JP2017094085A - 多孔(hyper−apertured)アブレーション電極 - Google Patents
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Abstract
Description
このトランスデューサーは、孔を通じて超音波を送信するように構成される。
本発明の実施形態では、体内プローブ(例えば、カテーテル)が患者に挿入され、この体内プローブは、その遠位端にアブレーション電極を備える。アブレーション電極を患者の組織に接触させ、続いてアブレーション電流をアブレーション電極から(例えば、電極の全表面からなど少なくとも電極の遠位面から)組織内に流し、そのようにして組織を抵抗加熱して組織に非導電性損傷を作製する。アブレーション電流を組織内に流す間、潅注流体はアブレーション電極から電極付近の血液中に排出されてもよく、その結果血液を冷却及び希釈して血液が凝固するのを防ぐことに役立つ。
(i)遠位面内の孔は、トランスデューサーからの超音波、並びに組織からの反射が、過度に弱められることなく遠位面を通過できるようにする。
(ii)アブレーション電流を組織内に流す間、潅注流体は孔から排出されてもよい。
(iii)アブレーション電流は、多孔遠位面から流れてもよく、及び又は多孔遠位面を使用して組織の電気活動を感知することができる。
(iv)多孔遠位面は、そうしないとトランスデューサーを損傷する恐れがある機械力からトランスデューサーを保護し得る。
(v)フェーズドアレイ超音波技法を使用して組織の厚さを予測することができる。
図1を最初に参照すると、この図は、本発明の実施形態による、心臓アブレーション療法のためのシステム20の概略的な図である。手術者28(インターベンショナル心臓内科医など)が、患者26の脈管系を経由して患者の心臓24の室へとカテーテル22など体内プローブを挿入する。例えば、心房細動を治療するために、操作者はカテーテルを左心房に前進させて、カテーテルの遠位端でアブレーション電極30をモニタされ及び/又はアブレーションされる心筋組織と接触させてもよい。
(1) 装置であって、
空洞を画定するように成形されたアブレーション電極であって、複数の孔を画定するように成形される金属性遠位面を備える、アブレーション電極と、
前記孔へ流体を送達するように構成されている流体送達チャネルと、
前記アブレーション電極の前記空洞内に配設された少なくとも1つの超音波トランスデューサーであって、前記トランスデューサーが前記孔を通じて超音波を送信するように構成されている、超音波トランスデューサーと、を備える装置。
(2) 前記孔の全表面積が、前記遠位面の全表面積の少なくとも20%である、実施態様1に記載の装置。
(3) 前記孔の前記全表面積が、前記遠位面の前記全表面積の50%未満である、実施態様2に記載の装置。
(4) 前記遠位面が、少なくとも100個の孔を画定するように成形されている、実施態様1に記載の装置。
(5) 前記遠位面が、少なくとも200個の孔を画定するように成形されている、実施態様4に記載の装置。
(7) 前記遠位面の厚さが、0.075〜0.5mmである、実施態様1に記載の装置。
(8) 前記遠位面が、メッシュを備える、実施態様1に記載の装置。
(9) 前記メッシュの一部分が、前記アブレーション電極の側壁を画定する、実施態様8に記載の装置。
(10) 前記トランスデューサーが、前記遠位面から少なくとも0.5mmの位置に配設されている、実施態様1に記載の装置。
(12) 前記複数の超音波トランスデューサーが、超音波トランスデューサーのアレイを備える、実施態様11に記載の装置。
(13) 方法であって、
アブレーション電極を患者に挿入することであって、前記電極は、複数の孔を画定するように成形される遠位面を含む、ことと、
続いて、前記アブレーション電極の空洞内に配設された少なくとも1つの超音波トランスデューサーから、前記孔を通じて少なくとも1つの超音波を送信することと、
前記トランスデューサーによって受信された前記超音波の反射に応じて、前記患者の組織の厚さを予測することと、
前記予測された厚さに応じて、アブレーション電流の特性を設定することと、
(i)前記アブレーション電流を前記アブレーション電極の少なくとも前記遠位面から前記組織内に流し、同時に(ii)流体を、前記孔を通じて前記アブレーション電極の外に排出することと、を含む方法。
(14) 前記流体が塩水を含む、実施態様13に記載の方法。
(15) 前記少なくとも1つの超音波を送信することが、前記アブレーション電流を流す間に前記少なくとも1つの超音波を送信することを含む、実施態様13に記載の方法。
(17) 前記組織が心組織を含む、実施態様13に記載の方法。
(18) 前記組織の電気活動を感知するために前記遠位面を使用することを更に含む、実施態様13に記載の方法。
(19) 前記少なくとも1つの超音波トランスデューサーが、超音波トランスデューサーのアレイを含み、前記少なくとも1つの超音波を送信することが、前記超音波トランスデューサーのアレイからの超音波ビームの送信によって前記少なくとも1つの超音波を送信することを含む、実施態様13に記載の方法。
(20) 前記超音波トランスデューサーのアレイからの前記超音波ビームを送信することは、前記アブレーション電極の長手方向中心軸に対して非ゼロの角度で前記超音波ビームを送信することを含む、実施態様19に記載の方法。
空洞を画定するように成形された要素を提供することと、
複数の孔を画定するように成形される面を、前記要素の遠位端に形成することと、
前記要素の前記空洞の中に少なくとも1つの超音波トランスデューサーを定置することと、
前記孔へ流体を送達するように構成されている流体送達チャネルを前記要素に連結することと、を含む方法。
(22) 前記面を形成することが、前記要素の前記遠位端に少なくとも100個の穿孔を作製することによって前記面を形成することを含む、実施態様21に記載の方法。
(23) 前記面を形成することが、前記要素の前記遠位端に少なくとも200個の穿孔を作製することによって前記面を形成することを含む、実施態様22に記載の方法。
(24) 前記穿孔を作製することが、前記穿孔をレーザー穴開け加工することによって前記穿孔を作製することを含む、実施態様22に記載の方法。
(25) 前記穿孔を作製することが、放電加工の使用によって前記穿孔を作製することを含む、実施態様22に記載の方法。
Claims (18)
- 装置であって、
空洞を画定するように成形されたアブレーション電極であって、複数の孔を画定するように成形される金属性遠位面を備える、アブレーション電極と、
前記孔へ流体を送達するように構成されている流体送達チャネルと、
前記アブレーション電極の前記空洞内に配設された少なくとも1つの超音波トランスデューサーであって、前記トランスデューサーが前記孔を通じて超音波を送信するように構成されている、超音波トランスデューサーと、を備える装置。 - 前記孔の全表面積が、前記遠位面の全表面積の少なくとも20%である、請求項1に記載の装置。
- 前記孔の前記全表面積が、前記遠位面の前記全表面積の50%未満である、請求項2に記載の装置。
- 前記遠位面が、少なくとも100個の孔を画定するように成形されている、請求項1に記載の装置。
- 前記遠位面が、少なくとも200個の孔を画定するように成形されている、請求項4に記載の装置。
- 前記孔のそれぞれの表面積が、前記遠位面の全表面積の0.2%未満である、請求項1に記載の装置。
- 前記遠位面の厚さが、0.075〜0.5mmである、請求項1に記載の装置。
- 前記遠位面が、メッシュを備える、請求項1に記載の装置。
- 前記メッシュの一部分が、前記アブレーション電極の側壁を画定する、請求項8に記載の装置。
- 前記トランスデューサーが、前記遠位面から少なくとも0.5mmの位置に配設されている、請求項1に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの超音波トランスデューサーが、複数の超音波トランスデューサーを備える、請求項1に記載の装置。
- 前記複数の超音波トランスデューサーが、超音波トランスデューサーのアレイを備える、請求項11に記載の装置。
- アブレーション電極を形成する方法であって、
空洞を画定するように成形された要素を提供することと、
複数の孔を画定するように成形される面を、前記要素の遠位端に形成することと、
前記要素の前記空洞の中に少なくとも1つの超音波トランスデューサーを定置することと、
前記孔へ流体を送達するように構成されている流体送達チャネルを前記要素に連結することと、を含む方法。 - 前記面を形成することが、前記要素の前記遠位端に少なくとも100個の穿孔を作製することによって前記面を形成することを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記面を形成することが、前記要素の前記遠位端に少なくとも200個の穿孔を作製することによって前記面を形成することを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記穿孔を作製することが、前記穿孔をレーザー穴開け加工することによって前記穿孔を作製することを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記穿孔を作製することが、放電加工の使用によって前記穿孔を作製することを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記面を形成することが、前記要素の前記遠位端にメッシュを装着することによって前記面を形成することを含む、請求項13に記載の方法。
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