JP2017085542A - プレート・モードを有する表面弾性波フィルタの設計及び作製 - Google Patents

プレート・モードを有する表面弾性波フィルタの設計及び作製 Download PDF

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Abstract

【課題】表面弾性波(SAW)フィルタの設計方法、及び圧電基板上に作製されるSAWフィルタを提供すること。【解決手段】表面弾性波(SAW)フィルタの設計方法、及び圧電基板上に作製されるSAWフィルタを開示する。2つ以上のSAW共振器を含むフィルタ設計を確立することができる。2つ以上のSAW共振器の各々と関連する関連プレート・モードのアドミタンスをモデル化し、それぞれのSAW共振器のアドミタンスと並列に追加することができる。関連プレート・モードのアドミタンスを含むフィルタ設計は、設計要件セットを満たす最終フィルタ設計を確立するために、繰り返すことができる。【選択図】図3

Description

著作権及びトレードドレスの通知
本特許文書の開示の一部分は、著作権の保護を受ける材料を含む。本特許文書は、所有者のトレードドレスである若しくはトレードドレスとなり得る事項を示す及び/又は記載することができる。著作権及びトレードドレスの所有者は、その特許開示が米国特許商標庁の特許出願書類又は記録内にあるので、当該特許開示の誰による複製にも異議はないが、それ以外は何であれ、全ての著作権及びトレードドレス権を保有するものである。
本開示は、表面弾性波(SAW)共振器を使用する無線周波数フィルタに関し、詳細には、通信機器で使用するためのフィルタに関する。
関連技術の説明
図1に示すように、SAW共振器100は、基板150の表面上に形成された薄膜導体パターンによって形成することができ、基板150は、石英、リチウムニオベート、リチウムタンタレート又はランタンガリウムシリケート等の圧電材料から作製される。基板150は、圧電材料の単結晶スラブであっても、シリコン、サファイア又は石英等別の材料に接合した、圧電材料の薄い単結晶ウエハを含む複合基板であってもよい。複合基板を使用すると、単結晶圧電材料単独の熱膨張係数とは異なる熱膨張係数をもたらすことができる。第1の変換器110は、複数の平行な導体を含むことができる。入力端子INを介して第1の変換器110に加えられた無線周波数又はマイクロ波信号は、基板150の表面上に弾性波を生成することができる。図1に示すように、表面弾性波は、左右方向に伝播することになる。第2の変換器120は、出力端子OUTで、弾性波を無線周波数又はマイクロ波信号に再度変換することができる。第2の変換器120の導体は、図示のように第1の変換器110の導体と交互配置することができる。他のSAW共振器構成(図示せず)では、第2の変換器を形成する導体は、第1の変換器を形成する導体と隣接して又はこれらから分離して、基板150表面上に配設することができる。
第1の変換器110と第2の変換器120との間の電気的結合は、周波数に大きく依存する。第1の変換器110と第2の変換器120との間の電気的結合は、典型的には、共振(共振では、第1の変換器と第2の変換器との間のアドミタンスが非常に高い)、及び反共振(反共振では、第1の変換器と第2の変換器との間のアドミタンスが非常に低い)の両方を呈する。共振及び反共振の周波数は、主に、櫛形導体のピッチ及び向き、基板材料の選択、並びに基板材料の結晶配向によって決定される。第1の変換器110と第2の変換器120との間の結合強度は、変換器の長さLによって変わる。グレーティング反射器130、135は、第1の変換器110及び第2の変換器120によって占められる基板領域に弾性波エネルギーの大部分を閉じ込めるため、基板上に配設することができる。
SAW共振器は、帯域阻止フィルタ、帯域通過フィルタを含む様々な無線周波数フィルタ、及び送受切換器で使用される。送受切換器は、無線周波数フィルタ・デバイスであり、共通のアンテナを使用することによって、第1の周波数帯域での送信、及び(第1の周波数帯域とは異なる)第2の周波数帯域での受信を同時に可能にする。送受切換器は、一般に、携帯電話を含む無線通信機器で見られる。
SAW共振器の特性は、動作温度の影響を受けやすいことである。そのような共振器から構成したマイクロ波フィルタは、温度変動に対する影響の受けやすさを軽減する作業を行わなければ、動作温度が変化した場合に許容できないほど劣化することがある。温度依存の1つの原因は、温度が変化する際の圧電ウエハの膨張又は収縮である。材料が温度に対して寸法を変更する量は、熱膨張係数(CTE)と呼ばれる。より低いCTEを有する薄い圧電ウエハをより厚い支持基板に接合すると、温度が変化する際の圧電ウエハの膨張又は収縮を抑制することになる。
図2は、図1で既に示した例示的SAW共振器100の断面図である。第1の変換器110及び第2の変換器120を形成する電極、並びにグレーティング反射器130、135は、圧電材料のウエハ252の前面256の上に置かれ、ウエハ252は、任意で下地基板254に接合することができる。ウエハ252、及び下地基板254が存在する場合、ウエハ252及び下地基板254は、複合基板150を集合的に形成する。ウエハ252は、石英、リチウムニオベート、リチウムタンタレート、ランタンガリウムシリケート又は何らかの他の圧電材料とすることができる。下地基板254は、例えばシリコン、サファイア、石英又は何らかの他の材料とすることができる。典型的には、必ずしもそうではないが、下地基板254は、ウエハ252よりも熱膨張係数が低い材料から作製することができる。ウエハ252及び下地基板254は、圧力及び昇温の組合せを使用して直接接合することができる。代替的に、ウエハ252及び下地基板254は、接着剤の層(図示せず)を使用して接合することができる。
薄い圧電ウエハ(例えばSAW共振器の共振周波数で約50弾性波長未満の厚さを有する圧電ウエハ)上に形成したSAW共振器で起こり得る問題は、ウエハ252の前面256及びウエハ252の裏面258が、矢印250によって示される共振空胴を形成するということである。変換器110、120によって生成した弾性波は、裏面258から反射し、特定の周波数で共振することがある。裏面258での反射は、裏面258と隣接する材料との間の界面における弾性波速度の変化に起因するものであり、隣接する材料とは、空気、下地基板又は接着剤である場合がある。この共振空胴に関する品質係数は低いかもしれないが、それでも、共振空胴はSAW共振器の電気的応答に影響を与える。これらの擬似空胴モードは、一般にプレート・モードと呼ばれる。
表面弾性波(SAW)フィルタの設計方法、及び圧電基板上に作製されるSAWフィルタを開示する。2つ以上のSAW共振器を含むフィルタ設計を確立することができる。2つ以上のSAW共振器の各々と関連する関連プレート・モードのアドミタンスをモデル化し、それぞれのSAW共振器のアドミタンスと並列に追加することができる。関連プレート・モードのアドミタンスを含むフィルタ設計は、設計要件セットを満たす最終フィルタ設計を確立するために、繰り返すことができる。
SAW共振器の概略平面図である。 SAW共振器の断面図である。 例示的SAWフィルタのブロック図である。 周波数の関数としてのSAW共振器のアドミタンスのグラフである。 周波数の関数としてのSAW共振器のアドミタンスの実部のグラフである。 プレート・モードを含むSAW共振器の回路モデルの概略図である。 プレート・モードを含むSAW共振器の別の回路モデルの概略図である。 周波数の関数としてのSAWフィルタのS(1,2)パラメータのグラフである。 周波数の関数としてのSAWフィルタのS(1,2)パラメータの別のグラフである。 圧電ウエハの厚さによるフィルタ性能の変動を示すグラフである。 SAWフィルタを設計し、作製する方法のフローチャートである。
本明細書全体にわたり、図面に現れる要素には、3桁の参照識別子が割り当てられており、最上位桁は、要素が最初に示される図面の番号であり、最下位の2桁は、要素に特有である。図面との関連で説明しない要素は、同じ参照識別子を有する、既に記載した要素と同じ特徴及び機能を有すると仮定することができる。
装置の説明
フィルタ回路は、通常、2個以上のSAW共振器を組み込む。例えば、図3は、X1からX9と表示された9個のSAW共振器を組み込む例示的帯域通過フィルタ回路300の概略図を示す。フィルタ回路300は、入力(ポート1)と出力(ポート2)との間に直列に接続した5個の直列共振器(X1、X3、X5、X7及びX9)を含む。フィルタ回路300は、隣接し合う直列共振器の接合部と接地との間に接続された4個の分岐共振器(X2、X4、X6及びX8)を含む。9個のSAW共振器、即ち5個の直列共振器及び4個の分岐共振器の使用は、例示的なものである。フィルタ回路は、9個より多くても少なくてもよいSAW共振器、並びに異なる構成の直列共振器及び分岐共振器を含むことができる。フィルタ回路300は、例えば、通信デバイス内に組み込む送信フィルタ又は受信フィルタとすることができる。
9個の共振器X1〜X9のそれぞれは、図1に示すインターデジタル変換器及びグレーティング反射器から構成することができる。9個の共振器X1〜X9のそれぞれは、対応する共振周波数f1〜f9を有することができる。共振周波数f1〜f9は全て、異なっていてもよい。共振器X1〜X9のいくつかの共振周波数は、同じであってもよい。典型的には、分岐共振器の共振周波数f2、f4、f6、f8は、直列共振器の共振周波数f1、f3、f5、f7、f9からずらすことができる。フィルタ回路300を薄い圧電ウエハ又は複合基板上に作製する場合、様々な弾性プレート・モードを、9個のSAW共振器X1〜X9の各々と関連付けることができる。
図4は、単一のSAW共振器のアドミタンスの規模を示すグラフ400であり、単一のSAW共振器は、薄い圧電ウエハ又は複合基板上に作製したフィルタ回路300内の共振器X1〜X9のいずれかとすることができる。線410は、アドミタンスが最大である共振412、及びアドミタンスが最小である反共振414を表す、アドミタンスである。線410は、416A、416B及び416Cで、プレート・モードに起因するリップルも表している。
プレート・モードの共振器性能に対する影響は、図5に示すSAW共振器のアドミタンスの実部のプロットでより明らかである。実線510は、測定された共振器のアドミタンスの実部を表す。プレート・モードの関与は、516A、516B及び516Cで見ることができる。点線520は、プレート・モードを考慮しないモデルから予期される共振器性能を表す。破線530は、以下で説明するプレート・モードを考慮するモデルから予期される共振器性能を表す。
516A、516B及び516Cでは、プレート・モードはこの共振器と特に関連する。同じ基板上でこのSAW共振器に隣接して作製した別の共振器は、異なるセットのプレート・モードと関連させることができる。
516A、516B及び516Cのプレート・モードは、同じ共振キャビティの異なる次数のモードである。周波数は、単純なファブリー・ペローの式:
=nc/2t (1)
を使用して決定することができ、式中、tは圧電ウエハの厚さであり、cは、プレート・モードに対する有効音速であり、n=1、2・・・はモード指数である。図5に示すように、高次(n)のプレート・モード516A、516B、516Cは、54.2mHzの周波数間隔で均等に離間する。式(1)から、隣接し合うプレート・モード間の周波数間隔Δfは、
Δf=c/2t (2)
によって得られる。
cは、必ずしもバルク波又は表面波に対する音速ではないことに留意されたい。そうではなく、cは、寸法メートル/秒に関するパラメータであり、単一のSAW共振器に対する測定値から決定される。SAW共振器のc値を決定するためには、隣接し合うプレート・モード間の周波数間隔Δfを共振器性能の測定値から決定することができる。次に、予備値c
=2tΔf (3)
として推定することができる。
各プレート・モードのモード数nは、
n=round(2tf/c) (4)
によって決定することができ、式中、fはプレート・モードの共振周波数である。SAW共振器のプレート・モードのモード数は連続する整数となることが予想される。次に、c値を
c=2tf/n (5)
として決定することができる。
本発明者等は、所与のSAW共振器のc値が、異なる共振周波数を有する類似のSAW共振器のc値とは異なることを見出している。cと共振器周波数との間の関係は、様々な共振周波数を有するSAW共振器に対し実施した測定値から決定することができる。本発明者等は、cの共振器周波数に対する依存性は、単純な一次方程式
c(fres)=afres+b (6)
を使用してモデル化できることを見出しており、式中、fresは共振器周波数であり、a及びbは、実験データから決定した定数である。
SAWフィルタに対する規格は、一般に1つ以上の通過帯域及び1つ以上の停止帯域上のフィルタ性能を指定する。開始帯域及び停止帯域に及ぶ全体の周波数範囲をフィルタの周波数スパンであると考慮することができる。周波数スパン内又は周波数スパンに直に隣接する共振周波数を有するプレート・モードは、フィルタ性能に影響を与えることがあるため、関連プレート・モードであると考慮される一方で、周波数スパンから離れた共振周波数を有するプレート・モードは、フィルタ性能とは無関係である。フィルタ性能に対するプレート・モードの影響は、例えば、それぞれの共振器のアドミタンスと並列に各関連プレート・モードのアドミタンスを追加することによってモデル化することができる。
SAWフィルタ設計は、少なくとも部分的に回路設計ツールを使用して実施することができる。回路設計ツールを使用する場合、各SAW共振器は、集中素子の等価回路によって表すことができる。図6Aは、関連付けられたプレート・モードを有するSAW共振器の拡張等価回路モデル600の概略図である。拡張等価回路モデル600は、SAW共振器と関連付けられた1つ以上の関連プレート・モードのアドミタンスY、Yn+1・・・(620、622)と並列に、SAW共振器回路モデル610を含む。図6に示すインダクタLm及びキャパシタCo及びCmからなるSAW共振器回路モデル610は、単純化してある。更なる集合構成要素を含む、より複雑なSAW共振器回路モデルをSAWフィルタ設計の間に使用することができる。図6Bに示す代替拡張等価回路モデルは、SAW共振器と関連する1つ以上の関連プレート・モード・モデル630と直列であるSAW共振器回路モデル610によって形成することができる。
各プレート・モードのアドミタンス620、622は、式
=Yn,re+Yn,im (7)
によって得られ、式中、Yn,re及びYn,imはそれぞれ、アドミタンスの実部及び虚部である。プレート共振器のアドミタンスの実部Yn,reは、
n,re=g×sinz/z (8)
によって得られる(Morgan,D.、Surface Acoustic Wave Filters、Academic Press、2007年)。
また、アドミタンスの虚部Yn,imは、
n,im=g×(sin2z−2z)/z (9)
によって得られ、式中、z=g×(f−f)/fであり、fは周波数であり、fはプレート・モードの共振周波数であり、g及びgは、パラメータであり、このパラメータは、式(7)及び(8)を単一のSAW共振器の測定したアドミタンスに当てはめることによって決定される。本発明者等は、パラメータg及びgがSAW共振器の長さL(図1を参照)及び圧電ウエハの厚さtに対して変動することを見出している。具体的には、
=kL/t (10)
=kL (11)
であり、式中、k及びkは定数であり、この定数は、式(8)及び(9)を、異なる長さ及び圧電ウエハの厚さを有する複数のSAW共振器の測定したアドミタンスに当てはめることによって決定される。
異なる共振周波数を有する多数のSAW共振器に対する測定値から決定した値a、b、k及びkでは、式(8)から(11)を使用して、プレート・モードの複素アドミタンスを計算することができ、プレート・モードは、様々な共振周波数、長さ及び圧電ウエハ厚さを有するSAW共振器と関連付けられる。プレート・モードのアドミタンスは、SAW共振器のために計算するアドミタンスに追加することができる。図5の破線曲線530は、式(8)を使用して計算したプレート・モードのアドミタンスを含めて計算された、例示的共振器の実アドミタンスである。
ここで、多重共振器帯域通過フィルタの性能は、各SAW共振器のプレート・モードのアドミタンスを組み込むことによってより正確に計算することができる。図7は、複合基板上に作製した例示的フィルタ300のS(2,1)パラメータのプロットである。9個のSAW共振器を組み込むこのフィルタの概略図は、既に図3に示した。Sパラメータは、線形電気ネットワークの性能を表すために使用される一般的な手法である。実線710は、電気ネットワークのポート1からポート2への伝達関数であるS(2,1)のプロットである。S(2,1)は、本質的に、数字符号の変更を伴うフィルタ300の「挿入損失」である(例えばS(2,1)=−3dBは、3dBの挿入損失に等しい)。この場合、実線710は、(プレート・モードを含めた)フィルタ300の測定される入力から出力への伝達関数を示す。点線720は、プレート・モードを考慮しないモデルに基づき予想されるフィルタ300の入力から出力への伝達関数を表す。
帯域通過フィルタは、所定の「通過帯域」範囲内での周波数の損失がほとんどない状態で、フィルタ300のポート1での信号入力をポート2に伝達する必要があることがあり、所定の「通過帯域」は、一般に、S(2,1)が−3dBを超える周波数帯域によって規定される。通過帯域外の周波数は、実質的に減衰される。帯域通過フィルタの規格は、通過帯域上のS(2,1)の最小値(即ち最大挿入損失)、及び通過帯域外の1つ以上の停止帯域の各々に対するS(2,1)の最大値(即ち最小挿入損失)を含むことができる。
フィルタ300の性能に対するプレート・モードの影響は、図8で見ることができ、図8は、図7と比較して拡大した目盛りでS(2,1)の規模を示す。実線810は、測定された性能である。点線820は、プレート・モードを考慮しないモデルを使用して計算した、フィルタ300の予想される性能を表す。測定された性能(実線810)は、いくつかのリップル又は窪み(矢印840、842、844によって示される)を表し、これらは、予想される性能(点線820)では見出されない。破線830は、式(8)及び(9)を使用して計算したプレート・モードのアドミタンスを含むモデルによって予測されるフィルタ性能を示す。不完全ではあるが、プレート・モードを含むモデルは、測定されるフィルタ性能に対しかなりより正確な予測をもたらす。
式(1)で示したように、プレート・モードの周波数は、圧電ウエハの厚さtに大きく依存する。図8から見えるように、プレート・モードの周波数の変動は、フィルタ性能に許容できない変動を引き起こすことがある。厚さに対する式1の導関数を利用すると、
df/dt=−nc/2t (12)
が得られる。
圧電ウエハの典型的な厚さでは、f(n番目のプレート・モードの周波数)は、圧電ウエハの1ミクロンの厚さの変動に対し、100mHzを超えて変動することがある。厳しい性能要件を伴うフィルタ用途では、圧電ウエハ厚さの変動を100nm以下まで制御し、通過帯域を損なうプレート・モード周波数の変動に起因する大幅な製造収率の損失を回避しなければならないことがある。
図5を再度参照すると、特定の圧電ウエハ厚さを有する薄い圧電ウエハ又は複合基板上に作製したSAW共振器は、1782MHz(矢印516A)、1836MHz(矢印516B)及び1890MHz(矢印516C)でプレート・モード共振を呈することがある。圧電ウエハの厚さを緩やかに増大させた場合、プレート・モードの共振周波数は、低い方の周波数に変位すると思われる。圧電ウエハの厚さを、プレート・モード共振周波数を54.2MHz変位させる量で増大させていた場合、矢印516Bで示すプレート・モード共振は、1836MHzにおける元の周波数から1782MHzの新たな周波数に(即ち、矢印516Aで示す元の共振位置に)変位し、グラフ500の範囲外の左に変位していたと思われる。この点では、実アドミタンスのプロットは、実線510と非常に良く似ていることになる。
フィルタ内のSAW共振器毎のプレート・モード共振も、同様に影響を受けると思われ、最終的に、約54.2MHz変位したプレート・モード共振を有するフィルタ性能は、元のフィルタの性能と同等又は非常に類似するという結果となる。
式(2)と(12)との組合せにより、
Δt=c/(2f) (13)
が得られ、式中、Δtは、フィルタに同等の性能をもたらす2つの圧電ウエハの厚さの差である。2つのフィルタの性能は、両方のフィルタが同じセットの性能要件を満たす場合に「同等である」と考慮される。例えば、図9は、圧電ウエハの厚さの関数としての模擬フィルタの帯域幅のグラフ900である。実線910は、約0.62μmの周期でウエハの厚さにより循環的に変動するフィルタ帯域幅を表す。フィルタの特定の帯域幅が83±1MHzであると仮定して、同等のフィルタを混成基板上に構成することができ、ここで、圧電ウエハの厚さは、28.5±0.1μm又は29.12±0.1μmであるか(図9の網掛け領域920により示す)、又は0.62μmの整数倍だけこれらの厚さ範囲よりも厚い若しくは薄い他の厚さ範囲(例えば27.88±0.1μm、29.74±0.1μm)である。これらの厚さ範囲外の圧電ウエハ上に作製したフィルタ(図9の網掛けしていない領域により示す)は、特定の帯域幅を実現しないことになる。圧電ウエハに様々な厚さを使用できることで、製造中、圧電ウエハ又は複合基板の収量に著しい改善をもたらすことができる。
2つ以上の非連続厚さ範囲の群、t±ε、t±ε±Δt、t±ε±2Δt・・・を圧電ウエハのために規定することができるが、ここでのt±εは、許容範囲であり、Δtは、式(13)によって規定されるか又は実験データから決定することができる。圧電ウエハは、単独であれ、複合基板の構成要素としてであれ、2つ以上の非連続厚さ範囲のいずれかの範囲内にある厚さの場合、同等の性能を有するフィルタ、言い換えると同じセットの性能要件を満たすフィルタ、の作製に使用することができる。圧電ウエハは、単独であれ、複合基板の構成要素としてであれ、2つ以上の非連続厚さ範囲の範囲外の厚さの場合、性能要件のセットを満たすフィルタの作製には使用することができない。
工程の説明
図10は、SAWフィルタを設計し、作製する工程1000のフローチャートである。工程1000は、1005A又は1005Bのいずれかでフィルタの規格セットと共に開始される。工程1000は、規格を満たすフィルタの製造が終了した後、1095で終了する。
工程1000の開始前に決定される規格セットには、例えば、通過帯域に対するより低い及びより高い周波数の規格、並びに任意で1つ以上の停止帯域を含むことができる。規格セットには、規定する場合、通過帯域上のS(2,1)の最小値(即ち最大挿入損失)、及び各停止帯域上のS(2,1)の最大値(即ち最小挿入損失)を含むことができる。規格セットには、入力インピーダンス範囲を含むことができる。入力インピーダンス範囲は、例えば、ソースによって所定のソース・インピーダンスで駆動される際のフィルタ入力における最大反射係数又は最大電圧定在波比(VSWR)として規定することができる。入力インピーダンス範囲は、いくつかの他の様式で規定することができる。フィルタの規格セットは、ダイの最大サイズ、動作温度範囲、入力電力レベル、及び他の要件等の他の要件を含むことができる。
工程1000を使用してフィルタを最初に設計する場合、工程は、1005Aで開始することができる。1010で、設計すべきフィルタの作製に使用される基板の典型を示す複合基板を使用して、1つ以上の試験的なSAW共振器を作製することができる。試験的なSAW共振器は、各SAW共振器と関連するプレート・モードのパラメータを探索又は発見するために使用する。具体的には、試験的なSAW共振器の作製に使用する基板は、作製での使用を目的として、同じ材料及び同じ結晶配向(即ち内部結晶軸に対する基板表面の角度)で作製した基体基板及び圧電ウエハを含むことができる。いくつかの異なる共振周波数を有する試験的なSAW共振器は、作製での使用を目的として、同じ工程(即ち金属材料及び厚さ、線と空間との比率、誘電体上塗り等)を使用して作製することができる。次に、試験的なSAW共振器のアドミタンス及び他の特性を測定することができる。
1020で、パラメータa、b、k及びkは、試験的なSAW共振器の測定値から決定することができる。プレート・モードの周波数は、各サンプル共振器に対して決定することができ、有効音速cは、式(3)から(5)までを使用して各サンプル共振器に対し決定することができる。式(6)を実験データに当てはめることによって、cの共振器周波数に対する依存性を決定し、パラメータa及びbを決定することができる。パラメータg及びgは、式(7)及び(8)を、試験的なSAW共振器の実及び虚アドミタンスの測定値に当てはめることによって決定できる。次に、パラメータk及びkは、式(11)及び(12)から決定することができる。その後のフィルタ設計は、1005Bで開始することができる。というのは、1010及び1020で決定したパラメータa、b、k及びkは、再利用できるためである。
1030で、プレート・モードの影響を考慮した設計方法を使用して、フィルタを設計することができる。1035から1055までの動作は、フィルタの設計のために取り得る例示的なセットのステップを構成する。他の設計方法を1030で使用することができる。1030で使用する設計方法には、異なるステップ、より多くの若しくはより少ないステップ及び/又は異なる順で実施される同じステップを含むことができる。
まず、1035で、SAW共振器の数、種類及び配置を含むフィルタ・アーキテクチャを選択することができる。例えば、図3の帯域通過フィルタは、5個の直列共振器及び4個の分岐共振器を有する。他のフィルタ・アーキテクチャには、より多い若しくはより少ない直列及び/又は分岐SAW共振器、別様に接続した(例えば分岐共振器を入力及び/若しくは出力ポートから接地に接続させる)同じ数のSAW共振器を含むことができる。
次に、1040で、選択したアーキテクチャを使用し、最初のフィルタ設計を確立することができる。最初のフィルタ設計は、例えば、設計技師によって、回路設計ソフトウェア・ツール及び/又は電磁(EM)分析ツールを使用して実施することができる。回路設計ツールを使用する場合、フィルタは、電子回路として分析でき、SAW共振器は、集中化したキャパシタ素子とインダクタ素子と抵抗器素子との組合せによって表される。EM分析ツールを使用する場合、フィルタは、SAW共振器変換器モデルによって基板上に表すことができる。回路設計ツール及びEM分析ツールのいずれか又は両方は、フィルタ規格を可能な程度に満たすように、フィルタ設計の自動最適化が可能であってもよい。
1040で最初の設計を確立した後、プレート・モードの影響を1045で決定することができる。例えば、式(8)及び(9)を使用して計算したプレート・モードのアドミタンスは、SAW共振器のアドミタンスと並列に追加することができ、フィルタ性能に対するプレート・モードの影響は、回路設計ソフトウェア・ツール及び/又は電磁(EM)分析ツールのいずれかを使用して決定することができる。代替的に、関連プレート・モードのモデルは、SAW共振器のモデルと直列に追加することができ、フィルタ性能に対するプレート・モードの影響は、回路設計ソフトウェア・ツール及び/又は電磁(EM)分析ツールのいずれかを使用して決定することができる。
プレート・モードの影響を含む設計は、1050で最適化することができる。最適化は、1040で使用した設計ツールと同じであっても異なっていてもよい自動化設計ツールを使用して実施し、予備設計を確立することができる。例えば、予備設計は、回路設計ツールを使用して実施でき、1050での最適化は、EM分析ツールを使用して実施することができる。
1035で最初に選択したアーキテクチャは、フィルタ規格を必ずしも満たすことができなくてもよいことを留意されたい。例えば、帯域通過フィルタに対する規格が狭い通過帯域及び高停止帯域阻止を含む場合、規格は、わずか数個のSAW共振器を有するアーキテクチャでは満たすことができない。1055で、1050から最適化した設計が工程1000の開始前に確立した規格を満たすか否かの決定を行うことができる。選択したフィルタ・アーキテクチャがフィルタ規格を満たすことができないと判明した場合(1055で「いいえ」)、次第に複雑になるフィルタ・アーキテクチャ(即ちより多くのSAW共振器を有するフィルタ・アーキテクチャ)を使用して、最適化したフィルタが設計要件を満たすまで、設計方法1030を1035から1回以上繰り返すことができる。
要件を満たすフィルタ設計が確立された場合(1055で「はい」)、1060で、更なる分析を実施し、圧電ウエハの非連続厚さ範囲のセットを規定することができ、この範囲のセットを使用して、(同じ設計及び工程の使用により)同等の性能を有するフィルタ、言い換えれば規格を満たすフィルタを作製することができる。この分析には、1つ以上のフィルタ性能パラメータが圧電ウエハの厚さによってどのように変動するかという分析(例えば図8を参照)、及び規格を満たすフィルタ作製を可能にする圧電ウエハの非連続厚さ範囲セットの決定を含むことができる。
1070で、1030からの設計によるフィルタは、選択した圧電ウエハ(圧電ウエハは複合基板の構成要素であってもよい)上に作製することができ、圧電ウエハは、1060で規定した圧電ウエハ厚さ範囲セットの1つの範囲内の圧電ウエハ厚さを有する。(単一の狭い厚さ範囲とは反対に)2つ以上の使用可能な圧電ウエハ厚さ範囲があると、製造中、圧電ウエハ及び/又は複合基板の収率を著しく改善することができる。例えば、複合基板を作製する1つの工程は、比較的厚い圧電ウエハを下地基板に接合し、接合後、次に圧電ウエハをその所望の厚さまで研磨することである。現在、圧電ウエハが過剰に研磨された(即ち圧電ウエハが薄くなりすぎるまで研磨された)複合基板は、破棄されることがある。圧電ウエハの厚さ範囲セットが利用可能である場合、そのような複合基板は、圧電ウエハをより薄い厚さ範囲まで研磨することによって活用することができる。
帯域通過フィルタを一例として本明細書で使用してきたが、プレート・モードは、他の種類のフィルタの性能に影響を与えることがある。同じ分析方法を使用して、低域通過フィルタ、高域通過フィルタ、帯域阻止フィルタ等の他の種類のSAWフィルタ、及びデュプレクサを設計することができる。
結びのコメント
本明細書全体にわたって示す実施形態及び例は、開示又は請求する装置及び手順に対する限定ではなく典型として考慮すべきである。本明細書に提示した多くの例は、方法動作又はシステム要素の特定の組合せを含むが、これらの動作及び要素は、他の様式で組み合わせて同じ目的を達成することができることを理解されたい。フローチャートに関して、更なるステップ及びより少ないステップを取ることができ、図示するステップを組み合わせる又は更に改良して本明細書に記載の方法を達成することができる。一実施形態に関連してのみ説明した動作、要素及び特徴は、他の実施形態における同様の役割から除外することを目的としない。
本明細書で使用する「複数」とは、2つ以上を意味する。本明細書で使用する、項目の「セット」は、そのような項目の1つ以上を含むことができる。本明細書で使用する用語「備える」、「含む」、「保持する」、「有する」、「収容する」、「伴う」等は、明細書内の記載であれ、特許請求の範囲内の記載であれ無制限であり、即ち、包括的であるがそれらに限定されないことを意味する。「からなる」及び「から本質的になる」というそれぞれの移行句のみが、特許請求の範囲に対する排他的又は半排他的移行句である。特許請求の範囲の要素を修飾するための、特許請求の範囲における「第1」「第2」「第3」等の順序を示す用語の使用は、それ自体、方法動作を実施する別の順序若しくは時間順序に対し、ある特許請求の範囲の要素に対する優先、優先順位又は順番を何ら暗示するものではなく、特定の名称を有する1つの特許請求の範囲の要素を、同じ名称を有する別の要素から区別するための表示として単に使用し(順序を示す用語として使用するものではあるが)、特許請求の範囲の要素を区別するものである。本明細書で使用する「及び/又は」は、列挙する項目が代替形態であることを意味するが、こうした代替形態は、列挙する項目のあらゆる組合せも含む。

Claims (19)

  1. 圧電ウエハ上に作製される表面弾性波(SAW)フィルタの設計方法であって、
    2つ以上のSAW共振器を含むフィルタ設計を確立するステップと、
    前記2つ以上のSAW共振器の各々と関連付けられた、関連プレート・モードのアドミタンスを追加するステップと、
    設計要件セットを満たす最終フィルタ設計を確立するために、前記関連プレート・モードのアドミタンスを含む前記フィルタ設計を繰り返すステップと、
    を含む方法。
  2. 前記関連プレート・モードのアドミタンスを追加するステップは、前記それぞれの関連プレート・モードのアドミタンスを前記2つ以上のSAW共振器のアドミタンスと並列に追加するステップを含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記各プレート・モードのアドミタンスの実成分Yre及び虚成分Yimはそれぞれ、式:
    re=g×sinz/z及び
    im=g×(sin2z−2z)/z
    によって得られ、式中、z=g(f−f)/fであり、fは、周波数であり、fは、前記プレート・モードの共振周波数であり、g及びgはパラメータであり、前記方法は、
    1つ以上の試験的なSAW共振器のために、測定したアドミタンス・データに、前記Yre及びYimの式を当てはめることによってg及びgを決定するステップ
    を更に含む、請求項2に記載の方法。
  4. 前記2つ以上のSAW共振器のうち、特定のSAW共振器と関連付けられた前記プレート・モードの共振周波数は、式:
    =nc/2t
    によって得られ、式中、fは、モード指数nを有する前記プレート・モードの共振周波数であり、nは正の整数であり、tは、前記圧電ウエハの厚さであり、cは、前記特定のSAW共振器と関連付けられたプレート・モードの有効音速である、請求項3に記載の方法。
  5. 前記特定のSAW共振器と関連付けられた前記プレート・モードの有効音速は、式:
    c=afres+b
    によって得られ、式中、fresは、前記特定のSAW共振器の共振周波数であり、a及びbは、定数であり、前記方法は、
    異なる共振周波数を有する2つ以上の試験的なSAW共振器のために、測定したプレート・モード共振周波数に、前記fの式を当てはめることによってa及びbを決定するステップを更に含む、請求項4に記載の方法。
  6. 前記圧電ウエハのための2つ以上の非連続厚さ範囲を規定するステップを更に含み、前記圧電ウエハは、前記設計要件セットを満たす最終フィルタ設計に従ったフィルタの作製に使用することができる、請求項1に記載の方法。
  7. 前記2つ以上の非連続厚さ範囲のうち1つの範囲内の厚さを有する圧電ウエハを選択するステップと、
    前記選択した圧電ウエハ上に、前記最終フィルタ設計に従ってフィルタを作製するステップと、
    を更に含む、請求項6に記載の方法。
  8. 前記2つ以上の非連続厚さ範囲のうち1つの範囲内の厚さを有する圧電ウエハを含む複合基板を選択するステップと、
    前記選択した複合基板上に、前記最終フィルタ設計に従ってフィルタを作製するステップと、
    を更に含む、請求項6に記載の方法。
  9. 圧電ウエハ上に作製される、2つ以上の表面弾性波(SAW)共振器を組み込んだ表面弾性波(SAW)フィルタの設計方法であって、
    前記2つ以上のSAW共振器のそれぞれの拡張等価回路モデルを規定するステップであって、前記各拡張等価回路モデルは、
    SAW共振器回路モデルと、
    前記SAW共振器回路モデルと並列な1つ以上の関連プレート・モードのそれぞれのアドミタンスと、
    を含む、ステップと、
    設計要件セットを満たすフィルタ設計を開発するために、前記2つ以上のSAW共振器の前記拡張等価回路モデルを使用するステップと、
    を含む方法。
  10. 1つ以上の試験的なSAW共振器を作製するステップと、
    前記1つ以上の試験的なSAW共振器の各々に対する周波数の関数として、それぞれのアドミタンスを測定するステップと、
    各前記拡張等価回路モデルに対し、式:
    re=g×sinz/z及び
    im=g*(sin2z−2z)/z
    を使用して、前記各関連プレート・モードのアドミタンスの実成分及び虚成分を計算するステップと、
    を更に含み、式中、z=g×(f−f)/fであり、fは周波数であり、fは、前記プレート・モードの共振周波数であり、g及びgはパラメータであり、前記パラメータは、前記1つ以上の試験的なSAW共振器の測定したアドミタンスに、前記Yre及びYimの式を当てはめることによって決定される、請求項9に記載の方法。
  11. 前記1つ以上の関連プレート・モードの共振周波数は、式:
    =nc/2t
    によって得られ、式中、fは、モード指数nを有する前記プレート・モードの共振周波数であり、nは正の整数であり、tは、前記圧電ウエハの厚さであり、cは、前記SAW共振器と関連付けられたプレート・モードの有効音速である、請求項10に記載の方法。
  12. 前記1つ以上の試験的なSAW共振器は、異なる周波数を有する2つ以上の試験的なSAW共振器を含み、
    前記2つ以上のSAW共振器の各々に対し、前記各関連プレート・モードの有効音速は、式:
    c=afres+b
    によって得られ、式中、fresは、前記SAW共振器の周波数であり、a及びbは定数であり、前記定数は、前記異なる共振周波数を有する2つ以上の試験的なSAW共振器で測定したデータに、前記cの式を当てはめることによって決定される、請求項11に記載の方法。
  13. 前記圧電ウエハのための2つ以上の非連続厚さ範囲を規定するステップを更に含み、前記圧電ウエハは、前記設計要件セットを満たす最終フィルタ設計に従ったフィルタの作製に使用することができる、請求項9に記載の方法。
  14. 前記2つ以上の非連続厚さ範囲のうち1つの範囲内の厚さを有する圧電ウエハを含む複合基板を選択するステップと、
    前記選択した複合基板上に、前記最終フィルタ設計に従ってフィルタを作製するステップと、
    を更に含む、請求項13に記載の方法。
  15. 前記2つ以上の非連続厚さ範囲のうち1つの範囲内の厚さを有する圧電ウエハを選択するステップと、
    前記選択した圧電ウエハ上に、前記最終フィルタ設計に従ってフィルタを作製するステップと、
    を更に含む、請求項13に記載の方法。
  16. 圧電ウエハ上に表面弾性波フィルタを作製する方法であって、
    2つ以上の非連続厚さ範囲を決定するステップであって、前記非連続厚さ範囲は、所定の作製工程を使用する所定のフィルタ設計に従って所定要件を満たすフィルタを上に作製できる圧電ウエハを規定する、ステップと、
    前記非連続厚さ範囲のうち1つの範囲内の厚さを有する圧電ウエハを選択するステップと、
    前記所定の作製工程を使用する前記所定のフィルタ設計に従って、前記選択した圧電ウエハ上にフィルタを作製するステップと、
    を含み、
    前記2つ以上の非連続厚さ範囲のいずれかの範囲内にない厚さの値は、前記所定の作製工程を使用する前記所定のフィルタ回路設計に従ってフィルタを上に作製した圧電ウエハが、前記所定要件を満たさないことを規定する、方法。
  17. 前記圧電ウエハは、前記圧電ウエハに接合した下地基板を含む複合基板の一部分である、請求項16に記載の方法。
  18. 2つ以上の非連続厚さ範囲を決定するステップであって、前記非連続厚さ範囲は、所定の作製工程を使用する所定のフィルタ設計に従って所定要件を満たすフィルタを上に作製できる圧電ウエハを規定する、ステップと、
    前記非連続厚さ範囲のうち1つの範囲内の厚さを有する圧電ウエハを選択するステップと、
    前記所定の作製工程を使用する前記所定のフィルタ設計に従って、前記選択した圧電ウエハ上にフィルタを作製するステップと、
    を含む工程によって作製されたフィルタであり、
    前記2つ以上の非連続厚さ範囲のいずれかの範囲内にない厚さの値は、前記所定の作製工程を使用する前記所定のフィルタ回路設計に従ってフィルタを上に作製した圧電ウエハが、前記所定要件を満たさないことを規定する、フィルタ。
  19. 前記圧電ウエハは、前記圧電ウエハに接合した下地基板を含む複合基板の一部分である、請求項18に記載のフィルタ。

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220097182A (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 (주) 와이팜 Saw 전송선 모델을 이용한 saw 공진기의 특성 정보 산출방법 및 이를 기록한 컴퓨팅 장치에 의해 판독 가능한 기록매체

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9948277B2 (en) 2015-09-02 2018-04-17 Resonant Inc. Method of optimizing input impedance of surface acoustic wave filter
US9369111B1 (en) 2015-10-28 2016-06-14 Resonant Inc. Fabrication of surface acoustic wave filters having plate modes
CN109075771B (zh) 2016-04-08 2022-08-16 谐振公司 射频滤波器,高选择性三工器和通信设备
US9825611B2 (en) * 2016-04-15 2017-11-21 Resonant Inc. Dual passband radio frequency filter and communications device
US10230350B2 (en) 2016-06-15 2019-03-12 Resonant Inc. Surface acoustic wave filters with extracted poles
DE102016114071B3 (de) * 2016-07-29 2018-01-25 Snaptrack, Inc. Elektroakustisches Filter mit reduzierten Plattenmoden
FR3079101B1 (fr) * 2018-03-16 2020-11-06 Frecnsys Structure de transducteur pour suppression de source dans les dispositifs de filtres a ondes acoustiques de surface
CN110138355A (zh) * 2019-05-16 2019-08-16 江苏卓胜微电子股份有限公司 双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器
KR102682200B1 (ko) * 2021-11-29 2024-07-04 순천향대학교 산학협력단 탄성파 필터 설계 방법
KR102687998B1 (ko) * 2021-12-29 2024-07-24 (주)와이팜 Saw 공진기의 설계방법 및 이를 기록한 컴퓨팅 장치에 의해 판독 가능한 기록매체

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002288227A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フィルタの設計方法、コンピュータプログラム及び記録媒体
JP2008270904A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波装置及び分波器
US8035464B1 (en) * 2009-03-05 2011-10-11 Triquint Semiconductor, Inc. Bonded wafer SAW filters and methods

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1089544A (en) * 1976-11-09 1980-11-11 Sadao Takahashi Elastic surface wave device
JPS54108551A (en) * 1978-02-14 1979-08-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
JP3509764B2 (ja) * 2001-03-23 2004-03-22 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP2006025396A (ja) * 2004-06-09 2006-01-26 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置、その製造方法、および電子機器
JP4587732B2 (ja) * 2004-07-28 2010-11-24 京セラ株式会社 弾性表面波装置
US8997320B2 (en) * 2008-01-24 2015-04-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing acoustic wave device
US7911111B2 (en) 2008-04-15 2011-03-22 Ngk Insulators, Ltd. Surface acoustic wave devices
US8115365B2 (en) 2008-04-15 2012-02-14 Ngk Insulators, Ltd. Surface acoustic wave devices
US8288918B2 (en) 2008-12-24 2012-10-16 Ngk Insulators, Ltd. Composite substrate and manufacturing method thereof
JP2010187373A (ja) 2009-01-19 2010-08-26 Ngk Insulators Ltd 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス
US8862192B2 (en) 2010-05-17 2014-10-14 Resonant Inc. Narrow band-pass filter having resonators grouped into primary and secondary sets of different order
WO2013115115A1 (ja) * 2012-02-03 2013-08-08 株式会社村田製作所 弾性表面波素子及びそれを備えた複合モジュール
US9541973B2 (en) 2012-10-11 2017-01-10 Monolithic Power Systems, Inc. Digitally calibrated voltage regulators for power management
US8990472B2 (en) 2012-10-24 2015-03-24 Mellanox Technologies, Ltd Methods and systems for running network protocols over peripheral component interconnect express
US9038005B2 (en) * 2013-03-15 2015-05-19 Resonant Inc. Network synthesis design of microwave acoustic wave filters
US8751993B1 (en) 2013-03-15 2014-06-10 Resonant Llc Element removal design in microwave filters
US9325294B2 (en) * 2013-03-15 2016-04-26 Resonant Inc. Microwave acoustic wave filters
US8990742B2 (en) * 2013-03-15 2015-03-24 Resonant Inc. Network synthesis design of microwave acoustic wave filters
US9208274B2 (en) 2013-03-15 2015-12-08 Resonant Inc. Network synthesis design of microwave acoustic wave filters
US9331669B2 (en) 2014-07-25 2016-05-03 Resonant Inc. High rejection surface acoustic wave duplexer
US9374061B1 (en) 2015-09-02 2016-06-21 Resonant Inc. Method of optimizing input impedance of surface acoustic wave filter
US9369111B1 (en) 2015-10-28 2016-06-14 Resonant Inc. Fabrication of surface acoustic wave filters having plate modes
US9525393B1 (en) 2015-11-13 2016-12-20 Resonant Inc. Technique for designing acoustic microwave filters using lcr-based resonator models
US9608595B1 (en) 2015-11-13 2017-03-28 Resonant Inc. Acoustic wave filter with enhanced rejection

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002288227A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フィルタの設計方法、コンピュータプログラム及び記録媒体
JP2008270904A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波装置及び分波器
US8035464B1 (en) * 2009-03-05 2011-10-11 Triquint Semiconductor, Inc. Bonded wafer SAW filters and methods

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220097182A (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 (주) 와이팜 Saw 전송선 모델을 이용한 saw 공진기의 특성 정보 산출방법 및 이를 기록한 컴퓨팅 장치에 의해 판독 가능한 기록매체
KR102577710B1 (ko) 2020-12-30 2023-09-12 (주)와이팜 Saw 전송선 모델을 이용한 saw 공진기의 특성 정보 산출방법 및 이를 기록한 컴퓨팅 장치에 의해 판독 가능한 기록매체

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