JP2017085542A - プレート・モードを有する表面弾性波フィルタの設計及び作製 - Google Patents
プレート・モードを有する表面弾性波フィルタの設計及び作製 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017085542A JP2017085542A JP2016132545A JP2016132545A JP2017085542A JP 2017085542 A JP2017085542 A JP 2017085542A JP 2016132545 A JP2016132545 A JP 2016132545A JP 2016132545 A JP2016132545 A JP 2016132545A JP 2017085542 A JP2017085542 A JP 2017085542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- piezoelectric wafer
- saw
- plate mode
- design
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 122
- 238000013461 design Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/205—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Description
本特許文書の開示の一部分は、著作権の保護を受ける材料を含む。本特許文書は、所有者のトレードドレスである若しくはトレードドレスとなり得る事項を示す及び/又は記載することができる。著作権及びトレードドレスの所有者は、その特許開示が米国特許商標庁の特許出願書類又は記録内にあるので、当該特許開示の誰による複製にも異議はないが、それ以外は何であれ、全ての著作権及びトレードドレス権を保有するものである。
fn=nc/2t (1)
を使用して決定することができ、式中、tは圧電ウエハの厚さであり、cは、プレート・モードに対する有効音速であり、n=1、2・・・はモード指数である。図5に示すように、高次(n)のプレート・モード516A、516B、516Cは、54.2mHzの周波数間隔で均等に離間する。式(1)から、隣接し合うプレート・モード間の周波数間隔Δfは、
Δf=c/2t (2)
によって得られる。
c0=2tΔf (3)
として推定することができる。
各プレート・モードのモード数nは、
n=round(2tfn/c0) (4)
によって決定することができ、式中、fnはプレート・モードの共振周波数である。SAW共振器のプレート・モードのモード数は連続する整数となることが予想される。次に、c値を
c=2tfn/n (5)
として決定することができる。
c(fres)=afres+b (6)
を使用してモデル化できることを見出しており、式中、fresは共振器周波数であり、a及びbは、実験データから決定した定数である。
Yn=Yn,re+Yn,im (7)
によって得られ、式中、Yn,re及びYn,imはそれぞれ、アドミタンスの実部及び虚部である。プレート共振器のアドミタンスの実部Yn,reは、
Yn,re=g0×sin2z/z2 (8)
によって得られる(Morgan,D.、Surface Acoustic Wave Filters、Academic Press、2007年)。
また、アドミタンスの虚部Yn,imは、
Yn,im=g0×(sin2z−2z)/z2 (9)
によって得られ、式中、z=g1×(f−fn)/fnであり、fは周波数であり、fnはプレート・モードの共振周波数であり、g0及びg1は、パラメータであり、このパラメータは、式(7)及び(8)を単一のSAW共振器の測定したアドミタンスに当てはめることによって決定される。本発明者等は、パラメータg0及びg1がSAW共振器の長さL(図1を参照)及び圧電ウエハの厚さtに対して変動することを見出している。具体的には、
g0=k0L/t (10)
g1=k1L (11)
であり、式中、k0及びk1は定数であり、この定数は、式(8)及び(9)を、異なる長さ及び圧電ウエハの厚さを有する複数のSAW共振器の測定したアドミタンスに当てはめることによって決定される。
dfn/dt=−nc/2t2 (12)
が得られる。
圧電ウエハの典型的な厚さでは、fn(n番目のプレート・モードの周波数)は、圧電ウエハの1ミクロンの厚さの変動に対し、100mHzを超えて変動することがある。厳しい性能要件を伴うフィルタ用途では、圧電ウエハ厚さの変動を100nm以下まで制御し、通過帯域を損なうプレート・モード周波数の変動に起因する大幅な製造収率の損失を回避しなければならないことがある。
Δt=c/(2fn) (13)
が得られ、式中、Δtは、フィルタに同等の性能をもたらす2つの圧電ウエハの厚さの差である。2つのフィルタの性能は、両方のフィルタが同じセットの性能要件を満たす場合に「同等である」と考慮される。例えば、図9は、圧電ウエハの厚さの関数としての模擬フィルタの帯域幅のグラフ900である。実線910は、約0.62μmの周期でウエハの厚さにより循環的に変動するフィルタ帯域幅を表す。フィルタの特定の帯域幅が83±1MHzであると仮定して、同等のフィルタを混成基板上に構成することができ、ここで、圧電ウエハの厚さは、28.5±0.1μm又は29.12±0.1μmであるか(図9の網掛け領域920により示す)、又は0.62μmの整数倍だけこれらの厚さ範囲よりも厚い若しくは薄い他の厚さ範囲(例えば27.88±0.1μm、29.74±0.1μm)である。これらの厚さ範囲外の圧電ウエハ上に作製したフィルタ(図9の網掛けしていない領域により示す)は、特定の帯域幅を実現しないことになる。圧電ウエハに様々な厚さを使用できることで、製造中、圧電ウエハ又は複合基板の収量に著しい改善をもたらすことができる。
Claims (19)
- 圧電ウエハ上に作製される表面弾性波(SAW)フィルタの設計方法であって、
2つ以上のSAW共振器を含むフィルタ設計を確立するステップと、
前記2つ以上のSAW共振器の各々と関連付けられた、関連プレート・モードのアドミタンスを追加するステップと、
設計要件セットを満たす最終フィルタ設計を確立するために、前記関連プレート・モードのアドミタンスを含む前記フィルタ設計を繰り返すステップと、
を含む方法。 - 前記関連プレート・モードのアドミタンスを追加するステップは、前記それぞれの関連プレート・モードのアドミタンスを前記2つ以上のSAW共振器のアドミタンスと並列に追加するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記各プレート・モードのアドミタンスの実成分Yre及び虚成分Yimはそれぞれ、式:
Yre=g0×sin2z/z2及び
Yim=g0×(sin2z−2z)/z2
によって得られ、式中、z=g1(f−fn)/fnであり、fは、周波数であり、fnは、前記プレート・モードの共振周波数であり、g0及びg1はパラメータであり、前記方法は、
1つ以上の試験的なSAW共振器のために、測定したアドミタンス・データに、前記Yre及びYimの式を当てはめることによってg0及びg1を決定するステップ
を更に含む、請求項2に記載の方法。 - 前記2つ以上のSAW共振器のうち、特定のSAW共振器と関連付けられた前記プレート・モードの共振周波数は、式:
fn=nc/2t
によって得られ、式中、fnは、モード指数nを有する前記プレート・モードの共振周波数であり、nは正の整数であり、tは、前記圧電ウエハの厚さであり、cは、前記特定のSAW共振器と関連付けられたプレート・モードの有効音速である、請求項3に記載の方法。 - 前記特定のSAW共振器と関連付けられた前記プレート・モードの有効音速は、式:
c=afres+b
によって得られ、式中、fresは、前記特定のSAW共振器の共振周波数であり、a及びbは、定数であり、前記方法は、
異なる共振周波数を有する2つ以上の試験的なSAW共振器のために、測定したプレート・モード共振周波数に、前記fnの式を当てはめることによってa及びbを決定するステップを更に含む、請求項4に記載の方法。 - 前記圧電ウエハのための2つ以上の非連続厚さ範囲を規定するステップを更に含み、前記圧電ウエハは、前記設計要件セットを満たす最終フィルタ設計に従ったフィルタの作製に使用することができる、請求項1に記載の方法。
- 前記2つ以上の非連続厚さ範囲のうち1つの範囲内の厚さを有する圧電ウエハを選択するステップと、
前記選択した圧電ウエハ上に、前記最終フィルタ設計に従ってフィルタを作製するステップと、
を更に含む、請求項6に記載の方法。 - 前記2つ以上の非連続厚さ範囲のうち1つの範囲内の厚さを有する圧電ウエハを含む複合基板を選択するステップと、
前記選択した複合基板上に、前記最終フィルタ設計に従ってフィルタを作製するステップと、
を更に含む、請求項6に記載の方法。 - 圧電ウエハ上に作製される、2つ以上の表面弾性波(SAW)共振器を組み込んだ表面弾性波(SAW)フィルタの設計方法であって、
前記2つ以上のSAW共振器のそれぞれの拡張等価回路モデルを規定するステップであって、前記各拡張等価回路モデルは、
SAW共振器回路モデルと、
前記SAW共振器回路モデルと並列な1つ以上の関連プレート・モードのそれぞれのアドミタンスと、
を含む、ステップと、
設計要件セットを満たすフィルタ設計を開発するために、前記2つ以上のSAW共振器の前記拡張等価回路モデルを使用するステップと、
を含む方法。 - 1つ以上の試験的なSAW共振器を作製するステップと、
前記1つ以上の試験的なSAW共振器の各々に対する周波数の関数として、それぞれのアドミタンスを測定するステップと、
各前記拡張等価回路モデルに対し、式:
Yre=g0×sin2z/z2及び
Yim=g0*(sin2z−2z)/z2
を使用して、前記各関連プレート・モードのアドミタンスの実成分及び虚成分を計算するステップと、
を更に含み、式中、z=g1×(f−fn)/fnであり、fは周波数であり、fnは、前記プレート・モードの共振周波数であり、g0及びg1はパラメータであり、前記パラメータは、前記1つ以上の試験的なSAW共振器の測定したアドミタンスに、前記Yre及びYimの式を当てはめることによって決定される、請求項9に記載の方法。 - 前記1つ以上の関連プレート・モードの共振周波数は、式:
fn=nc/2t
によって得られ、式中、fnは、モード指数nを有する前記プレート・モードの共振周波数であり、nは正の整数であり、tは、前記圧電ウエハの厚さであり、cは、前記SAW共振器と関連付けられたプレート・モードの有効音速である、請求項10に記載の方法。 - 前記1つ以上の試験的なSAW共振器は、異なる周波数を有する2つ以上の試験的なSAW共振器を含み、
前記2つ以上のSAW共振器の各々に対し、前記各関連プレート・モードの有効音速は、式:
c=afres+b
によって得られ、式中、fresは、前記SAW共振器の周波数であり、a及びbは定数であり、前記定数は、前記異なる共振周波数を有する2つ以上の試験的なSAW共振器で測定したデータに、前記cの式を当てはめることによって決定される、請求項11に記載の方法。 - 前記圧電ウエハのための2つ以上の非連続厚さ範囲を規定するステップを更に含み、前記圧電ウエハは、前記設計要件セットを満たす最終フィルタ設計に従ったフィルタの作製に使用することができる、請求項9に記載の方法。
- 前記2つ以上の非連続厚さ範囲のうち1つの範囲内の厚さを有する圧電ウエハを含む複合基板を選択するステップと、
前記選択した複合基板上に、前記最終フィルタ設計に従ってフィルタを作製するステップと、
を更に含む、請求項13に記載の方法。 - 前記2つ以上の非連続厚さ範囲のうち1つの範囲内の厚さを有する圧電ウエハを選択するステップと、
前記選択した圧電ウエハ上に、前記最終フィルタ設計に従ってフィルタを作製するステップと、
を更に含む、請求項13に記載の方法。 - 圧電ウエハ上に表面弾性波フィルタを作製する方法であって、
2つ以上の非連続厚さ範囲を決定するステップであって、前記非連続厚さ範囲は、所定の作製工程を使用する所定のフィルタ設計に従って所定要件を満たすフィルタを上に作製できる圧電ウエハを規定する、ステップと、
前記非連続厚さ範囲のうち1つの範囲内の厚さを有する圧電ウエハを選択するステップと、
前記所定の作製工程を使用する前記所定のフィルタ設計に従って、前記選択した圧電ウエハ上にフィルタを作製するステップと、
を含み、
前記2つ以上の非連続厚さ範囲のいずれかの範囲内にない厚さの値は、前記所定の作製工程を使用する前記所定のフィルタ回路設計に従ってフィルタを上に作製した圧電ウエハが、前記所定要件を満たさないことを規定する、方法。 - 前記圧電ウエハは、前記圧電ウエハに接合した下地基板を含む複合基板の一部分である、請求項16に記載の方法。
- 2つ以上の非連続厚さ範囲を決定するステップであって、前記非連続厚さ範囲は、所定の作製工程を使用する所定のフィルタ設計に従って所定要件を満たすフィルタを上に作製できる圧電ウエハを規定する、ステップと、
前記非連続厚さ範囲のうち1つの範囲内の厚さを有する圧電ウエハを選択するステップと、
前記所定の作製工程を使用する前記所定のフィルタ設計に従って、前記選択した圧電ウエハ上にフィルタを作製するステップと、
を含む工程によって作製されたフィルタであり、
前記2つ以上の非連続厚さ範囲のいずれかの範囲内にない厚さの値は、前記所定の作製工程を使用する前記所定のフィルタ回路設計に従ってフィルタを上に作製した圧電ウエハが、前記所定要件を満たさないことを規定する、フィルタ。 - 前記圧電ウエハは、前記圧電ウエハに接合した下地基板を含む複合基板の一部分である、請求項18に記載のフィルタ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/925,603 US9369111B1 (en) | 2015-10-28 | 2015-10-28 | Fabrication of surface acoustic wave filters having plate modes |
US14/925,603 | 2015-10-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017085542A true JP2017085542A (ja) | 2017-05-18 |
JP6194072B2 JP6194072B2 (ja) | 2017-09-06 |
Family
ID=56100677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016132545A Active JP6194072B2 (ja) | 2015-10-28 | 2016-07-04 | プレート・モードを有する表面弾性波フィルタの設計及び作製 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9369111B1 (ja) |
EP (1) | EP3163749A3 (ja) |
JP (1) | JP6194072B2 (ja) |
KR (1) | KR101777584B1 (ja) |
CN (1) | CN106656096A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220097182A (ko) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | (주) 와이팜 | Saw 전송선 모델을 이용한 saw 공진기의 특성 정보 산출방법 및 이를 기록한 컴퓨팅 장치에 의해 판독 가능한 기록매체 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9948277B2 (en) | 2015-09-02 | 2018-04-17 | Resonant Inc. | Method of optimizing input impedance of surface acoustic wave filter |
US9369111B1 (en) | 2015-10-28 | 2016-06-14 | Resonant Inc. | Fabrication of surface acoustic wave filters having plate modes |
CN109075771B (zh) | 2016-04-08 | 2022-08-16 | 谐振公司 | 射频滤波器,高选择性三工器和通信设备 |
US9825611B2 (en) * | 2016-04-15 | 2017-11-21 | Resonant Inc. | Dual passband radio frequency filter and communications device |
US10230350B2 (en) | 2016-06-15 | 2019-03-12 | Resonant Inc. | Surface acoustic wave filters with extracted poles |
DE102016114071B3 (de) * | 2016-07-29 | 2018-01-25 | Snaptrack, Inc. | Elektroakustisches Filter mit reduzierten Plattenmoden |
FR3079101B1 (fr) * | 2018-03-16 | 2020-11-06 | Frecnsys | Structure de transducteur pour suppression de source dans les dispositifs de filtres a ondes acoustiques de surface |
CN110138355A (zh) * | 2019-05-16 | 2019-08-16 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器 |
KR102682200B1 (ko) * | 2021-11-29 | 2024-07-04 | 순천향대학교 산학협력단 | 탄성파 필터 설계 방법 |
KR102687998B1 (ko) * | 2021-12-29 | 2024-07-24 | (주)와이팜 | Saw 공진기의 설계방법 및 이를 기록한 컴퓨팅 장치에 의해 판독 가능한 기록매체 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002288227A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波フィルタの設計方法、コンピュータプログラム及び記録媒体 |
JP2008270904A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波装置及び分波器 |
US8035464B1 (en) * | 2009-03-05 | 2011-10-11 | Triquint Semiconductor, Inc. | Bonded wafer SAW filters and methods |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1089544A (en) * | 1976-11-09 | 1980-11-11 | Sadao Takahashi | Elastic surface wave device |
JPS54108551A (en) * | 1978-02-14 | 1979-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elastic surface wave device |
JP3509764B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2004-03-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置、通信装置 |
JP2006025396A (ja) * | 2004-06-09 | 2006-01-26 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置、その製造方法、および電子機器 |
JP4587732B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2010-11-24 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置 |
US8997320B2 (en) * | 2008-01-24 | 2015-04-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing acoustic wave device |
US7911111B2 (en) | 2008-04-15 | 2011-03-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Surface acoustic wave devices |
US8115365B2 (en) | 2008-04-15 | 2012-02-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Surface acoustic wave devices |
US8288918B2 (en) | 2008-12-24 | 2012-10-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate and manufacturing method thereof |
JP2010187373A (ja) | 2009-01-19 | 2010-08-26 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス |
US8862192B2 (en) | 2010-05-17 | 2014-10-14 | Resonant Inc. | Narrow band-pass filter having resonators grouped into primary and secondary sets of different order |
WO2013115115A1 (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子及びそれを備えた複合モジュール |
US9541973B2 (en) | 2012-10-11 | 2017-01-10 | Monolithic Power Systems, Inc. | Digitally calibrated voltage regulators for power management |
US8990472B2 (en) | 2012-10-24 | 2015-03-24 | Mellanox Technologies, Ltd | Methods and systems for running network protocols over peripheral component interconnect express |
US9038005B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-05-19 | Resonant Inc. | Network synthesis design of microwave acoustic wave filters |
US8751993B1 (en) | 2013-03-15 | 2014-06-10 | Resonant Llc | Element removal design in microwave filters |
US9325294B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Resonant Inc. | Microwave acoustic wave filters |
US8990742B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-03-24 | Resonant Inc. | Network synthesis design of microwave acoustic wave filters |
US9208274B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-12-08 | Resonant Inc. | Network synthesis design of microwave acoustic wave filters |
US9331669B2 (en) | 2014-07-25 | 2016-05-03 | Resonant Inc. | High rejection surface acoustic wave duplexer |
US9374061B1 (en) | 2015-09-02 | 2016-06-21 | Resonant Inc. | Method of optimizing input impedance of surface acoustic wave filter |
US9369111B1 (en) | 2015-10-28 | 2016-06-14 | Resonant Inc. | Fabrication of surface acoustic wave filters having plate modes |
US9525393B1 (en) | 2015-11-13 | 2016-12-20 | Resonant Inc. | Technique for designing acoustic microwave filters using lcr-based resonator models |
US9608595B1 (en) | 2015-11-13 | 2017-03-28 | Resonant Inc. | Acoustic wave filter with enhanced rejection |
-
2015
- 2015-10-28 US US14/925,603 patent/US9369111B1/en active Active
-
2016
- 2016-04-28 US US15/141,312 patent/US10110200B2/en active Active
- 2016-07-04 JP JP2016132545A patent/JP6194072B2/ja active Active
- 2016-07-22 EP EP16180904.1A patent/EP3163749A3/en not_active Withdrawn
- 2016-10-28 CN CN201610969052.9A patent/CN106656096A/zh active Pending
- 2016-10-28 KR KR1020160141556A patent/KR101777584B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002288227A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波フィルタの設計方法、コンピュータプログラム及び記録媒体 |
JP2008270904A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波装置及び分波器 |
US8035464B1 (en) * | 2009-03-05 | 2011-10-11 | Triquint Semiconductor, Inc. | Bonded wafer SAW filters and methods |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220097182A (ko) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | (주) 와이팜 | Saw 전송선 모델을 이용한 saw 공진기의 특성 정보 산출방법 및 이를 기록한 컴퓨팅 장치에 의해 판독 가능한 기록매체 |
KR102577710B1 (ko) | 2020-12-30 | 2023-09-12 | (주)와이팜 | Saw 전송선 모델을 이용한 saw 공진기의 특성 정보 산출방법 및 이를 기록한 컴퓨팅 장치에 의해 판독 가능한 기록매체 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10110200B2 (en) | 2018-10-23 |
KR101777584B1 (ko) | 2017-09-13 |
CN106656096A (zh) | 2017-05-10 |
US20170126203A1 (en) | 2017-05-04 |
EP3163749A3 (en) | 2017-08-16 |
EP3163749A2 (en) | 2017-05-03 |
JP6194072B2 (ja) | 2017-09-06 |
US9369111B1 (en) | 2016-06-14 |
KR20170049451A (ko) | 2017-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6194072B2 (ja) | プレート・モードを有する表面弾性波フィルタの設計及び作製 | |
JP7447811B2 (ja) | 横方向に励起されたフィルムバルク音響共振器 | |
US11139794B2 (en) | Transversely-excited film bulk acoustic resonator | |
CN113615083B (zh) | 带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声学谐振器 | |
US10657305B2 (en) | Technique for designing acoustic microwave filters using LCR-based resonator models | |
Bi et al. | Bulk acoustic wave RF technology | |
TW202037074A (zh) | 固裝橫向激發薄膜腔體聲諧振器 | |
CN106487351B (zh) | 优化表面声波滤波器的输入阻抗的方法 | |
KR20190043564A (ko) | 음향파 필터 장치들에 대한 2차원 유한 요소법 시뮬레이션의 계층적 정렬 | |
JP2015536059A (ja) | マイクロ波音響波フィルタの改良された設計 | |
Pensala | Thin film bulk acoustic wave devices: Performance optimization and modeling | |
JP2022109890A (ja) | 減結合横方向励起フィルムバルク音響共振器 | |
CN114006600A (zh) | 一种薄膜体声波谐振器、制备方法及薄膜体声波滤波器 | |
US12081187B2 (en) | Transversely-excited film bulk acoustic resonator | |
Kim et al. | Highly miniaturized RF bandpass filter based on thin-film bulk acoustic-wave resonator for 5-GHz-band application | |
Ballandras et al. | Development of temperature-stable RF filters on composite substrates based on a single crystal LiTaO 3 layer on silicon | |
JP2022186631A (ja) | 低損失横方向励起フィルムバルク音響共振器及びフィルタ | |
TW202224221A (zh) | 聲波裝置中之壓電層配置及相關方法 | |
JP2022537083A (ja) | 複数のダイアフラム厚さ有する横方向励起フィルムバルク音響共振器及び製造方法 | |
US20240283428A1 (en) | Capacitively-coupled resonator for improvement in upper band edge steepness | |
CN109756203B (zh) | 一种fbar谐振频率和振荡薄膜各层厚度对应关系建立方法 | |
TW202327266A (zh) | 橫向激發薄膜體聲波共振器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170718 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170810 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6194072 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |