JP2017083613A - Wavelength selection element - Google Patents

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登 佐久間
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wavelength selection element which allows substrates to be reliably aligned with each other with a desired clearance, and allows for accurately adjusting wavelength selection properties in a stable manner.SOLUTION: A wavelength selection element 10 includes; a pair of reflective films 12 disposed respectively on a pair of substrates 11 to face each other with an air gap therebetween, where at least one of the reflective films can be moved in an opposing direction of the reflective films; a contact portion 17 formed on each of the pair of substrates 11 and configured to be brought into contact with each other to define a displacement reference position of the at least one of the reflective films; a vent section 19 that puts the air gap in communication with outside; and a bonded section 18 where the substrates are bonded to each other.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、光フィルタなどの波長選択素子に関する。   The present invention relates to a wavelength selection element such as an optical filter.

光フィルタは、例えば、入射された光の中から所定の波長（波長帯域）の光のみを選択的に出射するように構成された光学素子である。例えば、光フィルタのような波長選択素子は、互いに対向する一対の反射膜を配置した構成を有している。当該一対の反射膜は、例えば、間隙をおいて平行に配置される。また、反射膜間の間隔は、取出されるべき光の波長に応じて設定される。   The optical filter is an optical element configured to selectively emit only light having a predetermined wavelength (wavelength band) from incident light, for example. For example, a wavelength selection element such as an optical filter has a configuration in which a pair of reflective films facing each other are arranged. The pair of reflective films are arranged in parallel with a gap, for example. Further, the interval between the reflective films is set according to the wavelength of light to be extracted.

例えば、特許文献１には、第１の光反射部を備える可動板がその厚さ方向に変位可能に設けられた第１の基体と、第１の光反射部に光学ギャップを隔てて対向する第２の光反射部が設けられた第２の基体とを有する光学デバイスが開示されている。また、当該第１及び第２の基体は、接合膜を介して接合されている。   For example, in Patent Literature 1, a movable plate having a first light reflecting portion is opposed to a first base body provided so as to be displaceable in the thickness direction, and the first light reflecting portion is opposed to an optical gap. An optical device having a second substrate provided with a second light reflecting portion is disclosed. Further, the first and second bases are bonded via a bonding film.

特開2009-134025号公報JP 2009-134025

反射膜間の間隔（光学ギャップ）は、取出す光（電磁波）の波長、すなわち波長選択特性（フィルタリング特性）に密接に関連している。特定の波長の電磁波のみを確実に取出すことを考慮すると、反射膜間の光学ギャップは膜内方向において厳密に一定であることが好ましい。   The interval between the reflecting films (optical gap) is closely related to the wavelength of the extracted light (electromagnetic wave), that is, the wavelength selection characteristic (filtering characteristic). In consideration of reliably extracting only an electromagnetic wave having a specific wavelength, it is preferable that the optical gap between the reflective films is strictly constant in the in-film direction.

一方、複数（例えば２つ）の基板にそれぞれ反射膜を形成し、当該基板同士が接合された構成を有する光学フィルタが一般に知られている。このような構成の場合、例えば、基板の接合領域には接合層が形成され、接合層によって当該２つの基板が接合される。ここで、光学ギャップの精度は、接合された基板間の位置関係（例えば２つの基板の平行度）の影響を受ける。   On the other hand, an optical filter having a configuration in which a reflective film is formed on each of a plurality of (for example, two) substrates and the substrates are bonded to each other is generally known. In such a configuration, for example, a bonding layer is formed in the bonding region of the substrates, and the two substrates are bonded by the bonding layer. Here, the accuracy of the optical gap is affected by the positional relationship between the bonded substrates (for example, the parallelism of the two substrates).

従って、フィルタリング特性を高めるためには、所望の光学ギャップが確実に形成されるように基板同士が接合されていることが好ましい。また、接合された基板間の位置が確実に確定されていることが好ましい。また、例えば、複雑な装置を必要とせず、容易に基板同士を接合することができることが好ましい。   Therefore, in order to improve the filtering characteristics, it is preferable that the substrates are bonded to each other so that a desired optical gap is reliably formed. Moreover, it is preferable that the position between the bonded substrates is reliably determined. In addition, for example, it is preferable that the substrates can be easily bonded to each other without requiring a complicated apparatus.

また、一般に、光フィルタは、反射膜間の間隔（光学ギャップ）が固定された波長固定型と、光学ギャップを調節すること可能な波長可変型とに区別される。波長可変型の光フィルタは、例えば、固定された一方の反射膜と、当該一方の反射膜に間隙をおいて対向し、その対向方向に移動可能な他方の反射膜とを備えている。この波長可変型の光フィルタ（波長選択素子）においては、反射膜間の間隔、すなわち波長選択特性を安定して正確に調節できることが好ましい。   In general, optical filters are classified into a fixed wavelength type in which the interval (optical gap) between reflecting films is fixed and a variable wavelength type in which the optical gap can be adjusted. The wavelength tunable optical filter includes, for example, one fixed reflection film and the other reflection film that faces the one reflection film with a gap and is movable in the opposite direction. In this tunable optical filter (wavelength selection element), it is preferable that the interval between the reflection films, that is, the wavelength selection characteristics can be adjusted stably and accurately.

本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、基板同士が確実に所望の間隔で位置決めされ、波長選択特性を安定して正確に調節することが可能な波長選択素子を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above points, and provides a wavelength selection element in which substrates can be reliably positioned at desired intervals and wavelength selection characteristics can be adjusted stably and accurately. It is aimed.

請求項１に記載の発明は、一対の基板の各々に空隙をおいて対向して配置された一対の反射膜を有し、反射膜の少なくとも一方が反射膜の対向方向に変位可能な波長選択素子であって、一対の基板の各々に形成され、互いに直接に突き当たって少なくとも一方の反射膜の変位基準位置を定める突当り部と、外部から空隙に通じる通気部と、基板の各々が互いに接着された接着部と、を有することを特徴としている。   The invention according to claim 1 has a pair of reflection films disposed opposite each other with a gap between each of the pair of substrates, and at least one of the reflection films can be displaced in a direction opposite to the reflection film. Each element is formed on each of a pair of substrates and directly contacts each other to define a displacement reference position of at least one reflection film, a ventilation portion that leads to a gap from the outside, and each of the substrates are bonded to each other. And an adhesive portion.

（ａ）は実施例１に係る波長選択素子の模式的な上面図であり、（ｂ）は実施例１に係る波長選択素子の断面図である。(A) is a schematic top view of the wavelength selection element according to the first embodiment, and (b) is a cross-sectional view of the wavelength selection element according to the first embodiment. 実施例１に係る波長選択素子の模式的な動作説明図である。FIG. 6 is a schematic operation explanatory diagram of the wavelength selection element according to the first embodiment. （ａ）は実施例１に係る波長選択素子における接着部の模式的な上面図であり、（ｂ）は接着部の模式的な断面図である。(A) is a typical top view of the adhesion part in the wavelength selection element concerning Example 1, (b) is a typical sectional view of an adhesion part. （ａ）は実施例１に係る波長選択素子の第１の基板の模式的な上面図であり、（ｂ）は実施例１に係る波長選択素子の第２の基板の模式的な上面図である。(A) is a schematic top view of the 1st board | substrate of the wavelength selection element concerning Example 1, (b) is a schematic top view of the 2nd board | substrate of the wavelength selection element concerning Example 1. is there. （ａ）〜（ｃ）は、実施例１に係る波長選択素子の製造方法を示す断面図である。(A)-(c) is sectional drawing which shows the manufacturing method of the wavelength selection element concerning Example 1. FIG. （ａ）は実施例１の変形例１に係る波長選択素子における接着部を模式的に示す上面図であり、（ｂ）は実施例１の変形例２に係る波長選択素子における接着部を模式的に示す上面図である。(A) is a top view which shows typically the adhesion part in the wavelength selection element which concerns on the modification 1 of Example 1, (b) is a schematic diagram of the adhesion part in the wavelength selection element which concerns on the modification 2 of Example 1. FIG. FIG.

以下に本発明の実施例について詳細に説明する。   Examples of the present invention will be described in detail below.

図１（ａ）は、実施例１に係る波長選択素子１０の上面を模式的に示す図である。図１（ａ）においては、図の明確さのため、一部の構成要素にハッチングを施している。図１（ｂ）は、波長選択素子１０の断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。波長選択素子１０は、例えば、光学フィルタである。図１（ａ）及び（ｂ）を用いて波長選択素子１０の構造について説明する。   FIG. 1A is a diagram schematically illustrating the upper surface of the wavelength selection element 10 according to the first embodiment. In FIG. 1A, some components are hatched for the sake of clarity. FIG. 1B is a cross-sectional view of the wavelength selection element 10. FIG.1 (b) is sectional drawing along the VV line of Fig.1 (a). The wavelength selection element 10 is an optical filter, for example. The structure of the wavelength selection element 10 will be described with reference to FIGS.

波長選択素子１０は、透光性の一対の基板（以下、基板対と称する場合がある）１１を有する。基板対１１は、例えば、石英、ホウケイ酸ガラス、シリコンなどからなる。なお、本明細書において、透光性とは、光（可視光）を含む電磁波のうち、少なくとも一部の電磁波を透過する特性をいう。   The wavelength selection element 10 includes a pair of translucent substrates (hereinafter, may be referred to as substrate pairs) 11. The substrate pair 11 is made of, for example, quartz, borosilicate glass, silicon, or the like. In this specification, translucency refers to a property of transmitting at least a part of electromagnetic waves including light (visible light).

基板対１１は、平板形状の第１の基板１１Ａ及び第２の基板１１Ｂが互いに対向して配置された構造を有する。また、図１（ｂ）に示すように、基板対１１は、各々が間隙ＧＰをおいて互いに対向する平面（以下、平面対と称する場合がある）ＰＰを有する。すなわち、一対の基板１１は、各々が間隙ＧＰをおいて互いに対向する一対の平面ＰＰを有するように互いに対向して配置されている。平面対ＰＰは、第１の基板１１Ａの第１の平面ＰＬ１と、第２の基板１１Ｂの第２の平面ＰＬ２とからなる。   The substrate pair 11 has a structure in which a plate-shaped first substrate 11A and a second substrate 11B are arranged to face each other. As shown in FIG. 1B, the substrate pair 11 has planes PP (hereinafter sometimes referred to as plane pairs) PP that face each other with a gap GP. That is, the pair of substrates 11 are arranged to face each other so that each has a pair of planes PP that face each other with a gap GP. The plane pair PP includes a first plane PL1 of the first substrate 11A and a second plane PL2 of the second substrate 11B.

本実施例においては、第１の基板１１Ａの主面の一方が第１の平面ＰＬ１である。また、第２の基板１１Ｂの主面の中央部には凹部が設けられ、当該凹部の底面が第２の平面ＰＬ２を構成する。このようにして、第１及び第２の平面ＰＬ１及びＰＬ２は、互いに間隙ＧＰをおいて対向して配置されている。また、本実施例においては、第１及び第２の平面ＰＬ１及びＰＬ２は、互いに平行に配置されている。   In the present embodiment, one of the main surfaces of the first substrate 11A is the first plane PL1. Further, a concave portion is provided in the central portion of the main surface of the second substrate 11B, and the bottom surface of the concave portion constitutes the second plane PL2. In this way, the first and second planes PL1 and PL2 are arranged to face each other with the gap GP therebetween. In the present embodiment, the first and second planes PL1 and PL2 are arranged in parallel to each other.

波長選択素子１０は、電磁波を選択的に透過する特性を有する一対の反射膜（以下、反射膜対と称する場合がある）１２を有する。反射膜対１２は、例えば、ファブリペローエタロンを構成する。反射膜対１２の各々は、例えばＡｇ及びＡｇを含む合金からなる薄膜である。本実施例においては、反射膜対１２は、反射膜対１２に垂直な方向から見たとき、円形の形状を有する。また、反射膜対１２は、基板対１１の中央部に設けられている。   The wavelength selection element 10 includes a pair of reflection films (hereinafter, sometimes referred to as a reflection film pair) 12 having a characteristic of selectively transmitting electromagnetic waves. The reflective film pair 12 constitutes, for example, a Fabry-Perot etalon. Each of the reflective film pairs 12 is a thin film made of, for example, an alloy containing Ag and Ag. In this embodiment, the reflective film pair 12 has a circular shape when viewed from a direction perpendicular to the reflective film pair 12. Further, the reflective film pair 12 is provided in the central portion of the substrate pair 11.

反射膜対１２は、基板対１１の互いに対向する平面ＰＬ１及びＰＬ２の各々に配置されている。より具体的には、反射膜対１２は、第１の基板１１Ａの第１の平面ＰＬ１上に設けられた第１の反射膜１２Ａと、第２の基板１１Ｂの第２の平面ＰＬ２上に設けられた第２の反射膜１２Ｂとからなる。第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂは、空隙ＤＴをおいて互いに対向して配置されている。本実施例においては、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂは、互いに平行に配置されている。   The reflective film pair 12 is disposed on each of the planes PL1 and PL2 of the substrate pair 11 facing each other. More specifically, the reflecting film pair 12 is provided on the first reflecting film 12A provided on the first plane PL1 of the first substrate 11A and on the second plane PL2 of the second substrate 11B. The second reflection film 12B. The first and second reflective films 12A and 12B are arranged to face each other with a gap DT. In the present embodiment, the first and second reflective films 12A and 12B are arranged in parallel to each other.

第１の基板１１Ａは、可動部１３と可動部１３を支持する支持部１４とを有する。より詳細には、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の基板１１Ａには環状の凹部が形成されている。そして、当該凹部によって形成された第１の基板１１Ａの薄膜部が支持部１４である。また、基板１１Ａにおける支持部１４の内側において支持部１４に支持される部分が可動部１３となる。また、可動部１３及び支持部１４の底面（第２の平面ＰＬ２に対向する面）は、第１の平面ＰＬ１である。可動部１３及び支持部１４の底面は、第１の平面ＰＬ１を構成する。支持部１４は、第２の平面ＰＬ２に垂直な方向に可動部１３を移動可能なように、可動部１３を支持している。   The first substrate 11 </ b> A includes a movable portion 13 and a support portion 14 that supports the movable portion 13. More specifically, as shown in FIGS. 1A and 1B, an annular recess is formed in the first substrate 11A. The thin film portion of the first substrate 11 </ b> A formed by the concave portion is the support portion 14. Further, the portion supported by the support portion 14 inside the support portion 14 in the substrate 11 </ b> A becomes the movable portion 13. Further, the bottom surfaces of the movable portion 13 and the support portion 14 (surfaces facing the second plane PL2) are the first plane PL1. The bottom surfaces of the movable portion 13 and the support portion 14 constitute a first plane PL1. The support part 14 supports the movable part 13 so that the movable part 13 can be moved in a direction perpendicular to the second plane PL2.

換言すれば、波長選択素子１０は、第１の基板１１Ａに設けられて第２の平面ＰＬ２に対向する可動部１３と、第１の基板１１Ａに設けられて第２の平面ＰＬ２に対向し、可動部１３を第２の平面ＰＬ２に垂直な方向に移動可能に支持する支持部１４とを有する。   In other words, the wavelength selection element 10 is provided on the first substrate 11A and is opposed to the second plane PL2, and the movable portion 13 is provided on the first substrate 11A and is opposed to the second plane PL2. And a support portion 14 that supports the movable portion 13 so as to be movable in a direction perpendicular to the second plane PL2.

第１の反射膜１２Ａは、可動部１３の第２の平面ＰＬ２に対向する面上に形成されている。すなわち、第１の反射膜１２Ａは、第１の平面ＰＬ１の一部として形成されている可動部１３の底面上に形成されている。第１の平面ＰＬ１における第１の反射膜１２Ａが形成された領域は、可動面として機能する。第１の反射膜１２Ａは、可動部１３の移動に従って変位する。第１の反射膜１２Ａは、可動部１３の移動に従って、第２の反射膜１２Ｂとの間の間隔が変化するように、変位する。すなわち、可動部１３は、反射膜対１２の対向方向に移動し、第１の反射膜１２Ａを反射膜対１２の対向方向に変位させる。   The first reflective film 12A is formed on the surface of the movable portion 13 that faces the second plane PL2. That is, the first reflective film 12A is formed on the bottom surface of the movable portion 13 formed as a part of the first plane PL1. The region where the first reflective film 12A is formed on the first plane PL1 functions as a movable surface. The first reflective film 12 </ b> A is displaced according to the movement of the movable portion 13. The first reflective film 12A is displaced so that the distance between the first reflective film 12A and the second reflective film 12B changes as the movable portion 13 moves. That is, the movable portion 13 moves in the direction in which the reflective film pair 12 faces, and displaces the first reflective film 12A in the direction in which the reflective film pair 12 faces.

なお、本明細書においては、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂの配置面である第１及び第２の平面ＰＬ１及びＰＬ２は、互いに平行に配置されている。また、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂは互いに平行に配置されている。そして、反射膜対１２の対向方向とは、第１及び第２の平面ＰＬ１及びＰＬ２（第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂ）に平行な面に垂直な方向をいう。   In the present specification, the first and second planes PL1 and PL2 which are the arrangement surfaces of the first and second reflection films 12A and 12B are arranged in parallel to each other. The first and second reflective films 12A and 12B are arranged in parallel to each other. The opposing direction of the reflective film pair 12 refers to a direction perpendicular to a plane parallel to the first and second planes PL1 and PL2 (first and second reflective films 12A and 12B).

また、波長変換素子１０は、反射膜１２Ａを変位させる駆動部１５を有する。駆動部１５は、平面対ＰＰの各々上において間隙をおいて互いに対向して配置された第１及び第２の駆動電極１５Ａ及び１５Ｂを有する。第１の駆動電極１５Ａは支持部１４上に形成され、第２の駆動電極１５Ｂは第２の平面ＰＬ２上に設けられている。可動部１３は、第１及び第２の駆動電極１５Ａ及び１５Ｂに電圧を印加することによって移動する。より具体的には、第１及び第２の駆動電極１５Ａ及び１５Ｂは、可動部１３を移動させ、第１の反射膜１２Ａを変位させる静電気力を生成する。   Further, the wavelength conversion element 10 has a drive unit 15 that displaces the reflective film 12A. The drive unit 15 includes first and second drive electrodes 15A and 15B arranged to face each other with a gap on each of the plane pair PP. The first drive electrode 15A is formed on the support portion 14, and the second drive electrode 15B is provided on the second plane PL2. The movable portion 13 moves by applying a voltage to the first and second drive electrodes 15A and 15B. More specifically, the first and second drive electrodes 15A and 15B generate an electrostatic force that moves the movable portion 13 and displaces the first reflective film 12A.

本実施例においては、第１の駆動電極１５Ａは、第１の反射膜１２Ａの外周を取り囲むように環状に形成されている。また、第２の駆動電極１５Ｂは、第２の反射膜１２Ｂの外周を取り囲むように環状に形成されている。また、駆動部１５は、第１及び第２の駆動電極１５Ａ及び１５Ｂに接続された配線ＷＲと、配線ＷＲに接続され、外部電源に接続される端子ＴＥとを有する。   In the present embodiment, the first drive electrode 15A is formed in an annular shape so as to surround the outer periphery of the first reflective film 12A. The second drive electrode 15B is formed in an annular shape so as to surround the outer periphery of the second reflective film 12B. The driving unit 15 includes a wiring WR connected to the first and second driving electrodes 15A and 15B, and a terminal TE connected to the wiring WR and connected to an external power source.

端子ＴＥから第１及び第２の駆動電極１５Ａ及び１５Ｂに電圧が印加されると、第１及び第２の駆動電極１５Ａ及び１５Ｂ間に静電引力が生ずる。当該静電引力によって、支持部１４（薄膜部）は弾性変形を起こす。これによって、可動部１３は、第１の反射膜１２Ａ及び第１の電極膜１５Ａと共に、第２の基板１１Ｂ側に移動（変位）する。第１及び第２の駆動電極１５Ａ及び１５Ｂへの給電を停止すると、支持部１４は元の形状に戻り、可動部１３は元の位置に戻る。換言すれば、支持部１４は、弾性変形によって可動部１３を移動可能なように支持している。   When a voltage is applied from the terminal TE to the first and second drive electrodes 15A and 15B, an electrostatic attractive force is generated between the first and second drive electrodes 15A and 15B. The support portion 14 (thin film portion) is elastically deformed by the electrostatic attractive force. Accordingly, the movable portion 13 moves (displaces) to the second substrate 11B side together with the first reflective film 12A and the first electrode film 15A. When power supply to the first and second drive electrodes 15A and 15B is stopped, the support portion 14 returns to the original shape, and the movable portion 13 returns to the original position. In other words, the support part 14 supports the movable part 13 so as to be movable by elastic deformation.

このようにして、波長選択素子１０は、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂ間の空隙ＤＴ（光学ギャップ）を変化させることによって取出す電磁波の波長を調節する機能を有する。すなわち、波長選択素子１０は、一対の基板１１Ａ及び１１Ｂの各々に空隙ＤＴをおいて対向して配置された一対の反射膜１２Ａ及び１２Ｂを有し、反射膜１２Ａ及び１２Ｂの一方（第１の反射膜１２Ａ）が反射膜対１２の対向方向に変位可能な波長選択素子である。   In this way, the wavelength selection element 10 has a function of adjusting the wavelength of the electromagnetic wave taken out by changing the gap DT (optical gap) between the first and second reflective films 12A and 12B. In other words, the wavelength selection element 10 has a pair of reflection films 12A and 12B arranged to face each other with a gap DT on each of the pair of substrates 11A and 11B, and one of the reflection films 12A and 12B (the first film) The reflective film 12A) is a wavelength selection element that can be displaced in the direction in which the reflective film pair 12 faces.

波長選択素子１０は、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂ間の空隙ＤＴの高さを検出（測定）する検出部１６を有する。検出部１６は、平面対ＰＰの各々上において間隙をおいて互いに対向して配置された第１及び第２の検出電極１６Ａ及び１６Ｂを有する。第１の検出電極１６Ａは支持部１４上に形成され、第２の検出電極１５Ｂは第２の平面ＰＬ２上に設けられている。   The wavelength selection element 10 includes a detection unit 16 that detects (measures) the height of the gap DT between the first and second reflection films 12A and 12B. The detection unit 16 includes first and second detection electrodes 16A and 16B that are arranged to face each other with a gap on each of the plane pair PP. The first detection electrode 16A is formed on the support portion 14, and the second detection electrode 15B is provided on the second plane PL2.

本実施例においては、第１の検出電極１６Ａは、第１の駆動電極１５Ａの外周を取り囲むように環状に形成されている。また、第２の検出電極１６Ｂは、第２の駆動電極１５Ｂの外周を取り囲むように環状に形成されている。また、検出部１６は、第１及び第２の検出電極１６Ａ及び１６Ｂに接続された配線ＷＲと、配線ＷＲに接続され、測定回路（図示せず）に接続される端子ＴＥとを有する（配線ＷＲ及び端子ＴＥについては図４（ａ）及び（ｂ）を用いて後述する）。   In the present embodiment, the first detection electrode 16A is formed in an annular shape so as to surround the outer periphery of the first drive electrode 15A. The second detection electrode 16B is formed in an annular shape so as to surround the outer periphery of the second drive electrode 15B. The detection unit 16 includes a wiring WR connected to the first and second detection electrodes 16A and 16B, and a terminal TE connected to the wiring WR and connected to a measurement circuit (not shown). The WR and the terminal TE will be described later with reference to FIGS. 4A and 4B.

検出部１６は、第１及び第２の検出電極１６Ａ及び１６Ｂ間に生ずる静電引力の大きさに基づいて、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂ間の空隙ＤＴの高さを検出する。例えば、駆動部１５による可動部１３の移動に伴って、第１及び第２の検出電極１６Ａ及び１６Ｂ間の間隔が変化する。第１及び第２の検出電極１６Ａ及び１６Ｂ間の間隔が変化することによって、第１及び第２の検出電極１６Ａ及び１６Ｂ間に生ずる静電引力の大きさが変化する。この第１及び第２の検出電極１６Ａ及び１６Ｂ間に生ずる静電引力の大きさを外部（例えば測定回路）によって測定（監視）することで、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂ間の空隙ＤＴの高さが算出される。   The detection unit 16 detects the height of the gap DT between the first and second reflective films 12A and 12B based on the magnitude of the electrostatic attractive force generated between the first and second detection electrodes 16A and 16B. . For example, the distance between the first and second detection electrodes 16 </ b> A and 16 </ b> B changes as the movable unit 13 is moved by the driving unit 15. By changing the distance between the first and second detection electrodes 16A and 16B, the magnitude of electrostatic attraction generated between the first and second detection electrodes 16A and 16B changes. By measuring (monitoring) the magnitude of the electrostatic attractive force generated between the first and second detection electrodes 16A and 16B by an external device (for example, a measurement circuit), the first and second reflection films 12A and 12B can be measured. The height of the gap DT is calculated.

なお、本実施例においては、図１（ｂ）に示すように、第２の基板１１Ｂの中央部に形成した凹部の底面としての第２の平面ＰＬ２の外周部に第２の平面ＰＬ２よりも深い（低い）領域を形成し、当該領域に第２の駆動電極１５Ｂ及び第２の検出電極１６Ｂを形成した。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1B, the outer peripheral portion of the second plane PL2 as the bottom surface of the recess formed in the central portion of the second substrate 11B is more than the second plane PL2. A deep (low) region was formed, and the second drive electrode 15B and the second detection electrode 16B were formed in the region.

波長選択素子１０は、図１（ｂ）に示すように、基板１１Ａ及び１１Ｂの各々に形成され、互いに直接に突き当たって第１の反射膜１２Ａの変位基準位置を定める突当り部１７を有する。突当り部１７は、反射膜対１２の対向方向における第１の反射膜１２Ａの変位基準位置（初期位置）の位置決め部として機能する。なお、図１（ａ）においては、突当り部１７にハッチングを施している。   As shown in FIG. 1B, the wavelength selection element 10 has a contact portion 17 that is formed on each of the substrates 11A and 11B and directly contacts each other to determine the displacement reference position of the first reflective film 12A. The abutting portion 17 functions as a positioning portion for the displacement reference position (initial position) of the first reflective film 12A in the opposing direction of the reflective film pair 12. In FIG. 1A, the abutting portion 17 is hatched.

第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂは、突当り部１７によって、直接に突き当てられている（接触している）。間隙ＧＰの高さ、すなわち第１及び第２の平面ＰＬ１及びＰＬ２間の対向間隔は、突当り部１７によって確定される。従って、反射膜１２Ａ及び１２Ｂ間の空隙ＤＴ（共振器間隔）が確定される。本実施例においては、突当り部１７は、反射膜対１２の外周を取り囲むように設けられている。   The first and second substrates 11A and 11B are directly abutted (contacted) by the abutting portion 17. The height of the gap GP, that is, the facing distance between the first and second planes PL1 and PL2 is determined by the abutting portion 17. Accordingly, the gap DT (resonator interval) between the reflective films 12A and 12B is determined. In the present embodiment, the contact portion 17 is provided so as to surround the outer periphery of the reflective film pair 12.

本実施例においては、突当り部１７は、第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂの平滑面同士が直接に突き当って形成された部分である。より具体的には、突当り部１７は、第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂの主面同士が面接触によって接触した部分である。   In the present embodiment, the abutting portion 17 is a portion formed by directly abutting the smooth surfaces of the first and second substrates 11A and 11B. More specifically, the abutting portion 17 is a portion where the main surfaces of the first and second substrates 11A and 11B are in contact with each other by surface contact.

波長選択素子１０は、第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂが互いに接着された接着部１８を有する。第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂは、接着部１８によって接着されている。本実施例においては、突当り部１７は、反射膜対１２と接着部１８との間に形成されている。また、突当り部１７は、支持部１４と接着部１８との間に形成されている。より具体的には、第１の反射膜１２Ａ（及び可動部１３）の外側に支持部１４が形成され、支持部１４の外側に突当り部１７が形成されている。接着部１８は、突当り部１７の外側に形成されている。   The wavelength selection element 10 has an adhesive portion 18 in which the first and second substrates 11A and 11B are adhered to each other. The first and second substrates 11 </ b> A and 11 </ b> B are bonded by the bonding portion 18. In the present embodiment, the abutting portion 17 is formed between the reflective film pair 12 and the adhesive portion 18. The abutting portion 17 is formed between the support portion 14 and the adhesive portion 18. More specifically, a support portion 14 is formed outside the first reflective film 12A (and the movable portion 13), and a bumping portion 17 is formed outside the support portion 14. The bonding portion 18 is formed outside the bumping portion 17.

接着部１８は、基板対１１に平行な方向における基板対１１の位置決め（固定）部として機能する。すなわち、基板対１１に垂直な方向の位置は突当り部１７によって確定され、基板対１１に平行な方向の位置は接着部１８によって確定されている。   The bonding portion 18 functions as a positioning (fixing) portion for the substrate pair 11 in a direction parallel to the substrate pair 11. That is, the position in the direction perpendicular to the substrate pair 11 is determined by the abutting portion 17, and the position in the direction parallel to the substrate pair 11 is determined by the bonding portion 18.

波長選択素子１０は、外部から空隙ＧＰに通じる通気部１９を有する。通気部１９は、突当り部１７によって、基板１１Ａ及び１１Ｂ間に形成されている。通気部１９は、接着部１８から隔離されている。また、通気部１９は、空隙ＤＴ（反射膜対１２）と基板対１１の側面との間に通じている（連通している）。第１及び第２の駆動電極１５Ａ及び１５Ｂ、並びに第１及び第２の検出電極１６Ａ及び１６Ｂの各々と端子ＴＥとは、通気部１９を介して接続されている。すなわち、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線ＷＲは、通気部１９内に形成されている。   The wavelength selection element 10 has a ventilation portion 19 that communicates with the gap GP from the outside. The ventilation portion 19 is formed between the substrates 11A and 11B by the bump portion 17. The ventilation part 19 is isolated from the adhesive part 18. The ventilation part 19 communicates (communication) between the gap DT (reflection film pair 12) and the side surface of the substrate pair 11. Each of the first and second drive electrodes 15A and 15B, and the first and second detection electrodes 16A and 16B, and the terminal TE are connected to each other through the ventilation portion 19. That is, as shown in FIGS. 1A and 1B, the wiring WR is formed in the ventilation portion 19.

また、図１（ａ）に示すように、突当り部１７、接着部１８及び通気部１９は、反射膜対１２の中心に関して対称に形成されている。具体的には、突当り部１７は、反射膜対１２の中心に関して対称にかつ互いに離間して複数個所に形成されている。すなわち、波長選択素子１０は、間隙をおいて配された複数の突当り片１７Ｐを有する。突当り片１７Ｐは、反射膜対１２を中心に関して対称に配置されている。   Further, as shown in FIG. 1A, the contact portion 17, the adhesive portion 18, and the ventilation portion 19 are formed symmetrically with respect to the center of the reflective film pair 12. Specifically, the abutting portions 17 are formed at a plurality of locations symmetrically with respect to the center of the reflective film pair 12 and spaced apart from each other. That is, the wavelength selection element 10 has a plurality of contact pieces 17P arranged with a gap. The contact pieces 17P are arranged symmetrically with respect to the center of the reflective film pair 12.

本実施例においては、接着部１８は、突当り片１７Ｐの各々に囲まれかつ外部に接続されている。また、通気部１９は、突当り片１７Ｐ間における当該間隙に設けられている。すなわち、通気部１９は、突当り部１７（突当り片１７Ｐ）が形成されることによって基板１１Ａ及び１１Ｂ間に形成される。   In the present embodiment, the adhesive portion 18 is surrounded by each of the contact pieces 17P and connected to the outside. In addition, the ventilation part 19 is provided in the gap between the contact pieces 17P. That is, the ventilation part 19 is formed between the substrates 11A and 11B by forming the contact part 17 (the contact piece 17P).

次に、図２を用いて波長選択素子１０の動作について説明する。図２は、図１（ｂ）と同様の断面図であるが、ハッチングを省略している。図２は、入力光ＩＬが波長選択素子１０に入射してから選択光ＳＬとして外部に取出されるまでを模式的に示す図である。まず、入力光ＩＬは、第１の基板１１Ａを介して波長選択素子１０に入射する。入力光ＩＬは、第１の基板１１Ａを透過した後、反射膜対１２の第１の反射膜１２Ａを透過する。   Next, the operation of the wavelength selection element 10 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view similar to FIG. 1B, but omits hatching. FIG. 2 is a diagram schematically illustrating the period from when the input light IL enters the wavelength selection element 10 until it is extracted to the outside as the selection light SL. First, the input light IL is incident on the wavelength selection element 10 through the first substrate 11A. The input light IL passes through the first substrate 11A and then passes through the first reflecting film 12A of the reflecting film pair 12.

入力光ＩＬは、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂ間において多重反射を繰り返す。この際、入力光ＩＬのうち、反射膜対１２の対向間隔ＤＴに対応する波長の光は残存し、他の波長の光は減衰する。この残存した波長の光は、選択光ＳＬとして第２の反射膜１２Ｂを透過する。選択光ＳＬは、第２の反射膜１２Ｂを透過した後、第２の基板１１Ｂから出射する。このようにして、波長選択素子１０は、入射された光（電磁波）を選択的に出力（透過）する。   The input light IL repeats multiple reflections between the first and second reflective films 12A and 12B. At this time, in the input light IL, light having a wavelength corresponding to the facing distance DT of the reflective film pair 12 remains, and light having other wavelengths is attenuated. The remaining wavelength light passes through the second reflective film 12B as the selection light SL. The selection light SL passes through the second reflective film 12B and then exits from the second substrate 11B. In this way, the wavelength selection element 10 selectively outputs (transmits) incident light (electromagnetic wave).

なお、図２では、駆動電極１５Ａ及び１５Ｂに電圧を印加していない状態の波長選択素子１０を示している。この状態においては、第１の反射膜１２Ａは、突当り部１７によって確定された変位基準位置に配されている。   2 shows the wavelength selection element 10 in a state where no voltage is applied to the drive electrodes 15A and 15B. In this state, the first reflective film 12 </ b> A is disposed at the displacement reference position determined by the abutting portion 17.

一方、第１及び第２の駆動電極１５Ａ及び１５Ｂに電圧を印加すると、例えば、第１及び第２の駆動電極１５Ａ及び１５Ｂ間に静電引力が生ずる。支持部１４は、この静電引力によって弾性変形を起こし、第２の基板１１Ｂに向かって屈曲（傾斜）する。また、支持部１４（薄膜部）は、第１の反射膜１２Ａの周囲に設けられている。従って、可動部１３の全体が第２の基板１１Ｂに向かって移動する。これによって、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂ間の空隙ＤＴが小さくなる。なお、印加する電圧値によっては、第１及び第２の駆動電極１５Ａ及び１５Ｂ間に静電斥力を生じさせ、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂ間の空隙ＤＴを大きくすることもできる。   On the other hand, when a voltage is applied to the first and second drive electrodes 15A and 15B, for example, an electrostatic attractive force is generated between the first and second drive electrodes 15A and 15B. The support portion 14 is elastically deformed by this electrostatic attraction, and is bent (inclined) toward the second substrate 11B. The support portion 14 (thin film portion) is provided around the first reflective film 12A. Accordingly, the entire movable portion 13 moves toward the second substrate 11B. As a result, the gap DT between the first and second reflective films 12A and 12B is reduced. Depending on the voltage value to be applied, an electrostatic repulsive force can be generated between the first and second drive electrodes 15A and 15B, and the gap DT between the first and second reflective films 12A and 12B can be increased. .

通気部１９は、空隙ＤＴの変動時における空気の逃げとして機能する。より具体的には、例えば、空隙ＤＴを小さくするように第１の反射膜１２Ａを変位させた場合、変位前に比べて、反射膜対１２を含む基板１１Ａ及び１１Ｂ間の空間の体積が縮小する。この際、当該空間内の圧力が増加し、駆動電極１５Ａ及び１５Ｂに印加する電圧値と第１の反射膜１２Ａの実際の変位量との関係が不安定になる可能性がある。例えば、ある電圧値を超えると電圧値を上げてもほとんど第１の反射膜１２Ａが変位しない可能性がある。これに対し、空隙ＤＴと外部空間とを通じる通気部１９を有することによって、空隙ＤＴを含む空間内の圧力が開放された状態となる。従って、安定して第１の反射膜１２Ａを変位させることができる。従って、安定して波長選択特性を調節することができる。   The ventilation part 19 functions as air escape when the gap DT fluctuates. More specifically, for example, when the first reflective film 12A is displaced so as to reduce the gap DT, the volume of the space between the substrates 11A and 11B including the reflective film pair 12 is reduced compared to before the displacement. To do. At this time, the pressure in the space increases, and the relationship between the voltage value applied to the drive electrodes 15A and 15B and the actual displacement amount of the first reflective film 12A may become unstable. For example, when a certain voltage value is exceeded, there is a possibility that the first reflective film 12A is hardly displaced even if the voltage value is increased. On the other hand, by having the ventilation part 19 that passes through the gap DT and the external space, the pressure in the space including the gap DT is released. Therefore, the first reflective film 12A can be displaced stably. Therefore, the wavelength selection characteristic can be adjusted stably.

例えば、波長選択素子１０は、通気部１９を有することで、様々な外部環境下において高い動作安定性を有する。具体的には、反射膜対１２を含む空間は、通気部１９によって外部に連通している。例えば、波長選択素子１０は、大気中や真空中など、様々な圧力環境下において正確に波長選択特性を調節することができる。従って、例えば、波長選択素子１０は、波長選択特性を調節する駆動部１５の駆動パラメータを大きく変更することなく、様々な環境下で安定した動作を行うことができる。   For example, the wavelength selection element 10 has the ventilation portion 19 and thus has high operational stability under various external environments. Specifically, the space including the reflective film pair 12 communicates with the outside through the ventilation portion 19. For example, the wavelength selection element 10 can accurately adjust the wavelength selection characteristics under various pressure environments such as in the air or in a vacuum. Therefore, for example, the wavelength selection element 10 can perform a stable operation in various environments without greatly changing the drive parameter of the drive unit 15 that adjusts the wavelength selection characteristic.

また、上記したように、第１の反射膜１２Ａの変位基準位置（電圧印加前の位置）は、突当り部１７によって確実に定まる。従って、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂ間の空隙ＤＴの基準高さを確実に定め、正確にかつ安定して空隙ＤＴの高さを調節することができる。また、突当り部１７は、反射膜対１２と接着部１８との間に形成されている。従って、反射膜対１２の空隙ＤＴが確実に定まる。また、突当り部１７は、可動部１３及び支持部１４と接着部１８との間に形成されている。従って、第１の反射膜１２Ａの変位量が安定する。従って、安定して空隙ＤＴの調節を行うことができる。   Further, as described above, the displacement reference position (position before voltage application) of the first reflective film 12A is reliably determined by the abutting portion 17. Therefore, the reference height of the gap DT between the first and second reflective films 12A and 12B can be reliably determined, and the height of the gap DT can be adjusted accurately and stably. The abutting portion 17 is formed between the reflective film pair 12 and the adhesive portion 18. Accordingly, the gap DT of the reflective film pair 12 is reliably determined. Further, the abutting portion 17 is formed between the movable portion 13 and the support portion 14 and the adhesive portion 18. Therefore, the displacement amount of the first reflective film 12A is stabilized. Therefore, the gap DT can be adjusted stably.

また、支持部１４、駆動部１５、突当たり部１７及び通気部１９は、それぞれ、反射膜対１２の中心に関して対称に配置されている。従って、第１の反射膜１２Ａの位置及び変位量が安定する。従って、正確に波長選択特性を調節することが可能となる。   Further, the support part 14, the drive part 15, the bumping part 17, and the ventilation part 19 are respectively arranged symmetrically with respect to the center of the reflective film pair 12. Therefore, the position and displacement amount of the first reflective film 12A are stabilized. Therefore, it is possible to accurately adjust the wavelength selection characteristic.

なお、よりシャープな波長選択特性（フィルタリング特性）を得ることを考慮すると、反射膜１２Ａ及び１２Ｂ間の間隔ＤＴは、反射膜対１２の全体に亘って一定であることが好ましい。すなわち、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂは、上記したように、互いに平行に配置されることが好ましい。また、第１の反射膜１２Ａは、その変位前後で第２の反射膜１２Ｂとの平行状態を保持していることが好ましい。   In consideration of obtaining a sharper wavelength selection characteristic (filtering characteristic), the interval DT between the reflective films 12A and 12B is preferably constant over the entire reflective film pair 12. That is, the first and second reflective films 12A and 12B are preferably arranged in parallel to each other as described above. Moreover, it is preferable that 12 A of 1st reflection films are maintaining the parallel state with the 2nd reflection film 12B before and after the displacement.

また、安定した強度及び位置決め精度を得ることを考慮すると、突当たり部１７は、平滑面同士の接触によって（面接触によって）形成されることが好ましい。しかし、突当たり部１７は、面接触によらず、例えば点接触によって基板１１Ａ及び１１Ｂが当接して形成されていてもよい。   In consideration of obtaining stable strength and positioning accuracy, the abutting portion 17 is preferably formed by contact between smooth surfaces (by surface contact). However, the abutting portion 17 may be formed by contacting the substrates 11A and 11B by point contact, for example, not by surface contact.

また、突当り部１７は、接着部１８（接着剤）よりも高い剛性を有するもの同士が突き当てられて形成されてればよい。例えば、突当り部１７となる基板１１Ａ又は１１Ｂの表面にメッキ処理が施され、当該メッキ処理部が突き当てられることによって突当り部１７が形成されていてもよい。   Further, the abutting portion 17 may be formed by abutting those having higher rigidity than the adhesive portion 18 (adhesive). For example, the surface of the substrate 11A or 11B to be the contact portion 17 may be plated, and the contact portion 17 may be formed by abutting the plating processing portion.

図３（ａ）は、接着部１８の上面を拡大して模式的に示す上面図である。図３（ｂ）は、接着部１８の断面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＷ−Ｗ線に沿った断面図である。図３（ａ）及び（ｂ）を用いて、接着部１８の構造について説明する。   FIG. 3A is a top view schematically showing an enlarged upper surface of the bonding portion 18. FIG. 3B is a cross-sectional view of the bonding portion 18. FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line WW in FIG. The structure of the adhesion part 18 is demonstrated using FIG. 3 (a) and (b).

接着部１８は、外部に接続され、接着剤ＢＤを毛細管現象によって導入しうる大きさの溝ＴＲを含む。図３（ａ）においては、図の明確さのため、溝ＴＲにハッチングを施している。図３（ａ）に示すように、本実施例においては、溝ＴＲの各々は、両端において外部（例えば基板対１１の側面）に接続されている。また、図３（ｂ）に示すように、溝ＴＲは、本実施例においては、第２の基板１１Ｂに形成されている。また、溝ＴＲの上部は、第１の基板１１Ａによって閉塞されている。   The bonding part 18 is connected to the outside and includes a groove TR having a size capable of introducing the adhesive BD by capillary action. In FIG. 3A, the trench TR is hatched for clarity of the drawing. As shown in FIG. 3A, in this embodiment, each of the trenches TR is connected to the outside (for example, the side surfaces of the substrate pair 11) at both ends. Further, as shown in FIG. 3B, the trench TR is formed in the second substrate 11B in this embodiment. Further, the upper portion of the trench TR is closed by the first substrate 11A.

より具体的には、突当り部１７は、第１の基板１１Ａに設けられた第１の平滑面ＦＳ１と、第２の基板１１Ｂに設けられた第２の平滑面ＦＳ２とが互いに突き当てられた部分である。つまり、突当り部１７は、基板１１Ａ及び１１Ｂにそれぞれ形成された平滑面ＦＳ１及びＦＳ２同士が突き当てられた部分である。また、溝ＴＲは、第２の平滑面ＦＳ２に形成されている。また、溝ＴＲの上部は、第１の平滑面ＦＳ１によって塞がれている。なお、溝ＴＲは、第１及び第２の平滑面ＦＳ１及びＦＳ２の少なくとも一方に設けられていれば良い。   More specifically, in the contact portion 17, the first smooth surface FS1 provided on the first substrate 11A and the second smooth surface FS2 provided on the second substrate 11B are abutted against each other. Part. That is, the abutting portion 17 is a portion where the smooth surfaces FS1 and FS2 formed on the substrates 11A and 11B are abutted with each other. Further, the trench TR is formed in the second smooth surface FS2. Further, the upper portion of the trench TR is closed by the first smooth surface FS1. The groove TR may be provided on at least one of the first and second smooth surfaces FS1 and FS2.

溝ＴＲの各々は、毛細管現象によって接着材ＢＤが溝ＴＲ内に進入するように構成されている。具体的には、例えば、溝ＴＲの断面サイズ、溝ＴＲ（第２の基板１１Ｂ）の内壁面の材料及び接着材ＢＤの材料は、接着材ＢＤが溝ＴＲ内（溝ＴＲと第１の基板１１Ａとの間の領域）に進入するように構成されている。例えば、基板１１Ａ及び１１Ｂの各々は紫外線に対する透過性を有し、接着部１８の溝ＴＲには、ＵＶ硬化型の接着剤ＢＤが充填されている。例えば、接着剤ＢＤはＵＶ硬化樹脂である。   Each of the grooves TR is configured such that the adhesive BD enters the groove TR by capillary action. Specifically, for example, the cross-sectional size of the trench TR, the material of the inner wall surface of the trench TR (second substrate 11B), and the material of the adhesive BD are the same as those in the trench TR (the trench TR and the first substrate). 11 </ b> A). For example, each of the substrates 11A and 11B has transparency to ultraviolet rays, and the groove TR of the bonding portion 18 is filled with a UV curable adhesive BD. For example, the adhesive BD is a UV curable resin.

図４（ａ）は、第１の基板１１Ａの模式的な上面図である。図４（ａ）を用いて第１の基板１１Ａ上に形成された各構成要素について説明する。まず、第１の基板１１Ａ上には、第１の反射膜１２Ａ、可動部１３、支持部１４、第１の駆動電極１５Ａ、第１の検出電極１６Ａ、第１の駆動電極１５Ａに接続された配線ＷＲ及び端子ＴＥ、並びに第１の検出電極１６Ａに接続された配線ＷＲ及び端子ＴＥが形成されている。   FIG. 4A is a schematic top view of the first substrate 11A. Each component formed on the first substrate 11A will be described with reference to FIG. First, on the first substrate 11A, the first reflective film 12A, the movable portion 13, the support portion 14, the first drive electrode 15A, the first detection electrode 16A, and the first drive electrode 15A are connected. The wiring WR and the terminal TE, and the wiring WR and the terminal TE connected to the first detection electrode 16A are formed.

図４（ｂ）は、第２の基板１１Ｂの模式的な上面図である。図４（ｂ）に示すように、第２の基板１１Ｂ上には、第２の反射膜１２Ｂ、第２の駆動電極１５Ｂ、第２の検出電極１６Ｂ、第２の駆動電極１５Ｂに接続された配線ＷＲ及び端子ＴＥ、並びに第２の検出電極１６Ｂに接続された配線ＷＲ及び端子ＴＥが形成されている。   FIG. 4B is a schematic top view of the second substrate 11B. As shown in FIG. 4B, on the second substrate 11B, connected to the second reflective film 12B, the second drive electrode 15B, the second detection electrode 16B, and the second drive electrode 15B. The wiring WR and the terminal TE, and the wiring WR and the terminal TE connected to the second detection electrode 16B are formed.

また、図４（ａ）及び（ｂ）において破線で示すように、第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂには、突当り部１７を形成する第１及び第２の突当り領域（本実施例においては突当り面）１７Ａ及び１７Ｂが設けられている。第１及び第２の突当り領域１７Ａ及び１７Ｂの各々は、互いに突き当てられて突当り部１７を形成する。   Further, as shown by broken lines in FIGS. 4 (a) and 4 (b), the first and second substrates 11A and 11B have first and second contact regions (in this embodiment) in which the contact portions 17 are formed. Is a bumping surface) 17A and 17B. Each of the first and second contact regions 17A and 17B is abutted against each other to form a contact portion 17.

また、第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂは、上面視において矩形の形状を有する。端子ＴＥの各々は、第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂ上における頂点部分に形成されている。配線ＷＲは、各電極１５Ａ、１５Ｂ、１６Ａ及び１６Ｂの各々から基板１１Ａ又は１１Ｂの頂点部分に向かって形成されている。配線ＷＲが形成された領域が通気部１９の領域に対応する。また、通気部１９が形成されていない支持部１４の外側の領域は、突当り部１７又は接着部１８の領域に対応する。   The first and second substrates 11A and 11B have a rectangular shape when viewed from above. Each of the terminals TE is formed at a vertex portion on the first and second substrates 11A and 11B. The wiring WR is formed from each of the electrodes 15A, 15B, 16A, and 16B toward the apex portion of the substrate 11A or 11B. The region where the wiring WR is formed corresponds to the region of the ventilation part 19. Further, the area outside the support part 14 where the ventilation part 19 is not formed corresponds to the area of the bumping part 17 or the bonding part 18.

次に図５（ａ）〜（ｃ）を用いて、波長選択素子１０の製造方法について説明する。図５（ａ）は、突当てた状態の第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂを示す断面図である。まず、各構成要素を形成した第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂ（図４（ａ）及び（ｂ）参照）を、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂが対向するように突き当てる。これによって、突当り部１７が形成される。この状態で基板１１Ａ及び１１Ｂの対向方向における位置が確定される。すなわち、第１の反射膜１２Ａの変位基準位置が定まる。   Next, the manufacturing method of the wavelength selection element 10 is demonstrated using Fig.5 (a)-(c). FIG. 5A is a cross-sectional view showing the first and second substrates 11A and 11B in the abutted state. First, the first and second substrates 11A and 11B (see FIGS. 4A and 4B) on which each component is formed are abutted so that the first and second reflective films 12A and 12B face each other. . As a result, the abutting portion 17 is formed. In this state, the positions of the substrates 11A and 11B in the facing direction are determined. That is, the displacement reference position of the first reflective film 12A is determined.

図５（ｂ）は、接着部１８を構成する溝ＴＲに接着材ＢＤを塗布する直前の第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂを示す断面図である。図５（ｂ）に示すように、第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂを突き当てた後、溝ＴＲの端部の一方に接着材ＢＤを塗布する（例えば点滴を行う）。接着材ＢＤは、毛細管現象によって溝ＴＲ内に進入し、溝ＴＲに完全に充填される。このようにして溝ＴＲに接着材ＢＤを充填する。   FIG. 5B is a cross-sectional view showing the first and second substrates 11A and 11B immediately before the adhesive BD is applied to the groove TR that constitutes the bonding portion 18. As shown in FIG. 5B, after the first and second substrates 11A and 11B are abutted, an adhesive BD is applied to one of the ends of the trench TR (for example, drip is performed). The adhesive BD enters the groove TR by capillary action and is completely filled in the groove TR. In this way, the adhesive TR is filled in the groove TR.

図５（ｃ）は、接着材ＢＤが硬化し、接着部ＢＤが形成された状態の第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂを示す断面図である。溝ＴＲに接着材ＢＤを充填した後、接着材ＢＤを硬化させる。例えば、接着材ＢＤにＵＶ硬化樹脂を用いた場合、溝ＴＲの部分に紫外線を照射する。接着材ＢＤが硬化することで第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂが互いに接着され、接着部１８が形成される。ここで、基板１１Ａ及び１１Ｂに平行な方向において基板１１Ａ及び１１Ｂが位置決め（固定）される。   FIG. 5C is a cross-sectional view showing the first and second substrates 11A and 11B in a state where the adhesive BD is cured and the adhesive portion BD is formed. After filling the groove TR with the adhesive BD, the adhesive BD is cured. For example, when a UV curable resin is used for the adhesive BD, the portion of the groove TR is irradiated with ultraviolet rays. As the adhesive BD is cured, the first and second substrates 11A and 11B are bonded to each other, and the bonded portion 18 is formed. Here, the substrates 11A and 11B are positioned (fixed) in a direction parallel to the substrates 11A and 11B.

このようにして、本実施例においては、まず基板同士を突き当てた後、毛細管現象を利用して接着材ＢＤを溝ＴＲに充填する。従って、基板１１Ａ及び１１Ｂの対向方向における位置が確実に定まった後で基板１１Ａ及び１１Ｂが接着される。従って、確実に所望の空隙ＤＴを確定することができる。   In this way, in this embodiment, the substrates are first brought into contact with each other, and then the adhesive material BD is filled into the groove TR using the capillary phenomenon. Accordingly, the substrates 11A and 11B are bonded after the positions in the facing direction of the substrates 11A and 11B are reliably determined. Therefore, the desired gap DT can be determined with certainty.

なお、溝ＴＲは、図３（ｂ）に示すように、通気部１９の高さよりも小さな深さを有する。従って、接着材ＢＤは、溝ＴＲに対しては毛細管現象により進入する。一方で、通気部１９においては接着材ＢＤとの間に毛細管現象が生じない。従って、接着材ＢＤは、溝ＴＲには進入するが、通気部１９には進入しない。   The groove TR has a depth smaller than the height of the ventilation portion 19 as shown in FIG. Accordingly, the adhesive BD enters the groove TR by a capillary phenomenon. On the other hand, no capillary action occurs between the ventilation portion 19 and the adhesive BD. Accordingly, the adhesive BD enters the groove TR but does not enter the ventilation portion 19.

また、接着部１８は、突当り部１７によって隔離されている。従って、通気部１９は、突当り部１７によって接着部１８から隔離されている。従って、接着材ＢＤが通気部１９に進入（漏れ入る）ことが抑制される。従って、例えば接着材ＢＤが通気部１９を塞ぐことが抑制される。   Further, the bonding portion 18 is isolated by the bump portion 17. Therefore, the ventilation part 19 is isolated from the adhesive part 18 by the abutting part 17. Accordingly, the adhesive material BD is prevented from entering (leaking into) the ventilation portion 19. Therefore, for example, the adhesive material BD is suppressed from blocking the ventilation portion 19.

本実施例においては、波長選択素子１０は、一対の基板１１Ａ及び１１Ｂの各々上に空隙ＤＴをおいて対向して配置された一対の反射膜１２Ａ及び１２Ｂを有し、第１の反射膜１２Ａが反射膜対１２の対向方向に変位可能なように構成されている。また、波長選択素子１０は、第１の反射膜１２Ａの変位基準位置を定める突当り部１７と、外部から空隙ＤＴに通じる通気部１９と、基板１１Ａ及び１１Ｂが互いに接着された接着部１８とを有する。従って、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂを確実に所望の位置に配置し、安定して第１の反射膜１２Ａを変位させることができる。従って、安定して正確に波長選択特性を調節することができる。
［変形例１］
図６（ａ）は、実施例１の変形例１に係る波長選択素子１０Ａの構成を示す上面図である。波長選択素子１０Ａは、接着部１８Ａの構成を除いては、波長選択素子１０と同様の構成を有する。図６（ａ）は、波長選択素子１０Ａにおける接着部１８Ａの上面を拡大して模式的に示す図である。なお、図６（ａ）においては、図の明確さのため、溝ＴＲにハッチングを施している。 In the present embodiment, the wavelength selection element 10 has a pair of reflection films 12A and 12B disposed opposite each other with a gap DT on each of the pair of substrates 11A and 11B, and the first reflection film 12A. Is configured to be displaceable in the opposing direction of the reflective film pair 12. Further, the wavelength selection element 10 includes a bumping portion 17 that defines a displacement reference position of the first reflective film 12A, a ventilation portion 19 that leads from the outside to the gap DT, and an adhesion portion 18 where the substrates 11A and 11B are adhered to each other. Have. Therefore, the first and second reflective films 12A and 12B can be reliably disposed at desired positions, and the first reflective film 12A can be displaced stably. Therefore, the wavelength selection characteristic can be adjusted stably and accurately.
[Modification 1]
FIG. 6A is a top view illustrating the configuration of the wavelength selection element 10A according to the first modification of the first embodiment. The wavelength selection element 10A has the same configuration as the wavelength selection element 10 except for the configuration of the bonding portion 18A. FIG. 6A is a diagram schematically showing an enlarged upper surface of the adhesive portion 18A in the wavelength selection element 10A. In FIG. 6A, the trench TR is hatched for clarity of illustration.

本変形例においては、接着部１８Ａは、溝幅が異なる溝部を有する溝ＴＲを有する。具体的には、溝ＴＲは、外部に接続された第１の溝部Ｐ１と、第１の溝部Ｐ１に接続され、第１の溝部Ｐ１よりも小さな溝幅を有する第２の溝部Ｐ２とを有する。本変形例においては、溝ＴＲは、一端が外部に接続された２つの第１の溝部Ｐ１と、２つの第１の溝部Ｐ１の多端間に両端が接続された第２の溝部Ｐ２とからなる。   In the present modification, the bonding portion 18A has a groove TR having groove portions with different groove widths. Specifically, the trench TR includes a first groove portion P1 connected to the outside and a second groove portion P2 connected to the first groove portion P1 and having a groove width smaller than that of the first groove portion P1. . In this modification, the trench TR includes two first groove portions P1 having one end connected to the outside and a second groove portion P2 having both ends connected between multiple ends of the two first groove portions P1. .

本変形例においては、溝ＴＲの両端においては溝幅を大きくし、内部に形成される部分については部分的に溝幅を小さくしている。これによって、溝ＴＲの内部での接着材ＢＤの進入（毛細管現象）が促進される。従って、確実に溝ＴＲの全体に接着材ＢＤを充填することができる。従って、接着強度が安定する。
［変形例２］
図６（ｂ）は、実施例１の変形例２に係る波長選択素子１０Ｂの構成を示す上面図である。波長選択素子１０Ｂは、接着部１８Ｂの構成を除いては、波長選択素子１０と同様の構成を有する。図６（ｂ）は、波長選択素子１０Ｂにおける接着部１８Ｂの上面を拡大して模式的に示す図である。なお、図６（ｂ）においては、図の明確さのため、溝ＴＲにハッチングを施している。 In this modification, the groove width is increased at both ends of the groove TR, and the groove width is partially reduced for the portion formed inside. As a result, the penetration (capillary phenomenon) of the adhesive BD inside the groove TR is promoted. Therefore, it is possible to reliably fill the entire groove TR with the adhesive BD. Accordingly, the adhesive strength is stabilized.
[Modification 2]
FIG. 6B is a top view illustrating the configuration of the wavelength selection element 10B according to the second modification of the first embodiment. The wavelength selection element 10B has the same configuration as the wavelength selection element 10 except for the configuration of the bonding portion 18B. FIG. 6B is a diagram schematically showing an enlarged upper surface of the adhesive portion 18B in the wavelength selection element 10B. In FIG. 6B, the trench TR is hatched for the sake of clarity.

本変形例においては、溝ＴＲが櫛歯状に形成されている。溝ＴＲが両端だけでなく、中間部分でも外部に接続されている。すなわち、溝ＴＲが３個所以上で外部に通じている。従って、容易に溝ＴＲ内に接着材ＢＤを充填することが可能となる。また、接着材ＢＤの溝ＴＲ内への充填不良が抑制される。従って、確実に接着材ＢＤが溝ＴＲ内に充填され、接着強度が安定する。   In the present modification, the groove TR is formed in a comb shape. The trench TR is connected to the outside not only at both ends but also at the intermediate portion. That is, the groove TR communicates with the outside at three or more locations. Accordingly, the adhesive material BD can be easily filled in the trench TR. In addition, poor filling of the adhesive material BD into the groove TR is suppressed. Therefore, the adhesive material BD is reliably filled in the groove TR, and the adhesive strength is stabilized.

なお、上記においては、接着部１８が溝ＴＲを有する場合について説明したが、接着部ＴＲを有する場合に限定されない。接着部１８において、第１及び第２の基板１１Ａ及び１１Ｂが互いに接着されていればよい。   In addition, in the above, although the case where the adhesion part 18 had the groove | channel TR was demonstrated, it is not limited to the case where it has the adhesion part TR. It is only necessary that the first and second substrates 11A and 11B are bonded to each other in the bonding portion 18.

また、突当り部１７が反射膜対１２と接着部１８との間に形成される場合について説明したが、突当り部１７の形成位置はこれに限定されない。また、波長選択素子１０が可動部１３、支持部１４、駆動部１５及び検出部１６を有する場合について説明したが、波長選択素子１０の構成はこれに限定されない。一対の基板１１Ａ及び１１Ｂの各々上に空隙ＤＴをおいて配置された一対の反射膜１２を有し、少なくとも一方の反射膜１２Ａが変位するように構成されていればよい。   Moreover, although the case where the bumping portion 17 is formed between the reflective film pair 12 and the bonding portion 18 has been described, the position where the bumping portion 17 is formed is not limited to this. Moreover, although the case where the wavelength selection element 10 has the movable part 13, the support part 14, the drive part 15, and the detection part 16 was demonstrated, the structure of the wavelength selection element 10 is not limited to this. It is only necessary to have a pair of reflective films 12 disposed with a gap DT on each of the pair of substrates 11A and 11B, and at least one of the reflective films 12A to be displaced.

また、第１の反射膜１２Ａが変位する場合について説明したが、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂの両方が変位可能であってもよい。この場合、例えば、第２の基板１１Ｂにも可動部１３及び支持部１４が形成されればよい。また、例えば、第２の基板１１Ｂのみに可動部１３及び支持部１４を形成し、第２の反射膜１２Ｂのみが変位するように構成されていてもよい。   Moreover, although the case where the first reflective film 12A is displaced has been described, both the first and second reflective films 12A and 12B may be displaceable. In this case, for example, the movable portion 13 and the support portion 14 may be formed on the second substrate 11B. Further, for example, the movable portion 13 and the support portion 14 may be formed only on the second substrate 11B, and only the second reflective film 12B may be displaced.

また、本実施例においては、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂが互いに平行に配置される場合について説明した。しかし、実現する波長選択特性によっては、第１及び第２の反射膜１２Ａ及び１２Ｂは、平行に配置されていなくてもよい。この場合、第１の反射膜１２Ａ（すなわち変位する反射膜）は、第２の平面ＰＬ２（第２の反射膜１２Ｂ）に垂直な方向に変位されればよい。   In the present embodiment, the case where the first and second reflective films 12A and 12B are arranged in parallel to each other has been described. However, depending on the wavelength selection characteristics to be realized, the first and second reflective films 12A and 12B may not be arranged in parallel. In this case, the first reflective film 12A (that is, the displaced reflective film) may be displaced in a direction perpendicular to the second plane PL2 (second reflective film 12B).

また、支持部１４が弾性変形によって可動部１３を移動させる場合について説明したが、支持部１４は弾性変形を生ずる場合に限定されない。また、本実施例においては、反射膜対１２が円形の平面形状を有する場合について説明したが、反射膜対１２の平面形状はこれに限定されない。例えば反射膜対１２は、矩形の平面形状を有していてもよい。また、基板対１１が矩形の平面形状を有する場合について説明及び図示したが、基板対１１の平面形状はこれに限定されない。   Moreover, although the case where the support part 14 moves the movable part 13 by elastic deformation was demonstrated, the support part 14 is not limited to the case where elastic deformation occurs. In this embodiment, the case where the reflective film pair 12 has a circular planar shape has been described. However, the planar shape of the reflective film pair 12 is not limited to this. For example, the reflective film pair 12 may have a rectangular planar shape. Further, although the case where the substrate pair 11 has a rectangular planar shape has been described and illustrated, the planar shape of the substrate pair 11 is not limited thereto.

また、第２の基板１１Ｂが凹部を有し、当該凹部の底面が第２の平面ＰＬ２である場合について説明したが、第２の基板１１Ｂの形状はこれに限定されない。基板対１１が間隙ＧＰをおいて互いに対向する平面ＰＰ（第１及び第２の平面ＰＬ１及びＰＬ２）を有するように配置されていればよい。   Moreover, although the case where the 2nd board | substrate 11B has a recessed part and the bottom face of the said recessed part is the 2nd plane PL2 was demonstrated, the shape of the 2nd board | substrate 11B is not limited to this. The substrate pair 11 may be disposed so as to have the planes PP (first and second planes PL1 and PL2) facing each other with a gap GP.

１０、１０Ａ、１０Ｂ 波長選択素子
１１ 一対の基板
１２ 一対の反射膜
１３ 可動部
１４ 支持部
１５ 駆動部
１７ 突当り部
１８ 接着部
１９ 通気部
ＴＲ 溝 10, 10A, 10B Wavelength selection element 11 A pair of substrates 12 A pair of reflective films 13 A movable part 14 A support part 15 A drive part 17 Abutting part 18 An adhesive part 19 A ventilation part TR Groove

Claims (11)

一対の基板の各々に空隙をおいて対向して配置された一対の反射膜を有し、前記反射膜の少なくとも一方が前記反射膜の対向方向に変位可能な波長選択素子であって、
前記一対の基板の各々に形成され、互いに直接に突き当たって前記少なくとも一方の前記反射膜の変位基準位置を定める突当り部と、
外部から前記空隙に通じる通気部と、
前記基板の各々が互いに接着された接着部と、を有する波長選択素子。 A wavelength selection element having a pair of reflective films disposed facing each other with a gap on each of the pair of substrates, wherein at least one of the reflective films is displaceable in a facing direction of the reflective film;
A bumping portion that is formed on each of the pair of substrates and directly strikes each other to define a displacement reference position of the at least one reflective film;
A ventilation part communicating with the gap from the outside;
A wavelength selection element having an adhesive portion in which each of the substrates is adhered to each other. 前記突当り部は、前記一対の反射膜と前記接着部との間に形成され、
前記接着部は、前記突当り部によって前記通気部から隔離されている請求項１に記載の波長選択素子。 The bump portion is formed between the pair of reflective films and the bonding portion,
The wavelength selecting element according to claim 1, wherein the adhesive portion is isolated from the ventilation portion by the bumping portion. 前記突当り部は、間隙をおいて配された複数の突当り片を有し、
前記通気部は、前記突当り片間における前記間隙に設けられている請求項１又は２に記載の波長選択素子。 The abutting portion has a plurality of abutting pieces arranged with a gap,
The wavelength selection element according to claim 1, wherein the ventilation portion is provided in the gap between the bumps. 前記突当り部及び前記通気部は、前記一対の反射膜の中心に関して対称に配置されている請求項１乃至３のいずれか１つに記載の波長選択素子。   4. The wavelength selection element according to claim 1, wherein the abutting portion and the ventilation portion are arranged symmetrically with respect to a center of the pair of reflective films. 前記対向方向に移動して前記少なくとも一方の前記反射膜を前記対向方向に変位させる可動部と、前記可動部を取り囲むように形成され、前記可動部を支持する支持部と、を有し、
前記突当り部は、前記支持部と前記接着部との間に形成されている請求項１乃至４のいずれか１つに記載の波長選択素子。 A movable part that moves in the facing direction and displaces the at least one reflective film in the facing direction; and a support part that is formed so as to surround the movable part and supports the movable part,
The wavelength selection element according to claim 1, wherein the abutting portion is formed between the support portion and the adhesive portion. 前記突当り部は、前記一対の基板にそれぞれ形成された平滑面同士が直接に突き当てられた部分である請求項１乃至５のいずれか１つに記載の波長選択素子。   The wavelength selection element according to claim 1, wherein the abutting portion is a portion in which smooth surfaces respectively formed on the pair of substrates are directly abutted against each other. 前記接着部は、外部に接続され、接着剤を毛細管現象によって導入しうる大きさの溝を含む請求項１乃至６のいずれか１つに記載の波長選択素子。   The wavelength selecting element according to claim 1, wherein the adhesive portion includes a groove that is connected to the outside and has a size that allows the adhesive to be introduced by capillary action. 前記溝は、外部に接続された第１の溝部と、前記第１の溝部に接続され、前記第１の溝部よりも小さな溝幅を有する第２の溝部と、を有する請求項７に記載の波長選択素子。   The said groove | channel has the 1st groove part connected to the exterior, and the 2nd groove part which is connected to the said 1st groove part and has a groove width smaller than the said 1st groove part. Wavelength selection element. 前記溝は、櫛歯状に形成されている請求項７又は８に記載の波長選択素子。   The wavelength selection element according to claim 7 or 8, wherein the groove is formed in a comb-teeth shape. 前記溝は、前記平滑面の少なくとも一方に形成されている請求項６に記載の波長選択素子。   The wavelength selection element according to claim 6, wherein the groove is formed in at least one of the smooth surfaces. 前記一対の基板は紫外線に対して透過性を有し、
前記接着部の前記溝には、ＵＶ硬化型の接着剤が充填されている請求項７乃至１０のいずれか１つに記載の波長選択素子。 The pair of substrates are permeable to ultraviolet rays,
The wavelength selection element according to claim 7, wherein the groove of the adhesive portion is filled with a UV curable adhesive.
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