperature gradient in the stacked thermoelectric conversion module when the number of unit modules of the first thermoelectric conversion module is nine and the number of unit modules of the second thermoelectric conversion module is nine. In this case, the area ratio A1 / A2 of the first thermoelectric conversion module and the second thermoelectric conversion module is 100%. As shown in FIG. 5B, when the number of unit modules of the first thermoelectric conversion module is nine, the boundary temperature is 180 to 220 (near 200 ° C.) when the heat source temperature is 400 ° C. That is, when the stacked thermoelectric conversion module is installed in an environment where the heat source temperature is 400 ° C., the output performance of the second thermoelectric conversion module can be maximized.

このように、積層型熱電変換モジュールは、熱源温度が異なる様々な環境に設置する場合に、容易に対応することができる。   As described above, the laminated thermoelectric conversion module can easily cope with installation in various environments having different heat source temperatures.

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and can be changed without departing from the gist thereof.

例えば、実施の形態において、第1の熱電変換モジュール11、第2の熱電変換モジュール12は、絶縁基板104、105のうちの一方を設けないハーフスケルトン型の熱電変換モジュールであってもよい。   For example, in the embodiment, the first thermoelectric conversion module 11 and the second thermoelectric conversion module 12 may be a half skeleton type thermoelectric conversion module in which one of the insulating substrates 104 and 105 is not provided.

また例えば、積層型熱電変換モジュールを構成する熱電変換モジュールは、3層以上であってもよく、この場合、少なくとも一つの熱電変換モジュールが複合モジュールであればよい。   For example, the thermoelectric conversion module which comprises a laminated | stacked thermoelectric conversion module may be three or more layers, and in this case, at least one thermoelectric conversion module should just be a composite module.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

1 熱電変換装置
10 積層型熱電変換モジュール
11 第1の熱電変換モジュール(高温域用)
12 第2の熱電変換モジュール(低温域用)
11S、12S 単位モジュール
101 第1の熱電素子
102 第2の熱電素子
103 金属電極
104、105 絶縁基板
106、107 電流リード
110 熱電素子群
20 受熱板
30 冷却板
40 筐体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thermoelectric conversion apparatus 10 Stack type thermoelectric conversion module 11 1st thermoelectric conversion module (for high temperature regions)
12 Second thermoelectric conversion module (for low temperature range)
11S, 12S Unit module 101 First thermoelectric element 102 Second thermoelectric element 103 Metal electrode 104, 105 Insulating substrate 106, 107 Current lead 110 Thermoelectric element group 20 Heat receiving plate 30 Cooling plate 40 Housing

Claims (7)

平板状の複数の熱電変換モジュールが熱の伝達方向に沿って積層された積層型熱電変換モジュールであって、
前記複数の熱電変換モジュールは、それぞれ、p型半導体からなる柱状の第1の熱電素子及びn型半導体からなる柱状の第2の熱電素子を、金属電極を介してπ型に接続し、これを多数集合させて電気的に直列に接続した熱電素子群を有し、
前記複数の熱電変換モジュールのうちの少なくとも一つは、複数の単位モジュールを組み合わせた複合モジュールであり、前記単位モジュールの個数を変更可能であることを特徴とする積層型熱電変換モジュール。
A laminated thermoelectric conversion module in which a plurality of plate-like thermoelectric conversion modules are laminated along a heat transfer direction,
Each of the plurality of thermoelectric conversion modules connects a columnar first thermoelectric element made of a p-type semiconductor and a columnar second thermoelectric element made of an n-type semiconductor to a π-type via a metal electrode. It has a group of thermoelectric elements that are assembled and electrically connected in series,
At least one of the plurality of thermoelectric conversion modules is a composite module obtained by combining a plurality of unit modules, and the number of the unit modules can be changed.
前記複数の熱電変換モジュールは、高温域用の第1の熱電変換モジュール及び低温域用の第2の熱電変換モジュールで構成されることを特徴とする請求項1に記載の積層型熱電変換モジュール。   The stacked thermoelectric conversion module according to claim 1, wherein the plurality of thermoelectric conversion modules includes a first thermoelectric conversion module for a high temperature region and a second thermoelectric conversion module for a low temperature region. 前記第1の熱電変換モジュールは、前記第1の熱電素子が実質的にCaCoからなるp型半導体で形成され、前記第2の熱電素子が実質的にCaMnOからなるn型半導体で形成され、
前記第2の熱電変換モジュールは、前記第1の熱電素子及び前記第2の熱電素子がビスマス・テルル系半導体で形成されることを特徴とする請求項2に記載の積層型熱電変換モジュール。
In the first thermoelectric conversion module, the first thermoelectric element is formed of a p-type semiconductor substantially made of Ca 3 Co 4 O 9 , and the second thermoelectric element is made of CaMnO 3 substantially Formed of semiconductor,
3. The stacked thermoelectric conversion module according to claim 2, wherein the first thermoelectric element and the second thermoelectric element are formed of a bismuth-tellurium-based semiconductor.
前記第1の熱電変換モジュールは、前記第1の熱電素子及び前記第2の熱電素子の占有率(基板の面積に対する熱電素子の断面積)が50〜80%、高さが4〜10mmであり、
前記第2の熱電変換モジュールは、前記第1の熱電素子及び前記第2の熱電素子の占有率が30〜60%、高さが1〜3mmであり、
前記第1の熱電変換モジュールの面積A1(基板面積の総和)と前記第2の熱電変換モジュールの面積A2との比率A1/A2が25%〜45%であることを特徴とすることを特徴とする請求項3に記載の積層型熱電変換モジュール。
In the first thermoelectric conversion module, the occupation ratio of the first thermoelectric element and the second thermoelectric element (the cross-sectional area of the thermoelectric element with respect to the area of the substrate) is 50 to 80%, and the height is 4 to 10 mm. ,
In the second thermoelectric conversion module, the occupation ratio of the first thermoelectric element and the second thermoelectric element is 30 to 60%, and the height is 1 to 3 mm.
A ratio A1 / A2 of the area A1 (total substrate area) of the first thermoelectric conversion module and the area A2 of the second thermoelectric conversion module is 25% to 45%, The laminated thermoelectric conversion module according to claim 3.
前記第1の熱電変換モジュールは、前記第1の熱電素子の断面積が10〜20mm、前記第2の熱電素子の断面積が10〜15mmであり、
前記第2の熱電変換モジュールは、前記第1の熱電素子及び前記第2の熱電素子の断面積が2〜5mmであることを特徴とする請求項4に記載の積層型熱電変換モジュール。
In the first thermoelectric conversion module, a cross-sectional area of the first thermoelectric element is 10 to 20 mm 2 , and a cross-sectional area of the second thermoelectric element is 10 to 15 mm 2 .
5. The stacked thermoelectric conversion module according to claim 4, wherein the second thermoelectric conversion module has a cross-sectional area of 2 to 5 mm 2 between the first thermoelectric element and the second thermoelectric element.
前記第1の熱電変換モジュールが、前記複合モジュールであることを特徴とする請求項3から5のいずれか一項に記載の積層型熱電変換モジュール。   The stacked thermoelectric conversion module according to any one of claims 3 to 5, wherein the first thermoelectric conversion module is the composite module. 請求項1から6のいずれか一項に記載の積層型熱電変換モジュールと、
前記積層型熱電変換モジュールの高温側端面に配置され、前記積層型熱電変換モジュールを加熱する受熱板と、
前記積層型熱電変換モジュールの低温側端面に配置され、前記積層型熱電変換モジュールを冷却する冷却板と、
前記積層型熱電変換モジュール、前記受熱板及び前記冷却板を収容する筐体と、を備える熱電変換装置。
The laminated thermoelectric conversion module according to any one of claims 1 to 6,
A heat receiving plate disposed on a high-temperature side end face of the laminated thermoelectric conversion module and heating the laminated thermoelectric conversion module;
A cooling plate that is disposed on a low-temperature side end face of the laminated thermoelectric conversion module and cools the laminated thermoelectric conversion module;
A thermoelectric conversion device comprising: the stacked thermoelectric conversion module, the heat receiving plate, and a housing that houses the cooling plate.
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